KR20140085112A - 파이렌계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 - Google Patents

파이렌계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 Download PDF

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Abstract

파이렌계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자가 개시된다.

Description

파이렌계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자{Pyrene-based compound and organic light emitting diode comprising the same}
유기 발광 소자용 화합물 및 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자(organic light emitting diode)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
일반적인 유기 발광 소자는 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 캐소드가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 여기에서 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층은 유기화합물로 이루어진 유기 박막들이다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자의 구동 원리는 다음과 같다.
애노드로부터 주입된 정공은 정공 수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자 수송층을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.
신규 구조를 갖는 파이렌계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자를 제공한다.
일 측면에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 파이렌계 화합물이 제공된다:
<화학식 1>
Figure pat00001
상기 화학식 1 중,
E1 및 E2는 서로 독립적으로, -F; -CN; 및 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C60알킬기; 중에서 선택된 전자 끌게기(electron withdrawing group)이고;
A1 고리 및 A2 고리는 서로 독립적으로, C6-C30 방향족 고리이고;
R10은 수소, 중수소, 히드록실기, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기 또는 C6-C60아릴기이고;
R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소; 중수소; -F; -Cl; -Br; -I; -CN; 히드록실기; 니트로기; 아미노기; 아미디노기; 히드라진; 히드라존; 카르복실기나 이의 염; 술폰산기나 이의 염; 인산이나 이의 염; C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C2-C60알케닐기 및 C2-C60알키닐기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CN, 히드록실기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C2-C60알케닐기 및 C2-C60알키닐기; C3-C10시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C2-C60헤테로아릴기, C6-C60아랄킬기, C6-C60아릴옥시기 및 C6-C60아릴싸이오기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CN, 히드록실기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C6-C60아릴기, 적어도 하나의 F로 치환된 C6-C60아릴기 및 C2-C60헤테로아릴기 중 적어도 하나로 치환된 C3-C10시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C2-C60헤테로아릴기, C6-C60아랄킬기, C6-C60아릴옥시기 및 C6-C60아릴싸이오기; -N(Q1)(Q2); 및 -Si(Q3)(Q4)(Q5) (여기서, Q1 내지 Q5는 서로 독립적으로, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C3-C60시클로알킬기, C3-C60시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C2-C60헤테로아릴기, C6-C60아랄킬기, C6-C60아릴옥시기 및 C6-C60아릴싸이오기 중 하나임); 중 적어도 하나이고;
a 내지 d는 서로 독립적으로 1 내지 4의 정수이다.
다른 일 측면에 따르면, 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 발광층을 포함한 유기층;을 포함하고, 상기 유기층이 상기 파이렌계 화합물을 1종 이상 포함한, 유기 발광 소자가 제공한다.
상기 파이렌계 화합물을 포함한 유기 발광 소자 및 유기 발광 장치는 저구동 전압, 고전류 밀도, 우수한 색순도 및 장수명을 가질 수 있다.
도 1은 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
상기 파이렌계 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다:
<화학식 1>
Figure pat00002
상기 화학식 1 중, E1 및 E2는 서로 독립적으로, -F; -CN; 및 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C60알킬기; 중에서 선택된 전자 끌게기(electron withdrawing group)일 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 1 중, E1 및 E2는 모두 -F일 수 있다.
상기 화학식 1 중, A1 고리 및 A2 고리는 서로 독립적으로, C6-C30 방향족 고리일 수 있다. 예를 들어, 상기 A1 고리 및 A2 고리는 서로 독립적으로, 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 안트라센 고리, 플루오렌 고리, 파이렌 고리, 크라이센 고리 또는 페난쓰렌 고리일 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 A1 고리 및 A2 고리가 서로 독립적으로, 벤젠 고리 또는 나프탈렌 고리일 수 있다.
상기 화학식 1 중 R10은 수소, 중수소, 히드록실기, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기 또는 C6-C60아릴기일 수 있다. 예를 들어, 상기 R10은 수소, 중수소, 히드록실기, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C10알킬기, 페닐기, 나프틸기 또는 안트릴기일 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 R10은 수소일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1 중, R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소; 중수소; -F; -Cl; -Br; -I; -CN; 히드록실기; 니트로기; 아미노기; 아미디노기; 히드라진; 히드라존; 카르복실기나 이의 염; 술폰산기나 이의 염; 인산이나 이의 염; C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C2-C60알케닐기 및 C2-C60알키닐기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CN, 히드록실기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C2-C60알케닐기 및 C2-C60알키닐기; C3-C10시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C2-C60헤테로아릴기, C6-C60아랄킬기, C6-C60아릴옥시기 및 C6-C60아릴싸이오기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CN, 히드록실기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C6-C60아릴기, 적어도 하나의 F로 치환된 C6-C60아릴기 및 C2-C60헤테로아릴기 중 적어도 하나로 치환된 C3-C10시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C2-C60헤테로아릴기, C6-C60아랄킬기, C6-C60아릴옥시기 및 C6-C60아릴싸이오기; -N(Q1)(Q2); 및 -Si(Q3)(Q4)(Q5) (여기서, Q1 내지 Q5는 서로 독립적으로, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C3-C60시클로알킬기, C3-C60시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C2-C60헤테로아릴기, C6-C60아랄킬기, C6-C60아릴옥시기 및 C6-C60아릴싸이오기 중 하나임); 중 적어도 하나일 수 있다.
예를 들어, 상기 R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소; 중수소; -F; -Cl; -Br; -I; -CN; 히드록실기; 니트로기; 아미노기; 아미디노기; 히드라진; 히드라존; 카르복실기나 이의 염; 술폰산기나 이의 염; 인산이나 이의 염; C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CN, 히드록실기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 스파이로플루오레닐기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CN, 히드록실기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C10알킬기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C10알콕시기, 페닐기 및 나프틸기, 안트릴기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 스파이로플루오레닐기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 R10 및 R1은 상기 화학식 1 중 A1 고리의 치환기이고, R2는 상기 화학식 1 중 A2 고리의 치환기이다. 상기 R10 및 R1이 수소일 경우, A1 고리는 치환기를 갖지 않는 것이고, R2가 수소이면, 상기 A2 고리는 치환기를 갖지 않는 것이다.
R1은 A1 고리 중 R10이 치환된 위치를 제외한 모든 위치에 치환될 수 있다. R2는 A2 고리의 모든 위치에 치환될 수 있다.
상기 화학식 1 중 a 내지 d는 서로 독립적으로 1 내지 4의 정수이다. 상기 a는 R1의 개수를 나타낸 것으로서, a가 2 이상일 경우, 2 이상의 R1은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 b는 R2의 개수를 나타낸 것으로서, b가 2 이상일 경우, 2 이상의 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 c는 R3의 개수를 나타낸 것으로서, c가 2 이상일 경우, 2 이상의 R3는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 d는 R4의 개수를 나타낸 것으로서, d가 2 이상일 경우, 2 이상의 R4는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중,
Figure pat00003
로 표시되는 제1디아릴아미노기는 하기 구조식 중에서 선택될 수 있다:
Figure pat00004
Figure pat00005
Figure pat00006
Figure pat00007
Figure pat00008
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
Figure pat00013
Figure pat00014
Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00017
Figure pat00018
Figure pat00019
한편, 상기 화학식 1 중,
Figure pat00020
로 표시되는 제2디아릴아미노기 중
Figure pat00021
로 표시되는 제1아릴기는 하기 구조식 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00022
Figure pat00023
Figure pat00024
Figure pat00025
또한, 상기 화학식 1 중,
Figure pat00026
로 표시되는 제2디아릴아미노기 중
Figure pat00027
로 표시되는 제2아릴기는 하기 구조식 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00028
Figure pat00029
Figure pat00030
Figure pat00031
Figure pat00032
Figure pat00033
상기 파이렌계 화합물은, 하기 화합물 1 내지 9 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00034
Figure pat00035
상기 화학식 1 중
Figure pat00036
로 표시되는 제1디아릴아미노기 중 E1 및 E2는 서로 독립적으로, -F; -CN; 또는 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C60알킬기과 같은 전자 끌게기(electron withdrawing group)인 바, 상기 화학식 1로 표시되는 파이렌계 화합물은 상대적으로 단파장인 청색광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 파이렌계 화합물의 톨루엔 중 광발광(PL) 스펙트럼 중 최대 피크는 450 nm 이하일 수 있다. 따라서, 상기 화학식 1로 표시되는 파이렌계 화합물은 우수한 색순도를 갖는 청색광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 파이렌계 화합물을 채용한 유기 발광 소자는, y좌표가 0.1 이하, 예를 들어, 0.09 이하의 색순도를 갖는 청색광을 제공할 수 있는 바, NTSC나 sRGB 규격에 근접한 청색광을 방출할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 중
Figure pat00037
로 표시되는 제2디아릴아미노기는상기 제1디아릴아미노기와는 상이한 구조를 가지므로, 상기 화학식 1로 표시되는 파이렌계 화합물은 비대칭성을 가질 수 있다. 이로써, 상기 화학식 1로 표시되는 파이렌계 화합물을 포함한 막의 비정질성이 증가되므로, 상기 화학식 1로 표시되는 파이렌계 화합물을 포함한 막은 우수한 전기적 안정성을 가질 수 있는 바, 상기 화학식 1로 표시되는 파이렌계 화합물을 채용한 유기 발광 소자는 우수한 수명 특성을 가질 수 있다.
따라서, 상기 화학식 1로 표시되는 파이렌계 화합물을 채용한 유기 발광 소자는 우수한 전기적 특성(저구동 전압, 고전류 밀도, 장수명 등) 및 우수한 색순도를 가질 수 있다.
상기 화학식 1을 갖는 파이렌계 화합물은 공지의 유기 합성 방법을 이용하여 합성될 수 있다. 상기 파이렌계 화합물의 합성 방법은 후술하는 실시예를 참조하여 당업자에게 용이하게 인식될 수 있다.
상기 화학식 1의 파이렌계 화합물 중 1종 이상은 유기 발광 소자의 한 쌍의 전극 사이에 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 파이렌계 화합물 중 1종 이상은 발광층에 사용될 수 있다.
따라서, 제1전극, 상기 제1전극에 대향된 제2전극 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 유기층을 포함하되, 상기 유기층은 상술한 바와 같은 화학식 1로 표시된 파이렌계 화합물을 1종 이상 포함한, 유기 발광 소자가 제공된다.
본 명세서 중 "(유기층이) 파이렌계 화합물을 1종 이상 포함한다"란, "(유기층이) 상기 화학식 1의 범주에 속하는 1종의 파이렌계 화합물 또는 상기 화학식 1의 범주에 속하는 서로 다른 2종 이상의 파이렌계 화합물을 포함할 수 있다"로 해석될 수 있다.
예를 들어, 상기 유기층은 상기 파이렌계 화합물로서, 상기 화합물 3만을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 화합물 3은 상기 유기 발광 소자의 발광층에 존재할 수 있다. 또는, 상기 유기층은 상기 파이렌계 화합물로서, 상기 화합물 3과 화합물 6을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 화합물 3과 화합물 6은 동일한 층에 존재(예를 들면, 상기 화합물 3과 화합물 6 모두 발광층에 존재할 수 있음)하거나, 서로 다른 층에 존재(예를 들면, 상기 화합물 3은 발광층에 존재하고 상기 화합물 6은 정공 수송층에 존재할 수 있음)할 수 있다.
상기 유기층은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층(이하, "H-기능층(H-functional layer)"이라 함), 버퍼층, 전자 저지층, 발광층, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송 기능 및 전자 주입 기능을 동시에 갖는 기능층(이하, "E-기능층(E-functional layer)"이라 함) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 명세서 중 "유기층"은 유기 발광 소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 단일 및/또는 복수의 층을 가리키는 용어이다.
상기 유기층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층에 상기 파이렌계 화합물 중 1종 이상이 포함되어 있을 수 있다.
상기 발광층에 포함된 파이렌계 화합물은 도펀트의 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 상기 파이렌계 화합물은 형광 도펀트의 역할을 할 수 있다. 상기 파이렌계 화합물을 포함한 발광층은 청색광을 방출할 수 있다. 이 때, 상기 발광층은 호스트를 더 포함할 수 있다.
상기 호스트는 상기 호스트로서, 하기 화학식 400으로 표시되는 안트라센계 및 하기 화학식 401로 표시되는 안트라센계 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있다:
<화학식 400>
Figure pat00038
상기 화학식 400 중, Ar111 및 Ar112는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C5-C60아릴렌기이고; 상기 Ar113 내지 Ar116은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C5-C60아릴기이고; g, h, i 및 j는 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 400 중, Ar111 및 Ar112는 페닐렌기, 나프틸렌기, 페난트레닐렌기 또는 파이레닐렌기; 또는 페닐기, 나프틸기 및 안트릴기 중 하나 이상으로 치환된 페닐렌기, 나프틸렌기, 페난트레닐렌기, 플루오레닐기, 또는 파이레닐렌기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 400 중 g, h, i 및 j는 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2일 수 있다.
상기 화학식 400 중, Ar113 내지 Ar116은 서로 독립적으로, 페닐기, 나프틸기 및 안트릴기 중 하나 이상으로 치환된 C1-C10알킬기; 페닐기; 나프틸기; 안트릴기; 파이레닐기; 페난트레닐기; 플루오레닐기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 파이레닐기, 페난트레닐기 및 플루오레닐기 중 하나 이상으로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 파이레닐기, 페난트레닐기 및 플루오레닐기; 및
Figure pat00039
중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 화학식 400으로 표시된 안트라센계 화합물은 하기 화합물들 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00040
Figure pat00041
Figure pat00042
Figure pat00043
Figure pat00044
<화학식 401>
Figure pat00045
상기 화학식 401 중 Ar122 내지 Ar125에 대한 상세한 설명은 상기 화학식 400의 Ar113에 대한 설명을 참조한다.
상기 화학식 401 중 Ar126 및 Ar127은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기 또는 프로필기)일 수 있다.
상기 화학식 401 중 k 및 l은 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있다. 예를 들어, 상기 k 및 l은 0, 1 또는 2일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 401로 표시된 안트라센계 화합물은 하기 화합물들 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00046
상기 화학식 1로 표시되는 파이렌계 화합물을 채용한 유기 발광 소자는 sRGB 규격을 만족하는 청색광을 방출할 수 있는 바, 상기 유기 발광 소자는 대형 풀 컬러 디스플레이(예를 들면, OLED TV 등)에 응용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자(10)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조 및 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
상기 기판(11)으로는, 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.
상기 제1전극(13)은 기판 상부에 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(13)이 애노드일 경우, 정공 주입이 용이하도록 제1전극용 물질은 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1전극(13)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 발광 소자가 대형 디스플레이에 응용될 경우, 상기 제1전극(13)은 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 이용할 수 있다. 또는, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 이용하면, 상기 제1전극(13)을 반사형 전극으로 형성할 수도 있다.
상기 제1전극(13)은 단일층 또는 2 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(13)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1전극(13) 상부로는 유기층(15)이 구비되어 있다.
상기 유기층(15)은 정공 주입층, 정공 수송층, 버퍼층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함할 수 있다.
정공 주입층(HIL)은 상기 제1전극(13) 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
진공 증착법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공 주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 예를 들면, 증착온도 약 100 내지 약 500℃, 진공도 약 10-8 내지 약 10-3torr, 증착 속도 약 0.01 내지 약 100Å/sec의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
스핀 코팅법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000rpm 내지 약 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 주입 물질로는 공지된 정공 주입 물질을 사용할 수 있는데, 공지된 정공 주입 물질로는, 예를 들면, N,N′-디페닐-N,N′-비스-[4-(페닐-m-톨일-아미노)-페닐]-비페닐-4,4′-디아민(N,N′-diphenyl-N,N′-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4′-diamine: DNTPD), 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA [4,4',4''-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine], TDATA, 2-TNATA, Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트))등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00048
Figure pat00049
상기 정공 주입층의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 상기 정공 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승없이 만족스러운 정도의 정공 주입 특성을 얻을 수 있다.
다음으로 상기 정공 주입층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공 수송층(HTL)을 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 팅법에 의하여 정공 수송층을 형성하는 경우, 그 증착 조건 및 코팅조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
정공 수송 물질로는 공지된 정공 수송 재료로는, 예를 들어, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), TCTA(4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)), 알파(α)-NPD 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00050
Figure pat00051
알파(α)-NPD
상기 정공 수송층의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å, 예를 들면 약 100Å 내지 약 1500Å일 수 있다. 상기 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 H-기능성(정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층)에는 상술한 바와 같은 정공 주입층 물질 및 정공 수송층 물질 중에서 1 이상의 물질이 포함될 수 있으며, 상기 H-기능층의 두께는 약 500Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 상기 H-기능층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승없이 만족스러운 정도의 정공 주입 및 수성 특성을 얻을 수 있다.
한편, 상기 정공 주입층, 정공 수송층 및 H-기능층 중 적어도 한 층은 하기 화학식 300으로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 350으로 표시되는 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있다:
<화학식 300>
Figure pat00052
<화학식 350>
Figure pat00053
상기 화학식 300 및 350 중, Ar11, Ar12, Ar21 및 Ar22는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C5-C60아릴렌기이다. 상기 Ar11, Ar12, Ar21 및 Ar22이 치환된 C5-C60아릴렌기일 경우, 치환된 C5-C60아릴렌기의 적어도 하나의 치환기는 중수소; 할로겐 원자; 히드록실기; 시아노기; 니트로기; 아미노기; 아미디노기; 히드라진; 히드라존; 카르복실기나 이의 염; 술폰산기나 이의 염; 인산이나 이의 염; C1-C10알킬기; C1-C10알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트릴기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 이미다졸일기, 이미다졸리닐기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 및 인돌일기; 및 중수소 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기 중 하나 이상으로 치환된 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트릴기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 이미다졸일기, 이미다졸리닐기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 및 인돌일기; 중에서 선택될 수 있다.
상기 Ar11, Ar12, Ar21 및 Ar22은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 펜타레닐렌기, 치환 또는 비치환된 인데닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 치환 또는 비치환된 아줄레닐렌기, 치환 또는 비치환된 헵탈레닐렌기, 치환 또는 비치환된 인다세닐렌기, 치환 또는 비치환된 아세나프틸렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 페나레닐렌기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐렌기, 치환 또는 비치환된 안트릴렌기, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐렌기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐렌기, 치환 또는 비치환된 파이레닐렌기, 치환 또는 비치환된 크라이세닐레닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐렌기, 치환 또는 비치환된 피세닐렌기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐렌기, 치환 또는 비치환된 펜타세닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 헥사세닐렌기일 수 있다.
예를 들어, 상기 Ar11, Ar12, Ar21 및 Ar22은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 치환 또는 비치환된 플루오닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 페난트레닐렌기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 300 중, 상기 e 및 f는 서로 독립적으로 0 내지 5의 정수, 또는 0, 1 또는 2일 수 있다. 예를 들어, 상기 e는 1이고, f는 0일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 300 및 350 중, R51 내지 R58, R61 내지 R69 및 R71 및 R72는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C60시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C5-C60아릴옥시기, 또는 치환 또는 비치환된 C5-C60아릴싸이오기일 수 있다. 예를 들어, 상기 R51 내지 R58, R61 내지 R69 및 R71 및 R72은 서로 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐 원자; 히드록실기; 시아노기; 니트로기; 아미노기; 아미디노기; 히드라진; 히드라존; 카르복실기나 이의 염; 술폰산기나 이의 염; 인산이나 이의 염; C1-C10알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등); C1-C10알콕시기(예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기 등); 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 하나 이상으로 치환된 C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기; 페닐기; 나프틸기; 안트릴기; 플루오레닐기; 파이레닐기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기 중 하나 이상으로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기 및 파이레닐기; 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 300 중, R59는, 페닐기; 나프틸기; 안트릴기; 바이페닐기; 피리딜기; 및 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 및 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기 중 하나 이상으로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 바이페닐기 및 피리딜기; 중 하나일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 300으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 300A로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<화학식 300A>
Figure pat00054
상기 화학식 300A 중, R51, R60, R61 및 R59에 대한 상세한 설명은 상술한 바를 참조한다.
예를 들어, 상기 정공 주입층, 정공 수송층 및 H-기능층 중 적어도 한 층은 하기 화합물 301 내지 320 중 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00055
Figure pat00056
상기 정공 주입층, 정공 수송층 및 H-기능층 중 적어도 하나는, 상술한 바와 같은 공지된 정공 주입 물질, 공지된 정공 수송 물질 및/또는 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 물질 외에, 막의 도전성 등을 향상시키기 위하여 전하-생성 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 전하-생성 물질은 예를 들면, p-도펀트일 수 있다. 상기 p-도펀트는 퀴논 유도체, 금속 산화물 및 시아노기-함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 p-도펀트의 비제한적인 예로는, 테트라사이아노퀴논다이메테인(TCNQ) 및 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라사이아노-1,4-벤조퀴논다이메테인(F4-CTNQ) 등과 같은 퀴논 유도체; 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물; 및 하기 화합물 200 등과 같은 시아노기-함유 화합물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<화합물 200> <F4-TCNQ>
Figure pat00057
Figure pat00058
상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층 또는 상기 H-기능층이 상기 전하-생성 물질을 더 포함할 경우, 상기 전하-생성 물질은 정공 주입층, 상기 정공 수송층 또는 상기 H-기능층 중에 균일하게(homogeneous) 분산되거나, 또는 불균일하게 분포될 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
상기 정공 주입층, 정공 수송층 및 H-기능층 중 적어도 하나와 상기 발광층 사이에는 버퍼층이 개재될 수 있다. 상기 버퍼층은 발광층에서 방출되는 광의 파장에 따른 광학적 공진 거리를 보상하여 효율을 증가시키는 역할을 수 있다. 상기 버퍼층은 공지된 정공 주입 재료, 정공 수송 재료를 포함할 수 있다. 또는, 상기 버퍼층은 버퍼층 하부에 형성된 상기 정공 주입층, 정공 수송층 및 H-기능층에 포함된 물질 중 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
이어서, 정공 수송층, H-기능층 또는 버퍼층 상부에 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층(EML)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 발광층은 상기 파이렌계 화합물을 1종 이상 포함할 수 있다.
상기 발광층에 포함된 상기 파이렌계 화합물은 도펀트(예를 들면, 청색 형광 도펀트)의 역할을 할 수 있다. 이 때, 상기 발광층은 상기 파이렌계 화합물 외에, 호스트를 더 포함할 수 있다.
상기 호스트로서, Alq3, CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), PVK(폴리(n-비닐카바졸)), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센(ADN), TCTA, TPBI(1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), TBADN(3-tert-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), E3, DSA(디스티릴아릴렌), dmCBP(하기 화학식 참조), 하기 화합물 501 내지 509 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00059
Figure pat00060
Figure pat00061
Figure pat00062
Figure pat00063
PVK ADN
Figure pat00064
Figure pat00065
Figure pat00066
Figure pat00067
Figure pat00068
또는, 호스트로서, 상술한 바와 같은 화학식 400으로 표시되는 안트라센계 화합물 및 화학식 401로 표시되는 안트라센계 화합물 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 소자는 청색광을 방출하는 청색 부화소, 녹색광을 방출하는 녹색 부화소 및 적색광을 방출하는 적색 부화소를 포함할 수 있다. 상기 청색 부화소는 청색광을 방출하는 청색 발광층을 포함할 수 있고, 상기 청색 발광층은 상술한 바와 같은 화학식 1로 표시되는 파이렌계 화합물을 포함할 수 있다. 또는 상기 유기 발광 소자는 적색 발광층, 녹색 발광층 및/또는 청색 발광층이 적층되어, 백색광을 방출할 수 있는 등, 다양한 변형예가 가능하다.
한편, 상기 청색 발광층은 청색 도펀트로서 하기 화합물들 추가로 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00069
Figure pat00070
Figure pat00071
Figure pat00072
Figure pat00073
Figure pat00074
DPAVBi
Figure pat00075
TBPe
에를 들어, 상기 적색 부화소의 적색 발광층은 적색 도펀트로서 하기 화합물들 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 상기 적색 도펀트로서, 후술한 DCM 또는 DCJTB를 사용할 수도 있다.
Figure pat00076
Figure pat00077
Figure pat00078
Figure pat00079
또는, 상기 녹색 부화소의 녹색 발광층은 녹색 도펀트로서 하기 화합물들 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또는 녹색 도펀트로서, 하기 C545T를 사용할 수 있다.
Figure pat00080
Figure pat00081
한편, 상기 발광층에 포함될 수 있는 도펀트의 추가예는, 후술하는 바와 같은 착체일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00082
Figure pat00083
Figure pat00084
Figure pat00085
Figure pat00086
Figure pat00087
Figure pat00088
Figure pat00089
Figure pat00090
또한, 상기 발광층에 포함될 수 있는 도펀트의 추가예는 후술하는 바와 같은 Os-착체일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00091
상기 발광층이 호스트 및 도펀트를 포함할 경우, 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부를 기준으로 하여 약 0.01 내지 약 15 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 100Å 내지 약 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.
다음으로 발광층 상부에 전자 수송층(ETL)을 진공증착법, 또는 스핀코팅법, 캐스트법 등의 다양한 방법을 이용하여 형성한다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 전자 수송층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다. 상기 전자 수송층 재료로는 전자주입전극(Cathode)로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 공지의 전자 수송 물질을 이용할 수 있다. 공지의 전자 수송 물질의 예로는, 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, BAlq, 베릴륨 비스(벤조퀴놀리-10-노에이트)(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate: Bebq2), ADN, 화합물 201, 화합물 202 등과 같은 재료를 사용할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00092
Figure pat00093
<화합물 201> <화합물 202>
Figure pat00094
Figure pat00095
Figure pat00096
BCP
상기 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
또는, 상기 전자 수송층은 공지의 전자 수송성 유기 화합물 외에, 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 금속-함유 화합물은 상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체의 비제한적인 예로는, 리튬 퀴놀레이트(Liq) 또는 하기 화합물 203 등을 들 수 있다:
<화합물 203>
Figure pat00097
Figure pat00098
또한 전자 수송층 상부에 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자 주입층(EIL)이 적층될 수 있으며 이는 특별히 재료를 제한하지 않는다.
상기 전자 주입층 형성 재료로는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등과 같은 전자주입층 형성 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
이와 같은 유기층(15) 상부로는 제2전극(17)이 구비되어 있다. 상기 제2전극은 전자 주입 전극인 캐소드(Cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 박막으로 형성하여 반사형, 반투과형 전극 또는 투과형 전극을 얻을 수 있다. 한편, 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 이용한 투과형 전극을 형성할 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다. 상기 유기 발광 소자가 대형 풀 컬러 디스플레이에 응용될 경우, 상기 유기 발광 소자의 제2전극(캐소드)은 반사형 전극일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이상, 상기 유기 발광 소자를 도 1을 참조하여 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 발광층에 인광 도펀트를 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자 수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여, 상기 정공 수송층과 발광층 사이 또는 H-기능층과 발광층 사이에에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 정공 저지층(HBL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 정공 저지층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 될 수 있다. 공지의 정공 저지 재료도 사용할 수 있는데, 이의 예로는, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체 등을 들 수 있다. 예를 들면, 하기와 같은 BCP를 정공 저지층 재료로 사용할 수 있다.
Figure pat00099
상기 정공 저지층의 두께는 약 20Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 30Å 내지 약 300Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다.
상기 유기 발광 소자는 풀 컬러 디스플레이 장치, 램프, 등으로 응용될 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 발광 소자는 풀 컬러 디스플레이 장치일 수 있다.
따라서, 제1부화소, 제2부화소 및 제3부화소를 포함한 기판; 상기 기판의 제1부화소, 제2부화소 및 제3부화소 별로 형성된 복수의 제1전극; 상기 제1전극과 대향되고, 상기 제1부화소, 제2부화소 및 제3부화소에 공통으로 형성된 공통 전극인 제2전극; 상기 제1부화소의 제1전극과 제2전극 사이에 형성되고 제1색광을 방출하는 제1발광층; 상기 제2부화소의 제1전극과 제2전극 사이에 형성되고 제2색광을 방출하는 제2발광층; 및 상기 제3부화소의 제1전극과 제2전극 사이에 형성되고 제3색광을 방출하는 제3발광층;을 포함하고, 상기 제1발광층은 상기 파이렌계 화합물을 1종 이상 포함한, 유기 발광 장치가 제공될 수 있다. 이 때, 상기 제1전극은 투과형 전극 또는 반투과형 전극이고 상기 제2전극은 반사형 전극이거나; 또는 상기 제1전극은 반사형 전극이고 상기 제2전극은 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다.
상기 유기 발광 장치 중 제1색광, 제2색광 및 제3색광의 혼합광은 백색광일 수 있다. 따라서, 상기 유기 발광 장치는 풀 컬러 디스플레이 장치일 수 있다. 상기 제1색광은 청색광일 수 있다. 또한, 상기 제2색광은 녹색광이고, 상기 제3색광은 적색광일 수 있다.
상기 유기 발광 장치의 제1발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 파이렌계 화합물을 포함하는 바, NTSC나 sRGB 규격에 근접한 우수한 색순도(예를 들면, y 색좌표가 1.0 이하임)를 갖는 제1색광(청색광)을 방출할 수 있다. 따라서, 상기 유기 발광 장치는 고품위 대형 TV로 이용될 수 있다.
상기 유기 발광 장치 중 상기 제1전극은 투과형 전극 또는 반투과형 전극이고, 상기 제2전극은 반사형 전극인, 배면 발광형 유기 발광 장치일 수 있다.
또는, 상기 유기 발광 장치 중 상기 제1전극은 반사형 전극이고, 상기 제2전극은 투과형 전극 또는 반투과형 전극인 전면 발광형 유기 발광 장치일 수 있다.
상기 유기 발광 장치는 상기 화학식 1로 표시되는 파이렌계 화합물을 채용함으로써 sRGB 규격에 근접한 우수한 색순도(예를 들면, y 색좌표가 1.0 이하임)를 갖는 청색광을 방출할 수 있으므로, 청색광의 색순도 등의 보완하기 위한 복잡한 공진 구조를 갖지 않을 수 있는 바, 제조 단가 등이 절감될 수 있다.
상기 풀 컬러 디스플레이는 텔레비전(TV), 퍼스널 컴퓨터 모니터, 이동 통신 단말기, MP3 플레이어, 자동자 네비게이션 등으로 응용될 수 있다.
본 명세서 중, 비치환된 C1-C60알킬기(또는 C1-C60알킬기)의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등과 같은 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 알킬기를 들 수 있고, 치환된 C1-C60알킬기는 상기 비치환된 C1-C60알킬기 중 하나 이상의 수소 원자가, 중수소; -F; -Cl; -Br; -I; -CN; 히드록실기; -NO2; 아미노기; 아미디노기; 히드라진; 히드라존; 카르복실기나 이의 염; 술폰산기나 이의 염; 인산이나 이의 염; 트리(C6-C60아릴)실릴기; C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C2-C60알케닐기 및 C2-C60알키닐기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CN, 히드록실기, -NO2, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 하나 이상으로 치환된 C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C2-C60알케닐기 및 C2-C60알키닐기; C3-C60시클로알킬기, C3-C60시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C2-C60헤테로아릴기, C6-C60아랄킬기, C6-C60아릴옥시기 및 C6-C60아릴싸이오기; 및 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CN, 히드록실기, -NO2, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, 적어도 하나의 F로 치환된 C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C6-C60아릴기 및 C2-C60헤테로아릴기 중 하나 이상으로 치환된 C3-C60시클로알킬기, C3-C60시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C2-C60헤테로아릴기, C6-C60아랄킬기, C6-C60아릴옥시기 및 C6-C60아릴싸이오기; 중 하나로 치환된 것이다.
본 명세서 중 비치환된 C1-C60알콕시기(또는 C1-C60알콕시기)는 -OA(단, A는 상술한 바와 같은 비치환된 C1-C60알킬기임)의 화학식을 가지며, 이의 구체적인 예로서, 메톡시, 에톡시, 이소프로필옥시, 등이 있고, 상기 알콕시기 중 적어도 하나 이상의 수소원자는 상술한 치환된 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환 가능하다.
본 명세서 중 비치환된 C2-C60알케닐기(또는 C2-C60알케닐기)는 상기 비치환된 C2-C60알킬기의 중간이나 맨 끝단에 하나 이상의 탄소 이중결합을 함유하고 있는 것을 의미한다. 예로서는 에테닐, 프로페닐, 부테닐 등이 있다. 상기 C2-C60알케닐기 중 적어도 하나 이상의 수소원자는 상술한 치환된 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 명세서 중 비치환된 C2-C60알키닐기(또는 C2-C60알키닐기)는 상기 정의된 바와 같은 C2-C60알킬기의 중간이나 맨 끝단에 하나 이상의 탄소 삼중결합을 함유하고 있는 것을 의미한다. 예로서는 에티닐(ethynyl), 프로피닐(propynyl), 등이 있다. 상기 알키닐기 중 적어도 하나 이상의 수소원자는 상술한 치환된 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 명세서 중 비치환된 C3-C60시클로아릴기는 탄소수 3 내지 60의 환형 포화 탄화수소 1가 그룹을 가리키는 것으로서, 이의 구체예로는 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로옥틸 등을 들 수 있다. 상기 시클로알킬기 중 적어도 하나 이상의 수소원자는 상술한 치환된 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 명세서 중 비치환된 C3-C60시클로알케닐기는 하나 이상의 탄소 이중결합을 갖되, 방향족 고리는 아닌 고리형 불포화 탄화수소기를 가리키는 것으로서, 이의 구체예로는 시클로프로페닐(cyclopropenyl), 시클로부테닐(cyclobutenyl), 시클로펜테닐, 시클로헥세닐, 시클로헵테닐, 1,3-시클로헥사디에닐기, 1,4-시클로헥사디에닐기, 2,4-시클로헵타디에닐기, 1,5-히클로옥타디에닐기 등을 들 수 있다. 상기 시클로알케닐기의 중 적어도 하나 이상의 수소원자는 상술한 치환된 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 명세서 중 비치환된 C6-C60아릴기는 하나 이상의 방향족 고리를 포함하는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 비치환된 C6-C60아릴렌기는 하나 이상의 방향족 고리를 포함하는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 아릴기 및 아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. 상기 아릴기 및 아릴렌기 중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 치환된 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기의 예로는 페닐기, C1-C10알킬페닐기(예를 들면, 에틸페닐기), C1-C10알킬비페닐기(예를 들면, 에틸비페닐기), 할로페닐기(예를 들면, o-, m- 및 p-플루오로페닐기, 디클로로페닐기), 디시아노페닐기, 트리플루오로메톡시페닐기, o-, m-, 및 p-톨일기, o-, m- 및 p-쿠메닐기, 메시틸기, 페녹시페닐기, (α,α-디메틸벤젠)페닐기, (N,N'-디메틸)아미노페닐기, (N,N'-디페닐)아미노페닐기, 펜타레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 할로나프틸기(예를 들면, 플루오로나프틸기), C1-C10알킬나프틸기(예를 들면, 메틸나프틸기), C1-C10알콕시나프틸기(예를 들면, 메톡시나프틸기), 안트라세닐기, 아즈레닐기, 헵타레닐기, 아세나프틸레닐기, 페나레닐기, 플루오레닐기, 안트라퀴놀일기, 메틸안트릴기, 페난트릴기, 트리페닐레닐기, 피레닐기, 크리세닐기, 에틸-크리세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 클로로페릴레닐기, 펜타페닐기, 펜타세닐기, 테트라페닐레닐기, 헥사페닐기, 헥사세닐기, 루비세닐기, 코로네릴기, 트리나프틸레닐기, 헵타페닐기, 헵타세닐기, 피란트레닐기, 오바레닐기 등을 들 수 있으며, 치환된 C6-C60아릴기의 예는 상술한 바와 같은 비치환된 C6-C60아릴기의 예와 상기 치환된 C1-C60알킬기의 치환기를 참조하여 용이하게 인식할 수 있다. 상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기의 예는 상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기의 예를 참조하여 용이하게 인식될 수 있다.
본 명세서 중 비치환된 C2-C60헤테로아릴기는 N, O, P 또는 S 중에서 선택된 1 개 이상의 헤테로원자를 환-형성 원자로서 포함하고 나머지 고리원자가 C인 하나 이상의 방향족 고리로 이루어진 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기는 N, O, P 또는 S 중에서 선택된 1 개 이상의 헤테로원자를 포함하고 나머지 고리원자가 C인 하나 이상의 방향족 고리로 이루어진 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 여기서, 상기 헤테로아릴기 및 헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리는 서로 융합될 수 있다. 상기 헤테로아릴기 및 헤테로아릴렌기 중 하나 이상의 수소원자는 상술한 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
상기 비치환된 C2-C60헤테로아릴기의 예에는, 피라졸일기, 이미다졸일기, 옥사졸일기, 티아졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 피리디닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조이미다졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 등을 들 수 있다. 상기 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기의 예는 상기 치환 또는 비치환된 C2-C60아릴렌기의 예를 참조하여 용이하게 인식될 수 있다.
상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기는 -OA2(여기서, A2는 상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기임)를 가리키고, 상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴싸이오기는 -SA3(여기서, A3는 상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기임)를 가리킨다.
이하에서, 합성예 및 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명이 하기의 합성예 및 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
합성예 1: 화합물 3의 합성
중간체 A의 합성
Figure pat00100
중간체 A
질소 분위기 하에서 상기 1-브로모-2-플루오로벤젠 (1-bromo-2-fluorobenzene) (12.5 g, 72 mmole), 2-플루오로아닐린 (2-fluoroaniline) (8 g, 72 mmole), 비스(다이벤질리덴아세톤)팔라듐 (Pd(dba)2)(2 g, 3.6 mol), 비스[(2-다이페닐포스피노)페닐]에테르 (DPEPhos) (5.8 g, 10.8 mmol) 및 소듐 t-부톡사이드 (20 g, 220 mmol)을 톨루엔 2000 ml에 넣고 12시간동안 환류시켰다. 반응이 완결된 후 용매를 증발시켜 제거한 후, 메틸렌 클로라이드 5000 ml 및 물 5000 ml를 각각 첨가하여 세척한 후, 유기층을 수거하여 무수 마그네슘설페이트로 건조시켰다. 이어서, 재결정 및 실리카겔크로마토그래피로 분리하여 중간체 A (5.6 g, 38%의 수율)를 수득하였다.
중간체 PY1의 합성
Figure pat00101
중간체 A 중간체 PY1
1-브로모-2-플루오로벤젠 (1-bromo-2-fluorobenzene), 2-플루오로아닐린 (2-fluoroaniline) 및 비스[(2-다이페닐포스피노)페닐]에테르 (DPEPhos) 대신 각각 1,6-dibromopyrene, 중간체 A 및 P(t-Bu)3를 이용하였다는 점을 제외하고는, 상기 중간체 A 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 PY1을 합성하였다. (25%의 수율)
화합물 3의 합성
Figure pat00102
중간체 1 중간체PY1 화합물 3
1-브로모-2-플루오로벤젠 (1-bromo-2-fluorobenzene), 2-플루오로아닐린 (2-fluoroaniline) 및 비스[(2-다이페닐포스피노)페닐]에테르 (DPEPhos) 대신 각각 중간체1 중간체PY1 및 P(t-Bu)3를 이용하였다는 점을 제외하고는, 상기 중간체 A 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 화합물 3을 합성하였다. (21%의 수율)
MS (MALDI-TOF) m/z: 742 [M]+.
합성예 2: 화합물 6 합성
중간체 B의 합성
Figure pat00103
중간체 2 중간체 B
2-플루오로아닐린 (2-fluoroaniline) 대신 중간체 2를 이용하였다는 점을 제외하고는, 상기 중간체 A 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 B를 합성하였다. (34%의 수율)
중간체 PY2의 합성
Figure pat00104
중간체 1 중간체 PY2
1-브로모-2-플루오로벤젠 (1-bromo-2-fluorobenzene), 2-플루오로아닐린 (2-fluoroaniline) 및 비스[(2-다이페닐포스피노)페닐]에테르 (DPEPhos) 대신 각각 1,6-dibromopyrene, 중간체 1 및 P(t-Bu)3를 이용하였다는 점을 제외하고는, 상기 중간체 A 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 PY2를 합성하였다. (23%의 수율).
화합물 6의 합성
Figure pat00105
중간체 PY2 중간체 B 화합물 6
1-브로모-2-플루오로벤젠 (1-bromo-2-fluorobenzene), 2-플루오로아닐린 (2-fluoroaniline) 및 비스[(2-다이페닐포스피노)페닐]에테르 (DPEPhos) 대신 각각 중간체PY2, 중간체B 및 P(t-Bu)3를 이용하였다는 점을 제외하고는, 상기 중간체 A 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 화합물6을 합성하였다. (20%의 수율)
MS (MALDI-TOF) m/z: 894 [M]+.
합성예 3: 화합물 7 합성
중간체 C-2의 합성
Figure pat00106
중간체 3 중간체 C-2
중간체 3 (14.3 g, 60 mmol), 2-브로모-4-플루오로아닐린 (2-bromo-4-fluoroaniline) (11.3 g 60 mmol), 테트라키스 트라이페닐포스핀 팔라듐 (Pd(PPh3)4) (1 g, 0.9 mmol) 및 2M 탄산칼륨 (K2CO3) 수용액 126 ml (252 mmol)을 각각 톨루엔 200ml에 용해시켜 첨가한 후, 24시간 동안 환류시켰다. 반응이 완결된 후 용매를 증발시켜 제거한 후, 에틸아세테이트 1000 ml 및 물 1000 ml를 각각 첨가하여 세척한 후, 유기층을 수거하여 무수 마그네슘설페이트로 건조시켰다. 이어서, 실리카겔크로마토그래피로 분리하여 중간체 C-2 (11.4 g, 63%의 수율) 얻었다.
중간체 C-1의 합성
Figure pat00107
중간체 C-2 중간체 C-1
1-브로모-2-플루오로벤젠 (1-bromo-2-fluorobenzene), 2-플루오로아닐린 (2-fluoroaniline) 및 비스[(2-다이페닐포스피노)페닐]에테르 (DPEPhos) 대신 각각 중간체 C-2, 브로모벤젠 (bromobenzene) 및 P(t-Bu)3를 이용하였다는 점을 제외하고는, 상기 중간체 A 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 C-1을 합성하였다. (55%의 수율).
중간체 C의 합성
Figure pat00108
중간체 2 중간체 3 중간체 C
1-브로모-2-플루오로벤젠 (1-bromo-2-fluorobenzene)와 2-플루오로아닐린 (2-fluoroaniline) 대신 각각 중간체 2와 중간체 3을 이용하였다는 점을 제외하고는, 상기 중간체 A 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 C를 합성하였다. (20%의 수율).
중간체 PY3의 합성
Figure pat00109
중간체 C-1 중간체 PY3
1-브로모-2-플루오로벤젠 (1-bromo-2-fluorobenzene), 2-플루오로아닐린 (2-fluoroaniline) 및 비스[(2-다이페닐포스피노)페닐]에테르 (DPEPhos) 대신 각각 1,6-dibromopyrene, 중간체 C-1 및 P(t-Bu)3를 이용하였다는 점을 제외하고는, 상기 중간체 A 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 PY3을 합성하였다. (25%의 수율).
화합물 7의 합성
Figure pat00110
중간체PY3 중간체C 화합물 7
1-브로모-2-플루오로벤젠 (1-bromo-2-fluorobenzene), 2-플루오로아닐린 (2-fluoroaniline) 및 비스[(2-다이페닐포스피노)페닐]에테르 (DPEPhos) 대신 각각 중간체PY3, 중간체 C 및 P(t-Bu)3를 이용하였다는 점을 제외하고는, 상기 중간체 A 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 7을 합성하였다. (24%의 수율).
MS (MALDI-TOF) m/z: 938 [M]+.
실시예 1
코닝 15Ω/cm2 (1200Å) ITO 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.5mm크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수를 이용하여 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 자외선을 조사하고 오존에 노출시켜 세정하고 진공증착장치에 이 유리기판을 설치하였다.
애노드인 상기 ITO층 상부에 m-MTDATA를 증착속도 1Å/sec로 증착하여 600Å 두께의 정공 주입층을 형성한 후, 상기 정공 주입층 상부에 알파-NPD를 증착속도 1Å/sec로 증착하여 300Å 두께의 정공 수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 정공 수송층 상부에 상기 화합물 3(도펀트) 및 9,10-디-나프탈렌-2-일-안트라센(AND, 호스트)를 각각 증착속도 0.05Å/sec 및 증착속도 1Å/sec로 공증착하여 200Å 두께의 발광층을 형성하였다.
이 후, 상기 발광층 상부에 Alq3를 증착하여 300Å 두께의 전자 수송층을 형성하고, 상기 전자 수송층 상부에 LiF를 증착하여 10Å 두께의 전자 주입층을 형성하고, 상기 전자 주입층 상부에 Al을 증착하여 2000Å 두께의 캐소드를 형성함으로써 유기 발광 소자를 제조하였다.
실시예 2
발광층 형성시 도펀트로서 화합물 3 대신 화합물 6을 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 3
발광층 형성시 도펀트로서 화합물 3 대신 화합물 7을 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 1
발광층 형성시 도펀트로서 화합물 1 대신 화합물 A를 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
<화합물 A>
Figure pat00111

비교예 2
발광층 형성시 도펀트로서 화합물 1 대신 화합물 B를 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
<화합물 B>
Figure pat00112

평가예 1
실시예 1 내지 3과 비교예 1 및 2의 유기 발광 소자의 구동 전압, 전류 밀도, 휘도, 및 색좌표를 PR650 Spectroscan Source Measurement Unit.(PhotoResearch사 제품임)을 이용하여 평가하였다. 그 결과는 하기 표 1과 같다. IS90수명은 초기 휘도 대비 90%의 휘도로 감소하는데 걸리는 시간을 측정한 것이다.
발광층
호스트		 발광층
도펀트		 휘도
(cd/m2)		 전류 밀도
(cd/A)		 구동
전압
(V)		 IS90
수명
(hr)
(@700nit)		 색좌표
(CIE)
실시예 1 ADN 화합물 3 700 11 4.1 140 (0.14, 0.091)
실시예 2 ADN 화합물 6 700 12 4.2 127 (0.14, 0.095)
실시예 3 ADN 화합물 7 700 11 4.2 133 (0.14, 0.099)
비교예 1 ADN 화합물 A 700 16 4.6 61 (0.16, 0.20)
비교예 2 ADN 화합물 B 700 16 4.5 55 (0.14, 0.14)
표 1로부터, 실시예 1 내지 3의 유기 발광 소자는 비교예 1 및 2의 유기 발광 소자에 비하여 우수한 구동 전압, 전류 밀도 및 색순도 특성을 가짐을 확인할 수 있다.
10: 유기 발광 소자
11: 기판
13: 제1전극
15: 유기층
17: 제2전극

Claims (16)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 파이렌계 화합물:
    <화학식 1>
    Figure pat00113

    상기 화학식 1 중,
    E1 및 E2는 서로 독립적으로, -F; -CN; 및 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C60알킬기; 중에서 선택된 전자 끌게기(electron withdrawing group)이고;
    A1 고리 및 A2 고리는 서로 독립적으로, C6-C30 방향족 고리이고;
    R10은 수소, 중수소, 히드록실기, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기 또는 C6-C60아릴기이고;
    R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소; 중수소; -F; -Cl; -Br; -I; -CN; 히드록실기; 니트로기; 아미노기; 아미디노기; 히드라진; 히드라존; 카르복실기나 이의 염; 술폰산기나 이의 염; 인산이나 이의 염; C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C2-C60알케닐기 및 C2-C60알키닐기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CN, 히드록실기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C2-C60알케닐기 및 C2-C60알키닐기; C3-C10시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C2-C60헤테로아릴기, C6-C60아랄킬기, C6-C60아릴옥시기 및 C6-C60아릴싸이오기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CN, 히드록실기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C6-C60아릴기, 적어도 하나의 F로 치환된 C6-C60아릴기 및 C2-C60헤테로아릴기 중 적어도 하나로 치환된 C3-C10시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C2-C60헤테로아릴기, C6-C60아랄킬기, C6-C60아릴옥시기 및 C6-C60아릴싸이오기; -N(Q1)(Q2); 및 -Si(Q3)(Q4)(Q5) (여기서, Q1 내지 Q5는 서로 독립적으로, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C3-C60시클로알킬기, C3-C60시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C2-C60헤테로아릴기, C6-C60아랄킬기, C6-C60아릴옥시기 및 C6-C60아릴싸이오기 중 하나임); 중 적어도 하나이고;
    a 내지 d는 서로 독립적으로 1 내지 4의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서,
    하기 화학식 1(1)로 표시되는, 파이렌계 화합물:
    <화학식 1(1)>
    Figure pat00114
  3. 제1항에 있어서,
    E1 및 E2가 모두 -F인, 파이렌계 화합물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 A1 고리 및 A2 고리가 서로 독립적으로, 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 안트라센 고리, 플루오렌 고리, 파이렌 고리, 크라이센 고리 또는 페난쓰렌 고리인, 파이렌계 화합물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 A1 고리 및 A2 고리가 서로 독립적으로, 벤젠 고리 또는 나프탈렌 고리인, 파이렌계 화합물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 R10이 수소, 중수소, 히드록실기, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C10알킬기, 페닐기, 나프틸기 또는 안트릴인, 파이렌계 화합물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 R10이 수소인, 파이렌계 화합물.
  8. 제1항에 있어서,
    R1 내지 R4가 서로 독립적으로, 수소; 중수소; -F; -Cl; -Br; -I; -CN; 히드록실기; 니트로기; 아미노기; 아미디노기; 히드라진; 히드라존; 카르복실기나 이의 염; 술폰산기나 이의 염; 인산이나 이의 염; C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CN, 히드록실기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 스파이로플루오레닐기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CN, 히드록실기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C10알킬기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C10알콕시기, 페닐기 및 나프틸기, 안트릴기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 스파이로플루오레닐기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 중 하나인, 파이렌계 화합물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1 중,
    Figure pat00115
    로 표시되는 제1디아릴아미노기가 하기 구조식 중에서 선택되는, 파이렌계 화합물:
    Figure pat00116

    Figure pat00117

    Figure pat00118

    Figure pat00119

    Figure pat00120

    Figure pat00121

    Figure pat00122

    Figure pat00123

    Figure pat00124

    Figure pat00125

    Figure pat00126

    Figure pat00127

    Figure pat00128

    Figure pat00129

    Figure pat00130

    Figure pat00131
  10. 제1항에 있어서,
    Figure pat00132
    로 표시되는 제2디아릴아미노기 중
    Figure pat00133
    로 표시되는 제1아릴기가 하기 구조식 중에서 선택되는, 파이렌계 화합물:
    Figure pat00134

    Figure pat00135

    Figure pat00136

    Figure pat00137
  11. 제1항에 있어서,
    Figure pat00138
    로 표시되는 제2디아릴아미노기 중
    Figure pat00139
    로 표시되는 제2아릴기가 하기 구조식 중에서 선택되는, 파이렌계 화합물:
    Figure pat00140

    Figure pat00141

    Figure pat00142

    Figure pat00143

    Figure pat00144

    Figure pat00145
  12. 제1항에 있어서,
    하기 화합물 1 내지 9 중 하나인, 파이렌계 화합물:
    Figure pat00146

    Figure pat00147
  13. 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 발광층을 포함한 유기층;을 포함하고, 상기 유기층이 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 파이렌계 화합물을 1종 이상 포함한, 유기 발광 소자.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 유기층이, 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층, 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나의 층을 더 포함하고, 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 전자 주입 및 전자 수송 기능을 동시에 갖는 기능층 및 전자 주입층 중 적어도 하나의 층을 더 포함한, 유기 발광 소자.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 파이렌계 화합물이 상기 발광층에 존재하고, 상기 파이렌계 화합물이 형광 방출 메커니즘에 따라 광 방출하는 형광 도펀트의 역할을 하고, 상기 발광층이 호스트를 더 포함한, 유기 발광 소자.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 호스트가 하기 화학식 400으로 표시되는 안트라센계 화합물 및 하기 화학식 401로 표시되는 안트라센계 화합물 중 하나 이상을 포함한, 유기 발광 소자:
    <화학식 400>
    Figure pat00148

    <화학식 401>
    Figure pat00149

    상기 화학식 400 및 401 중,
    Ar111 및 Ar112는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C5-C60아릴렌기이고;
    Ar113 내지 Ar116 및 Ar122 내지 Ar125는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C5-C60아릴기이고;
    Ar126 및 Ar127은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기이고;
    g, h, i, j, k 및 l은 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.
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