KR20140081842A - 인광체 물질 및 관련 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제1 인광체, 제2 인광체 및 제3 인광체의 블렌드를 포함하는 인광체 물질을 제공한다. 상기 제1 인광체는 하기 화학식을 갖는 조성물을 포함한다:
RE2 -y M1 +y A2-y Scy Sin -w GewO12 +δ : Ce3 +
상기 식에서, RE는 란탄족 원소 이온 또는 Y3 + 중에서 선택되고, M은 Mg, Ca, Sr 또는 Ba 중에서 선택되고, A는 Mg 또는 Zn 중에서 선택되고, 0≤y≤2, 2.5≤n≤3.5, 0≤w≤1, -1.5≤δ≤1.5이다.
상기 제2 인광체는 망간(Mn4 +)으로 도핑된 착체 불화물을 포함하고, 제3 인광체는 약 520 nm 내지 약 680 nm 범위에서 발광 피크를 갖는 인광체 조성물을 포함한다. 그러한 인광체 물질을 포함하는 조명 장치 또한 제공한다. 조명 장치는 상기 인광체 물질 이외에 광원을 포함한다.

Description

인광체 물질 및 관련 장치{PHOSPHOR MATERIALS AND RELATED DEVICES}
본 발명은 일반적으로 파장 전환을 위한 인광체 블렌드, 및 구체적으로 광원이 방출하는 복사선의 전환을 위한 인광체 블렌드에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 청색 발광 다이오드(LED)와 함께 사용하기 위한 인광체 블렌드에 관한 것이다.
인광체는 전자기 스펙트럼의 한 부분에서 복사 에너지를 흡수하고 전자기 스펙트럼의 또 다른 부분에서 에너지를 방출하는 발광 물질이다. 인광체의 한 중요한 부류는, 매우 높은 화학적 순도를 갖고 조절된 조성(효과적인 형광 물질로 전화시키기 위해 소량의 다른 원소들("활성화제"로 불리움)이 첨가되어 있음)을 갖는 결정성 무기 화합물을 포함한다. 활성화제와 무기 화합물의 올바른 조합에 의해 발광 색을 조절할 수 있다. 대부분의 유용하고 널리 공지된 인광체는 전자기 스펙트럼의 가시 범위 밖에서 전자기 복사선에 의한 여기에 응답하여 가시 범위 부분에서 복사선을 방출한다. 예를 들어, 인광체는 여기된 수은에 의해 방출된 자외선(UV 선)을 가시선으로 전환시키기 위한 수은 증기 방전 램프에서 사용되어 왔다. 또한, 인광체는 LED 자체로부터 일반적으로 수득될 수 없는 색을 발광하기 위해 LED에 사용될 수 있다.
LED는 다른 광원, 예컨대, 백열 램프의 대체물로서 사용될 수 있는 반도체 발광체이다. 이는 특히 디스플레이 라이트, 경고 라이트 및 지시 라이트로서 유용하거나, 또는 유색 라이트가 필요한 다른 용도에서 유용하다. LED에 의해 발생된 광의 색은 그의 제조에서 사용된 반도체 물질의 종류에 의존한다. 유색 LED는 흔히 장난감, 지시등 및 다른 장치에 사용된다.
발광 다이오드 및 레이저(둘다 본원에서 일반적으로 LED로 지칭됨)를 비롯한 유색 반도체 발광 장치는 III 내지 V 족 합금, 예컨대, 갈륨 나이트라이드(GaN)로부터 제조되어 왔다. GaN-계 LED의 경우, 광은 일반적으로 전자기 스펙트럼의 UV 및/또는 청색 범위에서 방출된다. 아주 최근까지, LED는 LED에 의해 발생된 광의 고유 색 때문에 밝은 백색 광이 필요한 조명 용도에 적합하지 않았다.
LED로부터 방출된 광을 조명 용도에 유용한 광으로 전환시키는 기술이 개발되었다. 하나의 기술에서, LED는 인광체 층으로 코팅되거나 피복된다. 인광체는, LED에 의해 발생된 복사선을 흡수하고, 예를 들면 스펙트럼의 가시 범위에서, 상이한 파장의 복사선을 발생한다.
LED 발생된 광과 인광체 발생된 광의 조합이 백색광을 생성하는데 사용될 수 있다. 가장 인기있는 백색 LED는, 청색 발광 GaInN 칩을 기반으로 한다. 청색 발광 LED는, 청색 복사선의 일부를 보색 색, 예를 들면 황녹색 발광으로 전환시키는 인광체 또는 적색, 녹색 및 청색 발광 인광체를 포함하는 인광체 블렌드로 코팅된다. 인광체 및 LED 칩으로부터의 모든 광은, 상응하는 색 좌표(x 및 y) 및 관련된 색 온도(CCT)를 가진 색점을 가진 백색 광을 제공하며, 그의 스펙트럼 분포는 연색 지수(color rendering index, CRI)로 측정되는 연색 성능을 제공한다.
이러한 백색 LED는 전형적으로, 약 4000K 초과의 가변적 CCT의 경우 약 70 내지 약 80의 CRI를 가진 백생광을 생성한다. 이러한 백색 LED는 일부 용도에 바람직하지만, 많은 다른 용도의 경우 더 높은 CRI(약 90 초과) 및 더 낮은 CCT(3000K 미만)를 가진 백색광을 생성하는 것이 바람직하다.
따라서, 낮은 CCT에 대해 높은 CRI 및 높은 루멘(lumen)을 가진 백색광을 생성하는 새롭고 개선된 인광체 블렌드를 제공하는 것이 바람직하다.
간단하게, 본 발명의 실시양태의 대부분은, 제1 인광체, 제2 인광체 및 제3 인광체의 블렌드를 포함하는 인광체 물질을 제공한다. 상기 제1 인광체는 하기 화학식을 갖는 조성물을 포함한다:
RE2 -y M1 +y A2-y Scy Sin -w GewO12 +d : Ce3 +
상기 식에서, RE는 란탄족 원소 이온 또는 Y3 +이고, M은 Mg, Ca, Sr 또는 Ba이고, A는 Mg 또는 Zn이고, 0≤y≤2, 2.5≤n≤3.5, 0≤w≤1, -1.5≤δ≤1.5이다.
상기 제2 인광체는 망간(Mn4 +)으로 도핑된 착체 불화물을 포함하고, 제3 인광체는 약 520 nm 내지 약 680 nm 범위에서 발광 피크를 갖는 인광체 조성물을 포함한다.
본 발명의 상기 및 다른 특징, 양태, 및 이점은, 하기 상세한 설명을 첨부 도면을 참조로 읽을 때 더 잘 이해될 것이며, 첨부 도면에서 유사한 특징부들은 유사한 부분을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 한 실시양태에 따른 조명 장치의 개략적인 단면도이고;
도 2는 본 발명의 한 실시양태에 따른 조명 장치의 개략적인 단면도이고;
도 3은 본 발명의 한 실시양태에 따른 조명 장치의 개략적인 단면도이고;
도 4는 본 발명의 한 실시양태에 따른 조명 장치의 개략적인 단면도이고;
도 5는 본 발명의 한 실시양태에 따른 조명 장치의 개략적인 단면도이고;
도 6은 본 발명의 예시적 실시양태에 따른, 450 nm 여기 파장을 사용한 인광체 블렌드의 발광 스펙트럼을 보여주며,
도 7은 본 발명의 또하나의 예시적 실시양태에 따른, 450 nm 여기 파장을 사용한 인광체 블렌드의 발광 스펙트럼을 보여준다.
본 명세서 및 특허청구범위 전반에 걸쳐 본원에 사용된 어림 용어는 관련된 기본 기능에서의 변화를 야기하지 않으면서 허용가능하게 변할 수 있는 임의의 양 표현을 수식하는데 적용될 수 있다. 따라서, "약" 같은 용어 또는 용어들로 수식되는 값은 명시된 정확한 값에 한정되지 않는다. 일부 예에서, 어림 용어는 그 값을 측정하는 기기의 정밀도에 상응할 수 있다.
하기 상세한 설명 및 특허청구범위에서 단수형은 문맥상 달리 명백하게 지시되지 않는 한 복수형을 포함한다.
본원에 사용되는 용어 "할 수 있는" 및 "일 수 있는"은 일련의 상황의 발생 가능성; 규정된 특성, 특징 또는 기능의 소유 가능성을 나타내고/내거나 한정된 동사에 관련된 능력, 역량 또는 가능성중 하나 이상을 표현함으로써 다른 동사를 한정한다. 따라서, "할 수 있는" 및 "일 수 있는"의 사용은, 일부 경우에 수식된 용어가 표시된 능력, 기능 또는 사용에 적절하지 않거나 가능하지 않거나 또는 적합하지 않음을 고려하면서, 표시된 능력, 기능 또는 사용에 명백히 적절하거나 가능하거나 또는 적합함을 나타낸다.
본원에서, "제1", "제2" 등은 임의의 순서, 품질 또는 중요도를 나타내는 것이 아니라 단지 하나의 요소를 다른 것과 구별하고자 사용된 것이다.
본원에 사용된 용어 "인광체" 또는 "인광체 물질" 또는 "인광체 조성물"은, 단독 인광체 조성물뿐만 아니라 2종 이상의 인광체 조성물의 블렌드를 지칭하기 위해서 사용될 수 있다. 상기 인광체는, 청색, 적색, 황색, 오렌지색 및 녹색 인광체를 함유할 수 있다. 상기 청색, 적색, 황색, 오렌지색 및 녹색 인광체는, 그의 발광 색에 따라 지칭되거나 공지되어 있다.
본원에 사용된 "치환" 및 "도핑"은 물질에 소정량의 원소를 부가하는 것을 나타낸다. 전형적으로, 그러한 부가에서는 물질내의 원소가 다른 원소로 부분적으로 또는 완전히 대체된다. 본원에 기술된 다양한 인광체는, 괄호에 의해 다른 원소를 포함하는 것으로 기재되고 콤마에 의해 분리되어 치환 또는 도핑을 나타낼 수 있다(예를 들면, ((Ba,Ca,Sr)1- xEux)2Si5N8). 당분야의 숙련가들이 이해하고 있듯이, 이러한 유형의 표기는, 인광체가 배합물 중에 임의의 비율로 명시된 모든 또는 임의의 원소들을 포함할 수 있음을 의미한다. 즉, 상기 인광체에 대한 이 유형의 표기는 (Ba,Ca,Sr)1- xEux)2Si5N8이되, 여기서 a 및 b는 0 내지 1 범위(0 및 1 값 포함)일 수 있다는 의미를 갖는다.
본원에서는 LED-생성된 자외선(UV), 보라색 또는 청색 복사선을 일반 조명 용도의 백색 광으로 전화시키는 것과 관련하여 특정 용도가 기술된다. 그러나, 본 발명은 UV, 보라색 및/또는 청색 레이저뿐 아니라 다른 광원으로부터의 복사선을 백색 광으로 전환시키는 것에도 적용될 수 있다.
본 발명 기술의 실시양태는, 일반 조명 및 다른 목적에 적합한 백색광을 생성하기 위한 조명 시스템에 사용될 수 있는 인광체 블렌드를 제공한다. 상기 인광체 블렌드는 하기 화학식의 제1 인광체를 포함한다:
RE2 -y M1 +y A2-y Scy Sin -w GewO12 +δ : Ce3 +
상기 식에서, RE는 란탄족 원소 이온 또는 Y3 +이고, M은 Mg, Ca, Sr 또는 Ba이고, A는 Mg 또는 Zn이고, 0≤y≤2, 2.5≤n≤3.5, 0≤w≤1, -1.5≤δ≤1.5이다.
하나의 실시양태에서, 상기 제1 인광체는 하기 화학식으로 나타내어질 수도 있다:
(RE1 -x-z Scx Cez)2 M3 -p Ap Sin -w Gew O12 +δ
상기 식에서, RE는 란탄족 원소 이온 또는 Y3 +이고, M은 Mg, Ca, Sr 또는 Ba이고, A는 Mg 또는 Zn이고, 0≤x≤1, 0<z≤0.3, 0≤p≤2, 2.5≤n≤3.5, 0≤w≤1, -1.5≤δ≤1.5이다.
유리하게는, 이들 배합에 따라 제조된 인광체는 넓은 온도 범위에 걸쳐 높은 발광 강도(양자 효율)를 유지할 수 있다. 상기 인광체는 조명 시스템, 예를 들면 특히 LED 및 형광 튜브에 사용되어, 청색 및 청/녹색 광을 생성할 수 있다.
일부 실시양태에서, 제1 인광체는 (Ca1 - zCez)3Sc2Sin -wGewO12(0<z≤0.3)의 화학식을 가질 수 있다. 제1 인광체의 특정 실시양태는, Si,Ge 성분이 약 66% 이상의 Si4+, 약 83% 이상의 Si4 +, 및 100%의 Si4 +를 포함하는 조성물들을 포함한다. 따라서, 일부 특정 실시양태는 (Ca1 - zCez)3Sc2(Si1 - cGec)3O12(c는 0.67 내지 1임)를 포함한다.
상기 식의 인광체는 많은 현행 인광체, 예를 들면 YAG:Ce에 비해 감소된 고온 휘도 켄칭(열 켄칭)을 갖는다. 따라서, 이 인광체는 넓은 온도 범위에 걸쳐 그의 발광 강도를 유지하며, 이는 사용 중에 조명 시스템의 온도가 증가함에 따른 강도의 손실 또는 램프 색 이동을 경감시킬 수 있다.
상기 인광체 블렌드는 추가로, 적색 라인 발광체인 제2 인광체, 및 약 520 nm 내지 약 680 nm의 넓은 파장 범위에서 피크 발광을 가진 제3 인광체를 포함한다. 상기 제2 인광체는, 라인 발광체이며 일반적으로 적색 광을 생성하는 착체 불화물일 수 있다. 적합한 예는, Mn4 +로 도핑된 착체 불화물, 예를 들면 (Na, K, Rb, Cs, NH4)2[(Ti, Ge, Sn, Si, Zr, Hf)F6]:Mn4 + 등을 포함한다. 특정 경우, Mn4 +로 도핑된 착체 불화물은 이후 일부 예시적 블렌드 예에서 사용되는 K2[SiF6]:Mn4 + ("PFS")이다.
제3 인광체는 약 520 nm 내지 약 680 nm 범위에서 발광 피크를 갖는 인광체 조성물을 포함할 수 있다. 상기 제3 인광체는 보통, 넓은 발광 범위를 가진 황색 또는 황-오렌지색 인광체이다. 적합한 제3 인광체의 비제한적 예는 가넷, 질화물, 및 옥시질화물을 포함할 수 있다. 표 1은 그러한 예의 일부를 보여준다. 가넷, 질화물, 및 옥시질화물로 이루어진 군 중에서 선택된 둘 이상의 구성원을 가진 임의의 조합물 또한 사용될 수 있다.
일부 실시양태에서, 상기 제3 인광체는 화학식 (A, Ce)3M5 - aO12 -3/2a(여기서 a는 0≤a≤0.5이고, A는 Y, Gd, Tb, La, Sm, Pr, 또는 Lu을 포함하고, M은 Sc, Al, 또는 Ga를 포함함)의 가넷일 수 있다. 그러한 가넷의 예는 Y3Al5O12:Ce3 +(YAG)이다. 이 가넷 YAG는 약 525 nm 내지 약 645 nm의 넓은 파장 범위에서 발광 피크를 갖는다.
일부 실시양태에서, 상기 제3 인광체는 화학식 (A, Eu)xSiyNz, (여기서, 2x+3y=4z이고, A는 Ba, Ca, Sr 또는 이들의 조합임)의 질화물을 포함할 수 있다. 상기 질화물은 추가로 세륨으로 도핑될 수 있다. 일부 실시양태는 A2Si5N8:Eu2 +(여기서, A는 Ba, Ca, 또는 Sr임)를 포함한다. 특정 경우, 상기 질화물은 ((Ba, Ca, Sr)1-a-bEuaCeb)2Si5N8이고, 이때 0≤a≤1 및 0≤b≤1이다. 이들 질화물은 약 575 nm 내지 약 675 nm의 넓은 파장 범위에서 발광한다.
일부 실시양태에서 상기 제3 인광체는 화학식 ApBqOrNs: R(이때, A는 바륨을 포함하고, B는 규소를 포함하고, R은 유로퓸을 포함하며, 2 < p < 6, 8 < q < 10, 0.1 < r < 6, 10 < s < 15임)의 옥시질화물일 수 있다. 이 경우, A는 추가로 스트론튬, 칼슘, 마그네슘 또는 이들의 조합을 포함할 수 있고, B는 추가로 알루미늄, 갈륨, 게르마늄 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, R은 추가로 세륨을 포함할 수 있다. 특정 경우, 상기 옥시질화물 인광체는 화학식 (Ba, Ca, Sr, Mg)4Si9OrN14.66 - (2/3)r: Eu(여기서, r은 약 1 초과 약 4 이하임)의 것이다. 이 옥시질화물의 발광 피크는 약 545 nm 내지 약 645 nm의 파장 범위에서 발광된다.
[표 1] 인광체 블렌드에 사용된 제3 인광체의 화학식
Figure pct00001

본원에 기재된 화학식 각각은 기재된 모든 다른 화학식에 대해 독립적이다. 구체적으로, 하나의 식에서 수치값으로서 사용될 수 있는 x, y, z 및 다른 변수들은 다른 식 또는 조성에서 발견될 수 있는 x, y, z 및 다른 변수들과 관련이 없다.
인광체 물질이 둘 이상의 인광체의 블렌드를 포함하는 경우, 인광체 블렌드 내의 개별 인광체의 각각의 비율은 원하는 광 출력 특성, 예를 들면 색 온도에 따라 변할 수 있다. 인광체 블렌드 내의 각각의 인광체의 상대적인 양은 스펙트럼 중량 면에서 기술될 수 있다. 스펙트럼 중량은, 장치의 총 발광 스펙트럼에 각각의 인광체가 기여하는 상대적인 양이다. LED 광원으로부터의 모든 개별 인광체의 스펙트럼 중량 정도 및 임의의 잔류 블리드(bleed)는 100% 이하로 가해져야 한다. 바람직한 실시양태에서, 블렌드 내의 상술한 인광체 각각은 약 1% 내지 약 70% 범위의 스펙트럼 중량을 가질 것이다.
인광체 블렌드 내의 각각의 인광체의 상대적인 비율은, 이들의 발광이 조명 장치에서 블렌드되어 사용되는 경우 CIE(국제 조명 협회) 색 다이어그램 상의 사전 결정된 ccx 및 ccy 값의 가시광이 생성되도록 조정될 수 있다. 언급된 바와 같이 백색광이 생성되는 것이 바람직하다. 이 백색광은 예를 들면 약 0.25 내지 약 0.55 범위의 ccx 값 및 약 0.25 내지 약 0.55 범위의 ccy 값을 갖는다.
인광체 블렌드를 제조하는데 사용된 인광체는, 구성 화합물의 분말을 혼합한 후 생성 혼합물을 환원성 대기 하에 소성함으로써 제조할 수 있다. 전형적으로, 관련 금속의 산소-함유 화합물이 사용된다. 예를 들어, 하기 실시예에서 더 기재되는 예시적 인광체 (Ca0 .97Ce0 .03)3Sc2Si3O12는, 칼슘, 세륨, 스칸듐 및 규소의 산소-함유 화합물 적정량을 혼합한 후 생성 혼합물을 환원성 대기 하에 소성함으로써 제조할 수 있다. 소성 후, 인광체를 볼(ball)로 제분하거나 분쇄하여, 소성 과정 동안에 형성될 수 있는 임의의 응집체를 파쇄할 수 있다. 분쇄는 모든 소성 단계가 완결된 후에 수행될 수 있거나, 또는 추가 소성 단계 사이에 수행될 수 있다.
적절한 산소-함유 화합물의 비-제한적 예는 옥사이드, 하이드록사이드, 알콕사이드, 카보네이트, 니트레이트, 알루미네이트, 실리케이트, 시트레이트, 옥살레이트, 카복실레이트, 타르타레이트, 스테아레이트, 니트라이트, 퍼옥사이드 및 이들의 조합물을 포함한다. 카복실레이트를 포함하는 실시양태에서, 사용되는 카복실레이트는 일반적으로 1 내지 5개의 탄소 원자를 갖는 카복실레이트, 예컨대, 포메이트, 에타노에이트, 프로프리오네이트, 부티레이트 및 펜타노에이트일 수 있지만, 더 많은 수의 탄소 원자를 갖는 카복실레이트도 사용될 수 있다. 개별적인 인광체 조성물 및 이들 인광체의 블렌드는, 예를 들면 미국 특허 제 7,094,362 B2 호에 기술된 바와 같은 임의의 공지된 방법에 의해 합성될 수 있다.
또한, 상술한 제1 인광체, 제2 인광체 및 제3 인광체를 블렌드하여 인광체 블렌드를 형성할 수 있다. 예를 들면, 인광체 블렌드는, 화학식 (Ca0.97Ce0.03)3Sc2Si3O12 를 가진 제1 인광체, 화학식 K2[SiF6]:Mn4 +를 가진 제2 인광체, 및 화학식 Y3Al5O12:Ce3 + (YAG)를 가진 제3 인광체를 함유하도록 제조될 수 있다. 활성화제 이온이 이들 인광체에 사용되어 원하는 발광 스펙트럼을 수득할 수 있다. 본원에 사용된 "활성화제 이온"이라는 용어는, 발광 중심을 형성하며 인광체의 발광을 담당하는, 인광체에 도핑된 이온(예를 들면 Ce3 +)을 지칭한다. 이러한 이온은 Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Tm, Er, Ho, Nd, Bi, Yb, Pb, Yb, Mn, Ag, Cu 이온 또는 이들의 조합 이온을 포함할 수 있다.
전술한 합성 방법 이외에, 본원에 기술된 블렌드에 사용될 수 있는 인광체들 중 대다수가 시판된다. 예를 들어, 본원에 개시된 인광체 블렌드에서 블렌드 평가에 사용되는 인광체 YAG는 시판된다.
상기 기재된 인광체는 제한적인 것으로 의도되지 않는다. 본 발명의 인광체과 비반응성 블렌드를 형성하는 임의의 다른 인광체(상업적 및 비상업적)가 블렌드에 사용될 수 있으며, 이도 본 발명의 범주내에 드는 것으로 간주되어야 한다. 또한, 일부 추가의 인광체, 예를 들면 본원에 기술된 인광체의 것과는 실질적으로 상이한 파장에서, 가시 스펙트럼 영역 전반에 걸쳐 발광하는 것들이 사용될 수도 있다. 이 추가의 인광체는 블렌드에 사용되어 생성 광의 백색을 조정하고 개선된 광 품질을 가진 광원을 생성할 수 있다. 일부 실시양태에서, 추가의 인광체는 하기 화학식의 인광체일 수 있다:
((Sr1 - zMz)1-(x+w)AwCex)3(Al1 - ySiy)O4 +y+3(x-w)F1-y-3(x-w)
여기서,
0<x≤0.10, 0≤y≤0.5, 0≤z≤0.5, 0≤w≤x 이고,
A는 Li, Na, K, Rb 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며,
M은 Ca, Ba, Mg, Zn 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
본 발명의 하나의 실시양태는, 광원에 복사선-결합된 인광체 블렌드를 포함하는 조명 장치에 관한 것이다. 본원에 사용된 "복사선-결합된"이라는 용어는, 하나로부터 방출된 복사선의 적어도 일부가 다른 것으로 투과되도록 요소들이 서로 결합됨을 의미한다. 광원으로부터의 광과 인광체 블렌드로부터의 광의 조합이 백색광을 생성하는데 사용될 수도 있다. 예를 들면, 백색 LED는 청색 발광 InGaN 칩을 기본으로 할 수도 있다. 상기 청색 발광 칩이 코팅되어 청색 복사선의 일부가 보색 색, 예를 들면 황녹색 발광으로 전환될 수도 있다.
조명 장치의 비제한적인 예는, 발광 다이오드(LED), 형광 램프, 음극선 튜브, 플라즈마 디스플레이 장치, 액정 디스플레이(LCD), UV 여기 장치, 예를 들면 색 램프, 백라이트 액정 시스템용 램프, 플라즈마 스크린, 제논 여기 램프, 및 UV 여기 마킹 시스템에 의한 여기 장치를 포함한다. 이들은 단지 예시일 뿐 절대적인 것인 아니다.
조명 장치로부터 방출된 광은 다양한 표준 측정법을 이용하여 특성 분석될 수 있다. 이 특성 분석은 데이터를 표준화시켜 상이한 조명 장치로부터 방출된 광을 보다 용이하게 비교할 수 있게 한다. 예를 들어, 인광체로부터 방출된 광과 LED 칩으로부터 방출된 광의 합계는 CIE 1931 색 도표에서 상응하는 색좌위(x 및 y) 및 관련된 색 온도(CCT)를 갖는 색점을 제공하고, 이의 스펙트럼 분포는 연색 지수(color rendering index; CRI)에 의한 측정되는 연색 성능을 제공한다. CRI는 통상적으로 8가지 표준 색 샘플(R1-8)에 대한 평균 값으로서 정의되며, 일반적 연색 지수 또는 Ra로 지칭된다. 보다 높은 CRI 값은 조명받은 물체의 보다 "자연스런" 외관을 생성한다. 정의상으로, 백열 광의 CRI는 100이지만, 전형적인 소형 형광 광의 CRI는 약 82이다. 또한, 광원의 휘도 또는 겉보기 밝기는 방출된 광의 스펙트럼으로부터 측정될 수도 있다. 휘도는, 특정한 스펙트럼 분포를 갖는 광 1와트가 나타내는 루멘(lumen)의 수를 나타내며, lm/W-opt로서 측정된다.
조합된 조명 장치 성분들로부터 방출된 광은 일반적으로 부가적(additive)이기 때문에, 인광체 블렌드 및/또는 조명 장치의 최종 스펙트럼은 예측될 수 있다. 예를 들어, 블렌드 중의 각 인광체로부터 방출된 광의 양은 블렌드 중의 인광체의 양에 비례할 수 있다. 따라서, 블렌드로부터 생성되는 발광 스펙트럼은 모델링될 수 있고, 스펙트럼 특성, 예컨대, CCT, CRI, 색 축(x 및 y), 및 lm/W-opt는 예측된 발광 스펙트럼으로부터 추정될 수 있다. 상술된 인광체를 사용하여 제조할 수 있는 다양한 블렌드는 하기 실시예에 언급되어 있다.
도면을 참조해보면, 도 1은 본 발명의 인광체 블렌드를 포함할 수 있는 예시적 LED-계 조명 장치 또는 램프(10)를 보여준다. LED-계 조명 장치(10)는 반도체 UV 선 또는 가시광선 공급원, 예컨대, 발광 다이오드(LED) 칩(12)을 포함한다. LED 칩(12)에 전기적으로 연결된 전원 도선(14)은, LED 칩(12)이 복사에너지를 방출하게 하는 전류를 제공한다. 도선(14)은 더 두꺼운 팩키지 도선(16) 상에 지지되어 있는 얇은 와이어를 포함하거나, 도선은 자가지지된 전극을 포함하여 패키지 도선이 생략될 수도 있다. 도선(14)는 LED 칩(12)에 전류를 제공하여 LED 칩(12)이 발광하게 한다.
램프(10)는, 발광된 복사선이 인광체로 향할 때 백색광을 생성할 수 있는 임의의 반도체 청색 또는 UV 광원을 포함할 수 있다. 하나의 실시양태에서, 상기 반도체 광원은 다양한 불순물로 도핑된 청색 발광 LED를 포함한다. 따라서, LED(12)는, 임의의 적합한 III-V, II-VI 또는 IV-IV 반도체 층을 기반으로 하며 약 380 내지 550 nm의 발광 파장을 가진 반도체 다이오드를 포함할 수 있다. 특히, LED는 GaN, Zn Se 또는 SiC를 포함하는 하나 이상의 반도체 층을 함유할 수 있다. 예를 들면, LED는 약 380 nm 초과 내지 약 550 nm 미만의 발광 파장을 가진 화학식 IniGajAlkN (이때 0≤i; 0≤j; 0≤k, 및 i +j +k =1) 로 표시되는 질화물 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 칩은 약 400 내지 약 500 nm의 피크 발광 파장을 가진 근-UV 또는 청색 발광 LED이다. 이러한 LED 반도체는 당분야에 공지되어 있다. 본원에 기술된 광원은 편리함을 위해 LED이다. 그러나, 본원에 사용되는 상기 용어는 모든 반도체 광원, 예를 들면 반도체 레이저 다이오드를 포함함을 의미한다.
무기 반도체 이외에, LED 칩(12)은 유기 발광 구조체 또는 다른 광원으로 대체될 수 있다. 예컨대, 이후 도 5와 관련하여 논의되는 기체 방전 장치와 같은 다른 종류의 광원이 LED 대신에 사용될 수 있다. 기체 방전 장치의 예는 저압, 중압 및 고압 수은 기체 방전 램프를 포함한다.
LED 칩(12)은, 이 LED 칩 및 캡슐화제 물질(20)(또한 캡슐화제로도 칭해짐)를 포함하는 외피(18) 내에 캡슐화될 수 있다. 외피(18)는 유리 또는 플라스틱일 수 있다. 캡슐화제(20)는 에폭시, 플라스틱, 저온 유리, 중합체, 열가소성 물질, 열경화성 물질, 수지, 실리콘, 실리콘 에폭시, 또는 임의의 다른 종류의 LED 캡슐화 물질일 수 있다. 또한, 캡슐화제(20)는 스핀-온(spin-on) 유리, 또는 굴절 지수가 높은 다른 물질일 수 있다. 전형적으로, 캡슐화제 물질(20)는 에폭시 또는 중합체 물질, 예컨대, 실리콘이다. 외피(18) 및 캡슐화제(20)는 LED 칩(12) 및 인광체(22), 예컨대, 본 발명의 인광체 블렌드에 의해 발생된 광의 파장에 대하여 투과성, 즉 실질적으로 광학적 투과성을 나타낸다. 그러나, LED 칩(12)이 UV 스펙트럼 내에 있는 광을 방출하는 경우, 캡슐화제(20)는 인광체 물질(22)로부터 발생된 광에 대해서만 투과성을 나타낼 수 있다. LED-계 조명 장치(10)는 외피(18) 없이 캡슐화제(20)를 포함할 수 있다. 본원에서, LED 칩(12)은 팩키지 도선(16)에 의해 지지되거나 팩키지 도선(16)에 장착된 축받이대(도시되어 있지 않음)에 의해 지지될 수 있다.
인광체 물질(22)는 LED 칩(12)에 복사선-결합된다. 하나의 실시양태에서, 인광체 물질(22)은 임의의 적절한 방법에 의해 LED 칩(12) 상에 침착될 수 있다. 예를 들어, 인광체들의 용매-계 현탁액을 형성하여 LED 칩(12)의 표면 상에 층으로서 도포할 수 있다. 고려되는 실시양태에서는, 인광체 입자가 랜덤하게 현탁되어 있는 실리콘 슬러리를 LED 칩(12) 상에 배치할 수 있다. 따라서, 인광체 물질(22)는, 상기 인광체 현탁액을 LED 칩(12) 상에 코팅하고 건조함으로써 LED 칩(12)의 발광 표면 위에 또는 그 상에 직접적으로 코팅될 수 있다. 외피(18) 및 캡슐화제(20)가 일반적으로 투과성을 나타낼 것이므로, LED 칩(12) 및 인광체 물질(22)로부터 방출된 광(24)은 상기 요소들을 투과할 것이다. 제한하려는 것은 아니지만, 하나의 실시양태에서, 인광체 물질(22)의 중간 입자 크기는 광산란법으로 측정시 약 1 내지 약 15 미크론 범위일 수 있다.
본 발명의 인광체 블렌드를 도입할 수 있는 제2 구조체는 도 2의 단면도에 도시되어 있다. 도 2의 구조체는 인광체 물질(22)이 LED 칩(12) 상에 직접 형성되어 있는 대신에 캡슐화제(20) 내에 분산되어 있다는 점을 제외하고 도 1의 구조체와 유사하다. 인광체 물질(22)은 캡슐화제(20)의 단일 영역 내에 분산되어 있을 수 있거나 캡슐화제(20)의 전체 부피에 걸쳐 분산되어 있을 수 있다. LED 칩(12)에 의해 방출된 복사선(26)은 인광체 물질(22)로부터 방출된 광과 혼합되고, 혼합된 광은 투명한 캡슐화제(20)를 통해 가시화될 수 있다(방출된 광(24)으로서 나타냄).
인광체 물질(22)이 분산되어 있는 캡슐화제(20)는 다양한 적절한 플라스틱 가공 기법에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 인광체 물질(22)은 중합체 전구체와 조합되고 LED 칩(12) 주위에서 성형된 후 경화되어, 인광체 물질(22)이 분산되어 있는 고체 캡슐화제(20)를 형성할 수 있다. 또 다른 기법에서는, 인광체 물질(22)은 용융된 캡슐화제(20), 예컨대, 폴리카보네이트 내로 혼합되고 LED 칩(12) 주위에서 성형된 후 냉각된다. 사출 성형과 같은 이용될 수 있는 플라스틱 성형 가공 기법이 당업계에 공지되어 있다.
도 3은 본 발명의 인광체 물질(22)을 도입할 수 있는 또 다른 구조체의 단면도이다. 도 3에 도시된 구조체는, 인광체 물질(22)이 LED 칩(12) 위에 형성되는 대신에 외피(18)의 표면 상에 코팅될 수 있다는 점을 제외하고 도 1의 구조체와 유사하다. 일반적으로, 인광체 물질(22)은 외피(18)의 내면 상에 코팅되지만 원하는 경우 외피(18)의 외면 상에 코팅될 수 있다. 인광체 물질(22)은 외피(18)의 전체 표면 상에 코팅될 수 있거나 외피(18)의 표면의 단지 상부 부분 상에만 코팅될 수 있다. LED 칩(12)에 의해 방출된 복사선(26)은 인광체(22)에 의해 방출된 광과 혼합되고, 혼합된 광은 방출된 광(24)으로서 나타낸다.
도 1 내지 3과 관련하여 논의된 구조체는 임의의 2개 또는 모든 3개 위치, 또는 임의의 다른 적절한 위치에서, 예컨대, 외피로부터 떨어져 위치되거나 LED 내로 통합된 위치에서 인광체와 조합될 수 있다. 또한, 상이한 인광체 블렌드가 구조체의 상이한 부분에서 사용될 수 있다.
상기 구조체들 중 임의의 구조체에서, LED-계 조명 장치(10)는, 방출된 광을 산란시키거나 확산시키는 복수의 입자(도시되어 있지 않음)도 포함할 수 있다. 이 산란 입자들은 일반적으로 캡슐화제(20) 내에 매립될 것이다. 산란 입자들은 예를 들어, Al2O3(알루미나) 또는 TiO2로부터 만들어진 입자를 포함할 수 있다. 산란 입자들은 LED 칩(12)으로부터 방출된 광을 효과적으로 산란시킬 수 있고 일반적으로 미미한 양의 흡수를 나타내도록 선택된다.
상기 구조체들 이외에, LED 칩(12)은 도 4에 도시된 단면도에 의해 예시되는 바와 같이 반사 컵(28) 내에 장착될 수 있다. 반사 컵(28)은 반사성 물질, 예컨대, 알루미나, 티타니아, 또는 당업계에 공지되어 있는 유전체 분말로 만들어질 수 있거나 코팅될 수 있다. 일반적으로, 반사 표면은 Al2O3으로 만들어질 수 있다. 도 4의 LED-계 조명 장치의 구조체의 나머지는 이전 도면의 것과 동일하고, 2개의 도선(16), 상기 도선(16) 중 하나와 LED 칩(12)을 전기적으로 연결시키는 전도성 와이어(30), 및 캡슐화제(20)를 포함한다. 반사 컵(28)이 LED 칩(12)에 전류를 전도하여 LED 칩(12)을 활성화시키거나, 또는 제2 전도성 와이어(32)가 동일 목적으로 사용될 수 있다. 인광체 물질(22)은 전술한 바와 같이 캡슐화제(20) 전체에 분산될 수 있거나, 반사 컵(28) 내에 형성된 보다 작은 투명 케이싱(casing)(34) 내에 분산될 수 있다. 일반적으로, 투명 케이싱(34)은 캡슐화제(20)와 동일한 물질로 만들어질 수 있다. 캡슐화제(20) 내의 투명 케이싱(34)의 사용은, 인광체 물질(22)이 캡슐화제(20) 전체에 분산되는 경우보다 더 적은 양의 인광체 물질(22)을 필요로 할 수 있다는 점에서 유리할 수 있다. 캡슐화제(20)는 전술한 바와 같이 방출된 광(24)을 확산시키는 광 산란 물질 입자(도시되어 있지 않음)를 함유할 수 있다.
도 5는 본 발명의 인광체 블렌드를 사용할 수 있는 기체 방전 장치, 예컨대, 형광 램프를 기초로 한 조명 장치(36)의 투시도이다. 램프(36)는, 배기되고 밀봉된 하우징(38), UV 복사선을 발생시키기 위한, 상기 하우징(38) 내에 위치한 여기 시스템(42), 및 상기 하우징(38) 내에 배치된 인광체 물질(22)을 포함할 수 있다. 말단 캡(40)이 하우징(30)의 허느 한 말단에 부착되어 하우징(38)을 밀봉시킨다.
전형적인 형광 램프에서, 인광체 물질(22), 예컨대, 본 발명의 인광체 블렌드는 하우징의 내면 상에 배치될 수 있다. UV 선을 발생시키기 위한 여기 시스템(42)은 고-에너지 전자를 발생시키기 위한 전자 발생기(44), 및 고-에너지 전자의 에너지를 흡수하고 UV 광을 방출하도록 구성된 충전 기체(46)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 충전 기체(46)는, 고-에너지 전자의 에너지를 흡수하고 UV 광을 방출하는 수은 증기를 포함할 수 있다. 충전 기체(46)는, 수은 증기 이외에, 불활성 기체, 예컨대, 아르곤, 크립톤 등을 포함할 수 있다. 전자 발생기(44)는 낮은 일함수(예를 들어, 4.5 eV 미만의 일함수)를 갖는 금속, 예컨대, 텅스텐으로 구성된 필라멘트, 또는 알칼리 토금속 옥사이드로 코팅된 필라멘트일 수 있다. 전력을 전자 발생기(44)에 공급하기 위해 핀(48)이 구비될 수 있다. 상기 필라멘트는, 그의 표면으로부터 전자를 발생시키도록 고-전압 공급원에 커플링된다.
인광체 물질(22)은 여기 시스템(42)으로부터의 UV 광에 복사선-결합된다. 전술한 바와 같이, "복사선 결합"이라 함은 여기 시스템(42)으로부터의 UV 광으로부터 발생된 복사선이 인광체 물질(22)에 전달되도록 인광체 물질(22)이 여기 시스템(42)과 결합되어 있음을 의미한다. 따라서, 여기 시스템(42)에 복사선-결합된 인광체는 복사선, 예컨대, 여기 시스템(42)으로부터 방출된 UV 광을 흡수할 수 있고, 이에 반응하여 보다 장파장 광, 예컨대, 청색, 청색-녹색, 녹색, 황색 또는 적색 광을 방출할 수 있다. 보다 장파장 광은 하우징(38)을 투과한 발광(24)으로서 가시성일 수 있다. 하우징(38)은 일반적으로 유리 또는 석영과 같은 투명한 물질로 만들어진다. 유리는 유리의 투과 스펙트럼이 "단파" UV 선, 즉 파장이 약 300 nm 미만인 광의 상당한 부분을 차단할 수 있기 때문에 형광 램프에서 하우징(38)으로서 통상적으로 사용된다.
광원(36)에 의해 발생된 광을 확산시키기 위해 인광체 블렌드(22)와 함께 미립자 물질, 예컨대, TiO2 또는 Al2O3가 사용될 수 있다. 이러한 광 산란 물질은 인광체 블렌드(22) 내에 포함될 수 있거나 하우징(38)의 내면과 인광체 블렌드(22) 사이에서 층으로서 별도로 배치될 수 있다. 형광 튜브의 경우, 광 산란 물질 입자의 중간 크기가 약 10 내지 약 400 nm인 것이 유리할 수 있다.
도 5에 도시된 조명 장치 또는 램프(36)는 직선형 하우징(38)을 갖지만, 다른 하우징 형태가 이용될 수 있다. 예를 들어, 소형 형광 램프는 광원(36)의 한 말단에 배치되어 있는 전기 공급 핀(48)과 함께, 하나 이상의 벤드(bend)를 갖거나 나선형 형태로 존재하는 하우징을 가질 수 있다.
각각의 인광체에 대해 적합한 스펙트럼 중량을 할당함으로써, 백색 램프를 위한 색 공간의 관련 부분을 커버하는 스펙트럼 블렌드를 생성할 수 있다. 이의 구체예들이 하기에 나와 있다. 다양한 원하는 CCT, CRT 및 색점을 위해, 블렌드에 포함되는 각각의 인광체의 적절량을 결정할 수 있다. 따라서, 인광체 블렌드가 상응하는 높은 CRI와 함께 임의의 CCT 또는 색점에 거의 근접하도록 조정할 수 있다. 물론, 각각의 인광체의 색은 그의 정확한 조성(예를 들면, 질화물 인광체 내의 Ba, Ca, Sr 뿐 아니라 Eu의 상대적인 양)에 의존할 것이며, 이는 인광체의 색을, 재명명해야 할 수 있는 정도로 변화시킬 수 있다. 그러나, 그러한 변화에 의해 수반되는 동일한 또는 유사한 특성의 조명 장치를 생성하기 위한 스펙트럼 중량의 변화를 결정하는 것은 중요치 않으며, 다양한 방법들, 예를 들면 실험의 설계(DOE) 또는 다른 전략을 사용하여 당분야의 숙련가들에 의해 달성될 수 있다.
본 발명, 특히 본원에 기술된 블렌드 사용에 의해, 일반 조명 용의 낮은 범위의 색 온도(2500 K 내지 4000 K)를 위한, 높은 휘도 및 약 80 초과의 일반적인 CRI 값을 가진 램프가 제공될 수 있다. 일부 블렌드에서 CRI 값은 100의 이론적 최대치에 달한다. 또한, 이 블렌드의 R9 값은 약 90을 초과할 수 있으며 또한 이론적 최대치에 달할 수 있다. 하기 표 1 및 표 2는 각각 CCT 값 2700 K 및 3000 K에서의 휘도, CRI 값 및 R9 값을 보여준다.
실시예
본 실시예들은 단지 예시를 위한 것이며, 청구된 발명의 범위 상에 어떠한 종류의 제한을 가하는 것으로 간주되어서는 안된다.
표 2에 기재된 배합에 따라 다양한 인광체 조성물을 제조하였다. 개개의 인광체의 발광 스펙트럼을 수득하고 이를 표 3에 제시된 다양한 블렌드의 발광 스펙트럼을 예측하기 위한 산출에 사용하였다. 또한, 상기 산출은 또한 광원에 의해 방출된 임의의 가시광을 포함하였다. 도 6 및 도 7은 표 3의 블렌드 중 실시예 1 및 2의 예측된 발광 스펙트럼을 보여준다. 스펙트럼 중량에 기초한 각각의 인광체의 예측된 양은 광원, 예를 들면 430 nm, 440 nm 및 450 nm의 피크 파장을 가진 청색 LED로부터의 발광의 스펙트럼 기여도와 함께 표 4에 나타내었다. 또한, 이들 블렌드에 대해 예측된 스펙트럼으로부터 산출된 스펙트럼 특성 또한 표 4에 나타내었다. 도 6 및 도 7은 각각 표 4의 블렌드 실시예 4 및 3에 상응한다. 유리하게도, 이들 블렌드는 높은 휘도, 높은 CRI, 및 2500 K 내지 3000 K로 조정될 수 있는 낮은 CCT를 가진 백색광을 생성한다.
[표 2] 인광체 블렌드에 사용된 실시예 인광체의 화학식
Figure pct00002

[표 3] 생성된 인광체 블렌드의 예
Figure pct00003

[표 4]
Figure pct00004

[표 4] 계속
Figure pct00005

본 발명의 일부 특징만이 본원에 설명 및 기재되어 있지만, 많은 변경 및 변화가 당업자에게 자명할 것이다. 따라서, 첨부된 특허청구범위는 본 발명의 진정한 기술적 사상에 포함되는 상기 변경 및 변화 모두를 포함함을 이해해야 한다.

Claims (10)

  1. 하기 화학식을 갖는 조성물을 포함하는 제1 인광체:
    RE2 -y M1 +y A2-y Scy Sin -w GewO12 +δ : Ce3 +
    [상기 식에서, RE는 란탄족 원소 이온 또는 Y3 +을 포함하고, M은 Mg, Ca, Sr 또는 Ba를 포함하고, A는 Mg 또는 Zn을 포함하고, 0≤y≤2, 2.5≤n≤3.5, 0≤w≤1, -1.5≤δ≤1.5임];
    망간(Mn4 +)으로 도핑된 착체 불화물을 포함하는 제2 인광체; 및
    약 520 nm 내지 약 680 nm 범위에서 발광 피크를 가진 인광체 조성물을 포함하는 제3 인광체
    의 블렌드를 포함하는 인광체 물질.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 인광체가 화학식 (Ca1 - zCez)3Sc2Sin -wGewO12(이때, 0<z≤0.3)의 조성물을 포함하는, 인광체 물질.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 인광체가 화학식 A2[MF6]:Mn4 +을 포함하되, 이때 A는 Na, K, Rb, Cs, NH4 또는 이들의 조합을 포함하고, M은 Si, Ti, Zr, Mn 또는 이들의 조합을 포함하는, 인광체 물질.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제3 인광체가 가넷(garnet), 질화물, 옥시질화물 또는 이들의 조합을 포함하는, 인광체 물질.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제3 인광체가 (A, Ce)3M5 - aO12 -3/2a(여기서, a는 0≤a≤0.5이고, A는 Y, Gd, Tb, La, Sm, Pr, Lu 또는 이들의 조합을 포함하고, M은 Sc, Al, Ga, 또는 이들의 조합을 포함함)의 가넷을 포함하는, 인광체 물질.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제3 인광체가 (A, Eu)xSiyNz, (여기서, 2x+3y=4z이고, A는 Ba, Ca, Sr 또는 이들의 조합을 포함함)의 질화물을 포함하는, 인광체 물질.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제3 인광체가 A2Si5N8:Eu2 +,Ce2 +(여기서, A는 Ba, Ca, Sr 또는 이들의 조합을 포함함)를 포함하는, 인광체 물질.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 제3 인광체가 화학식 ApBqOrNs: R(이때, A는 바륨을 포함하고, B는 규소를 포함하고, R은 유로퓸(europium)을 포함하며, 2 < p < 6, 8 < q < 10, 0.1 < r < 6, 10 < s < 15임)의 옥시질화물을 포함하는, 인광체 물질.
  9. 약 400 내지 약 480 nm 범위에서 복사선을 방출할 수 있는 광원; 및 상기 광원에 복사선-결합된(radiationally coupled) 인광체 물질을 포함하는 조명 장치로서,
    상기 인광체 물질이,
    하기 화학식을 갖는 조성물을 포함하는 제1 인광체:
    RE2 -y M1 +y A2-y Scy Sin -w GewO12 +δ : Ce3 +
    [상기 식에서, RE는 란탄족 원소 이온 또는 Y3 + 중에서 선택되고, M은 Mg, Ca, Sr 또는 Ba 중에서 선택되고, A는 Mg 또는 Zn 중에서 선택되고, 0≤y≤2, 2.5≤n≤3.5, 0≤w≤1, -1.5≤δ≤1.5임];
    망간(Mn4 +)으로 도핑된 착체 불화물을 포함하는 제2 인광체; 및
    약 520 nm 내지 약 680 nm 범위에서 발광 피크를 가진 인광체 조성물을 포함하는 제3 인광체
    블렌드를 포함하는, 조명 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 광원이 발광 다이오드(LED)를 포함하는, 조명 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170054464A (ko) * 2013-09-09 2017-05-17 지이 라이팅 솔루션스, 엘엘씨 Lag, 질화물, 및 pfs 형광체를 사용한 향상된 컬러 선호도 led 광원

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016039799A1 (en) * 2014-09-09 2016-03-17 GE Lighting Solutions, LLC Enhanced color-preference led light sources using yag, nitride, and pfs phosphors
US10381527B2 (en) 2014-02-10 2019-08-13 Consumer Lighting, Llc Enhanced color-preference LED light sources using yag, nitride, and PFS phosphors
US9583469B2 (en) * 2014-03-06 2017-02-28 Epistar Corporation Light-emitting device
US9929319B2 (en) * 2014-06-13 2018-03-27 General Electric Company LED package with red-emitting phosphors
TWI709711B (zh) * 2014-09-16 2020-11-11 美商Ｇｅ照明解決方案公司 增強的色彩偏好光源
KR20160069724A (ko) * 2014-12-09 2016-06-17 엘지이노텍 주식회사 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR102355081B1 (ko) 2014-12-26 2022-01-26 삼성전자주식회사 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
US11851596B2 (en) 2016-08-12 2023-12-26 Osram Oled Gmbh Lighting device
DE102016121692A1 (de) 2016-08-12 2018-02-15 Osram Gmbh Leuchtstoff und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs
US11114591B2 (en) 2016-08-17 2021-09-07 Current Lighting Solutions, Llc Core-shell materials with red-emitting phosphors
DE112018004067A5 (de) * 2017-08-10 2020-04-23 Osram Oled Gmbh Dimmbare Lichtquelle
US11342311B2 (en) 2019-03-18 2022-05-24 Intematix Corporation LED-filaments and LED-filament lamps utilizing manganese-activated fluoride red photoluminescence material
JP7242894B2 (ja) 2019-03-18 2023-03-20 インテマティックス・コーポレーション 光ルミネセンス層状構造体を備えるパッケージ化された白色発光デバイス
EP3942607A1 (en) 2019-03-18 2022-01-26 Intematix Corporation Led-filament
US11781714B2 (en) 2019-03-18 2023-10-10 Bridgelux, Inc. LED-filaments and LED-filament lamps
US10468564B1 (en) * 2019-03-18 2019-11-05 Intematix Corporation Packaged white light emitting device comprising photoluminescence layered structure

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050093442A1 (en) * 2003-10-29 2005-05-05 Setlur Anant A. Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
US20060169998A1 (en) * 2005-02-02 2006-08-03 Gelcore, Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
JP2007048864A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Nippon Electric Glass Co Ltd 蛍光体複合材料
US20090140205A1 (en) * 2006-05-19 2009-06-04 Mitsubishi Chemical Corporation Nitrogen-containing alloy and method for producing phosphor using the same
KR20100127204A (ko) * 2008-02-07 2010-12-03 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 반도체 발광 장치, 백라이트, 컬러 화상 표시 장치, 및 그들에 사용하는 형광체

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2927279B2 (ja) * 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP4032682B2 (ja) 2001-08-28 2008-01-16 三菱化学株式会社 蛍光体
US7026755B2 (en) 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
US7573072B2 (en) 2004-03-10 2009-08-11 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
JP2006026283A (ja) 2004-07-21 2006-02-02 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線撮影システム
CN102827603A (zh) 2005-03-04 2012-12-19 三菱化学株式会社 荧光体及其制备方法、和使用该荧光体的发光装置
TWI403570B (zh) * 2005-08-10 2013-08-01 Mitsubishi Chem Corp 螢光體與其製造方法，含螢光體組成物，發光裝置及其用途
US7501753B2 (en) 2005-08-31 2009-03-10 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
US8703016B2 (en) * 2008-10-22 2014-04-22 General Electric Company Phosphor materials and related devices
US8329060B2 (en) 2008-10-22 2012-12-11 General Electric Company Blue-green and green phosphors for lighting applications
JP2011159809A (ja) 2010-02-01 2011-08-18 Mitsubishi Chemicals Corp 白色発光装置
US20120019126A1 (en) * 2010-07-22 2012-01-26 General Electric Company Oxynitride phosphors, method of preparation, and light emitting instrument

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050093442A1 (en) * 2003-10-29 2005-05-05 Setlur Anant A. Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
US20060169998A1 (en) * 2005-02-02 2006-08-03 Gelcore, Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
JP2007048864A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Nippon Electric Glass Co Ltd 蛍光体複合材料
US20090140205A1 (en) * 2006-05-19 2009-06-04 Mitsubishi Chemical Corporation Nitrogen-containing alloy and method for producing phosphor using the same
KR20100127204A (ko) * 2008-02-07 2010-12-03 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 반도체 발광 장치, 백라이트, 컬러 화상 표시 장치, 및 그들에 사용하는 형광체

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170054464A (ko) * 2013-09-09 2017-05-17 지이 라이팅 솔루션스, 엘엘씨 Lag, 질화물, 및 pfs 형광체를 사용한 향상된 컬러 선호도 led 광원

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