KR20140098871A - 원통형 플라즈마 캐소드 장치 - Google Patents

원통형 플라즈마 캐소드 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기재에 박막을 증착하기 위한 플라즈마를 발생??는 원통형 플라즈마 캐소드 장치에 관한 것으로서, 상호 평행하게 이격 배치되며 회전 가능한 적어도 한 쌍의 원통형 전극; 상기 원통형 전극 내부에서 상기 원통형 전극과는 독립적으로 회전 가능하게 마련되는 자기장 발생부재; 상기 원통형 전극 외측에 회동 가능하게 마련되어 상기 기재가 상기 플라즈마에 노출되는 영역을 조절하는 회동쉴드커버유닛;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의해, 플라즈마에 의한 기재 손상 및 박막의 특성열화를 방지하는 저손상 성막과 플라즈마 손상과 무관한 일반 성막을 간편하게 변경할 수 있는 원통형 플라즈마 캐소드 장치가 제공된다.
또한, 다양한 재질의 기재에 안정적이고 고품질의 박막 증착이 가능하면서, 성막속도의 조절이 가능하고, 진공챔버의 오염을 방지할 수 있는 원통형 플라즈마 캐소드 장치가 제공된다.
또한, 장치의 제작비용을 절감하고 생산성 및 작업편의성을 현격하게 상승시킬 수 있는 원통형 플라즈마 캐소드 장치가 제공된다.

Description

원통형 플라즈마 캐소드 장치{Cylindrical plasma cathode device}
본 발명은 원통형 플라즈마 캐소드 장치에 관한 것으로서, 회동쉴드커버를 이용하여 구비하여 기재의 종류에 따라 플라즈마에 의한 기재 및 박막 손상을 방지하거나 플라즈마 손상과 무관한 박막 증착을 수행할 수 있는 원통형 플라즈마 캐소드 장치에 관한 것이다.
반도체나 디스플레이, 태양전지 또는 포장지 제조분야 등에서 박막을 기재에 성막하는 기술로 사용되는 증착 방식으로 스퍼터링 증착 방식이나, 플라즈마 화학기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방식을 꼽을 수 있다.
원통형 플라즈마 캐소드 장치는 상기와 같은 스퍼터링 방식이나 플라즈마 화학기상 증착 방식에 의한 박막증착 공정에 주로 사용되는 캐소드 장치로서, 증착 효율이 평판형 캐소드 장치에 비해 획기적으로 개선된 캐소드 장치이다.
이 원통형 플라즈마 캐소드 장치는 원통형 금속전극 내부에 레이스 트랙 형상의 플라즈마 트랙을 발생시키기 위한 자기장 발생부재를 구비하고 있는 것으로서, 구동부재에 의해 회전 구동하는 원통형 금속전극에 전원이 공급되면, 그 외주 일영역에 자기장을 집중시켜서 고품질의 플라즈마를 발생시킴으로서, 스퍼터링 증착, 플라즈마 화학기상 증착, 플라즈마 식각 등 다양한 분야에 활용될 수 있다.
이러한 원통형 플라즈마 캐소드를 이용한 플라즈마 화학기상 증착장치의 일예가 일본 공개특허 제2006-299361호(이하 '선행특허1'이라 함)에 개시되어 있으며, 스퍼터링 장치의 일예가 일본 공개특허 JP1993-0065636호(이하 '선행특허2'라 함)에 개시된 바 있다.
선행특허1은 도 1에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 원통형 플라즈마 캐소드 (210)에 대항하는 위치에 기재(S)가 배치된 상태에서 원통형 플라즈마 캐소드(210)로부터 기재(S)를 향해 플라즈마가 형성되면서 기재(S)에 박막이 증착되는 형태이거나, 도 2에 도시된 바와 같이, 기재(S)가 롤투롤 형태로 드럼(220)을 거쳐 이송되고 드럼(220) 표면에 대향하는 위치에 한 쌍의 원통형 플라즈마 캐소드(210)가 설치된 형태로서 원통형 플라즈마 캐소드(210)로부터 드럼(220)을 향해 플라즈마가 형성되면서 드럼(220)을 지나는 기재(S)에 박막이 증착된다.
그리고 선행특허2는 도 2에 도시된 바와 같이, 원통형 금속전극 표면에 구성된 타겟의 회전과 독립적으로 회전 가능한 자기장 발생부재를 구비한 스퍼터링 장치로서, 자기장 발생부재에서 발생하는 자기장 방향을 조절할 수 있다.
그런데, 이러한 종래 선행특허들은 기재가 플라즈마에 직접적으로 노출되면서 기재가 손상되거나 기재에 미리 증착되어 있는 박막의 특성열화를 초래하는 문제점이 발생할 수 있다.
예컨대, 기재가 85℃ 온도에서 열변형이 발생하는 PET 재질의 기재일 경우, 기재가 고온이 형성되는 플라즈마에 의해 변형이 발생될 수 있는 것이다.
특히, 유기박막이나 산화물 반도체인 IGZO와 같이 플라즈마에 지극히 민감한 물질이 미리 증착되어 있는 기재의 경우 종래 선행특허1 및 2와 같은 원통형 플라즈마 캐소드를 이용한 박막 증착은 불가능한 문제점이 있다.
이러한 선행특허 1 및 2와 같은 문제점을 해결하기 위해서 도 3에 도시된 바와 같이, 원통형 플라즈마 캐소드 장치(301)의 원통형 금속전극(310) 내부에 마련되는 자기장 발생부재(320)를 상호 대향하도록 배치하면, 양 원통형 금속전극(310) 사이의 공간에 플라즈마를 구속하여 기재(S)가 플라즈마에 노출되지 않도록 할 수 있고, 이에 의해 기재(S) 및 기재(S)에 미리 성막된 박막의 특성열화를 어느 정도 방지할 수 있기는 하지만, 기재(S)로 누설되는 플라즈마를 완전히 차단하지 못하는 문제점이 있었다.
이에 따라, 도 4와 같이, 양 자기장 발생부재(320)가 상호 대향 배치되어 양 원통형 금속전극(310)사이 영역에 플라즈마를 구속하면서 양 원통형 금속전극(310)과 기재(S) 사이에 쉴드커버(340)를 구비하는 기술이 이용되고 있다.
쉴드커버(340)를 구비함으로써, 기재(S)를 향하는 누설 플라즈마를 차단하여 기재(S)의 손상을 저감시키면서 기재(S)에 성막되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다. 또한, 원통형 플라즈마 캐소드 장치(301)가 설치되는 진공챔버(미도시) 내부의 오염을 방지할 수 있으며, 기재(S) 방향으로 소정의 각도 이상으로 경사지게 입사되는 증착입자를 차단하여 기재(S)에 성막되는 박막의 특성을 향상시킬 수 있다.
하지만, 도 4와 같이, 양 원통형 금속전극(310) 사이에 플라즈마를 구속시키면서 쉴드커버(340)를 구비하는 경우에는 도 1의 선행특허 1과 같이, 자기장 발생부재(320)가 기재(S)를 향함으로써 기재(S)가 플라즈마에 직접 노출되는 경우에 비해 박막의 성막 속도가 현격하게 느린 단점이 있다.
이에 따라, 플라즈마 손상과 무관한 성막의 경우, 도 1의 선행특허 1가 같이 기재(S)가 플라즈마에 직접 노출되도록 하여 성막속도를 빠르게 하는 것이 바람직한데, 이 경우에도 도 5와 같이, 양 원통형 금속전극(310)의 측부에 쉴드커버(340)를 구비함으로써, 도 4에서 전술한 바와 같은 효과를 얻으면서 성막속도를 현격하게 증가시킬 수 있다.
그런데, 도 5와 같이 쉴드커버(340)를 양 원통형 금속전극(310)의 측부에 배치하는 경우는 선행특허1의 문제점과 마찬가지로 플라즈마 손상이 방지되어야 하는 성막에서는 적합하지 않다.
이에 따라, 다양한 종류의 기재(S)에 최적화된 성막 방식을 적용하기 위해서는 도 4와 도 5의 구조를 간편하게 변경할 수 있는 기술이 필요한데, 종래에는 도 4 및 도 5의 구조를 갖는 증착 장치를 각각 별도로 구비함으로써, 장치의 제작비용 상승과 생산성 및 작업 편의성 저하의 문제점이 있었다.
따라서 본 발명의 목적은 플라즈마에 의한 기재 손상 및 박막의 특성열화를 방지하는 저손상 성막과 플라즈마 손상과 무관한 일반 성막을 간편하게 변경할 수 있는 원통형 플라즈마 캐소드 장치를 제공하는 것이다.
또한, 다양한 재질의 기재에 안정적이고 고품질의 박막 증착이 가능하면서, 성막속도의 조절이 가능하고, 진공챔버의 오염을 방지할 수 있는 원통형 플라즈마 캐소드 장치를 제공하는 것이다.
또한, 장치의 제작비용을 절감하고 생산성 및 작업편의성을 현격하게 상승시킬 수 있는 원통형 플라즈마 캐소드 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적은 본 발명에 따라, 기재에 박막을 증착하기 위한 플라즈마를 발생시키는 원통형 플라즈마 캐소드 장치에 있어서, 상호 평행하게 이격 배치되며 회전 가능한 적어도 한 쌍의 원통형 전극; 상기 원통형 전극 내부에서 상기 원통형 전극과는 독립적으로 회전 가능하게 마련되는 자기장 발생부재; 상기 원통형 전극 외측에 회동 가능하게 마련되어 상기 기재가 상기 플라즈마에 노출되는 영역을 조절하는 회동쉴드커버유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 원통형 플라즈마 캐소드 장치에 의해 달성된다.
여기서, 상기 회동쉴드커버유닛은 상기 자기장 발생부재의 회동 위치에 따라 상기 원통형 전극과 기재 사이의 쉴드개방영역을 축소하거나 확대하는 회동쉴드커버와, 상기 회동쉴드커버를 회동 가능하게 지지하는 회동커버지지부재를 포함하는 것이 바람직하다.
그리고 상기 회동커버지지부재는 구동수단으로부터 구동력을 전달받아 상기 회동쉴드커버로 전달할 수 있다.
또는, 상기 자기장 발생부재는 상기 원통형 전극 내부에서 상기 원통형 전극과는 독립적으로 회전 가능하게 마련되는 회동지지축 상에 지지되며; 상기 회동커버지지부재는 상기 회동지지축에 연결되어 상기 자기장 발생부재의 회동에 따라 상기 회동쉴드커버를 회동시킬 수 있다.
이때, 상기 회동쉴드커버는 상기 자기장 발생부재의 마그네트와 평행하게 배치되며, 상기 쉴드개방영역을 축소하는 위치는 상기 양 원통형 전극의 양측 자기장 발생부재가 상호 대향하는 위치에서 상기 회동쉴드커버가 상기 기재와 평행한 수평방향으로 회동되는 위치이고, 상기 쉴드개방영역(OP)을 확대하는 위치는 상기 양 자기장 발생부재가 상기 기재를 향하는 위치에서 상기 회동쉴드커버가 상기 기재와 수직한 수직방향으로 회동되는 위치인 것이 효과적이다.
본 발명에 따르면, 본 발명의 목적은 플라즈마에 의한 기재 손상 및 박막의 특성열화를 방지하는 저손상 성막과 플라즈마 손상과 무관한 일반 성막을 간편하게 변경할 수 있는 원통형 플라즈마 캐소드 장치가 제공된다.
또한, 다양한 재질의 기재에 안정적이고 고품질의 박막 증착이 가능하면서, 성막속도의 조절이 가능하고, 진공챔버의 오염을 방지할 수 있는 원통형 플라즈마 캐소드 장치가 제공된다.
또한, 장치의 제작비용을 절감하고 생산성 및 작업편의성을 현격하게 상승시킬 수 있는 원통형 플라즈마 캐소드 장치가 제공된다.
도 1 및 도 2는 종래 플라즈마 화학기상 증착장치를 나타낸 도면,
도 3 내지 도 5는 종래 원통형 플라즈마 캐소드 장치를 나타낸 도면,
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 원통형 플라즈마 캐소드 장치의 간략한 사시도,
도 8 및 도 9는 본 발명에 따른 원통형 플라즈마 캐소드 장치가 인라인 증착 시스템에 적용된 예를 간략하게 나타낸 도면,
도 10 및 도 11은 본 발명에 따른 원통형 플라즈마 캐소드 장치가 롤투롤 증착 시스템에 적용된 예를 간략하게 나타낸 도면.
도 6 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 원통형 플라즈마 캐소드 장치(1)는 플라즈마 발생을 위해 상호 평행하게 이격 배치된 적어도 한 쌍의 원통형 전극유닛(10)과, 원통형 전극유닛(10)에서 발생하는 플라즈마가 기재에 노출되는 영역을 조절하는 회동쉴드커버유닛(20)을 포함한다.
양 원통형 전극유닛(10)은 각각 축선 방향 양측에 마련되는 회전지지부(미도시)와, 양 회전지지부(미도시)에 대해 회전 가능하게 지지되는 원통형 전극(11)과, 원통형 전극(11) 내부에서 원통형 전극(11)과는 독립적으로 회전 가능하게 마련되는 회동지지축(13)과, 회동지지축(13)에 지지되어 회동 위치 조절되며 자기장을 발생시키는 자기장 발생부재(15)와, 원통형 전극(11)을 회전시키는 전극구동수단(미도시)을 포함한다.
이러한 원통형 전극유닛(10)의 전극구동수단(미도시)에 의한 원통형 전극(11)의 회전 구성 및 회동지지축(13)과 자기장 발생부재(15)의 원통형 전극(11)에 대한 독립적인 회전 구성, 그리고 원통형 전극(11)으로의 전원공급에 의한 플라즈마 발생에 대한 기술 내용은 본 발명의 출원인에 의해 특허 출원된 특허출원 제10-2011-0028344호를 참고할 수 있으며, 경우에 따라서 전술한 선행기술2의 기술과 같은 종래 기술을 참고할 수 있으므로, 그 자세한 설명은 생략한다.
한편, 회동쉴드커버유닛(20)은 자기장 발생부재(15)의 회동 위치에 따라 양 원통형 전극(11)과 기재 사이의 개방영역(OP)(이하 '쉴드개방영역(OP)'이라 함)을 축소하거나 확대하는 회동쉴드커버(21)와, 회동쉴드커버(21)를 회동 가능하게 지지하면서 도시하지 않은 구동수단으로부터 구동력을 회동쉴드커버(21)로 전달하는 회동커버지지부재(23)를 포함한다.
회동쉴드커버(21)는 한 쌍의 판상부재로 마련되며 각각 양 원통형 전극(11)의 외측에 인접해서 쉴드개방영역(OP)을 도 7과 같이, 축소하는 위치와 도 6과 같이, 확대하는 위치로 회동한다.
여기서, 회동쉴드커버(21)는 자기장 발생부재(15)의 마그네트(17)와 평행한 방향으로 배치되는데, 쉴드개방영역(OP)을 축소하는 위치는 양 자기장 발생부재(15)가 상호 대향하는 위치에서 회동쉴드커버(21)가 기재와 평행한 수평방향으로 회동되는 위치이며, 쉴드개방영역(OP)을 확대하는 위치는 양 자기장 발생부재(15)가 기재를 향하는 위치에서 회동쉴드커버(21)가 기재와 수직한 수직방향으로 회동되는 위치이다.
이때, 회동쉴드커버(21)는 원통형 전극(11)의 길이에 대응하는 길이를 가지면서 폭 방향이 원통형 전극(11)의 반경방향에 대응하는 방향으로 배치된다. 이에 의해, 양 회동쉴드커버(21)가 쉴드개방영역(OP)을 축소하는 위치에서는 양 원통형 전극(11) 사이의 이격 간격에 대응하는 만큼의 쉴드개방영역(OP)이 축소될 수 있으며, 양 회동쉴드커버(21)가 쉴드개방영역(OP)을 확대하는 위치에서는 양 원통형 전극(11) 사이의 반대측 외측 간격에 대응하는 만큼의 쉴드개방영역(OP)이 확대될 수 있다.
여기서, 쉴드개방영역(OP)의 확대된 영역은 증착장비의 진공챔버 내에서 양 원통형 전극(11) 사이의 반대측 외측에 인접하게 미리 고정되어 있는 양측 고정형 쉴드커버(30) 사이의 간격에 대응할 수 있다.
회동커버지지부재(23)는 원통형 전극(11)의 축선방향 양 측에서 회동쉴드커버(21)의 길이 방향 양 단부를 지지할 수도 있으며, 경우에 따라서 원통형 전극(11)의 축선방향 일 측에서 회동쉴드커버(21)의 길이 방향 일 단부만을 지지할 수도 있다. 이 회동커버지지부재(23)는 디스크 형태로 마련되어 도시하지 않은 별도의 모터나 유,공압 실린더 등의 구동수단으로부터 기어나 벨트풀리 또는 실린더 샤프트 등의 구동력전달수단을 이용하여 회전력을 전달받아 회전함으로써 회동쉴드커버(21)를 쉴드개방영역(OP)이 축소되는 위치와 확대되는 위치로 회동시킬 수 있다. 이때, 구동수단과 구동력전달수단은 다양한 형태의 수단이 구비될 수 있으며, 경우에 따라 별도의 구동력전달수단을 이용하지 않고 구동수단의 구동력만으로 회동커버지지부재(23)가 회전할 수 있다.
혹은, 회동커버지지부재(23)의 회전은 별도의 구동수단을 구비하지 않고, 장치(1)의 구성을 간단하게 하면서 제작비용절감을 위해서 원통형 전극유닛(10)의 회동지지축(13)에 연결된 형태에서 자기장 발생부재(15)의 회동에 따라 회동쉴드커버(21)도 함께 회동하도록 설치될 수도 있다. 이때, 자기장 발생부재(15) 및 회동지지축(13)의 회동은 전술한 바와 같이, 본 발명의 출원인에 의해 특허 출원된 특허출원 제10-2011-0028344호를 참고할 수 있으며, 경우에 따라서 전술한 선행기술2의 기술과 같은 종래 기술을 참고할 수 있다.
이때, 회동커버지지부재(23)는 디스크 형상 외에도 회동쉴드커버(21)와 회동지지축(13)을 연결하는 범위에서 다양한 형태를 가질 수 있음은 물론이다.
이러한 구성을 갖는 본 발명에 따른 원통형 플라즈마 캐소드 장치(1)는 전술한 바와 같이, 플라즈마 손상과 무관한 일반적인 성막 과정을 고속 성막하는 경우에서는 도 6 및 도 8과 같이, 양측 자기장 발생부재(15)가 기재를 향하면서 회동쉴드커버(21)가 양 원통형 전극의 외측부에서 기재와 수직하게 배치되는 쉴드개방영역(OP) 확대 위치로 회동된다. 이에 의해, 확대된 쉴드개방영역(OP)을 통해 기재가 플라즈마에 직접 노출됨으로서 성막 속도가 매우 빠르게 이루어진다.
반면에, 기재 및 미리 증착된 박막의 저손상을 위한 성막 과정에서는 도 7 및 도 9와 같이, 양측 자기장 발생부재(15)가 상호 대향하면서 회동쉴드커버(21)가 양 원통형 전극과 기재 사이에서 기재와 수평하게 배치되는 쉴드개방영역(OP) 축소 위치로 회동된다.
이때, 플라즈마는 양 원통형 전극(11) 사이에 구속됨으로써, 기재가 플라즈마에 직접 노출되지 않는다. 이에 의해, 기재 및 기재에 미리 증착된 박막이 플라즈마에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 회동쉴드커버(21)가 쉴드개방영역(OP)을 축소하면서 양 원통형 전극(11)과 기재 사이에 수평으로 배치됨으로써, 기재를 향하는 누설 플라즈마를 차단하여 기재에 성막되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다. 또한, 원통형 플라즈마 캐소드 장치(1)가 설치되는 진공챔버 내부의 오염을 방지할 수 있으며, 기재 방향으로 소정의 각도 이상으로 경사지게 입사되는 증착입자를 차단하여 기재에 성막되는 박막의 특성을 향상시킬 수 있다.
이러한 저손상 성막 과정은 전술한 바와 같은 일반적인 성막 과정을 수행한 후 진공챔버의 진공 파기를 실행하지 않고 회동쉴드커버(21)를 회동시키는 것만으로 이어서 수행될 수 있다. 물론, 저손상 성막 과정을 먼저 수행한 후 이어서 전술한 바와 같은 일반적인 성막 과정을 고속으로 수행할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 원통형 플라즈마 캐소드 장치(1)는 다음과 같이 대량 생산에 적합한 다양한 형태의 증착 시스템에 적용될 수 있다.
먼저, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 인라인 증착 시스템의 PM(Process Module) 또는 도 10 및 도 11과 같이, 롤투롤 증착 시스템에 적용하여 이송되는 다양한 종류의 기재에 따라 일반 성막 또는 저손상 성막과정에 따라 자기장 발생부재(15)의 방향 조절 및 회동쉴드커버(21)에 의한 쉴드개방영역(OP)의 확대 또는 축소 조절을 자유롭게 변경할 수 있다.
이에 의해, 대량의 기재를 이송하면서 저손상 성막 과정과 일반 성막 과정을 간단하게 변경하면서 기재에 고품질의 박막을 증착할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 원통형 플라즈마 캐소드 장치는 회동쉴드커버를 이용하여 쉴드개방영역을 간편하게 확대하거나 축소할 수 있도록 함으로써, 플라즈마에 의한 기재 손상 및 박막의 특성열화를 방지하는 저손상 성막과 플라즈마 손상과 무관한 일반 성막을 간편하게 변경할 수 있는 원통형 플라즈마 캐소드 장치가 제공된다.
또한, 다양한 재질의 기재에 안정적이고 고품질의 박막 증착이 가능하면서, 성막속도의 조절이 가능하고, 진공챔버의 오염을 방지할 수 있는 원통형 플라즈마 캐소드 장치가 제공된다.
또한, 장치의 제작비용을 절감하고 생산성 및 작업편의성을 현격하게 상승시킬 수 있는 원통형 플라즈마 캐소드 장치가 제공된다.
10 : 원통형 전극유닛 11 : 원통형 전극
13 : 회동지지축 15 : 자기장 발생부재
20 : 회동쉴드커버유닛 21 : 회동쉴드커버
23 : 회동커버지지부재 OP : 쉴드개방영역

Claims (5)

  1. 기재에 박막을 증착하기 위한 플라즈마를 발생시키는 원통형 플라즈마 캐소드 장치에 있어서,
    상호 평행하게 이격 배치되며 회전 가능한 적어도 한 쌍의 원통형 전극;
    상기 원통형 전극 내부에서 상기 원통형 전극과는 독립적으로 회전 가능하게 마련되는 자기장 발생부재;
    상기 원통형 전극 외측에 회동 가능하게 마련되어 상기 기재가 상기 플라즈마에 노출되는 영역을 조절하는 회동쉴드커버유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 원통형 플라즈마 캐소드 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 회동쉴드커버유닛은
    상기 자기장 발생부재의 회동 위치에 따라 상기 원통형 전극과 기재 사이의 쉴드개방영역을 축소하거나 확대하는 회동쉴드커버와,
    상기 회동쉴드커버를 회동 가능하게 지지하는 회동커버지지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 원통형 플라즈마 캐소드 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 회동커버지지부재는 구동수단으로부터 구동력을 전달받아 상기 회동쉴드커버로 전달하는 것을 특징으로 하는 원통형 플라즈마 캐소드 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 자기장 발생부재는 상기 원통형 전극 내부에서 상기 원통형 전극과는 독립적으로 회전 가능하게 마련되는 회동지지축 상에 지지되며;
    상기 회동커버지지부재는 상기 회동지지축에 연결되어 상기 자기장 발생부재의 회동에 따라 상기 회동쉴드커버를 회동시키는 것을 특징으로 하는 원통형 플라즈마 캐소드 장치.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 회동쉴드커버는 상기 자기장 발생부재의 마그네트와 평행하게 배치되며,
    상기 쉴드개방영역을 축소하는 위치는 상기 양 원통형 전극의 양측 자기장 발생부재가 상호 대향하는 위치에서 상기 회동쉴드커버가 상기 기재와 평행한 수평방향으로 회동되는 위치이고,
    상기 쉴드개방영역(OP)을 확대하는 위치는 상기 양 자기장 발생부재가 상기 기재를 향하는 위치에서 상기 회동쉴드커버가 상기 기재와 수직한 수직방향으로 회동되는 위치인 것을 특징으로 하는 원통형 플라즈마 캐소드 장치.
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