KR101579935B1 - Method and apparatus for forming and transfering pattern of nanofilm using imprint - Google Patents

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Abstract

본 발명은 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 금속 기판에 형성된 나노박막에 임프린트 기법을 이용해 나노박막에 패턴을 형성하되 스탬프에 형성된 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막 상면이 금속 기판의 상면보다 하측으로 들어가도록 임프린트하고, 패턴이 형성된 나노박막을 원하는 타겟 기판에 전사할 수 있는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method and apparatus for forming and transferring a nano thin film pattern using an imprint technique, and more particularly, to a method and apparatus for forming and patterning a nano thin film pattern using an imprint technique, To a method and apparatus for forming and transferring a nano thin film pattern using an imprint technique capable of transferring a nano thin film having a pattern formed thereon to a desired target substrate by imprinting the top surface of the nano thin film of the nano thin film so as to be lower than the upper surface of the metal substrate.

Description

임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법 및 장치 {Method and apparatus for forming and transfering pattern of nanofilm using imprint}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a nanofilm using imprint method,

본 발명은 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 금속 기판에 형성된 나노박막에 임프린트 기법을 이용해 나노박막에 패턴을 형성하고 이를 원하는 타겟 기판에 전사할 수 있는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법 및 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a method and apparatus for forming and transferring a nano thin film using an imprint technique, and more particularly, to a method and apparatus for forming a pattern on a nano thin film by using an imprint technique on a nano thin film formed on a metal substrate, The present invention relates to a method and apparatus for forming and transferring a nano thin film pattern using an imprint technique.

탄소 원자 한 층의 그래핀은 2차원 평면 형태를 가지고 있으며, 두께는 0.335nm 정도로 매우 얇으면서 물리적, 화학적 안정성도 높다. 또한, 구리보다 100배 이상 전기가 잘 통하고 반도체로 주로 쓰이는 단결정 실리콘보다 100배 이상 전자를 빠르게 이동시킬 수 있다. 게다가 강도는 강철보다 200배 이상 강하며, 최고의 열전도성을 자랑하는 다이아몬드보다 2배 이상 열전도성이 높으며, 투광성이 우수한 특징이 있다. 또 휨 특성(flexibility) 이 뛰어나 늘리거나 구부려도 전기적 성질을 잃지 않는다.Graphene in one layer of carbon atoms has a two-dimensional planar shape, and its thickness is as thin as 0.335 nm, and its physical and chemical stability is also high. In addition, electrons can move more than 100 times faster than monocrystalline silicon, which is 100 times more electricity than copper and is mainly used as a semiconductor. In addition, the strength is more than 200 times stronger than steel, more than twice the thermal conductivity of diamond with the highest thermal conductivity, and is characterized by excellent transparency. Also, it is excellent in flexibility and does not lose its electrical properties even when stretched or bent.

이런 특성으로 인해 그래핀은 차세대 신소재로 각광받는 탄소나노튜브를 뛰어넘는 소재로 평가받으며 '꿈의 나노물질'이라 불린다. 그리하여 그래핀은 구부릴 수 있는 디스플레이나 전자종이, 착용식 컴퓨터(wearable computer), 초고속 트랜지스터 등을 만들 수 있는 전자정보 산업분야의 미래 신소재로 주목받고 있다.Because of these properties, graphene is regarded as a material that goes beyond carbon nanotubes, which are regarded as the next generation of new materials, and is called 'dream nanomaterial'. Thus, graphene is attracting attention as a future-oriented new material in the electronic information industry that can produce bendable displays, electronic paper, wearable computers, and ultra-high-speed transistors.

이러한 그래핀은 상대적으로 가벼운 원소인 탄소만으로 이루어져 1차원 또는 2차원의 나노패턴을 가공하기가 매우 용이하며, 이를 활용하면 반도체-도체 성질을 조절할 수 있다. 뿐만 아니라 탄소가 가지는 화학결합의 다양성을 이용해 디스플레이, 센서, 메모리, 태양전지 등 광범위한 기능성 소자로 활용될 수 있을 것으로 기대되고 있다.Such graphene is made of only carbon, which is a relatively light element, and it is very easy to fabricate 1D or 2D nanopatterns, which can control semiconductor-conductor properties. In addition, carbon is expected to be utilized as a wide range of functional devices such as displays, sensors, memories, and solar cells by utilizing the variety of chemical bonds.

이때, 소자 등에 응용하기 위해서는 그래핀의 패터닝이 필요하다.At this time, patterning of graphene is required for application to devices and the like.

널리 알려져 있는 패터닝 제작 기술 중 하나는 포토리소그래피로서, 이 기술은 포토레지스트 박막이 입혀진 기판 위에 패턴을 형성하는 방법이다. 그런데 이때 형성되는 패턴의 크기는 광학적 회절 현상에 의하여 제한받게 되며, 해상도 또는 분해능이 포토레지스트의 두께와 사용되는 광선의 파장에 의해 결정된다. 따라서 구성 소자의 집적도가 높아질수록 미세한 패턴을 형성하기 위해 짧은 파장을 사용한 노광기술이 요구된다.One of the widely known patterning fabrication techniques is photolithography, which is a method of forming a pattern on a substrate coated with a photoresist thin film. However, the size of the pattern formed at this time is limited by the optical diffraction phenomenon, and the resolution or resolution is determined by the thickness of the photoresist and the wavelength of the light beam used. Therefore, as the degree of integration of a component increases, exposure techniques using a short wavelength are required to form a fine pattern.

그러나 종래의 이러한 포토리소그래피 기술을 사용할 경우, 그래핀의 특성상 포토레지스트 잔유물에 의해 그래핀의 성질이 변화되는 문제점이 발생한다.However, when such a conventional photolithography technique is used, there arises a problem that the properties of graphene are changed by photoresist residues due to the characteristics of graphene.

또한, 그래핀에 패턴을 형성하여 전사하기 위한 방법으로, 패턴 형상이 형성된 PDMS(polydimethylsiloxane) 스탬프를 그래핀에 밀착시킨 후 들어올려 패턴이 형성된 부분에만 그래핀이 달라붙도록 한 후 이를 원하는 기판에 전사하는 방법이 있으나, 이 방법 역시 그래핀 패턴의 형상에 변형이 발생하고 대면적의 경우 전사공정에서 많은 부분에 균열이 발생하는 등 전반적으로 전사에 문제점이 있다.In addition, as a method for forming a pattern on a graphene and transferring it, a PDMS (polydimethylsiloxane) stamp having a pattern formed thereon is brought into close contact with the graphene and then lifted to make the graphene stick to only the patterned portion, However, this method also causes deformation in the shape of the graphene pattern, and in the case of a large area, there is a problem in transferring, in general, cracks are generated in many portions in the transferring process.

또한, 종래기술로 "그래핀 패턴의 형성방법 및 그래핀 패턴을 갖는 전자소자의 제조방법"(한국공개특허 10-2012-0053294)이 있다. 이는 도 1과 같이 촉매층(10)의 표면에 패턴(11) 형상을 형성하고 그 패턴 위에 그래핀(30)을 형성하여 촉매층의 패턴 위에 형성된 그래핀을 접착층(40)이 형성된 기판(50)에 전사하는 방법이 있으나, 이는 촉매층 자체에 패턴을 형성해야 하고 배리어층(20) 등을 형성해야 하므로 제조비용이 증가하고 그래핀에 연속적으로 패턴을 형성하여 전사할 수 없는 문제점이 있다.
Further, as a conventional technique, there is a method of forming a graphene pattern and a method of manufacturing an electronic device having a graphene pattern (Korean Patent Laid-Open No. 10-2012-0053294). 1, a pattern 11 is formed on the surface of the catalyst layer 10 and a graphene 30 is formed on the pattern to form graphene formed on the pattern of the catalyst layer on the substrate 50 on which the adhesive layer 40 is formed There is a problem in that a pattern must be formed in the catalyst layer itself and a barrier layer 20 or the like must be formed, so that a manufacturing cost is increased and a pattern can be continuously formed on the graphene and can not be transferred.

KR 10-2012-0053294 A (2012.05.25.)KR 10-2012-0053294 A (2012.05.25.)

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 임프린트 기법을 이용하여 일반적인 환경(상온)에서 금속 기판 상에 형성된 나노박막에 패턴을 형성하고 이를 원하는 타켓 기판에 전사할 수 있도록 함으로서, 나노박막 패턴의 변형이 없으며 공정을 줄여 저가의 비용으로 나노박막 패턴을 형성하여 전사할 수 있는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법 및 장치를 제공하는 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a method of forming a pattern on a nano thin film formed on a metal substrate at a normal environment The present invention provides a method and apparatus for forming and transferring a nano thin film pattern using an imprint technique capable of forming a nano thin film pattern at a low cost by reducing the manufacturing cost of the nano thin film pattern.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법은, 상면에 나노박막이 형성된 금속 기판을 준비하는 단계(SA10); 상기 금속 기판의 상측에서 패턴이 형성된 스탬프를 이용해 나노박막에 패턴 형상을 임프린트하되, 상기 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막 상면이 금속 기판의 상면보다 하측으로 들어가도록 형성하는 단계(SA20); 상기 금속 기판의 상측에서 캐리어 기판을 나노박막에 밀착시키는 단계(SA30); 상기 금속 기판을 제거하는 단계(SA40); 및 상기 캐리어 기판에 부착된 패턴이 형성된 나노박막을 타겟 기판에 밀착시켜 전사하는 단계(SA50); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of forming and transferring a nano thin film using an imprint technique, comprising: (SA10) preparing a metal substrate having a nano thin film formed on a top surface thereof; A step (SA20) of imprinting a pattern shape on the nano thin film using a stamp having a pattern formed on the metal substrate so that the top surface of the nano thin film pressed by the pattern of the stamp is located below the upper surface of the metal substrate; A step (SA30) of adhering the carrier substrate to the nano thin film on the upper side of the metal substrate; Removing the metal substrate (SA40); And a step (SA50) of transferring a nano thin film on which a pattern adhered to the carrier substrate is formed, to the target substrate, and transferring the nano thin film to the target substrate; And a control unit.

또한, 상기 SA20단계에서, 상기 스탬프는 일면에 패턴이 형성된 평판형 스탬프 또는 외주면에 패턴이 형성된 롤 스탬프를 이용하는 것을 특징으로 한다.Further, in step SA20, the stamp is characterized by using a flat stamp on which a pattern is formed on one side or a roll stamp on which a pattern is formed on the outer circumference.

또한, 상기 SA20단계에서, 상기 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막은 눌리지 않은 부분과 분리되는 것을 특징으로 한다.Further, in step SA20, the nano thin film pressed by the pattern of the stamp is separated from the unpressed portion.

또한, 상기 금속 기판 상면에 형성되는 나노박막은 화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the nano thin film formed on the upper surface of the metal substrate is formed by chemical vapor deposition (CVD).

또한, 상기 금속 기판은 Ni, Pt, Co, Al, Fe, Au, Ag, Cr, Mg, Mn, Mo, Ta, Ti, W, Pd 중 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상이 적층된 호일(foil)로 형성되며, 상온에서 나노박막에 패턴 형상이 임프린트되는 것을 특징으로 한다.The metal substrate may be a foil in which one or more selected from among Ni, Pt, Co, Al, Fe, Au, Ag, Cr, Mg, Mn, Ta, Ti, W, And a pattern shape is imprinted on the nano thin film at room temperature.

그리고 본 발명의 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법은, 상면에 나노박막이 형성된 금속 기판을 연속으로 공급하는 단계(SB10); 공급되는 금속 기판의 나노박막에 롤 스탬프를 이용하여 패턴 형상을 임프린트하되, 롤 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막 상면이 금속 기판의 상면보다 하측으로 들어가도록 형성하는 단계(SB20); 상측에서 캐리어 기판을 연속으로 공급하여, 패턴이 형성된 나노박막에 캐리어 기판이 밀착되도록 하는 단계(SB30); 상기 금속 기판을 제거하는 단계(SB40); 하측에서 타겟 기판을 연속으로 공급하여, 패턴이 형성된 나노박막에 타겟 기판이 밀착되도록 하는 단계(SB50); 상기 캐리어 기판을 회수하여 타겟 기판의 상면에 패턴이 형성된 나노박막이 전사되도록 하는 단계(SB60); 및 상기 패턴이 형성된 나노박막이 전사된 타겟 기판을 회수하는 단계(SB70); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The method for forming and transferring a nano thin film using the imprint technique according to the present invention comprises: (SB10) continuously supplying a metal substrate on which a nano thin film is formed; A step (SB20) of imprinting a pattern shape on a nano thin film of the metal substrate to be supplied by using a roll stamp, so that the upper surface of the nano thin film pressed by the pattern of the roll stamp is lower than the upper surface of the metal substrate; A step (SB30) of continuously supplying the carrier substrate from the upper side and bringing the carrier substrate into close contact with the nano thin film on which the pattern is formed; Removing the metal substrate (SB40); A step (SB50) of supplying the target substrate continuously from the lower side so that the target substrate adheres to the nano thin film on which the pattern is formed; (SB60) of recovering the carrier substrate and transferring the nano-thin film having the pattern formed on the upper surface of the target substrate; And a step (SB70) of recovering the target substrate to which the patterned nanomembrane is transferred. And a control unit.

또한, 상기 SB60단계 및 SB70단계 사이에 패턴이 형성된 나노박막과 타겟 기판을 밀착시키는 단계(SB65)가 더 수행되는 것을 특징으로 한다.Further, a step SB65 of bringing the nanotubes having the pattern formed thereon and the target substrate in close contact with each other is further performed between steps SB60 and SB70.

그리고 본 발명의 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 장치는, 상면에 나노박막이 형성된 금속 기판을 공급하는 금속 기판 공급롤; 상기 금속 기판의 나노박막에 패턴 형상을 임프린트하며, 나노박막의 두께보다 두꺼운 패턴이 형성되는 롤 스탬프 및 가압롤; 금속 기판의 상측에서 캐리어 기판을 연속으로 공급하는 캐리어 기판 공급롤; 패턴이 형성된 나노박막에 캐리어 기판을 밀착시키는 한 쌍의 제1밀착롤; 상기 제1밀착롤을 통과하여 캐리어 기판, 패턴이 형성된 나노박막 및 금속 기판이 밀착된 상태에서 금속 기판을 제거하는 금속 기판 제거부; 상기 캐리어 기판의 하측에서 타겟 기판을 연속으로 공급하는 타겟 기판 공급롤; 상기 패턴이 형성된 나노박막에 타겟 기판을 밀착시키는 한 쌍의 제2밀착롤; 상기 제2밀착롤을 통과한 캐리어 기판을 회수하는 캐리어 기판 회수롤; 및 상기 패턴이 형성된 나노박막이 전사된 타겟 기판을 회수하는 타겟 기판 회수롤; 을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The nano thin film pattern formation and transfer apparatus using the imprint technique of the present invention includes: a metal substrate supply roll for supplying a metal substrate on which a nano thin film is formed; A roll stamp and a press roll in which a pattern shape is imprinted on the nano thin film of the metal substrate and a pattern thicker than the thickness of the nano thin film is formed; A carrier substrate supply roll for continuously supplying a carrier substrate from above the metal substrate; A pair of first contact rolls for bringing the carrier substrate into close contact with the patterned nanotubes; A metal substrate removing unit that removes the metal substrate in a state in which the carrier substrate, the nanotubes having the pattern formed thereon, and the metal substrate are in close contact with each other; A target substrate supply roll for continuously supplying a target substrate on a lower side of the carrier substrate; A pair of second contact rolls for bringing the target substrate into close contact with the patterned nanotubes; A carrier substrate recovery roll for recovering the carrier substrate that has passed through the second adhesion roll; And a target substrate recovery roll for recovering a target substrate onto which the patterned nano thin film is transferred; And a control unit.

또한, 상기 금속 기판 제거부는 상기 제1밀착롤을 통과한 캐리어 기판의 상측을 눌러주는 롤러 및 금속 기판이 잠기도록 형성되는 에칭액이 수용되는 용기를 포함하는 것을 특징으로 한다.The metal substrate removing unit may include a roller that presses the upper side of the carrier substrate that has passed through the first adhered roll, and a container that receives the etchant that is formed so that the metal substrate is locked.

또한, 상기 제2밀착롤과 타겟 기판 회수롤 사이에는 패턴이 형성된 나노박막과 타켓 기판을 밀착시키는 제3밀착롤이 더 형성되는 것을 특징으로 한다.Further, a nano thin film having a pattern formed thereon is further formed between the second adherent roll and the target substrate recovery roll, and a third adherent roll for adhering the target substrate to the target substrate.

또한, 본 발명의 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법은, 상면에 나노박막이 형성된 금속 기판을 준비하는 단계(SC10); 상기 금속 기판의 상측에서 캐리어 기판을 나노박막에 밀착시키는 단계(SC20); 상기 금속 기판을 제거하는 단계(SC30); 상기 캐리어 기판의 하측에서 패턴이 형성된 스탬프를 이용해 나노박막에 패턴 형상을 임프린트하되, 상기 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막 하면이 캐리어 기판의 하면보다 상측으로 들어가도록 형성하는 단계(SC40); 및 상기 캐리어 기판에 부착된 패턴이 형성된 나노박막을 타겟 기판에 밀착시켜 전사하는 단계(SC50); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the method for forming and transferring a nano thin film using the imprint technique of the present invention includes: preparing a metal substrate on which a nano thin film is formed (SC10); A step (SC20) of bringing the carrier substrate into close contact with the nano thin film on the metal substrate; Removing the metal substrate (SC30); (SC40) of imprinting a pattern shape on the nano thin film using a stamp having a pattern formed on the lower side of the carrier substrate so that the lower surface of the nano thin film pressed by the pattern of the stamp is located above the lower surface of the carrier substrate; And a step (SC50) of transferring the nano-thin film on which the pattern adhered to the carrier substrate is formed, to the target substrate and transferring the same. And a control unit.

또한, 본 발명의 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법은, 상면에 나노박막이 형성된 금속 기판을 준비하는 단계(SD10); 상기 금속 기판의 상측에서 패턴이 형성된 스탬프를 이용해 나노박막에 패턴 형상을 임프린트하되, 상기 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막 상면이 금속 기판의 상면보다 하측으로 들어가도록 형성하는 단계(SD20); 하면에 접착층이 형성된 타겟 기판을 상기 금속 기판의 상측에서 밀착시켜, 상기 접착층이 나노박막에 밀착되도록 하는 단계(SD30); 및 상기 금속 기판을 떼어내 패턴이 형성된 나노박막을 상기 접착층이 형성된 타겟 기판으로 전사하는 단계(SD40); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
In addition, the method of forming and transferring a nano thin film using the imprint technique of the present invention includes the steps of: (SD10) preparing a metal substrate on which a nano thin film is formed; A step (SD20) of imprinting a pattern shape on the nano thin film using a stamp having a pattern formed on the metal substrate, and forming a top face of the nano thin film pressed by the pattern of the stamp so as to be lower than the upper face of the metal substrate; A step (SD30) of bringing the target substrate having the adhesive layer on the lower surface thereof in close contact with the upper surface of the metal substrate, so that the adhesive layer is brought into close contact with the nanofilm; And transferring the nano thin film on which the pattern is formed by removing the metal substrate to the target substrate on which the adhesive layer is formed (SD40); And a control unit.

본 발명의 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법 및 장치는, 임프린트 기법을 이용하여 일반적인 환경(상온)에서 금속 기판 상에 형성된 나노박막에 패턴을 형성할 수 있는 장점이 있다.The nano thin film pattern forming and transferring method and apparatus using the imprint method of the present invention have an advantage that a pattern can be formed on a nano thin film formed on a metal substrate in a general environment (room temperature) by using an imprint technique.

또한, 형성된 나노박막 패턴의 변형이 적은 장점이 있다.Further, there is an advantage that deformation of the formed nanofiltration pattern is small.

또한, 롤 스탬프 및 롤투롤 공정을 이용하여 연속으로 나노박막 패턴을 형성하고 이를 원하는 타겟 기판에 전사할 수 있는 장점이 있다.
Also, there is an advantage that a nano thin film pattern can be continuously formed by using a roll stamping and a roll-to-roll process and transferred to a desired target substrate.

도 1은 종래의 나노박막 패턴 형성 및 전사 방법을 나타낸 개략도.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법을 나타낸 개략도.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법을 나타낸 개략도.
도 4는 롤 스탬프를 이용하여 나노박막에 패턴을 형성하는 방법을 나타낸 사시도.
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법 및 장치를 나타낸 개략도.
도 6은 본 발명에 따른 금속 기판이 구리 호일로 이루어져 나노박막이 형성되는 경우 고온 열처리에 따른 강도의 변화를 나타낸 응력-변형율 그래프.
도 7은 본 발명의 제4실시예에 따른 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법을 나타낸 개략도.
도 8은 본 발명의 제5실시예에 따른 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법을 나타낸 개략도.1 is a schematic view showing a conventional nano thin film pattern formation and transfer method.
2 is a schematic view showing a method of forming and transferring a nano thin film pattern using the imprint technique according to the first embodiment of the present invention.
3 is a schematic view showing a method of forming and transferring a nano thin film pattern using an imprint technique according to a second embodiment of the present invention.
4 is a perspective view showing a method of forming a pattern on a nano thin film using a roll stamp;
5 is a schematic view showing a method and apparatus for forming and transferring a nano thin film pattern using an imprint technique according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a graph showing a stress-strain curve showing a change in strength according to a high-temperature heat treatment when a metal substrate according to the present invention is formed of a copper foil and a nano thin film is formed.
7 is a schematic view showing a method of forming and transferring a nano thin film pattern using an imprint technique according to a fourth embodiment of the present invention.
8 is a schematic view illustrating a method of forming and transferring a nano thin film pattern using an imprint technique according to a fifth embodiment of the present invention.

이하, 상기한 바와 같은 본 발명의 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법 및 장치를 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a method and apparatus for forming and transferring a nano thin film using the imprint technique of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법을 나타낸 개략도이고, 도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법을 나타낸 개략도이다.FIG. 2 is a schematic view illustrating a method of forming and transferring a nano thin film using the imprint technique according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a schematic view illustrating a method of forming and transferring a nano thin film pattern using the imprint technique according to the second embodiment of the present invention Fig.

도시된 바와 같이 본 발명의 제1실시예 및 제2실시예에 따른 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법은, 상면에 나노박막(2)이 형성된 금속 기판(1)을 준비하는 단계(SA10); 상기 금속 기판(1)의 상측에서 패턴이 형성된 스탬프를 이용해 나노박막(2)에 패턴 형상을 임프린트하되, 상기 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막 상면이 금속 기판(1)의 상면보다 하측으로 들어가도록 형성하는 단계(SA20); 상기 금속 기판(1)의 상측에서 캐리어 기판(3)을 나노박막(2)에 밀착시키는 단계(SA30); 상기 금속 기판(1)을 제거하는 단계(SA40); 및 상기 캐리어 기판(3)에 부착된 패턴이 형성된 나노박막(2)을 타겟 기판(4)에 밀착시켜 전사하는 단계(SA50); 를 포함하여 이루어진다.As shown in the figure, the method of forming and transferring a nano thin film using the imprint technique according to the first and second embodiments of the present invention includes the steps of preparing a metal substrate 1 on which a nano thin film 2 is formed SA10); A pattern shape is imprinted on the nano thin film 2 using a stamp having a pattern formed on the upper side of the metal substrate 1 so that the upper surface of the nano thin film pressed by the pattern of the stamp is located below the upper surface of the metal substrate 1 (SA20); A step (SA30) of bringing the carrier substrate (3) onto the nano thin film (2) from above the metal substrate (1); Removing the metal substrate (1) (SA40); And a step (SA50) of transferring the nano thin film (2) having a pattern adhered to the carrier substrate (3) closely attached to the target substrate (4); .

우선, 금속 기판(1)은 구리(Cu)와 같은 금속 호일(foil)로 형성되고 나노박막(2)은 그래핀이 될 수 있다. 이때, 나노박막(2)은 금속 기판(1)의 상면에 형성되며 화학기상증착(CVD) 등을 통해 형성될 수 있다.First, the metal substrate 1 may be formed of a metal foil such as copper (Cu), and the nanotubes 2 may be graphene. At this time, the nano thin film 2 is formed on the upper surface of the metal substrate 1 and may be formed through chemical vapor deposition (CVD) or the like.

상면에 나노박막(2)이 형성된 금속 기판(1)을 준비한 후 나노박막(2)이 상측에 오도록 금속 기판(1)을 배치하고, 도 2(b), 도 3(b) 및 도 4와 같이 금속 기판(1)의 상측에서 패턴(210)이 형성된 스탬프(200a, 200)를 이용해 눌러 나노박막(2)에 패턴 형상을 임프린트한다. 상기 스탬프는 일면에 패턴(210)이 형성된 평판형 스탬프(200a) 또는 외주면에 패턴이 형성된 롤 스탬프(200)가 사용될 수 있다. 여기에서 스탬프에 형성된 패턴(210)에 의해 눌린 부분의 나노박막(2) 상면은 금속 기판(1)의 상면보다 하측으로 들어가도록 임프린트된다. 이때, 형성되는 패턴의 형상은 도 4와 같은 사각형 형태 이외에도 삼각형, 다각형, 원형 및 랜덤한 형태 등 다양하게 형성될 수 있다. 그리고 이후 금속 기판(1)의 상측에서 캐리어 기판(3)을 나노박막(2)에 밀착시키고, 금속 기판(1)에서 캐리어 기판(3)을 제거하면 패턴 형상이 형성된 나노박막(2)이 캐리어 기판(3)에 옮겨진다. 그리고 금속 기판(1)은 에칭에 의해 제거될 수 있다. 그리하여 캐리어 기판(3)의 하면에 패턴 형상이 형성된 나노박막(2)이 부착된 상태에서 이를 타켓 기판(4)에 밀착시킨 후 캐리어 기판(3)을 분리하면 패턴 형상이 형성된 나노박막(2)이 타켓 기판(4)에 전사될 수 있다. 여기에서 타겟 기판(4)은 최종적으로 사용하고자 하는 실리콘 웨이퍼 또는 폴리머 기판 등이 될 수 있다.The metal substrate 1 on which the nano thin film 2 is formed on the upper surface is arranged and the metal substrate 1 is arranged on the upper side of the nano thin film 2, A pattern shape is imprinted on the nano thin film 2 by using stamps 200a and 200 having a pattern 210 formed on the upper side of the metal substrate 1. [ The stamp may be a flat stamp 200a having a pattern 210 formed on one side thereof or a roll stamp 200 having a pattern formed on an outer circumference thereof. Here, the upper surface of the nano thin film 2 pressed by the pattern 210 formed on the stamp is imprinted to be lower than the upper surface of the metal substrate 1. At this time, the shape of the formed pattern may be variously formed in a triangular shape, a polygonal shape, a circular shape, and a random shape in addition to the rectangular shape as shown in FIG. Thereafter, the carrier substrate 3 is brought into close contact with the nanotubes 2 on the upper side of the metal substrate 1 and the carrier substrate 3 is removed from the metal substrate 1. The nanotubes 2, And transferred to the substrate 3. Then, the metal substrate 1 can be removed by etching. The nano thin film 2 having a pattern formed on the lower surface of the carrier substrate 3 is adhered to the target substrate 4 in a state where the nano thin film 2 is attached to the lower surface of the carrier substrate 3, Can be transferred to the target substrate 4. Here, the target substrate 4 may be a silicon wafer or a polymer substrate to be finally used.

이때, 상기 SA20단계에서, 상기 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막(2)은 눌리지 않은 부분과 분리되도록 임프린트된다. 즉, 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막과 눌리지 않은 부분의 나노박막이 서로 분리되도록 패턴에 의해 수직으로 깊게 눌려, 눌리지 않은 부분의 나노박막이 전사되기 용이하도록 형성될 수 있다.At this time, in step SA20, the nano thin film 2 pressed by the pattern of the stamp is imprinted so as to be separated from the unpressed portion. That is, the nano thin film pressed by the pattern of the stamp can be formed so as to be pressed deeply vertically by the pattern so that the nano thin film of the portion not pressed and the nano thin film of the unpressed portion are separated from each other.

그리하여 나노박막에 형성된 패턴의 경계가 확실해지고, 이에 따라 캐리어 기판 및 타겟 기판으로의 나노박막 전사 과정에서 나노박막에 형성된 패턴의 변형이 없어 공정을 줄여 저가의 비용으로 나노박막에 패턴을 형성하여 전사할 수 있다.As a result, the boundaries of the patterns formed on the nano thin film become clear and there is no deformation of the patterns formed on the nano thin film in the process of transferring the nano thin film onto the carrier substrate and the target substrate. can do.

그리고 상기 금속 기판(1) 상면에 형성되는 나노박막(2)은 화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)에 의해 형성될 수 있다. 이는 고온에서 나노박막이 증착되는 화학기상증착의 특성 상, 고온에서 금속 기판이 열처리 되므로 항복강도가 낮아지고 이에 따라 스탬프의 패턴에 의해 눌려 금속 기판이 소성변형 됨으로써, 스탬프의 패턴에 의해 눌리는 부분의 나노박막이 금속 기판의 상면보다 하측으로 눌려지기 용이하기 때문이다.The nano thin film 2 formed on the upper surface of the metal substrate 1 may be formed by chemical vapor deposition (CVD). This is because the metal substrate is heat-treated at a high temperature due to the characteristics of the chemical vapor deposition in which the nano thin film is deposited at a high temperature so that the yield strength is lowered and the metal substrate is plastically deformed by the pattern of the stamp, This is because the nano thin film is easily pressed downward from the upper surface of the metal substrate.

이때, 금속 기판은 Ni, Pt, Co, Al, Fe, Au, Ag, Cr, Mg, Mn, Mo, Ta, Ti, W, Pd 중 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상이 적층된 호일(foil)로 형성되며, 상온에서 나노박막에 패턴 형상이 임프린트될 수 있다.At this time, the metal substrate is a foil in which one or more selected from among Ni, Pt, Co, Al, Fe, Au, Ag, Cr, Mg, Mn, Ta, Ti, W, And a pattern shape may be imprinted on the nanotubes at room temperature.

즉, 금속 기판은 상기한 금속 재질 중 하나의 얇은 호일 형태로 형성될 수 있고, 둘 이상의 금속 재질이 적층되어 밀착된 다층 구조의 호일 형태로 형성될 수도 있으며, 바람직하게는 금속 기판이 구리 호일로 형성되어 그 상면에 화학기상증착에 의해 나노박막이 형성될 경우, 도 6의 그래프와 같이 화학기상증착시의 고온 열처리 공정으로 인해 금속 조직의 변화가 생겨 낮은 강도를 갖게 되므로, 기존의 PET와 같은 재질을 이용한 고온 임프린팅 방법에 비해 상온에서도 패터닝이 가능하다.That is, the metal substrate may be formed in the form of a thin foil of one of the metal materials described above, or may be formed in the form of a multi-layered foil in which two or more metal materials are laminated and adhered to each other. Preferably, When the nano thin film is formed on the upper surface by the chemical vapor deposition, as shown in the graph of FIG. 6, the metal structure is changed due to the high-temperature heat treatment process during chemical vapor deposition, Compared with the high-temperature imprinting method using the material, patterning is possible at room temperature.

그리하여 본 발명의 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법은, 임프린트 기법을 이용하여 일반적인 환경(상온)에서 금속 기판 상에 형성된 나노박막에 패턴을 형성하기 용이한 장점이 있다. 또한, 나노박막 패턴의 변형이 없으며, 공정을 줄여 저가의 비용으로 나노박막 패턴을 형성하여 전사할 수 있는 장점이 있다.Thus, the nano thin film pattern formation and transfer method using the imprint technique of the present invention has an advantage of easily forming a pattern on a nano thin film formed on a metal substrate at a normal environment (room temperature) by using the imprint technique. In addition, there is no deformation of the nano thin film pattern, and there is an advantage that the nano thin film pattern can be formed and transferred at a low cost by reducing the process.

그리고 본 발명의 제3실시예에 따른 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법은, 상면에 나노박막(2)이 형성된 금속 기판(1)을 연속으로 공급하는 단계(SB10); 공급되는 금속 기판(1)의 나노박막(2)에 롤 스탬프(200)를 이용하여 패턴(210) 형상을 임프린트하되, 롤 스탬프(200)의 패턴(210)에 의해 눌린 부분의 나노박막(2) 상면이 금속 기판(1)의 상면보다 하측으로 들어가도록 형성하는 단계(SB20); 상측에서 캐리어 기판(3)을 연속으로 공급하여, 패턴이 형성된 나노박막(2)에 캐리어 기판(3)이 밀착되도록 하는 단계(SB30); 상기 금속 기판(1)을 제거하는 단계(SB40); 하측에서 타겟 기판(4)을 연속으로 공급하여, 패턴이 형성된 나노박막(2)에 타겟 기판(4)이 밀착되도록 하는 단계(SB50); 상기 캐리어 기판(3)을 회수하여 타겟 기판(4)의 상면에 패턴이 형성된 나노박막(2)이 전사되도록 하는 단계(SB60); 및 상기 패턴이 형성된 나노박막(2)이 전사된 타겟 기판(4)을 회수하는 단계(SB70); 를 포함하여 이루어진다.The method of forming and transferring a nano thin film using the imprint technique according to the third embodiment of the present invention includes: a step (SB10) of continuously supplying a metal substrate 1 on which a nano thin film 2 is formed; The pattern 210 is imprinted on the nano thin film 2 of the supplied metal substrate 1 using the roll stamp 200 so that the nano thin film 2 pressed by the pattern 210 of the roll stamp 200 ) Forming the upper surface of the metal substrate 1 so as to be lower than the upper surface of the metal substrate 1 (SB20); (SB30) of supplying the carrier substrate 3 continuously from the upper side to bring the carrier substrate 3 into close contact with the nanofilm 2 on which the pattern is formed; Removing the metal substrate 1 (SB40); A step (SB50) of supplying the target substrate 4 continuously from the lower side so that the target substrate 4 adheres to the nanofilm 2 on which the pattern is formed; A step (SB60) of recovering the carrier substrate (3) and transferring the nano thin film (2) having a pattern formed on the upper surface of the target substrate (4); And a step (SB70) of recovering the target substrate (4) to which the patterned nanofiber (2) is transferred. .

이는, 상기한 제1실시예 및 제2실시예와 유하하며, 제2실시예와 같이 패턴(210)이 형성된 롤 스탬프(200)를 이용하여 연속으로 나노박막(2)에 패턴 형상을 형성하고 이를 전사할 수 있는 방법이다.This is similar to the first and second embodiments described above, and a pattern shape is continuously formed on the nano thin film 2 by using the roll stamp 200 in which the pattern 210 is formed as in the second embodiment It is a way to transfer it.

즉, 도 5와 같이 나노박막(2)이 형성된 금속 기판(1)을 롤 형태로 하여 연속적으로 공급하면서 롤 스탬프(200)를 이용하여 롤 스탬프(200)의 패턴(210)에 의해 눌린 부분의 나노박막(2) 상면이 금속 기판(1)의 상면보다 하측으로 들어가도록 형성하여 나노박막(2)에 패턴 형상을 연속으로 임프린트하고, 상측에서 캐리어 기판(3)을 연속으로 공급하여 패턴이 형성된 나노박막(2)에 캐리어 기판(3)이 밀착되도록 한다. 이후 금속 기판(1)을 에칭을 통해 제거하고, 그 하측에서 타겟 기판(4)을 연속으로 공급하여 패턴이 형성된 나노박막(2)에 타겟 기판(4)이 밀착되도록 한다. 그리고 상측에서는 캐리어 기판(3)을 회수하여 타겟 기판(4)의 상면에 패턴이 형성된 나노박막(2)이 전사되도록 하여 이를 회수하여, 연속적으로 나노박막(2)에 패턴 형성 및 타겟 기판(4)에 패턴 형상이 형성된 나노박막(2)을 전사할 수 있다.5, the metal substrate 1 on which the nano thin film 2 is formed is fed in a roll form while the roll stamp 200 is continuously fed to the roll stamp 200, The upper surface of the nano thin film 2 is formed so as to be lower than the upper surface of the metal substrate 1 so that the pattern shape is continuously imprinted on the nano thin film 2 and the carrier substrate 3 is continuously supplied from above to form a pattern So that the carrier substrate 3 is brought into close contact with the nano thin film 2. Thereafter, the metal substrate 1 is removed by etching, and the target substrate 4 is continuously supplied from the lower side thereof, so that the target substrate 4 adheres to the nanofilm 2 on which the pattern is formed. The carrier substrate 3 is recovered on the upper side so that the nano thin film 2 having the pattern formed on the upper surface of the target substrate 4 is transferred and recovered to continuously form a pattern on the nano thin film 2, The nanofilm 2 on which the pattern shape is formed can be transferred.

이때, 상기 SB60단계 및 SB70단계 사이에는 패턴이 형성된 나노박막(2)과 타겟 기판(4)을 밀착시키는 단계(SB65)가 더 수행될 수 있다.At this time, a step (SB65) of bringing the nano thin film 2 having the pattern formed thereon and the target substrate 4 in close contact with each other may be further performed between steps SB60 and SB70.

이하 상기와 같이 연속으로 나노박막에 패턴을 형성하고, 타겟 기판에 패턴 형상이 형성된 나노박막을 전사할 수 있는 본 발명의 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 장치(1000)는, 도 5와 같이 상면에 나노박막(2)이 형성된 금속 기판(1)을 공급하는 금속 기판 공급롤(100); 상기 금속 기판(1)의 나노박막(2)에 패턴 형상을 임프린트하며, 나노박막의 두께보다 두꺼운 패턴(210)이 형성되는 롤 스탬프(200) 및 가압롤(300); 금속 기판(1)의 상측에서 캐리어 기판(3)을 연속으로 공급하는 캐리어 기판 공급롤(410); 패턴이 형성된 나노박막(2)에 캐리어 기판(3)을 밀착시키는 한 쌍의 제1밀착롤(510); 상기 제1밀착롤(510)을 통과하여 캐리어 기판(30), 패턴이 형성된 나노박막(2) 및 금속 기판(1)이 밀착된 상태에서 금속 기판(1)을 제거하는 금속 기판 제거부(600); 상기 캐리어 기판(3)의 하측에서 타겟 기판(4)을 연속으로 공급하는 타겟 기판 공급롤(700); 상기 패턴이 형성된 나노박막(2)에 타겟 기판(4)을 밀착시키는 한 쌍의 제2밀착롤(520); 상기 제2밀착롤(520)을 통과한 캐리어 기판(3)을 회수하는 캐리어 기판 회수롤(420); 및 상기 패턴이 형성된 나노박막(2)이 전사된 타겟 기판(4)을 회수하는 타겟 기판 회수롤(800); 을 포함하여 이루어질 수 있다.The nano thin film pattern forming and transferring apparatus 1000 using the imprint method of the present invention capable of forming a pattern on the nano thin film continuously and transferring the nano thin film having a pattern shape to the target substrate, A metal substrate feed roll 100 for feeding a metal substrate 1 on which an nano thin film 2 is formed on an upper surface; A roll stamp 200 and a pressing roll 300 on which a pattern shape is imprinted on the nano thin film 2 of the metal substrate 1 and in which a pattern 210 thicker than the thickness of the nano thin film is formed; A carrier substrate feed roll 410 for continuously feeding the carrier substrate 3 above the metal substrate 1; A pair of first contact rollers 510 for closely contacting the carrier substrate 3 to the nanofiber film 2 on which the pattern is formed; A metal substrate removing unit 600 for removing the metal substrate 1 in a state in which the carrier substrate 30, the nano thin film 2 having the pattern formed thereon, and the metal substrate 1 are in close contact with each other, ); A target substrate supply roll 700 for continuously supplying the target substrate 4 below the carrier substrate 3; A pair of second adhered rolls 520 for closely adhering the target substrate 4 to the nano thin film 2 on which the pattern is formed; A carrier substrate recovery roll 420 for recovering the carrier substrate 3 having passed through the second adhesion roll 520; And a target substrate recovery roll 800 for recovering the target substrate 4 to which the patterned nanofiber 2 is transferred. . ≪ / RTI >

즉, 나노박막(2)이 상면에 형성된 금속 기판(1)을 호일 형태로 하여 금속 기판 공급롤(100)에 권취하여 연속으로 롤 스탬프(200)와 가압롤(300)사이로 공급하여 나노박막(2)에 패턴 형상을 형성하고, 금속 기판(1)의 상측에서 캐리어 기판(3)이 권취된 캐리어 기판 공급롤(410)을 통해 한 쌍의 제1밀착롤(510) 사이를 통과시켜 캐리어 기판(3)이 나노박막(2)의 상면에 밀착될 수 있다. 그리고 에칭액(630)을 통과시켜 금속 기판(1)이 제거되어 캐리어 기판(3)의 하면에 패턴 형상이 형성된 나노박막(2) 만이 부착된 상태가 된다. 이후 하측에서 타겟 기판(4)이 권취된 타겟 기판 공급롤(700)을 통해 타겟 기판(4)을 연속적으로 공급하면서 타겟 기판(4)이 나노박막(2)의 하측에 밀착되도록 한 쌍의 제2밀착롤(520)을 통과시킨다. 그리고 제2밀착롤(520)을 통과한 상태에서 상측에 구비된 캐리어 기판 회수롤(420)을 통해 캐리어 기판(3)을 회수하여 캐리어 기판(3)이 나노박막(2)과 떨어지고 패턴 형상이 형성된 나노박막(2)은 최종적으로 타겟 기판(4)의 상측에 전사된다. 그리하여 나노박막(2)이 전사된 타겟 기판(4)은 타겟 기판 회수롤(800)에 권취되어 연속적인 전사가 이루어질 수 있다. 이때, 롤 스탬프(200)는 외주면에 패턴(210)이 형성되되 나노박막(2)의 두께보다 두꺼운 패턴(210)이 형성되며, 가압롤(300)은 외주면이 매끈하게 형성된다.That is, the metal substrate 1 having the nano thin film 2 formed on the upper surface thereof is wound in a foil form on the metal substrate feed roll 100 and fed continuously between the roll stamp 200 and the press roll 300 to form the nano thin film 2 and is passed through a pair of first contact rolls 510 through a carrier substrate feed roll 410 on which the carrier substrate 3 is wound from above the metal substrate 1, (3) can be brought into close contact with the upper surface of the nanomembrane (2). Then, the metal substrate 1 is removed by passing the etchant 630, and only the nanofilm 2 having the pattern shape formed on the lower surface of the carrier substrate 3 is attached. The target substrate 4 is continuously supplied from the lower side through the target substrate feed roll 700 on which the target substrate 4 is wound and the target substrate 4 is brought into close contact with the lower side of the nano thin film 2, 2 Adhesive roll 520 is passed. The carrier substrate 3 is recovered through the carrier substrate recovery roll 420 disposed on the upper side in the state of passing through the second adhesion roll 520 and the carrier substrate 3 is separated from the nano thin film 2, The formed nano thin film 2 is finally transferred to the upper side of the target substrate 4. Thus, the target substrate 4 to which the nano thin film 2 has been transferred can be wound on the target substrate recovery roll 800 and transferred successively. At this time, a pattern 210 is formed on the outer circumferential surface of the roll stamp 200, a pattern 210 thicker than the thickness of the nano thin film 2 is formed, and the outer circumferential surface of the press roll 300 is smoothly formed.

또한, 상기 금속 기판 제거부(600)는 상기 제1밀착롤(510)을 통과한 캐리어 기판(3)의 상측을 눌러주는 롤러(610) 및 금속 기판이 잠기도록 형성되는 에칭액(630)이 수용되는 용기(620)를 포함하여 이루어져, 연속적으로 금속 기판(1)이 에칭액(630)을 통과하면서 제거될 수 있다.The metal substrate removing unit 600 includes a roller 610 for pressing the upper side of the carrier substrate 3 that has passed through the first contact roll 510 and an etching solution 630 for locking the metal substrate. The metal substrate 1 can be removed while passing through the etchant 630. [0064]

또한, 상기 제2밀착롤(520)과 타겟 기판 회수롤(800) 사이에는 패턴이 형성된 나노박막(2)과 타켓 기판(4)을 밀착시키는 제3밀착롤(530)이 더 형성될 수 있다. 즉, 패턴 형상이 형성된 나노박막(2)을 타겟 기판(4)에 다시 밀착시켜 나노박막(2)이 떨어지지 않고 전사된 상태가 양호하게 유지되도록 할 수 있다.The nano thin film 2 on which the pattern is formed may further be formed between the second adherence roll 520 and the target substrate recovery roll 800 to form a third adherence roll 530 that closely contacts the target substrate 4 . That is, the nano thin film 2 on which the pattern shape is formed is brought into close contact with the target substrate 4 again, so that the nano thin film 2 can be kept in a good state without falling off.

이때, 금속 기판은 상기한 바와 같은 금속 재질 이외에 금속보다 높은 강도를 갖는 물질로 형성될 수 있으며, 강도가 높은 폴리머 재질로 형성될 수도 있다.In this case, the metal substrate may be formed of a material having a higher strength than that of metal other than the above-described metal material, or may be formed of a polymer material having high strength.

그리고 본 발명의 제4실시예에 따른 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법은, 상면에 나노박막(2)이 형성된 금속 기판(1)을 준비하는 단계(SC10); 상기 금속 기판(1)의 상측에서 캐리어 기판(3)을 나노박막(2)에 밀착시키는 단계(SC20); 상기 금속 기판(1)을 제거하는 단계(SC30); 상기 캐리어 기판(2)의 하측에서 패턴이 형성된 스탬프를 이용해 나노박막(2)에 패턴 형상을 임프린트하되, 상기 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막(2) 하면이 캐리어 기판(3)의 하면보다 상측으로 들어가도록 형성하는 단계(SC40); 및 상기 캐리어 기판(3)에 부착된 패턴이 형성된 나노박막(2)을 타겟 기판(4)에 밀착시켜 전사하는 단계(SC50); 를 포함하여 이루어질 수 있다.The method for forming and transferring a nano thin film using the imprint technique according to the fourth embodiment of the present invention comprises: (SC10) preparing a metal substrate 1 on which a nano thin film 2 is formed; A step (SC20) of bringing the carrier substrate (3) on the nano thin film (2) at an upper side of the metal substrate (1); Removing the metal substrate 1 (SC30); The patterned shape is imprinted on the nano thin film 2 by using a stamp having a pattern formed on the lower side of the carrier substrate 2 so that the lower surface of the nano thin film 2 pressed by the pattern of the stamp on the lower surface of the carrier substrate 3 (SC40); And a step (SC50) of transferring the nano thin film (2) having a pattern attached to the carrier substrate (3) closely attached to the target substrate (4); . ≪ / RTI >

이는 도 7과 같이 금속 기판(1) 상면에 형성된 나노박막(2)에 캐리어 기판(3)을 밀착시키고 에칭을 통해 금속 기판(1)을 제거하여 캐리어 기판(3)으로 나노박막(2)을 옮기고, 캐리어 기판(3)상에서 패턴이 형성된 스탬프를 이용하여 나노박막(2)에 패턴 형상을 임프린팅 한 후 패턴이 형성된 나노박막(2)을 타켓 기판(4)에 밀착시켜 타켓 기판(4)으로 패턴이 형성된 나노박막(2)을 전사하는 방법이다. 이때, 캐리어 기판(3)은 스탬프의 패턴 형상에 의해 눌려 소성변형이 일어날 수 있는 재질로 형성되며, 스탬프는 일면에 패턴(210)이 형성된 평판형 스탬프(200a) 또는 외주면에 패턴이 형성된 롤 스탬프(200)가 사용될 수 있다.7, the carrier substrate 3 is closely contacted with the nano thin film 2 formed on the upper surface of the metal substrate 1 and the metal substrate 1 is removed by etching to remove the nano thin film 2 with the carrier substrate 3 A pattern is imprinted on the nano thin film 2 using a stamp having a pattern formed on the carrier substrate 3 and then the nano thin film 2 on which the pattern is formed is brought into close contact with the target substrate 4, The nanotubes 2 having the pattern formed thereon are transferred. At this time, the carrier substrate 3 is formed of a material that can be plastically deformed by the pattern shape of the stamp, and the stamp is a flat plate-like stamp 200a having a pattern 210 formed on one surface thereof, (200) may be used.

또한, SC40단계에서 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막(2)은 눌리지 않은 부분과 분리되도록 임프린트된다. 즉, 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막과 눌리지 않은 부분의 나노박막이 서로 분리되도록 패턴에 의해 수직으로 깊게 눌려, 눌리지 않은 부분의 나노박막이 전사되기 용이하도록 형성될 수 있다.In addition, in step SC40, the nano thin film 2 pressed by the pattern of the stamp is imprinted so as to be separated from the unpressed portion. That is, the nano thin film pressed by the pattern of the stamp can be formed so as to be pressed deeply vertically by the pattern so that the nano thin film of the portion not pressed and the nano thin film of the unpressed portion are separated from each other.

그리하여 금속 기판(1)이 상온에서 소성변형을 일으키기 어려운 재질로 형성되는 경우, 캐리어 기판(3)으로 나노박막(2)을 옮긴 후 상온에서 나노박막(2)에 패턴을 형성한 후 타겟 기판(4)으로 전사할 수 있는 장점이 있다.In the case where the metal substrate 1 is formed of a material hardly causing plastic deformation at room temperature, after transferring the nanofilm 2 to the carrier substrate 3, a pattern is formed on the nanofilm 2 at room temperature, 4). ≪ / RTI >

그리고 본 발명의 제5실시예에 따른 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법은, 상면에 나노박막이 형성된 금속 기판을 준비하는 단계(SD10); 상기 금속 기판의 상측에서 패턴이 형성된 스탬프를 이용해 나노박막에 패턴 형상을 임프린트하되, 상기 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막 상면이 금속 기판의 상면보다 하측으로 들어가도록 형성하는 단계(SD20); 하면에 접착층이 형성된 타겟 기판을 상기 금속 기판의 상측에서 밀착시켜, 상기 접착층이 나노박막에 밀착되도록 하는 단계(SD30); 및 상기 금속 기판을 떼어내 패턴이 형성된 나노박막을 상기 접착층이 형성된 타겟 기판으로 전사하는 단계(SD40); 를 포함하여 이루어질 수 있다.The method of forming and transferring a nano thin film using the imprint technique according to the fifth embodiment of the present invention includes: preparing a metal substrate on which a nano thin film is formed (SD10); A step (SD20) of imprinting a pattern shape on the nano thin film using a stamp having a pattern formed on the metal substrate, and forming a top face of the nano thin film pressed by the pattern of the stamp so as to be lower than the upper face of the metal substrate; A step (SD30) of bringing the target substrate having the adhesive layer on the lower surface thereof in close contact with the upper surface of the metal substrate, so that the adhesive layer is brought into close contact with the nanofilm; And transferring the nano thin film on which the pattern is formed by removing the metal substrate to the target substrate on which the adhesive layer is formed (SD40); . ≪ / RTI >

이는 도 8과 같이 금속 기판(1)의 상면에 형성된 나노박막(2)에 금속 기판(1)의 상측에서 패턴이 형성된 스탬프를 이용하여 나노박막(2)에 패턴 형상을 임프린트 한 후 패턴이 형성된 나노박막을 타겟 기판(4)에 밀착시켜 전사하는 방법으로, 이때 타겟 기판(4)의 하면에는 접착층(5)이 형성되어, 접착층(5)을 패턴이 형성된 나노박막(2)과 밀착되도록 한 후 금속 기판(1)을 떼어내 전사하는 것이다.As shown in FIG. 8, a pattern is formed on the nano thin film 2 by using a stamp having a pattern formed on the upper side of the metal substrate 1 on the nano thin film 2 formed on the upper surface of the metal substrate 1, The adhesive layer 5 is formed on the lower surface of the target substrate 4 at this time so that the adhesive layer 5 is brought into close contact with the nano thin film 2 on which the pattern is formed The rear metal substrate 1 is removed and transferred.

그리하여 나노박막에 패턴을 형성하고 이를 타겟 기판으로 전사하는 과정이 간단하여, 나노박막의 패턴형성 및 전사가 용이한 장점이 있다.Thus, the process of forming a pattern on the nanofiltration film and transferring the pattern to the target substrate is simple, and it is easy to form and transfer the nanofiltration film.

이때에도 마찬가지로 금속 기판(1)은 스탬프의 패턴 형상에 의해 눌려 소성변형이 일어날 수 있는 재질로 형성되며, 스탬프는 일면에 패턴(210)이 형성된 평판형 스탬프(200a) 또는 외주면에 패턴이 형성된 롤 스탬프(200)가 사용될 수 있다.At this time, likewise, the metal substrate 1 is formed of a material which can be plastically deformed by the pattern shape of the stamp, and the stamp is formed of a flat plate-like stamp 200a having a pattern 210 on one surface thereof, The stamp 200 can be used.

또한, SD20단계에서 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막(2)은 눌리지 않은 부분과 분리되도록 임프린트된다. 즉, 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막과 눌리지 않은 부분의 나노박막이 서로 분리되도록 패턴에 의해 수직으로 깊게 눌려, 눌리지 않은 부분의 나노박막이 전사되기 용이하도록 형성될 수 있다.Further, in step SD20, the nano thin film 2 pressed by the stamp pattern is imprinted so as to be separated from the unpressed portion. That is, the nano thin film pressed by the pattern of the stamp can be formed so as to be pressed deeply vertically by the pattern so that the nano thin film of the portion not pressed and the nano thin film of the unpressed portion are separated from each other.

본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다.
It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It goes without saying that various modifications can be made.

1000 : 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 장치
100 : 금속 기판 공급롤
200 : 롤 스탬프 200a : 평판형 스탬프
210 : 패턴
300 : 가압롤
410 : 캐리어 기판 공급롤 420 : 캐리어 기판 회수롤
510 : 제1밀착롤 520 : 제2밀착롤
530 : 제3밀착롤
600 : 금속 기판 제거부
610 : 롤러 620 : 용기
630 : 에칭액
700 : 타겟 기판 공급롤
800 : 타겟 기판 회수롤
1 : 금속 기판 2 : 나노박막
3 : 캐리어 기판 4 : 타겟 기판1000: Nano thin film pattern formation / transfer device using imprint technique
100: Metal substrate feed roll
200: roll stamp 200a: flat stamp
210: pattern
300: pressure roll
410: Carrier substrate supply roll 420: Carrier substrate recovery roll
510: first contact roll 520: second contact roll
530: third contact roll
600: Metal substrate removal
610: roller 620: container
630: etching solution
700: Target substrate feed roll
800: target substrate recovery roll
1: metal substrate 2: nano thin film
3: Carrier substrate 4: Target substrate

Claims (12)

상면에 나노박막이 형성된 금속 기판을 준비하는 단계(SA10);
상기 금속 기판의 상측에서 패턴이 형성된 스탬프를 이용해 나노박막에 패턴 형상을 임프린트하되, 상기 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막 상면이 금속 기판의 상면보다 하측으로 들어가도록 형성하는 단계(SA20);
상기 금속 기판의 상측에서 캐리어 기판을 나노박막에 밀착시키는 단계(SA30);
상기 금속 기판을 제거하는 단계(SA40); 및
상기 캐리어 기판에 부착된 패턴이 형성된 나노박막을 타겟 기판에 밀착시켜 전사하는 단계(SA50); 를 포함하여 이루어지며,
상기 금속 기판 상면에 형성되는 나노박막은 화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)에 의해 형성되고, 상기 금속 기판은 구리 호일(Cu foil)로 형성되어, 상온에서 나노박막에 패턴 형상이 임프린트되는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법.
(SA10) of preparing a metal substrate on which a nano thin film is formed;
A step (SA20) of imprinting a pattern shape on the nano thin film using a stamp having a pattern formed on the metal substrate so that the top surface of the nano thin film pressed by the pattern of the stamp is located below the upper surface of the metal substrate;
A step (SA30) of adhering the carrier substrate to the nano thin film on the upper side of the metal substrate;
Removing the metal substrate (SA40); And
A step (SA50) of transferring a nano thin film on which a pattern adhered to the carrier substrate is formed, to the target substrate, and transferring the nano thin film; And,
The nano thin film formed on the upper surface of the metal substrate is formed by chemical vapor deposition (CVD), and the metal substrate is formed of copper foil so that a pattern shape is imprinted on the nano thin film at room temperature Nano thin film pattern formation and transfer method using imprint technique.
제1항에 있어서,
상기 SA20단계에서, 상기 스탬프는 일면에 패턴이 형성된 평판형 스탬프 또는 외주면에 패턴이 형성된 롤 스탬프를 이용하는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법.
The method according to claim 1,
Wherein, in step SA20, the stamp is formed of a flat stamp having a pattern formed on one surface thereof or a roll stamp having a pattern formed on the outer circumferential surface thereof.
제1항에 있어서,
상기 SA20단계에서, 상기 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막은 눌리지 않은 부분과 분리되는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the nano thin film pressed by the pattern of the stamp is separated from the unpressed portion in step SA20.
삭제delete 삭제delete 상면에 나노박막이 형성된 금속 기판을 연속으로 공급하는 단계(SB10);
공급되는 금속 기판의 나노박막에 롤 스탬프를 이용하여 패턴 형상을 임프린트하되, 롤 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막 상면이 금속 기판의 상면보다 하측으로 들어가도록 형성하는 단계(SB20);
상측에서 캐리어 기판을 연속으로 공급하여, 패턴이 형성된 나노박막에 캐리어 기판이 밀착되도록 하는 단계(SB30);
상기 금속 기판을 제거하는 단계(SB40);
하측에서 타겟 기판을 연속으로 공급하여, 패턴이 형성된 나노박막에 타겟 기판이 밀착되도록 하는 단계(SB50);
상기 캐리어 기판을 회수하여 타겟 기판의 상면에 패턴이 형성된 나노박막이 전사되도록 하는 단계(SB60); 및
상기 패턴이 형성된 나노박막이 전사된 타겟 기판을 회수하는 단계(SB70); 를 포함하여 이루어지며,
상기 금속 기판 상면에 형성되는 나노박막은 화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)에 의해 형성되고, 상기 금속 기판은 구리 호일(Cu foil)로 형성되어, 상온에서 나노박막에 패턴 형상이 임프린트되는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법.
(SB10) continuously supplying a metal substrate on which an nano thin film is formed;
A step (SB20) of imprinting a pattern shape on a nano thin film of the metal substrate to be supplied by using a roll stamp, so that the upper surface of the nano thin film pressed by the pattern of the roll stamp is lower than the upper surface of the metal substrate;
A step (SB30) of continuously supplying the carrier substrate from the upper side and bringing the carrier substrate into close contact with the nano thin film on which the pattern is formed;
Removing the metal substrate (SB40);
A step (SB50) of supplying the target substrate continuously from the lower side so that the target substrate adheres to the nano thin film on which the pattern is formed;
(SB60) of recovering the carrier substrate and transferring the nano-thin film having the pattern formed on the upper surface of the target substrate; And
(SB70) of recovering the target substrate onto which the patterned nano-thin film is transferred; And,
The nano thin film formed on the upper surface of the metal substrate is formed by chemical vapor deposition (CVD), and the metal substrate is formed of copper foil so that a pattern shape is imprinted on the nano thin film at room temperature Nano thin film pattern formation and transfer method using imprint technique.
제6항에 있어서,
상기 SB60단계 및 SB70단계 사이에 패턴이 형성된 나노박막과 타겟 기판을 밀착시키는 단계(SB65)가 더 수행되는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법.
The method according to claim 6,
And a step (SB65) of bringing the nanotubes having the pattern formed thereon and the target substrate in close contact with each other is further performed between steps SB60 and SB70.
상면에 나노박막이 형성된 금속 기판을 공급하는 금속 기판 공급롤;
상기 금속 기판의 나노박막에 패턴 형상을 임프린트하며, 나노박막의 두께보다 두꺼운 패턴이 형성되는 롤 스탬프 및 가압롤;
금속 기판의 상측에서 캐리어 기판을 연속으로 공급하는 캐리어 기판 공급롤;
패턴이 형성된 나노박막에 캐리어 기판을 밀착시키는 한 쌍의 제1밀착롤;
상기 제1밀착롤을 통과하여 캐리어 기판, 패턴이 형성된 나노박막 및 금속 기판이 밀착된 상태에서 금속 기판을 제거하는 금속 기판 제거부;
상기 캐리어 기판의 하측에서 타겟 기판을 연속으로 공급하는 타겟 기판 공급롤;
상기 패턴이 형성된 나노박막에 타겟 기판을 밀착시키는 한 쌍의 제2밀착롤;
상기 제2밀착롤을 통과한 캐리어 기판을 회수하는 캐리어 기판 회수롤; 및
상기 패턴이 형성된 나노박막이 전사된 타겟 기판을 회수하는 타겟 기판 회수롤; 을 포함하여 이루어지며,
상기 금속 기판 상면에 형성되는 나노박막은 화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)에 의해 형성되고, 상기 금속 기판은 구리 호일(Cu foil)로 형성되어, 상온에서 나노박막에 패턴 형상이 임프린트되는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 장치.
A metal substrate supply roll for supplying a metal substrate on which an nano thin film is formed on an upper surface thereof;
A roll stamp and a press roll in which a pattern shape is imprinted on the nano thin film of the metal substrate and a pattern thicker than the thickness of the nano thin film is formed;
A carrier substrate supply roll for continuously supplying a carrier substrate from above the metal substrate;
A pair of first contact rolls for bringing the carrier substrate into close contact with the patterned nanotubes;
A metal substrate removing unit that removes the metal substrate in a state in which the carrier substrate, the nanotubes having the pattern formed thereon, and the metal substrate are in close contact with each other;
A target substrate supply roll for continuously supplying a target substrate on a lower side of the carrier substrate;
A pair of second contact rolls for bringing the target substrate into close contact with the patterned nanotubes;
A carrier substrate recovery roll for recovering the carrier substrate that has passed through the second adhesion roll; And
A target substrate recovery roll for recovering a target substrate onto which the patterned nano thin film is transferred; , ≪ / RTI >
The nano thin film formed on the upper surface of the metal substrate is formed by chemical vapor deposition (CVD), and the metal substrate is formed of copper foil so that a pattern shape is imprinted on the nano thin film at room temperature Characterization of nano thin film pattern formation / transfer device using imprint technique.
제8항에 있어서,
상기 금속 기판 제거부는 상기 제1밀착롤을 통과한 캐리어 기판의 상측을 눌러주는 롤러 및 금속 기판이 잠기도록 형성되는 에칭액이 수용되는 용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the metal substrate removing unit includes a roller that presses the upper side of the carrier substrate that has passed through the first contact roll and a container that receives the etching liquid that is formed so that the metal substrate is submerged. Transfer device.
제8항에 있어서,
상기 제2밀착롤과 타겟 기판 회수롤 사이에는 패턴이 형성된 나노박막과 타켓 기판을 밀착시키는 제3밀착롤이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein a nano thin film having a pattern formed thereon is further formed between the second adherent roll and the target substrate recovery roll, and a third adherent roll for adhering the target substrate to the target adherent roll.
상면에 나노박막이 형성된 금속 기판을 준비하는 단계(SC10);
상기 금속 기판의 상측에서 캐리어 기판을 나노박막에 밀착시키는 단계(SC20);
상기 금속 기판을 제거하는 단계(SC30);
상기 캐리어 기판의 하측에서 패턴이 형성된 스탬프를 이용해 나노박막에 패턴 형상을 임프린트하되, 상기 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막 하면이 캐리어 기판의 하면보다 상측으로 들어가도록 형성하는 단계(SC40); 및
상기 캐리어 기판에 부착된 패턴이 형성된 나노박막을 타겟 기판에 밀착시켜 전사하는 단계(SC50); 를 포함하여 이루어지며,
상기 금속 기판 상면에 형성되는 나노박막은 화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)에 의해 형성되고, 상기 금속 기판은 구리 호일(Cu foil)로 형성되어, 상온에서 나노박막에 패턴 형상이 임프린트되는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법.
A step (SC10) of preparing a metal substrate on which an nano thin film is formed on an upper surface;
A step (SC20) of bringing the carrier substrate into close contact with the nano thin film on the metal substrate;
Removing the metal substrate (SC30);
(SC40) of imprinting a pattern shape on the nano thin film using a stamp having a pattern formed on the lower side of the carrier substrate so that the lower surface of the nano thin film pressed by the pattern of the stamp is located above the lower surface of the carrier substrate; And
A step (SC50) of bringing the nano thin film having a pattern attached to the carrier substrate in close contact with the target substrate and transferring the same; And,
The nano thin film formed on the upper surface of the metal substrate is formed by chemical vapor deposition (CVD), and the metal substrate is formed of copper foil so that a pattern shape is imprinted on the nano thin film at room temperature Nano thin film pattern formation and transfer method using imprint technique.
상면에 나노박막이 형성된 금속 기판을 준비하는 단계(SD10);
상기 금속 기판의 상측에서 패턴이 형성된 스탬프를 이용해 나노박막에 패턴 형상을 임프린트하되, 상기 스탬프의 패턴에 의해 눌린 부분의 나노박막 상면이 금속 기판의 상면보다 하측으로 들어가도록 형성하는 단계(SD20);
하면에 접착층이 형성된 타겟 기판을 상기 금속 기판의 상측에서 밀착시켜, 상기 접착층이 나노박막에 밀착되도록 하는 단계(SD30); 및
상기 금속 기판을 떼어내 패턴이 형성된 나노박막을 상기 접착층이 형성된 타겟 기판으로 전사하는 단계(SD40); 를 포함하여 이루어지며,
상기 금속 기판 상면에 형성되는 나노박막은 화학기상증착(CVD, chemical vapor deposition)에 의해 형성되고, 상기 금속 기판은 구리 호일(Cu foil)로 형성되어, 상온에서 나노박막에 패턴 형상이 임프린트되는 것을 특징으로 하는 임프린트 기법을 이용한 나노박막 패턴 형성·전사 방법.Preparing a metal substrate on which an nano thin film is formed on the upper surface (SD10);
A step (SD20) of imprinting a pattern shape on the nano thin film using a stamp having a pattern formed on the metal substrate, and forming a top face of the nano thin film pressed by the pattern of the stamp so as to be lower than the upper face of the metal substrate;
A step (SD30) of bringing the target substrate having the adhesive layer on the lower surface thereof in close contact with the upper surface of the metal substrate, so that the adhesive layer is brought into close contact with the nanofilm; And
(SD40) transferring the nano thin film on which the pattern is formed by removing the metal substrate to the target substrate on which the adhesive layer is formed; And,
The nano thin film formed on the upper surface of the metal substrate is formed by chemical vapor deposition (CVD), and the metal substrate is formed of copper foil so that a pattern shape is imprinted on the nano thin film at room temperature Nano thin film pattern formation and transfer method using imprint technique.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180009450A (en) * 2016-07-19 2018-01-29 한국기계연구원 Nanofilm transfer method and apparatus

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102313365B1 (en) * 2015-08-25 2021-10-18 삼성디스플레이 주식회사 Method for manufacturing of organic light-emitting display apparatus
KR101827814B1 (en) * 2016-04-15 2018-02-12 한국기계연구원 Manufacturing method of three dimension structure using the nano imprinting means
KR101923772B1 (en) * 2016-10-11 2018-11-29 성균관대학교산학협력단 Transcription method of two dimensional nano thinlayer

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101015065B1 (en) * 2008-11-06 2011-02-16 한국기계연구원 Patterning method of metal line on flexible substrate using nanoimprint lithography
KR101220421B1 (en) * 2010-06-15 2013-01-09 (재)한국나노기술원 Method of forming graphene pattern utilizing imprint
KR101273695B1 (en) 2010-11-17 2013-06-14 경희대학교 산학협력단 Method for forming graphene pattern and method for manufacturing electronic element having graphene pattern
KR101373721B1 (en) * 2012-01-27 2014-03-14 한국기계연구원 Method for fabricating nano metal pattern

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180009450A (en) * 2016-07-19 2018-01-29 한국기계연구원 Nanofilm transfer method and apparatus
KR101867377B1 (en) * 2016-07-19 2018-06-15 한국기계연구원 Nanofilm transfer method and apparatus

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