KR20140078779A - Solar cell and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

A solar cell according to an embodiment of the present invention comprises: a substrate; a rear electrode layer formed on the substrate; a light absorption layer formed on the rear electrode layer; a buffer layer formed on the light absorption layer; and a front electrode layer formed on the buffer layer, wherein a pattern is formed on the surface of the front electrode layer. A method for manufacturing a solar cell according to an embodiment of the present invention includes the steps of: forming a rear electrode layer on a substrate; forming a light absorption layer on the rear electrode layer; forming a buffer layer on the light absorption layer; forming a front electrode layer on the buffer layer; and forming a pattern on the surface of the front electrode layer, wherein the pattern has a triangle shape and is formed in a horizontal direction, in a vertical direction, or in a diagonal direction of the front electrode layer.

Description

태양전지 및 이의 제조 방법{SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

실시예는 태양전지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.An embodiment relates to a solar cell and a manufacturing method thereof.

태양광 발전을 위한 태양전지의 제조방법은 다음과 같다. 먼저, 기판이 제공되고, 상기 기판 상에 후면전극층이 형성되고, 레이저에 의해서 패터닝되어, 다수 개의 이면전극들이 형성된다.A manufacturing method of a solar cell for solar power generation is as follows. First, a substrate is provided, a back electrode layer is formed on the substrate, and the back electrode layer is patterned by a laser to form a plurality of back surface electrodes.

이후, 상기 이면전극들 상에 광 흡수층, 버퍼층 및 고저항 버퍼층이 차례로 형성된다. 상기 광 흡수층을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다. 상기 광 흡수층의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1 내지 1.8 eV 이다.Then, a light absorption layer, a buffer layer, and a high-resistance buffer layer are sequentially formed on the back electrodes. A method of forming a light absorbing layer of copper-indium-gallium-selenide (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS system) while simultaneously or separately evaporating copper, indium, gallium and selenium in order to form the above- A method in which a metal precursor film is formed and then formed by a selenization process is widely used. The band gap of the light absorption layer is about 1 to 1.8 eV.

이후, 상기 광 흡수층 상에 황화 카드뮴(CdS)을 포함하는 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 상기 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 2.2 내지 2.4 eV 이다. 이후, 상기 버퍼층 상에 징크 옥사이드(ZnO)를 포함하는 고저항 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 내지 3.3 eV 이다.Thereafter, a buffer layer containing cadmium sulfide (CdS) is formed on the light absorption layer by a sputtering process. The energy band gap of the buffer layer is about 2.2 to 2.4 eV. Then, a high resistance buffer layer containing zinc oxide (ZnO) is formed on the buffer layer by a sputtering process. The energy band gap of the high resistance buffer layer is about 3.1 to 3.3 eV.

이후, 상기 광 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 고저항 버퍼층에 홈 패턴이 형성될 수 있다.Then, a groove pattern may be formed in the light absorption layer, the buffer layer, and the high resistance buffer layer.

이후, 상기 고저항 버퍼층 상에 투명한 도전물질이 적층되고, 상기 홈패턴이 상기 투명한 도전물질이 채워진다. 이에 따라서, 상기 고저항 버퍼층 상에 투명전극층이 형성되고, 상기 홈 패턴 내측에 접속배선들이 각각 형성된다. 상기 투명전극층 및 상기 접속배선으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드 등을 들 수 있다. 상기 투명전극층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 내지 3.3 eV 이다.Thereafter, a transparent conductive material is laminated on the high-resistance buffer layer, and the transparent conductive material is filled in the groove pattern. Accordingly, a transparent electrode layer is formed on the high-resistance buffer layer, and connection wirings are formed inside the groove pattern, respectively. Examples of the material used for the transparent electrode layer and the connection wiring include aluminum-doped zinc oxide and the like. The energy band gap of the transparent electrode layer is about 3.1 to 3.3 eV.

이후, 상기 투명전극층 등에 홈 패턴이 형성되어, 다수 개의 태양전지들이 형성될 수 있다. 상기 투명전극들 및 상기 고저항 버퍼들은 각각의 셀에 대응한다. 상기 투명전극들 및 상기 고저항 버퍼들은 스트라이프 형태 또는 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.Thereafter, a groove pattern is formed on the transparent electrode layer and the like to form a plurality of solar cells. The transparent electrodes and the high-resistance buffers correspond to respective cells. The transparent electrodes and the high resistance buffers may be arranged in a stripe form or a matrix form.

상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 서로 미스 얼라인되며, 상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 상기 접속배선들에 의해서 각각 전기적으로 연결된다. 이에 따라서, 다수 개의 태양전지들이 서로 전기적으로 직렬로 연결될 수 있다.The transparent electrodes and the back electrodes are mutually misaligned, and the transparent electrodes and the back electrodes are electrically connected to each other by the connection wirings. Accordingly, a plurality of solar cells can be electrically connected to each other in series.

이와 같이, 태양광을 전기에너지로 변환시키기 위해서, 다양한 형태의 태양광 발전장치가 제조되고, 사용될 수 있다. 이와 같은 태양광 발전장치는 특허 공개 공보 10-2008-0088744 등에 개시된다.Thus, various types of photovoltaic devices can be manufactured and used to convert sunlight into electrical energy. Such a photovoltaic power generation apparatus is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2008-0088744.

한편, 상기 투명 전극층을 형성하는 단계에서는 공지되어 있는 다양한 방법에 의해 형성될 수 있다. 일례로, 상기 투명 전극층을 형성하는 단계는, RF 스퍼터링 방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법과 Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링 또는 유기금속화학증착법 등으로 형성될 수 있다. Meanwhile, in the step of forming the transparent electrode layer, various known methods can be used. For example, the transparent electrode layer may be formed by a method of depositing a ZnO target by a RF sputtering method, a reactive sputtering method using an Zn target, or an MOCVD method.

한편, 상기 투명 전극층으로 투과되는 광의 투과율을 향상시키기 위한 다양한 방법이 시도되고 있으며, 광 투과율을 향상시켜 전체적으로 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 태양전지 및 이의 제조 방법의 필요성이 대두된다.Meanwhile, various methods for improving the transmittance of light transmitted through the transparent electrode layer have been attempted, and there is a need for a solar cell capable of improving the light transmittance and improving the efficiency of the solar cell as a whole and a manufacturing method thereof.

실시예는 향상된 광 투과율 및 광-전 변환 효율을 가지는 태양전지 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.Embodiments provide a solar cell having improved light transmittance and photo-electric conversion efficiency and a method of manufacturing the same.

실시예에 따른 태양전지는, 기판; 상기 기판 상에 형성되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상에 형성되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 형성되는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 형성되는 전면 전극층을 포함하고, 상기 전면 전극층의 표면에는 패턴이 형성된다.A solar cell according to an embodiment includes a substrate; A back electrode layer formed on the substrate; A light absorbing layer formed on the rear electrode layer; A buffer layer formed on the light absorbing layer; And a front electrode layer formed on the buffer layer, wherein a pattern is formed on a surface of the front electrode layer.

실시예에 따른 태양전지 제조방법은, 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 전면 전극층의 표면에 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 패턴은 삼각 형상을 포함하고, 상기 패턴은 상기 전면 전극층의 가로 방향, 세로 방향 또는 대각선 방향으로 형성된다.A method of manufacturing a solar cell according to an embodiment includes forming a rear electrode layer on a substrate; Forming a light absorption layer on the rear electrode layer; Forming a buffer layer on the light absorbing layer; Forming a front electrode layer on the buffer layer; And forming a pattern on a surface of the front electrode layer, wherein the pattern includes a triangle, and the pattern is formed in a transverse direction, a longitudinal direction, or a diagonal direction of the front electrode layer.

실시예에 따른 태양전지는 상기 전면 전극층 상에 특정한 패턴들을 포함함으로써, 향상된 광 투과율 및 광-전 변환 효율을 가질 수 있다.The solar cell according to the embodiment may include specific patterns on the front electrode layer to thereby have improved light transmittance and photo-electric conversion efficiency.

즉, 실시예에 따른 태양전지는 상기 전면 전극층 상에 형성되는 패턴들에 의해 상기 전면 전극층의 표면적을 증가함에 따라, 상기 전면 전극층으로 입사하는 광 투과율을 향상시킬 수 있고, 상기 삼각 형상의 패턴을 포함하므로, 피뢰침 효과와 유사한 원리로 전자 수집률을 향상시킴에 따라 필팩터(fill factor)을 증가시켜 전체적이 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.That is, as the surface area of the front electrode layer is increased by the patterns formed on the front electrode layer, the solar cell according to the embodiment can improve the light transmittance incident on the front electrode layer, Therefore, it is possible to improve the efficiency of the solar cell as a whole by increasing the fill factor by improving the electron collection rate by a principle similar to the lightning rod effect.

또한, 실시예에 따른 태양전지는, 상기 전면 전극층에 형성되는 패턴들에 의해 상기 전면 전극층의 표면적이 향상되므로, 상기 태양전지를 포함하는 모듈을 제조할 때, 상기 전면 전극층 상에 형성되는 EVA 필름과의 접착력을 향상시킬 수 있다. 즉, 상기 태양전지와 EVA 필름과의 접착렵을 향상시킬 수 있으므로, 외부의 수분 등의 침투를 보다 효과적으로 막을 수 있으므로, 태양전지의 전체적인 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, since the surface area of the front electrode layer is improved by the patterns formed on the front electrode layer in the solar cell according to the embodiment, when the module including the solar cell is manufactured, the EVA film It is possible to improve the adhesion to the substrate. That is, since the bonding of the solar cell and the EVA film can be improved, penetration of moisture and the like from the outside can be prevented more effectively, so that the overall reliability of the solar cell can be improved.

또한, 실시예에 따른 태양전지 제조방법은 상술한 효과를 가지는 태양전지를 제조할 수 있다. In addition, the solar cell manufacturing method according to the embodiment can manufacture a solar cell having the above-described effects.

도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2의 태양전지의 전면 전극층을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 11은 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a plan view showing a solar cell according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing one end surface of a solar cell according to an embodiment.
3 is an enlarged cross-sectional view of a front electrode layer of the solar cell of FIG.
FIGS. 4 to 11 are views for explaining a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; includes all that is formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 실시예에 따른 태양전지를 상세하게 설명한다. 도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이고, 도 2는 실시예에 따른 태양전지의 일 단면을 도시한 단면도이며, 도 3은 도 2의 태양전지의 전면 전극층을 확대하여 도시한 단면도이다.Hereinafter, a solar cell according to an embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3. FIG. FIG. 1 is a plan view of a solar cell according to an embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a solar cell according to an embodiment, and FIG. 3 is a cross- to be.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 태양전지는, 지지 기판(100), 후면 전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 전면 전극층(500) 및 다수 개의 접속부(600)를 포함한다.1 to 3, a solar cell according to an embodiment includes a support substrate 100, a rear electrode layer 200, a light absorption layer 300, a buffer layer 400, a front electrode layer 500, 600).

상기 지지 기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 후면 전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 전면 전극층(500) 및 상기 접속부(600)를 지지한다.The supporting substrate 100 has a plate shape and supports the rear electrode layer 200, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, the front electrode layer 500, and the connection portion 600.

상기 지지 기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 유리 기판, 플라스틱 기판 또는 금속 기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지 기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible)할 수 있다.The support substrate 100 may be an insulator. The support substrate 100 may be a glass substrate, a plastic substrate, or a metal substrate. More specifically, the support substrate 100 may be a soda lime glass substrate. The supporting substrate 100 may be transparent. The support substrate 100 may be rigid or flexible.

상기 후면 전극층(200)은 상기 지지 기판(100) 상에 배치된다. 상기 후면 전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면 전극층(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴 등의 금속을 들 수 있다.The rear electrode layer 200 is disposed on the supporting substrate 100. The rear electrode layer 200 is a conductive layer. Examples of the material used for the rear electrode layer 200 include metals such as molybdenum.

또한, 상기 후면 전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.In addition, the rear electrode layer 200 may include two or more layers. At this time, the respective layers may be formed of the same metal or may be formed of different metals.

상기 후면전극층(200)에는 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 제 1 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다.First through holes (TH1) are formed in the rear electrode layer (200). The first through grooves TH1 are open regions that expose the upper surface of the supporting substrate 100. [ The first through grooves TH1 may have a shape extending in a first direction when viewed from a plane.

상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.The width of the first through grooves TH1 may be about 80 占 퐉 to about 200 占 퐉.

상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 후면전극층(200)은 다수 개의 후면전극들로 구분된다. 즉, 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 후면전극들이 정의된다.The rear electrode layer 200 is divided into a plurality of rear electrodes by the first through holes TH1. That is, the rear electrodes are defined by the first through holes TH1.

상기 후면 전극들은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서 서로 이격된다. 상기 후면 전극들은 스트라이프 형태로 배치도니다.The rear electrodes are spaced apart from each other by the first through holes TH1. The rear electrodes are also arranged in stripes.

이와는 다르게, 상기 후면 전극들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 격자 형태로 형성될 수 있다.Alternatively, the rear electrodes may be arranged in a matrix. At this time, the first through grooves TH1 may be formed in a lattice form when viewed from a plane.

상기 광 흡수층(300)은 상기 후면전극층(200) 상에 배치된다. 또한, 상기 광 흡수층(300)에 포함된 물질은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 채워진다.The light absorption layer 300 is disposed on the rear electrode layer 200. In addition, the material contained in the light absorption layer 300 is filled in the first through holes TH1.

상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.The light absorption layer 300 includes an I-III-VI group compound. For example, the light absorbing layer 300 is copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) crystal structure, a copper-indium-selenide-based or copper-gallium-selenide Crystal structure.

상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.The energy band gap of the light absorption layer 300 may be about 1 eV to 1.8 eV.

이어서, 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300)에 직접 접촉한다.Then, the buffer layer 400 is disposed on the light absorption layer 300. The buffer layer 400 is in direct contact with the light absorption layer 300.

상기 버퍼층(400) 상에는 고저항 버퍼층(도면에 미도시)이 더 배치될 수 있다. 상기 고저항 버퍼층은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV일 수 있다.A high resistance buffer layer (not shown) may be further disposed on the buffer layer 400. The high-resistance buffer layer includes zinc oxide (i-ZnO) not doped with an impurity. The energy band gap of the high resistance buffer layer may be about 3.1 eV to 3.3 eV.

상기 버퍼층(400) 상에는 제 2 관통홈들(TH2)이 형성될 수 있다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 지지 기판(100)의 상면 및 상기 후면 전극층(200)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 평면에서 보았을 때, 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Second through holes (TH2) may be formed on the buffer layer (400). The second through grooves TH2 are open regions that expose the upper surface of the supporting substrate 100 and the upper surface of the rear electrode layer 200. [ The second through grooves TH2 may have a shape extending in one direction when viewed in a plan view. The width of the second through grooves TH2 may be about 80 탆 to about 200 탆, but is not limited thereto.

상기 버퍼층(400)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 다수 개의 버퍼층들로 정의된다. 즉, 상기 버퍼층(400)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 상기 버퍼층들로 구분된다.The buffer layer 400 is defined as a plurality of buffer layers by the second through grooves TH2. That is, the buffer layer 400 is divided into the buffer layers by the second through grooves TH2.

상기 전면 전극층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 전면 전극층(500)은 상기 고저항 버퍼층 상에 배치된다. 상기 전면 전극층(500)은 투명하며 도전층이다. 또한, 상기 전면 전극층(500)의 저항은 상기 후면 전극층(500)의 저항보다 높다.The front electrode layer 500 is disposed on the buffer layer 400. More specifically, the front electrode layer 500 is disposed on the high-resistance buffer layer. The front electrode layer 500 is transparent and is a conductive layer. Also, the resistance of the front electrode layer 500 is higher than the resistance of the rear electrode layer 500.

상기 전면 전극층(500)은 산화물을 포함한다. 일례로, 상기 전면 전극층(500)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnC;AZO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 등을 들 수 있다.The front electrode layer 500 includes an oxide. Examples of the material used for the front electrode layer 500 include Al doped ZnC (indium zinc oxide), indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO) And the like.

상기 전면 전극층(500)의 표면에는 일정한 패턴(510)이 형성될 수 있다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 전면 전극층(500)의 표면에는 일정한 간격, 높이 및 깊이를 가지는 패턴(510)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 패턴(510)은 상기 전면 전극층(500)에 대해 음각으로 형성되거나 또는 양각으로 형성될 수 있다.A predetermined pattern 510 may be formed on the front electrode layer 500. Referring to FIGS. 2 and 3, a pattern 510 may be formed on the surface of the front electrode layer 500 to have a predetermined interval, height, and depth. In addition, the pattern 510 may be formed at an obtuse angle with respect to the front electrode layer 500, or may be formed with an embossed shape.

도 3을 참조하면, 상기 전면 전극층(500) 상에는 삼각 형상의 패턴(510)들이 형성될 수 있다. 도 3에서는 상기 패턴(510)이 삼각 형상으로 형성되어 있는 것이 도시되어 있으나, 실시예는 이에 제한되지 않고 형상을 가지는 패턴들이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3, triangular patterns 510 may be formed on the front electrode layer 500. In FIG. 3, the pattern 510 is shown to be formed in a triangular shape. However, the present invention is not limited thereto. Patterns having a shape may be formed.

상기 복수 개의 패턴(510)들은 일정한 깊이(b), 폭(a) 및 간격(c)을 가지면서 형성될 수 있다. 일례로, 상기 복수 개의 패턴(510)들은 약 0.1㎛ 내지 약 0.5㎛의 깊이로 형성되고, 약 0.1㎛ 내지 약 50㎛의 폭으로 형성되며, 약 0.01㎜ 내지 약 1㎜의 간격으로 이격하여 형성될 수 있다.The plurality of patterns 510 may be formed with a predetermined depth b, a width a, and spacing c. For example, the plurality of patterns 510 may be formed to a depth of about 0.1 탆 to about 0.5 탆, formed with a width of about 0.1 탆 to about 50 탆, spaced apart by an interval of about 0.01 mm to about 1 mm .

상기 패턴(510)의 깊이, 폭 및 간격에 대한 수치 범위는 상기 전면 전극층으로 입사는 광 투과율을 고려하여 설정된 값이다.The numerical range of depth, width, and spacing of the pattern 510 is a value set considering the light transmittance of the incident light into the front electrode layer.

또한, 상기 패턴(510)들은 상기 전면 전극층(500) 상의 표면 전체에 형성되거나 일부에 형성될 수 있다. 일례로, 상기 패턴(510)들은 상기 전면 전극층(500)의 가로 방향 또는 세로 방향으로 형성될 수 있다. 또는, 상기 패턴(510)들은 상기 전면 전극층(500)의 대각선 방향으로 형성될 수 있다. 또는, 상기 패턴(510)들은 상기 전면 전극층(500)의 세로 방향 및 가로 방향으로 교차하면 형성될 수 있다.In addition, the patterns 510 may be formed on the entire surface of the front electrode layer 500 or may be formed on a part of the front surface. For example, the patterns 510 may be formed in the transverse direction or the longitudinal direction of the front electrode layer 500. Alternatively, the patterns 510 may be formed in the diagonal direction of the front electrode layer 500. Alternatively, the patterns 510 may be formed by intersecting the front electrode layer 500 in the longitudinal direction and the transverse direction.

또한, 상기 패턴(510)들은 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 일례로 삼각 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 패턴(510)들은 상기 전면 전극층 상에 스파이크(spike)와 같이 상기 전면 전극층(500)에서 상기 버퍼층(400) 방향으로 갈수록 끝이 뾰족해지는 형상을 가질 수 있다. 다시 말해, 상기 패턴(510)들의 폭은 상기 전면 전극층(500)에서 상기 버퍼층(400) 방향으로 갈수록 좁아질 수 있다.In addition, the patterns 510 may be formed in various shapes, for example, a triangular shape. That is, the patterns 510 may be spiked on the front electrode layer so that the edges of the front electrode layer 500 become sharp toward the buffer layer 400. In other words, the width of the patterns 510 may become narrower from the front electrode layer 500 toward the buffer layer 400.

상기 전면 전극층(500)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내부에 위치하는 접속부(600)들을 포함한다. The front electrode layer 500 includes connection portions 600 positioned in the second through holes TH2.

상기 버퍼층(400) 및 상기 전면 전극층(500)에는 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다. 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 버퍼층(400)의 일부 또는 전부, 상기 고저항 버퍼층 및 상기 전면 전극층(500)을 관통할 수 있다. 즉, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 후면 전극층(200)의 상면을 노출시킬 수 있다.Third through holes TH3 are formed in the buffer layer 400 and the front electrode layer 500. [ The third through holes TH3 may pass through a part or all of the buffer layer 400, the high resistance buffer layer, and the front electrode layer 500. [ That is, the third through holes TH3 may expose the upper surface of the rear electrode layer 200. [

상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 인접하는 위치에 형성된다. 더 자세하게, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 옆에 배치된다. 즉, 평면에서 보았을 때, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 옆에 나란히 배치된다. 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 1 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다.The third through grooves TH3 are formed at positions adjacent to the second through grooves TH2. More specifically, the third through-holes TH3 are disposed beside the second through-holes TH2. That is, when viewed in plan, the third through grooves TH3 are arranged next to the second through grooves TH2. The third through grooves TH3 may have a shape extending in the first direction.

상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 전면 전극층(500)을 관통한다. 더 자세하게, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및/또는 상기 고저항 버퍼층을 일부 또는 전부 관통할 수 있다.The third through holes (TH3) penetrate the front electrode layer (500). More specifically, the third through-holes TH3 may partially or wholly penetrate the light absorption layer 300, the buffer layer 400, and / or the high-resistance buffer layer.

상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 전면 전극층(500)은 다수 개의 전면전극들로 구분된다. 즉, 상기 전면전극들은 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서 정의된다.The front electrode layer 500 is divided into a plurality of front electrodes by the third through holes TH3. That is, the front electrodes are defined by the third through holes TH3.

상기 전면 전극들은 상기 후면전극들과 대응되는 형상을 가진다. 즉, 상기 전면 전극들은 스트라이프 형태로 배치된다. 이와는 다르게, 상기 전면 전극들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.The front electrodes have a shape corresponding to the rear electrodes. That is, the front electrodes are arranged in a stripe form. Alternatively, the front electrodes may be arranged in a matrix form.

또한, 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 다수 개의 태양전지들(C1, C2...)이 정의된다. 더 자세하게, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 및 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 태양전지들(C1, C2...)이 정의된다. 즉, 상기 제 2 관통홈들(TH2) 및 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 실시예에 따른 태양전지는 상기 태양전지들(C1, C2...)로 구분된다. 또한, 상기 태양전지들(C1, C2...)은 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 서로 연결된다. 즉, 상기 태양전지들(C1, C2...)을 통하여 상기 제 2 방향으로 전류가 흐를 수 있다.Further, a plurality of solar cells C1, C2, ... are defined by the third through-holes TH3. More specifically, the solar cells (C1, C2, ...) are defined by the second through-holes (TH2) and the third through-holes (TH3). That is, the solar cell according to the embodiment is divided into the solar cells (C1, C2, ...) by the second through grooves TH2 and the third through grooves TH3. The solar cells C1, C2, ... are connected to each other in a second direction intersecting with the first direction. That is, current can flow in the second direction through the solar cells C1, C2, ....

즉, 상기 태양전지 패널(10)은 상기 지지기판(100) 및 상기 태양전지들(C1, C2...)을 포함한다. 상기 태양전지들(C1, C2...)은 상기 지지기판(100) 상에 배치되고, 서로 이격된다. 또한, 상기 태양전지들(C1, C2...)은 상기 접속부들(600)에 의해서 서로 직렬로 연결된다.That is, the solar cell panel 10 includes the support substrate 100 and the solar cells C1, C2,. The solar cells C1, C2, ... are disposed on the support substrate 100 and are spaced apart from each other. In addition, the solar cells C1, C2, ... are connected in series with each other by the connection parts 600.

상기 접속부들(600)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 내측에 배치된다. 상기 접속부들(600)은 상기 전면 전극층(500)으로부터 하방으로 연장되며, 상기 후면 전극층(200)에 접속된다. 예를 들어, 상기 접속부들(600)은 상기 제 1 셀(C1)의 전면전극으로부터 연장되어, 상기 제 2 셀(C2)의 후면전극에 접속된다.The connection portions 600 are disposed inside the second through grooves TH2. The connection portions 600 extend downward from the front electrode layer 500 and are connected to the rear electrode layer 200. For example, the connection portions 600 extend from the front electrode of the first cell C1 and are connected to the rear electrode of the second cell C2.

따라서, 상기 접속부들(600)은 서로 인접하는 태양전지들을 연결한다. 더 자세하게, 상기 접속부들(600)은 서로 인접하는 태양전지들에 각각 포함된 전면전극과 후면전극을 연결한다.Accordingly, the connection portions 600 connect adjacent solar cells. More specifically, the connection units 600 connect front electrodes and back electrodes, respectively, included in adjacent solar cells.

상기 접속부(600)는 상기 전면전극층(600)과 일체로 형성된다. 즉, 상기 접속부(600)로 사용되는 물질은 상기 전면전극층(500)으로 사용되는 물질과 동일하다.The connection part 600 is formed integrally with the front electrode layer 600. That is, the material used for the connection part 600 is the same as the material used for the front electrode layer 500.

앞서 설명하였듯이, 실시예에 따른 태양전지는 상기 전면 전극층 상에 특정한 패턴들을 포함함으로써, 향상된 광 투과율 및 광-전 변환 효율을 가질 수 있다.As described above, the solar cell according to the embodiment can have improved light transmittance and photo-electric conversion efficiency by including specific patterns on the front electrode layer.

즉, 실시예에 따른 태양전지는 상기 전면 전극층 상에 형성되는 패턴들에 의해 상기 전면 전극층의 표면적을 증가함에 따라, 상기 전면 전극층으로 입사하는 광 투과율을 향상시킬 수 있고, 상기 삼각 형상의 패턴을 포함하므로, 피뢰침 효과와 유사한 원리로 전자 수집률을 향상시킴에 따라 필팩터(fill factor)을 증가시켜 전체적이 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.That is, as the surface area of the front electrode layer is increased by the patterns formed on the front electrode layer, the solar cell according to the embodiment can improve the light transmittance incident on the front electrode layer, Therefore, it is possible to improve the efficiency of the solar cell as a whole by increasing the fill factor by improving the electron collection rate by a principle similar to the lightning rod effect.

또한, 실시예에 따른 태양전지는, 상기 전면 전극층에 형성되는 패턴들에 의해 상기 전면 전극층의 표면적이 향상되므로, 상기 태양전지를 포함하는 모듈을 제조할 때, 상기 전면 전극층 상에 형성되는 EVA 필름과의 접착력을 향상시킬 수 있다. 즉, 상기 태양전지와 EVA 필름과의 접착렵을 향상시킬 수 있으므로, 외부의 수분 등의 침투를 보다 효과적으로 막을 수 있으므로, 태양전지의 전체적인 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
In addition, since the surface area of the front electrode layer is improved by the patterns formed on the front electrode layer in the solar cell according to the embodiment, when the module including the solar cell is manufactured, the EVA film It is possible to improve the adhesion to the substrate. That is, since the bonding of the solar cell and the EVA film can be improved, penetration of moisture and the like from the outside can be prevented more effectively, so that the overall reliability of the solar cell can be improved.

이하, 도 4 내지 도 11을 참조하여, 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명한다. 도 4 내지 도 11은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다. 실시예에 따른 태양전지의 제조방법에 대한 설명에서는 앞서 설명한 실시예에 따른 태양전지에 대한 설명과 동일 유사한 부분에 대한 설명은 생략하며. 실시예에 따른 태양전지에 대한 설명과 본질적으로 결합된다.Hereinafter, a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 4 to 11. FIG. FIGS. 4 to 11 are views for explaining a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment. In the description of the manufacturing method of the solar cell according to the embodiment, description of the same parts as the description of the solar cell according to the embodiment described above is omitted. Lt; RTI ID = 0.0 > embodiment < / RTI >

먼저, 도 4를 참조하면, 지지기판(100) 상에 후면 전극층(200)이 형성된다.Referring to FIG. 4, a back electrode layer 200 is formed on a support substrate 100.

이어서, 도 5를 참조하면, 상기 후면 전극층(200)은 패터닝되어 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 지지기판(100) 상에 다수 개의 후면 전극들, 제 1 연결 전극 및 제 2 연결 전극이 형성된다. 상기 후면 전극층(200)은 레이저에 의해서 패터닝된다.Referring to FIG. 5, the rear electrode layer 200 is patterned to form first through holes TH1. Accordingly, a plurality of rear electrodes, a first connection electrode, and a second connection electrode are formed on the supporting substrate 100. The rear electrode layer 200 is patterned by a laser.

상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하며, 약 80㎛ 내지 약 200㎛의 폭을 가질 수 있다.The first through holes TH1 expose the upper surface of the supporting substrate 100 and may have a width of about 80 mu m to about 200 mu m.

또한, 상기 지지기판(100) 및 상기 후면 전극층(200) 사이에 확산 방지막 등과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있고, 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 추가적인 층의 상면을 노출하게 된다.An additional layer such as a diffusion barrier layer may be interposed between the supporting substrate 100 and the back electrode layer 200. The first through holes TH1 expose the upper surface of the additional layer .

이어서, 도 6을 참조하면, 상기 후면전극층(200) 상에 광 흡수층(300)이 형성된다. 상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6, a light absorption layer 300 is formed on the rear electrode layer 200. The light absorption layer 300 may be formed by a sputtering process or an evaporation process.

예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.For example, a copper-indium-gallium-selenide (Cu (In, Ga) Se 2 ; CIGS system) is formed while simultaneously evaporating copper, indium, gallium, and selenium to form the light absorption layer 300. A method of forming a light absorbing layer 300 of a metal precursor film and a method of forming a metal precursor film by a selenization process are widely used.

금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 후면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.When a metal precursor film is formed and then subjected to selenization, a metal precursor film is formed on the rear electrode 200 by a sputtering process using a copper target, an indium target, and a gallium target.

이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.Then, the metal precursor film is formed with a light absorbing layer 300 of copper-indium-gallium-selenide (Cu (In, Ga) Se 2, CIGS system) by a selenization process.

이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.Alternatively, the copper target, the indium target, the sputtering process using the gallium target, and the selenization process may be performed simultaneously.

이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.Alternatively, the CIS-based or CIG-based optical absorption layer 300 can be formed by using only a copper target and an indium target, or by a sputtering process and a selenization process using a copper target and a gallium target.

이후, 도 7을 참조하면, 황화 카드뮴이 스퍼터링 공정 또는 용액성장법(chemical bath depositon;CBD) 등에 의해서 증착되고, 상기 버퍼층(400)이 형성된다. 7, cadmium sulfide is deposited by a sputtering process or a chemical bath deposition (CBD) process, and the buffer layer 400 is formed.

이어서, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 증착 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층이 더 형성될 수 있다. 상기 고저항 버퍼층은 디에틸아연(diethylzinc, DEZ)을 증착함으로써 형성될 수 있다. Then, zinc oxide is deposited on the buffer layer 400 by a deposition process or the like, and the high resistance buffer layer may be further formed. The high resistance buffer layer may be formed by depositing diethylzinc (DEZ).

상기 고저항 버퍼층은 화학 증착(chemical vapor deposition, CVD), 유기금속 화학 증착(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 또는 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD)에 의해 형성될 수 있다. 바람직하게는, 상기 고저항 버퍼층은 유기금속 화학 증착을 통해 형성될 수 있다.The high resistance buffer layer may be formed by chemical vapor deposition (CVD), metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), or atomic layer deposition (ALD). Preferably, the high-resistance buffer layer may be formed through metal-organic chemical vapor deposition.

이어서, 도 8을 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 및 상기 버퍼층(400)의 일부가 제거되어 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다.Referring to FIG. 8, the light absorbing layer 300 and a part of the buffer layer 400 are removed to form second through holes TH2.

상기 제 2 관통홈들(TH2)은 팁 등의 기계적인 장치 또는 레이저 장치 등에 의해서 형성될 수 있다.The second through grooves TH2 may be formed by a mechanical device such as a tip or a laser device.

예를 들어, 약 40㎛ 내지 약 180㎛의 폭을 가지는 팁에 의해서, 상기 광 흡수층(300) 및 상기 버퍼층(400)은 패터닝될 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 약 200㎚ 내지 약 600㎚의 파장을 가지는 레이저에 의해서 형성될 수 있다.For example, the light absorption layer 300 and the buffer layer 400 can be patterned by a tip having a width of about 40 占 퐉 to about 180 占 퐉. Further, the second through grooves TH2 may be formed by a laser having a wavelength of about 200 nm to about 600 nm.

이때, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 100㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 후면전극층(200)의 상면의 일부를 노출하도록 형성된다.At this time, the width of the second through grooves TH2 may be about 100 mu m to about 200 mu m. The second through holes TH2 are formed to expose a part of the upper surface of the rear electrode layer 200. [

이어서, 도 9를 참조하면, 상기 버퍼층(400) 상에 투명한 도전물질이 증착되어 전면 전극층(500)이 형성된다.Referring to FIG. 9, a transparent conductive material is deposited on the buffer layer 400 to form a front electrode layer 500.

상기 전면 전극층(500)은 무산소 분위기에서 상기 투명한 도전물질이 증착되어 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 전면 전극층(500)은 산소를 포함하지 않는 불활성 기체 분위기에서 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드가 증착되어 형성될 수 있다.The front electrode layer 500 may be formed by depositing the transparent conductive material in an oxygen-free atmosphere. In more detail, the front electrode layer 500 may be formed by depositing aluminum oxide-doped zinc oxide in an inert gas atmosphere containing no oxygen.

상기 전면 전극층을 형성하는 단계는, RF 스퍼터링 방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법 또는 Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링 방법으로 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드를 증착하여 형성될 수 있다.The step of forming the front electrode layer may be formed by depositing aluminum oxide-doped zinc oxide by a method of depositing using a ZnO target by RF sputtering or a reactive sputtering method using a Zn target.

이어서, 도 10을 참조하면, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 전면 전극층(500)의 일부가 제거되어 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다. 이에 따라서, 상기 전면 전극층(500)은 패터닝되어, 다수 개의 전면전극들 및 제 1 셀(C1), 제 2 셀(C2) 및 제 3 셀들(C3)이 정의된다. 상기 제 3 관통홈들(TH3)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.10, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and a part of the front electrode layer 500 are removed to form third through holes TH3. Accordingly, the front electrode layer 500 is patterned to define a plurality of front electrodes and a first cell C1, a second cell C2, and a third cell C3. The width of the third through-holes TH3 may be about 80 占 퐉 to about 200 占 퐉.

이어서, 도 11을 참조하면, 상기 전면 전극층(500)의 상에 패턴(510)들이 형성된다. 상기 패턴(510)들은 기계적인 방법에 의해 형성될 수 있다. 일례로, 상기 패턴(510)들은 미세 크기의 니들(needle)을 이용하여 일정한 간격, 폭 및 깊이를 가지는 복수 개의 패턴(510)들을 형성할 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고, 상기 전면 전극층 상에 마스크를 형성한 후, 일정한 간격, 폭 및 깊이로 에칭하여 상기 패턴(510)들을 형성할 수 있으며, 다양한 방법에 의해 상기 패턴들을 형성할 수 있다.Next, referring to FIG. 11, patterns 510 are formed on the front electrode layer 500. The patterns 510 may be formed by a mechanical method. For example, the patterns 510 may form a plurality of patterns 510 having a predetermined gap, width, and depth using a fine needle. However, the present invention is not limited thereto. The patterns 510 may be formed by forming a mask on the front electrode layer, etching the pattern to a predetermined gap, width and depth, and forming the patterns by various methods .

앞서 설명하였듯이, 실시예에 따른 태양전지 제조방법은 상기 전면 전극층 상에 특정한 패턴들을 형성하여 향상된 광 투과율 및 광-전 변환 효율을 가지는 태양전지를 제조할 수 있다.
As described above, the solar cell fabrication method according to the embodiments can form solar cells having improved light transmittance and photo-conversion efficiency by forming specific patterns on the front electrode layer.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (10)

기판;
상기 기판 상에 형성되는 후면 전극층;
상기 후면 전극층 상에 형성되는 광 흡수층;
상기 광 흡수층 상에 형성되는 버퍼층; 및
상기 버퍼층 상에 형성되는 전면 전극층을 포함하고,
상기 전면 전극층의 표면에는 패턴이 형성되는 태양전지. Board;
A back electrode layer formed on the substrate;
A light absorbing layer formed on the rear electrode layer;
A buffer layer formed on the light absorbing layer; And
And a front electrode layer formed on the buffer layer,
And a pattern is formed on a surface of the front electrode layer. 제 1항에 있어서,
상기 패턴은, 상기 전면 전극층의 가로 방향으로 형성되는 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the pattern is formed in a lateral direction of the front electrode layer. 제 1항에 있어서,
상기 패턴은, 상기 전면 전극층의 세로 방향으로 형성되는 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the pattern is formed in the longitudinal direction of the front electrode layer. 제 1항에 있어서,
상기 패턴은, 상기 전면 전극층의 가로 방향 및 세로 방향으로 형성되는 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the pattern is formed in a lateral direction and a longitudinal direction of the front electrode layer. 제 1항에 있어서,
상기 패턴은, 상기 전면 전극층의 대각선 방향으로 형성되는 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the pattern is formed in a diagonal direction of the front electrode layer. 제 1항에 있어서,
상기 패턴은 삼각 형상을 포함하는 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the pattern comprises a triangular shape. 제 6항에 있어서,
상기 패턴의 깊이는 0.1㎛ 내지 0.5㎛이고,
상기 패턴의 폭은 0.1㎛ 내지 50㎛이며,
상기 패턴의 간격은 0.01㎜ 내지 1㎜인 태양전지. The method according to claim 6,
The depth of the pattern is 0.1 탆 to 0.5 탆,
The width of the pattern is 0.1 탆 to 50 탆,
Wherein a distance between the patterns is 0.01 mm to 1 mm. 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계;
상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 버퍼층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 전면 전극층의 표면에 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 패턴은 삼각 형상을 포함하고,
상기 패턴은 상기 전면 전극층의 가로 방향, 세로 방향 또는 대각선 방향으로 형성되는 태양전지 제조 방법.Forming a rear electrode layer on the substrate;
Forming a light absorption layer on the rear electrode layer;
Forming a buffer layer on the light absorbing layer;
Forming a front electrode layer on the buffer layer; And
And forming a pattern on a surface of the front electrode layer,
Wherein the pattern comprises a triangular shape,
Wherein the pattern is formed in a lateral direction, a longitudinal direction, or a diagonal direction of the front electrode layer. 제 8항에 있어서,
상기 패턴은 상기 전면 전극층의 가로 방향 및 세로 방향으로 형성되는 태양전지 제조방법.9. The method of claim 8,
Wherein the pattern is formed in a lateral direction and a longitudinal direction of the front electrode layer. 제 9항에 있어서,
상기 패턴의 깊이는 0.1㎛ 내지 0.5㎛이고,
상기 패턴의 폭은 0.1㎛ 내지 50㎛이며,
상기 패턴의 간격은 0.01㎜ 내지 1㎜인 태양전지 제조방법.
10. The method of claim 9,
The depth of the pattern is 0.1 탆 to 0.5 탆,
The width of the pattern is 0.1 탆 to 50 탆,
Wherein a distance between the patterns is 0.01 mm to 1 mm.
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