KR20140107438A - Method of loading a flexible substrate and lithography apparatus - Google Patents

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Abstract

가요성 기판의 로딩 방법, 디바이스 제조 방법, 가요성 기판을 로딩하기 위한 장치, 및 리소그래피 장치. 일 실시예에 따르면, 가요성 기판을 노광 장치 내의 사용을 위해 지지체(42) 상에 로딩하는 방법으로서, 상기 지지체 상에 로딩되는 기판의 지역 및 아직 지지체 상에 로딩되지 않은 기판의 지역을 분리하는 경계선(45)이 로딩 공정 도중에 실질적으로 직선을 유지하는 방식으로 상기 기판을 기판 캐리어(40)로부터 상기 지지체로 점진적으로 전달하는 단계를 포함하는, 방법이 제공된다.A method of loading a flexible substrate, a device manufacturing method, an apparatus for loading a flexible substrate, and a lithographic apparatus. According to one embodiment, there is provided a method of loading a flexible substrate onto a support for use in an exposure apparatus, the method comprising: disposing an area of the substrate loaded on the support and an area of the substrate that is not yet loaded on the support Progressively transferring the substrate from the substrate carrier (40) to the support in such a way that the boundary line (45) remains substantially straight during the loading process.

Description

가요성 기판의 로딩 방법 및 리소그래피 장치{METHOD OF LOADING A FLEXIBLE SUBSTRATE AND LITHOGRAPHY APPARATUS}[0001] METHOD OF LOADING A FLEXIBLE SUBSTRATE AND LITHOGRAPHY APPARATUS [0002]

관련 출원들에의 상호-참조Cross-reference to related applications

본 출원은 2012 년 1 월 17 일 출원된 미국 가특허 출원 번호 61/587,372 호에 대한 우선권을 주장하며, 상기 특허 출원은 그 전체 내용이 본 명세서에 원용되어 있다.This application claims priority to U.S. Provisional Patent Application No. 61 / 587,372, filed January 17, 2012, the entire contents of which are incorporated herein by reference.

분야Field

본 발명은 가요성 기판의 로딩 방법, 디바이스 제조 방법, 가요성 기판을 로딩하기 위한 장치, 및 리소그래피 또는 노광 장치에 관련된다.The present invention relates to a flexible substrate loading method, a device manufacturing method, an apparatus for loading a flexible substrate, and a lithography or exposure apparatus.

리소그래피 또는 노광 장치는 원하는 패턴을 기판 또는 기판의 부분 상에 적용하는 기계이다. 이 장치는, 예를 들어 집적 회로(ICs), 평판 패널 디스플레이 및 미세 피처를 가지는 다른 디바이스 또는 구조체의 제조에 사용될 수 있다. 기존의 리소그래피 또는 노광 장치에서는, 마스크 또는 레티클로 지칭될 수 있는 패터닝 디바이스가 IC, 평판 패널 디스플레이, 또는 다른 디바이스의 개별 층에 대응하는 회로 패턴을 생성하기 위해 이용될 수 있다. 이 패턴은 예컨대 기판 상에 제공된 방사선 감응성 재료(레지스트)의 층 상에의 이미징을 통해 기판(예컨대 실리콘 웨이퍼 또는 유리 플레이트)(또는 기판의 일부분)에 전달될 수 있다. 유사한 관점에서, 노광 장치는 원하는 패턴을 기판(또는 그 일부) 상에 또는 내에 형성하는 데에 방사선 빔을 사용하는 기계이다.A lithographic or exposure apparatus is a machine that applies a desired pattern onto a substrate or a portion of a substrate. This device may be used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs), flat panel displays and other devices or structures having fine features. In conventional lithography or exposure apparatus, a patterning device, which may be referred to as a mask or a reticle, may be used to generate a circuit pattern corresponding to an individual layer of an IC, a flat panel display, or other device. This pattern can be transferred to a substrate (e.g., a silicon wafer or a glass plate) (or a portion of a substrate) through imaging onto a layer of radiation sensitive material (resist) provided on the substrate. In a similar perspective, an exposure apparatus is a machine that uses a beam of radiation to form a desired pattern on or in a substrate (or portion thereof).

회로 패턴 대신에, 패터닝 디바이스는 다른 패턴, 예를 들어 컬러 필터 패턴, 또는 도트의 매트릭스를 생성하는데 사용될 수 있다. 기존 마스크 대신에, 패터닝 디바이스는 회로 또는 다른 도포가능한 패턴을 생성하는 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이를 포함하는 패터닝 어레이를 포함할 수 있다. 기존 마스크 기반 시스템에 비하여 이러한 "마스크 없는" 시스템의 장점은, 패턴이 보다 신속하고 적은 비용으로 제공 및/또는 변화될 수 있다는 점이다.Instead of a circuit pattern, the patterning device can be used to create another pattern, for example a color filter pattern, or a matrix of dots. Instead of an existing mask, the patterning device may include a patterning array that includes an array of individually controllable elements to create a circuit or other coatable pattern. An advantage of this "maskless" system over conventional mask based systems is that patterns can be provided and / or changed more quickly and at less cost.

따라서, 마스크 없는 시스템은 프로그램가능 패터닝 디바이스(예를 들어, 공간 광 변조기, 콘트라스트 디바이스 등)를 포함한다. 이러한 프로그램가능 패터닝 디바이스는, 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이를 이용하여 요구되는 패터닝된 빔을 형성하도록 프로그램(예를 들어, 전자적으로 또는 광학적으로)된다. 프로그램가능한 패터닝 디바이스의 유형은, 마이크로 미러 어레이, 액정 디스플레이(LCD) 어레이, 격자 광 밸브 어레이, 자기 발광 콘트라스트 디바이스의 어레이, 셔터 요소/매트릭스 등을 포함한다. 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 또한, 예를 들어 기판 상에 투영된 방사선의 스팟을 이동시키거나 또는 간헐적으로 방사선 빔을 기판으로부터, 예를 들어 방사선 빔 흡수체로 디렉팅하도록 구성되는 전기 광학 편향기로부터 형성될 수 있다. 이러한 배치구성 모두에서, 방사선 빔은 연속적일 수도 있다.Thus, a maskless system includes a programmable patterning device (e.g., a spatial light modulator, a contrast device, etc.). Such a programmable patterning device is programmed (e.g., electronically or optically) to form the desired patterned beam using an array of individually controllable elements. Types of programmable patterning devices include micro mirror arrays, liquid crystal display (LCD) arrays, grating light valve arrays, arrays of self-emitting contrast devices, shutter elements / matrices, and the like. The programmable patterning device may also be formed from an electro-optic deflector configured to move a spot of the projected radiation onto the substrate, or to direct the radiation beam intermittently from the substrate, for example, to a radiation beam absorber have. In both such configurations, the radiation beam may be continuous.

가요성 재료(예를 들어 플라스틱)로 제조된 기판이 어떤 애플리케이션에 대하여 적합하고 및/또는 흔히 균등한 단단한 기판(예를 들어 유리)보다 더 저렴하다. 예를 들어, 폴리아미드 또는 폴리카보네이트 기판이 사용될 수도 있다. 단단한 기판을 로딩하기 위하여 개발된 방법은 가요성 기판 내에서 바람직하지 않은 부하(스트레스)를 야기할 수도 있다. 이러한 스트레스는 기판이 변형된 상태로 로딩되도록 야기할 수도 있다. 예를 들어, 기판은 기판의 평면 내에서 변형될 수도 있다. 변형은 뒤틀림 및/또는 오버레이 오류를 야기할 수도 있다.Substrates fabricated from flexible materials (e.g., plastic) are suitable for certain applications and / or are often less expensive than evenly rigid substrates (e.g., glass). For example, a polyamide or polycarbonate substrate may be used. The method developed for loading rigid substrates may cause undesirable loads (stresses) in the flexible substrate. Such stress may cause the substrate to be loaded in a deformed state. For example, the substrate may be deformed in the plane of the substrate. The deformation may cause distortion and / or overlay errors.

예를 들어, 가요성 기판이 신뢰성있게 그리고 과도한 뒤틀림 또는 오버레이 오류를 야기하지 않으면서 로딩되게 하는 장치 및 방법을 제공하는 것이 바람직하다.For example, it would be desirable to provide an apparatus and method for causing a flexible substrate to be loaded reliably and without causing excessive distortion or overlay errors.

일 실시예에 따르면, 가요성 기판을 노광 장치 내의 사용을 위해 지지체 상에 로딩하는 방법으로서, 상기 지지체 상에 로딩되는 기판의 지역 및 아직 지지체 상에 로딩되지 않은 기판의 지역을 분리하는 경계선이 로딩 공정 도중에 실질적으로 직선을 유지하는 방식으로 상기 기판을 기판 캐리어로부터 상기 지지체로 점진적으로 전달하는 단계를 포함하는, 방법이 제공된다.According to one embodiment, there is provided a method of loading a flexible substrate onto a support for use in an exposure apparatus, the method comprising: loading a region of the substrate loaded on the support and a boundary separating a region of the substrate that has not yet been loaded onto the support, And progressively transferring the substrate from the substrate carrier to the support in a manner that maintains a substantially straight line during the process.

일 실시예에 따르면, 가요성 기판을 로딩하는 장치로서, 노광 장치에 의한 상기 기판의 조사 도중에 상기 기판을 홀딩하기 위한 지지체; 및 기판 캐리어를 포함하고, 상기 장치는 상기 캐리어 상에 탑재되는 기판을, 상기 지지체 상에 로딩되는 기판의 지역 및 아직 지지체 상에 로딩되지 않은 기판의 지역을 분리하는 경계선이 로딩 공정 도중에 실질적으로 직선을 유지하는 방식으로 상기 지지체로 전달하도록 구성되는, 장치가 제공된다.According to one embodiment, there is provided an apparatus for loading a flexible substrate, comprising: a support for holding the substrate during irradiation of the substrate by an exposure apparatus; And a substrate carrier, the apparatus comprising: a substrate, the substrate being mounted on the carrier, wherein a boundary separating an area of the substrate loaded on the support and an area of the substrate that is not yet loaded on the support is substantially straight To the support in such a manner as to maintain the support.

본 발명의 실시예가 오직 예시를 통하여, 대응하는 참조 심벌들이 대응하는 부분을 표시하는 첨부된 개략도를 참조하여 이제 설명될 것이다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 부분을 묘사한다;
도 2 는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1 의 리소그래피 장치의 부분의 평면도를 묘사한다;
도 3 은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부에 대한 고도로 개략적인 사시도를 묘사한다;
도 4 는 본 발명의 일 실시예에 따르는, 도 3 에 따른 리소그래피 장치에 의한 기판 상으로의 투영에 대한 개략적인 평면도를 묘사한다;
도 5 는 본 발명의 일 실시예의 부분을 단면도에서 묘사한다;
도 6 은 대항 가스 베어링의 쌍 및 하나 이상의 가스 베어링 출구를 가지는 전달 요소를 포함하는, 가요성 기판을 로딩하기 위한 장치의 요소들을 묘사한다;
도 7 은 대항 가스 베어링의 쌍 및 하나 이상의 가스 베어링 출구를 가지는 전달 요소를 포함하는, 가요성 기판을 로딩하기 위한 장치의 요소들을 묘사한다;
도 8 은 전달 요소들 중 두 개가 있으며 기판이 이들 사이를 통과하도록 구성되는 것을 제외하고, 도 6 에 도시되는 유형의 배치구성을 묘사한다;
도 9 는 진공 클램프를 사용하여 중력에 다행해 기판을 홀딩하는 기판 캐리어를 제외하고, 도 8 에서 도시되는 유형의 배치구성을 묘사한다;
도 10 은 전달 요소들에게 지지체 표면보다 높은 상이한 높이가 제공되어 캐리어 및 지지체 사이에서 기판의 프로파일을 변경하는 것을 제외하고, 도 8 에서 도시되는 유형의 배치구성을 묘사한다;
도 11 은 두 개의 전달 요소가 도 6 에 도시된 유형이 아니라 도 7 에서 도시되는 유형인 것을 제외하고, 도 10 에서 도시되는 유형의 배치구성을 묘사한다;
도 12 는 기판을 지지체 상으로 자유롭게 롤링하는 방법을 묘사한다;
도 13 은 기판이 점진적으로 지지체 상으로 낙하하도록 하기 위하여 캐리어 상의 진공 클램프 입구들이 점진적으로 스위치 오프되는 배치구성을 묘사한다;
도 14 는 기판이 지지체의 표면 위에서 가스 베어링에 의하여 최초에 홀딩되고 지지체 상의 가스 베어링 및/또는 활성화 진공 클램프 입구를 점진적으로 스위치 오프함으로써 지지체 상에 점진적으로 떨어지도록 허용되는 배치구성을 묘사한다;
도 15 는 지지 부재가 컨베이어 시스템을 사용하여 연속 경로 주위에서 구동되며, 기판이 평면형 형태로 제공되는 배치구성을 묘사한다;
도 16 은 지지 부재가 스핀들로부터 풀려지며, 기판이 평면형 형태로 제공되는 배치구성을 묘사한다; 그리고
도 17 은 진공 클램핑을 지지 부재 레일 위에서 이동하는 지지 부재 내에 구현하기 위한 장치를 가지는 지지 부재를 도시하는, 기판의 이동 방향을 따라 관찰할 때의 도 15 또는 도 16 의 배치구성을 묘사한다.
Embodiments of the present invention will now be described, by way of example only, with reference to the accompanying schematic drawings in which corresponding reference symbols indicate corresponding parts.
Figure 1 depicts a portion of a lithographic apparatus according to one embodiment of the present invention;
Figure 2 depicts a top view of a portion of the lithographic apparatus of Figure 1 according to one embodiment of the present invention;
Figure 3 depicts a highly schematic perspective view of a portion of a lithographic apparatus according to one embodiment of the present invention;
Figure 4 depicts a schematic plan view of the projection onto a substrate by the lithographic apparatus according to Figure 3, in accordance with an embodiment of the invention;
Figure 5 depicts in cross-section a portion of one embodiment of the present invention;
Figure 6 depicts elements of an apparatus for loading a flexible substrate, including a pair of counter-gas bearings and a transfer element having one or more gas bearing outlets;
Figure 7 depicts elements of an apparatus for loading a flexible substrate, including a pair of counter-gas bearings and a transfer element having one or more gas bearing outlets;
Figure 8 depicts a configuration of the type shown in Figure 6 except that there are two of the transfer elements and the substrate is configured to pass between them;
Figure 9 depicts a configuration of the type shown in Figure 8, except for the substrate carrier that holds the substrate in favor of gravity using a vacuum clamp;
Figure 10 depicts a configuration of the type shown in Figure 8, except that the transfer elements are provided with different heights higher than the support surface to change the profile of the substrate between the carrier and the support;
Figure 11 depicts a deployment configuration of the type shown in Figure 10, except that the two transfer elements are of the type shown in Figure 7 and not the type shown in Figure 6;
Figure 12 depicts a method of freely rolling a substrate onto a support;
Figure 13 depicts a configuration in which the vacuum clamp inlets on the carrier are progressively switched off so that the substrate gradually falls onto the support;
Figure 14 depicts a configuration in which the substrate is initially held by a gas bearing on the surface of the support and is allowed to gradually fall on the support by progressively switching off the gas bearing and / or the activated vacuum clamp inlet on the support;
Figure 15 depicts a configuration in which the support member is driven around a continuous path using a conveyor system and the substrate is provided in a planar form;
Figure 16 depicts a configuration in which the support member is unwound from the spindle and the substrate is provided in a planar form; And
Figure 17 depicts the arrangement of Figure 15 or Figure 16 when viewing along the direction of movement of the substrate, showing a support member having a device for implementing the vacuum clamping in a support member moving over the support member rails.

본 발명의 일 실시예는 예를 들어 자기-발광 콘트라스트 디바이스의 어레이 또는 어레이들로 구성될 수도 있는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 포함할 수도 있는 장치에 관한 것이다. 이러한 장치에 관련된 다른 정보는 PCT 특허 출원 공개 번호 제 WO 2010/032224 A2 호, 미국 특허 출원 공개 번호 제 US 2011-0188016 호, 미국 특허 출원 번호 제 US 61/473636 호 및 미국 특허 출원 번호 제 61/524190 호에서 발견될 수도 있는데, 이들은 그 전체로서 원용에 의하여 본 명세서에 통합된다. 그러나, 본 발명의 일 실시예는, 예를 들어 위에 논의된 것들을 포함하는 임의의 형태의 프로그램가능한 패터닝 디바이스와 함께 사용될 수도 있다.One embodiment of the present invention is directed to an apparatus that may include a programmable patterning device, which may, for example, be comprised of an array or arrays of self-emitting contrast devices. Other information relating to such devices is disclosed in PCT Patent Application Publication No. WO 2010/032224 A2, U.S. Patent Application Publication No. US 2011-0188016, U.S. Patent Application No. US 61/473636, and U.S. Patent Application No. 61 / 524190, which are hereby incorporated by reference in their entirety. However, one embodiment of the present invention may be used with any type of programmable patterning device, including, for example, those discussed above.

도 1 은 리소그래피 또는 노광 장치의 부분의 개략적인 측단면도를 개략적으로 묘사한다. 이러한 실시예에서, 이 장치는 아래에서 더 상세히 논의되는, X-Y 평면에서 실질적으로 고정된 개별적으로 제어가능한 요소를 가지는데, 반드시 그래야 하는 것은 아니다. 이 장치(1)는 기판을 홀딩하기 위한 기판 테이블(2), 및 기판 테이블(2)을 6 까지의 자유도로 이동시키기 위한 위치 설정기(3)를 포함한다. 기판은 레지스트코팅된 기판일 수 있다. 일 실시예에서, 기판은 웨이퍼이다. 일 실시예에서, 기판은 다각형(예를 들어 사각형) 기판이다. 일 실시예에서, 기판은 유리 플레이트이다. 일 실시예에서, 기판은 플라스틱 기판이다. 일 실시예에서, 기판은 호일이다. 일 실시예에서, 장치는 롤-투-롤 제조에 적합하다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 schematically depicts a schematic side cross-sectional view of a portion of a lithographic or exposure apparatus. In this embodiment, the device has, but is not necessarily, an individually controllable element that is substantially fixed in the X-Y plane, discussed in more detail below. The apparatus 1 comprises a substrate table 2 for holding a substrate and a positioner 3 for moving the substrate table 2 up to 6 degrees of freedom. The substrate may be a resist coated substrate. In one embodiment, the substrate is a wafer. In one embodiment, the substrate is a polygonal (e.g., rectangular) substrate. In one embodiment, the substrate is a glass plate. In one embodiment, the substrate is a plastic substrate. In one embodiment, the substrate is a foil. In one embodiment, the apparatus is suitable for roll-to-roll manufacture.

이 장치(1)는 또한 복수의 빔을 방출하도록 구성되는 복수의 개별적으로 제어가능한 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)를 포함한다. 일 실시예에서, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 발광 다이오드(LED), 유기 LED(OLED), 폴리머 LED(PLED), 또는 레이저 다이오드(예컨대, 솔리드 스테이트 레이저 다이오드)와 같은 방사선 방출 다이오드이다. 일 실시예에서, 개별적으로 제어가능한 요소(4)의 각각은 청자색 레이저 다이오드(예를 들어, Sanyo 모델 번호 DL-3146-151)이다. 이러한 다이오드는 Sanyo, Nichia, Osram, 및 Nitride와 같은 회사에 의해 공급될 수 있다. 일 실시예에서, 다이오드는, 예를 들어 약 365 nm 또는 약 405 nm의 파장을 갖는 UV 방사선 빔을 방출한다. 일 실시예에서, 다이오드는 0.5 - 200 mW 범위에서 선택된 출력 파워를 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 레이저 다이오드(순수한(naked) 다이)의 크기는 100 내지 800 마이크로미터의 범위로부터 선택된다. 일 실시예에서, 레이저 다이오드는 0.5 - 5 마이크로미터2에서 선택된 발광 면적을 갖는다. 일 실시예에서, 레이저 다이오드는 5 - 44 도의 범위에서 선택된 발산각을 갖는다. 일 실시예에서, 다이오드는 약 6.4 x 108 W/(m2·sr)보다 크거나 동일한 전체 휘도를 제공하기 위한 구성(예컨대, 발광 면적, 발산각, 출력 파워 등)을 갖는다.The device 1 also includes a plurality of individually controllable self-emission contrast devices 4 configured to emit a plurality of beams. In one embodiment, the self-emitting contrast device 4 is a radiation emitting diode such as a light emitting diode (LED), an organic LED (OLED), a polymer LED (PLED), or a laser diode (e.g., a solid state laser diode). In one embodiment, each of the individually controllable elements 4 is a blue violet laser diode (e.g., Sanyo model number DL-3146-151). Such diodes can be supplied by companies such as Sanyo, Nichia, Osram, and Nitride. In one embodiment, the diode emits a UV radiation beam having a wavelength of, for example, about 365 nm or about 405 nm. In one embodiment, the diode may provide a selected output power in the 0.5 - 200 mW range. In one embodiment, the size of the laser diode (naked die) is selected from the range of 100 to 800 micrometers. In one embodiment, the laser diode has a light emission area selected from 0.5 to 5 micrometers 2 . In one embodiment, the laser diode has a selected divergence angle in the range of 5 - 44 degrees. In one embodiment, the diode has a configuration (e.g., light emitting area, divergence angle, output power, etc.) to provide a total luminance of greater than or equal to about 6.4 x 10 8 W / (m 2 .

자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 프레임(5) 상에 배치되고 Y-방향 및/또는 X-방향을 따라 연장할 수 있다. 하나의 프레임(5)만 도시되어 있지만, 이 장치는 도 2 에 도시된 바와 같이 복수의 프레임(5)을 가질 수도 있다. 더 나아가, 렌즈(12)가 프레임(5) 상에 배치된다. 프레임(5) 및 그에 따른 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)와 렌즈(12)는 X-Y 평면에서 실질적으로 정지 상태이다. 프레임(5), 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4) 및 렌즈(12)는 액추에이터(7)에 의해 Z-방향으로 이동될 수 있다. 이와 달리 또는 이에 추가하여, 렌즈(12)는 특정한 렌즈에 관련된 액추에이터에 의해 Z-방향으로 이동될 수 있다. 필요한 경우, 각각의 렌즈(12)에는 액추에이터가 제공될 수 있다.The self-emission contrast device 4 may be disposed on the frame 5 and extend along the Y-direction and / or the X-direction. Although only one frame 5 is shown, the apparatus may have a plurality of frames 5 as shown in Fig. Further, the lens 12 is disposed on the frame 5. [ The frame 5 and consequently the self-emission contrast device 4 and the lens 12 are substantially stationary in the X-Y plane. The frame 5, the self-emission contrast device 4 and the lens 12 can be moved in the Z-direction by the actuator 7. Alternatively or additionally, the lens 12 may be moved in the Z-direction by an actuator associated with a particular lens. If necessary, each lens 12 may be provided with an actuator.

자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 빔을 방출하도록 구성될 수 있으며, 투영 시스템(12, 14, 18)은 빔을 기판의 타겟부 상으로 투영하도록 구성될 수 있다. 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4) 및 투영 시스템은 광 컬럼을 형성한다. 리소그래피 장치(1)는 광 컬럼 또는 그 일부를 타겟에 대해 이동시키기 위한 액추에이터(11)(예컨대, 모터)를 포함할 수 있다. 필드 렌즈(14) 및 이미징 렌즈(18)가 위에 배치된 프레임(8)은 액추에이터로써 회전가능하게 될 수 있다. 필드 렌즈(14)와 이미징 렌즈(18)의 조합은 이동 가능한 광학장치(9)를 형성한다. 사용 시에, 프레임(8)은 자신의 축(10) 주위에서, 예를 들어 도 2 의 화살표에 의하여 표시된 방향으로 회전한다. 프레임(8)은 액추에이터(11), 예컨대 모터를 이용하여 축(10) 주위에서 회전된다. 또한, 프레임(8)은 이동 가능한 광학장치(9)가 기판 테이블(2)에 관하여 변위될 수 있도록 모터(7)에 의해 Z-방향으로 이동될 수 있다.The self-emitting contrast device 4 may be configured to emit a beam, and the projection system 12, 14, 18 may be configured to project the beam onto a target portion of the substrate. The self-emission contrast device 4 and the projection system form a light column. The lithographic apparatus 1 may include an actuator 11 (e.g., a motor) for moving the optical column or a portion thereof relative to the target. The frame 8 on which the field lens 14 and the imaging lens 18 are disposed can be made rotatable by an actuator. The combination of the field lens 14 and the imaging lens 18 forms a movable optical device 9. In use, the frame 8 rotates about its axis 10, for example in the direction indicated by the arrows in Fig. The frame 8 is rotated about the shaft 10 using an actuator 11, for example a motor. Further, the frame 8 can be moved in the Z-direction by the motor 7 so that the movable optical device 9 can be displaced with respect to the substrate table 2.

안에 개구부를 갖는 개구부 구조체(13)가 렌즈(12) 위에서 렌즈(12) 및 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4) 사이에 위치될 수 있다. 개구부 구조체(13)는 렌즈(12), 연관된 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4), 및/또는 인접한 렌즈(12)/자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 회절 효과를 제한할 수 있다.An aperture structure 13 having an opening in it may be positioned above the lens 12 and between the lens 12 and the self-emission contrast device 4. [ The aperture structure 13 can limit the diffraction effect of the lens 12, the associated self-emission contrast device 4, and / or the adjacent lens 12 / self-emission contrast device 4.

도시된 장치는 프레임(8)을 회전시키고 동시에 광 컬럼 아래의 기판 테이블(2) 상의 기판을 이동시킴으로써 사용될 수 있다. 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 렌즈(12, 14, 18)가 서로 실질적으로 정렬되면 이러한 렌즈를 통과하여 빔을 방출할 수 있다. 렌즈(14 및 18)를 이동시킴으로써, 기판 상의 빔의 이미지가 기판의 부분 상에서 스캔된다. 광 컬럼 아래의 기판 테이블(2) 상에서 기판을 동시에 이동시킴으로써, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 이미지에 노출되는 기판의 부분도 역시 이동한다. 컨트롤러의 제어 하에 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)를 고속으로 "온" 및 "오프"로 스위칭함으로써(예컨대, 이것이 "오프"일 때에는 출력이 없거나 임계치 아래의 출력을 갖고, 이것이 "온"일 때에는 임계치 위의 출력을 가짐), 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 세기를 제어함으로써, 그리고 기판의 속도를 제어함으로써, 요구된 패턴이 기판 상의 레지스트층 내에 이미징될 수 있다.The depicted apparatus can be used by rotating the frame 8 and simultaneously moving the substrate on the substrate table 2 below the light column. The self-emission contrast device 4 can emit a beam through such a lens when the lenses 12, 14, 18 are substantially aligned with each other. By moving the lenses 14 and 18, the image of the beam on the substrate is scanned over a portion of the substrate. By simultaneously moving the substrate on the substrate table 2 under the light column, the portion of the substrate exposed to the image of the self-emitting contrast device 4 also moves. By switching the self-emission contrast device 4 at high speed to "on" and "off" under the control of the controller (eg, when it is "off", it has no output or output below the threshold, By controlling the intensity of the self-emission contrast device 4, and by controlling the speed of the substrate, the desired pattern can be imaged in the resist layer on the substrate.

도 2 는 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)를 가지는 도 1 의 장치의 개략적 평면도를 묘사한다. 도 1 에 도시된 장치(1)와 마찬가지로, 이 장치(1)는 기판(17)을 홀딩하기 위한 기판 테이블(2), 기판 테이블(2)을 6 자유도로까지 이동시키기 위한 위치 설정기(3), 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)와 기판(17) 간의 정렬을 판정하고 그리고 기판(17)이 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 투영에 대하여 레벨(level) 상태인지 여부를 판정하기 위한 정렬/레벨 센서(19)를 포함한다. 묘사된 바와 같이, 기판(17)은 사각형 형상을 가지는데, 하지만 이에 추가하거나 이를 대체하여 원형의 기판이 처리될 수 있다.Figure 2 depicts a schematic plan view of the device of Figure 1 with a self-emitting contrast device 4. 1, the apparatus 1 includes a substrate table 2 for holding a substrate 17, a positioner 3 for moving the substrate table 2 to six degrees of freedom ) To determine the alignment between the self-emission contrast device 4 and the substrate 17 and to determine alignment / level for determining whether the substrate 17 is level with respect to the projection of the self- And a sensor 19. As depicted, the substrate 17 has a rectangular shape, but a circular substrate may be processed in addition to or in place of it.

자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 프레임(15) 상에 배치된다. 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 방사선 방출 다이오드, 예를 들어, 레이저 다이오드, 예컨대 청자색 레이저 다이오드이다. 도 2 에 도시된 바와 같이, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 X-Y 평면에서 연장하는 개별적으로 어레이(21)로 배치될 수 있다.The self-emission contrast device 4 is disposed on the frame 15. The self-emission contrast device 4 is a radiation emitting diode, for example a laser diode, for example a blue-violet laser diode. As shown in FIG. 2, the self-emission contrast devices 4 may be individually arranged in an array 21 extending in the X-Y plane.

일 실시예에서, 이러한 어레이(21)는 기다란 라인일 수 있다. 일 실시예에서, 어레이(21)는 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 단일 차원 어레이일 수 있다. 일 실시예에서, 어레이(21)는 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 이차원 어레이일 수 있다.In one embodiment, such an array 21 may be an elongated line. In one embodiment, the array 21 may be a single dimensional array of self-emitting contrast devices 4. In one embodiment, the array 21 may be a two-dimensional array of self-emitting contrast devices 4.

화살표에 표시된 방향으로 회전할 수 있는 회전하는 프레임(8)이 제공될 수 있다. 회전하는 프레임에는 각각의 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 이미지를 제공하기 위한 렌즈(14, 18)(도 1 에 도시함)가 제공될 수 있다. 장치에는 프레임(8) 및 렌즈(14, 18)를 포함하는 광 컬럼을 기판에 대하여 회전시키기 위한 액추에이터가 제공될 수 있다.A rotating frame 8 capable of rotating in a direction indicated by an arrow can be provided. The rotating frame may be provided with lenses 14 and 18 (shown in Fig. 1) for providing an image of each self-emission contrast device 4. The apparatus may be provided with an actuator for rotating a light column comprising the frame 8 and the lenses 14, 18 relative to the substrate.

도 3 은 그 둘레에 렌즈(14, 18)가 제공된 회전하는 프레임(8)의 매우 개략적인 사시도를 묘사한다. 복수의 빔, 이 예에서는 10 개의 빔이 렌즈 중 하나 상에 입사하고, 기판 테이블(2)에 의하여 홀딩되는 기판(17)의 타겟부 상에 투영된다. 일 실시예에서, 복수의 빔은 직선으로 배치된다. 회전 가능한 프레임은 액추에이터(미도시)를 사용하여 축(10) 주위에서 회전 가능하다. 회전 가능한 프레임(8)의 회전의 결과로서, 빔은 연속 렌즈(14, 18)(필드 렌즈(14) 및 이미징 렌즈(18) 상에 입사할 것이고, 각각의 연속 렌즈 상에 입사하면, 그에 의하여 편향되어 기판(17)의 표면의 부분을 따라 이동할 것인데, 이는 도 4 를 참조하여 더 상세하게 설명되는 바와 같다. 일 실시예에서, 각각의 빔은 개별적인 소스, 즉 자기 발광 콘트라스트 디바이스, 예를 들어 레이저 다이오드(도 3 에는 미도시)에 의하여 발생된다. 도 3 에서 묘사되는 구성에서, 빔들 사이의 거리를 감소시키기 위하여 세그먼트화된 미러(30)에 의하여 편향되고 함께 모아져서, 이를 통하여 많은 수의 빔이 동일한 렌즈를 통하여 투영되게 하고 아래에서 논의될 분해능 요구사항을 달성한다.Figure 3 depicts a very schematic perspective view of a rotating frame 8 provided with lenses 14,18 around it. A plurality of beams, in this example ten beams, are incident on one of the lenses and projected onto a target portion of the substrate 17, which is held by the substrate table 2. In one embodiment, the plurality of beams are arranged in a straight line. The rotatable frame is rotatable about an axis 10 using an actuator (not shown). As a result of the rotation of the rotatable frame 8, the beam will be incident on the continuous lenses 14, 18 (field lens 14 and imaging lens 18, and upon incident on each successive lens, Will be deflected and move along a portion of the surface of the substrate 17, as described in more detail with reference to Figure 4. In one embodiment, each beam is incident on a separate source, i.e., a self-emitting contrast device, (Not shown in FIG. 3). In the configuration depicted in FIG. 3, deflected and gathered together by a segmented mirror 30 to reduce the distance between the beams, Allowing the beam to be projected through the same lens and achieving the resolution requirements discussed below.

회전 가능한 프레임이 회전함에 따라, 빔은 연속하는 렌즈 상에 입사하고, 렌즈에 빔이 조사될 때마다 빔이 렌즈 표면 상에 입사하는 지점이 이동한다. 빔이 렌즈에의 빔의 입사 지점에 따라 상이하게(예컨대, 상이한 편향으로) 기판 상에 투영되므로, 빔(기판에 도달할 때의)은 후속 렌즈의 각각의 통과로 스캐닝 이동을 만들게 될 것이다. 이러한 원리는 도 4 를 참조하여 더 설명된다. 도 4 는 회전 가능한 프레임(8)의 부분의 매우 개략적인 상면도를 묘사한다. 빔의 제 1 세트는 B1 으로 표시되고, 빔의 제 2 세트는 B2 로 표시되며, 빔의 제 3 세트는 B3 으로 표시된다. 빔의 각 세트는 회전 가능한 프레임(8)의 각 렌즈 세트(14, 18)를 통해 투영된다. 회전 가능한 프레임(8)이 회전함에 따라, 빔(B1)은 스캐닝 이동 시에 기판(17) 상으로 투영되고, 이에 의해 영역(A14)을 스캐닝하게 된다. 유사하게, 빔(B2)은 영역(A24)을 스캐닝하고 빔(B3)은 영역(A34)을 스캐닝 한다. 대응하는 액추에이터에 의해 회전 가능한 프레임(8)이 회전되는 것과 동시에, 기판(17) 및 기판 테이블은 방향(D)으로 이동되고, 이러한 방향은 도 2 에 도시된 것처럼 X 축과 나란할 수 있으며, 따라서 영역(A14, A24, A34) 내의 빔의 스캐닝 방향에 실질적으로 수직하다. 제 2 액추에이터에 의한 방향(D)으로의 이동의 결과로서(예를 들면, 대응하는 기판 테이블 모터에 의한 기판 테이블의 이동), 회전 가능한 프레임(8)의 연속되는 렌즈에 의해 투영될 때의 빔의 연속되는 스캔은 서로 실질적으로 인접하도록 투영되고, 그 결과 빔(B1)의 각각의 연속되는 스캔에 대한 실질적으로 인접한 영역(A11, A12, A13, A14)(도 4 에 도시된 것처럼 영역(A11, A12, A13)은 이전에 스캐닝되고 영역(A14)은 현재 스캐닝되는 중), 빔(B2)에 대한 영역(A21, A22, A23 및 A24)(도 4 에 도시된 것처럼 영역(A21, A22, A23)은 이전에 스캐닝되고 영역(A24)은 현재 스캐닝되는 중), 및 빔(B3)에 대한 영역(A31, A32, A33 및 A34)(도 4 에 도시된 것처럼 영역(A31, A32, A33)은 이전에 스캐닝되고 영역(A34)은 현재 스캐닝되는 중)이 얻어진다. 이에 의해, 기판 표면의 영역(A1, A2 및 A3)은 회전 가능한 프레임(8)을 회전시키는 동안 방향(D)으로의 기판의 이동으로써 커버될 수 있다. 동일한 렌즈를 통해 다수의 빔이 투영되면, 렌즈의 각각의 통과에 대하여, 복수의 빔이 각 렌즈로 기판을 스캔하여, 연속되는 스캔 동안 방향(D)으로의 변위가 증가될 수 있기 때문에, 보다 짧은 시간프레임 내에(회전 가능한 프레임(8)과 동일한 회전 속도로) 전체 기판을 처리할 수 있게 된다. 달리 말하면, 주어진 처리 시간 동안, 회전 가능한 프레임의 회전 속도는 다수의 빔이 동일한 렌즈를 통해 기판 상으로 투영될 때 감소될 수 있고, 따라서 높은 회전 속도에 기인하는 회전 가능한 프레임의 변형, 마모, 진동, 난류 등과 같은 영향을 줄이는 것이 가능해진다. 일 실시예에서, 복수의 빔은 도 4 에 도시된 것처럼, 렌즈(14, 18)의 회전에 대한 접선에 대하여 일정 각도로 배열된다. 일 실시예에서, 복수의 빔은 각 빔이 인접하는 빔의 스캐닝 경로와 중첩되거나 인접하도록 배열된다.As the rotatable frame rotates, the beam is incident on successive lenses, and each time a beam is irradiated on the lens, the point at which the beam impinges on the lens surface moves. As the beam is projected onto the substrate differently (e.g., with different deflections) along the incident point of the beam to the lens, the beam (as it arrives at the substrate) will make a scanning movement with each pass of the subsequent lens. This principle is further explained with reference to Fig. Figure 4 depicts a very schematic top view of the portion of the rotatable frame 8. The first set of beams is denoted B1, the second set of beams denoted B2, and the third set of beams denoted B3. Each set of beams is projected through each set of lenses 14, 18 of the rotatable frame 8. As the rotatable frame 8 rotates, the beam B1 is projected onto the substrate 17 during the scanning movement, thereby scanning the area A14. Similarly, beam B2 scans region A24 and beam B3 scans region A34. The substrate 17 and the substrate table are moved in the direction D while the rotatable frame 8 is rotated by the corresponding actuator and this direction can be parallel to the X axis as shown in Figure 2, And is therefore substantially perpendicular to the scanning direction of the beam in the areas A14, A24, A34. As a result of the movement in the direction D by the second actuator (e.g. movement of the substrate table by the corresponding substrate table motor), the beam as projected by the successive lenses of the rotatable frame 8 A12, A13, and A14 for each successive scan of beam B1 (as shown in FIG. 4, as shown in FIG. 4), the successive scans of beam A11 are projected to be substantially adjacent to each other, A22, A23, and A24 (as shown in FIG. 4) for beams B2, A12, A13) are previously scanned and area A14 is currently being scanned. A32, A33, and A34 (areas A31, A32, and A33), as shown in FIG. 4, for beams B3 and A23) are scanned previously and area A24 is currently scanned. Is previously scanned and area A34 is currently being scanned) is obtained. Thereby, regions A1, A2 and A3 on the surface of the substrate can be covered by movement of the substrate in the direction D while rotating the rotatable frame 8. As multiple beams are projected through the same lens, for each pass through the lens, a plurality of beams scan the substrate with each lens, and the displacement in direction D during successive scans can be increased, The entire substrate can be processed within a short time frame (at the same rotational speed as the rotatable frame 8). In other words, during a given processing time, the rotational speed of the rotatable frame can be reduced when multiple beams are projected onto the substrate through the same lens, and thus the deformation, wear, vibration , Turbulence, and so on. In one embodiment, the plurality of beams are arranged at an angle to the tangent to the rotation of the lenses 14,18, as shown in Fig. In one embodiment, the plurality of beams are arranged such that each beam overlaps or adjoins the scanning path of the adjacent beam.

다수의 빔이 동일한 렌즈에 의해 한번에 투영되는 양상의 추가적인 효과는, 공차의 완화에서 찾을 수 있다. 렌즈의 공차에 기인하여(포지셔닝, 광학적 투영 등), 연속되는 영역(A11, A12, A13, A14)(및/또는 영역(A21, A22, A23, A24) 및/또는 영역(A31, A32, A33, A34)의 위치는 서로에 대하여 약간의 부정확한 포지셔닝을 보일 수 있다. 그러므로, 연속되는 영역(A11, A12, A13, A14) 사이에 약간의 중첩이 요구될 수 있다. 예를 들면, 하나의 빔 중 10%가 중첩되는 경우, 이에 의해 처리 속도는, 동일한 렌즈를 통해 한번에 하나의 빔이 통과하는 경우에 동일한 인자 10%만큼 감소할 것이다. 한번에 동일한 렌즈를 통하여 5개 이상의 빔이 투영되는 상황에서는, 5개 이상의 투영된 라인마다 동일한 10%의 중첩(유사하게도 상기 하나의 빔의 예를 참조)이 제공될 것이고, 따라서 전체 중첩을 대략적으로 5 이상의 인자를 2% 이하로 감소시켜, 전체 처리 속도에 대한 효과가 상당히 낮아질 것이다. 유사하게도, 적어도 10 개의 빔을 투영하게 되면, 대략 10 의 인자만큼 전체 중첩을 줄일 수 있다. 따라서, 기판의 처리 시간에 대한 공차의 영향은 동일한 렌즈에 의해 한번에 다수의 빔이 투영되는 특징에 의해 감소될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 보다 많은 중첩(따라서 보다 큰 공차 대역)이 허용될 수 있고, 이는 다수의 빔이 동일한 렌즈를 통해 한번에 투영되는 경우 처리에 대한 공차의 영향이 낮기 때문이다.An additional effect of the manner in which multiple beams are projected at once by the same lens can be found in the relaxation of the tolerances. A22, A23, A24 and / or regions A31, A32, A33 (and / or regions A11, A12, A13, A14) due to the tolerance of the lens (positioning, optical projection, , A34 may exhibit some inaccurate positioning with respect to each other. Therefore, some overlap may be required between successive areas A11, A12, A13, A14. If 10% of the beams overlap, then the throughput will decrease by the same factor of 10% when one beam passes through the same lens at a time. The situation in which more than 5 beams are projected through the same lens at a time , The same overlapping of 10% (see also the example of the one beam) will be provided for every 5 or more projected lines, so that the total overlap can be reduced to about 2% or less, The effect on speed will be significantly reduced. Similarly, projecting at least 10 beams can reduce the overall overlap by a factor of about 10. Thus, the effect of the tolerance on the processing time of the substrate is due to the fact that multiple beams are projected at one time by the same lens In addition, or alternatively, more superposition (and thus a larger tolerance band) may be tolerated, which is advantageous if the effect of tolerances on processing is low when multiple beams are projected through the same lens at one time Because.

한번에 동일한 렌즈를 통해 다수의 빔을 투영하는 것에 대한 대안으로서 또는 이에 부가하여, 인터레이싱(interlacing) 기술이 이용될 수 있지만, 이는 렌즈 사이에 비교적 더 엄격한 매칭을 요할 수 있다. 따라서, 렌즈 중 동일한 하나의 렌즈를 통해 한번에 기판 상으로 투영되는 적어도 2개의 빔은 상호 간격을 가지고, 리소그래피 또는 노광 장치는 빔의 다음 투영이 간격에 투영되도록 하기 위해 제 2 액추에이터를 동작시켜 광 컬럼에 대하여 기판을 이동시키도록 구성될 수 있다.As an alternative to or in addition to projecting multiple beams through the same lens at one time, an interlacing technique may be used, but this may require a relatively stricter matching between the lenses. Thus, at least two beams projected onto the substrate at one time through the same one lens of the lenses have mutual gaps, and the lithographic or exposure apparatus operates the second actuator to project the next projection of the beam onto the gap, To move the substrate relative to the substrate.

방향(D)으로 그룹 내의 연속되는 빔들 사이의 거리를 줄이기 위해서(이에 의해, 방향(D)으로 더 높은 분해능을 달성하기 위해서), 빔은 방향(D)에 대하여, 서로에 대해 사선으로 배열될 수 있다. 간격은 광 경로 상에 세그먼트화된 미러(30)를 제공함으로써 더 감소될 수 있고, 각 세그먼트는 각각의 빔을 반사시키며, 이러한 세그먼트는 미러 상에 입사될 때의 빔들 사이의 간격에 비해 미러에 의해 반사될 때의 빔들 사이의 간격을 감소시키도록 구성된다. 이러한 효과는 또한 복수의 광섬유에 의해 달성될 수 있고, 각각의 빔은 각각의 광섬유 상에 입사되며, 이러한 광섬유는 광섬유의 상류에서의 빔들 사이의 간격에 비하여 상기 광섬유의 하류에서의 빔들 사이의 간격을 광 경로에 따라 줄이도록 구성된다.The beams are arranged diagonally with respect to each other with respect to direction D in order to reduce the distance between successive beams in the group in direction D (thereby achieving a higher resolution in direction D) . The spacing can be further reduced by providing segmented mirrors 30 on the optical path, and each segment reflects each beam, which segments are directed to the mirror relative to the spacing between the beams as they are incident on the mirror To reduce the spacing between the beams when they are reflected. This effect can also be achieved by means of a plurality of optical fibers, each beam incident on a respective optical fiber, the optical fiber having a spacing between the beams downstream of the optical fiber, as compared to the spacing between the beams upstream of the optical fiber To be reduced along the optical path.

더 나아가, 이러한 효과는 각각이 빔의 개별 하나를 수광하기 위한 복수의 입력을 가지는 집적된 광 도파관 회로를 사용하여 달성될 수 있다. 집적된 광 도파관 회로는, 광로를 따라, 집적된 광 도파관 회로의 상류에서의 빔 사이의 간격에 대하여, 집적된 광 도파관 회로의 하류에서의 빔 사이의 간격이 줄어들도록 구성된다.Furthermore, this effect can be achieved using an integrated optical waveguide circuit, each having a plurality of inputs for receiving an individual one of the beams. The integrated optical waveguide circuit is configured such that, along the optical path, the spacing between the beams downstream of the integrated optical waveguide circuit is reduced relative to the spacing between the beams upstream of the integrated optical waveguide circuit.

기판에 투영되는 이미지의 포커스를 제어하는 시스템이 제공될 수 있다. 이러한 구성은, 위에서 논의된 바와 같은 구성에서 광학 컬럼 중 일부 또는 광학 컬럼 모두에 의해 투영되는 이미지의 포커스를 조정하도록 제공될 수 있다.A system for controlling the focus of an image projected on a substrate can be provided. This configuration can be provided to adjust the focus of the image projected by either a portion of the optical columns or both optical columns in a configuration as discussed above.

일 실시예에서 투영 시스템은 레이저 유도 재료 전달에 의하여 재료(예를 들어 금속)의 액적의 국지적 증착을 야기하기 위하여 적어도 하나의 방사선 빔을 그 위에 디바이스가 형성될 기판(17) 위의 재료층 상에 투영한다.In one embodiment, the projection system includes at least one beam of radiation onto a material layer (not shown) on the substrate 17 on which the device is to be formed to cause local deposition of droplets of material (e.g., metal) .

도 5 를 참조하면, 레이저 유도 재료 전달의 기계적 메커니즘이 묘사된다. 일 실시예에서, 방사선 빔(200)은 재료(202)의 플라즈마 브레이크다운 아래의 세기에서 실질적으로 투과성을 나타내는 재료(202)(예컨대, 글래스)를 통해 포커싱된다. 재료(202) 위에 있는 도너 재료층(204)(예컨대, 금속막)으로부터 형성된 기판 상에서 표면 열 흡수가 발생한다. 열 흡수는 도너 재료(204)의 용융을 야기한다. 또한, 발열은 전방 방향으로의 유도 압력 구배를 야기하여, 도너 재료층(204)으로부터 및 그에 따라 도너 구조체(예컨대, 플레이트)(208)로부터의 도너 재료 액적(206)의 순방향 가속을 야기한다. 그러므로, 도너 재료 액적(206)은 도너 재료층(204)으로부터 해방되고, 기판(17)을 향하여 그 위에 디바이스가 형성될 기판 상으로 이동된다(중력의 도움으로 또는 중력의 도움 없이). 빔(200)을 도너 플레이트(208) 상의 적정 위치에 포인팅함으로써, 도너 재료 패턴이 기판(17) 상에 증착될 수 있다. 일 실시예에서, 빔은 도너 재료층(204) 상에 포커싱된다.Referring to Figure 5, a mechanical mechanism of laser induced material transfer is depicted. In one embodiment, the radiation beam 200 is focused through a material 202 (e.g., glass) that is substantially transmissive at an intensity below the plasma breakdown of the material 202. Surface heat absorption occurs on the substrate formed from the donor material layer 204 (e.g., a metal film) over the material 202. Heat absorption causes melting of the donor material 204. In addition, exothermic heat causes an induced pressure gradient in the forward direction, causing forward acceleration of the donor material droplet 206 from the donor material layer 204 and hence from the donor structure (e.g., plate) 208. The donor material droplet 206 is therefore released from the donor material layer 204 and is transported toward the substrate 17 onto the substrate on which the device is to be formed (with the aid of gravity or without the aid of gravity). By pointing the beam 200 at an appropriate position on the donor plate 208, a donor material pattern can be deposited on the substrate 17. [ In one embodiment, the beam is focused on the donor material layer 204.

일 실시예에서, 도너 재료의 전달을 야기하기 위해 하나 이상의 짧은 펄스가 이용된다. 일 실시예에서, 펄스는 준 일차원 전방 가열(quasi one dimensional forward heat) 및 용융된 재료의 물질 이동(mass transfer)을 획득하기 위해 수 피코초(㎰) 또는 펨토초의 길이로 될 수 있다. 이러한 짧은 펄스는 재료층(204)에서의 측방향의 열 흐름을 거의 없거나 전혀 없게 하고, 그러므로 도너 구조체(208) 상에 열부하를 거의 없게 하거나 전혀 없게 한다. 짧은 펄스는 재료의 급속한 용융 및 전방 가속을 가능하게 한다(예컨대, 금속과 같은 기화된 재료가 자신의 전방 방위성을 상실하여 스플래터링 증착(splattering deposition)이 초래된다). 짧은 펄스는 가열 온도 바로 위이지만 기화 온도보다 낮은 온도로의 재료의 가열을 가능하게 한다. 예를 들어, 알루미늄에 대하여, 섭씨 약 900 내지 1000 도의 온도가 바람직하다.In one embodiment, one or more short pulses are used to cause the transfer of the donor material. In one embodiment, the pulse may be of a few picoseconds or femtoseconds to obtain quasi one dimensional forward heat and mass transfer of the molten material. These short pulses cause little or no lateral heat flow in the material layer 204, and thus cause little or no thermal load on the donor structure 208. Short pulses allow for rapid melting and forward acceleration of the material (e.g., vaporized material such as metal loses its forward visibility and results in splattering deposition). The short pulse allows the heating of the material to a temperature just above the heating temperature but below the vaporization temperature. For example, for aluminum, a temperature of about 900 to 1000 degrees Celsius is preferred.

일 실시예에서, 레이저 펄스의 사용을 통해, 일정한 양의 재료(예컨대, 금속)가 100-1000 nm 액적의 형태로 도너 구조체(208)로부터 기판(17)으로 전달된다. 일 실시예에서, 도너 재료는 금속을 포함하거나 근본적으로 금속으로 구성된다. 일 실시예에서, 이 금속은 알루미늄이다. 일 실시예에서, 금속층(204)은 막의 형태이다. 일 실시예에서, 막은 또 다른 몸체 또는 층에 부착된다. 전술한 바와 같이, 몸체 또는 층은 유리여도 된다.In one embodiment, through the use of laser pulses, a certain amount of material (e.g., metal) is transferred from the donor structure 208 to the substrate 17 in the form of droplets of 100-1000 nm. In one embodiment, the donor material comprises or essentially consists of a metal. In one embodiment, the metal is aluminum. In one embodiment, the metal layer 204 is in the form of a film. In one embodiment, the membrane is attached to another body or layer. As described above, the body or layer may be glass.

위에서 소개한 바와 같이, 로딩 시에 가요성 기판에 부여된 스트레스는 뒤틀림 및/또는 오버레이 오류를 야기할 수 있다.As introduced above, the stress imparted to the flexible substrate during loading can cause distortion and / or overlay errors.

일 실시예에서, 스트레스는 기판을 기판 캐리어로부터 기판 지지체로 점진적으로 전달함으로써 감소된다. 일 실시예에서, 전달은 지지체 상에 로딩되는 기판의 지역 및 지지체 상에 아직 로딩되지 않은 기판의 지역을 분리하는 경계선이 로딩 공정 도중에 실질적으로 직선을 유지하는 방식으로 수행된다. 실질적으로 직선형 경계선을 유지하는 것은, 기판이 무-스트레스 상태에서 로딩된다는 것을 보장하게 도우며, 따라서 뒤틀림 및/또는 오버레이 오류를 감소 또는 최소화한다. In one embodiment, the stress is reduced by progressively transferring the substrate from the substrate carrier to the substrate support. In one embodiment, the transfer is carried out in such a way that the boundaries separating the region of the substrate loaded on the support and the region of the substrate that has not yet been loaded on the support are maintained substantially straight during the loading process. Maintaining a substantially straight boundary line helps ensure that the substrate is loaded in a no-stress state, thus reducing or minimizing distortion and / or overlay errors.

일 실시예에서, 기판은 로딩 공정 도중에 만곡된다. 일 실시예에서, 곡률은 서로에 대해 그리고 경계선에 대해 실질적으로 평행한 축들에 상대적으로 정의되는 곡률의 반경 또는 곡률의 반경들의 관점에서 기술될 수 있다. 일 실시예에서, 기판이 로딩 공정의 끝에서 그 위에 로딩될 지지체 표면의 모든 부분은 로딩 공정 도중에 실질적으로 공평면을 유지한다. 도 6 내지 도 14 는 이러한 유형의 예시적인 실시예를 묘사한다.In one embodiment, the substrate is curved during the loading process. In one embodiment, the curvature can be described in terms of radii of curvature or curvature radii relative to each other and relative to axes that are substantially parallel to the boundary line. In one embodiment, all portions of the support surface onto which the substrate is to be loaded at the end of the loading process remain substantially coplanar during the loading process. Figures 6-14 depict illustrative embodiments of this type.

도 6 은 기판(38)이 기판 캐리어(40)로부터 지지체(42) 상으로 로딩되는 중인 배치구성을 묘사한다. 지지체(42) 상에 로딩된 기판의 부분(38)은 평면형이다(평평함). 기판(38)이 지지체(42)로부터 멀리 만곡하기 시작하는 라인(45)은 지지체(42) 상에 로딩된 기판(38)의 지역 및 아직 로딩되지 않은 기판(38)의 지역을 분리하는 경계선(45) 이다. 묘사된 바와 같은 실시예의 방위에서, 경계선(45)은 지면에 실질적으로 수직이다. 도시된 실시예에서, 기판(38)이 로딩될 대상이 되는 지지체 표면의 부분은 상부면(43)이다. 그러나, 이것은 선택적이다. 다른 실시예에서, 기판(38)이 로딩될 대상이 되는 지지체 표면의 일부는 상이한 방위를 가질 수도 있다. 일 실시예에서, 기판(38)이 접촉하게 될 수도 있는 대상인 지지체 표면의 모든 부분은 실질적으로 공평면이다. 6 depicts a configuration in which a substrate 38 is being loaded from a substrate carrier 40 onto a support 42. FIG. The portion 38 of the substrate loaded on the support 42 is planar (flat). The line 45 in which the substrate 38 begins to curve away from the support 42 is defined by the line 42 separating the region of the substrate 38 loaded on the support 42 and the region of the substrate 38 that has not yet been loaded 45). In the orientation of the embodiment as depicted, the boundary line 45 is substantially perpendicular to the ground. In the illustrated embodiment, the portion of the support surface on which the substrate 38 is to be loaded is the upper surface 43. However, this is optional. In other embodiments, a portion of the support surface onto which substrate 38 is to be loaded may have a different orientation. In one embodiment, all portions of the support surface that the substrate 38 may be in contact with are substantially coplanar.

일 실시예에서, 전달 요소(44)는 기판(38)을 기판 캐리어(40)로부터 분리시키기 위하여 제공된다. 일 실시예에서, 전달 요소(44) 상기 기판(38)이 그 위에 로딩될 지지체 표면(43)의 일부의 평면에 실질적으로 평행이고 그리고 경계선(45)의 방향에 실질적으로 수직인 방향(46)으로 이동하도록 구성된다. 일 실시예에서, 전달 요소(44)는 기판을 기판 캐리어(40)로부터 멀어지게 그리고 지지체(42) 상으로 강제로 이동시키기 위하여 이러한 이동 도중에 기판의 부분(38)과 결합하도록 구성된다(예를 들어 기판을 밀거나 및/또는 당기기 위하여).In one embodiment, the transfer element 44 is provided to separate the substrate 38 from the substrate carrier 40. The transfer element 44 is oriented in a direction 46 that is substantially parallel to the plane of a portion of the support surface 43 onto which the substrate 38 is to be loaded and is substantially perpendicular to the direction of the border 45. In one embodiment, . The transfer element 44 is configured to engage a portion 38 of the substrate during such movement to force the substrate away from the substrate carrier 40 and onto the support 42 To push and / or pull the substrate).

도 6 의 배치구성에서, 기판 캐리어(40)는 가스 베어링(52)(예를 들어, 에어 베어링)의 쌍을 포함한다. 가스 베어링(52) 각각은 가스의 흐름(50)을 가스 베어링(52) 사이의 공간으로 유도하기 위한 하나 이상의 가스 출구(48)를 포함한다. 가스의 흐름은 예컨대 가스 베어링(52) 사이의 갭에서 무접촉식 방식으로 기판(38)을 홀딩하기 위한 것이다. 일 실시예에서, 가스 베어링은 가스의 흐름이 가스 베어링 사이의 갭으로부터의 기판(38)의 이동의 방향에 대항하는 힘의 성분(54)을 제공하도록 구성된다. 가스의 흐름에 의하여 제공되는 힘(54)은 따라서 전달 공정 도중에 기판(38) 내에 장력을 유지하는 것을 돕는다. 장력을 유지하면 로딩 도중에 기판(38)의 형상을 유지하는 것을 도우며, 그리고/또는 버크링(buckling) 또는 다른 기대되지 않는/가변 거동을 방지한다. 일 실시예에서, 힘(54)의 성분은 가스 출구(48) 중 하나 이상을 힘(54)의 방향을 향해 틸팅함으로써 제공된다.In the arrangement of Figure 6, the substrate carrier 40 includes a pair of gas bearings 52 (e.g., air bearings). Each of the gas bearings 52 includes one or more gas outlets 48 for directing the flow of gas 50 into the space between the gas bearings 52. The flow of gas is for holding the substrate 38 in a contactless manner, for example, in a gap between the gas bearings 52. In one embodiment, the gas bearing is configured to provide a component 54 of force against the direction of movement of the substrate 38 from the gap between the gas bearings. The force 54 provided by the flow of gas thus helps to maintain tension in the substrate 38 during the transfer process. Maintaining the tension helps maintain the shape of the substrate 38 during loading and / or prevents buckling or other unexpected / variable behavior. In one embodiment, the components of the force 54 are provided by tilting at least one of the gas outlets 48 toward the direction of the force 54.

일 실시예에서, 전달 요소(44)는 가스 흐름(59)을 경계선에 평행하게 놓여있는 곡률의 축 주위에서 만곡되는 기판의 부분(38)에 대항하여 디렉팅하도록 구성되는 가스 베어링 부재를 포함한다. 도 6 은 이러한 실시예의 예를 묘사한다. 이러한 예에서, 가스 베어링 부재는 형상에 있어서 전달 요소(44)의 지역 내의 기판(38)의 기대되는 곡률을 따르는 외부면(57)을 가지는 하우징에 의하여 구현된다. 하나 이상의 가스 베어링 출구(58)가 가스(59)의 흐름을 기판(38) 및 하나 이상의의 외부면(57) 사이의 지역으로 디렉팅하기 위하여 제공된다. 이러한 실시예에서, 외부면(57)은, 외부면(57) 및 기판(38) 사이의 거리가 전달 요소(44)가 사용 중에 연결하는 대상인 기판의 대부분의 부분(38)에 대하여 거의 일정하도록 구성된다. 이러한 구성은 전달 요소(44)가 예를 들어, 가스 흐름의 최소로써 효율적 가스 베어링 성질을 설립하도록 돕는다. 일 실시예에서, 기판(38)은 전달 요소(44)가 사용 중에 연결하는 대상인 기판의 부분(38)의 거의 모두에 대한 곡률의 실질적으로 일정한 반경을 가진다. 이러한 실시예에서, 기판(38)을 대향하는 외부면(57)의 적어도 측면은 실질적으로 원통형일 수도 있다. 묘사된 예에서, 외부면(57)의 전체는 원통형이다. 다른 실시예에서, 상이한 기하학적 구조가 채택될 수도 있다. 일 실시예에서, 외부면(57)은 신장되고 신장의 축은 경계선(45)에 대하여 실질적으로 평행이 된다. 가스 흐름(59)은 이러한 예에서 방사상으로 외부로 디렉팅되는데, 하지만 다른 기하학적 구조도 가능하다.In one embodiment, the transfer element 44 includes a gas bearing member configured to direct the gas flow 59 against a portion 38 of the substrate that is curved about an axis of curvature that lies parallel to the boundary. Figure 6 depicts an example of such an embodiment. In this example, the gas bearing member is embodied by a housing having an outer surface 57 that follows the expected curvature of the substrate 38 in the region of the transfer element 44 in shape. One or more gas bearing outlets 58 are provided for directing the flow of gas 59 into the region between the substrate 38 and the at least one outer surface 57. In this embodiment, the outer surface 57 is such that the distance between the outer surface 57 and the substrate 38 is substantially constant relative to the majority of the portion 38 of the substrate to which the transfer element 44 is connected during use . This arrangement helps the transfer element 44 to establish efficient gas bearing properties, for example, as a minimum of gas flow. In one embodiment, the substrate 38 has a substantially constant radius of curvature for almost all of the portion 38 of the substrate to which the transfer element 44 is connected during use. In this embodiment, at least the side of the outer surface 57 opposite the substrate 38 may be substantially cylindrical. In the depicted example, the entirety of the outer surface 57 is cylindrical. In other embodiments, different geometries may be employed. In one embodiment, the outer surface 57 is elongated and the axis of the elongation is substantially parallel to the borderline 45. The gas stream 59 is directed radially outwardly in this example, but other geometries are also possible.

일 실시예에서, 전달 요소(44)는 로딩 공정 도중에 지지체(42) 상에 처음 로딩되는 기판의 부분(도 6 의 실시예에서는 리딩 에지(47))으로부터 멀어지게 이동하도록 구성된다. 이러한 방식에서, 지지체(42)에 의하여 기판(38)에 인가되는 그리핑 힘(gripping force)(예를 들어 진공 클램핑 시스템에 의함)은 바람직한 장력을 로딩 도중에 기판(38) 내에 제공할 수 있다(예를 들어 기판 캐리어의 가스 베어링 내의 가스 흐름에 의하여 제공되는 힘 성분(54)과 조합됨).In one embodiment, the transfer element 44 is configured to move away from the portion of the substrate that is initially loaded on the support 42 during the loading process (the leading edge 47 in the embodiment of FIG. 6). In this manner, a gripping force (e.g., by a vacuum clamping system) applied to the substrate 38 by the support 42 may provide the desired tension within the substrate 38 during loading For example, a force component 54 provided by a gas flow in the gas bearing of the substrate carrier.

일 실시예에서 지지체(42)는 진공 클램프를 포함한다. 도 6 의 일 실시예에서, 진공 클램프는 복수의 진공 클램프 입구(60)를 사용하여 구현된다. 입구(60)로의 가스 흐름(61)은 지지체 표면(43) 위의 입구(60)에 인접한 지역에서는 대기압보다 낮은 압력(즉, 부분적 진공)을 유지한다. 기판(38)이 입구(61) 위에 놓여지면, 기판(38)은 부분적인 진공에 의하여 지지체 표면(43)에 대항하여 홀딩된다.In one embodiment, the support 42 comprises a vacuum clamp. In one embodiment of FIG. 6, the vacuum clamp is implemented using a plurality of vacuum clamp inlets 60. The gas flow 61 to the inlet 60 maintains a pressure lower than atmospheric pressure (i.e., partial vacuum) in the region adjacent the inlet 60 above the support surface 43. Once the substrate 38 is placed over the inlet 61, the substrate 38 is held against the support surface 43 by a partial vacuum.

도 7 은 전달 요소(44)의 구성을 제외하고는 도 6 의 실시예와 동일한 실시예를 묘사한다. 도 6 의 전달 요소(44)와 반대로, 도 7 의 전달 요소(44)는 기판(38)으로부터 더 멀리 이격되며 기판(38)과 반드시 동일한 형상을 가져야 하는 것은 아닌 외부면을 가진다. 전달 요소(44) 및 기판(38) 사이의 가스의 흐름은 도 6 의 전달 요소(44)에서 기판(38) 및 하우징의 외부면(57) 사이의 가스의 흐름과 비교할 때 실질적으로 자유롭다(비구속적임). 이러한 유형의 실시예에서, 가스의 총 유속은 도 6 의 예에서 보다 더 높을 수도 있다. 일 실시예에서, 기판(38)의 형상은 오직 또는 주로(기판(38)의 구조적 성질 및 전달 요소(44)의 지지 성질의 조합에 의하거나 또는 전달 요소(44)의 지지 성질만으로 또는 주로 이것에 의한 것 대신에) 기판(38)의 구조적 성질에 의하여 유지된다. 이러한 실시예에서, 전달 요소(44)의 유일하거나 주된 기능은 기판(38)을 캐리어(40)로부터 전달하고 이것을 지지체(42) 상에 로딩하는 힘을 제공하는 것이다. 일 실시예에서, 전달 요소(44)는 가스(59)의 흐름을 제공하기 위한 단일 노즐을 포함한다. 일 실시예에서, 단일 노즐은 플레어(flared)이다. 일 실시예에서, 복수의 노즐들이 원하는 가스 흐름을 보장하게 돕기 위하여 제공된다.Fig. 7 depicts the same embodiment as the embodiment of Fig. 6, except for the construction of the transfer element 44. Fig. Contrary to the transfer element 44 of FIG. 6, the transfer element 44 of FIG. 7 has an outer surface that is further away from the substrate 38 and not necessarily the same shape as the substrate 38. The flow of gas between the transfer element 44 and the substrate 38 is substantially free as compared to the flow of gas between the substrate 38 and the outer surface 57 of the housing in the transfer element 44 of Figure 6 Non-binding). In this type of embodiment, the total flow rate of the gas may be higher than in the example of FIG. In one embodiment, the shape of the substrate 38 may be determined solely or principally by a combination of the structural properties of the substrate 38 and the support properties of the transfer elements 44, or only by the support properties of the transfer elements 44, (E. G., By the substrate 38). ≪ / RTI > In this embodiment, the unique or primary function of the transfer element 44 is to provide a force to transfer the substrate 38 from the carrier 40 and load it onto the support 42. In one embodiment, the transfer element 44 includes a single nozzle for providing a flow of gas 59. In one embodiment, the single nozzle is a flared. In one embodiment, a plurality of nozzles are provided to help ensure the desired gas flow.

전달 요소(44)의 특정 구성(예를 들어 외부면(57)의 형상, 출구/노즐의 배치구성, 가스 유속, 등)은 사용되는 중인 특정 기판(38)의 물리적 성질 및 이것이 로딩되어야 할 속도에 의존할 것이다.The particular configuration of the transfer element 44 (e.g., the shape of the outer surface 57, the configuration of the outlet / nozzle arrangement, the gas flow rate, etc.) will depend on the physical properties of the particular substrate 38 being used and the speed at which it should be loaded Lt; / RTI >

도 6 및 도 7 에 도시되는 유형의 실시예들에서, 기판(38)의 방위는 이것이 캐리어(40)로부터 지지체(42)로 전달될 때에는 반전된다. 묘사되는 방위에서, 캐리어(40) 내에서 상향으로 대향하는 기판(38)의 표면은 기판(38)이 로딩될 때에는 하향으로 대향한다. 일 실시예에서, 전달 요소(44)는 방위가 반전되지 않도록 구성된다. 일 실시예에서, 캐리어 내의 기판의 방위는 로딩될 때의 기판의 방위와 평행하지 않다.In the embodiments of the type shown in Figures 6 and 7, the orientation of the substrate 38 is reversed when it is transferred from the carrier 40 to the support 42. In the depicted orientation, the surface of the substrate 38 facing upward in the carrier 40 faces downward when the substrate 38 is loaded. In one embodiment, the transfer element 44 is configured such that the orientation is not reversed. In one embodiment, the orientation of the substrate in the carrier is not parallel to the orientation of the substrate when loaded.

기판이 반전되지 않는 구성의 일 예가 도 8 에서 도시된다. 여기에서, 전달 요소(44)는 제 1 가스 베어링 요소(44A) 및 제 2 가스 베어링 요소(44B)를 포함한다. 기판(38)은 두 개의 가스 베어링 요소 사이에서 통과한다. 일 실시예에서, 제 1 가스 베어링 부재(44A)는 가스 흐름을 경계선(45)에 실질적으로 평행하게 놓여 있는 곡률의 축 주위에서 제 1 방향으로 만곡되는 기판의 부분(38)에 대항하여 디렉팅하고, 제 2 가스 베어링 부재(44B)는 가스 흐름을 반대 방향으로 만곡되는 기판의 부분(38)에 대항하여 디렉팅한다. 따라서 가스 베어링 부재의 쌍은 기판(38)이 지지체에 자신의 방위를 반전시키지 않으면서 만곡된 방식으로 적용되도록 허용한다. 일 실시예에서, 기판이 제 1 가스 베어링 부재(44A)와 연결되는 동안 만곡하는 각도는 기판이 제 2 가스 베어링 부재(44B)와 연결되는 동안 만곡하는 각도와 같으며 반대이다(따라서 총 각도는 제로이다).An example of a configuration in which the substrate is not inverted is shown in Fig. Here, the transfer element 44 includes a first gas bearing element 44A and a second gas bearing element 44B. The substrate 38 passes between two gas bearing elements. In one embodiment, the first gas bearing member 44A directs gas flow against a portion 38 of the substrate that is curved in a first direction about an axis of curvature lying substantially parallel to the boundary line 45 , The second gas bearing member 44B directs the gas flow against the portion 38 of the substrate that is curved in the opposite direction. The pair of gas bearing members thus allow the substrate 38 to be applied in a curved manner without inverting its orientation to the support. In one embodiment, the angle of deflection while the substrate is connected to the first gas bearing member 44A is the same as the angle of deflection during the connection of the substrate to the second gas bearing member 44B, and vice versa Zero).

도 9 는 기판 캐리어(40)가 기판(38)을 가스 베어링(52)의 쌍 사이에서 지지하는 게 아니라 진공 클램프(56)를 사용하여 기판(38)을 홀딩하는 것을 제외하고는 도 8 의 그것과 동일한 예시적인 실시예를 묘사한다. 도시된 예에서, 진공 클램프(56)는 복수의 진공 클램프 입구(77)를 사용한다. 일 실시예에서, 진공 클램프 입구(77)는 도 6 을 참조하여 위에서 설명된 진공 클램프 입구(60)에 유사한 방식으로 동작한다.Figure 9 shows a top view of the substrate 38 in Figure 8 except that the substrate carrier 40 holds the substrate 38 using a vacuum clamp 56 rather than supporting the substrate 38 between pairs of gas bearings 52. [ And < / RTI > In the illustrated example, the vacuum clamp 56 uses a plurality of vacuum clamp inlets 77. In one embodiment, the vacuum clamp inlet 77 operates in a similar manner to the vacuum clamp inlet 60 described above with reference to FIG.

일 실시예에서, 가스 베어링 부재(44A, 44B)의 축들은 지지체 표면(43)으로부터 실질적으로 등간격이다. 도 8 및 도 9 는 이러한 유형의 실시예를 도시한다. 일 실시예에서, 가스 베어링 부재(44A, 44B)의 축들은 지지체 표면로부터 등간격이 아니다. 도 10 및 도 11 이 이러한 유형의 예시적인 실시예를 묘사한다. 도 10 의 실시예는 도 6 의 전달 요소(44)와 각각 동일한 유형인 가스 베어링 부재(44A, 44B)를 사용한다. 도 11 의 실시예는 각각 도 7 의 전달 요소(44)와 동일한 유형인 가스 베어링 부재(44A, 44B)를 사용한다. 양자의 실시예들에서, 기판(38)의 경로에서 더 일찍 나오는 가스 베어링 부재(44A)(즉 도시된 구성에서 캐리어(40)에 더 가까움)는 다른 가스 베어링 부재(44B)보다 더 높다. 가스 베어링 부재가 지지체 표면(43)으로부터 상이한 이격을 가지도록 구현하는 것은 캐리어(40)로부터 지지체 표면(43)까지의 기판(38) 경로의 형상을 제어하기 위한 유연성을 제공한다. 기판 경로에서 더 일찍 나오는 가스 베어링 부재(44A)가 지지체 표면(43)으로부터 더 큰 이격을 가지도록 구현하면, 캐리어(40)의 기판(42)으로부터의 분리를 용이화하게 하는데, 이것은 공간이 제한되는 곳 및/또는 다른 경우에 지지체 표면(43)의 지역으로의 구성 요소의 근접성을 최소화하는 것이 바람직한 경우에 편리할 수도 있다.In one embodiment, the axes of the gas bearing members 44A, 44B are substantially equally spaced from the support surface 43. Figures 8 and 9 illustrate this type of embodiment. In one embodiment, the axes of the gas bearing members 44A, 44B are not evenly spaced from the support surface. Figures 10 and 11 depict illustrative embodiments of this type. The embodiment of FIG. 10 uses gas bearing members 44A, 44B, each of the same type as the transmission element 44 of FIG. The embodiment of FIG. 11 uses gas bearing members 44A, 44B, each of the same type as the transmission element 44 of FIG. In both embodiments, the gas bearing member 44A (i.e., closer to the carrier 40 in the illustrated configuration) that is earlier in the path of the substrate 38 is higher than the other gas bearing member 44B. Implementing the gas bearing member to have a different spacing from the support surface 43 provides flexibility to control the shape of the substrate 38 path from the carrier 40 to the support surface 43. Implementing the gas bearing member 44A earlier in the substrate path to have greater spacing from the support surface 43 facilitates separation of the carrier 40 from the substrate 42, It may be convenient to minimize the proximity of the components to the area of the support surface 43 and / or in other cases.

도 8 내지 도 11 을 참조하여 위에서 설명된 실시예들 중 임의의 것에서, 가스 베어링 부재(44A, 44B) 중 어느 하나는 도 6 에 도시된 유형의 전달 부재(44) 또는 도 7 에 도시된 유형의 전달 부재(44)를 임의의 조합에서 사용함으로써 구현될 수도 있다.In any of the embodiments described above with reference to Figs. 8-11, any one of the gas bearing members 44A, 44B may be of the type 44 of the type shown in Fig. 6 or of the type shown in Fig. 7 May be implemented in any combination.

도 12 는 기판(38)을 지지체(42) 상에 로딩하기 위한 다른 접근법을 도시한다. 이러한 유형의 일 실시예에서, 기판(38)은 기판 캐리어에 의하여 만곡 상태에서 홀딩된다. 만곡 상태는 기판(38)이 기판의 길이의 전부 또는 일부를 따라 만곡되는 상태를 나타낸다. 일 실시예에서, 만곡 상태에서의 기판(38)의 곡률은 곡률의 하나 이상의 축에 상대적인 곡률의 하나 이상의 반경의 측면에서 기술되며, 곡률의 축들 각각은 서로 실질적으로 평행이다. 일 실시예에서, 캐리어는 만곡된 기판(38)을 기판이 자유롭게 방향(70)에서 지지체(42) 상의 평면형 로딩된 상태로 변형하는 방식으로 지지체(42) 상에 릴리스하도록 구성된다. 일 실시예에서, 변형은 지지체(42)와 처음 접촉하는 및/또는 지지체에 대항하여 처음 클램핑되는(클램핑 힘이 지지체에 의하여 인가되는 경우) 기판(38)의 포인트로부터 시작하여 점진적으로 발생한다. 일 실시예에서, 자유롭게 변형하는 기판의 부분(38)에 작용하는 유일한 외부 힘은 중력 및/또는 이미 지지체(42) 상에 로딩된 기판의 하나 이상의 부분(38)으로부터 전달되는 힘이다. 일 실시예에서, 만곡 상태는 롤링된 상태이고, 기판(38)의 곡률은 360 도보다 더 크게 진행한다. 이러한 실시예에서 자유롭게 변형하는 공정은 언롤링(unrolling)공정이라고 설명될 수도 있다. 자유롭게 변형하는 및/또는 언롤링하는 공정(로딩 공정) 도중에, 이미 지지체(42) 상에 로딩된 기판(38)의 지역(즉 이미 평면 상태에 있는 지역) 및 지지체 상에 아직 로딩되지 않은 기판의 지역을 분리하는 경계선(45)은 로딩 공정 도중에 실질적으로 직선형을 유지한다. 일 실시예에서, 자유롭게 변형하고 및/또는 언롤링하는 공정은 중력에 의하여 및/또는 기판 캐리어에 의하여 기판에 부여되는 선형 및/또는 각도 모멘텀에 의하여 구동된다.Figure 12 illustrates another approach for loading substrate 38 onto a support 42. In one embodiment of this type, the substrate 38 is held in a curved state by the substrate carrier. The curved state indicates that the substrate 38 is curved along all or a portion of the length of the substrate. In one embodiment, the curvature of the substrate 38 in the curved state is described in terms of one or more radii of curvature relative to one or more axes of curvature, each of the axes of curvature being substantially parallel to one another. In one embodiment, the carrier is configured to release the curved substrate 38 onto the support 42 in such a manner that the substrate is free to deform in a planar loaded state on the support 42 in the direction 70. In one embodiment, the deformation progressively occurs starting from the point of the substrate 38 for the first contact with the support 42 and / or the first clamping (when the clamping force is applied by the support) against the support. In one embodiment, the only external force acting on the portion 38 of the substrate that is free to deform is gravity and / or force transmitted from one or more portions 38 of the substrate already loaded on the support 42. In one embodiment, the curved state is in the rolled state, and the curvature of the substrate 38 progresses more than 360 degrees. In this embodiment, the process of deforming freely may be described as an unrolling process. During the process of freely deforming and / or unrolling (the loading process), the area of the substrate 38 already loaded on the support 42 (i.e. the area already in the planar state) and the substrate not yet loaded on the support The boundary line 45 separating the regions maintains a substantially straight line during the loading process. In one embodiment, the process of freeing and / or unrolling is driven by gravity and / or by linear and / or angular momentum imparted to the substrate by the substrate carrier.

도 13 은 기판(38)을 지지체(42) 상에 로딩하기 위한 다른 접근법을 도시한다. 이러한 유형의 일 실시예에서, 기판 캐리어(40)는 진공 클램프를 사용하여 기판(38)을 홀딩하도록 구성된다. 도시된 예에서, 진공 클램프는 복수의 진공 클램프 입구(62)를 사용하여 구현된다. 도시된 예에서 기판 캐리어(40)는 기판(38)을 평면형 표면에 대항하여 홀딩한다. 그러나, 일 실시예에서, 다른 표면 프로파일, 예를 들어 만곡된 지역을 포함하는 프로파일이 사용된다.13 illustrates another approach for loading substrate 38 onto support 42. As shown in FIG. In one embodiment of this type, the substrate carrier 40 is configured to hold the substrate 38 using a vacuum clamp. In the illustrated example, the vacuum clamp is implemented using a plurality of vacuum clamp inlets 62. In the illustrated example, the substrate carrier 40 holds the substrate 38 against a planar surface. However, in one embodiment, a profile is used that includes another surface profile, e.g., a curved region.

일 실시예에서, 캐리어(40)의 진공 클램프는 진공(및 따라서 클램핑 힘)이 로딩 공정 도중에 점진적으로 제거되도록 제어된다. 일 실시예에서, 클램핑의 점진적 제거는 두 개의 분리 지역: 클램프가 활성화되는 지역(64) 및 클램프가 활성화되지 않는(또는 중력에 대항하여 기판(38)을 홀딩하기에 충분히 활성화되지 않는) 지역(66)을 포함하는 캐리어(40)의 표면을 초래한다. 이러한 두 개의 지역을 분리하는 선은 기판(38)이 지지체(42) 상에 하락(70)하기 시작하는 지점에 근접하게 위치된다. 도시된 예에서, 지지체(42)에는 진공 클램프도 역시 제공된다. 일 실시예에서, 지지 진공 클램프는 복수의 진공 클램프 입구(68)를 사용하여 구현된다. 일 실시예에서, 진공 클램프 입구(68)도 역시 점진적으로 활성화될 수도 있다. 일 실시예에서, 진공 클램프 입구(68)의 점진적 활성화는 진공 클램프 입구(62)의 점진적 비활성화로써 조정된다. 로딩이 진행함에 따라, 지역(66)은 우측으로 팽창할 것이고, 지역(64)은 좌측으로부터 수축할 것이다.In one embodiment, the vacuum clamp of the carrier 40 is controlled such that the vacuum (and thus the clamping force) is gradually removed during the loading process. In one embodiment, the gradual removal of the clamping is accomplished by two separate regions: the region 64 where the clamp is activated and the region 64 where the clamp is not activated (or not activated enough to hold the substrate 38 against gravity) 66 on the surface of the carrier 40. The line separating these two regions is located close to the point where the substrate 38 begins to drop 70 (70) on the support 42. In the illustrated example, the support 42 is also provided with a vacuum clamp. In one embodiment, the supporting vacuum clamp is implemented using a plurality of vacuum clamp inlets 68. In one embodiment, the vacuum clamp inlet 68 may also be activated progressively. In one embodiment, the gradual activation of the vacuum clamp inlet 68 is adjusted by progressive deactivation of the vacuum clamp inlet 62. As loading progresses, area 66 will expand to the right and area 64 will shrink from the left.

도 14 는 기판(38)을 지지체(42) 상에 로딩하기 위한 다른 접근법을 도시한다. 이러한 유형의 일 실시예에서, 지지체(42)에는 복수의 가스 베어링 출구(72)가 제공된다. 가스 베어링 출구(72)는 기판을 지지체(42)로부터 멀어지게(즉 무접촉식 방식으로 기판으로부터 멀어지게) 홀딩하도록 구성된다. 일 실시예에서, 기판(38)의 모든 것들이 지지체(42)로부터 떨어지도록 홀딩되는 경우, 기판(38)은 측방향 방향으로 용이하게 변위될 수 있다. 따라서 지지체(42)는 기판(38) 모두가 지지체(42)로부터 이격되게 홀딩될 때에는 기판 캐리어로서 역할을 한다.14 illustrates another approach for loading substrate 38 onto support 42. As shown in FIG. In one embodiment of this type, the support 42 is provided with a plurality of gas bearing outlets 72. The gas bearing outlet 72 is configured to hold the substrate away from the support 42 (i.e., away from the substrate in a non-contact manner). In one embodiment, when all of the substrate 38 is held away from the support 42, the substrate 38 can be easily displaced in the lateral direction. Thus, the support 42 serves as a substrate carrier when both of the substrates 38 are held away from the support 42.

도 14 에서 도시되는 배치구성에서, 기판의 우측 부분(38)은 지지체(42)로부터 이격되어 홀딩되고, 기판의 좌측 부분(38)은 지지체(42)에 대항하여 로딩된다. 화살표(70)는 기판이 지지체(42) 상에 전달되는 곳인 천이 지역을 나타낸다. 일 실시예에서, 장치는 가스 베어링 출구(72)를 구동하는 것을 점진적으로 중단하여(즉 좌에서 우로) 기판(38)이 점진적으로 지지체(42) 상에 낙하하도록 구성된다. 일 실시예에서, 도 14 의 예에서 도시된 바와 같이, 지지체(42)에는 지지체(42)에 대항하여 기판(38)을 홀딩하기 위한 진공 클램프가 더 제공될 수도 있다. 일 실시예에서, 진공 클램프는 복수의 진공 클램프 입구(68)를 사용하여 구현된다. 일 실시예에서, 진공 클램프 입구(68)의 구동은 가스 베어링 출구(72)의 구동과 조정되어 기판(38)을 점진적으로 지지체(42) 상에 전달한다. 일 실시예에서, 진공 클램프 입구(68)는 인접한 가스 베어링 출구(72)가 스위치오프되는 동안 턴온된다. 도 14 에 도시된 구성에서, 예를 들어, 기판이 로딩되는(지지체(42)와 접촉함) 지역(76)에서, 진공 클램프 입구(68)는 가스 베어링 출구(72)가 턴오프되는 동안 턴온된다. 기판이 아직 로딩되지 않은 지역(74)에서(지지체(42)로부터 이격되어 홀딩됨), 진공 클램프 입구(68)는 가스 베어링 출구(72)가 턴온되는 동안 턴오프된다. 로딩이 진행함에 따라, 지역(76)은 우측으로 확장할 것이고 지역(74)은 좌측으로부터 수축할 것이다.14, the right portion 38 of the substrate is held away from the support 42, and the left portion 38 of the substrate is loaded against the support 42. As shown in Fig. The arrow 70 represents the transition region where the substrate is transferred onto the support 42. In one embodiment, the apparatus is configured to progressively stop driving the gas bearing outlet 72 (i.e., from left to right) to gradually drop the substrate 38 onto the support 42. In one embodiment, as shown in the example of FIG. 14, the support 42 may be further provided with a vacuum clamp for holding the substrate 38 against the support 42. In one embodiment, the vacuum clamp is implemented using a plurality of vacuum clamp inlets 68. In one embodiment, the drive of the vacuum clamp inlet 68 is coordinated with the drive of the gas bearing outlet 72 to progressively transfer the substrate 38 onto the support 42. In one embodiment, the vacuum clamp inlet 68 is turned on while the adjacent gas bearing outlet 72 is switched off. In the configuration shown in Figure 14, for example, in the region 76 where the substrate is loaded (in contact with the support 42), the vacuum clamp inlet 68 is turned on while the gas bearing outlet 72 is turned off do. The vacuum clamp inlet 68 is turned off while the gas bearing outlet 72 is turned on in the region 74 where the substrate has not yet been loaded (held away from the support 42). As loading progresses, area 76 will extend to the right and area 74 will shrink from the left.

도 6 내지 도 14 를 참조하여 위에서 논의된 실시예들에서, 직선형 경계선(45)이 만곡된 기판을 평면인 지지체 표면과 접촉시킴으로써 획득된다. 일 실시예에서, 직선형 경계선(45)은 곡률을 가지는 지지체 표면 또는 서로에 대하여 상대적으로 각도를 가질 수 있는 부분들(지지 부재)로 나누고 있는 지지 표면을 사용하여 획득된다. 일 실시예에서, 기판은 로딩 공정 도중에 실질적으로 전체적으로 평면으로 유지된다. 이러한 실시예의 일 예에서, 로딩 공정의 끝에서 기판이 그 위에 로딩될 지지체 표면의 일부 중 적어도 하나는, 로딩 공정의 적어도 일부 동안 로딩 공정의 끝에서 기판이 그 위에 로딩될 지지체 표면의 일부 중 적어도 하나의 다른 것과 공평면이 아니다.In the embodiments discussed above with reference to Figures 6-14, a straight line 45 is obtained by contacting the curved substrate with a planar support surface. In one embodiment, the straight boundary line 45 is obtained using a support surface that is divided into a support surface having a curvature or portions (support members) that can have an angle relative to each other. In one embodiment, the substrate remains substantially planar throughout during the loading process. In one example of this embodiment, at least one of the portions of the support surface onto which the substrate is to be loaded at the end of the loading process is at least part of the portion of the support surface onto which the substrate is to be loaded, It is not a co-plane with one other.

도 15 내지 도 17 은 지지체가 복수의 지지 부재(82)를 포함하는 예시적인 실시예를 도시한다. 지지 부재(82)는 지지 부재(82)가 이동될 수 있는 포지션의 범위의 적어도 서브세트에 대하여 이동가능하고 서로 각도를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 장치는 지지 부재 구동 시스템(81)을 포함한다. 일 실시예에서, 지지 부재 구동 시스템(81)은 지지 부재(82)를 선형으로 기판(38)이 지지 부재(82)와 접촉하도록 이동될 수도 있는 포지션(83)의 범위를 통하여 이동시킨다. 일 실시예에서, 지지 부재 구동 시스템(81)은 지지 부재(82)를 만곡된 경로(85) 및/또는 기판(38)에 대해 비-제로 각도인 경로를 따라 구동하고, 기판(38)과 접촉하도록 이동되는 중인 지지 부재(82) 바로 직전에 포지션의 범위를 따라서 구동한다. 이러한 유형의 실시예들에서, 만곡된 또는 각진 경로는 심지어 기판 모두가 로딩 공정 전체에 걸쳐 평면형 상태에서 유지된다고 해도, 기판이 비-제로 각도에서 지지체 표면과 접촉하도록 이동되도록 한다. 지지체 상에 로딩되는 기판의 지역 및 지지체 상에 아직 로딩되지 않은 기판의 지역을 분리하는 경계선(45)이 로딩 공정 전체에 걸쳐 유지된다. 기판 모두를 평면형 상태에서 유지하면서 기판(38)을 로딩하는 것은 포아송 벤딩(즉 포아송의 효과에 의하여 야기된 곡률 유도된 벤딩)을 회피하는데, 이 벤딩은 기판에 바람지하지 않은 스트레스를 초래한다.Figs. 15-17 illustrate an exemplary embodiment in which the support comprises a plurality of support members 82. Fig. The support members 82 are movable relative to at least a subset of the range of positions in which the support members 82 can be moved and can have an angle with each other. In one embodiment, the apparatus includes a support member drive system 81. In one embodiment, the support member drive system 81 moves the support member 82 linearly over a range of positions 83 that may be moved so that the substrate 38 contacts the support member 82. In one embodiment, the support member drive system 81 drives the support member 82 along a path that is non-zero angled relative to the curved path 85 and / or the substrate 38, And drives along the range of the position immediately before the supporting member 82 being moved to be in contact. In these types of embodiments, the curved or angled path causes the substrate to move in contact with the support surface at a non-zero angle, even though all of the substrate is held in a planar state throughout the loading process. A region of the substrate loaded on the support and a boundary 45 separating regions of the substrate that have not yet been loaded on the support are maintained throughout the loading process. Loading the substrate 38 while keeping both substrates in a planar state avoids Poisson bending (i.e., curvature-induced bending caused by the effect of Poisson), which causes unfavorable stress to the substrate.

도 15 의 예시적인 배치구성에서, 지지 부재(82)는 연속 루프에서, 예를 들어 컨베이어의 방식에서 구동된다. 화살표(89)는 연속 루프의 하단을 따라 이동하는 지지 부재(82)에 상대적인, 연속 루프의 상단을 따라 이동하는 지지 부재(82)의 모션의 반대 방향을 도시한다. 일 실시예에서, 지지 부재(82)는 복수의 벨트에 의하여 또는 컨베이어의 루프에 후속하는 연속 벨트에 의하여 서로 연결된다.In the exemplary arrangement of Fig. 15, the support member 82 is driven in a continuous loop, for example in the manner of a conveyor. The arrow 89 shows the opposite direction of motion of the support member 82 moving along the top of the continuous loop relative to the support member 82 moving along the bottom of the continuous loop. In one embodiment, the support members 82 are connected to each other by a plurality of belts or by a continuous belt following a loop of the conveyor.

도 16 의 예시적인 배치구성에서, 지지 부재(82)는 스핀들(92)로부터 풀린다(unwound). 일 실시예에서, 제 2 스핀이 지지 부재(82)를 수용하기 위하여 제공된다.16, the support member 82 is unwound from the spindle 92. As shown in Fig. In one embodiment, a second spin is provided to receive the support member 82.

일 실시예에서, 하나 이상의 지지 부재 레일(80)이 지지 부재(82)를 지지한다. 일 실시예에서, 지지 부재(82)는 지지 부재 레일(80) 위에서 슬라이딩하도록 구성된다. 일 실시예에서, 복수의 지지 부재 레일(80)이 제공되는데, 각각의 지지 부재 레일(80)은 지지 부재 레일(82) 중 적어도 하나의 다른 것으로부터 지지 부재 레일(80) 위에서의 기판(38)의 이동의 방향에 실질적으로 수직인 방향으로 이격되어 있다. 복수의 지지 부재 레일(80)은 이에 의하여 기판(38)의 너비(즉 기판(38)의 모션(87)의 방향에 실질적으로 수직인 치수)에 걸쳐 향상된 지지를 제공할 수 있고, 따라서 너비 방향에서의(예를 들어 기판(38)의 무게에 기인한) 기판(38)의 변형을 감소시킨다.In one embodiment, one or more support member rails 80 support the support members 82. In one embodiment, the support member 82 is configured to slide over the support member rails 80. In one embodiment, a plurality of support member rails 80 are provided, each support member rail 80 extending from at least one other of the support member rails 82 to the substrate 38 In the direction substantially perpendicular to the direction of the movement of the first and second movable members. The plurality of support member rails 80 can thereby provide improved support over the width of the substrate 38 (i.e., the dimension that is substantially perpendicular to the direction of the motion 87 of the substrate 38) (E. G., Due to the weight of the substrate 38). ≪ / RTI >

일 실시예에서, 지지 부재(82) 중 하나 이상의 각각은 진공 클램핑 힘을 그 지지 부재(82)가 기판(38)과 접촉할 때 기판(38)에 인가하도록 구성된다. 이러한 기능성이 도 17 에 도시되는데, 이것은 도 15 또는 도 16 에 도시된 유형의 구성의 기판(38)의 모션의 방향(87)(또는 이 방향(87)에 반대)로 바라본 단면도이다. 이러한 유형 예시적인 실시예에서, 하나 이상의 지지 부재(82)의 각각에는 하나 이상의 진공 클램프 입구(86)가 제공된다. 일 실시예에서, 진공 클램프 입구(86)는 기판(38)의 너비에 걸쳐서 이격된다. 일 실시예에서, 지지 부재(82)는 그 지지 부재(82)의 진공 클램프 입구(86)가 활성화될 경우 대기압보다 낮은 압력에서 유지되는 내부 캐비티를 각각 포함한다. 일 실시예에서, 지지 부재 레일(80)에는 가스를 하나 이상의 펌핑 개구부(90)를 통하여 추출하기 위한 펌핑 시스템이 제공된다. 일 실시예에서, 지지 부재(82)는 진공 클램프 입구(86)에 반대 측에 개구부(91)를 포함한다. 지지 부재(82) 내의 개구부(91)가 지지 부재 레일(80) 중 하나 이상 내의 펌핑 개구부(90)와 중첩하면, 지지 부재 레일 펌핑 시스템은 가스를 지지 부재(82) 내의 캐비티 밖으로 펌핑한다. 지지 부재(82) 내의 감소된 압력은 그 지지 부재(82)의 진공 클램프 입구(86)를 구동한다. 만일 기판(38)이 피동 진공 클램프 입구(86)에 인접하면, 기판(38)은 지지 요소(82)의 표면에 부착되고 거기에 클램핑될 것이다. 그 지지 부재의 진공 클램프 입구(86)가 구동될 때 지지 부재(82)에 인접한 기판이 없는 경우, 가스는 지지 부재 레일(80)의 펌핑 시스템 내로 누설될 것이다. 일 실시예에서, 이러한 누설은, 예를 들어 높은 흐름 임피던스를 가지는 진공 클램프 입구(86)를 제공함으로써 및/또는 지지 부재 레일 펌핑 시스템에 대한 적정 펌핑 레이트를 선택함으로써, 수락가능한 레벨에서 유지된다.In one embodiment, each of at least one of the support members 82 is configured to apply a vacuum clamping force to the substrate 38 as its support member 82 contacts the substrate 38. This functionality is shown in FIG. 17, which is a cross-sectional view as viewed in the direction 87 of the motion (or opposite direction 87) of the substrate 38 of the type shown in FIG. 15 or 16. In this type of exemplary embodiment, each of the one or more support members 82 is provided with one or more vacuum clamp inlets 86. In one embodiment, the vacuum clamp inlet 86 is spaced across the width of the substrate 38. In one embodiment, the support member 82 includes an inner cavity, which is maintained at a pressure lower than the atmospheric pressure when the vacuum clamp inlet 86 of the support member 82 is activated. In one embodiment, the support member rail 80 is provided with a pumping system for extracting gas through one or more pumping openings 90. In one embodiment, the support member 82 includes an opening 91 on the opposite side to the vacuum clamp inlet 86. The support member rail pumping system pumps the gas out of the cavity in the support member 82 when the opening 91 in the support member 82 overlaps the pumping opening 90 in at least one of the support member rails 80. The reduced pressure in the support member 82 drives the vacuum clamp inlet 86 of its support member 82. If the substrate 38 is adjacent to the driven vacuum clamp inlet 86, the substrate 38 will be attached to the surface of the support element 82 and clamped thereto. If there is no substrate adjacent to the support member 82 when the vacuum clamp inlet 86 of the support member is driven, the gas will leak into the pumping system of the support member rail 80. In one embodiment, this leakage is maintained at an acceptable level, for example, by providing a vacuum clamp inlet 86 having a high flow impedance and / or by selecting an appropriate pumping rate for the support member rail pumping system.

일 실시예에서, 지지 부재 레일(80)은 가스를 하나 이상의 펌핑 개구부(88)를 통하여 공급하도록 구성된다. 일 실시예에서, 개구부(88)는 진공 클램프 입구(86)를 구동하기 위하여 사용되는 펌핑 개구부(90)와 동일하다. 일 실시예에서, 개구(opening; 88)는 상이한 개구이다. 일 실시예에서, 하나 이상의 개구(88)가 지지 부재(82) 중 하나 이상 내의 가스 베어링 출구를 구동하기 위하여 사용된다. 일 실시예에서, 지지 부재(82) 중 하나 이상은 따라서, 지지 부재 중 하나 이상이 지지 부재(들)의 포지션의 적어도 주어진 범위에 대하여 클램핑이 없이(가스 베어링을 사용하여) 기판을 지지하도록 구성되는 반면에, 지지 부재(들)의 포지션의 적어도 주어진 범위에 대하여 기판을 클램핑하도록 구성된다.In one embodiment, the support member rails 80 are configured to supply gas through one or more pumping openings 88. In one embodiment, the opening 88 is the same as the pumping opening 90 used to drive the vacuum clamp inlet 86. In one embodiment, the opening 88 is a different opening. In one embodiment, one or more openings 88 are used to drive the gas bearing outlets in one or more of the support members 82. In one embodiment, one or more of the support members 82 are thus configured such that at least one of the support members supports the substrate (using a gas bearing) without clamping against at least a given range of positions of the support member , While clamping the substrate against at least a given range of positions of the support member (s).

일 실시예에서, 지지 부재 구동 시스템(81)은 지지 부재(82)의 이동을 구동한다. 도 15 에서 도시되는 유형의 예시적인 실시예에서, 구동 시스템(81)은 하나 이상의 컨베이어 롤러를 구동한다. 도 16 에서 도시되는 유형의 예시적인 실시예에서, 구동 시스템은 스핀들(92)의 회전을 구동한다. 일 실시예에서, 지지 부재 구동 시스템(81)은 기판을 로딩할 때 제 1 방향(예를 들어 제 1 회전 방향)에서 구동을 제공하고, 기판을 언로딩할 때 제 2 방향(예를 들어 반대 회전 방향)에서 구동을 제공한다.In one embodiment, the support member drive system 81 drives movement of the support member 82. In an exemplary embodiment of the type shown in FIG. 15, the drive system 81 drives one or more conveyor rollers. In an exemplary embodiment of the type shown in FIG. 16, the drive system drives the rotation of the spindle 92. In one embodiment, the support member drive system 81 provides drive in a first direction (e.g., a first rotational direction) when loading a substrate, and provides a drive in a second direction Rotation direction).

일 실시예에서, 지지 부재(82) 내의 진공 클램프 입구(86) 및/또는 지지 부재 레일(80) 내의 개구부(91) 및/또는 펌핑 개구부(90)는 교환가능하다. 일 실시예에서, 입구(86), 개구부(91) 및/또는 펌핑 개구부(90)는 선택적으로 개방 및 폐쇄될 수도 있다. 일 실시예에서, 입구(86), 개구부(91) 및/또는 펌핑 개구부(90)는 진공 클램프가 기판(38)이 그 지지 부재(82)와 접촉할 때 주어진 지지 부재(82)에 의해서만 적용되도록 제어될 수도 있다. 일 실시예에서, 스위칭은 지지 부재 구동 시스템(81)으로부터의 신호를 사용하여 제어된다. 일 실시예에서, 이 신호는 지지 부재 구동 시스템(81)의 작동의 상태, 예를 들어 롤러 또는 스핀들이 회전된 각도를 나타낸다. 따라서 신호는 기판의 포지션을 표시하기 위하여 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 기판의 포지션을 직접적으로 측정하기 위한 측정 디바이스(예를 들어 광검출기)가 제공되고, 스위칭은 측정 디바이스로부터의 신호 출력을 사용하여 제어된다.In one embodiment, the vacuum clamp inlet 86 in the support member 82 and / or the opening 91 in the support member rail 80 and / or the pumping opening 90 are interchangeable. In one embodiment, inlet 86, opening 91, and / or pumping opening 90 may optionally be opened and closed. In one embodiment, the inlet 86, the openings 91 and / or the pumping openings 90 are configured such that the vacuum clamp is only applied by a given support member 82 when the substrate 38 contacts its support member 82 . In one embodiment, the switching is controlled using signals from the support member drive system 81. [ In one embodiment, this signal indicates the state of operation of the support member drive system 81, e.g., the angle at which the roller or spindle is rotated. The signal can thus be used to indicate the position of the substrate. In one embodiment, a measuring device (e.g. a photodetector) is provided for directly measuring the position of the substrate, and the switching is controlled using the signal output from the measuring device.

일 실시예에서, 위에서 논의된 가스 베어링 출구들 중 하나 이상으로부터의 가스 흐름은 로딩 공정 도중에 기판을 열적으로 컨디셔닝하기 위하여 열적으로 컨디셔닝된다.In one embodiment, the gas flow from one or more of the gas bearing outlets discussed above is thermally conditioned to thermally condition the substrate during the loading process.

일 실시예에서, 위에서 설명된 가스 베어링들 중 하나 이상은 출구 및 입구 모두를 포함한다. 각각의 경우에서, 입구는 가스를 추출하고 및/또는 가스 베어링에 의하여 인가되는 힘 또는 이것의 강성도를 조절하기 위하여 제공된다. 알짜 힘이 중립이거나 표면으로부터 멀어지거나 및/또는 가스 베어링 힘/강성도가 원하는 바와 같으면 다양한 구성들이 사용될 수 있다.In one embodiment, at least one of the gas bearings described above comprises both an outlet and an inlet. In each case, the inlet is provided to extract the gas and / or to regulate the force applied by the gas bearing or its stiffness. Various configurations can be used if the net force is neutral or away from the surface and / or the gas bearing force / stiffness is desired.

일 실시예에서, 위에서 설명된 진공 클램프 중 하나 이상은 입구 및 출구 모두를 포함한다. 각각의 경우에, 출구는 가스를 공급하고 및/또는 진공 클램프에 의하여 인가되거나 그것의 강성도를 조절한다. 알짜 힘이 표면을 향하고 및/또는 진공 클램프 힘/강성도가 원하는 바와 같으면 다양한 구성들이 사용될 수 있다.In one embodiment, at least one of the vacuum clamps described above includes both an inlet and an outlet. In each case, the outlet supplies gas and / or is applied by a vacuum clamp or controls its stiffness. Various configurations can be used if the net force is directed to the surface and / or the vacuum clamp force / stiffness is desired.

디바이스 제조 방법에 따르면, 디스플레이, 집적 회로 또는 임의의 다른 아이템과 같은 디바이스는 그 위에 패턴이 제공된 기판으로부터 제조될 수 있다.According to the device manufacturing method, a device such as a display, an integrated circuit or any other item can be manufactured from a substrate provided with a pattern thereon.

비록 본문에서 IC의 제조에서 이 장치를 사용하는 것에 대해서 특별히 언급하였지만, 본 명세서에서 설명되는 리소그래피 또는 노광 장치는 다른 응용 분야, 예컨대 집적 광 시스템의 제조, 자기장 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 평판-패널 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드, 등을 가질 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 당업자는, 이러한 다른 응용예의 문맥에서, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(예를 들어, 통상적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 계측 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 본 명세서에서의 개시물은 이러한 기판 처리 툴 및 다른 기판 처리 툴에 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수 있다.Although specifically addressed for use of this device in the manufacture of ICs in the text, the lithographic or exposure apparatus described herein may be used with other applications, such as the manufacture of integrated optical systems, guidance and detection patterns for magnetic domain memories, Panel displays, liquid crystal displays (LCDs), thin film magnetic heads, and the like. Those skilled in the art will appreciate that, in the context of such alternative applications, any use of the terms "wafer" or "die" herein may be considered synonymous with the more general terms "substrate" or "target portion" . The substrate referred to herein may be processed before and after exposure, e.g., in a track (e.g., a tool that typically applies a resist layer to a substrate and develops the exposed resist) , a metrology tool, and / or an inspection tool. To the extent applicable, the disclosure herein may be applied to such substrate processing tools and other substrate processing tools. Further, since the substrate can be processed multiple times, for example, to create a multi-layer integrated circuit, the term substrate used herein can refer to a substrate that already contains layers that have been processed multiple times.

비록 본 발명의 특정한 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예컨대, 본 발명의 실시예는 위에서 개시된 바와 같은 방법을 기술하는 기계 판독 가능한 명령어들의 하나 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 디스크 또는 광 디스크)의 형태를 취할 수 있다. 또한, 이러한 기계 판독가능한 명령은 둘 이상의 컴퓨터 프로그램으로 구현될 수 있다. 두 개 이상의 컴퓨터 프로그램은 하나 이상의 상이한 메모리 및/또는 데이터 저장 미디어에 저장될 수 있다.Although specific embodiments of the invention have been described above, it will be appreciated that the invention may be practiced otherwise than as described. For example, an embodiment of the present invention may be implemented as a computer program containing one or more sequences of machine-readable instructions describing a method as disclosed above, or a data storage medium (e.g., semiconductor memory, Disk). ≪ / RTI > Further, such machine-readable instructions may be embodied in two or more computer programs. Two or more computer programs may be stored in one or more different memory and / or data storage media.

본 명세서에 사용된 "렌즈"라는 용어는, 문맥이 허용한다면, 굴절, 회절, 반사, 자기, 전자자기, 및 정전기 광 컴포넌트 또는 이들의 조합을 포함하는 다양한 타입의 광 컴포넌트 중 임의의 것을 가리킬 수 있다.The term "lens ", as used herein, refers to any of various types of optical components, including refractive, diffractive, reflective, magnetic, electromagnetic and electrostatic optical components or combinations thereof, as the context allows. have.

위의 설명은 한정적인 것이 아니라 예시적인 것이 의도된다. 따라서, 다음 진술되는 청구항의 범위로부터 벗어나지 않으면서, 설명된 바와 같은 본 발명에 변경이 이루어질 수 있다는 것이 당업자에게는 명백할 것이다.The above description is intended to be illustrative, not limiting. It will therefore be apparent to those skilled in the art that changes may be made to the invention as described without departing from the scope of the following claims.

Claims (15)

가요성 기판을 노광 장치 내의 사용을 위해 지지체 상에 로딩하는 방법으로서,
상기 지지체 상에 로딩되는 기판의 지역 및 아직 지지체 상에 로딩되지 않은 기판의 지역을 분리하는 경계선이 로딩 공정 도중에 실질적으로 직선을 유지하는 방식으로 상기 기판을 기판 캐리어로부터 상기 지지체로 점진적으로 전달하는 단계를 포함하는, 방법.
A method of loading a flexible substrate onto a support for use in an exposure apparatus,
Progressively transferring the substrate from the substrate carrier to the support in such a manner that a boundary separating an area of the substrate loaded on the support and an area of the substrate that is not already loaded on the support is substantially straight during the loading process / RTI >
제 1 항에 있어서,
상기 기판의 적어도 일부는 상기 로딩 공정 도중에 만곡되고, 상기 로딩 공정의 끝에서 상기 기판이 그 위에 로딩될 지지체 표면의 모든 부분은 로딩 공정 도중에 실질적으로 공평면을 유지하는, 방법.
The method according to claim 1,
Wherein at least a portion of the substrate is curved during the loading process and all portions of the support surface onto which the substrate is to be loaded at the end of the loading process remain substantially coplanar during the loading process.
제 1 항에 있어서,
상기 기판의 모두는 상기 로딩 공정 도중에 평면이고, 상기 로딩 공정의 끝에서 상기 기판이 그 위에 로딩될 지지체 표면의 일부 중 적어도 하나는, 상기 로딩 공정의 적어도 일부 동안 상기 로딩 공정의 끝에서 상기 기판이 그 위에 로딩될 지지체 표면의 일부 중 적어도 하나의 다른 것과 공평면이 아닌, 방법.
The method according to claim 1,
Wherein all of the substrate is planar during the loading process and at least one of the portions of the support surface on which the substrate is to be loaded at the end of the loading process is at least partially covered by the substrate at the end of the loading process during at least a portion of the loading process Is not coplanar with at least one other of the portions of the support surface to be loaded thereon.
디바이스 제조 방법으로서,
가요성 기판을 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항을 방법을 사용하여 지지체 상에 로딩하는 단계; 및
노광 장치를 사용하여 상기 지지체 상에 로딩된 기판을 노광 공정의 일부로서 조사하는 단계를 포함하는, 방법.
A device manufacturing method comprising:
Loading the flexible substrate onto a support using the method of any one of claims 1 to 3; And
Irradiating the substrate loaded on the support with an exposure apparatus as part of an exposure process.
가요성 기판을 로딩하는 장치로서,
노광 장치에 의한 상기 기판의 조사 도중에 상기 기판을 홀딩하기 위한 지지체; 및
기판 캐리어를 포함하고,
상기 장치는 상기 캐리어 상에 탑재되는 기판을, 상기 지지체 상에 로딩되는 기판의 지역 및 아직 지지체 상에 로딩되지 않은 기판의 지역을 분리하는 경계선이 로딩 공정 도중에 실질적으로 직선을 유지하는 방식으로 상기 지지체로 전달하도록 구성되는, 장치.
An apparatus for loading a flexible substrate,
A support for holding the substrate during irradiation of the substrate by an exposure apparatus; And
Comprising a substrate carrier,
The apparatus further comprises a substrate mounted on the carrier in such a manner that a boundary separating an area of the substrate loaded on the support and an area of the substrate that has not yet been loaded on the support remains substantially straight during the loading process, . ≪ / RTI >
제 5 항에 있어서,
상기 기판의 적어도 일부는 상기 로딩 공정 도중에 만곡되고, 상기 로딩 공정의 끝에서 상기 기판이 그 위에 로딩될 지지체 표면의 모든 부분은 로딩 공정 도중에 실질적으로 공평면을 유지하도록 구성되는, 장치.
6. The method of claim 5,
Wherein at least a portion of the substrate is curved during the loading process and all portions of the support surface onto which the substrate is to be loaded at the end of the loading process are configured to maintain a substantially coplanar surface during the loading process.
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 기판을 상기 기판 캐리어로부터 분리하기 위한 전달 요소를 더 포함하는, 장치.
The method according to claim 5 or 6,
And a transfer element for separating the substrate from the substrate carrier.
제 7 항에 있어서,
상기 전달 요소는 상기 기판이 그 위에 로딩될 지지체 표면의 일부의 평면에 실질적으로 평행이고 그리고 경계선의 방향에 실질적으로 수직인 방향으로 이동하도록 구성되는, 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the transfer element is configured to move in a direction that is substantially parallel to a plane of a portion of the support surface onto which the substrate is to be loaded and is substantially perpendicular to the direction of the boundary line.
제 8 항에 있어서,
상기 전달 요소는 상기 로딩 공정 도중에 지지체 상에 처음 로딩되는 상기 기판의 일부로부터 멀어지게 이동하도록 구성되는, 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the transfer element is configured to move away from a portion of the substrate that is initially loaded on the support during the loading process.
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 전달 요소의 이동은 예컨대 상기 기판을 상기 기판 캐리어로부터 상기 지지체 상으로 견인하기 위한 것인, 장치.
10. The method according to claim 8 or 9,
Wherein movement of the transfer element is for pulling the substrate from the substrate carrier onto the support.
제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전달 요소는, 상기 경계선에 실질적으로 평행하게 놓여 있는 곡률의 축 주위에서 만곡되는 상기 기판의 일부에 대항하여 가스 흐름을 디렉팅하도록 구성되는 가스 베어링 부재를 포함하는, 장치.
11. The method according to any one of claims 7 to 10,
Wherein the transmissive element comprises a gas bearing member configured to direct a gas flow against a portion of the substrate that is curved about an axis of curvature lying substantially parallel to the boundary.
제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전달 요소는 제 1 가스 베어링 부재 및 제 2 가스 베어링 부재를 포함하고; 그리고
상기 장치는 상기 기판이 상기 로딩 공정 도중에 상기 제 1 가스 베어링 부재 및 제 2 가스 베어링 부재 사이를 통과하도록 구성되는, 장치.
11. The method according to any one of claims 7 to 10,
The transmission element comprising a first gas bearing member and a second gas bearing member; And
Wherein the apparatus is configured to allow the substrate to pass between the first gas bearing member and the second gas bearing member during the loading process.
제 12 항에 있어서,
상기 제 1 가스 베어링 부재는 상기 경계선에 실질적으로 평행하게 놓여 있는 곡률의 축 주위에서 제 1 방향으로(first sense) 만곡되는 상기 기판의 일부에 대항하여 가스 흐름을 디렉팅하도록 구성되고;
상기 제 2 가스 베어링 부재는 상기 경계선에 실질적으로 평행하게 놓여 있는 곡률의 축 주위에서 제 1 방향으로(second sense) 만곡되는 상기 기판의 일부에 대항하여 가스 흐름을 디렉팅하도록 구성되며; 그리고
상기 제 1 방향은 제 2 방향에 반대인, 장치.
13. The method of claim 12,
Wherein the first gas bearing member is configured to direct a gas flow against a portion of the substrate that is curved in a first sense about an axis of curvature lying substantially parallel to the boundary line;
The second gas bearing member is configured to direct a gas flow against a portion of the substrate that is curved in a second sense about an axis of curvature lying substantially parallel to the perimeter; And
The first direction being opposite to the second direction.
제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 가스 베어링 부재는 신장되는(elongate), 장치.
The method according to claim 12 or 13,
Wherein the first and second gas bearing members are elongated.
제 14 항에 있어서,
제 1 및 제 2 가스 베어링 부재의 신장의 축들은 상기 로딩 공정의 끝에서 상기 기판이 그 위에 로딩될 상기 기판의 표면으로부터 실질적으로 동일한 거리에 있는, 장치.
15. The method of claim 14,
Wherein axes of elongation of the first and second gas bearing members are at substantially the same distance from the surface of the substrate upon which the substrate is to be loaded at the end of the loading process.
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