KR101904297B1 - Compound for organic optoelectronic device, organic light emitting diode including the same and display including the organic light emitting diode - Google Patents
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Abstract
유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치에 관한 것으로, 하기 화학식 3으로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다.
[화학식 3]
The present invention relates to a compound for an organic optoelectronic device, an organic light emitting device including the same, and a display device including the organic light emitting device.
(3)
Description
유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.A compound for an organic optoelectronic device, an organic light emitting device including the same, and a display device including the organic light emitting device.
유기광전자소자(organic optoelectric device)라 함은 정공 또는 전자를 이용한 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 필요로 하는 소자를 의미한다.An organic optoelectronic device refers to a device that requires charge exchange between an electrode and an organic material using holes or electrons.
유기광전자소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exciton)이 형성되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전자소자이다.Organic optoelectronic devices can be roughly classified into two types according to the operating principle as described below. First, an exciton is formed in an organic material layer by a photon introduced into an element from an external light source. The exciton is separated into an electron and a hole, and the electrons and holes are transferred to different electrodes to be used as a current source Type electronic device.
둘째는 2 개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기물 반도체에 정공 또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자소자이다.The second type is an electronic device in which holes or electrons are injected into an organic semiconductor forming an interface with an electrode by applying a voltage or current to two or more electrodes and operated by injected electrons and holes.
유기광전자소자의 예로는 유기광전소자, 유기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체 드럼(organic photo conductor drum), 유기트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질을 필요로 한다.Examples of organic optoelectronic devices include organic optoelectronic devices, organic light-emitting devices, organic solar cells, organic photo conductor drums, and organic transistors, all of which are used for the injection or transport of holes, An injection or transport material, or a luminescent material.
특히, 유기발광소자(organic light emitting diode, OLED)는 최근 평판 디스플레이(flat panel display)의 수요가 증가함에 따라 주목받고 있다. 일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다.In particular, organic light emitting diodes (OLEDs) have been attracting attention in recent years as the demand for flat panel displays increases. In general, organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy.
이러한 유기발광소자는 유기발광재료에 전류를 가하여 전기에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서 통상 양극(anode)과 음극(cathode) 사이에 기능성 유기물 층이 삽입된 구조로 이루어져 있다. 여기서 유기물층은 유기발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.Such an organic light emitting device is a device that converts electric energy into light by applying an electric current to an organic light emitting material, and is usually composed of a structure in which a functional organic layer is interposed between an anode and a cathode. Here, in order to enhance the efficiency and stability of the organic light emitting device, the organic material layer may have a multi-layered structure composed of different materials and may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
이러한 유기발광소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공(hole)이, 음극에서는 전자(electron)가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만나 재결합(recombination)에 의해 에너지가 높은 여기자를 형성하게 된다. 이때 형성된 여기자가 다시 바닥상태(ground state)로 이동하면서 특정한 파장을 갖는 빛이 발생하게 된다.When a voltage is applied between the two electrodes in the structure of such an organic light emitting device, holes are injected into the anode and electrons are injected into the organic layer from the cathode. The injected holes and electrons meet and recombine Energy excitons are formed. At this time, the exciton formed again moves to the ground state, and light having a specific wavelength is generated.
최근에는, 형광 발광물질뿐 아니라 인광 발광물질도 유기발광소자의 발광물질로 사용될 수 있음이 알려졌으며, 이러한 인광 발광은 바닥상태에서 여기상태(excited state)로 전자가 전이한 후, 계간 전이(intersystem crossing)를 통해 단일항 여기자가 삼중항 여기자로 비발광 전이된 다음, 삼중항 여기자가 바닥상태로 전이하면서 발광하는 메카니즘으로 이루어진다.In recent years, it is known that not only a fluorescent light emitting material but also a phosphorescent emitting material can be used as a light emitting material of an organic light emitting device. Such phosphorescent emitting is a phenomenon in which electrons transition from a ground state to an excited state, cross-linking of the triplet exciton to the triplet exciton, and then the triplet exciton transitions to the ground state.
상기한 바와 같이 유기발광소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다.As described above, a material used as an organic material layer in an organic light emitting device can be classified into a light emitting material and a charge transporting material such as a hole injecting material, a hole transporting material, an electron transporting material, and an electron injecting material depending on functions.
또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.Further, the light emitting material can be classified into blue, green, and red light emitting materials and yellow and orange light emitting materials required to realize better natural color depending on the luminescent color.
한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율과 안정성을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다.On the other hand, when only one material is used as a light emitting material, there arises a problem that the maximum light emission wavelength shifts to a long wavelength due to intermolecular interaction, the color purity decreases, or the efficiency of the device decreases due to the light emission attenuating effect. A host / dopant system can be used as a light emitting material in order to increase the light emitting efficiency and stability through the light emitting layer.
유기발광소자가 전술한 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질, 발광 재료 중 호스트 및/또는 도판트 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하며, 아직까지 안정하고 효율적인 유기발광소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다. 이와 같은 재료 개발의 필요성은 전술한 다른 유기광전자소자에서도 마찬가지이다.In order for the organic luminescent device to fully exhibit the above-described excellent characteristics, a host material and / or a dopant such as a hole injecting material, a hole transporting material, a luminescent material, an electron transporting material, an electron injecting material, The organic material layer for organic light emitting devices has not been sufficiently developed yet. Therefore, development of new materials has been continuously required. The necessity of developing such a material is the same in other organic optoelectronic devices described above.
또한, 저분자 유기발광소자는 진공 증착법에 의해 박막의 형태로 소자를 제조하므로 효율 및 수명성능이 좋으며, 고분자 유기발광소자는 잉크젯(inkjet) 또는 스핀코팅(spin coating)법을 사용하여 초기 투자비가 적고 대면적화가 유리한 장점이 있다.In addition, the low-molecular organic light-emitting device has good efficiency and long life performance because it is manufactured in the form of a thin film by a vacuum deposition method. The polymer organic light-emitting device uses an inkjet or spin coating method, There is an advantage that the large area is advantageous.
저분자 유기발광소자 및 고분자 유기발광소자는 모두 자체발광, 고속응답, 광시야각, 초박형, 고화질, 내구성, 넓은 구동온도범위 등의 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이로 주목을 받고 있다. 특히 기존의 LCD(liquid crystal display)와 비교하여 자체발광형으로서 어두운 곳이나 외부의 빛이 들어와도 시안성이 좋으며, 백라이트가 필요 없어 LCD의 1/3수준으로 두께 및 무게를 줄일 수 있다.Low molecular organic light emitting devices and polymer organic light emitting devices are attracting attention as next generation displays because they have advantages such as self-emission, fast response, wide viewing angle, ultra-thin, high image quality, durability and wide driving temperature range. Compared to conventional liquid crystal displays (LCDs), it is self-luminous and has good visibility even when dark or external light enters. It can reduce thickness and weight to 1/3 of that of LCD without backlight.
또한, 응답속도가 LCD에 비해 1000배 이상 빠른 마이크로 초 단위여서 잔상이 없는 완벽한 동영상을 구현할 수 있다. 따라서, 최근 본격적인 멀티미디어 시대에 맞춰 최적의 디스플레이로 각광받을 것으로 기대되며, 이러한 장점을 바탕으로 1980년대 후반 최초 개발 이후 효율 80배, 수명 100배 이상에 이르는 급격한 기술발전을 이루어 왔고, 최근에는 40인치 유기발광소자 패널이 발표되는 등 대형화가 급속히 진행되고 있다. In addition, the response speed is 1000 times faster than that of LCD, so it is possible to realize perfect video without residual image. Therefore, it is anticipated that it will be seen as an optimal display for the full-scale multimedia age in the recent era. Based on these advantages, after the first development in the late 1980s, the efficiency has been rapidly increased to 80 times and 100 times or more. And organic light-emitting device panels have been announced, and the size of the organic light-emitting device panel is rapidly increasing.
대형화를 위해서는 발광 효율의 증대 및 소자의 수명 향상이 수반되어야 한다. 이를 위해 안정하고 효율적인 유기발광소자용 유기물층 재료의 개발이 필요하다.In order to increase the size, it is necessary to increase the luminous efficiency and the lifetime of the device. Therefore, it is necessary to develop a stable and efficient organic material layer material for an organic light emitting device.
고효율, 장수명 등의 특성을 가지는 유기광전자소자를 제공할 수 있는 유기광전자소자용 화합물을 제공하는 것이다. And which can provide an organic optoelectronic device having characteristics such as high efficiency, long life, and the like.
상기 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치를 제공하는 것이다.An organic light emitting device including the compound for an organic optoelectronic device, and a display device including the organic light emitting device.
본 발명의 일 구현예에서는, 하기 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다.In one embodiment of the present invention, there is provided a compound for an organic optoelectronic device represented by the following formula (1).
[화학식 1][Chemical Formula 1]
상기 화학식 1에서, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, L1 내지 L3은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, n1 내지 n3는 서로 독립적으로, 0 내지 3 중 어느 하나의 정수이고, X1은 -NR'-, -O-, -S- 또는 -CR'R"-이고, R1, R2, R' 및 R"는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다. In Formula 1, Ar 1 and Ar 2 are, independently of each other, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, and L 1 to L 3 independently of one another are substituted Or a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group, or a combination thereof , n1 to n3 are each independently any one of 0 to 3, X 1 is -NR'-, -O-, -S- or -CR'R "- and R 1 , R 2 , R 'And R''are each independently of the other hydrogen, deuterium, halogen, cyano, hydroxyl, amino, substituted or unsubstituted C1 to C20 amine groups, nitro, A C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C Substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy groups, substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy groups, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy groups, substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl groups , A substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, A substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclic thiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl Or a combination thereof.
상기 X1은 -NR'-일 수 있다. X 1 may be -NR'-.
상기 Ar1 및 Ar2 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 S-1 또는 S-2일 수 있다. At least one of Ar 1 and Ar 2 may be represented by the following formula (S-1) or (S-2).
[화학식 S-1] [화학식 S-2][Formula S-1] [Formula S-2]
상기 화학식 S-1 및 S-2에서, X2는 -NR'-, -O-, -S- 또는 -CR'R"-이고, X3은 -NR'-, -O- 또는 -S-이고, R5, R6, R' 및 R"는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.X 2 is -NR'-, -O-, -S- or -CR'R "-, X 3 is -NR'-, -O- or -S- and, R 5, R 6, R 'and R "are independently, hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group with each other, A substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkoxy group, A substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 A substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted acyloxy group, Or a substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, An unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclothiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof .
본 발명의 다른 일 구현예에서는, 하기 화학식 2로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다.In another embodiment of the present invention, there is provided a compound for an organic optoelectronic device represented by the following formula (2).
[화학식 2](2)
상기 화학식 2에서, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 하기 화학식 S-1 또는 S-2이며, 상기 Ar1 및 Ar2 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 S-1 또는 S-2이고, L1 내지 L3은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, n1 내지 n3는 서로 독립적으로, 0 내지 3 중 어느 하나의 정수이고, R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.Wherein Ar 1 and Ar 2 independently represent a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a group represented by the following formula: S-1 or S-2, and at least one of Ar 1 and Ar 2 is a group represented by the following formula S-1 or S-2, L 1 to L 3 independently represent a substituted or unsubstituted C 2 to C 6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6- C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof, n1 to n3 are independently 0 to 3 any integer of one another, R 1 to R 4 represent, independently of each other, hydrogen , A substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group, a ferrocenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1-C20 alkyl group, A C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, Substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl groups, substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy groups, substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino groups, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino groups, substituted Or a substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclic thiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 A group or a combination thereof.
[화학식 S-1] [화학식 S-2][Formula S-1] [Formula S-2]
상기 화학식 S-1 및 S-2에서, X2는 -NR'-, -O-, -S- 또는 -CR'R"-이고, X3은 -NR'-, -O- 또는 -S-이고, R5, R6, R' 및 R"는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.X 2 is -NR'-, -O-, -S- or -CR'R "-, X 3 is -NR'-, -O- or -S- and, R 5, R 6, R 'and R "are independently, hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group with each other, A substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkoxy group, A substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 A substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted acyloxy group, Or a substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, An unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclothiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof .
본 발명의 또 다른 일 구현예에서는, 하기 화학식 3으로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다.In another embodiment of the present invention, there is provided a compound for organic optoelectronic devices represented by the following formula (3).
[화학식 3](3)
상기 화학식 3에서, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 하기 화학식 S-1 또는 S-2이며, 상기 Ar1 및 Ar2 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 S-1 또는 S-2이고, Ar3 및 Ar4는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, L1 내지 L3은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, n1 내지 n3는 서로 독립적으로, 0 내지 3 중 어느 하나의 정수이다. In Formula 3, Ar 1 and Ar 2 are independently from each other, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, to the formula and S-1 or S-2, at least one of the Ar 1 and Ar 2 have the formula and S-1 or S-2, Ar 3 and Ar 4 are independently, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group unsubstituted one another, L 1 to L 3 are each Independently, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group, And n1 to n3 are each independently any one of 0 to 3.
[화학식 S-1] [화학식 S-2][Formula S-1] [Formula S-2]
상기 화학식 S-1 및 S-2에서, X2는 -NR'-, -O-, -S- 또는 -CR'R"-이고, X3은 -NR'-, -O- 또는 -S-이고, R5, R6, R' 및 R"는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.X 2 is -NR'-, -O-, -S- or -CR'R "-, X 3 is -NR'-, -O- or -S- and, R 5, R 6, R 'and R "are independently, hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group with each other, A substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkoxy group, A substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 A substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted acyloxy group, Or a substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, An unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclothiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof .
상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 상기 화학식 S-1일 수 있다. Ar 1 and Ar 2 may be independently of each other the above-described formula (S-1).
상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 상기 화학식 S-2일 수 있다. Ar 1 and Ar 2 may be independently of each other the above formula (S-2).
상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 하기 치환기 중 어느 하나일 수 있다.Ar 1 and Ar 2 may be any one of the following substituents independently of each other.
상기 치환기에서, X는 -O- 또는 -S-이고, Ar5 내지 Ar7은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, 또는 이들의 조합이다.In this substituent, X is -O- or -S- and Ar 5 to Ar 7 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1 C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group , A substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino , A substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, An unsubstituted C1 to C20 heterocyclythiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or a combination thereof.
상기 L1 내지 L3은 서로 독립적으로, 하기 치환기 중 어느 하나일 수 있다. The L 1 to L 3 may independently be any one of the following substituents.
상기 치환기에서, X는 -O- 또는 -S-이다. In this substituent, X is -O- or -S-.
상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 고리의 수가 복수인 융합된 고리를 가지는, 치환 또는 비치환된 C14 내지 C30 아릴기일 수 있다. Ar 1 and Ar 2 may be, independently of each other, a substituted or unsubstituted C 14 to C 30 aryl group having a fused ring having a plurality of rings.
상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기 또는 치환 또는 비치환된 페난트레닐기일 수 있다. Ar 1 and Ar 2 may be, independently of each other, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, or a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group.
상기 유기광전자소자는, 유기광전소자, 유기발광소자, 유기태양전지, 유기트랜지스터, 유기 감광체 드럼 및 유기메모리소자로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. The organic optoelectronic device may be any one selected from the group consisting of organic optoelectronic devices, organic light emitting devices, organic solar cells, organic transistors, organic photoconductor drums, and organic memory devices.
본 발명의 또 다른 일 구현예에서는, 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 개재되는 적어도 한 층 이상의 유기박막층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 상기 유기박막층 중 적어도 어느 한 층은 전술한 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 것인 유기발광소자를 제공한다.In still another embodiment of the present invention, at least one organic thin film layer interposed between an anode and a cathode and between the anode and the cathode is provided, wherein at least one of the organic thin film layers is formed of the above- And a compound for an organic optoelectronic device according to an embodiment of the present invention.
상기 유기박막층은 발광층, 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다. The organic thin film layer may be any one selected from the group consisting of a light emitting layer, a hole transporting layer, a hole injecting layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer, a hole blocking layer, and combinations thereof.
상기 유기광전자소자용 화합물은 정공주입층 또는 정공수송층 내에 포함될 수 있다. The compound for an organic optoelectronic device may be included in a hole injection layer or a hole transport layer.
본 발명의 또 다른 일 구현예에서는, 전술한 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자를 포함하는 표시장치를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a display device including the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
상기 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 유기광전자소자는 우수한 전기화학적 및 열적 안정성을 가지고 수명 특성이 우수하며, 낮은 구동전압에서도 높은 발광효율을 가질 수 있다.The organic optoelectronic device including the compound for an organic optoelectronic device has excellent electrochemical and thermal stability, has excellent lifetime characteristics, and can have a high luminous efficiency even at a low driving voltage.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물을 이용하여 제조될 수 있는 유기발광소자에 대한 다양한 구현예들을 나타내는 단면도이다.1 to 5 are cross-sectional views illustrating various embodiments of an organic light emitting device that can be manufactured using a compound for an organic optoelectronic device according to an embodiment of the present invention.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, it should be understood that the present invention is not limited thereto, and the present invention is only defined by the scope of the following claims.
본 명세서에서 "치환"이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.As used herein, unless otherwise defined, at least one of the substituents or at least one hydrogen in the compound is substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a hydroxy group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 amine group, a nitro group, C1 to C10 alkyl groups such as a C3 to C40 silyl group, a C1 to C30 alkyl group, a C1 to C10 alkylsilyl group, a C3 to C30 cycloalkyl group, a C6 to C30 aryl group, a C1 to C20 alkoxy group, a fluoro group, A trifluoroalkyl group or a cyano group.
또한 상기 치환된 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기 중 인접한 두 개의 치환기가 융합되어 고리를 형성할 수도 있다. A substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, a C1 to C30 alkyl group, a C1 to C10 alkylsilyl group, a C3 to C10 alkylsulfinyl group, A C1 to C10 trifluoroalkyl group such as a C30 cycloalkyl group, a C6 to C30 aryl group, a C1 to C20 alkoxy group, a fluoro group or a trifluoromethyl group, or a cyano group may be fused together to form a ring .
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.Means one to three heteroatoms selected from the group consisting of N, O, S and P in one functional group, and the remainder is carbon, unless otherwise defined.
본 명세서에서 "이들의 조합"이란 별도의 정의가 없는 한, 둘 이상의 치환기가 연결기로 결합되어 있거나, 둘 이상의 치환기가 축합하여 결합되어 있는 것을 의미한다. In the present specification, the term " combination thereof " means that two or more substituents are bonded to each other via a linking group or two or more substituents are condensed and bonded.
본 명세서에서 "알킬(alkyl)기"이란 별도의 정의가 없는 한, 지방족 탄화수소기를 의미한다. 알킬기는 어떠한 이중결합이나 삼중결합을 포함하고 있지 않은 "포화 알킬(saturated alkyl)기"일 수 있다. As used herein, the term "alkyl group" means an aliphatic hydrocarbon group, unless otherwise defined. The alkyl group may be a " saturated alkyl group " which does not contain any double or triple bonds.
알킬기는 C1 내지 C20인 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는 C1 내지 C10 알킬기 또는 C1 내지 C6 알킬기일 수도 있다. 예를 들어, C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자가 포함되는 것을 의미하며, 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.The alkyl group may be an alkyl group of C1 to C20. More specifically, the alkyl group may be a C1 to C10 alkyl group or a C1 to C6 alkyl group. For example, C1 to C4 alkyl groups mean that from 1 to 4 carbon atoms are included in the alkyl chain and include methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, n-butyl, iso-butyl, sec- Indicating that they are selected from the group.
상기 알킬기는 구체적인 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 의미한다.Specific examples of the alkyl group include a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, And the like.
"아릴(aryl)기"는 환형인 치환기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며, 이들 p-오비탈이 공액(conjugation)을 형성하고 있는 치환기를 의미한하고, 모노시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.The term " aryl group " means a substituent in which all the elements of the cyclic substituent have p-orbital and the p-orbital forms a conjugation, and monocyclic or fused-ring polycyclic That is, rings that divide adjacent pairs of carbon atoms) functional groups.
"헤테로아릴(heteroaryl)기"는 아릴기 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다. 상기 헤테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다. &Quot; Heteroaryl group " means that the aryl group contains 1 to 3 heteroatoms selected from the group consisting of N, O, S and P, and the remainder is carbon. When the heteroaryl group is a fused ring, it may contain 1 to 3 heteroatoms in each ring.
본 명세서에서, 정공 특성이란, HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다. 보다 구체적으로, 전자를 밀어내는 특성과도 유사할 수 있다. In the present specification, the hole property means a property of facilitating the injection into the light emitting layer and the movement in the light emitting layer of the hole formed in the anode due to conduction characteristics along the HOMO level. More specifically, it may be similar to the characteristic of pushing electrons.
또한 전자 특성이란, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다. 보다 구체적으로 전자를 당기는 특성과도 유사할 수 있다.Further, the electron characteristic means a property of facilitating the injection of electrons formed in the anode into the luminescent layer and the movement in the luminescent layer due to conduction characteristics along the LUMO level. More specifically, it may be similar to the characteristic of attracting electrons.
본 발명의 일 구현예에서는, 하기 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공할 수 있다. In one embodiment of the present invention, a compound for an organic optoelectronic device represented by the following Formula 1 can be provided.
[화학식 1][Chemical Formula 1]
상기 화학식 1에서, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, L1 내지 L3은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, n1 내지 n3는 서로 독립적으로, 0 내지 3 중 어느 하나의 정수이고, X1은 -NR'-, -O-, -S- 또는 -CR'R"-이고, R1, R2, R' 및 R"는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.In Formula 1, Ar 1 and Ar 2 are, independently of each other, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, and L 1 to L 3 independently of one another are substituted Or a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group, or a combination thereof , n1 to n3 are each independently any one of 0 to 3, X 1 is -NR'-, -O-, -S- or -CR'R "- and R 1 , R 2 , R 'And R''are each independently of the other hydrogen, deuterium, halogen, cyano, hydroxyl, amino, substituted or unsubstituted C1 to C20 amine groups, nitro, A C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C Substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy groups, substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy groups, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy groups, substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl groups , A substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, A substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclic thiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl Or a combination thereof.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 카바졸계 치환기에 결합된 치환된 페닐기를 포함하는 코어 구조를 가질 수 있다. The compound represented by Formula 1 may have a core structure including a substituted phenyl group bonded to a carbazole-based substituent.
보다 구체적으로, 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물과 같이 카바졸계 치환기와 페닐기가 연결될 경우, 낮은 HOMO준위를 가지는 화합물을 얻을 수 있다. 이렇게 낮은 HOMO준위를 가지는 화합물은 인광블루 유기광전자소자 구현에 요구되고 있다. More specifically, when a carbazole-based substituent and a phenyl group are connected to each other as in the compound according to an embodiment of the present invention, a compound having a low HOMO level can be obtained. Compounds having such a low HOMO level are required for the implementation of phosphorescent blue organic optoelectronic devices.
또한 카바졸계 치환기와 페닐기가 파이결합의 끊어지지 않고 연결되어, 정공 또는 전자의 흐름이 더 유기적으로 일어날 수 있다. 또한, 상기 화합물은 전기화학적 및 열적 안정성이 향상될 수 있다. Further, the carbazole-based substituent and the phenyl group are connected without breaking the pi bond, so that the flow of holes or electrons can occur more organically. In addition, the compound can be improved in electrochemical and thermal stability.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물은 코어 부분과 코어 부분에 치환된 치환기에 다양한 또 다른 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드 갭을 갖는 화합물이 될 수 있다. The compound for organic optoelectronic devices represented by Formula 1 may be a compound having various energy bandgaps by introducing various substituents to the substituents of the core portion and the core portion.
상기 화합물의 치환기에 따라 적절한 에너지 준위를 가지는 화합물을 유기광전자소자에 사용함으로써, 정공전달 능력 또는 전자전달 능력이 강화되어 효율 및 구동전압 면에서 우수한 효과를 가지고, 전기화학적 및 열적 안정성이 뛰어나 유기광전자소자 구동시 수명 특성을 향상시킬 수 있다.By using a compound having an appropriate energy level according to the substituent of the compound in an organic optoelectronic device, the hole transporting ability or the electron transporting ability is enhanced to have an excellent effect in terms of efficiency and driving voltage, and excellent electrochemical and thermal stability. The lifetime characteristics can be improved when the device is driven.
보다 구체적으로, 본 발명의 일 구현예에서, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및/또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기는, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐일기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.More specifically, in one embodiment of the present invention, the substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group and / or the substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group may be substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted naphtha A substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted naphthacenyl group, a substituted or unsubstituted pyrenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, Substituted or unsubstituted m-terphenyl groups, substituted or unsubstituted chrysenyl groups, substituted or unsubstituted triphenylenyl groups, substituted or unsubstituted perylenyl groups, substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted thiophenyl group, a substituted or unsubstituted pyrrolyl group, a substituted or unsubstituted pyrazolyl group, a substituted or unsubstituted imidazolyl group, a substituted or unsubstituted furanyl group, a substituted or unsubstituted thiophenyl group, A substituted or unsubstituted thiadiazolyl group, a substituted or unsubstituted pyridyl group, a substituted or unsubstituted thiazolyl group, a substituted or unsubstituted thiazolyl group, a substituted or unsubstituted thiazolyl group, a substituted or unsubstituted thiazolyl group, A substituted or unsubstituted pyrazinyl group, a substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, a substituted or unsubstituted pyrazinyl group, a substituted or unsubstituted triazinyl group, a substituted or unsubstituted benzofuranyl group, a substituted or unsubstituted benzothiophenyl group, Substituted or unsubstituted quinazolinyl groups, substituted or unsubstituted quinazolinyl groups, substituted or unsubstituted quinolinyl groups, substituted or unsubstituted quinolinyl groups, substituted or unsubstituted quinolinyl groups, substituted or unsubstituted quinolinyl groups, substituted or unsubstituted quinolinyl groups, A substituted or unsubstituted naphthyridinyl group, a substituted or unsubstituted benzoxazine group, a substituted or unsubstituted benzothiazine group, a substituted or unsubstituted acridinyl group, a substituted or unsubstituted phenazine Group, it may be a substituted or unsubstituted phenothiazine group, a substituted or unsubstituted phenoxazine group, or a combination thereof, are not limited.
또한, 상기 L1 및 L2를 선택적으로 조절하여 화합물 전체의 공액(conjugation) 길이를 결정할 수 있으며, 이로부터 삼중항(triplet) 에너지 밴드갭을 조절할 수 있다. 이를 통해 유기광전자소자에서 필요로 하는 재료의 특성을 구현해 낼 수 있다. 또한, 올소, 파라, 메타의 결합위치 변경을 통해서도 삼중항 에너지 밴드갭을 조절할 수 있다. In addition, the conjugation length of the entire compound can be determined by selectively controlling the L 1 and L 2 , and the triplet energy band gap can be controlled therefrom. This makes it possible to realize the characteristics of the materials required in organic optoelectronic devices. Further, the triplet energy bandgap can be controlled by changing the bonding position of the ortho, para, and meta.
상기 L1 내지 L3의 구체적인 예로는 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐렌기, 치환 또는 비치환된 페난트릴렌기, 치환 또는 비치환된 피레닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기 등이다.Specific examples of L 1 to L 3 include a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, a substituted or unsubstituted terphenylene group, a substituted or unsubstituted naphthylene group, a substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted phenanthryl group, a substituted or unsubstituted pyrenylene group, a substituted or unsubstituted fluorenylene group, a substituted or unsubstituted p-terphenyl group, a substituted or unsubstituted m-tert A phenyl group, a substituted or unsubstituted perylenyl group and the like.
보다 구체적으로, 상기 L1 내지 L3은 서로 독립적으로, 하기 치환기 중 어느 하나일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. More specifically, each of L 1 to L 3 independently of each other may be any one of the following substituents. However, the present invention is not limited thereto.
상기 치환기에서, X는 -O- 또는 -S-이다. In this substituent, X is -O- or -S-.
보다 구체적으로, 상기 L1 내지 L3은 서로 독립적으로, 페닐렌기일 수 있다. 상기 L1 내지 L3가 페닐렌기인 경우, 상기 페닐렌기를 기준으로 양측 코어 부분은 오쏘, 메타 또는 파라로 결합될 수 있다.More specifically, L 1 to L 3 may be, independently of one another, a phenylene group. In the case where L 1 to L 3 are phenylene groups, both side core portions may be bonded to ortho, meta or para to the phenylene group.
상기 Ar1 및 Ar2 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 S-1 또는 S-2일 수 있다. 상기 화학식 S-1 및 S-2는 공통적으로 비공유전자쌍을 가지는 화합물로 일반적인 고리화합물에 비해 높은 전공 또는 전자 이동도를 가진다. 이를 통해 고효율 및 저전압 유기광전자소자를 구현할 수 있다. At least one of Ar 1 and Ar 2 may be represented by the following formula (S-1) or (S-2). The above-mentioned formulas S-1 and S-2 are commonly compounds having a non-covalent electron pair and have a higher electron mobility or electron mobility than general ring compounds. This enables high-efficiency and low-voltage organic optoelectronic devices to be realized.
[화학식 S-1] [화학식 S-2][Formula S-1] [Formula S-2]
상기 화학식 S-1 및 S-2에서, X2는 -NR'-, -O-, -S- 또는 -CR'R"-이고, X3은 -NR'-, -O- 또는 -S-이고, R5, R6, R' 및 R"는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.X 2 is -NR'-, -O-, -S- or -CR'R "-, X 3 is -NR'-, -O- or -S- and, R 5, R 6, R 'and R "are independently, hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group with each other, A substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkoxy group, A substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 A substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted acyloxy group, Or a substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, An unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclothiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof .
보다 구체적으로, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 하기 치환기 중 어느 하나일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. More specifically, Ar 1 and Ar 2 may be any one of the following substituents independently of each other. However, the present invention is not limited thereto.
상기 치환기에서, X는 -O- 또는 -S-이고, Ar5 내지 Ar7은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, 또는 이들의 조합이다.In this substituent, X is -O- or -S- and Ar 5 to Ar 7 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1 C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group , A substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino , A substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, An unsubstituted C1 to C20 heterocyclythiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or a combination thereof.
보다 구체적으로, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C14 내지 C30 아릴기일 수 있다. More specifically, Ar 1 and Ar 2 may be, independently of each other, a substituted or unsubstituted C 14 to C 30 aryl group.
보다 구체적으로, Ar1 및 Ar2에 치환기가 없거나 너무 작은 치환기가 붙을 경우 카바졸계 치환기에 정공 또는 전자의 이동이 몰려 화합물이 불안정하게 된다.More specifically, when Ar 1 and Ar 2 have no substituent or have a substituent that is too small, the transfer of holes or electrons to the carbazole-based substituent is crowded and the compound becomes unstable.
이는 이 화합물을 이용한 유기광전자소자의 수명에도 좋지 않은 영향을 미칠 수 있다. This may adversely affect the lifetime of the organic optoelectronic device using the compound.
또한 상기 Ar1 및 Ar2에 분자량이 너무 크거나 덩치가 큰 치환기가 치환될 경우 증착 소재로서 열안정성 문제가 발생한다. 일반적으로 분자량이 큰 화합물의 경우 높은 녹는점을 가지게 되는데 이때문에 증착온도 또한 함께 상승하여 화합물 증착시 높은 열에 장시간 노출될 수 밖에 없어 안정성에 문제가 생길 수 있다. In addition, when Ar 1 and Ar 2 are substituted with a substituent having a too large molecular weight or a large substituent, a thermal stability problem occurs as a deposition material. In general, a compound having a high molecular weight has a high melting point, and therefore, the deposition temperature also increases together with the compound. Therefore, the compound may be exposed to high heat for a long time during the deposition of the compound.
상기 치환 또는 비치환된 C14 내지 C30 아릴기는 적당한 치환기의 크기이며 이 치환기는 화합물 내에서 전자의 분포를 고르게 분포할 수 있게 해주며, 낮은 분자량으로 유기광전자소자 수명을 개선시킬 수 있다. The substituted or unsubstituted C14 to C30 aryl group is of a suitable substituent size, which permits uniform distribution of electrons in the compound and can improve the lifetime of the organic optoelectronic device with a low molecular weight.
보다 구체적으로, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 고리의 수가 복수인 융합된 고리를 가지는, 치환 또는 비치환된 C14 내지 C30 아릴기일 수 있다.More specifically, Ar 1 and Ar 2 may be, independently of each other, a substituted or unsubstituted C 14 to C 30 aryl group having a fused ring having a plurality of rings.
상기 복수의 융합된 고리는 공명구조로 인해 전자를 끌어오는 특징(withdraw group)을 가지는데 이러한 점이 화합물 내 카바졸에 너무 많은 전자 또는 정공의 흐름이 집중되는 점을 막아줄 수 있다. The plurality of fused rings has a withdrawing group due to the resonance structure, which can prevent the concentration of too much electrons or holes in the carbazole in the compound.
일반적으로, 카바졸계 치환기가 정공 또는 전자의 흐름이 좋은 치환기로 알려져 있으나 이 부분에만 한정되어 정공 또는 전자의 흐름이 흐르게 되면 과부하가 걸려 화합물이 깨질 수 있다. 이에 복수의 융합된 고리가 Ar1 및 Ar2 에 치환되어 이를 보완해 주게되면 융합된 고리 또한 정공 또는 전자수송을 하게 되면서 고효율, 저전압 고수명 소자를 기대할 수 있다. In general, a carbazole-based substituent is known as a substituent having good flow of holes or electrons. However, when the flow of holes or electrons is limited, excessive load may be applied to break the compound. If a plurality of fused rings are substituted with Ar 1 and Ar 2 and complemented, the fused rings can be transported by holes or electrons, and a high-efficiency, low-voltage, high-precision device can be expected.
보다 구체적인 예를 들어, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기 또는 치환 또는 비치환된 페난트레닐기일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. More specifically, for example, Ar 1 and Ar 2 may be, independently of each other, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, or a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group. However, the present invention is not limited thereto.
상기 X1은 -NR'-일 수 있다. 상기 X1가 -NR'-이면 인광블루소자의 경우 보다 낮은 HOMO준위를 가지는 화합물을 제조할 수 있다. X 1 may be -NR'-. When X 1 is -NR'-, a compound having a HOMO level lower than that of the phosphorescent blue element can be prepared.
본 발명의 다른 일 구현예에서는, 하기 화학식 2로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다. 하기 화학식 2와 같이 카바졸 N방향으로 페닐기를 결합할 경우 낮은 HOMO준위를 가지는 화합물을 만들 수 있다. 또한, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물은 낮은 분자량을 가지기 때문에 다른 치환기에 정공 또는 전자 수송 능력이 뛰어난 치환기를 도입하기가 용이하다. In another embodiment of the present invention, there is provided a compound for an organic optoelectronic device represented by the following formula (2). When a phenyl group is bound in the N-direction of the carbazole as shown in Formula 2 below, a compound having a low HOMO level can be prepared. In addition, since the compound represented by the following formula (2) has a low molecular weight, it is easy to introduce a substituent having excellent hole or electron transporting ability into another substituent.
[화학식 2](2)
상기 화학식 2에서, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 하기 화학식 S-1 또는 S-2이며, 상기 Ar1 및 Ar2 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 S-1 또는 S-2이고, L1 내지 L3은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, n1 내지 n3는 서로 독립적으로, 0 내지 3 중 어느 하나의 정수이고, R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다. Wherein Ar 1 and Ar 2 independently represent a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a group represented by the following formula: S-1 or S-2, and at least one of Ar 1 and Ar 2 is a group represented by the following formula S-1 or S-2, L 1 to L 3 independently represent a substituted or unsubstituted C 2 to C 6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6- C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof, n1 to n3 are independently 0 to 3 any integer of one another, R 1 to R 4 represent, independently of each other, hydrogen , A substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group, a ferrocenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1-C20 alkyl group, A C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, Substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl groups, substituted or unsubstituted C2 to C20 acyloxy groups, substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino groups, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino groups, substituted Or a substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, A substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclic thiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 A group or a combination thereof.
[화학식 S-1] [화학식 S-2][Formula S-1] [Formula S-2]
상기 화학식 S-1 및 S-2에서, X2는 -NR'-, -O-, -S- 또는 -CR'R"-이고, X3은 -NR'-, -O- 또는 -S-이고, R5, R6, R' 및 R"는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.X 2 is -NR'-, -O-, -S- or -CR'R "-, X 3 is -NR'-, -O- or -S- and, R 5, R 6, R 'and R "are independently, hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group with each other, A substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkoxy group, A substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 A substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted acyloxy group, Or a substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, An unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclothiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof .
상기 화학식 2에서, Ar1, Ar2 및 L1 내지 L3에 대한 설명은 모순되지 않는 범위에서 상기 화학식 1에서와 동일하기 때문에 이를 생략하도록 한다. In the above formula (2), Ar 1 , Ar 2 and L 1 to L 3 are the same as in the above formula (1) within the scope of no inconsistency.
본 발명의 또 다른 일 구현예에서는, 하기 화학식 3으로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다. 하기 화학식 3와 같은 구조의 화합물은 소자에 적용 시 소자의 구동 전압의 상승을 막아줄 수 있다. In another embodiment of the present invention, there is provided a compound for organic optoelectronic devices represented by the following formula (3). A compound having a structure represented by the following formula (3) can prevent the driving voltage of the device from rising when applied to the device.
[화학식 3](3)
상기 화학식 3에서, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 하기 화학식 S-1 또는 S-2이며, 상기 Ar1 및 Ar2 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 S-1 또는 S-2이고, Ar3 및 Ar4는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, L1 내지 L3은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, n1 내지 n3는 서로 독립적으로, 0 내지 3 중 어느 하나의 정수이다. In Formula 3, Ar 1 and Ar 2 are independently from each other, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, to the formula and S-1 or S-2, at least one of the Ar 1 and Ar 2 have the formula and S-1 or S-2, Ar 3 and Ar 4 are independently, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group unsubstituted one another, L 1 to L 3 are each Independently, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C6 alkynylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group, And n1 to n3 are each independently any one of 0 to 3.
[화학식 S-1] [화학식 S-2][Formula S-1] [Formula S-2]
상기 화학식 S-1 및 S-2에서, X2는 -NR'-, -O-, -S- 또는 -CR'R"-이고, X3은 -NR'-, -O- 또는 -S-이고, R5, R6, R' 및 R"는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이다.X 2 is -NR'-, -O-, -S- or -CR'R "-, X 3 is -NR'-, -O- or -S- and, R 5, R 6, R 'and R "are independently, hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, a carboxyl group with each other, A substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkoxy group, A substituted or unsubstituted C6 to C20 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyloxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 acyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted C2 A substituted or unsubstituted C2 to C20 acylamino group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkoxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted acyloxy group, Or a substituted or unsubstituted C7 to C20 aryloxycarbonylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfamoylamino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 sulfonyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylthiol group, An unsubstituted C6 to C20 arylthiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 heterocyclothiol group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 ureide group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, or combinations thereof .
상기 화학식 3에서, Ar1, Ar2 및 L1 내지 L3에 대한 설명은 모순되지 않는 범위에서 상기 화학식 1에서와 동일하기 때문에 이를 생략하도록 한다. In the above formula (3), Ar 1 , Ar 2, and L 1 to L 3 are the same as in the above formula (1) within the range not inconsistent.
상기 화학식 3에서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 상기 화학식 S-1일 수 있거나, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 상기 화학식 S-2일 수 있다. 각각의 경우, S-1과 S-2는 공통적으로 비공유전자쌍을 가지는 화합물로 일반적인 고리화합물에 비해 높은 전공 또는 전자 이동도를 가진다. 이를 통해 고효율 및 저전압 유기광전자소자를 구현할 수 있다. In Formula 3, Ar 1 and Ar 2 may be independently of each other the formula S-1, or Ar 1 and Ar 2 may independently be S-2. In each case, S-1 and S-2 are compounds having unshared electron pairs in common, and have higher electron mobility or electron mobility than general ring compounds. This enables high-efficiency and low-voltage organic optoelectronic devices to be realized.
보다 구체적인 예를 들어, 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물은 하기와 같다. 다만, 이는 예시일 뿐이다.More specifically, for example, the compound for an organic optoelectronic device according to an embodiment of the present invention is as follows. However, this is only an example.
본 발명의 다른 일 구현예에서는, 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 개재되는 한 층 이상의 유기박막층을 포함하고, 상기 유기박막층 중 적어도 어느 한 층은 상기 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 것인 유기광전자소자를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided an organic electroluminescent device comprising a cathode, a cathode, and at least one organic thin film layer sandwiched between the anode and the cathode, wherein at least one of the organic thin film layers includes the above- Thereby providing an organic optoelectronic device.
상기 유기광전자소자용 화합물은 유기박막층에 사용되어 유기광전자소자의 수명 특성, 효율 특성, 전기화학적 안정성 및 열적 안정성을 향상시키며, 구동전압을 낮출 수 있다.The compound for an organic optoelectronic device is used in an organic thin film layer to improve lifetime characteristics, efficiency characteristics, electrochemical stability and thermal stability of an organic optoelectronic device, and can lower a driving voltage.
상기 유기박막층은 구체적으로, 전자주입층 또는 전자수송층일 수 있다. The organic thin film layer may specifically be an electron injection layer or an electron transport layer.
상기 유기광전자소자는 유기발광소자, 유기광전소자, 유기태양전지, 유기트랜지스터, 유기 감광체 드럼 또는 유기메모리소자일 수 있다. The organic optoelectronic device may be an organic light emitting device, an organic photoelectric device, an organic solar cell, an organic transistor, an organic photoconductor drum, or an organic memory device.
보다 구체적으로, 상기 유기광전자소자는 유기발광소자일 수 있다. 도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 유기발광소자의 단면도이다.More specifically, the organic optoelectronic device may be an organic light emitting device. 1 to 5 are sectional views of an organic light emitting device including a compound for an organic optoelectronic device according to an embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자(100, 200, 300, 400 및 500)는 양극(120), 음극(110) 및 이 양극과 음극 사이에 개재된 적어도 1층의 유기박막층(105)을 포함하는 구조를 갖는다.1 to 5, organic
상기 양극(120)은 양극 물질을 포함하며, 이 양극 물질로는 통상 유기박막층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일 함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 니켈, 백금, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금을 들 수 있고, 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물을 들 수 있고, ZnO와 Al 또는 SnO2와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합을 들 수 있고, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리(3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜)(polyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 보다 구체적으로, 상기 양극으로 ITO(indium tin oxide)를 포함하는 투명전극을 사용할 수 있다.The
상기 음극(110)은 음극 물질을 포함하여, 이 음극 물질로는 통상 유기박막층으로 전자주입이 용이하도록 일 함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금을 들 수 있고, LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 보다 구체적으로, 상기 음극으로 알루미늄 등과 같은 금속전극을 사용할 수 있다.The
먼저 도 1을 참조하면, 도 1은 유기박막층(105)으로서 발광층(130)만이 존재하는 유기발광소자(100)를 나타낸 것으로, 상기 유기박막층(105)은 발광층(130)만으로 존재할 수 있다.1 illustrates an organic
도 2를 참조하면, 도 2는 유기박막층(105)으로서 전자수송층을 포함하는 발광층(230)과 정공수송층(140)이 존재하는 2층형 유기발광소자(200)를 나타낸 것으로, 도 2에 나타난 바와 같이, 유기박막층(105)은 발광층(230) 및 정공 수송층(140)을 포함하는 2층형일 수 있다. 이 경우 발광층(130)은 전자 수송층의 기능을 하며, 정공 수송층(140)은 ITO와 같은 투명전극과의 접합성 및 정공수송성을 향상시키는 기능을 한다.2 illustrates a two-layer organic
도 3을 참조하면, 도 3은 유기박막층(105)으로서 전자수송층(150), 발광층(130) 및 정공수송층(140)이 존재하는 3층형 유기발광소자(300)로서, 상기 유기박막층(105)에서 발광층(130)은 독립된 형태로 되어 있고, 전자수송성이나 정공수송성이 우수한 막(전자수송층(150) 및 정공수송층(140))을 별도의 층으로 쌓은 형태를 나타내고 있다.3 is a three-layer organic
도 4를 참조하면, 도 4는 유기박막층(105)으로서 전자주입층(160), 발광층(130), 정공수송층(140) 및 정공주입층(170)이 존재하는 4층형 유기발광소자(400)로서, 상기 정공주입층(170)은 양극으로 사용되는 ITO와의 접합성을 향상시킬 수 있다.4, a four-layer organic
도 5를 참조하면, 도 5는 유기박막층(105)으로서 전자주입층(160), 전자수송층(150), 발광층(130), 정공수송층(140) 및 정공주입층(170)과 같은 각기 다른 기능을 하는 5개의 층이 존재하는 5층형 유기발광소자(500)를 나타내고 있으며, 상기 유기발광소자(500)는 전자주입층(160)을 별도로 형성하여 저전압화에 효과적이다.5, the organic
상기 도 1 내지 도 5에서 상기 유기박막층(105)을 이루는 전자 수송층(150), 전자 주입층(160), 발광층(130, 230), 정공 수송층(140), 정공 주입층(170) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나는 상기 유기광전자소자용 재료를 포함한다. 1 to 5, the
상기에서 설명한 유기발광소자는, 기판에 양극을 형성한 후, 진공증착법(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성막법; 또는 스핀코팅(spin coating), 침지법(dipping), 유동코팅법(flow coating)과 같은 습식성막법 등으로 유기박막층을 형성한 후, 그 위에 음극을 형성하여 제조할 수 있다.The organic light emitting device described above may be formed by a dry film forming method such as evaporation, sputtering, plasma plating, and ion plating after an anode is formed on a substrate; Or a wet film formation method such as spin coating, dipping or flow coating, and then forming a cathode on the organic thin film layer.
본 발명의 또 다른 일 구현예에서는, 상기 유기광전자소자를 포함하는 표시장치를 제공한다. In another embodiment of the present invention, there is provided a display device including the organic optoelectronic device.
실시예Example
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described. However, the embodiments described below are only intended to illustrate or explain the present invention, and thus the present invention should not be limited thereto.
(( 유기광전자소자용For organic optoelectronic devices 화합물의 제조) Preparation of compounds <
합성예Synthetic example 1: 중간체 I-1의 제조 1: Preparation of intermediate I-1
질소 환경에서 naphthalen-1-ylboronic acid(50 g, 290.7 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.8 L에 녹인 후, 여기에 1,3-dibromo-5-chlorobenzene(117.9 g, 436.1 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(3.36 g, 2.91 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(85.6 g, 581.4 mmol)을 넣고 80 ℃에서 9시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 I-1(42.5 g, 46 %)을 얻었다.Naphthalen-1-ylboronic acid (50 g, 290.7 mmol) was dissolved in 0.8 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere and then 1,3-dibromo-5-chlorobenzene (117.9 g, 436.1 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium (3.36 g, 2.91 mmol) were added and stirred. Saturated potassium permanganate (85.6 g, 581.4 mmol) was added to the reaction mixture, and the mixture was refluxed by heating at 80 ° C for 9 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound I-1 (42.5 g, 46%).
합성예Synthetic example 2: 중간체 I-2의 제조 2: Preparation of intermediate I-2
질소 환경에서 중간체 I-1(30 g, 94.5 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.2 L에 녹인 후, 여기에 phenylboronic acid(12.7 g, 103.9 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(3.28 g, 2.84 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(27.8 g, 189 mmol)을 넣고 80 ℃에서 16시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-2(29.7 g, 53 %)을 얻었다.(30 g, 94.5 mmol) was dissolved in 0.2 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere and then phenylboronic acid (12.7 g, 103.9 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium (3.28 g, 2.84 mmol) And stirred. Saturated water-saturated potassium carbonate (27.8 g, 189 mmol) was added and the mixture was refluxed by heating at 80 ° C for 16 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-2 (29.7 g, 53%).
합성예Synthetic example 3: 중간체 I-3의 제조 3: Preparation of intermediate I-3
질소 환경에서 중간체 I-2(20 g, 63.5 mmol)을 dimethylforamide(DMF) 0.2 L에 녹인 후, 여기에 bis(pinacolato)diboron(24.2 g, 95.3 mmol)와 (1,1'-bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(0.52 g, 0.64 mmol) 그리고 potassium acetate(12.5 g, 127 mmol)을 넣고 150 ℃에서 21시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 혼합물을 필터한 후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-3(25.8 g, 55 %)을 얻었다.Bis (pinacolato) diboron (24.2 g, 95.3 mmol) and (1,1'-bis (diphenylphosphine)) were dissolved in 0.2 L of dimethylformamide (DMF) ferrocene dichloropalladium (II) (0.52 g, 0.64 mmol) and potassium acetate (12.5 g, 127 mmol) were added and the mixture was refluxed by heating at 150 ° C for 21 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction solution, the mixture was filtered, and then dried in a vacuum oven. The obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-3 (25.8 g, 55%).
합성예Synthetic example 4: 중간체 I-4의 제조 4: Preparation of intermediate I-4
질소 환경에서 중간체 I-3(20 g, 49.2 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.15 L에 녹인 후, 여기에 1-bromo-4-chlorobenzene(9.42 g, 49.2 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(1.71 g, 1.48 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(14.5 g, 98.4 mmol)을 넣고 80 ℃에서 20시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-4(16.5 g, 86 %)을 얻었다.1-bromo-4-chlorobenzene (9.42 g, 49.2 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium (1.71 g, 49.2 mmol) were dissolved in 0.15 L of tetrahydrofuran , 1.48 mmol) were added and stirred. Potassium carbonate (14.5 g, 98.4 mmol) saturated with water was added and the mixture was refluxed by heating at 80 ° C for 20 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The thus-obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-4 (16.5 g, 86%).
합성예Synthetic example 5: 중간체 I-5의 제조 5: Preparation of intermediate I-5
질소 환경에서 중간체 3,5-phenylbenzyl-1-boronic acid(50 g, 182.4 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.8 L에 녹인 후, 여기에 2,7-dibromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene(95.8 g, 273.6 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(2.11 g, 1.82 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(53.7 g, 364.8 mmol)을 넣고 80 ℃에서 8시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-5(17.8 g, 25 %)을 얻었다.3,5-phenylbenzyl-1-boronic acid (50 g, 182.4 mmol) was dissolved in 0.8 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere and 2,7-dibromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene 95.8 g, 273.6 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium (2.11 g, 1.82 mmol) were added and stirred. Saturated water-saturated potassuim carbonate (53.7 g, 364.8 mmol) was added and the mixture was refluxed by heating at 80 ° C for 8 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The thus-obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain Intermediate I-5 (17.8 g, 25%).
합성예Synthetic example 6: 중간체 I-6의 제조 6: Preparation of intermediate I-6
질소 환경에서 dibenzofuran-4ylboronic acid(26.1 g, 123.3 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.4 L에 녹인 후, 여기에 1,3-dibromo-5-chlorobenzene(50 g, 185 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(1.42 g, 1.23 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(36.3 g, 246.6 mmol)을 넣고 80 ℃에서 10시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-6(19.3 g, 44 %)을 얻었다.Dibenzofuran-4ylboronic acid (26.1 g, 123.3 mmol) was dissolved in 0.4 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere and 1,3-dibromo-5-chlorobenzene (50 g, 185 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium 1.42 g, 1.23 mmol) were added and stirred. Saturated water-saturated potassium carbonate (36.3 g, 246.6 mmol) was added and heated at 80 ° C for 10 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-6 (19.3 g, 44%).
합성예Synthetic example 7: 중간체 I-7의 제조 7: Preparation of Intermediate I-7
질소 환경에서 중간체 I-6(19.3 g, 54.0 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.15 L에 녹인 후, 여기에 phenylboronic acid(7.24 g, 59.4 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(1.87 g, 1.62 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(15.9 g, 108 mmol)을 넣고 80 ℃에서 17시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-7(19.1 g, 56 %)을 얻었다.(7.24 g, 59.4 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium (1.87 g, 1.62 mmol) were dissolved in 0.15 L of tetrahydrofuran (THF) And stirred. Potassium carbonate (15.9 g, 108 mmol) saturated with water was added and the mixture was refluxed by heating at 80 ° C for 17 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The thus-obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-7 (19.1 g, 56%).
합성예Synthetic example 8: 중간체 I-8의 제조 8: Preparation of intermediate I-8
질소 환경에서 중간체 I-7(19 g, 53.5 mmol)을 dimethylforamide(DMF) 0.2 L에 녹인 후, 여기에 bis(pinacolato)diboron(20.4 g, 80.3 mmol)와 (1,1'-bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(0.44 g, 0.54 mmol) 그리고 potassium acetate(10.5 g, 107 mmol)을 넣고 150 ℃에서 18시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 혼합물을 필터한 후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-8(12.2 g, 51 %)을 얻었다.Bis (pinacolato) diboron (20.4 g, 80.3 mmol) and (1,1'-bis (diphenylphosphine)) were dissolved in 0.2 L of dimethylformamide (DMF) ferrocene dichloropalladium (II) (0.44 g, 0.54 mmol) and potassium acetate (10.5 g, 107 mmol) were added and heated at 150 ° C for 18 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction solution, the mixture was filtered, and then dried in a vacuum oven. The thus-obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-8 (12.2 g, 51%).
합성예Synthetic example 9: 중간체 I-9의 제조 9: Preparation of intermediate I-9
질소 환경에서 중간체 I-8(12 g, 26.9 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.1 L에 녹인 후, 여기에 1-bromo-4-chlorobenzene(5.15 g, 26.9 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0.93 g, 0.81 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(7.92 g, 53.8 mmol)을 넣고 80 ℃에서 18시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-9(9.73 g, 84 %)을 얻었다.Intermediate I-8 (12 g, 26.9 mmol) was dissolved in 0.1 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere and then 1-bromo-4-chlorobenzene (5.15 g, 26.9 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium , 0.81 mmol) were added and stirred. Saturated water-saturated potassium carbonate (7.92 g, 53.8 mmol) was added and heated at 80 ° C for 18 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The thus-obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain Intermediate I-9 (9.73 g, 84%).
합성예Synthetic example 10: 중간체 I-10의 제조 10: Preparation of intermediate I-10
질소 환경에서 1,3-dibromo-5-chlorobenzene dibenzofuran-4ylboronic acid(100 g, 369.89 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 1.5 L에 녹인 후, 여기에 dibenzofuran-4ylboronic acid(196.1 g, 924.7 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(21.4 g, 18.5 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(108.9 g, 739.8 mmol)을 넣고 100 ℃에서 23시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-10(148.4 g, 90 %)을 얻었다.Dibenzofuran-4-ylboronic acid (100 g, 369.89 mmol) was dissolved in 1.5 L of tetrahydrofuran (THF), and then dibenzofuran-4ylboronic acid (196.1 g, 924.7 mmol) and tetrakis triphenylphosphine) palladium (21.4 g, 18.5 mmol) were added and stirred. Saturated water-saturated potassuim carbonate (108.9 g, 739.8 mmol) was added and the mixture was refluxed by heating at 100 ° C for 23 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The thus obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-10 (148.4 g, 90%).
합성예Synthetic example 11: 중간체 I-11의 제조 11: Preparation of intermediate I-11
질소 환경에서 중간체 I-10(148.4 g, 387.2 mmol)을 dimethylforamide(DMF) 1.5 L에 녹인 후, 여기에 bis(pinacolato)diboron(147.5 g, 580.8 mmol)와 (1,1'-bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(9.49 g, 11.6 mmol) 그리고 potassium acetate(76.0 g, 774.4 mmol)을 넣고 150 ℃에서 16시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 혼합물을 필터한 후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-11(121.3 g, 58 %)을 얻었다.Bis (pinacolato) diboron (147.5 g, 580.8 mmol) and (1,1'-bis (diphenylphosphine)) were dissolved in 1.5 L of dimethylformamide (DMF) ferrocene) dichloropalladium (II) (9.49 g, 11.6 mmol) and potassium acetate (76.0 g, 774.4 mmol) were added and heated at 150 ° C for 16 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction solution, the mixture was filtered, and then dried in a vacuum oven. The residue thus obtained was purified by flash column chromatography to obtain Intermediate I-11 (121.3 g, 58%).
합성예Synthetic example 12: 중간체 I-12의 제조 12: Preparation of Intermediate I-12
질소 환경에서 중간체 I-11(50 g, 93.2 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.1 L에 녹인 후, 여기에 1-bromo-4-chlorobenzene(17.8 g, 93.2 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(3.23 g, 2.80 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(27.4 g, 186.4 mmol)을 넣고 80 ℃에서 21시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-12(44.2 g, 91 %)을 얻었다.Intermediate I-11 (50 g, 93.2 mmol) was dissolved in 0.1 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere and then 1-bromo-4-chlorobenzene (17.8 g, 93.2 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium , 2.80 mmol) were added and stirred. Saturated water-saturated potassium carbonate (27.4 g, 186.4 mmol) was added and heated at 80 ° C for 21 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The thus-obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain Intermediate I-12 (44.2 g, 91%).
합성예 13: 중간체 I-13의 제조Synthesis Example 13: Preparation of Intermediate I-13
질소 환경에서 benzofuran-2-ylboronic acid(100 g, 617.5 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 1.8 L에 녹인 후, 여기에 1,3-dibromo-5-chlorobenzene(250.4 g, 926.2 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(7.14 g, 6.18 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(181.9 g, 1,235 mmol)을 넣고 80 ℃에서 8시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-13(104.5 g, 55 %)을 얻었다.Benzofuran-2-ylboronic acid (100 g, 617.5 mmol) was dissolved in 1.8 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere and then 1,3-dibromo-5-chlorobenzene (250.4 g, 926.2 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium (7.14 g, 6.18 mmol) were added and stirred. Saturated water-saturated potassuim carbonate (181.9 g, 1,235 mmol) was added and heated at 80 ° C for 8 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-13 (104.5 g, 55%).
합성예 14: 중간체 I-14의 제조Synthesis Example 14: Preparation of Intermediate I-14
질소 환경에서 중간체 I-13(100 g, 325.1 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.7 L에 녹인 후, 여기에 phenylboronic acid(43.6 g, 357.6 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(11.3 g, 9.75 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(95.7 g, 650.2 mmol)을 넣고 80 ℃에서 20시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-14(46.6 g, 47 %)을 얻었다.Intermediate I-13 (100 g, 325.1 mmol) was dissolved in 0.7 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere and then phenylboronic acid (43.6 g, 357.6 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium (11.3 g, 9.75 mmol) And stirred. Saturated potassium salt of potassium carbonate (95.7 g, 650.2 mmol) was added and the mixture was refluxed by heating at 80 ° C for 20 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-14 (46.6 g, 47%).
합성예 15: 중간체 I-15의 제조Synthesis Example 15: Preparation of Intermediate I-15
질소 환경에서 중간체 I-14(46 g, 150.9 mmol)을 dimethylforamide(DMF) 0.5 L에 녹인 후, 여기에 bis(pinacolato)diboron(57.5 g, 226.4 mmol)와 (1,1'-bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(1.23 g, 1.51 mmol) 그리고 potassium acetate(29.6 g, 301.8 mmol)을 넣고 150 ℃에서 15시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 혼합물을 필터한 후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-15(25.7 g, 43 %)을 얻었다.Bis (pinacolato) diboron (57.5 g, 226.4 mmol) and (1,1'-bis (diphenylphosphine)) were dissolved in 0.5 L of dimethylformamide (DMF) ferrocene dichloropalladium (II) (1.23 g, 1.51 mmol) and potassium acetate (29.6 g, 301.8 mmol) were added and heated at 150 ° C for 15 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction solution, the mixture was filtered, and then dried in a vacuum oven. The residue thus obtained was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-15 (25.7 g, 43%).
합성예 16: 중간체 I-16의 제조Synthesis Example 16: Preparation of Intermediate I-16
질소 환경에서 중간체 I-15(25 g, 63.1 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.2 L에 녹인 후, 여기에 1-bromo-4-chlorobenzene(12.1 g, 63.1 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(2.19 g, 1.89 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(18.6 g, 126.2 mmol)을 넣고 80 ℃에서 24시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-16(21.4 g, 89 %)을 얻었다.(25 g, 63.1 mmol) was dissolved in 0.2 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere and then 1-bromo-4-chlorobenzene (12.1 g, 63.1 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium , 1.89 mmol) were added and stirred. Saturated water-saturated potassium carbonate (18.6 g, 126.2 mmol) was added and the mixture was refluxed by heating at 80 ° C for 24 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-16 (21.4 g, 89%).
합성예 17: 중간체 I-17의 제조Synthesis Example 17: Preparation of Intermediate I-17
질소 환경에서 1,3-dibromo-5-chlorobenzene dibenzofuran-4ylboronic acid(100 g, 369.89 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 1.3 L에 녹인 후, 여기에 benzofuran-2-ylboronic acid(149.8 g, 924.7 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(21.4 g, 18.5 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(108.9 g, 739.8 mmol)을 넣고 100 ℃에서 22시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-17(103.3 g, 81 %)을 얻었다.Benzofuran-2-ylboronic acid (149.8 g, 924.7 mmol) was dissolved in 1.3 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere, and 1,3-dibromo-5-chlorobenzene dibenzofuran-4ylboronic acid (100 g, 369.89 mmol) tetrakis (triphenylphosphine) palladium (21.4 g, 18.5 mmol) was added thereto and stirred. Saturated water-saturated potassuim carbonate (108.9 g, 739.8 mmol) was added and heated at 100 ° C for 22 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was purified by flash column chromatography to obtain Intermediate I-17 (103.3 g, 81%).
합성예 18: 중간체 I-18의 제조Synthesis Example 18: Preparation of Intermediate I-18
질소 환경에서 중간체 I-17(100 g, 290.0 mmol)을 dimethylforamide(DMF) 1.5 L에 녹인 후, 여기에 bis(pinacolato)diboron(110.5 g, 435.0 mmol)와 (1,1'-bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(2.37 g, 2.9 mmol) 그리고 potassium acetate(56.9 g, 580 mmol)을 넣고 150 ℃에서 28시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 혼합물을 필터한 후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-18(62.0 g, 49 %)을 얻었다.Bis (pinacolato) diboron (110.5 g, 435.0 mmol) and (1,1'-bis (diphenylphosphine)) were dissolved in 1.5 L of dimethylformamide (DMF) ferrocene dichloropalladium (II) (2.37 g, 2.9 mmol) and potassium acetate (56.9 g, 580 mmol) were added and heated at 150 ° C for 28 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction solution, the mixture was filtered, and then dried in a vacuum oven. The obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain Intermediate I-18 (62.0 g, 49%).
합성예 19: 중간체 I-19의 제조Synthesis Example 19: Preparation of Intermediate I-19
질소 환경에서 중간체 I-18(62 g, 142.1 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.5 L에 녹인 후, 여기에 1-bromo-4-chlorobenzene(27.2 g, 142.1 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(4.93 g, 4.26 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(41.9 g, 284.2 mmol)을 넣고 80 ℃에서 27시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-19(58.0 g, 97 %)을 얻었다.Intermediate I-18 (62 g, 142.1 mmol) was dissolved in 0.5 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere and then 1-bromo-4-chlorobenzene (27.2 g, 142.1 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium , 4.26 mmol) were added and stirred. Potassium carbonate (41.9 g, 284.2 mmol) saturated with water was added and the mixture was refluxed by heating at 80 ° C for 27 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The thus-obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-19 (58.0 g, 97%).
합성예 20: 중간체 I-20의 제조Synthesis Example 20: Preparation of Intermediate I-20
질소 환경에서 중간체 I-9(50 g, 116.0 mmol)을 dimethylforamide(DMF) 0.5 L에 녹인 후, 여기에 bis(pinacolato)diboron(44.2 g, 174.0 mmol)와 (1,1'-bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(0.95 g, 1.16 mmol) 그리고 potassium acetate(22.8 g, 232 mmol)을 넣고 150 ℃에서 42시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 혼합물을 필터한 후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-20(33.9 g, 56 %)을 얻었다.Bis (pinacolato) diboron (44.2 g, 174.0 mmol) and (1,1'-bis (diphenylphosphine)) were dissolved in 0.5 L of dimethylformamide (DMF) ferrocene dichloropalladium (II) (0.95 g, 1.16 mmol) and potassium acetate (22.8 g, 232 mmol) were added and the mixture was refluxed by heating at 150 ° C for 42 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction solution, the mixture was filtered, and then dried in a vacuum oven. The residue thus obtained was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-20 (33.9 g, 56%).
합성예 21: 중간체 I-21의 제조Synthesis Example 21: Preparation of Intermediate I-21
질소 환경에서 중간체 I-12(50 g, 96.0 mmol)을 dimethylforamide(DMF) 0.4 L에 녹인 후, 여기에 bis(pinacolato)diboron(36.6 g, 144 mmol)와 (1,1'-bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(0.78 g, 0.96 mmol) 그리고 potassium acetate(18.8 g, 192 mmol)을 넣고 150 ℃에서 46시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 혼합물을 필터한 후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-21(27.6 g, 47 %)을 얻었다.Bis (pinacolato) diboron (36.6 g, 144 mmol) and (1,1'-bis (diphenylphosphine) diphenylphosphine) were dissolved in 0.4 L of dimethylformamide (DMF) ferrocene) dichloropalladium (II) (0.78 g, 0.96 mmol) and potassium acetate (18.8 g, 192 mmol) were added and the mixture was refluxed by heating at 150 ° C. for 46 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction solution, the mixture was filtered, and then dried in a vacuum oven. The residue thus obtained was purified by flash column chromatography to obtain Intermediate I-21 (27.6 g, 47%).
합성예 22: 중간체 I-22의 제조Synthesis Example 22: Preparation of Intermediate I-22
질소 환경에서 중간체 I-16(50 g, 131.3 mmol)을 dimethylforamide(DMF) 0.5 L에 녹인 후, 여기에 bis(pinacolato)diboron(50.0 g, 196.9 mmol)와 (1,1'-bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(1.07 g, 1.31 mmol) 그리고 potassium acetate(25.8 g, 262.6 mmol)을 넣고 150 ℃에서 49시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 혼합물을 필터한 후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-22(31.0 g, 50 %)을 얻었다.Bis (pinacolato) diboron (50.0 g, 196.9 mmol) and (1,1'-bis (diphenylphosphine)) were dissolved in 0.5 L of dimethylformamide (DMF) ferrocene dichloropalladium (II) (1.07 g, 1.31 mmol) and potassium acetate (25.8 g, 262.6 mmol) were added and the mixture was refluxed by heating at 150 ° C for 49 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction solution, the mixture was filtered, and then dried in a vacuum oven. The residue thus obtained was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-22 (31.0 g, 50%).
합성예 23: 중간체 I-23의 제조Synthesis Example 23: Preparation of Intermediate I-23
질소 환경에서 중간체 I-19(50 g, 118.8 mmol)을 dimethylforamide(DMF) 0.5 L에 녹인 후, 여기에 bis(pinacolato)diboron(45.3 g, 178.2 mmol)와 (1,1'-bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(0.97 g, 1.19 mmol) 그리고 potassium acetate(23.3 g, 237.6 mmol)을 넣고 150 ℃에서 41시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 혼합물을 필터한 후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-23(28.6 g, 47 %)을 얻었다.Bis (pinacolato) diboron (45.3 g, 178.2 mmol) and (1,1'-bis (diphenylphosphine)) were dissolved in 0.5 L of dimethylformamide (DMF) ferrocene dichloropalladium (II) (0.97 g, 1.19 mmol) and potassium acetate (23.3 g, 237.6 mmol) were added and heated at 150 ° C. for 41 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction solution, the mixture was filtered, and then dried in a vacuum oven. The residue thus obtained was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-23 (28.6 g, 47%).
합성예 24: 중간체 I-24의 제조Synthesis Example 24: Preparation of Intermediate I-24
질소 환경에서 중간체 I-18(30 g, 68.8 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.3 L에 녹인 후, 여기에 1-bromo-4-iodobenzene(29.2 g, 103.1 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0.8 g, 0.69 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(20.3 g, 137.6 mmol)을 넣고 80 ℃에서 8시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-24(13.1 g, 41 %)을 얻었다.Intermediate I-18 (30 g, 68.8 mmol) was dissolved in 0.3 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere and then 1-bromo-4-iodobenzene (29.2 g, 103.1 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium , 0.69 mmol) were added and stirred. Saturated water-saturated potassium carbonate (20.3 g, 137.6 mmol) was added and the mixture was refluxed by heating at 80 ° C for 8 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The thus-obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-24 (13.1 g, 41%).
합성예 25: 중간체 I-25의 제조Synthesis Example 25: Preparation of Intermediate I-25
질소 환경에서 1,3-dibromo-5-chlorobenzene dibenzofuran-4ylboronic acid(100 g, 369.89 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 1.5 L에 녹인 후, 여기에 biphenyl-4-ylboronic acid(183.1 g, 924.7 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(21.4 g, 18.5 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(108.9 g, 739.8 mmol)을 넣고 100 ℃에서 22시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-25(134.2 g, 87 %)을 얻었다.4-boronic acid (183.1 g, 924.7 mmol) was dissolved in 1.5 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (21.4 g, 18.5 mmol) was added thereto and stirred. Saturated water-saturated potassuim carbonate (108.9 g, 739.8 mmol) was added and heated at 100 ° C for 22 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The thus-obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-25 (134.2 g, 87%).
합성예 26: 중간체 I-26의 제조Synthesis Example 26: Preparation of Intermediate I-26
질소 환경에서 중간체 I-25(100 g, 239.8 mmol)을 dimethylforamide(DMF) 1.0 L에 녹인 후, 여기에 bis(pinacolato)diboron(91.4 g, 359.8 mmol)와 (1,1'-bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(1.96 g, 1.19 mmol) 그리고 potassium acetate(47.1 g, 479.6 mmol)을 넣고 150 ℃에서 48시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 혼합물을 필터한 후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-26(53.7 g, 44 %)을 얻었다.Bis (pinacolato) diboron (91.4 g, 359.8 mmol) and (1,1'-bis (diphenylphosphine)) were dissolved in 1.0 L of dimethylformamide (DMF) ferrocene) dichloropalladium (II) (1.96 g, 1.19 mmol) and potassium acetate (47.1 g, 479.6 mmol) were added and the mixture was refluxed by heating at 150 ° C for 48 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction solution, the mixture was filtered, and then dried in a vacuum oven. The residue thus obtained was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-26 (53.7 g, 44%).
합성예 27: 중간체 I-27의 제조Synthesis Example 27: Preparation of Intermediate I-27
질소 환경에서 중간체 I-26(50 g, 98.3 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.5 L에 녹인 후, 여기에 1-bromo-4-chlorobenzene(18.8 g, 98.3 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(3.41 g, 2.95 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(29.0 g, 196.6 mmol)을 넣고 80 ℃에서 16시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-27(42.7 g, 88 %)을 얻었다.Intermediate I-26 (50 g, 98.3 mmol) was dissolved in 0.5 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere and then 1-bromo-4-chlorobenzene (18.8 g, 98.3 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium , 2.95 mmol) were added and stirred. Saturated water-saturated potassuim carbonate (29.0 g, 196.6 mmol) was added and heated at 80 ° C for 16 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain Intermediate I-27 (42.7 g, 88%).
합성예 28: 중간체 I-28의 제조Synthesis Example 28: Preparation of Intermediate I-28
질소 환경에서 중간체 I-27(30 g, 60.8 mmol)을 dimethylforamide(DMF) 0.3 L에 녹인 후, 여기에 bis(pinacolato)diboron(23.2 g, 91.3 mmol)와 (1,1'-bis(diphenylphosphine)ferrocene)dichloropalladium(II)(0.50 g, 0.61 mmol) 그리고 potassium acetate(11.9 g, 121.6 mmol)을 넣고 150 ℃에서 50시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 혼합물을 필터한 후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 I-28(18.5 g, 52 %)을 얻었다.Bis (pinacolato) diboron (23.2 g, 91.3 mmol) and (1,1'-bis (diphenylphosphine)) were dissolved in 0.3 L of dimethylformamide (DMF) ferrocene dichloropalladium (II) (0.50 g, 0.61 mmol) and potassium acetate (11.9 g, 121.6 mmol) were added and heated at 150 ° C for 50 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction solution, the mixture was filtered, and then dried in a vacuum oven. The residue thus obtained was purified by flash column chromatography to obtain intermediate I-28 (18.5 g, 52%).
실시예 1: 화합물 1-7의 제조Example 1: Preparation of compound 1-7
질소 환경에서 중간체 dibiphenyl-4-ylamine(10 g, 31.1 mmol)을 toluene 0.1 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-4(12.2 g, 31.1 mmol), tris(diphenylideneacetone)dipalladium(o)(0.28 g, 0.31 mmol), tris-tert butylphosphine(0.19 g, 0.93 mmol) 그리고 sodium tert-butoxide(3.14 g, 32.7 mmol)을 순차적으로 넣고 100 ℃에서 45시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 1-7(14.8 g, 71 %)을 얻었다.The intermediate dibiphenyl-4-ylamine (10 g, 31.1 mmol) was dissolved in 0.1 L of toluene in a nitrogen atmosphere and the intermediate I-4 (12.2 g, 31.1 mmol) and tris (diphenylideneacetone) dipalladium 0.31 mmol), tris-tert butylphosphine (0.19 g, 0.93 mmol) and sodium tert-butoxide (3.14 g, 32.7 mmol) were successively added thereto and heated at 100 ° C for 45 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 1-7 (14.8 g, 71%).
실시예 2: 화합물 1-20의 제조Example 2: Preparation of Compound 1-20
질소 환경에서 중간체 dibiphenyl-4-ylamine(10 g, 31.1 mmol)을 toluene 0.15 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-5(15.6 g, 31.1 mmol), tris(diphenylideneacetone)dipalladium(o)(0.28 g, 0.31 mmol), tris-tert butylphosphine(0.19 g, 0.93 mmol) 그리고 sodium tert-butoxide(3.14 g, 32.7 mmol)을 순차적으로 넣고 100 ℃에서 40시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 1-20(18.9 g, 82 %)을 얻었다.The intermediate dibiphenyl-4-ylamine (10 g, 31.1 mmol) was dissolved in 0.15 L of toluene in a nitrogen atmosphere and the intermediate I-5 (15.6 g, 31.1 mmol) and tris (diphenylideneacetone) dipalladium 0.31 mmol), tris-tert butylphosphine (0.19 g, 0.93 mmol) and sodium tert-butoxide (3.14 g, 32.7 mmol) were successively added thereto and refluxed by heating at 100 ° C for 40 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 1-20 (18.9 g, 82%).
실시예 3: 화합물 2-1의 제조Example 3: Preparation of Compound 2-1
질소 환경에서 중간체 dibiphenyl-4-ylamine(10 g, 31.1 mmol)을 toluene 0.1 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-9(13.4 g, 31.1 mmol), tris(diphenylideneacetone)dipalladium(o)(0.28 g, 0.31 mmol), tris-tert butylphosphine(0.19 g, 0.93 mmol) 그리고 sodium tert-butoxide(3.14 g, 32.7 mmol)을 순차적으로 넣고 100 ℃에서 45시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 2-1(20.0 g, 90 %)을 얻었다.The intermediate dibiphenyl-4-ylamine (10 g, 31.1 mmol) was dissolved in 0.1 L of toluene in a nitrogen atmosphere and the intermediate I-9 (13.4 g, 31.1 mmol) and tris (diphenylideneacetone) dipalladium 0.31 mmol), tris-tert butylphosphine (0.19 g, 0.93 mmol) and sodium tert-butoxide (3.14 g, 32.7 mmol) were successively added thereto and heated at 100 ° C for 45 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 2-1 (20.0 g, 90%).
실시예 4: 화합물 3-1의 제조Example 4: Preparation of Compound 3-1
질소 환경에서 중간체 dibiphenyl-4-ylamine(10 g, 31.1 mmol)을 toluene 0.15 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-12(16.2 g, 31.1 mmol), tris(diphenylideneacetone)dipalladium(o)(0.28 g, 0.31 mmol), tris-tert butylphosphine(0.19 g, 0.93 mmol) 그리고 sodium tert-butoxide(3.14 g, 32.7 mmol)을 순차적으로 넣고 100 ℃에서 38시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 3-1(20.3 g, 81 %)을 얻었다.The intermediate dibiphenyl-4-ylamine (10 g, 31.1 mmol) was dissolved in 0.15 L of toluene in a nitrogen atmosphere and the intermediate I-12 (16.2 g, 31.1 mmol) and tris (diphenylideneacetone) dipalladium 0.31 mmol), tris-tert butylphosphine (0.19 g, 0.93 mmol) and sodium tert-butoxide (3.14 g, 32.7 mmol) were successively added thereto and heated at 100 ° C for 38 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 3-1 (20.3 g, 81%).
실시예 5: 화합물 4-1의 제조Example 5: Preparation of compound 4-1
질소 환경에서 중간체 dibiphenyl-4-ylamine(10 g, 31.1 mmol)을 toluene 0.1 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-16(11.8 g, 31.1 mmol), tris(diphenylideneacetone)dipalladium(o)(0.28 g, 0.31 mmol), tris-tert butylphosphine(0.19 g, 0.93 mmol) 그리고 sodium tert-butoxide(3.14 g, 32.7 mmol)을 순차적으로 넣고 100 ℃에서 46시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 4-1(15.5 g, 75 %)을 얻었다.(11.8 g, 31.1 mmol) and tris (diphenylideneacetone) dipalladium (o) (0.28 g, 31.1 mmol) were dissolved in 0.1 L of toluene in a nitrogen atmosphere, and then the intermediate dibiphenyl-4-ylamine 0.31 mmol), tris-tert butylphosphine (0.19 g, 0.93 mmol) and sodium tert-butoxide (3.14 g, 32.7 mmol) were successively added and refluxed by heating at 100 ° C for 46 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain compound 4-1 (15.5 g, 75%).
실시예 6: 화합물 5-1의 제조Example 6: Preparation of compound 5-1
질소 환경에서 중간체 dibiphenyl-4-ylamine(10 g, 31.1 mmol)을 toluene 0.1 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-19(13.1 g, 31.1 mmol), tris(diphenylideneacetone)dipalladium(o)(0.28 g, 0.31 mmol), tris-tert butylphosphine(0.19 g, 0.93 mmol) 그리고 sodium tert-butoxide(3.14 g, 32.7 mmol)을 순차적으로 넣고 100 ℃에서 50시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 5-1(18.2 g, 83 %)을 얻었다.Intermediate I-19 (13.1 g, 31.1 mmol) and tris (diphenylideneacetone) dipalladium (0) (0.28 g, 31.1 mmol) were dissolved in 0.1 L of toluene in a nitrogen atmosphere, followed by dissolving the intermediate dibiphenyl- 0.31 mmol), tris-tert-butylphosphine (0.19 g, 0.93 mmol) and sodium tert-butoxide (3.14 g, 32.7 mmol) were successively added and refluxed by heating at 100 ° C for 50 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 5-1 (18.2 g, 83%).
실시예 7: 화합물 6-1의 제조Example 7: Preparation of Compound 6-1
질소 환경에서 중간체 cabazole(10 g, 59.8 mmol)을 toluene 0.1 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-9(25.8 g, 59.8 mmol), tris(diphenylideneacetone)dipalladium(o)(1.64 g, 1.79 mmol), tris-tert butylphosphine(1.45 g, 7.16 mmol) 그리고 sodium tert-butoxide(6.9 g, 71.8 mmol)을 순차적으로 넣고 130 ℃에서 47시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 6-1(28.9 g, 86 %)을 얻었다.Intermediate I-9 (25.8 g, 59.8 mmol) and tris (diphenylideneacetone) dipalladium (o) (1.64 g, 1.79 mmol) were dissolved in 0.1 L of toluene in a nitrogen atmosphere and the intermediate cabazole (10 g, 59.8 mmol) tris-tert butylphosphine (1.45 g, 7.16 mmol) and sodium tert-butoxide (6.9 g, 71.8 mmol) were successively added thereto, followed by heating at 130 ° C for 47 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 6-1 (28.9 g, 86%).
실시예 8: 화합물 7-1의 제조Example 8: Preparation of Compound 7-1
질소 환경에서 중간체 cabazole(10 g, 59.8 mmol)을 toluene 0.1 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-12(31.2 g, 59.8 mmol), tris(diphenylideneacetone)dipalladium(o)(1.64 g, 1.79 mmol), tris-tert butylphosphine(1.45 g, 7.16 mmol) 그리고 sodium tert-butoxide(6.9 g, 71.8 mmol)을 순차적으로 넣고 130 ℃에서 45시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 7-1(34.3 g, 88 %)을 얻었다.The intermediate compound I-12 (31.2 g, 59.8 mmol) and tris (diphenylideneacetone) dipalladium (o) (1.64 g, 1.79 mmol) were dissolved in 0.1 L of toluene in a nitrogen atmosphere, tris-tert butylphosphine (1.45 g, 7.16 mmol) and sodium tert-butoxide (6.9 g, 71.8 mmol) were successively added thereto, and the mixture was refluxed by heating at 130 ° C for 45 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 7-1 (34.3 g, 88%).
실시예 9: 화합물 8-1의 제조Example 9: Preparation of compound 8-1
질소 환경에서 중간체 cabazole(10 g, 59.8 mmol)을 toluene 0.1 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-16(22.8 g, 59.8 mmol), tris(diphenylideneacetone)dipalladium(o)(1.64 g, 1.79 mmol), tris-tert butylphosphine(1.45 g, 7.16 mmol) 그리고 sodium tert-butoxide(6.9 g, 71.8 mmol)을 순차적으로 넣고 130 ℃에서 68시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 8-1(22.9 g, 75 %)을 얻었다.The intermediate compound I-16 (22.8 g, 59.8 mmol) and tris (diphenylideneacetone) dipalladium (o) (1.64 g, 1.79 mmol) were dissolved in 0.1 L of toluene in a nitrogen atmosphere, tris-tert butylphosphine (1.45 g, 7.16 mmol) and sodium tert-butoxide (6.9 g, 71.8 mmol) were successively added thereto, and the mixture was refluxed by heating at 130 ° C for 68 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The thus-obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain Compound 8-1 (22.9 g, 75%).
실시예 10: 화합물 9-3의 제조Example 10: Preparation of compound 9-3
질소 환경에서 중간체 cabazole(10 g, 59.8 mmol)을 toluene 0.1 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-19(25.2 g, 59.8 mmol), tris(diphenylideneacetone)dipalladium(o)(1.64 g, 1.79 mmol), tris-tert butylphosphine(1.45 g, 7.16 mmol) 그리고 sodium tert-butoxide(6.9 g, 71.8 mmol)을 순차적으로 넣고 130 ℃에서 70시간 동안 가열하여 환류시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 9-3(25.7 g, 78 %)을 얻었다.Intermediate I-19 (25.2 g, 59.8 mmol) and tris (diphenylideneacetone) dipalladium (o) (1.64 g, 1.79 mmol) were dissolved in 0.1 L of toluene in a nitrogen atmosphere and the intermediate cabazole (10 g, 59.8 mmol) tris-tert butylphosphine (1.45 g, 7.16 mmol) and sodium tert-butoxide (6.9 g, 71.8 mmol) were successively added thereto, and the mixture was refluxed by heating at 130 ° C for 70 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 9-3 (25.7 g, 78%).
실시예 11: 화합물 10-1의 제조Example 11: Preparation of compound 10-1
질소 환경에서 3-bromo-9-phenyl-9H-carbazole(10 g, 31.0 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.15 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-20(16.2 g, 31.0 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(1.07 g, 0.93 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(9.13 g, 62.0 mmol)을 넣고 80 ℃에서 23시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 10-1(18.0 g, 91 %)을 얻었다.(16.2 g, 31.0 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) were dissolved in 0.15 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere and then 3-bromo-9-phenyl-9H- palladium (1.07 g, 0.93 mmol) were added and stirred. Saturated water-saturated potassuim carbonate (9.13 g, 62.0 mmol) was added and the mixture was refluxed by heating at 80 ° C for 23 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 10-1 (18.0 g, 91%).
실시예 12: 화합물 10-24의 제조Example 12: Preparation of compounds 10-24
질소 환경에서 4-bromodibenzofuran(10 g, 40.5 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.15 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-20(21.1 g, 40.5 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(1.40 g, 1.22 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(11.9 g, 81 mmol)을 넣고 80 ℃에서 18시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 10-24(20.3 g, 89 %)을 얻었다.(21.1 g, 40.5 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium (1.40 g, 1.22 mmol) were dissolved in 0.15 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere and then 4-bromodibenzofuran And the mixture was stirred. Potassium hydroxide (11.9 g, 81 mmol) saturated with water was added and the mixture was refluxed by heating at 80 ° C for 18 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The thus-obtained residue was purified by flash column chromatography to obtain Compound 10-24 (20.3 g, 89%).
실시예 13: 화합물 11-1의 제조Example 13: Preparation of compound 11-1
질소 환경에서 3-bromo-9-phenyl-9H-carbazole(10 g, 31.0 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.1 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-21(19.0 g, 31.0 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(1.07 g, 0.93 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(9.13 g, 62.0 mmol)을 넣고 80 ℃에서 21시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 11-1(21.0 g, 93 %)을 얻었다.(19.0 g, 31.0 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) were dissolved in 0.1 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere and then 3-bromo-9-phenyl-9H- palladium (1.07 g, 0.93 mmol) were added and stirred. Saturated water-saturated potassuim carbonate (9.13 g, 62.0 mmol) was added and the mixture was refluxed by heating at 80 ° C for 21 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 11-1 (21.0 g, 93%).
실시예 14: 화합물 12-1의 제조Example 14: Preparation of compound 12-1
질소 환경에서 3-bromo-9-phenyl-9H-carbazole(10 g, 31.0 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.1 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-22(14.6 g, 31.0 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(1.07 g, 0.93 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(9.13 g, 62.0 mmol)을 넣고 80 ℃에서 26시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 12-1(17.0 g, 93 %)을 얻었다.After dissolving 3-bromo-9-phenyl-9H-carbazole (10 g, 31.0 mmol) in 0.1 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere, 14.6 g (31.0 mmol) of intermediate I- and tetrakis (triphenylphosphine) palladium (1.07 g, 0.93 mmol) were added and stirred. Saturated water-saturated potassuim carbonate (9.13 g, 62.0 mmol) was added and the mixture was refluxed by heating at 80 ° C for 26 hours. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 12-1 (17.0 g, 93%).
실시예 15: 화합물 13-1의 제조Example 15: Preparation of compound 13-1
질소 환경에서 3-bromo-9-phenyl-9H-carbazole(10 g, 31.0 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.1 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-23(15.9 g, 31.0 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(1.07 g, 0.93 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(9.13 g, 62.0 mmol)을 넣고 80 ℃에서 24시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 13-1(17.5 g, 90 %)을 얻었다.23 (15.9 g, 31.0 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) were dissolved in 0.1 L of tetrahydrofuran (THF) in a nitrogen atmosphere and then 3-bromo-9-phenyl-9H- palladium (1.07 g, 0.93 mmol) were added and stirred. Saturated water-saturated potassuim carbonate (9.13 g, 62.0 mmol) was added and heated at 80 ° C for 24 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 13-1 (17.5 g, 90%).
실시예 16: 화합물 14-1의 제조Example 16: Preparation of compound 14-1
질소 환경에서 중간체 I-24(10 g, 21.5 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.1 L에 녹인 후, 여기에 중간체 benzofuran-2-ylboronic acid(3.83 g, 23.6 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0.75 g, 0.65 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(6.33 g, 43 mmol)을 넣고 80 ℃에서 16시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 14-1(9.9 g, 92 %)을 얻었다.2-ylboronic acid (3.83 g, 23.6 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0.75 g, 21.6 mmol) were dissolved in 0.1 L of tetrahydrofuran (THF) , 0.65 mmol) were added and stirred. Saturated water-saturated potassuim carbonate (6.33 g, 43 mmol) was added and heated at 80 ° C for 16 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 14-1 (9.9 g, 92%).
실시예 17: 화합물 15-1의 제조Example 17: Preparation of compound 15-1
질소 환경에서 3-bromo-9-phenyl-9H-carbazole(10 g, 31.0 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.15 L에 녹인 후, 여기에 중간체 I-28(18.1 g, 31.0 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(1.07 g, 0.93 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(9.13 g, 62.0 mmol)을 넣고 80 ℃에서 24시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgSO4로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 화합물 15-1(20.6 g, 91 %)을 얻었다.(10.1 g, 31.0 mmol) was dissolved in 0.15 L of tetrahydrofuran (THF), and then the intermediate I-28 (18.1 g, 31.0 mmol) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium (1.07 g, 0.93 mmol) were added and stirred. Saturated water-saturated potassuim carbonate (9.13 g, 62.0 mmol) was added and heated at 80 ° C for 24 hours to reflux. After completion of the reaction, water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with dichloromethane (DCM), followed by removal of water with anhydrous MgSO 4 , followed by filtration and concentration under reduced pressure. The residue thus obtained was separated and purified by flash column chromatography to obtain Compound 15-1 (20.6 g, 91%).
(Gaussian 툴을 이용한 에너지 준위 계)(Energy level system using Gaussian tool)
슈퍼컴퓨터 GAIA (IBM power 6)를 사용하여 Gaussian 09 방법으로 각 재료의 에너지 준위를 계산하였다. 그 결과는 하기 표 1과 같다. The energy level of each material was calculated by the Gaussian 09 method using a supercomputer GAIA (IBM power 6). The results are shown in Table 1 below.
(NPB)NPHBH2
(NPB)
상기 계산에 사용된 비교예 구조는 하기와 같다.The comparative example structure used for the calculation is as follows.
상기 계산결과에 따르면 비교예에 비해 모두 깊은 HOMO준위를 가지는 것을 알 수 있다. 이는 벤젠기를 중심으로 치환체가 연결되어 나타나는 것으로 유추된다. 또한 아릴아민 보다는 카바졸이 더 깊은 HOMO준위를 가지며, 그 중에서도 카바졸 N위치로 벤젠 치환기가 연결될 경우 더 깊은 HOMO준위를 가짐을 알 수 있다.According to the calculation results, it can be seen that all of the HOMO levels are deeper than those of the comparative example. It is presumed that the substituent is connected to the benzene group. It is also found that the carbazole has a deeper HOMO level than the arylamine, and, in particular, the benzene substituent is connected to the carbazole N position, the HOMO level is deeper.
(유기발광소자의 제조)(Production of organic light emitting device)
실시예 18: 유기발광소자의 제조 (블루 보조층)Example 18: Preparation of organic light emitting device (blue auxiliary layer)
ITO(Indium tinoxide)가 1500 Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정 한 후 진공 증착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극을 양극으로 사용하여 ITO 기판 상부에 4,4'-bis[N-[4-{N,N-bis(3-methylphenyl)amino}-phenyl]-N-phenylamino]biphenyl (DNTPD)를 진공 증착하여 600 Å 두께의 정공 주입층을 형성하였다. 이어서 HT1을 사용하여 진공 증착으로 250 Å 두께의 정공 수송층을 형성하였다. 여기에 보조층으로 실시예 1에서 제조된 화합물 1-7을 사용하여 진공 증착으로 50 Å 두께의 정공 수송층의 보조층을 형성하였다. 상기 정공 수송층 상부에 9,10-di-(2-naphthyl)anthracene(AND)을 호스트로 사용하고 도판트로 2,5,8,11-tetra(tert-butyl)perylene(TBPe)를 3중량%로 도핑하여 진공 증착으로 250 Å 두께의 발광층을 형성하였다. 그 후 상기 발광층 상부에 Alq3를 진공 증착하여 250 Å 두께의 전자 수송층을 형성하였다. 상기 전자 수송층 상부에 LiF 10 Å과 Al 1000 Å을 순차적으로 진공 증착하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제조하였다.Glass substrate coated with ITO (Indium tinoxide) thin film with thickness of 1500 Å was washed with distilled water ultrasonic wave. After the distilled water was washed, the substrate was ultrasonically cleaned with a solvent such as isopropyl alcohol, acetone, or methanol, dried, and transferred to a plasma cleaner. Then, the substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then the substrate was transferred to a vacuum evaporator. The prepared ITO transparent electrode was used as an anode to form a 4,4'-bis [N- [4- {N, N-bis (3-methylphenyl) amino} -phenyl] -N-phenylamino] biphenyl ) Was vacuum deposited thereon to form a hole injection layer having a thickness of 600 Å. Then HT1 was used to form a 250 Å thick hole transport layer by vacuum deposition. As an auxiliary layer, Compound 1-7 prepared in Example 1 was used to form an auxiliary layer of a 50 Å thick hole transporting layer by vacuum evaporation. (2-naphthyl) anthracene (AND) was used as a host on top of the hole transport layer and 3, 5 wt% of 2,5,8,11-tetra (tert-butyl) perylene And a 250 Å thick light emitting layer was formed by vacuum deposition. Thereafter, Alq 3 was vacuum deposited on the light emitting layer to form an electron transporting layer 250 Å thick. LiF 10 Å and Al 1000 Å were sequentially vacuum deposited on the electron transport layer to form a cathode, thereby preparing an organic light emitting device.
상기 유기발광소자는 5층의 유기박막층을 가지는 구조로 되어 있으며, 구체적으로 Al (1000 Å) / LiF (10 Å) / Alq3 (250 Å) / EML [AND : TBPe = 97 : 3] (250 Å) / 보조층 (50 Å) / HT1 (250 Å) / DNTPD (600 Å) / ITO (1500 Å)의 구조로 제작하였다.The organic light emitting device has five layers of organic thin film layers. Specifically, the organic light emitting device has a structure of Al (1000 Å) / LiF (10 Å) / Alq3 (250 Å) / EML [AND: TBPe = 97: 3] ) / Auxiliary layer (50 Å) / HT1 (250 Å) / DNTPD (600 Å) / ITO (1500 Å).
실시 예 19Example 19
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 실시예 2를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 18, except that Example 2 was used instead of Example 1.
실시 예 20Example 20
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 실시예 3을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 18, except that Example 3 was used instead of Example 1.
실시 예 21Example 21
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 실시예 4를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 18, except that Example 4 was used instead of Example 1.
실시 예 22Example 22
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 실시예 5를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 18, except that Example 5 was used instead of Example 1.
실시 예 23Example 23
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 실시예 6을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 18, except that Example 6 was used instead of Example 1.
실시 예 24Example 24
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 실시예 7을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 18, except that Example 7 was used instead of Example 1.
실시 예 25Example 25
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 실시예 8을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 18, except that Example 8 was used instead of Example 1.
실시 예 26Example 26
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 실시예 9를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 18, except that Example 9 was used instead of Example 1.
실시 예 27Example 27
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 실시예 10을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 18, except that Example 10 was used instead of Example 1.
실시 예 28Example 28
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 실시예 11을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 18, except that Example 11 was used instead of Example 1.
실시 예 29Example 29
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 실시예 12를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 18, except that Example 12 was used instead of Example 1.
실시 예 30Example 30
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 실시예 13을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 18, except that Example 13 was used instead of Example 1.
실시 예 31Example 31
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 실시예 14를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 18, except that Example 14 was used instead of Example 1.
실시 예 32Example 32
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 실시예 15를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 18, except that Example 15 was used instead of Example 1.
실시 예 33Example 33
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 실시예 16을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 18, except that Example 16 was used instead of Example 1.
실시 예 34Example 34
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 실시예 17을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Example 18, except that Example 17 was used instead of Example 1.
비교예 1Comparative Example 1
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 NPB를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 상기 NPB의 구조는 하기에 기재되어 있다.In Example 18, an organic light emitting device was manufactured in the same manner except that NPB was used in place of Example 1. The structure of the NPB is described below.
비교예 2Comparative Example 2
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 HT1를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 상기 HT1의 구조는 하기에 기재되어 있다.In Example 18, an organic light emitting device was manufactured in the same manner except that HT1 was used instead of Example 1. The structure of HT1 is described below.
비교예 3Comparative Example 3
상기 실시예 18에서, 실시예 1 대신 HT3를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 상기 HT3의 구조는 하기에 기재되어 있다In Example 18, an organic light emitting device was manufactured in the same manner except that HT3 was used in place of Example 1. The structure of HT3 is described below
상기 유기발광소자 제작에 사용된 DNTPD, AND, TBPe, NPB, HT1 및 HT3의 구조는 하기와 같다.The structures of DNTPD, AND, TBPe, NPB, HT1 and HT3 used for the organic light emitting device are as follows.
(유기발광소자의 성능 측정)(Performance Measurement of Organic Light Emitting Device)
상기 실시예 18 내지 34와 비교예 1 내지 3에서 제조된 각각의 유기발광소자에 대하여 전압에 따른 전류밀도 변화, 휘도변화 및 발광효율을 측정하였다. 구체적인 측정방법은 하기과 같고, 그 결과는 하기 표 2에 나타내었다 For each of the organic light emitting devices manufactured in Examples 18 to 34 and Comparative Examples 1 to 3, the current density change, the luminance change, and the light emitting efficiency were measured according to the voltage. Specific measurement methods are as follows, and the results are shown in Table 2 below
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정(1) Measurement of change in current density with voltage change
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V 까지 상승시키면서 전류-전압계(Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.For the organic light emitting device manufactured, the current flowing through the unit device was measured using a current-voltage meter (Keithley 2400) while raising the voltage from 0 V to 10 V, and the measured current value was divided by the area to obtain the result.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정(2) Measurement of luminance change according to voltage change
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V 까지 상승시키면서 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다. For the organic light-emitting device manufactured, luminance was measured using a luminance meter (Minolta Cs-1000A) while increasing the voltage from 0 V to 10 V, and the result was obtained.
(3) 발광효율 측정(3) Measurement of luminous efficiency
상기(1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도(10 mA/cm2)의 전류 효율(cd/A) 을 계산하였다. The current efficiency (cd / A) at the same current density (10 mA / cm 2) was calculated using the luminance, current density and voltage measured from the above (1) and (2).
At 1000 cd/m2 Half life (h)
At 1000 cd / m 2
상기 표 2의 결과에 따르면 상기 실시예 18 내지 34에서 정공 수송층의 보조층으로 사용된 재료의 경우, 비교예 1 내지 3과 비교했을 때 구동전압이 많이 낮춰짐을 알 수 있다. 이는 블루 호스트의 깊은 HOMO 준위에 적합한 보조층의 역할임을 알 수 있다. 또한 이를 잘 이용할 경우(실시예 21, 25, 28, 30) 고효율 장수명의 소자도 만들 수 있다. 이를 바탕으로 우수한 정공 주입 및 정공 전달 능력을 가지는 저전압, 고효율, 고휘도, 장수명의 유기발광소자를 제작할 수 있었다.According to the results shown in Table 2, the driving voltage of the material used as the auxiliary layer of the hole transport layer in Examples 18 to 34 was much lower than that of Comparative Examples 1 to 3. It can be seen that this is the role of the auxiliary layer suitable for the deep HOMO level of the blue host. In addition, it is possible to manufacture a device with high efficiency and long life when it is used well (Examples 21, 25, 28 and 30). Based on this, a low voltage, high efficiency, high brightness, long life organic light emitting device having excellent hole injection and hole transporting ability could be manufactured.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims. As will be understood by those skilled in the art. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.
100 : 유기발광소자 110 : 음극
120 : 양극 105 : 유기박막층
130 : 발광층 140 : 정공 수송층
150 : 전자수송층 160 : 전자주입층
170 : 정공주입층 230 : 발광층 + 전자수송층100: organic light emitting device 110: cathode
120: anode 105: organic thin film layer
130: luminescent layer 140: hole transport layer
150: electron transport layer 160: electron injection layer
170: Hole injection layer 230: Emission layer + Electron transport layer
Claims (12)
[화학식 3]
상기 화학식 3에서,
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 하기 화학식 S-2이며,
상기 Ar1 및 Ar2 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 S-2이고,
Ar3 및 Ar4는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
L1 내지 L3은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기이고,
n1 내지 n3는 서로 독립적으로, 0 또는 1의 정수이다:
[화학식 S-2]
상기 화학식 S-2에서,
X3은 -NR'-, -O-, 또는 -S-이고,
R5, R6 및 R'는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 시아노기, C1 내지 C20 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합이다.A compound for an organic optoelectronic device represented by the following Formula 3:
(3)
In Formula 3,
Ar 1 and Ar 2 are, independently of each other, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a group represented by the following formula (S-2)
At least one of the Ar 1 and Ar 2 is the formula S-2,
Ar 3 and Ar 4 are, independently of each other, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group,
L 1 to L 3 independently represent a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group,
n1 to n3 are independently of each other an integer of 0 or 1;
[Formula S-2]
In the above formula (S-2)
X 3 is -NR'-, -O-, or -S-,
R 5 , R 6 and R 'are independently of each other hydrogen, deuterium, cyano, C 1 to C 20 alkyl, C 6 to C 30 aryl, or combinations thereof.
상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 상기 화학식 S-2인 것인 유기광전자소자용 화합물.The method according to claim 1,
Wherein Ar 1 and Ar 2 are, independently of each other, the above-described formula (S-2).
상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 하기 치환기 중 어느 하나인 것인 유기광전자소자용 화합물:
상기 치환기에서,
Ar5 내지 Ar7은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 시아노기, C1 내지 C20 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 이들의 조합이다.The method according to claim 1,
Wherein Ar 1 and Ar 2 are each independently any one of the following substituents:
In this substituent,
Ar 5 to Ar 7 are independently of each other hydrogen, deuterium, cyano group, C1 to C20 alkyl group, C6 to C30 aryl group, or combinations thereof.
상기 L1 내지 L3은 서로 독립적으로, 하기 치환기 중 어느 하나인 것인 유기광전자소자용 화합물:
.The method according to claim 1,
Wherein L < 1 > to L < 3 & gt ; are each independently any one of the following substituents:
.
상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 고리의 수가 복수인 융합된 고리를 가지는, 치환 또는 비치환된 C14 내지 C30 아릴기인 것인 유기광전자소자용 화합물.The method according to claim 1,
Wherein Ar 1 and Ar 2 are independently of each other a substituted or unsubstituted C 14 to C 30 aryl group having a fused ring having a plurality of rings.
상기 Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기 또는 치환 또는 비치환된 페난트레닐기인 것인 유기광전자소자용 화합물.The method according to claim 1,
Wherein Ar 1 and Ar 2 are, independently of each other, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, or a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group.
A compound selected from the group consisting of the following chemical formulas:
상기 유기광전자소자는, 유기광전소자, 유기발광소자, 유기태양전지, 유기트랜지스터, 유기 감광체 드럼 및 유기메모리소자로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 유기광전자소자용 화합물.The method according to claim 1,
Wherein the organic optoelectronic device is any one selected from the group consisting of an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic transistor, an organic photoreceptor drum, and an organic memory device.
상기 유기박막층 중 적어도 어느 한 층은 상기 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 것인 유기발광소자.An organic light emitting device comprising an anode, a cathode, and at least one organic thin film layer interposed between the anode and the cathode,
Wherein at least one of the organic thin film layers comprises the compound for an organic optoelectronic device according to any one of claims 1 to 8.
상기 유기박막층은 발광층, 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인 유기발광소자.10. The method of claim 9,
Wherein the organic thin film layer is any one selected from the group consisting of a light emitting layer, a hole transporting layer, a hole injecting layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer, a hole blocking layer, and combinations thereof.
상기 유기광전자소자용 화합물은 정공주입층 또는 정공수송층 내에 포함되는 것인 유기발광소자.11. The method of claim 10,
Wherein the compound for an organic optoelectronic device is contained in a hole injection layer or a hole transport layer.
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