KR20140038936A - 화학 기상 증착 시스템을 위한 척 및 그 관련 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 동안 생성된 로드(rod)를 지지하는 웰(well)을 포함하는 척을 제공한다. 척은 로드가 성장하고 지지될 수 있는 웰 주위의 창공 및 슬랫(slat)을 사용할 수 있다.

Description

화학 기상 증착 시스템을 위한 척 및 그 관련 방법{CHUCK FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEMS AND RELATED METHODS THEREFOR}
본 발명은 반도체 물질을 생산하기 위해 사용되는 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 시스템에 관한 것이고, 이것은 대양광기전성발전 시스템(photovoltaic system)의 컴포넌트로서 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, 본 발명은 개선된 척(chuck)과, 화학 기상 증착 프로세스에 개선된 척을 포함시키는 시스템 및 방법에 관한 것이다.
문헌[Yatsurugi et al, US 4,147,814]은 균일한 단면 형상을 갖는 고순도 실리콘 로드(rod)를 제조하는 방법을 개시한다.
문헌[Gilbert et al, US 5,277,934]은 다결정 실리콘의 제조에 있어서 스타터 필라멘트(starter filament)용 흑연 척을 보호하는 방법을 개시한다.
문헌[Chandra et al, US 6,284,312　B1]은 폴리 실리콘의 화학 기상 증착을 위한 방법 및 장치를 개시하며, 모든 목적을 위해 그 내용 전부는 인용에 의해 본 명세서에 포함된다.
문헌[Gum et al, WO 2010/0008477]은 화학 기상 증착 반응기의 튜브 필라멘트를 위한 브리지 연결점 및 척을 개시한다.
본 발명은 개선된 척(chuck)과, 화학 기상 증착 프로세스에 개선된 척을 포함시키는 시스템 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 하나 이상의 양상은 화학 기상 증착 시스템에 사용될 수 있는 척에 관련될 수 있다. 척은 웰(well) 및 필라멘트(filament) 채널을 포함하는 제1 섹션을 포함할 수 있다. 또한, 척은 전극 채널을 갖는 제2 섹션을 포함할 수 있다. 본 발명의 일부 구성에서, 웰은, 웰의 저면으로부터 제1 섹션의 단부까지 원주 방향(circumferentially)으로 연장되는 복수의 슬랫(slat)에 의해 정의될 수 있다. 복수의 슬랫 각각은 창공에 의해 분리될 수 있고, 본 발명의 일부 구성에서, 각각의 창공은 적어도 일부가 인접한 슬랫의 길이를 따라 연장될 수 있다. 본 발명의 일부 구성에서, 척은 원형의 실린더형 본체를 가질 수 있다. 본 발명의 다른 일부 구성에서, 웰은 본체 내에 동심적으로(concentrically) 배치될 수 있고, 일부 경우에, 웰을 원주 방향으로 둘러싸는 벽에 의해 적어도 일부가 정의될 수 있다. 본 발명의 하나 이상의 구성에서, 척은 상기 웰 주위에 원주 방향으로 배치된 복수의 슬롯을 포함할 수 있다. 복수의 슬롯 각각은 실질적으로 웰의 길이를 따라 연장되도록 구성될 수 있다. 본 발명의 다른 구성에서, 웰, 필라멘트 채널 및 전극 채널은 척의 길이방향에 따라 동심적으로 배치될 수 있다.
본 발명의 하나 이상의 양상은 화학 기상 증착 시스템에 관한 것일 수 있다. 화학 기상 증착 장치는 원추형(frustoconical) 단면 및 제1 접촉 단면을 포함할 수 있고, 원추형 단면은 필라멘트 채널을 갖고 실린더형 형상의 웰을 동심적으로 둘러싸며, 필라멘트는 필라멘트 채널에 고정된 단부를 가질 수 있다. 실린더형 형상의 웰은 일반적으로 필라멘트 채널의 필라멘트 직경보다 큰 직경을 갖는다. 화학 기상 증착 시스템은 제2 척을 더 포함하고, 본 발명의 일부 구성에서, 제2 척은 제2 필라멘트 채널 및 제2 웰을 원주 방향으로 둘러싸는 제2 원추형 단면을 포함할 수 있다. 필라멘트는 제2 필라멘트 채널에 고정된 제2 단부를 가질 수 있다. 본 발명의 일부 구성예에서, 필라멘트는 제1 접촉 단면 및 제2 척의 제2 접촉 단면을 통해 전기적 전류 공급원에 전기적으로 연결된다. 제1 원추형 단면과 제2 원추형 단면 중 어느 하나 또는 제1 원추형 단면과 제2 원추형 단면 모두는 웰의 내부 공간을 제1 척 또는 제2 척의 외부 환경에 유체적으로(fluidly) 연결하는 복수의 창공을 각각 가질 수 있다. 복수의 창공 각각은, 원추형 단면의 길이방향 축에 평행하도록, 실질적으로 웰의 적어도 일부를 따라 연장될 수 있다.
본 발명의 하나 이상의 양상은 반도체 로드(rod)를 생산하는 방법에 관한 것일 수 있다. 반도체 로드를 생산하는 방법은, 제1 필라멘트 채널 및 실린더형 형상의 제1 웰을 동심적으로 둘러싸는 제1 원추형 단면을 갖는 제1 척을 기상 증착 반응기에 고정하는 단계, 제2 필라멘트 채널 및 실린더형 형상의 제2 웰을 동심적으로 둘러싸는 제2 원추형 단면을 갖는 제2 척을 기상 증착 반응기에 고정하는 단계, 필라멘트의 제1 단부를 제1 필라멘트 채널에 고정하고, 상기 필라멘트의 제2 단부를 제2 필라멘트 채널에 고정하는 단계, 기장 증착 반응기에 하나 이상의 반도체 전구체 화합물을 도입하는 단계, 및 필라멘트를 반응 온도에까지 가열하기 위해 필라멘트를 통해 전기 전류를 통과시켜, 하나 이상의 반도체 전구체 화합물의 적어도 일부가 가열된 필라멘트 상의 반도체로 변환하는 것을 촉진시키는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 방법의 일부 변형예에서, 제1 척은 실린더형 형상의 웰 주위에 배치된 복수의 창공을 포함할 수 있다.
본 발명으로 인해 화학 기상 증착 프로세스 동안 생성된 로드를 지지하는 웰을 갖는 척을 제공할 수 있다.
첨부된 도면은 일정한 비율로 도시된 것이 아니다. 도면에서, 다양한 도면에 도시된, 동일하거나 거의 동일한 구성요소는 유사한 부호에 의해 참조된다. 명확성을 위해, 모든 도면에서 모든 구성요소가 라벨링된 것이 아닐 수 있다.
도 1은 본 발명의 하나 이상의 양상을 구현하기 위해 사용될 수 있는 화학 기상 증착 시스템의 일부의 단면을 도시한 개략도이다.
도 2는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른 척의 사시도를 도시한 개략도이다.
도 3은 본 발명의 하나 이상의 추가적인 실시예에 따른 척의 사시도를 도시한 개략도이다.
도 4는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른, 도 3에 개략적으로 도시된 척의 길이방향의 단면을 도시한 개략도이다.
도 5는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른, 도 3에 개략적으로 도시된 척의 제1 섹션의 단부의 사시도를 도시한 개략도이다.
도 6a는 다결정 실리콘 반도체 물질을 생산하기 위해 사용되는 종래 기술인 척의 온도 프로파일(profile)을 도시한 것이다.
도 6b는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른 다결정 실리콘 반도체 물질을 생산하기 위해 사용되는 척의 온도 프로파일을 도시한 것이다.
도 7a는 다결정 실리콘 반도체 물질을 생산하기 위해 사용되는 종래 기술인 척을 도시한 것이다.
도 7b는 본 발명의 하나 이상의 양상에 따른 다결정 실리콘 반도체 물질을 생산하기 위해 사용되는 척을 도시한 것이다.
본 발명의 하나 이상의 양상은 일부 증착 조건 하에서 발생할 수 있는 팁-오버 이벤트(tip-over event)의 가능성을 감소시키거나 심지어 제거하는 화학 기상 증착 시스템에서 척을 사용하는 것을 포함한다. 본 발명은 화학 기상 증착 프로세스 동안 생성된 로드를 지지하는 웰을 갖는 척을 제공할 수 있다. 척은, 로드가 성장하고 지지될 수 있는, 웰 주위에 슬랫 및 창공을 가질 수 있다. 이에 따라 본 발명의 일부 양상은, CVD 반응기에서 생성된 로드의 팁-오버의 가능성을 감소시켜, 달리 생성되고 달리 적합한 로드가 불완전하게 성장되도록 하는 지락 사고(ground fault)를 방지하는 것에 관한 특징을 제공한다. 본 발명의 다른 양상은, 생성물이 증착되는 필라멘트 주위에 열 차폐를 제공하는 특징을 갖는 화학 기상 증착 프로세스 동안에 척을 사용하는 것을 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 하나 이상의 양상에 따라 사용될 수 있는 CVD 시스템(10)의 단면도이다. 시스템(10)은 베이스 플레이트(23) 및 벨 자(bell jar)(17)를 포함할 수 있다. 시스템(10)은 하나 이상의 가스 입구(20) 및 하나 이상의 가스 출구(21)를 더 포함할 수 있다. 전극은 일반적으로 베이스 플레이트(23)에 포함된다. 시스템(10)의 내부에 대한 가시적 관찰을 가능케 하는 하나 이상의 관찰 포트(도시되지 않음)가 사용될 수 있다. 시스템(10)은 일반적으로, 생성된 반도체 물질이 증착되는 하나 이상의 필라멘트(1)를 사용한다.
본 발명의 하나 이상의 양상은, 수직 배향된 필라멘트(1) 및 그 위에 증착된 물질에 기계적 지지를 제공하고 전극에 대한 전기적 연결성을 제공하는 하나 이상의 척(9, 9')을 포함한다. 도 2 내지 도 5에 예시적으로 도시된 바와 같이, 척(9)은 제1 섹션(123)에 웰(121)을 가질 수 있다. 또한, 척(9)은 제1 섹션(123)과 근접하거나 인접한 제2 섹션(125)을 가질 수 있다. 척(9)의 제2 섹션(125)은 전극 채널(127)을 일반적으로 갖는 접촉 섹션일 수 있다. 척(9)의 추가적인 구성은, 일반적으로 제1 섹션(123) 내에 배치되는 필라멘트 채널(129)을 더 포함할 수 있다. 예시적으로 도시된 바와 같이, 척(9)은 실질적으로 실린더 형상, 예컨대 원형 실린더형일 수 있고, 원추형(frustoconical) 제1 섹션(123) 및 원형 실린더형 제2 섹션(125)를 가질 수 있다. 추가적인 예시적 구성은, 웰(121), 필라멘트 채널(129) 및 전극 채널(127) 각각이 동심적으로 배치되고(concentrically disposed) 척(9)의 길이방향 축(131)을 따라 정렬된, 방사상으로 대칭인 척을 포함한다. 또한, 예시적으로 도시된 바와 같이, 필라멘트 채널(129)은 웰(121)의 저면(135)에 개구(133)를 포함할 수 있다. 웰이 원형 형상의 단면을 갖고 필라멘트 채널이 원형 형상의 단면을 갖는 실시예에서, 웰의 직경은 일반적으로 필라멘트 채널의 직경보다 크다. 척은 원형의 실린더형 본체를 가질 수 있고 웰은 본체 내에 동심적으로 배치된다. 일부 경우에, 웰은, 웰을 원주 방향으로(circumferentially) 둘러싸는 벽에 의해 적어도 일부가 정의될 수 있다.
본 발명의 특정 구성은, 도 4 및 도 5에 예시적으로 도시된 바와 같이, 하나 이상의 창공 또는 슬롯(137) 및 하나 이상의 슬랫(139)을 갖는 척을 포함할 수 있다. 슬랫(139)은 원주 방향으로 둘러싸서 웰(121)을 적어도 일부 정의하도록 배치될 수 있다. 하나 이상의 창공 또는 슬롯(137)은 크기가 조정되어 제1 슬랫을 다른 슬랫에서 분리하도록 구성될 수 있다. 또한, 하나 이상의 창공 또는 슬롯(137)은 크기가 조정되어, 예컨대, 웰(121)의 저면(135)부터 척(9)의 개방 단부 또는 팁까지, 웰(121)의 길이를 부분적 또는 실질적으로 따르도록 구성될 수 있다. 도 4는 슬롯(137)이 웰(121)의 길이 또는 깊이의 대략 절반의 길이를 갖는 예를 도시한 것이다. 본 발명의 추가적인 구성은 웰(121)의 내부 공간을 원주 방향으로 둘러싸는 복수의 창공 또는 슬롯(137)을 사용하는 것을 포함할 수 있다. 척은 임의의 개수의 슬랫을 갖거나 임의의 개수의 슬롯을 가질 수 있다. 바람직한 실시예는 웰(121)을 원주 방향으로 둘러싸며, 등간격으로(equispatially) 배치된 슬랫을 사용하는 것을 일반적으로 포함할 수 있다. 등간격으로 배치된 슬롯은 또한, 도 5에 도시된 바와 같이 사용될 수 있다. 또한, 임의의 하나 이상의 창공은 임의의 지오메트리(geometry)를 가질 수 있다. 바람직한 실시예는 일반적으로, 예시적으로 도시된 사각형 지오메트리와 같이, 균등한 형상 구성을 갖는 슬롯에 관련된다.
필라멘트 채널(129)은 일반적으로 필라멘트(1)의 단부를 수용하도록 구성되고 크기가 조정된다. 필라멘트 채널(129)은 필라멘트(1)의 단부의 단면 형상에 대응하는 지오메트리를 가질 수 있다. 추가적인 실시예는, 필라멘트의 단부와의 간섭 끼움(interference fit)을 제공하기 위해 크기가 조정된 테이퍼된(tapered) 영역을 갖는 필라멘트 채널을 포함할 수 있다. 따라서, 예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이, 필라멘트(1)의 제1 단부(2)는 일반적으로 척(9)의 필라멘트 채널(129)에 고정되고, 필라멘트(1)의 제2 단부(3)는 일반적으로, 이에 대응하는 필라멘트 채널에서 제2 척(9')에 고정된다.
일반적인 사용에서, 필라멘트(1)는 척(9, 9')를 통해 하나 이상의 전기적 전력 공급원(도시되지 않음)에 전기적으로 연결되고, 각각의 전극 채널(127)을 통해 각각의 전극에 전기적으로 연결된다. 시스템(10)은 일반적으로, 하나 이상의 입구(20)를 통해 하나 이상의 전구체 화합물의 하나 이상의 공급원에 유체적으로(fluidly) 연결된다. 하나 이상의 필라멘트(1)을 통해 전기적 전류가 통과하여, 열을 발생시키고 그 온도를 원하는 반응 온도까지 상승시키며, 상기 원하는 반응 온도는 다결정 실리콘 증착과 같은 반도체 물질 생산에 적합한 온도 또는 온도 범위일 수 있다. 미반응된 전구체 화합물 및 부산 화합물은 하나 이상의 출구 포트(21)를 통해 자(17) 및 플레이트(23) 내에 포함된 반응 공간으로부터 제거될 수 있다. 화학 기상 증착 프로세스는 원하는 양 만큼의 반도체 물질이 반도체 로드로서 생성되거나 성장될 때까지 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 척은 흑연과 같은 탄소, 실리콘 또는 기타 적절한 물질로 구성될 수 있다. 바람직하게, 본 발명의 일부 양상에 따른 척은 탄소 함유 화합물로부터 가공될 수 있다. 예를 들면, 비정질 탄소에 약 1,200 ℃의 온도에서 가열을 함으로써 피치(pitch)가 변환될 수 있다. 비정질 탄소 중간물의 밀도는 재베이킹(rebaking) 및 압축(compaction)에 의해 증가될 수 있다. 그 후, 비정질 탄소 본체는 결정 배향(crystallographic orientation)을 촉진시키는 온도 또는 온도 범위, 예컨대, 약 3,000 ℃의 온도에서 흑연화될 수 있다. 흑연화된 본체는 웰 및 하나 이상의 창공뿐 아니라 기타 특징을 포함하도록 가공될 수 있고, 원하는 치수로 가공될 수 있다.
본 발명의 상술한 실시예 및 기타 실시예의 기능 및 장점은 아래의 실시예로부터 더 이해될 수 있으며, 아래의 실시예는 본 발명의 하나 이상의 시스템 및 기술의 이득 및/또는 장점을 나타내고 있지만, 이것이 본 발명의 전 범위를 나타낸 것은 아니다.
[실시예 1]
본 실시예는 다결정 실리콘을 생산함에 있어 종래의 척과 비교하여 본 발명에 따른 척의 특성 대한 연구 결과를 나타낸다. 본 실시예에서는, 약 6 mm의 직경을 갖는 필라멘트가 약 20　Kg/hr 내지 약 180　Kg/hr 범위의 다양한 유속에서, 단일의 중앙 분사 노즐을 갖는 CVD 시스템에서 평가되었고, 분사 속도는 약 17 m/s 내지 약 152 m/s 범위였다. 로드의 표면 온도는 약 1,150 ℃로 설정되었다. 도 6a는 종래의 척의 온도 프로파일을 나타내고, 도 6b는 본 발명에 따른 웰을 갖는 척의 온도 프로파일을 나타낸다. 이로부터 알 수 있는 바와 같이, 도 6b의 필라멘트는 길이방향 축을 따른 온도 구배를 가질 것으로 기대되었지만, 웰의 단부에 근접한 영역은, 생성된 로드를 지지할 척으로의 성장 및 증착을 촉진시키는, 증착 온도이거나 이보다 높은 온도일 것으로 기대되었다. 이와 대조적으로, 종래의 척은, 유체 흐름 경로로부터와 같이, 로드 표면에 가해지는 힘에 의한 횡방향 변위 또는 좌굴(buckling)에 민감한, 성장 동안 생성된 로드를 지지할 기능이 부족했다.
[실시예 2]
본 실시예는, 종래의 척과 비교하여, 본 발명에 따른 척에 대한 다른 연구 결과를 나타낸다. 본 실시예에서, 다결정 실리콘의 6 개의 로드를 생성하기 위해, 각각이 약 7 mm의 직경을 갖는 6 개의 필라멘트가, 도 3에 예시적으로 도시된 바와 같은 척을 포함하는 CVD 시스템에 사용되었다. 웰이 없는 종래의 척 또한 포함되었다. CVD 시스템은 단일의 중앙 분사 노즐을 가지며, 반응물은 약 12　Kg/hr의 속도로 도입되었다. 각각의 필라멘트/로드는 약 1,050℃까지 전기적으로 가열되었다.
도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, 종래의 척(도 7a 참조)을 사용하는 로드 형성으로는, 단부 영역에서 지지되지 않는 다결정 실리콘 로드를 생성할 수 있는 반면, 본 발명의 양상에 따른 척을 사용하는 것은 지지되는 다결정 실리콘 로드(도 7b 참조)를 생성할 수 있다.
지금까지 본 발명의 일부 예시적인 실시예를 설명하였지만, 통상의 기술자에게 있어 상기 내용은 단지 설명을 위한 것이고 한정하는 것이 아니며, 단지 예로써 제시된 것임이 명백하다. 수많은 수정 및 기타 실시예들은 해당 기술 분야의 통상의 기술자의 범위 내에 있고, 본 발명의 범위 내에 있다. 특히, 본 명세서에 개시된 많은 실시예들이 방법 동작 또는 시스템 요소의 특정 조합을 포함함에도 불구하고, 동일한 목적을 이루기 위해 이러한 동작 및 요소는 다른 방식으로 결합될 수 있음이 이해되어야 한다.
해당 기술분야의 통상의 기술자는 본 명세서에서 설명된 파라미터 및 구성이 예시적이고, 실제 파라미터 및/또는 구성은 본 발명의 시스템 및 기술이 사용되는 특정 응용에 의존적일 것임을 이해할 것이다. 또한, 해당 기술분야의 통상의 기술자는, 통상적인 실험만을 사용하여, 본 발명의 특정 실시예의 균등물을 인식하거나 확인할 수 있을 것이다. 따라서, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 오로지 예로써 제시된 것이고, 첨부된 청구범위 및 그 균등물의 범위 내에서, 본 발명은 구체적으로 설명된 것과 다르게 구현될 수 있음을 이해할 것이다.
또한, 본 발명은 본 명세서에서 설명된 각각의 기능, 시스템, 서브 시스템 또는 기술, 및 본 명세서에서 설명된 기능, 시스템, 서브 시스템 또는 기술의 둘 이상의 임의의 조합에 관한 것이고, 둘 이상의 기능, 시스템, 서브 시스템 및/또는 방법의 임의의 조합은, 만일 이러한 기능, 시스템, 서브 시스템 및 기술이 상호 모순에 해당하지 않는다면, 청구범위에 포함된 본 발명의 범위 내에 있음이 이해되어야 한다. 또한, 오로지 일 실시예와 관련하여 동작, 요소 및 기능이 설명된 것은 다른 실시예에서의 유사한 역할로부터 제외하려는 의도가 아니다.
본 명세서에 사용된 바와 같이, 용어 "복수의(plurality)"는 둘 이상의 아이템 또는 컴포넌트를 나타낸다. 용어 "포함하는(comprising)", "포함하는(including)", "수반하는(carrying)", "가지는(having)", "포함하는(containing)" 및 "포함하는("involving")은, 기재된 설명 또는 청구항 등에서 개방형 종결(open-ended) 용어이고, 즉, "포함하지만 이에 한정되지는 않는"의 의미를 가진다. 따라서, 이러한 용어를 사용하는 것은 그 후에 나열된 아이템들, 그 균등물들, 및 추가적인 아이템들을 아우르기 위한 것이다. 청구항에 관련하여, "구성되는(consisting of)" 및 "필수적으로 구성되는(consisting essentially of)"의 전환 구(transitional phrase)만이 각각 폐쇄형(closed) 또는 반-폐쇄형(semi-closed) 전환 구에 해당한다. 청구항을 수정하기 위한 청구항에서의 "제1의", "제2의", "제3의" 등과 같은 서수 용어의 사용은 그 자체로 어떤 우선순위, 전후관계 또는, 방법의 동작이 수행되는 다른 순서 또는 임시 순서를 넘어선 일 청구항 요소의 순서를 함축하는 것이 아니고, 특정 명칭을 갖는 일 청구항 요소를 동일한 명칭을 갖는 (그러나 서수 용어를 사용할 수 있는) 다른 요소로부터 구별하여 청구항의 요소들을 구별하기 위해 단지 라벨로서 사용된 것이다.
1: 필라멘트 2: 제1 단부
3: 제2 단부 9, 9': 척
10: CVD 시스템 17: 벨 자
20: 가스 입구 21: 가스 출구
23: 베이스 플레이트 121: 웰
123: 제1 섹션 125: 제2 섹션
127: 전극 채널 129: 필라멘트 채널
131: 길이방향 축 133: 개구
135: 저면 137: 슬롯
139: 슬랫

Claims (15)

  1. 웰(well) 및 필라멘트(filament) 채널을 포함하는 제1 섹션; 및
    전극 채널을 갖는 제2 섹션을 포함하는 척(chuck).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 웰은, 상기 웰의 저면으로부터 상기 제1 섹션의 단부까지 원주 방향(circumferentially)으로 연장되는 복수의 슬랫(slat)에 의해 정의되는 척.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 슬랫 각각은 창공에 의해 분리되고, 각각의 창공은 적어도 일부가 인접한 슬랫의 길이를 따라 연장되는 척.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 척은 원형의 실린더형 본체를 갖고,
    상기 웰은 상기 본체 내에 동심적으로(concentrically) 배치되고, 상기 웰을 원주 방향으로 둘러싸는 벽에 의해 적어도 일부가 정의되는 척.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 웰 주위에 원주 방향으로 배치된 복수의 슬롯을 더 포함하는 척.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복수의 슬롯 각각은 실질적으로 상기 웰의 길이를 따라 연장되는 척.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 웰, 상기 필라멘트 채널 및 상기 전극 채널은 상기 척의 길이방향에 따라 동심적으로 배치된 척.
  8. 필라멘트 채널을 갖고 실린더형 형상의 웰을 동심적으로 둘러싸는 원추형(frustoconical) 단면 및 접촉 단면을 갖는 척; 및
    상기 필라멘트 채널에 고정된 단부를 갖는 필라멘트를 포함하는 화학 기상 증착 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 실린더형 형상의 웰은 상기 필라멘트 채널의 직경보다 큰 직경을 갖는 화학 기상 증착 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    제2 척을 더 포함하고,
    상기 제2 척은 접촉 단면, 필라멘트 채널 및 웰을 원주 방향으로 둘러싸는 원추형 단면을 포함하고,
    상기 필라멘트는 상기 제2 척의 상기 필라멘트 채널에 고정된 제2 단부를 갖는 화학 기상 증착 시스템.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 필라멘트는 상기 제1 및 제2 척의 상기 접촉 단면을 통해 전기적 전류 공급원에 전기적으로 연결된 화학 기상 증착 시스템.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 원추형 단면은, 상기 웰의 내부 공간을 상기 척의 외부 환경에 유체적으로(fluidly) 연결하는 복수의 창공을 갖는 화학 기상 증착 시스템.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 창공 각각은, 상기 원추형 단면의 길이방향 축에 평행하게, 실질적으로 상기 웰의 적어도 일부를 따라 연장되는 화학 기상 증착 시스템.
  14. 필라멘트 채널 및 실린더형 형상의 웰을 동심적으로 둘러싸는 원추형 단면을 갖는 제1 척을 기상 증착 반응기에 고정하는 단계;
    필라멘트 채널 및 실린더형 형상의 웰을 동심적으로 둘러싸는 원추형 단면을 갖는 제2 척을 기상 증착 반응기에 고정하는 단계;
    필라멘트의 제1 단부를 상기 제1 척의 필라멘트 채널에 고정하고, 상기 필라멘트의 제2 단부를 상기 제2 척의 필라멘트 채널에 고정하는 단계;
    상기 기장 증착 반응기에 하나 이상의 반도체 전구체 화합물을 도입하는 단계; 및
    상기 필라멘트를 반응 온도에까지 가열하기 위해 상기 필라멘트를 통해 전기 전류를 통과시켜, 상기 하나 이상의 반도체 전구체 화합물의 적어도 일부가 상기 가열된 필라멘트 상의 반도체로 변환하는 것을 촉진시키는 단계를 포함하는 반도체 로드(rod)를 생산하는 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 척은 상기 실린더형 형상의 웰 주위에 배치된 복수의 창공을 포함하는 반도체 로드를 생산하는 방법.
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