KR20140106194A - 히터 - Google Patents

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KR20140106194A
KR20140106194A KR1020130020434A KR20130020434A KR20140106194A KR 20140106194 A KR20140106194 A KR 20140106194A KR 1020130020434 A KR1020130020434 A KR 1020130020434A KR 20130020434 A KR20130020434 A KR 20130020434A KR 20140106194 A KR20140106194 A KR 20140106194A
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유승열
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주식회사 테라세미콘
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Abstract

히터(100)가 개시된다. 본 발명에 따른 히터(100)는, 대향하면서 쌍을 이루는 제 1 히터(110)와 제 2 히터(120)를 포함하고, 높이 방향에 따른 제1 영역(Z1), 제2 영역(Z2), 제3 영역(Z3)에서, 제1 히터(110)는 제1 영역(Z1), 제2 히터(120)는 제3 영역(Z3)을 점유하며, 제2 영역(Z2)의 양측은 제1 히터(110)가 점유하고, 제2 영역(Z2)의 양측을 점유하는 제1 히터(110)의 사이를 제2 히터(120)가 점유하는 것을 특징으로 하는 한다.

Description

히터 {HEATER}
본 발명은 히터에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 2개의 히터를 이용하여 3개의 영역을 가열하고, 3개의 영역의 온도를 균일하게 제어함으로써 기판처리 공정의 안정성 및 신뢰성을 향상시킨 히터에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 평판 디스플레이의 제조 공정 중에서 기판 처리 공정으로 증착 공정과 어닐링 공정이 있다. 증착 공정과 어닐링 공정시에는 배치식 기판 열처리 장치에 로딩되는 복수의 기판을 소정의 온도로 열처리 하거나, 챔버 내부를 열처리 하는 것이 필요하다.
기판처리 장치에 기판 처리를 위한 적정 온도를 유지하면서 발열 효율이 높고 열 균일성이 우수한 히터를 설치하는 것은 기판처리 공정의 재현성과 안정성을 확보하는 데에 필수적이다. 특히, 반도체 소자 제조 공정에 있어서는 고온의 열처리 공정 분위기가 필요하므로 기판처리 장치 내부 전체에 걸쳐서 일정하고 균일한 온도를 유지해야 신뢰성이 우수한 반도체 소자를 생산할 수 있다.
도 1은 종래의 히터(1)를 나타내는 확대 정면도이다.
종래의 히터(1)는 배치식 기판처리 장치의 공정튜브 등의 측면에 높이방향을 따라서 상측에 상부히터(1a) 및 하측에 하부히터(1b)가 대향하여 각각 배치되며, 히터(1)는 "┓" 형상과 "┏" 형상이 연속적으로 연결되거나, "∪" 형상과 "∩" 형상이 연속적으로 연결되는 형상을 가질 수 있다. 상부히터(1a)는 상부영역(Za)을 가열하고, 하부히터(1b)는 하부영역(Zb)을 가열하여 소정의 공정온도를 유지할 수 있다. 다만, 종래의 히터(1)는 상부히터(1a) 및 하부히터(1b)가 이격되어 배치되기 때문에 히터(1a, 1b)의 경계영역(R')에서의 온도 균일성과, 상부영역(Za) 및 하부영역(Zb)의 온도 균일성에 있어서 차이가 발생하는 문제점이 있었다. 특히, 상부히터(1a)와 하부히터(1b)의 온도 차이가 큰 경우에 경계영역(R')에서 더욱 급격한 온도 변화가 발생한다. 결국, 높이에 따라서 공정튜브 내부의 온도 편차가 발생하므로 증착 공정, 어닐링 공정 등에서 공정 안정성 및 신뢰성이 낮아지는 문제점이 있었다.
또한, 일반적으로 공정튜브 내부는 대류 현상에 의하여 상측 부위가 하측 부위보다 고온일 수 밖에 없어서, 상부영역(Za), 하부영역(Zb) 및 경계영역(R')에서 급격한 온도 변화 없이 일정한 온도를 유지하기 위해서는, 상부히터(1a) 또는 하부히터(1b)의 온도를 불필요하게 미세 조절해야만 하는 문제점이 있었다.
또한, 종래의 히터(1)는 기판처리 장치가 커짐에 따라 여러 영역을 처리하기 위하여 그 영역 수에 해당되게 증가된 개수의 히터(1a, 1b)를 배치해야 함에 따라 각각의 히터(1a, 1b)에 대하여 전력을 공급하는 단선의 배치가 복잡해지는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 기판처리부를 내부를 균일하게 가열함으로써 기판처리 공정의 안정성 및 신뢰성이 향상된 히터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판처리부의 높이 방향에 따른 미세한 온도 제어가 가능한 히터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 간단한 단선 배치가 가능한 히터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 히터는, 대향하면서 쌍을 이루는 제 1 히터와 제 2 히터를 포함하고, 높이 방향에 따른 제1 영역, 제2 영역, 제3 영역에서, 상기 제1 히터는 상기 제1 영역, 상기 제2 히터는 상기 제3 영역을 점유하며, 상기 제2 영역의 양측은 상기 제1 히터가 점유하고, 상기 제2 영역의 양측을 점유하는 상기 제1 히터의 사이를 상기 제2 히터가 점유하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 히터와 상기 제2 히터는 전체로 요철(凹凸) 형상을 가지며, 상기 제2 영역에서 상기 제1 히터의 함몰부에 상기 제2 히터의 돌출부가 끼워지는 형태로 점유할 수 있다.
상기 제1 히터 및 상기 제2 히터는 판형상, 또는 단면이 원형 또는 사각형인 와이어형상으로 형성될 수 있다.
상기 제1 히터 및 상기 제2 히터는 하측 및 상측에 각각 배치되고, 상기 제 1 히터는, 상기 제1 히터의 좌측에서 상호 대향하면서 상하방향을 향하는 한 쌍의 제 1 좌측수직판; 상기 제1 히터의 우측에서 상호 대향하면서 상하방향을 향하고, 상기 제1 좌측수직판과 동일한 길이를 가지는 한 쌍의 제1 우측수직판; 상기 제1 히터의 중앙에서 상호 대향하면서 상하방향을 향하고 상기 제1 좌측수직판 및 상기 제1 우측수직판 보다 짧게 형성되어 상기 제1 좌측수직판 및 상기 제1 우측수직판 사이에 배치된 한 쌍의 제1 중앙수직판; 상기 한 쌍의 제1 좌측수직판의 상측 부분 및 상기 한 쌍의 제1 우측수직판의 상측 부분을 각각 연결하는 한 쌍의 제1 상측연결판; 상기 한 쌍의 제1 중앙수직판과 상호 인접하는 상기 제1 좌측수직판 및 상기 제1 우측수직판의 하측 부분을 각각 연결하는 제1 하측연결판; 및 상기 한 쌍의 제1 중앙수직판의 상측 부분을 연결하는 제1 중앙연결판을 가지고, 상기 제 2 히터는, 상기 제2 히터의 좌측에서 상호 대향하면서 상하방향을 향하는 한 쌍의 제 2 좌측수직판; 상기 제2 히터의 우측에서 상호 대향하면서 상하방향을 향하고, 상기 제2 좌측수직판과 동일한 길이를 가지는 한 쌍의 제2 우측수직판; 상기 제2 히터의 중앙에서 상호 대향하면서 상하방향을 향하고 상기 제2 좌측수직판 및 상기 제2 우측수직판 보다 길게 형성되어 상기 제2 좌측수직판 및 상기 제2 우측수직판 사이에 배치된 한 쌍의 제2 중앙수직판; 상기 한 쌍의 제2 좌측수직판의 하측 부분 및 상기 한 쌍의 제2 우측수직판의 하측 부분을 각각 연결하는 한 쌍의 제2 중앙연결판; 상기 한 쌍의 제2 중앙수직판과 상호 인접하는 상기 제2 좌측수직판 및 상기 제2 우측수직판의 상측 부분을 각각 연결하는 제2 상측연결판; 및 상기 한 쌍의 제2 중앙수직판의 하측 부분을 연결하는 제2 하측연결판을 가지고, 상기 제1 상측연결판의 상면과 상기 제2 중앙연결판의 하면은 상호 대향하고, 상기 제2 하측연결판의 하면은 상기 제1 중앙연결판의 상면과 상호 대향하면서 상기 제2 하측연결판은 상기 제1 좌측수직판과 상기 제1 우측수직판 사이에 위치할 수 있다.
상기 제1 히터의 단자는 좌측하단부 및 우측하단부에 구비되고, 상기 제2 히터의 단자는 좌측상단부 및 우측상단부에 구비될 수 있다.
상기 제1 히터의 단자는 상기 좌측 제1 죄측수직판의 하단부 및 상기 우측 제1 우측수직판의 하단부에 구비되고, 상기 제2 히터의 단자는 상기 좌측 제2 좌측수직판의 상단부 및 상기 우측 제2 우측수직판의 상단부에 구비될 수 있다.
상기 제2의 영역은 높이 방향에 따른 상기 제1 상측연결판에서부터 상기 제2 하측연결판까지의 영역일 수 있다.
상기 제1 히터 및 상기 제2 히터는 그라파이트(Graphite), 카본(Carbon) 복합체, 실리콘 카바이드(Silicon carbide), 몰리브덴, 칸탈(Kanthal), 열분해 질화 붕소(pyrolytic boron nitride, PBN), 텅스텐(tungsten) 또는 니크롬(nichrome) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 기판처리부를 내부를 균일하게 가열함으로써 기판처리 공정의 안정성 및 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
또한, 기판처리부의 높이 방향에 따른 미세한 온도 제어가 가능한 효과가 있다.
또한, 히터의 단선 배치를 간단하게 구성할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 히터를 나타내는 확대 정면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 히터를 배치식 기판처리 장치에 설치한 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 히터를 나타내는 확대 정면도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 하여 과장되어 표현될 수도 있다.
본 명세서에 있어서, 기판은 반도체 기판, LED, LCD 등의 표시장치에 사용하는 기판, 태양전지 기판 등을 포함하는 의미로 이해될 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 기판처리 공정이란 증착 공정, 어닐링 공정 등을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 히터를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 히터(100)를 배치식 기판처리 장치에 설치한 구성을 나타내는 사시도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리 장치는 복수개의 기판(40)이 처리되는 공간인 챔버(11)를 형성하는 공정튜브(10)를 포함한다. 공정튜브(10) 내부에는 기판처리 공정에 필요한 기판처리 가스를 챔버(11)로 공급하는 가스 공급부(20), 챔버(11) 내부에 존재하는 기판처리 가스를 외부로 배출하는 가스 배출부(30) 등과 같은 부품들이 설치될 수 있다.
그리고, 배치식 기판처리 장치는 공정튜브(10)와 밀폐 결합되는 받침부(51), 공정튜브(10)의 내부에 삽입되는 돌출부(53), 및 복수개의 기판(40)을 적층되도록 지지하는 지지바(55)를 포함하는 보트(50)를 더 포함할 수 있다.
그리고, 배치식 기판처리 장치는 하면이 개방되며, 공정튜브(10)의 외면을 감싸는 하우징(미도시)을 더 포함할 수 있다. 하우징의 상면측은 크린룸 등과 같은 공정실(미도시)의 상면에 지지 설치될 수 있다. 하우징은 공정튜브(10)의 열적 환경을 조성하는 단열체의 역할을 하기 위해, 기판처리부(10)의 외주를 감싸도록 벌크(bulk) 형태의 단열재 또는 수직 방향으로 적층된 복수의 단위 단열재(미도시)로 이루어질 수 있으며, 하우징의 최외곽면은 SUS, 알루미늄 등으로 마감할 수 있다.
공정튜브(10)의 외주면에는 히터(100)가 설치될 수 있다. 히터(100)는 공정튜브(10)의 외주면 원주방향을 따라 소정간격으로 복수개 설치될 수 있다. 히터(100)는 공정튜브(10)의 외주면 뿐만 아니라, 기판처리 공정에 필요한 열의 공급, 유지 등의 목적의 범위 내에서라면, 공정튜브(10)의 내주면과 상부면에도 설치될 수 있음은 물론이다. 또한, 히터(100)는 하우징(미도시)의 내측면에도 설치될 수 있다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 히터(100)를 나타내는 확대 정면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 히터(100)는 배치식 기판처리 장치의 기판처리부(10) 내부의 온도를 적정하게 유지하는 역할을 하며, 히터(100)는 대향하면서 쌍을 이루는 제1 히터(110) 및 제2 히터(120)를 포함할 수 있다. 제1 히터(110)는 하측에, 제2 히터(120)는 상측에 각각 배치될 수 있다.
제1 히터(110) 및 제2 히터(120)는 발열이 될 수 있는 표면적이 넓어 열 전달에 효율적이며, 급속 가열에 유리한 판형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 단면이 원형, 사각형인 와이어형상으로도 형성될 수 있다. 제1 히터(110) 및 제2 히터(120)의 재질은 그라파이트(Graphite), 카본(Carbon) 복합체, 실리콘 카바이드(Silicon carbide), 몰리브덴, 칸탈(Kanthal), 열분해 질화 붕소(pyrolytic boron nitride, PBN), 텅스텐(tungsten) 또는 니크롬(nichrome) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
히터(100)는 높이 방향을 따라 하부에서 상부로 제1 영역(Z1), 제2 영역(Z2) 및 제3 영역(Z3)을 점유하여 가열할 수 있다. 제1 영역(Z1)은 히터(100)의 하부영역으로 제1 히터(110)가 모두 점유하는 영역, 제3 영역(Z3)은 히터(100)의 상부영역으로 제2 히터(110)가 모두 점유하는 영역, 제2 영역(Z2)은 제1 영역(Z1) 과 제3 영역(Z3)의 사이의 영역으로 제1 히터(110) 및 제2 히터(120)가 혼재하여 점유하는 영역을 의미하는 것으로 정의될 수 있다. 구체적으로 살펴보면, 제2 영역(Z2)의 양측은 제1 히터(110)가 점유하고, 제2 영역(Z2)에서 제1 히터(110)가 점유한 영역을 제외한 영역, 즉 제2 영역(Z2)을 점유하는 제1 히터(110)의 사이의 영역을 제2 히터(120)가 점유할 수 있다.
제1 히터(110) 및 제2 히터(120)는 전체로서 요철(凹凸) 형상을 가질 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 히터(110)의 전체 외곽선을 살펴보면 요(凹) 형상이며, 제2 히터(110)의 전체 외곽선을 살펴보면 철(凸) 형상임을 확인할 수 있다. 히터(100)는 제2 영역(Z2)에 형성된 제1 히터(110)의 함몰부(111)에 제2 영역(Z2)에 형성된 제2 히터(120)의 돌출부(121)가 끼워지는 형태로 구성될 수 있다.
제1 히터(110) 및 제2 히터(120)는 독립적으로 제어될 수 있다. 기판처리부(10)의 하측이 상측보다 저온이라면 하측에 배치되는 제1 히터(110)를 더 가열할 수 있고, 이때 제1 히터(110)가 존재하는 제1 영역(Z1) 및 제2 영역(Z2)의 온도가 상승할 수 있다. 다만, 제1 영역(Z1)은 제1 히터(110)가 모두 점유하고 있으므로, 제1 히터(110)가 일부를 점유하는 제2 영역(Z2) 에 비해 온도 상승폭이 클 수 있다. 한편, 기판처리부(10)의 상측이 하측보다 저온이라면 상측에 배치되는 제2 히터(120)를 더 가열할 수 있고, 이때 제2 히터(120)가 존재하는 제2 영역(Z2) 및 제3 영역(Z3)의 온도가 상승할 수 있다. 다만, 제3 영역(Z3)은 제2 히터(120)가 모두 점유하고 있으므로, 제2 히터(120)가 일부를 점유하는 제2 영역(Z2)에 비해 온도 상승폭이 클 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 히터(100)는, 제1 히터(110) 및 제2 히터(120)의 2개 히터만 가지고도 3개의 영역(Z1, Z2, Z3)을 가열할 수 있으므로, 2개의 영역(Za, Zb)을 2개의 히터(1a, 1b)로 제어하는 종래의 방식에 비해서 온도 제어의 효율성 면에서 유리한 이점이 있다. 또한, 종래의 상부히터(1a) 및 하부히터(1b)의 경계영역(R')에서 급격한 온도 편차가 발생하는 것과는 다르게, 본 발명의 히터(100)는 제1 히터(110) 또는 제2 히터(120) 중 어느 하나의 온도를 조절하여도, 제2 영역(Z2)에서는 제1 히터(110) 및 제2 히터(120)가 혼재되어 배치되기 때문에 온도 변화가 크게 일어나지 않을 수 있다. 따라서, 제1 히터(110)와 제2 히터(120)의 경계영역(R)에서 급격한 온도 편차가 나타나는 문제점을 방지할 수 있으므로 온도 제어의 균일성 면에서 유리한 이점이 있다. 결국, 기판처리부(10)의 높이 방향에 따른 미세한 온도 제어가 가능한 이점과, 공정튜브의 내부를 균일하게 가열함으로써 기판처리 공정의 안정성 및 신뢰성이 향상되는 이점이 있다.
이하에서는, 히터(10)의 구성을 세부적으로 설명한다.
도 4를 다시 참조하면, 히터(100)는 하측 및 상측에 각각 배치되어 대향하면서 쌍을 이루는 제 1 히터(110)와 제 2 히터(120)를 포함한다.
제1 히터(110)는 한 쌍의 제1 좌측수직판(110a), 한 쌍의 제1 우측수직판(110b), 한 쌍의 제1 중앙수직판(110c), 한 쌍의 제1 상측연결판(110d), 한 쌍의 제1 하측연결판(110e) 및 제1 중앙연결판(110f)을 가진다.
제1 좌측수직판(110a)은 제1 히터(110)의 좌측에서 상호 소정거리 이격되어 대향하는 한 쌍으로, 기판처리부(100)의 상하방향을 향한다. 제1 우측수직판(110b)은 제1 히터(110)의 우측에서 상호 소정거리 이격되어 대향하는 한 쌍으로, 기판처리부(100)의 상하방향을 향하며, 제1 좌측수직판(110a)과 동일한 길이를 가진다. 제1 중앙수직판(110c)은 제1 히터(110)의 중앙에서 상호 소정거리 이격되어 대향하는 한 쌍으로, 기판처리부(100)의 상하방향을 향하며, 제1 좌측수직판(110a) 및 제1 우측수직판(110b) 보다 짧게 형성되어 제1 좌측수직판(110a) 및 제1 우측수직판(110b) 사이에 배치된다.
제1 상측연결판(110d)은 한 쌍의 제1 좌측수직판(110a)의 상측 부분 및 한 쌍의 제1 우측수직판(110b)의 상측 부분을 각각 연결한다. 제1 하측연결판(110e)은 한 쌍의 제1 중앙수직판(110c)과 상호 인접하는 제1 좌측수직판(110a) 및 제1 우측수직판(110b)의 하측 부분을 각각 연결한다. 제1 중앙연결판(110f)은 한 쌍의 제1 중앙수직판(110c)의 상측 부분을 연결한다.
제2 히터(120)는 한 쌍의 제2 좌측수직판(120a), 한 쌍의 제2 우측수직판(120b), 한 쌍의 제2 중앙수직판(120c), 한 쌍의 제2 중앙연결판(120d), 한 쌍의 제2 상측연결판(120e) 및 제2 하측연결판(120f)을 가진다.
제2 좌측수직판(120a)은 제2 히터(120)의 좌측에서 상호 소정거리 이격되어 대향하는 한 쌍으로, 기판처리부(100)의 상하방향을 향한다. 제2 우측수직판(120b)은 제2 히터(120)의 우측에서 상호 소정거리 이격되어 대향하는 한 쌍으로, 기판처리부(100)의 상하방향을 향하며, 제2 좌측수직판(120a)과 동일한 길이를 가진다. 제2 중앙수직판(120c)은 제2히터(120)의 중앙에서 상호 소정거리 이격되어 대향하는 한 쌍으로, 기판처리부(100)의 상하방향을 향하며, 제2 좌측수직판(120a) 및 제2 우측수직판(120b) 보다 길게 형성되어 제2 좌측수직판(120a) 및 제2 우측수직판(120b) 사이에 배치된다.
제2 중앙연결판(120d)은 한 쌍의 제2 좌측수직판(120a)의 하측 부분 및 한 쌍의 제2 우측수직판(120b)의 하측 부분을 각각 연결한다. 제2 상측연결판(120e)은 한 쌍의 제2 중앙수직판(120c)과 상호 인접하는 제2 좌측수직판(120a) 및 제2 우측수직판(120b)의 상측 부분을 각각 연결한다. 제2 하측연결판(120f)은 한 쌍의 제2 중앙수직판(120c)의 하측 부분을 연결한다.
이때, 제 1 상측연결판(110d)의 상면과 제2 중앙연결판(120d)의 하면은 상호 대향하고, 제2 하측연결판(120f)의 하면은 제1 중앙연결판(110f)의 상면과 상호 대향하면서 제2 하측연결판(120f)은 제1 좌측수직판(110a)과 제1 우측수직판(110b) 사이에 위치된다.
높이 방향에 따른 제1 영역(Z1)은 제1 히터(110)의 하단부에서부터 제2 하측연결판(120f)까지, 제2 영역(Z2)은 제2 하측연결판(120f)에서부터 제1 상측연결판(110d)까지, 제3 영역(Z3)은 제1 상측연결판(110d)에서부터 제2 히터(120)의 상단부까지로 정의될 수 있다.
상기와 같은 히터(100)는 네 모서리 측면, 즉, 제1 히터(110)의 좌측하단부 및 우측하단부, 제2 히터(120)의 좌측상단부 및 우측상단부에 히터 단자(미도시)가 구비될 수 있다. 구체적으로, 제1 히터(110)의 단자는 제1 좌측수직판(110a)의 하단부 및 제1 우측수직판(110b)의 하단부에, 제2 히터(120)의 단자는 제2 좌측수직판(120a)의 상단부 및 제2 우측수직판(120b)의 상단부에 구비될 수 있다. 따라서, 외부 전원과 히터 단자를 연결하기 용이하며, 복수의 히터(100)를 포함한 배치식 기판처리 장치에서도 히터의 단선 배치를 간단하게 구성할 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
1, 100: 히터
10: 기판처리부
12: 보강리브
20: 가스 공급부
30: 가스 배출부
110: 제1 히터
111: 함몰부
120: 제2 히터
121: 돌출부
R: 제1 히터와 제2 히터의 경계영역
Z1: 제1 영역
Z2: 제2 영역
Z3: 제3 영역

Claims (8)

  1. 대향하면서 쌍을 이루는 제 1 히터와 제 2 히터를 포함하고,
    높이 방향에 따른 제1 영역, 제2 영역, 제3 영역에서, 상기 제1 히터는 상기 제1 영역, 상기 제2 히터는 상기 제3 영역을 점유하며,
    상기 제2 영역의 양측은 상기 제1 히터가 점유하고, 상기 제2 영역의 양측을 점유하는 상기 제1 히터의 사이를 상기 제2 히터가 점유하는 것을 특징으로 하는 히터.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 히터와 상기 제2 히터는 전체로 요철(凹凸) 형상을 가지며,
    상기 제2 영역에서 상기 제1 히터의 함몰부에 상기 제2 히터의 돌출부가 끼워지는 형태로 점유하는 것을 특징으로 하는 히터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 히터 및 상기 제2 히터는 판형상, 또는 단면이 원형 또는 사각형인 와이어형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 히터 및 상기 제2 히터는 하측 및 상측에 각각 배치되고,
    상기 제 1 히터는, 상기 제1 히터의 좌측에서 상호 대향하면서 상하방향을 향하는 한 쌍의 제 1 좌측수직판; 상기 제1 히터의 우측에서 상호 대향하면서 상하방향을 향하고, 상기 제1 좌측수직판과 동일한 길이를 가지는 한 쌍의 제1 우측수직판; 상기 제1 히터의 중앙에서 상호 대향하면서 상하방향을 향하고 상기 제1 좌측수직판 및 상기 제1 우측수직판 보다 짧게 형성되어 상기 제1 좌측수직판 및 상기 제1 우측수직판 사이에 배치된 한 쌍의 제1 중앙수직판; 상기 한 쌍의 제1 좌측수직판의 상측 부분 및 상기 한 쌍의 제1 우측수직판의 상측 부분을 각각 연결하는 한 쌍의 제1 상측연결판; 상기 한 쌍의 제1 중앙수직판과 상호 인접하는 상기 제1 좌측수직판 및 상기 제1 우측수직판의 하측 부분을 각각 연결하는 제1 하측연결판; 및 상기 한 쌍의 제1 중앙수직판의 상측 부분을 연결하는 제1 중앙연결판을 가지고,
    상기 제 2 히터는, 상기 제2 히터의 좌측에서 상호 대향하면서 상하방향을 향하는 한 쌍의 제 2 좌측수직판; 상기 제2 히터의 우측에서 상호 대향하면서 상하방향을 향하고, 상기 제2 좌측수직판과 동일한 길이를 가지는 한 쌍의 제2 우측수직판; 상기 제2 히터의 중앙에서 상호 대향하면서 상하방향을 향하고 상기 제2 좌측수직판 및 상기 제2 우측수직판 보다 길게 형성되어 상기 제2 좌측수직판 및 상기 제2 우측수직판 사이에 배치된 한 쌍의 제2 중앙수직판; 상기 한 쌍의 제2 좌측수직판의 하측 부분 및 상기 한 쌍의 제2 우측수직판의 하측 부분을 각각 연결하는 한 쌍의 제2 중앙연결판; 상기 한 쌍의 제2 중앙수직판과 상호 인접하는 상기 제2 좌측수직판 및 상기 제2 우측수직판의 상측 부분을 각각 연결하는 제2 상측연결판; 및 상기 한 쌍의 제2 중앙수직판의 하측 부분을 연결하는 제2 하측연결판을 가지고,
    상기 제1 상측연결판의 상면과 상기 제2 중앙연결판의 하면은 상호 대향하고, 상기 제2 하측연결판의 하면은 상기 제1 중앙연결판의 상면과 상호 대향하면서 상기 제2 하측연결판은 상기 제1 좌측수직판과 상기 제1 우측수직판 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 히터.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 히터의 단자는 좌측하단부 및 우측하단부에 구비되고,
    상기 제2 히터의 단자는 좌측상단부 및 우측상단부에 구비되는 것을 특징으로 하는 히터.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1 히터의 단자는 상기 좌측 제1 죄측수직판의 하단부 및 상기 우측 제1 우측수직판의 하단부에 구비되고,
    상기 제2 히터의 단자는 상기 좌측 제2 좌측수직판의 상단부 및 상기 우측 제2 우측수직판의 상단부에 구비되는 것을 특징으로 하는 히터.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제2의 영역은 높이 방향에 따른 상기 제1 상측연결판에서부터 상기 제2 하측연결판까지의 영역인 것을 특징으로 하는 히터.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 히터 및 상기 제2 히터는 그라파이트(Graphite), 카본(Carbon) 복합체, 실리콘 카바이드(Silicon carbide), 몰리브덴, 칸탈(Kanthal), 열분해 질화 붕소(pyrolytic boron nitride, PBN), 텅스텐(tungsten) 또는 니크롬(nichrome) 중 적어도 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 히터.
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