KR20140051637A - 나노와이어-그래핀 구조체, 이를 포함한 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

나노와이어-그래핀 구조체, 이를 포함한 소자 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140051637A
KR20140051637A KR1020120117911A KR20120117911A KR20140051637A KR 20140051637 A KR20140051637 A KR 20140051637A KR 1020120117911 A KR1020120117911 A KR 1020120117911A KR 20120117911 A KR20120117911 A KR 20120117911A KR 20140051637 A KR20140051637 A KR 20140051637A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
graphene
substrate
nanowire
layer
nanowires
Prior art date
Application number
KR1020120117911A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101984696B1 (ko
Inventor
이은경
최병룡
이재현
황동목
Original Assignee
삼성전자주식회사
성균관대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020120117911A priority Critical patent/KR101984696B1/ko
Publication of KR20140051637A publication Critical patent/KR20140051637A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101984696B1 publication Critical patent/KR101984696B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0009—Forming specific nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/194—After-treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법 및 이를 포함한 장치를 제공한다. 본 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법은, 기판위에 그래핀층을 성장시키는 단계, 그래핀층상에 복수 개의 나노와이어를 성장시키는 단계 및 그래핀층과 상기 기판을 분리하는 단계를 포함하고, 기판은 상기 그래핀층과 공유 결합되지 않는 물질로 형성된다.

Description

나노와이어-그래핀 구조체, 이를 포함한 소자 및 그 제조 방법{The nano wire-graphene structure and the method of manufacturing the nano wire-graphene structure}
본 개시는 나노와이어-그래핀 구조체, 나노와이어-그래핀 구조체를 포함하는 소자 및 나노와이어-그래핀 구조체를 제조하는 방법에 관한 것이다.
그래핀(graphene)은 2차원 6각형 탄소 구조(2-dimensional hexagonal carbon structure)를 가지는 물질로 그 두께가 원자 한 층에 불과할 정도로 얇으며, 반도체로 주로 쓰는 단결정 실리콘보다 100배 이상 빠르게 전기를 통한다. 그래핀은 제로 갭 반도체(zero gap semiconductor)로서, 기존의 반도체 물질을 대체하는 등, 전자 회로의 기초 소재로 관심을 받고 있다.
또한, 나노와이어는 1차원 나노 구조로서 표면적이 넓어 반응성이 좋고, 유연성이 좋다. 나노와이어의 형상은 전이 금속과 같은 촉매를 이용한 VLS(Vapor-Liquid-Solid) 방법이 가장 많이 이용되며, 촉매나 패턴에 의해 직경이 제어된다. 또한 반도체 기판의 면지수를 이용하여 성장 방향을 제어하기도 한다. 나노와이어의 각각의 특성에 대한 연구나 소자 제작은 많이 보고되었지만, 기판)에서 성장된 나노와이어를 그대로 소자로 응용하는 것은 나노와이어의 균일성, 수직성, 안정성 및 나노와이어 성장시 이용된 기판 때문에 어려움이 있어 왔다.
그러므로 기존에 나노와이어를 소자화하는 기술은 기판에서 성장된 나노와이어를 용액에 분산시키거나, 슬라이딩하는 방법 등을 이용하여 원하는 기판상에 수평으로 배열하여 소자화하였을 뿐 나노와이어의 장점인 3차원 수직 배열을 그대로 소자화하지는 않았다.
본 개시는 그래핀상에 나노와이어를 성장시킨 나노와이어-그래핀 구조체를 제공한다.
본 개시는 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 유형에 따르는 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법은, 기판위에 그래핀층을 성장시키는 단계; 상기 그래핀층상에 복수 개의 나노와이어를 성장시키는 단계; 및 상기 그래핀층과 상기 기판을 분리하는 단계;를 포함하고, 상기 기판은 상기 그래핀층과 공유 결합되지 않는 물질로 형성된다.
그리고, 상기 복수 개의 나노와이어는 상기 그래핀층상에 수직하게 성장될 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 나노와이어는 상호 연결되지 않을 수 있다.
그리고, 상기 기판은 반도체, 쿼츠, 유리, 사파이어 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 나노와이어는, 4족 반도체 물질, 화합물 반도체 물질, 산화물 및 질화물 중 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 기판상에 상기 그래핀층을 증착하기 전 상기 기판상에 성장층을 증착하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 성장층은 게르마늄으로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 그래핀층과 상기 기판을 분리하는 단계는, 상기 게르마늄을 물에 용해시켜, 상기 그래핀층을 상기 기판으로부터 분리할 수 있다.
또한, 상기 성장층은 금속 물질로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 그래핀층과 상기 기판을 분리하는 단계는, 상기 금속 물질에 전압이 인가됨으로써 상기 성장층이 상기 기판으로부터 분리될 수 있다.
또한, 습식 식각법을 이용하여 상기 그래핀상에 형성된 성장층을 제거하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 복수 개의 나노와이어는 전기화학적 증착 방법을 이용하여 성장될 수 있다.
개시된 나노와이어-그래핀 구조체는 별도의 기판을 필요로 하지 않기 때문에 나노와이어-그래핀 구조체를 소자화하기 용이하다.
개시된 나노와이어-그래핀 구조체로 소자화할 수 있기 때문에 대면적의 전자 소자, 광 소자를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노와이어-그래핀 구조체를 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노와이어-그래핀 구조체를 제조하는 방법을 설명하는 도면이다.
도 6은 나노와이어-그래핀 구조체가 기판에서 탈착된 상태의 주사 전자 현미경 사진이다.
도 7은 나노와이어-그래핀 구조체가 기판에서 탈착된 상태의 주사 전자 현미경 사진이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 개시된 나노와이어-그래핀 구조체에 대해서 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노와이어-그래핀 구조체를 나타내는 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 나노와이어-그래핀 구조체는 그래핀층(10)상에 복수 개의 나노와이어(20)가 수직하게 배치되어 있다.
여기서, 그래핀은 복수개의 탄소원자들이 서로 공유결합으로 연결되어 이차원 구조의 탄소 육각망면, 즉 벌집 구조의 2차원 박막을 형성한 폴리시클릭 방향족 분자를 의미하며, 상기 공유결합으로 연결된 탄소원자들은 기본 반복단위로서 6원환을 형성하나, 5원환 및/또는 7원환을 더 포함하는 것도 가능하다. 따라서 상기 그래핀은 서로 공유결합된 탄소원자들(sp2 hibridazation)의 단일층으로서 보이게 된다. 상기 그래핀은 다양한 구조를 가질 수 있으며, 이와 같은 구조는 그래핀 내에 포함될 수 있는 5원환 및/또는 7원환의 함량에 따라 달라질 수 있다. 상기 그래핀은 단원자층으로 이루어질 수 있으나, 이들이 여러 개 서로 적층되어 복수의 원자층을 형성하는 것도 가능하다. 이러한 그래핀은 투명하며, 화학적으로 안정성이 높고 전기 전도성이 뛰어나다. 특히, 신축성이 좋아서 늘리거나 접어도 전기 전도성을 잃지 않는다.
한편 복수 개의 나노와이어(20)는 그래핀층(10)상에 수직하게 배치되어 서로 결합되지 않는다. 나노와이어(20)는 단면의 지름이 수나노미터인 극미세 와이어를 의미하는 것으로, 나노와이어(20)는 4족 반도체 물질, 화합물 반도체 물질, 금속산화물 및 갈륨질화물 중 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
이와 같은 나노와이어-그래핀 구조체는, 다양하게 형태의 변형이 가능하므로 다양한 소자에 적용할 수 있다. 또는 나노와이어-그래핀 구조체를 원하는 기판에 전사시킴으로써 다양한 소자에 적용할 수 있다. 예를 들어, 나노와이어-그래핀 구조체는 전하 전도층, 광 에너지와 전기 에너지의 상호 변환을 유도하는 광활성층, 압전 에너지를 만들어 내는 압전층으로 이용될 수 있다. 그리하여, 나노와이어-그래핀 구조체는 전자소자, 광소자, 열전 소자, 압전 소자, 태양광 소자 등의 에너지 분야뿐만 아니라, 커패시터, 센서 등에도 응용이 가능하다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노와이어-그래핀 구조체를 제조하는 방법을 설명하는 도면이다.
도 2를 참조하면, 먼저 기판(30) 상에 성장층(40)을 형성한다. 기판(30)은 그래핀과 공유결합하지 않는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(30)은 반도체 기판, 쿼츠 기판, 유리 기판, 사파이어 기판 중 어느 하나일 수 있다. 성장층(40)은 기판(30) 상에 소정 물질을 박막 형태로 증착함으로써 형성될 수 있다. 성장층(40) 은 후술하는 그래핀이 성장되는 층으로서, 예를 들면 금속 또는 게르마늄(Ge) 등으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 금속은 니켈(Ni), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 코발트(Co), 이리듐(Ir), 구리(Cu) 등과 같은 전이 금속(transition metal)을 포함할 수 있다. 한편, 상기 성장층(40)이 게르마늄(Ge)으로 이루어진 경우에는 오염되지 않고, 두께가 균일한 그래핀을 성장시킬 수 있다.
그리고, 도 3에 도시된 바와 같이, 성장층(40)상에 그래핀층(10)을 성장시킨다. 이러한 그래핀(140)의 성장은 화학기상증착(CVD; Chemical Vapor Deposition)에 의해 수행될 수 있다. 성장층(40)이 게르마늄인 경우, 기판(30) 이 배치된 반응기 내에 탄소함유가스를 공급한다. 탄소함유가스로는 CH4, C2H2, C2H4, CO 등이 사용될 수 있다. 그러면 성장층(40)상에 그래핀층(10)이 성장된다. 그래핀층(10)의 성장은 대략 200-1100 ℃, 챔버내 총압력 0.1-760 torr에서 대략 10분~60분 정도 소요된다. 또한, 성장층(40)이 금속인 경우, 성장층(40)이 형성된 기판(30)에 탄소함유가스를 공급하고 가열하여 금속에 탄소가 흡수되도록 한다. 이어, 급속히 냉각을 수행하여 금속으로부터 탄소를 분리시켜 결정화시키는 방법으로 그래핀을 성장시킨다.
그리고 나서, 도 4에 도시된 바와 같이, 그래핀층(10)상에 복수 개의 나노와이어(20)를 수직 성장시킨다. 나노와이어(20)의 성장을 위한 전구체를 포함하는 용액을 공급하면서 전기 화학적 증착방법을 이용하여 나노와이어(20)를 성장시킨다. 전구체는 성장하고자 하는 나노와이어(20)의 물질에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 질화물 물질의 나노와이어(20)를 성장시키고자 하는 경우, 질소 전구체를 이용할 수 있다. 또한, 질소 전구체, 예컨대 암모니아 가스를 공급한다. 나노와이어(20)의 성장 방법은 나노와이어(20)의 물질에 따라 다를 수 있다. 예를 나노와이어(20)가 소듐 바나데이트인 경우, 그래핀상에 소듐 및 바나듐을 포함한 용액을 도포하고, 1차 열처리를 하여 전구체를 생성한 다음 2차 열처리를 하여 나노와이어(20)를 성장시킬 수 있다. 도 6은 반도체 기판위에 그래핀층상에서 수직 성장된 나노와이어(20)의 주사 전자 현미경 사진이다.
마지막으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 나노와이어(20)가 성장된 그래핀층(10)을 기판(30)으로부터 분리한다. 그래핀층(10)에 나노와이어(20)가 성장된 후, 나노와이어(20)는 그래핀층(10)에 부착된 부착 물질의 역할을 하여 그래핀층(10)이 기판(30)으로부터 탈착이 용이하게 한다. 예를 들어, 성장층(40)으로 게르마늄이 이용된 경우, 게르마늄은 물과 같은 용액에 쉽게 용해되므로, 나노와이어(20)가 성장된 그래핀을 물에 담가서 그래핀층(10)을 기판(30)으로부터 분리할 수 있다.
또는 성장층(40)으로 금속층이 이용된 경우, 전해질이 채워진 수조내에 그래핀층(10)이 성장된 기판(30)을 넣고 금속에 전압을 인가한다. 그러면, 화학 반응에 의해 금속과 기판(30)사이에 기포가 발생하여, 금속층이 기판(30)으로부터 분리된다. 그리고 나서, 금속층의 제거는 금속 촉매층(230)의 제거는 습식 식각 방법에 의할 수 있으며, 용해액은 금속층의 물질에 따라 다를 수 있다. 이로서, 나노와이어-그래핀 구조체가 완성된다. 도 7은 나노와이어-그래핀 구조체가 기판에서 탈착된 상태의 주사 전자 현미경 사진이다.
이와 같은 나노와이어-그래핀은 신축성이 있고, 열전도성 등이 뛰어나 전자소자, 광소자, 열전 소자, 압전 소자, 태양광 소자 등의 에너지 분야뿐만 아니라, 커패시터, 센서 등에도 응용이 가능하다.
전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다. 본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
10: 그래핀층
20: 나노와이어
30: 기판
40: 성장층

Claims (14)

  1. 기판위에 그래핀층을 성장시키는 단계;
    상기 그래핀층상에 복수 개의 나노와이어를 성장시키는 단계;
    상기 그래핀층과 상기 기판을 분리하는 단계;를 포함하고,
    상기 기판은 상기 그래핀층과 공유 결합되지 않는 물질로 형성된 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 복수 개의 나노와이어는 상기 그래핀층상에 수직하게 성장되는 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 복수 개의 나노와이어는 상호 연결되지 않는 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 반도체, 쿼츠, 유리, 사파이어 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 나노와이어는,
    4족 반도체 물질, 화합물 반도체 물질, 산화물 및 질화물 중 적어도 하나의 물질로 형성되는 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 기판상에 상기 그래핀층을 증착하기 전 상기 기판상에 성장층을 증착하는 단계;를 더 포함하는 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 성장층은 게르마늄으로 형성된 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 그래핀층과 상기 기판을 분리하는 단계는,
    상기 게르마늄을 물에 용해시켜, 상기 그래핀층을 상기 기판으로부터 분리하는 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 성장층은 금속 물질로 형성된 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 그래핀층과 상기 기판을 분리하는 단계는,
    상기 금속 물질에 전압을 인가함으로써 상기 성장층이 상기 기판으로부터 분리되는 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    습식 식각법을 이용하여 상기 그래핀상에 형성된 성장층을 제거하는 단계;를 더 포함하는 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 복수 개의 나노와이어는 전기화학적 증착 방법을 이용하여 성장되는 나노와이어-그래핀 구조체의 제조 방법.
  13. 제 1항 내지 제 9항에 따른 제조 방법에 의해 제조된 나노와이어-그래핀 구조체.
  14. 제 13항에 따른 나노와이어-그래핀 구조체를 포함하는 전자 소자.
KR1020120117911A 2012-10-23 2012-10-23 나노와이어-그래핀 구조체, 이를 포함한 소자 및 그 제조 방법 KR101984696B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120117911A KR101984696B1 (ko) 2012-10-23 2012-10-23 나노와이어-그래핀 구조체, 이를 포함한 소자 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120117911A KR101984696B1 (ko) 2012-10-23 2012-10-23 나노와이어-그래핀 구조체, 이를 포함한 소자 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140051637A true KR20140051637A (ko) 2014-05-02
KR101984696B1 KR101984696B1 (ko) 2019-05-31

Family

ID=50885258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120117911A KR101984696B1 (ko) 2012-10-23 2012-10-23 나노와이어-그래핀 구조체, 이를 포함한 소자 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101984696B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101879502B1 (ko) * 2015-09-11 2018-07-18 한양대학교 산학협력단 계면층이 도입된 이차전지용 음극 및 이의 제조방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110032999A (ko) * 2009-09-24 2011-03-30 한국과학기술원 그래핀 기판 상에 나노물질이 적층되어 있는 3차원 나노구조체 및 그 제조방법
KR20110054317A (ko) * 2009-11-17 2011-05-25 삼성전자주식회사 그래핀과 나노구조체의 복합 구조체 및 그 제조방법
KR20110057989A (ko) * 2009-11-25 2011-06-01 삼성전자주식회사 그래핀과 나노구조체의 복합 구조체 및 그 제조방법
KR20110069560A (ko) * 2009-12-17 2011-06-23 한양대학교 산학협력단 산화아연 나노로드 - 그래핀 박막의 하이브리드 구조체 및 그 제조 방법
KR20110084627A (ko) * 2010-01-18 2011-07-26 인제대학교 산학협력단 신규한 구조의 탄소계 나노복합체 및 이의 제조방법
KR20110109680A (ko) * 2010-03-31 2011-10-06 삼성전자주식회사 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110032999A (ko) * 2009-09-24 2011-03-30 한국과학기술원 그래핀 기판 상에 나노물질이 적층되어 있는 3차원 나노구조체 및 그 제조방법
KR20110054317A (ko) * 2009-11-17 2011-05-25 삼성전자주식회사 그래핀과 나노구조체의 복합 구조체 및 그 제조방법
KR20110057989A (ko) * 2009-11-25 2011-06-01 삼성전자주식회사 그래핀과 나노구조체의 복합 구조체 및 그 제조방법
KR20110069560A (ko) * 2009-12-17 2011-06-23 한양대학교 산학협력단 산화아연 나노로드 - 그래핀 박막의 하이브리드 구조체 및 그 제조 방법
KR20110084627A (ko) * 2010-01-18 2011-07-26 인제대학교 산학협력단 신규한 구조의 탄소계 나노복합체 및 이의 제조방법
KR20110109680A (ko) * 2010-03-31 2011-10-06 삼성전자주식회사 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ACS Nano. 2011, Vol. 5, pp. 9927-9933 (2011.10.30.) *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101879502B1 (ko) * 2015-09-11 2018-07-18 한양대학교 산학협력단 계면층이 도입된 이차전지용 음극 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101984696B1 (ko) 2019-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Geng et al. Recent advances in growth of novel 2D materials: beyond graphene and transition metal dichalcogenides
Chen et al. Oxygen-assisted chemical vapor deposition growth of large single-crystal and high-quality monolayer MoS2
Kong et al. Spontaneous polarization-induced nanohelixes, nanosprings, and nanorings of piezoelectric nanobelts
Hong et al. Controlled van der Waals heteroepitaxy of InAs nanowires on carbon honeycomb lattices
KR101312454B1 (ko) 그래핀의 저온 제조 방법, 및 이를 이용한 그래핀 직접 전사 방법 및 그래핀 시트
Liu et al. Needlelike bicrystalline GaN nanowires with excellent field emission properties
Lin et al. Graphene/semiconductor heterojunction solar cells with modulated antireflection and graphene work function
Wang Functional oxide nanobelts: materials, properties and potential applications in nanosystems and biotechnology
US8906245B2 (en) Material trivial transfer graphene
Peng et al. Shape evolution of layer-structured bismuth oxychloride nanostructures via low-temperature chemical vapor transport
US8530338B2 (en) Structures of and methods for forming vertically aligned Si wire arrays
Hawley et al. Shape-controlled vapor-transport growth of tellurium nanowires
Cheng et al. High-quality ZnO nanowire arrays directly fabricated from photoresists
US8927414B2 (en) Graphene structure and method of manufacturing the graphene structure, and graphene device and method of manufacturing the graphene device
KR20120063164A (ko) 그래핀 구조물 및 그 제조방법
KR20160044977A (ko) 비정질 탄소원자층의 형성방법 및 비정질 탄소원자층을 포함하는 전자소자
KR101174670B1 (ko) 그래핀 기반 소자에 응용 할 수 있는 패턴된 그래핀의 제조방법
JP2010538464A (ja) ポリマ埋め込み型半導体ロッドアレイ
KR20110054317A (ko) 그래핀과 나노구조체의 복합 구조체 및 그 제조방법
CN103378236B (zh) 具有微构造的外延结构体
CN104556014B (zh) 一种非金属表面低温制备掺杂石墨烯的方法
JP5876408B2 (ja) ナノワイヤの作製方法
KR20150017422A (ko) 그래핀/실리콘 나노선 분자 센서 또는 이의 제조 방법과 이를 이용한 분자 확인 방법
JP2011518424A (ja) ナノデバイス、これを含むトランジスタ、ナノデバイス及びこれを含むトランジスタの製造方法
CN103199004A (zh) 一种iii族氮化物纳米结构的制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant