KR20140109948A

KR20140109948A - 생산성 및 균일성이 개선된 이온 주입용 시스템 및 방법

Info

Publication number: KR20140109948A
Application number: KR1020147019212A
Authority: KR
Inventors: 에드워드 아이스너; 보 반데르베르그
Original assignee: 액셀리스 테크놀러지스, 인크.
Priority date: 2011-12-13
Filing date: 2012-12-13
Publication date: 2014-09-16
Also published as: JP2015506076A; US8637838B2; CN105869978A; CN104025247B; TW201334017A; JP6169098B2; KR102007885B1; CN104025247A; US20130146760A1; TWI585810B; CN105869978B; WO2013089807A1

Abstract

스캐닝 요소, 빔 프로파일러, 분석 시스템, 및 ZFE-제한 요소를 포함하는 스캐닝 시스템이 개시되어 있다. 상기 스캐닝 요소는 이온 빔 스캔 경로 위에 이온 빔을 스캔하도록 구성된다. 빔 프로파일러는 이온 빔이 이온 빔 스캔 경로 위에 스캔될 때 이온 빔의 빔 전류를 측정하고, 상기 분석 시스템은 상기 측정된 빔 전류를 분석하여 ZFE 상태를 검출한다. 상기 빔 프로파일러의 상류 측에 있고 피드백 경로를 통해 상기 분석 시스템에 결합되는 ZFE-제한 요소는 ZFE 상태의 검출 여부에 기초하여, 스캔된 이온 빔에 전기장을 선택적으로 인가하도록 구성된다. 선택적으로 인가된 전기장은 스캔 빔 내 변화를 유도하여 ZFE 상태를 제한한다.

Description

생산성 및 균일성이 개선된 이온 주입용 시스템 및 방법 {SYSTEM AND METHOD FOR ION IMPLANTATION WITH IMPROVED PRODUCTIVITY AND UNIFORMITY}

본 개시내용은 일반적으로 이온 주입 시스템에 관한 것이며, 보다 구체적으로 스캔된 이온 빔의 생산성 및 균일성을 개선하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.

이온 주입 시스템에서, 가공물(workpiece)(예를 들어, 반도체 웨이퍼, 또는 디스플레이 패널)의 격자 내로 이온을 주입하기 위해, 이온 빔이 가공물 쪽으로 지향된다. 일단 가공물의 격자 내에 매립되면, 주입된 이온은 비-주입 영역에 대한 주입된 가공물 영역의 물리적 및/또는 화학적 특성을 변화시킨다. 재료 특성을 변화시키는 이러한 능력 때문에, 이온 주입은 반도체 소자 제조, 표면 처리, 및 재료 과학 연구에 있어서의 다양한 응용에서 사용될 수 있다.

전형적인 주입 공정 동안, 이온 빔은 주입될 가공물의 표면적보다 현저하게 작은 단면적을 갖는다. 이 때문에, 이온 빔은 가공물 내 도핑 프로파일의 지정된 균일성을 달성하도록 가공물의 표면 위에서 스캔되는데, 여기서 도핑 프로파일은 원하는 체적 농도에서 원하는 깊이 분포로 구성된다. 예를 들어, 도 1은 통상적인 이온 주입 시스템(100)의 단부도를 도시하며, 여기서 이온 빔(102)은 가공물(104)의 격자 내로 이온을 주입하기 위해 스캔 경로(103)를 투사한다. 이러한 투사 동안, 이온 빔(102)은 종종, 가공물(104)이 제2 축선(106) 위에서 기계적으로 병진운동하는 동안, 제1 축선(105) 위에서 스캔된다. 그러나, 다른 실시예에서, 빔은 제1 및 제2 축선(105, 106) 둘 모두 위에서 스캔될 수도 있고; 축선(105, 106) 위에서 각각 자기적으로 그리고 전기적으로 스캔될 수 있으며; 그 외의 경우도 가능하다.

실제로, 이온 빔(102)이 스캔 경로(103)를 투사할 때, 빔의 형상 및/또는 단면적은 예를 들어, 도 1b 내지 도 1f에 도시된 바와 같이 변동될 수 있다. 도 1b 내지 도 1f는 가공물(104)에 걸쳐 스캐닝되고 있는 이온 빔(102)을 도시하고 있는데, 여기서 빔의 폭은 가공물의 중심(도 1d의 중심 폭(W_C)) 근처에서 더 클 수 있고(예를 들어, 더 확산될 수 있고), 모서리(예를 들어, 각각 도 1b, 도 1f에 도시되어 있는 것과 같은 좌측 폭(W_L1) 및 우측 폭(W_R1)) 근처에서 더 작을 수 있다(예를 들어, 더 집광될 수 있다). 빔 폭에 있어서의 이러한 변동 및/또는 이와 관련된 전류 밀도가 정확하게 측정 및 고려되지 못한다면, 가공물(104)에 실제로 형성되는 도핑 프로파일의 균일성은 지정된 균일성과는 상이할 수 있다. 이러한 비-균일성으로 인해, 주입된 가공물이 원하는 것보다 적은 수의 기능성 전자 소자를 생산하게 되는 결과를 초래할 수 있다.

이러한 빔 변동의 근본적인 원인 중 하나는 이른바 제로-전계 효과(ZFE)일 수 있으며, 이는 제로 전계 이상(ZFA)으로도 지칭될 수 있다. ZFE는 제로 크기 스캐닝장이 인가되는 동안, 전기장 또는 자기장인 스캐닝장의 크기가 제로에 접근하여, 빔 전류에 있어서의 급작스런 "스파이크" 또는 "딥"을 야기할 때 발생하는 경우가 종종 있다. 도 2a는 빔 스캐닝 파형(204)의 일 예를 도시하며, 이는 (예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이) 스캔 경로 위에서 전방 및 후방으로 이온 빔을 스캔하는데 사용될 수 있다. 도 2a 및 도 2b를 동시에 보면 알 수 있는 바와 같이, 빔 스캐닝 파형(204)이 제로에 근접할 때(도 2a의 "206"), 빔 전류에 있어서의 급작스런 스파이크(202)(도 2b)가 발생할 수 있다. 보완 조치가 없는 경우, 이러한 빔 전류 "스파이크"(202)는 가공물의 ZFE에 직면한 부분이 지정된 것과는 상이하게 주입되게 되는 원인이 될 수 있으며, 이로써 가공물 상의 유해한 비-균일성을 초래할 수 있다.

ZFE의 정확한 원인은 명확하지 않지만, 빔 중화(beam neutralization), 즉 예를 들어 중립 배경 기체와 빔 이온의 충돌을 통해 발생되는 중화 빔 플라즈마와 같은, 빔 라인 내 대향 전하를 갖는 매체에 의해, 이온 빔의 공간 전하가 무효화될 때 발생하는 이송 증강(transport enhancement)을 거쳐야 할 것이다. ZFE는 중화 전자를 빔 라인 영역 외부로 이동시켜(예를 들어, 자기장 또는 유도 전기장이 중화 전자를 빔 라인 외부로 밀어내는 힘으로 전자에 작용함), 전하 중화를 감소시키고 이송 증강 또는 감소를 야기하는(예를 들어, 전하 중화가 빔 이송에 어떻게 영향을 미치는가에 따라 보다 많거나 적은 빔 전류를 제공함) 자기장 또는 (예를 들어, 시변 자기장에 의한) 유도 전기장의 결과일 수 있다. 그러나, ZFE의 원인에 상관없이, 제로 전계 효과는 가공물 상의 비-균일 주입의 결과를 야기할 수 있는 비균등 빔 전류 프로파일을 야기한다.

따라서, 본 개시내용의 태양은 ZFE를 완화시키는 개선된 이온 주입 시스템에 관한 것이다.

본 발명은 전체 생산성을 증가시키면서, ZFE를 감소시키도록 구성되는 이온 주입 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 일 태양은 스캐닝 요소를 사용하여 빔을 스캔하는 것으로서, ZFE를 발생시킬 수 있는 이온 주입 시스템을 제공한다. ZFE를 완화시키기 위해, 빔이 스캔되는 중에(예를 들어, 개시 중에 또는 실제 주입 동안), 빔 프로파일러가 빔 전류를 측정하고, 측정된 빔 전류를 분석 회로가 분석하여 이온 빔 스캔 경로 상의 적어도 하나의 스캔 위치에서 발생하는 ZFE 상태를 검출한다. 스캐닝 요소 근처에 있을 수 있고 피드백 경로를 통해 분석 회로에 결합될 수 있는 ZFE-제한 요소는 ZFE 상태의 검출 여부에 기초하여 스캔된 이온 빔에 시변 전기장을 선택적으로 인가하도록 구성된다. 선택적으로 인가된 전기장은 적어도 하나의 스캔 위치에서 스캔 빔의 변화를 유발하여, ZFE 상태를 제한한다.

따라서, 제로 전계 효과를 감소시키고, 스캔 빔의 생산성 및 균일성을 개선하기 위한 기술이 본 명세서에 제공된다.

이하의 설명 및 첨부 도면은 본 발명의 소정의 예시적 태양 및 구현예들을 상세하게 개시한다. 그러나, 이들은 본 발명의 원리가 채용될 수 있는 다양한 방식들 중 몇몇 방식들만 나타낸다.
도 1a는 가공물로의 이온 주입을 위해 스캔 경로를 투사하는 스캔된 이온 빔을 예시하는 단부도이다.
도 1b 내지 도 1f는 이온 빔이 가공물의 표면 위를 스캔할 때 발생할 수 있는 빔 크기 변동을 도시한다.
도 2a 및 도 2b는 각각, 스캔 파형 및 대응하는 빔 전류 밀도 플롯을 예시하며, 이들은 ZFE의 일 예를 예시한다.
도 3은 일부 실시예에 따른 이온 주입기를 예시하는 개략적인 블록도이다.
도 4a 내지 도 4g는 ZFE 상태를 유발할 수 있으며, 빔 프로파일러 및 전기 스캐닝 요소가 ZFE 상태를 제한하는데 사용되는 자기 빔 스캐닝 시스템을 예시한다.
도 5는 스캔 빔의 생산성 및 균일성을 개선하기 위해, 이온 주입기의 스캐너 영역에 인가되는 전기장을 반복적으로 변화시키는 방법의 흐름도를 예시한다.
도 6은 스캐너 내 전기장을 최적화하는 대안적인 예시적 방법을 예시한다.

이하, 본 발명은 유사한 도면 부호가 전반적으로 유사한 요소를 가리키는데 사용되는 도면과 관련하여 기술될 것이다.

도 3은 일부 실시예에 따른 일 예시적 이온 주입 시스템(110)을 예시한다. 본 명세서에서 추가로 이해되는 바와 같이, 이온 주입 시스템(110)은 빔을 스캔하기 위해 스캐너(135)를 사용하며, 이러한 스캐너는 빔 프로파일링 시스템(152)에 의해 검출될 수 있는 ZFE 상태를 유발할 수 있다. 만약, ZFE 상태가 검출되면, 빔 프로파일링 시스템(152)은 ZFE-제한 요소(180)에 피드백을 제공하여 자기적으로 스캔된 빔에 시변 전기장을 인가함으로써, ZFE를 교정한다. 많은 예에서, ZFE-제한 요소는 ZFE 상태가 검출된 때에만 전기장을 인가한다. 만약, ZFE 상태가 검출되지 않으면, ZFE-제한 요소는 전기장을 제외 상태 (또는 일부 다른 고정 상태)로 둘 수 있다. 이 시스템(110)은 예시적인 목적으로 제시되어 있으며, 본 개시내용은 기술된 이온 주입 시스템에 한정되지 않는다는 점, 그리고 다른 적합한 이온 주입 시스템이 채용될 수도 있다는 점이 이해된다.

시스템(110)은 단자(112), 빔라인 조립체(114), 및 단부 스테이션(116)을 갖는다. 단자(112)는, 이온 빔(124)을 생산하여 이를 빔라인 조립체(114)로 안내하는 고전압 전원(122)에 의해 전력을 공급받는 이온 소스(120)을 포함한다. 이온 소스(120)은, 추출되어 이온 빔(124)으로 형성되는 이온을 생성하는데, 이 이온 빔은 빔라인 조립체(114) 내 빔 경로를 따라 단부 스테이션(116)으로 안내된다.

이온을 생성하기 위해, 이온화되는 도펀트 재료(도시되지 않음)의 기체가 이온 소스(120)의 생성 챔버(121) 내에 위치된다. 도펀트 기체는 예를 들어, 기체원(도시되지 않음)으로부터 상기 챔버(121) 내로 공급될 수 있다. 전원(122)에 추가하여, RF 또는 마이크로파 여기원, 전자 빔 주사원, 전자기원 및/또는 예를 들어, 챔버 내에서 아크 방전을 일으키는 캐소드와 같은, 다수의 적합한 매커니즘(어느 것도 도시되지 않음)이 이온 생성 챔버(121) 내에서 자유 전자를 여기시키는데 사용될 수 있다는 점이 이해될 것이다. 여기된 전자는 도펀트 기체 분자와 충돌하고, 이온을 생성한다. 비록, 본 명세서의 개시내용은 음이온이 생성되는 시스템에 대해서도 적용 가능하지만, 전형적으로 양이온이 생성된다.

이온은 본 예에서는, 이온 추출 조립체(123)에 의해 챔버(121) 내 슬릿(118)을 통해 제어하에 추출된다. 이온 추출 조립체(123)는 복수의 추출 및/또는 억제 전극(125)을 포함한다. 추출 조립체(123)는 추출 및/또는 억제 전극(125)을 편의시켜 생성 챔버(121)로부터의 이온을 가속화시키기 위해, 예를 들어 별도의 추출 전원(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 이온 빔(124)이 유사 대전 입자를 포함하기 때문에, 유사 대전 입자들이 서로 반발할 때 빔은 고조(blow up)되거나 반경방향 외측으로 연장되는 경향을 가질 수 있다는 점이 이해될 수 있다. 빔 고조는 입자들 사이에 반발력이 충만하도록, 많은 유사 대전 입자(예를 들어, 고전류)가 동일한 방향으로 비교적 천천히 이동(예를 들어, 저에너지)하는 저에너지, 고전류(고퍼비언스) 빔에서 악화될 수 있다는 점도 이해될 수 있다. 따라서, 추출 조립체(123)는 일반적으로 빔이 고조되지 않게끔 고에너지에서 빔이 추출되도록 구성된다. 또한, 본 예에서, 빔(124)은 일반적으로 시스템 전반에 걸쳐 비교적 고에너지로 이동되고, 가공물(130) 직전에서 감소되어, 빔 격납(beam containment)을 촉진한다.

빔라인 조립체(114)는 빔가이드(132), 질량 분석기(126), 스캐닝 시스템(135), 전기 요소(180), 및 평행기(139)를 구비한다. 본 예에서, 질량 분석기(126)는 약 90°각도로 형성되고, (쌍극자) 자기장을 내부에 형성시키는 역할을 하는 하나 이상의 자석(도시되지 않음)을 포함한다. 빔(124)이 질량 분석기(126) 내로 진입할 때, 빔은 부적합한 전하 대 질량 비의 이온이 거부되도록 자기장에 의해 대응적으로 만곡된다. 보다 구체적으로, 너무 크거나 너무 작은 전하 대 질량 비를 갖는 이온은 빔가이드(132)의 측벽(127)으로 편향된다. 이러한 방식으로, 질량 분석기(126)는 원하는 전하 대 질량 비를 갖는 빔(124) 내 이온들만이 질량 분석기를 통과하여 분해 개구(134)를 통해 배출될 수 있도록 한다. 이온 빔이 시스템(110) 내 다른 입자와 충돌하는 것은 빔 강도를 악화시킬 수 있다는 점이 이해될 것이다. 따라서, 적어도 빔가이드(132) 및 추출 조립체(123)를 소개하기 위해, 하나 이상의 펌프(도시되지 않음)가 포함될 수 있다.

예시된 예에서의 스캐닝 시스템(135)은 자기 또는 전기 스캐닝 요소(136) 및 자기 또는 정전 집속 및/또는 조향 요소(138)를 포함한다. 각각의 전원(149, 150)이 스캐닝 요소(136) 및 집속 및 조향 요소(138), 보다 특정적으로는 집속 및 조향 요소 내에 위치되는 각각의 극편 및 전극(138a, 138b)에 작동식으로 결합된다. 집속 및 조향 요소(138)는 비교적 좁은 프로파일을 갖는 질량 분석된 이온 빔(124)(예를 들어, 예시된 시스템(110)에서의 "펜슬" 빔)을 수신한다. 전원(150)에 의해 플레이트(138a 및 138b)에 인가된 전압은 스캐닝 요소(136)의 스캔 정점(151)에 대해 빔을 집속 및 조향하도록 작동된다. 전원(149)에 의해 극편을 둘러싸는 코일에 인가된 전류 파형은 시변장(time varying field)을 형성하고 이러한 시변장은 이어서 빔(124)을 전방 및 후방으로 스캔하여 본 예에서, 미-스캔 빔(124)의 빔 경로에 대해 측정된 시변 스캔 각도를 갖는 스캔된 이온 빔(131)을 형성한다. 스캔 정점(151)은 광학 경로 내 지점으로서 규정될 수 있는데, 스캐닝 요소(136)에 의해 스캔된 후에 리본 빔의 빔렛 또는 스캔된 부분의 각각이 상기 지점으로부터 기원하는 것으로 이해될 것이다.

전술한 바와 같이, 도 3의 스캐닝 요소(136)와 같은 이온 빔 스캐너는 제로 전계 효과(ZFE)에 종속될 수 있으며, 이는 스캐닝 요소 내 전기장 또는 자기장이 제로 또는 거의 제로인 진폭을 가질 때 발생하는 이례적 이송 단계이다. ZFE는 스캐너의 장이 제로 또는 거의 제로인 진폭을 가질 때, 전류 밀도가 일시적으로 증가되거나 감소되는, 스캔된 리본 빔(131)의 불규칙 플럭스 프로파일을 야기할 수 있다.

결과적으로, 개시된 본 기술은 스캐너(135)의 하류 측에서 스캔 경로 위로 스캔된 이온 빔(131)의 빔 전류를 측정하기 위해 빔 프로파일링 시스템(152)을 사용함으로써 ZFE를 제한한다. 이어서, 분석 회로(예를 들어, 빔 진단 시스템(155))가 측정된 빔 전류를 분석하여 ZFE 상태를 검출한다. 예를 들어, 빔 진단 시스템(155)은 ZFE를 검출하기 위해, 베이스라인 빔 전류에 대한 빔 전류 내 급작스런 스파이크 또는 딥을 구할 수 있다. 유선 또는 무선 피드백 경로를 통해 분석 회로에 결합되어, 빔 경로의 ZFE-피영향 구역에 전기장을 선택적으로 인가하여 ZFE 상태를 제한하는 ZFE 제한 요소(180). 전기장의 선택적인 인가는 ZFE 상태의 검출 여부에 따르며, 예를 들어 ZFE 상태가 검출된 경우, 전기장이 변경되거나 턴 온되지만; ZFE 상태가 검출되지 않은 경우, 전기장은 변경되지 않은 상태를 유지하거나 턴 오프된다. 따라서, 많은 예에서, ZFE-제한 요소(180)에 의해 인가되는 전기장은 ZFE 발생시에만 인가된다. ZFE가 검출되지 않은 다른 때에는, ZFE 제한 요소(180)는 전기장을 빔라인에 인가하지 않는다.

일 실시예에서, ZFE 제한 요소(180)는 비록, 보다 적은 수의 전극판(예를 들어, 단일의 전극판) 또는 보다 많은 수의 전극판이 사용될 수도 있지만, 스캐너(136)의 하류 측에 있는 제1 및 제2 전극판(182a, 182b)을 포함한다. 바람직한 실시예에서는 빔 플라스마로부터의 전자를 끌어당기거나 밀어낼 수 있는, 빔에 근접하여 있는 단일 판을 사용한다. ZFE 상태의 검출 여부에 기초하여, 선택적인 ZFE-제한 전기장을 유도하기 위해, 하나 이상의 전극판(예를 들어, "182a", "182b")에 선택적으로 전압이 인가된다. 대안적 실시예에서, 비록 다른 전극 배열도 가능하지만, 선택적인 ZFE-제한 전기장을 유도하기 위해 스캐너(136)에 근접하여 있는 링-형 전극에 전압이 인가된다. 일반적으로, 전기장은 스캐너(136) 근처의 임의의 위치에 도입되어, ZFE의 효과를 제한할 수 있다.

이어서, 스캔 빔(131)은 예시된 예에서 2개의 쌍극자 자석(139a, 139b)을 포함하는 평행기/교정기(139)를 통과한다. 쌍극자의 자기장 선에 의해 투사되는 형상은 실질적으로 사다리꼴일 수 있으며, 스캔 빔(131)이 실질적으로 s자 형상으로 만곡될 수 있도록 하기 위해 서로 비추도록 배향될 수 있다. 달리 말해, 쌍극자는 이온 빔 경로에 있어서 동일한 각도 및 반경, 그리고 양방향 곡률을 갖는 만곡부를 유발한다.

평행기(139)는 스캔 빔(131)이 스캔 각도와 상관없이 빔 축선에 평행하게 이동하도록, 스캔 빔(131)이 그 경로를 변경하게끔 한다. 결과적으로, 주입 각도는 가공물(130)에 걸쳐 비교적 균일하게 분포된다.

하나 이상의 감속 스테이지(157)가 본 예에서는 평행화 구성요소(139)의 하류 측에 위치된다. 시스템(110) 내에서 이 지점까지, 빔(131)은 일반적으로 비교적 고에너지 레벨로 이송되어, 빔 고조에 대한 경향을 완화시키는데, 이러한 고조는 예를 들어, 분해 개구(134)에서와 같이 빔 밀도가 상승되는 경우에 특히 높을 수 있다. 감속 스테이지(157)는 스캔 빔(131)을 감소시키도록 작동 가능한 하나 이상의 전극(157a, 157b)을 포함한다. 전극(157)은 전형적으로 빔이 이동할 때 통과하는 개구이며, 도 1에 직선으로 도시될 수 있다.

2개의 전극(125a 및 125b, 138a 및 138b, 및 157a 및 157b)이 예시적인 이온 추출 조립체(123), 집속 및 조향 요소(138) 및 감속 스테이지(157) 내에 각각 예시되어 있지만, 이들 요소(123, 138 및 157)는 이온 빔(124)을 집속, 만곡, 편향, 집중, 확산, 스캔, 평행화 및/또는 오염제거뿐만 아니라, 이온을 가속 및/또는 감속시키기 위해, 배열 및 편의되는 임의의 적합한 개수의 전극을 포함할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 부수적으로, 집속 및 조향 요소(138)는 이온 빔을 집속하기 위해, 아인젤 렌즈, 사중극자 및/또는 다른 집속 요소뿐만 아니라, 정전 편향판(예를 들어, 한 쌍 이상의 편향판)을 포함할 수 있다.

이어서, 단부 스테이션(116)이 가공물(130) 쪽으로 지향되는 이온 빔(131)을 수신한다. 상이한 유형의 단부 스테이션(116)이 주입기(110) 내에 채용될 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, "배치(batch)"식 단부 스테이션은 회전 지지 구조체 상에 다수의 가공물(130)을 동시에 지지할 수 있으며, 여기서 가공물(130)은 모든 가공물(130)이 완전히 주입될 때까지 이온 빔의 경로를 통해 회전된다. 한편, "직렬"식 단부 스테이션은 주입용 빔 경로를 따라 단일 가공물(130)을 지지하며, 여기서 다수의 가공물(130)은 연속적으로 한번에 하나씩 주입되며, 이때 각각의 가공물(130)은 다음 가공물(130)의 주입이 개시되기 전에 완전히 주입된다. 혼성 시스템에서, 가공물(130)은 제1 (Y 또는 서행 스캔) 방향으로 기계적으로 병진이동될 수 있는 반면, 빔은 전체 가공물(130) 위에 빔(131)을 부여하기 위해, 제2 (X 또는 신속 스캔) 방향으로 스캔된다.

예시된 예에서의 단부 스테이션(116)은 주입용 빔 경로를 따라 단일 가공물(130)을 지지하는 "직렬"식 단부 스테이션이다. 주입 작업에 앞서 교정 측정을 위해 가공물 위치 근처에서 단부 스테이션(116) 내에 빔 프로파일링 시스템(152)이 포함된다. 교정 동안, 빔(131)은 빔 프로파일링 시스템(152)을 통과한다. 빔 프로파일링 시스템(152)은 이온 빔의 빔 전류 또는 밀도를 측정하도록 구성되는 측정 요소를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 측정 요소는 패러데이 컵을 포함할 수 있다. 대안적 실시예에서, 측정 요소는, 프로파일러 경로(158)를 연속적으로 가로질러, 스캔 빔의 프로파일을 측정할 수 있는 하나 이상의 프로파일러(156)를 포함할 수 있다.

본 예에서, 프로파일러(156)는 예를 들어, 패러데이 컵과 같은 전류 밀도 센서를 포함할 수 있으며, 이러한 전류 밀도 센서는 스캔 빔의 전류 밀도를 측정하는데, 여기서 전류 밀도는 특히 주입 각도(예를 들어, 가공물의 기계적 표면과 빔 사이의 상대적 배향 및/또는 가공물의 결정질 격자 구조와 빔 사이의 상대적 배향)의 함수이다. 전류 밀도 센서는 스캔 빔에 대해 대체로 직교하는 방식으로 이동하여, 전형적으로는 리본 빔의 폭을 가로지른다.

이온 소스(120), 질량 분석기(127), 스캐닝 요소(136), 평행기(139), ZFE-제한 요소(180), 및 빔 프로파일링 시스템(152)을 제어하고, 이들과 연통하며, 그리고/또는 이들을 조정할 수 있는 제어 시스템(154)이 제공된다.

제어 시스템(154)은 컴퓨터, 마이크로프로세서 등을 포함할 수 있으며, 빔 특성(예를 들어, 빔 전류 또는 밀도)의 측정값을 취하고, 이에 따라 파라미터(예를 들어, 자기적으로 스캔된 빔에 인가되는 전기장)를 조정하도록 작동 가능할 수 있다. 제어 시스템(154)은 빔라인 조립체(114)의 질량 분석기(126), (예를 들어, 전원(149)을 통해) 스캐닝 요소(136), (예를 들어, 전원(150)을 통해) 집속 및 조향 요소(138), 평행기(139), 및 감속 스테이지(157)뿐만 아니라, 이온의 빔이 생성되는 단자(112)에 결합될 수 있다. 따라서, 이들 요소들 중 임의의 요소가 제어 시스템(154)에 의해 조정되어 원하는 이온 빔 특성을 용이하게 할 수 있다. 예를 들어, 빔의 에너지 레벨은 예를 들어, 이온 추출 조립체(123) 및 감속 스테이지(157) 내 전극에 인가되는 바이어스를 조정함으로써 접합 깊이를 조정하도록 구성될 수 있다. 질량 분석기(126)에서 발생되는 자기장의 강도 및 배향은 예를 들어, 원하는 이온 빔의 경로의 곡률을 변경하기 위해, 계자 권선을 통해 흐르는 전류의 양을 조절하는 등에 의해 조정될 수 있다. 주입의 각도는 예를 들어, 조향 요소(138)에 인가되는 전압을 조정함으로써 추가로 제어될 수 있다.

하나의 특정 실시예에서, 제어 시스템에 연결된 빔 진단 시스템(155)은 측정된 빔 전류 또는 밀도에 응답하여 ZFE-제한 요소(180)의 전극에 인가되는 전압의 진폭을 변동시키도록 구성된다. 예를 들어, 만약 측정된 빔 전류 또는 밀도가 ZFE가 존재함을 나타내는 경우에, 제어기(154)는 ZFE-제한 요소의 전극에 고접압을 인가하기 위해 ZFE-제한 요소(180)와 연통할 것이다. 고전압의 부가는 전기장에 있어서의 대응하는 변화를 유발하여, 빔 중화를 변경시킴으로써 비-제로 스캐닝장이 이온 빔 상에 작용하는 구역에서 빔 전류 또는 밀도를 변경(예를 들어, 증강)시킬 수 있다. 빔 전류 또는 밀도에 있어서의 변경은 ZFE의 완화 및 웨이퍼 위의 보다 큰 전체 빔 전류 또는 밀도를 야기할 수 있다.

따라서, 빔 진단 시스템(155) 및 제어 시스템(154)은 ZFE의 효과를 제거하기 위해, ZFE-제한 요소에 인가되는 파형의 진폭에 있어서의 반복적이고 점증적인 변경을 통해, 빔 전류 또는 밀도가 조정되게 되는 이온 빔 조정의 반복적인 방법을 감안한다.

스캐닝 시스템(135), ZFE-제한 요소(180), 및 빔 프로파일링 시스템(152)의 상호작용의 보다 상세한 실시예가 도 4a 내지 도 4g에 예시되어 있다.

도 4a에 도시되어 있는 바와 같이, 스캐닝 시스템(135)은 빔 경로(124)의 측방측 상에 제1 요소(136a) 및 제2 요소(136b)를 갖는 스캐너 구역을 포함한다. 요소들은 빔 경로(124)가 연장될 때 통과하는 진공을 포함한 간극에 의해 분리되어 있다. 자기 스캐닝을 예시하는 일 실시예에서, 자극(136a 및 136b)은 전자기 코일을 포함할 수 있다. 전기 스캐닝의 경우도 유사하다는 점이 이해될 것이다.

도 4a의 블록도와 함께 도 4b의 파형도(202)를 보면, 자극은 자극(136a 및 136b)에 교류 전류를 제공하도록 구성되는 전류원(149)에 결합될 수 있다. 자극들 사이의 시변 전류는 도 4c의 파형도에 예시되어 있는 바와 같이, 시변 자기장(204)을 형성한다. 이러한 자기장은 빔 경로에 걸쳐 코일로부터 외측으로 연장되고, 빔(124)이 스캔 방향(예를 들어, 도 4a 및 도 4g의 X 방향)을 따라 휘거나 편향(예를 들어, 스캔)되는 원인이 된다. 스캐너 자기장이 극(136a)으로부터 극(136b)으로의 방향에 있는 경우에, 빔(124)의 이온은 양의 X 방향으로의 측방력을 받게 된다(예를 들어, 로렌츠의 힘 방정식(F=q(v×B))에 따른 것이다. 극(136a 및 136b)이 제로 전류에 종속되는 경우, (예를 들어, 도 4g의 시간 "d"에서와 같이) 스캐너(136) 내 제로 자기장이 존재하고, 빔(124)은 변형되지 않은 스캐너(136)를 통과한다. 상기 장이 극(136b)으로부터 극(136a)으로의 방향에 있는 경우(예를 들어, 도 4g의 시간 "a" 및 "c")에, 빔(124)의 이온은 음의 X 방향으로의 측방력을 받게 된다).

도 4d는 이온 빔이 시간에 맞춰 측방으로 전후로 스캔될 때, 빔 프로파일러(152)에 의해 검출되는 빔 전류(206)를 도시한다. 도시된 바와 같이, 도 4c에서 자기장이 대략 제로의 크기에(예를 들어, 시간 "d"에) 있을 때, 도 4d의 빔 전류는 베이스라인 빔 전류(214)에 대한 "스파이크"(예를 들어, "212") 또는 "딥"과 같은 원치 않는 ZFE 상태를 나타낼 수 있다.

분석 회로(184)가 이러한 빔 전류(206)를 분석하여 존재할 수 있는 임의의 ZFE 상태를 검출한다. 분석 회로(184)가 ZFE 상태를 검출하면, (유선 또는 무선 피드백 경로(186)를 통해 ZFE-제한 요소(180)에 결합되는) 분석 회로는 ZFE-제한 요소(180)의 전극에 인가되는 전압에 있어서의 변동을 유발하는 피드백 신호를 제공한다. 이러한 선택적으로 인가된 전압은 빔 경로의 ZFE-피영향 구역에서, 도 4e에 도시된 바와 같은 대응하는 전기장(208)을 유발할 수 있으며, 이에 따라 ZFE 상태를 제한한다. 전기장의 선택적 인가는 ZFE 상태의 검출 여부에 따르는데, 예를 들어, ZFE 상태가 검출된 경우에는, 전기장이 변경되거나 턴 온되지만; ZFE 상태가 검출되지 않은 경우에는, 전기장은 변경되지 않은 상태를 유지하거나 턴 오프된다. ZFE가 검출된 경우, 인가된 전기장의 값은 상이한 이온 에너지, 질량, 종 등을 갖는 상이한 빔을 스캐닝하여 취득되는 작동 데이터로부터 미리 정해질 수 있다. 대안적으로, 전기장이 인가되고, 전류 밀도 분포가 측정되며, 밀도가 충분히 균일하게 분포되지 않은 경우에는 원하는 균일성을 얻을 때까지, 전기장이 조정되는 반복적인 공정이 사용될 수 있다.

일 실시예에서, 선택적인 ZFE-제한 전기장을 유발하기 위해, 자기 스캐너(136)의 하류 측에 있는 전극판(182a, 182b)에 선택적으로 전압이 인가된다. 대안적인 실시예에서, 비록 다른 전극 배열도 가능하지만, 선택적인 ZFE-제한 전기장을 유발하기 위해, 자기 스캐너(136)의 하류 측에 있는 링형 전극에 전압이 인가된다. 일반적으로, 전기장은 자기 스캐너 근처의 임의의 위치에 도입되어, 빔 전류 밀도를 변경(예를 들어, 자기화된 빔 중화를 증강)시키고, 이에 따라 ZFE의 효과를 제한할 수 있다.

도 4f에 도시된 바와 같이, ZFE-제한 요소에 의한 교정 후 결과적으로 제한된 ZFE 상태를 나타내는 이온 빔이 생성된다. 볼 수 있는 바와 같이, ZFE-제한 요소를 통과한 후에, 결과적인 이온 빔(210)은 ZFE 상태(예를 들어, "212")가 앞서 발생하였던 구역에서 조차, 비교적 일정한 베이스라인 전류 밀도를 갖는다.

도 5는 자기 스캐너를 사용하는 이온 주입 시스템에서 ZFE 상태를 제한하기 위한 예시적 방법(500)을 예시한다. 상기 방법은 ZFE의 효과를 제거하기 위해 충분히 높은 웨이퍼의 표면을 가로지르는 빔 전류를 제공하도록 최적의 전기장 파형이 달성될 때까지, ZFE 제한 요소를 통해 자기적으로 스캔된 빔에 인가된 전기장 파형을 반복적으로 조정한다. 보다 구체적으로, ZFE를 결정하기 위해, 그리고 전기장이 점증적으로 도입되어 자기 이온 빔의 빔 중화를 최적화하고, 이온 빔 상의 ZFE의 효과를 감소시키는 방식을 반복적으로 조정하기 위해, 빔 전류가 측정된다.

"502"에서, 먼저 이온 빔은 스캐닝 시스템이 오프되어 원하는 작동 상태를 형성하는 동안 조정된다. 이러한 공정 동안, 이온 주입 시스템의 빔 라인에 진공이 제공된다. 고진공 펌프는 소량의 잔류 기체만이 잔존할 때까지, 빔라인 및 처리 챔버를 극저압(예를 들어, <10^-6 Torr)으로 소개한다. 그러나, 이러한 빔/주입 기체의 상호작용에 의한 이온 빔 중화의 정도는 자기장의 존재에 있어서 빔 중화를 지지하기에는 불충분할 수 있다.

"504"에서, 이온 빔은 스캔 경로를 가로질러 스캔된다. 스캔 경로는 이온 빔(예를 들어, 펜슬 빔)이 2개의 자극을 포함하는 자기 스캐닝 시스템(예를 들어, 전자기 코일)에 의해 생성되는 가변 자기장의 힘에 의해 이동될 때, 가로지르게 되어 결과적으로 리본 빔이 생성되는 경로이다. 일 실시예에서, 스캔 경로는 목표로 한 가공물의 폭을 가로질러 연장될 수 있다. 이온 빔은 자기강의 시간 종속성(예를 들어, 자기장이 변경될 때, 스캔 경로 상의 이온 빔의 위치가 변경됨)에 종속되는 스캔 속도로 스캔 경로 위에서 스캔될 수 있다.

빔 전류 및/또는 밀도는 "506"에서 측정된다. 이어서, 리본 빔의 빔 전류가 스캔 경로 위에서 측정될 수 있다. 일 실시예에서, 빔 전류는 패러데이 컵을 사용하여 측정될 수 있다. 패러데이 컵은 이온 빔으로부터의 대전 입자를 포착하기 위해, 가공물에 인접하도록 구성될 수 있는 전도성 컵이다. 이온 빔으로부터의 입자가 전도성 컵에 부딪힐 때, 작은 순전하를 얻게 된다. 이어서, 상기 컵은 각각의 기간에, 충격 이온의 수와 등가인 작은 전하를 부착된 회로에 전달하기 위해 주기적으로 방전될 수 있다. 전하를 측정함으로써, 이온 빔의 빔 전류가 결정될 수 있다. 따라서, 패러데이 컵은 시간의 함수로서 빔 전류를 제공한다.

대안적인 일 실시예에서, 빔 전류는 리본 빔의 폭에 걸쳐 빔 전류를 측정하도록 구성되는 하나 이상의 프로파일러를 사용하여 측정될 수 있다. 프로파일러는 프로파일러 경로를 (예를 들어, 가공물의 폭에 걸쳐) 연속적으로 가로질러, 스캔된 이온 빔의 프로파일을 측정한다. 일 실시예에서, 프로파일러는 이동 패러데이 컵을 포함할 수 있다.

제로 전계 이상(즉, 제로 전계 효과(ZFE))이 "508"로서 표시된다. ZFE는 자기장이 제로인 위치에서 측정된 빔 전류에 있어서의 국부적인 증가 또는 감소로서 측정된 빔 전류에서 결정될 수 있다. 상기 증가 또는 감소는 각각 소정의 임계값보다 크거나 작은 측정된 빔 전류에 있어서의 변화를 포함할 수 있다. 다시 말해, ZFE는 자기장이 제로인 위치에서 측정된 빔 전류에 있어서의 변화(예를 들어, 측정된 빔 전류에 있어서의 상승 또는 하락)으로서 특징지어 진다.

ZFE가 검출되면, 이에 응답하여 "510"에서 전기장의 크기가 조정된다. 이러한 조정은 다수의 스캔 위치에서의 빔 전류 및 밀도를 비교하고, 다수의 스캔 위치에서 측정되는 이들 빔 사이의 차이를 최소화하기 위해 전기장을 조정하는 단계를 포함할 수 있다. 작업(502 내지 510)은 전기장에 있어서의 점증적 변화에 의해 빔 전류를 조정하는 방식으로 반복적으로 행해질 수 있다. 다양한 반복에 걸친 전기장 크기에 있어서의 변화는 작을 수 있으며, 이로써 점진적 방식으로 빔 전류를 증가 또는 감소시킬 수 있음이 이해될 것이다. 전기장의 각각의 조정 후에, 빔 전류는 재-측정될 수 있으며, 여전히 ZFE가 측정되는 경우에는, 만족스런 판독값을 얻을 때까지 전기장이 반복적으로 재조정될 수 있다.

ZFE가 검출되지 않으면, ZFE를 완화시킬 필요가 없기 때문에, 시스템의 전기장은 "512"에 유지된다. 따라서, 전기장 상태는 ZFE의 효과를 효율적으로 최소화시키도록 유지될 수 있다. 여전히, 측정은 이루어질 수 있으며, ZFE가 검출되는 경우에, 상기 방법(500)은 측정된 ZFE에 응답하여 복귀될 수 있다는 점이 이해될 것이다.

도 6은 자기 스캐너에서 전기장을 최적화하기 위한 일 대안적인 예시적 방법(600)을 예시한다. 방법(600)에서, 빔 전류 및/또는 밀도는 스캔 경로를 따라 단일 위치에서 측정된다. 측정된 빔 전류 및/또는 밀도에 응답하여, 이러한 단일 위치에서 빔 전류 및/또는 밀도에 있어서의 원하는 일정 변화를 달성하기 위해, 전기장이 도입될 수 있다. 이러한 실시예는 생산 전에 수행될 수 있는 시험 또는 교정 방법으로서 사용될 수 있음이 이해될 것이다. 이러한 실시예는 보다 신속한 측정 시간 및 개선된 조정 성능을 감안할 수 있다.

"600"에서, 스캐닝 효과가 오프되어 원하는 작동 상태에 이르는 동안, 이온 빔이 조정된다. 이러한 공정 동안, 이온 주입 시스템의 빔라인에 진공이 제공된다.

"604"에서 단일 위치에 이온 빔을 보유지지하기 위해, 자기장이 이온 빔에 인가된다. 자기장은 자기장의 힘으로 인해 이온 빔이 중심 외 위치로 이동하는 원인이 될 수 있다.

"606"에서, 빔 전류 및/또는 밀도가 측정된다. 이온 빔의 빔 전류는 스캔 경로를 따라 단일 위치에서 측정된다. 일 실시예에서, 빔 전류는 빔 전류를 측정하도록 구성되는 하나 이상의 프로파일러를 사용하거나 패러데이 컵을 사용하여 측정될 수 있다. 빔 전류가 미리 정해진 원하는 값을 달성하지 못하면, 전기장은 "610"에서 조정될 수 있다. 빔 전류가 미리 정해진 원하는 값을 달성하면, 전기장의 상태는 유지될 수 있다.

작업(604 내지 610)은 전기장에 있어서의 점증적인 변화에 의해 빔 전류를 조정하는 방식으로 반복적으로 수행될 수 있다. 전기장의 각각의 조정 후에, 빔 전류는 재-측정될 수 있으며, 여전히 ZFE가 측정되는 경우에는, 만족할 만한 판독값이 달성될 때까지 전기장이 반복적으로 재조정될 수 있다.

본 발명은 소정의 태양 및 구현예에 대해 도시되고 기술되었지만, 본 명세서 및 첨부 도면의 판독 및 이해 시, 동등한 변경예 및 변형예들이 당업자에게 도출될 것이라는 점이 이해될 것이다. 특히, 전술한 구성요소(조립체, 장치, 회로, 시스템 등)에 의해 행해지는 다양한 기능과 관련하여, 이러한 구성요소를 기술하는데 사용된 ("수단"에 대한 참조를 포함한) 용어는 달리 표시되지 않은 한, 비록, 본 발명의 예시적 구현예에서 예시된 기능을 수행하는 기술된 구조체와 구조적으로 동등하지는 않더라도, 기술된 구성요소의 지정된 기능을 수행하는 (즉, 기능적으로 동등한) 임의의 구성요소에 대응하고자 한다. 이와 관련하여, 본 발명은 본 발명의 다양한 방법의 단계들을 수행하기 위한 컴퓨터-실행가능 명령을 갖는 컴퓨터-판독가능 매체를 포함한다는 점 또한 인식될 것이다. 추가로, 본 발명의 특정 특징이 몇몇 구현예들 중 하나의 구현예에만 관련하여 기술되어 개시되어 있지만, 임의의 주어진 또는 특정 응용에 대해 바람직하고 유리할 수 있기 때문에, 이러한 특징은 다른 구현예들의 하나 이상의 특징들과 결합될 수 있다. 또한, 용어 "포함하다(include)", "포함하는(including)", "갖다", "갖는", 및 이들의 변형이 상세한 설명 및 특허청구범위에 사용되는 한, 이들 용어는 용어 "포함하는(comprising)"과 유사한 방식으로 포괄적인 것으로 의도된다.

Claims

빔 경로를 따라 이온 빔을 생성하도록 구성되는 이온 소스;
이온 빔에 대한 질량 분석을 행하도록 구성되는, 상기 이온 소스의 하류 측에 있는 질량 분석 구성요소;
스캔 경로를 가로지르는 스캔 빔을 생성하기 위해 이온 빔 상에서 작동하는 시변장(time-varying field)을 생성하도록 구성되는, 상기 이온 소스의 하류 측에 위치되는 스캐닝 요소;
상기 스캔 빔이 스캔 경로를 가로지를 때, 스캔 빔의 빔 전류를 측정하도록 구성되는 빔 프로파일링 시스템;
스캐닝에 의해 발생하는 제로 전계 효과(zero field effect)(ZFE) 상태를 검출하기 위해, 측정된 빔 전류를 분석하는 분석 시스템;
빔 프로파일러의 상류 측에 있고, 피드백 경로를 통해 상기 분석 시스템에 결합되는 ZFE-제한 요소로서, ZFE 상태가 검출되었는지의 여부에 기초하여 전기장을 상기 이온 빔에 선택적으로 인가함으로써, 검출된 경우에 ZFE 상태를 제한하도록 구성되는 ZFE-제한 요소를 포함하는
이온 주입 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 ZFE 제한 요소는 ZFE 상태가 검출된 때에만 전기장을 인가하는
이온 주입 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 스캐닝 요소에 의해 제공되는 시변장은 시변 자기장인
이온 주입 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 스캐닝 요소에 의해 제공되는 시변장은 시변 전기장인
이온 주입 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 빔 프로파일링 시스템은 패러데이 컵을 포함하고, 상기 패러데이 컵은 상기 이온 주입 시스템의 단부 스테이션에 인접하고, 이온 빔의 빔 전류 또는 밀도를 측정하도록 구성되는
이온 주입 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 ZFE-제한 요소는 ZFE 상태의 검출 여부에 기초하여, 전압 파형을 점증적으로 변경하도록 구성되는
이온 주입 시스템.
제 6 항에 있어서,
상기 분석 시스템은 상기 스캔 경로 상의 일부 위치에서의 빔 전류가 스캔 경로를 따르는 기초 빔 전류를 초과하는지의 여부를 결정함으로써, 상기 ZFE 상태를 검출하는
이온 주입 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 ZFE-제한 요소는 상기 이온 빔의 단면의 외주를 적어도 실질적으로 둘러싸는 내주를 갖는 링형 전극을 포함하는
이온 주입 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 ZFE-제한 요소는 상기 이온 빔 근처에 적어도 하나의 플레이트 전극을 포함하는
이온 주입 시스템.
이온 빔 스캔 경로 위에 이온 빔을 스캔하기 위해 자기장을 생성하도록 구성되는 제1 자극 및 제2 자극을 포함하는 자기 스캐너;
상기 이온 빔이 이온 빔 스캔 경로 위에 자기적으로 스캔될 때, 이온 빔의 빔 전류를 측정하는 빔 프로파일러;
상기 이온 빔 스캔 경로 상의 적어도 하나의 스캔 위치에서 발생하는 제로 전계 효과(ZFE) 상태를 검출하기 위해, 측정된 빔 전류를 분석하는 분석 시스템;
상기 빔 프로파일러의 상류 측에 있고, 피드백 경로를 통해 상기 분석 시스템에 결합되는 ZFE-제한 요소로서, ZFE 상태의 검출 여부에 기초하여, 전기장을 상기 이온 빔에 선택적으로 인가하도록 구성되고, 상기 선택적으로 인가된 전기장이 이온 빔 내의 변화를 유도하여 ZFE 상태를 제한하는 ZFE-제한 요소를 포함하는
이온 주입 시스템용 스캐닝 시스템.
제 10 항에 있어서,
상기 ZFE 상태는 적어도 하나의 스캔 위치에 대해 측정된 빔 전류가 미리 정해진 임계치만큼 빔 전류에 대한 기초 레벨을 초과하는지의 여부를 결정함으로써 검출되는
이온 주입 시스템용 스캐닝 시스템.
제 10 항에 있어서,
상기 이온 빔은 이온 펜슬 빔을 포함하고, 상기 이온 펜슬 빔은 빔 경로를 따라 이동하고, 자기장 통과 시, 리본 빔으로 변형되는 궤적을 갖는
이온 주입 시스템용 스캐닝 시스템.
제 10 항에 있어서,
상기 ZFE-제한 요소는 상기 이온 빔의 단면의 외주를 적어도 실질적으로 둘러싸는 내주를 갖는 링형 전극을 포함하는 이온 주입 시스템용 스캐닝 시스템.
제10항에 있어서, 상기 ZFE-제한 요소는 상기 이온 빔 근처에 적어도 하나의 플레이트 전극을 포함하는
이온 주입 시스템용 스캐닝 시스템.
이온 주입 시스템에서 자기적으로 스캔된 이온 빔의 균일성을 개선하기 위한 방법으로서,
빔 전류 또는 밀도를 갖는 이온 빔을 스캔 속도로 스캔 경로를 가로질러 스캔하는 단계; 및
제로-전계 효과(ZFE) 상태의 존재 여부를 결정하기 위해 상기 스캔된 이온 빔을 분석하는 단계; 및
상기 ZFE 상태를 완화시키기 위해, 상기 이온 빔에 전기장을 선택적으로 인가하는 단계를 포함하는
방법.
제 15 항에 있어서,
스캔된 이온 빔을 분석하는 상기 단계는 상기 이온 빔이 스캔 경로를 가로질러 스캔될 때, 빔 전류 신호를 측정하는 단계를 포함하는
방법.
제 16 항에 있어서,
상기 빔 전류 신호는 패러데이 컵에 의해 측정되는
방법.
제 15 항에 있어서,
상기 선택적으로 인가된 전기장은 ZFE 상태가 검출된 때에만 인가되는
방법.
제 15 항에 있어서,
이온 빔을 스캔하는 상기 단계는 이온 빔에 시변 자기장을 인가하는 단계를 포함하는
방법.
제 15 항에 있어서,
이온 빔을 스캔하는 상기 단계는 이온 빔에 시변 전기장을 인가하는 단계를 포함하는
방법.