KR20140099374A - 광반도체 소자 및 이의 제조방법 - Google Patents

광반도체 소자 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140099374A
KR20140099374A KR1020130011805A KR20130011805A KR20140099374A KR 20140099374 A KR20140099374 A KR 20140099374A KR 1020130011805 A KR1020130011805 A KR 1020130011805A KR 20130011805 A KR20130011805 A KR 20130011805A KR 20140099374 A KR20140099374 A KR 20140099374A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive
lead
conductive portion
optical semiconductor
molding
Prior art date
Application number
KR1020130011805A
Other languages
English (en)
Inventor
도상수
최원진
김기욱
이성훈
김종만
유석준
유희진
김대현
서동기
Original Assignee
일진엘이디(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 일진엘이디(주) filed Critical 일진엘이디(주)
Priority to KR1020130011805A priority Critical patent/KR20140099374A/ko
Publication of KR20140099374A publication Critical patent/KR20140099374A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

광반도체 소자 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 예시적인 실시예에 의한 광반도체 소자는 광반도체 칩, 제1 리드부, 제2 리드부 및 몰딩부를 포함한다. 상기 광반도체 칩은 제1 극과 제2 극을 갖는다. 상기 제1 리드부는, 상기 광반도체 칩의 상기 제1 극과 전기적으로 연결된 제1 도전부 및 상기 제1 도전부와 공간적으로 이격되고 전기적으로 연결된 제2 도전부를 포함한다. 상기 제2 리드부는, 상기 광반도체 칩의 상기 제2 극과 전기적으로 연결된 제3 도전부 및 상기 제3 도전부와 공간적으로 이격되고 전기적으로 연결된 제4 도전부를 포함한다. 상기 몰딩부는, 상기 제1 리드부와 상기 제2 리드부를 고정시킨다.

Description

광반도체 소자 및 이의 제조방법{LIGHT GENERATING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 광반도체 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세히 광반도체칩을 포함하는 광반도체 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)와 같은 광반도체 소자는 발광 효율이 높고, 수명이 길고, 소비전력이 낮으며, 친환경적이라는 많은 장점들을 갖고 있어 그것을 사용하는 기술분야가 계속해서 증가하고 있는 추세이다.
도 1은 종래 일반적인 광반도체 소자의 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래 일반적인 광반도체 소자(100)는 광반도체 칩(110)이 제1 리드부(120)와 제2 리드부(130)와 와이어 등을 통해서 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 리드부(120)와 상기 제2 리드부(130)를 몰딩하여 고정한다.
상기 몰딩부(140)는 상기 제1 리드부(120) 및 제2 리드부(130)의 제1 면 또는 상면에 부착되는 상부 몸체(141)와 제2 면 또는 하면에 부착되는 하부 몸체(142)를 포함하며, 상부 몸체(141)는 컵 형상의 노출부를 포함한다.
이러한 노출부를 통해서 광반도체 칩(110)이 노출되며, 상기 컵 형상의 노출부 상부에는 투명한 봉지 부재(150)가 봉지되어 상기 광반도체 칩(110)을 보호한다.
그러나, 이와 같은 종래의 광반도체 소자(100)는 습기 등에 취약한 문제점을 갖는다. 보다 상세히, 상기 상부 몸체(141)와 상기 제1 리드부(120) 또는 상기 제2 리드부(130) 사이의 부착이 취약하여, 그 틈새로 습기가 침투하여 광반도체 칩(110)에 손상을 가할 수 있으며, 또한 상기 제1 리드부(120) 또는 상기 제2 리드부(130)를 변색시켜 반사율을 저하시킴으로써 광반도체 소자(100)의 효율을 떨어뜨리는 경우가 발생된다.
더욱이, 광반도체 소자(100)의 구동시 다량의 열이 발생되는데, 그에 따라서, 금속 재질의 상기 제1 리드부(120) 또는 상기 제2 리드부(130)와 상기 몰딩부(140)의 열팽창 차이는, 제1 리드부(120) 또는 상기 제2 리드부(130)와 몰딩부(140) 사이의 결합력을 약화시켜 이러한 문제를 보다 심화시킨다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 습기 침투를 방지할 수 있는 광반도체 소자를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 이러한 광반도체 소자의 제조방법을 제공하는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 광반도체 소자는 광반도체 칩, 제1 리드부, 제2 리드부 및 몰딩부를 포함한다. 상기 광반도체 칩은 제1 극과 제2 극을 갖는다. 상기 제1 리드부는, 상기 광반도체 칩의 상기 제1 극과 전기적으로 연결된 제1 도전부 및 상기 제1 도전부와 공간적으로 이격되고 전기적으로 연결된 제2 도전부를 포함한다. 상기 제2 리드부는, 상기 광반도체 칩의 상기 제2 극과 전기적으로 연결된 제3 도전부 및 상기 제3 도전부와 공간적으로 이격되고 전기적으로 연결된 제4 도전부를 포함한다. 상기 몰딩부는, 상기 제1 리드부와 상기 제2 리드부를 고정시킨다.
예컨대, 상기 제1 도전부 및 상기 제2 도전부는 제1 도전성 와이어로 전기적으로 연결되고, 상기 제3 도전부 및 상기 제4 도전부는 제2 도전성 와이어로 전기적으로 연결될 수 있다.
예컨대, 상기 몰딩부는, 상기 제1 도전성 와이어 및 상기 제2 도전성 와이어를 몰딩하는 제1 몰딩부 및 상기 제1 몰딩부를 몰딩하는 제2 몰딩부를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 몰딩부는, 상기 제1 리드부 및 상기 제2 리드부의 제1 면에 접하도록 형성되고, 상기 광반도체 칩을 노출시키는 상부 몸체, 및 상기 제1 리드부 및 상기 제2 리드부의 제2 면에 접하도록 형성된 하부 몸체를 포함할 수 있다.
이때, 상기 제1 도전부, 상기 제2 도전부, 상기 제3 도전부 및 상기 제4 도전부 중 적어도 하나는 관통홀을 포함하여, 상기 상부 몸체와 상기 하부 몸체는 상기 관통홀을 통해서 서로 연결될 수 있다.
한편, 상기 제1 도전부 및 상기 제3 도전부는 동일 평면에 배치되고, 상기 제2 도전부 및 상기 제4 도전부는 동일 평면에 배치된다. 이때, 상기 제1 도전부 및 상기 제3 도전부를 포함하는 평면 및 상기 제2 도전부 및 상기 제4 도전부를 포함하는 평면은, 서로 동일할 수도 있고, 이와 다르게 서로 상이할 수도 있다.
본 발명의 예시적인 다른 실시예에 의한 광반도체 소자는, 광반도체 칩, 제1 리드부, 제2 리드부 및 몰딩부를 포함한다. 상기 광반도체 칩은 제1 극과 제2 극을 갖는다. 상기 제1 리드부는 상기 광반도체 칩의 상기 제1 극과 전기적으로 연결된다. 상기 제2 리드부는 상기 광반도체 칩의 상기 제2 극과 전기적으로 연결된다. 상기 몰딩부는 상기 제1 리드부와 상기 제2 리드부를 고정시킨다. 이때, 상기 제1 리드부 및 상기 제2 리드부 중 적어도 어느 하나는, 두 개의 조각으로 공간적으로 분리되고, 전기적으로 연결된다.
한편, 두 개의 조각으로 분리된 상기 제1 리드부 및 상기 제2 리드부의 적어도 하나는 서로, 와이어, 도전성 접착 테이프 또는 도전성 플레이트 중 적어도 어느 하나를 통해서 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 상기 제1 리드부 및 상기 제2 리드부 중 적어도 어느 하나는 관통홀을 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 광반도체 소자 제조방법은, 제1 도전부 및 상기 제1 도전부와 공간적으로 이격된 제2 도전부를 포함하는 제1 리드부의 제1 도전부와 제2 도전부를 전기적으로 연결하는 단계와, 제3 도전부 및 상기 제3 도전부와 공간적으로 이격된 제4 도전부를 포함하는 제2 리드부의 제3 도전부와 제4 도전부를 전기적으로 연결하는 단계와, 상기 제1 리드부와 제2 리드부를 몰딩하여 상기 제1 리드부 및 상기 제2 리드부를 고정하는 단계, 및 광반도체의 제1 극 및 제2 극을 각각 상기 제1 도전부 및 상기 제3 도전부에 전기적으로 연결하는 단계를 포함한다.
예컨대, 상기 제1 리드부의 상기 제1 도전부와 상기 제2 도전부를 전기적으로 연결하는 단계에서, 상기 제1 도전부와 상기 제2 도전부는 제1 도전성 와이어를 통해서 연결되고, 상기 제2 리드부의 상기 제3 도전부와 상기 제4 도전부를 전기적으로 연결하는 단계에서, 상기 제3 도전부와 상기 제4 도전부는 제2 도전성 와이어를 통해서 연결될 수 있다.
예컨대, 상기 제1 리드부의 상기 제1 도전부와 상기 제2 도전부를 전기적으로 연결하고, 상기 제2 리드부의 상기 제3 도전부와 상기 제4 도전부를 전기적으로 연결한 후, 상기 도전성 와이어들을 몰딩하여 상기 제1 도전부 및 상기 제2 도전부를 고정하고, 상기 제3 도전부 및 상기 제4 도전부를 고정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 다른 실시예에 의한 광반도체 소자 제조방법은, 다수의 제1 도전부가 일렬로 연결된 제1 도전부 패턴 및 다수의 제2 도전부가 일렬로 연결된 제2 도전부 패턴의 제1 도전부 및 상기 제2 도전부 각각을 제1 도전성 와이어로 연결하는 단계와, 다수의 제3 도전부가 일렬로 연결된 제3 도전부 패턴 및 다수의 제4 도전부가 일렬로 연결된 제4 도전부 패턴의, 제3 도전부 및 상기 제4 도전부 각각을 제2 도전성 와이어로 연결하는 단계와, 상기 제1 도전성 와이어 및 상기 제2 도전성 와이어를 몰딩하는 제1 몰딩부를 형성하는 단계와, 상기 제1 도전부 패턴 및 상기 제3 도전부 패턴을 절단하여 상기 제1 도전부 및 상기 제3 도전부를 분리하는 단계와, 상기 제1 몰딩부를 몰딩하는 제2 몰딩부를 형성하는 단계와, 상기 광반도체 칩의 제1 극 및 제2 극을 각각 상기 제1 도전부 및 제3 도전부에 전기적으로 연결하는 단계 및 상기 제2 도전부 패턴 및 상기 제4 도전부 패턴을 절단하여 상기 제2 도전부 및 상기 제4 도전부를 분리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예들에 의한 광반도체 소자들은, 종래의 제1 리드부와 제2 리드부의 적어도 하나는 서로 공간적으로 이격된 두 개의 조각들로 형성됨으로써, 습기 침투를 방지할 수 있으며, 또한 제1 리드부와 제2 리드부의 열팽창 수축이 반복되는 경우에도 몰딩부와 상기 제1 리드부 및 상기 제2 리드부의 이탈을 방지할 수 있다.
또한, 상기 제1 도전부 및 상기 제3 도전부를 포함하는 평면 및 상기 제2 도전부 및 상기 제4 도전부를 포함하는 평면이, 서로 상이한 경우, 습기 침투 방지를 보다 강화시킬 수 있다.
또한, 제1 리드부 및 상기 제2 리드부 중 적어도 어느 하나는 관통홀을 형성하는 경우, 상기 몰딩부의 상부 몸체와 하부 몸체의 결합을 강화시킬 수 있다.
도 1은 종래 일반적인 광반도체 소자의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 광반도체 소자의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 예시적인 다른 실시예에 의한 광반도체 소자의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 예시적인 또 다른 실시예에 의한 광반도체 소자의 제1 리드부 및 제2 리드부를 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예들을 제조하기 위한 리드 프레임을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 광반도체 소자 제조방법을 설명하기 위하여, 제1 리드부 및 제2 리드부를 도시한 평면도이다.
상술한 본 발명의 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명은 하기의 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 보다 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 기술적 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공된다. 도면들에 있어서, 각 장치 또는 막(층) 및 영역들의 두께는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 과장되게 도시되었으며, 또한 각 장치는 본 명세서에서 설명되지 아니한 다양한 부가 장치들을 구비할 수 있다. 또한, 본 발명에서 설명되는 방법은 각 단계들이 반드시 시간순서에 따른 것이 아니고, 각 단계의 순서들은 서로 바꾸어질 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 광반도체 소자의 개략적인 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 광반도체 소자(200)는 광반도체 칩(110), 제1 리드부(120), 제2 리드부(130) 및 몰딩부(140)를 포함한다.
상기 광반도체 칩(110)은 제1 극과 제2 극을 갖는다. 상기 광반도체 칩(110)은 예컨대 수평형, 또는 도면에서 도시된 바와 같이 수직형 타입의 발광 다이오드가 사용될 수 있다. 상기 광반도체 칩(110)으로서, 수평형 타입의 발광 다이오드가 사용되는 경우, 상기 제1 리드부(120)와 상기 제2 리드부(130)에 도전성 와이어를 통해 전기적으로 연결될 수 있으며, 수직형 타입의 발광 다이오드가 사용되는 경우, 제1 극은 상기 제1 리드부(120)에 도전성 와이어를 통해서 전기적으로 연결되고, 제2 극은 상기 제2 리드부(130)에 직접 접촉하여 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 리드부(120)는, 예컨대 제1 도전부(121) 및 제2 도전부(122)를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전부(121)는 상기 광반도체 칩(110)과 전기적으로 연결된다. 예컨대, 상기 제1 도전부(121)는 상기 광반도체 칩(110)과 도전성 와이어를 통해서 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 도전부(122)는, 상기 제1 도전부(121)와 공간적으로 이격되도록 상기 제1 도전부(121)와 전기적으로 연결된다. 예컨대, 상기 제2 도전부(122)는 상기 제1 도전부(121)와 제1 도전성 와이어(210)를 통해서 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 다르게, 도시되진 않았으나, 상기 제1 도전부(121) 및 제2 도전부(122)는 상기 제1 도전부(121) 및 상기 제2 도전부(122)와 접촉하는 제1 도전성 플레이트, 또는 제1 도전성 접착테이프를 이용하여 전기적으로 연결될 수도 있다.
상기 제2 리드부(130)는, 예컨대 제3 도전부(131) 및 제4 도전부(132)를 포함할 수 있다. 상기 제3 도전부(131)는 상기 광반도체 칩(110)과 전기적으로 연결된다.
제4 도전부(132)는, 상기 제3 도전부(131)와 공간적으로 이격되도록 상기 제3 도전부(131)와 전기적으로 연결된다. 예컨대, 상기 제4 도전부(132)는 상기 제3 도전부(131)와 제2 도전성 와이어(220)를 통해서 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 다르게, 도시되진 않았으나, 상기 제3 도전부(131) 및 제4 도전부(132)는 상기 제3 도전부(121) 및 상기 제4 도전부(132)와 접촉하는 제2 도전성 플레이트 또는 제2 도전성 접착테이프를 이용하여 전기적으로 연결될 수도 있다.
한편, 상기 제1 도전부(121) 및 상기 제3 도전부(131)는 동일 평면에 배치되고, 상기 제2 도전부(122) 및 상기 제4 도전부(132)는 동일 평면에 배치된다. 이때, 상기 제1 도전부(121) 및 상기 제3 도전부(131)를 포함하는 평면 및 상기 제2 도전부(122) 및 상기 제4 도전부(132)를 포함하는 평면은, 도면에 도시된 것과 같이 서로 동일할 수도 있고, 이와 다르게 서로 상이할 수도 있다.
상기 몰딩부(140)는, 상기 제1 리드부(120)와 상기 제2 리드부(130)를 고정시킨다. 예컨대, 상기 몰딩부(140)는 에폭시 등의 수지를 통해서 제조될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는, 상부 몸체(141)와 하부 몸체(142)를 포함할 수 있다.
상기 상부 몸체(141)는 상기 제1 리드부(120) 및 상기 제2 리드부(130)의 제1 면(또는 상면)에 접하도록 형성되고, 상기 하부 몸체(142)는 상기 제1 리드부(120) 및 상기 제2 리드부(130)의 제2 면(또는 하면)에 접하도록 형성된다. 상기 제1 리드부(120)의 상기 제1 도전부(121)와 상기 제2 도전부(122)의 이격 공간 및 상기 제2 리드부(130)의 상기 제3 도전부(131)와 상기 제4 도전부(132)의 이격 공간을 통해서 상기 상부 몸체(141)와 상기 하부 몸체(142)는 서로 연결된다.
상기 상부 몸체(141)는 예컨대 컵 형상의 노출부를 포함한다. 이러한 노출부를 통해서 광반도체 칩(110)이 노출되며, 상기 컵 형상의 노출부 상부에는 투명한 봉지 부재(150)가 봉지되어 상기 광반도체 칩(110)을 보호한다. 예컨대, 상기 봉지 부재(150)는 실리콘 등을 포함할 수 있으며, 봉지 부재(150) 내부에는 형광체가 분산될 수 있다.
도시되진 않았으나, 본 발명의 다른 실시예에 의한 광반도체 소자는 앞선 실시예와는 다르게, 이때, 상기 제1 리드부(120) 및 상기 제2 리드부(130) 중 어느 하나만, 두 개의 조각으로 공간적으로 분리되고, 전기적으로 연결될 수 있다.
이와 또 다르게, 상기 제1 리드부(120) 및 상기 제2 리드부(130) 중 적어도 어느 하나는 둘 이상의 조각으로 공간적으로 분리되고, 전기적으로 연결될 수도 있다.
이러한 광반도체 소자를 제조하기 위해서, 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 광반도체 소자 제조방법에 의하면, 먼저 제1 도전부 및 상기 제1 도전부와 공간적으로 이격된 제2 도전부를 포함하는 제1 리드부의 제1 도전부와 제2 도전부를 전기적으로 연결한다.
이후, 제3 도전부 및 상기 제3 도전부와 공간적으로 이격된 제4 도전부를 포함하는 제2 리드부의 제3 도전부와 제4 도전부를 전기적으로 연결한다.
이후, 상기 제1 리드부와 제2 리드부를 몰딩하여 상기 제1 리드부 및 상기 제2 리드부를 고정하고, 광반도체의 제1 극 및 제2 극을 각각 상기 제1 도전부 및 상기 제3 도전부에 전기적으로 연결한다.
그러나, 위의 순서는 서로 뒤 바뀌어질 수도 있음은 당업자에 자명하다.
본 발명의 실시예들에 의한 광반도체 소자는, 종래의 제1 리드부(120)와 제2 리드부(130)의 적어도 하나는 서로 공간적으로 이격된 두 개의 조각들로 형성됨으로써, 습기 침투를 방지할 수 있으며, 또한 제1 리드부(120)와 제2 리드부(130)의 열팽창 수축이 반복되는 경우에도 몰딩부(140)와 상기 제1 리드부(120) 및 상기 제2 리드부(130)의 이탈을 방지할 수 있다.
또한, 상기 제1 도전부(121) 및 상기 제3 도전부(131)를 포함하는 평면 및 상기 제2 도전부(122) 및 상기 제4 도전부(132)를 포함하는 평면이, 서로 상이한 경우, 습기 침투 방지를 보다 강화시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 예시적인 다른 실시예에 의한 광반도체 소자의 개략적인 단면도이다. 도 3에서 개시된 실시예는, 제1 도전성 와이어(210) 및 제2 도전성 와이어(220)를 커버하는 제1 몰딩부(310)를 형성하는 것을 제외하면, 앞선 실시예와 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일 또는 유사한 구성요소는 동일한 참조부호를 병기하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 의한 광반도체 소자(300)는, 제1 도전성 와이어(210) 및 제2 도전성 와이어(220)를 커버하는 제1 몰딩부(310)를 포함하고, 제1 몰딩부(310)를 커버하는 제2 몰딩부(320)를 포함한다. 이때, 상기 제1 몰딩부(310)는 제2 몰딩부(320)와 동일한 물질로 형성되거나 또는 제2 몰딩부(320) 보다 낮은 점도를 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 제 1 몰딩부(310)이 상기 제2 몰딩부(320) 보다 점도가 낮은 물질로 형성되는 경우, 몰딩과정에서 제1 도전성 와이어(210) 및 제2 도전성 와이어(220)가 전기적으로 오픈되는 것을 방지할 수 있으며, 또한 도전성 와이어를 통해서 제1 리드부(120) 또는 제2 리드부(130)의 각 도전부를 전기적으로 연결하는 경우, 제조과정상 제1 도전부(121) 및 제3 도전부(131)를 고정시킬 수 있다. 예컨대, 상기 제1 몰딩부(310) 및 제2 몰딩부(320)는 PPA, PCT, Epoxy, Silicone 등의 재질로 형성될 수 있다.
이후, 도 6을 참조로 보다 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 예시적인 또 다른 실시예에 의한 광반도체 소자의 제1 리드부 및 제2 리드부를 도시한 평면도이다. 도 4에서 개시된 실시예는, 관통홀이 형성된 것을 제외하면, 앞선 실시예들과 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일 또는 유사한 구성요소는 동일한 참조부호를 병기하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 예시적인 또 다른 실시예에 의한 광반도체 소자의 제1 리드부(120) 및 제2 리드부(130)의 적어도 하나는 관통홀(410)을 포함한다.
예컨대, 상기 제1 리드부(120)의 서로 마주하는 제1 도전부(121) 및 제2 도전부(122)에는 다수의 관통홀(410)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 리드부(130)의 서로 마주하는 제3 도전부(131) 및 제4 도전부(132)에는 다수의 관통홀(410)이 형성될 수 있다. 이러한 관통홀(410)을 통해서, 도 2에서 도시된 상부 몸체(141) 및 하부 몸체(142)는 서로 연결될 수 있으며, 따라서, 몰딩부(140)와 상기 제1 리드부(120) 또는 상기 제2 리드부(130)의 결합력이 강화될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예들을 제조하기 위한 리드 프레임을 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 광반도체 소자 제조방법을 설명하기 위하여, 제1 리드부 및 제2 리드부를 도시한 평면도이다. 도 5에서는 관통홀을 도시하지 않고, 도 6에서는 관통홀이 도시되어 있으나, 이는 편의상 도시한 것이다.
도 5를 참조하면, 리드 프레임에는 제1 도전부가 일렬로 연결된 제1 도전부 패턴(510)이 형성되어 있으며, 상기 제1 도전부 패턴(510)과 마주하도록 제3 도전부가 일렬로 연결된 제3 도전부 패턴(530)이 형성되어 있다.
또한, 상기 제1 도전부 패턴(510)과 상기 제3 도전부 패턴(530)의 외측으로 각각 다수의 제2 도전부를 포함하는 제2 도전부 패턴(520)과 다수의 제4 도전부를 포함하는 제4 도전부 패턴(540)이 형성되어 있다.
도 3, 도 5 및 도 6을 참조하면, 도 3에 도시된 광반도체 소자(300)를 형성하기 위해서, 다수의 제1 도전부가(121) 일렬로 연결된 제1 도전부 패턴(510) 및 다수의 제2 도전부(122)가 일렬로 연결된 제2 도전부 패턴(520)의 제1 도전부(121) 및 상기 제2 도전부(122) 각각을 제1 도전성 와이어(210)로 연결하고, 다수의 제3 도전부(131)가 일렬로 연결된 제3 도전부 패턴(530) 및 다수의 제4 도전부(132)가 일렬로 연결된 제4 도전부 패턴(540)의, 제3 도전부(131) 및 상기 제4 도전부(132) 각각을 제2 도전성 와이어(220)로 연결한다.
그리고, 제1 몰딩 영역(FMA)에, 상기 제1 도전성 와이어(210) 및 상기 제2 도전성 와이어(220)를 몰딩하는 제1 몰딩부(310)를 형성한다.
이후, 제1 절단선(A)를 커팅하여, 상기 제1 도전부(121) 및 상기 제3 도전부(131)를 분리한다.
이후, 제2 몰딩 영역(SMA)에 상기 제1 몰딩부(310)를 몰딩하는 제2 몰딩부(320)를 형성한다.
이후, 상기 광반도체 칩(110)의 제1 극 및 제2 극을 각각 상기 제1 도전부(121) 및 제3 도전부(131)에 전기적으로 연결한다.
이후, 제2 절단선(B)를 커팅하여 상기 제2 도전부(122) 및 상기 제4 도전부(132)를 분리한다.
한편, 위에서 언급된 순서는 변경될 수 있음은 당업자에 자명하다.
본 발명의 실시예들에 의한 광반도체 소자들은, 종래의 제1 리드부와 제2 리드부의 적어도 하나는 서로 공간적으로 이격된 두 개의 조각들로 형성됨으로써, 습기 침투를 방지할 수 있으며, 또한 제1 리드부와 제2 리드부의 열팽창 수축이 반복되는 경우에도 몰딩부와 상기 제1 리드부 및 상기 제2 리드부의 이탈을 방지할 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100. 200, 300, 400: 광반도체 소자
110: 광반도체 칩 120: 제1 리드부
121: 제1 도전부 122: 제2 도전부
130: 제2 리드부 131: 제3 도전부
132: 제4 도전부 140: 몰딩부
141: 상부 몸체 142: 하부 몸체
150: 봉지 부재 210: 제1 도전성 와이어
220: 제2 도전성 와이어 310: 제1 몰딩부
320: 제2 몰딩부 410: 관통홀
510: 제1 도전부 패턴 520: 제2 도전부 패턴
530: 제3 도전부 패턴 540: 제4 도전부 패턴
A; 제1 절단선 B: 제2 절단선
FMA: 제1 몰딩 영역 SMA: 제2 몰딩 영역

Claims (8)

  1. 제1 도전부 및 상기 제1 도전부와 공간적으로 이격된 제2 도전부를 포함하는 제1 리드부의 제1 도전부와 제2 도전부를 전기적으로 연결하는 단계;
    제3 도전부 및 상기 제3 도전부와 공간적으로 이격된 제4 도전부를 포함하는 제2 리드부의 제3 도전부와 제4 도전부를 전기적으로 연결하는 단계;
    상기 제1 리드부와 제2 리드부를 몰딩하여 상기 제1 리드부 및 상기 제2 리드부를 고정하는 단계; 및
    광반도체의 제1 극 및 제2 극을 각각 상기 제1 도전부 및 상기 제3 도전부에 전기적으로 연결하는 단계;
    를 포함하는 광반도체 소자 제조방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 리드부의 상기 제1 도전부와 상기 제2 도전부를 전기적으로 연결하는 단계에서, 상기 제1 도전부와 상기 제2 도전부는 제1 도전성 와이어를 통해서 연결되고,
    상기 제2 리드부의 상기 제3 도전부와 상기 제4 도전부를 전기적으로 연결하는 단계에서, 상기 제3 도전부와 상기 제4 도전부는 제2 도전성 와이어를 통해서 연결되는 것을 특징으로 하는 광반도체 소자 제조방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 리드부의 상기 제1 도전부와 상기 제2 도전부를 전기적으로 연결하고, 상기 제2 리드부의 상기 제3 도전부와 상기 제4 도전부를 전기적으로 연결한 후,
    상기 제1 및 제2 도전성 와이어를 몰딩하여 상기 제1 도전부 및 상기 제2 도전부를 고정하고, 상기 제3 도전부 및 상기 제4 도전부를 고정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광반도체 소자 제조방법.
  4. 다수의 제1 도전부가 일렬로 연결된 제1 도전부 패턴 및 다수의 제2 도전부가 일렬로 연결된 제2 도전부 패턴의 제1 도전부 및 상기 제2 도전부 각각을 제1 도전성 와이어로 연결하는 단계;
    다수의 제3 도전부가 일렬로 연결된 제3 도전부 패턴 및 다수의 제4 도전부가 일렬로 연결된 제4 도전부 패턴의, 제3 도전부 및 상기 제4 도전부 각각을 제2 도전성 와이어로 연결하는 단계;
    상기 제1 도전성 와이어 및 상기 제2 도전성 와이어를 몰딩하는 제1 몰딩부를 형성하는 단계;
    상기 제1 도전부 패턴 및 상기 제3 도전부 패턴을 절단하여 상기 제1 도전부 및 상기 제3 도전부를 분리하는 단계;
    상기 제1 몰딩부를 몰딩하는 제2 몰딩부를 형성하는 단계;
    상기 광반도체 칩의 제1 극 및 제2 극을 각각 상기 제1 도전부 및 제3 도전부에 전기적으로 연결하는 단계; 및
    상기 제2 도전부 패턴 및 상기 제4 도전부 패턴을 절단하여 상기 제2 도전부 및 상기 제4 도전부를 분리하는 단계;
    를 포함하는 광반도체 소자 제조방법.
  5. 제1 극과 제2 극을 갖는 광반도체 칩;
    상기 광반도체 칩의 상기 제1 극과 전기적으로 연결된 제1 리드부;
    상기 광반도체 칩의 상기 제2 극과 전기적으로 연결된 제2 리드부; 및
    상기 제1 리드부와 상기 제2 리드부를 고정시키는 몰딩부를 포함하고,
    상기 제1 리드부 및 상기 제2 리드부 중 적어도 어느 하나는, 두 개의 조각으로 공간적으로 분리되고, 상기 분리된 조각을 전기적으로 연결하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 광반도체 소자.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 전기적 연결 수단은,
    도전성 와이어, 도전성 접착 테이프 또는 도전성 플레이트 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광반도체 소자.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 몰딩부는,
    분리된 조각들을 고정하고, 상기 전기적 연결 수단을 몰딩하는 제1 몰딩부; 및
    상기 제1 몰딩부를 포함하여 상기 제1 리드부 및 상기 제2 리드부를 고정하는 제2 몰딩부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광반도체 소자.
  8. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 리드부 및 상기 제2 리드부 중 적어도 어느 하나는 관통홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 광반도체 소자.
KR1020130011805A 2013-02-01 2013-02-01 광반도체 소자 및 이의 제조방법 KR20140099374A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130011805A KR20140099374A (ko) 2013-02-01 2013-02-01 광반도체 소자 및 이의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130011805A KR20140099374A (ko) 2013-02-01 2013-02-01 광반도체 소자 및 이의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140099374A true KR20140099374A (ko) 2014-08-12

Family

ID=51745719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130011805A KR20140099374A (ko) 2013-02-01 2013-02-01 광반도체 소자 및 이의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20140099374A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105895792B (zh) 发光组件
US8866279B2 (en) Semiconductor device
KR100638876B1 (ko) 보호 소자의 배치 구성을 개선한 측면형 발광 다이오드
EP2348550B1 (en) Package structure and LED package structure
JP2010123908A (ja) 発光装置
US8455275B2 (en) Method for making light emitting diode package
US9620692B2 (en) Lead frame and light emitting diode package having the same
KR101055074B1 (ko) 발광 장치
JP2016532283A (ja) オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法
KR20120085085A (ko) 칩 온 보드형 발광 모듈 및 상기 발광 모듈의 제조 방법
US9640745B2 (en) Light emitting diode and method of manufacturing the same
TWI509834B (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
US9041022B2 (en) Light emitting diode package and method for manufacturing the same
US8945959B2 (en) LED with thin package struture and method for manufacturing the same
KR20120050283A (ko) Ｌｅｄ 패키지
US9666558B2 (en) Substrate for mounting a chip and chip package using the substrate
KR20150042954A (ko) 측면발광 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102111142B1 (ko) 발광 장치 및 그 제조 방법
KR20140099374A (ko) 광반도체 소자 및 이의 제조방법
KR101396589B1 (ko) 가요성을 구비한 발광 디바이스
KR101719641B1 (ko) 발광 장치
KR100878398B1 (ko) 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
TW201442298A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
KR20120104006A (ko) 엘이디 모듈 및 그 제조방법
KR101956128B1 (ko) 테이프 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination