KR20140075631A - 표시 장치 및 그 화소 회로의 구동 방법 - Google Patents

표시 장치 및 그 화소 회로의 구동 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 종래의 표시 장치에서는, 화소 회로의 구동 트랜지스터의 문턱값 편차를 충분히 보상할 수 없는 문제가 있었다.
본 발명의 표시 장치는, 보유 용량(CST)에 보유된 계조 전압에 기초하여 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함하는 화소 회로를 포함하고, 초기화 전압(VCST)을 제 1 초기화 전압(VBAS)으로서 한번 계조 데이터(VDATA)를 라이트한 후에, 초기화 전압(VCST)를 제 2 초기화 전압(VSET)으로서 다시 계조 데이터(VDATA)를 라이트 한다.

Description

표시 장치 및 그 화소 회로의 구동 방법 {DISPLAY DEVICE, DRIVING METHOD AND PIXEL CIRCUIT THEREOF}
본 발명은 표시 장치 및 그 화소 회로의 구동 방법에 관한 것으로, 특히 유기 발광 소자를 갖는 표시 장치 및 그 화소 회로의 구동 방법에 관한 것이다.
최근, 유기 발광 표시 장치로서, 예를 들어 유기 EL 소자 등의 자발광 소자를 이용한 표시 장치가 많이 채용되고 있다. 이 표시 장치에서는, 화소에 발광 소자와 그 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함하는 화소 회로를 격자 형상으로 배치한다. 이때, 구동 트랜지스터는, 계조 데이터에 대응한 계조 전압에 기초하여 발광 소자로 흐르는 전류를 생성한다. 즉, 유기 발광 소자를 구동함으로써 영상을 표시하는 표시 장치에서는, 구동 트랜지스터의 문턱값 편차가 있는 경우, 실제의 발광 소자의 휘도와 계조 데이터에 의해 지시되는 발광 소자의 휘도 사이에 차이가 발생한다. 여기에서, 이러한 휘도 편차를 저감하는 기술이 특허문헌 1~4에 개시되어 있다.
특허문헌 1, 2에서는, 구동 트랜지스터에 제공하는 계조 전압을 보유하는 보유 용량에 전압의 라이트를 복수 회 나누어서 실시함으로써, 휘도 편차를 저감한다. 또한, 특허문헌 3, 4에서는, 입력되는 영상 데이터에 따라 초기화 전압을 가변함으로써, 휘도 편차를 저감하는 기술이 개시되어 있다.
[선행기술문헌]
[특허문헌1] 일본국 특허 공개 제 2009-8874호 공보
[특허문헌2] 일본국 특허 공개 제 2008-249743호 공보
[특허문헌3] 일본국 특허 공개 제 2009-258227호 공보
[특허문헌4] 일본국 특허 공개 제 2009-265328호 공보
최근, 표시 장치의 화소 수가 증가하고 있고, 1개의 화소에 계조 데이터의 라이트 시간이 짧아지고 있다. 그러나, 특허문헌 1~4의 기술에서는, 구동 트랜지스터의 문턱값 편차를 보상하기 위해서 많은 시간을 필요로 한다. 그러므로, 특허문헌 1~4에 기재의 기술을 채용하여도 충분한 문턱값 편차의 보상 시간을 확보할 수 없고, 충분히 휘도 편차를 저감할 수 없는 문제가 있다.
본 발명에 관련되는 표시 장치 및 그 화소 회로의 구동 방법은, 화소 회로가, 발광 소자; 계조 데이터에 대응한 계조 전압을 보유하는 보유 용량; 상기 발광 소자에 상기 계조 전압에 따른 구동 전류를 제공하는 구동 트랜지스터; 초기화 전압이 전달되는 초기화 전압 배선과 상기 구동 트랜지스터의 게이트 사이에 접속되고, 제 1 주사선 신호에 따라서 개폐 상태가 제어되는 제 1 스위치 트랜지스터; 및 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트와 드레인 사이에 접속되고, 제 2 주사선 신호에 따라서 개폐 상태가 제어되는 제 2 스위치 트랜지스터를 포함하는 화소 회로, 및 상기 제 1 주사선 신호와 상기 제 2 주사선 신호와 상기 초기화 전압을 출력하는 제어 회로를 포함함다. 그리고, 제 1 기간에 있어서, 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 폐쇄 상태로 하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터를 개방 상태로서, 상기 초기화 전압을 제 1 전압 레벨의 제 1 초기화 전압으로서, 상기 보유 용량의 전하를 초기 상태로 하고, 제 2 기간에 있어서, 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 개방 상태로 하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터를 폐쇄 상태로서, 상기 초기화 전압을 상기 제 1 초기화 전압으로서, 상기 보유 용량에 제 1 화소 데이터에 대응한 제 1 계조 전압을 충전하고, 제 3 기간에 있어서, 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 개방 상태로 하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터를 개방 상태로서, 상기 초기화 전압을 상기 제 1 초기화 전압으로부터 상기 제 1 전압 레벨과는 다른 제 2 전압 레벨의 제 2 초기화 전압으로 스위치하고, 제 4 기간에 있어서, 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 개방 상태로 하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터를 폐쇄 상태로서, 상기 초기화 전압을 상기 제 2 초기화 전압으로서, 상기 보유 용량에 제 2 화소 데이터에 대응한 제 2 계조 전압을 충전하고, 제 5 기간에 있어서, 상기 구동 트랜지스터를 상기 제 2 계조 전압에 기초하여 도통 상태로서 상기 발광 소자를 구동한다.
이것에 의해, 본 발명에 따른 표시 장치 및 화소 회로의 구동 방법에서는, 제 1 기간 및 제 2 기간에 있어서, 계조 데이터에 기초하는 계조 전압의 라이트를 완료하고, 그 후, 제 3 기간 및 제 4 기간에 있어서, 더 고정밀도로 문턱값 편차를 보상할 수 있다.
본 발명에 따른 표시 장치 및 그 화소 회로의 구동 회로에 따르면, 구동 트랜지스터의 문턱값 편차에 기인하는 휘도 편차를 저감할 수 있다.
도 1은 실시 형태 1에 따른 화소 회로의 회로도이다.
도 2는 실시 형태 1에 따른 화소 회로의 구동 순서를 나타내는 타이밍차트이다.
도 3A는 실시 형태 1에 따른 화소 회로의 제 1 기간의 동작을 나타내는 회로도이다.
도 3B는 실시 형태 1에 따른 화소 회로의 제 2 기간의 동작을 나타내는 회로도이다.
도 3C는 실시 형태 1에 따른 화소 회로의 제 3 기간의 동작을 나타내는 회로도이다.
도 3D는 실시 형태 1에 따른 화소 회로의 제 4 기간의 동작을 나타내는 회로도이다.
도 3E는 실시 형태 1에 따른 화소 회로의 제 5 기간의 동작을 나타내는 회로도이다.
도 4A는 종래의 화소 회로에 있어서의 문턱값의 차이에 의한 게이트 전압과 드레인 전류의 변화의 차이를 설명하는 그래프이다.
도 4B는 실시 형태 1에 따른 화소 회로에 있어서의 문턱값의 차이에 의한 게이트 전압과 드레인 전류의 변화의 차이를 설명하는 그래프이다.
도 5는 실시 형태 1에 따른 화소 회로를 포함하는 표시 장치의 블럭도이다.
도 6은 실시 형태 1에 따른 표시 장치의 초기화 전압 선택 회로의 회로도이다.
도 7은 실시 형태 1에 따른 표시 장치의 동작을 나타내는 타이밍차트이다.
도 8은 실시 형태 1에 따른 구동 방법에 의한 발광 패턴을 설명하는 도면이다.
도 9는 사이멀테이니어스 구동에 의한 발광 패턴을 설명하는 도면이다.
도 10은 실시 형태 2에 따른 표시 장치의 블럭도이다.
도 11은 실시 형태 2에 따른 화소 회로의 구동 순서를 나타내는 타이밍차트이다.
도 12는 실시 형태 2에 따른 표시 장치의 동작을 나타내는 타이밍차트이다.
도 13은 실시 형태 1에 따르는 표시 장치에 있어서 사이멀테이니어스 구동을 행할 경우의 동작을 나타내는 타이밍차트이다.
도 14는 실시 형태 3에 따른 화소 회로의 회로도이다.
도 15는 실시 형태 3에 따른 화소 회로의 구동 순서를 나타내는 타이밍차트이다.
도 16A는 실시 형태 3에 따른 화소 회로의 제 1 기간의 동작을 나타내는 회로도이다.
도 16B는 실시 형태 3에 따른 화소 회로의 제 2 기간의 동작을 나타내는 회로도이다.
도 16C는 실시 형태 3에 따른 화소 회로의 제 3 기간의 동작을 나타내는 회로도이다.
도 16D는 실시 형태 3에 따른 화소 회로의 제 4 기간의 동작을 나타내는 회로도이다.
도 16E는 실시 형태 3에 따른 화소 회로의 제 5 기간의 동작을 나타내는 회로도이다.
도 17은 실시 형태 3에 따른 화소 회로를 포함하는 표시 장치의 블럭도이다.
도 18은 실시 형태 3에 따른 표시 장치의 동작을 나타내는 타이밍차트이다.
도 19는 종래의 기재의 화소 회로의 회로도이다.
도 20은 종래의 화소 회로의 구동 순서를 나타내는 타이밍차트이다.
도 21은 종래의 화소 회로의 초기화 전압을 설명하기 위한 도면이다.
도 22는 종래의 화소 회로의 구동 트랜지스터의 특성을 설명하기 위한 도면이다.
실시 형태 1
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다. 우선, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명하기 전에, 구동 트랜지스터의 문턱값 편차에 기인하는 문제에 대해서 설명한다. 여기에서, 종래의 화소 회로(100) (예를 들어, 특허문헌 4에 기재의 화소 회로)의 회로도를 도 19에 나타낸다.
도 19에 나타내는 종래의 화소 회로(100)는, 구동 트랜지스터(M11), 스위치 트랜지스터(M12, M13, M16), 에미션 트랜지스터(M14, M15), 용량(C1, C2), 및 발광 소자 (예를 들어, 유기 EL 소자로서, 도 19에서는 다이오드의 회로 기호를 사용하여 나타냈다)를 갖는다.
용량(C1)은, 일단이 전원 전압(ELVDD)이 공급되는 동작 전원에 접속되고, 타단이 스위치 트랜지스터(M16)의 소스에 접속된다. 스위치 트랜지스터(M16)는, 게이트에 제 2 주사선 신호 (예를 들어, 화소 회로가 배치되는 행의 1 행 전의 화소 회로의 주사선 신호)가 제공되고, 드레인에 초기화 전압(Vinit))이 제공된다.
에미션 트랜지스터(M15)는, 한 쪽의 단자가 용량(C1)의 일단에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 용량(C2)의 일단에 접속되고, 게이트에 에미션 제어 신호(EM)가 제공된다. 용량(C2)은, 타단이 구동 트랜지스터(M11)의 게이트에 접속된다. 구동 트랜지스터(M11)는, 게이트가 용량(C1 및 C2)의 타단에 접속되고, 소스가 용량(C2)의 일단에 접속되고, 드레인이 에미션 트랜지스터(M14)를 통해 발광 소자의 애노드에 접속된다. 에미션 트랜지스터(M14)는, 구동 트랜지스터(M11)의 드레인과 발광 소자의 애노드 사이에 접속되고, 게이트에 에미션 제어 신호(EM)가 제공된다.
스위치 트랜지스터(M12)는, 구동 트랜지스터(M11)의 게이트와 드레인 사이에 접속되고, 게이트에 제 1 주사선 신호 (예를 들어, 현재의 화소 회로에 해당하는 주사선 신호)가 제공된다. 스위치 트랜지스터(M13)는, 한 쪽의 단자가 구동 트랜지스터(M11)의 소스에 접속되고, 다른 쪽의 단자가 계조 데이터(VDATA)가 전달되는 데이터 선 배선에 접속되고, 게이트에 제 1 주사선 신호가 제공된다. 또한, 발광 소자는, 캐소드가 접지 전압(ELVSS)이 공급되는 접지 전원에 접속된다.
계속하여, 도 19에 나타낸 종래의 화소 회로(100)의 동작에 대해서 설명한다. 여기에서, 종래의 화소 회로(100)의 동작을 나타내는 타이밍차트를 도 20에 나타낸다. 도 20에 나타내는 바와 같이, 종래의 화소 회로(100)의 동작은, 데이터 갱신 기간과 발광 기간으로 나눌 수 있다. 그리고, 1매의 영상이 표시 장치에 표시되는 1프레임의 처리를 행하는 기간 동안에 제 1 행의 화소 회로로부터 제 n 행의 화소 회로까지 행마다 순차 데이터 갱신 동작과 발광 동작을 실시한다.
계속하여, 데이터 갱신 기간에 있어서의 동작에 대해서 설명한다. 종래의 화소 회로(100)에서는, 데이터 갱신 기간 동안에 구동 트랜지스터(M11)의 문턱값 편차에 대한 보정 처리도 동시에 행한다. 도 20에 나타내는 바와 같이, 화소 회로(100)에서는, 기간 1에 있어서, 제 2 주사선 신호SCAN(n-1)를 로우 레벨로서, 스위치 트랜지스터(M16)가 온된다. 이것에 의해, 구동 트랜지스터(M11)의 게이트 전위를 초기화 전압(Vint)으로 초기화한다.
그 다음에, 기간 2에 있어서 제 1 주사선 신호Scan(n)를 로우 레벨로서, 스위치 트랜지스터(M12, M13)를 온으로 한다. 이것에 의해, 영상 데이터(Vdata)가 스위치 트랜지스터(M13), 구동 트랜지스터(M11), 스위치 트랜지스터(M12)을 통해, 구동 트랜지스터(M11)의 게이트에 인가된다. 이때, 구동 트랜지스터(M11)와 스위치 트랜지스터(M12)의 접속을 보면, 구동 트랜지스터(M11)의 게이트와 드레인은 다이오드 접속된 상태로 되기 때문에, 결과적으로 구동 트랜지스터(M11)의 게이트 전압(Vgate)으로서 식 (1)로 나타내는 전압이 라이트되고, 용량(C1에는 그 전압이 보유된다. 여기에서, 식 (1)의 Vth는, 구동 트랜지스터(M11)의 문턱값 전압이다.
Vgate = Vdata - Vth (1)
그 다음에, 기간 3에 있어서, 스위치 트랜지스터(M12, M13)를 오프로 하는 대신에 에미션 제어 신호(EM)를 로우 레벨로서, 에미션 트랜지스터(M14, M15)를 온으로 한다. 용량(C1)의 양단의 전압은 구동 트랜지스터(M11)의 게이트-소스간 전압(Vgs)과 동일해지므로, 구동 트랜지스터(M11)에는 용량(C1)에 보유된 계조 전압에 의해 바이어스된 전류가 전원 전압(ELVDD)로부터 에미션 트랜지스터(M15), 구동 트랜지스터(M11), 에미션 트랜지스터(M14)를 통해 발광 소자(예를 들어, 유기 EL 소자)에 공급된다. 일반적으로 구동 트랜지스터(M11)에 흐르는 전류는 포화 상태에서는 식 (2)로 나타낼 수 있다.
I = β(Vgs - Vth)2 (2)
여기에서, β는 트랜지스터의 사이즈 등으로 결정되는 계수이고, Vgs는 게이트-소스간 전압, Vth는 구동 트랜지스터(M11)의 문턱 전압이다.
또한, Vgs는 전원 전압ELVDD- (Vdata-Vth)와 동일해지므로, 상기 식 (1), 식 (2)로부터, 최종적으로 유기 EL 소자에 공급되는 전류는, 식 (3)으로 나타낼 수 있다.
I = β(ELVDD - Vdata+Vth - Vth)2 (3)
식 (3)을 보면, 문턱값 전압(Vth)은 상쇄되고, 결과로서 구동 트랜지스터(M11)의 Vth 편차에 의존하지 않고, 입력된 계조 데이터(VDATA)에 대응하는 계조 전압만으로 유기 EL 소자에 흐르는 전류량을 제어할 수 있다. 이와 같이, 종래의 화소 회로(100)에 있어서도, 구동 트랜지스터(M11)의 Vth 편차를 효과적으로 보상할 수 있고, 표시 장치의 표시 균일성을 대폭 향상시키는 것이 가능하다.
그러나, 종래의 화소 회로에서는, 제공되는 계조 데이터의 차이에 의해 보상 성능에 편차가 발생한다는 문제가 있다. 계조 데이터의 차이에 의한 계조 편차에 대해서 보다 상세히 설명한다. 우선, 종래의 화소 회로(100)에 있어서의 일련의 보상 동작의 초기화 동작에 대해서 간단히 설명한다. 화소 회로(100)에 있어서 초기화 동작을 행하지 않을 경우, 구동 트랜지스터(M11)의 게이트 전압에는 전 프레임 영상 데이터에 대응한 전압이 남아있다. 이때, 전(前) 프레임에 흑색 데이터(예를 들어 4. 5V)가 남아있는 경우, 현 프레임에서 예를 들어 백색 데이터 (예를 들어 3. 5V)를 라이트하는 것은 불가능하다. 이것은 구동 트랜지스터(M11)의 게이트 전압과 소스 전압( = 계조 전압)의 관계로부터 상기 문턱값 전압(Vth)의 보상을 실시하는 것을 전제로서 생각하면 명백하다.
특허문헌 3, 4에는, 입력되는 계조 데이터에 따라 초기화 전압을 가변 하는 기술이 개시되어 있다. 초기화 상태의 게이트 전압과 보상 기간에 있어서의 구동 트랜지스터(M11)의 게이트 전압 파형(Vgate)을 나타낸 그래프를 도 21에 나타낸다. 도 21에 나타내는 바와 같이, 화소 회로(100)에서는, 구동 트랜지스터(M11)의 게이트 전압(Vgate)이 초기화 전압(Vinit)으로 설정된 후, 트랜지스터(M12)가 온됨으로써, 구동 트랜지스터(M11)의 게이트와 드레인이 다이오드 접속되고, 보상 동작이 개시된다 (타이밍T1). 그리고, 구동 트랜지스터(M11)가 컷오프 상태에 근접한 시점(타이밍T2)에서의 게이트 전압(여기서는 A점에 상당하는 계조 전압과 계조 데이터(Vdata1)와의 전압차(Vth1) 및 B점에 상당하는 계조 전압과 계조 데이터(Vdata2)와의 차전압(Vth2))이 구동 트랜지스터(M11)의 Vth와 거의 동일해진다.
그러나, 도 21에 나타내는 바와 같이, 초기화 전압(Vinit)과 흑색 데이터 전압(Vdata1) 사이의 전압차와, 초기화 전압(Vinit)과 백색 데이터 전압(Vdata2) 사이의 전압차에 차이가 있을 경우, 문턱값 전압 보상 동작 시(T1-T2기간)에 구동 트랜지스터(M11)에 각각 인가되는 바이어스 전압이 다르다. 그러므로, 결과로서, 보상 전압 (여기서는 Vth1과 Vth2)에 차이가 발생한다. 이것은 계조 데이터(VDATA)에 의존하여 구동 트랜지스터(M11)의 문턱값 전압 보상 성능에 차이가 발생하는 것을 의미하고 있다. 상기 과제를 해결하기 위해서 특허문헌 3, 4에서는, 초기화 전압(Vinit)을 결정할 때에, 초기화 전압(Vinit)과 계조 데이터(Vdata1)와의 전압차(Vb)와 초기화 전압(Vinit)과 계조 데이터(Vdata2)와의 전압차(Vw)가 일정해지는 값으로 미리 설정한다.
그러나, 특허문헌 3, 4에서는, 기본적인 화소 회로를 구성하는 트랜지스터 수가 6개 이상 필요하고, 또한 그것들을 구동하기 위한 제어 선의 수도 5개 이상 필요로 한다. 또한, 초기화 전압(Vinit)을 가변시키기 위해서는, 예를 들어, 도 19의 C2와 같이 추가의 용량을 추가하던가, 데이터 전압(Vdata)에 대응한 초기화 전압(Vinit)을 발생시키기 위한 외부 회로가 별도로 필요하게 되고, 이와 같은 이유로, 패널의 고세밀화나 수율에 있어서 불리하다.
또한, 최근의 표시 장치의 고세밀화에 수반되어, 허용되는 보상 시간 (여기에서는 도 21의 T1-T2기간에 상당)은 필연적으로 짧아지는 경향이 있다. 보상 시간이 충분히 확보되어 있는 경우, 구동 트랜지스터(M11)는 끝없이 컷오프 상태로 근접하기 때문에, 구동 트랜지스터(M11)의 게이트 전압 파형은 충분히 포화된 상태에서 게이트 전압을 확정시킬 수 있고, 구동 트랜지스터(M11)의 문턱값 전압(Vth) 편차의 영향을 완전히 보상하는 것이 가능하지만, 실제의 표시 장치의 구동에 있어서는, 표시 장치의 구동 주파수와 화소 수에 의해 보상 시간이 일의적(一義的, 우선적, 일차적)으로 결정되어버리기 때문에, 충분한 시간을 확보하는 것은 불가능하다. 표시 장치의 고세밀화에 의해, 실질적으로 확보할 수 있는 보상 시간이 짧아지면, 보상 동작의 도중에 구동 트랜지스터(M11)의 게이트 전압이 확정되어버리므로, 결과로서 문턱값 전압(Vth) 편차에 대한 보상 성능은 저하해버리는 요인으로 된다.
또한, 계조 데이터 전압(Vdata)과 초기화 전압(Vinit)의 차전압이 상대적으로 큰 경우, 보상 시에 구동 트랜지스터(M11)의 이동도 편차의 영향을 무시할 수 없게 된다. 여기에서, 도 22에 초기화 전압(Vinit)에 대한 구동 트랜지스터(M11)의 드레인 전류의 관계를 나타내는 그래프를 나타낸다. 도 22에 나타내는 예에서는, 각각 이동도의 차이에 따라서, 드레인 전류의 특성이 Ia, Ib로 되는 구동 트랜지스터(M11)를 고려한다. 도 22에 나타내는 바와 같이, 초기화 전압을 Vinit1로 설정한 경우, △I1에 상당하는 이동도 편차의 영향을 받는다. 이것에 대하여, 초기화 전압을 Vinit2로 설정한 경우, 상기 이동도 편차의 영향은 △I2로 작다. 바꿔 말하면, 문턱값 전압 보상 동작에 있어서 화소마다의 이동도 편차의 영향을 억제하기 위해서는, 초기화 전압(Vinit)을 보상 동작에 영향을 주지 않는 범위에서, 될 수 있는 한 데이터 전압(Vdata)에 가까운 전압으로 설정하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는, 이것들의 과제점을 해결할 수 있는 화소 회로 구성과 구동 방법을 제공하는 것을 특징의 하나로 하는 것이다. 여기에서, 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1)의 회로도를 도 1에 나타낸다. 또한, 이하에서, 설명하는 화소 회로는, 회로를 구성하는 트랜지스터로서 P형 반도체의 트랜지스터를 이용하지만, 트랜지스터는, P형 반도체에만 한정되는 것이 아니다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1)는, 구동 트랜지스터(M1), 제 1 스위치 트랜지스터(M2), 제 2 스위치 트랜지스터(M3), 에미션 트랜지스터(M4), 발광 소자 (예를 들어, 유기 EL 소자(D1)), 보유 용량(CST)을 갖는다.
보유 용량(CST)은, 계조 데이터에 대응한 계조 전압을 보유한다. 보유 용량(CST)은, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트와, 초기화 전압(VCST)이 전달되는 초기화 전압 배선 사이에 접속된다.
구동 트랜지스터(M1)는, 유기 EL 소자(D1)에 계조 전압에 따른 구동 전류를 제공한다. 구동 트랜지스터(M1)는, 소스가 계조 데이터(DT) 또는 전원 전압(ELVDD)이 시간적으로 교대로 제공되는 전원 공급 배선에 접속되고, 드레인이 에미션 트랜지스터(M4)를 통해 유기 EL 소자(D1)의 애노드에 접속된다. 또한, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트는, 보유 용량(CST)의 일단에 접속되는 동시에, 제 1 스위치 트랜지스터(M2)를 통해 초기화 전압 배선과 접속된다.
제 1 스위치 트랜지스터(M2)는, 초기화 전압(VCST)이 전달되는 초기화 전압 배선과 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 사이에 접속되고, 제 1 주사선 신호에 따라서 개폐 상태가 제어된다. 또한, 화소 회로(1)에서는, 제 1 주사선 신호 SCANa(n)은, 격자 형상으로 배치되는 화소 회로 중의 현재의 화소 회로의 2행 위에 배치되는 화소 회로의 데이터 갱신을 제어하기 위한 제 1 주사선 신호 SCANb(n-2)이다.
제 2 스위치 트랜지스터(M3)는, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트와 드레인 사이에 접속되고, 제 2 주사선 신호 SCANb(n)에 따라서 개폐 상태가 제어된다.
에미션 트랜지스터(M4)는, 구동 트랜지스터(M11)의 드레인과 유기 EL 소자(D1) 사이에 접속되고, 에미션 제어 신호(EM)에 의해 개폐 상태가 제어된다.
여기에서, 상세한 것은 후술하지만, 실시 형태 1에 따른 표시 장치는, 제어 회로(도 1에서는 미도시)를 갖고, 그 제어 회로에 의해 제 1 주사선 신호(SCANa), 제 2 주사선 신호(SCANb) 및 에미션 제어 신호(EM)를 생성한다. 또한, 제어 회로는, 초기화 전압(VCST)을 출력한다. 또한, 제어 회로는, 초기화 전압(VCST)으로서 세트 전압(VSET)과 바이어스 전압(VBAS)을 스위치하여 출력한다.
실시 형태 1에 따르는 표시 장치에서는, 이 제어 회로에 의한 화소 회로의 제어 방법에 특징의 하나를 갖는다. 여기에서, 도 2에 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1)의 구동 순서를 나타내는 타이밍차트를 나타낸다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1)에서는, 1 행의 화소 회로를 구동하는 1 수평 기간마다 제어 신호의 스위치가 행하여진다. 또한, 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1)의 제어는, 데이터 갱신 기간과 발광 기간으로 나눌 수 있다.
여기에서, 우선 데이터 갱신 기간의 동작에 대해서 설명한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 1에 따른 표시 장치에서는, 데이터 갱신 처리에 4 수평 기간을 갖는다. 즉, 실시 형태 1에 따른 표시 장치에서는, 데이터 갱신 기간에 제 1 기간(TMA) ~ 제 4 기간(TMD)이 포함된다.
제 1 기간(TMA)은, 바이어스 전압(VBAS)에서 보유 용량(CST)에 라이트하는 바이어스 전압 라이트 기간이다. 이 제 1 기간(TMA)에서는, 제어 회로는, 이하와 같은 제어를 행한다. 제 1 주사선 신호SCANa(n)를 로우 레벨로서 제 1 스위치 트랜지스터(M2)를 폐쇄 상태(온 상태)로 한다. 제 2 주사선 신호SCANb(n)을 하이 레벨로서 제 2 스위치 트랜지스터(M3)을 개방 상태(오프 상태)로 한다. 초기화 전압(VCST)을 제 1 전압 레벨의 제 1 초기화 전압(예를 들어, 바이어스 전압(VBAS))으로 한다. 이것에 의해, 제 1 기간(TMA)에서는, 보유 용량(CST)의 양단의 전압이 바이어스 전압(VBAS)으로 되고, 보유 용량(CST)의 전하가 초기 상태로 된다. 또한, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전압은, 바이어스 전압(VBAS)으로 된다.
이 제 1 기간(TMA)에 있어서의 화소 회로(1)의 동작을 나타내는 회로도를 도 3A에 나타낸다. 도 3A에 나타내는 바와 같이, 제 1 기간(TMA)에서는, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트에 바이어스 전압(VBAS)이 인가되고, 소스에 전원 전압(ELVDD)이 인가된다. 그러나, 구동 트랜지스터(M1) 및 에미션 트랜지스터(M4)는 차단 상태로 되어 있기 때문에, 유기 EL 소자(D1)로 전류는 흐르지 않는다.
제 2 기간(TMB)은, 계조 데이터의 크기에 대한 보상 동작을 행하기 전의 계조 데이터(VDATA)의 라이트를 행하는 프리데이터 라이트 기간이다. 이 제 2 기간(TMB)에서는, 제어 회로는 이하와 같은 제어를 행한다. 제 1 주사선 신호를 하이 레벨로서 제 1 스위치 트랜지스터(M2)를 개방 상태로 한다. 제 2 주사선 신호를 로우 레벨로서 제 2 스위치 트랜지스터(M3)를 폐쇄 상태로 한다. 초기화 전압(VCST)을 바이어스 전압(VBAS)으로 한다. 이것에 의해, 제 2 기간(TMB)에서는, 보유 용량(CST)에 제 1 계조 데이터에 대응한 제 1 계조 전압이 충전된다.
이 제 2 기간(TMB)에 있어서의 화소 회로(1)의 동작을 나타내는 회로도를 도 3B에 나타낸다. 도 3B에 나타내는 바와 같이, 제 2 기간(TMB)에서는, 구동 트랜지스터(M1)의 소스에 계조 데이터(VDATA)가 제공된다. 그러므로, 제 2 기간(TMB)에서는, 구동 트랜지스터(M1), 제 2 스위치 트랜지스터(M3)를 통해 게이트에 계조 데이터(VDATA)에 대응한 계조 전압이 인가된다. 이 때의 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전압(Vgate)은 식 (4)에 의해 나타내진다.
Vgate = VDATA - Vth (4)
여기에서, Vth는 구동 트랜지스터(M1)의 문턱값 전압이다. 또한, 이 제 2 기간(TMB)의 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전압(Vgate)에 기초하여 유기 EL 소자(D1)를 발광시킨 경우, 도 19에 나타낸 화소 회로(100)와 같이 구동 트랜지스터(M1)의 문턱값 편차에만 기인하는 휘도 편차를 저감할 수 있다.
제 3 기간(TMC)은, 계조 데이터의 크기에 대한 보상 동작을 행하기 위한 초기화 전압을 설정하는 초기화 전압 설정 기간이다. 이 제 3 기간(TMC)에서는, 제어 회로는 이하와 같은 제어를 행한다. 제 1 주사선 신호를 하이 레벨로서 제 1 스위치 트랜지스터(M2)를 개방 상태로 한다. 제 2 주사선 신호를 하이 레벨로서 제 2 스위치 트랜지스터(M3)를 개방 상태로 한다. 또한, 초기화 전압(VCST)을 바이어스 전압(VBAS)으로부터 제 1 전압 레벨과는 다른 제 2 전압 레벨의 제 2 초기화 전압(예를 들어, 세트 전압(VSET))으로 스위치한다. 실시 형태 1에서는, 이 세트 전압(VSET)으로서 바이어스 전압(VBAS) 보다도 낮은 전압으로 한다.
이 제 3 기간(TMC)에 있어서의 화소 회로(1)의 동작을 나타내는 회로도를 도 3C에 나타낸다. 도 3C에 나타내는 바와 같이, 제 3 기간(TMC)에서는, 제 2 기간(TMB)으로 설정된 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전압이 저하한다. 이 제 3 기간(TMC)에 있어서의 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전압(Vgate)은 식 (5)에 의해 나타내진다.
Vgate = (VDATA - Vth) - (VBAS - VSET) (5)
이 식 (5)로 나타내는 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전압(Vgate)이 실제로 발광 동작으로 사용할 수 있는 계조 전압에 대한 초기화 전압으로 된다.
제 4 기간(TMD)은, 발광 동작에서 이용되는 계조 데이터에 대응한 계조 전압을 라이트하는 데이터 라이트 기간이다. 이 제 4 기간(TMD)에서는, 제어 회로는 이하와 같은 제어를 행한다. 제 1 주사선 신호를 하이 레벨로서 제 1 스위치 트랜지스터(M2)를 개방 상태로 한다. 제 2 주사선 신호를 로우 레벨로서 제 2 스위치 트랜지스터(M3)를 폐쇄 상태로 한다. 또한, 초기화 전압(VCST)을 세트 전압(VSET)으로 한다. 이것에 의해, 제 4 기간(TMD)에서는, 보유 용량(CST)에 제 2 계조 데이터에 대응한 제 2 계조 전압이 충전된다.
이 제 4 기간(TMD)에 있어서의 화소 회로(1)의 동작을 나타내는 회로도를 도 3D에 나타낸다. 도 3D에 나타내는 바와 같이, 제 4 기간(TMD)에서는, 구동 트랜지스터(M1)의 소스에 계조 데이터(VDATA)가 제공된다. 그러므로, 제 4 기간(TMD)에서는, 구동 트랜지스터(M1), 제 2 스위치 트랜지스터(M3)를 통해 게이트에 계조 데이터(VDATA)에 대응한 계조 전압이 인가된다. 이 때의 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전압(Vgate)은 식 (6)에 의해 나타내진다.
Vgate = VDATA - Vth (6)
이 식 (6)으로 나타내는 게이트 전압(Vgate)는, 식 (4)로 나타낸 게이트 전압(Vgate)과 같은 전압이지만, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 3 기간(TMC)의 게이트 전압(Vgate)과 제 4 기간(TMD)의 게이트 전압(Vgate)과의 전압차는, 계조 데이터(VDATA)의 크기에 따르지 않고, 바이어스 전압(VBAS)과 세트 전압(VSET)과의 전압차로 되기 때문에 계조 데이터(VDATA)의 크기에 따르지 않고, 제 4 기간(TMD)에 있어서의 게이트 전압(Vgate)의 변화를 일정하게 유지할 수 있다.
계속하여, 발광 기간의 동작에 대해서 설명한다. 발광 기간은 데이터 갱신 기간의 다음의 기간이기 때문에 이 발광 기간을 제 5 기간(TME)이라 칭한다. 제 5 기간(TMD)에서는, 구동 트랜지스터(M1)를 제 4 기간(TMD)에서 라이트된 제 2 계조 전압에 기초하여 도통 상태로서 유기 EL 소자(D1)를 구동한다. 보다 구체적으로는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 5 기간(TME)에서는, 구동 트랜지스터(M1)의 소스에 전원 전압(ELVDD)이 인가되는 기간에 에미션 제어 신호(EM)를 로우 레벨로서, 유기 EL 소자(D1)에 전류를 인가한다.
이 제 5 기간(TME)의 발광 동작 중의 화소 회로(1)의 동작을 나타내는 회로도를 도 3E에 나타낸다. 도 3E에 나타내는 바와 같이, 발광 동작 중에는, 제 1 스위치 트랜지스터(M2) 및 제 2 스위치 트랜지스터(M3)를 개방 상태로 하고, 또한, 에미션 트랜지스터(M4)를 폐쇄 상태로서 유기 EL 소자(D1)에 전류를 공급한다. 여기에서, 유기 EL 소자(D1)로 흐르는 전류는, 식 (7)로 나타낼 수 있다.
I = β(Vgs - Vth)2 (7)
또한, 식 (7)의 β는 구동 트랜지스터의 사이즈로서 성능에 관련하는 계수이다. Vgs는 구동 트랜지스터(M1)의 게이트-소스간 전압이다. 그리고, 제 5 기간(TME)에서는, 게이트-소스간 전압(Vgs)은, ELVDD- (VDATA-Vth)로 나타내기 때문에, 상기 식 (6), 식 (7)로부터 유기 EL 소자(D1)에 공급되는 전류(I)는, 식 (8)로 나타내진다.
I = β(ELVDD - Vdata+Vth - Vth)2 (8)
즉, 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1)에서는, 구동 트랜지스터(M1)의 문턱값 전압(Vth)의 편차가 보상되는 동시에, 계조 데이터(VDATA)에 대하여 정밀도가 좋고, 유기 EL 소자(D1)에 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
여기에서, 제 4 기간(TMD)에 대해서 보다 상세히 설명한다. 도 4A에 종래의 화소 회로(100)에 있어서의 문턱값의 차이에 의한 게이트 전압과 드레인 전류의 변화의 차이를 설명하는 그래프를 나타내고, 도 4B에 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1)에 있어서의 문턱값의 차이에 의한 게이트 전압과 드레인 전류의 변화의 차이를 설명하는 그래프를 나타낸다.
식 (5)에서는, 초기화 전압을 결정하는 요소로서, 계조 데이터(VDATA)와 구동 트랜지스터(M1)의 문턱값 전압(Vth)이 포함된다. 이것은 입력되는 계조 데이터(VDATA)와 구동 트랜지스터(M1)의 문턱값 전압(Vth)에 연동하여 화소마다 초기화 전압을 변화시킨다는 의미이다.
이해를 돕기 위해, 도 4A 및 도 4B를 참조하여 초기화 전압(Vinit)을 계조 데이터(VDATA)와 구동 트랜지스터(M1)의 문턱값 전압(Vth)에 연동시켜 변화시키는 동작이 초래하는 효과에 대해서 설명한다.
도 4A에 나타내는 종래의 화소 회로(100)에서는, 문턱값 전압 보상 시의 구동 트랜지스터(M11)의 게이트 전압(Vgate)은 일정한 초기화 전압(Vinit)으로 초기화를 행한다. 그러므로, 문턱값 전압(Vth) 특성이 다른 2개의 화소의 Ia, Ib를 가정한 경우, 초기화가 개시되는 드레인 전류값은 IINIT1, IINIT2과 같이 다른 값으로부터 개시된다. 그리고, 문턱값 전압 보상 동작에 의해, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전압(Vgate)은, VDATA-Vth까지 변화되려고 하지만, 보상 시간이 부족한 경우에는, 충분히 VDATA-Vth까지 전압 변화하지 않고, 문턱값 전압 보상 종료 시에 문턱값 전압(Vth)에 의한 드레인 전류(ID1, ID2)가 달라져 버리고, 결과적으로 이 차이가 표시 불균일로 되어서 시인될 가능성이 있다.
한편, 도 4B에 나타내는 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1)에서는, 제 2 기간(TMB)에서 한번 구동 트랜지스터(M1)의 문턱값 전압 보상을 행하고, 그 결과로 구동 트랜지스터(M1)의 초기 전압(Vinit)을 구동 트랜지스터(M1)의 문턱값 전압(Vth)에 연동시켜서 결정한다. 그러므로, 보상 동작 시작 시의 드레인 전류(IINIT1과 IINIT2)는 동일하게 되고, 문턱값 전압 보상 동작에 있어서 보상 시간이 부족한 경우일지라도, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전압의 변화 전압(△V1과 △V2)은 각각 동일 전위만을 시프트한 전압으로 된다. 즉, 문턱값 전압 보상 종료 시에 드레인 전류(ID1과 ID2)를 동일하게 할 수 있고, 화소간의 문턱값 전압(Vth) 편차를 캔슬할 수 있다.
또한, 식 (5)로부터 계조 데이터(VDATA)에도 연동하여 초기화 전압을 설정할 수 있으므로, 계조 데이터(VDATA)가 변동하여도 문턱값 전압 보상 시작 시에 있어서의 화소간의 드레인 전류를 맞출 수 있다.
또한, 식 (5)로부터 초기화 전압(VCST)은, 세트 전압(VSET)과 바이어스 전압(VBAS)을 적당히 선택함으로써, 임의의 오프셋 값으로 조정할 수 있다. 보상 성능에 영향이 없는 범위에서, 계조 데이터(VDATA)에 될 수 있는 한 가까운 전압으로 설정하는 것이 가능하다. 이것은 도 22에 나타낸 바와 같은 문턱값 전압 보상 시에 있어서의 이동도의 영향을 억제하는 효과가 있는 것을 의미하고 있다.
계속하여, 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1)와 제어 회로를 포함하는 표시 장치의 블럭도를 도 5에 나타낸다. 도 5에 나타내는 예에서는, 제어 회로로서, 스캔 드라이버 회로(10), 초기화 전압 제어 회로(11), 초기화 전압 선택 회로(12) 및 에미션 제어 회로(13)를 나타낸다. 또한, 전원 배선 제어 회로로서 계조 데이터 제어 회로(14) 및 소스 드라이버 회로(15)를 나타냈다. 또한, 도 5에 나타내는 바와 같이, 표시 장치에서는, 화소 회로(1)가 격자 형상으로 배치된다.
스캔 드라이버 회로(10)는, 도시하지 않은 다른 회로로부터 제공되는 타이밍 신호에 기초하여 제 1 행으로부터 순서대로 화소 회로에 제 1 주사선 신호(SCANa) 및 제 2 주사선 신호(SCANb)를 출력한다.
초기화 전압 제어 회로(11)는, 도시하지 않은 다른 회로로부터 제공되는 타이밍 제어 신호에 기초하여 초기화 전압(VCST)으로서 바이어스 전압(VBAS)과 세트 전압(VSET) 중 어느 것을 출력할지를 행마다 제어한다.
초기화 전압 선택 회로(12)는, 초기화 전압 제어 회로(11)로부터의 지시에 기초하여 도시하지 않은 다른 회로에서 생성된 바이어스 전압(VBAS)과 세트 전압(VSET) 중 어느 하나를 선택하여 행마다 초기화 전압(VCST)으로서 출력한다.
에미션 제어 회로(13)는, 도시하지 않은 다른 회로로부터 제공되는 타이밍 제어 신호에 기초하여 에미션 제어 신호(EM)를 출력한다.
계조 데이터 제어 회로(14)는, 도시하지 않은 다른 회로로부터 제공되는 전원 제어 신호(DCTL1, DCTL2)에 기초하여 전원 전압(ELVDD)과 계조 데이터(VDATA)를 선택하여 전원 공급 배선에 출력한다. 또한, 소스 드라이버 회로(15)는, 도시하지 않은 다른 회로로부터 제공된 영상 데이터에 기초하여 계조 데이터(VDATA)를 생성한다.
여기에서, 도 5에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 1에 따른 표시 장치는, 전원 공급 배선으로서 제 1 전원 공급 배선(DTa)과 제 2 전원 공급 배선(DTb)을 포함한다. 제 1 전원 공급 배선(DTa)은, 홀수 번째 행에 배치되는 화소 회로에 접속된다. 제 2 전원 공급 배선(DTb)은, 짝수 번째 행에 배치되는 화소 회로에 접속된다. 그리고, 전원 배선 제어 회로는, 제 1 전원 공급 배선(DTa)에 전원 전압(ELVDD)을 제공하는 기간에 제 2 전원 공급 배선(DTb)에 계조 데이터(VDATA)를 제공한다. 또한, 전원 배선 제어 회로는, 제 1 전원 공급 배선(DTa)에 계조 데이터(VDATA)를 제공하는 기간에 제 2 전원 공급 배선(DTb)에 전원 전압(ELVDD)을 제공한다. 또한, 전원 배선 제어 회로는, 제 1 기간(TMA), 제 3 기간(TMC) 및 제 5 기간(TME)에 구동 트랜지스터(M1)의 소스에 전원 전압(ELVDD)을 제공하고, 제 2 기간(TMB) 및 제 4 기간(TMD)에 구동 트랜지스터(M1)의 소스에 계조 데이터(VDATA)를 제공한다.
그 다음에, 초기화 전압 선택 회로(12)에 대해서 상세히 설명한다. 여기에서, 초기화 전압 선택 회로(12)의 회로도를 도 6에 나타낸다. 또한, 도 6에서는, 초기화 전압 선택 회로(12)에 제어 신호(out, outb)를 출력하는 초기화 전압 제어 회로(11)도 나타낸다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 초기화 전압 선택 회로(12)는, 외부로부터 바이어스 전압(VBAS)이 공급되는 배선과 초기화 전압 배선을 스위치 트랜지스터(SW1)에 의해 접속한다. 또한, 초기화 전압 선택 회로(12)는, 외부로부터 세트 전압(VSET)이 공급되는 배선과 초기화 전압 배선을 스위치 트랜지스터(SW2)에 의해 접속한다.
그리고, 초기화 전압 제어 회로(11)는, 서로 반전된 논리 레벨의 제어 신호(out, outb)를 출력한다. 그리고, 이 제어 신호에 기초하여 동작하는 것으로 초기화 전압 선택 회로(12)는, 초기화 전압(VCST)으로서 바이어스 전압(VBAS)과 세트 전압(VSET) 중 어느 한 쪽을 출력한다. 즉, 실시 형태 1에 따른 표시 장치에서는, 바이어스 전압(VBAS) 및 세트 전압(VSET)으로서 미리 전압값이 설정된 전압이 공급되고, 초기화 전압 제어 회로(11) 및 초기화 전압 선택 회로(12)에 의해 다른 2개의 전압을 선택한다. 이것에 의해, 실시 형태 1에 따르는 표시 장치에서는, 바이어스 전압(VBAS)과 세트 전압(VSET)으로서 정전압을 생성만 하는 것으로, 전압값을 동적으로 제어할 필요가 없고, 회로 규모를 작게 할 수 있다.
계속하여, 실시 형태 1에 따르는 표시 장치의 동작을 설명한다. 여기에서, 도 7에 실시 형태 1에 따른 표시 장치의 동작을 나타내는 타이밍차트를 나타낸다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 1에 따른 표시 장치에서는, 전원 공급 배선에 계조 데이터(VDATA)를 제공하여 문턱값 전압 보상 동작과 데이터 라이트 동작을 행하는 데이터 라이트 기간과, 전원 공급 배선에 전원 전압(ELVDD)을 제공하여 발광 동작을 행하는 발광 기간이 교대로 행해진다. 또한, 실시 형태 1에 따르는 표시 장치에서는, 홀수 번째 행에 전원 전압(ELVDD)을 제공하고 있는 기간에는 짝수 번째 행에 계조 데이터(VDATA)를 제공하고, 홀수 번째 행에 계조 데이터(VDATA)를 제공하고 있는 기간에는 짝수 번째 행에 전원 전압(ELVDD)을 제공한다. 즉, 실시 형태 1에 따른 표시 장치에서는, 각 화소의 초기화로부터 문턱값 전압 보상 및 데이터 라이트 처리가 완료된 후에는, 1 수평 주사 기간마다 짝수 라인, 홀수 라인마다 발광과 비발광이 반복하여 선택된다.
여기에서, 실시 형태 1에 따른 표시 장치에 있어서의 발광 패턴을 나타내는 도면을 도 8에 나타낸다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 1에 따르는 표시 장치에서는, 화소의 초기화 동작, 문턱값 전압 보정 동작, 데이터 라이트 동작 및 발광 동작(또는 비발광 동작)이 모두 선(線) 순차적으로 행해진다. 그러므로, 실시 형태 1에 따르는 표시 장치에서는, 프로그레시브(Progressive) 구동이 가능하게 된다.
상기 설명으로부터, 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1) 및 그 화소 회로(1)를 포함하는 표시 장치는, 제 1 기간(TMA) 및 제 2 기간(TMB)에 있어서, 프리데이터 라이트 동작을 행하고, 그 후에 제 3 기간(TMC) 및 제 4 기간(TMD)에 있어서, 계조 데이터의 라이트 동작을 행한다. 이것에 의해, 실시 형태 1에 따르는 표시 장치에서는, 구동 트랜지스터(M1)의 문턱값 전압 변동이나 계조 데이터의 변화에 따라서 초기화 전압을 결정하고, 초기화 전압과 계조 데이터의 전압차를 일정하게 함으로써, 종래의 기술보다도 양호한 보상 성능을 확보할 수 있다.
여기에서, 실시 형태 1에 따른 표시 장치에서는, 제 1 기간(TMA) 및 제 2 기간(TMB)을 사용한 프리데이터 라이트 동작은, 현재 화소 회로보다도 상위에 배치되는 화소 회로에 대한 데이터 라이트 동작과 함께 행해진다. 그러므로, 실시 형태 1에 따른 표시 장치에서는, 현재 화소 회로에 대한 데이터 라이트 동작에 필요로 하는 기간은 실질적으로 제 3 기간(TMC) 및 제 4 기간(TMD)만으로 되기 때문에, 프리데이터 라이트 동작에 필요로 하는 시간을 고려하지 않고, 데이터의 라이트 시간을 설정할 수 있다. 즉, 실시 형태 1에 따르는 표시 장치에서는, 표시 장치의 화소 수의 증가에 의해 데이터 라이트 시간이 짧아질지라도 화소 수의 증가에 따른 시간에서 데이터 라이트 동작을 완료할 수 있다.
또한, 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1)는, 4개의 트랜지스터와 1개의 보유 용량만으로 유기 EL 소자(D1)를 구동하는 회로를 구성할 수 있기 때문에, 예를 들어, 도 19에 나타낸 화소 회로(100)보다도 회로 규모를 작게 할 수 있다.
또한, 실시 형태 1에 따르는 표시 장치에서는, 서로 다른 전압값을 갖는 바이어스 전압(VBAS)과 세트 전압(VSET)을 초기화 전압(VCST)로서 이용한다. 실시 형태 1에 따르는 표시 장치에서는, 이 초기화 전압을 회로 규모가 작은 정전압원 회로에 의해 생성하고, 초기화 전압 제어 회로(11) 및 초기화 전압 선택 회로(12)에서 2개의 전압 중 어느 하나를 선택함으로써, 초기화 전압(VCST)의 전압값을 스위치한다. 이것에 의해, 실시 형태 1에 따른 표시 장치에서는, 초기화 전압(VCST)의 생성 및 스위치 동작에 관련하는 회로의 규모를 작게 할 수 있다.
또한, 실시 형태 1에 따르는 표시 장치에서는, 전원 공급 배선을 제 1 전원 공급 배선(DTa)과 제 2 전원 공급 배선(DTb)에 분배하고, 계조 데이터 제어 회로(14)에 의해 2개의 전원 공급 배선들에 교대로 전원 전압(ELVDD)과 계조 데이터(VDATA)를 제공한다. 이것에 의해, 실시 형태 1에 따르는 표시 장치에서는, 화소 회로마다 구동 트랜지스터(M1)의 소스에 전원 전압(ELVDD)과 계조 데이터(VDATA)를 선택적으로 제공하는 트랜지스터를 마련할 필요가 없다. 즉, 실시 형태 1에 따른 표시 장치에서는, 계조 데이터 제어 회로(14)를 마련함으로써, 화소 회로(1)의 회로 규모를 작게 할 수 있다.
또한, 실시 형태 1에 따른 표시 장치에서는, 프로그레시브 구동이 가능하다. 여기에서, 이 프로그레시브 구동과는 다른 구동 방식으로서 사이멀테이니어스 (Simultaneous) 구동이 있다. 이 사이멀테이니어스 구동에 의한 발광 패턴을 도 9에 나타낸다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 사이멀테이니어스 구동에서는, 1프레임 기간의 절반을 비발광 상태로 하여, 그 비발광 상태의 기간에 데이터 갱신 처리를 행할 필요가 있다. 한편, 프로그레시브 구동에서는, 발광 상태에 있어서 데이터 갱신 처리를 행할 수 있다. 그러므로, 프로그레시브 구동을 행함으로써, 데이터 갱신 기간에 필요한 시간을 도 9에 나타내는 사이멀테이니어스 구동보다 길게 취할 수 있고, 문턱값 전압 보상의 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 프로그레시브 구동을 행함으로써, 플리커리스(flickerless) 또한, 저주파 구동이 가능하기 때문에, 표시 품위의 향상과 저소비 전력화에 유리하다.
실시 형태 2
실시 형태 2에서는, 실시 형태 1에 따른 화소 회로(1)를 사용하여 사이멀테이니어스 구동을 행하기 위한 구성에 대해서 설명한다. 여기에서, 실시 형태 2에 따른 표시 장치의 블럭도를 도 10에 나타낸다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 2에 따른 표시 장치에서는, 동일 열에 배치되는 화소 회로에 대하여 1개의 전원 공급 배선(DTa)이 접속된다. 또한, 실시 형태 2에 따른 표시 장치에서는, 계조 데이터 제어 회로(14)는, 1개의 전원 공급 배선(DTa)에 대하여 전원 전압(ELVDD)과 계조 데이터(VDATA)를 시간적으로 교대로 인가한다.
여기에서, 실시 형태 2에 따른 표시 장치의 1개의 화소 회로의 동작에 대해서 설명한다. 또한, 실시 형태 2에 따르는 표시 장치에서는, 화소 회로로서 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1)를 이용하기 때문에, 화소 회로(1)에 대한 데이터 갱신 처리를 행하는 경우의 주사선 신호, 초기화 전압(VCST)을 제공하는 방법은 실시 형태 1과 같으므로 여기에서는 설명을 생략한다.
실시 형태 2에 따른 표시 장치의 1개의 화소 회로의 동작을 나타내는 타이밍차트를 도 11에 나타낸다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 2에 따른 표시 장치에서는, 에미션 제어 신호(EM), 계조 데이터(VDATA) 및 전원 전압(ELVDD)을 제공하는 방법이 실시 형태 1에 따른 표시 장치와는 다르다. 구체적으로는, 실시 형태 2에 따르는 표시 장치에서는, 데이터 갱신 기간 동안은, 에미션 제어 신호(EM)를 하이 레벨로서 에미션 트랜지스터(M4)를 오프 상태로서 유기 EL 소자(D1)에 흐르는 전류를 차단한다. 또한, 실시 형태 2에 따른 표시 장치에서는, 데이터 갱신 기간을 통하여 계조 데이터를 구동 트랜지스터(M1)의 소스에 제공한다. 그리고, 실시 형태 2에 따르는 표시 장치에서는, 발광 기간에 있어서 에미션 트랜지스터(M4)를 온 상태로 하고, 구동 트랜지스터(M1)의 소스에 전원 전압(ELVDD)을 제공함으로써, 유기 EL 소자(D1)를 발광시킨다.
계속하여, 실시 형태 2에 따른 표시 장치의 동작에 대해서 설명한다. 여기에서, 도 12에 실시 형태 2에 따른 표시 장치의 동작을 나타내는 타이밍차트를 나타낸다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 2에 따르는 표시 장치에서는, 1프레임 기간의 전반(前半)에서 모든 화소들에 대한 데이터 갱신 처리(초기화 동작, 문턱값 전압 보정 동작 및 데이터 라이트 동작을 포함하는 처리)가 완료된 후에, 1프레임 기간의 후반(後半)에서 모든 화소들을 동시 발광시킨다. 여기에서는 1프레임 기간을 전반과 후반 부분으로 분할하고, 전반 부분에서는, 표시 장치상의 각 화소 회로의 초기화 동작, 문턱값 전압 보상 동작 및 데이터 라이트 동작을 선 순차적으로 행한다. 이 기간에서는 모든 유기 EL 소자(D1)는 비발광 상태(흑색 표시와 등가)이다. 다음에 후반 부분에서 모든 화소들을 동시 점등시킨다. 이러한 구동을 채용하는 경우, 도 10에 나타내는 바와 같이 계조 데이터를 전달하는 배선은 1개로 대응할 수 있다.
또한, 도 5에 나타내는 실시 형태 1에 따른 표시 장치의 구성일지라도, 즉 데이터 라인을 2개 갖는 구성으로 사이멀테이니어스 구동을 행하는 것도 가능하다. 이 경우, 도 13에 나타내는 바와 같이, 전원 제어 신호(DCTL1, DCTL2)를 1수평 기간마다 스위치하는 것이 아니고, 데이터 갱신 기간과 발광 기간 사이에서 논리 레벨을 스위치하도록 제어하면 좋다.
상기 설명으로부터, 실시 형태 2의 구동 방법을 사용한 경우, 유기 EL 소자(D1)의 발광 기간과 비발광 기간(초기화, Vth 보상 + 데이터 라이트)을 시분할적으로 분리할 수 있다. 그러므로, 예를 들어, 3D 표시를 행하는 경우, 좌안용 데이터와 우안용의 데이터 사이에 흑색 표시 기간을 간단히 삽입할 수 있고, 크로스토크(crosstalk)의 영향이 적은 3D 영상을 표시시키는 것이 가능해 진다.
또한, 도 5에 나타내는 실시 형태 1에 따른 표시 장치의 구성에서는, 프로그레시브 구동과 사이멀테이니어스 구동의 양쪽 모두를 행하는 것이 가능하다. 예를 들어, 통상의 2D 표시 시에 있어서는, 실시 형태 1에 따르는 표시 장치에 기초하는 동작에 의해 프로그레시브 구동을 행하고, 3D 표시 시에 있어서는 도 13에 나타낸 사이멀테이니어스 구동을 행함으로써, 간단히 2D 표시/3D 표시의 스위치가 가능해 진다.
또한, 실시 형태 2에 따른 표시 장치에 있어서도, 실시 형태 1에 따른 표시 장치와 같은 화소 회로(1)를 갖고, 화소 회로(1)를 실시 형태 1과 같은 동작에 의해 데이터 갱신 처리를 행한다. 그러므로, 실시 형태 2에 따르는 표시 장치에 있어서도, 실시 형태 1에 따르는 표시 장치와 같이, 초기화 전압을 계조 데이터 및 구동 트랜지스터의 문턱값 전압(Vth)과 연동하여 결정하는 것이 가능하다. 즉, 실시 형태 2에 있어서도, 종래 기술과 비교하여, 보상 성능의 향상이 가능하다. 또한, 화소 회로(1)의 소자 수를 4개의 트랜지스터들과 1개의 용량으로 구성할 수 있기 때문에, 패널의 고세밀화에 보다 유리한 것은 말할 필요도 없다.
실시 형태 3
실시 형태 3에서는, 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1)의 다른 형태에 대해서 설명한다. 여기에서, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)의 회로도를 도 14에 나타낸다. 도 14에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)는, 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1)로부터 에미션 트랜지스터(M4)를 제거한 것이다.
계속하여, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)의 동작을 나타내는 타이밍차트를 도 15에 나타낸다. 도 15에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 3에 따른 화소 회로(2)를 사용한 경우, 제 1 주사선 신호(SCANa), 제 2 주사선 신호(SCANb) 및 초기화 전압(VCST)의 인가 타이밍은 실시 형태 1에 따른 화소 회로(1)와 같다. 한편, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)에서는, 접지 전압(ELVSS), 계조 데이터(VDATA) 및 전원 전압(ELVDD)의 인가 타이밍이 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1)와는 다르다. 또한, 실시 형태 3에 따른 표시 장치는, 도 10에 나타낸 실시 형태 2에 따른 표시 장치의 에미션 제어 회로(13) 대신에 접지 전압(ELVSS)의 제어를 행하는 접지 전압 제어 회로를 갖는 것으로 한다.
구체적으로는, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)에서는, 데이터 갱신 기간에 접지 전압(ELVSS)을 하이 레벨로서 유기 EL 소자(D1)로 흐르는 전류를 차단한다. 또한, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)에서는, 데이터 갱신 기간을 통하여 구동 트랜지스터(M1)의 소스에 계조 데이터(VDATA)를 제공한다. 이것에 의해, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)는, 데이터 갱신 기간은 발광하지 않고, 데이터 갱신이 행하여진다.
여기에서, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)의 데이터 갱신 기간 동안의 회로의 상태를 설명하는 회로도를 도 16A~도 16D에 나타낸다. 도 16A는, 실시 형태 3에 따르는 제 1 기간(TMA)에 있어서의 화소 회로의 상태를 나타내는 것이다. 도 16A에 나타내는 바와 같이, 제 1 기간(TMA)에서는, 접지 전압(ELVSS)이 하이 레벨로 되어 있기 때문에, 유기 EL 소자(D1)에 전류가 흐르지 않고, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트에 바이어스 전압(VBAS)이 인가되고, 보유 용량(CST)의 전하가 초기화된다.
도 16B는, 실시 형태 3에 따르는 제 2 기간(TMB)에 있어서의 화소 회로의 상태를 나타내는 것이다. 도 16B에 나타내는 바와 같이, 제 2 기간(TMB)에 있어서도, 접지 전압(ELVSS)이 하이 레벨로 되어 있기 때문에 유기 EL 소자(D1)에 전류가 흐르지 않는다. 그리고, 제 2 기간(TMB)에서는, 구동 트랜지스터(M1) 및 제 2 스위치 트랜지스터(M3)를 통해 계조 데이터(VDATA)에 기초하는 제 1 계조 전압이 구동 트랜지스터(M1)의 게이트에 라이트된다.
도 16C는, 실시 형태 3에 따르는 제 3 기간(TMC)에 있어서의 화소 회로의 상태를 나타내는 것이다. 도 16C에 나타내는 바와 같이, 제 3 기간(TMC)에 있어서도, 접지 전압(ELVSS)이 하이 레벨로 되어 있기 때문에 유기 EL 소자(D1)에 전류가 흐르지 않는다. 그리고, 제 3 기간(TMC)에서는, 초기화 전압(VCST)이 바이어스 전압(VBAS)으로부터 세트 전압(VSET)으로 스위치할 수 있고, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전압(Vgate)이 초기화 전압(VCST)의 변화에 따라서 변화된다.
도 16D는, 실시 형태 3에 따르는 제 4 기간(TMD)에 있어서의 화소 회로의 상태를 나타내는 것이다. 도 16D에 나타내는 바와 같이, 제 4 기간(TMD)에 있어서도, 접지 전압(ELVSS)이 하이 레벨로 되어 있기 때문에 유기 EL 소자(D1)에 전류가 흐르지 않는다. 그리고, 제 4 기간(TMD)에서는, 구동 트랜지스터(M1) 및 제 2 스위치 트랜지스터(M3)를 통해 계조 데이터(VDATA)에 기초하는 제 2 계조 전압이 구동 트랜지스터(M1)의 게이트에 라이트된다. 이 제 4 기간(TMD)에서는, 제 3 기간(TMC)이 완료한 시점에서의 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전압을 초기 전압으로서 제 2 계조 전압이 라이트된다.
계속하여, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)에서는, 발광 기간에 접지 전압(ELVSS)을 로우 레벨로서 유기 EL 소자(D1)에 전류를 흘린다. 또한, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)에서는, 발광 기간에 구동 트랜지스터(M1)의 소스에 전원 전압(ELVDD)을 인가한다.
여기에서, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)의 발광 기간 동안의 회로의 상태를 설명하는 회로도를 도 16E에 나타낸다. 도 16E는, 실시 형태 3에 따르는 제 5 기간(TME)에 있어서의 화소 회로의 상태를 나타내는 것이다. 도 16E에 나타내는 바와 같이, 제 5 기간(TME)에서는, 접지 전압(ELVSS)이 로우 레벨로 되어 있기 때문에, 구동 트랜지스터(M1)를 통해 유기 EL 소자(D1)에 전류가 흐른다.
상기한 바와 같이, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)는, 계조 데이터(VDATA) 및 전원 전압(ELVDD)을 제공하는 방법이 실시 형태 2에 따른 표시 장치와 같다. 또한, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)에서는, 에미션 제어 신호(EM) 대신에 접지 전압(ELVSS)의 전압 레벨을 제어함으로써, 실시 형태 2에 따른 표시 장치와 같은 동작을 실현하고 있다.
계속하여, 실시 형태 3에 따르는 구동 회로(2)를 포함하는 표시 장치의 블럭도를 도 17에 나타낸다. 도 17에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 3에 따른 표시 장치는, 도 10에 나타낸 실시 형태 2에 따르는 표시 장치로부터 에미션 제어 회로(13)를 제거한 것이다. 이 실시 형태 3에 따른 표시 장치의 동작을 나타내는 타이밍차트를 도 18에 나타낸다. 도 18에 나타내는 바와 같이, 실시 형태 3에 따르는 표시 장치에서는, 실시 형태 2에 따르는 표시 장치의 에미션 제어 신호와 같은 논리 레벨로 접지 전압(ELVSS)을 제어한다. 이것에 의해, 실시 형태 3에 따른 표시 장치에서는, 실시 형태 2에 따른 표시 장치와 같은 동작을 행할 수 있다.
상기 설명으로부터, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)에서는, 에미션 트랜지스터(M4)를 제거할 수 있기 때문에, 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1) 보다도 회로 규모를 삭감할 수 있다. 또한, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)에서는, 제어 방법이 실시 형태 2에 따른 표시 장치와 동등하게 된다. 그러므로, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)를 포함하는 표시 장치에서는, 실시 형태 2에 따른 표시 장치와 같이 사이멀테이니어스 구동을 행할 수 있다.
또한, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)에서는, 실시 형태 1에 따르는 화소 회로(1)와 같은 순서를 따라서 계조 데이터의 라이트를 실시한다. 그러므로, 실시 형태 3에 따르는 화소 회로(2)를 포함하는 표시 장치는, 실시 형태 1에 따르는 표시 장치와 같이, 초기화 전압을 계조 데이터 및 구동 트랜지스터(M1)의 문턱값 전압(Vth)과 연동하여 결정하는 것이 가능하다. 이것에 의해, 실시 형태 3에 따른 표시 장치에서는, 종래 기술과 비교하여 보상 성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정된 것이 아니고, 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적당히 변경하는 것이 가능하다.
1 : 화소 회로 2 : 화소 회로
10 : 스캔 드라이버 회로 11 : 초기화 전압 제어 회로
12 : 초기화 전압 선택 회로 13 : 에미션 제어 회로
14 : 계조 데이터 제어 회로 15 : 소스 드라이버 회로

Claims (18)

  1. 발광 소자;
    계조 데이터에 대응한 계조 전압을 보유하는 보유 용량;
    상기 발광 소자에 상기 계조 전압에 따른 구동 전류를 제공하는 구동 트랜지스터;
    초기화 전압이 전달되는 초기화 전압 배선과 상기 구동 트랜지스터의 게이트 사이에 접속되고, 제 1 주사선 신호에 따라서 개폐 상태가 제어되는 제 1 스위치 트랜지스터; 및
    상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트와 드레인 사이에 접속되고, 제 2 주사선 신호에 따라서 개폐 상태가 제어되는 제 2 스위치 트랜지스터
    를 포함하는 화소 회로, 및
    상기 제 1 주사선 신호와 상기 제 2 주사선 신호와 상기 초기화 전압을 출력하는 제어 회로를 포함하고,
    상기 제어 회로는,
    제 1 기간에 있어서, 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 폐쇄 상태로 하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터를 개방 상태로서, 상기 초기화 전압을 제 1 전압 레벨의 제 1 초기화 전압으로서, 상기 보유 용량의 전하를 초기 상태로 하고,
    제 2 기간에 있어서, 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 개방 상태로 하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터를 폐쇄 상태로서, 상기 초기화 전압을 상기 제 1 초기화 전압으로서, 상기 보유 용량에 제 1 계조 데이터에 대응한 제 1 계조 전압을 충전하고,
    제 3 기간에 있어서, 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 개방 상태로 하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터를 개방 상태로서, 상기 초기화 전압을 상기 제 1 초기화 전압으로부터 상기 제 1 전압 레벨과는 다른 제 2 전압 레벨의 제 2 초기화 전압으로 스위치하고,
    제 4 기간에 있어서, 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 개방 상태로 하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터를 폐쇄 상태로서, 상기 초기화 전압을 상기 제 2 초기화 전압으로서, 상기 보유 용량에 제 2 계조 데이터에 대응한 제 2 계조 전압을 충전하고,
    제 5 기간에 있어서. 상기 구동 트랜지스터를 상기 제 2 계조 전압에 기초하여 도통 상태로서 상기 발광 소자를 구동하는 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동 트랜지스터, 상기 제 1 스위치 트랜지스터, 및 상기 제 2 스위치 트랜지스터는, P형 반도체의 트랜지스터인 표시 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 화소 회로는 상기 구동 트랜지스터의 상기 드레인과 상기 발광 소자 사이에 접속되는 에미션 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 제어 회로는, 상기 제 1 기간부터 상기 제 4 기간에 상기 에미션 트랜지스터를 비도통시킨 상태로 하는 표시 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 화소 회로는 상기 구동 트랜지스터의 상기 드레인과 상기 발광 소자 사이에 접속되는 에미션 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 제어 회로는, 상기 제 5 기간에 상기 에미션 트랜지스터를 도통시킨 상태로 하는 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기간 및 상기 제 3 기간에 상기 구동 트랜지스터의 소스에 전원 전압을 제공하고, 상기 제 2 기간 및 상기 제 4 기간에 상기 구동 트랜지스터의 상기 소스에 상기 계조 데이터를 제공하는 전원 배선 제어 회로를 더 포함하는 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 화소 회로는, 격자 형상으로 배치되고,
    상기 표시 장치는, 홀수 번째 행에 배치되는 화소 회로들에 접속되는 제 1 전원 공급 배선, 및
    짝수 번째 행에 배치되는 화소 회로들에 접속되는 제 2 전원 공급 배선을 더 포함하고,
    상기 전원 배선 제어 회로는, 상기 제 1 전원 공급 배선에 상기 전원 전압을 제공하는 기간에 상기 제 2 전원 공급 배선에 상기 계조 데이터를 제공하고, 상기 제 1 전원 공급 배선에 상기 계조 데이터를 제공하는 기간에 상기 제 2 전원 공급 배선에 상기 전원 전압을 제공하는 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기간부터 상기 제 4 기간에 상기 구동 트랜지스터의 소스에 상기 계조 데이터를 제공하고, 상기 제 5 기간에 상기 구동 트랜지스터의 상기 소스에 전원 전압을 제공하는 전원 배선 제어 회로를 더 포함하는 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 기간부터 상기 제 4 기간에 상기 발광 소자의 캐소드에 하이 레벨의 접지 전압을 제공하고, 상기 제 5 기간에 상기 캐소드에 로우 레벨의 접지 전압을 제공하는 접지 전압 제어 회로를 더 포함하는 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 초기화 전압은, 상기 제 2 초기화 전압보다도 높은 전압인 표시 장치.
  10. 발광 소자;
    계조 데이터에 대응한 계조 전압을 보유하는 보유 용량;
    상기 발광 소자에 상기 계조 전압에 따른 구동 전류를 제공하는 구동 트랜지스터;
    초기화 전압이 전달되는 초기화 전압 배선과 상기 구동 트랜지스터의 게이트 사이에 접속되고, 제 1 주사선 신호에 따라서 개폐 상태가 제어되는 제 1 스위치 트랜지스터; 및
    상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트와 드레인 사이에 접속되고, 제 2 주사선 신호에 따라서 개폐 상태가 제어되는 제 2 스위치 트랜지스터를 포함하는 화소 회로의 구동 방법에 있어서,
    제 1 기간에 있어서, 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 폐쇄 상태로 하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터를 개방 상태로서, 상기 초기화 전압을 제 1 전압 레벨의 제 1 초기화 전압으로서, 상기 보유 용량의 전하를 초기 상태로 하고,
    제 2 기간에 있어서, 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 개방 상태로 하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터를 폐쇄 상태로서, 상기 초기화 전압을 상기 제 1 초기화 전압으로서, 상기 보유 용량에 제 1 화소 데이터에 대응한 제 1 계조 전압을 충전하고,
    제 3 기간에 있어서, 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 개방 상태로 하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터를 개방 상태로서, 상기 초기화 전압을 상기 제 1 초기화 전압으로부터 상기 제 1 전압 레벨과는 다른 제 2 전압 레벨의 제 2 초기화 전압으로 스위치하고,
    제 4 기간에 있어서 상기 제 1 스위치 트랜지스터를 개방 상태로 하고, 상기 제 2 스위치 트랜지스터를 폐쇄 상태로서, 상기 초기화 전압을 상기 제 2 초기화 전압으로서, 상기 보유 용량에 제 2 화소 데이터에 대응한 제 2 계조 전압을 충전하고,
    제 5 기간에 있어서 상기 구동 트랜지스터를 상기 제 2 계조 전압에 기초하여 도통 상태로 하는 화소 회로의 구동 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 구동 트랜지스터, 상기 제 1 스위치 트랜지스터, 및 상기 제 2 스위치 트랜지스터는, P형 반도체의 트랜지스터인 화소 회로의 구동 방법.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 화소 회로는, 상기 구동 트랜지스터의 상기 드레인과 상기 발광 소자 사이에 접속되는 에미션 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 제 1 기간부터 상기 제 4 기간에 상기 에미션 트랜지스터를 비도통시킨 상태로 하는 화소 회로의 구동 방법.
  13. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 화소 회로는, 상기 구동 트랜지스터의 상기 드레인과 상기 발광 소자 사이에 접속되는 에미션 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 제 5 기간에 상기 에미션 트랜지스터를 도통한 상태로 하는 화소 회로의 구동 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 기간 및 상기 제 3 기간에 상기 구동 트랜지스터의 소스에 전원 전압을 제공하고, 상기 제 2 기간 및 상기 제 4 기간에 상기 구동 트랜지스터의 상기 소스에 상기 계조 데이터를 제공하는 화소 회로의 구동 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 화소 회로는, 격자 형상으로 배치되고,
    홀수 번째 행에 배치되는 화소 회로들은 제 1 전원 공급 배선에 접속되고,
    짝수 번째 행에 배치되는 화소 회로들은 제 2 전원 공급 배선에 접속되고,
    상기 제 1 전원 공급 배선에 상기 전원 전압을 제공하는 기간에 상기 제 2 전원 공급 배선에 상기 계조 데이터를 제공하고,
    상기 제 1 전원 공급 배선에 상기 계조 데이터를 제공하는 기간에 상기 제 2 전원 공급 배선에 상기 전원 전압을 제공하는 화소 회로의 구동 방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 기간부터 상기 제 4 기간에 상기 구동 트랜지스터의 소스에 상기 계조 데이터를 제공하고, 상기 제 5 기간에 상기 구동 트랜지스터의 상기 소스에 전원 전압을 제공하는 화소 회로의 구동 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 기간부터 상기 제 4 기간에 상기 발광 소자의 캐소드에 하이 레벨의 접지 전압을 제공하고, 상기 제 5 기간에 상기 캐소드에 로우 레벨의 접지 전압을 제공하는 화소 회로의 구동 방법.
  18. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 초기화 전압은, 상기 제 2 초기화 전압보다도 높은 전압인 화소 회로의 구동 방법.
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