KR20140087987A - COMPOUND FOR ORGANIC OPTOELECTRONIC DEVICE, ORGANIC LiGHT EMITTING DIODE INCLUDING THE SAME AND DISPLAY INCLUDING THE ORGANIC LiGHT EMITTING DIODE - Google Patents

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채미영
강의수
김윤환
김준석
류동완
유동규
이승재
장유나
조영경
허달호
홍진석
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Abstract

The present invention relates to a compound for an organic optoelectronic device, an organic light emitting diode including the same, and a display device including the organic light emitting diode. The present invention provides a compound for an organic optoelectronic device represented by chemical formula 1.

Description

유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치{COMPOUND FOR ORGANIC OPTOELECTRONIC DEVICE, ORGANIC LiGHT EMITTING DIODE INCLUDING THE SAME AND DISPLAY INCLUDING THE ORGANIC LiGHT EMITTING DIODE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a compound for an organic optoelectronic device, an organic light emitting device including the same, and a display device including the organic light emitting device. BACKGROUND ART [0002]

유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.A compound for an organic optoelectronic device, an organic light emitting device including the same, and a display device including the organic light emitting device.

유기광전자소자(organic optoelectric device)라 함은 정공 또는 전자를 이용한 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 필요로 하는 소자를 의미한다.An organic optoelectronic device refers to a device that requires charge exchange between an electrode and an organic material using holes or electrons.

유기광전자소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exciton)이 형성되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전자소자이다.Organic optoelectronic devices can be roughly classified into two types according to the operating principle as described below. First, an exciton is formed in an organic material layer by a photon introduced into an element from an external light source. The exciton is separated into an electron and a hole, and the electrons and holes are transferred to different electrodes to be used as a current source Type electronic device.

둘째는 2 개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기물 반도체에 정공 또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자소자이다.The second type is an electronic device in which holes or electrons are injected into an organic semiconductor forming an interface with an electrode by applying a voltage or current to two or more electrodes and operated by injected electrons and holes.

유기광전자소자의 예로는 유기광전소자, 유기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체 드럼(organic photo conductor drum), 유기트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질을 필요로 한다.Examples of organic optoelectronic devices include organic optoelectronic devices, organic light-emitting devices, organic solar cells, organic photo conductor drums, and organic transistors, all of which are used for the injection or transport of holes, An injection or transport material, or a luminescent material.

특히, 유기발광소자(organic light emitting diode, OLED)는 최근 평판 디스플레이(flat panel display)의 수요가 증가함에 따라 주목받고 있다. 일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다.In particular, organic light emitting diodes (OLEDs) have been attracting attention in recent years as the demand for flat panel displays increases. In general, organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy.

이러한 유기발광소자는 유기발광재료에 전류를 가하여 전기에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서 통상 양극(anode)과 음극(cathode) 사이에 기능성 유기물 층이 삽입된 구조로 이루어져 있다. 여기서 유기물층은 유기발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.Such an organic light emitting device is a device that converts electric energy into light by applying an electric current to an organic light emitting material, and is usually composed of a structure in which a functional organic layer is interposed between an anode and a cathode. Here, in order to enhance the efficiency and stability of the organic light emitting device, the organic material layer may have a multi-layered structure composed of different materials and may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.

이러한 유기발광소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공(hole)이, 음극에서는 전자(electron)가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만나 재결합(recombination)에 의해 에너지가 높은 여기자를 형성하게 된다. 이때 형성된 여기자가 다시 바닥상태(ground state)로 이동하면서 특정한 파장을 갖는 빛이 발생하게 된다.When a voltage is applied between the two electrodes in the structure of such an organic light emitting device, holes are injected into the anode and electrons are injected into the organic layer through the cathode, and injected holes and electrons are recombined Energy excitons are formed. At this time, the exciton formed again moves to the ground state, and light having a specific wavelength is generated.

최근에는, 형광 발광물질뿐 아니라 인광 발광물질도 유기발광소자의 발광물질로 사용될 수 있음이 알려졌으며, 이러한 인광 발광은 바닥상태에서 여기상태(excited state)로 전자가 전이한 후, 계간 전이(intersystem crossing)를 통해 단일항 여기자가 삼중항 여기자로 비발광 전이된 다음, 삼중항 여기자가 바닥상태로 전이하면서 발광하는 메카니즘으로 이루어진다.In recent years, it is known that not only a fluorescent light emitting material but also a phosphorescent emitting material can be used as a light emitting material of an organic light emitting device. Such phosphorescent emitting is a phenomenon in which electrons transition from a ground state to an excited state, cross-linking of the triplet exciton to the triplet exciton, and then the triplet exciton transitions to the ground state.

상기한 바와 같이 유기발광소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다.As described above, a material used as an organic material layer in an organic light emitting device can be classified into a light emitting material and a charge transporting material such as a hole injecting material, a hole transporting material, an electron transporting material, and an electron injecting material depending on functions.

또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.Further, the light emitting material can be classified into blue, green, and red light emitting materials and yellow and orange light emitting materials required to realize better natural color depending on the luminescent color.

한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율과 안정성을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다.On the other hand, when only one material is used as a light emitting material, there arises a problem that the maximum light emission wavelength shifts to a long wavelength due to intermolecular interaction, the color purity decreases, or the efficiency of the device decreases due to the light emission attenuating effect. A host / dopant system can be used as a light emitting material in order to increase the light emitting efficiency and stability through the light emitting layer.

유기발광소자가 전술한 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질, 발광 재료 중 호스트 및/또는 도판트 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하며, 아직까지 안정하고 효율적인 유기발광소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다. 이와 같은 재료 개발의 필요성은 전술한 다른 유기광전자소자에서도 마찬가지이다.In order for the organic luminescent device to fully exhibit the above-described excellent characteristics, a host material and / or a dopant such as a hole injecting material, a hole transporting material, a luminescent material, an electron transporting material, an electron injecting material, The organic material layer for organic light emitting devices has not been sufficiently developed yet. Therefore, development of new materials has been continuously required. The necessity of developing such a material is the same in other organic optoelectronic devices described above.

또한, 저분자 유기발광소자는 진공 증착법에 의해 박막의 형태로 소자를 제조하므로 효율 및 수명성능이 좋으며, 고분자 유기발광소자는 잉크젯(inkjet) 또는 스핀코팅(spin coating)법을 사용하여 초기 투자비가 적고 대면적화가 유리한 장점이 있다.In addition, the low-molecular organic light-emitting device has good efficiency and long life performance because it is manufactured in the form of a thin film by a vacuum deposition method. The polymer organic light-emitting device uses an inkjet or spin coating method, There is an advantage that the large area is advantageous.

저분자 유기발광소자 및 고분자 유기발광소자는 모두 자체발광, 고속응답, 광시야각, 초박형, 고화질, 내구성, 넓은 구동온도범위 등의 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이로 주목을 받고 있다. 특히 기존의 LCD(liquid crystal display)와 비교하여 자체발광형으로서 어두운 곳이나 외부의 빛이 들어와도 시안성이 좋으며, 백라이트가 필요 없어 LCD의 1/3수준으로 두께 및 무게를 줄일 수 있다.Low molecular organic light emitting devices and polymer organic light emitting devices are attracting attention as next generation displays because they have advantages such as self-emission, fast response, wide viewing angle, ultra-thin, high image quality, durability and wide driving temperature range. Compared to conventional liquid crystal displays (LCDs), it is self-luminous and has good visibility even when dark or external light enters. It can reduce thickness and weight to 1/3 of that of LCD without backlight.

또한, 응답속도가 LCD에 비해 1000배 이상 빠른 마이크로 초 단위여서 잔상이 없는 완벽한 동영상을 구현할 수 있다. 따라서, 최근 본격적인 멀티미디어 시대에 맞춰 최적의 디스플레이로 각광받을 것으로 기대되며, 이러한 장점을 바탕으로 1980년대 후반 최초 개발 이후 효율 80배, 수명 100배 이상에 이르는 급격한 기술발전을 이루어 왔고, 최근에는 40인치 유기발광소자 패널이 발표되는 등 대형화가 급속히 진행되고 있다. In addition, the response speed is 1000 times faster than that of LCD, so it is possible to realize perfect video without residual image. Therefore, it is anticipated that it will be seen as an optimal display in accordance with the multimedia age in recent years. Based on these advantages, after the first development in the late 1980s, the technology has been rapidly developed 80 times and lifespan 100 times. And organic light-emitting device panels have been announced, and the size of the organic light-emitting device panel is rapidly increasing.

대형화를 위해서는 발광 효율의 증대 및 소자의 수명 향상이 수반되어야 한다. 이를 위해 안정하고 효율적인 유기발광소자용 유기물층 재료의 개발이 필요하다.In order to increase the size, it is necessary to increase the luminous efficiency and the lifetime of the device. Therefore, it is necessary to develop a stable and efficient organic material layer material for an organic light emitting device.

고효율, 장수명 등의 특성을 가지는 유기광전자소자를 제공할 수 있는 유기광전자소자용 화합물을 제공하는 것이다. And which can provide an organic optoelectronic device having characteristics such as high efficiency, long life, and the like.

상기 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치를 제공하는 것이다.An organic light emitting device including the compound for an organic optoelectronic device, and a display device including the organic light emitting device.

본 발명의 일 구현예에서는, 하기 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다.In one embodiment of the present invention, there is provided a compound for an organic optoelectronic device represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서, 각각의 치환기의 정의는 하기 "발명을 실시하기 위한 구체적인 내용"에 기재된 바와 같다.In the above formula (1), the definition of each substituent is as described in the following "Detailed Description of the Invention ".

본 발명의 다른 일 구현예에서는, 서로 마주하는 양극과 음극, 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 한 층의 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기발광소자를 제공한다.In another embodiment of the present invention, there is provided an organic light emitting device comprising an anode and a cathode facing each other, and at least one organic layer positioned between the anode and the cathode, wherein the organic layer comprises the compound do.

본 발명의 또 다른 일 구현예에서는, 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치를 제공한다.In another embodiment of the present invention, there is provided a display device including the organic light emitting element.

상기 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 유기광전자소자는 우수한 전기화학적 및 열적 안정성을 가지고 수명 특성이 우수하며, 낮은 구동전압에서도 높은 발광효율을 가질 수 있다.The organic optoelectronic device including the compound for an organic optoelectronic device has excellent electrochemical and thermal stability, has excellent lifetime characteristics, and can have a high luminous efficiency even at a low driving voltage.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물을 이용하여 제조될 수 있는 유기발광소자에 대한 다양한 구현예들을 나타내는 단면도이다.FIG. 1 and FIG. 2 are cross-sectional views illustrating various embodiments of an organic light emitting device that can be manufactured using a compound for an organic optoelectronic device according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, it should be understood that the present invention is not limited thereto, and the present invention is only defined by the scope of the following claims.

본 명세서에서 "치환"이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.As used herein, unless otherwise defined, at least one of the substituents or at least one hydrogen in the compound is substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a hydroxy group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 amine group, a nitro group, C1 to C10 alkyl groups such as a C3 to C40 silyl group, a C1 to C30 alkyl group, a C1 to C10 alkylsilyl group, a C3 to C30 cycloalkyl group, a C6 to C30 aryl group, a C1 to C20 alkoxy group, a fluoro group, A trifluoroalkyl group or a cyano group.

또한 상기 치환된 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기 중 인접한 두 개의 치환기가 융합되어 고리를 형성할 수도 있다. A substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, a C1 to C30 alkyl group, a C1 to C10 alkylsilyl group, a C3 to C10 alkylsulfinyl group, A C1 to C10 trifluoroalkyl group such as a C30 cycloalkyl group, a C6 to C30 aryl group, a C1 to C20 alkoxy group, a fluoro group or a trifluoromethyl group, or a cyano group may be fused together to form a ring .

본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.Means one to three heteroatoms selected from the group consisting of N, O, S and P in one functional group, and the remainder is carbon, unless otherwise defined.

본 명세서에서 "알킬(alkyl)기"이란 별도의 정의가 없는 한, 지방족 탄화수소기를 의미한다. As used herein, the term "alkyl group" means an aliphatic hydrocarbon group, unless otherwise defined.

알킬기는 C1 내지 C20인 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는 C1 내지 C10 알킬기 또는 C1 내지 C6 알킬기일 수도 있다. 예를 들어, C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자가 포함되는 것을 의미하며, 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.The alkyl group may be an alkyl group of C1 to C20. More specifically, the alkyl group may be a C1 to C10 alkyl group or a C1 to C6 alkyl group. For example, C1 to C4 alkyl groups mean that from 1 to 4 carbon atoms are included in the alkyl chain and include methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, n-butyl, iso-butyl, sec- Indicating that they are selected from the group.

상기 알킬기는 구체적인 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 의미한다.Specific examples of the alkyl group include a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, And the like.

"아릴(aryl)기"는 환형인 치환기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며, 이들 p-오비탈이 공액(conjugation)을 형성하고 있는 치환기를 의미하고, 모노시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.The term "aryl group" means a substituent in which all the elements of the cyclic substituent have p-orbital, and these p-orbital forms conjugation, and monocyclic or fused ring polycyclic , Rings that divide adjacent pairs of carbon atoms) functional groups.

"헤테로아릴(heteroaryl)기"는 아릴기 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다. 상기 헤테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다."Heteroaryl group" means that the aryl group contains 1 to 3 heteroatoms selected from the group consisting of N, O, S and P, and the remainder is carbon. When the heteroaryl group is a fused ring, it may contain 1 to 3 heteroatoms in each ring.

보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 아릴기 및/또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기는, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐일기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.More specifically, the substituted or unsubstituted aryl group and / or the substituted or unsubstituted heteroaryl group may be substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted anthracenyl group, A substituted or unsubstituted naphthacenyl group, a substituted or unsubstituted pyrenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted p-terphenyl group, a substituted or unsubstituted m- A phenyl group, a substituted or unsubstituted chrysenyl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted perylenyl group, a substituted or unsubstituted indenyl group, a substituted or unsubstituted furanyl group, A substituted or unsubstituted thiophenyl group, a substituted or unsubstituted pyrrolyl group, a substituted or unsubstituted pyrazolyl group, a substituted or unsubstituted imidazolyl group, a substituted or unsubstituted triazolyl group, a substituted or unsubstituted oxazolyl group, A substituted or unsubstituted thiazolyl group, a substituted or unsubstituted oxadiazolyl group, a substituted or unsubstituted thiadiazolyl group, a substituted or unsubstituted pyridyl group, a substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, A substituted or unsubstituted thiazolyl group, a substituted or unsubstituted benzofuranyl group, a substituted or unsubstituted benzothiophenyl group, a substituted or unsubstituted benzimidazolyl group, a substituted or unsubstituted indolyl group, A substituted or unsubstituted quinolinyl group, a substituted or unsubstituted naphthyridinyl group, a substituted or unsubstituted quinazolinyl group, a substituted or unsubstituted quinazolinyl group, a substituted or unsubstituted quinoxalinyl group, a substituted or unsubstituted naphthyridinyl group, A substituted or unsubstituted benzothiazyl group, a substituted or unsubstituted acridinyl group, a substituted or unsubstituted phenazinyl group, a substituted or unsubstituted phenothiazine group, a substituted or unsubstituted benzothiazyl group, a substituted or unsubstituted benzothiazyl group, Or an unsubstituted phenoxyl group, or a combination thereof, but is not limited thereto.

본 명세서에서, 정공 특성이란, HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다. 보다 구체적으로, 전자를 밀어내는 특성과도 유사할 수 있다. In the present specification, the hole property means a property of facilitating the injection into the light emitting layer and the movement in the light emitting layer of the hole formed in the anode due to conduction characteristics along the HOMO level. More specifically, it may be similar to the characteristic of pushing electrons.

또한 전자 특성이란, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다. 보다 구체적으로 전자를 당기는 특성과도 유사할 수 있다.
Further, the electron characteristic means a property of facilitating the injection of electrons formed in the anode into the luminescent layer and the movement in the luminescent layer due to conduction characteristics along the LUMO level. More specifically, it may be similar to the characteristic of attracting electrons.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, a compound for organic optoelectronic devices represented by the following Chemical Formula 1 can be provided.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 1에서, Ar1는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고, L1 내지 L3은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, n1 내지 n3은 서로 독립적으로, 0 내지 3 중 어느 하나의 정수이고, A는 하기 화학식 A-2이고, B는 하기 화학식 A-2, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다. In Formula 1, Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof, and L 1 to L 3 independently of one another are substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted C2 to C6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group, or a combination thereof, and n1 A3, A3, A3, A3, A3, A3, A3, A3, A3, A3, A3 and A3 are independently of each other an integer of 0 to 3, RTI ID = 0.0 > C2-C30 < / RTI >

[화학식 A-2][A-2]

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 A-2에서, X1은 -O- 또는 -S-이고, R3 및 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.In Formula (A-2), X 1 is -O- or -S-, and R 3 and R 4 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group, a ferrocenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C7 to C20 aryl Oxycarbonylamino A substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted Or an unsubstituted C1 to C20 heterocyclythiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 인데노 구조를 포함하는 치환기를 포함하는 아민기를 코어 구조로 가질 수 있다. 이러한 코어 구조의 경우, Ar1의 구조에서 정공특성을 나타낼 수 있는 치환기를 아민기 코어와 합쳐지면서 전자 또는 정공을 쉽게 흐를 수 있는 구조를 가질 수 있다. 또한 인데노 구조의 치환기는 비공유 전자 쌍을 가지고 있는 구조로서 전자 또는 정공의 흐름을 좋게 하며 분자량이 작아 증착용소재로서 적합하다. 일반적으로 증착용 소재의 경우 분자량이 1000이 넘게 되면 열안정성 문제를 유발할 수 있다. 또한, Ar1에 치환될 구조의 경우 전자(파이 결합이 풍부함, 전자 주게 그룹)를 풍부하게 가지고 있는 것으로 특징으로 하며 아민을 사이로 인데노 구조의 치환기는 Ar1의 전자를 끌어오기 좋은 구조로(withdraw group) 되어 있어 화합물 내 전자 편중화를 막을 수 있어, 결과적으로 소자의 고효율, 장수명을 달성할 수 있다. The compound represented by Formula 1 may have an amine group having a substituent including an indeno structure as a core structure. In the case of such a core structure, a substituent capable of exhibiting hole characteristics in the structure of Ar 1 may have a structure capable of easily flowing electrons or holes while being combined with the amine group core. The substituent of the indeno structure is a structure having a non-covalent electron pair, which improves the flow of electrons or holes and is suitable as an evaporation material because of its small molecular weight. Generally, in the case of vapor-deposited materials, if the molecular weight exceeds 1000, heat stability problems may be caused. In the case of a structure to be substituted with Ar 1 , it is characterized by having an abundance of electrons (rich in pi bonds, electron-donating group). The substituent of the amine structure is a structure in which electrons of Ar 1 are attracted withdraw group), which can prevent the electron partialization in the compound, resulting in high efficiency and long life of the device.

또한, 상기 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물은 코어 부분과 코어 부분에 치환된 치환기에 다양한 또 다른 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드 갭을 갖는 화합물이 될 수 있다. The compound for organic optoelectronic devices represented by Formula 1 may be a compound having various energy bandgaps by introducing various substituents to the substituents of the core portion and the core portion.

상기 화합물의 치환기에 따라 적절한 에너지 준위를 가지는 화합물을 유기광전자소자에 사용함으로써, 정공전달 능력 또는 전자전달 능력이 강화되어 효율 및 구동전압 면에서 우수한 효과를 가지고, 전기화학적 및 열적 안정성이 뛰어나 유기광전자소자 구동시 수명 특성을 향상시킬 수 있다.By using a compound having an appropriate energy level according to the substituent of the compound in an organic optoelectronic device, the hole transporting ability or the electron transporting ability is enhanced to have an excellent effect in terms of efficiency and driving voltage, and excellent electrochemical and thermal stability. The lifetime characteristics can be improved when the device is driven.

보다 구체적으로, 본 발명의 일 구현예에서, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및/또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기는, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐일기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.More specifically, in one embodiment of the present invention, the substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group and / or the substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group may be substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted naphtha A substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted naphthacenyl group, a substituted or unsubstituted pyrenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, Substituted or unsubstituted m-terphenyl groups, substituted or unsubstituted chrysenyl groups, substituted or unsubstituted triphenylenyl groups, substituted or unsubstituted perylenyl groups, substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted thiophenyl group, a substituted or unsubstituted pyrrolyl group, a substituted or unsubstituted pyrazolyl group, a substituted or unsubstituted imidazolyl group, a substituted or unsubstituted furanyl group, a substituted or unsubstituted thiophenyl group, A substituted or unsubstituted thiadiazolyl group, a substituted or unsubstituted pyridyl group, a substituted or unsubstituted thiazolyl group, a substituted or unsubstituted thiazolyl group, a substituted or unsubstituted thiazolyl group, a substituted or unsubstituted thiazolyl group, A substituted or unsubstituted pyrazinyl group, a substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, a substituted or unsubstituted pyrazinyl group, a substituted or unsubstituted triazinyl group, a substituted or unsubstituted benzofuranyl group, a substituted or unsubstituted benzothiophenyl group, Substituted or unsubstituted quinazolinyl groups, substituted or unsubstituted quinolinyl groups, substituted or unsubstituted quinolinyl groups, substituted or unsubstituted quinolinyl groups, substituted or unsubstituted quinolinyl groups, substituted or unsubstituted quinolinyl groups, substituted or unsubstituted quinolinyl groups, A substituted or unsubstituted naphthyridinyl group, a substituted or unsubstituted benzoxazine group, a substituted or unsubstituted benzothiazine group, a substituted or unsubstituted acridinyl group, a substituted or unsubstituted phenazine Group, it may be a substituted or unsubstituted phenothiazine group, a substituted or unsubstituted phenoxazine group, or a combination thereof, are not limited.

또한, 상기 L1 내지 L3를 선택적으로 조절하여 화합물 전체의 공액(conjugation) 길이를 결정할 수 있으며, 이로부터 삼중항(triplet) 에너지 밴드갭을 조절할 수 있다. 이를 통해 유기광전자소자에서 필요로 하는 재료의 특성을 구현해 낼 수 있다. 또한, 올소, 파라, 메타의 결합위치 변경을 통해서도 삼중항 에너지 밴드갭을 조절할 수 있다. In addition, the conjugation length of the entire compound can be determined by selectively controlling the L 1 to L 3 , and the triplet energy bandgap can be controlled therefrom. This makes it possible to realize the characteristics of the materials required in organic optoelectronic devices. Further, the triplet energy bandgap can be controlled by changing the bonding position of the ortho, para, and meta.

상기 L1 내지 L3의 구체적인 예로는 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐렌기, 치환 또는 비치환된 페난트릴렌기, 치환 또는 비치환된 피레닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기 등이다.Specific examples of L 1 to L 3 include a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, a substituted or unsubstituted terphenylene group, a substituted or unsubstituted naphthylene group, a substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted pyrenylene group, a substituted or unsubstituted fluorenylene group, a substituted or unsubstituted p-terphenyl group, a substituted or unsubstituted m-tert A phenyl group, a substituted or unsubstituted perylenyl group and the like.

보다 구체적으로, 상기 L1 내지 L3은 서로 독립적으로, 페닐렌기일 수 있다. 상기 L1 내지 L3가 페닐렌기인 경우, 상기 페닐렌기를 기준으로 양측 코어 부분은 오쏘, 메타 또는 파라로 결합될 수 있다. More specifically, L 1 to L 3 may be, independently of one another, a phenylene group. In the case where L 1 to L 3 are phenylene groups, both side core portions may be bonded to ortho, meta or para to the phenylene group.

상기 B는 하기 화학식 A-2일 수 있다. 상기 화학식 A-2는 비공유 전자쌍을 가지고 있어 전자 또는 정공의 흐름을 좋게 할 수 있어서 고효율의 소자를 만들기 유리하다. 또한, 일반적으로 사용하는 디벤조퓨란 또는 디벤조싸이오펜에 비해 분자량이 작아 증착소재로서 유리할 수 있다. 그리고 상기 Ar1에 편중된 전자(파이결합, 전자 주게 그룹)를 상기 화학식 A-2의 치환체(withdraw group)가 화합물 전체에 고르게 분포하게 함으로서 고효율/장수명의 소자를 만들 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 유기광전자소자용 화합물이 두 개의 인데노 구조를 포함하는 경우, 전자를 고르게 분포할 수 있다. The above B may be represented by the following formula (A-2). The above formula (A-2) has a non-covalent electron pair and can improve the flow of electrons or holes, thereby making it possible to produce a highly efficient device. In addition, since the molecular weight is smaller than that of dibenzofuran or dibenzothiophene which is generally used, it can be advantageous as a deposition material. In addition, the electron (pie bond, electron donor group) biased to Ar 1 may be uniformly distributed throughout the compound by the withdrawing group of the above formula (A-2), so that a device with high efficiency / long life can be produced. More specifically, when the compound for an organic optoelectronic device includes two indeno structures, the electrons can be evenly distributed.

보다 구체적으로, 상기 Ar1은 하기 화학식 B-1일 수 있다. More specifically, Ar 1 may be represented by the following formula (B-1).

[화학식 B-1][Formula B-1]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 B-1에서, R5 내지 R8은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.R 5 to R 8 independently represent hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, A substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, C20 acyloxy group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, C20 heterocyclythiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof.

이러한 경우, 화학식 B-1과 같은 플루오렌기의 경우 가운데 탄소(C)가 이중결합 없이 이루어진 구조여서 파이결합이 끊어진다. 이 때문에 정공을 형성하기 용이해져 아민(N)을 중심으로 한 인데노 구조의 치환체와 조화를 이룰 수 있다. 전자 또는 정공을 잘 전달하기 위해서는 정공을 잘 형성할 수 있는 치환체와 전자를 잘형성하는 치환체가 잘 어울러져야 하는데 상기 플루오렌기가 정공을 잘 형성할 수 있는 치환체 이다. 또한 플루오렌이 포함된 화합물의 경우 소자의 고효율 및 구동전압 측면에서 특성을 개선할 수 있다. In this case, in the case of a fluorene group such as the formula (B-1), the structure in which the carbon (C) is absent from the double bond results in breaking of the pi bond. Hence, it is easy to form holes and can be harmonized with the substituent of the indeno structure centered on amine (N). In order to transfer electrons or holes well, a substituent that can form a hole well and a substituent that forms an electron well must be well matched. The fluorene group is a substituent capable of forming a hole well. In the case of a fluorene-containing compound, the characteristics of the device can be improved in terms of high efficiency and driving voltage.

구체적인 예를 들어, 상기 Ar1은 하기 화학식 B-2일 수 있다. For example, Ar 1 may be represented by the following formula (B-2).

[화학식 B-2][Formula B-2]

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 화학식 B-2에서, R5 내지 R8은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.R 5 to R 8 independently represent hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, A substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, C20 acyloxy group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, C20 heterocyclythiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof.

상기 화학식 B-2로 표시되는 치환기는 합성이 용이할 수 있는 위치로 코어인 아민 질소와 결합할 수 있다. The substituent represented by the above formula (B-2) may be bonded to amine nitrogen which is a core at a position where synthesis is easy.

보다 구체적으로, 상기 Ar1은 하기 화학식 B-3일 수 있다.More specifically, Ar 1 may be represented by the following formula (B-3).

[화학식 B-3][Formula B-3]

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 화학식 B-3에서, R9 내지 R12은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.R 9 to R 12 independently represent hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, A substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, C20 acyloxy group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, C20 heterocyclythiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof.

상기 화학식 B-3과 같은 페난스렌기가 존재하는 경우, 보다 낮은 HOMO 레벨을 달성할 수 있다. 또한, 상기 페난스렌(B-2)기는 페닐기 3개가 꺽여있어 정공을 형성하기 용이한 구조로 알려져 있다. 그리고 플루오렌(B-1)기에 비해 열안정성(페닐기 모두 공명구조를 이룸)이 뛰어나다. When a phenanthrene group such as the above-described formula B-3 is present, a lower HOMO level can be achieved. Further, the phenanthrene (B-2) group is known to have a structure in which three phenyl groups are bended to facilitate formation of holes. Compared to the fluorene (B-1) group, it has superior thermal stability (the resonance structure of both phenyl groups).

보다 구체적으로 상기 Ar1은 하기 화학식 B-4일 수 있다. More specifically, Ar 1 may be represented by the following formula (B-4).

[화학식 B-4][Formula B-4]

Figure pat00007
Figure pat00007

보다 구체적으로, 페난스렌(화학식 B-2)기보다 더 낮은 HOMO레벨이 필요할 경우 트리페닐렌(화학식 B-3)기를 도입하여 이를 조절 할 수 있다. 상기 트리페닐렌기는 페닐기가 3개 모여있어 풍부한 전자(donor group)를 제공할 수 있으며 전자를 끌어갈 수 있는 구조(withdraw group, 예를 들어, 인데노 치환체)와 결합되는 경우 정공을 형성하기 용이한 구조일 수 있다. 그리고 플루오렌기에 비해 열안정성(페닐기 모두 공명구조를 이룸)이 뛰어나다. More specifically, when a lower HOMO level than the phenanthrene (formula B-2) group is required, it can be controlled by introducing triphenylene (formula B-3) group. The triphenylene group can provide a donor group due to the gathering of three phenyl groups. When the triphenylene group is bonded to a withdrawing group (for example, an indeno substituent), it is easy to form a hole Can be one structure. Compared to the fluorene group, it has excellent thermal stability (the resonance structure of both phenyl groups).

보다 구체적으로, 상기 Ar1은 하기 화학식 B-5일 수 있다.More specifically, Ar 1 may be represented by the following formula (B-5).

[화학식 B-5][Formula B-5]

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 화학식 B-5에서, X2는 -O-, -S- 또는 NR'이고, R', R13 및 R14은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.In the above formula (B-5), X 2 is -O-, -S- or NR ', and R', R 13 and R 14 independently represent hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, , A substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group, a ferrocenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, A substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, Gt; C7-C20 < / RTI > aryloxycarbo An amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted Or an unsubstituted C1 to C20 heterocyclythiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof.

정공 또는 전자 수송 능력이 좋은 상기 화학식 B-5를 사용했을 경우 고효율 소자를 만들 수 있다. When a compound of the above formula (B-5) having good hole-transporting or electron-transporting ability is used, a high-efficiency device can be produced.

보다 구체적으로, 상기 Ar1은 하기 화학식 B-6일 수 있다. More specifically, Ar 1 may be represented by the following formula (B-6).

[화학식 B-6][Formula B-6]

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 화학식 B-6에서, R15 및 R16은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.R 15 and R 16 are independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, A substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, C20 acyloxy group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, C20 heterocyclythiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof.

상기 화학식 B-6과 같은 카바졸기의 경우 아민(N)을 중심으로 파이결합이 끊어져 정공을 형성하기 유리하며, 비공유 전자쌍을 가지고 있어 정공수송능력 또한 뛰어나다. 또한, 상기 화학식 B-6과 같은 카바졸기는 정공수송 능력이 전자수송 능력에 비해 매우 뛰어나므로 소자에 적용 시 정공수송층이나 정공수송층의 보조층 또는 정공특성을 가지는 호스트로 이용하면 고효율 저전압 소자를 구현할 수 있다. In the case of the carbazole group represented by the above formula (B-6), the pi bond is broken around the amine (N) to form a hole, and the hole transporting ability is also excellent because it has a non-covalent electron pair. Since the hole transporting ability of the carbazole group represented by the above formula (B-6) is very superior to the electron transporting ability, when it is used as a host for the hole transport layer, the hole transport layer, or the hole transporting layer, it is possible to realize a high efficiency low voltage device .

보다 구체적으로, 상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 바이페닐기일 수 있다. 보다 구체적인 예를 들어, 상기 Ar1은 하기 화학식 B-7 또는 B-8일 수 있다. More specifically, Ar 1 may be a substituted or unsubstituted biphenyl group. More specifically, for example, Ar 1 may be represented by the following formula (B-7) or (B-8).

[화학식 B-7] [화학식 B-8][Formula B-7] [Formula B-8]

Figure pat00010
Figure pat00011
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보다 단순한 구조의 B-7 및/또는 B-8 치환기는 열적, 전기적 안정성이 뛰어나 고수명 소자를 구현하기에 적합하다. The B-7 and / or B-8 substituents of the simpler structure are excellent in thermal and electrical stability and are suitable for realizing high-definition devices.

구체적인 예를 들어, 상기 A 및 B는 상기 화학식 A-2로 표시될 수 있다. 즉, 코어인 아민기에 화학식 A-2로 표시되는 치환기가 동시에 존재하는 경우, 정공 또는 전자수송이 뛰어난 화학식 A-2의 존재로 인해 소자의 구동전압이 낮아지며 효율이 상승할 수 있다. 또한 상기 화학식 A-2는 분자구조가 단순하여 열적, 전기적 안정성이 뛰어나다. For example, A and B may be represented by the above formula (A-2). That is, when the substituent represented by the formula (A-2) is present simultaneously in the core amine group, the driving voltage of the device is lowered and the efficiency can be increased due to the presence of the formula (A-2) having excellent hole or electron transportability. The above formula (A-2) has a simple molecular structure and is excellent in thermal and electrical stability.

상기 화학식 A-2에서, 상기 R3 및 R4는 수소일 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. In the above formula (A-2), R 3 and R 4 may be hydrogen, but are not limited thereto.

상기 유기광전자소자용 화합물은 700이하의 분자량을 가질 수 있다. 보다 구체적으로 600이하의 분자량을 가질 수 있다. 이러한 경우, 소자 제조시에 낮은 온도에서 증착이 가능하기에 증착이 용이하며, 열적 안정성이 증가할 수 있다. 이로부터 소자의 안정성이 개선될 수 있다. The compound for an organic optoelectronic device may have a molecular weight of 700 or less. More specifically, it may have a molecular weight of 600 or less. In this case, since the deposition can be performed at a low temperature in the production of a device, deposition is easy and thermal stability can be increased. From this, the stability of the device can be improved.

구체적인 본 발명의 일 구현예의 예시로 하기 화합물 등이 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. Specific examples of the embodiment of the present invention include the following compounds. However, the present invention is not limited thereto.

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본 발명의 다른 일 구현예에서는, 서로 마주하는 양극과 음극, 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 한 층의 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 전술한 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 것인 유기광전자소자를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided an organic electroluminescent device comprising an anode and a cathode facing each other, and at least one organic layer positioned between the anode and the cathode, And a compound for an organic electroluminescent device.

상기 유기광전자소자용 화합물은 유기박막층에 사용되어 유기광전자소자의 수명 특성, 효율 특성, 전기화학적 안정성 및 열적 안정성을 향상시키며, 구동전압을 낮출 수 있다.The compound for an organic optoelectronic device is used in an organic thin film layer to improve lifetime characteristics, efficiency characteristics, electrochemical stability and thermal stability of an organic optoelectronic device, and can lower a driving voltage.

상기 유기박막층은 구체적으로, 발광층일 수 있다. The organic thin film layer may be a light emitting layer.

상기 유기광전자소자는 유기발광소자, 유기 광전 소자, 유기태양전지, 유기트랜지스터, 유기 감광체 드럼 또는 유기메모리소자일 수 있다. The organic optoelectronic device may be an organic light emitting device, an organic photoelectric device, an organic solar cell, an organic transistor, an organic photoconductor drum, or an organic memory device.

보다 구체적으로, 상기 유기광전자소자는 유기발광소자일 수 있다. 도 1 및 도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 유기발광소자의 단면도이다.More specifically, the organic optoelectronic device may be an organic light emitting device. 1 and 2 are sectional views of an organic light emitting device including a compound for an organic optoelectronic device according to an embodiment of the present invention.

도 1 또는 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자(100 및 200)는 양극(120), 음극(110) 및 이 양극과 음극 사이에 개재된 적어도 1층의 유기박막층(105)을 포함하는 구조를 갖는다.1 and 2, organic light emitting devices 100 and 200 according to an embodiment of the present invention include an anode 120, a cathode 110, and at least one organic thin film layer interposed between the anode and the cathode. (105).

상기 양극(120)은 양극 물질을 포함하며, 이 양극 물질로는 통상 유기박막층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일 함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 니켈, 백금, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금을 들 수 있고, 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물을 들 수 있고, ZnO와 Al 또는 SnO2와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합을 들 수 있고, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리(3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜)(polyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는 상기 양극으로 ITO(indium tin oxide)를 포함하는 투명전극을 사용할 수 있다.The anode 120 includes a cathode material. As the anode material, a material having a large work function is preferably used to facilitate injection of holes into the organic thin film layer. Specific examples of the positive electrode material include metals such as nickel, platinum, vanadium, chromium, copper, zinc, and gold or alloys thereof and zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide ), And combinations of metals and oxides such as ZnO and Al or SnO 2 and Sb, and poly (3-methylthiophene), poly (3,4- (ethylene- 2-dioxythiophene (PEDT), polypyrrole, and polyaniline, but the present invention is not limited thereto. Preferably, a transparent electrode including ITO (indium tin oxide) may be used as the anode.

상기 음극(110)은 음극 물질을 포함하여, 이 음극 물질로는 통상 유기박막층으로 전자주입이 용이하도록 일 함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금을 들 수 있고, LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는 상기 음극으로 알루미늄 등과 같은 금속전극을 사용할 수 있다.The cathode 110 includes a cathode material, and the anode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic thin film layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, cesium, barium and the like, , LiO 2 / Al, LiF / Ca, LiF / Al, and BaF 2 / Ca. However, the present invention is not limited thereto. Preferably, a metal electrode such as aluminum or the like may be used for the negative electrode.

먼저 도 1을 참조하면, 도 1은 유기박막층(105)으로서 발광층(130)만이 존재하는 유기발광소자(100)를 나타낸 것으로, 상기 유기박막층(105)은 발광층(130)만으로 존재할 수 있다.1 illustrates an organic light emitting device 100 in which only a light emitting layer 130 is present as an organic thin film layer 105. The organic thin film layer 105 may exist only in the light emitting layer 130. FIG.

도 2를 참조하면, 도 2는 유기박막층(105)으로서 전자수송층을 포함하는 발광층(230)과 정공수송층(140)이 존재하는 2층형 유기발광소자(200)를 나타낸 것으로, 도 2에 나타난 바와 같이, 유기박막층(105)은 발광층(230) 및 정공 수송층(140)을 포함하는 2층형일 수 있다. 이 경우 발광층(230)은 전자 수송층의 기능을 하며, 정공 수송층(140)은 ITO와 같은 투명전극과의 접합성 및 정공수송성을 향상시키는 기능을 한다. 또한, 본 발명의 일 구현예에서는 도1 또는 도2에서 유기박막층(105)으로서 추가로 전자 수송층, 전자주입층, 전공주입층 등을 더 포함한 유기발광 소자일 수도 있다. 2 illustrates a two-layer organic light emitting device 200 having a light emitting layer 230 including an electron transporting layer and a hole transporting layer 140 as an organic thin film layer 105. As shown in FIG. 2, Similarly, the organic thin film layer 105 may be of a two-layer type including a light emitting layer 230 and a hole transporting layer 140. In this case, the light emitting layer 230 functions as an electron transporting layer, and the hole transporting layer 140 functions to improve the bonding property with a transparent electrode such as ITO and the hole transporting property. In one embodiment of the present invention, the organic thin film layer 105 may further include an electron transport layer, an electron injection layer, a hole injection layer, and the like, as shown in FIG. 1 or FIG.

상기 도 1 또는 도 2에서 상기 유기박막층(105)을 이루는 발광층(130, 230), 정공 수송층(140) 또는 도시하지는 않았지만 포함될 수 있는 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 주입층 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나는 상기 유기광전자소자용 화합물을 포함한다. The light emitting layers 130 and 230, the hole transporting layer 140, or the electron transporting layer, the electron injecting layer, the hole injecting layer, and a combination of the electron transporting layer, the electron injecting layer, and the hole injecting layer, which are not shown in FIG. 1 or 2, Any one selected from the group includes the compound for the organic optoelectronic device.

특히 상기 유기광전자소자용 화합물은 상기 발광층(130, 230)에 사용될 수 있고, 이때 발광층 내에서 녹색(green)의 인광 도펀트 재료로 사용될 수 있다. In particular, the compound for the organic optoelectronic device can be used for the light emitting layers 130 and 230, and can be used as a green phosphorescent dopant material in the light emitting layer.

상기에서 설명한 유기발광소자는, 기판에 양극을 형성한 후, 진공증착법(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성막법; 또는 스핀코팅(spin coating), 침지법(dipping), 유동코팅법(flow coating)과 같은 습식성막법 등으로 유기박막층을 형성한 후, 그 위에 음극을 형성하여 제조할 수 있다.The organic light emitting device described above may be formed by a dry film forming method such as evaporation, sputtering, plasma plating, and ion plating after an anode is formed on a substrate; Or a wet film formation method such as spin coating, dipping or flow coating, and then forming a cathode on the organic thin film layer.

본 발명의 또 다른 일 구현예에서는, 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치를 제공한다.
In another embodiment of the present invention, there is provided a display device including the organic light emitting element.

이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described. However, the embodiments described below are only intended to illustrate or explain the present invention, and thus the present invention should not be limited thereto.

(유기광전자소자용 화합물의 제조)(Preparation of compound for organic optoelectronic device)

합성예Synthetic example 1:중간체 I-1의 제조 1: Preparation of intermediate I-1

Figure pat00034
Figure pat00034

질소 환경에서 1-브로모-4-클로로벤젠(53.7 g, 280.7 mmol)을 테트라히드로퓨란(THF) 0.5 L에 녹인 후, 여기에 2-벤조퓨라닐 보로닉 에시드(50.0 g, 308.7 mmol)와 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(16.2 g, 14.0 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘 카보네이트(82.7 g, 561.4 mmol)를 넣고 100 ℃에서 47시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 디클로로메탄(DCM)으로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피(flash column chromatography)로 분리 정제하여 화합물 I-1(50.8 g, 79 %)을 얻었다. After dissolving 1-bromo-4-chlorobenzene (53.7 g, 280.7 mmol) in 0.5 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere, 2-benzofuranylboronic acid (50.0 g, 308.7 mmol) Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (16.2 g, 14.0 mmol) was added and stirred. Saturated potassium carbonate (82.7 g, 561.4 mmol) in water was added and the mixture was refluxed by heating at 100 占 폚 for 47 hours. After the completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM). The extract was dried over anhydrous MgSO 4 , filtered, and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound I-1 (50.8 g, 79%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C14H9ClO: 228.0342, found: 228.HRMS (70 eV, EI +): m / z calcd for C14H9ClO: 228.0342, found: 228.

Elemental Analysis: C, 74 %; H, 4 %Elemental Analysis: C, 74%; H, 4%

합성예Synthetic example 2:중간체 I-2의 제조 2: Preparation of intermediate I-2

Figure pat00035
Figure pat00035

질소 환경에서 1-브로모-4-클로로벤젠(48.9 g, 255.3 mmol)을 THF 0.5 L에 녹인 후, 여기에 벤조티오펜-2-일-보로닉 에시드(50.0 g, 280.9 mmol)와 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(8.85 g, 7.66 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘 카보네이트(75.2 g, 510.6 mmol)를 넣고 80 ℃에서 17시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 DCM로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 I-2(61.3 g, 98 %)을 얻었다.Bromo-4-chlorobenzene (48.9 g, 255.3 mmol) was dissolved in 0.5 L of THF in a nitrogen atmosphere. Thereto was added benzothiophen-2-yl-boronic acid (50.0 g, 280.9 mmol) (Triphenylphosphine) palladium (8.85 g, 7.66 mmol) was added thereto and stirred. Saturated potassium carbonate (75.2 g, 510.6 mmol) in water was added and the mixture was refluxed by heating at 80 占 폚 for 17 hours. After the completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with DCM, and then dried over anhydrous MgSO 4. The extract was filtered and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound I-2 (61.3 g, 98%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C14H9ClS: 224.0113, found: 224.HRMS (70 eV, EI +): m / z calcd for C14H9ClS: 224.0113, found: 224.

Elemental Analysis: C, 69 %; H, 4 %Elemental Analysis: C, 69%; H, 4%

합성예Synthetic example 3:중간체 I-3의 제조 3: Preparation of intermediate I-3

Figure pat00036
Figure pat00036

질소 환경에서 1-브로모-4-니트로벤젠(50 g, 247.5 mmol)을 THF 0.5 L에 녹인 후, 여기에 9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일-보로닉 에시드(70.7 g, 297.0 mmol)와 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(8.58 g, 7.43 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘 카보네이트(72.9 g, 495.0 mmol)를 넣고 80 ℃에서 21시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 DCM로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 I-3(78.1 g, 82 %)을 얻었다.1-Bromo-4-nitrobenzene (50 g, 247.5 mmol) was dissolved in 0.5 L of THF in a nitrogen atmosphere, and thereto was added 9,9-dimethyl-9H- , 297.0 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium (8.58 g, 7.43 mmol) were added and stirred. Saturated potassium carbonate (72.9 g, 495.0 mmol) in water was added and the mixture was refluxed by heating at 80 占 폚 for 21 hours. After the completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with DCM, and then dried over anhydrous MgSO 4. The extract was filtered and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound I-3 (78.1 g, 82%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C21H17NO2: 315.1259, found: 315.HRMS (70 eV, EI +): m / z calcd for C21H17NO2: 315.1259, found: 315.

Elemental Analysis: C, 80 %; H, 5 %Elemental Analysis: C, 80%; H, 5%

합성예Synthetic example 4:중간체 I-4의 제조 4: Preparation of intermediate I-4

Figure pat00037
Figure pat00037

질소 환경에서 I-3(30 g, 95.1 mmol)을 THF 0.3 L에 녹인 후, 메탄올 0.3 L를 넣고 0℃로 냉각하였다. 여기에 소듐 보로 하이드라이드(36.0 g, 951 mmol)를 넣은 후, 틴(Ⅱ) 클로라이드(90.2 g, 475.5 mmol)을 넣고 상온에서 2시간 반응시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 에틸아세테이트(EA)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 I-4(14.9 g, 55 %)를 얻었다.I-3 (30 g, 95.1 mmol) was dissolved in 0.3 L of THF in a nitrogen atmosphere, followed by the addition of 0.3 L of methanol and cooling to 0 ° C. Sodium borohydride (36.0 g, 951 mmol) was added thereto, and tin (II) chloride (90.2 g, 475.5 mmol) was added thereto, followed by reaction at room temperature for 2 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with ethyl acetate (EA). The extract was dried over anhydrous MgSO 4 , filtered, and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain I-4 (14.9 g, 55%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C21H19N: 285.1517, found: 285.HRMS (70 eV, EI +): m / z calcd for C21H19N: 285.1517, found: 285.

Elemental Analysis: C, 88 %; H, 7 %Elemental Analysis: C, 88%; H, 7%

합성예Synthetic example 5:중간체 I-5의 제조 5: Preparation of intermediate I-5

Figure pat00038
Figure pat00038

질소 환경에서 1-브로모-4-니트로벤젠(50 g, 247.5 mmol)을 THF 0.6 L에 녹인 후, 여기에 디펜조퓨란-4-일-보로닉 에시드(63.0 g, 297.0 mmol)와 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(8.58 g, 7.43 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘 카보네이트(72.9 g, 495.0 mmol)를 넣고 80 ℃에서 24시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 DCM로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 I-5(53.7 g, 75 %)을 얻었다.After dissolving 1-bromo-4-nitrobenzene (50 g, 247.5 mmol) in 0.6 L of THF in a nitrogen atmosphere, diphenofuran-4-yl-boronic acid (63.0 g, 297.0 mmol) and tetrakis (Triphenylphosphine) palladium (8.58 g, 7.43 mmol) were added and stirred. Saturated potassium carbonate (72.9 g, 495.0 mmol) in water was added, and the mixture was heated at 80 占 폚 for 24 hours to reflux. After the completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with DCM, and then dried over anhydrous MgSO 4. The extract was filtered and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound I-5 (53.7 g, 75%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C18H11NO3: 289.0739, found: 289.HRMS (70 eV, EI +): m / z Calcd for C18 H11 NO3: 289.0739, found: 289.

Elemental Analysis: C, 75 %; H, 4 %Elemental Analysis: C, 75%; H, 4%

합성예Synthetic example 6:중간체 I-6의 제조 6: Preparation of intermediate I-6

Figure pat00039
Figure pat00039

질소 환경에서 I-5(30 g, 103.7 mmol)을 THF 0.3 L에 녹인 후, 메탄올 0.3 L를 넣고 0℃로 냉각하였다. 여기에 소듐 보로하이드라이드(39.2 g, 1,037 mmol)를 넣은 후, 틴(Ⅱ) 클로라이드(98.3 g, 518.5 mmol)을 넣고 상온에서 3시간 반응시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 EA로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 I-6(14.0 g, 52 %)를 얻었다.I-5 (30 g, 103.7 mmol) was dissolved in 0.3 L of THF in a nitrogen atmosphere, and then 0.3 L of methanol was added thereto, followed by cooling to 0 占 폚. Sodium borohydride (39.2 g, 1,037 mmol) was added thereto, and tin (II) chloride (98.3 g, 518.5 mmol) was added thereto and reacted at room temperature for 3 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with EA. The extract was dried over anhydrous MgSO 4 , filtered, and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain I-6 (14.0 g, 52%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C18H13NO: 259.0997, found: 259.HRMS (70 eV, EI +): m / z Calcd for C18 H13 NO: 259.0997, found: 259.

Elemental Analysis: C, 83 %; H, 5 %Elemental Analysis: C, 83%; H, 5%

합성예Synthetic example 7:중간체 I-7의 제조 7: Preparation of Intermediate I-7

Figure pat00040
Figure pat00040

질소 환경에서 카바졸(50 g, 299.0 mmol)을 톨루엔 0.5 L에 녹인 후, 여기에 1-브르모-4-니트로벤젠(60.4 g, 299.0 mmol), 트리스(디페닐리덴아세톤)디팔라듐(tris(diphenylideneacetone)dipalladium)(o)(8.24 g, 8.97 mmol), 트리스-터트 부틸포스핀(tris-tert butylphosphine)(7.26 g, 35.9 mmol) 그리고 소듐 터트-부톡사이드(sodium tert-butoxide)(34.5 g, 358.8 mmol)을 순차적으로 넣고 130 ℃에서 46시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 DCM로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 I-7(74.1 g, 86 %)을 얻었다.Carbazole (50 g, 299.0 mmol) was dissolved in 0.5 L of toluene in a nitrogen atmosphere and then 1-bromo-4-nitrobenzene (60.4 g, 299.0 mmol) and tris (diphenyldiacetone) dipalladium (8.26 g, 8.97 mmol), tris-tert butylphosphine (7.26 g, 35.9 mmol) and sodium tert-butoxide (34.5 g, , 358.8 mmol) were successively added thereto, followed by heating at 130 ° C for 46 hours to reflux. After the completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with DCM, and then dried over anhydrous MgSO 4. The extract was filtered and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound I-7 (74.1 g, 86%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C18H12N2O2: 288.0899, found: 288.HRMS (70 eV, EI +): m / z Calcd for C18H12N2O2: 288.0899, found: 288.

Elemental Analysis: C, 75 %; H, 4 %Elemental Analysis: C, 75%; H, 4%

합성예Synthetic example 8:중간체 I-8의 제조 8: Preparation of intermediate I-8

Figure pat00041
Figure pat00041

질소 환경에서 I-7(30 g, 104.1 mmol)을 THF 0.3 L에 녹인 후, 메탄올 0.3 L를 넣고 0℃로 냉각하였다. 여기에 소듐 보로하이드라이드(39.4 g, 1,041 mmol)를 넣은 후, 틴(Ⅱ) 클로라이드(98.7 g, 520.5 mmol)을 넣고 상온에서 3시간 반응시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 EA로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 I-6(11.6 g, 43 %)를 얻었다.I-7 (30 g, 104.1 mmol) was dissolved in 0.3 L of THF in a nitrogen atmosphere, and then 0.3 L of methanol was added thereto, followed by cooling to 0 占 폚. Sodium borohydride (39.4 g, 1,041 mmol) was added thereto, and tin (II) chloride (98.7 g, 520.5 mmol) was added thereto and reacted at room temperature for 3 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with EA. The extract was dried over anhydrous MgSO 4 , filtered, and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain I-6 (11.6 g, 43%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C18H14N2: 258.1157, found: 258.HRMS (70 eV, EI +): m / z Calcd for C18 H14 N2: 258.1157, found: 258.

Elemental Analysis: C, 84 %; H, 5 %
Elemental Analysis: C, 84%; H, 5%

실시예Example 1: 화합물 2의 제조 1: Preparation of compound 2

Figure pat00042
Figure pat00042

질소 환경에서 9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-아민(15.5 g, 74.1 mmol)을 톨루엔 0.35 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-1(50.8 g, 222.2 mmol), 트리스(디페닐리덴아세톤)디팔라듐(o)(2.0 g, 2.22 mmol), 트리스-터트 부틸포스핀(1.80 g, 4.23 mmol) 그리고 소듐 터트-부톡사이드(15.7 g, 162.9 mmol)을 순차적으로 넣고 100 ℃에서 3일 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 DCM로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1(37.4 g, 85 %)을 얻었다.Dimethyl-9H-fluorene-2-amine (15.5 g, 74.1 mmol) was dissolved in 0.35 L of toluene under a nitrogen atmosphere. To this solution, 50.8 g (222.2 mmol) of Intermediate I- (2.0 g, 2.22 mmol), tris (tert-butylphosphine) (1.80 g, 4.23 mmol) and sodium tert-butoxide (15.7 g, 162.9 mmol) Lt; / RTI > for one day. After the completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with DCM, and then dried over anhydrous MgSO 4. The extract was filtered and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 1 (37.4 g, 85%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C43H31NO2: 593.2355, found: 593.HRMS (70 eV, EI +): m / z calcd for C43H31NO2: 593.2355, found: 593.

Elemental Analysis: C, 87 %; H, 5 %
Elemental Analysis: C, 87%; H, 5%

실시예Example 2: 화합물 3의 제조 2: Preparation of compound 3

Figure pat00043
Figure pat00043

질소 환경에서 9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-아민(19.4 g, 92.9 mmol)을 톨루엔 0.35 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-2(50 g, 204.3 mmol), 트리스(디페닐리덴아세톤)디팔라듐(o)(2.55 g, 2.79 mmol), 트리스-터트 부틸포스핀(2.26 g, 11.1 mmol) 그리고 소듐 터트-부톡사이드(19.6 g, 204.4 mmol)을 순차적으로 넣고 100 ℃에서 25시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 DCM로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 3(54.0 g, 93 %)을 얻었다.(19.4 g, 92.9 mmol) was dissolved in 0.35 L of toluene, and thereto was added an intermediate I-2 (50 g, 204.3 mmol), tris (diphenyl (2.56 g, 2.79 mmol), tris (tert-butylphosphine) (2.26 g, 11.1 mmol) and sodium tert-butoxide (19.6 g, 204.4 mmol) Lt; / RTI > for one hour. After the completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with DCM, and then dried over anhydrous MgSO 4. The extract was filtered and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 3 (54.0 g, 93%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C43H31NS2: 625.1898, found: 625.HRMS (70 eV, EI +): m / z calcd for C43H31NS2: 625.1898, found: 625.

Elemental Analysis: C, 83 %; H, 5 %
Elemental Analysis: C, 83%; H, 5%

실시예Example 3: 화합물 4의 제조 3: Preparation of compound 4

Figure pat00044
Figure pat00044

질소 환경에서 중간체 1-4(10 g, 35.0 mmol)을 톨루엔 0.15 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-2(18.9 g, 77.1 mmol), 트리스(디페닐리덴아세톤)디팔라듐(o)(0.96 g, 1.05 mmol), 트리스-터트 부틸포스핀(0.85 g, 4.2 mmol) 그리고 소듐 터트-부톡사이드(7.41 g, 77.1 mmol)을 순차적으로 넣고 100 ℃에서 22시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 DCM로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 5(20.9 g, 85 %)을 얻었다.Intermediate 1-4 (10 g, 35.0 mmol) was dissolved in 0.15 L of toluene in a nitrogen atmosphere, and then intermediate I-2 (18.9 g, 77.1 mmol), tris (diphenylidenacetone) dipalladium g, 1.05 mmol), tris-tert-butylphosphine (0.85 g, 4.2 mmol) and sodium tert-butoxide (7.41 g, 77.1 mmol) were successively added and refluxed by heating at 100 ° C for 22 hours. After the completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with DCM, and then dried over anhydrous MgSO 4. The extract was filtered and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 5 (20.9 g, 85%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C49H35NS2: 701.2211, found: 701.HRMS (70 eV, EI +): m / z calcd for C49H35NS2: 701.2211, found: 701.

Elemental Analysis: C, 84 %; H, 5 %
Elemental Analysis: C, 84%; H, 5%

실시예Example 4: 화합물 110의 제조 4: Preparation of compound 110

Figure pat00045
Figure pat00045

질소 환경에서 N-(비페닐-4-일)-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-아민(10 g, 27.7 mmol)을 톨루엔 0.1 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-1(13.9 g, 60.9 mmol), 트리스(디페닐리덴아세톤)디팔라듐(o)(0.76 g, 0.83 mmol), 트리스-터트 부틸포스핀(0.67 g, 3.32 mmol) 그리고 소듐 터트-부톡사이드(5.85 g, 60.9 mmol)을 순차적으로 넣고 100 ℃에서 13시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 DCM로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 110(13.9 g, 91 %)을 얻었다.(Biphenyl-4-yl) -9,9-dimethyl-9H-fluorene-2-amine (10 g, 27.7 mmol) was dissolved in 0.1 L of toluene in a nitrogen atmosphere, (0.76 g, 0.83 mmol), tris (tert-butylphosphine) (0.67 g, 3.32 mmol) and sodium tert-butoxide (5.85 g, 60.9 mmol) were successively added thereto, and the mixture was refluxed by heating at 100 ° C for 13 hours. After the completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with DCM, and then dried over anhydrous MgSO 4. The extract was filtered and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 110 (13.9 g, 91%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C41H31NO: 553.2406, found: 553.HRMS (70 eV, EI +): m / z calcd for C41 H31 NO: 553.2406, found: 553.

Elemental Analysis: C, 89 %; H, 6 %
Elemental Analysis: C, 89%; H, 6%

실시예Example 5: 화합물 129의 제조 5: Preparation of compound 129

Figure pat00046
Figure pat00046

질소 환경에서 4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)아닐린(10 g, 29.9 mmol)을 톨루엔 0.1 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-2(16.1 g, 65.8 mmol), 트리스(디페닐리덴아세톤)디팔라듐(o)(0.82 g, 0.90 mmol), 트리스-터트 부틸포스핀(0.73 g, 3.59 mmol) 그리고 소듐 터트-부톡사이드(6.32 g, 65.8 mmol)을 순차적으로 넣고 100 ℃에서 17시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 DCM로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 129(19.8 g, 88 %)을 얻었다.(10.1 g, 29.9 mmol) was dissolved in 0.1 L of toluene, and thereto was added an intermediate I-2 (16.1 g, 65.8 mmol), tris (0.82 g, 0.90 mmol), tris (tert-butylphosphine) (0.73 g, 3.59 mmol) and sodium tert-butoxide (6.32 g, 65.8 mmol) RTI ID = 0.0 > C < / RTI > for 17 hours. After the completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with DCM, and then dried over anhydrous MgSO 4. The extract was filtered and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 129 (19.8 g, 88%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C52H34N2S2: 750.2163, found: 750.HRMS (70 eV, EI +): m / z calcd for C52 H34 N2 S2: 750.2163, found: 750.

Elemental Analysis: C, 83 %; H, 5 %
Elemental Analysis: C, 83%; H, 5%

실시예Example 6: 화합물 141의 제조 6: Preparation of compound 141

Figure pat00047
Figure pat00047

질소 환경에서 페난트렌-2-아민(10 g, 51.7 mmol)을 톨루엔 0.15 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-2(27.9 g, 113.8 mmol), 트리스(디페닐리덴아세톤)디팔라듐(o)(1.42 g, 1.55 mmol), 트리스-터트 부틸포스핀(1.26 g, 6.2 mmol) 그리고 소듐 터트-부톡사이드(10.9 g, 113.8 mmol)을 순차적으로 넣고 100 ℃에서 23시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 DCM로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 141(30.9 g, 98 %)을 얻었다.(27.9 g, 113.8 mmol) and tris (diphenylidenacetone) dipalladium (o) were dissolved in 0.15 L of toluene in a nitrogen atmosphere, and phenanthrene-2-amine (1.42 g, 1.55 mmol), tris-tert-butylphosphine (1.26 g, 6.2 mmol) and sodium tert-butoxide (10.9 g, 113.8 mmol) were successively added and refluxed by heating at 100 ° C for 23 hours. After the completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with DCM, and then dried over anhydrous MgSO 4. The extract was filtered and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 141 (30.9 g, 98%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C42H27NS2: 609.1585, found: 609.HRMS (70 eV, EI +): m / z calcd for C42H27NS2: 609.1585, found: 609.

Elemental Analysis: C, 83 %; H, 4 %
Elemental Analysis: C, 83%; H, 4%

실시예Example 7: 화합물 150의 제조 7: Preparation of Compound 150

Figure pat00048
Figure pat00048

질소 환경에서 트리페닐렌-2-아민 (10 g, 41.1 mmol)을 톨루엔 0.16 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-2(22.1 g, 90.4 mmol), 트리스(디페닐리덴아세톤)디팔라듐(o)(1.13 g, 1.23 mmol), 트리스-터트 부틸포스핀(1.0 g, 4.93 mmol) 그리고 소듐 터트-부톡사이드(8.69 g, 90.4 mmol)을 순차적으로 넣고 100 ℃에서 21시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 DCM로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 150(25.2 g, 93 %)을 얻었다.(10 g, 41.1 mmol) was dissolved in 0.16 L of toluene in a nitrogen atmosphere followed by the addition of intermediate I-2 (22.1 g, 90.4 mmol), tris (diphenylidenacetone) dipalladium ) (1.13 g, 1.23 mmol), tris-tert-butylphosphine (1.0 g, 4.93 mmol) and sodium tert-butoxide (8.69 g, 90.4 mmol) were successively added thereto and the mixture was refluxed by heating at 100 ° C for 21 hours. After the completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with DCM, and then dried over anhydrous MgSO 4. The extract was filtered and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 150 (25.2 g, 93%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C46H29NS2: 659.1742, found: 659.HRMS (70 eV, EI +): m / z Calcd for C46H29NS2: 659.1742, found: 659.

Elemental Analysis: C, 84 %; H, 4 %
Elemental Analysis: C, 84%; H, 4%

실시예Example 8: 화합물 153의 제조 8: Preparation of compound 153

Figure pat00049
Figure pat00049

질소 환경에서 비페닐-4-아민(10 g, 59.1 mmol)을 톨루엔 0.16 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-2(31.8 g, 130.0 mmol), 트리스(디페닐리덴아세톤)디팔라듐(o)(1.62 g, 1.77 mmol), 트리스-터트 부틸포스핀(1.43 g, 7.09 mmol) 그리고 소듐 터트-부톡사이드(12.5 g, 130.0 mmol)을 순차적으로 넣고 100 ℃에서 14시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 DCM로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 153(33.2 g, 96 %)을 얻었다.Biphenyl-4-amine (10 g, 59.1 mmol) was dissolved in 0.16 L of toluene in a nitrogen atmosphere, and then intermediate I-2 (31.8 g, 130.0 mmol) and tris (diphenylidenacetone) dipalladium (1.62 g, 1.77 mmol), tris-tert-butylphosphine (1.43 g, 7.09 mmol) and sodium tert-butoxide (12.5 g, 130.0 mmol) were successively added and refluxed by heating at 100 ° C for 14 hours. After the completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with DCM, and then dried over anhydrous MgSO 4. The extract was filtered and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain 153 (33.2 g, 96%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C40H27NS2: 585.1585, found: 585.HRMS (70 eV, EI +): m / z calcd for C40H27NS2: 585.1585, found: 585.

Elemental Analysis: C, 82 %; H, 5 %
Elemental Analysis: C, 82%; H, 5%

실시예Example 9: 화합물 159의 제조 9: Preparation of compound 159

Figure pat00050
Figure pat00050

질소 환경에서 중간체 I-6(10 g, 38.6 mmol)을 톨루엔 0.15 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-2(20.8 g, 84.8 mmol), 트리스(디페닐리덴아세톤)디팔라듐(o)(1.06 g, 1.16 mmol), 트리스-터트 부틸포스핀(0.94 g, 4.63 mmol) 그리고 소듐 터트-부톡사이드(8.15 g, 84.8 mmol)을 순차적으로 넣고 100 ℃에서 16시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 DCM로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래쉬 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 159(22.2 g, 96 %)을 얻었다.Intermediate I-2 (20.8 g, 84.8 mmol) and tris (diphenylidenacetone) dipalladium (o) (1.06 g) were dissolved in 0.15 L of toluene in a nitrogen atmosphere, g, 1.16 mmol), tris-tert-butylphosphine (0.94 g, 4.63 mmol) and sodium tert-butoxide (8.15 g, 84.8 mmol) were successively added thereto and the mixture was refluxed by heating at 100 ° C for 16 hours. After the completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with DCM, and then dried over anhydrous MgSO 4. The extract was filtered and concentrated under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 159 (22.2 g, 96%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C46H29NOS2: 675.1691, found: 675.HRMS (70 eV, EI +): m / z calcd for C46H29NOS2: 675.1691, found: 675.

Elemental Analysis: C, 82 %; H, 4 %
Elemental Analysis: C, 82%; H, 4%

실시예Example 10: 화합물 171의 제조 10: Preparation of compound 171

Figure pat00051
Figure pat00051

질소 환경에서 중간체 I-8(10 g, 38.7 mmol)을 toluene 0.16 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-2(20.8 g, 85.2 mmol), tris(diphenylideneacetone)dipalladium(o)(1.06 g, 1.16 mmol), tris-tert butylphosphine(0.94 g, 4.64 mmol) 그리고 sodium tert-butoxide(8.19 g, 85.2 mmol)을 순차적으로 넣고 100 ℃에서 18시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 171(23.5 g, 90 %)을 얻었다.Intermediate I-2 (20.8 g, 85.2 mmol) and tris (diphenylideneacetone) dipalladium (o) (1.06 g, 1.16 mmol) were dissolved in 0.16 L of toluene in a nitrogen atmosphere. ), tris-tert butylphosphine (0.94 g, 4.64 mmol) and sodium tert-butoxide (8.19 g, 85.2 mmol) were successively added thereto, followed by heating at 100 ° C for 18 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 171 (23.5 g, 90%).

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C46H30N2S2: 674.1850, found: 674.HRMS (70 eV, EI +): m / z calcd for C46H30N2S2: 674.1850, found: 674.

Elemental Analysis: C, 82 %; H, 4 %
Elemental Analysis: C, 82%; H, 4%

(유기발광소자의 제조)(Production of organic light emitting device)

실시예Example 11: 유기발광소자의 제조 ( 11: Fabrication of organic light emitting device 블루blue 공통층Common layer ))

ITO(Indium tinoxide)가 1500 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시칸 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정 한 후 진공 증착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극을 양극으로 사용하여 ITO 기판 상부에 4'-비스[N-[4-{N,N-비스(3-메틸페닐)아미노}-페닐]-N-페닐아미노]비페닐(4,4'-bis[N-[4-{N,N-bis(3-methylphenyl)amino}-phenyl]-N-phenylamino]biphenyl: DNTPD)를 진공 증착하여 600 Å 두께의 정공 주입층을 형성하였다. 이어서 실시예 1에서 제조된 화합물 2를 사용하여 진공 증착으로 300 Å 두께의 정공 수송층을 형성하였다. 상기 정공 수송층 상부에 9,10-디-(2-나프틸)안트라센(9,10-di-(2-naphthyl)anthracene: AND)을 호스트로 사용하고 도판트로 2,5,8,11-테트라(터트-부틸)페릴렌(2,5,8,11-tetra(tert-butyl)perylene: TBPe)를 3중량 %로 도핑하여 진공 증착으로 250 Å 두께의 발광층을 형성하였다. 그 후 상기 발광층 상부에 Alq3를 진공 증착하여 250 Å 두께의 전자 수송층을 형성하였다. 상기 전자 수송층 상부에 LiF 10 Å과 Al 1000 Å을 순차적으로 진공 증착하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제조하였다.Glass substrate coated with ITO (Indium tin oxide) thin film with thickness of 1500 Å was cleaned with distilled water ultrasonic wave. After the distilled water was washed, the substrate was ultrasonically cleaned with a solvent such as isopropyl alcohol, acetone, and methanol, and dried. After the substrate was transferred to a plasma cleaner, the substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then the substrate was transferred to a vacuum evaporator. The prepared ITO transparent electrode was used as an anode to form a 4'-bis [N- [4- {N, N-bis (3-methylphenyl) amino} -phenyl] , 4'-bis [N- [4- {N, N-bis (3-methylphenyl) amino} -phenyl] -N-phenylamino] biphenyl: DNTPD) was vacuum deposited to form a 600 Å- . Subsequently, a 300 Å thick hole transport layer was formed by vacuum deposition using the compound 2 prepared in Example 1. (9,10-di- (2-naphthyl) anthracene (AND)) was used as a host on the hole transport layer and 2,5,8,11-tetra (Tert-butyl perylene: TBPe) was doped at 3 wt%, and a 250 Å thick light emitting layer was formed by vacuum deposition. Thereafter, Alq3 was vacuum deposited on the light emitting layer to form an electron transporting layer having a thickness of 250 ANGSTROM. LiF 10 Å and Al 1000 Å were sequentially vacuum deposited on the electron transport layer to form a cathode, thereby preparing an organic light emitting device.

상기 유기발광소자는 5층의 유기박막층을 가지는 구조로 되어 있으며, 구체적으로 Al (1000 Å) / LiF (10 Å) / Alq3 (250 Å) / EML [AND : TBPe = 97 : 3] (250 Å) / HTL (300 Å) / DNTPD (600 Å) / ITO (1500 Å)의 구조로 제작하였다. The organic light emitting device has five layers of organic thin film layers. Specifically, the organic light emitting device has a structure of Al (1000 Å) / LiF (10 Å) / Alq3 (250 Å) / EML [AND: TBPe = 97: 3] ) / HTL (300 Å) / DNTPD (600 Å) / ITO (1500 Å).

 

실시예Example 12 12

상기 실시예 11에서, 실시예 1 대신 실시예 2를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 11, except that Example 2 was used instead of Example 1.

실시예Example 13 13

상기 실시예 11에서, 실시예 1 대신 실시예 3을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 11 except that Example 3 was used instead of Example 1.

실시예Example 14 14

상기 실시예 11에서, 실시예 1 대신 실시예 4를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 11, except that Example 4 was used instead of Example 1.

실시예Example 15 15

상기 실시예 11에서, 실시예 1 대신 실시예 5를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 11, except that Example 5 was used instead of Example 1.

실시예Example 16 16

상기 실시예 11에서, 실시예 1 대신 실시예 6을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
An organic luminescent device was prepared in the same manner as in Example 11, except that Example 6 was used instead of Example 1.

실시예Example 17 17

상기 실시예 11에서, 실시예 1 대신 실시예 7을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 11, except that Example 7 was used instead of Example 1.

실시예Example 18 18

상기 실시예 11에서, 실시예 1 대신 실시예 8을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 11 except that Example 8 was used instead of Example 1.

실시예Example 19 19

상기 실시예 11에서, 실시예 1 대신 실시예 9를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 11, except that Example 9 was used instead of Example 1.

실시예Example 20 20

상기 실시예 11에서, 실시예 1 대신 실시예 10을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 11, except that Example 10 was used instead of Example 1.

비교예Comparative Example 1 One

상기 실시예 11에서, 실시예 1 대신 NPB를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 상기 NPB의 구조는 하기에 기재되어 있다.
In Example 11, an organic light emitting device was manufactured in the same manner except that NPB was used instead of Example 1. The structure of the NPB is described below.

비교예Comparative Example 2 2

상기 실시예 11에서, 실시예 1 대신 HT1를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 상기 HT1의 구조는 하기에 기재되어 있다.
In Example 11, an organic light emitting device was manufactured in the same manner except that HT1 was used instead of Example 1. [ The structure of HT1 is described below.

비교예Comparative Example 3 3

상기 실시예 11에서, 실시예 1 대신 HT2를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 상기 HT2의 구조는 하기에 기재되어 있다
In Example 11, an organic light emitting device was manufactured in the same manner except that HT2 was used instead of Example 1. The structure of HT2 is described below

상기 유기발광소자 제작에 사용된 DNTPD, AND, TBPe, NPB, HT1 및 HT2의 구조는 하기와 같다.The structures of DNTPD, AND, TBPe, NPB, HT1 and HT2 used in the production of the organic light emitting device are as follows.

Figure pat00052

Figure pat00052

(유기발광소자의 성능 측정)(Performance Measurement of Organic Light Emitting Device)

상기 실시예 11 내지 20과 비교예 1 내지 3에서 제조된 각각의 유기발광소자에 대하여 전압에 따른 전류밀도 변화, 휘도변화 및 발광효율을 측정하였다. 구체적인 측정방법은 하기과 같고, 그 결과는 하기 표 1에 나타내었다
For each of the organic light emitting devices manufactured in Examples 11 to 20 and Comparative Examples 1 to 3, the current density change, the luminance change and the luminous efficiency were measured according to the voltage. Specific measurement methods are as follows, and the results are shown in Table 1 below

(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정(1) Measurement of change in current density with voltage change

제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V 까지 상승시키면서 전류-전압계(Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
For the organic light emitting device manufactured, the current flowing through the unit device was measured using a current-voltage meter (Keithley 2400) while raising the voltage from 0 V to 10 V, and the measured current value was divided by the area to obtain the result.

(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정(2) Measurement of luminance change according to voltage change

제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V 까지 상승시키면서 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
For the organic light-emitting device manufactured, luminance was measured using a luminance meter (Minolta Cs-1000A) while increasing the voltage from 0 V to 10 V, and the result was obtained.

(3) 발광효율 측정(3) Measurement of luminous efficiency

상기(1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도(10 mA/cm2)의 전류 효율(cd/A) 을 계산하였다.The current efficiency (cd / A) at the same current density (10 mA / cm 2 ) was calculated using the luminance, current density and voltage measured from the above (1) and (2).

소자device 정공 수송층에 사용한 화합물Compound used in hole transport layer 전압 (V)Voltage (V) 색 (EL color)Color (EL color) 효율 (cd/A)Efficiency (cd / A) 반감 수명 (h)
At 1000 cd/m2
Half life (h)
At 1000 cd / m 2
실시예 11Example 11 22 5.05.0 BlueBlue 6.46.4 1,3401,340 실시예 12Example 12 33 5.25.2 BlueBlue 6.76.7 900900 실시예 13Example 13 44 6.26.2 BlueBlue 6.06.0 1,6001,600 실시예 14Example 14 110110 6.56.5 BlueBlue 6.16.1 1,5001,500 실시예 15Example 15 129129 5.55.5 BlueBlue 6.56.5 1,2001,200 실시예 16Example 16 150150 6.76.7 BlueBlue 6.06.0 1,4501,450 실시예 17Example 17 141141 6.56.5 BlueBlue 6.26.2 1,4001,400 실시예 18Example 18 153153 6.56.5 BlueBlue 5.55.5 1,8001,800 실시예 19Example 19 159159 4.84.8 BlueBlue 6.66.6 1,5001,500 실시예 20Example 20 171171 6.56.5 BlueBlue 5.75.7 1,5001,500 비교예 1Comparative Example 1 NPBNPB 7.17.1 BlueBlue 4.94.9 1,2501,250 비교예 2Comparative Example 2 HT1HT1 6.66.6 BlueBlue 5.75.7 1,3401,340 비교예 3Comparative Example 3 HT2HT2 6.56.5 BlueBlue 6.06.0 1,3001,300

상기 표 1의 결과에 따르면 플루오렌 치환기가 포함된 실시예 11 내지 14의 경우 효율이 비교예 1 내지 2와 비교했을 때 효율이 크게 상승됨을 알 수 있다. 비교예 3의 경우 플루오렌 치환기를 가지고 있어서 비교예 중에서 효율이 가장 높을걸로 보아 플루오렌 치환기가 효율을 크게 상승함을 알 수 있다. 실시예 11 내지 20의 경우 전체적으로 비교예 1 내지 3과 비교했을 때 구동전압이 낮아짐을 알 수 있다. 이를 통해 인데노 치환기가 구동전압을 낮춘다는 것을 유추할 수 있다. 그리고 가장 간단한 구조가 사용된 실시예 18의 경우 반감수명이 가장 높을 걸로 보아 간단한 구조가 소자수명에 어느정도 기여함을 알 수 있다. 이를 바탕으로 우수한 정공 주입 및 정공 전달 능력을 가지는 저전압, 고효율, 고휘도, 장수명의 유기발광소자를 제작할 수 있었다.
According to the results shown in Table 1, the efficiencies of Examples 11 to 14 in which fluorine substituent groups were included were significantly increased as compared with Comparative Examples 1 and 2. In the case of Comparative Example 3, since the fluorine substituent group is the most efficient among the comparative examples, it can be seen that the efficiency of the fluorene substituent is greatly increased. It can be seen that the driving voltages of Examples 11 to 20 are lower than those of Comparative Examples 1 to 3 as a whole. It can be deduced from this that the indeno substituent lowers the driving voltage. In the case of Example 18 in which the simplest structure is used, the half life is the highest, and it can be seen that the simple structure contributes to the device lifetime to some extent. Based on this, a low voltage, high efficiency, high brightness, long life organic light emitting device having excellent hole injection and hole transporting ability could be manufactured.

본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims. As will be understood by those skilled in the art. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

100 : 유기발광소자 110 : 음극
120 : 양극 105 : 유기박막층
130 : 발광층 140 : 정공 수송층
150 : 전자수송층 160 : 전자주입층
170 : 정공주입층 230 : 발광층 + 전자수송층
100: organic light emitting device 110: cathode
120: anode 105: organic thin film layer
130: luminescent layer 140: hole transport layer
150: electron transport layer 160: electron injection layer
170: Hole injection layer 230: Emission layer + Electron transport layer

Claims (19)

하기 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물:
[화학식 1]
Figure pat00053

상기 화학식 1에서,
Ar1는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
L1 내지 L3은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
n1 내지 n3은 서로 독립적으로, 0 내지 3 중 어느 하나의 정수이고,
A는 하기 화학식 A-2이고,
B는 하기 화학식 A-2, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다:
[화학식 A-2]
Figure pat00054

상기 화학식 A-2에서,
X1은 -O- 또는 -S-이고,
R3 및 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.
A compound for an organic optoelectronic device represented by the following Formula 1:
[Chemical Formula 1]
Figure pat00053

In Formula 1,
Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof,
L 1 to L 3 independently represent a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted A C2 to C30 heteroarylene group or a combination thereof,
n1 to n3 independently represent any one of 0 to 3,
A is < RTI ID = 0.0 > A-2 &
B is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group,
[A-2]
Figure pat00054

In the above formula (A-2)
X 1 is -O- or -S-,
R 3 and R 4 independently represent hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group, a perorcenyl group, A substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy A substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, Substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino groups, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino groups, substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino groups, substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoyl An amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclothiol group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof.
제1항에 있어서,
상기 B는 하기 화학식 A-2인 것인 유기광전자소자용 화합물.
The method according to claim 1,
And B is a structural formula A-2.
제1항에 있어서,
상기 Ar1은 하기 화학식 B-1인 것인 유기광전자소자용 화합물:
[화학식 B-1]
Figure pat00055

상기 화학식 B-1에서,
R5 내지 R8은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.
The method according to claim 1,
Wherein Ar < 1 > is the following formula B-1:
[Formula B-1]
Figure pat00055

In the above formula (B-1)
R 5 to R 8 independently represent hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group, a ferrocenyl group, A substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy A substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, Substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino groups, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino groups, substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino groups, substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoyl groups, A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclothiol group , A substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof.
제1항에 있어서,
상기 Ar1은 하기 화학식 B-2인 것인 유기광전자소자용 화합물:
[화학식 B-2]
Figure pat00056

상기 화학식 B-2에서,
R5 내지 R8은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.
The method according to claim 1,
Wherein Ar < 1 > is the following formula B-2:
[Formula B-2]
Figure pat00056

In the above formula (B-2)
R 5 to R 8 independently represent hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group, a ferrocenyl group, A substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy A substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, Substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino groups, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino groups, substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino groups, substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoyl groups, A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclothiol group , A substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof.
제1항에 있어서,
상기 Ar1은 하기 화학식 B-3인 것인 유기광전자소자용 화합물:
[화학식 B-3]
Figure pat00057

상기 화학식 B-3에서,
R9 내지 R12은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.
The method according to claim 1,
Wherein Ar < 1 > is the following formula B-3:
[Formula B-3]
Figure pat00057

In the above formula (B-3)
R 9 to R 12 independently represent hydrogen, deuterium, halogen, cyano, hydroxyl, amino, substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, nitro group, A substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy A substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, Substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino groups, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino groups, substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino groups, substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfa A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclothiol group , A substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof.
제1항에 있어서,
상기 Ar1은 하기 화학식 B-4인 것인 유기광전자소자용 화합물.
[화학식 B-4]
Figure pat00058
The method according to claim 1,
And Ar < 1 > is the following formula (B-4).
[Formula B-4]
Figure pat00058
제1항에 있어서,
상기 Ar1은 하기 화학식 B-5인 것인 유기광전자소자용 화합물:
[화학식 B-5]
Figure pat00059

상기 화학식 B-5에서,
X2는 -O-, -S- 또는 NR`이고,
R13, R14, 및 R'은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.
The method according to claim 1,
Wherein Ar < 1 > is the following formula (B-5):
[Formula B-5]
Figure pat00059

In the above formula (B-5)
X 2 is -O-, -S- or NR '
R 13 , R 14 and R 'are each independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acylox A substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alcohol A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclothiol group , A substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof.
제1항에 있어서,
상기 Ar1은 하기 화학식 B-6인 것인 유기광전자소자용 화합물:
[화학식 B-6]
Figure pat00060

상기 화학식 B-6에서,
R15 및 R16은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.
The method according to claim 1,
Wherein Ar < 1 > is the following formula (B-6): < EMI ID =
[Formula B-6]
Figure pat00060

In the above formula (B-6)
R 15 and R 16 independently represent hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group, a perorcenyl group, A substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy A substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, Substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino groups, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino groups, substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino groups, substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoyl groups, An amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclothiol group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof.
제1항에 있어서,
상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 바이페닐기인 것인 유기광전자소자용 화합물.
The method according to claim 1,
And Ar < 1 > is a substituted or unsubstituted biphenyl group.
제1항에 있어서,
상기 A 및 B는 상기 화학식 A-2로 표시되는 치환기인 것인 유기광전자소자용 화합물.
The method according to claim 1,
Wherein A and B are substituents represented by the above formula (A-2).
제1항에 있어서,
상기 화학식 A-2에서, 상기 R3 및 R4는 수소인 것인 유기광전자소자용 화합물.
The method according to claim 1,
In the above formula (A-2), R 3 and R 4 are hydrogen.
제1항에 있어서,
상기 유기광전자소자용 화합물은 700 이하의 분자량을 가지는 것인 유기광전자소자용 화합물.
The method according to claim 1,
Wherein the compound for organic optoelectronic devices has a molecular weight of 700 or less.
제1항에 있어서,
상기 유기광전자소자용 화합물은 600 이하의 분자량을 가지는 것인 유기광전자소자용 화합물.
The method according to claim 1,
Wherein the compound for organic optoelectronic devices has a molecular weight of 600 or less.
제1항에 있어서,
상기 유기광전자소자는, 유기광전소자, 유기발광소자, 유기태양전지, 유기트랜지스터, 유기 감광체 드럼 및 유기메모리소자로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 유기광전자소자용 화합물.
The method according to claim 1,
Wherein the organic optoelectronic device is any one selected from the group consisting of an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic transistor, an organic photoreceptor drum, and an organic memory device.
서로 마주하는 양극과 음극, 및
상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 한 층의 유기층을 포함하고,
상기 유기층은 제1항에 따른 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 것인 유기발광소자.
An anode and a cathode facing each other, and
And at least one organic layer positioned between the anode and the cathode,
Wherein the organic layer comprises the compound for an organic optoelectronic device according to any one of claims 1 to 5. [
제15항에 있어서,
상기 유기층은 발광층, 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인 유기발광소자.
16. The method of claim 15,
Wherein the organic layer is any one selected from the group consisting of a light emitting layer, a hole transporting layer, a hole injecting layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer, a hole blocking layer, and combinations thereof.
제16항에 있어서,
상기 유기광전자소자용 화합물은 발광층 내에 포함되는 것인 유기발광소자.
17. The method of claim 16,
Wherein the compound for an organic optoelectronic device is contained in a light emitting layer.
제17항에 있어서,
상기 유기광전자소자용 화합물은 발광층 내에 인광 또는 형광 호스트 재료로서 사용되는 것인 유기발광소자.
18. The method of claim 17,
Wherein the compound for an organic optoelectronic device is used as a phosphorescent or fluorescent host material in a light emitting layer.
제15항의 유기발광소자를 포함하는 표시장치.A display device comprising the organic light-emitting device of claim 15.
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