KR20140057707A - 정전용량식 터치 감지 패널 - Google Patents

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KR20140057707A
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Abstract

본 발명은 코너 또는 모서리 부분의 터치 정밀도를 향상시켜 터치 성능을 향상시킬 수 있는 표시장치용 정전용량식 터치 감지 패널에 관한 것터치전극 형성영역 및 상기 터치전극 형성영역 내에 형성되는 액티브 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 상기 터치전극 형성영역에서 제 1 방향을 따라 서로 이격되도록 배열되는 복수의 도전성 제 1 전극열들; 상기 기판의 상기 터치전극 형성영역에서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향을 따라 서로 이격되도록 배열되며, 상기 복수의 제 1 도전성 전극열들과 전기적으로 절연되는 복수의 도전성 제 2 전극열들; 및 상기 복수의 도전성 제 1 및 제 2 전극열들의 교차점으로 정의되는 복수의 센싱노드들을 포함하며, 상기 복수의 센싱노드들 중 최상측 센싱노드들과 최하측의 센싱노드들 중 적어도 한쪽 센싱노드들은 상기 액티브 영역의 경계선 상에 위치하거나, 상기 액티브 영역의 경계부 외측에 위치하는 터치전극 형성영역 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 터치 감지 패널 특징으로 한다.

Description

정전용량식 터치 감지 패널{ELECTROSTATIC CAPACITIVE TYPE TOUCH-SENSITIVE PANEL FOR DISPLAY DEVICE}
본 발명은 터치 감지 패널에 관한 것으로, 특히 코너 또는 모서리 부분의 터치 정밀도를 향상시켜 터치 성능을 높일 수 있는 정전용량식 터치 감지 패널에 관한 것이다.
최근, 키보드, 마우스, 트랙볼, 조이스틱, 디지타이저(digitizer) 등의 다양한 입력장치(Input Device)들이 사용자와 가전기기 또는 각종 정보통신기기 사이의 인터페이스를 구성하기 위해 사용되고 있다. 그러나, 상술한 바와 같은 입력장치를 사용하는 것은 사용법을 익혀야 하고 공간을 차지하는 등의 불편을 야기하여 제품의 완성도를 높이기 어려운 면이 있었다. 따라서, 편리하면서도 간단하고 오작동을 감소시킬 수 있는 입력장치에 대한 요구가 날로 증가되고 있다. 이와 같은 요구에 따라 사용자가 표시장치를 보면서 손이나 펜 등으로 화면을 직접 터치하거나 근접시켜 정보를 입력하는 터치 감지 패널(touch sensitive panel)이 제안되었다.
터치 감지 패널은 터치된 부분을 감지하는 방식에 따라, 상판 또는 하판에 금속 전극을 형성하여 직류전압을 인가한 상태에서 터치된 위치를 저항에 따른 전압 구배(voltage gradient)로 판단하는 저항막 방식(resistive type), 도전막에 등전위를 형성하고 터치에 따른 상하판의 전압 변화가 일어난 위치를 감지하여 터치된 부분을 감지하는 정전용량 방식(electrostatic capacitive type), 전자펜이 도전막을 터치함에 따라 유도되는 LC값을 읽어들여 터치된 부분을 감지하는 전자 유도 방식(electromagnetic type) 등으로 구별될 수 있으며, 그 외에도 광학 방식, 초음파 방식 등이 알려져 있다.
이와 같은 터치감지 방법 중, 정전용량 방식은 셀프 캐패시턴스(self capacitance) 방식과 상호 캐패시턴스(mutual capacitance) 방식으로 구분된다. 셀프 캐패시턴스 방식은 터치 감지 패널의 터치 영역에 복수의 독립 패턴을 형성하고 각각의 독립 패턴의 정전용량의 변화를 측정하여 터치 여부를 판단하는 방식이다. 상호 캐패시턴스 방식은 터치 감지 패널의 터치전극 형성영역에 X축 전극열들(예를 들면, 구동 전극라인들)과 Y축 전극열들(예를 들면, 센싱 전극라인들)을 서로 교차시켜 매트릭스를 형성하고, X축 전극열들에 구동펄스를 인가한 다음, Y축 전극열들을 통해 X축 전극열들과 Y축 전극라인들의 교차점으로 정의되는 센싱 노드들에 나타나는 전압의 변화를 감지하여 터치 여부를 판단하는 방식이다.
이하, 도 1a 및 도 1b를 참조하여 종래의 표시장치용 정전용량식 터치 감지 패널에 대해 설명하기로 한다. 도 1a는 종래의 표시장치용 정전용량 방식 터치 감지 패널의 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 터치 감지 패널에 형성되는 센싱 노드들을 개념적으로 도시한 도면이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 표시장치용 정전용량식 터치 감지 패널은 터치전극들이 형성되는 터치전극 형성영역(TA), 표시장치의 데이터가 디스플레이되는 영역에 대응하는 액티브 영역(AA), 터치전극 형성영역(TA)과 신호를 주고받기 위해 라우팅 배선들이 형성되는 라우팅 배선 형성영역(RA), 및 라우팅 배선들과 터치 구동회로의 신호라인들을 연결하기 위한 라우팅 패드들이 형성되는 패드 형성영역(PA)을 포함한다.
터치전극 형성영역(TA)은 투명기판(10) 상에 제 1 방향(예를 들면, x축 방향)으로 나란하게 배열되는 복수의 제 1 터치 전극열(TS1~TS5)과, 상기 제 1 터치 전극열(TS1~TS5)과 절연막(도시생략)을 사이에 두고 서로 교차하도록 제 2 방향(예를 들면, y축 방향)으로 나란하게 형성되는 복수의 제 2 터치 전극열(RS1~RS6)을 포함하며, 제 1 및 제 2 터치 전극열들(TS1~TS5, RS1~RS6)의 교차에 의해 형성되는 지점들을 센싱 노드들(n11~n56)이라 한다. 복수의 제 1 터치 전극열(TS1~TS5)과 복수의 제 2 터치 전극열(RS1~RS6)은 상기 센싱 노드들(n11~n56)에서 서로 접촉하지 않도록 절연층(도시생략)을 사이에 두고 서로 교차하도록 배치된다.
라우팅 배선 형성영역(RA)은 제 1 및 제 2 터치 전극열(TS1~TS5, RS1~RS6)이 형성된 터치전극 형성영역(TA)의 외측에 형성되며, 복수의 제 1 터치 전극열(TS1~TS5)과 각각 연결되는 복수의 제 1 라우팅 배선들(TW1~TW5)과, 복수의 제 2 터치 전극열(RS1~RS6)과 각각 연결되는 복수의 제 2 라우팅 배선들(RW1~RW6)을 포함한다.
패드 형성영역(PA)은 복수의 제 1 라우팅 배선들(TW1~TW5)에 각각 연결되는 복수의 제 1 라우팅 패드들(TP1~TP5)과, 복수의 제 2 라우팅 배선들(RW1~RW6)에 각각 연결되는 복수의 제 2 라우팅 패드들(RP1~RP6)을 포함한다.
상술한 구조의 정전용량식 터치 감지 패널은 손가락 또는 스타일러스 펜과 같은 도전성 금속이 터치 감지 패널에 터치(또는 근접)(이하, 단순히 "터치"라 함)할 경우, 그 접촉위치와 가장 근접한 센싱 노드(n11~n56)의 접촉 전후의 정전용량의 변화를 인식하여 터치 위치를 감지하는 장치이다. 이와 같이 센싱 노드들(n11~n56)은 접촉(또는 근접) 위치 추적의 기준이 되므로, 표시장치의 디스플레이 영역에 대응하는 액티브 영역(AA) 전반에 걸쳐 터치가 가능하게 되도록 하기 위해서는 터치전극 형성영역(TA)을 액티브 영역(AA)보다 크게 형성한다. 그러나, 대부분의 터치는 센싱 노드들상에서 정확하게 이루어지는 경우보다 센싱 노드와 센싱 노드 사이의 영역에서 이루어지는 경우가 대부분이다. 따라서, 터치위치에 인접한 센싱 노드들로부터 수집된 데이터를 조합 및 처리하여 정확한 터치 위치를 산출해 내고 있다.
도 2는 터치 위치에 따라 터치 위치를 판단하기 위해 이용가능한 터치 감지 패널의 센싱 노드들을 보여주는 평면도이다. 도 2에서, A, B, 및 C는 터치 감지 패널의 액티브 영역 내에서 터치가 이루어지는 경우의 터치위치를 각각 나타낸다.
도 2를 참조하면, 터치가 액티브 영역(AA) 내측의 터치위치 A에서 이루어진 경우 터치위치 A에 인접한 9개의 센싱노드들(n34, n35, n36, n44, n45, n46, n54, n55, n56)이 터치위치 산출을 위해 이용될 수 있다. 터치가 액티브 영역의 모서리 쪽에 위치한 센싱노드(n41)을 포함하는 터치위치 B에서 이루어진 경우 터치위치 B에 인접한 6개의 센싱노드들(n31, n32, n41, n42, n51, n52)이 터치위치 산출을 위해 이용될 수 있다. 그러나, 센싱노드를 포함하지 않는 센싱노드 외측의 터치위치 B'에서 터치가 이루어지는 경우에는 터치위치 B'에 인접한 2개의 센싱노드들(n31, n41)이 터치위치 산출을 위해 이용될 수 있을 뿐이다. 또한, 터치가 액티브 영역(AA)의 코너 쪽에 위치한 터치위치 C에서 이루어진 경우 터치위치 C에 인접한 4개의 센싱노드들(n11, n12, n21,n22)이 터치위치 산출을 위해 이용될 수 있다. 그러나, 센싱노드를 포함하지 않는 센싱노드 외측의 터치위치 C'에서 터치가 이루어지는 경우에는 터치위치 C'에 인접한 1개의 센싱노드(n11)만이 터치위치 산출을 위해 이용될 수 있을 뿐이다.
이와 같이, 터치 감지 패널의 액티브 영역(AA)의 모서리 안쪽의 영역에서 터치가 발생하는 경우에는 많은 수의 인접 센싱 노드들을 이용할 수 있어 터치가 이루어진 위치의 계산이 용이하지만, 모서리 영역 또는 코너 영역에서는 이용할 수 있는 인접 센싱 노드의 수가 감소된다. 이 경우, 터치 감지 패널의 액티브 영역(AA)의 모서리 영역 또는 코너 영역에서 산출된 터치 위치의 좌표는 실제의 터치위치보다 터치 감지 패널의 액티브 영역의 중심방향에 위치하는 것으로 잘못 연산되게 된다. 특히, 터치가 액티브 영역(AA)의 센싱노드가 포함되지 않은 모서리부(B')나 코너부분(C')에서 이루어졌을 때는 이용할 수 있는 인접 센싱노드(n11)가 둘 또는 하나밖에 없게 되어 정확한 터치위치의 측정이 부정확하게 되는 문제점이 있었다.
따라서, 터치 감지 패널의 액티브 영역(AA)의 모서리 영역 또는 코너 영역에서 터치가 이루어지더라도, 터치 위치 산출에 이용할 수 있는 센싱 노드수의 감소 또는 센싱노드의 부재로 인한 오연산을 방지할 수 있는 대책의 필요성이 요구되어 왔다.
본 발명의 목적은 코너 또는 모서리 부분의 터치 정밀도를 향상시켜 터치 성능을 높일 수 있는 표시장치용 정전용량식 터치 감지 패널을 제공하기 위한 것이다.
상기 목적 달성을 위해, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치용 정전용량식 터치 감지 패널은, 터치전극 형성영역 및 상기 터치전극 형성영역 내에 형성되는 액티브 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 상기 터치전극 형성영역에서 제 1 방향을 따라 서로 이격되도록 배열되는 복수의 도전성 제 1 전극열들; 상기 기판의 상기 터치전극 형성영역에서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향을 따라 서로 이격되도록 배열되며, 상기 복수의 제 1 도전성 전극열들과 전기적으로 절연되는 복수의 도전성 제 2 전극열들; 및 상기 복수의 도전성 제 1 및 제 2 전극열들의 교차점으로 정의되는 복수의 센싱노드들을 포함하며, 상기 복수의 센싱노드들 중 최상측 센싱노드들과 최하측의 센싱노드들 중 적어도 한쪽 센싱노드들은 상기 액티브 영역의 경계선 상에 위치하거나, 상기 액티브 영역의 경계부 외측에 위치하는 터치전극 형성영역 내에 위치하는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에서, 상기 복수의 센싱노드들 중 최좌측 센싱노드들과 최우측의 센싱노드들 중 적어도 한쪽 센싱노드들은 상기 액티브 영역의 경계선 상에 위치하거나, 상기 액티브 영역의 경계부 외측에 위치하는 터치전극 형성영역 내에 위치하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 1 전극열들 중 최상측에 위치하는 전극열과 상기 제 1 전극열들 중 최하측에 위치하는 전극열의 적어도 하나는 상기 액티브 영역의 경계부 외측에 위치하는 터치전극 형성영역에 까지 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 1 전극열들은 복수의 전극패턴들로 형성되고, 상기 제 1 전극열들의 각각의 최좌측에 위치하는 전극패턴은 상기 액티브 영역의 경계부 외측에 위치하는 터치전극 형성영역에까지 형성되며, 상기 액티브 영역의 내측에 형성되는 전극패턴보다 크게 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 1 전극열들은 복수의 전극패턴들로 형성되고, 상기 제 1 전극열들의 각각의 최우측에 위치하는 전극패턴은 상기 액티브 영역의 경계부 외측에 위치하는 터치전극 형성영역에까지 형성되며, 상기 액티브 영역의 내측에 형성되는 전극패턴보다 크게 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 표시장치용 정전용량식 터치 감지 패널에 의하면, 액티브 영역(AA)의 경계선 또는 액티브 영역 경계선의 외측 터치전극 형성영역에 센싱노드들이 형성되므로, 액티브 영역의 모서리부 또는 코너부에 터치가 이루어지더라도 터치위치에 인접한 더 많은 센싱노드들이 터치위치 산출을 위해 이용될 수 있어, 종래에 비해 정확한 터치 위치를 산출할 수 있게 되는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 표시장치용 정전용량식 터치 감지 패널에 의하면, 액티브 영역(AA)의 모서리 부분과 코너 부분의 터치 구동전극이 액티브 영역 중앙부의 터치 구동전극보다 크게 형성되므로, 최외각 센싱노드에서의 신호를 중앙부 센싱노드에서의 신호보다 상대적으로 증가시킬 수 있게 되어 액티브 영역 모서리부와 코너부에서의 터치 정밀도를 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
도 1a는 종래의 표시장치용 정전용량 방식 터치 감지 패널의 평면도,
도 1b는 도 1a의 터치 감지 패널에 형성되는 센싱 노드들을 개념적으로 도시한 도면,
도 2는 터치 위치를 판단하기 위해 터치 위치에 따라 이용가능한 터치 감지 패널의 센싱 노드들을 보여주는 평면도,
도 3a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 터치 감지 패널을 도시한 평면도,
도 3b는 도 3a의 터치 감지 패널에 형성되는 센싱 노드들을 개념적으로 도시한 도면,
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 터치 감지 패널의 터치 영역과 액티브 영역의 관계를 도시한 평면도,
도 5a는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 터치 감지 패널을 도시한 평면도,
도 5b는 도 5a의 터치 감지 패널에 형성되는 센싱 노드들을 개념적으로 도시한 도면,
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 터치 감지 패널의 터치 영역과 액티브 영역의 관계를 도시한 평면도,
도 7a는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 터치 감지 패널을 도시한 평면도,
도 7b는 도 7a의 터치 감지 패널에 형성되는 센싱 노드들을 개념적으로 도시한 도면,
도 8a는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 터치 감지 패널의 제 1 터치 전극열(터치 구동전극열)들을 도시한 평면도,
도 8b는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 터치 감지 패널의 제 2 터치 전극열(터치 센싱전극열)들을 도시한 평면도,
도 9a는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 터치 감지 패널을 도시한 평면도,
도 9b는 도 9a의 터치 감지 패널에 형성되는 센싱 노드들을 개념적으로 도시한 도면,
도 10a는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 터치 감지 패널의 제 1 터치 전극열(터치 구동전극열)들을 도시한 평면도,
도 10b는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 터치 감지 패널의 제 2 터치 전극열(터치 센싱전극열)들을 도시한 평면도,
도 11은 종래의 터치 감지 패널과 본 발명의 실시예들에 따른 터치 감지 패널들의 평균 터치 에러율을 비교한 그래프.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 나타낸다.
도 3a 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 터치 감지 패널에 대해 설명하기로 한다. 도 3a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 터치 감지 패널을 도시한 평면도이고, 도 3b는 도 3a의 터치 감지 패널에 형성되는 센싱 노드들을 개념적으로 도시한 도면이며, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 터치 감지 패널의 터치 영역과 액티브 영역의 관계를 도시한 평면도이다.
도 3a 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 터치 감지 패널은 터치 전극들이 형성되는 터치전극 형성영역(TA), 표시장치(도시생략)의 데이터가 표시되는 표시영역에 대응하는 액티브 영역(AA), 터치전극 형성영역(TA)과 신호를 주고받기 위해 라우팅 배선들이 형성되는 라우팅 배선 형성영역(RA), 및 라우팅 배선들과 터치 구동회로의 신호라인들을 연결하기 위한 라우팅 패드들이 형성되는패드 형성영역(PA)을 포함한다.
터치전극 형성영역(TA)은 투명기판(100) 상에 제 1 방향(예를 들면, x축 방향)으로 나란하게 배열되는 복수의 제 1 터치 전극열들(TS1~TS5)(터치 구동전극열들 또는 터치 센싱전극열들)과, 상기 제 1 터치 전극열들(TS1~TS5)과 절연막(도시생략)을 사이에 두고 서로 교차하도록 제 2 방향(예를 들면, y축 방향)으로 나란하게 형성되는 복수의 제 2 터치 전극열들(RS1~RS6)(터치 센싱전극열들 또는 터치 구동전극열들)을 포함하며, 또한, 도 3b에 도시된 바와 같이 제 1 및 제 2 터치 전극열들(TS1~TS5, RS1~RS6)의 교차에 의해 형성되는 지점들인 센싱 노드들(n11~n56)을 포함한다.
액티브 영역(AA)은 터치전극 형성영역(TA) 내의 최상측 센싱노드들(n11, n12, n13, n14, n15, n16)을 연결하는 제 1 가상선(L1)과, 최하측 센싱노드들(n51, n52, n53, n54, n55, n56)을 연결하는 제 2 가상선(L2)과, 최좌측 센싱노드들(n11, n21, n31, n41, n51)을 연결하는 제 3 가상선(L3)과, 최우측 센싱노드들(n16, n26, n36, n46, n56)을 연결하는 제 4 가상선(L4)의 교차로 인해 정의되는 터치전극 형성영역(TA)의 일부 영역이다.
라우팅 배선 형성영역(RA)은 터치전극 형성영역(TA)의 외곽부에 형성되며, 복수의 제 1 전극열들(TS1~TS5)과 각각 연결되는 복수의 제 1 라우팅 배선들(TW1~TW5)과, 복수의 제 2 전극열들(RS1~RS6)과 각각 연결되는 복수의 제 2 라우팅 배선들(RW1~RW6)을 포함한다. 제 1 및 제 2 라우팅 배선들(TW1~TW5, RW1~RW6)의 각각은 Al, AlNd, Mo, MoTi, Cu, Cr, Ag, Ag 계열 합금들과 같은 금속물질로 형성된다.
패드 형성영역(PA)은 라우팅 배선 형성영역(RA)의 외측에 형성되며, 복수의 제 1 라우팅 배선들(TW1~TW5)을 통해 복수의 제 1 전극열들(TS1~TS5)과 각각 접속되는 제 1 패드들(TP1~TP5)과, 복수의 제 2 라우팅 배선들(RW1~RW6)을 통해 복수의 제 2 전극열들(RS1~RS6)과 각각 접속되는 복수의 제 2 패드들(RP1~RP6)을 포함한다. 복수의 제 1 및 제 2 패드들(TP1~TP5, RP1~RP6)의 각각은 Al, AlNd, Mo, MoTi, Cu, Cr, Ag, Ag 계열 합금들과 같은 금속물질로 형성된다.
상술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 터치 감지 패널에 의하면, 액티브 영역(AA)의 경계선 상에 최외측의 센싱노드들(n11, n12, n13, n14, n15, n16, n26, n36, n46, n56, n55, n54, n53, n52, n51, n41, n31, n21)이 위치하도록 형성되어 있다.
따라서, 도 4에 도시된 바와 같이 액티브 영역(AA)의 모서리 부분 A에 터치가 이루어지더라도 터치위치 A에 인접한 센싱노드들(n31, n32, n41, n42)이 터치위치 산출을 위해 이용될 수 있어 종래보다 2개의 센싱노드들을 터치위치 산출을 위해 더 이용할 수 있게 되므로 종래에 비해 정확한 터치 위치를 산출할 수 있게 되는 효과가 있다.
또한, 액티브 영역(AA)의 코너부분 B에 터치가 이루어지더라도 터치위치 B에 인접한 센싱노드들(n11, n12, n21, n22)이 터치위치 산출을 위해 이용될 수 있어 종래보다 3개의 센싱노드들을 터치위치 산출을 위해 더 이용할 수 있게 되므로 종래에 비해 정확한 터치 위치를 산출할 수 있게 되는 효과를 얻을 수 있다.
다음으로 도 5a 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 터치 감지 패널에 대해 설명하기로 한다. 도 5a는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 터치 감지 패널을 도시한 평면도이고, 도 5b는 도 5a의 터치 감지 패널에 형성되는 센싱 노드들을 개념적으로 도시한 도면이며, 도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 터치 감지 패널의 터치 영역과 액티브 영역의 관계를 도시한 평면도이다.
도 5a 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 터치 감지 패널은 터치 전극들이 형성되는 터치전극 형성영역(TA), 표시장치(도시생략)의 데이터가 표시되는 표시영역에 대응하는 액티브 영역(AA), 터치전극 형성영역(TA)과 신호를 주고받기 위해 라우팅 배선들이 형성되는 라우팅 배선 형성영역(RA), 및 라우팅 배선들과 터치 구동회로의 신호라인들을 연결하기 위한 라우팅 패드들이 형성되는패드 형성영역(PA)을 포함한다. 본 발명의 제 2 실시예에 따른 터치 감지 패널이 제 1 실시예의 터치 감지 패널과 다른 점은 액티브 영역(AA)이 최외측 센싱노드들(n11, n12, n13, n14, n15, n26, n36, n46, n56, n55, n54, n53, n52, n51, n41, n31, n21)을 연결하는 라인의 내측에 위치한다는 점이다.
터치전극 형성영역(TA)은 투명기판(200) 상에 제 1 방향(예를 들면, x축 방향)으로 나란하게 배열되는 복수의 제 1 터치 전극열들(TS1~TS5)(터치 구동전극열들)과, 상기 제 1 터치 전극열들(TS1~TS5)과 절연막(도시생략)을 사이에 두고 서로 교차하도록 제 2 방향(예를 들면, y축 방향)으로 나란하게 형성되는 복수의 제 2 터치 전극열들(RS1~RS6)(터치 센싱전극열들)을 포함하며, 또한, 도 5b에 도시된 바와 같이 제 1 및 제 2 터치 전극열들(TS1~TS5, RS1~RS6)의 교차에 의해 형성되는 지점들인 센싱 노드들(n11~n56)을 포함한다.
액티브 영역(AA)은 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이 터치전극 형성영역(TA) 내의 최상측 센싱노드들(n11, n12, n13, n14, n15, n16)을 연결하는 제 1 가상선(L1)과, 최하측 센싱노드들(n51, n52, n53, n54, n55, n56)을 연결하는 제 2 가상선(L2)과, 최좌측 센싱노드들(n11, n21, n31, n41, n51)을 연결하는 제 3 가상선(L3)과, 최우측 센싱노드들(n16, n26, n36, n46, n56)을 연결하는 제 4 가상선(L4)의 교차로 인해 정의되는 영역의 내측에 형성되는 터치전극 형성영역(TA)의 일부 영역이다.
액티브 영역(AA) 외측의 터치전극 형성영역에는 센싱노드들이 포함되도록 설정된다. 본 발명의 제 2 실시예에 따르는 터치 감지 패널에서, 액티브 영역(AA)의 상부측 터치전극 형성영역(TA1)에는 센싱노드들(n11, n12, n13, n14, n15, n16)이 포함되도록 형성되고, 액티브 영역(AA)의 하부측 터치전극 형성영역(TA2)에는 센싱노드들(n51, n52, n53, n54, n55, n56))이 포함되도록 형성되며, 액티브 영역(AA) 좌측 터치전극 형성영역(TA3)에는 센싱노드들(n11, n21, n31, n41, n51)이 포함되도록 형성되고, 액티브 영역(AA) 우측 터치전극 형성영역(TA4)에는 센싱노드들(n16, n26, n36, n46, n56)이 포함되도록 형성된다.
도 5a에 도시된 제 2 실시예의 터치 감지 패널에서 도면부호 CL은 커팅라인(cutting line)을 의미한다. 다만, 이 커팅라인(CL)은 외측에 최외측의 센싱노드들(n11, n12, n13, n14, n15, n16, n26, n36, n46, n56, n55, n54, n53, n52, n51, n41, n31, n21)이 포함되지 않도록 형성된다. 액티브 영역(AA) 외측의 터치전극 형성영역(TA)은 실제로 터치가 수행되지 않는 부분이므로 도 5a에 도시된 바와 같이 커팅라인(CL) 외측의 터치 전극들을 제거하면 베젤크기를 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
라우팅 배선 형성영역(RA)은 터치전극 형성영역(TA)의 외곽부에 형성되며, 복수의 제 1 전극열들(TS1~TS5)과 각각 연결되는 복수의 제 1 라우팅 배선들(TW1~TW5)과, 복수의 제 2 전극열들(RS1~RS6)과 각각 연결되는 복수의 제 2 라우팅 배선들(RW1~RW6)을 포함한다. 제 1 및 제 2 라우팅 배선들(TW1~TW5, RW1~RW6)의 각각은 Al, AlNd, Mo, MoTi, Cu, Cr, Ag, Ag 계열 합금들과 같은 금속물질로 형성된다.
패드 형성영역(PA)은 라우팅 배선 형성영역(RA)의 외측에 형성되며, 복수의 제 1 라우팅 배선들(TW1~TW5)을 통해 복수의 제 1 전극열들(TS1~TS5)과 각각 접속되는 제 1 패드들(TP1~TP5)과, 복수의 제 2 라우팅 배선들(RW1~RW6)을 통해 복수의 제 2 전극열들(RS1~RS6)과 각각 접속되는 복수의 제 2 패드들(RP1~RP6)을 포함한다. 복수의 제 1 및 제 2 패드들(TP1~TP5, RP1~RP6)의 각각은 Al, AlNd, Mo, MoTi, Cu, Cr, Ag, Ag 계열 합금들과 같은 금속물질로 형성된다.
상술한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 터치 감지 패널에 의하면, 액티브 영역(AA) 외측의 터치전극 형성영역들(TA1, TA2, TA3, TA4)에 센싱노드들이 형성되어 있다.
따라서, 도 6에 도시된 바와 같이 액티브 영역(AA)의 모서리 부분 A에 터치가 이루어지더라도 터치위치 A에 인접한 센싱노드들(n31, n32, n41, n42)이 터치위치 산출을 위해 이용될 수 있어 종래보다 2개의 센싱노드들을 터치위치 산출을 위해 더 이용할 수 있게 되므로 종래에 비해 정확한 터치 위치를 산출할 수 있게 되는 효과가 있다.
또한, 액티브 영역(AA)의 코너부분 B에 터치가 이루어지더라도 터치위치 B에 인접한 센싱노드들(n11, n12, n21, n22)이 터치위치 산출을 위해 이용될 수 있어 종래보다 3개의 센싱노드들을 터치위치 산출을 위해 더 이용할 수 있게 되므로 종래에 비해 정확한 터치 위치를 산출할 수 있게 되는 효과를 얻을 수 있다.
다음으로 도 7a 내지 도 8b를 참조하여, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 터치 감지 패널에 대해 설명하기로 한다. 도 7a는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 터치 감지 패널을 도시한 평면도이고, 도 7b는 도 7a의 터치 감지 패널에 형성되는 센싱 노드들을 개념적으로 도시한 도면이며, 도 8a는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 터치 감지 패널의 제 1 터치 전극열들(터치 구동 전극열들)을 도시한 평면도이고, 도 8b는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 터치 감지 패널의 제 2 터치 전극열들(터치 센싱 전극열들)을 도시한 평면도이다.
도 7a 내지 도 8b를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 터치 감지 패널은 터치 전극들이 형성되는 터치전극 형성영역(TA), 표시장치(도시생략)의 데이터가 표시되는 표시영역에 대응하는 액티브 영역(AA), 터치전극 형성영역(TA)과 신호를 주고받기 위해 라우팅 배선들이 형성되는 라우팅 배선 형성영역(RA), 및 라우팅 배선들과 터치 구동회로의 신호라인들을 연결하기 위한 라우팅 패드들이 형성되는패드 형성영역(PA)을 포함한다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 터치 감지 패널이 제 1 실시예의 터치 감지 패널과 다른 점은 액티브 영역(AA)의 경계선에 걸쳐 있거나 경계선에 가장 근접한 제 1 터치 전극열들의 전극패턴들이 경계선 외측의 터치전극 형성영역까지 형성되어 있다는 점이다(도 8a 참조).
터치전극 형성영역(TA)은 투명기판(300) 상에 제 1 방향(예를 들면, x축 방향)으로 나란하게 배열되는 복수의 제 1 터치 전극열들(TS1~TS5)(터치 구동전극열들)과, 상기 제 1 터치 전극열들(TS1~TS5)과 절연막(도시생략)을 사이에 두고 서로 교차하도록 제 2 방향(예를 들면, y축 방향)으로 나란하게 형성되는 복수의 제 2 터치 전극열들(RS1~RS6)(터치 센싱전극열들)을 포함하며, 또한, 도 7b에 도시된 바와 같이 제 1 및 제 2 터치 전극열들(TS1~TS5, RS1~RS6)의 교차에 의해 형성되는 지점들인 센싱 노드들(n11~n56)을 포함한다.
액티브 영역(AA)은 도 7a에 도시된 바와 같이 터치전극 형성영역(TA) 내의 최상측 센싱노드들(n11, n12, n13, n14, n15, n16)을 연결하는 제 1 가상선(L1)과, 최하측 센싱노드들(n51, n52, n53, n54, n55, n56)을 연결하는 제 2 가상선(L2)과, 최좌측 센싱노드들(n11, n21, n31, n41, n51)을 연결하는 제 3 가상선(L3)과, 최우측 센싱노드들(n16, n26, n36, n46, n56)을 연결하는 제 4 가상선(L4)의 교차로 인해 정의되는 영역 또는 그 내측에 형성되는 영역이다. 도 7a에서는 액티브 영역(AA)이 제 1 내지 제 4 가상선들(L1~L4)에 의해 정의되는 영역의 예를 도시하였으나, 본 발명은 그 내측에 형성되는 경우도 포함한다.
액티브 영역(AA)의 경계선 상 또는 경계선 외측의 터치전극 형성영역에는 센싱노드들이 포함되도록 설정된다. 본 발명의 제 3 실시예에 따르는 터치 감지 패널에서, 액티브 영역(AA)의 상부측 터치전극 형성영역(TA1)에는 센싱노드들(n11, n12, n13, n14, n15, n16)이 포함되도록 형성되고, 액티브 영역(AA)의 하부측 터치전극 형성영역(TA2)에는 센싱노드들(n51, n52, n53, n54, n55, n56))이 포함되도록 형성되며, 액티브 영역(AA)의 좌측 터치전극 형성영역(TA3)에는 센싱노드들(n11, n21, n31, n41, n51)이 포함되도록 형성되고, 액티브 영역(AA) 우측 터치전극 형성영역(TA4)에는 센싱노드들(n16, n26, n36, n46, n56)이 포함되도록 형성된다.
도 8a를 참조하면, 최상부측과 최하부측의 제 1 터치 전극열들(TS1, TS5)은 액티브 영역(AA) 외측의 상부측 및 하부측 터치전극 형성영역들(TA1, TA2)에 이르기까지 형성된다. 제 1 터치 전극열들(TS1~TS5)의 최좌측부와 최우측부에 형성된 전극패턴들은 액티브 영역(AA)의 내측으로부터 액티브 영역(AA) 외측의 좌측 및 우측 터치전극 형성영역들(TA3, TA4)에 이르기까지 형성된다. 따라서, 각 터치 전극열들의 최외측(최상측, 최하측, 최좌측, 최우측)에 형성되는 전극패턴들은 액티브 영역(AA)의 경계선 외측에 있는 터치전극 형성영역들(TA1, TA2, TA3, TA4)에도 형성되므로, 액티브 영역(AA)의 중앙부에 형성된 전극패턴보다 크게 형성된다. 이 때, 제 1 터치 전극열들(TS1~TS5)은 서로 접촉하지 않도록 형성된다.
도 8b를 참조하면, 제 2 터치 전극열들(RS1~RS6)은 동일한 크기 및 동일한 형태로 형성된다.
라우팅 배선 형성영역(RA)은 터치전극 형성영역(TA)의 외곽부에 형성되며, 복수의 제 1 전극열들(TS1~TS5)과 각각 연결되는 복수의 제 1 라우팅 배선들(TW1~TW5)과, 복수의 제 2 전극열들(RS1~RS6)과 각각 연결되는 복수의 제 2 라우팅 배선들(RW1~RW6)을 포함한다. 제 1 및 제 2 라우팅 배선들(TW1~TW5, RW1~RW6)의 각각은 Al, AlNd, Mo, MoTi, Cu, Cr, Ag, Ag 계열 합금들과 같은 금속물질로 형성된다.
패드 형성영역(PA)은 라우팅 배선 형성영역(RA)의 외측에 형성되며, 복수의 제 1 라우팅 배선들(TW1~TW5)을 통해 복수의 제 1 전극열들(TS1~TS5)과 각각 접속되는 제 1 패드들(TP1~TP5)과, 복수의 제 2 라우팅 배선들(RW1~RW6)을 통해 복수의 제 2 전극열들(RS1~RS6)과 각각 접속되는 복수의 제 2 패드들(RP1~RP6)을 포함한다. 복수의 제 1 및 제 2 패드들(TP1~TP5, RP1~RP6)의 각각은 Al, AlNd, Mo, MoTi, Cu, Cr, Ag, Ag 계열 합금들과 같은 금속물질로 형성된다.
상술한 본 발명의 제 3 실시예에 따른 터치 감지 패널에 의하면, 액티브 영역(AA) 외측의 터치전극 형성영역들(TA1, TA2, TA3, TA4)에 제 1 터치 전극열들(터치 구동전극열들)(TS1~TS5))이 형성되어 있다.
따라서, 액티브 영역(AA)의 모서리 부분과 코너 부분의 터치 구동전극이 액티브 영역 중앙부의 터치 구동전극보다 크게 형성되므로, 최외각 센싱노드에서의 신호를 중앙부 센싱노드에서의 신호보다 상대적으로 증가시킬 수 있게 되므로, 액티브 영역 모서리부와 코너부에서의 터치 정밀도를 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
다음으로 도 9a 내지 도 10b를 참조하여, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 터치 감지 패널에 대해 설명하기로 한다. 도 9a는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 터치 감지 패널을 도시한 평면도이고, 도 9b는 도 9a의 터치 감지 패널에 형성되는 센싱 노드들을 개념적으로 도시한 도면이며, 도 10a는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 터치 감지 패널의 제 1 터치 전극열들(터치 구동 전극열들)을 도시한 평면도이고, 도 10b는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 터치 감지 패널의 제 2 터치 전극열들(터치 센싱 전극열들)을 도시한 평면도이다.
도 9a 내지 도 10b를 참조하면, 본 발명의 제 4실시예에 따른 터치 감지 패널은 터치 전극들이 형성되는 터치전극 형성영역(TA), 표시장치(도시생략)의 데이터가 표시되는 표시영역에 대응하는 액티브 영역(AA), 터치전극 형성영역(TA)과 신호를 주고받기 위해 라우팅 배선들이 형성되는 라우팅 배선 형성영역(RA), 및 라우팅 배선들과 터치 구동회로의 신호라인들을 연결하기 위한 라우팅 패드들이 형성되는 패드 형성영역(PA)을 포함한다. 본 발명의 제 4 실시예에 따른 터치 감지 패널이 제 3 실시예의 터치 감지 패널과 다른 점은 제 1 터치 전극열들의 최외측 전극패턴들이 액티브 영역(AA)의 경계선으로부터 경계선 외측의 제 1 내지 제 4 터치전극 형성영역(TA1~TA4)까지 형성되어 있다는 점이다(도 10a 참조).
터치전극 형성영역(TA)은 투명기판(400) 상에 제 1 방향(예를 들면, x축 방향)으로 나란하게 배열되는 복수의 제 1 터치 전극열들(TS1~TS5)(터치 구동전극열들)과, 상기 제 1 터치 전극열들(TS1~TS5)과 절연막(도시생략)을 사이에 두고 서로 교차하도록 제 2 방향(예를 들면, y축 방향)으로 나란하게 형성되는 복수의 제 2 터치 전극열들(RS1~RS6)(터치 센싱전극열들)을 포함하며, 또한, 도 9b에 도시된 바와 같이 제 1 및 제 2 터치 전극열들(TS1~TS5, RS1~RS6)의 교차에 의해 형성되는 지점들인 센싱 노드들(n11~n56)을 포함한다.
액티브 영역(AA)은 도 9a에 도시된 바와 같이 터치전극 형성영역(TA) 내의 최상측 센싱노드들(n11, n12, n13, n14, n15, n16)을 연결하는 제 1 가상선(L1)과, 최하측 센싱노드들(n51, n52, n53, n54, n55, n56)을 연결하는 제 2 가상선(L2)과, 최좌측 센싱노드들(n11, n21, n31, n41, n51)을 연결하는 제 3 가상선(L3)과, 최우측 센싱노드들(n16, n26, n36, n46, n56)을 연결하는 제 4 가상선(L4)의 교차로 인해 정의되는 영역 또는 그 내측에 형성되는 영역이다. 도 9a에서는 제 1 내지 제 4 가상선(L1~L4)에 의해 정의되는 영역의 예를 도시하였으나, 본 발명은 액티브 영역(AA)이 그 내측에 형성되는 경우도 포함한다.
액티브 영역(AA)의 경계선 상 또는 경계선 외측의 터치전극 형성영역에는 센싱노드들이 포함되도록 설정된다. 본 발명의 제 4 실시예에 따르는 터치 감지 패널에서, 액티브 영역(AA)의 상부측 터치전극 형성영역(TA1)에는 센싱노드들(n11, n12, n13, n14, n15, n16)이 포함되도록 형성되고, 액티브 영역(AA)의 하부측 터치전극 형성영역(TA2)에는 센싱노드들(n51, n52, n53, n54, n55, n56))이 포함되도록 형성되며, 액티브 영역(AA) 좌측 터치전극 형성영역(TA3)에는 센싱노드들(n11, n21, n31, n41, n51)이 포함되도록 형성되고, 액티브 영역(AA) 우측 터치전극 형성영역(TA4)에는 센싱노드들(n16, n26, n36, n46, n56)이 포함되도록 형성된다.
도 10a를 참조하면, 최상부측과 최하부측의 제 1 터치 전극열들(TS1, TS5)은 액티브 영역(AA)의 경계선으로부터 외측의 상부측 및 하부측 터치전극 형성영역들(TA1, TA2)에 이르기까지 형성된다. 제 1 터치 전극열들(TS1~TS5)의 최좌측부와 최우측부에 형성된 전극패턴들은 액티브 영역(AA)의 경계선으로부터 외측의 좌측 및 우측 터치전극 형성영역들(TA3, TA4)에 이르기까지 형성된다. 따라서, 각 터치 전극열들의 최외측(최상측, 최하측, 최좌측, 최우측)에 형성되는 전극패턴들은 액티브 영역(AA)의 경계선 외측에 있는 터치전극 형성영역들(TA1, TA2, TA3, TA4)에도 형성되므로, 액티브 영역(AA)의 중앙부에 형성된 전극패턴보다 크게 형성된다. 이 때, 물론, 제 1 터치 전극열들(TS1~TS5)은 서로 접촉하지 않도록 형성된다.
도 10b를 참조하면, 제 2 터치 전극열들(RS1~RS6)은 동일한 크기 및 동일한 형태로 형성된다.
라우팅 배선 형성영역(RA)은 터치전극 형성영역(TA)의 외곽부에 형성되며, 복수의 제 1 전극열들(TS1~TS5)과 각각 연결되는 복수의 제 1 라우팅 배선들(TW1~TW5)과, 복수의 제 2 전극열들(RS1~RS6)과 각각 연결되는 복수의 제 2 라우팅 배선들(RW1~RW6)을 포함한다. 제 1 및 제 2 라우팅 배선들(TW1~TW5, RW1~RW6)의 각각은 Al, AlNd, Mo, MoTi, Cu, Cr, Ag, Ag 계열 합금들과 같은 금속물질로 형성된다.
패드 형성영역(PA)은 라우팅 배선 형성영역(RA)의 외측에 형성되며, 복수의 제 1 라우팅 배선들(TW1~TW5)을 통해 복수의 제 1 전극열들(TS1~TS5)과 각각 접속되는 제 1 패드들(TP1~TP5)과, 복수의 제 2 라우팅 배선들(RW1~RW6)을 통해 복수의 제 2 전극열들(RS1~RS6)과 각각 접속되는 복수의 제 2 패드들(RP1~RP6)을 포함한다. 복수의 제 1 및 제 2 패드들(TP1~TP5, RP1~RP6)의 각각은 Al, AlNd, Mo, MoTi, Cu, Cr, Ag, Ag 계열 합금들과 같은 금속물질로 형성된다.
상술한 본 발명의 제 4 실시예에 따른 터치 감지 패널에 의하면, 액티브 영역(AA) 외측의 터치전극 형성영역들(TA1, TA2, TA3, TA4)에 제 1 터치 전극열들(터치 구동전극열들)(TS1~TS5))이 형성되어 있다.
따라서, 액티브 영역(AA)의 모서리 부분과 코너 부분의 터치 구동전극이 액티브 영역 중앙부의 터치 구동전극보다 크게 형성되므로, 최외각 센싱노드에서의 신호를 중앙부 센싱노드에서의 신호보다 상대적으로 증가시킬 수 있게 되어 액티브 영역 모서리부와 코너부에서의 터치 정밀도를 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
도 11은 종래의 터치 감지 패널과, 액티브 영역(AA) 외측의 상하측 터치전극 형성영역들(TA1, TA2)에까지 구동 전극패턴을 형성하는 경우(이하, "케이스 1""라 함)의 터치 감지패널과, 액티브 영역(AA) 외측의 상하측 및 좌우측 터치전극 형성영역들(TA1, TA2, TA3, TA4)에까지 구동 전극패턴을 형성하는 경우(이하, "케이스 2"라 함)의 터치 감지패널의 평균 터치 에러율을 각각 나타낸 그래프이다.
도 11의 그래프에서 슬래시형의 빗금친 막대 그래프는 x축 방향의 터치 에러율을 나타내고, 역슬래시형의 빗금친 막대 그래프는 y축 방향의 에러율을 나타낸다. 도 11의 그래프로부터, 케이스 1의 경우 및 케이스 2의 경우 모두 x, y축 방향의 에러율이 개선됨을 알 수 있고, 케이스 1의 경우보다 케이스 2의 경우가 에러율이 감소됨을 알 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 터치 감지 패널은 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 전계발광 표시장치(Electroluminescence Device, EL), 전기영동 표시장치 등을 포함하는 표시장치에 적용될 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예컨대, 본 발명의 실시예들에서는 제 1 터치 전극열이 구동 전극열, 제 2 터치 전극열이 센싱 전극열인 것으로 설명하였으나 그 반대의 경우도 가능한 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본 발명의 실시예들에 설명된 제 1 및 제 2 터치 전극열들, 제 1 및 제 2 라우팅 배선들, 제 1 및 제 2 라우팅 패드들의 숫자는 예시적인 것에 지나지 않으며 그 숫자는 필요에 따라 가감할 수 있는 것으로 이해되어야 한다.따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
100, 200, 300, 400: 투명 기판 TA: 터치전극 형성영역
AA: 액티브 영역 RA: 라우팅 배선 형성영역
PA: 패드 형성영역
TS1~TS5: 제 1 터치 전극열(터치 구동 전극열)
RS1~RS6: 제 2 터치 전극열(터치 센싱 전극열)
TW1~TW5: 제 1 라우팅 배선 RW1~RW6: 제 2 라우팅 배선
TP1~TP5: 제 1 라우팅 패드 RP1~RP6: 제 2 라우팅 패드

Claims (5)

  1. 터치전극 형성영역 및 상기 터치전극 형성영역 내에 형성되는 액티브 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판의 상기 터치전극 형성영역에서 제 1 방향을 따라 서로 이격되도록 배열되는 복수의 도전성 제 1 전극열들;
    상기 기판의 상기 터치전극 형성영역에서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향을 따라 서로 이격되도록 배열되며, 상기 복수의 제 1 도전성 전극열들과 전기적으로 절연되는 복수의 도전성 제 2 전극열들; 및
    상기 복수의 도전성 제 1 및 제 2 전극열들의 교차점으로 정의되는 복수의 센싱노드들을 포함하며,
    상기 복수의 센싱노드들 중 최상측 센싱노드들과 최하측의 센싱노드들 중 적어도 한쪽 센싱노드들은 상기 액티브 영역의 경계선 상에 위치하거나, 상기 액티브 영역의 경계부 외측에 위치하는 터치전극 형성영역 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 터치 감지 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 센싱노드들 중 최좌측 센싱노드들과 최우측의 센싱노드들 중 적어도 한쪽 센싱노드들은 상기 액티브 영역의 경계선 상에 위치하거나, 상기 액티브 영역의 경계부 외측에 위치하는 터치전극 형성영역 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 터치 감지 패널.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 전극열들 중 최상측에 위치하는 전극열과 상기 제 1 전극열들 중 최하측에 위치하는 전극열의 적어도 하나는 상기 액티브 영역의 경계부 외측에 위치하는 터치전극 형성영역에 까지 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 감지 패널.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 전극열들은 복수의 전극패턴들로 형성되고, 상기 제 1 전극열들의 각각의 최좌측에 위치하는 전극패턴은 상기 액티브 영역의 경계부 외측에 위치하는 터치전극 형성영역에까지 형성되며, 상기 액티브 영역의 내측에 형성되는 전극패턴보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 감지 패널.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 전극열들은 복수의 전극패턴들로 형성되고, 상기 제 1 전극열들의 각각의 최우측에 위치하는 전극패턴은 상기 액티브 영역의 경계부 외측에 위치하는 터치전극 형성영역에까지 형성되며, 상기 액티브 영역의 내측에 형성되는 전극패턴보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 감지 패널.
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