KR20140040208A - Apparatus for treating a wafer-shaped article - Google Patents
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Abstract
웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치는, 폐쇄된 프로세스 챔버, 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 위치된 척, 및 챔버 내에 배치된 적어도 하나의 프로세스 액체 디스펜싱 디바이스를 포함한다. 폐쇄된 프로세스 챔버는, 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 웨이퍼-형상 물품을 위치시키도록 개방될 수 있는 리드를 포함한다. 리드는, 폐쇄된 프로세스 챔버에 위치된 웨이퍼-형상 물품을 가열시키도록 구성된 가열기를 포함한다.An apparatus for processing wafer-shaped articles includes a closed process chamber, a chuck located within the closed process chamber, and at least one process liquid dispensing device disposed within the chamber. The enclosed process chamber includes a lid that can be opened to position the wafer-like article within the enclosed process chamber. The lid includes a heater configured to heat the wafer-shaped article located in the closed process chamber.
Description
본 발명은 일반적으로 반도체 웨이퍼와 같은 웨이퍼-형상 물품을 처리하기 위한 장치에 관한 것이다.The present invention generally relates to an apparatus for processing wafer-like articles such as semiconductor wafers.
반도체 웨이퍼들은, 에칭, 세정, 연마 및 재료 증착과 같은 다양한 표면 처리 프로세스들을 겪는다. 예를 들어, 미국 특허 제 4,903,717호 및 제 5,513,668호에 설명된 바와 같이, 그러한 프로세스들을 수용하기 위해, 단일 웨이퍼는, 회전가능한 캐리어와 연관된 척에 의해 하나 이상의 처리 유체 노즐들에 관해 지지될 수도 있다.Semiconductor wafers undergo various surface treatment processes such as etching, cleaning, polishing and material deposition. For example, to accommodate such processes, as described in U.S. Patent Nos. 4,903,717 and 5,513,668, a single wafer may be supported by one or more treatment fluid nozzles by a chuck associated with a rotatable carrier .
예를 들어, 2010년 10월 27일자로 출원되고, 공동-소유되고 공동-계류중인 미국 특허출원 제 12/913,405호에 설명된 바와 같이, 그러한 스핀척들은 폐쇄 프로세스 챔버들에 수용될 수도 있다. 특정한 세정 프로세스들은, 예를 들어, 2010년 12월 3일자로 출원된 공동-소유되고 공동-계류중인 미국 특허출원 제 12/959,924호에 설명된 바와 같이, 상승된 온도들로 공격적인 (aggresive) 케미컬 (chemical) 들을 이용한다.For example, such spin chucks may be housed in closed process chambers, as described in co-owned and co-pending U. S. Patent Application No. 12 / 913,405, filed October 27, Certain cleaning processes may be used to remove aggressive chemicals at elevated temperatures, for example, as described in co-owned and co-pending U. S. Patent Application No. 12 / 959,924, filed December 3, (chemical).
그러나, 높은 온도 프로세스가 환경 제어된 프로세스 챔버에서 수행된 경우, 특히, 300mm 이상과 같이 비교적 더 큰 직경의 웨이퍼들에 대해, 웨이퍼의 표면에 걸쳐 프로세스 액체의 원하는 온도를 유지시키는 것이 어려울 수 있다.However, when a high temperature process is performed in an environmentally controlled process chamber, it may be difficult to maintain the desired temperature of the process liquid across the surface of the wafer, particularly for wafers of relatively larger diameter, such as 300 mm or more.
본 발명에 따른 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치는, 폐쇄된 프로세스 챔버, 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 위치된 척, 및 챔버 내에 배치된 적어도 하나의 프로세스 액체 디스펜싱 (dispense) 디바이스를 포함한다. 폐쇄된 프로세스 챔버는, 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 웨이퍼-형상 물품을 위치시키도록 개방될 수 있는 리드 (lid) 를 포함한다. 리드는, 폐쇄된 프로세스 챔버에 위치된 웨이퍼-형상 물품을 가열시키도록 구성된 가열기를 포함한다.An apparatus for processing wafer-like articles according to the present invention includes a closed process chamber, a chuck located within a closed process chamber, and at least one process liquid dispensing device disposed within the chamber. The enclosed process chamber includes a lid that can be opened to position the wafer-like article within the enclosed process chamber. The lid includes a heater configured to heat the wafer-shaped article located in the closed process chamber.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 가열기는 복수의 적외선 가열 엘리먼트들을 포함한다.In preferred embodiments of the apparatus according to the invention, the heater comprises a plurality of infrared heating elements.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 적외선 가열 엘리먼트들은, 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 위치된 웨이퍼-형상 물품의 표면에 원하는 가열 프로파일을 적용하도록 개별적으로 튜닝가능하다.In preferred embodiments of the apparatus according to the invention, the infrared heating elements are individually tunable to apply the desired heating profile to the surface of the wafer-shaped article located in the closed process chamber.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 리드는, 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 위치된 웨이퍼-형상 물품과 가열기 사이의 거리를 변경시키기 위해, 나머지 구조와 씨일링하게 (sealingly) 인게이지 (engage) 되면서, 폐쇄된 프로세스 챔버의 나머지 구조에 대해 축방향으로 변위가능하다.In preferred embodiments of the apparatus according to the present invention, the lid engages sealingly with the remaining structure to change the distance between the heater and the wafer-shaped article located in the closed process chamber. And is axially displaceable relative to the remaining structure of the closed process chamber.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 가열기는 하나 또는 복수의 적외선 가열 엘리먼트들을 포함하고, 리드는, IR 방사에 본질적으로 불투명한 햐향으로-대면하는 주변 쉴드를 포함한다.In preferred embodiments of the apparatus according to the present invention, the heater comprises one or more infrared heating elements, and the lid comprises a peripheral shield which is essentially opaque to the IR radiation.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 리드는, 냉각 가스가 가열기의 주변 근방에 공급되게 하기 위해, 가열기를 둘러싸는 하나 이상의 내부 주변 리세스들과 연통하는 내부 가스 유입구를 포함한다.In preferred embodiments of the apparatus according to the present invention, the lid includes an inner gas inlet communicating with one or more inner peripheral recesses surrounding the heater to allow cooling gas to be supplied near the periphery of the heater.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 내부 가스 유입구는, 리드의 중앙 영역에 배치되고, 복수의 방사상으로 연장하는 채널들에 의해 하나 이상의 내부 주변 리세스들에 접속된다.In preferred embodiments of the device according to the invention, the inner gas inlet is arranged in the central region of the lid and connected to one or more inner peripheral recesses by a plurality of radially extending channels.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 가열기는 하나 또는 복수의 적외선 가열 엘리먼트들을 포함하며, 리드는 하나 이상의 내부 주변 리세스들로부터 하나 또는 복수의 적외선 가열 엘리먼트들을 분리시키는 내부 IR 쉴드를 포함한다.In preferred embodiments of the apparatus according to the present invention the heater comprises one or more infrared heating elements and the leads comprise an internal IR shield which separates one or more infrared heating elements from one or more inner peripheral recesses do.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 가열기는, 폐쇄된 프로세스 챔버 내부의 프로세스 액체들과의 접촉으로부터 보호되기 위해 리드 내에서 씨일링된다.In preferred embodiments of the apparatus according to the present invention, the heater is sealed in the lid to be protected from contact with process liquids inside the closed process chamber.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 리드는 폐쇄된 프로세스 챔버로 가스를 공급하기 위해, 리드의 하향으로 대면한 표면을 넘어 연장하거나 그 표면 상에 개방된 적어도 하나의 가스 노즐을 포함한다.In preferred embodiments of the apparatus according to the invention, the lid comprises at least one gas nozzle extending over or facing the downwardly facing surface of the lead to supply gas to the closed process chamber .
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 장치는 적어도 하나의 프로세스 액체 디스펜싱 디바이스에 대한 구동 유닛을 포함하고, 구동 유닛은, 주변 대기 위치로부터, 적어도 하나의 디스펜싱 디바이스의 디스펜싱 단부가 척의 방사상 내측으로 이동되는 하나 이상의 활성 위치들로 적어도 하나의 디스펜싱 디바이스를 이동시키기 위해 적어도 하나의 디스펜싱 디바이스에 구동적으로 접속되고, 구동 유닛은 챔버 외부에 탑재된다.In preferred embodiments of the apparatus according to the present invention, the apparatus comprises a drive unit for at least one process liquid dispensing device, wherein the drive unit is configured to move from the peripheral standby position to the dispensing end of at least one dispensing device The at least one dispensing device is drivably connected to at least one dispensing device to move the at least one dispensing device to one or more active positions that are moved radially inward of the chuck, and the drive unit is mounted outside the chamber.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 챔버는 반도체 웨이퍼들의 단일 웨이퍼 습식 프로세싱을 위한 프로세스 모듈의 컴포넌트이다.In preferred embodiments of the apparatus according to the present invention, the chamber is a component of a process module for single wafer wet processing of semiconductor wafers.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 척은 챔버로부터 하향으로 연장하는 구동 샤프트를 갖는 스핀척이다.In preferred embodiments of the apparatus according to the present invention, the chuck is a spin chuck having a drive shaft extending downward from the chamber.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 적어도 하나의 프로세스 액체 디스펜싱 디바이스는, 리드가 폐쇄된 위치에 있는 동안, 챔버로 액체를 디스펜싱하도록 동작가능하다.In preferred embodiments of the apparatus according to the invention, the at least one process liquid dispensing device is operable to dispense liquid to the chamber while the lid is in the closed position.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 척은, 폐쇄된 프로세스 챔버에 대해 수직으로 이동가능하며, 적어도 3개의 중지 위치들을 갖도록 구성되고, 이들 위치들은 척으로부터 웨이퍼-형상 물품을 로딩 및 언로딩하기 위한 최상단 위치, 및 챔버 내의 적어도 2개의 하부 위치들이고, 적어도 2개의 하부 위치들 각각은 챔버의 별개의 프로세스 레벨에 대응한다.In preferred embodiments of the apparatus according to the invention, the chuck is vertically movable relative to the closed process chamber and is configured to have at least three stop positions, which are used to load and unload the wafer- The uppermost position for loading, and the at least two lower positions in the chamber, and each of the at least two lower positions corresponds to a separate process level of the chamber.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 장치는, 폐쇄된 위치로부터 개방 위치로 리드를 이동시키는 구동 메커니즘을 포함하며, 구동 메커니즘은 챔버에 대해 상향 및 측방향 양자로 리드를 변위시키도록 구성된다.In preferred embodiments of the apparatus according to the invention, the apparatus comprises a drive mechanism for moving the lid from the closed position to the open position, the drive mechanism being configured to displace the lid both upwardly and laterally relative to the chamber do.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 구동 유닛은 챔버의 측면 하우징 상에 탑재된 모터이며, 모터의 출력 샤프트는 측면 하우징으로 전달되며, 챔버로 전달되고 적어도 하나의 액체 디스펜싱 디바이스에 접속하는 링크를 구동시킨다.In preferred embodiments of the apparatus according to the invention, the drive unit is a motor mounted on the side housing of the chamber, the output shaft of the motor being transferred to the side housing, being delivered to the chamber and connected to at least one liquid dispensing device Link.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 적어도 하나의 프로세스 액체 디스펜싱 디바이스는, 챔버 내에 피봇가능하게 탑재되고, 주변 대기 위치로부터, 매체 공급 아암의 디스펜싱 단부가 척의 방사상 내측으로 이동하는 하나 이상의 활성 위치들로 이동가능한 매체 공급 아암 (arm) 이다.In preferred embodiments of the apparatus according to the invention, the at least one process liquid dispensing device is pivotally mounted in the chamber and is adapted to dispense, from a peripheral atmospheric position, one of the dispensing ends of the media supply arm, Lt; RTI ID = 0.0 > movable < / RTI >
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 매체 공급 아암은, 챔버 벽을 통과하는 링크에 피봇가능하게 접속된 하나의 단부, 및 디스펜싱 노즐을 제공받는 반대의 단부를 갖는다.In preferred embodiments of the apparatus according to the invention, the media supply arm has one end pivotally connected to the link through the chamber wall and an opposite end provided with a dispensing nozzle.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 리드는 척 상에서 수용된 웨이퍼-형상 물품에 병렬로 배열된다.In preferred embodiments of the device according to the invention, the leads are arranged in parallel on the wafer-shaped article received on the chuck.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 폐쇄된 프로세스 챔버는 복수의 중복된 프로세스 레벨들을 포함하며, 복수의 중첩된 프로세스 레벨들 각각은 그에 접속된 각각의 가스 배출구를 갖고, 가스 배출구들은 개별적으로 제어가능하다.In preferred embodiments of the apparatus according to the invention, the closed process chamber comprises a plurality of overlapping process levels, each of the plurality of overlapping process levels having respective gas outlets connected thereto, wherein the gas outlets are individually Lt; / RTI >
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 폐쇄된 프로세스 챔버는 베이스 플레이트 (base plate) 상에 탑재되며, 장치는 또한, 베이스 플레이트의 하부 표면으로부터 종속된 하우징에 탑재된 척에 대한 구동 유닛을 포함한다.In preferred embodiments of the apparatus according to the invention the closed process chamber is mounted on a base plate and the apparatus further comprises a drive unit for a chuck mounted on a housing dependent from a lower surface of the base plate, .
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 폐쇄된 위치로부터 개방 위치로 리드를 이동시키는 구동 메커니즘은 베이스 플레이트의 하부 표면 상에 탑재되고, 폐쇄된 프로세스 챔버는 베이스 플레이트의 상부 표면 상에 탑재된다.In preferred embodiments of the apparatus according to the invention, a drive mechanism for moving the lid from the closed position to the open position is mounted on the lower surface of the base plate, and the closed process chamber is mounted on the upper surface of the base plate .
본 발명의 다른 목적들, 특성들 및 이점들은, 첨부한 도면들에 대한 참조가 주어지면, 본 발명의 바람직한 실시형태들의 다음의 상세한 설명을 판독한 이후 더 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent after a reading of the following detailed description of the preferred embodiments of the present invention, given the references to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 폐쇄된 챔버 모듈의 바람직한 실시형태의 사시도이다.
도 2는, 모듈의 로딩 또는 언로딩을 허용하기 위해, 챔버 리드가 모듈로부터 상향으로 및 떨어져 이동되는 도 1과 유사한 도면이다.
도 3은, 모듈을 동작시키는데 사용되는 메커니즘들의 몇몇을 도시한, 아래로부터의 도 1의 실시형태의 사시도이다.
도 4는, 그의 내부 컴포넌트들을 도시하기 위해, 축방향 평면으로 섹션화된 도 1의 실시형태의 다른 사시도이다.
도 5는, 도 4의 평면과 동일한 평면에서의 도 1의 실시형태의 축방향 단면도이다.
도 6은 도 1의 실시형태의 리드의 상부로부터의 사시도이다.
도 7은, 커버가 투명한 형태로 렌더링되는 리드의 상면도이다.
도 8은 도 1의 실시형태의 리드의 하부로부터의 사시도이다.
도 9는 도 7의 라인 A-A를 따른 단면도이다.
도 10은 도 7의 라인 D-D를 따른 단면도이다.
도 11은, 매체 공급 아암들 중 하나의 피봇 탑재부를 교차하는 평면에서의 도 1의 실시형태의 축방향 단면도이다.
도 12는 이러한 실시형태의 스핀척을 구동 및 상승 및 하강시키기 위한 메커니즘을 도시한 단면도이다.
도 13은 그들의 대기 위치에 매체 공급 아암들을 도시하는 도 1의 실시형태의 방사 섹션이다.
도 14는 매체 공급 아암들의 피봇 탑재부의 단편적인 사시도이다.
도 15는, 매체 공급 아암들 중 하나가 그의 서비스 위치로 피봇되는 도 1의 실시형태의 방사 섹션이다.
도 16은 상부 챔버 커버가 제거된 도 1의 실시형태의 사시도이다.1 is a perspective view of a preferred embodiment of a closed chamber module according to the present invention;
Figure 2 is a view similar to Figure 1 in which the chamber lid is moved up and away from the module to allow loading or unloading of the module.
Figure 3 is a perspective view of the embodiment of Figure 1 from below showing some of the mechanisms used to operate the module.
Figure 4 is another perspective view of the embodiment of Figure 1 sectioned into an axial plane to illustrate its internal components.
Figure 5 is an axial cross-sectional view of the embodiment of Figure 1 in the same plane as the plane of Figure 4;
Fig. 6 is a perspective view from above the lead of the embodiment of Fig. 1;
Figure 7 is a top view of the lid where the cover is rendered in a transparent form.
8 is a perspective view from the bottom of the lead of the embodiment of Fig.
9 is a cross-sectional view along line AA of FIG.
10 is a cross-sectional view along line DD of FIG.
Figure 11 is an axial cross-sectional view of the embodiment of Figure 1 in a plane that intersects the pivot mount of one of the media supply arms.
12 is a cross-sectional view showing a mechanism for driving and lifting and lowering the spin chuck of this embodiment.
Figure 13 is an emission section of the embodiment of Figure 1 showing media supply arms in their standby position.
Figure 14 is a fragmentary perspective view of a pivot mount of media supply arms.
Figure 15 is a section of the embodiment of Figure 1 in which one of the media supply arms is pivoted to its service position.
Figure 16 is a perspective view of the embodiment of Figure 1 with the top chamber cover removed.
도 1을 참조하면, 폐쇄된 챔버 모듈 (10) 은 베이스 플레이트 (15) 상에 탑재되며, 바람직하게는 실린더형 챔버 벽 (30), 및 일련의 스크류들 등에 의해 챔버 벽 (30) 에 고정된 환형 (annular) 상부 챔버 커버 (32) 에 의해 구성된다. 챔버 모듈 (10) 은, 환형 상부 챔버 커버 (32) 의 내부 분위기에 그의 외부 주변에서 씨일링되는 리드 (100) 에 의해 그의 상부 단부에서 폐쇄된다.Referring to Figure 1, a closed
리드 (100) 는, 도 1에 도시된 폐쇄된 위치로부터 도 2에 도시된 개방 위치로 리드 (100) 를 이동시키고, 차례로, 리드 지지 샤프트 (26) 상에 위치되는 리드 아암 (22) 에 고정된다. 가스 피드 라인 (24) 은 가스를 리드 (100) 에 공급한다. 실제로, 복수의 가스 피드 라인들이 제공될 수도 있다.The
제 1 및 제 2 구동 유닛들 (52, 62) 은 후술될 각각의 매체 공급 아암들에 대해 제공되며, 매체 공급 아암들에 대한 피봇 이동 메커니즘들에 대한 각각의 커버들 (54, 64) 로 유도된다. 참조 번호 (56) 는 제 1 매체 공급 라인에 대한 리드-인 (lead-in) 을 나타낸다.The first and
이러한 실시형태의 폐쇄된 챔버 모듈은 3개의 내부 레벨들을 갖고, 이들 각각은 연관된 가스 배출구를 가지며, 도 1의 참조 번호들 (82, 84 및 86) 은 각각 하부, 중간 및 상부 레벨들에 대한 연관된 배출구들을 나타내고, 참조 번호들 (81, 83 및 85) 은 이들 배출구들에 대한 연관된 하부, 중간 및 상부 가스 흡입부들을 나타낸다.The closed chamber module of this embodiment has three interior levels, each of which has an associated gas outlet, and the
이제 도 2를 참조하면, 폐쇄된 챔버 모듈은, 챔버에 대해 상향으로 리드를 상승시키고, 중공 샤프트 (18) 를 수용하는 리드 지지 샤프트 (26) 에 대해 그것을 피봇시키는 것을 수반하는 그의 개방 위치에서 도시되어 있다.Referring now to FIG. 2, a closed chamber module is shown in its open position, which involves lifting the lid upward relative to the chamber and pivoting it against the
챔버 내부에서, 스핀척 (70) 은 가시적이며, 이러한 실시형태에서, 그 척은 양면 (double-sided) 타입의 척이다. 또한 보이는 것은, 그의 대기 위치, 및 상부, 중간 및 하부 레벨들 (34, 35, 36) 에 있는 제 2 매체 공급 아암 (63) 이다.Inside the chamber, the
도 3에서, 리드 (100) 의 이면측 (underside) 은 중앙 가스 노즐 (23) 을 포함한다.In Fig. 3, the underside of the
예를 들어, 공기식 실린더일 수도 있는 모터 (27) 는 링크 (19) 를 구동시키며, 그 링크는 차례로, 중공 샤프트 (18) (도 4 참조) 를 구동시킨다. 따라서, 모터 (27) 는 리드 (100) 의 피봇 이동을 구동시킨다. 모터 (28) 는 리드 (100) 를 상승 및 하강시키기 위한 리프팅 모터이지만, 모터 (29) 는 중공 샤프트 (18) 에 수용되는 가스 피드 라인들 (21, 24) 에 대한 리드-인을 나타낸다.For example, a
스핀 모터 (72) 는 스핀척 (70) 을 스핀시키지만, 모터 (76) 는 슬라이더 (74) 를 통해 스핀척 (70) 을 상승 및 하강시킨다. 하부 챔버 커버 (31) 는 후술될 바와 같이, 스핀척의 벨로우 (bellow) 들을 수용한다.The
도 4에서, 상부, 중간 및 하부 레벨들 (34, 35 및 36) 은 더 용이하게 보일 수 있다. 이들 레벨들 및 그들 각각의 배출구들 (86, 84 및 82) 의 구조는, 공동-소유된 출원 WO 2004/084278 A1에 설명된 바와 같을 수도 있다. 또한 도 4에서 볼 수 있는 것은, 중앙 가스 노즐 (23) 에 대한 가스 피드 라인 (21), 챔버의 내부 주변으로부터 구동 메커니즘들을 격리시키도록 기능하는 연장 벨로우들 (75), 챔버의 이면측에 척 구동 메커니즘을 접속시키는 프레임 (77), 척의 바닥 노즐들을 지지하는 비-회전 노즐 헤드 (79), 및 바닥 노즐 헤드 (79) 를 수용하는 비-회전 중공 샤프트 (78) 이다.In Fig. 4, the upper, middle and
도 5의 축방향 단면은, 챔버 바닥을 정의하는 플레이트 (37), 그의 대기 위치에 도시된 제 1 매체 공급 아암 (53), 및 아암 (53) 에 대한 적재 (stowage) 영역 (55) 에 따른 전술된 컴포넌트들을 상세히 도시한다. 후술되는 바와 같이, 샤프트 (18) 에 가해진 회전 및 병진 이동들이 리드 아암 (22) 및 리드 (100) 에 또한 가해지도록, 샤프트 (18) 가 리드 아암 (22) 에 단단하게 고정됨을 유의할 것이다.The axial cross-section of Figure 5 includes a
리드 (100) 는 도 6 내지 도 10에서 더 상세히 도시되어 있다. 복수의 전기 접속기들 (1222) 이 가열 램프들 (120) 에 대해 제공된다. 리드 (100) 의 상부 커버는, 적외선 램프들 (120) 및 리브 (rib) 들 (115) 을 노출시키기 위해, 일반적으로 광학적으로 불투명하지만, 도 7에서 투명 형태로 렌더링되며, 적외선 램프들과 리브들 사이에서, 냉각 가스 분배 네트워크의 채널들이 설정된다.The
도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 리드 (100) 는 12개의 선형 적외선 (IR) 가열기들 (120) 을 포함한다. IR 가열기들은, 웨이퍼 표면에 걸친 가열의 원하는 균일도를 달성하기 위해 별개로 튜닝가능하다. 예를 들어, 웨이퍼 에지가 충분히 신속하게 가열되지 않는다고 발견되면, 최외측 IR-가열기들 (120) 로의 전력이 증가된다. IR-가열기들의 튜닝은, 가열의 균일도에 관해 처리된 웨이퍼들을 모니터링하거나 로컬 온도계를 사용하여 온도 증가를 모니터링함으로써 최적화될 수 있다.As shown in FIGS. 7-9, the
IR-가열기들은 바람직하게는 선형 석영 로드 (rod) 들이다. IR-가열기들이 웨이퍼 표면을 향해 주로 IR-광을 방출하도록 제공된 유리된 (isolative) 코팅이 존재한다.The IR-heaters are preferably linear quartz rods. There is an isolative coating provided to allow IR-heaters to emit primarily IR-light towards the wafer surface.
챔버 및 IR-가열기들은, 예를 들어, 열 저항성 유리 (보로실리케이트 유리), 또는 석영으로 제작된 투명 플레이트 (135) 에 의해 분리된다. 투명 플레이트 (135) 를 둘러싼 것은, 적외선 방사에 본질적으로 불투명한 스테인리스 스틸 또는 다른 재료로 형성되는 환형 주변 쉴드 (125) 이다. 따라서, 쉴드 (125) 는, 웨이퍼 표면 상으로의 IR 방사를 포커싱 (focus) 하도록 기능하며, 플라스틱 재료로부터 종종 제작되는 주변 부분들 (예를 들어, 챔버 벽들) 이 과도하게 가열되는 것을 방지한다.The chamber and IR-heaters are separated, for example, by a heat-resistant glass (borosilicate glass), or a
IR 가열기들 (120) 의 어셈블리는, 씨일링된 챔버 내부의 프로세스 액체가 IR 가열기들 (120) 과의 접촉을 행할 수 없도록 리드 (100) 내에서 씨일링된다. 이는, 예를 들어, 프로세스 액체가 인화성 (flammable) 인 경우, 예를 들어, 건조 처리들 동안 사용된 뜨거운 이소프로필 알콜의 경우 중요할 수 있다.The assemblies of the
이러한 실시형태의 가열 엘리먼트들이 선형 튜브이지만, 가열 엘리먼트들은 대안적으로, 튜닝가능한 스팟 (spot) 타입 IR 램프들 또는 동심의 환형 가열 엘리먼트들로서 구현될 수도 있다.Although the heating elements of this embodiment are linear tubes, the heating elements may alternatively be implemented as tunable spot-type IR lamps or concentric annular heating elements.
도 10에 도시된 바와 같이, 이러한 실시형태의 리드 (100) 는 외부 플레이트 (130) 및 또한 내부 플레이트 (136) 를 포함한다. 내부 플레이트 (136) 는 바람직하게는 또한 IR 쉴드이다. 외부 플레이트와 내부 플레이트 사이에서, 냉각 가스 (바람직하게는 질소와 같은 비활성 가스) 를 이용하여 퍼지 (purge) 되는 가스 분배 챔버 (133) 가 존재한다. 냉각 가스는 피드 파이프 (129) 를 통해 도입되며, 리브들 (115) 에 의해 정의된 채널들 (131) 을 통해 6개의 방사상으로 배열된 가스 분배 챔버들 (133) 에 분배된다. 리브들 (115) 은, 외부 플레이트 (130) 의 일부이며, 리드 (100) 의 중앙으로부터 방사하는 스포크 (spoke) 처럼 배열된다. 도 9가 리브들 (115) 중 하나를 통한 단면이므로, 가스 분배 네트워크는 도 10에서 더 양호하게 관측된다.As shown in FIG. 10, the
이러한 실시형태의 리드 (100) 는 또한, 리드 (100) 에 단단히 고정되지만 그의 확장된 헤드들 (104) 이 리드 아암 (22) 에 형성된 포켓들 내에 포획되는 일련의 6개의 로드들 (103) 을 통해 그에 탑재함으로써, 리드 아암 (22) 에 대해 축방향으로 변위가능하며, 여기서, 그들은, 로드들 (103) 을 둘러싸고, 리드 아암 (220) 상의 그들의 상부 단부들을 통해 및 리드 (100) 의 외부 커버 (133) 상의 그들의 하부 아암들을 통해 베어링 (bear) 하는 스프링들 (105) 의 힘에 대해 축방향 상향으로 슬라이딩할 수도 있다. 따라서, 적절한 기어 (gear) 모터 등 (미도시) 은 리드 (100) 와 리드 아암 (22) 사이의 간격, 및 그에 따라, 프로세스 챔버와 함께 위치된 웨이퍼의 상부 표면과 IR 가열 엘리먼트들 (120) 의 세트 사이의 간격을 변경시킬 수 있다. 따라서, 이러한 축방향 위치결정은, 웨이퍼에 적용될 가열 프로파일의 추가적인 튜닝을 허용한다.The
도 11의 축방향 단면에서, 섹션화한 평면은 제 1 매체 공급 아암 (53) 에 대한 피봇 메커니즘의 커버 (54) 를 통과한다. 이러한 각도로부터, 제 2 매체 공급 아암 (63) 은 그의 대기 위치에서 완전히 가시적이다. 참조 번호 (17) 는 리드 (100) 를 갖는 압력-등화 (pressure-equalizing) 챔버를 나타낸다. O-링 또는 V-씨일과 같은 환형 씨일 (33) 은 리드 (110) 와의 씨일을 형성하기 위해, 환형 상부 챔버 커버 (32) 에 부착되거나 그 커버에 놓인다. 그러나, 리드 (100) 가 리드 아암 (22) 에 대해 축방향으로 변위가능할 경우, 리드 (100) 의 실린더형 측면 표면은, 리드 아암 (22) 에 대해 리드 (100) 의 축방향 이동의 범위 전반에 걸쳐 상부 챔버 (32) 와 씨일링하게 인게이지되게 유지하도록 구성된다.11, the sectioned plane passes through the
이제 도 12를 참조하면, 스핀척 캐리어 (73) 를 회전시키기 위한 메커니즘은, 회전 시에 스핀척 캐리어 (73) 를 구동시키는 회전 중공 샤프트 (71), 챔버의 내부 분위기로부터 구동 메커니즘들을 차폐시키는 연장 벨로우들 (75), 챔버의 이면측에 척 구동 메커니즘을 접속시키는 프레임 (77), 척의 바닥 노즐들을 공급하는 비-회전 노즐 헤드 (79), 및 바닥 노즐 헤드 (79) 를 수용하는 비-회전 중공 샤프트 (78) 를 포함한다.12, the mechanism for rotating the
비-회전 중공 샤프트 (90) 는 회전 중공 샤프트 (71) 를 둘러싸며, 그 회전 중공 샤프트는 차례로, 비-회전 중공 샤프트 (78) 를 둘러싸고, 이들 3개의 샤프트들은 서로 동축이다. 회전 샤프트 씨일 베어링 (91) 은, 챔버 분위기로부터 동축 샤프트들을 씨일링하고, 상호접속된 회전 중공 샤프트 (78) 를 지지하지만, 베어링 (92) 은 회전 샤프트 (71) 와 비-회전 상부 링 (94) 을 접속시킨다. 멤브레인 커버 (93) 는 하부 챔버 커버 (31) 내에 피트되며, 그의 내부 주변에서, 벨로우들 (75) 에 대해 씨일링되고, 그의 외부 주변에서, 챔버 바닥 (37) 에 대해 씨일링된다.The non-rotating
도 13에서, 실린더형 챔버 벽 (30) 을 통한 방사 섹션은 제 1 및 제 2 매체 공급 아암들 (53 및 63) 을 그들의 대기 위치에서 드러내며, 도 8의 파선들은, 매체 아암들 (53, 63) 의 디스펜싱 단부들이 도시된 대기 위치로부터, 매체 아암의 디스펜싱 단부가 스핀척 위에 대략적으로 중심이 있을 서비스 위치로 이동함에 따라 그들이 이동하는 아치형 경로를 따라간다. 실제로, 매체 아암들 중 하나만이 사용중, 및 그에 따라 임의의 주어진 시간에 그의 서비스 위치에 있을 것이며, 즉, 매체 공급 아암들 (63, 63) 양자가 종종 도시된 바와 같은 대기 위치에 있을 것이지만, 사용 시에, 통상적으로 하나 또는 다른 것만이 서비스 위치에 있을 것이다. 그럼에도, 양자의 매체 공급 아암들 (53, 63) 은 동시에 이동할 수 있어서, 대안적으로 중심에 접근하며, 이는 적절한 소프트웨어 커맨드들에 의해 달성될 수 있다.13, the radiation section through the
매체 공급 아암들 (53, 63) 에 대한 서비스 위치를 참조할 시에, 1개 초과의 서비스 위치들이 존재할 수 있거나, 그러한 사항에 대해, 아암들이 주변의 대기 위치로부터 방사상 내측으로 이동함에 따라 그들이 서비스 중일 수도 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 서비스 위치는, 단지 중앙의 최내측 위치가 아니라, 매체 공급 아암의 디스펜싱 단부가 척 상에 지지되는 웨이퍼 위에 위치되는 임의의 위치를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 서비스 위치는, 웨이퍼의 프로세싱 동안 에지를 향해 중앙으로부터 및 다시 반대로 (back) 이동할 것이다.In reference to service locations for
도 14는, 매체 공급 및 디스펜스 아암들을 그들의 대기 및 서비스 위치들 사이에서 구동시키기 위한 메커니즘의 추가적인 세부사항을 도시한다. 커버 (64) 는, 구동 메커니즘의 내부 컴포넌트들을 뷰잉 (viewing) 하는 것을 허용하기 위해, 도 14의 파선으로만 표시된다. 실제로, 커버 (64) 는, 챔버의 실린더형 벽 (30) 에 씨일링된 방식으로 탑재된 고체 재료로 제작될 것이며, 실린더형 벽 (30) 은, 그의 원단 상에서 제 2 매체 아암 (63) 을 운반하고, 예를 들어, 스플라인된 (splined) 접속에 의해 구동 유닛 (62) 의 출력 샤프트 (68) 에 접속되는 링크 (67) 의 그를 통한 전달을 허용하기 위해, 커버 (64) 에 의하여 둘러싸인 컷아웃 (cutout) 을 갖는다. 출력 샤프트 (68) 는 씨일링된 베어링을 통해 아래로부터 커버 (64) 를 관통하며, 따라서, 구동 유닛 (62) 은 챔버 외부에 배치되고, 챔버 내에 존재하는 가혹한 (harsh) 케미컬 환경으로부터 보호된다.Figure 14 shows additional details of the mechanism for driving the media supply and dispense arms between their standby and service positions. The
따라서, 구동 유닛 (62) 이 액츄에이팅된 경우, 링크 (67) 는, 구동 유닛 (62) 의 동작 사이클에 의해 표시된 일 범위의 이동에 걸쳐 피봇될 것이며, 이는 그의 대기 위치로부터 그의 서비스 위치로의 매체 공급 아암 (63) 의 변위에 대응한다. 따라서, 실린더형 챔버 벽 (30) 의 컷아웃의 사이즈는, 그 범위의 피봇 이동을 수용하도록 사이징된다.Thus, when the
리드-인 (66) 은 챔버 내부의 제 2 매체 라인 (61) 에 접속한다. 리드-인 (66) 은, 예를 들어, 씨일링된 방식으로 챔버의 실린더형 벽 (30) 을 횡단하는 유체 커플링일 수도 있으며, 챔버 외부의 그의 단부에서 튜빙하는 유입구 및 챔버 내부의 그의 단부에서 제 2 매체 라인 (61) 에 접속한다.The lead-in 66 connects to the second
도 14에서 또한 볼 수 있는 것은, 실린더형 챔버 벽 (30) 의 방사상 내측으로 위치되는 내부 챔버 벽이며, 그 내부 챔버 벽은 벽 (30) 과 함께 제 2 매체 공급 아암 (63) 에 대한 적제 영역 (65) 을 정의한다. 그 내부 벽은, 매체 공급 아암 (63) 의 하향으로-종속된 디스펜싱 단부가 적재 영역 (65) 내의 그의 대기 위치로부터, 아암 (63) 의 디스펜싱 단부가 스핀척의 중앙 위에 위치되는 그의 서비스 위치로 이동한 경우 그의 통로를 허용하기 위해, 컷-아웃 (69) 을 제공받는다.Also visible in Fig. 14 is an inner chamber wall located radially inwardly of the
제 1 및 제 2 매체 공급 아암들 (53 및 63) 이 이러한 실시형태에서 본질적으로 동일한 구동 메커니즘들이 장착되므로, 하나의 유닛의 다양한 컴포넌트들의 설명이 또한 다른 것에 적용되지만, 그러한 설명이 여기서 반복되지는 않을 수도 있음을 인식할 것이다. 또한, 본 발명의 실시형태가 2개의 매체 디스펜스 아암들이 장착되지만, 그러한 아암들 및 그들의 연관된 구동 메커니즘들의 수는 단지 아나일 수 있거나, 반대로, 3개 이상일 수 있다.Since the first and second
도 15에서, 제 1 매체 아암 (53) 은 그의 대기 위치에서 유지되지만, 제 2 매체 공급 아암 (63) 은 서비스 위치로 피봇되며, 여기서, 아암 (63) 의 하향으로 종속된 디스펜스 노즐은 스핀척의 중앙 위에 위치된다. 제 2 매체 라인 (61) 은 그의 서비스 위치에 있는 아암 (63) 으로 더 가시적이다. 그 라인 (61) 은 도 15에 개략적으로 도시되어 있지만, 라인 (61) 의 길이가 링크 (67) 의 방사상 내측 단부의 이동 범위, 및 그에 따라 또한 그의 유연성 (flexibility) 을 수용하기에 충분하다는 것이 관측될 것이다.15, the first
도 16의 사시도는 도 15에 대응하며, 적소에 있는 커버 (54) 를 도시하지만, 커버 (64) 는 매체 아암 (63) 에 대한 구동 링키지 (linkage) 를 드러내기 위해 제거된다.16 corresponds to Fig. 15 and shows the
사용 시에, 챔버는 내부에서 프로세싱될 웨이퍼를 로딩하는 것을 허용하도록 개방될 것이다. 이것은, 먼저, 베이스 플레이트 (15) 의 이면측에 포스트 (post) 들에 의해 고정되고 그에 대해 정적 (stationary) 이지만 (도 3 참조), 연장된 경우 그의 출력 샤프트가 리드-인 (29) 으로 하여금 상향으로 변위되게 하는 모터 (28) 를 액츄에이팅하는 것을 수반하며, 그와 함께 샤프트 (18), 리드 아암 (22), 및 리드 (100) 를 엑츄에팅한다. 바람직하게, 샤프트 (18) 는, 그것이 리드-인을 이용하여 상승되도록 리드-인 (29) 에서 저널링되지만 (journaled), 리드-인 (29) 에 대해 회전가능하다.In use, the chamber will be opened to allow loading of the wafer to be processed internally. This is firstly fixed by the posts on the back side of the
일단 리드 (100) 가 챔버를 개방하도록 상승되면, 다음으로, 모터 (27) 는 샤프트 (18) 의 축에 관한 이동의 아치형 범위로 구동 링크 (19) 에 액츄에이팅된다. 링크 (19) 가 샤프트 (18) 에 비-회전가능하게 고정되므로, 이러한 이동은, 샤프트 (18) 및 그와 함께 리드 아암 (22) 및 리드 (100) 를 회전시켜서, 리드 (100) 가 상부 환형 챔버 커버 (32) 에 의해 정의된 개구로부터 도 2에 도시된 위치로 떨어져서 스윙 (swig) 된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 모터 (27) 그 자체는, 링크 (19) 의 피봇 이동을 허용하도록, 피봇을 통해 베이스 플레이트 (15) 의 이면측에 탑재된다. 링크 (19) 는 샤프트 (18) 에 스플라인되고 모터 (28) 에 의해 구동된 샤프트 (18) 의 수직 변위 동안 그에 대해 슬라이딩할 수도 있거나, 링크 (19) 는 샤프트 (18) 에 신속하게 고정될 수도 있고, 모터 (28) 가 동작되는 경우 그것이 수직으로 슬라이딩할 수도 있는 피봇 접속을 통해 그의 반대 단부에서 모터 (27) 에 의해 구동될 수도 있다.Once the
챔버가 도 2에 도시된 바와 같이 개방된 이후, 프로세싱될 웨이퍼는 내부에서 로딩된다. 웨이퍼들을 스핀척들 상으로 이송 및 로딩하기 위한 장치는 당업계에 잘 알려져 있다. 웨이퍼를 수용하기 위해, 모터 (76) 는, 상부 환형 챔버 커버 (32) 에서 정의된 개구의 주변의 위치로 슬라이더 (74) 를 통해 스핀척 (70) 을 상승시키도록 액츄에이팅된다. 특히, 스핀척 (70) 은, 그것이 커버 (32) 내의 개구 바로 아래에 있거나, 그 개구 바로 위에 있거나, 또는 그 개구를 이용하여 플러쉬 (flush) 되는 위치로 상승될 수도 있다.After the chamber is opened as shown in FIG. 2, the wafer to be processed is loaded therein. Devices for transferring and loading wafers onto spin chucks are well known in the art. To accommodate the wafer, the
상부 환형 커버 (32) 내의 개구의 직경이 챔버에서 프로세싱될 웨이퍼의 외측 직경보다 명백하게 더 커야 하지만, 바람직하게는 실질적으로 더 큰 직경을 갖지 않음을 유의할 것이다. 예를 들어, 300mm 실리콘 웨이퍼의 경우, 커버 (32) 내의 개구는 바람직하게, 대략 320mm 의 직경을 갖는다. 일반적으로, 챔버의 상부 단부 내의 개구의 직경은, 50% 초과, 바람직하게는 20% 이하, 및 더 바람직하게는 10% 이하만큼 프로세싱될 웨이퍼의 직경을 초과하지 않아야 한다.It should be noted that the diameter of the opening in the upper
스핀척 (70) 은 미리 결정된 직경의 웨이퍼, 이러한 경우는 300mm를 홀딩하도록 구성된다. 스핀척 (70) 은, 웨이퍼가 프로세싱 동안 측방향으로 슬라이딩하는 것을 방지하는 그리핑 (gripping) 핀들의 주변 시리즈 (series) 를 포함한다. 스핀척 (70) 이 베르누이 척으로서 구현된 경우, 척을 통해 공급되고 웨이퍼 아래에서 방사상 외측으로 전달되는 질소 가스 흐름은, 웨이퍼의 아래쪽 지지를 제공한다. 대안적으로, 그리핑 핀들은, 예를 들어, 웨이퍼의 주변 에지에 상보적인 형상을 갖고 그에 의해, 측방향 및 아래쪽 지지를 제공함으로써, 척에 대해 그의 작동 위치에서 웨이퍼를 홀딩하는 방사상 내측으로-대면한 표면들로 구성될 수도 있다.The
그 후, 스핀척 (70) 은 상부, 중간 및 하부 레벨들 (34, 35, 36) 중 하나에서 작동 위치로 모터 (76) 에 의해 하강되며, 그 후, 스핀 모터 (72) 는 스핀척 (70) 을 스핀하도록 시작한다. 그 후, 액체들 및 가스들의 임의의 원하는 조합은 챔버 내부에 공급될 수 있으며, 액체들은 매체 공급 아암들 (53, 63) 을 통하고, 가스들은 리드 (100) 를 통한다.The
챔버를 씨일링하는 씨일들 중 하나 이상이, 과압력 (overpressure) 의 미리 결정된 레벨로 챔버의 외부에서 가스의 제어된 누설을 허용하도록 설계됨이 선호된다. 그 방식으로, 실질적으로 산소-프리한 (oxygen-free) 대기는, 과도한 압력의 누산 없이 리드 (100) 로부터 및/또는 샤프트 (78) 를 통해 가스를 계속 공급하면서, 웨이퍼의 프로세싱 동안 챔버 내에서 유지될 수 있다. 이러한 설계는 또한, 불침투성 (impervious) 씨일들의 유지보수 또는 진공의 사용에 의존할 필요 없이 산소의 배제를 허용한다.It is preferred that at least one of the seeds sealing the chamber is designed to allow controlled leakage of gas outside the chamber at a predetermined level of overpressure. In that way, a substantially oxygen-free atmosphere is maintained in the chamber during processing of the wafer, while continuing to supply gas from the
이러한 실시형태의 설계가 리드 및 매체 공급 아암들이 가스 및 액체를 동시에 챔버 내부로 공급하게 허용함을 인식할 것이다. 또한, 매체 공급 아암들 (53, 63) 및 그들의 관련 구동 메커니즘들의 설계는 아암이 챔버 내부에 배치되게 허용하지만, 그들 각각의 구동 유닛들은 챔버 외부에 탑재된다. 이것은, 그러한 프로세싱 모듈들에서 종종 사용되는 매우 공격적인 케미컬들에 대한 그들 구동 유닛들의 노출을 방지하는 상당한 이점을 제공한다.It will be appreciated that the design of this embodiment allows the lead and media supply arms to simultaneously supply gas and liquid into the chamber. In addition, the design of the
본 발명이 본 발명의 다양한 예시적인 실시형태들과 관련하여 설명되었지만, 그들 실시형태들이 첨부된 청구항들의 실제 범위 및 사상에 의해 수여된 보호 범위를 제한하기 위한 구실로서 사용되지 않아야 함을 이해할 것이다.While the invention has been described in connection with various exemplary embodiments thereof, it will be understood that they should not be used as a pretension to limit the scope of protection conferred by the true scope and spirit of the appended claims.
Claims (15)
폐쇄된 프로세스 챔버,
상기 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 위치된 척, 및
상기 챔버 내에 배치된 적어도 하나의 프로세스 액체 디스펜싱 (dispense) 디바이스를 포함하며,
상기 폐쇄된 프로세스 챔버는, 상기 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 웨이퍼-형상 물품을 위치시키도록 개방될 수 있는 리드 (lid) 를 포함하고,
상기 리드는, 상기 폐쇄된 프로세스 챔버에 위치된 웨이퍼-형상 물품을 가열시키도록 구성된 가열기를 포함하는, 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.An apparatus for processing wafer-shaped articles,
Closed process chambers,
A chuck located within the closed process chamber, and
At least one process liquid dispensing device disposed within the chamber,
Wherein the closed process chamber includes a lid that can be opened to position the wafer-like article within the closed process chamber,
Wherein the lid comprises a heater configured to heat the wafer-shaped article located in the closed process chamber.
상기 가열기는 복수의 적외선 가열 엘리먼트들을 포함하는, 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.The method according to claim 1,
Wherein the heater comprises a plurality of infrared heating elements.
상기 적외선 가열 엘리먼트들은, 상기 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 위치된 웨이퍼-형상 물품의 표면에 원하는 가열 프로파일을 적용하도록 개별적으로 튜닝가능한, 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the infrared heating elements are individually tunable to apply a desired heating profile to a surface of the wafer-like article located within the closed process chamber.
상기 리드는, 상기 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 위치된 웨이퍼-형상 물품과 상기 가열기 사이의 거리를 변경시키기 위해, 상기 폐쇄된 프로세스 챔버의 나머지 구조와 씨일링하게 (sealingly) 인게이지 (engage) 되면서, 상기 폐쇄된 프로세스 챔버의 나머지 구조에 대해 축방향으로 변위가능한, 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.The method according to claim 1,
The lid is sealingly engageable with the remaining structure of the closed process chamber to change the distance between the heater and the wafer-shaped article located within the enclosed process chamber, And displaceable axially relative to the remaining structure of the closed process chamber.
상기 가열기는 하나 또는 복수의 적외선 가열 엘리먼트들을 포함하고,
상기 리드는, IR 방사에 본질적으로 불투명한 햐향으로-대면하는 주변 쉴드를 포함하는, 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.The method according to claim 1,
The heater comprising one or more infrared heating elements,
Wherein the lead comprises a peripheral shield that is essentially opaque to the IR radiation. ≪ Desc / Clms Page number 17 >
상기 리드는, 냉각 가스가 상기 가열기의 주변 근방에 공급되게 하기 위해, 상기 가열기를 둘러싸는 하나 이상의 내부 주변 리세스들과 연통하는 내부 가스 유입구를 포함하는, 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.The method according to claim 1,
Wherein the lid includes an inner gas inlet communicating with one or more inner peripheral recesses surrounding the heater to allow a cooling gas to be supplied near the periphery of the heater.
상기 내부 가스 유입구는, 상기 리드의 중앙 영역에 배치되고, 복수의 방사상으로 연장하는 채널들에 의해 상기 하나 이상의 내부 주변 리세스들에 접속되는, 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.The method according to claim 6,
Wherein the inner gas inlet is disposed in a central region of the lid and is connected to the one or more inner peripheral recesses by a plurality of radially extending channels.
상기 가열기는 하나 또는 복수의 적외선 가열 엘리먼트들을 포함하며,
상기 리드는 상기 하나 이상의 내부 주변 리세스들로부터 상기 하나 또는 복수의 적외선 가열 엘리먼트들을 분리시키는 내부 IR 쉴드를 포함하는, 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.The method according to claim 6,
The heater includes one or more infrared heating elements,
Wherein the lead comprises an inner IR shield that separates the one or more infrared heating elements from the one or more inner peripheral recesses.
상기 가열기는, 상기 폐쇄된 프로세스 챔버 내부의 프로세스 액체들과의 접촉으로부터 보호되기 위해 상기 리드로 씨일링되는, 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.The method according to claim 1,
Wherein the heater is sealed to the lead to protect it from contact with process liquids within the closed process chamber.
상기 리드는 상기 폐쇄된 프로세스 챔버로 가스를 공급하기 위해, 상기 리드의 하향으로 대면한 표면을 넘어 연장하거나 상기 표면 상에 개방된 적어도 하나의 가스 노즐을 포함하는, 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.The method according to claim 1,
Wherein the lead comprises at least one gas nozzle extending over or facing the downwardly facing surface of the lead to supply gas to the closed process chamber. Device.
적어도 하나의 프로세스 액체 디스펜싱 디바이스에 대한 구동 유닛을 더 포함하며,
상기 구동 유닛은, 주변 대기 위치로부터, 상기 적어도 하나의 디스펜싱 디바이스의 디스펜싱 단부가 상기 척의 방사상 내측으로 이동되는 하나 이상의 활성 위치들로 상기 적어도 하나의 디스펜싱 디바이스를 이동시키기 위해 상기 적어도 하나의 디스펜싱 디바이스에 구동적으로 접속되고,
상기 구동 유닛은 상기 챔버의 외부에 탑재되는, 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a drive unit for at least one process liquid dispensing device,
Wherein the drive unit is configured to move the at least one dispensing device from its peripheral standby position to the at least one dispensing device to move the at least one dispensing device to one or more active positions in which the dispensing end of the at least one dispensing device is moved radially inward of the chuck. A driving device operatively connected to the dispensing device,
Wherein the drive unit is mounted outside the chamber.
상기 챔버는 반도체 웨이퍼들의 단일 웨이퍼 습식 프로세싱을 위한 프로세스 모듈의 컴포넌트인, 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.The method according to claim 1,
Wherein the chamber is a component of a process module for single wafer wet processing of semiconductor wafers.
상기 척은 상기 챔버로부터 하향으로 연장하는 구동 샤프트를 갖는 스핀척인, 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.The method according to claim 1,
Wherein the chuck is a spin chuck having a drive shaft extending downwardly from the chamber.
상기 적어도 하나의 프로세스 액체 디스펜싱 디바이스는, 상기 리드가 상기 폐쇄된 위치에 있는 동안, 상기 챔버로 액체를 디스펜싱하도록 동작가능한, 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.The method according to claim 1,
Wherein the at least one process liquid dispensing device is operable to dispense liquid to the chamber while the lid is in the closed position.
상기 척은, 상기 폐쇄된 프로세스 챔버에 대해 수직으로 이동가능하고, 적어도 3개의 중지 위치들을 갖도록 구성되며,
상기 적어도 3개의 중지 위치들은, 상기 척으로부터 웨이퍼-형상 물품을 로딩 및 언로딩하기 위한 최상단 위치, 및 상기 챔버 내의 적어도 2개의 하부 위치들이고,
상기 적어도 2개의 하부 위치들 각각은 상기 챔버의 별개의 프로세스 레벨에 대응하는, 웨이퍼-형상 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.The method according to claim 1,
Wherein the chuck is vertically movable with respect to the closed process chamber and is configured to have at least three stop positions,
Wherein the at least three stop positions are a topmost position for loading and unloading the wafer-shaped article from the chuck, and at least two bottom positions within the chamber,
Wherein each of the at least two lower positions corresponds to a separate process level of the chamber.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/178,430 | 2011-07-07 | ||
US13/178,430 US20130008602A1 (en) | 2011-07-07 | 2011-07-07 | Apparatus for treating a wafer-shaped article |
PCT/IB2012/053350 WO2013005155A2 (en) | 2011-07-07 | 2012-07-02 | Apparatus for treating a wafer-shaped article |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140040208A true KR20140040208A (en) | 2014-04-02 |
KR102007546B1 KR102007546B1 (en) | 2019-08-05 |
Family
ID=47437509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020147000452A KR102007546B1 (en) | 2011-07-07 | 2012-07-02 | Apparatus for treating a wafer-shaped article |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130008602A1 (en) |
KR (1) | KR102007546B1 (en) |
TW (1) | TWI569345B (en) |
WO (1) | WO2013005155A2 (en) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8926788B2 (en) * | 2010-10-27 | 2015-01-06 | Lam Research Ag | Closed chamber for wafer wet processing |
KR101501362B1 (en) | 2012-08-09 | 2015-03-10 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR101512560B1 (en) | 2012-08-31 | 2015-04-15 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing apparatus |
KR102091291B1 (en) | 2013-02-14 | 2020-03-19 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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- 2012-06-29 TW TW101123580A patent/TWI569345B/en active
- 2012-07-02 KR KR1020147000452A patent/KR102007546B1/en active IP Right Grant
- 2012-07-02 WO PCT/IB2012/053350 patent/WO2013005155A2/en active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201304041A (en) | 2013-01-16 |
TWI569345B (en) | 2017-02-01 |
US20130008602A1 (en) | 2013-01-10 |
WO2013005155A2 (en) | 2013-01-10 |
KR102007546B1 (en) | 2019-08-05 |
WO2013005155A3 (en) | 2015-08-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |