KR20140114707A - 양면표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

양면표시장치 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140114707A
KR20140114707A KR1020130029407A KR20130029407A KR20140114707A KR 20140114707 A KR20140114707 A KR 20140114707A KR 1020130029407 A KR1020130029407 A KR 1020130029407A KR 20130029407 A KR20130029407 A KR 20130029407A KR 20140114707 A KR20140114707 A KR 20140114707A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
pixel regions
layer
light emitting
forming
Prior art date
Application number
KR1020130029407A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102066086B1 (ko
Inventor
정진현
박성희
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130029407A priority Critical patent/KR102066086B1/ko
Publication of KR20140114707A publication Critical patent/KR20140114707A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102066086B1 publication Critical patent/KR102066086B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Abstract

본원의 일 실시예는, 표시영역이 서로 반대되는 방향으로 광을 방출하는 복수의 제 1 및 제 2 화소영역을 포함하도록 정의되어, 양면에서 영상을 표시 가능한 양면표시장치에 있어서, 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각과 대응하여, 셀 어레이 상에 형성되는 제 1 전극; 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각과 대응하여, 상기 제 1 전극 상에 형성되는 발광층; 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 상기 제 1 전극과 마주하도록, 상기 발광층 상에 형성되는 제 2 전극; 상기 복수의 제 1 화소영역 각각과 대응하여, 상기 셀 어레이와 상기 발광층 사이에 형성되는 제 1 반사층; 및 상기 복수의 제 2 화소영역 각각과 대응하여, 상기 발광층과 상기 제 2 전극 사이에 형성되는 제 2 반사층을 포함하고, 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 상기 제 2 전극은 상호 연결되도록 형성되는 양면표시장치를 제공한다.

Description

양면표시장치 및 그의 제조방법{DUAL Display device and MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본원은 양면에서 영상을 표시하는 장치에 관한 것으로, 특히 대면적에 유리한 양면표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라, 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전하고 있다. 이에, 여러가지 다양한 평판표시장치(Flat Display Device)에 대해 대면적화, 박형화, 경량화 및 저소비전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다.
이 같은 평판표시장치의 대표적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 전기발광표시장치(Electro Luminescence Display device: ELD), 전기습윤표시장치(Electro-Wetting Display device: EWD) 및 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display device: OLED) 등을 들 수 있다.
이 중 유기발광표시장치는 자체 발광형 소자인 유기발광소자(Organic Light Emitting Diode)를 이용하여 화상을 표시하는 장치이다. 이러한 유기발광표시장치는 각 화소에 대응하여 서로 다른 색상의 광을 방출하는 둘 이상의 유기발광소자를 포함함으로써, 별도의 컬러필터를 구비하지 않고서도 컬러화상을 구현할 수 있는 장점이 있다. 그리고, 별도의 광원이 불필요하여 액정표시장치보다 소형화, 박형화 및 경량화에 유리한 장점, 시야각이 넓은 장점, 및 1000배 이상 빠른 반응속도를 나타내어 잔상이 적은 장점이 있다.
더불어 유기발광표시장치는 전면발광형 및 후면발광형 유기발광소자를 포함함으로써, 용이하게 양면표시장치로 구현될 수 있다.
그런데, 양면표시장치에 있어서, 전면발광형 유기발광소자의 캐소드전극은 비교적 저항이 높은 투명도전성물질로 형성되는 것이 일반적이다. 이로써, 전면발광형 유기발광소자가 전원으로부터 멀리 이격될수록, 캐소드전극의 저항에 의한 전압강하로 인해 더욱 낮아진 휘도를 나타낸다.
즉, 캐소드전극의 저항에 따른 화소 간 휘도 차이로 인해, 전면영상의 화질이 후면영상보다 저하되는 문제점이 있다.
특히, 양면표시장치가 대면적일수록, 캐소드전극의 저항으로 인한 전면영상의 화질 저하가 심화되므로, 양면표시장치의 대면적화에 한계가 있는 문제점이 있다.
본원은 전면발광형 유기발광소자의 캐소드전극의 저항에 의한 전면영상의 화질 저하를 방지할 수 있고, 그로 인해, 대면적화를 더욱 용이하게 구현할 수 있는 양면표시장치 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
이와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본원의 일 실시예는 표시영역이 서로 반대되는 방향으로 광을 방출하는 복수의 제 1 및 제 2 화소영역을 포함하도록 정의되어, 양면에서 영상을 표시 가능한 양면표시장치에 있어서, 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각과 대응하여, 셀 어레이 상에 형성되는 제 1 전극; 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각과 대응하여, 상기 제 1 전극 상에 형성되는 발광층; 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 상기 제 1 전극과 마주하도록, 상기 발광층 상에 형성되는 제 2 전극; 상기 복수의 제 1 화소영역 각각과 대응하여, 상기 셀 어레이와 상기 발광층 사이에 형성되는 제 1 반사층; 및 상기 복수의 제 2 화소영역 각각과 대응하여, 상기 발광층과 상기 제 2 전극 사이에 형성되는 제 2 반사층을 포함하는 양면표시장치를 제공한다. 여기서, 상기 제 1 및 제 2 전극은 투명도전성물질로 형성되며, 상기 제 1 및 제 2 반사층은 상기 투명도전성물질보다 낮은 저항을 띄는 반사성의 금속물질로 형성되고, 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 상기 제 2 전극은 상호 연결되도록 형성된다.
그리고, 본원의 일 실시예는 표시영역이 서로 반대되는 방향으로 광을 방출하는 복수의 제 1 및 제 2 화소영역을 포함하도록 정의되어, 양면에서 영상을 표시 가능한 양면표시장치를 제조하는 방법에 있어서, 셀 어레이를 마련하는 단계; 상기 셀 어레이 상에, 상기 복수의 제 1 화소영역 각각과 대응하는 제 1 반사층을 금속물질로 형성하는 단계; 상기 제 1 반사층을 포함한 상기 셀 어레이 상에, 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각과 대응하는 제 1 전극을 투명도전성물질로 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에, 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각과 대응하는 발광층을 발광성의 유기물질로 형성하는 단계; 상기 발광층 상에, 상기 복수의 제 2 화소영역 각각과 대응하는 제 2 반사층을 상기 금속물질로 형성하는 단계; 및 상기 제 2 반사층을 포함한 상기 발광층 상에, 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각과 대응하여 상기 제 1 전극과 마주하는 제 2 전극을 상기 투명도전성물질로 형성하는 단계를 포함하는 양면표시장치의 제조방법을 제공한다. 여기서, 상기 금속물질은 상기 투명도전성물질보다 낮은 저항을 띄고, 상기 제 2 전극을 형성하는 단계에서, 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 상기 제 2 전극은 상호 연결되도록 형성된다.
본원의 일 실시예에 따른 양면표시장치는 서로 반대되는 방향으로 광을 방출하는 복수의 제 1 및 제 2 화소영역을 포함하되, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각과 대응하여, 발광층 상에 제 1 전극과 마주하도록 형성되는 제 2 전극, 및 복수의 제 2 화소영역 각각과 대응하여, 발광층과 제 2 전극 사이에 형성되는 제 2 반사층을 포함한다.
이때, 제 2 전극은 비교적 높은 저항을 띄는 투명도전성물질로 형성되나, 제 1 및 제 2 반사층은 투명도전성물질보다 낮은 저항을 띄는 반사성의 금속물질로 형성되고, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 제 2 전극은 상호 연결되도록 형성되므로, 복수의 제 2 화소영역 각각의 제 2 전극 뿐만 아니라, 복수의 제 1 화소영역 각각의 제 2 전극은 제 2 반사층과 전기적으로 연결된다.
이에, 복수의 제 1 화소영역 각각과 대응한 제 2 전극의 저항이 감소될 수 있어, 제 2 전극의 저항에 의해, 복수의 제 1 화소영역에 의한 영상, 즉 전면영상의 화질이 저하되는 것이 방지될 수 있고, 이로써, 양면표시장치의 대면적화가 더욱 용이하게 구현될 수 있다.
도 1은 본원의 제 1 실시예에 따른 양면표시장치의 화소배열구조를 나타낸 예시이다.
도 2는 도 1에 도시된 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본원의 제 1 실시예에 따른 양면표시장치를 제조하는 방법을 나타낸 순서도이다.
도 4a 내지 도 4h는 도 3의 순서도를 나타낸 공정도이다.
도 5는 본원의 제 2 실시예에 따른 양면표시장치의 화소배열구조를 나타낸 예시이다.
도 6는 도 5에 도시된 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 일부를 나타낸 단면도이다.
이하, 본원의 각 실시예에 따른 양면표시장치 및 그의 제조방법에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본원의 제 1 실시예에 따른 양면표시장치에 대해 설명한다.
도 1은 본원의 제 1 실시예에 따른 양면표시장치의 화소배열구조를 나타낸 예시이고, 도 2는 도 1에 도시된 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본원의 제 1 실시예에 따른 양면표시장치는 화상이 표시되는 유효영역인 표시영역(AA: Active Area)에 대응하여, 서로 반대되는 방향으로 광을 방출하는 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2)을 포함한다.
일 예로, 복수의 제 1 화소영역(PA1)은 전면영상을 표시하기 위하여, 셀 어레이를 포함하지 않는 광 경로를 통해 광을 외부로 방출하는 영역이고, 복수의 제 2 화소영역(PA2)은 후면영상을 표시하기 위하여, 셀 어레이를 포함하는 광 경로를 통해 광을 외부로 방출하는 영역일 수 있다.
그리고, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2)은 표시영역(AA) 상에서, 가로 및 세로 중 적어도 하나의 방향으로, 상호 교번하여 배치된다. 즉, 도 1의 도시와 같이, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2)은 가로 및 세로 방향으로, 상호 교번하여 배치된 것일 수 있다.
더불어, 도 1에 상세히 도시되어 있지 않으나, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각은 적색광, 녹색광 및 청색광을 방출하는 셋 이상의 서브화소영역을 포함할 수 있고, 이때, 제 1 및 제 2 화소영역의 각 서브화소영역이 상호 교번하여 배치된 것일 수도 있다.
즉, 제 1 화소영역의 서브화소영역들 및 제 2 화소영역의 서브화소영역들 순으로 연속 배치되거나, 또는 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 적색광 서브화소영역, 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 녹색광 서브화소영역 및 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 청색광 서브화소영역 순으로 연속 배치될 수 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 양면표시장치는 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각에 대응한 스위치소자(TFT: Thin Film Transistor), 복수의 제 1 화소영역(PA1) 각각에 대응한 제 1 유기발광소자(EL1), 및 복수의 제 2 화소영역(PA2) 각각에 대응한 제 2 유기발광소자(EL2)를 포함한다.
여기서, 제 1 유기발광소자(EL1)는 기판(11)을 포함하지 않는 광경로의 광(도 2에서, 상측 방향 블록화살표임)을 방출하는 전면발광형이다. 그리고, 제 2 유기발광소자(EL2)는 기판(11)을 포함하는 광경로의 광(도 2에서, 하측 방향 블록화살표임)을 방출하는 후면발광형이다.
이러한 제 1 및 제 2 유기발광소자(EL1, EL2) 각각은 상호 마주하는 제 1 및 제 2 전극(13a, 13c), 및 제 1 및 제 2 전극(13a, 13c) 사이의 발광층(13b)을 포함한다. 그리고, 제 1 유기발광소자(EL1)는 발광층(13b) 하측에 형성되어, 발광층(13b)의 광을 기판(11)에 반대되는 제 2 전극(13c) 측으로 반사시키는 제 1 반사층(13d)을 더 포함한다. 반면, 제 2 유기발광소자(EL2)는 발광층(13b) 상측에 형성되어, 발광층(13b)의 광을 기판(11) 측으로 반사시키는 제 2 반사층(13e)을 더 포함한다.
구체적으로, 양면표시장치는 기판(11) 상에 형성된 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각에 대응한 스위치소자(TFT)를 포함하는 셀 어레이(12), 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각과 대응하여, 셀 어레이(12) 상에 형성되는 제 1 전극(13a), 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각과 대응하여, 제 1 전극(13a) 상에 형성되는 발광층(13b), 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각의 제 1 전극(13a)과 마주하도록, 발광층(13b) 상에 형성되는 제 2 전극(13c), 복수의 제 1 화소영역(PA1) 각각과 대응하여, 셀 어레이(12)와 발광층(13b) 사이에 형성되는 제 1 반사층(13d), 및 복수의 제 2 화소영역(PA2) 각각과 대응하여, 발광층(13b)과 제 2 전극(13c) 사이에 형성되는 제 2 반사층(13e)을 포함한다.
그리고, 양면표시장치는 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 외곽과 대응하여, 셀 어레이(12) 상에 형성되는 뱅크층(13f), 제 2 전극(13c) 상의 전면에 형성되는 보호층(14), 및 보호층(14) 상에, 셀 어레이(12)와 대향하도록 형성되고, 발광층(13b)을 밀봉하는 커버층(15)을 더 포함한다.
또한, 양면표시장치는 복수의 제 2 화소영역(PA2) 각각과 대응하여, 제 2 전극(13c) 상에 형성되는 광차폐층(16)을 더 포함할 수 있다.
기판(11)은 투광성 및 절연성의 물질로 마련된다.
셀 어레이(12)의 각 스위치소자(TFT)는 기판(11) 상에 형성되는 게이트전극(12a), 게이트전극(12a)을 덮은 게이트절연막(12b) 상에 게이트전극(12a)의 적어도 일부와 오버랩하도록 형성되는 반도체층(12c), 및 게이트절연막(12b) 상에 반도체층(12c)의 양측과 각각 오버랩하도록 형성되는 소스전극(12d)과 드레인전극(12e)을 포함한다.
그리고, 각 스위치소자(TFT)는 층간절연막(12f)에 의해 덮인다. 즉, 층간절연막(12f)은 게이트절연막(12b) 상의 전면에 반도체층(12c), 소스전극(12d) 및 드레인전극(12e)을 덮도록 형성되고, 게이트절연막(12b)은 기판(11) 상의 전면에 게이트전극(12a)을 덮도록 형성된다.
제 1 반사층(13d)은 복수의 제 1 화소영역(PA1) 각각과 대응하여, 층간절연막(12f) 상에 반사성의 금속물질로 형성된다. 이때, 반사성의 금속물질은 적어도 투명도전성물질보다 낮은 저항을 띄는 재료이다.
제 1 전극(13a)은 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각과 대응하여, 제 1 반사층(13d)을 포함한 층간절연막(12f) 상에 투명도전성물질로 형성된다. 즉, 제 1 화소영역(PA1)에서, 제 1 전극(13a)은 제 1 반사층(13d)의 적어도 일부 상에 형성된다. 반면, 제 2 화소영역(PA2)에서, 제 1 전극(13a)은 층간절연막(13f) 상에 형성된다.
더불어, 제 1 전극(13a)은 층간절연막(12f)을 관통하는 콘택홀을 통해 노출된 드레인전극(12e)의 적어도 일부와 연결된다. 이로써, 셀 어레이(12)의 스위치소자(TFT)는 각 화소영역(PA1)에 대응한 구동신호를 제 1 전극(13a)에 선택적으로 공급한다.
뱅크층(13f)은 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각의 외곽과 대응하여, 층간절연막(12f) 상에 형성된다. 이때, 뱅크층(13f)은 각 화소영역(PA1, PA2)의 외곽에서, 제 1 전극(13a)의 적어도 일부와 중첩될 수 있다.
발광층(13b)은 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각과 대응하여, 제 1 전극(13a) 상에 발광성의 유기물질로 형성된다. 이때, 발광층(13b)은 뱅크층(13f)의 적어도 일부 상에도 형성될 수 있다.
제 2 반사층(13e)은 복수의 제 2 화소영역(PA2) 각각과 대응하여, 발광층(13b) 상에 반사성의 금속물질로 형성된다.
제 2 전극(13c)은 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각의 제 1 전극(13a)과 마주하도록, 제 2 반사층(13e)을 포함한 발광층(13b) 상에 투명도전성물질로 형성된다. 이에, 각 화소영역(PA1, PA2)에서, 제 1 및 제 2 전극(13a, 13c)은 발광층(13b)을 사이에 두고, 상호 마주보도록 배치된다.
그리고, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각의 제 2 전극(13c)은 상호 연결되도록 형성된다. 즉, 제 2 전극(13c)은 셀 어레이(12)의 층간절연막(12f) 상의 전면에, 발광층(13b), 제 2 반사층(13e) 및 뱅크층(13f)을 덮도록 형성된다. 이에, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각의 제 2 전극(13c)은 상호 연결된 일체로 이루어진다.
이때, 각 제 2 화소영역(PA2)에서, 제 2 전극(13c)은 제 2 반사층(13e)의 적어도 일부 상에 형성되므로, 제 2 전극(13c)과 제 2 반사층(13e)은 상호 전기적으로 연결된다. 그리고, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각의 제 2 전극(13c)은 상호 연결된다. 결국, 복수의 제 1 화소영역(PA1) 각각의 제 2 전극(13c) 또한 제 2 반사층(13e)과 전기적으로 연결된다.
이와 같이, 제 2 반사층(13e)과 전기적으로 연결됨으로써, 복수의 제 1 화소영역(PA1) 각각과 대응한 제 2 전극(13c)의 저항이 감소될 수 있다. 그러므로, 제 2 전극(13c)의 저항에 의해, 복수의 제 1 화소영역(PA1)에 의한 영상, 즉 전면영상의 화질이 저하되는 것이 방지될 수 있다. 그로 인해, 양면표시장치의 대면적화가 더욱 용이하게 구현될 수 있다.
보호층(14)은 제 2 전극(13c)을 포함한 셀 어레이(12) 상의 전면에 절연물질로 형성된다. 이러한 보호층(14)은 발광층(13b)에 대한 산소 및 수분 등의 침투를 차폐하기 위한 것일 수 있다.
커버층(15)은 발광층(13b)을 사이에 두고, 기판(11)과 대면 합착된다. 이러한 커버층(15)은 투과성을 갖는 기판, 또는 투과성과 유연성을 갖는 필름 형태로 마련될 수 있다. 이와 같이, 기판(11)과 커버층(15)이 상호 대면 합착됨으로써, 발광층(13b)은 외부의 수분 및 산소가 침투되지 않도록 밀봉된다.
광차폐층(16)은 복수의 제 2 화소영역(PA2) 각각과 대응하여, 제 2 전극(13c) 상측에, 발광층(13b)과 오버랩하도록 형성된다. 이러한 광차폐층(16)에 의해, 복수의 제 2 화소영역(PA2)에서, 발광층(13b)으로부터 생성되어 제 2 전극(13c)을 통과하여, 외부로 방출되는 광이 차폐될 수 있다.
그리고, 도 2에 상세히 도시되어 있지 않으나, 복수의 제 1 화소영역(PA1) 각각과 대응하여, 제 1 전극(13a) 하측에 발광층(13b)과 오버랩하는 광차폐층(미도시)이 더 형성될 수 있다. 이러한 제 1 화소영역(PA1)의 광차폐층에 의해, 복수의 제 1 화소영역(PA1)에서, 발광층(13b)으로부터 생성되어 제 1 전극(13a) 및 기판(11)을 통과하여, 외부로 방출되는 광이 차폐될 수 있다.
이러한 광차폐층(16)에 의해, 전면영상 및 후면영상이 상호 간 영향을 미치는 것을 최소화할 수 있어, 전면영상 및 후면영상 각각의 콘트라스트비가 더욱 향상될 수 있다.
다음, 도 3 및 도 4a 내지 도 4h를 참조하여, 본원의 제 1 실시예에 따른 양면표시장치의 제조방법에 대해 설명한다.
도 3은 본원의 제 1 실시예에 따른 양면표시장치를 제조하는 방법을 나타낸 순서도이고, 도 4a 내지 도 4h는 도 3의 순서도를 나타낸 공정도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본원의 제 1 실시예에 따른 양면표시장치의 제조방법은, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 구동신호를 선택적으로 공급하는 셀 어레이를 마련하는 단계(S10), 셀 어레이 상에, 복수의 제 1 화소영역 각각과 대응하는 제 1 반사층을 금속물질로 형성하는 단계(S11), 제 1 반사층을 포함한 셀 어레이 상에, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각과 대응하는 제 1 전극을 투명도전성물질로 형성하는 단계(S12), 제 1 전극을 포함한 셀 어레이 상에, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 외곽과 대응하는 뱅크층을 형성하는 단계(S13), 제 1 전극 상에, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각과 대응하는 발광층을 형성하는 단계(S14), 발광층 상에, 복수의 제 2 화소영역 각각과 대응하는 제 2 반사층을 금속물질로 형성하는 단계(S15), 제 2 반사층을 포함한 발광층 상에, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 제 1 전극과 마주하는 제 2 전극을 투명도전성물질로 형성하는 단계(S16), 제 2 전극 상의 전면에 보호층을 형성하는 단계(S17), 및 보호층 상에 셀 어레이와 대향하도록, 발광층을 밀봉하는 커버층을 형성하는 단계(S18)를 포함한다.
도 4a에 도시한 바와 같이, 기판(11) 상에 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각과 대응하는 스위치소자(TFT)를 형성하여, 셀 어레이(12)를 마련한다. (S10)
이때, 셀 어레이(12)를 마련하는 단계(S10)는, 기판(11) 상에 게이트전극(12a)을 형성하는 단계, 기판(11) 상의 전면에 게이트전극(12a)을 덮는 게이트절연막(12b)을 형성하는 단계, 게이트절연막(12b) 상에 게이트전극(12a)의 적어도 일부와 오버랩하는 반도체층(12c)을 형성하는 단계, 게이트절연막(12b) 상에 반도체층(12c) 양측과 각각 오버랩하는 소스전극(12d) 및 드레인전극(12e)을 형성하는 단계, 및 게이트절연막(12b) 상의 전면에 반도체층(12c), 소스전극(12d) 및 드레인전극(12e)을 덮는 층간절연막(12f)을 형성하는 단계를 포함한다.
그리고, 셀 어레이(12)를 마련하는 단계(S10)는 층간절연막(12f)을 관통하여 드레인전극(12e)의 적어도 일부를 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 다만, 이는 단지 예시일 뿐이며, 콘택홀을 형성하는 단계는 제 1 반사층(12d)을 형성하는 단계(S11) 이후에 실시될 수도 있다.
도 4b에 도시한 바와 같이, 층간절연막(12f) 상에, 복수의 제 1 화소영역(PA1) 각각과 대응하는 제 1 반사층(13d)을 형성한다. (S11) 여기서, 제 1 반사층(13d)은 투명도전성물질보다 낮은 저항 및 반사성을 갖는 금속물질로 형성된다.
도 4c에 도시한 바와 같이, 제 1 반사층(13d)을 포함한 층간절연막(12f) 상에, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각과 대응하는 제 1 전극(13a)을 투명도전성물질로 형성한다. (S12) 여기서, 제 1 전극(13a)은 층간절연층(12f)을 관통하는 콘택홀을 통해, 스위치소자(TFT)의 드레인전극(12e)과 연결된다. 이에, 제 1 전극(13a)에는, 각 화소영역(PA1, PA2)에 대응한 구동신호가 선택적으로 공급된다.
그리고, 복수의 제 1 화소영역(PA1)에서, 제 1 전극(13a)은 제 1 반사층(13d)의 적어도 일부 상에 오버랩하여 형성된다. 그리고, 복수의 제 1 화소영역(PA1)은 기판(11)을 포함한 광 경로로 광을 방출하지 않으므로, 제 1 전극(13a)은 스위치소자(TFT)와 오버랩하는 위치에 배치될 수 있다.
도 4d에 도시한 바와 같이, 셀 어레이(12)의 층간절연막(12f) 상에, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각의 외곽과 대응하는 뱅크층(13f)을 형성한다. (S13) 이때, 뱅크층(13f)은 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각의 가장자리에서, 제 1 전극(13a)의 적어도 일부와 오버랩하도록 형성될 수 있다.
도 4e에 도시한 바와 같이, 뱅크층(13f)을 포함한 제 1 전극(13a) 상에, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각과 대응하는 발광층(13b)을 형성한다. (S14) 이때, 발광층(13b)은 발광성의 유기물질과 같이, 자발광물질이면 어느 것으로든 형성될 수 있다.
도 4f에 도시한 바와 같이, 발광층(13b) 상에, 복수의 제 2 화소영역(PA2) 각각과 대응하는 제 2 반사층(13e)을 형성한다. (S15) 이때, 제 2 반사층(13e)은 제 1 반사층(13d)과 마찬가지로, 투명도전성물질보다 낮은 저항 및 반사성을 갖는 금속물질로 형성된다.
도 4g에 도시한 바와 같이, 제 2 반사층(13e)을 포함한 발광층(13b) 상에, 제 1 전극(13a)과 마주하는 제 2 전극(13c)을 투명도전성물질로 형성한다. (S16) 여기서, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각의 제 2 전극(13c)이 상호 연결되도록, 제 2 전극(13c)을 형성하는 단계(S16)는 셀 어레이(12)의 층간절연막(12f) 상의 전면에 발광층(13b) 및 제 2 반사층(13e)을 덮도록 투명도전성물질을 적층하는 단계를 포함한다.
즉, 복수의 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 각각의 제 2 전극(13c)은 일체로 이루어진다.
도 4h에 도시한 바와 같이, 제 2 전극(13c) 상의 전면에 보호층(14)을 형성하고 (S17), 보호층(14) 상에, 발광층(13b)을 사이에 두고 기판(11)과 대면하는 커버층(15)을 합착한다. (S18) 그리고, 커버층(15)을 형성하는 단계(S18) 이전 또는 이후에, 복수의 제 2 화소영역(PA2) 각각과 대응한 발광층(13b)에 오버랩하는 광차폐층(16)이 더 형성될 수 있다.
이상과 같이, 본원의 제 1 실시예에 따르면, 제 1 화소영역(PA1)의 제 2 전극(13c)은 저항이 비교적 높은 투명도전성물질로 형성되나, 제 2 반사층(13e)의 적어도 일부 상에 형성된 제 2 화소영역(PA2)의 제 2 전극(13c)과 전기적으로 연결되므로, 결국, 저항이 낮은 금속물질로 이루어진 제 2 반사층(13e)에 의해, 제 2 전극(13c)의 저항이 저하될 수 있다.
이로써, 제 2 반사층(13e)과 직접적으로 연결된 제 2 화소영역(PA2)의 제 2 전극(13c) 뿐만 아니라, 제 2 화소영역(PA2)의 제 2 전극(13c)과 연결된 제 1 화소영역(PA1)의 제 2 전극(13c) 또한 제 2 반사층(13e)에 의해 낮아진 저항을 갖는다. 그러므로, 제 2 전극(13c)의 높은 저항으로 인해 큰 폭의 전압 강하가 발생하여 전원으로부터 멀리 이격된 일부 제 1 화소영역(PA1)의 휘도가 낮아지는 것이 방지될 수 있다. 즉, 제 2 전극(13c)의 높은 저항으로 인한 전면영상의 화질 저하를 방지할 수 있고, 그로 인해, 대면적화 구현이 더욱 용이해질 수 있다.
이어서, 도 5 및 도 6을 참조하여, 본원의 제 2 실시예에 따른 양면표시장치에 대해 설명한다.
도 5는 본원의 제 2 실시예에 따른 양면표시장치의 화소배열구조를 나타낸 예시이고, 도 6는 도 5에 도시된 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 본원의 제 2 실시예에 따른 양면표시장치의 표시영역(AA')은 제 1 및 제 2 화소영역(PA1, PA2) 사이의 적어도 일부로 정의된 투명영역(TA)을 더 포함한다.
즉, 도 6에 도시한 바와 같이, 제 2 실시예에 따르면, 기판(11)의 전면에 형성되는 게이트절연막(12b), 층간절연막(12f) 및 제 2 전극(13c) 각각은 투명영역(TA)과 더 대응하도록 형성된다.
이러한 투명영역(TA)은 양면표시장치 이면을 투과하는 영역이므로, 양면표시장치가 투명하게 보이는 착시를 발생시킨다.
이상과 같이, 본원의 제 2 실시예에 따른 양면표시장치는, 투명디스플레이로 구현되기 위한 투명영역(TA)을 더 포함하는 점을 제외하면, 본원의 제 1 실시예와 동일하므로, 이하에서 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
AA: 표시영역 PA1: 제 1 화소영역
PA2: 제 2 화소영역 11: 기판
TFT: 스위치소자 12a: 게이트전극
12b: 게이트절연막 12c: 반도체층
12d: 소스전극 12e: 드레인전극
12f: 층간절연막 EL1, EL2: 제 1 및 제 2 유기발광소자
13a: 제 1 전극 13b: 발광층
13c: 제 2 전극 13d: 제 1 반사층
13e: 제 2 반사층 13f: 뱅크층
14: 보호층 15: 커버층
16: 광차폐층 TA: 투명영역

Claims (11)

  1. 표시영역이 서로 반대되는 방향으로 광을 방출하는 복수의 제 1 및 제 2 화소영역을 포함하도록 정의되어, 양면에서 영상을 표시 가능한 양면표시장치에 있어서,
    상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각과 대응하여, 셀 어레이 상에 형성되는 제 1 전극;
    상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각과 대응하여, 상기 제 1 전극 상에 형성되는 발광층;
    상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 상기 제 1 전극과 마주하도록, 상기 발광층 상에 형성되는 제 2 전극;
    상기 복수의 제 1 화소영역 각각과 대응하여, 상기 셀 어레이와 상기 발광층 사이에 형성되는 제 1 반사층; 및
    상기 복수의 제 2 화소영역 각각과 대응하여, 상기 발광층과 상기 제 2 전극 사이에 형성되는 제 2 반사층을 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 전극은 투명도전성물질로 형성되며,
    상기 제 1 및 제 2 반사층은 상기 투명도전성물질보다 낮은 저항을 띄는 반사성의 금속물질로 형성되고,
    상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 상기 제 2 전극은 상호 연결되도록 형성되는 양면표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 상기 셀 어레이 상의 전면에, 상기 발광층 및 상기 제 2 반사층을 덮도록 형성되어, 상기 제 2 반사층과 전기적으로 연결되는 양면표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시영역은 상기 제 1 및 제 2 화소영역 사이의 적어도 일부로 정의되는 투명영역을 더 포함하고,
    상기 제 2 전극은 상기 투명영역과 대응하여 상기 셀 어레이 상에 더 형성되는 양면표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 셀 어레이는 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각에 대응한 구동신호를 상기 제 1 전극에 공급하는 스위치소자를 포함하는 양면표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역의 외곽과 대응하여, 상기 셀 어레이 상에 형성되는 뱅크층;
    상기 제 2 전극 상의 전면에 형성되는 보호층; 및
    상기 보호층 상에, 상기 셀 어레이와 대향하여 형성되고, 상기 발광층을 밀봉하는 커버층을 더 포함하는 양면표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 복수의 제 2 화소영역과 대응하여, 상기 제 2 전극 상에 형성되고, 상기 발광층의 광이 상기 커버층을 통해 외부로 방출되는 것을 차폐하는 광차폐층을 더 포함하는 양면표시장치.
  7. 표시영역이 서로 반대되는 방향으로 광을 방출하는 복수의 제 1 및 제 2 화소영역을 포함하도록 정의되어, 양면에서 영상을 표시 가능한 양면표시장치를 제조하는 방법에 있어서,
    셀 어레이를 마련하는 단계;
    상기 셀 어레이 상에, 상기 복수의 제 1 화소영역 각각과 대응하는 제 1 반사층을 금속물질로 형성하는 단계;
    상기 제 1 반사층을 포함한 상기 셀 어레이 상에, 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각과 대응하는 제 1 전극을 투명도전성물질로 형성하는 단계;
    상기 제 1 전극 상에, 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각과 대응하는 발광층을 발광성의 유기물질로 형성하는 단계;
    상기 발광층 상에, 상기 복수의 제 2 화소영역 각각과 대응하는 제 2 반사층을 상기 금속물질로 형성하는 단계; 및
    상기 제 2 반사층을 포함한 상기 발광층 상에, 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각과 대응하여 상기 제 1 전극과 마주하는 제 2 전극을 상기 투명도전성물질로 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 금속물질은 상기 투명도전성물질보다 낮은 저항을 띄고,
    상기 제 2 전극을 형성하는 단계에서, 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역 각각의 상기 제 2 전극은 상호 연결되도록 형성되는 양면표시장치의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 전극을 형성하는 단계는
    상기 셀 어레이 상의 전면에, 상기 발광층 및 상기 제 2 반사층을 덮도록 상기 투명도전성물질을 적층하는 단계를 포함하는 양면표시장치의 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 표시영역은 상기 제 1 및 제 2 화소영역 사이의 적어도 일부로 정의되는 투명영역을 더 포함하고,
    상기 제 2 전극을 형성하는 단계에서, 상기 제 2 전극은 상기 투명영역과 대응하여 상기 셀 어레이 상에 더 형성되는 양면표시장치의 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 전극을 형성한 이후에,
    상기 셀 어레이 상에, 상기 복수의 제 1 및 제 2 화소영역의 외곽과 대응하는 뱅크층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제 2 전극을 형성한 이후에,
    상기 제 2 전극 상의 전면에 보호층을 형성하는 단계; 및
    상기 보호층 상에 상기 셀 어레이와 대향하도록, 상기 발광층을 밀봉하는 커버층을 형성하는 단계를 더 포함하는 양면표시장치의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 전극을 형성한 이후에,
    상기 제 2 전극 상에, 상기 복수의 제 2 화소영역과 대응한 상기 발광층의 광이 상기 커버층을 통해 외부로 방출되는 것을 차폐하는 광차폐층을 형성하는 단계를 더 포함하는 양면표시장치의 제조방법.
KR1020130029407A 2013-03-19 2013-03-19 양면표시장치 및 그의 제조방법 KR102066086B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130029407A KR102066086B1 (ko) 2013-03-19 2013-03-19 양면표시장치 및 그의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130029407A KR102066086B1 (ko) 2013-03-19 2013-03-19 양면표시장치 및 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140114707A true KR20140114707A (ko) 2014-09-29
KR102066086B1 KR102066086B1 (ko) 2020-01-14

Family

ID=51758332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130029407A KR102066086B1 (ko) 2013-03-19 2013-03-19 양면표시장치 및 그의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102066086B1 (ko)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050086359A (ko) * 2004-02-24 2005-08-30 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법, 유기일렉트로루미네선스 장치, 유기 일렉트로루미네선스장치용 기판, 및 전자 기기
KR20060042779A (ko) * 2004-11-10 2006-05-15 삼성에스디아이 주식회사 양면 발광 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
KR20060103112A (ko) * 2005-03-25 2006-09-28 세이코 엡슨 가부시키가이샤 발광 장치
JP2007149699A (ja) * 2003-01-24 2007-06-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
KR20070068229A (ko) * 2005-12-26 2007-06-29 엘지전자 주식회사 전계발광소자와 그 제조방법
KR20110070816A (ko) * 2009-12-18 2011-06-24 세이코 엡슨 가부시키가이샤 표시 장치
KR20120061106A (ko) * 2010-10-22 2012-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007149699A (ja) * 2003-01-24 2007-06-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
KR20050086359A (ko) * 2004-02-24 2005-08-30 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법, 유기일렉트로루미네선스 장치, 유기 일렉트로루미네선스장치용 기판, 및 전자 기기
KR20060042779A (ko) * 2004-11-10 2006-05-15 삼성에스디아이 주식회사 양면 발광 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
KR20060103112A (ko) * 2005-03-25 2006-09-28 세이코 엡슨 가부시키가이샤 발광 장치
KR20070068229A (ko) * 2005-12-26 2007-06-29 엘지전자 주식회사 전계발광소자와 그 제조방법
KR20110070816A (ko) * 2009-12-18 2011-06-24 세이코 엡슨 가부시키가이샤 표시 장치
KR20120061106A (ko) * 2010-10-22 2012-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102066086B1 (ko) 2020-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6457613B2 (ja) 有機発光表示装置
US10879320B2 (en) Organic light-emitting display panel and display apparatus
CN109950293B (zh) 一种显示面板及显示装置
JP4619186B2 (ja) 発光装置
KR102614612B1 (ko) 관통홀을 통해 기판의 앞면과 배면을 연결한 평판 표시장치
EP2858064B1 (en) Display device
WO2018010213A1 (zh) 折叠式oled显示器
TW201724495A (zh) 顯示裝置
US10580847B2 (en) Display device
JP2005293946A (ja) 有機ｅｌ表示装置
KR20140086639A (ko) 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치
CN107768411B (zh) 显示装置及其制作方法
JP2015201314A (ja) 発光素子表示装置
US20180040848A1 (en) Electroluminescence device
KR20190073093A (ko) 양면 발광형 투명 유기발광 다이오드 표시장치
KR101950843B1 (ko) 양면표시장치 및 그의 제조방법
US9857647B2 (en) Display panel and display device thereof
KR20170014043A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20130131693A (ko) 유기전계 발광소자를 구비한 투명 표시장치
JP5288657B2 (ja) 発光装置
KR20180063627A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102238642B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 패널
KR20110033648A (ko) 의료용 유기전계발광소자
KR20180065731A (ko) 유기 발광 표시 장치
US20200209647A1 (en) Stereoscopic Display Apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]