KR20140103515A - Stamp structure for transfer printing and method of manufacturing the same, and transfer printing method using the stamp structure - Google Patents
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Abstract
Description
전사 인쇄에 관한 것으로, 상세하게는 전사 인쇄용 스탬프 구조체 및 그 제조 방법과, 이 스탬프 구조체를 이용한 전사 인쇄 방법에 관한 것이다. More particularly, to a stamp structure for transfer printing, a method of manufacturing the stamp structure, and a transfer printing method using the stamp structure.
마이크로기술이나 나노기술 등과 같은 미세 공정 기술은 센서, 태양전지, LED 등과 같은 다양한 응용 분야에 적용되고 있다. 미세 공정 기술이 적용된 전자 장치는 대부분 박막 형태의 소자를 포함하고 있는데, 이러한 박막 형태의 소자를 원하는 위치로 이송하기 위한 방법으로서 전사 인쇄(transfer printing)가 널리 사용되고 있다. 전사 인쇄는 유연한 스탬프를 이용하여 도너 기판(donor substrate) 상에 마련된 인쇄 대상물(printing object)을 떼어낸 다음, 이 인쇄 대상물을 타겟 기판(target substrate) 상의 원하는 위치에 부착시키는 인쇄 방법으로서, 유연하거나(flexible) 또는 평탄하지 않은(unplanar) 표면 상에 인쇄 대상물을 인쇄하는데 특히 유용하게 적용될 수 있다. 이러한 전사 인쇄에서는 스탬프와 인쇄 대상물 사이의 부착력(adhesion force), 인쇄 대상물과 도너 기판 사이의 부착력 및 인쇄 대상물과 타겟 기판 사이의 부착력을 조절하는 것이 중요하다. Micro-process technologies such as micro-technology and nanotechnology are applied to various applications such as sensors, solar cells, and LEDs. Most of the electronic devices to which the fine processing technology is applied include thin film type devices. Transfer printing is widely used as a method for transferring such thin film type devices to a desired position. Transcription printing is a printing method in which a printing object provided on a donor substrate is removed using a flexible stamp and then the printing object is attached to a desired position on a target substrate, it can be particularly useful for printing a print object on a flexible or unplanar surface. In such transfer printing, it is important to adjust the adhesion force between the stamp and the printing object, the adhesion force between the printing object and the donor substrate, and the adhesion force between the printing object and the target substrate.
전사 인쇄용 스탬프 구조체 및 그 제조 방법과, 이 스탬프 구조체를 이용한 전사 인쇄 방법을 제공한다.A stamp structure for transfer printing, a method of manufacturing the stamp structure, and a transfer printing method using the stamp structure are provided.
일 측면에 있어서, In one aspect,
기판과 상기 기판 상에 배열되는 적어도 하나의 스탬프 유닛(stamp unit)를 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체에 있어서, A stamp structure for transfer printing comprising a substrate and at least one stamp unit arranged on the substrate,
상기 스탬프 유닛은,Wherein the stamp unit comprises:
상기 기판 상에 마련되는 히터; A heater provided on the substrate;
상기 히터 상에 볼록한 형태로 마련되는 것으로, 온도에 따른 형상 기억 특성을 가지는 물질을 포함하는 형상기억 필름; 및A shape memory film provided on the heater in a convex shape and including a material having shape memory characteristics according to temperature; And
상기 형상기억 필름 상에 마련되는 탄성 부재;를 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체가 제공된다.And an elastic member provided on the shape memory film.
상기 기판 상에는 상기 히터를 구동하기 위한 구동 소자가 상기 스템프 유닛에 대응하여 마련될 수 있다. 이러한 구동소자는 예를 들면, TFT(Thin Film Transistor) 또는 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 등을 포함할 수 있다. On the substrate, a driving element for driving the heater may be provided corresponding to the stamp unit. Such a driving device may include, for example, a TFT (Thin Film Transistor) or a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
상기 기판은 예를 들면, 글라스(glass)또는 실리콘(silicon)을 포함할 수 있으며, 상기 히터는 마이크로 히터를 포함할 수 있다. The substrate may include, for example, glass or silicon, and the heater may include a micro-heater.
상기 형상기억 필름에는 관통공이 형성될 수 있다. 그리고, 상기 형상기억 필름은 상기 히터 상에 캡 형상(cap shape)으로 마련될 수 있다. 상기 형상기억 필름은 형상기억 합금을 포함할 수 있으며, 상기 형상기억 합금은 예를 들면, TiNi 합금를 포함할 수 있다. A through hole may be formed in the shape memory film. The shape memory film may be provided in a cap shape on the heater. The shape memory film may include a shape memory alloy, and the shape memory alloy may include, for example, a TiNi alloy.
상기 탄성 부재는 상기 형상기억 필름을 덮도록 마련되어 상기 형상기억 필름에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 이러한 탄성 부재는 엘라스토머(elastomer)를 포함할 수 있다.The elastic member may be provided to cover the shape memory film and have a shape corresponding to the shape memory film. Such an elastic member may include an elastomer.
다른 측면에 있어서, In another aspect,
기판 상에 적어도 하나의 히터를 형성하는 단계;Forming at least one heater on the substrate;
상기 히터 상에 온도에 따른 형상 기억 특성을 가지는 물질을 포함하는 형상기억 필름을 형성하는 단계; 및Forming a shape memory film on the heater, the shape memory film including a material having a shape memory property according to temperature; And
상기 형상기억 필름 상에 탄성부재를 형성하는 단계;를 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체의 제조방법이 제공된다.Forming an elastic member on the shape memory film; and forming an elastic member on the shape memory film.
상기 히터를 형성한 다음, 상기 히터 상에 희생층을 볼록한 형태로 형성하는 단계가 더 포함될 수 있으며, 상기 희생층 상에 형상기억 물질층을 도포하는 단계가 더 포함될 수 있다. The method may further include the step of forming the sacrificial layer in a convex shape on the heater after forming the heater, and the step of applying the shape memory material layer on the sacrificial layer may further include the step of forming the sacrificial layer.
상기 형상기억 필름을 형성하는 단계는, 상기 형상기억 물질층에 관통공을 형성하는 단계; 상기 관통공을 통해 상기 희생층을 식각하여 제거하는 단계; 및 상기 형상기억 물질층을 열처리(annealing)함으로써 결정화하는 단계;를 포함할 수 있다. 또한, 상기 형상기억 필름을 형성하는 단계는, 상기 형상기억 물질층을 열처리함으로써 결정화하는 단계; 상기 형상기억 물질층에 관통공을 형성하는 단계; 및 상기 관통공을 통해 상기 희생층을 식각하여 제거하는 단계;를 포함할 수도 있다.The forming of the shape memory film may include: forming a through hole in the shape memory material layer; Etching the sacrificial layer through the through hole to remove the sacrificial layer; And crystallizing the shape memory material layer by annealing the shape memory material layer. The step of forming the shape memory film may include crystallizing the shape memory material layer by heat treatment; Forming a through hole in the shape memory material layer; And etching and removing the sacrificial layer through the through hole.
다른 측면에 있어서, In another aspect,
상기한 전사 인쇄용 스탬프 구조체를 이용하여 전사 인쇄를 하는 방법에 있어서,In the above-described transfer printing method using the stamp structure for transfer printing,
상기 적어도 하나의 스탬프 유닛을 도너 기판(donor substrate) 상에 마련된 적어도 하나의 인쇄 대상물 상에 정렬하는 단계:Aligning the at least one stamp unit on at least one print object provided on a donor substrate;
상기 스탬프 유닛에 압력을 가하여 상기 스탬프 유닛에 상기 인쇄 대상물을 부착시킨 다음, 상기 인쇄 대상물을 상기 도너 기판으로부터 탈착시키는 단계; Attaching the printing object to the stamp unit by applying pressure to the stamp unit, and then detaching the printing object from the donor substrate;
상기 인쇄 대상물이 부착된 상기 스탬프 유닛을 타겟 기판(target substrate) 상에 정렬하는 단계; Aligning the stamp unit to which the print object is attached on a target substrate;
상기 스탬프 유닛에 부착된 상기 인쇄 대상물을 상기 타겟 기판 상에 부착시키는 단계; 및Attaching the print object affixed to the stamp unit on the target substrate; And
상기 스탬프 유닛의 히터를 구동하여 상기 스탬프 유닛으로부터 상기 인쇄 대상물을 탈착시키는 단계;를 포함하는 전사 인쇄 방법이 제공된다. And driving the heater of the stamp unit to detach the printing object from the stamp unit.
상기 스탬프 유닛에 상기 인쇄 대상물을 부착시키는 단계에서, 상기 스탬프 유닛에 가해진 압력에 의해 상기 형상기억 필름이 납작한 형태로 변형되고, 상기 인쇄 대상물은 빠른 속도로 상기 도너 기판으로부터 탈착되어 상기 스탬프 유닛에 부착될 수 있다. Wherein the shape memory film is deformed into a flat shape by the pressure applied to the stamp unit in the step of attaching the printing object to the stamp unit, the printing object is detached from the donor substrate at a high speed and attached to the stamp unit .
상기 스탬프 유닛으로부터 상기 인쇄 대상물을 탈착시키는 단계에서, 상기 히터의 구동에 의해 상기 형상기억 필름이 소정 온도로 가열되어 볼록한 형태로 복원됨으로써 상기 스탬프 유닛으로부터 상기 인쇄 대상물이 탈착될 수 있다. In the step of detaching the printing object from the stamp unit, the shape memory film is heated to a predetermined temperature by restoration of the convex shape by driving the heater, whereby the printing object can be detached from the stamp unit.
상기 전사 인쇄용 스탬프 구조체는 복수의 스탬프 유닛을 포함하며, 이 경우 상기 스탬프 유닛들의 히터들은 선택적으로 구동될 수 있다. The transfer printing stamp structure includes a plurality of stamp units, in which case the heaters of the stamp units can be selectively driven.
실시예들에 따르면, 스탬프 구조체는 형상기억 필름의 온도에 따른 변형특성을 이용하여 인쇄 대상물을 탈착 및 부착을 용이하게 조절할 수 있다. 그리고, 상기 스템프 구조체을 구성하는 스탬프 유닛들을 각각 독립적으로 구동될 수 있으므로, 상기 스탬프 유닛들은 선택적으로 전사 인쇄 작업을 수행할 수 있다. 또한, 상기 스탬프 구조체는 마이크로 사이즈의 형상기억 필름 및 히터를 포함함으로써 컴팩트한 구조로 제작될 수 있다. According to the embodiments, the stamp structure can easily control the desorption and adhesion of the printing object by utilizing the deformation characteristics depending on the temperature of the shape memory film. Since the stamp units constituting the stamp structure can be independently driven, the stamp units can selectively perform the transfer printing operation. In addition, the stamp structure can be manufactured in a compact structure by including a micro-sized shape memory film and a heater.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 전사 인쇄용 스탬프 구조체를 도시한 것이다.
도 2 내지 도 5는 도 1에 도시된 전사 인쇄용 스탬프 구조체의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 6 내지 도 9는 도 1에 도시된 전사 인쇄용 스탬프 구조체를 이용한 전사 인쇄 방법을 설명하기 위한 도면들이다.1 shows a stamp structure for transfer printing according to an exemplary embodiment.
FIGS. 2 to 5 are views for explaining the method of manufacturing the stamp structure for transfer printing shown in FIG.
Figs. 6 to 9 are views for explaining a transfer printing method using the stamp structure for transfer printing shown in Fig.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다. 또한, 소정의 물질층이 기판이나 다른 층 상에 존재한다고 설명될 때, 그 물질층은 기판이나 다른 층에 직접 접하면서 존재할 수도 있고, 그 사이에 다른 제3의 층이 존재할 수도 있다. 그리고, 아래의 실시예에서 각 층을 이루는 물질은 예시적인 것이므로, 이외에 다른 물질이 사용될 수도 있다. Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, like reference numerals refer to like elements, and the size and thickness of each element may be exaggerated for clarity of explanation. In addition, when it is described that a certain material layer is present on a substrate or another layer, the material layer may be present in direct contact with the substrate or another layer, and there may be another third layer in between. In addition, the materials constituting each layer in the following embodiments are illustrative, and other materials may be used.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 전사 인쇄용 스탬프 구조체(100)를 도시한 것이다.1 shows a
도 1을 참조하면, 스탬프 구조체(100)는 기판(110)과 상기 기판(110) 상에 배열되는 복수의 스탬프 유닛(stemp unit,100a)을 포함한다. 상기 기판(110)은 글라스(glass) 또는 실리콘(silicon) 등을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지 않고 다른 다양한 물질을 포함할 수 있다. 상기 스탬브 유닛들(100a)은 기판(110) 상에 m x n(m,n은 자연수)의 매트릭스(matrix) 형태로 배열되어 어레이(array)를 구성할 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 기판(110) 상에 하나의 스탬프 유닛(100a)만이 마련되는 것도 가능하다.Referring to FIG. 1, a
상기 기판(110) 상에 배열된 스탬프 유닛들(100a) 각각은 히터(120), 형상기억 필름(shape memory film,130) 및 탄성부재(130)를 포함한다. 상기 히터(120)는 형상기억 필름(130)을 소정 온도로 가열하기 위한 것으로, 마이크로 히터(micro heater)를 포함할 수 있다. 마이크로 히터는 예를 들면 폴리 실리콘(poly-Si) 또는 실리콘 카바이드(SiC) 등을 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 상기 기판(110) 상에는 히터들(120)을 구동하기 위한 구동소자들(170)이 마련될 수 있다. 여기서, 상기 구동소자들(170)은 히터들(120)을 선택적으로 구동할 수 있다. 이러한 구동소자(170)로는 예를 들면, TFT(Thin Film Transistor) 또는 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 등이 사용될 수 있지만 이에 한정되지 않는다. Each of the
상기 형상기억 필름(130)은 히터(120) 상에 볼록한 형태로 마련되어 있다. 상기 형상기억 필름(130)은 예를 들면 캡 형상(cap shape)으로 마련될 수 있다. 이에 따라, 히터(120)와 형상기억 필름(130) 사이에는 빈 공간이 형성될 수 있다. 이러한 형상기억 필름(130)은 온도에 따른 형상기억 특성을 가지는 물질, 예를 들면형상기억 합금을 포함할 수 있다. 구체적인 예로서, 상기 형상기억 합금은 NiTi 합금을 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. NiTi 합금으로 이루어진 형상기억 합금은 대략 50℃ 정도의 전이 온도(transition temperature)를 가지고 있다. 한편, 볼록한 형상의 형상기억 필름(130)에는 관통공(131)이 형성될 수 있다. 이러한 관통공(131)은 후술하는 바와 같이 스템프 구조체(100)를 제작하는 과정에서 형상기억 필름(131) 내의 희생층(도 3의 150)을 제거하기 위한 것이다. The
상기 형상기억 필름(130) 상에는 탄성 부재(140)가 마련되어 있다. 상기 탄성 부재(140)는 형상기억 필름(130)을 덮도록 형상기억 필름(130) 상에 코팅되어 있다. 이에 따라, 상기 탄성 부재(140)는 형상기억 필름(130)에 대응되는 볼록한 형상을 가질 수 있다. 여기서, 상기 탄성 부재(140)는 엘라스토머(elastomer)를 포함할 수 있다. 구체저인 예로서, 상기 엘라스토머는 PDMS(polydimethylsiloxane)를 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. On the
상기와 같은 스탬프 구조체(100)에서, 스탬프 유닛(100a)을 도너 기판(doner substrate, 미도시) 상에 마련된 인쇄 대상물(미도시)에 접촉한 다음 압력을 가하게 되면, 형상기억 필름(130)은 압력에 의해 볼록한 형상에서 납작한 형상으로 소성 변형된다. 이에 따라, 스탬프 유닛(100a) (구체적으로는, 탄성부재(140))과 인쇄 대상물 사이의 접촉 면적이 증가하게 됨으로써 스탬프 유닛(100a)과 인쇄 대상물의 부착력(adhesion force)은 커지게 되고, 빠른 속도로 스탬프 유닛(100a)을 들어 올리면 인쇄 대상물은 도너 기판으로부터 분리되어 상기 스탬프 유닛(100a)에 부착(adhesion)될 수 있다. 또한, 인쇄 대상물이 부착된 스탬프 유닛(100a)을 타겟 기판(target substrate, 미도시) 상에 부착한 상태에서, 스탬프 유닛(100a)의 히터(120)를 구동하여 형상기억 필름(130)을 소정 온도로 가열하게 되면, 형상기억 필름(130)은 납작한 형태에서 변형전 원래의 볼록한 형태로 돌아오게 된다. 예를 들어, 상기 형상기억 필름(130)이 NiTi 합금으로 이루어진 경우 히터(120)에 의해 형상기억 필름(130)을 대략 50℃ 정도로 가열하게 되면 형상기억 필름(130)이 변형전 원래의 형태로 돌아올 수 있다. 이에 따라, 스탬프 유닛(100a)과 인쇄 대상물 사이의 접촉 면적이 감소하게 됨으로써 스탬프 유닛(100a)과 인쇄 대상물의 부착력이 줄어들게 되고, 스탬프 유닛(100a)으로부터 인쇄 대상물이 탈착(detachment)될 수 있다. 이상과 같이, 본 실시예에 따른 스템프 구조체(100)는 인쇄 대상물의 탈착 및 부착을 용이하게 조절할 수 있고, 또한 스탬프 유닛들(100a)의 히터들(120)이 각각 독립적으로 구동될 수 있으므로 스탬프 유닛들(100a)이 각각 선택적으로 전사 인쇄를 수행할 수 있다. 또한, 상기 스탬프 구조체(100)는 마이크로 사이즈의 형상기억 필름들(130) 및 히터들(120)을 포함하는 컴팩트한 구조로 제작될 수 있다. In the
도 2 내지 도 5는 도 1에 도시된 전사 인쇄용 스탬프 구조체(100)의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.FIGS. 2 to 5 are views for explaining a method of manufacturing the
도 2를 참조하면, 먼저 기판(110)을 준비한 다음, 상기 기판(110) 상에 복수의 히터(120)를 형성한다. 상기 기판(110) 상에는 히터들(120)을 구동하기 위한 구동소자들(170)이 히터들(120)에 대응되게 마련되어 있다. 상기 구동소자(170)는 예를 들면, TFT(Thin Film Transistor) 또는 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 등이 될 수 있다. 상기 히터들(120)은 기판(110) 상에 소정의 히터 물질층(미도시)을 증착한 다음, 이를 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 이러한 히터(120)는 마이크로 히터가 될 수 있다. 마이크로 히터는 폴리 실리콘(poly-Si) 또는 실리콘 카바이드(SiC) 등을 포함할 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 이어서, 상기 히터들(120) 상에 희생층들(150)을 형성한다. 상기 희생층들((150)은 상기 히터들(120) 상에 볼록하게 돌출된 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 희생층(150)은 후술하는 식각 공정에 의해 제거될 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 희생층(150)은 PDMS를 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다.Referring to FIG. 2, a
도 3을 참조하면, 상기 희생층들(150) 상에 형상기억 물질층들(130')을 형성한다. 상기 형상기억 물질층들(130')은 기판(110) 상에 희생층들(150)을 덮도록 형상기억 물질(미도시)을 코팅한 다음, 이를 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 여기서, 형상기억 물질층(130')은 열처리에 의해 온도에 따른 형상기억 특성을 가질 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 형상기억 물질층(130')은 TiNi 합금으로 이루어질 수 있으며, 이외에도 다른 다양한 합금 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 형상기억 물질층(130')은 후술하는 바와 같이 소정 온도에서의 열처리를 통해 결정화됨으로써 형상기억 필름(130)으로 제작될 수 있다. 이러한 형상기억 필름(130)은 소정의 전이 온도(transition temperature)에서 원래의 형상으로 복원될는 형상기억 특성을 가지게 된다. 상기 형상기억 물질층들(130') 각각은 희생층(150)의 형상에 대응하는 돌출된 형상, 예를 들면 캡 형상(cap shape)으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 3, shape memory material layers 130 'are formed on the
도 4를 참조하면, 상기 형상기억 물질층들(130')에 관통공들(131)을 형성한 다음, 상기 관통공들(131)을 통해 형상기억 물질층들(130')의 내부에 있는 희생층들(150)을 식각하여 제거한다. 이에 따라, 상기 형상기억 물질층들(130') 내부에는 빈 공간들이 형성된다. 이어서, 상기 형상기억 물질층들(130')을 소정 온도에서 열처리하여 결정화(cryatallization)시키면 온도에 따른 형상기억 특성을 가지는 형상기억 필름들(130)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 형상기억 물질층들(130')이 TiNi 합금으로 이루어진 경우에는 상기 형상기억 물질층들(130')을 대략 350℃ ~ 450℃(구체적으로는 대략 400℃) 정도로 열처리하게 되면 TiNi 형상기억 합금으로 이루어진 형상기억 필름들(130)이 형성될 수 있다. 이상에서는 희생층(150) 상에 형성된 형상기억 물질층(130')에 관통공(131)을 형성하여 희생층(150)을 제거한 다음, 열처리를 통하여 형상기억 필름(130)을 형성하는 과정이 설명되었다. 한편, 본 실시예에서, 상기 희생층(150) 상에 형성된 형상기억 물질층(130')을 열처리하여 형상기억 필름(130)을 형성한 다음, 이 형상기억 필름(130)에 관통공(131)을 형성하여 희생층(150) 제거하는 것도 가능하다. 한편, 경우에 따라서는 상기 희생층(150)은 제거되지 않고 남아 있을 수 있다. Referring to FIG. 4, after the through
도 5를 참조하면, 상기 형상기억 필름들(130) 상에 탄성 부재들(140)을 형성한다. 상기 탄성 부재들(140)은 기판(110) 상에 형상기억 필름들(130)을 덮도록 탄성 물질층(미도시)을 도포한 다음, 이를 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 이러한 탄성 부재들(140)은 엘라스토머를 포함할 수 있다. 구체적인 예로서, 상기 엘라스토머는 PDMS를 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 탄성부재(140)는 형상기억 필름(130)에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 기판(110) 상에 복수의 스탬프 유닛(100a)이 배열된 어레이 구조를 가지는 스탬프 구조체(100)가 완성될 수 있다. 한편, 상기 기판(110) 상에는 하나의 스탬프 유닛(100a)만이 형성될 수도 있다. Referring to FIG. 5,
도 6 내지 도 9는 도 1에 도시된 전사 인쇄용 스탬프 구조체(100)를 이용한 전사 인쇄 방법을 설명하기 위한 도면들이다.Figs. 6 to 9 are views for explaining a transfer printing method using the
도 6을 참조하면, 상기 스탬프 구조체(100)의 스탬프 유닛들(100a)을 도너 기판(210) 상에 마련된 인쇄 대상물들(220) 상에 정렬시킨다. 상기 인쇄 대상물들(220)은 도너 기판(210) 상에 성장되어 마련되거나 또는 별도로 제작되어 도너 기판(210) 상에 마련될 수 있다. 이러한 인쇄 대상물(220)에는 예를 들면, 나노 물질, 박막층, 마이크로/나노 구조물, 마이크로/나노 소자 등이 포함될 수 있다. 구체적인 예로서, 상기 나노 물질에 나노 와이어, 탄소나노튜브(CNT; Carbon NanoTube) 등을 포함될 수 있고, 상기 박막층이나 마이크로/나노 구조물에는 실리콘, Ⅲ-Ⅴ족 반도체, 그래핀(graphene), 금속, 산화물 등이 포함될 수 있다. 그리고, 마이크로/나노 소자에는 트랜지스터, FET(Field Effect Transistor), IC, MEMS(Micro Electro Mechanical System) 등이 포함될 수 있다. Referring to FIG. 6, the
도 7을 참조하면, 상기 스탬프 유닛들(100a)에 인쇄 대상물들(220)을 부착시킨 다음, 상기 인쇄 대상물들(220)을 도너 기판(210)으로부터 탈착시킨다. 구체적으로, 먼저 상기 스탬프 유닛들(100a)로 인쇄 대상물들(220)을 누르게 되면, 압력에 의해 상기 스탬프 유닛들(100a)의 형상기억 필름들(130)이 볼록한 형태에서 납작한 형태로 소성 변형된다. 이 과정에서 상기 탄성 부재들(140)도 형상기억 필름들(130)의 변형에 따라 납작한 형태를 가지게 된다. 이에 따라, 상기 스탬프 유닛들(100a)의 탄성 부재들(140)과 상기 인쇄 대상물들(220) 사이의 접촉 면적이 증가하게 된다. 이어서, 상기 스탬프 유닛들(100a)을 빠른 속도로 들어 올리면, 상기 탄성 부재들(140)과 상기 인쇄 대상물들(220) 사이의 부착력(adhesion force)이 상기 인쇄 대상물들(220)과 상기 도너 기판(210) 사이의 부착력보다 커지게 되고, 상기 인쇄 대상물들(220)은 스탬프 유닛들(100a)의 하면에 부착된 상태로 도너 기판(210)으로부터 탈착된다.Referring to FIG. 7, after the print objects 220 are attached to the
도 8을 참조하면, 상기 스템프 구조체(100)의 스탬프 유닛들(100a)을 타겟 기판(310) 상의 소정 위치들에 정렬시킨다. 상기 스탬프 유닛들(100a)의 하면에는 인쇄 대상물들(220)이 부착되어 있다. 이어서, 상기 스탬프 유닛들(100a)에 압력을 가하여 상기 인쇄 대상물들(220)을 타겟 기판(310) 상에 부착시킨다. 여기서, 상기 인쇄 대상물들(220)의 상면은 스탬프 유닛들(100a)의 하면에 부착되어 있고, 상기 인쇄 대상물들(220)의 하면은 타겟 기판(310)의 상면에 부착되어 있다.Referring to FIG. 8, the
도 9를 참조하면, 인쇄 대상물들(220)을 스탬프 유닛들(100a)로부터 선택적으로 탈착시킨다. 구체적으로, 먼저 상기 스탬프 유닛들(100a)의 히터들(120) 중 적어도 하나를 선택적으로 구동한다. 도 9에는 4개의 히터들(120) 중 3개의 히터들(120)이 구동된 경우가 예시적으로 도시되어 있다. 이러한 히터들(120)의 구동에 의해 스탬프 유닛들(100a)의 형상기억 필름들(130)이 소정 온도로 가열되고, 이에 따라 상기 형상기억 필름들(130)은 납작하게 변형된 상태에서 원래의 볼록한 상태로 돌아오게 된다. 예를 들어, 상기 형상기억 필름(130)이 NiTi 형상기억 합금으로 이루어진 경우, 히터(120)에 의해 형상기억 필름(130)이 대략 50℃ 정도로 가열되면 원래의 볼록한 형태로 복원될 수 있다. 이와 같이, 형상기억 필름들(130)이 볼록한 형태로 복원되면, 상기 스탬프 유닛들(100a)의 탄성 부재들(140)과 상기 인쇄 대상물들(220) 사이의 접촉 면적은 감소하게 되고, 이에 따라 상기 탄성 부재들(140)과 상기 인쇄 대상물들(220) 사이의 부착력이 상기 인쇄 대상물들(220)과 상기 타겟 기판(310) 사이의 부착력보다 작아지게 된다. 따라서, 상기 스탬프 유닛들(100a)을 들어 올리게 되면, 상기 인쇄 대상물들(220)은 스탬프 유닛들(100a)로부터 탈착되어 타겟 기판(310) 상에 부착된 상태로 남아 있게 된다. 한편, 히터(120)가 구동되지 않은 스탬프 유닛(100a)에서는 형상기억 필름(130)이 납작한 형태를 유지하고 있으므로, 인쇄 대상물(220)은 히터(120)가 구동되지 않은 스탬프 유닛(100a)에 그대로 부착된 상태로 스탬프 유닛(100a)과 함께 올라오게 된다. Referring to FIG. 9, the print objects 220 are selectively removed from the
이상과 같이, 스템프 구조체(100)는 인쇄 대상물(220)의 탈착 및 부착을 용이하게 조절할 수 있고, 또한 스탬프 유닛들(100a)의 히터들(120)이 각각 독립적으로 구동될 수 있으므로 스탬프 유닛들(100a)이 각각 선택적으로 전사 인쇄를 수행할 수 있다. 이상에서 예시적인 실시예들을 통하여 기술적 내용을 설명하였으나, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. As described above, the
100... 전사 인쇄용 스탬프 구조체
100a... 스탬프 유닛 110... 기판
120... 히터 130... 형상기억 필름
131... 관통공 140... 탄성 부재
150... 희생층 170... 구동소자
210... 도너 기판 220... 인쇄 대상물
310... 타겟 기판100 ... stamping structure for transfer printing
100a ...
120 ...
131 ... through
150 ...
210 ...
310 ... target substrate
Claims (26)
상기 스탬프 유닛은,
상기 기판 상에 마련되는 히터;
상기 히터 상에 볼록한 형태로 마련되는 것으로, 온도에 따른 형상 기억 특성을 가지는 물질을 포함하는 형상기억 필름; 및
상기 형상기억 필름 상에 마련되는 탄성 부재;를 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체.A stamp structure for transfer printing comprising a substrate and at least one stamp unit arranged on the substrate,
Wherein the stamp unit comprises:
A heater provided on the substrate;
A shape memory film provided on the heater in a convex shape and including a material having shape memory characteristics according to temperature; And
And an elastic member provided on the shape memory film.
상기 기판 상에는 상기 히터를 구동하기 위한 구동 소자가 상기 스템프 유닛에 대응하여 마련되는 전사 인쇄용 스탬프 구조체. The method according to claim 1,
And a driving element for driving the heater is provided on the substrate in correspondence with the stamp unit.
상기 구동소자는 TFT(Thin Film Transistor) 또는 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)를 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체. 3. The method of claim 2,
Wherein the driving element includes a TFT (Thin Film Transistor) or a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
상기 기판은 글라스(glass) 또는 실리콘(silicon)을 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체. The method according to claim 1,
Wherein the substrate comprises glass or silicon.
상기 히터는 마이크로 히터를 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체.The method according to claim 1,
Wherein the heater includes a micro heater.
상기 형상기억 필름에는 관통공이 형성되어 있는 전사 인쇄용 스탬프 구조체.The method according to claim 1,
And the through hole is formed in the shape memory film.
상기 형상기억 필름은 상기 히터 상에 캡 형상(cap shape)으로 마련되는 전사 인쇄용 스탬프 구조체.The method according to claim 1,
Wherein the shape memory film is provided in a cap shape on the heater.
상기 형상기억 필름은 형상기억 합금을 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체.The method according to claim 1,
Wherein the shape memory film includes a shape memory alloy.
상기 형상기억 합금은 TiNi 합금를 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체.9. The method of claim 8,
Wherein the shape memory alloy comprises a TiNi alloy.
상기 탄성 부재는 상기 형상기억 필름을 덮도록 마련되어 상기 형상기억 필름에 대응되는 형상을 가지는 전사 인쇄용 스탬프 구조체.The method according to claim 1,
Wherein the elastic member is provided so as to cover the shape memory film and has a shape corresponding to the shape memory film.
상기 탄성 부재는 엘라스토머(elastomer)를 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체.The method according to claim 1,
Wherein the elastic member comprises an elastomer.
상기 엘라스토머는 PDMS(polydimethylsiloxane)를 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체.12. The method of claim 11,
Wherein the elastomer comprises PDMS (polydimethylsiloxane).
상기 히터 상에 온도에 따른 형상 기억 특성을 가지는 물질을 포함하는 형상기억 필름을 형성하는 단계; 및
상기 형상기억 필름 상에 탄성부재를 형성하는 단계;를 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체의 제조방법.Forming at least one heater on the substrate;
Forming a shape memory film on the heater, the shape memory film including a material having a shape memory property according to temperature; And
Forming an elastic member on the shape memory film; and forming an elastic member on the shape memory film.
상기 기판 상에는 상기 히터를 구동하기 위한 구동소자가 상기 히터에 대응되게 마련되어 있는 전사 인쇄용 스탬프 구조체의 제조방법. 14. The method of claim 13,
And a driving element for driving the heater is provided on the substrate so as to correspond to the heater.
상기 히터를 형성한 다음, 상기 히터 상에 희생층을 볼록한 형태로 형성하는 단계를 더 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체의 제조방법. 14. The method of claim 13,
Further comprising the step of forming a sacrificial layer in a convex shape on the heater after forming the heater.
상기 희생층은 PDMS를 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체의 제조방법. 16. The method of claim 15,
Wherein the sacrificial layer comprises PDMS.
상기 희생층 상에 형상기억 물질층을 도포하는 단계를 더 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체의 제조방법. 16. The method of claim 15,
Further comprising the step of applying a shape memory material layer on the sacrificial layer.
상기 형상기억 필름을 형성하는 단계는,
상기 형상기억 물질층에 관통공을 형성하는 단계;
상기 관통공을 통해 상기 희생층을 식각하여 제거하는 단계; 및
상기 형상기억 물질층을 열처리(annealing)함으로써 결정화하는 단계;를 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체의 제조방법. 18. The method of claim 17,
Wherein the step of forming the shape memory film comprises:
Forming a through hole in the shape memory material layer;
Etching the sacrificial layer through the through hole to remove the sacrificial layer; And
And crystallizing the shape memory material layer by annealing the shape memory material layer.
상기 형상기억 물질층은 TiNi 합금을 포함하고, 350℃ ~ 450℃에서 열처리됨으로 결정화되는 전사 인쇄용 스탬프 구조체의 제조방법. 19. The method of claim 18,
Wherein the shape memory material layer comprises a TiNi alloy and is crystallized by heat treatment at 350 ° C to 450 ° C.
상기 형상기억 필름을 형성하는 단계는,
상기 형상기억 물질층을 열처리함으로써 결정화하는 단계;
상기 형상기억 물질층에 관통공을 형성하는 단계; 및
상기 관통공을 통해 상기 희생층을 식각하여 제거하는 단계;를 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체의 제조방법. 18. The method of claim 17,
Wherein the step of forming the shape memory film comprises:
Crystallizing the shape memory material layer by heat treatment;
Forming a through hole in the shape memory material layer; And
And etching and removing the sacrificial layer through the through hole.
상기 탄성 부재는 상기 형상기억 필름 상에 도포되어 상기 형상기억 필름에 대응되는 형상을 가지도록 형성되는 전사 인쇄용 스탬프 구조체의 제조방법.14. The method of claim 13,
Wherein the elastic member is formed on the shape memory film so as to have a shape corresponding to the shape memory film.
상기 탄성 부재는 엘라스토머(elastomer)를 포함하는 전사 인쇄용 스탬프 구조체.14. The method of claim 13,
Wherein the elastic member comprises an elastomer.
상기 적어도 하나의 스탬프 유닛을 도너 기판(donor substrate) 상에 마련된 적어도 하나의 인쇄 대상물 상에 정렬하는 단계:
상기 스탬프 유닛에 압력을 가하여 상기 스탬프 유닛에 상기 인쇄 대상물을 부착시킨 다음, 상기 인쇄 대상물을 상기 도너 기판으로부터 탈착시키는 단계;
상기 인쇄 대상물이 부착된 상기 스탬프 유닛을 타겟 기판(target substrate) 상에 정렬하는 단계;
상기 스탬프 유닛에 부착된 상기 인쇄 대상물을 상기 타겟 기판 상에 부착시키는 단계; 및
상기 스탬프 유닛의 히터를 구동하여 상기 스탬프 유닛으로부터 상기 인쇄 대상물을 탈착시키는 단계;를 포함하는 전사 인쇄 방법. A method of transfer printing using the stamp structure for transfer printing according to claim 1,
Aligning the at least one stamp unit on at least one print object provided on a donor substrate;
Attaching the printing object to the stamp unit by applying pressure to the stamp unit, and then detaching the printing object from the donor substrate;
Aligning the stamp unit to which the print object is attached on a target substrate;
Attaching the print object affixed to the stamp unit on the target substrate; And
And driving the heater of the stamp unit to detach the printing object from the stamp unit.
상기 스탬프 유닛에 상기 인쇄 대상물을 부착시킨 다음, 상기 인쇄 대상물을 상기 도너 기판으로부터 탈착시키는 단계에서, 상기 스탬프 유닛에 가해진 압력에 의해 상기 형상기억 필름은 납작한 형태로 변형되고, 상기 스탬프 유닛을 들어 올림으로써 상기 인쇄 대상물은 상기 스탬프 유닛에 부착되고 상기 도너 기판으로부터는 탈착되는 전사 인쇄 방법. 24. The method of claim 23,
The shape memory film is deformed into a flat shape by the pressure applied to the stamp unit in the step of attaching the printing object to the stamp unit and then detaching the printing object from the donor substrate, Wherein the printing object is attached to the stamp unit and is detached from the donor substrate.
상기 스탬프 유닛으로부터 상기 인쇄 대상물을 탈착시키는 단계에서, 상기 히터의 구동에 의해 상기 형상기억 필름이 소정 온도로 가열되어 볼록한 형태로 복원됨으로써 상기 스탬프 유닛으로부터 상기 인쇄 대상물이 탈착되는 전사 인쇄 방법. 25. The method of claim 24,
Wherein the shape memory film is heated to a predetermined temperature by restoring the convex shape by driving the heater at the step of detaching the printing object from the stamp unit, whereby the printing object is detached from the stamp unit.
상기 전사 인쇄용 스탬프 구조체는 복수의 스탬프 유닛을 포함하며, 상기 스탬프 유닛들의 히터들은 선택적으로 구동되는 전사 인쇄 방법. 24. The method of claim 23,
Wherein the transfer printing stamp structure includes a plurality of stamp units, and the heaters of the stamp units are selectively driven.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
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Country Status (1)
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200053873A (en) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 주식회사 어드밴스드파워텍 | Transfer plate for microchip transfer device |
KR20200065658A (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | Apparatus and method of transfering led |
CN112701490A (en) * | 2020-12-17 | 2021-04-23 | 哈尔滨理工大学 | Dynamically-adjustable multifunctional terahertz metamaterial device based on TiNi shape memory alloy film |
CN113223986A (en) * | 2021-04-28 | 2021-08-06 | 浙江大学 | Sucker type thermal drive programmable elastic transfer seal and transfer method |
KR20210127097A (en) * | 2020-04-13 | 2021-10-21 | 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 | Zero stiffness pad for transferring device, method of manufacturing the same and zero stiffness pad group including zero stiffness pad for transferring device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6021290A (en) * | 1983-07-15 | 1985-02-02 | Nissha Printing Co Ltd | Transfer printing method to inner surface of hollow article |
JP2001212960A (en) * | 2000-02-03 | 2001-08-07 | Minolta Co Ltd | Ink-jet head, and method for forming actuator for ink-jet head |
-
2013
- 2013-02-18 KR KR1020130016973A patent/KR102093340B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6021290A (en) * | 1983-07-15 | 1985-02-02 | Nissha Printing Co Ltd | Transfer printing method to inner surface of hollow article |
JP2001212960A (en) * | 2000-02-03 | 2001-08-07 | Minolta Co Ltd | Ink-jet head, and method for forming actuator for ink-jet head |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200053873A (en) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 주식회사 어드밴스드파워텍 | Transfer plate for microchip transfer device |
KR20200065658A (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | Apparatus and method of transfering led |
KR20210127097A (en) * | 2020-04-13 | 2021-10-21 | 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 | Zero stiffness pad for transferring device, method of manufacturing the same and zero stiffness pad group including zero stiffness pad for transferring device |
CN112701490A (en) * | 2020-12-17 | 2021-04-23 | 哈尔滨理工大学 | Dynamically-adjustable multifunctional terahertz metamaterial device based on TiNi shape memory alloy film |
CN113223986A (en) * | 2021-04-28 | 2021-08-06 | 浙江大学 | Sucker type thermal drive programmable elastic transfer seal and transfer method |
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