KR20140108394A - Patterning method using mold treated by self assembled monolayer - Google Patents
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Abstract
Description
본원은, 자기조립 단분자막에 의하여 처리된 몰드를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a pattern forming method using a mold treated by a self-assembled monolayer.
일반적으로 반도체 패턴 전사 기술의 핵심은 포토리소그라피(photolithography) 기술을 이용하여 패턴을 형성하는 것이다. 포토리소그라피 기술에 의해 형성된 패턴의 정밀도는 사용하는 빛의 파장에 따라서 결정된다. 따라서 초기에는 눈에 보이는 파장의 광(가시광선)을 사용했으나, 곧 자외선을 사용하게 되었고, 최근에는 필요에 따라 전자빔을 사용하여 1㎛이하의 세밀한 패턴을 취급하고 있다.Generally, the key to semiconductor pattern transfer technology is to form a pattern using photolithography technology. The accuracy of the pattern formed by the photolithography technique is determined according to the wavelength of light used. Therefore, although visible light (visible light) was used initially, ultraviolet light was soon used, and recently, a fine pattern of 1 μm or less is handled using an electron beam if necessary.
그러나 포토리소그라피 기술은 회로의 미세화가 진행됨에 따라 노광장비의 초기 투자비용이 증가하고, 사용되는 빛의 파장과 유사한 해상도를 갖는 마스크의 가격이 급등하는 등 문제가 발생되고 있다.However, in the photolithography technique, as the circuits are miniaturized, the initial investment cost of the exposure equipment is increased, and the cost of the mask having a resolution similar to the wavelength of the light used is increased.
따라서 고비용의 사진현상 기술의 대체 기술로써 몰드를 이용하여 미세 패턴을 형성하는 임프린팅 방법이 주목 받고 있다. 임프린팅 방법은 기재 위에 유기층 패턴을 형성하는 기술로써, 100 nm이하 미세 패턴의 구현이 가능하고 공정이 빠르고 간단하며 대면적에 용이한 기술이다.Therefore, an imprinting method for forming a fine pattern using a mold as a substitute for a high-cost photographic developing technology has received attention. The imprinting method is a technique for forming an organic layer pattern on a substrate, and it is possible to realize a fine pattern of 100 nm or less, a process is quick and simple, and an easy-to-large-area technique.
상기와 같은 기술은 고분자 물질의 경화방식에 따라 자외선 방식과 열 방식으로 나뉜다. 상기 열 방식의 임프린팅 공정은 온도를 유리 전이 온도 이상으로 높인 상태에서 스탬프를 상대적으로 높은 압력으로 유기층에 압착하여 형상을 만든 뒤, 다시 온도를 유리 전이 온도 아래로 내려 유기층을 경화시킴으로써 형상을 유지하는 방법이다. 자외선 방식의 임프린팅 공정은 투명한 스탬프를 사용하여 스탬프와 유기층이 압착된 상태에서 자외선을 노광하여 분자들 간에 네트워크가 형성되게 함으로써 패터닝된 유기층을 경화시키는 방법이다. 대한민국 등록 특허 제 10-0843342 호는 UV 나노 임프린팅 리소그래피 수행 공정 및 장치에 관한 것으로, 균일한 압력 인가 방식을 통해 에어 트랩(air trap)에 의한 결함을 감소시키면서 대면적에도 균일한 패턴 전사성을 가지는 임프린팅 공정에 관한 것이다. 그러나, 상기한 임프린팅 방법은 패턴과 패턴 사이의 고분자 잔여층에 대하여 산소 플라즈마 회화(ashing)처리를 해야하므로 상기 잔여층의 제거 과정에서 패턴의 높이가 줄어들고 패턴 가장자리의 손상 및 패턴 모양의 변화가 유발될 수 있다는 문제점이 있다.Such techniques are divided into ultraviolet and thermal methods depending on the curing method of the polymer material. In the thermal imprinting process, the stamp is pressed onto the organic layer at a relatively high pressure in a state where the temperature is increased to be higher than the glass transition temperature, and then the temperature is lowered to the glass transition temperature to cure the organic layer to maintain the shape . The ultraviolet imprinting process is a method of curing the patterned organic layer by exposing ultraviolet light to a network between the stamp and the organic layer using a transparent stamp. Korean Patent No. 10-0843342 relates to a process and apparatus for performing UV nanoimprinting lithography, which can reduce defects caused by air traps by a uniform pressure application method and achieve uniform pattern transferability over a large area. RTI ID = 0.0 > imprinting < / RTI > However, since the imprinting method requires an oxygen plasma ashing treatment for the polymer residual layer between the pattern and the pattern, the height of the pattern is reduced in the process of removing the residual layer, There is a problem that it can be induced.
이러한 문제를 해결하고자, 패턴 형성을 위한 임프린팅 공정 시, 포토레지스트층의 비패턴 형성 부분에 잔류층의 형성을 방지하는 방법의 개발이 요구되고 있다.
In order to solve such a problem, development of a method for preventing the formation of a residual layer in a non-pattern forming portion of a photoresist layer in an imprinting process for forming a pattern is required.
본원은, 패턴 형성을 위한 임프린팅 공정 시, 포토레지스트층의 비패턴 형성 부분에 잔류층의 형성을 방지하는 패턴 형성 방법을 제공하고자한다.
The present application intends to provide a pattern forming method for preventing the formation of a residual layer in a non-pattern forming portion of a photoresist layer in an imprinting process for pattern formation.
본원의 제 1 측면은, 기재에 포토레지스트를 도포하는 단계; 패턴된 몰드에 자기조립 단분자막을 형성하는 단계; 상기 자기조립 단분자막이 형성된 몰드와 상기 포토레지스트가 도포된 기재를 가압하여 접촉하는 단계; 및, 상기 포토레지스트를 경화시키는 단계를 포함하는, 패턴 형성 방법을 제공한다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: applying a photoresist to a substrate; Forming a self-assembled monolayer on the patterned mold; Pressing the mold with the self-assembled monolayer and the substrate coated with the photoresist; And a step of curing the photoresist.
본원의 일 구현예에 따라, 상기 기재는 실리콘 웨이퍼, 유리, 세라믹, 유리-세라믹, 금속, 금속 산화물, 폴리머, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, the substrate may include, but is not limited to, selected from the group consisting of silicon wafers, glass, ceramics, glass-ceramics, metals, metal oxides, polymers, and combinations thereof .
본원의 일 구현예에 따라, 상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트 또는 네가티브 포토레지스트를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.According to one embodiment of the invention, the photoresist may include, but is not limited to, a positive photoresist or a negative photoresist.
본원의 일 구현예에 따라, 상기 포토레지스트는 가열 또는 자외선 조사에 의해 경화되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the photoresist may include, but is not limited to, curing by heating or ultraviolet radiation.
본원의 일 구현예에 따라, 상기 포토레지스트를 도포하는 단계는 스핀 코팅, 딥핑 코팅, 롤투롤 코팅, 플로우 코팅, 또는 스프레이 코팅법으로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.According to one embodiment of the present application, the step of applying the photoresist may be carried out by a method selected from the group consisting of spin coating, dipping coating, roll to roll coating, flow coating, or spray coating, .
본원의 일 구현예에 따라, 상기 접촉은 포토레지스트 임프린팅법과 자기조립 단분자막과 상기 기재 간 표면 미세 접촉 인쇄법이 동시에 일어나는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.According to one embodiment of the invention, the contacting may be, but not limited to, simultaneous photoresist imprinting, self-assembled monolayer and surface-to-substrate micro contact printing.
본원의 일 구현예에 따라, 상기 기재에 도포된 포토레지스트의 부피는 상기 몰드에 형성된 패턴의 음각 부분의 부피보다 적은 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.According to one embodiment of the invention, the volume of the photoresist applied to the substrate may be less than the volume of the recessed portion of the pattern formed in the mold, but may not be limited thereto.
본원의 일 구현예에 따라, 상기 몰드는 고분자 몰드 또는 강성 기재에 플렉서블한 고분자 물질을 이용하여 코팅된 몰드를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, the mold may include, but is not limited to, a polymer mold or a mold coated with a flexible polymeric material on a rigid substrate.
본원의 일 구현예에 따라, 상기 고분자 몰드는 PDMS, 폴리우레탄, 폴리이미드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, the polymer mold may include but is not limited to those selected from the group consisting of PDMS, polyurethane, polyimide, and combinations thereof.
본원의 일 구현예에 따라, 상기 몰드의 패턴은 그 단면이 다각형, 반구형, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, the pattern of the mold may include, but is not limited to, those whose cross-section is selected from the group consisting of polygonal, hemispherical, and combinations thereof.
본원의 일 구현예에 따라, 상기 몰드는 표면의 강도를 증가시키기 위한 표면처리를 추가 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.According to one embodiment of the invention, the mold may additionally include, but is not limited to, a surface treatment to increase the strength of the surface.
본원의 일 구현예에 따라, 상기 몰드는 그의 표면에 상기 자기조립 단분자막을 형성하기 전에 습윤성(wettabillity)을 증가시키기 위한 표면처리를 추가 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.According to one embodiment of the invention, the mold may additionally include, but is not limited to, a surface treatment on its surface to increase the wettability before forming the self-assembled monolayer.
본원의 일 구현예에 따라, 상기 표면처리는 자외선 조사 또는 상압 플라즈마 처리에 의해 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the surface treatment may be performed by ultraviolet irradiation or an atmospheric plasma treatment, but the present invention is not limited thereto.
본원의 일 구현예에 따라, 상기 자기조립 단분자막을 형성하는 단계는 딥핑 코팅, 스핀 코팅, 롤투롤 코팅, 또는 기상 증착법으로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the step of forming the self-assembled monolayer may be performed by a method selected from the group consisting of dipping coating, spin coating, roll-to-roll coating or vapor deposition, have.
본원의 일 구현예에 따라, 상기 자기조립 단분자막은 상기 기재에 도포된 포토레지스트와 반대 성질의 말단기를 가지는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the self-assembled monolayer may be, but not limited to, having a terminal end opposite to the photoresist applied to the substrate.
본원의 일 구현예에 따라, 상기 자기조립 단분자막은 APS[(3-aminopropyl)trimethoxysilane], MUA(11-mercaptoundecanoicacid), DET[(3-trimethoxysilylpropyl)diethylenetriamine], EDA[N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane], PFS(perfluorodecyltrichlorosilane), OTS(octadecyltrichlorosilane), OTMS(octadecyltrimethoxysilane), HDT(1-Hexadecanethiol), FDTS[(heptadecafluoro-1,1,2,2,-tetrahydrodecyl)trichlorosilane], FOTS(1H,1H,2H,2H-perfluorodecyltrichlorosilane-perfluorodecyltrichlorosilane), PFBT(pentafluorobenzenethiol), DDMS(dichlorodimethylsilane), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
According to one embodiment of the present application, the self-assembled monolayer may be formed of APS [(3-aminopropyl) trimethoxysilane], MUA (11-mercaptoundecanoic acid), DET [(3-trimethoxysilylpropyl) diethylenetriamine], EDA [N- 3-aminopropyltrimethoxysilane), PTS (perfluorodecyltrichlorosilane), OTS (octadecyltrichlorosilane), OTMS (octadecyltrimethoxysilane), HDT (1-hexadecanethiol), FDTS [(heptadecafluoro-1,1,2,2 -tetrahydrodecyl) trichlorosilane] 1H, 2H, 2H-perfluorodecyltrichlorosilane-perfluorodecyltrichlorosilane, PFBT, dichloromethylsilane (DDMS), and combinations thereof.
전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 임프린팅 방식을 이용하여 패턴을 형성함으로써 기존의 포토리소그라피 공정에 비해 공정이 단순하고 패턴의 제작 시간이 단축될 수 있으며, 자기조립 단분자막 처리된 몰드를 사용함으로써, 몰드와 포토레지스트 간 접착 방지막을 형성하여 패턴이 보다 깨끗하게 형성되며, 몰드의 수명 또한 연장이 될 수 있다. 또한, 포토레지스트층의 비패턴 형성 부분에 잔류층의 형성을 방지함으로써 기존의 패턴 형성 방법에서 필수적으로 수반되었던, 식각(etching) 혹은 회화(ashing) 공정을 수행하지 않게 되어 패턴 형성 시, 패턴의 손상을 최소화하며, 공정 또한 간소화할 수 있다.
According to the present invention, by forming a pattern using the imprinting method, the process can be simplified and the patterning time can be shortened as compared with the conventional photolithography process. By using the self-assembled monolayer processed mold , An adhesion preventive film between the mold and the photoresist is formed to form a pattern more clearly and the lifetime of the mold can be extended. In addition, by preventing the formation of the residual layer in the non-patterned portion of the photoresist layer, the etching or the ashing process, which was essentially involved in the existing pattern formation method, is not performed, Minimizing damage, and simplifying the process.
도 1a 및 도 1b는 본원의 일 구현예에 따른 자기조립 단분자막이 형성된 몰드의 수득 과정을 도시한 도면이다.
도 2a 내지 도 2d는 본원의 일 구현예에 따른 자기조립 단분자막에 의하여 처리된 몰드를 이용한 패턴 형성 방법을 도시한 도면이다.
도 3a는 기존의 몰드를 이용한 포토레지스트 전사법을 이용하여 형성된 포토레지스트 패턴 형성이 완료된 기재의 단면 주사전자 현미경 사진이며, 도3b는 본원의 일 실시예에 따른, 자기조립 단분자막 처리된 몰드를 이용한 포토레지스트의 패턴 형성이 완료된 기재의 단면 주사전자 현미경 사진이다.FIGS. 1A and 1B are diagrams showing a process of obtaining a mold having a self-assembled monolayer according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2A to 2D are diagrams illustrating a pattern formation method using a mold processed by a self-assembled monolayer according to an embodiment of the present invention.
3A is a cross-sectional scanning electron micrograph of a substrate on which a photoresist pattern formed using a conventional mold is formed, and FIG. 3B is a cross-sectional scanning electron micrograph of a substrate using a self-assembled monomolecular film-treated mold according to an embodiment of the present invention Sectional scanning electron microscope (SEM) photograph of a substrate on which pattern formation of a photoresist is completed.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. It should be understood, however, that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, the same reference numbers are used throughout the specification to refer to the same or like parts.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. Throughout this specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it is not limited to a case where it is "directly connected" but also includes the case where it is "electrically connected" do.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is " on " another member, it includes not only when the member is in contact with the other member, but also when there is another member between the two members.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.Throughout this specification, when an element is referred to as "including " an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise. The terms "about "," substantially ", etc. used to the extent that they are used throughout the specification are intended to be taken to mean the approximation of the manufacturing and material tolerances inherent in the stated sense, Accurate or absolute numbers are used to help prevent unauthorized exploitation by unauthorized intruders of the referenced disclosure. The word " step (or step) "or" step "used to the extent that it is used throughout the specification does not mean" step for.
본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 “이들의 조합”의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.
Throughout this specification, the term " combination thereof " included in the expression of the machine form means one or more combinations or combinations selected from the group consisting of the constituents described in the expression of the machine form, And the like.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본원의 자기조립 단분자막 처리된 몰드를 이용한 패턴 형성 방법을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, a pattern forming method using the self-assembled monomolecular film-treated mold of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1a 및 도 1b는 본원의 일 구현예에 따른 자기조립 단분자막이 형성된 몰드의 수득 과정을 도시한 도면이다.FIGS. 1A and 1B are diagrams showing a process of obtaining a mold having a self-assembled monolayer according to an embodiment of the present invention.
도 1a 에 도시된 바와 같이, 패턴이 형성된 몰드(120)를 준비한다.As shown in Fig. 1A, a patterned
상기 몰드(120)의 패턴부는 그 단면이 다각형, 반구형, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 몰드의 패턴부는 상기 몰드의 양각 끝부분이 볼록한 형태의 반구형일 수 있다. 예를 들어, 상기 몰드의 패턴부는 상기 몰드의 양각 끝부분의 넓이가 좁은 사다리꼴 형태의 다각형일 수 있다. 예를 들어, 상기 몰드의 양각 부분이 끝부분의 넓이가 넓은 사다리꼴 형태이면, 상기 몰드를 기재로부터 분리할 때, 상기 몰드의 양각 부분이 뜯겨질 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.The pattern portion of the
상기 패턴된 몰드(120)는 고분자 몰드 또는 강성 기재에 플렉서블한 고분자 물질을 이용하여 코팅된 몰드를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 몰드(120)에 패턴을 형성하는 방법은 예를 들어, 기재에 포토레지스트를 도포한 후, 포토리소그라피 방법으로 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 패턴된 기재에 고분자 혼합물을 도포한 후, 경화하여 제작할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 본원의 일 실시예에 따른 상기 고분자 혼합물은 실가드 A 와 실가드 B 를 약 10 : 1의 비율로 교반하여 제작할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. The patterned
상기 고분자 몰드(120)는 PDMS, 폴리우레탄, 폴리이미드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 고분자 몰드는 PDMS 몰드를 사용할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 PDMS 는 기재 상의 넓은 영역에 안정적으로 점착할 수 있어, 평탄하지 않은 표면에 대해서도 균일하게 도포될 수 있고, 내구성이 강하기 때문에 몰드로 제작 시, 오래 사용할 수 있으며, 표면 장력이 낮아 상기 PDMS로 다른 폴리머를 몰딩할 때, 접착이 잘 일어나지 않음으로 인해 좋은 성형 가공성을 갖는 등의 장점이 있다. The
이어서, 상기 패턴된 몰드(120)에 표면의 강도를 증가시키기 위한 표면 처리를 추가 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 표면 처리는, 예를 들어, 폴리우레탄 계열의 MINs 코팅에 의해 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 PDMS의 표면은 소수성을 띄고 있어서 표면에 친수성을 갖는 자기조립 단분자막의 정렬이 어렵다. 이로 인해, 사용할 수 있는 자기조립 단분자막의 종류가 한정적일 수 밖에 없는데, 표면에 MINs등의 물질을 이용하여 표면 개질을 함으로써 정렬되는 자기조립 단분자막의 종류를 다양하게 변화시킬 수 있다. 또한, 상기 PDMS는 연성이 매우 크기 때문에 임프린팅 공정 시, 패턴을 물리적으로 가압하여야 하므로 패턴이 쉽게 손상을 받을 수 있다. 따라서, 상기 몰드에 MINs를 이용하여 포토레지스트와 접촉이 일어나는 부분에 코팅을 해줌으로써 상기 몰드의 강도를 증가할 수 있으며, 상기 몰드의 수명 연장 또한 가능해진다. 상기 MINs의 코팅은, 예를 들어, 스핀 코팅법을 통해 수행될 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.Then, the patterned
표면 강도 특성이 개선된 상기 몰드(120)에 자기조립 단분자막(130)을 형성하기 전에, 상기 자기조립 단분자막(130)의 습윤성(wettability)을 증가시키기 위한 표면 처리를 추가 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 표면 처리는 자외선 조사 또는 상압 플라즈마 처리에 의해 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 표면처리를 수행할 경우, 상기 몰드(120)의 표면에 OH-기를 형성시켜 표면을 친수화시킴으로써 후속하는 자기조립 단분자막(130)의 흡착량을 늘릴 수 있다. May further include a surface treatment to increase the wettability of the self-assembled
이어서, 상기 몰드(120)에 도 1b에 도시된 바와 같이, 자기조립 단분자막(130)을 형성한다. 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayer, SAM)이란, 주어진 기질의 표면에 자발적으로 입혀진 규칙적으로 잘 정렬된 유기 분자막을 뜻하며, 세 개의 부분으로 이루어져 있다. 먼저, 기질과 결합하는 머리 부분의 반응기, 규칙적인 분자막 형성을 가능하게 하는 몸통 부분의 긴 알칼사슬, 그리고 분자막의 기능을 좌우하는 꼬리 부분의 작용기로 나누어진다. 자기조립 단분자막은 기질의 표면과 막을 이루게 되는 분자들 사이에 직접적인 화학 결합이 있는 경우가 많아서, 매우 튼튼한 막을 형성할 수 있다. 또한, 기질의 모양이나 크기에 영향을 받지 않아 복잡한 모양의 기질 위에서도 제조가 가능하며 대면적화에도 용이하다. Subsequently, a self-assembled
상기 자기조립 단분자막(130)은 상기 기재에 도포되는 상기 포토레지스트와 반대 성질의 말단기를 가지는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트가 친수성을 띌 경우, 자기조립 단분자막은 소수성 말단기를 가지고, 상기 포토레지스트가 소수성을 띌 경우, 상기 자기조립 단분자막은 친수성 말단기를 가지게 된다. 상기 친수성 말단기를 가지는 자기조립 단분자막은, 예를 들어, APS[(3-aminopropyl)trimethoxysilane)], MUA(11-mercaptoundecanoic acid), DET[(3-trimethoxysilylpropyl)diethylenetriamine], EDA[N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyl trimethoxysilane], 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 소수성 말단기를 가지는 자기조립 단분자막(130)은, 예를 들어, PFS(perfluorodecyltrichlorosilane), OTS(octadecyltrichlorosilane), OTMS(octadecyltrimethoxysilane), HDT(1-Hexadecanethiol), FDTS[(heptadecafluoro-1,1,2,2,-tetrahydrodecyl)trichlorosilane], FOTS(1H,1H,2H,2H-perfluorodecyltrichlorosilane-perfluorodecyltrichlorosilane), PFBT(pentafluorobenzenethiol), DDMS(dichlorodimethylsilane), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. The self-assembled
상기 자기조립 단분자막(130)의 형성 방법은 딥핑 코팅, 스핀 코팅, 롤투롤 코팅, 또는 기상증착법으로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 수행될 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 본원의 일 실시예에 따라, 헥산 (Hexane) 용액 50 mL에 PFS(perfluorodecyltrichlorosilane) 자기조립 단분자막 1 mL를 희석시켜 자기조립 단분자막 용액을 만들어준다. 스핀 코팅 방법을 통해, 상기 자기조립 단분자막(130)을 형성할 경우, 예를 들어, 상기 자기조립 단분자막 용액을 상기 패턴된 몰드에 떨어뜨린 뒤, 3,000 rpm으로 30초간 스핀 코팅하여 상기 몰드 상에 일정 두께로 상기 자기조립 단분자막을 형성할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 기상 증착법을 통해, 상기 자기조립 단분자막(130)을 형성할 경우, 예를 들어, 150℃로 예열한 진공 오븐에 몰드를 넣은 후, 진공이 유지된 상태에서 진공 오븐 안에 상기 자기조립 단분자막 용액을 주입해 상기 진공 오븐을 PFS 자기조립 단분자막 분위기로 만들어 준다. 약 1 시간이 경과되면, 상기 자기조립 단분자막이 상기 몰드에 충분히 도포되며, 온도를 상온으로 낮추고, 상압 상태로 만들어 상기 몰드(120)에 상기 자기조립 단분자막(130)을 형성할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.The method for forming the self-assembled
도 2a 내지 도 2d는 본원의 일 구현예에 따른 자기조립 단분자막에 의하여 처리된 몰드를 이용한 패턴 형성 방법을 도시한 도면이다. FIGS. 2A to 2D are diagrams illustrating a pattern formation method using a mold processed by a self-assembled monolayer according to an embodiment of the present invention.
도 2a에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(110)가 도포된 기재(100)를 준비한다.As shown in FIG. 2A, a
상기 기재(100)는 실리콘 웨이퍼, 유리, 세라믹, 유리-세라믹, 금속, 금속 산화물, 폴리머, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 먼저, 통상적인 방법에 따라 상기 기재(100)를 세척하여 준비한다. 이렇게 상기 기재(100)를 세척하는 것은 상기 기재(100) 상에 존재하는 유기물을 제거하기 위한 것이다. 상기 기재(100) 상에 유기물이 존재하는 경우, 후속하는 포토레지스트(110)의 도포 과정에서 상기 포토레지스트(110)를 균일하게 도포할 수 없는 문제가 생길 수 있다. 상기 기재(100)를 세제에 일정 시간 동안 담그고 난 후, 상기 기재(100)를 린싱하는 과정에 의해 유기물을 제거한다. 예를 들어, 피라냐 용액을 사용해 기재를 세척할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 피라냐 용액은 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)를 4 : 1 비율로 혼합하여 제작될 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 기재를 린싱하는 단계에서는 기재의 재오염을 막기 위하여 탈이온수 (Deionized water)를 사용하여 린싱할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. The
깨끗이 세척된 상기 기재(100)에 포토레지스트(photoresist, 이하 PR로 약칭함)(110)를 도포한다. 예를 들어, 상기 PR(110)은 포지티브 PR 또는 네가티브 PR을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 PR(110)을 도포하는 단계는 예를 들어, 스핀 코팅, 딥핑 코팅, 롤투롤 코팅, 플로우 코팅, 및 스프레이 코팅법으로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 PR(110)의 도포 단계에서, 스프레이 코팅 대신 스핀 코팅법을 이용할 경우, 상기 기재(100) 상에 상기 PR(110)이 더욱 균일하게 도포될 수 있다.A photoresist (abbreviated as PR hereinafter) 110 is applied to the cleaned
이어서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 자기조립 단분자막(130)이 코팅된 몰드(120)와 상기 PR(110)이 도포된 기재(100)를 접촉시킨다.Subsequently, as shown in FIG. 2B, the self-assembled
상기 자기조립 단분자막(130)이 형성된 몰드(120)와 상기 PR(110)이 도포된 기재(100)를 접촉시킬 경우, 상기 접촉은 PR(110) 임프린팅법과 자기조립 단분자막(130)과 상기 기재(100) 간 표면 미세접촉 인쇄법이 동시에 일어나는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 몰드(120)와 상기 기재(100)의 접촉 시, 임프린팅법과 미세 접촉 인쇄법을 동시에 수행하는 이유는, 예를 들어, PR의 임프린팅법만 실행 시, 기재에 RIE 등과 같은 식각 장치를 통해 패턴에 남아 있는 PR 잔막 제거 공정이 추가로 필요하다. 또한, PR 경화 시, PR의 유동성으로 인해 형상 유지를 못하고 흘러내리는 문제가 발생하여 기재 노출부가 좁아져 원하는 형상을 얻을 수 없는 문제가 발생될 수 있다. 예를 들어, 자기조립 단분자막과 상기 기재 간 표면 미세 접촉 인쇄법만 실행 후 PR 도포 시, 기재 상에 PR이 일정 높이 이상으로 정렬이 안되며, 낮은 높이로 인하여 식각 공정 시, 패턴 영역과 비패턴 영역 모두가 식각되는 문제가 발생될 수 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본원의 일 실시예에서는 PR의 임프린팅법과 자기조립 단분자막의 표면 미세접촉인쇄법을 동시에 실시함으로써, PR 패턴 형성 시, 상기 PR이 필요한 부분에만 잔류될 수 있게 되며, 상기 패턴이 일정 형상으로 형성되게 된다.When the
상기 기재(100)에 도포된 PR(110)의 부피는 상기 몰드(120)에 형성된 패턴의 음각 부분의 부피보다 적은 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 PR(110)의 부피가 상기 몰드(120)에 형성된 패턴의 음각 부분의 부피보다 적을 경우, 상기 기재(100)와 상기 몰드(120)의 접촉 시, 상기 PR(110)은 상기 기재(100) 상에 균일하게 도포된 형태에서 상기 몰드(120)에 형성된 패턴의 음각 부분 내에 형성되는 형태로 바뀔 수 있다. 이렇듯 상기 PR(110)이 상기 몰드(120)에 형성된 패턴의 음각 부분 내에 형성되는 형태로 만들기 위해서는 상기 몰드(120) 제작 시, 상기 몰드(120)에 형성된 패턴의 음각 부분을 넓히는 특수한 형태로 제작될 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 PR은 가열 또는 자외선 조사에 의해 경화되는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 일정시간 열을 가해 상기 PR을 경화하면, 도 2d와 같이 패턴이 형성되게 되며, 상기 기재(100) 상의 비패턴 영역에는 PR이 잔류되지 않기 때문에 별도의 식각 공정이 필요하지 않게 된다.The volume of the
이하, 본원의 실시예를 상세히 설명하도록 한다. 그러나 본원이 이에 제한되지 않을 수 있다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited thereto.
<< 실시예Example >>
패턴이 형성된 마스크에 실가드(sylgard) A와 실가드 B가 10 : 1 의 비율로 혼합된 액체 상태의 PDMS 를 상기 패턴 마스크 위에 도포한 후, 80℃ 오븐에서 약 1시간 동안 경화하였다. PDMS 가 경화되어 플렉서블한 고체 상태가 되면 상기 마스크와 분리시켜 몰드를 제작하였다.The patterned mask was coated with PDMS in a liquid state in which sylgard A and yarn guard B were mixed at a ratio of 10: 1 to the patterned mask, and then cured in an oven at 80 ° C for about 1 hour. When the PDMS is cured and becomes a flexible solid state, the mold is separated from the mask.
상기 몰드에 자기조립 단분자막 처리를 위해서 헥산 용액 50 mL에 PFS(perfluorodecyltrichlorosilane) 자기조립 단분자막 1 mL를 희석시켜 자기조립 단분자막 용액을 만들어주었다. 스핀 코팅 방법을 통해, 상기 자기조립 단분자막을 형성할 경우, 상기 자기조립 단분자막 용액을 떨어뜨린 뒤, 3,000 rpm으로 30초간 스핀 코팅하여 상기 몰드 상에 일정 두께로 상기 자기조립 단분자막을 형성하였다. 기상 증착법을 통해, 상기 자기조립 단분자막을 형성할 경우, 150℃로 예열한 진공 오븐에 몰드를 넣은 후, 진공이 유지된 상태에서 진공 오븐 안에 상기 자기조립 단분자막 용액을 주입해 상기 진공 오븐을 PFS 자기조립 단분자막 분위기로 만들어주었다. 약 1 시간이 경과되면, 상기 자기조립 단분자막이 상기 몰드에 충분히 도포되며, 온도를 상온으로 낮추고, 상압 상태로 만들어 상기 몰드에 상기 자기조립 단분자막을 형성하였다.The self-assembled monolayer solution was prepared by diluting 1 mL of perfluorodecyltrichlorosilane (PFS) self-assembled monolayer in 50 mL of hexane solution for self-assembled monolayer treatment. When the self-assembled monolayer film was formed through a spin coating method, the self-assembled monolayer film was dropped and then spin-coated at 3,000 rpm for 30 seconds to form the self-assembled monolayer film with a predetermined thickness on the mold. When the self-assembled monolayer film was formed by the vapor deposition method, the mold was placed in a vacuum oven preheated to 150 ° C, and then the self-assembled monolayer solution was injected into the vacuum oven while the vacuum was maintained, Assembled monolayer atmosphere. After about 1 hour, the self-assembled monolayer was sufficiently applied to the mold, the temperature was lowered to room temperature, and the self-assembled monolayer was formed in the mold.
한편, 하부 기재로서 Si 기재를 사용하였으며, 피라냐 용액(H2SO4 : H2O2 = 4 : 1)에 10분간 침지하여 상기 기재를 세척하여 준비하였다. 세척된 상기 기재 상에 PR로서 AZ electronic materials 사의 포지티브 PR인, AZ1512를 스핀 코팅법을 이용하여 2,000 rpm으로 60초간 도포하였다. On the other hand, a Si substrate was used as a lower substrate, and the substrate was dipped in a piranha solution (H 2 SO 4 : H 2 O 2 = 4: 1) for 10 minutes to prepare the substrate. On the cleaned substrate, AZ1512, a positive PR of AZ electronic materials, was applied by spin coating at 2,000 rpm for 60 seconds as a PR.
상기 PR이 도포된Si 기재와 상기 자기조립 단분자막 처리된 몰드를 접촉시켰다. 접촉된 상태에서 80℃에서 2분간 열을 가해 상기 PR을 경화시켰다. 이 때, 네가티브 PR을 사용할 경우, 자외선에 노광하여 추가 경화시킬 수 있다. The PR base coated Si substrate and the self-assembled monolayer treated mold were brought into contact with each other. The contact was cured at 80 DEG C for 2 minutes by heating. At this time, when negative PR is used, it can be further cured by exposure to ultraviolet rays.
상기 기재와 상기 몰드를 분리해 패턴을 형성하였다. The substrate and the mold were separated to form a pattern.
도 3a는 기존의 일반 몰드를 이용한 PR 전사법을 이용하여 형성된 PR 패턴이 형성된 기재 단면의 주사 전자 현미경 사진이며, 도 3b는 본원의 일 실시예에 따른 자기조립 단분자막 처리된 몰드를 이용한 PR 전사법을 이용하여 형성된 PR 패턴이 형성된 기재 단면의 주사 전자 현미경 사진이다.3A is a scanning electron microscope (SEM) image of a cross-section of a substrate formed with a PR pattern formed using a conventional general mold, FIG. 3B is a cross-sectional view of a PR transfer process using a self-assembled monolayer- Is a scanning electron microscope (SEM) image of a cross-section of a substrate having a PR pattern formed thereon.
도 3a에서와 같이, 기존의 일반 몰드를 이용한 패턴 형성 방법에서는 임프린팅으로 패턴이 형성된 부분의 기재에 약 200 nm 수준의 PR이 잔류하게 되었으나, 도 3b에서와 같이, 본원의 일 실시예에 따라 자기조립 단분자막 처리된 몰드를 이용하여 PR의 임프린팅 법과, 자기조립 단분자막과 기재 표면 간 미세 접촉 인쇄를 동시에 수행할 경우, PR의 잔류층 없이 기재 표면이 노출되는 것을 확인할 수 있었다.As shown in FIG. 3A, in the conventional pattern forming method using a general mold, a PR of about 200 nm is left on the substrate of the patterned portion by imprinting. However, as shown in FIG. 3B, It was confirmed that when the PR imprinting method and the micro-contact printing between the self-assembled monolayer film and the substrate surface were simultaneously performed using the self-assembled monolayer-processed mold, the substrate surface was exposed without the residual layer of PR.
이를 통해, 기재 상부에 형성된 잔류 PR로 인한 추가적인 식각(etching), 또는 회화(ashing) 공정을 수행하지 않아도 됨으로 인해서, 패턴 형성 공정의 단순화가 실현될 수 있다.
This makes it possible to simplify the pattern formation process by not performing additional etching or an ashing process due to the residual PR formed on the substrate.
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.It will be understood by those of ordinary skill in the art that the foregoing description of the embodiments is for illustrative purposes and that those skilled in the art can easily modify the invention without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.
100 : 기재
110 : 포토레지스트
120 : 몰드
130 : 자기조립 단분자막100: substrate
110: photoresist
120: mold
130: self-assembled monolayer
Claims (16)
패턴된 몰드에 자기조립 단분자막을 형성하는 단계;
상기 자기조립 단분자막이 형성된 몰드와 상기 포토레지스트가 도포된 기재를 가압하여 접촉하는 단계; 및,
상기 포토레지스트를 경화시키는 단계
를 포함하는, 패턴 형성 방법
Applying a photoresist to the substrate;
Forming a self-assembled monolayer on the patterned mold;
Pressing the mold with the self-assembled monolayer and the substrate coated with the photoresist; And
The step of curing the photoresist
≪ / RTI >
상기 기재는 실리콘 웨이퍼, 유리, 세라믹, 유리-세라믹, 금속, 금속 산화물, 폴리머, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 패턴 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate comprises a material selected from the group consisting of silicon wafers, glass, ceramics, glass-ceramics, metals, metal oxides, polymers, and combinations thereof.
상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트 또는 네가티브 포토레지스트를 포함하는 것인, 패턴 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the photoresist comprises a positive photoresist or a negative photoresist.
상기 포토레지스트는 가열 또는 자외선 조사에 의해 경화되는 것을 포함하는 것인, 패턴 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the photoresist is cured by heating or ultraviolet radiation.
상기 포토레지스트를 도포하는 단계는 스핀 코팅, 딥핑 코팅, 롤투롤 코팅, 플로우 코팅, 또는 스프레이 코팅법으로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 수행되는 것인, 패턴 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of applying the photoresist is carried out by a method selected from the group consisting of spin coating, dipping coating, roll to roll coating, flow coating, or spray coating.
상기 접촉은 포토레지스트 임프린팅법과 자기조립 단분자막과 상기 기재 간 표면 미세 접촉 인쇄법이 동시에 일어나는 것인, 패턴 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the contacting is effected simultaneously with a photoresist imprinting process, a self-assembled monolayer, and a surface micro-contact printing process between the substrates.
상기 기재에 도포된 포토레지스트의 부피는 상기 몰드에 형성된 패턴의 음각 부분의 부피 보다 적은 것인, 패턴 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the volume of the photoresist applied to the substrate is less than the volume of the recessed portion of the pattern formed in the mold.
상기 몰드는 고분자 몰드 또는 강성 기재에 플렉서블한 고분자 물질을 이용하여 코팅된 몰드를 포함하는 것인, 패턴 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the mold comprises a polymer mold or a mold coated with a rigid base material using a flexible polymeric material.
상기 고분자 몰드는 PDMS, 폴리우레탄, 폴리이미드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 패턴 형성 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the polymer mold comprises a material selected from the group consisting of PDMS, polyurethane, polyimide, and combinations thereof.
상기 몰드의 패턴은 그 단면이 다각형, 반구형, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는, 패턴 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the pattern of the mold comprises a cross-section selected from the group consisting of polygonal, hemispherical, and combinations thereof.
상기 몰드는 표면의 강도를 증가시키기 위한 표면처리를 추가 포함하는, 패턴 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the mold further comprises a surface treatment for increasing the strength of the surface.
상기 몰드는 그의 표면에 상기 자기조립 단분자막을 형성하기 전에 습윤성(wettabillity)을 증가시키기 위한 표면처리를 추가 포함하는, 패턴 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the mold further comprises a surface treatment on its surface to increase wettability before forming the self-assembled monolayer.
상기 표면처리는 자외선 조사 또는 상압 플라즈마 처리에 의해 수행되는 것인, 패턴 형성 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the surface treatment is performed by ultraviolet irradiation or an atmospheric plasma treatment.
상기 자기조립 단분자막을 형성하는 단계는 딥핑 코팅, 스핀 코팅, 롤투롤 코팅, 또는 기상 증착법으로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 수행되는 것인, 패턴 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the self-assembled monolayer is performed by a method selected from the group consisting of dipping coating, spin coating, roll-to-roll coating, or vapor deposition.
상기 자기조립 단분자막은 상기 기재에 도포되는 포토레지스트와 반대 성질의 말단기를 가지는 것인, 패턴 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the self-assembled monolayer has a terminal end opposite to the photoresist applied to the substrate.
상기 자기조립 단분자막은, APS[(3-aminopropyl)trimethoxysilane], MUA(11-mercaptoundecanoicacid), DET[(3-trimethoxysilylpropyl)diethylenetriamine], EDA[N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane], PFS(perfluorodecyltrichlorosilane), OTS(octadecyltrichlorosilane), OTMS(octadecyltrimethoxysilane), HDT(1-Hexadecanethiol), FDTS[(heptadecafluoro-1,1,2,2,-tetrahydrodecyl)trichlorosilane], FOTS(1H,1H,2H,2H-perfluorodecyltrichlorosilane-perfluorodecyltrichlorosilane), PFBT(pentafluorobenzenethiol), DDMS(dichlorodimethylsilane), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 패턴 형성 방법.16. The method of claim 15,
The self-assembled monolayer may be selected from the group consisting of APS [(3-aminopropyl) trimethoxysilane], MUA (11-mercaptoundecanoic acid), DET [(3-trimethoxysilylpropyl) diethylenetriamine], EDA [N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane] 1HTH, 2H, 2H-perfluorodecyltrichlorosilane), OTS (octadecyltrimethoxysilane), OTTS (octadecyltrimethoxysilane), HDT (1-hexadecanethiol), FDTS [(heptadecafluoro- 1,1,2,2 -tetrahydrodecyl) trichlorosilane], FOTS -perfluorodecyltrichlorosilane, PFBT (pentafluorobenzenethiol), DDMS (dichlorodimethylsilane), and combinations thereof.
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