KR20140083414A - 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 - Google Patents

프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역과 이의 외측으로 비표시영역이 구비된 기판 상에 일 방향으로 연장하며 형성된 다수의 게이트 배선과; 상기 각 게이트 배선과 게이트 절연막을 개재하며 교차하여 다수의 상기 화소영역을 정의하며 형성된 다수의 데이터 배선과; 상기 각 화소영역 내에 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 전기적으로 연결되며 형성된 박막트랜지스터와; 상기 각 화소영역별로 상기 각 화소영역 내에 구비된 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 판 형태를 가지며 상하로 이웃하는 화소영역까지 연장되어 이웃하는 화소영역과 경계에 위치하는 게이트 배선과 중첩하도록 형성된 하는 것이 특징이 화소전극과; 상기 화소전극 상부에 형성된 절연층과; 상기 절연층 상부에 형성되며, 상기 각 데이터 배선에 대응하여 직선 형태의 제 1 공통전극과 상기 제 1 공통전극 사이에서 이격하는 다수의 제 2 공통전극으로 이루어지며, 상기 제 2 공통전극은 상기 제 1 공통전극과 나란한 다수의 제 1 영역과 상기 다수의 각 제 1 영역 간 및 상기 제 1 영역과 상기 제 1 공통전극을 연결시키는 다수의 제 2 영역으로 이루어진 것을 특징으로 하는 공통전극을 포함하며, 상기 제 2 공통전극은 상하로 위치하는 2개 이상의 화소영역에 대응하여 연결되며 형성되는 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판을 제공한다.

Description

프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판{Array substrate for Fringe field switching mode liquid crystal display device}
본 발명은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로, 특히, 투과율을 향상시킨 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판에 관한 것이다.
액정표시장치(liqudi crystal display device: LCD)는 액정의 광학적 이방성과 분극 성질을 이용한 표시소자로, 휴대 전자기기의 표시부나, 컴퓨터의 모니터 또는 텔레비전 등에 널리 사용된다.
액정은 가늘고 긴 분자구조를 가지고 있어, 배향에 방향성을 가지며 전기장 내에 놓일 경우 그 크기 및 방향에 따라 분자배열 방향이 변화된다. 따라서, 액정표시장치는 전계생성전극이 각각 형성된 두 기판 사이에 액정층이 위치하는 액정패널을 포함하며, 두 전극 사이에 생성되는 전기장의 변화를 통해서 액정분자의 배열방향을 인위적으로 조절하고, 이에 따른 광 투과율을 변화시켜 여러 가지 화상을 표시한다.
일반적으로, 액정표시장치는 다수의 배선과 스위칭 소자 및 화소전극이 형성된 어레이 기판과, 컬러필터 및 공통전극이 형성된 컬러필터 기판을 포함하며, 두 기판 사이의 액정분자는 화소전극과 공통전극 사이에 유도되는 전기장, 즉, 기판에 대해 수직한 방향의 수직 전계에 의해 구동된다.
그러나, 수직 전계에 의해 액정을 구동하는 방식은 시야각 특성이 우수하지 못한 문제가 있다.
이러한 문제를 극복하기 위해, 횡전계형 액정표시장치가 제안되었다. 횡전계형 액정표시장치에서는 화소전극과 공통전극이 동일 기판 상에 엇갈리게 형성되어, 두 전극 사이에 기판에 대해 평행한 방향의 수평 전계가 유도된다. 따라서, 액정분자는 수평 전계에 의해 구동되어, 기판에 대해 평행한 방향으로 움직이며, 이러한 횡전계형 액정표시장치는 향상된 시야각을 가진다.
하지만, 이러한 횡전계형 액정표시장치는 개구율 및 투과율이 낮은 단점이 있다.
따라서, 횡전계형 액정표시장치의 단점을 개선하기 위하여, 프린지 필드(fringe field)에 의해 액정을 구동하는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치(fringe field switching mode LCD)가 제안되었다.
도 1은 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의 어레이 기판에 있어 하나의 화소영역에 대한 평면면도이다.
도시한 바와 같이, 일방향으로 다수의 게이트 배선(43)이 연장하며 구성되어 있으며, 이러한 다수의 게이트 배선(43)과 교차하여 다수의 화소영역(P)을 정의하며 다수의 데이터 배선(51)이 구성되고 있다.
또한 상기 다수의 화소영역(P) 각각에는 이를 정의한 상기 데이터 배선(51)및 게이트 배선(43)과 연결되며, 게이트 전극(45)과 게이트 절연막(미도시)과 반도체층(미도시)과 소스 및 드레인 전극(55, 58)을 포함하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있다.
또한, 화소영역(P)에는 상기 박막트랜지스터(Tr)와 연결되는 화소전극(60)이 형성되어 있으며, 이때, 상기 화소전극(60)은 드레인 콘택홀(59)을 통해 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(58)과 접촉하며, 실질적으로 각 화소영역(P) 대응하여 판(plate) 형태를 가진다.
그리고, 상기 다수의 화소영역(P)이 형성된 표시영역 전면에는 각 화소영역(P)에 대응하여 상기 판 형태의 화소전극(60)과 중첩하며 공통전극(75)이 형성되고 있다. 이때, 공통전극(75)은 각 화소영역(P) 내에 다수의 개구(op)를 갖는다. 즉, 상기 공통전극(75)은 인접한 화소영역(P)으로 연장되어, 다수의 화소영역(P)을 포함하는 표시영역 전면에 대응하도록 형성되고 있으며, 상기 공통전극(75)에 구비되는 다수의 개구(op) 각각은 데이터 배선(51)과 평행한 바(bar) 형태를 이룬다.
이러한 구성을 갖는 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(41)은 상기 각 화소영역(P)별로 상기 화소전극(60)과 상기 공통전극(75)에 전압이 인가됨으로써 프린지 필드(Fringe field)를 형성하게 된다.
하지만 전술한 구성을 갖는 종래의 프린지 필드 스위칭 액정표시장치용 어레이 기판(41)은 상기 화소전극(60)에 대응하여 상기 다수의 바(bar) 형태의 개구부(op)를 갖는 공통전극(75) 특히, 상기 다수의 개구부(op)가 상기 화소전극과 완전히 중첩하는 형태로 형성되고 있음을 알 수 있다.
이 경우 화소전극(60)과 공통전극(75)의 형태상 상기 개구부(op)의 장축 방향의 양 끝단에서는 전계가 일정한 한 방향으로 형성되지 않기 때문에 도 2(종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의 하나의 화소영역에 전경이 발생한 것을 나타낸 사진)에 도시한 바와같이 액정분자가 서로 다른 방향으로 움직이는 경계부 즉 전경영역(disclination area : DA)이 발생하게 된다.
이러한 전경영역(DA)은 액정표시장치가 완전한 온(on) 상태에서 빛을 투과시키지 못하기 때문에 주변 대비 불규칙적으로 어둡게 표시되게 된다.
이러한 전경영역(DA)이 발생한 부분은 빛을 정상적으로 투과시키지 못하게 되므로 실질적인 투과율을 저하시키며, 표시품질을 저하시키는 요인이 되고 있다.
또한, 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판은 상기 공통전극이 표시영역 전면에 형성됨으로서 즉 화소영역 내에서 공통전극 자체가 차지하는 영역이 개구부의 영역보다 크므로 더욱더 투과율이 감소시키는 결과를 초래하고 있으며, 이로 인해 각 화소영역 내에서 상기 화소전극과의 중첩영역이 상대적으로 매우 크다.
따라서 상기 화소전극(60)과 공통전극(74) 사이에 형성되는 스토리지 커패시터(StgC)가 횡전계형 액정표시장치에 비해 3 내지 5배 정도 큰 값을 가지게 된다.
이렇게 스토리지 커패시터(StgC)의 용량이 너무 클 경우, 상대적으로 큰 충전시간을 필요로 하므로 충전 시간이 짧은 고해상도 모델이나, 고주파수 모델에서는 충전을 하기가 어려운 문제가 발생하고 있다.
본 발명은 이러한 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 전경발생 영역을 최소화 하거나 또는 그 발생을 억제함으로써 투과율을 향상시키는 동시에 고 품위의 화상을 제공하며, 나아가 각 화소영역 내의 스토리지 용량을 감소시켜 충전 특성을 향상시킬 수 있는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판은, 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역과 이의 외측으로 비표시영역이 구비된 기판 상에 일 방향으로 연장하며 형성된 다수의 게이트 배선과; 상기 각 게이트 배선과 게이트 절연막을 개재하며 교차하여 다수의 상기 화소영역을 정의하며 형성된 다수의 데이터 배선과; 상기 각 화소영역 내에 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 전기적으로 연결되며 형성된 박막트랜지스터와; 상기 각 화소영역별로 상기 각 화소영역 내에 구비된 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 판 형태를 가지며 상하로 이웃하는 화소영역까지 연장되어 이웃하는 화소영역과 경계에 위치하는 게이트 배선과 중첩하도록 형성된 하는 것이 특징이 화소전극과; 상기 화소전극 상부에 형성된 절연층과; 상기 절연층 상부에 형성되며, 상기 각 데이터 배선에 대응하여 직선 형태의 제 1 공통전극과 상기 제 1 공통전극 사이에서 이격하는 다수의 제 2 공통전극으로 이루어지며, 상기 제 2 공통전극은 상기 제 1 공통전극과 나란한 다수의 제 1 영역과 상기 다수의 각 제 1 영역 간 및 상기 제 1 영역과 상기 제 1 공통전극을 연결시키는 다수의 제 2 영역으로 이루어진 것을 특징으로 하는 공통전극을 포함하며, 상기 제 2 공통전극은 상하로 위치하는 2개 이상의 화소영역에 대응하여 연결되며 형성되는 것이 특징이다.
이때, 상기 화소전극과 중첩하는 게이트 배선은 상기 각 화소영역을 정의하는 상하 두 개의 게이트 배선 중 상기 화소전극과 연결된 박막트랜지스터와 연결되지 않은 게이트 배선인 것이 특징이다.
그리고, 상기 상하로 이웃한 상기 화소전극간의 이격간격은 5㎛ 이하인 것이 특징이다.
그리고, 상기 각 제 2 공통전극은 이를 구성하는 제 1 영역의 개수를 n(n 은 1보다 큰 자연수)이라 할 때, 각 화소영역 내부에는 n개의 제 2 공통전극이 일정간격 이격하며 형성되며, 상기 각 제 2 공통전극은 상하로 이웃하는 화소영역에 대해 n개의 화소영역에 대응하여 연장 형성되는 것이 특징이다.
또한, 상기 제 2 영역은 상기 게이트 배선과 이와 인접하여 위치하는 상하로 인접하는 2개의 화소전극간의 이격영역에 대응하여 형성되며, 상기 제 1 공통전극은 그 일끝단이 상기 비표시영역에서 모두 연결된 것이 특징이다.
또한, 상기 박막트랜지스터는 순수 비정질 실리콘의 액티브층과 이의 상부에서 서로 이격하는 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층의 이중층 구조를 갖는 반도체층을 포함하거나, 또는 산화물 반도체층과 이의 상부에 상기 산화물 반도체층의 중앙부에 대응하여 형성된 에치스토퍼 또는 상기 산화물 반도체층 노출시키는 반도체 콘택홀을 구비한 에치스토퍼를 포함하는 단일층 구조의 반도체층을 포함하는 것이 특징이다.
또한, 상기 박막트랜지스터와 상기 화소전극 사이에는 평탄한 표면을 가지며 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층이 더욱 구비되며, 상기 화소전극은 상기 게이트 절연막 상에 형성된 것이 특징이다.
그리고, 상기 공통전극은 상기 제 1 공통전극과 이와 이격하는 제 2 공통전극간 이격영역과 상기 제 2 공통전극 간의 이격영역이 개구를 이루는 것이 특징이다.
본 발명에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판은 공통전극을 자체의 면적을 줄이고 나아가 개구가 상하로 위치하는 화소영역간에 연결되도록 형성함으로서 각 화소영역의 상하측 끝단에서 전경 발생이 억제되는 바, 투과율을 향상시키며 동시에 상기 전경발생 억제로 인한 고 품위의 화상을 제공하는 효과가 있다.
나아가 공통전극의 면적을 줄이고 개구의 면적을 최적화함으로서 각 화소영역 내에서 화소전극과 중첩되어 면적이 줄어들게 되어 충전 특성을 향상시키는 효과가 있다.
도 1은 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의 어레이 기판의 하나의 화소영역에 대한 평면도.
도 2는 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의 하나의 화소영역에 전경이 발생한 것을 나타낸 사진.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 표시영역 일부에 대한 평면도.
도 4는 본 발명의 실시예의 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판에 있어 또 다른 공통전극의 평면 형태를 간략히 도시한 도면.
도 5는 도 3을 절단선 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 표시영역 일부에 대한 평면도이다. 설명의 편의를 위해 다수의 화소영역(P)이 형성된 영역을 표시영역, 그리고 상기 표시영역 외측으로 위치하는 영역을 비표시영역이라 정의한다. 또한, 화소영역(P)에 있어 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 형성되는 부분을 스위칭 영역(TrA)이라 정의한다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)은 표시영역에 있어 제 1 방향으로 게이트 배선(103)이 연장하며 구성되어 있으며, 제 2 방향으로 연장하며 상기 게이트 배선(103)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(130)이 구성되고 있다.
또한, 상기 각 화소영역(P) 내의 스위칭 영역(TrA)에는 상기 게이트 배선(103) 및 데이터 배선(130)과 연결되며 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 구비되고 있다.
이때, 상기 박막트랜지스터(Tr)는 게이트 전극(107)과, 게이트 절연막(미도시)과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층(미도시)과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(미도시)으로 구성된 반도체층(미도시)과, 상기 반도체층(미도시) 상에서 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)으로 구성될 수도 있고, 또는 상기 순수 및 불순물 비정질 실리콘으로 이루어진 이중층 구조의 반도체층(미도시)을 대신하여 산화물 반도체 물질로 이루어진 단일층 구조의 산화물 반도체층(미도시)이 구비되어 게이트 전극(107)과, 게이트 절연막(미도시)과, 산화물 반도체층(미도시)과, 에치스토퍼(미도시)와, 상기 에치스토퍼(미도시) 상에서 서로 이격하며 각각 상기 산화물 반도체층(미도시)과 접촉하는 소스 전극(133) 및 드레인 전극(136)으로 구성될 수도 있다.
그리고, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)에 있어 특징적인 구성 중 하나로서 상기 각 화소영역(P) 내부에는 판 형태의 화소전극(155)이 드레인 콘택홀(150)을 통해 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(136)과 접촉하며 형성되고 있다.
이때, 상기 판 형태의 화소전극(155)은 각 화소영역(P)의 상부 및 하부에 구비되는 두 개의 게이트 배선(103) 중 각 화소영역(P)에 구비되는 박막트랜지스터(Tr)와 연결된 게이트 배선(107a) 이외의 게이트 배선(107b) 즉 상기 화소영역(P)에 관여하는 박막트랜지스터(Tr)와 연결되지 않은 게이트 배선(107b)과 중첩하며 이웃하는 화소영역(P)까지 연장되어 형성되고 있는 것이 특징이다.
이때, 각 화소영역(P) 내에서 서로 상하로 이웃하는 화소전극(155)간의 이격간격(d1)은 마스크 공정을 진행하여 패터닝 오차를 야기시키지 않는 크기(통상 2㎛)보다는 크거나 같고 5㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101) 특성 상 실험적으로 상하로 이웃하는 화소전극(155)간의 이격간격(d1)이 6㎛ 보다 커지는 경우 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(도 1의 1)의 투과율과 동등하거나 낮아지는 경향을 알 수 있었다.
일례로, 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(도 1의 1)의 각 화소영역의 투과율을 100%로 가정하였을 때, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)에 있어 상하로 이웃한 상기 화소전극(155)간의 이격간격(d1)이 1㎛인 경우 118.5%, 3㎛인 경우는 115.1%, 5㎛인 경우 105.6%의 투과율을 가짐을 알 수 있었으며, 7㎛인 경우 98.5%가 되어 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(도 1의 1)보다 투과율이 더 작아짐을 알 수 있었다.
따라서, 상기 상하로 이웃하는 화소전극(155)간의 이격간격은 패터닝 오차가 발생되지 않는 범위 내에서 5㎛ 이하인 것이 바람직하며, 이 경우 투과율 측면에서는 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(도 1의 1)대비 5% 이상 향상되는 효과를 갖는다.
한편, 이러한 구성을 갖는 화소전극(155)에 대응하여 상기 화소영역(P)과 중첩하며 공통전극(170)이 구비되고 있다.
이때, 상기 공통전극(170)은 종래와 같이 표시영역 전면에 형성되는 것이 아니며 각 표시영역 내에서 상하로 이웃하는 화소영역(P) 간에는 부분적으로 개구(op)가 연결되는 구성을 이루는 것이 특징이다.
조금 더 상세히 공통전극(170)의 평면 구성에 대해 설명한다.
본 발명에 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)에 구비되는 공통전극(170)은 표시영역에 있어서는 꺾인 부분없이 직선의 바(bar) 형태를 가지며 데이터 배선(130)과 중첩하며 상기 데이터 배선(130)보다 넓은 폭을 가지며 제 1 공통전극(171)이 형성되고 있으며, 이러한 직선의 바(bar) 형태의 제 1 공통전극(171)에서 분기하여 제 2 공통전극(174)이 구비되고 있다.
이러한 제 2 공통전극(174)에 있어 상기 제 1 공통전극(171)에서 분기하는 부분은 게이트 배선(103)이 형성되는 부분과 상하로 위치하는 화소전극(155)간의 이격영역에 위치하고 있는 것이 특징이다.
그리고, 상기 제 1 공통전극(171)에서 분기한 상기 제 2 공통전극(174)은 하단에 위치하는 화소영역(P)에 있어서는 또 다시 절곡되어 상단에 위치하는 화소영역(P)에서의 위치를 기준으로 우측으로 제 1 간격 이동하여 위치하고 있으며, 이때 상기 제 2 공통전극(174)의 끝단은 상기 데이터 배선(130)과 중첩하는 제 1 공통전극(171)과 연결되는 구성을 이루고 있다.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)에 있어서 상기 공통전극(170)은 꺾임없이 곧은 직선 형태를 가지며 데이터 배선(130)과 중첩하며 형성되는 제 1 공통전극(171)과, 그 양 끝단이 각각 각 화소영역(P)을 기준으로 이의 좌측과 우측에 위치하는 두 개의 제 1 공통전극(171)과 연결된 제 2 공통전극(174)으로 이루지는 것이 특징이다.
이때, 상기 각 제 2 공통전극(174)은 상기 제 1 공통전극(171)과 나란하게 배치되는 다수의 제 1 영역(174a)과 상기 다수의 제 1 영역(174a) 간을 연결시키는 제 2 영역(174b)으로 이루어지는 것이 특징이다.
그리고, 상기 각 제 2 공통전극(174)은 상하로 이웃하는 2개 이상의 화소영역(P)에 대응하여 형성된다. 이 경우, 각 제 1 영역(174a)은 상기 제 1 공통전극(171)과 나란하게 형성되며, 동일한 게이트 배선(103)과 연결된 화소영역(P) 그룹으로 정의되는 화소라인 별로 그 위치를 달리하는 것이 특징이다.
도면에 있어서는 상기 제 2 공통전극(174)은 각 화소영역(P) 내에 일정간격 이격하며 2개 형성된 것을 일례로 보이고 있지만, 도 4(본 발명의 실시예의 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판에 있어 또 다른 공통전극의 평면 형태를 간략히 도시한 도면)에 도시한 바와같이 상기 제 2 공통전극(174)은 각 화소영역(P) 내에서 일정간격 이격하며 2개 이상 다수개 형성될 수 있다. 도 4에 있어서는 일례로 제 2 공통전극(174)이 각 화소영역(P) 내에 3개 형성됨을 보이고 있다.
이때, 상기 제 2 공통전극(174)은 하나의 화소영역(P) 내에 구비되는 개수에 따라 그 길이가 달라지며 각 하나의 화소영역(P) 내에 이격하며 형성된 개수와 동일한 개수의 제 1 영역(174a)이 구비되며 화소영역(P)의 길이방향 즉 데이터 배선(130)의 연장방향으로의 상기 제 1 영역(174a)의 개수와 동일한 개수의 화소영역(P1, P2, P3)에 대응하여 연결되며 형성되고 있는 것이 특징이다.
그리고 상기 제 2 공통전극(174)을 이루는 구성요소 중 상기 제 2 영역(174b)은 각 화소영역(P1, P2, P3)의 경계 더욱 정확히는 게이트 배선(103)이 형성된 부분과 상기 게이트 배선(103)에서 인접하여 상하로 위치하는 화소전극(155)간의 이격영역에 대응하여 형성되고 있는 것이 특징이다.
도 3을 참조하면, 도시한 바와같이 하나의 화소영역(P)을 기준으로 각 화소영역(P) 내에 상기 제 2 공통전극(174)이 2개 형성되는 경우, 상기 제 2 공통전극(174)은 2개의 제 1 영역(174a)과 3개의 제 2 영역(174b)으로 이루어지며, 각각의 제 1 영역(174a)의 양끝단에 위치하는 제 2 영역(174b)은 각각 상기 화소영역(P)의 양측에 구비된 제 1 공통전극(171)과 연결되며, 중앙에 위치하는 제 2 영역(174b)은 상기 두 개의 제 1 영역(174a)을 연결하고 있다.
또한, 상기 제 1 영역(174a)은 상부의 제 1 화소영역(P1)에는 제 1 위치(Po1)에 위치하지만 또 다른 제 1 영역(174a)은 상기 제 1 화소영역(P1) 하부에 위치하는 제 2 화소영역(P2)에 있어서는 상기 제 1 위치(Po1)에서 우측으로 일정간격 이격한 제 2 위치(Po2)에 위치하고 있다.
이때, 상기 제 2 영역(174b)은 모두 게이트 배선(103) 또는 상하로 위치하는 화소전극(155)의 이격영역에 대응하여 형성되고 있다.
도 4의 경우는 상기 제 2 공통전극(174)이 각 화소영역(P1, P2, P3)별로 3개 형성됨을 보이고 있으며, 상하로 이웃한 3개의 화소영역(P1, P2, P3)에 대응하여 서로 연결되며 형성되고 있음을 알 수 있다.
이때, 상부에서 하부에 위치하는 화소영역(P)을 제 1, 2, 3 화소영역(P1, P2, P3)이라 정의할 때, 상기 각 화소영역(P1, P2, P3)의 좌측에 위치하는 제 1 공통전극(171)과 인접하는 제 2 공통전극(174)은 제 1 화소영역(P1)에서는 제 1 위치(Po1)에, 제 2 화소영역(P2)에서는 상기 제 1 위치(Po1)에서 우측으로 소정간격 이격한 제 2 위치(Po2)에, 그리고 제 3 화소영역(P3)에는 상기 제 2 위치(Po2)에서 우측으로 소정간격 이격한 제 3 위치(Po3)에 위치하고 있음을 알 수 있다.
그리고 제 2 화소영역(P2)에는 또 다시 제 1 위치(Po1)에는 상기 좌측에 위치하는 제 1 공통전극(171)과 연결되며 제 2 공통전극(174)이 제 1 위치(Po1)에 위치하고, 상기 제 3 화소영역(P3)으로 연장하여 제 2 위치(Po2)에 위치함을 알 수 있다.
그리고, 제 3 화소영역(P3)에 있어서는 제 1 위치(Po1)에는 좌측에 위치하는 제 1 공통전극(171)에서 분기한 또 다른 제 2 공통전극(174)이 위치하고 있음을 알 수 있다.
전술한 바와같이 공통전극(170)이 형성되는 경우, 상기 제 1 및 제 2 공통전극(171, 174) 사이의 이격영역과 상기 제 2 공통전극(174)간의 이격영역은 개구(op)를 이루게 된다.
이러한 구성을 갖는 공통전극(170)은 각 화소영역(P)만을 살펴보면 제 2 공통전극(174)이 이격하며 형성됨으로서 전기적으로 단절된 것처럼 보이지만, 표시영역 전체로 보면 제 1 공통전극(171)과 제 2 공통전극(174)은 모두 연결된 구성을 이룸을 알 수 있다.
따라서 상기 공통전극(170) 어느 부분에서 공통전압이 인가되더라도 표시영역 전면에 동일한 크기의 공통전압이 인가될 수 있다.
한편, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 공통전극(170)은 표시영역 외측의 비표시영역에서 그 끝단이 모두 서로 연결된 구성을 이룰 수도 있다. 이 경우, 각 제 1 공통전극(171)의 끝단은 또 다시 연결됨으로서 더욱더 표시영역 전면에 동일한 크기의 공통전압이 인가될 수 있다.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)의 경우, 상기 게이트 배선(103)의 연장방향으로 공통전극이 표시영역 전면에 대해 연결된 구성은 없게 되므로, 화소전극(155)과 중첩되는 공통전극(170)의 면적이 상대적으로 작아지게 된다.
따라서, 각 화소영역(P) 내에서 공통전극(170)과 화소전극(155)이 중첩하는 면적이 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(도 1의 1) 대비 줄어들게 됨으로서 스토리지 용량을 저감시켜 충전 속도를 향상시킬 수 있다.
나아가, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)에 있어 상기 공통전극(170)에 구비되는 개구(op)는 서로 상하로 이웃하는 최소 2개의 화소영역(P1, P2)에 해서는 연결된 형태가 되므로 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(도 1의 1)에서와 같이 각 개구(도 1의 op)가 각 화소영역(도 1의 P) 별로 형성됨에 기인한 각 개구(도 1의 op)의 끝단과 화소전극(도 1의60 )과의 중첩된 부분에서 발생되는 전경을 억제 또는 최소화할 수 있으며, 이에 의해 투과율 향상 및 표시품질을 향상시키는 효과가 있다.
이후에는 전술한 평면구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판의 단면 구조에 대해 설명한다.
도 5는 도 3을 절단선 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도이다. 설명의 편의를 위해 각 화소영역(P) 내에 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 형성되는 부분을 스위칭 영역(TrA)이라 정의한다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판(101)은, 투명한 절연기판(101) 예를들면 유리 또는 플라스틱 재질의 기판 상에 저저항 특성을 갖는 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 하나의 금속물질로써 제 1 방향으로 연장하는 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있으며, 이와 연결되어 스위칭 영역(TrA)에 게이트 전극(105)이 형성되어 있다.
또한, 상기 게이트 배선(미도시) 및 게이트 전극(105) 위로 상기 기판(101) 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로서 게이트 절연막(110)이 형성되어 있다.
상기 게이트 절연막(110) 위로 스위칭 영역(TrA)에 있어 상기 게이트 전극(105)에 대응하여 순수 비정질 실리콘의 액티브층(120a)과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(120b)으로 이루어진 반도체층(120)이 형성되어 있다.
이때, 도면에 있어서는 상기 반도체층(120)이 순수 비정질 실리콘과 불순물 비정질 실리콘으로 이루어진 것을 일례로 도시하였지만, 상기 반도체층(120)은 산화물 반도체 물질 예를들면 예를들면 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), ZIO(Zinc Indium Oxide) 중 어느 하나로 이루어진 산화물 반도체층(미도시)이 될 수도 있다.
한편, 상기 반도체층(120) 상부로 서로 이격하며 소스 전극(133) 및 드레인 전극(136)이 형성되고 있다.
이때, 상기 반도체층(120)이 산화물 반도체층(미도시)으로 이루어진 경우 상기 산화물 반도체층(미도시) 위로 그 중앙부에 대응하여 상기 산화물 반도체층(미도시)의 양끝단을 각각 노출시키는 아일랜드 형태의 에치스토퍼(미도시) 또는 상기 산화물 반도체층(미도시)의 양 끝단을 각각 노출시키는 반도체층 콘택홀(미도시)을 갖는 에치스토퍼(미도시)가 더욱 구비되며, 상기 에치스토퍼(미도시) 상부로 상기 산화물 반도체층(미도시)과 각각 접촉하며 상기 소스 전극(133) 및 드레인 전극(136)이 형성될 수도 있다.
또한, 상기 게이트 절연막(110)(또는 에치스토퍼(미도시)) 상부에는 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(130)이 제 2 방향으로 연장하며 형성되어 있다.
이때, 도면에 있어서 상기 데이터 배선(130) 하부에는 상기 액티브층(120a)과 오믹콘택층(120b)을 이루는 동일한 물질로 이루어진 제 1 및 제 2 반도체 패턴(121a, 121b)이 형성됨을 보이고 있지만, 이는 제조 방법에 기인한 것으로 생략될 수 있다. 나아가 상기 박막트랜지스터가 산화물 반도체층(미도시)을 포함하는 구성을 이루는 경우 상기 데이터 배선(130)의 하부에는 제 1 및 제 2 반도체 패턴(121a, 121b)은 형성되지 않는다.
한편, 상기 박막트랜지스터(Tr)의 소스 전극(133)은 상기 데이터 배선(130)과 연결되고 있다.
또한, 상기 데이터 배선(130)과, 박막트랜지스터(Tr)를 덮으며 무기절연물질예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx) 중 선택되는 하나 또는 유기절연물질 예를들면 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo acryl)로서 기판(101) 전면에 제 1 보호층(140)이 형성되어 있다.
이때, 상기 제 1 보호층(140)은 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(136) 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(143)이 형성되고 있다.
또한, 상기 드레인 콘택홀(143)이 구비된 상기 제 1 보호층(140) 위로 각 화소영역(P)별로 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로써 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 드레인 전극(136)과 접촉하며 판 형태의 화소전극(155)이 형성되어 있다.
이때, 상기 화소전극(155)은 이와 연결되는 박막트랜지스터(Tr)와 연결되지 않는 게이트 배선(미도시)과 중첩하며 이웃한 화소영역(P)까지 연장 형성되고 있으며, 상기 이웃한 화소영역(P)까지 연장된 부분과 이와 인접하는 화소전극(155) 사이의 이격영역은 이들 두 화소전극(155)이 패터닝 오차를 발생시키지 않는 범위 내에서 5㎛ 이하가 되는 것이 특징이다.
이때, 단면 구조적인 변형예로서 상기 화소전극(155)은 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(136)과 직접 접촉하며, 상기 게이트 절연막(110) 상에 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 드레인 콘택홀(143)을 갖는 상기 제 1 보호층(140)은 생략된다.
또한, 상기 화소전극(155) 위로 상기 무기절연물질 또는 상기 유기절연물질로써 기판(101) 전면에 제 2 보호층(160)이 형성되어 있으며, 상기 2 보호층(160) 위로 투명도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로써 이루어지며, 상기 데이터 배선(130)에 대응하여 직선의 바(bar) 형태를 갖는 제 1 공통전극(171)과 이와 이격하며 다수의 제 2 공통전극(174)으로 이루어진 공통전극(170)이 형성되고 있다.
이때, 상기 공통전극(770)은 상기 제 1 공통전극(171)과 제 2 공통전극(174) 간의 이격영역과 상기 제 2 공통전극(174) 간의 이격영역이 개구(op)를 이루는 것이 특징이다.
이러한 구성을 갖는 공통전극(170)의 형태에 대해서는 평면도를 참조하여 상세히 설명하였으므로 이하 생략한다.
본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
101 : 기판 103 : 게이트 배선
105 : 게이트 전극 130 : 데이터 배선
133 : 소스 전극 136 : 드레인 전극
150 : 드레인 콘택홀 155 : 화소전극
170 : 공통전극 171 : 제 1 공통전극
174 : 제 2 공통전극 174a : 제 1 영역
174b : 제 2 영역 P : 화소영역
op : 개구 Tr : 박막트랜지스터
TrA : 스위칭 영역

Claims (10)

  1. 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역과 이의 외측으로 비표시영역이 구비된 기판 상에 일 방향으로 연장하며 형성된 다수의 게이트 배선과;
    상기 각 게이트 배선과 게이트 절연막을 개재하며 교차하여 다수의 상기 화소영역을 정의하며 형성된 다수의 데이터 배선과;
    상기 각 화소영역 내에 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 전기적으로 연결되며 형성된 박막트랜지스터와;
    상기 각 화소영역별로 상기 각 화소영역 내에 구비된 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 판 형태를 가지며 상하로 이웃하는 화소영역까지 연장되어 이웃하는 화소영역과 경계에 위치하는 게이트 배선과 중첩하도록 형성된 하는 것이 특징이 화소전극과;
    상기 화소전극 상부에 형성된 절연층과;
    상기 절연층 상부에 형성되며, 상기 각 데이터 배선에 대응하여 직선 형태의 제 1 공통전극과 상기 제 1 공통전극 사이에서 이격하는 다수의 제 2 공통전극으로 이루어지며, 상기 제 2 공통전극은 상기 제 1 공통전극과 나란한 다수의 제 1 영역과 상기 다수의 각 제 1 영역 간 및 상기 제 1 영역과 상기 제 1 공통전극을 연결시키는 다수의 제 2 영역으로 이루어진 것을 특징으로 하는 공통전극
    을 포함하며, 상기 제 2 공통전극은 상하로 위치하는 2개 이상의 화소영역에 대응하여 연결되며 형성되는 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소전극과 중첩하는 게이트 배선은 상기 각 화소영역을 정의하는 상하 두 개의 게이트 배선 중 상기 화소전극과 연결된 박막트랜지스터와 연결되지 않은 게이트 배선인 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 상하로 이웃한 상기 화소전극간의 이격간격은 5㎛ 이하인 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 제 2 공통전극은 이를 구성하는 제 1 영역의 개수를 n(n 은 1보다 큰 자연수)이라 할 때, 각 화소영역 내부에는 n개의 제 2 공통전극이 일정간격 이격하며 형성되며, 상기 각 제 2 공통전극은 상하로 이웃하는 화소영역에 대해 n개의 화소영역에 대응하여 연장 형성되는 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 영역은 상기 게이트 배선과 이와 인접하여 위치하는 상하로 인접하는 2개의 화소전극간의 이격영역에 대응하여 형성된 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 공통전극은 그 일끝단이 상기 비표시영역에서 모두 연결된 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 순수 비정질 실리콘의 액티브층과 이의 상부에서 서로 이격하는 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층의 이중층 구조를 갖는 반도체층을 포함하거나,
    또는 산화물 반도체층과 이의 상부에 상기 산화물 반도체층의 중앙부에 대응하여 형성된 에치스토퍼 또는 상기 산화물 반도체층 노출시키는 반도체 콘택홀을 구비한 에치스토퍼를 포함하는 단일층 구조의 반도체층을 포함하는 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터와 상기 화소전극 사이에는 평탄한 표면을 가지며 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층이 더욱 구비된 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소전극은 상기 게이트 절연막 상에 형성된 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통전극은 상기 제 1 공통전극과 이와 이격하는 제 2 공통전극간 이격영역과 상기 제 2 공통전극 간의 이격영역이 개구를 이루는 것이 특징인 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100024211A (ko) * 2008-08-25 2010-03-05 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치
KR20110066737A (ko) * 2009-12-11 2011-06-17 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판
KR20120065151A (ko) * 2010-12-10 2012-06-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100024211A (ko) * 2008-08-25 2010-03-05 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치
KR20110066737A (ko) * 2009-12-11 2011-06-17 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판
KR20120065151A (ko) * 2010-12-10 2012-06-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180093399A (ko) 2017-02-13 2018-08-22 현대건설기계 주식회사 굴착기의 자동 변속 시스템

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