JP2015510261A - Method for carrying in flexible substrate, device manufacturing method, apparatus for carrying in flexible substrate, and lithographic apparatus - Google Patents

Method for carrying in flexible substrate, device manufacturing method, apparatus for carrying in flexible substrate, and lithographic apparatus Download PDF

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Abstract

【課題】例えば、過度のディストーション及び/またはオーバレイ誤差を生じさせることなく信頼性をもって柔軟性基板を搬入することを可能とする装置及び方法を提供する。【解決手段】柔軟性基板を搬入する方法、デバイス製造方法、柔軟性基板を搬入するための装置、及びリソグラフィ装置。ある実施の形態によると、露光装置における使用のための支持部に柔軟性基板を搬入する方法であって、前記支持部に搬入されている前記基板の領域と前記支持部にまだ搬入されていない前記基板の領域とを分ける境界線が搬入プロセスの間実質的に直線であり続けるようにして基板運搬部から前記支持部へ前記基板を漸進的に移送することを含む方法が提供される。【選択図】図1For example, an apparatus and a method capable of reliably loading a flexible substrate without causing excessive distortion and / or overlay error. A method for carrying in a flexible substrate, a device manufacturing method, an apparatus for carrying in a flexible substrate, and a lithographic apparatus. According to an embodiment, there is provided a method for carrying a flexible substrate into a support portion for use in an exposure apparatus, the substrate area being carried into the support portion and not yet carried into the support portion. A method is provided that includes progressively transferring the substrate from a substrate transport to the support such that a boundary separating the region of the substrate remains substantially straight during the loading process. [Selection] Figure 1

Description

関連出願の相互参照
本出願は、2012年1月17日に出願された米国仮出願第61/587,372号の利益を主張し、その全体が本明細書に援用される。
This application claims the benefit of US Provisional Application No. 61 / 587,372, filed Jan. 17, 2012, which is hereby incorporated by reference in its entirety.

本発明は、柔軟性基板を搬入する方法、デバイス製造方法、柔軟性基板を搬入するための装置、及び、リソグラフィ装置または露光装置に関する。   The present invention relates to a method for carrying a flexible substrate, a device manufacturing method, an apparatus for carrying a flexible substrate, and a lithographic apparatus or an exposure apparatus.

リソグラフィ装置または露光装置は、所望のパターンを基板に、または基板の部分に与える機械である。本装置は例えば、集積回路(IC)、フラットパネルディスプレイ、微細形状を有するその他のデバイス又は構造の製造に用いられる。従来のリソグラフィ装置または露光装置においては、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ICやフラットパネルディスプレイ、その他のデバイスの個々の層に対応する回路パターンを生成するために使用されることがある。このパターンは例えば、(例えばシリコンウェーハまたはガラスプレート等の)基板上に設けられた放射感応性材料(レジスト)層への結像により、基板(の部分)へと転写される。同様に、露光装置は、所望のパターンを基板(又はその部分)上に又は基板内に形成する際に放射ビームを使用する機械である。   A lithographic apparatus or exposure apparatus is a machine that applies a desired pattern onto a substrate or part of a substrate. The apparatus is used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs), flat panel displays, and other devices or structures having fine features. In conventional lithographic apparatus or exposure apparatus, patterning devices, also called masks or reticles, may be used to generate circuit patterns corresponding to individual layers of ICs, flat panel displays, and other devices. . This pattern is transferred onto (parts of) the substrate, for example by imaging onto a radiation sensitive material (resist) layer provided on the substrate (such as a silicon wafer or glass plate). Similarly, an exposure apparatus is a machine that uses a radiation beam in forming a desired pattern on or in a substrate (or portion thereof).

パターニングデバイスを使用して、回路パターンではなく例えばカラーフィルタのパターンやドットのマトリックス状配列などの他のパターンを生成する場合もある。従来のマスクに代えて、パターニングデバイスは、回路パターンまたはその他の適用可能なパターンを生成する個別に制御可能な素子の配列を備えるパターニングアレイを備えてもよい。このような「マスクレス」方式ではマスクを使用する従来の方式に比べて迅速かつ低コストにパターンを準備したり変更したりできるという利点がある。   In some cases, the patterning device is used to generate other patterns, such as a color filter pattern or a matrix of dots, instead of a circuit pattern. Instead of a conventional mask, the patterning device may comprise a patterning array comprising an array of individually controllable elements that produce a circuit pattern or other applicable pattern. Such a “maskless” method has an advantage that a pattern can be prepared or changed quickly and at a lower cost than a conventional method using a mask.

故に、マスクレスシステムはプログラマブルパターニングデバイス(例えば、空間光変調器、コントラストデバイスなど)を含む。プログラマブルパターニングデバイスは、個別制御可能素子のアレイを使用して所望のパターンが与えられたビームを形成するよう(例えば電子的に、または光学的に)プログラムされる。プログラマブルパターニングデバイスの種類には、マイクロミラーアレイ、液晶ディスプレイ(LCD)アレイ、グレーティングライトバルブアレイ、自己放射可能なコントラストデバイス、シャッタ素子または行列などがある。プログラマブルパターニングデバイスは電気光学偏光器からも形成され得るものであり、これは例えば、基板上に投影される放射のスポットを移動させるように、または、間欠的に放射ビームを基板から例えば放射ビーム吸収体へと方向付けるように、構成される。このような構成においては、放射ビームは連続的であり得る。   Thus, maskless systems include programmable patterning devices (eg, spatial light modulators, contrast devices, etc.). The programmable patterning device is programmed (eg, electronically or optically) to form a beam with a desired pattern using an array of individually controllable elements. Types of programmable patterning devices include micromirror arrays, liquid crystal display (LCD) arrays, grating light valve arrays, self-radiating contrast devices, shutter elements or matrices. Programmable patterning devices can also be formed from electro-optic polarizers, for example to move the spot of radiation projected onto the substrate, or intermittently, for example, to absorb the radiation beam from the substrate. Configured to direct to the body. In such a configuration, the radiation beam can be continuous.

柔軟性材料(例えばプラスチック)からなる基板は、ある種の利用分野に適しており、及び/または、同等の剛体基板(例えばガラス)よりたいてい安価である。例えば、ポリアミド基板またはポリカーボネート基板が使用されうる。剛体基板を搬入するために開発された方法では、望ましくない負荷(応力)が柔軟性基板の内部に生じうる。こうした応力は、基板が変形された状態で搬入される原因となりうる。例えば、基板はその基板の平面内において変形しうる。変形はディストーション及び/またはオーバレイ誤差の原因となり得る。   Substrates made of flexible materials (eg plastic) are suitable for certain applications and / or are usually less expensive than comparable rigid substrates (eg glass). For example, a polyamide substrate or a polycarbonate substrate can be used. In a method developed to carry in a rigid substrate, undesirable loads (stresses) can occur inside the flexible substrate. Such stress can cause the substrate to be carried in a deformed state. For example, the substrate can be deformed in the plane of the substrate. Deformation can cause distortion and / or overlay errors.

したがって、望まれることは、例えば、過度のディストーション及び/またはオーバレイ誤差を生じさせることなく信頼性をもって柔軟性基板を搬入することを可能とする装置及び方法を提供することである。   Thus, what is desired is, for example, to provide an apparatus and method that allows a flexible substrate to be loaded reliably without causing excessive distortion and / or overlay errors.

ある実施の形態によると、露光装置における使用のための支持部に柔軟性基板を搬入する方法であって、前記支持部に搬入されている前記基板の領域と前記支持部にまだ搬入されていない前記基板の領域とを分ける境界線が搬入プロセスの間実質的に直線であり続けるようにして基板運搬部から前記支持部へ前記基板を漸進的に移送することを備える方法が提供される。   According to an embodiment, there is provided a method for carrying a flexible substrate into a support portion for use in an exposure apparatus, the substrate area being carried into the support portion and not yet carried into the support portion. A method is provided comprising progressively transferring the substrate from a substrate transport to the support such that a boundary separating the region of the substrate remains substantially straight during the loading process.

ある実施の形態によると、柔軟性基板を搬入する装置であって、露光装置による前記基板への照射の間前記基板を保持する支持部と、基板運搬部と、を備え、前記運搬部に乗せられている基板を、前記支持部に搬入されている前記基板の領域と前記支持部にまだ搬入されていない前記基板の領域とを分ける境界線が搬入プロセスの間実質的に直線であり続けるようにして前記支持部へと移送するよう構成されている装置が提供される。   According to an embodiment, there is provided an apparatus for carrying a flexible substrate, comprising: a support unit that holds the substrate during irradiation of the substrate by an exposure device; and a substrate transport unit, which is placed on the transport unit. A boundary line separating the substrate being loaded into the support area and the substrate area not yet loaded into the support section remains substantially straight during the loading process. An apparatus is provided that is configured to transport to the support.

本発明のいくつかの実施の形態が付属の概略的な図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。対応する参照符号は各図面において対応する部分を指し示す。   Several embodiments of the present invention are described below with reference to the accompanying schematic drawings, which are exemplary only. Corresponding reference characters indicate corresponding parts in the various drawings.

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の部分を示す。1 shows a portion of a lithographic apparatus according to an embodiment of the invention.

本発明のある実施の形態に係る図1のリソグラフィ装置の部分の上面図を示す。2 shows a top view of a portion of the lithographic apparatus of FIG. 1 according to an embodiment of the invention.

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の部分の高度に概略的な斜視図を示す。1 shows a highly schematic perspective view of a part of a lithographic apparatus according to an embodiment of the invention;

本発明のある実施の形態に係り、図3に係るリソグラフィ装置による基板上への投影の概略上面図を示す。FIG. 4 shows a schematic top view of projection onto a substrate by the lithographic apparatus according to FIG. 3 according to an embodiment of the invention.

本発明のある実施の形態に係る部分の断面を示す。The cross section of the part which concerns on one embodiment of this invention is shown.

柔軟性基板を搬入する装置の、一組の対向するガスベアリングを有する基板運搬部と1以上のガスベアリング出口を有する移送要素とを含む構成要素を示す。FIG. 6 illustrates components of an apparatus for loading a flexible substrate including a substrate transport having a set of opposing gas bearings and a transfer element having one or more gas bearing outlets.

柔軟性基板を搬入する装置の、一組の対向するガスベアリングを有する基板運搬部と1以上のガスベアリング出口を有する移送要素とを含む構成要素を示す。FIG. 6 illustrates components of an apparatus for loading a flexible substrate including a substrate transport having a set of opposing gas bearings and a transfer element having one or more gas bearing outlets.

2つの移送要素を有し、基板がそれらの間を通るよう構成されていることを除いて、図6に示される形式の構成を示す。FIG. 7 shows a configuration of the type shown in FIG. 6 except that it has two transfer elements and the substrate is configured to pass between them.

基板運搬部が真空クランプを使用して重力に抗して基板を保持することを除いて、図8に示される形式の構成を示す。FIG. 9 shows a configuration of the type shown in FIG. 8 except that the substrate transport uses a vacuum clamp to hold the substrate against gravity.

運搬部と支持部との間で基板の外形を変化させるよう移送要素がそれぞれ支持部表面上方で異なる高さに設けられていることを除いて、図8に示される形式の構成を示す。FIG. 9 shows a configuration of the type shown in FIG. 8 except that the transfer elements are provided at different heights above the support surface so as to change the outer shape of the substrate between the transport and the support.

2つの移送要素が図6に示される形式ではなく図7に示される形式であることを除いて、図10に示される形式の構成を示す。FIG. 10 shows a configuration of the type shown in FIG. 10 except that the two transfer elements are in the format shown in FIG. 7 rather than the format shown in FIG.

基板を支持部へと自由に巻く方法を示す。A method of freely winding a substrate around a support portion will be described.

基板を支持部へと漸進的に落下させるために運搬部上の真空クランプ入口が漸進的にオフに切り替えられる構成を示す。FIG. 6 shows a configuration in which the vacuum clamp inlet on the transport section is gradually switched off to progressively drop the substrate onto the support section.

基板が当初は支持部の表面の上方にあるガスベアリングによって保持されており、ガスベアリングを漸進的にオフに切り替えることによって及び/または支持部上の真空クランプ入口を漸進的に活性化することによって基板が支持部へと漸進的に落下させられる構成を示す。The substrate is initially held by a gas bearing above the surface of the support and by progressively switching off the gas bearing and / or by gradually activating the vacuum clamp inlet on the support The structure by which a board | substrate is dropped gradually to a support part is shown.

基板が平面形状で提供されるとともに、支持部材がコンベアシステムを使用する連続経路で駆動される構成を示す。Fig. 5 shows a configuration in which the substrate is provided in a planar shape and the support member is driven in a continuous path using a conveyor system.

基板が平面形状で提供されるとともに、支持部材がスピンドルからほどかれる構成を示す。The substrate is provided in a planar shape and the support member is unwound from the spindle.

基板の移動方向に沿って見たときの図15及び図16の構成を示し、支持部材レール上を移動する支持部材内部に真空クランプを実現する構成を有する支持部材レールを示す。FIG. 17 shows the configuration of FIGS. 15 and 16 when viewed along the moving direction of the substrate, and shows a support member rail having a configuration for realizing a vacuum clamp inside the support member moving on the support member rail.

本発明のある実施の形態は、プログラマブルパターニングデバイスを含みうる装置に関連し、当該デバイスは例えば自己放射コントラストデバイスの1つ又は複数のアレイからなることがある。こうした装置に関する更なる情報は国際公開第2010/032224号、米国特許出願公開第2011/0188016号明細書、米国特許出願第61/473636号、及び米国特許出願第61/524190号にあり、これらの全体が本明細書に援用される。しかし、本発明のある実施の形態は、いかなる形式のプログラマブルパターニングデバイスを使用してもよく、当該デバイスには例えば既に説明したものが含まれる。   Certain embodiments of the present invention relate to an apparatus that may include a programmable patterning device, which may comprise, for example, one or more arrays of self-radiating contrast devices. Further information regarding such devices can be found in WO 2010/032224, US Patent Application Publication No. 2011/0188016, US Patent Application No. 61/473636, and US Patent Application No. 61/524190. The entirety is hereby incorporated by reference. However, certain embodiments of the present invention may use any form of programmable patterning device, such as those already described.

図1は、リソグラフィ装置又は露光装置の部分の概略側断面図である。この実施形態においては、本装置は、後述するようにXY面で実質的に静止した個別制御可能素子を有するが、そうである必要はない。装置1は、基板を保持する基板テーブル2と、基板テーブル2を最大6自由度で移動させる位置決め装置3と、を備える。基板は、レジストで被覆された基板であってもよい。ある実施の形態においては、基板はウェーハである。ある実施の形態においては、基板は多角形(例えば矩形)の基板である。ある実施の形態においては、基板はガラスプレートである。ある実施の形態においては、基板はプラスチック基板である。ある実施の形態においては、基板は箔である。ある実施の形態においては、本装置は、ロールトゥロール製造に適する。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional side view of a portion of a lithographic apparatus or exposure apparatus. In this embodiment, the device has individually controllable elements that are substantially stationary in the XY plane, as described below, but this need not be the case. The apparatus 1 includes a substrate table 2 that holds a substrate, and a positioning device 3 that moves the substrate table 2 with a maximum of 6 degrees of freedom. The substrate may be a substrate coated with a resist. In some embodiments, the substrate is a wafer. In some embodiments, the substrate is a polygonal (eg, rectangular) substrate. In some embodiments, the substrate is a glass plate. In some embodiments, the substrate is a plastic substrate. In some embodiments, the substrate is a foil. In certain embodiments, the apparatus is suitable for roll-to-roll manufacturing.

装置1は、複数のビームを発するよう構成されている複数の個別に制御可能な自己放射可能なコントラストデバイス4を備える。ある実施の形態においては、自己放射コントラストデバイス4は、放射発光ダイオード(例えば、発光ダイオード(LED)、有機LED(OLED)、高分子LED(PLED))、または、レーザダイオード(例えば、固体レーザダイオード)である。ある実施の形態においては、個別制御可能素子4の各々は青紫レーザダイオード(例えば、三洋の型式番号DL-3146-151)である。こうしたダイオードは、三洋、日亜、オスラム、ナイトライド等の企業により供給される。ある実施の形態においては、ダイオードは、例えば約365nmまたは約405nmの波長を有するUV放射を発する。ある実施の形態においては、ダイオードは、0.5mWないし200mWの範囲から選択される出力パワーを提供することができる。ある実施の形態においては、レーザダイオードの(むき出しのダイの)サイズは、100μmないし800μmの範囲から選択される。ある実施の形態においては、レーザダイオードは、0.5μmないし5μmの範囲から選択される発光領域を有する。ある実施の形態においては、レーザダイオードは、5度ないし44度の範囲から選択される発散角を有する。ある実施の形態においては、それらのダイオードは、合計の明るさを約6.4×10W/(m・sr)以上にするための構成(例えば、発光領域、発散角、出力パワーなど)を有する。 The apparatus 1 comprises a plurality of individually controllable self-radiating contrast devices 4 configured to emit a plurality of beams. In some embodiments, the self-radiating contrast device 4 is a radiant light emitting diode (eg, a light emitting diode (LED), an organic LED (OLED), a polymer LED (PLED)), or a laser diode (eg, a solid state laser diode). ). In one embodiment, each individually controllable element 4 is a blue-violet laser diode (eg, Sanyo model number DL-3146-151). Such diodes are supplied by companies such as Sanyo, Nichia, OSRAM, and Nitride. In some embodiments, the diode emits UV radiation having a wavelength of, for example, about 365 nm or about 405 nm. In some embodiments, the diode can provide an output power selected from the range of 0.5 mW to 200 mW. In one embodiment, the size of the laser diode (bare die) is selected from the range of 100 μm to 800 μm. In some embodiments, the laser diode has a light emitting region selected from the range of 0.5 μm 2 to 5 μm 2 . In some embodiments, the laser diode has a divergence angle selected from the range of 5 degrees to 44 degrees. In some embodiments, the diodes are configured to provide a total brightness of about 6.4 × 10 8 W / (m 2 · sr) or greater (eg, light emitting area, divergence angle, output power, etc.). ).

自己放射コントラストデバイス4は、フレーム5に配設されており、Y方向に沿って及び/またはX方向に沿って延在してもよい。1つのフレーム5が図示されているが、本装置は図2に示されるように複数のフレーム5を有してもよい。フレーム5には更に、複数のレンズ12が配設されている。フレーム5、従って、自己放射コントラストデバイス4及びレンズ12はXY面内で実質的に静止している。フレーム5、自己放射コントラストデバイス4、及びレンズ12は、アクチュエータ7によってZ方向に移動されてもよい。それに代えて又はそれとともに、レンズ12はこの特定のレンズに関連するアクチュエータによってZ方向に移動されてもよい。任意選択として、各レンズ12にアクチュエータが設けられていてもよい。   The self-radiating contrast device 4 is disposed on the frame 5 and may extend along the Y direction and / or along the X direction. Although one frame 5 is shown, the apparatus may have a plurality of frames 5 as shown in FIG. The frame 5 is further provided with a plurality of lenses 12. The frame 5, and thus the self-radiating contrast device 4 and the lens 12 are substantially stationary in the XY plane. The frame 5, the self-radiating contrast device 4 and the lens 12 may be moved in the Z direction by the actuator 7. Alternatively or in conjunction therewith, the lens 12 may be moved in the Z direction by an actuator associated with this particular lens. Optionally, each lens 12 may be provided with an actuator.

自己放射コントラストデバイス4はビームを発するよう構成されていてもよく、投影系12、14、18はそのビームを基板の目標部分に投影するよう構成されていてもよい。自己放射コントラストデバイス4及び投影系が光学コラムを形成する。装置1は、光学コラム又はその一部を基板に対して移動させるためのアクチュエータ(例えばモータ11)を備えてもよい。フレーム8には視野レンズ14及び結像レンズ18が配設されており、そのアクチュエータを用いてフレーム8は回転可能であってもよい。視野レンズ14と結像レンズ18との結合が可動光学系9を形成する。使用時においては、フレーム8は自身の軸10まわりを、例えば図2に矢印で示す方向に、回転する。フレーム8は、アクチュエータ(例えばモータ)11を使用して軸10まわりに回転させられる。また、フレーム8はモータ7によってZ方向に移動されてもよく、それによって可動光学系9が基板テーブル2に対し変位させられてもよい。   The self-radiating contrast device 4 may be configured to emit a beam, and the projection systems 12, 14, 18 may be configured to project the beam onto a target portion of the substrate. The self-radiating contrast device 4 and the projection system form an optical column. The apparatus 1 may include an actuator (for example, a motor 11) for moving the optical column or a part thereof with respect to the substrate. A field lens 14 and an imaging lens 18 are disposed on the frame 8, and the frame 8 may be rotatable using its actuator. The combination of the field lens 14 and the imaging lens 18 forms the movable optical system 9. In use, the frame 8 rotates about its own axis 10, for example, in the direction indicated by the arrow in FIG. The frame 8 is rotated around the axis 10 using an actuator (for example, a motor) 11. Further, the frame 8 may be moved in the Z direction by the motor 7, whereby the movable optical system 9 may be displaced with respect to the substrate table 2.

内側にアパーチャを有するアパーチャ構造13がレンズ12の上方でレンズ12と自己放射コントラストデバイス4との間に配置されてもよい。アパーチャ構造13は、レンズ12、関連する自己放射コントラストデバイス4、及び/または、隣接するレンズ12/自己放射コントラストデバイス4の回折効果を限定することができる。   An aperture structure 13 having an aperture on the inside may be disposed above the lens 12 and between the lens 12 and the self-radiating contrast device 4. The aperture structure 13 can limit the diffractive effects of the lens 12, the associated self-radiating contrast device 4, and / or the adjacent lens 12 / self-radiating contrast device 4.

図示される装置は、フレーム8を回転させると同時に光学コラム下方の基板テーブル2上の基板を移動させることによって、使用されてもよい。自己放射コントラストデバイス4は、レンズ12、14、18が互いに実質的に整列されたときこれらのレンズを通じてビームを放つことができる。レンズ14、18を移動させることによって、基板上でのビームの像が基板の一部分を走査する。同時に光学コラム下方の基板テーブル2上の基板を移動させることによって、自己放射コントラストデバイス4の像にさらされる基板の当該部分も移動する。光学コラム又はその一部の回転を制御し、自己放射コントラストデバイス4の強度を制御し、且つ基板速度を制御するコントローラにより自己放射コントラストデバイス4の「オン」と「オフ」とを高速に切り換える制御をすることによって(例えば、「オフ」であるとき出力がないか、しきい値を下回る出力を有し、「オン」であるときしきい値を上回る出力を有する)、所望のパターンを基板上のレジスト層に結像することができる。   The illustrated apparatus may be used by rotating the frame 8 and simultaneously moving the substrate on the substrate table 2 below the optical column. The self-radiating contrast device 4 can emit a beam through the lenses 12, 14, 18 when they are substantially aligned with each other. By moving the lenses 14, 18, the image of the beam on the substrate scans a portion of the substrate. At the same time, by moving the substrate on the substrate table 2 below the optical column, the portion of the substrate exposed to the image of the self-radiating contrast device 4 is also moved. Control that switches the “on” and “off” of the self-radiating contrast device 4 at high speed by a controller that controls the rotation of the optical column or a part thereof, controls the intensity of the self-radiating contrast device 4, and controls the substrate speed. (Eg, having no output when it is “off” or having an output that is below the threshold and having an output that is above the threshold when “on”), the desired pattern on the substrate An image can be formed on the resist layer.

図2は、自己放射コントラストデバイス4を有する図1の装置の概略上面図である。図1に示す装置1と同様に、装置1は、基板17を保持する基板テーブル2と、基板テーブル2を最大6自由度で移動させる位置決め装置3と、自己放射コントラストデバイス4と基板17とのアライメントを決定し、自己放射コントラストデバイス4の投影に対して基板17が水平か否かを決定するためのアライメント/レベルセンサ19と、を備える。図示されるように基板17は矩形形状を有するが、追加的に又は代替的に円形の基板が処理されてもよい。   FIG. 2 is a schematic top view of the apparatus of FIG. 1 having a self-radiating contrast device 4. Similar to the apparatus 1 shown in FIG. 1, the apparatus 1 includes a substrate table 2 that holds a substrate 17, a positioning device 3 that moves the substrate table 2 with a maximum of 6 degrees of freedom, a self-radiation contrast device 4 and a substrate 17. An alignment / level sensor 19 for determining the alignment and for determining whether the substrate 17 is horizontal with respect to the projection of the self-radiating contrast device 4. As shown, the substrate 17 has a rectangular shape, but circular substrates may additionally or alternatively be processed.

自己放射コントラストデバイス4はフレーム15に配設されている。自己放射コントラストデバイス4は、放射発光ダイオード、例えばレーザダイオード、例えば青紫レーザダイオードであってもよい。図2に示されるように、自己放射コントラストデバイス4はXY面内に延在するアレイ21に配列されていてもよい。   The self-radiating contrast device 4 is arranged on the frame 15. The self-radiating contrast device 4 may be a radiant light emitting diode, for example a laser diode, for example a violet laser diode. As shown in FIG. 2, the self-radiating contrast devices 4 may be arranged in an array 21 extending in the XY plane.

アレイ21は細長い線であってもよい。ある実施の形態においては、アレイ21は、自己放射コントラストデバイス4の一次元配列であってもよい。ある実施の形態においては、アレイ21は、自己放射コントラストデバイス4の二次元配列であってもよい。   The array 21 may be an elongated line. In some embodiments, the array 21 may be a one-dimensional array of self-radiating contrast devices 4. In some embodiments, the array 21 may be a two-dimensional array of self-radiating contrast devices 4.

回転フレーム8が設けられていてもよく、これは、矢印で図示される方向に回転してもよい。回転フレームには、各自己放射コントラストデバイス4の像を与えるためのレンズ14、18(図1参照)が設けられていてもよい。本装置には、フレーム8及びレンズ14、18を備える光学コラムを基板に対して回転させるためのアクチュエータが設けられていてもよい。   A rotating frame 8 may be provided, which may rotate in the direction illustrated by the arrows. The rotating frame may be provided with lenses 14 and 18 (see FIG. 1) for providing an image of each self-radiating contrast device 4. This apparatus may be provided with an actuator for rotating an optical column including the frame 8 and the lenses 14 and 18 with respect to the substrate.

図3は、周辺部にレンズ14、18が設けられている回転フレーム8を高度に概略的に示す斜視図である。複数のビーム、本実施例では10本のビームが、それらレンズの一方へと入射し、基板テーブル2により保持された基板17のある目標部分に投影されている。ある実施の形態においては、複数のビームは直線に配列されている。回転可能フレームは、アクチュエータ(図示せず)によって軸10まわりに回転可能である。回転可能フレーム8の回転の結果として、ビームが一連のレンズ14、18(視野レンズ14及び結像レンズ18)に入射する。一連のレンズの各々に入射してビームは偏向され、それによりビームは基板17の表面の一部分に沿って動く。詳しくは図4を参照して後述する。ある実施の形態においては、各ビームは、対応する源によって、すなわち自己放射コントラストデバイス、例えばレーザダイオードによって、生成される(図3には図示せず)。図3に示される構成においては、ビームどうしの距離を小さくするために、それらビームはともに、あるセグメントミラー30によって偏向されかつ運ばれる。それによって、後述するように、より多数のビームを同一のレンズを通じて投影し、要求解像度を実現することができる。   FIG. 3 is a perspective view schematically showing the rotating frame 8 provided with lenses 14 and 18 in the peripheral portion. A plurality of beams, 10 beams in this embodiment, enter one of the lenses and are projected onto a target portion of the substrate 17 held by the substrate table 2. In one embodiment, the plurality of beams are arranged in a straight line. The rotatable frame can be rotated around the axis 10 by an actuator (not shown). As a result of the rotation of the rotatable frame 8, the beam is incident on a series of lenses 14, 18 (field lens 14 and imaging lens 18). Upon entering each of the series of lenses, the beam is deflected so that the beam moves along a portion of the surface of the substrate 17. Details will be described later with reference to FIG. In one embodiment, each beam is generated by a corresponding source, ie by a self-radiating contrast device, such as a laser diode (not shown in FIG. 3). In the configuration shown in FIG. 3, both beams are deflected and carried by a segment mirror 30 to reduce the distance between the beams. Thereby, as will be described later, a larger number of beams can be projected through the same lens to achieve the required resolution.

回転可能フレームが回転すると、ビームが連続する複数のレンズへと入射する。このときあるレンズがビームに照射されるたびに、レンズ表面上でビームが入射する場所が移動する。レンズ上のビーム入射場所に依存してビームが異なって(例えば、異なる偏向をもって)基板に投影されるので、(基板に到達する)ビームは後続のレンズが通過するたびに走査移動をすることになる。この原理について図4を参照して更に説明する。図4は、回転可能フレーム8の一部を高度に概略的に示す上面図である。第1ビームセットをB1と表記し、第2ビームセットをB2と表記し、第3ビームセットをB3と表記する。ビームセットのそれぞれが、回転可能フレーム8の対応するレンズセット14、18を通じて投影される。回転可能フレーム8が回転すると、複数ビームB1が基板17に投影され、走査移動によって領域A14を走査する。同様に、複数ビームB2は領域A24を走査し、複数ビームB3は領域A34を走査する。回転可能フレーム8の回転と同時に、対応するアクチュエータによって基板17及び基板テーブルが(図2に示すX軸に沿う方向であってもよい)方向Dに移動され、そうして領域A14、A24、A34におけるビームの走査方向に実質的に垂直に移動される。方向Dの第2のアクチュエータによる移動(例えば、対応する基板テーブルモータによる基板テーブルの移動)の結果、回転可能フレーム8の一連のレンズによって投影されるとき連続する複数回のビーム走査が互いに実質的に隣接するよう投影されて、実質的に隣接する領域A11、A12、A13、A14がビームB1の走査のたびに生じ(図4に示すように、領域A11、A12、A13は以前に走査され、領域A14は今回走査されている)、ビームB2については領域A21、A22、A23、A24が生じ(図4に示すように、領域A21、A22、A23は以前に走査され、領域A24は今回走査されている)、ビームB3については領域A31、A32、A33、A34が生じる(図4に示すように、領域A31、A32、A33は以前に走査され、領域A34は今回走査されている)。このようにして、基板表面の領域A1、A2、A3が、回転可能フレーム8を回転させる間に基板を方向Dに移動させることにより、覆われてもよい。多数のビームを同一のレンズを通じて投影することにより、(回転可能フレーム8をある同一の回転速度とすると)より短い時間で基板全体を処理することができる。レンズ通過のたびに各レンズにより基板を複数のビームが走査するので、連続する複数回の走査に際して方向Dの変位量を大きくすることができるからである。見方を変えると、多数のビームを同一のレンズを通じて基板に投影するとき、ある所与の処理時間における回転可能フレームの回転速度を小さくしてもよいということである。こうして、回転可能フレームの変形、摩耗、振動、乱流などといった高回転速度による影響を軽減してもよい。ある実施の形態においては、図4に示すように、複数のビームは、レンズ14、18の回転の接線に対してある角度をなして配列されている。ある実施の形態においては、複数のビームは、各ビームが重なるか、又は各ビームが隣接ビームの走査経路に隣接するように配列されている。   When the rotatable frame rotates, the beam enters a plurality of continuous lenses. At this time, each time a lens is irradiated with the beam, the place where the beam is incident on the lens surface moves. Depending on where the beam is incident on the lens, the beam is projected onto the substrate differently (eg with different deflections), so that the beam (which reaches the substrate) will be scanned each time a subsequent lens passes. Become. This principle will be further described with reference to FIG. FIG. 4 is a top view schematically showing a part of the rotatable frame 8 in a highly schematic manner. The first beam set is denoted as B1, the second beam set is denoted as B2, and the third beam set is denoted as B3. Each of the beam sets is projected through a corresponding lens set 14, 18 of the rotatable frame 8. When the rotatable frame 8 rotates, a plurality of beams B1 are projected onto the substrate 17, and the region A14 is scanned by scanning movement. Similarly, the plurality of beams B2 scans the region A24, and the plurality of beams B3 scans the region A34. Simultaneously with the rotation of the rotatable frame 8, the substrate 17 and the substrate table are moved in the direction D (which may be along the X axis shown in FIG. 2) by the corresponding actuators, so that the regions A 14, A 24, A 34. Is moved substantially perpendicular to the beam scanning direction. As a result of the movement by the second actuator in direction D (eg movement of the substrate table by the corresponding substrate table motor), successive multiple beam scans are substantially relative to each other as projected by the series of lenses of the rotatable frame 8. And substantially adjacent regions A11, A12, A13, A14 occur each time the beam B1 is scanned (as shown in FIG. 4, the regions A11, A12, A13 were previously scanned, Region A14 is scanned this time), and for beam B2, regions A21, A22, A23, A24 occur (as shown in FIG. 4, regions A21, A22, A23 have been scanned previously, and region A24 has been scanned this time). In the beam B3, regions A31, A32, A33, and A34 occur (as shown in FIG. 4, the regions A31, A32, 33 is scanned earlier, area A34 is scanned time). In this way, the areas A1, A2, A3 on the substrate surface may be covered by moving the substrate in direction D while rotating the rotatable frame 8. By projecting multiple beams through the same lens, the entire substrate can be processed in less time (assuming the rotatable frame 8 is at the same rotational speed). This is because a plurality of beams scan the substrate with each lens every time the lens passes, so that the amount of displacement in the direction D can be increased during a plurality of successive scans. In other words, when a large number of beams are projected onto the substrate through the same lens, the rotational speed of the rotatable frame at a given processing time may be reduced. In this way, the influence of high rotational speed such as deformation, wear, vibration, turbulence, etc. of the rotatable frame may be reduced. In one embodiment, as shown in FIG. 4, the plurality of beams are arranged at an angle with respect to the tangent of rotation of the lenses 14, 18. In some embodiments, the plurality of beams are arranged such that each beam overlaps or each beam is adjacent to the scanning path of adjacent beams.

多数のビームを一度に同一レンズにより投影する態様の更なる効果は、公差の緩和に見ることができる。レンズの公差(位置決め、光学投影など)があるために、連続する領域A11、A12、A13、A14(及び/または領域A21、A22、A23、A24及び/またはA31、A32、A33、A34)の位置には、互いの位置決めにいくらかの不正確さが現れ得る。したがって、連続する領域A11、A12、A13、A14間にいくらかの重なりが必要とされるかもしれない。1本のビームの例えば10%を重なりとする場合、同一レンズに一度にビームが一つであると、同様に10%の係数で処理速度が遅くなるであろう。一方、同一レンズを通じて一度に5本又はそれより多数のビームが投影される状況においては、(上記同様1本のビームについて)同じ10%の重なりが5本又はそれより多数の投影線ごとにあるとすると、重なりの総計は概ね5(又はそれより多数)分の1である2%(又はそれ未満)へと小さくなるであろう。これは、全体的な処理速度を顕著に小さくする効果をもつ。同様に、少なくとも10本のビームを投影することにより、重なりの総計をおよそ10分の1に小さくしうる。したがって、多数のビームを同時に同一レンズにより投影するという特徴によって、基板の処理時間に生じる公差の影響を小さくしうる。それに加えて又はそれに代えて、より大きな重なり(従って、より大きな公差幅)が許容されてもよい。一度に同一レンズにより多数のビームを投影するのであれば、重なりが処理に与える影響が小さいからである。   A further effect of the aspect of projecting multiple beams at once with the same lens can be seen in tolerance reduction. Due to lens tolerances (positioning, optical projection, etc.), the position of successive areas A11, A12, A13, A14 (and / or areas A21, A22, A23, A24 and / or A31, A32, A33, A34) Some inaccuracy may appear in the positioning of each other. Therefore, some overlap may be required between successive regions A11, A12, A13, A14. If, for example, 10% of one beam is overlapped, if there is one beam at a time on the same lens, the processing speed will be similarly reduced by a factor of 10%. On the other hand, in a situation where 5 or more beams are projected at the same time through the same lens, the same 10% overlap (for one beam as above) is every 5 or more projection lines. If so, the total overlap would be reduced to 2% (or less), which is roughly one fifth (or more). This has the effect of significantly reducing the overall processing speed. Similarly, by projecting at least 10 beams, the total overlap can be reduced to approximately one tenth. Therefore, the influence of tolerance generated in the processing time of the substrate can be reduced by the feature that a plurality of beams are simultaneously projected by the same lens. In addition or alternatively, a larger overlap (and thus a larger tolerance width) may be allowed. This is because if a large number of beams are projected at the same time by the same lens, the influence of the overlap on the processing is small.

多数のビームを同一レンズを通じて同時に投影することに代えて又はそれとともに、インタレース技術を使用することができるかもしれない。しかしながらそのためには、より厳格にレンズどうしを整合させることが必要になるかもしれない。従って、それらレンズのうち同一レンズを通じて一度に基板に投影される少なくとも2つのビームは相互間隔を有し、本装置は、その間隔の中に後続のビーム投影が投影されるように光学コラムに対して基板を移動させるよう第2アクチュエータを動作させるよう構成されていてもよい。   An interlace technique may be used instead of or in conjunction with simultaneously projecting multiple beams through the same lens. However, this may require more strict lens alignment. Accordingly, at least two beams projected onto the substrate at the same time through the same lens among these lenses have a mutual interval, and the apparatus is designed so that the subsequent beam projection is projected within the interval with respect to the optical column. The second actuator may be operated to move the substrate.

1つのグループにおいて連続するビームどうしの方向Dにおける距離を小さくするために(それによって、例えば方向Dに解像度を高くするために)、それらビームは方向Dに対して、互いに斜めに配列されていてもよい。そうした間隔は、各セグメントが複数ビームのうち対応する1つのビームを反射するセグメントミラー30を光路に設けることによって更に縮小されてもよい。それらセグメントは、それらミラーに入射するビームどうしの間隔よりもミラーで反射されたビームどうしの間隔を狭くするよう配設されている。そうした効果は、複数の光ファイバによっても実現しうる。この場合、ビームのそれぞれが複数ファイバのうち対応する1つのファイバに入射し、それらファイバが、光路に沿って光ファイバ上流側でのビームどうしの間隔よりも光ファイバ下流側でのビームどうしの間隔を狭くするよう配設されている。   In order to reduce the distance in the direction D between successive beams in one group (thus increasing the resolution in the direction D, for example), the beams are arranged obliquely with respect to the direction D. Also good. Such spacing may be further reduced by providing segment mirrors 30 in the optical path, each segment reflecting a corresponding one of the multiple beams. The segments are arranged so that the interval between the beams reflected by the mirrors is smaller than the interval between the beams incident on the mirrors. Such an effect can be realized by a plurality of optical fibers. In this case, each of the beams is incident on a corresponding one of the plurality of fibers, and the fibers are spaced apart from each other on the downstream side of the optical fiber rather than on the upstream side of the optical fiber along the optical path. Is arranged so as to narrow.

また、そうした効果は、複数ビームのうち対応する1つのビームを各々が受光する複数の入力を有する集積光学導波路回路を使用して実現されてもよい。この集積光学導波路回路は、光路に沿って集積光学導波路回路の上流側でのビームどうしの間隔よりも集積光学導波路回路の下流側でのビームどうしの間隔を狭くするよう構成されている。   Such an effect may also be realized using an integrated optical waveguide circuit having a plurality of inputs each receiving a corresponding one of the plurality of beams. The integrated optical waveguide circuit is configured such that the distance between the beams downstream of the integrated optical waveguide circuit is narrower than the distance between the beams upstream of the integrated optical waveguide circuit along the optical path. .

基板に投影される像のフォーカスを制御するためのシステムが設けられていてもよい。上述のある構成において、ある光学コラムの部分又は全体により投影される像のフォーカスを調整するための構成が設けられていてもよい。   A system for controlling the focus of the image projected onto the substrate may be provided. In the above-described configuration, a configuration for adjusting the focus of an image projected by a part or the whole of a certain optical column may be provided.

ある実施の形態においては、投影系は、少なくとも1つの放射ビームを、デバイスが形成されるべき基板17の上方にある材料層で形成された基板へと、レーザ誘起材料移動により材料(例えば金属)の滴の局所的な堆積を生じさせるように、投影する。   In certain embodiments, the projection system may cause the material (eg, metal) by laser-induced material transfer by transferring at least one radiation beam to a substrate formed of a material layer above the substrate 17 on which the device is to be formed. Project to produce a local accumulation of droplets.

図5を参照するに、レーザ誘起材料移動の物理的なメカニズムが示されている。ある実施の形態においては、放射ビーム200は、実質的に透明な材料202(例えばガラス)を通じて材料202のプラズマ着火に満たない強度で集束されている。表面熱吸収が、材料202を覆う供与材料層204(例えば金属フィルム)から形成される基板に生じる。この熱吸収によって供与材料204が溶ける。また、加熱によって、誘起圧力勾配が前進方向に生じ、これは供与材料層204からの、従って供与構造体(例えばプレート)208からの供与材料滴206の前進加速をもたらす。故に、供与材料滴206は供与材料層204から解放され、デバイスが形成されるべき基板17に向けて当該基板上に(重力の支援の有無によらず)移動される。ビーム200を供与プレート208上の適切な位置に当てることにより、供与材料パターンを基板17上に成膜することができる。ある実施の形態においては、ビームは供与材料層204に集束される。   Referring to FIG. 5, the physical mechanism of laser-induced material transfer is shown. In some embodiments, the radiation beam 200 is focused through a substantially transparent material 202 (eg, glass) with an intensity that is less than the plasma ignition of the material 202. Surface heat absorption occurs in a substrate formed from a donor material layer 204 (eg, a metal film) overlying material 202. This heat absorption causes the donor material 204 to melt. Heating also causes an induced pressure gradient in the forward direction that results in forward acceleration of the donor material drop 206 from the donor material layer 204, and thus from the donor structure (eg, plate) 208. Hence, the donor material drop 206 is released from the donor material layer 204 and moved onto the substrate (with or without gravity assistance) toward the substrate 17 on which the device is to be formed. By applying the beam 200 to the appropriate location on the donor plate 208, the donor material pattern can be deposited on the substrate 17. In some embodiments, the beam is focused on the donor material layer 204.

ある実施の形態においては、1つ又は複数の短いパルスを使用して供与材料の輸送が行われる。ある実施の形態においては、これらのパルスは、準一次元の前進加熱及び溶融材料の質量移動を得るための数ピコ秒又は数フェムト秒の長さであってもよい。このような短パルスは材料層204における横方向の熱流れをほとんど又はまったく促進しないので、供与構造体208にほとんど又はまったく熱負荷は生じない。この短パルスは、材料の急速溶融及び前進加速を可能とする(例えば、金属のような材料が気化された場合、スパッタ成膜をもたらす前進方向性は失われるであろう)。短パルスは、その加熱温度より僅かに高く気化温度より低い材料加熱を可能とする。例えばアルミニウムの場合、およそ摂氏900ないし1000度の温度が望ましい。   In some embodiments, one or more short pulses are used to transport the donor material. In some embodiments, these pulses may be several picoseconds or several femtoseconds long to obtain quasi-one-dimensional forward heating and mass transfer of the molten material. Such short pulses cause little or no lateral heat flow in the material layer 204 so that there is little or no heat load on the donor structure 208. This short pulse allows for rapid melting and forward acceleration of the material (e.g., if the material such as metal is vaporized, the forward directionality resulting in sputter deposition will be lost). Short pulses allow material heating slightly above its heating temperature and below its vaporization temperature. For example, in the case of aluminum, a temperature of approximately 900 to 1000 degrees Celsius is desirable.

ある実施の形態においては、レーザパルスの使用によって、ある量の材料(例えば金属)が供与構造体208から基板17へと100nmないし1000nmの滴状に転写される。ある実施の形態においては、供与材料は、金属を備え、または実質的に金属からなる。ある実施の形態においては、金属は、アルミニウムである。ある実施の形態においては、材料層204はフィルム状である。ある実施の形態においては、フィルムは他の本体または層に付着されている。上述のように、本体または層はガラスであってもよい。   In some embodiments, a quantity of material (eg, metal) is transferred from donor structure 208 to substrate 17 in the form of 100 nm to 1000 nm droplets by use of laser pulses. In certain embodiments, the donor material comprises or consists essentially of a metal. In some embodiments, the metal is aluminum. In some embodiments, the material layer 204 is film-like. In some embodiments, the film is attached to another body or layer. As mentioned above, the body or layer may be glass.

上述のように、搬入時に柔軟性基板に作用する応力はディストーション及び/またはオーバレイ誤差の原因となり得る。   As described above, the stress acting on the flexible substrate during loading can cause distortion and / or overlay error.

ある実施の形態においては、基板運搬部から基板支持部へ基板を漸進的に移送することによって、応力が低減される。ある実施の形態においては、当該移送は、支持部に搬入されている基板の領域と支持部にまだ搬入されていない基板の領域とを分ける境界線が搬入プロセスの間実質的に直線であり続けるようにして行われる。実質的に直線の境界線を維持することは、実質的に無応力の状態で基板を搬入し、それによりディストーション及び/またはオーバレイ誤差を低減または最小化することを保証するのに役立つ。   In some embodiments, stress is reduced by progressively transferring the substrate from the substrate transport to the substrate support. In certain embodiments, the transfer continues to be substantially straight during the loading process, with the boundary separating the area of the substrate loaded into the support and the area of the substrate not yet loaded into the support. This is done. Maintaining a substantially straight boundary helps to ensure that the substrate is loaded in a substantially unstressed state, thereby reducing or minimizing distortion and / or overlay errors.

ある実施の形態においては、搬入プロセスの間、基板が湾曲される。ある実施の形態においては、当該湾曲は、ある1つの曲率半径または複数の曲率半径から記述可能であり、これらは相互に実質的に平行でありかつ上記境界線にも実質的に平行である複数の軸に対し定義される。ある実施の形態においては、搬入プロセスの終了時に基板が搬入されることとなる支持部表面のすべての部分が搬入プロセスの間実質的に同一平面上にあり続ける。図6ないし図14はこの種の例示的な実施形態を示す。   In certain embodiments, the substrate is curved during the loading process. In certain embodiments, the curvature can be described from a radius of curvature or a plurality of radii of curvature, which are substantially parallel to each other and substantially parallel to the boundary line. Defined for the axis. In one embodiment, all portions of the support surface where the substrate will be loaded at the end of the loading process remain substantially coplanar during the loading process. 6 to 14 show such an exemplary embodiment.

図6は、基板38が基板運搬部40から支持部42へと搬入されている構成を示す。支持部42に搬入された基板38の部分は平面状(平坦)である。基板38が支持部42から離れて湾曲し始めるところの直線45は、支持部42に搬入されている基板38の領域とまだ搬入されていない基板38の領域とを分ける境界線45である。図示される実施の形態の向きにおいては境界線45は紙面に実質的に垂直である。図示される実施の形態においては、基板38が搬入されることとなる支持部表面の部分は、上面43である。しかし、これは自由に選択できる。ある他の実施形態においては、基板38が搬入されることとなる支持部表面の部分は、異なる向きを有してもよい。ある実施の形態においては、基板38が接触しうる支持部表面のすべての部分が実質的に同一平面上にある。   FIG. 6 shows a configuration in which the substrate 38 is carried from the substrate transport unit 40 to the support unit 42. The portion of the substrate 38 carried into the support portion 42 is planar (flat). A straight line 45 where the substrate 38 starts to bend away from the support portion 42 is a boundary line 45 that divides the region of the substrate 38 carried into the support portion 42 and the region of the substrate 38 not yet carried in. In the orientation of the illustrated embodiment, the boundary line 45 is substantially perpendicular to the page. In the illustrated embodiment, the portion of the surface of the support portion into which the substrate 38 is carried is the upper surface 43. However, this can be chosen freely. In certain other embodiments, the portion of the support surface into which the substrate 38 will be loaded may have a different orientation. In some embodiments, all portions of the support surface that the substrate 38 can contact are substantially coplanar.

ある実施の形態においては、移送要素44が基板38を基板運搬部40から離脱させるために設けられている。ある実施の形態においては、移送要素44は、基板38が搬入されることとなる支持部表面43の部分の平面に実質的に平行であり境界線45の方向に実質的に垂直である方向46に移動するよう構成されている。ある実施の形態においては、移送要素44は、この移動の間に基板を基板運搬部40から離して支持部42へと動かすために(例えば基板を押し込み及び/または引き出すよう)基板38の一部分と係合するよう構成されている。   In some embodiments, a transfer element 44 is provided for detaching the substrate 38 from the substrate transport 40. In one embodiment, the transfer element 44 is in a direction 46 that is substantially parallel to the plane of the portion of the support surface 43 into which the substrate 38 is to be loaded and substantially perpendicular to the direction of the boundary 45. Configured to move to. In some embodiments, the transfer element 44 may include a portion of the substrate 38 to move the substrate away from the substrate transport 40 and move to the support 42 during this movement (eg, to push and / or pull the substrate). It is configured to engage.

図6の構成においては、基板運搬部40は、一組のガスベアリング52(例えばエアベアリング)を備える。ガスベアリング52はそれぞれ、ガス流れ50をガスベアリング52間の空間へと案内する1以上のガス出口48を備える。ガス流れは、ガスベアリング52間の隙間において非接触に基板38を保持するものである。ある実施の形態においては、ガスベアリングは、ガス流れがガスベアリング間の隙間からの基板38の移動方向と反対の力成分54を与えるよう構成されている。よってガス流れにより与えられる力54は、移送プロセスの間基板38に張力を維持するのに役立つ。張力を維持することは、搬入中に基板38の形状を維持することに役立ち、及び/または、座屈またはその他の予期しない可変の挙動を防止する。ある実施の形態においては、力成分54は、力54の方向に向けて1以上のガス出口48を傾斜させることによって与えられる。   In the configuration of FIG. 6, the substrate transport unit 40 includes a set of gas bearings 52 (for example, air bearings). Each gas bearing 52 includes one or more gas outlets 48 that guide the gas flow 50 into the space between the gas bearings 52. The gas flow is to hold the substrate 38 in a non-contact manner in the gap between the gas bearings 52. In one embodiment, the gas bearing is configured such that the gas flow provides a force component 54 opposite to the direction of movement of the substrate 38 from the gap between the gas bearings. Thus, the force 54 provided by the gas flow helps maintain tension on the substrate 38 during the transfer process. Maintaining tension helps to maintain the shape of the substrate 38 during loading and / or prevents buckling or other unexpected variable behavior. In some embodiments, force component 54 is provided by inclining one or more gas outlets 48 toward the direction of force 54.

ある実施の形態においては、移送要素44は、境界線に平行に位置する湾曲軸まわりに湾曲される基板38の一部分に対してガス流れ59を向けるよう構成されているガスベアリング部材を備える。図6は、こうした実施形態の一例を示す。この例においては、ガスベアリング部材は、移送要素44の領域における基板38の予測される湾曲に形状が一致する外面57を有する筐体により実現されている。1以上のガスベアリング出口58がガス流れ59を基板38と筐体の外面57との間の領域へと向けるために設けられている。この実施形態においては、外面57は、使用時に移送要素44が係合する基板38の部分の大半について外面57と基板38との距離が概ね一定であるよう構成されている。この構成は、移送要素44が例えば効率的なガスベアリング特性を最小のガス流れで構築するのに役立つ。ある実施の形態においては、基板38は、使用時に移送要素44が係合する基板38の部分の大半について実質的に一定の曲率半径を有する。このような実施形態においては、基板38に面するほうの外面57の片側は少なくとも、実質的に円筒形状であってもよい。図示される例においては、外面57の全体が円筒形状である。ある他の実施形態においては、異なる表面形状が採用されてもよい。ある実施の形態においては、外面57は細長く、境界線45に実質的に平行な細長軸を有する。ガス流れ59は、この例では半径方向外向きに向けられているが、他の構造も可能である。   In one embodiment, the transfer element 44 comprises a gas bearing member configured to direct the gas flow 59 against a portion of the substrate 38 that is curved about a curved axis located parallel to the boundary. FIG. 6 shows an example of such an embodiment. In this example, the gas bearing member is realized by a housing having an outer surface 57 whose shape matches the expected curvature of the substrate 38 in the region of the transfer element 44. One or more gas bearing outlets 58 are provided to direct the gas flow 59 to the region between the substrate 38 and the outer surface 57 of the housing. In this embodiment, the outer surface 57 is configured such that the distance between the outer surface 57 and the substrate 38 is generally constant for most of the portion of the substrate 38 that the transfer element 44 engages in use. This configuration helps the transfer element 44 to build, for example, efficient gas bearing characteristics with minimal gas flow. In certain embodiments, the substrate 38 has a substantially constant radius of curvature for the majority of the portion of the substrate 38 that the transfer element 44 engages in use. In such an embodiment, at least one side of the outer surface 57 facing the substrate 38 may be at least substantially cylindrical. In the illustrated example, the entire outer surface 57 has a cylindrical shape. In certain other embodiments, different surface shapes may be employed. In one embodiment, the outer surface 57 is elongated and has an elongated axis that is substantially parallel to the boundary line 45. The gas flow 59 is directed radially outward in this example, but other configurations are possible.

ある実施の形態においては、移送要素44は、搬入プロセスの間に支持部42に最初に搬入される基板の部分(図6の実施形態においては先端47)から遠ざかるように移動するよう構成されている。このようにして、支持部42により(例えば真空クランプシステムにより)基板38に与えられる保持力は、望ましい張力を(例えば基板運搬部のガスベアリングにおけるガス流れにより与えられる力成分54との組み合わせにおいて)搬入中に基板38にもらたすことができる。   In one embodiment, the transfer element 44 is configured to move away from the portion of the substrate that is initially loaded into the support 42 during the loading process (tip 47 in the embodiment of FIG. 6). Yes. In this way, the holding force applied to the substrate 38 by the support 42 (eg, by a vacuum clamping system) provides the desired tension (eg, in combination with the force component 54 provided by the gas flow in the gas bearing of the substrate transport). It can be given to the substrate 38 during loading.

ある実施の形態においては、支持部42は、真空クランプを備える。図6の実施形態においては、真空クランプは、複数の真空クランプ入口60を使用して実現されている。入口60へのガス流れ61は、大気圧より低い圧力(すなわち部分真空)を支持部表面43上方にて入口60に隣接する領域に維持する。基板38が入口61上方の位置にもたらされるとき、基板38は部分真空によって支持部表面43に対し保持される。   In some embodiments, the support 42 includes a vacuum clamp. In the embodiment of FIG. 6, the vacuum clamp is implemented using multiple vacuum clamp inlets 60. The gas flow 61 to the inlet 60 maintains a pressure below atmospheric pressure (ie, a partial vacuum) in the region adjacent to the inlet 60 above the support surface 43. When the substrate 38 is brought to a position above the inlet 61, the substrate 38 is held against the support surface 43 by a partial vacuum.

図7は、移送要素44の構成を除いて図6の実施形態と同様である実施の形態を示す。図6の移送要素44とは異なり、図7の移送要素44は、基板38との間により大きな空間を隔てた外面を有しており、基板38と同一形状を有する必要はない。移送要素44と基板38との間のガス流れは、図6の移送要素44における基板38と筐体の外面57との間でのガス流れに比べると、実質的に自由である(拘束されない)。この形式の実施形態においては、ガスの総流量は図6の例よりも大きくなりうる。ある実施の形態においては、基板38の形状は、(基板38の構造特性と移送要素44の支持特性との組み合わせによって、または、移送要素44の支持特性のみによって、または、主として移送要素44の支持特性によって、というよりも、)基板38の構造特性のみによって、または、主として基板38の構造特性によって、維持される。このような実施形態においては、移送要素44の唯一または主要な機能は、基板38を運搬部40から移送し支持部42へと搬入する力を与えることにある。ある実施の形態においては、移送要素44は、ガス流れ59を与える単一のノズルを備える。ある実施の形態においては、当該単一のノズルは外向きに広がっている。ある実施の形態においては、複数のノズルが所望のガス流れを保証するのに役立つよう設けられている。   FIG. 7 shows an embodiment that is similar to the embodiment of FIG. 6 except for the configuration of the transfer element 44. Unlike the transfer element 44 of FIG. 6, the transfer element 44 of FIG. 7 has an outer surface with a larger space from the substrate 38 and need not have the same shape as the substrate 38. The gas flow between the transfer element 44 and the substrate 38 is substantially free (unconstrained) compared to the gas flow between the substrate 38 and the outer surface 57 of the housing in the transfer element 44 of FIG. . In this type of embodiment, the total gas flow rate can be greater than the example of FIG. In some embodiments, the shape of the substrate 38 is determined by the combination of the structural characteristics of the substrate 38 and the support characteristics of the transfer element 44, or by the support characteristics of the transfer element 44 only, or primarily It is maintained only by the structural characteristics of the substrate 38, or primarily by the structural characteristics of the substrate 38, rather than by the characteristics. In such embodiments, the sole or primary function of the transfer element 44 is to provide a force to transfer the substrate 38 from the transport 40 and into the support 42. In certain embodiments, the transfer element 44 comprises a single nozzle that provides a gas flow 59. In some embodiments, the single nozzle extends outward. In some embodiments, a plurality of nozzles are provided to help ensure the desired gas flow.

使用される特定の基板38の物理特性、及びそれが搬入されるのに必要な速度に依存して、移送要素44は特定の構成(例えば、外面57の形状、出口やノズルの配列、ガス流量など)を有する。   Depending on the physical characteristics of the particular substrate 38 being used and the speed required to carry it in, the transfer element 44 may have a particular configuration (eg, the shape of the outer surface 57, the arrangement of outlets and nozzles, gas flow rate, etc. Etc.).

図6及び図7に示される形式の実施形態においては、運搬部40から支持部42へと移送されると基板38が裏返しになる。図示される配置においては、運搬部40において上を向く基板38の表面が、搬入されると下を向いている。ある実施の形態においては、移送要素44は、裏返しをしないよう構成されている。ある実施の形態においては、運搬部における基板の配置が搬入されたときの基板の配置と平行ではない。   In the embodiment of the type shown in FIGS. 6 and 7, the substrate 38 is turned over when transferred from the transport 40 to the support 42. In the illustrated arrangement, the surface of the substrate 38 facing upward in the transporting section 40 faces downward when it is loaded. In some embodiments, the transfer element 44 is configured not to be turned over. In an embodiment, the arrangement of the substrate in the transport unit is not parallel to the arrangement of the substrate when it is loaded.

基板を裏返さない構成の一例を図8に示す。ここで、移送要素44は、第1ガスベアリング要素44A及び第2ガスベアリング要素44Bを備える。基板38は、2つのガスベアリング要素の間を通る。ある実施の形態においては、第1ガスベアリング部材44Aは、境界線45に実質的に平行である湾曲軸まわりに第1状態に湾曲される基板38の一部分に対してガス流れを向け、第2ガスベアリング部材44Bは、反対の状態に湾曲される基板38の一部分に対してガス流れを向ける。よって、一組のガスベアリング部材は、基板を裏返すことなく湾曲させて基板38を支持部に与えることができる。ある実施の形態においては、第1ガスベアリング部材44Aと係合しているときに基板が湾曲する角度は、第2ガスベアリング部材44Bと係合しているときに基板が湾曲する角度と等しくかつ反対である(そのため合計の角度はゼロである)。   An example of a configuration in which the substrate is not turned over is shown in FIG. Here, the transfer element 44 includes a first gas bearing element 44A and a second gas bearing element 44B. The substrate 38 passes between the two gas bearing elements. In one embodiment, the first gas bearing member 44A directs gas flow against a portion of the substrate 38 that is curved in a first state about a curved axis that is substantially parallel to the boundary 45, and the second The gas bearing member 44B directs the gas flow against a portion of the substrate 38 that is curved in the opposite state. Therefore, the set of gas bearing members can be bent without turning the substrate over to give the substrate 38 to the support portion. In some embodiments, the angle at which the substrate curves when engaged with the first gas bearing member 44A is equal to the angle at which the substrate curves when engaged with the second gas bearing member 44B; The opposite (so the total angle is zero).

図9は、一組のガスベアリング52間に基板38を支持するのではなく、基板運搬部40が真空クランプ56を使用して基板38を保持することを除いて、図8と同様である例示的な実施形態を示す。図示される実施形態においては、真空クランプ56は、複数の真空クランプ入口77を使用する。ある実施の形態においては、真空クランプ入口77は、図6を参照して上述した真空クランプ入口60と類似の動作をする。   FIG. 9 is similar to FIG. 8 except that the substrate transporter 40 uses a vacuum clamp 56 to hold the substrate 38 instead of supporting the substrate 38 between a set of gas bearings 52. An exemplary embodiment is shown. In the illustrated embodiment, the vacuum clamp 56 uses a plurality of vacuum clamp inlets 77. In some embodiments, the vacuum clamp inlet 77 operates similarly to the vacuum clamp inlet 60 described above with reference to FIG.

ある実施の形態においては、ガスベアリング部材44A、44Bの軸は支持部表面43から実質的に等距離にある。図8及び図9はこの形式の実施形態を示す。ある実施の形態においては、ガスベアリング部材44A、44Bの軸は支持部表面から等距離ではない。図10及び図11はこの形式の例示的な実施形態を示す。図10の実施形態は、図6の移送要素44と同じ形式のガスベアリング部材44A、44Bを使用する。図11の実施形態は、図7の移送要素44と同じ形式のガスベアリング部材44A、44Bを使用する。両方の実施形態において、基板38の経路において先にある(すなわち、図示される構成において運搬部40に近い)ガスベアリング部材44Aが、他方のガスベアリング部材44Bよりも高いところにある。ガスベアリング部材それぞれが支持部表面43から異なる間隔を有するよう配置することは、運搬部40から支持部表面43への基板38の経路形状の制御に柔軟性を与える。基板経路において先にあるガスベアリング部材44Aのほうが支持部表面43からの間隔が大きくなるよう配置することは、基板42から運搬部40までの間隔を増すことに役立ち、これはスペースが限られている場合及び/またはさもなければ支持部表面43の領域への構成要素の近接を最小化することが望まれる場合に便利でありうる。   In some embodiments, the axes of the gas bearing members 44A, 44B are substantially equidistant from the support surface 43. 8 and 9 show this type of embodiment. In some embodiments, the axes of the gas bearing members 44A, 44B are not equidistant from the support surface. 10 and 11 show an exemplary embodiment of this type. The embodiment of FIG. 10 uses gas bearing members 44A, 44B of the same type as the transfer element 44 of FIG. The embodiment of FIG. 11 uses gas bearing members 44A, 44B of the same type as the transfer element 44 of FIG. In both embodiments, the gas bearing member 44A that is earlier in the path of the substrate 38 (ie, closer to the transport 40 in the illustrated configuration) is higher than the other gas bearing member 44B. Arranging the gas bearing members so as to have different distances from the support surface 43 gives flexibility in controlling the path shape of the substrate 38 from the transport portion 40 to the support surface 43. Arranging the gas bearing member 44A ahead in the substrate path so that the distance from the support surface 43 is larger helps to increase the distance from the substrate 42 to the transport unit 40, which limits the space. It may be convenient if and / or otherwise it is desired to minimize the proximity of the component to the region of the support surface 43.

図8ないし図11を参照して上述した実施形態のいずれかにおいては、ガスベアリング部材44A、44Bのうちいずれか一方は、図6に示される形式の移送要素44、または図7に示される形式の移送要素44を使用して任意の組み合わせで実現されてもよい。   In any of the embodiments described above with reference to FIGS. 8-11, either one of the gas bearing members 44A, 44B is a transfer element 44 of the type shown in FIG. 6 or the type shown in FIG. May be realized in any combination using the transport elements 44.

図12は、基板38を支持部42に搬入する更なる手法を示す。この形式の実施形態においては、基板38が基板運搬部によって湾曲した状態で保持される。この湾曲状態は、基板長さの全体または一部分に沿って基板38が湾曲された状態を表す。ある実施の形態においては、当該湾曲状態における基板38の湾曲は、各々が互いに実質的に平行である1以上の湾曲軸に関する1以上の曲率半径から記述可能である。ある実施の形態においては、運搬部は、湾曲された基板38を支持部42へと、当該基板が支持部42上で平面状に搬入された状態へと自由に変形するように(70)、解放するよう構成されている。ある実施の形態においては、当該変形は、支持部42に最初に接触し及び/または(クランプ力が支持部によって与えられる場合)支持部に対し最初にクランプされる基板38の点から始まって、漸進的に生じる。ある実施の形態においては、自由に変形している基板38の部分に作用する唯一の外力は、重力であり、及び/または、既に支持部42に搬入された基板38の1以上の部分から伝わる力である。ある実施の形態においては、湾曲状態は、巻き取られた状態であり、基板38の湾曲は360度を上回る。こうした実施形態における自由変形のプロセスは、展開プロセスと記述されうる。自由変形プロセス及び/または展開プロセス(搬入プロセス)の間、支持部42に既に搬入されている基板38の領域(すなわち、既に平面状態である領域)とまだ支持部に搬入されていない基板の領域とを分ける境界線45は搬入プロセスの間実質的に直線であり続ける。ある実施の形態においては、自由変形プロセス及び/または展開プロセスは、重力によって、及び/または、基板に基板運搬部によって与えられる線運動量及び/または角運動量によって、駆動される。   FIG. 12 shows a further technique for carrying the substrate 38 into the support portion 42. In this type of embodiment, the substrate 38 is held in a curved state by the substrate carrier. This curved state represents a state where the substrate 38 is curved along the whole or a part of the substrate length. In certain embodiments, the curvature of the substrate 38 in the curved state can be described from one or more radii of curvature with respect to one or more curvature axes, each substantially parallel to each other. In one embodiment, the transport section is free to deform the curved substrate 38 into the support section 42 and into a state in which the substrate is loaded flat on the support section 42 (70), Configured to release. In certain embodiments, the deformation begins at the point of the substrate 38 that first contacts the support 42 and / or is initially clamped to the support (if a clamping force is provided by the support), It occurs gradually. In some embodiments, the only external force acting on the freely deforming portion of the substrate 38 is gravity and / or transmitted from one or more portions of the substrate 38 that are already loaded into the support 42. It is power. In some embodiments, the curved state is a rolled up state and the substrate 38 has a curvature greater than 360 degrees. The process of free deformation in such an embodiment can be described as a deployment process. During the free deformation process and / or the unfolding process (carrying-in process), the area of the substrate 38 that has already been carried into the support part 42 (ie the area that is already in a planar state) and the area of the substrate that has not yet been carried into the support part The boundary line 45 separating the two remains substantially straight during the loading process. In certain embodiments, the free deformation process and / or deployment process is driven by gravity and / or by linear and / or angular momentum imparted to the substrate by the substrate transport.

図13は、基板38を支持部42に搬入する更なる手法を示す。この形式の実施形態においては、基板運搬部40は、真空クランプを使用して基板38を保持するよう構成されている。図示される例においては、真空クランプは、複数の真空クランプ入口62を使用して実現されている。図示される例においては、基板運搬部40は、平面状の表面に対し基板38を保持する。しかし、ある実施の形態においては、他の表面外形、例えば湾曲した領域を備える外形が使用される。   FIG. 13 shows a further method for carrying the substrate 38 into the support portion 42. In this type of embodiment, the substrate transport 40 is configured to hold the substrate 38 using a vacuum clamp. In the illustrated example, the vacuum clamp is implemented using a plurality of vacuum clamp inlets 62. In the illustrated example, the substrate transporter 40 holds the substrate 38 against a planar surface. However, in some embodiments, other surface contours are used, such as contours with curved areas.

ある実施の形態においては、運搬部40の真空クランプは、搬入プロセスの間に真空(従ってクランプ力)が漸進的に除去されるように制御される。ある実施の形態においては、クランプの漸進的除去は、2つの分離された領域を備える運搬部40の表面をもたらす。すなわち、クランプが動作している領域64と、クランプが動作していない(または、重力に抗して基板38を保持するほどには十分に動作していない)領域66とである。これら2つの領域を分ける線は、基板38が支持部42上に落下(70)し始める点の近傍に位置する。図示される例においては、支持部42にも真空クランプが設けられている。ある実施の形態においては、支持部真空クランプは、複数の真空クランプ入口68を使用して実現されている。ある実施の形態においては、真空クランプ入口68も漸進的に活性化されてもよい。ある実施の形態においては、真空クランプ入口68の漸進的活性化は、真空クランプ入口62の漸進的非活性化と連動する。搬入が進むにつれて、領域66が右方へ広がり、領域64が左方から縮小する。   In some embodiments, the vacuum clamp of the transport 40 is controlled so that the vacuum (and thus the clamping force) is progressively removed during the loading process. In certain embodiments, the gradual removal of the clamp results in a surface of the transport 40 that comprises two separate regions. That is, an area 64 where the clamp is operating and an area 66 where the clamp is not operating (or not operating enough to hold the substrate 38 against gravity). The line dividing these two regions is located in the vicinity of the point where the substrate 38 starts to fall (70) on the support 42. In the illustrated example, the support 42 is also provided with a vacuum clamp. In one embodiment, the support vacuum clamp is implemented using a plurality of vacuum clamp inlets 68. In certain embodiments, the vacuum clamp inlet 68 may also be progressively activated. In certain embodiments, the progressive activation of the vacuum clamp inlet 68 is coupled with the progressive deactivation of the vacuum clamp inlet 62. As the carry-in proceeds, the region 66 expands to the right and the region 64 shrinks from the left.

図14は、基板38を支持部42に搬入する更なる手法を示す。この形式の実施形態においては、支持部42には、複数のガスベアリング出口72が設けられている。ガスベアリング出口72は基板を支持部42から離して保持するよう構成されている(すなわち、支持部42は基板から隔てられ非接触である)。ある実施の形態においては、基板38の全部が支持部42から離れて保持されるとき、基板38は横方向に容易に変位させられることができる。よって支持部42は、基板38の全部が支持部42から離れて保持されるとき基板運搬部として動作する。   FIG. 14 shows a further method for carrying the substrate 38 into the support portion 42. In the embodiment of this type, the support portion 42 is provided with a plurality of gas bearing outlets 72. The gas bearing outlet 72 is configured to hold the substrate away from the support 42 (ie, the support 42 is separated from the substrate and is non-contacting). In some embodiments, the substrate 38 can be easily displaced laterally when all of the substrate 38 is held away from the support 42. Therefore, the support portion 42 operates as a substrate transport portion when the entire substrate 38 is held away from the support portion 42.

図14に示される構成においては、基板38の右手部分が支持部42から離れて保持され、基板38の左手部分が支持部42に対し搬入されている。矢印70は、基板が支持部42に移送されている移行領域を表す。ある実施の形態においては、本装置は、基板38を支持部42へと漸進的に落下させるようにガスベアリング出口72の駆動を漸進的に(つまり左から右へ)停止するよう構成されている。ある実施の形態においては、図14の例に示されるように、支持部42には、基板38を支持部42に対し保持する真空クランプがさらに設けられていてもよい。ある実施の形態においては、真空クランプは、複数の真空クランプ入口68を使用して実現されている。ある実施の形態においては、真空クランプ入口68の駆動は、基板38を支持部42へと漸進的に移送するようガスベアリング出口72の駆動と連動する。ある実施の形態においては、隣接するガスベアリング出口72がオフに切り替えられている間は真空クランプ入口68がオンに切り替えられる。図14に示される構成においては、例えば、基板が搬入されている(支持部42に接触する)領域76において、ガスベアリング出口72がオフに切り替えられている間は真空クランプ入口68がオンに切り替えられる。基板がまだ搬入されていない(支持部42から離れて保持されている)領域74においては、ガスベアリング出口72がオンに切り替えられている間は真空クランプ入口68がオフに切り替えられる。搬入が進むにつれて、領域76が右方へ広がり、領域74が左方から縮小する。   In the configuration shown in FIG. 14, the right hand portion of the substrate 38 is held away from the support portion 42, and the left hand portion of the substrate 38 is carried into the support portion 42. An arrow 70 represents a transition area where the substrate is transferred to the support 42. In certain embodiments, the apparatus is configured to progressively stop (ie, from left to right) driving of the gas bearing outlet 72 to cause the substrate 38 to fall progressively onto the support 42. . In an embodiment, as shown in the example of FIG. 14, the support portion 42 may be further provided with a vacuum clamp that holds the substrate 38 against the support portion 42. In some embodiments, the vacuum clamp is implemented using a plurality of vacuum clamp inlets 68. In certain embodiments, driving the vacuum clamp inlet 68 is coupled to driving the gas bearing outlet 72 to progressively transfer the substrate 38 to the support 42. In one embodiment, the vacuum clamp inlet 68 is switched on while the adjacent gas bearing outlet 72 is switched off. In the configuration shown in FIG. 14, for example, in the region 76 where the substrate is loaded (contacts the support portion 42), the vacuum clamp inlet 68 is switched on while the gas bearing outlet 72 is switched off. It is done. In the region 74 where the substrate has not yet been loaded (held away from the support 42), the vacuum clamp inlet 68 is switched off while the gas bearing outlet 72 is switched on. As the carry-in progresses, the region 76 expands to the right and the region 74 shrinks from the left.

図6ないし図14を参照して上述した実施形態においては、湾曲した基板を平面状の支持部表面に接触させることによって直線境界線45が実現されている。ある実施の形態においては、直線境界線45は、湾曲を有する支持部表面、または、互いに対して角度をもつことのできる部分(支持部材)に分割されている支持部表面を使用して実現される。ある実施の形態においては、基板は、搬入プロセスの間実質的に全体的に平面状に維持される。こうした実施形態の一例においては、搬入プロセスの終了時に基板が搬入されることとなる支持部表面のうち少なくとも一部分が搬入プロセスの終了時に基板が搬入されることとなる支持部表面のうち少なくとも他の一部分とは搬入プロセスの間の少なくとも一部において同一平面上にない。   In the embodiment described above with reference to FIGS. 6 to 14, the straight boundary line 45 is realized by bringing the curved substrate into contact with the planar support surface. In one embodiment, the straight boundary 45 is implemented using a support surface that is curved or divided into portions that can be angled relative to each other (support members). The In some embodiments, the substrate is maintained substantially planar during the loading process. In one example of such an embodiment, at least a portion of the support portion surface from which the substrate will be loaded at the end of the carry-in process is at least another of the support portion surfaces from which the substrate is loaded at the end of the carry-in process. The part is not coplanar at least partly during the loading process.

図15ないし図17は、支持部が複数の支持部材82を備える例示的な実施形態を示す。支持部材82は、移動可能であり、支持部材82が移動させられることができる位置の範囲のうち少なくとも一部分について、互いに対して角度を有することができる。ある実施の形態においては、本装置は、支持部材駆動システム81を備える。ある実施の形態においては、支持部材駆動システム81は、基板38が支持部材82に接触させられうる位置範囲83を直線的に通るように支持部材82を移動させる。ある実施の形態においては、支持部材駆動システム81は、支持部材82が基板38に接触する直前までの位置範囲において湾曲経路85及び/または基板38に対し非ゼロの角度をもつ経路に沿って支持部材82を駆動する。この形式の実施形態においては、湾曲経路または角度付き経路は、基板の全部が搬入プロセスを通じて平面状態に維持される場合であっても、基板を支持部表面に非ゼロの角度で接触させることを可能にする。支持部に搬入されている基板の領域と支持部にまだ搬入されていない基板の領域とを分ける直線境界線45は搬入プロセスを通じて維持される。基板の全部を平面状態に維持しつつ基板38を搬入することによって、基板に望ましくない応力をもたらすかもしれないポワソン曲げ(すなわち、ポワソン効果に起因する曲げによって引き起こされる湾曲)が回避される。   FIGS. 15-17 illustrate an exemplary embodiment in which the support comprises a plurality of support members 82. The support members 82 are movable and can be angled with respect to each other for at least a portion of the range of positions where the support members 82 can be moved. In certain embodiments, the apparatus includes a support member drive system 81. In one embodiment, the support member drive system 81 moves the support member 82 so that it passes linearly through a position range 83 where the substrate 38 can be brought into contact with the support member 82. In some embodiments, the support member drive system 81 supports along a curved path 85 and / or a path that has a non-zero angle with respect to the substrate 38 in a position range just before the support member 82 contacts the substrate 38. The member 82 is driven. In this type of embodiment, the curved or angled path allows the substrate to contact the support surface at a non-zero angle even when the entire substrate is maintained in a planar state throughout the loading process. to enable. A straight boundary line 45 that divides the region of the substrate loaded into the support portion and the region of the substrate not yet loaded into the support portion is maintained throughout the loading process. By loading the substrate 38 while keeping all of the substrate in a planar state, Poisson bending (ie, bending caused by bending due to the Poisson effect), which may cause undesirable stress on the substrate, is avoided.

図15の例示的な構成においては、支持部材82は、例えばコンベアのように、連続するループ状に駆動される。矢印89で示されるように、連続ループの上部に沿って動く支持部材82と連続ループの下部に沿って動く支持部材82とで移動方向が反対である。ある実施の形態においては、支持部材82は、複数のベルトによって、または、コンベヤのループに従う1つの連続ベルトによって、互いに接続されている。   In the exemplary configuration of FIG. 15, the support member 82 is driven in a continuous loop, such as a conveyor. As indicated by arrow 89, the support member 82 moving along the upper portion of the continuous loop and the support member 82 moving along the lower portion of the continuous loop have opposite directions of movement. In some embodiments, the support members 82 are connected to each other by a plurality of belts or by a single continuous belt that follows a loop of the conveyor.

図16の例示的な構成においては、支持部材82はスピンドル92からほどかれる。ある実施の形態においては、支持部材82を受け取るために第2のスピンドルが設けられている。   In the exemplary configuration of FIG. 16, the support member 82 is unwound from the spindle 92. In some embodiments, a second spindle is provided to receive the support member 82.

ある実施の形態においては、1以上の支持部材レール80が支持部材82を支持する。ある実施の形態においては、支持部材82は、支持部材レール80上をスライドするよう構成されている。ある実施の形態においては、複数の支持部材レール80が設けられており、各支持部材レール80は、基板38の支持部材レール80上での移動方向に実質的に垂直な方向において他の少なくとも1つの支持部材レール82から離れて配置されている。こうして複数の支持部材レール80は、基板38の幅(すなわち、基板38の移動方向87に実質的に垂直な寸法)にわたって改良された支持を提供することができる。よって、(例えば基板38の重量による)幅方向における基板38の変形を低減することができる。   In some embodiments, one or more support member rails 80 support the support member 82. In one embodiment, the support member 82 is configured to slide on the support member rail 80. In one embodiment, a plurality of support member rails 80 are provided, each support member rail 80 being at least one other in a direction substantially perpendicular to the direction of movement of the substrate 38 on the support member rails 80. The two support member rails 82 are arranged away from each other. Thus, the plurality of support member rails 80 can provide improved support over the width of the substrate 38 (ie, a dimension substantially perpendicular to the direction of movement 87 of the substrate 38). Therefore, deformation of the substrate 38 in the width direction (for example, due to the weight of the substrate 38) can be reduced.

ある実施の形態においては、1以上の支持部材82の各々は、支持部材82が基板38に接触しているとき基板38に真空クランプ力を与えるよう構成されている。こうした機能が、図17に示されており、これは基板38の移動方向87(または方向87とは反対向き)に沿って見たときの図15及び図16に示される形式の構成の端面図である。この形式の例示的な実施形態においては、1以上の支持部材82の各々には1以上の真空クランプ入口86が設けられている。ある実施の形態においては、真空クランプ入口86は、基板38の幅にわたって間隔を空けて配置されている。ある実施の形態においては、支持部材82はそれぞれ、当該支持部材82の真空クランプ入口86が動作しているとき大気圧より低い圧力に維持される内部空洞を備える。ある実施の形態においては、支持部材レール80には1以上の排気開口90を通じてガスを抜き出す排気システムが設けられている。ある実施の形態においては、支持部材82は、真空クランプ入口86と反対側に開口91を備える。支持部材82における開口91が1以上の支持部材レール80における排気開口90と重なるとき、支持部材レール排気システムは、支持部材82における空洞からガスを排気する。支持部材82において低下した圧力は、その支持部材82の真空クランプ入口86を駆動する。駆動された真空クランプ入口86に基板38が隣接する場合には、基板38が支持要素82の表面に引き寄せられクランプされる。支持部材の真空クランプ入口86が駆動された時点でその支持部材82に隣接する基板がない場合には、支持部材レール80の排気システムへとガスが漏出する。ある実施の形態においては、こうした漏れは、例えば、高い流れインピーダンスを有する真空クランプ入口86を設けることによって、及び/または、支持部材レール排気システムに適切な排気速度を選択することによって、許容可能な水準に維持される。   In some embodiments, each of the one or more support members 82 is configured to provide a vacuum clamping force to the substrate 38 when the support member 82 is in contact with the substrate 38. Such a function is illustrated in FIG. 17, which is an end view of a configuration of the type shown in FIGS. 15 and 16 when viewed along the direction of movement 87 (or opposite to direction 87) of the substrate. It is. In an exemplary embodiment of this type, each of the one or more support members 82 is provided with one or more vacuum clamp inlets 86. In some embodiments, the vacuum clamp inlet 86 is spaced across the width of the substrate 38. In one embodiment, each support member 82 includes an internal cavity that is maintained at a pressure below atmospheric pressure when the vacuum clamp inlet 86 of the support member 82 is operating. In one embodiment, the support member rail 80 is provided with an exhaust system that extracts gas through one or more exhaust openings 90. In one embodiment, the support member 82 includes an opening 91 opposite the vacuum clamp inlet 86. When the opening 91 in the support member 82 overlaps the exhaust opening 90 in the one or more support member rails 80, the support member rail exhaust system exhausts gas from the cavity in the support member 82. The reduced pressure in the support member 82 drives the vacuum clamp inlet 86 of the support member 82. When the substrate 38 is adjacent to the driven vacuum clamp inlet 86, the substrate 38 is drawn to the surface of the support element 82 and clamped. When there is no substrate adjacent to the support member 82 when the support member vacuum clamp inlet 86 is driven, gas leaks into the exhaust system of the support member rail 80. In certain embodiments, such leakage can be tolerated, for example, by providing a vacuum clamp inlet 86 with high flow impedance and / or by selecting an appropriate pumping speed for the support member rail pumping system. Maintained at the same level.

ある実施の形態においては、支持部材レール80は、1以上の排気開口88を通じてガスを供給するよう構成されている。ある実施の形態においては、開口88は、真空クランプ入口86を駆動するのに使用される排気開口90と同じである。ある実施の形態においては、開口88は、異なる開口である。ある実施の形態においては、1以上の開口88が1以上の支持部材82におけるガスベアリング出口を駆動するのに使用される。こうして、ある実施の形態においては、1以上の支持部材82が(1つ又は複数の)支持部材の少なくとも所与の位置範囲について基板をクランプするよう構成されているとともに、1以上の支持部材が(1つ又は複数の)支持部材の少なくとも所与の位置範囲について(ガスベアリングを使用して)クランプせずに基板を支持するよう構成されている。   In certain embodiments, the support member rail 80 is configured to supply gas through one or more exhaust openings 88. In one embodiment, the opening 88 is the same as the exhaust opening 90 used to drive the vacuum clamp inlet 86. In certain embodiments, the opening 88 is a different opening. In some embodiments, one or more openings 88 are used to drive gas bearing outlets in one or more support members 82. Thus, in certain embodiments, one or more support members 82 are configured to clamp the substrate for at least a given range of positions of the support member (s) and the one or more support members are It is configured to support the substrate without clamping (using a gas bearing) for at least a given position range of the support member (s).

ある実施の形態においては、支持部材駆動システム81は、支持部材82の移動を生じさせる。図15に示される形式の例示的な実施形態においては、駆動システム81は、1以上のコンベアベルトローラを駆動する。図16に示される形式の例示的な実施形態においては、駆動システムは、スピンドル92の回転を駆動する。ある実施の形態においては、支持部材駆動システム81は、基板を搬入するとき第1方向に駆動(例えば第1回転状態)を提供し、基板を搬出するとき反対方向に駆動(例えば反対の回転状態)を提供する。   In some embodiments, the support member drive system 81 causes the support member 82 to move. In the exemplary embodiment of the type shown in FIG. 15, the drive system 81 drives one or more conveyor belt rollers. In the exemplary embodiment of the type shown in FIG. 16, the drive system drives the rotation of the spindle 92. In some embodiments, the support member drive system 81 provides drive in a first direction (eg, a first rotation state) when loading a substrate and drive in an opposite direction (eg, an opposite rotation state) when unloading the substrate. )I will provide a.

ある実施の形態においては、支持部材82における真空クランプ入口86及び/または開口91、及び/または支持部材レール80における排気開口90は切替可能である。ある実施の形態においては、入口86、開口91、及び/または排気開口90は、選択的に開閉されてもよい。ある実施の形態においては、入口86、開口91、及び/または排気開口90は、基板38がある所与の支持部材82に接触しているときその支持部材82のみによって真空クランプが与えられるように制御されてもよい。ある実施の形態においては、切替は、支持部材駆動システム81からの信号を使用して制御される。ある実施の形態においては、その信号は、支持部材駆動システム81の動作状態、例えばローラまたはスピンドルが回転された角度を表す。よって信号を基板の位置を表すために使用することができる。ある実施の形態においては、基板の位置を直接測定する位置測定デバイス(例えば光検出器)が設けられ、切替が測定デバイスから出力される信号を使用して制御される。   In some embodiments, the vacuum clamp inlet 86 and / or opening 91 in the support member 82 and / or the exhaust opening 90 in the support member rail 80 are switchable. In some embodiments, the inlet 86, the opening 91, and / or the exhaust opening 90 may be selectively opened and closed. In some embodiments, the inlet 86, opening 91, and / or exhaust opening 90 can be provided with a vacuum clamp only by the support member 82 when the substrate 38 is in contact with a given support member 82. It may be controlled. In some embodiments, the switching is controlled using signals from the support member drive system 81. In one embodiment, the signal represents the operating state of the support member drive system 81, such as the angle at which the roller or spindle has been rotated. Thus, the signal can be used to represent the position of the substrate. In some embodiments, a position measuring device (eg, a photodetector) that directly measures the position of the substrate is provided, and the switching is controlled using signals output from the measuring device.

ある実施の形態においては、上述の1以上のガスベアリング出口からのガス流れは、搬入プロセスの間基板を温調するために温調されている。   In some embodiments, the gas flow from the one or more gas bearing outlets described above is tempered to temper the substrate during the loading process.

ある実施の形態においては、上述の1以上のガスベアリングは、出口と入口の両方を備える。その場合、入口は、ガスを抽出するために、及び/またはガスベアリングにより与えられる力またはガスベアリングの剛性を調整するために、設けられている。合力が中立であるか又は表面から離れる方向である限り、及び/または、ガスベアリングの力/剛性が所望されるものである限り、種々の構成を使用することができる。   In certain embodiments, the one or more gas bearings described above comprise both an outlet and an inlet. In that case, the inlet is provided to extract gas and / or to adjust the force provided by the gas bearing or the stiffness of the gas bearing. Various configurations can be used as long as the resultant force is neutral or away from the surface and / or the force / stiffness of the gas bearing is desired.

ある実施の形態においては、上述の1以上の真空クランプは、入口と出口の両方を備える。その場合、出口は、ガスを供給し、及び/または真空クランプにより与えられる力または真空クランプの剛性を調整する。合力が表面に向かう方向である限り、及び/または、真空クランプの力/剛性が所望されるものである限り、種々の構成を使用することができる。   In certain embodiments, the one or more vacuum clamps described above comprise both an inlet and an outlet. In that case, the outlet supplies gas and / or adjusts the force applied by the vacuum clamp or the rigidity of the vacuum clamp. Various configurations can be used as long as the resultant force is in the direction toward the surface and / or the force / rigidity of the vacuum clamp is desired.

あるデバイス製造方法によると、パターンが投影された基板から、ディスプレイ、集積回路、又はその他の任意の品目等のデバイスが製造されうる。   According to one device manufacturing method, a device such as a display, an integrated circuit, or any other item can be manufactured from a substrate on which a pattern is projected.

本書ではICの製造におけるリソグラフィ装置又は露光装置の使用を例として説明しているが、本明細書に説明した装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及された基板は露光前または露光後において、例えばトラック(典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置)、メトロロジツール、及び/またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ICを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は、処理された多数の層を既に含む基板をも意味し得る。   Although this document describes the use of a lithographic apparatus or exposure apparatus in the manufacture of ICs as an example, it should be understood that the apparatus described herein can be applied to other applications. Other applications include integrated optical systems, magnetic domain memory guide and detection patterns, flat panel displays, liquid crystal displays (LCDs), thin film magnetic heads, and the like. For those other applications, those skilled in the art will consider that the terms "wafer" or "die" herein are considered synonymous with the more general terms "substrate" or "target portion", respectively. Will be able to understand. The substrates mentioned in this document are processed before or after exposure, for example by a track (typically a device that applies a resist layer to the substrate and develops the resist after exposure), a metrology tool, and / or an inspection tool. May be. Where applicable, the disclosure herein may be applied to these or other substrate processing apparatus. Also, the substrate may be processed multiple times, for example to produce a multilayer IC, in which case the term substrate herein may also mean a substrate that already contains a number of processed layers.

本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、または、そうしたコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体(例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク)の形式をとってもよい。また、上記の機械で読み取り可能な命令は二以上のコンピュータプログラムに具体化されてもよい。当該二以上のコンピュータプログラムは、1つ又は複数の異なるメモリ及び/またはデータ記録媒体に保存されてもよい。   While specific embodiments of the invention have been described above, the invention may be practiced otherwise than as described. For example, the present invention provides a computer program that includes one or more sequences of machine-readable instructions that describe the method described above, or a data recording medium (eg, a semiconductor memory, a magnetic disk, or (Optical disc) may be used. In addition, the machine-readable instructions may be embodied in two or more computer programs. The two or more computer programs may be stored in one or more different memories and / or data recording media.

「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学部品、回折光学部品、反射光学部品、磁気的光学部品、電磁気的光学部品、静電的光学部品を含む各種の光学部品のうちいずれか1つ、またはこれらの組み合わせを指し示してもよい。   The term “lens” is any one of various optical components including refractive optical components, diffractive optical components, reflective optical components, magnetic optical components, electromagnetic optical components, and electrostatic optical components, as the context allows. Or a combination thereof.

上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、以下に述べる請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、当業者には明らかなことである。   The above description is illustrative and is not intended to be limiting. Thus, it will be apparent to one skilled in the art that modifications may be made to the invention as described without departing from the scope of the claims set out below.

Claims (15)

露光装置における使用のための支持部に柔軟性基板を搬入する方法であって、
前記支持部に搬入されている前記基板の領域と前記支持部にまだ搬入されていない前記基板の領域とを分ける境界線が搬入プロセスの間実質的に直線であり続けるようにして基板運搬部から前記支持部へ前記基板を漸進的に移送することを備える方法。
A method of carrying a flexible substrate into a support for use in an exposure apparatus,
A boundary line separating the area of the substrate loaded into the support and the area of the substrate not yet loaded into the support is substantially straight from the substrate transport section during the loading process. Progressively transferring the substrate to the support.
前記搬入プロセスの間前記基板の少なくとも一部分が湾曲され、前記搬入プロセスの終了時に前記基板が搬入されることとなる支持部表面のすべての部分が前記搬入プロセスの間実質的に同一平面上にあり続ける、請求項1に記載の方法。   At least a portion of the substrate is curved during the loading process and all portions of the support surface where the substrate will be loaded at the end of the loading process are substantially coplanar during the loading process. The method of claim 1, continuing. 前記搬入プロセスの間前記基板の全体が平面状であり、前記搬入プロセスの終了時に前記基板が搬入されることとなる支持部表面のうち少なくとも一部分が前記搬入プロセスの終了時に前記基板が搬入されることとなる支持部表面のうち少なくとも他の一部分とは前記搬入プロセスの間の少なくとも一部において同一平面上にない、請求項1に記載の方法。   The entire substrate is planar during the loading process, and at least a portion of the surface of the support portion into which the substrate is loaded at the end of the loading process is loaded at the end of the loading process. The method of claim 1, wherein at least another portion of the resulting support surface is not coplanar at least in part during the loading process. 請求項1から3のいずれかに記載の方法を使用して柔軟性基板を支持部に搬入することと、
露光プロセスの一部として前記支持部に搬入された基板に照射するよう露光装置を使用することと、を備えるデバイス製造方法。
Carrying the flexible substrate into the support using the method according to claim 1;
Using an exposure apparatus to irradiate the substrate carried into the support as part of an exposure process.
柔軟性基板を搬入する装置であって、
露光装置による前記基板への照射の間前記基板を保持する支持部と、
基板運搬部と、を備え、
前記運搬部に乗せられている基板を、前記支持部に搬入されている前記基板の領域と前記支持部にまだ搬入されていない前記基板の領域とを分ける境界線が搬入プロセスの間実質的に直線であり続けるようにして前記支持部へと移送するよう構成されている装置。
An apparatus for carrying a flexible substrate,
A support for holding the substrate during irradiation of the substrate by an exposure apparatus;
A substrate carrying part,
A boundary line that divides the substrate placed on the transport unit into a region of the substrate that has been carried into the support unit and a region of the substrate that has not yet been carried into the support unit substantially during the loading process. An apparatus configured to be transferred to the support in a straight line.
前記搬入プロセスの間前記基板の少なくとも一部分が湾曲され、前記搬入プロセスの終了時に前記基板が搬入されることとなる支持部表面のすべての部分が前記搬入プロセスの間実質的に同一平面上にあり続けるよう構成されている、請求項5に記載の装置。   At least a portion of the substrate is curved during the loading process and all portions of the support surface where the substrate will be loaded at the end of the loading process are substantially coplanar during the loading process. The apparatus of claim 5, configured to continue. 前記基板を前記基板運搬部から離脱させる移送要素をさらに備える、請求項5または6に記載の装置。   The apparatus according to claim 5 or 6, further comprising a transfer element for detaching the substrate from the substrate transport. 前記移送要素は、前記基板が搬入されることとなる支持部表面部分の平面に実質的に平行であり前記境界線の方向に実質的に垂直である方向に移動するよう構成されている、請求項7に記載の装置。   The transfer element is configured to move in a direction that is substantially parallel to a plane of a support surface portion into which the substrate is to be carried and is substantially perpendicular to the direction of the boundary line. Item 8. The device according to Item 7. 前記移送要素は、前記搬入プロセスの間に前記支持部に最初に搬入される前記基板の部分から遠ざかるように移動するよう構成されている、請求項8に記載の装置。   9. The apparatus of claim 8, wherein the transfer element is configured to move away from the portion of the substrate that is initially loaded into the support during the loading process. 前記移送要素の移動は、前記基板運搬部から前記支持部へと前記基板を引き出すものである、請求項8または9に記載の装置。   The apparatus according to claim 8 or 9, wherein the movement of the transfer element is to pull the substrate from the substrate transporter to the support. 前記移送要素は、前記境界線に実質的に平行である湾曲軸まわりに湾曲される前記基板の一部分に対してガス流れを向けるよう構成されているガスベアリング部材を備える、請求項7から10のいずれかに記載の装置。   11. The transfer element of claim 7 to 10, wherein the transfer element comprises a gas bearing member configured to direct a gas flow against a portion of the substrate that is curved about a curved axis that is substantially parallel to the boundary line. The device according to any one of the above. 前記移送要素は、第1ガスベアリング部材及び第2ガスベアリング部材を備え、
前記装置は、前記搬入プロセスの間に前記第1ガスベアリング部材と前記第2ガスベアリング部材との間を前記基板が通るよう構成されている、請求項7から10のいずれかに記載の装置。
The transfer element comprises a first gas bearing member and a second gas bearing member;
The apparatus according to any one of claims 7 to 10, wherein the apparatus is configured such that the substrate passes between the first gas bearing member and the second gas bearing member during the loading process.
前記第1ガスベアリング部材は、前記境界線に実質的に平行である湾曲軸まわりに第1状態に湾曲される前記基板の一部分に対してガス流れを向けるよう構成され、
前記第2ガスベアリング部材は、前記境界線に実質的に平行である湾曲軸まわりに第2状態に湾曲される前記基板の一部分に対してガス流れを向けるよう構成され、
前記第1状態は前記第2状態と反対である、請求項12に記載の装置。
The first gas bearing member is configured to direct a gas flow against a portion of the substrate that is curved in a first state about a curved axis that is substantially parallel to the boundary;
The second gas bearing member is configured to direct a gas flow against a portion of the substrate that is curved in a second state about a curved axis that is substantially parallel to the boundary;
The apparatus of claim 12, wherein the first state is opposite to the second state.
前記第1ガスベアリング部材及び前記第2ガスベアリング部材は細長い、請求項12または13に記載の装置。   The apparatus according to claim 12 or 13, wherein the first gas bearing member and the second gas bearing member are elongated. 前記第1ガスベアリング部材及び前記第2ガスベアリング部材の細長軸はそれぞれ、前記搬入プロセスの終了時に前記基板が搬入されることとなる前記支持部の表面から実質的に等距離にある、請求項14に記載の装置。   The elongated shafts of the first gas bearing member and the second gas bearing member are each substantially equidistant from the surface of the support portion into which the substrate is to be loaded at the end of the loading process. 14. The apparatus according to 14.
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