KR20140086221A - Semiconductor adhesive film for raser dicing and dicing die bonding film comprising the same - Google Patents

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김인환
김철수
송규석
임수미
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Abstract

The present invention relates to an adhesive film for a laser dicing having an elongation percentage below 10% before the hardening of the adhesive film at 0°C. The elongation percentage of the adhesive film at 0°C decreases by 65% at 25°C, and the fracture temperature of the adhesive film ranges from -20 to 0°C. The elongation percentage of the adhesive film is 15-50% when hardened at 100°C for 60 minutes. Moreover, the adhesive film includes a first epoxy resin and a second epoxy resin.

Description

레이저 다이싱용 반도체 접착 필름 및 이를 포함한 다이싱 다이본드 필름{SEMICONDUCTOR ADHESIVE FILM FOR RASER DICING AND DICING DIE BONDING FILM COMPRISING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a semiconductor adhesive film for laser dicing, and a dicing die bond film including the same. BACKGROUND OF THE INVENTION [0002]

본 발명은 레이저 다이싱용 반도체 접착 필름 및 이를 포함하는 다이싱 다이본드 필름에 관한 것이다.
The present invention relates to a semiconductor adhesive film for laser dicing and a dicing die-bonding film comprising the same.

반도체 제조공정에서 회로 설계된 웨이퍼는 다음과 같은 패키징 공정을 거친다. 700 미크론 이상의 두께를 갖는 웨이퍼를 백그라인딩한 후 다이싱 테이프 또는 다이싱 다이본딩 테이프를 라미네이션한 후 큰 직경을 갖는 크기에서 다이싱을 통해 작은 칩들로 분리되고, 분리된 각 칩들은 PCB 기판이나 리드프레임 기판 등의 지지부재에 접착공정을 통해 본딩되는 단계적 공정을 거친다. 즉, 웨이퍼의 박막화(백그라인딩 공정), 웨이퍼 이면에 다이싱테이프 또는 다이싱 다이본딩 테이프를 마운팅하는 공정(마운팅 공정), 마운팅된 웨이퍼를 일정한 크기로 절단하는 공정(다이싱 공정), 다이싱이 완료된 웨이퍼에 자외선를 조사하는 공정(자외선조사 공정), 개별화된 칩 하나하나를 들어올리는 공정(픽업 공정), 들어올린 칩을 지지부재에 접착시키는 공정(다이본딩 공정)으로 이루어진다. The wafers designed for circuits in the semiconductor manufacturing process are subjected to the following packaging process. A wafer having a thickness of 700 microns or more is back-ground and laminated with a dicing tape or a dicing die bonding tape, and then separated into small chips through dicing in a size having a large diameter, And then bonded to a supporting member such as a frame substrate through an adhesive process. That is, a process of mounting a dicing tape or a dicing die bonding tape on the back surface of the wafer (a mounting process), a process of cutting the mounted wafer into a predetermined size (a dicing process), a dicing (Ultraviolet light irradiation step) for irradiating the completed wafer with ultraviolet light, a step (pickup step) for lifting each individual chip, and a step for bonding the lifted chip to the supporting member (die bonding step).

최근에는 다이싱 다이본딩 필름을 사용하는 방식이 증가하고 있는데 이 방식은 필름상의 에폭시를 다이싱 테이프 역할을 하는 필름의 상부 면에 위치시키고 이 다이싱 테이프의 점착제와 필름상 에폭시 사이에서 픽업시켜서 종래의 다이싱과 다이본딩의 두 단계 공정을 한 단계로 줄임으로써 시간적인 측면과 수율적인 측면에서 한층 유리한 방식이다. Recently, there has been an increasing use of dicing die-bonding films, in which an epoxy on a film is placed on the upper surface of a film serving as a dicing tape, picked up between the adhesive on the dicing tape and the epoxy on the film, The dicing and die bonding processes of the present invention can be reduced to one step, which is advantageous in terms of time and yield.

반도체 공정의 다층구조 및 고집적화가 이루어짐에 따라 사용되는 웨이퍼는 점점 더 박막화된다. 50 미크론 이하의 박형 웨이퍼를 사용하게 되면서 다이아몬드 블레이드를 이용한 다이싱 공정은 웨이퍼에 전달되는 압력이 상대적으로 강하게 작용하여 웨이퍼의 절단면외에 크랙을 야기하므로 새로운 칩의 개별화 공정이 필요하게 되었다. 대표적인 예가 레이저 다이싱, 다이싱 비포 그라인딩(DBG, Dicing Before Grinding) 공정이다. 레이저 다이싱은 웨이퍼를 레이저를 이용하여 절단하는 기술로, 그 대표적인 예로 스텔스다이싱이 있으며, 이는 내부에 레이저를 집광시켜 선택적으로 개별부를 형성하고, 그 뒤 -20℃ 내지 0℃ 정도의 저온에서 물리적인 인장을 통하여 선택적 개질부 라인을 따라 웨이퍼와 접착층이 동시에 개별화되는 방법이다. DBG는 700μm이상의 두꺼운 웨이퍼 상태에서 블라이드 혹은 레이저 다이싱을 실시하고 웨이퍼의 뒷면을 그라인딩하는 방법이다. As the multilayer structure and high integration of the semiconductor process are made, the wafers used are becoming thinner and thinner. The use of a thin wafer of 50 microns or less has caused a dicing process using a diamond blade to generate a crack in addition to the cut surface of the wafer due to a relatively strong pressure applied to the wafer, Typical examples are laser dicing and dicing before grinding (DBG). Laser dicing is a technique for cutting a wafer using a laser, and a representative example thereof is stealth dicing. The laser is diced into a laser beam to selectively form individual parts, and then, at a low temperature of about -20 캜 to 0 캜 The wafer and the adhesive layer are simultaneously made to be individualized along the selective reformer line through physical stretching. DBG is a method of grinding the backside of the wafer by performing dicing or laser dicing in a thick wafer state of 700 μm or more.

한편, 대한민국 특허 출원 공개 제2011-0115982호에서는 인장 장력에 의해 적합하게 파단될 수 있는 스텔스다이싱용 혹은 DBG용으로 적합한 다이 본드 필름을 제공한다. 상기 특허는 열경화 전 25℃에서의 다이 본드 필름의 파단 신장률을 40% 초과 500% 이하로 한정하고 있으나, 상기 필름은 상온에서 익스팬딩을 실시하기 위한 용도로 개발되었기 때문에 -20℃ 내지 0℃의 저온에서 물리적인 인장시 웨이퍼와 접착층의 파단이 불충분한 한계가 있다.Korean Patent Application Publication No. 2011-0115982, on the other hand, provides a die-bonding film suitable for stealth dicing or DBG which can be suitably broken by tensile tension. Although the patent discloses that the elongation at break of the die-bonding film at 25 캜 before heat curing is limited to more than 40% and not more than 500%, since the film is developed for expending at room temperature, The fracture of the wafer and the adhesive layer at the time of physical stretching at a low temperature is insufficient.

이에, -20℃ 내지 0℃의 저온의 레이저 다이싱 공정에서 파단시 접착 필름이 부착된 개개의 반도체 칩과 접착 필름이 적합하게 파단되는 레이저 다이싱용 접착 필름의 개발이 요망되고 있다.
Accordingly, it is desired to develop an adhesive film for laser dicing in which individual semiconductor chips and adhesive films each having an adhesive film upon fracture are appropriately broken in a low-temperature laser dicing step at -20 캜 to 0 캜.

대한민국 특허 출원 공개 제2011-0115982호Korean Patent Application Publication No. 2011-0115982

없음none

본 발명의 목적은 -20℃ 내지 0℃에서 반도체 웨이퍼와 접착 필름이 용이하게 파단되는 레이저 다이싱용 접착 필름, 접착 조성물을 제공하는 것이다.
An object of the present invention is to provide an adhesive film and a bonding composition for laser dicing in which a semiconductor wafer and an adhesive film are easily broken at -20 ° C to 0 ° C.

본 발명의 일 양태는, According to an aspect of the present invention,

0℃에서 접착 필름의 경화 전 연신율이 10% 이하임을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 접착 필름에 관한 것이다.And an elongation before curing of the adhesive film is 10% or less at 0 占 폚.

본 발명의 다른 양태는, 비스페놀 F 디글리시딜 에테르계 에폭시 수지를 포함하며, 상기 에폭시 수지가 접착 조성물의 전체 고형 중량을 기준으로 1 내지 20중량%로 함유되는 레이저 다이싱용 접착 조성물에 관한 것이다.Another aspect of the present invention relates to a bonding composition for laser dicing comprising a bisphenol F diglycidyl ether-based epoxy resin, wherein the epoxy resin is contained in an amount of 1 to 20% by weight based on the total solid weight of the adhesive composition .

본 발명의 또 다른 양태는 기재 필름, 점착층 및 본 발명에 따른 접착필름이 순차적으로 적층된 레이저 다이싱용 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다. Another aspect of the present invention relates to a dicing die bonding film for laser dicing in which a base film, an adhesive layer, and an adhesive film according to the present invention are sequentially laminated.

본 발명의 또 다른 양태는 본 발명에 따른 접착 조성물 혹은 필름에 의해 접속된 반도체 장치에 관한 것이다.
Another aspect of the present invention relates to a semiconductor device connected by a bonding composition or film according to the present invention.

본 발명에 따른 접착 필름은 레이저 다이싱 용도로 사용시 -20℃ 내지 0℃에서 반도체 웨이퍼와 접착 필름을 인스팬딩하여 용이하게 파단이 가능한 이점이 있다. The adhesive film according to the present invention has an advantage that it can be easily broken by inserting a semiconductor wafer and an adhesive film at -20 캜 to 0 캜 when used for laser dicing.

본 발명에 따른 접착 필름은 두께가 얇은 칩에 사용시 칩에 쉽게 손상이 가거나 크랙이 생기는 등의 신뢰성 불량 문제를 해소할 수 있다. The adhesive film according to the present invention can solve the reliability problem such as easy damage to the chip or crack when the chip is used for a thin chip.

본 발명에 따른 접착 필름은 속경화 특성으로 인해 칩 접착 후 반드시 거쳐야 하는 반경화 공정을 단축 혹은 생략할 수 있는 이점이 있다.The adhesive film according to the present invention has the advantage of shortening or omitting the semi-curing process that must be performed after bonding the chips due to the fast curing characteristics.

본 발명에 따른 접착 필름은 반경화 공정의 단축 혹은 생략에도 불구하고 보이드 발생이 적어 접속 신뢰성이 우수한 이점이 있다.
The adhesive film according to the present invention is advantageous in that connection reliability is excellent because the occurrence of voids is small in spite of shortening or omission of the semi-curing process.

도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 다이싱 다이본딩 필름의 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 양태에 따른 다이싱 다이본딩 필름을 사용하여 다이싱 공정을 수행하는 상태를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a dicing die-bonding film according to an embodiment of the present invention.
2A to 2C are cross-sectional views illustrating a dicing process using a dicing die-bonding film according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 구체적 양태를 상세히 설명하기로 한다. 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, 각 함량은 고형분 기준이다. Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail. Unless otherwise specified herein, each content is based on solids.

본 발명의 일 양태는, 0℃에서 접착 필름의 경화 전 연신율이 10% 이하임을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 접착 필름에 관한 것이다. 0℃에서 접착 필름의 경화 전 연신율이 10% 이하이면 레이저 다이싱 공정 중 -20℃ 내지 0℃에서 반도체 웨이퍼와 접착 필름을 인스팬딩시 용이한 파단이 가능하다. One aspect of the present invention relates to an adhesive film for laser dicing characterized in that the elongation before curing of the adhesive film is 10% or less at 0 占 폚. If the elongation before curing of the adhesive film at 0 캜 is 10% or less, it is possible to break easily during inserting the semiconductor wafer and the adhesive film at -20 캜 to 0 캜 in the laser dicing process.

0℃에서 접착 필름의 경화 전 연신율은 바람직하게는 1% 내지 9%일 수 있다. The elongation before curing of the adhesive film at 0 占 폚 may preferably be 1% to 9%.

본 발명의 접착 필름에서 0℃에서의 경화 전 연신율(A0)은 25℃에서의 경화 전 연신율(A1) 대비 65% 이상 감소할 수 있다. 0℃에서의 경화 전 연신율이 25℃에서의 경화 전 연신율 대비 65% 이상 감소함으로써 25℃에서의 접착층의 크랙을 방지하여 보관 안정성을 유지하고 레이저 다이싱 공정 중 -20℃ 내지 0℃에서 반도체 웨이퍼와 접착 필름을 인스팬딩시 파단이 용이한 효과가 있다. 상기 연신율 감소율은 (A1-A0)/(A1)×100으로 계산될 수 있다. In the adhesive film of the present invention, the elongation before curing (A 0 ) at 0 ° C may be reduced by 65% or more relative to the elongation before curing (A 1 ) at 25 ° C. The elongation before curing at 0 占 폚 is reduced by 65% or more compared with the elongation before curing at 25 占 폚 so that cracking of the adhesive layer at 25 占 폚 is prevented to maintain the storage stability and at -20 占 폚 to 0 占 폚 during the laser dicing step, And it is easy to break when inserting the adhesive film. The elongation reduction rate may be calculated as (A 1 -A 0 ) / (A 1 ) × 100.

본 발명에서 연신율은 UTM(Universal testing machine)을 이용하여 측정 속도 50mm/mim으로 하여 경화 전의 필름 상태로 측정될 수 있다. In the present invention, the elongation can be measured using a universal testing machine (UTM) at a measurement speed of 50 mm / m < 2 >

본 발명에 따른 접착 필름은 또한 100℃에서 60분간 열처리 시 경화율이 15 내지 50%일 수 있다. 구체적으로, 본 발명에 따른 접착 필름은 또한 100℃에서 60분간 오븐 큐어 후 경화율이 15 내지 50%일 수 있다. 상기 100℃에서 60분간의 오븐 큐어 공정은 칩 접착 후 반경화 공정을 모사한다. 본 발명에서는 상기 오븐 큐어 후 경화율을 15 내지 50%가 되게 하여 와이어 본딩(wire bonding)시 최소한의 모듈러스를 확보함으로써 와이어 본딩시 초기 신뢰성, 즉, 발포성 보이드(void) 발생을 최소화하고자 한다. 또한 본 발명에 따른 접착 필름은 반도체 제조공정(Die attach, mold)에서 발생할 수 있는 보이드(void)를 효과적으로 제거함으로써 공정성과 신뢰성을 높일 수 있다. 또한 본딩 와이어(Bonding Wire)의 Penetration 특성을 요구하는 FOW에도 적용이 가능하며 이 경우엔 Bonding Wire를 접착 필름이 포함해야 하는 동종 칩 접착시 공정성과 신뢰성을 동시에 얻을 수 있다. The adhesive film according to the present invention may also have a curing rate of 15 to 50% when heat-treated at 100 DEG C for 60 minutes. Specifically, the adhesive film according to the present invention may also have a curing rate of 15 to 50% after oven curing at 100 DEG C for 60 minutes. The oven curing process at 100 DEG C for 60 minutes simulates the semi-curing process after chip bonding. In the present invention, the curing rate after the oven cure is set to be 15 to 50% to secure a minimum modulus at the time of wire bonding, thereby minimizing the initial reliability at the time of wire bonding, that is, the generation of foamed voids. Also, the adhesive film according to the present invention can effectively remove voids that may occur in a semiconductor manufacturing process (die attach, mold), thereby improving the processability and reliability. In addition, it can be applied to the FOW requiring the penetration characteristics of the bonding wire. In this case, it is possible to obtain both the fairness and the reliability at the same time when bonding the same kind of bonding wire to the bonding wire.

본 발명에 따른 접착 필름은 제1 에폭시 수지와 제2 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 상기 제1 에폭시 수지는 다관능기 함유 에폭시 수지이고, 상기 제2 에폭시 수지가 비스페놀 F 디글리시딜 에테르계 에폭시 수지일 수 있다. The adhesive film according to the present invention may comprise a first epoxy resin and a second epoxy resin. The first epoxy resin may be a polyfunctional group-containing epoxy resin, and the second epoxy resin may be a bisphenol F diglycidyl ether-based epoxy resin.

상기 다관능기 함유 에폭시 수지는 관능기를 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상 함유하는 에폭시 수지를 의미하며, 예를 들어 국도화학사 YDCN-500-90P와 같은 오소 크레졸 노볼락계 에폭시 수지와 니폰 카야루사의 EPPN-501H와 같은 페놀 노볼락계 에폭시 수지가 사용될 수 있다.The polyfunctional group-containing epoxy resin means an epoxy resin containing two or more, preferably three or more functional groups. Examples of the epoxy resin include an olefinic epoxy resin such as an oleocresol novolac epoxy resin such as YDCN-500-90P, Phenol novolak-type epoxy resin such as EPPN-501H of the above-mentioned formula (1) can be used.

상기 비스페놀 F 디글리시딜 에테르계 에폭시 수지는 바람직하게는 화학식 1을 포함하는 에폭시 수지일 수 있다. The bisphenol F diglycidyl ether-based epoxy resin may preferably be an epoxy resin containing the formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 식에서, R2 내지 R5는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의　사이클로 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합일 수 있다. 구체적으로, R2 내지 R5는 각자 독립적으로 H, C1 -6 알킬, C1 -6 알릴, C1 -6 알콕시, 및 OH로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 보다 구체적으로, R2 내지 R5는 각자 독립적으로 수소 또는 C1 -6 알킬일 수 있다. Wherein R 2 to R 5 may be the same or different from each other and each independently represents hydrogen, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group, a substituted Or an unsubstituted C 3 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C A substituted or unsubstituted C 3 to C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted carbonyl group, a hydroxy group, or a combination thereof. Specifically, R < 2 > To R 5 are each independently H, C 1 -6 alkyl, C 1 -6-allyl, may be selected from the group consisting of C 1 -6 alkoxy, and OH. More specifically, R < 2 > To R 5 may be each independently hydrogen or C 1 -6 alkyl.

본 발명에 따른 접착 필름에 있어서, 상기 제2 에폭시 수지가 접착 필름의 전체 고형 중량을 기준으로 1 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기 제1 에폭시 수지와 상기 제2 에폭시 수지의 고형 중량비는 1.5:1 내지 1:1.5, 바람직하게는 1.2:1 내지 1:1.2일 수 있다.In the adhesive film according to the present invention, the second epoxy resin may be contained in an amount of 1 to 20% by weight based on the total solid weight of the adhesive film. The solid weight ratio of the first epoxy resin and the second epoxy resin may be 1.5: 1 to 1: 1.5, preferably 1.2: 1 to 1: 1.2.

본 발명에 따른 접착 필름은 상기 제1 및 제2 에폭시 수지 외에 엘라스토머 수지, 경화제, 경화촉진제, 실란커플링제 및 충진제를 포함할 수 있다.The adhesive film according to the present invention may contain, in addition to the first and second epoxy resins, an elastomer resin, a curing agent, a curing accelerator, a silane coupling agent and a filler.

상기 경화제는 바람직하게 페놀형 경화제일 수 있다.The curing agent may preferably be a phenol type curing agent.

상기 경화촉진제는 제1 경화촉진제 및 제2 경화촉진제를 포함할 수 있다.The curing accelerator may include a first curing accelerator and a second curing accelerator.

상기 제1 경화촉진제와 상기 제2 경화촉진제는 반응 온도 영역이 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 경화촉진제는 이미다졸계 경화촉진제이고 상기 제2 경화촉진제는 인계 경화촉진제일 수 있다. 본 발명에 따른 접착 필름은 위와 같이 반응 온도 영역이 상이한 2종류의 경화촉진제를 사용함으로써 낮은 반응 온도 구간에서는 다이 접착 후 와이어 본딩시 최소한의 모듈러스를 확보하여 와이어 본딩시 초기 신뢰성, 즉 보이드 발생을 최소화할 수 있다. 나아가, 반도체 제조공정에서 발생할 수 있는 보이드를 잔존 경화율에 의해 후속 공정에서 효과적으로 제거함으로서 공정성과 신뢰성을 높일 수 있다.The first curing accelerator and the second curing accelerator may have different reaction temperature ranges. For example, the first curing accelerator may be an imidazole-based curing accelerator and the second curing accelerator may be a phosphorus-based curing accelerator. In the adhesive film according to the present invention, by using two kinds of curing accelerators having different reaction temperature ranges as mentioned above, it is possible to secure minimum modulus at the time of wire bonding after die bonding at a low reaction temperature interval, thereby minimizing initial reliability, can do. Further, voids that can occur in the semiconductor manufacturing process can be effectively removed in the subsequent process by the residual curing rate, thereby improving the fairness and reliability.

본 발명에 따른 접착 필름에 있어서, 상기 엘라스토머 수지가 접착 조성물의 전체 고형 중량을 기준으로 10 내지 65 중량%, 상기 경화제가 1 내지 10 중량%, 상기 경화촉진제가 0.01 내지 13 중량%, 상기 실란커플링제가 0.01 내지 5 중량% 및 상기 충진제가 10 내지 50 중량%로 포함될 수 있다.The adhesive film according to the present invention is characterized in that the elastomer resin is contained in an amount of 10 to 65% by weight, the curing agent is 1 to 10% by weight, the curing accelerator is 0.01 to 13% by weight based on the total solid weight of the adhesive composition, 0.01 to 5% by weight of a ring agent and 10 to 50% by weight of the filler.

본 발명의 다른 양태는, 비스페놀 F 디글리시딜 에테르계 에폭시 수지를 포함하며, 상기 에폭시 수지가 접착 조성물의 전체 고형 중량을 기준으로 1 내지 20중량%로 함유되는 레이저 다이싱용 접착 조성물에 관한 것이다.Another aspect of the present invention relates to a bonding composition for laser dicing comprising a bisphenol F diglycidyl ether-based epoxy resin, wherein the epoxy resin is contained in an amount of 1 to 20% by weight based on the total solid weight of the adhesive composition .

상기 비스페놀 F 디글리시딜 에테르계 에폭시 수지는 바람직하게는 화학식 1을 포함하는 에폭시 수지일 수 있다. The bisphenol F diglycidyl ether-based epoxy resin may preferably be an epoxy resin containing the formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 식에서, R2 내지 R5는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지C30의 사이클로 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지C30의 아릴기,　치환 또는 비치환된 C3 내지C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지C30의 헤테로사이클알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합일 수 있다. 상기 "치환된"의 의미는 당해 기가 수소, 할로겐원자, 하이드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기 또는 그의 염, 술폰산기 또는 그의 염, 포스페이트기 또는 그의 염, 탄소수 1-20의 알킬기, 탄소수 2-20의 알케닐기, 탄소수 2-20의 알키닐기, 탄소수 1-20의 알콕시기, 탄소수 6-30의 아릴기, 탄소수 6-30의 아릴옥시기, 탄소수 3-30의 사이클로알킬기, 탄소수 3-30의 사이클로알케닐기, 탄소수 3-30의 사이클로알키닐기 또는 이들의 조합으로 하나 이상 치환될 수 있음을 의미한다. 구체적으로, R2 내지 R5는 각자 독립적으로 H, C1 -6 알킬, C1 -6 알릴, C1 -6 알콕시, 및 OH로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 보다 구체적으로, R2 내지 R5는 각자 독립적으로 수소 또는 C1 -6 알킬일 수 있으며, 예를 들어 모두 동일하게 메틸일 수 있다. Wherein R 2 to R 5 may be the same or different from each other and each independently represents hydrogen, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group, a substituted Or an unsubstituted C 3 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C A substituted or unsubstituted C 3 to C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted carbonyl group, a hydroxy group, or a combination thereof. The term "substituted" means that the group is substituted with at least one substituent selected from the group consisting of hydrogen, halogen atom, hydroxyl group, nitro group, cyano group, amino group, azido group, amidino group, hydrazino group, carbonyl group, carbamyl group, A carboxyl group or a salt thereof, a sulfonic acid group or a salt thereof, a phosphate group or a salt thereof, an alkyl group having 1-20 carbon atoms, an alkenyl group having 2-20 carbon atoms, an alkynyl group having 2-20 carbon atoms, an alkoxy group having 1-20 carbon atoms, An aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, a cycloalkenyl group having 3 to 30 carbon atoms, a cycloalkynyl group having 3 to 30 carbon atoms, or a combination thereof. . Specifically, R < 2 > To R 5 are each independently H, C 1 -6 alkyl, C 1 -6-allyl, may be selected from the group consisting of C 1 -6 alkoxy, and OH. More specifically, R < 2 > To R 5 may be each independently may be hydrogen or C 1 -6 alkyl, such as methyl equally both.

본 발명에 따른 레이저 다이싱용 접착 조성물은 다관능기 함유 에폭시 수지를 추가로 포함할 수 있다.The adhesive composition for laser dicing according to the present invention may further comprise a polyfunctional group-containing epoxy resin.

상기 다관능기 함유 에폭시 수지는 관능기를 2개 이상, 특히 3개 이상 함유하는 에폭시 수지를 의미하며, 예를 들어 국도화학사 YDCN-500-90P와 같은 오소 크레졸 노볼락계 에폭시 수지와 니폰 카야루사의 EPPN-501H와 같은 페놀 노볼락계 에폭시 수지가 사용될 수 있다.The polyfunctional group-containing epoxy resin means an epoxy resin containing two or more, in particular three or more, functional groups, and examples thereof include olecresol novolac epoxy resin such as YDCN-500-90P and EPPN of Nippon Kayaku Co., Phenol novolac-type epoxy resin such as -501H can be used.

본 발명에 따른 접착 조성물에 있어서 상기 제2 에폭시 수지는 접착 조성물의 전체 고형 중량을 기준으로 1 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기 다관능기 함유 에폭시 수지와 상기 비스페놀 F 디글리시딜 에테르계 에폭시 수지의 고형 중량비는 1.5:1 내지 1:1.5, 바람직하게는 1.2:1 내지 1:1.2일 수 있다.In the adhesive composition according to the present invention, the second epoxy resin may be contained in an amount of 1 to 20% by weight based on the total solid weight of the adhesive composition. The solid weight ratio of the polyfunctional group-containing epoxy resin to the bisphenol F diglycidyl ether-based epoxy resin may be 1.5: 1 to 1: 1.5, preferably 1.2: 1 to 1: 1.2.

본 발명에 따른 접착 조성물은 상기 에폭시 수지들 외에 엘라스토머 수지, 경화제, 경화촉진제, 실란커플링제 및 충진제를 포함할 수 있다.The adhesive composition according to the present invention may contain an elastomer resin, a curing agent, a curing accelerator, a silane coupling agent and a filler in addition to the above epoxy resins.

상기 경화제는 바람직하게 페놀형 경화제일 수 있다.The curing agent may preferably be a phenol type curing agent.

상기 경화촉진제는 제1 경화촉진제 및 제2 경화촉진제를 포함할 수 있다.The curing accelerator may include a first curing accelerator and a second curing accelerator.

상기 제1 경화촉진제와 상기 제2 경화촉진제는 반응 온도 영역이 상이할 수 있다. 상기 제1 경화촉진제의 경화 활성 온도는 상기 제2 경화촉진제의 경화 활성 온도보다 높거나 낮을 수 있다. 예를 들어, 제1 경화촉진제는 이미다졸계 경화촉진제이고 상기 제2 경화촉진제는 인계 경화촉진제일 수 있다. 본 발명에 따른 접착 필름은 위와 같이 반응 온도 영역이 상이한 2종류의 경화촉진제를 사용함으로써 낮은 반응 온도 구간에서는 다이 접착 후 와이어 본딩시 최소한의 모듈러스를 확보하여 와이어 본딩시 초기 신뢰성, 즉 발포성 보이드 발생을 최소화할 수 있다. 나아가, 반도체 제조공정에서 발생할 수 있는 보이드를 잔존 경화율에 의해 후속 공정에서 효과적으로 제거함으로서 공정성과 신뢰성을 높일 수 있다.The first curing accelerator and the second curing accelerator may have different reaction temperature ranges. The curing activation temperature of the first curing accelerator may be higher or lower than the curing activation temperature of the second curing accelerator. For example, the first curing accelerator may be an imidazole-based curing accelerator and the second curing accelerator may be a phosphorus-based curing accelerator. In the adhesive film according to the present invention, two types of curing accelerators having different reaction temperature ranges are used as described above. Thus, at a low reaction temperature range, a minimum modulus is secured at the time of wire bonding after the die bonding so that initial reliability at the time of wire bonding, Can be minimized. Further, voids that can occur in the semiconductor manufacturing process can be effectively removed in the subsequent process by the residual curing rate, thereby improving the fairness and reliability.

본 발명에 따른 접착 조성물에 있어서, 상기 엘라스토머 수지가 접착 조성물의 전체 고형 중량을 기준으로 10 내지 65 중량%, 상기 경화제가 1 내지 10 중량%, 상기 경화촉진제가 0.01 내지 13 중량%, 상기 실란커플링제가 0.01 내지 5 중량% 및 상기 충진제가 10 내지 50 중량%로 포함될 수 있다.In the adhesive composition according to the present invention, the elastomer resin is contained in an amount of 10 to 65% by weight, the curing agent is 1 to 10% by weight, the curing accelerator is 0.01 to 13% by weight based on the total solid weight of the adhesive composition, 0.01 to 5% by weight of a ring agent and 10 to 50% by weight of the filler.

본 발명의 또 다른 양태는 본 발명에 따른 레이저 다이싱용 접착 필름 또는 본 발명에 따른 접착 조성물로 형성된 접착 필름에 의해 접속된 반도체 장치에 관한 것이다.Another aspect of the present invention relates to a semiconductor device connected by an adhesive film for laser dicing according to the present invention or an adhesive film formed from the adhesive composition according to the present invention.

본 발명의 또 다른 양태는, 기재 필름, 점착층 및 본 발명에 다른 접착필름이 순차적으로 적층된 레이저 다이싱용 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다. 또한, 상기 반도체 다이싱 다이본드 필름에 의해 접속된 반도체 장치가 제공된다. Another aspect of the present invention relates to a dicing die bonding film for laser dicing in which a base film, an adhesive layer, and an adhesive film according to the present invention are sequentially laminated. Further, a semiconductor device connected by the semiconductor dicing die-bonding film is provided.

도 1는 본 발명의 일 양태에 따른 다이싱 다이 본딩 필름의 단면도를 나타낸 것이다. 상기 다이싱 다이 본딩 필름은 폴리올레핀 필름 등의 익스팩딩이 가능한 기재 필름(106)에 점착층(104)이 코팅될 수 있고, 상기 점착층 상부에 접착층(102)이 형성될 수 있으며, 상기 접착층(102)을 보호하기 위한 이형필름(101)이 더 존재할 수 있다.1 is a cross-sectional view of a dicing die-bonding film according to an embodiment of the present invention. The dicing die bonding film may be coated with an adhesive layer 104 on an expoppable substrate film 106 such as a polyolefin film or the like and an adhesive layer 102 may be formed on the adhesive layer 102, 102 may be further provided.

기재 필름(106)은 다이싱 시의 절삭성이나 익스팬딩성을 개선하기 위해 복층의 구조를 지녀도 좋다. The base film 106 may have a multi-layer structure in order to improve machinability and expandability at the time of dicing.

기재 필름(106)에 점착층(104)을 형성시키는 방법은 직접 코팅할 수도 있고, 이형필름 등에 코팅한 후에 건조 완료 후 전사방식에 의해 전사시킬 수도 있다. 전자이건 후자이건 점착층(104)을 형성시키는 도포 방법은 균일한 도막층을 형성시킬 있는 것이면 어느 것이든 제한이 없으며 바 코팅, 그라비아 코팅, 콤마 코팅, 리버스 롤 코팅, 어플리케이터 코팅, 스프레이 코팅, 립 코팅 등의 방법을 이용할 수 있다.The method of forming the adhesive layer 104 on the base film 106 may be a direct coating method, a method of coating the release film or the like, and a method of transfer after the completion of drying. The application method for forming the adhesive layer 104, whether it is the former or the latter, is not limited as long as it can form a uniform coating layer. The coating method includes a bar coating, a gravure coating, a comma coating, a reverse roll coating, an applicator coating, Coating or the like can be used.

이하에서는 도 2a 내지 도 2c를 참조하여, 본 발명의 일 양태에 따른 다이싱 다이 본딩 필름을 이용한 다이싱 공정을 설명하도록 한다.Hereinafter, a dicing process using the dicing die-bonding film according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A to 2C.

먼저, 도 2a에 도시된 것과 같이, 이형필름(101)을 박리한 후에 웨이퍼(W)의 후면에 본 발명의 일 양태에 따른 반도체용 다이싱 다이본드 필름을 라미네이션한다.First, as shown in Fig. 2A, after the release film 101 is peeled off, a dicing die-bonding film for semiconductor according to an embodiment of the present invention is laminated on the rear surface of the wafer W. [

다음, 도 2b에 도시된 것과 같이, 웨이퍼(W)를 설계된 회로의 크기대로 자르는 다이싱 공정을 수행한다. 상기 다이싱의 일례로서, 스텔스 다이싱을 할 수 있는데, 스텔스 다이싱은 레이저를 이용하여 웨이퍼 두께의 10 내지 30%를 남기고 개질시키게 되며, 웨이퍼(W)에 접해 있는 접착층(102)에는 어떠한 물리적 작용이 가해지지 않게 된다.Next, as shown in FIG. 2B, a dicing process is performed to cut the wafer W to the size of the designed circuit. As an example of the dicing, stealth dicing can be performed. The stealth dicing is performed by using a laser to modify 10 to 30% of the wafer thickness. The adhesive layer 102, which is in contact with the wafer W, Action is not applied.

다음, 도 2c에 도시된 것과 같이, 익스팬션 장비를 이용하여 웨이퍼(W)를 조각화한다. 이때, 두께 방향으로 개질된 웨이퍼(W), 상기 웨이퍼 하면의 접착층(102), 점착층(104) 및 기재 필름(106)의 횡방향(도면의 가로 방향) 연신을 하게 되면 상기 횡방향 연신력이 웨이퍼(W)에 전달되어 웨이퍼는 개질된 라인을 따라 분단되게 된다. 이때 웨이퍼(W)와 접착층이 동시에 분단되어야 후속의 픽업 공정에 유리한데, 본 발명의 일 양태에 따른 접착 필름은 접착층(102)이 웨이퍼(W)와 동시에 분단되어 우수한 분단 특성을 보인다.Next, as shown in FIG. 2C, the wafer W is fragmented by using an expansion device. At this time, when the film is stretched in the lateral direction (transverse direction in the figure) of the wafer W modified in the thickness direction, the adhesive layer 102 on the lower surface of the wafer, the adhesive layer 104 and the base film 106, Is transferred to the wafer W so that the wafer is divided along the modified line. At this time, the wafer W and the adhesive layer must be divided at the same time, which is advantageous for the subsequent pick-up process. However, the adhesive film according to an embodiment of the present invention is segmented at the same time as the wafer W,

이하, 본 발명에 따른 반도체용 접착 조성물 혹은 필름의 에폭시 수지, 엘라스토머 수지, 경화제, 경화촉진제, 실란커플링제 및 충진제의 각 구성에 대해 상술한다.Hereinafter, each constitution of the epoxy resin, the elastomer resin, the curing agent, the curing accelerator, the silane coupling agent and the filler of the adhesive composition or film for semiconductor according to the present invention will be described in detail.

에폭시 수지Epoxy resin

에폭시 수지는 강한 경화 및 접착 작용을 나타낼 수 있는 강한 가교밀도를 갖는 에폭시 수지가 사용될 수 있다. 에폭시 수지는 바람직하게는 제1 에폭시 수지 및 제2 에폭시 수지를 혼합하여 사용할 수 있다.The epoxy resin may be an epoxy resin having a strong crosslinking density capable of exhibiting strong curing and adhesion. The epoxy resin is preferably a mixture of a first epoxy resin and a second epoxy resin.

상기 제1 에폭시 수지는 다관능기 함유 에폭시 수지일 수 있다. The first epoxy resin may be a polyfunctional group-containing epoxy resin.

상기 다관능기 함유 에폭시 수지는 관능기를 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상 함유하는 에폭시 수지를 의미하며, 예를 들어 국도화학사 YDCN-500-90P와 같은 오소 크레졸 노볼락계 에폭시 수지와 니폰 카야루사의 EPPN-501H와 같은 페놀 노볼락계 에폭시 수지가 사용될 수 있다.The polyfunctional group-containing epoxy resin means an epoxy resin containing two or more, preferably three or more functional groups. Examples of the epoxy resin include an olefinic epoxy resin such as an oleocresol novolac epoxy resin such as YDCN-500-90P, Phenol novolak-type epoxy resin such as EPPN-501H of the above-mentioned formula (1) can be used.

상기 제1 에폭시 수지는 에폭시 수지 전체 100 중량부 기준으로 40 중량% 이상 포함할 수 있다. 제1 에폭시 수지가 40 중량% 미만이면 가교밀도가 낮아 구조체의 내부 결합력이 저하되어 신뢰성의 문제가 야기될 수 있다. The first epoxy resin may include 40 wt% or more based on 100 wt% of the entire epoxy resin. When the amount of the first epoxy resin is less than 40% by weight, the crosslinking density is low and the internal bonding force of the structure is lowered, which may cause reliability problems.

상기 제2 에폭시 수지는 비스페놀 F 디글리시딜 에테르계 에폭시 수지일 수 있다. 상기 에폭시 수지는 바람직하게는 화학식 1을 포함하는 에폭시 수지일 수 있다. The second epoxy resin may be a bisphenol F diglycidyl ether-based epoxy resin. The epoxy resin may preferably be an epoxy resin containing the formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 식에서, R2 내지 R5는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기, 　치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합일 수 있다. 구체적으로, R2 내지 R5는 각자 독립적으로 H, C1 -6 알킬, C1 -6 알릴, C1 -6 알콕시, 및 OH로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 보다 구체적으로, R2 내지 R5는 각자 독립적으로 수소 또는 C1 -6 알킬일 수 있으며, 예를 들어 모두 동일하게 메틸일 수 있다. 상기 제2 에폭시 수지는 에폭시 수지 전체 100 중량부 기준으로 20 내지 60 중량% 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 에폭시 수지는 접착 조성물의 전체 고형 중량을 기준으로 1 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기 제1 에폭시 수지와 상기 제2 에폭시 수지의 고형 중량비는 1.5:1 내지 1:1.5, 바람직하게는 1.2:1 내지 1:1.2일 수 있다.Wherein R 2 to R 5 may be the same or different from each other and each independently represents hydrogen, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group, a substituted Or an unsubstituted C 3 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C A substituted or unsubstituted C 3 to C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted carbonyl group, a hydroxy group, or a combination thereof. Specifically, R < 2 > To R 5 are each independently H, C 1 -6 alkyl, C 1 -6-allyl, may be selected from the group consisting of C 1 -6 alkoxy, and OH. More specifically, R < 2 > To R 5 may be each independently may be hydrogen or C 1 -6 alkyl, such as methyl equally both. The second epoxy resin may include 20 to 60% by weight based on 100 parts by weight of the entire epoxy resin. The second epoxy resin may be contained in an amount of 1 to 20% by weight based on the total solid weight of the adhesive composition. The solid weight ratio of the first epoxy resin and the second epoxy resin may be 1.5: 1 to 1: 1.5, preferably 1.2: 1 to 1: 1.2.

본 발명에 있어서 제2 에폭시 수지를 사용함으로써 레이저 다이싱시 저온 분단율 개선이 가능하게 되었다. 시판되는 제2 에폭시 수지로는 YSLV-80XY와 YSLV-120TE가 있다.In the present invention, by using the second epoxy resin, it is possible to improve the low temperature cutting rate in laser dicing. Commercially available second epoxy resins include YSLV-80XY and YSLV-120TE.

엘라스토머 수지Elastomer resin

접착 조성물을 구성하는 엘라스토머 수지는, 아크릴계 고분자 수지가 사용될 수 있다. 엘라스토머 수지는 고무 성분으로서 수산기, 카르복시기 또는 에폭시기를 함유할 수 있다. 아크릴계 고분자 수지는 중합하는 모노머들을 선정하는 것에 의해 유리전이온도나 분자량 조절이 용이하고 특히 측쇄에 관능기를 도입하기 쉬운 장점이 있다. 모노머로는 아크릴로니트릴, 부틸아크릴레이트, 부틸 메타아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 아크릴산, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 메틸(메타)아크릴레이트, 스티렌 모노머, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 스테아릴메타크릴레이트 등의 모노머들이 공중합에 사용된다.As the elastomer resin constituting the adhesive composition, an acrylic polymer resin may be used. The elastomer resin may contain a hydroxyl group, a carboxyl group or an epoxy group as a rubber component. The acrylic polymer resin has an advantage of easily controlling the glass transition temperature and molecular weight by selecting the monomers to be polymerized, and in particular, introducing a functional group into the side chain. Examples of the monomer include acrylonitrile, butyl acrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, acrylic acid, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, styrene monomer, glycidyl (Meth) acrylate, isooctyl acrylate, stearyl methacrylate and the like are used for copolymerization.

아크릴계 고분자 수지는 에폭시 당량, 유리 전이온도 및 분자량별로 구분되어지 수 있다. 에폭시 당량이 10,000 이하인 나가세 컴텍스의 SG-P3계가 사용될 수 있다. 아크릴계 고분자 수지 또는 엘라스토머의 함량은 접착 조성물 전체 중량에 대해 10 내지 65 중량%일 수 있다. 상기 범위인 것은 필름 형성성 및 신뢰성 유지의 측면에서 유리하다.The acrylic polymer resin can be classified into epoxy equivalent, glass transition temperature and molecular weight. SG-P3 system of Nagase Comptex having an epoxy equivalent of 10,000 or less can be used. The content of the acrylic polymer resin or elastomer may be from 10 to 65% by weight based on the total weight of the adhesive composition. The above range is advantageous in terms of film formability and reliability.

경화제Hardener

본 발명에서 경화제는 페놀형 경화제일 수 있다. 페놀형 경화제는 페놀성 수산기를 1 분자 중에 2개 이상 가지는 화합물로서 흡습시의 내전해부식성이 우수한 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S계 페놀형 경화제 및 페놀 노볼락 수지, 비스페놀 A계 노볼락 수지 또는 크레졸 노볼락, 자일록계, 비페닐계 등의 페놀형 수지를 사용할 수 있다. 페놀형 경화제는 메이와(Meiwa) 화성사의 MEH-7851SS가 적용될 수 있다. In the present invention, the curing agent may be a phenol type curing agent. The phenol type curing agent is a compound having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule, and is preferably a bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S phenol type curing agent and phenol novolak resin, bisphenol A novolak resin or Cresol novolak, xylol type, and biphenyl type resins can be used. The phenol-type curing agent may be MEH-7851SS from Meiwa Chemical Industries, Ltd.

페놀형 경화제의 수산기 페놀형 경화제의 수산기 당량은 100 ~ 600g/개(eq), 보다 유효하게는 170 ~ 300g/[0031] 개(eq) 일 수 있다. 수산기 당량이 100g/개(eq) 미만이면 흡수율이 높고, 리플로우(reflow) 저항성인 내리플로우성이 악화되는 경향이 있고, 600g/개(eq)를 넘으면 유리전이온도가 저하되고 내열성이 악화되는 경향이 있다.The hydroxyl group equivalent of the hydroxyl group-containing curing agent of the phenol-type curing agent may be 100 to 600 g / (eq), more effectively 170 to 300 g / eq. If the hydroxyl group equivalent is less than 100 g / (eq), the water absorption tendency tends to be high and reflow resistance, which is resistant to reflow, tends to deteriorate. When the glass transition temperature is more than 600 g / (eq), the glass transition temperature is lowered and the heat resistance is deteriorated There is a tendency.

페놀형 경화제는 접착 조성물 전체 중량에 대하여 1 ~ 10중량%로 포함될 수 있다. 아민계 경화제가 페놀형 경화제와 함께 포함될 수 있다. 아민계 경화제는 와코 케미컬(Wako chemical) 사의 DDS로 적용될 수 있다. 아민계 경화제는 접착 조성물 전체 중량에 대해 1 내지 10 중량부 포함될 수 있으며, 1 내지 3 중량부 포함될 수 있다. 페놀형페놀형 경화제와 아민계 경화제는 1: 0.2 내지 1 : 0.6 정도 비로 첨가될 수 있다.The phenol-type curing agent may be contained in an amount of 1 to 10% by weight based on the total weight of the adhesive composition. An amine based curing agent may be included with the phenol type curing agent. The amine-based curing agent may be applied as a DDS of Wako chemical. The amine-based curing agent may be included in an amount of 1 to 10 parts by weight based on the total weight of the adhesive composition, and may be included in an amount of 1 to 3 parts by weight. The phenol-type phenol-type curing agent and the amine-type curing agent may be added at a ratio of about 1: 0.2 to 1: 0.6.

실란커플링제Silane coupling agent

실란 커플링제는 조성물 배합시 실리카와 같은 무기물질의 표면과 접착필름의 수지간의 접착력을 증진시키기 위한 접착증진제로서 특별히 제한은 없고 통상적으로 사용되는 실란 커플링제를 사용할 수 있다. 실란 커플링제는 신에츠(Shinetsu) 사의 KBM-403이 적용될 수 있다. 실란 커플링제는 접착 조성물 전체 중량에 대하여 0.01 ~ 5중량% 적용될 수 있으나, 1 내지 3중량부 정도 유효하다.The silane coupling agent is not particularly limited and may be a conventionally used silane coupling agent as an adhesion promoting agent for promoting the adhesion between the surface of an inorganic material such as silica and the resin of the adhesive film when the composition is mixed. The silane coupling agent may be KBM-403 from Shinetsu. The silane coupling agent may be applied in an amount of 0.01 to 5% by weight based on the total weight of the adhesive composition, but is effective in an amount of 1 to 3 parts by weight.

충진제Filler

접착 조성물은 용융점도를 조절하기 위해 충진제를 포함할 수 있다. 충진제는 필요에 따라 무기 또는 유기 충진제를 사용할 수 있으며, 무기 충진제로는 금속성분인 금가루, 은가루, 동분, 니켈을 사용할 수 있고, 비금속성분인 알루미나, 수산화 일미늄, 수산화 마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 실리카, 질화 붕소, 이산화티타늄, 유리, 산화철, 세라믹 등을 사용할 수 있고, 유기 충진제로서는 카본, 고무계 필러, 폴리머계 등을 사용할 수 있다. 충진제의 형상과 크기는 특별히 제한되지 않으나, 구형 실리카가 적용될 수 있으며 500nm ~ 5㎛의 입경을 가질 수 있다, ADMATECH사의 SO-25H와 같은 충진제가 사용될 수 있다. 이때, 충진제는 10 ~ 50 중량%로 적용될 수 있다. The adhesive composition may include a filler to control the melt viscosity. As the inorganic filler, metal powder such as gold powder, silver powder, copper powder, and nickel can be used. As the non-metal component, alumina, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate Silica, magnesium oxide, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, silica, boron nitride, titanium dioxide, glass, iron oxide and ceramics can be used. As the organic filler, carbon, rubber filler, Can be used. The shape and size of the filler are not particularly limited, but spherical silica may be applied and may have a particle size of 500 nm to 5 μm. Fillers such as SO-25H available from ADMATECH may be used. At this time, the filler may be applied in an amount of 10 to 50% by weight.

용매menstruum

상기 접착 조성물은 용매를 추가로 포함할 수 있다. 상기 용매는 반도체용 접착 조성물의 점도를 낮게 하여 필름의 제조가 용이하도록 한다. 구체적으로 톨루엔, 자일렌, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 벤젠, 아세톤, 메틸에틸케톤, 테트라히드로 퓨란, 디메틸포름알데히드, 시클로헥사논 등의 유기용매를 사용할 수 있으며, 반드시 이에 제한되지 않는다. The adhesive composition may further comprise a solvent. The solvent lowers the viscosity of the adhesive composition for semiconductor, thereby facilitating the production of the film. Specifically, organic solvents such as toluene, xylene, propylene glycol monomethyl ether acetate, benzene, acetone, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, dimethyl formaldehyde, cyclohexanone and the like can be used and are not necessarily limited thereto.

본 발명의 다른 관점은 상기 접착 조성물로 형성된 반도체용 접착 필름에 관한 것이다. 본 발명의 조성물을 사용하여 반도체용 접착 필름을 형성하는 데에는 특별한 장치나, 설비가 필요치 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래 알려져 있는 통상의 제조방법을 제한없이 사용하여 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 각 성분을 용매에 용해시킨 후 비즈밀을 이용하여 충분히 혼련시킨 후, 어플리케이터를 이용하여 이형처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름상에 도포하고 100도 오븐에서 10~30분 가열 건조하여 적당한 도막 두께를 가지는 접착필름을 얻을 수 있다. Another aspect of the present invention relates to an adhesive film for semiconductor formed with the above adhesive composition. No special apparatus or equipment is required for forming the adhesive film for semiconductor using the composition of the present invention, and the conventional manufacturing method known in the technical field of the present invention can be manufactured by using without limitation. For example, after dissolving each of the above components in a solvent and kneading sufficiently using a bead mill, the mixture is applied onto a polyethylene terephthalate (PET) film subjected to release treatment using an applicator, and heated in a 100 ° C oven for 10 to 30 minutes And dried to obtain an adhesive film having a suitable film thickness.

다른 구체예에서는 기재 필름, 점착층, 접착층 및 보호 필름(여기서 접착층과 보호 필름이 접착 필름을 형성한다)을 포함하여 구성된 반도체용 다이싱 다이본드 필름이 제공되며, 기재 필름-점착층-접착층-보호 필름의 순서로 적층시켜 이용할 수 있다.Another embodiment provides a dicing die-bonding film for semiconductor comprising a base film, a pressure-sensitive adhesive layer, an adhesive layer, and a protective film (wherein the adhesive layer and the protective film form an adhesive film) And a protective film in this order.

상기 다이싱 다이본드 필름의 두께는 5 내지 200um인 것이 바람직하고, 10 내지 100um인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위에서 충분한 접착력과 경제성의 발란스를 갖는다. 더욱 바람직하게는 15 내지 60um 이다.
The thickness of the dicing die-bonding film is preferably 5 to 200 μm, more preferably 10 to 100 μm. And has a balance of sufficient adhesion and economy in the above range. More preferably 15 to 60 mu m.

본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 더 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시목적을 위한 것이며 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.The present invention may be better understood by the following examples, which are for the purpose of illustrating the invention and are not intended to limit the scope of protection defined by the appended claims.

실시예Example

1.One. 실시예Example 1-4: 접착 조성물 및 접착 필름의 제조 1-4: Preparation of adhesive composition and adhesive film

하기 표 1에 기재된 조성의 엘라스토머, 경화제, 에폭시 수지, 경화촉진제, 실란커플링제, 충진제 등을 메틸에틸케톤 또는 시클로헥사논 등의 용제에 용해시킨 후 비즈밀을 이용하여 충분히 혼련시킨 후, 어플리케이터를 이용하여 이형처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름상에 도포하고 100℃ 오븐에서 10~30분 가열 건조하여 90μm의 도막 두께를 가지는 실시예 1 내지 4의 접착필름을 제조하였다.After an elastomer, a curing agent, an epoxy resin, a curing accelerator, a silane coupling agent, a filler, etc. having the composition shown in the following Table 1 was dissolved in a solvent such as methyl ethyl ketone or cyclohexanone and sufficiently kneaded using a bead mill, (PET) film and heated and dried in an oven at 100 ° C for 10 to 30 minutes to prepare the adhesive films of Examples 1 to 4 having a film thickness of 90 μm.

2.2. 비교예Comparative Example 1-3: 접착 조성물 및 접착 필름의 제조 1-3: Preparation of adhesive composition and adhesive film

상기 실시예 1 내지 4에서 하기 표 1에 기재된 성분을 첨가한 것을 제외하고는 상기 실시예와 동일한 방법을 실시하여 비교예 1 내지 3의 접착 조성물 및 접착 필름을 제조하였다. 상기 실시예 및 비교예에서 사용된 각 성분의 함량 및 사양은 다음 표 1과 같다: The adhesive compositions and the adhesive films of Comparative Examples 1 to 3 were prepared in the same manner as in Examples 1 to 4 except that the components described in the following Table 1 were added. The contents and specifications of each component used in the above Examples and Comparative Examples are shown in the following Table 1:

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 1. 엘라스토머 수지1. Elastomer resin 36.936.9 36.536.5 16.016.0 59.559.5 1515 6262 36.936.9 2. 제1에폭시 수지2. First Epoxy Resin 1010 1010 12.3512.35 6.06.0 2525 1111 2020 3. 제2에폭시 수지3. Second Epoxy Resin 1010 1010 12.3512.35 5.95.9 00 00 00 4. 페놀형 경화제4. Phenol type curing agent 33 33 3.73.7 1.81.8 44 1.51.5 33 5. 제1경화촉진제5. First hardening accelerator 55 0.50.5 6.26.2 3.03.0 0.10.1 33 00 6. 실란커플링제6. Silane coupling agent 1One 1One 1.21.2 0.60.6 1.21.2 0.50.5 1One 7. 제2경화촉진제7. Second curing accelerator 0.10.1 55 6.26.2 3.03.0 6.36.3 22 5.15.1 8. 충진제8. Filler 3434 3434 42.042.0 20.220.2 4242 2020 3434 중합부 합계Total of polymerization parts 100100 100100 100100 100100 100100 100100 100100

1. 엘라스토머 수지 : SG- P3 (제조원: Nagase Chemtex)1. Elastomer resin: SG-P3 (manufactured by Nagase Chemtex)

2. 제 1에폭시 수지 : YDCN-500-90P (제조원: 국도화학)2. First Epoxy Resin: YDCN-500-90P (Kukdo Chemical)

3. 제 2에폭시 수지 : YSLV-80XY (제조원 : 신일철화확)3. Second Epoxy Resin: YSLV-80XY (Manufacturer: Shinil Cheil)

4. 페놀형 경화제 : MEH-7851SS (제조원: Meiwa 화성)4. Phenol type curing agent: MEH-7851SS (manufactured by Meiwa Harmony)

5. 제 1 경화촉진제 : 2P4MZ (제조원: Sikoku chem)5. First curing accelerator: 2P4MZ (manufactured by Sikoku chem)

6. 실란커플링제 : KBM-403 (제조원: Shinetsu)6. Silane coupling agent: KBM-403 (manufactured by Shinetsu)

7. 제 2 경화촉진제 : TTP-K, (제조원: HOKKO)7. Second curing accelerator: TTP-K (manufactured by HOKKO)

8. 충진제: SO-25H, (제조원: ADMATECH)8. Filler: SO-25H, (Manufacturer: ADMATECH)

9. 제조에 사용된 유기용매는 시클로헥사논을 이용하였다. 9. Cyclohexanone was used as the organic solvent used in the preparation.

3. 접착 필름의 물성 평가3. Property evaluation of adhesive film

상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3에 의해 제조된 접착 필름의 물성에 대해서 다음과 같이 평가하고 그 결과를 아래 표 2에 나타내었다. The properties of the adhesive films prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 were evaluated as follows, and the results are shown in Table 2 below.

　 실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 실시예4Example 4 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 비교예3Comparative Example 3 연신율(%)  Elongation (%) 25℃연신율(A1)Elongation at 25 캜 (A 1 ) 4040 4040 3535 5050 5050 5050 6565 연신율 (%) Elongation (%) 0℃연신율(A0)0 ° C Elongation (A 0 ) 55 55 1.51.5 1010 2020 2020 3030 연신 감소율(%) Drawing reduction rate (%) (A1-A0)/(A1)×100(A 1 -A 0 ) / (A 1 ) 100 87.587.5 87.587.5 9595 8080 6060 6060 5353 경화 발열구간(℃)
및 발열량(J/g)Curing heat generation section (℃)
And calorific value (J / g) 0 cycle (C0)
(initial)0 cycle (C 0 )
(initial) 120~185120 ~ 185 100~165100 to 165 70~15570 ~ 155 90~16590 ~ 165 120~185120 ~ 185 100~165100 to 165 70~15570 ~ 155 100100 100100 100100 100100 100100 7070 100100 경화 발열구간(℃)
및 발열량(J/g)Curing heat generation section (℃)
And calorific value (J / g) 100℃, 60분
오븐 경화(C1)
(1 cycle)100 ° C, 60 minutes
Oven hardening (C 1 )
(1 cycle) 120~185120 ~ 185 100~165100 to 165 70~15570 ~ 155 90~16590 ~ 165 120~185120 ~ 185 100~165100 to 165 70~15570 ~ 155 3030 5050 2020 3535 3030 5050 8080 경화율(%)Curing rate (%) (C1/C0×100)(C 1 / C 0 x 100) 3030 5050 2020 3535 3030 7070 8080 발포성 void (%)Foaming void (%) 1 cycle1 cycle 0.90.9 3.83.8 1.01.0 1.51.5 0.90.9 3.83.8 2020 1 cycle 후
Mold voidAfter 1 cycle
Mold void mold 후 관찰After mold observation 제거remove 제거remove 제거remove 제거remove 미제거Unremoved 제거remove 미제거Unremoved 1 cycle 후 Mold 후
Die 밀림 발생여부After 1 cycle, after molding
Die jam occurrence mold 후 관찰After mold observation 미발생Not occurring 미발생Not occurring 미발생Not occurring 미발생Not occurring 미발생Not occurring 발생Occur 미발생Not occurring Reflow 후
Die shear(kgf/chip) After Reflow
Die shear (kgf / chip) (최종)(final) 1212 14.314.3 17.817.8 20.120.1 4.04.0 10.310.3 17.817.8 내리플로우 test
(크랙유무)Flow test
(With crack) (최종)(final) 無No 無No 無No 無No 발생Occur 無No 無No

(1) 0℃ 및 25℃에서의 연신율(%): (1) Elongation (%) at 0 占 폚 and 25 占 폚:

제조된 접착 필름을 경화 전의 상태로 UTM(Universal testing machine)을 이용하여 측정 속도 50mm/mim으로 하여 0℃ 및 25℃에서 Tensile elongation을 측정하였다. Tensile elongation was measured at 0 ° C and 25 ° C at a measurement speed of 50 mm / min using a universal testing machine (UTM) before curing.

(2) 0 cycle시의 경화 발열량 및 1 cycle 후의 경화 발열량: 제조된 접착제 필름을 DSC를 이용하여 경화 발열량을 측정하였다(0 cycle시의 경화 발열량(C0). 승온 속도는 10℃/min 이며 0~300℃까지 스캔하였다. 이후 상기 필름을 100℃ 오븐에서 60분간 경화를 실시한 후 DSC를 이용하여 경화 발열량을 측정하였다(1 cycle시의 경화 발열량(C1). 100℃ 오븐에서 60분간 경화 후 경화율을 C1/C0×100으로 계산하였다. (2) Curing heat generation at 0 cycle and curing heat generation after 1 cycle: The cured heat generated by the adhesive film was measured by using DSC (C 0 at 0 cycle) The film was then cured in an oven at 100 ° C for 60 minutes and then the curing calorific value was measured using DSC (the curing calorific value (C 1 ) at the time of one cycle), curing at 100 ° C in an oven for 60 minutes The post-cure rate was calculated as C 1 / C 0 × 100.

(4) 1 cycle 후 Mold 후 void 발생 여부(10% 미만 제거 판정): 제조된 필름을 이산화막으로 코팅되어 있는 두께 100㎛ 웨이퍼에 마운팅한 후에 각각 8㎜ X 8㎜ 크기와 10㎜ X 10㎜ 크기로 자른 후 QDP 페케이지에 2층으로 부착한 후에 각각 100℃ 오븐에서 60분간 경화 및 150℃ 핫 플레이트에서 30분 경화를 실시한 다음 제일모직 EMC(제품명 SG-8500B)를 이용하여 175℃에서 60초간 몰딩한 후에 SAT를 이용하여 void 유무를 검사하여 10%이하일 경우 void 제거로 판정하고 10% 이상일 경우 미제거로 판정하였다. (4) void formation after 1 cycle after molding (less than 10% removal judgment): The manufactured film was mounted on a wafer having a thickness of 100 탆 coated with a diatomaceous membrane, and then a size of 8 mm × 8 mm and a size of 10 mm × 10 mm And then attached to the QDP cake in a two-layer manner. The resultant was then cured in an oven at 100 ° C for 60 minutes and then cured in a hot plate at 150 ° C for 30 minutes. Thereafter, the mixture was heated at 175 ° C and 175 ° C using Cheil Industries EMC (product name: SG-8500B) After the molding for a second, SAT was used to check for voids. When the void was less than 10%, void removal was determined.

(5) 1 cycle 후 Mold 후 Die 밀림 발생여부 : 제조된 필름을 이산화막으로 코팅되어 있는 두께 100um 웨이퍼에 마운팅한 후에 각각 8㎜ X 8㎜ 크기와 10㎜ X 10㎜ 크기로 자른 후 QDP 페케이지에 2층으로 부착한 후에 각각 1 cycle의 semi cure 를 실시한 다음 제일모직 EMC(제품명 SG-8500B)를 이용하여 175℃에서 60초간 몰딩한 후에 SAT를 이용하여 밀림유무를 검사하여 attach 시 위치에서 10% 이상 이탈시 밀림으로 판정하였다.(5) Whether or not the die jam occurred after 1 cycle: The manufactured film was mounted on a 100-μm-thick wafer coated with a diatomaceous film, and then cut into a size of 8 mm × 8 mm and a size of 10 mm × 10 mm, And then semi-cured for 1 cycle each. After molding for 60 seconds at 175 ° C using Cheil Industries EMC (product name: SG-8500B), the presence or absence of shrinkage was checked using SAT. %, It was judged to be jungle.

(6) 다이쉐어 강도(Die Shear Strength): 이산화막으로 코팅되어 있는 두께 530um 웨이퍼를 사용하여 5㎜×5㎜ 크기로 자른 후 접착필름과 함께 60도 조건에서 라미네이션(Lamination)하고 접착부분만 남기고 절단하였다. 10㎜×10㎜ 크기의 알로이42 리드프레임에 5㎜ X 5㎜ 크기인 상부칩을 올려 놓은 후 온도가 120℃인 핫플레이트 위에서 1kgf의 힘으로 1초 동안 눌러서 붙인 뒤에 100℃ oven 60min + 150℃ hot plate 30min cure 실시하여 175℃에서 2hr동안 경화하였다. 상기와 같이 제작된 시험편은 85℃/85RH% 조건 하에서 168시간 흡습 시킨 후 최고온도 260℃의 리플로우를 3회 실시한 후의 다이쉐어 값을 250도에서 측정하여 나타내었다. (6) Die Shear Strength: A 530 mm thick wafer coated with a diatomaceous membrane was cut into a size of 5 mm × 5 mm, laminated at 60 ° C. with the adhesive film, . After placing an upper chip 5 mm x 5 mm in size on a 10 mm x 10 mm Alloy 42 lead frame, press it on a hot plate at 120 ° C for 1 second with a force of 1 kgf, The hot plate was cured for 30 minutes at 175 ° C for 2 hours. The specimens prepared as described above were subjected to reflow at a maximum temperature of 260 占 폚 three times after moisture absorption at a temperature of 85 占 폚 / 85% RH for 168 hours, and the die share value was measured at 250 占 폚.

(7) 발포성 void : 접착 조성물을 잔류 solvent 1% 미만으로 두께 50~60um로 제작하여 슬라이드 glass와 슬라이드 glass 사이에 60℃ 조건에서 라미네이션(Lamination)하고 150℃ hot plate 에서 20분간 방치 후 현미경(배율: x25)으로 촬영후 이미지 분석을 통해 하기 식과 같이 측정 면적 대비 발포성 void의 면적을 수치화 하였다. (7) Foaming void: The adhesive composition was made to have a thickness of 50 to 60 μm with less than 1% residual solvent, laminated at 60 ° C between slide glass and slide glass, left at 150 ° C for 20 minutes on a hot plate, : x25), and the area of the foamable void was measured by the image analysis.

발포성 void 면적비 = (발포성 보이드 면적 / 전체면적) x 100
Foaming void area ratio = (foamable void area / total area) x 100

4.4. 다이싱Dicing 다이본드Die bond 필름 제조 Film manufacturing

(1)(One) 점착층Adhesive layer 제조 Produce

아크릴계 바인더 SR-09184R(제조원: Samwha Chemicals) 90중량%, 이소시아네이트계 경화제 MFA-100(제조원: Asahikasai Chemicals) 8중량%, 광개시제 IC-379(제조원: Ciba Chemicals) 2 중량%을 메틸에틸케톤에 분산시켜 전체 조액의 고형분이 20%가 되도록 투입한 다음, 비즈밀을 이용하여 충분히 혼련시켜 반도체용 점착 조성물을 제조하였다. PET 기재 필름(Toyobo社, TS-002)에 상기 점착 조성물을 도포한 후 건조시켜 점착층을 형성하였다. 8 weight% of an isocyanate curing agent MFA-100 (manufactured by Asahikasai Chemicals) and 2 weight% of a photoinitiator IC-379 (manufactured by Ciba Chemicals) were dispersed in methyl ethyl ketone, 90 weight% of an acrylic binder SR-09184R And the solid content of the total liquid was adjusted to 20%, followed by thorough kneading using a bead mill to prepare a pressure-sensitive adhesive composition for semiconductor. The adhesive composition was coated on a PET base film (Toyobo, TS-002) and then dried to form an adhesive layer.

(2)(2) 다이싱Dicing 다이본드Die bond 필름 제조 Film manufacturing

상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3에서 제조한 접착 필름을 각각 상기 점착층 상에 광폭 코팅하여 점착층 상에 접착층이 형성된 다이싱 다이본드 필름을 형성하였다. Each of the adhesive films prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 was broadly coated on the adhesive layer to form a dicing die-bonding film having an adhesive layer on the adhesive layer.

5.5. 실험예Experimental Example : : 다이싱Dicing 다이본드Die bond 필름의 레이저  Laser of film 다이싱Dicing 물성 평가 Property evaluation

상기 항목 4.(2)에서 제조된 다이싱 다이본드 필름의 물성에 대해 다음 방법으로 평가하고 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.The physical properties of the dicing die-bonding film prepared in the above item 4. (2) were evaluated by the following methods, and the results are shown in Table 3 below.

비교항목Compare 실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 실시예4Example 4 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 비교예3Comparative Example 3 접착제 분단율Adhesive Segmentation Rate 매우양호Very good 매우양호Very good 양호Good 매우양호Very good 불량Bad 불량Bad 불량Bad

(1) 익스팬딩시 분할성: (1) Splitability when expanding:

상기 4.(2)에서 제조된 각각의 다이싱 다이본드 필름을 두께 50㎛의 웨이퍼에 60 ℃에 라미네이션한 후 웨이퍼의 중심부 30㎛을 레이저를 이용해 개질부를 형성하였다. 이때 칩의 크기는 10mm×10㎜로 다이싱하였고 -20℃로 온도를 고정시킨 상태에서 웨이퍼 링 익스팬션을 실시하였다. 익스팬션은 총 12mm을 실시하며 1차로 7mm를 200mm/s로 상승시킨 후 5초간 유지하며 추가로 5mm을 10mm/s의 속도로 상승시켰다. 그 후 필름을 70mW/㎠의 조도를 가진 고압수은등에서 3초간 조사하여 노광량 200mJ/㎠로 조사하였다.Each of the dicing die-bonding films prepared in (4) above was laminated to a wafer having a thickness of 50 탆 at 60 캜, and then a modified portion was formed by laser using a laser beam at a central portion of the wafer. At this time, the chip size was diced to 10 mm × 10 mm, and the wafer ring expansion was carried out at a fixed temperature of -20 ° C. The expansion was performed 12mm in total, and the first 7mm was lifted up to 200mm / s and then held for 5 seconds, and then 5mm was further lifted at a rate of 10mm / s. Thereafter, the film was irradiated for 3 seconds in a high-pressure mercury lamp having an illuminance of 70 mW / cm 2 and irradiated at an exposure dose of 200 mJ / cm 2.

조각화된 웨이퍼 200개를 떼어내어 접착제의 분할이 99%이상 이루어지면 매우 양호, 95%이상 이루어지면 양호, 95% 미만이면 불량으로 상기 [표 3]에 나타내었다.200 pieces of wafers were taken out and the adhesive was divided into 99% or more, very good, 95% or more, and less than 95%, respectively.

상기 표 3의 결과에서 확인할 수 있는 바와 같이 실시예 1 내지 4의 접착 필름은 기재필름의 0℃에서의 연신율이 10% 이하로 -20℃ 내지 0℃에서 레이저 다이싱시 접착층의 양호한 분단이 나타나는 반면, 비교예 1 내지 3의 접착 필름은 0℃에서의 연신율이 10% 초과로 레이저 다이싱시 접착층의 분단이 불량하였다.
As can be seen from the results of Table 3, the adhesive films of Examples 1 to 4 exhibited good elongation of the adhesive layer during laser dicing at an elongation at 0 ° C of 10% or less at -20 ° C to 0 ° C On the other hand, in the adhesive films of Comparative Examples 1 to 3, the elongation at 0 ° C exceeded 10%, and the division of the adhesive layer during laser dicing was poor.

Claims (20)

0℃에서 접착 필름의 경화 전 연신율이 10% 이하임을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 접착 필름.And an elongation before curing of the adhesive film is 10% or less at 0 占 폚. 제1항에 있어서, 상기 접착 필름의 0℃에서의 경화 전 연신율이 25℃에서의 경화 전 연신율 대비 65% 이상 감소하는 레이저 다이싱용 접착 필름. The adhesive film for laser dicing according to claim 1, wherein the elongation before curing at 0 캜 of the adhesive film is reduced by 65% or more compared to the elongation before curing at 25 캜. 제1항에 있어서, 상기 접착 필름의 파단 온도가 -20℃ 내지 0℃인 레이저 다이싱용 접착 필름.The adhesive film for laser dicing according to claim 1, wherein the adhesive film has a breaking temperature of -20 캜 to 0 캜. 제1항에 있어서, 상기 접착 필름이 100℃에서 60분간 경화 시 경화율이 15 내지 50%인 레이저 다이싱용 접착 필름. The adhesive film for laser dicing according to claim 1, wherein the adhesive film has a curing rate of 15 to 50% when cured at 100 占 폚 for 60 minutes. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 접착 필름이 제1 에폭시 수지와 제2 에폭시 수지를 포함하는, 레이저 다이싱용 접착 필름.The adhesive film for laser dicing according to any one of claims 1 to 4, wherein the adhesive film comprises a first epoxy resin and a second epoxy resin. 제5항에 있어서, 상기 제1 에폭시 수지가 다관능기 함유 에폭시 수지이고, 상기 제2 에폭시 수지가 비스페놀 F 디글리시딜 에테르(BISPHENOL F DIGLYCIDYL ETHER)계 에폭시 수지인 레이저 다이싱용 접착 필름.The adhesive film for laser dicing according to claim 5, wherein the first epoxy resin is a polyfunctional group-containing epoxy resin and the second epoxy resin is a bisphenol F diglycidyl ether epoxy resin. 제6항에 있어서, 상기 비스페놀 F 디글리시딜 에테르계 에폭시 수지가 화학식 1을 포함하는 에폭시 수지인, 레이저 다이싱용 접착 필름.
[화학식 1]
Figure pat00004

(상기 식에서, R2 내지 R5는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의　사이클로 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합일 수 있다)The adhesive film for laser dicing according to claim 6, wherein the bisphenol F diglycidyl ether-based epoxy resin is an epoxy resin containing the formula (1).
[Chemical Formula 1]
Figure pat00004

Wherein R 2 to R 5 may be the same or different and are each independently selected from the group consisting of hydrogen, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C 3 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 heterocyclic group, a substituted or unsubstituted C 3 to the heterocyclic group of C 30, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted carbonyl group, a hydroxy group or a combination thereof) 제5항에 있어서, 상기 제2 에폭시 수지가 접착 필름의 전체 고형 중량을 기준으로 1 내지 20 중량%로 포함되는 레이저 다이싱용 접착 필름. The adhesive film for laser dicing according to claim 5, wherein the second epoxy resin is contained in an amount of 1 to 20% by weight based on the total solid weight of the adhesive film. 제5항에 있어서, 상기 제1 에폭시 수지와 상기 제2 에폭시 수지의 고형 중량비가 2:1 내지 1:2인 레이저 다이싱용 접착 필름.6. The adhesive film for laser dicing according to claim 5, wherein the solid weight ratio of the first epoxy resin and the second epoxy resin is from 2: 1 to 1: 2. 비스페놀 F 디글리시딜 에테르계 에폭시 수지를 포함하며, 상기 에폭시 수지가 접착 조성물의 전체 고형 중량을 기준으로 1 내지 20중량%로 함유되는 레이저 다이싱용 접착 조성물.Bisphenol F diglycidyl ether-based epoxy resin, wherein the epoxy resin is contained in an amount of 1 to 20% by weight based on the total solid weight of the adhesive composition. 제10항에 있어서, 상기 에폭시 수지가 화학식 1을 포함하는 에폭시 수지인, 레이저 다이싱용 접착 조성물.
[화학식 1]
Figure pat00005


(상기 식에서, R2 내지 R5는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴기,　치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 헤테로사이클알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합일 수 있다)The adhesive composition for laser dicing according to claim 10, wherein the epoxy resin is an epoxy resin comprising the formula (1).
[Chemical Formula 1]
Figure pat00005


Wherein R 2 to R 5 may be the same or different and are each independently selected from the group consisting of hydrogen, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C 3 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 heterocyclic group, a substituted or unsubstituted C 3 to the heterocyclic group of C 30, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted carbonyl group, a hydroxy group or a combination thereof) 제10항에 있어서, 다관능기 함유 에폭시 수지를 추가로 포함하는 레이저 다이싱용 접착 조성물.The adhesive composition for laser dicing according to claim 10, further comprising a polyfunctional group-containing epoxy resin. 제12항에 있어서, 상기 다관능기 함유 에폭시 수지와 상기 비스페놀 F 디글리시딜 에테르계 에폭시 수지의 고형 중량비가 2:1 내지 1:2인 레이저 다이싱용 접착 조성물.The adhesive composition according to claim 12, wherein a solid weight ratio of the polyfunctional group-containing epoxy resin to the bisphenol F diglycidyl ether-based epoxy resin is from 2: 1 to 1: 2. 제10항 내지 제13항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 접착 조성물이 엘라스토머 수지, 경화제, 경화촉진제, 실란커플링제 및 충진제를 포함하는 레이저 다이싱용 접착 조성물. 14. The adhesive composition for laser dicing according to any one of claims 10 to 13, wherein the adhesive composition comprises an elastomer resin, a curing agent, a curing accelerator, a silane coupling agent and a filler. 제14항에 있어서, 상기 경화제가 페놀형 경화제인 레이저 다이싱용 접착 조성물.15. The adhesive composition for laser dicing according to claim 14, wherein the curing agent is a phenol type curing agent. 제14항에 있어서, 상기 경화촉진제가 제1 경화촉진제 및 제2 경화촉진제를 포함하는 레이저 다이싱용 접착 조성물.15. The adhesive composition for laser dicing according to claim 14, wherein the curing accelerator comprises a first curing accelerator and a second curing accelerator. 제16항에 있어서, 상기 제1 경화촉진제가 이미다졸계 경화촉진제이고 상기 제2 경화촉진제가 인계 경화촉진제인 레이저 다이싱용 접착 조성물.17. The adhesive composition according to claim 16, wherein the first curing accelerator is an imidazole-based curing accelerator and the second curing accelerator is a phosphorus-based curing accelerator. 제14항에 있어서, 상기 엘라스토머 수지가 접착 조성물의 전체 고형 중량을 기준으로 10 내지 65 중량%, 상기 경화제가 1 내지 10 중량%, 상기 경화촉진제가 0.01 내지 13 중량%, 상기 실란커플링제가 0.01 내지 5 중량% 및 상기 충진제가 10 내지 50 중량%인 레이저 다이싱용 접착 조성물.15. The composition of claim 14, wherein the elastomeric resin is present in an amount ranging from 10 to 65% by weight based on the total solids weight of the adhesive composition, from 1 to 10% by weight of the curing agent, from 0.01 to 13% by weight of the curing accelerator, To 5% by weight of the filler and 10 to 50% by weight of the filler. 기재 필름, 점착층 및 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 따른 접착 필름이 순차적으로 적층된 레이저 다이싱용 다이싱 다이본딩 필름.A dicing die-bonding film for laser dicing in which a base film, an adhesive layer, and an adhesive film according to any one of claims 1 to 4 are sequentially laminated. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 따른 레이저 다이싱용 접착 필름 또는 제10항 내지 제13항 중 어느 하나의 항에 따른 접착 조성물로 형성된 접착 필름에 의해 접속된 반도체 장치.A semiconductor device connected by the adhesive film for laser dicing according to any one of claims 1 to 4 or the adhesive film formed by the adhesive composition according to any one of claims 10 to 13.
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