KR20140071098A - 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실리콘 포토닉스의 측면 광결합을 위해 광도파로에 격자를 형성하고, 코어와 클래딩 사이 굴절률을 갖는 물질을 형성하는 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈에 관한 것으로, 광을 전송하는 코어와, 상기 코어를 감싸면서 전반사 효과에 의해 광을 코어 내에 유지시키는 클래딩을 포함하되, 상기 코어의 일측 단부에는 격자(grating)가 형성되고, 상기 격자가 형성된 코어의 단부와 클래딩 사이에는 상기 코어와 클래딩 사이의 굴절률을 갖는 굴절부재가 개재되어 상기 내,외부 광섬유와 광결합된 것을 특징으로 한다.

Description

실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈{optical coupling module for silicon photonics chip}
본 발명은 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 실리콘 포토닉스의 측면 또는 내부에서의 광결합을 위해 광도파로에 격자를 형성하고, 코어와 클래딩 사이 굴절률을 갖는 물질을 형성하는 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈에 관한 것이다.
최근 광통신 시스템의 저가화, 고속화, 대용량화에 따라 CMOS 포토닉스 기반의 전자회로부와 광회로부를 하나의 칩에서 구현하는 기술이 점점 부각되고 있다. 이러한 기술은 10년 전부터 계속 연구되어 왔으며 현재는 이러한 제조 공정을 상용으로 파운드리를 제공하는 업체가 등장하였다. 실리콘 포토닉스 기반의 광회로 칩으로는 광다중화기 및 역다중화기(Arrayed Waveguide Grating, AWG), 광변조기(PN modulaor, PIN modulator, ring modulator), 수광소자(photodiode, Ge photodiode), 광도파로, 광결합 및 분리기(Y-branch), 광 필터, 외부와 광결합을 위한 광결합기(grating coupler, edge coupler) 등이 파운드리 업체에서 라이브러리로 제공하고 있다. 상기의 광소자를 이용하여 구현된 광회로는 외부와 실리콘 포토닉스상에 구현된 그레이팅(grating) 결합기 또는 측면 결합기를 이용하여 광결합된다. 그레이팅 결합기의 경우, 광정렬 허용 오차가 비교적 큰 반면에 파장에 민감한 단점을 가지고 있으며, 측면 광결합기는 파장에 관계없으나 광정렬 허용 오차가 매우 작은 단점을 가지고 있다. 실리콘 포토닉스 상의 구현된 광도파로의 물리적 크기는 0.5um x 0.22um 정도를 가진다. 또한, 코어(core) 물질인 실리콘의 굴절률은 대략 3.5이며 클래딩(cladding) 물질인 실리콘 옥사이드의 굴절률은 대략 1.4를 가진다. 즉, 코어와 클래딩의 굴절률 차이가 상당히 크며 광도파로의 크기 매우 작아 외부에 단일 모드 광섬유에 광결합이 거의 불가능한 실정이다.
도 1은 미국 Luxtera에서 구현한 그레이팅(grating) 광결합기를 도시한다. 상기와 같이 그레이팅(grating) 광결합기는 광도파로(10)의 일측 단부에 격자(11)를 형성하고, 광결합 될 코어(20)를 상기 격자(11)에서 출력된 광의 굴절각(θ)과 나란하도록 배치하여 광결합하는 것이다. 상기와 같은 그레이팅 광결합기의 경우 파장에 민감한 단점을 가지고 있으며, 광모듈 제작 시 높이가 증가하여 패키지가 커지는 단점을 가지고 있다. 도 2는 유럽 실리콘 포토닉스 연구 그룹인 Ghent 대학에서 발표한 측면 광결합기 구조를 도시한다. 도시한 바와 같이 측면 광결합기의 경우 실리콘 광도파로에 역테이퍼(inverted taper,31)를 적용하고 폴리머 클래딩(40)이 그 상단에 형성되어, 실리콘 코어(30)의 유효 굴절률을 점차적으로 감소시킴으로서, 실리콘 코어(30) 하단에 위치한 실리콘 옥사이드에 광신호가 전이되어 측면에서 나오는 광 모드의 크기가 3um x 3um정도로 상당히 커지게 되어 단일 모드 광섬유와의 광결합이 가능해진다. 이때 실리콘 옥사이드로의 광신호 전이 시 광신호 손실이 발생하며 측면에 광결합시 추가 손실이 발생하게 된다.
본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여, 실리콘 광도파로 상에 격자를 형성하고, 실리콘 재질의 코어와 실리콘 옥사이드 재질의 클래딩 사이에 코어와 클래딩 사이의 굴절률을 가지는 굴절부재를 추가로 배치하여 측면 또는 내부에서의 광결합 효율을 높이는데 그 목적이 있다.
상기의 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈에 따르면, 광을 전송하는 코어와, 상기 코어를 감싸면서 전반사 효과에 의해 광을 코어 내에 유지시키는 클래딩을 포함하되, 상기 코어의 일측 단부에는 격자(grating)가 형성되고, 상기 격자가 형성된 코어의 단부와 클래딩 사이에는 상기 코어와 클래딩 사이의 굴절률을 갖는 굴절부재가 개재되어 상기 내,외부 광섬유와 광결합된다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 코어는 실리콘(Si) 재질로 구비되고, 상기 클래딩은 실리콘 옥사이드(SiO2)재질로 구비되며, 상기 굴절부재는 실리콘계 화합물로 구비된다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 코어와 굴절부재 사이에는 소정의 간격이 형성되고, 상기 코어와 굴절부재 사이 간격에는 클래딩이 충진된다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 굴절부재에는 상기 코어와 마주하는 측면에 격자(grating)가 형성된다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 코어에 형성된 격자는 상기 코어의 상부에 구간별로 돌출 형성된다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 굴절부재는 상기 격자의 외측면을 감싸도록 상기 코어의 상부에 형성된다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 굴절부재의 단면은 내,외부 광섬유의 코어의 단면과 동일하거나 근사하게 형성된다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 굴절부재는 상기 내,외부 광섬유로 광신호를 출력한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 굴절부재는 상기 내,외부 광섬유로부터 광신호를 입력받는다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 굴절부재는 상기 외부 광섬유와 버트 커플링(Butt coupling) 방식으로 광결합된다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 굴절부재는 외부 광섬유와 초점 렌즈(Focused lens) 방식으로 광결합된다.
본 발명에 따른 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈에 따르면, 실리콘 광도파로 상에 격자를 형성하고, 실리콘 재질의 코어와 실리콘 옥사이드 재질의 클래딩 사이에 코어와 클래딩 사이의 굴절률을 가지는 굴절부재를 추가로 배치하여 허용오차를 줄이고, 광결합 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 광결합 모듈 및 실리콘 포토닉스 칩의 소형화 구현이 가능하게 되는 효과도 있다.
또, 간단한 구조로 이루어져 생산성이 향상되고, 제조 단가는 절감되며, 다양한 분야에 적용될 수 있는 효과도 있다.
도 1은 종래 격자를 이용한 광결합기의 구조를 도시한 도면,
도 2는 종래 측면 광결합기의 구조를 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 다른 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈을 간략하게 도시한 단면도,
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈을 간략하게 도시한 측면도,
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈을 간략하게 도시한 단면도,
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈을 간략하게 도시한 측면도,
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 다른 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈을 간략하게 도시한 단면도,
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈을 간략하게 도시한 단면도이다.
본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서 동일한 구성에 대해서는 동일부호를 사용하며, 반복되는 설명, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 다른 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈을 간략하게 도시한 단면도로서, 외부로 광이 빠져나가는 모습을 도시하였고, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈을 간략하게 도시한 측면도이다.
상기 도 3 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈은, 광을 전송하는 코어(110)와, 상기 코어(110)를 감싸면서 전반사 효과에 의해 광을 코어(110) 내에 유지시키는 클래딩(120)을 포함하되, 상기 코어(110)의 일측 단부에는 격자(grating,111)가 형성되고, 상기 격자(111)가 형성된 코어(110)의 단부와 클래딩(120) 사이에는 상기 코어(110)와 클래딩(120) 사이의 굴절률을 갖는 굴절부재(130)가 개재되어 상기 내,외부 광섬유와 광결합된다. 참고로 본 발명에서 전술 또는 후술된 광섬유(200)는 단일 모드 광섬유(single mode fiber)를 예시하여 설명한다.
상기 실리콘 포토닉스 칩(100)은 실리콘 기판상에 집적된 복수의 광전소자들, 예를 들면 광연결 장치(INPUT), 다중화 장치(MUX), 역다중화 장치(DEMUX) 및 수광 소자(PD) 등을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명에서 지칭하는 실리콘 포노틱스 칩(100)은 복수의 다층 구조를 가지며, 각 층은 특정 기능을 갖는 광소자 및 광도파로 등을 포함하고 있다. 따라서, 전술 또는 후술되는 상기 굴절부재(130)는 실리콘 포토닉스 칩(100) 외부의 광섬유(200)와 광연결되어 광신호를 송수신할 수 있으며, 실리콘 포토닉스 칩(100) 내부의 광소자 및 광도파로와 광연결되어 광신호를 송수신할 수 있음을 분명히 밝혀두는 바이다.
상기 코어(110)는 광원으로부터 유입된 빛을 전달하고, 클래딩(120)은 상기 코어(110)를 통과하는 빛의 손실을 방지하도록 구비된다. 상기 클래딩(120)은 코어(110)보다 굴절률이 낮은 물질로 이루어지고 상기 코어(110)의 외측을 감싸는 형태로 코어(110) 주변에 형성된다. 상기한 바와 같이 클래딩(120)은 코어(110)보다 낮은 굴절률을 구비하기 때문에 코어(110)에서 광 신호가 진행할 때 임계각보다 큰 각도로 경계면에 부딪혀 전반사가 일어나게 된다. 따라서, 광 신호가 코어(110)와 클래딩(120)의 경계면에 충돌 시, 굴절률이 큰 코어(110) 밖으로 빠져나가지 못하고 계속 코어(110) 내부를 따라 진행할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 코어(110)의 일측 단부에는 식각 등의 방법으로 격자(grating,111)가 형성되고, 상기 격자(111)가 형성된 코어(110)의 단부와 클래딩(120) 사이에는 상기 코어(110)와 클래딩(120) 사이의 굴절률을 갖는 굴절부재(130)가 개재되어 내부 또는 외부 광섬유와 광결합이 이루어진다. 상기 격자(111)는 상기 코어(110)의 상부 또는 하부에 형성될 수 있고, 측면에 형성될 수 있다. 한편, 상기 굴절부재(130)는 상기 코어(110)에 형성된 격자(111)와 접하도록 형성될 수 있고, 격자(111)와 소정의 간격을 형성하도록 이격하여 형성될 수 있다.
상기와 같이 코어(110)에 격자(111)가 형성될 경우, 코어(110)를 통과하는 광신호의 유효 굴절률이 변화되어 특정 방향을 갖고 진행하게 된다. 이때, 상기 굴절부재(130)는 상기 코어(110)보다는 작고 클래딩(120)보다는 큰 굴절률을 구비하기 때문에, 상기 격자(111)를 통해 굴절률이 변화된 광신호가 유입될 수 있고, 유입된 광신호가 클래딩(120)의 작용으로 외부로 손실되지 않고 굴절부재(130)를 통해 실리콘 포토닉스 칩(100)의 단부까지 전달될 수 있다. 상기 실리콘 포토닉스 칩(100)의 단부로 전달된 광신호는 상기 굴절부재(130)의 단부를 통해 출력되고, 출력된 광신호는 상기 실리콘 포토닉스 칩(100)의 측면 또는 실리콘 포토닉스 칩(100)의 내부에서 광결합이 이루어진 광섬유(200)의 코어에 전달될 수 있다. 상기 굴절부재(130)는 상기 코어(110) 대비 클래딩(120)과의 굴절률 차이가 크지 않기 때문에 굴절부재(130)의 단부 또는 실리콘 포토닉스 칩(100)의 내부에서 일반적인 광섬유를 이용하여 용이하게 광결합시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 코어(110)는 실리콘(Si) 재질로 구비되고, 상기 클래딩(120)은 실리콘 옥사이드(SiO2)재질로 구비되며, 상기 굴절부재(130)는 실리콘계 화합물로 구비된다. 상기 코어(110)는 비정질 실리콘(Armophous silicon) 또는 폴리 실리콘(poly-silicon)으로 형성되거나, 상기 비정질 실리콘(Armophous silicon) 또는 폴리 실리콘(poly-silicon)을 단결정화하여 형성될 수 있다. 상기 코어(110)가 실리콘(Si) 재질로 구비되면 3.5의 굴절률을 갖고, 클래딩(120)이 실리콘 옥사이드(SiO2)재질로 구비되면 1.44의 굴절률을 갖는다. 따라서, 상기 굴절부재(130)는 3.5보다 크고 1.44보다 작은 굴절률을 갖는 실리콘계 화합물로 구비될 수 있으되, 특히, 실리콘 옥사이드(SiO2)와 굴절률 차이가 크지 않은 범위에서 구비될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈을 간략하게 도시한 단면도로서, 광이 빠져나가는 모습을 도시하였고, 도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈을 간략하게 도시한 측면도이다. 도 5 내지 도 6을 참조하면, 상기 코어(110)와 굴절부재(130) 사이에는 소정의 간격(G)이 형성되고, 상기 코어(110)와 굴절부재(130) 사이 간격에는 클래딩(120) 소재가 충진된다. 상기 굴절부재(130)는 상기 코어(110)와 접하도록 그 주변에 형성될 수 있지만, 본 실시에서와 같이 소정의 거리만큼 이격하여 형성될 수 있다. 상기 굴절부재(130)와 코어(110)의 이격 공간에는 상기 클래팅(120)과 동일한 소재가 충진된다. 상기와 같이 코어(110)와 굴절부재(130) 사이에 클래딩(120)이 삽입될 경우, 코어(110)의 격자(111)로부터 굴절부재(130)로 광결합이 이뤄지고 난 다음, 굴절부재(130)를 통과하는 광이 코어(110)방향으로 반사되어 손실되는 것을 코어(110)와 굴절부재(130) 사이에 삽입된 클래딩(120)이 차단해주기 때문에 광신호의 전달이 용이하게 이루어질 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈을 간략하게 도시한 단면도로서, 외부에서 광이 유입되는 모습을 도시하였다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 상기 굴절부재(130)에는 상기 코어(110)와 마주하는 측면에 격자(grating,131)가 형성된다. 상기와 같이 굴절부재(130)의 일측면에 상기 코어(110)의 격자(111)를 향해 격자(131)가 형성될 경우, 상기 격자(111,131)의 작용으로 코어(110)와 굴절부재(130)는 특정각을 갖고 광신호의 결합이 이루어질 수 있다. 즉, 코어(110)에서 굴절부재(130)로 광이 출력되는 경우, 상기 코어(110)의 격자(111)를 통해 광의 유효 굴절률이 변화되어 특정각을 갖고 굴절부재(130)로 입력된다. 이때, 상기 굴절부재(130)는 격자(131)를 통해 특정각을 갖고 광을 입력받아 유효굴절률을 변화시켜 광을 통과시킬 수 있다. 한편, 상기 코어(110)의 격자(111)와 굴절부재(130)의 격자(131)는 상호 유효 굴절률 변화에 대응하도록 동일한 형태로 구비될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 코어(110)에 형성된 격자(111)는 상기 코어(110)의 상부에 구간별로 돌출 형성된다. 또한, 상기의 경우, 상기 굴절부재(130)는 상기 격자(111)의 외측면을 감싸도록 상기 코어(110)의 상부에 형성되며, 상기 굴절부재(130)는 상기 격자(111)가 형성된 부분에만 상기 격자(111)의 전후좌우 측면과 상면을 감싸도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 굴절부재(130)의 단면은 내,외부 광섬유(200)의 코어의 단면과 동일하거나 근사하게 형성된다. 상기한 바와 같이 광이 출력되는 굴절부재(130)의 단면과, 광이 입력되는 광섬유(200)의 코어의 단면이 동일하거나 유사하게 형성될 경우 굴절부재(130)와 광섬유(200) 간의 보다 높은 광결합 효율을 기대할 수 있다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 굴절부재(130)는 상기 내,외부 광섬유(200)로 광신호를 출력한다. 이 경우, 상기 실리콘 포토닉스 칩(100)은 상기 광섬유(200)로 광을 출력하는 광출력부를 구비할 수 있다. 상기와 같이 굴절부재(130)를 통해 광신호를 출력하는 경우, 코어(110)를 통과한 광이 격자(111)에서 굴절률 변화를 거쳐 굴절부재(130)로 전달되고, 굴절부재(130)를 통과한 뒤 내,외부 광섬유(200)의 코어에 결합하게 된다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈을 간략하게 도시한 단면도로서, 외부에서 광이 유입되는 모습을 도시하였다. 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 굴절부재(130)는 상기 내,외부 광섬유(200)로부터 광신호를 입력받는다. 이때, 상기 실리콘 포토닉스 칩(100)은 광섬유(200)로부터 광을 검출하는 광검출부를 포함할 수 있다. 상기와 같이 굴절부재(130)를 통해 광신호를 입력받는 경우, 광섬유(200)의 코어를 통해 광이 출력되면, 굴절부재(130)의 단부에서 상기 출력된 광을 전달받게 된다. 이후, 굴절부재(130)를 통과하는 광은 코어(110)의 격자(111)를 통해 굴절률 변화를 거쳐 코어(110)로 전달된다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 굴절부재(130)는 상기 외부 광섬유(200)와 버트 커플링(Butt coupling) 방식으로 직접 결합할 수 있으며, 초점 렌즈(Focused lens) 방식으로 결합 될 수 있다. 실리콘 포토닉스 칩(100)의 측면으로 출력되는 광신호는 굴절부재(130)와 클래딩(120)의 굴절률 차이가 크지 않기 때문에 외부에 일반적인 광섬유를 버트 커플링(Butt coupling) 방식으로 직접 결합하거나, 초점 렌즈(Focused lens)를 이용하여 광결합이 가능하다.
상기한 바와 같은 본 발명에 따른 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈에 따르면, 실리콘 광도파로 상에 격자(111)를 형성하고, 실리콘 재질의 코어(110)와 실리콘 옥사이드 재질의 클래딩(120) 사이에 코어(110)와 클래딩(120) 사이의 굴절률을 가지는 굴절부재(130)를 추가로 배치하여 허용오차를 줄이고, 측면 광결합 효율을 높일 수 있으며, 광결합 모듈 및 실리콘 포토닉스 칩(100)의 소형화 구현이 가능할 뿐 아니라, 간단한 구조로 이루어져 생산성이 향상되고, 제조 단가는 절감되며, 다양한 분야에 적용될 수 있는 장점이 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 실리콘 포토닉스 칩
110 : 코어
111 : 격자
120 : 클래딩
130 : 굴절부재
131 : 격자
200 : 광섬유
G : 간격

Claims (12)

  1. 광을 전송하는 코어와, 상기 코어를 감싸면서 전반사 효과에 의해 광을 코어내에 유지시키는 클래딩을 포함하여 내,외부 광섬유와 광결합되는 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈에 있어서,
    상기 코어의 일측 단부에는 격자(grating)가 형성되고, 상기 격자가 형성된 코어의 단부와 클래딩 사이에는 상기 코어와 클래딩 사이의 굴절률을 갖는 굴절부재가 개재되어 상기 내,외부 광섬유와 광결합되는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 코어는 실리콘(Si) 재질로 구비되고, 상기 클래딩은 실리콘 옥사이드(SiO2)재질로 구비되며, 상기 굴절부재는 실리콘계 화합물로 구비된 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 코어와 굴절부재 사이에는 소정의 간격이 형성되고, 상기 코어와 굴절부재 사이 간격에는 클래딩이 충진된 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 굴절부재에는 상기 코어와 마주하는 측면에 격자(grating)가 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 코어에 형성된 격자는 상기 코어의 상부에 구간별로 돌출 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 굴절부재는 상기 격자의 외측면을 감싸도록 상기 코어의 상부에 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 굴절부재의 단면은 내,외부 광섬유의 코어의 단면과 동일하거나 근사하게 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 굴절부재는 상기 내,외부 광섬유로 광신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈.
  9. 제 1항에 있어서
    상기 굴절부재는 상기 내,외부 광섬유로부터 광신호를 입력받는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 굴절부재는 상기 외부 광섬유와 버트 커플링(Butt coupling) 방식으로 광결합되는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 굴절부재는 외부 광섬유와 초점 렌즈(Focused lens) 방식으로 광결합되는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 실리콘 포토닉스 칩은 각 층마다 특정 기능을 갖는 광소자 및 광도파로 가 설치된 다층 구조를 가지며, 상기 굴절부재는 상기 실리콘 포토닉스 칩 내부의 광도파로와 광결합하여 광신호를 송수신하는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토닉스 칩의 광결합 모듈.
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