KR20140036289A - Semiconductor light emimitting device - Google Patents

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KR20140036289A
KR20140036289A KR1020140024443A KR20140024443A KR20140036289A KR 20140036289 A KR20140036289 A KR 20140036289A KR 1020140024443 A KR1020140024443 A KR 1020140024443A KR 20140024443 A KR20140024443 A KR 20140024443A KR 20140036289 A KR20140036289 A KR 20140036289A
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전수근
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주식회사 세미콘라이트
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Abstract

Disclosed is multiple semiconductor layers including; a first semiconductor device having first conductivity; a second semiconductor layer having second conductivity which is different with the first conductivity; and an active layer which is placed between the first and second semiconductor layers and produces light through re-combination of an electron and a hole. The present invention relates to a semiconductor light emitting device comprises; the multiple semiconductor layers which sequentially grow using a growth substrate; a first electrode which supplies one of the electron and the hole to the multiple semiconductor layers; a second electrode which supplies the other one of the electron and the hole to the multiple semiconductor layers; a non-conductivity reflection film which is formed on the second semiconductor layer to reflect the light from the active layer on the first semiconductor layer side of a substrate side and sequentially includes dielectric film and a distribution Bragg reflector from the second semiconductor layer side; and a transparent film which is included on the distribution Bragg reflector as a part or separation of the non-conductivity reflection film and has a refractive index lower than an effective refractive index of the distribution Bragg reflector.

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMIMITTING DEVICE}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 광 반사면을 구비하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device, and more particularly to a semiconductor light emitting device having a light reflecting surface.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The Group III nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되는 반사막으로 기능하는 전극(901,902,903) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. n형 반도체층(300)과 p형 반도체층(500)은 그 도전성을 반대로 하여 좋다. 바람직하게는, 기판(100)과 n형 반도체층(300) 사이에 버퍼층(도시 생략)이 구비된다. 이러한 구조의 칩, 즉 기판(100)의 반대 측에 전극(901,902,903) 및 전극(800) 모두가 형성되어 있고, 전극(901,902,903)이 반사막으로 기능하는 형태의 칩을 플립 칩이라 한다. 전극(901,902,903)은 반사율이 높은 전극(901; 예: Ag), 본딩을 위한 전극(903; 예: Au) 그리고 전극(901) 물질과 전극(903) 물질 사이의 확산을 방지하는 전극(902; 예: Ni)으로 이루어진다. 이러한 금속 반사막 구조는 반사율이 높고, 전류 확산에 이점을 가지지만, 금속에 의한 빛 흡수라는 단점을 가진다.FIG. 1 shows an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, an n-type semiconductor layer 300 grown on the substrate 100, an active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, electrodes 901, 902 and 903 functioning as reflective films formed on the p-type semiconductor layer 500, And an n-side bonding pad 800 formed on the exposed n-type semiconductor layer 300. The conductivity of the n-type semiconductor layer 300 and the p-type semiconductor layer 500 may be reversed. Preferably, a buffer layer (not shown) is provided between the substrate 100 and the n-type semiconductor layer 300. A chip having such a structure, that is, a chip in which both the electrodes 901, 902, 903 and the electrode 800 are formed on the opposite side of the substrate 100, and the electrodes 901, 902, 903 function as a reflection film, is called a flip chip. Electrodes 901,902 and 903 may be formed of a highly reflective electrode 901 (e.g., Ag), an electrode 903 (e.g., Au) for bonding, and an electrode 902 (not shown) to prevent diffusion between the electrode 901 material and the electrode 903 material. For example, Ni). Such a metal reflection film structure has a high reflectance and an advantage of current diffusion, but has a disadvantage of light absorption by a metal.

도 2는 일본 공개특허공보 제2006-120913호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며, 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 도전막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다. 이러한 구성에 의하면, 금속 반사막(904)에 의한 빛 흡수를 감소하지만, 전극(901,902,903)을 이용하는 것보다 상대적으로 전류 확산이 원활치 못한 단점이 있다.The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200 grown on the substrate 100, a buffer layer 200, a buffer layer 200 formed on the substrate 100, An active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, and a p-type semiconductor layer 500 grown on the n- A p-side bonding pad 700 formed on the transparent conductive film 600, and an n-side bonding pad (not shown) formed on the n-type semiconductor layer 300 exposed by etching 800). A DBR (Distributed Bragg Reflector) 900 and a metal reflection film 904 are provided on the transmissive conductive film 600. According to this structure, although the absorption of light by the metal reflection film 904 is reduced, the current diffusion is less smooth than that using the electrodes 901, 902, and 903.

도 18은 일본 공개특허공보 제2009-164423호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 복수의 반도체층(300,400,500)에 분포 브래그 리플렉터(900)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있으며, 그 대향하는 측에 형광체(1000)가 구비되어 있고, 금속 반사막(904)과 n측 본딩 패드(800)가 외부 전극(1100,1200)과 전기적으로 연결되어 있다. 외부 전극(1100,1200)은 패키지의 리드 프레임이거나 COB(Chip on Board) 또는 PCB(Printed Circuit Board)에 구비된 전기 패턴일 수 있다. 형광체(1000)는 컨포멀(conformal)하게 코팅될 수 있으며, 에폭시 수지에 혼합되어 외부 전극(1100,1200)을 덮는 형태여도 좋다. 형광체(1000)는 활성층(400)에서 발생된 빛을 흡수하여, 이보다 긴 파장 또는 짧은 파장의 빛으로 변환하는데, 사용된다.18 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-164423. The Bragg reflector 900 and the metal reflection film 904 are provided on a plurality of semiconductor layers 300, 400 and 500, And the metal reflection film 904 and the n-side bonding pad 800 are electrically connected to the external electrodes 1100 and 1200. In addition, The external electrodes 1100 and 1200 may be a lead frame of the package, or an electric pattern provided on a COB (Chip on Board) or a PCB (Printed Circuit Board). The phosphor 1000 may be conformally coated, or it may be mixed with an epoxy resin to cover the external electrodes 1100 and 1200. The phosphor 1000 is used for absorbing light generated in the active layer 400 and converting the light into light having a longer wavelength or shorter wavelength.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;으로서, 성장 기판을 이용해 순차로 성장되는 복수의 반도체층; 복수의 반도체층에 전자와 정공 중의 하나를 공급하는 제1 전극; 복수의 반도체층에 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하는 제2 전극; 활성층으로부터의 빛을 성장 기판 측인 제1 반도체층 측으로 반사하도록 제2 반도체층 위에 형성되며, 제2 반도체층 측으로부터 유전체 막과 분포 브래그 리플렉터를 순차로 구비하는 비도전성 반사막; 그리고, 비도전성 반사막의 일부로서 또는 별개로서, 분포 브래그 리플렉터 위에 구비되며, 분포 브래그 리플렉터의 유효 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지는 투광성 막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor device comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; A plurality of semiconductor layers interposed between the first and second semiconductor layers and having an active layer that generates light through recombination of electrons and holes, the plurality of semiconductor layers being sequentially grown using a growth substrate; A first electrode for supplying one of electrons and holes to the plurality of semiconductor layers; A second electrode for supplying the remaining one of electrons and holes to the plurality of semiconductor layers; A nonconductive reflective film formed on the second semiconductor layer so as to reflect light from the active layer toward the first semiconductor layer side on the growth substrate side and having a dielectric film and a distributed Bragg reflector sequentially from the second semiconductor layer side; And a light-transmissive film provided on the distributed Bragg reflector as a part of or separately from the non-conductive reflective film and having a refractive index lower than an effective refractive index of the distributed Bragg reflector.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 일본 공개특허공보 제2006-120913호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3 내지 도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 9 및 도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 13은 도 12의 A-A'라인을 따른 단면도,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 17은 전기적 연결이 형성된 영역을 확대한 도면,
도 18은 일본 공개특허공보 제2009-164423호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 19 및 도 20은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 21 내지 도 23은 도 19에 도시된 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 24는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 25는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 26은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 27은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 28은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 29는 도 7에 도시된 반도체 발광소자에서 유전체 막, 분포 브래그 리플렉터, 그리고 전극의 관계를 나타내는 도면,
도 30은 도 7에 도시된 반도체 발광소자에서 광 웨이브가이드를 도입한 유전체 막, 분포 브래그 리플렉터, 그리고 전극의 관계를 나타내는 도면,
도 31은 도 30에 설명된 광 웨이브가이드가 도입된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면.1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device shown in US Patent No. 7,262,436,
2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-120913,
3 to 5 are views showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
7 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
8 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 and 10 are views showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
11 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
12 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
13 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 12,
14 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
15 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
16 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
17 is an enlarged view of an area where an electrical connection is formed,
18 is a view showing an example of a semiconductor light emitting element disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-164423,
19 and 20 are views showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
Figs. 21 to 23 are views showing an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device shown in Fig. 19,
24 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
25 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
26 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
27 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
28 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
FIG. 29 is a view showing a relationship between a dielectric film, a distributed Bragg reflector, and electrodes in the semiconductor light emitting device shown in FIG. 7;
30 is a view showing a relationship between a dielectric film, a distributed Bragg reflector, and electrodes in which a waveguide is introduced in the semiconductor light emitting device shown in FIG. 7;
31 is a view showing an example of a semiconductor light emitting element into which the optical waveguide described in Fig. 30 is introduced; Fig.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing (s).

도 3 내지 도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 3은 도 4의 A-A 라인을 따라 취한 단면도이다. 도 5는 도 4의 B-B 라인을 따라 취한 단면도이다. 도 4에는 설명을 위해 비도전성 반사막(91)과 전극(92)이 도시되어 있지 않다.3 to 5 are views showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and Fig. 3 is a sectional view taken along line A-A of Fig. 5 is a cross-sectional view taken along the line B-B in Fig. In Fig. 4, the non-conductive reflective film 91 and the electrode 92 are not shown for the sake of explanation.

반도체 발광소자는 기판(10), 기판(10)에 성장되는 버퍼층(20), 버퍼층(20)위에 성장되는 n형 반도체층(30), n형 반도체층(30) 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 활성층(40) 위에 성장되는 p형 반도체층(50)을 구비한다. 기판(10)으로 주로 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 기판(10)은 최종적으로 제거될 수 있고, 버퍼층(20)은 생략될 수 있다. 기판(10)이 제거되거나 도전성을 가지는 경우에 전극(80)은 기판(10)이 제거된 n형 반도체층(30) 측 또는 도전성 기판(10) 측에 형성될 수 있다. n형 반도체층(30)과 p형 반도체층(50)은 그 위치가 바뀔 수 있으며, 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서 주로 GaN으로 이루어진다. 각각의 반도체층(20,30,40,50)이 다층으로 구성될 수 있으며, 추가의 층이 구비될 수도 있다. 또한 n형 반도체층(30)으로 전자를 공급하는 전극(80) 및 p형 반도체층(50)으로 정공을 공급하는 전극(92)이 구비된다. n형 반도체층(30) 내로 뻗어 있는 가지 전극(81)이 전극(80)의 일부를 형성한다. 전극(80)은 별도의 범프를 이용하여 패키지와 결합할 정도의 높이를 가져도 좋고, 도 2에서와 같이 자체가 패키지와 결합될 정도의 높이로 증착되어도 좋다. 활성층(40)으로부터의 빛을, 성장에 사용되는 기판(10) 측 또는 기판(10)이 제거된 경우에 n형 반도체층(30) 측으로 반사하도록 p형 반도체층(50) 위에 비도전성 반사막(91)이 구비된다. 비도전성 반사막(91)은 식각되어 노출된 n형 반도체층(30) 및 전극(80) 일부의 위에 형성될 수 있다. 비도전성 반사막(91)이 기판(10) 반대 측의 반도체층(30,50) 위의 모든 영역을 반드시 덮어야 하는 것은 아니라는 점을 당업자는 염두에 두어야 한다. 비도전성 반사막(91)은 반사막으로 기능하되, 빛의 흡수를 방지하도록 투광성 물질로 구성되는 것이 바람직하며, 예를 들어, SiOx, TiOx, Ta2O5, MgF2와 같은 투광성 유전체 물질로 구성될 수 있다. 비도전성 반사막(91)이 SiOx로 이루어지는 경우에, p형 반도체층(50; 예: GaN)에 비해 낮은 굴절률을 가지므로, 임계각 이상의 빛을 반도체층(30,40,50) 측으로 일부 반사시킬 수 있게 된다. 한편, 비도전성 반사막(91)이 분포 브래그 리플렉터(DBR: Distributed Bragg Reflector; 예: SiO2와 TiO2의 조합으로 된 DBR)로 이루어지는 경우에, 보다 많은 양의 빛을 반도체층(30,40,50) 측으로 반사시킬 수 있게 된다. 도 7에는, 비도전성 반사막(91)이 분포 브래그 리플렉터(91a)와 p형 반도체층(50)보다 낮은 굴절률을 가지는 유전체 막(91b)으로 된 이중 구조를 가진다. 정밀성을 요하는 분포 브래그 리플렉터(91a)의 증착에 앞서, 일정 두께의 유전체 막(91b)을 형성함으로써, 반도체층(30,40,50) 위에 존재하는 이질적이면서 이형(異形)을 가지는 증착물(50,60,80,81,93)에도 불구하고, 분포 브래그 리플렉터(91a)를 안정적으로 제조할 수 있게 되며, 빛의 반사에도 도움을 줄 수 있다. 유전체 막(91b)의 경우에 물질은 SiO2가 적당하며, 그 두께는 0.2um ~ 1.0um가 적당하다. 분포 브래그 리플렉터(91a)의 경우에 TiO2/SiO2로 구성되는 경우 각 층은 주어진 파장의 1/4의 광학 두께를 가지도록 설계되며, 그 조합의 수는 4 ~ 20 페어(pairs)가 적합하다. 또한 가지 전극(93)의 높이는 0.5um ~ 4.0um가 적당하다. 너무 얇은 두께의 경우 동작전압의 상승을 야기하며, 너무 두꺼운 가지 전극은 공정의 안정성과 재료비 상승을 야기할 수 있기 때문이다. 전극(92)은 활성층(30)으로부터의 빛을, 기판(10) 측 또는 n형 반도체층(30) 측으로 반사하는데 일조한다는 관점에서 p형 반도체층(50) 위에서 비도전성 반사막(91)의 전부 또는 거의 대부분을 덮는 도전성 반사막인 것이 바람직하다. 이때 반사율이 높은 Al, Ag와 같은 금속이 사용될 수 있다. 비도전성 반사막(91)과 p형 반도체층(50) 사이에는 전극(92)으로부터 p형 반도체층(50)으로 전류 공급(엄밀하게는 정공의 공급)을 위해 길게 뻗어 있는 가지 전극(93)이 구비되어 있다. 가지 전극(93)을 도입함으로써, 도 1에 제시된 플립 칩과 도 2에 제시된 플립 칩의 문제점을 모두 개선한 플립 칩을 구현할 수 있는 기초가 마련된다. 비도전성 반사막(91)을 개재한 전극(92)과 가지 전극(93)의 전기적 연통을 위해, 수직 방향으로 비도전성 반사막(91)을 관통한 전기적 연결(94)이 마련되어 있다. 가지 전극(93)이 없다면, 많은 수의 전기적 연결(94)을 형성하여 p형 반도체층(50)의 거의 전면에 마련된 투광성 도전막(60)에 직접 연결해야 하지만, 이 경우에, 전극(92)과 투광성 도전막(60) 사이에 좋은 전기적 접촉을 형성하기가 쉽지 않을 뿐만 아니라, 제조 공정상 많은 문제점을 야기한다. 본 개시는 가지 전극(93)을 비도전성 반사막(91) 및 전극(92)의 형성에 앞서, p형 반도체층(50) 또는 바람직하게는 투광성 도전막(60) 위에 형성하고, 열처리함으로써, 양자 간에 안정적인 전기적 접촉을 만들어낼 수 있게 된다. 또한, 전극(92)의 재질로 반사율이 좋은 Al, Ag 등이 적합하지만, 안정적 전기적 접촉에는 Cr, Ti, Ni 또는 이들의 합급 등의 물질이 적합하며, 따라서 가지 전극(93)을 도입함으로써, 필요한 설계 사양에 대응하는 것이 보다 용이해지게 된다. 당업자는 가지 전극(93)에도 반사율이 좋은 Al, Ag 등을 사용할 수 있음을 염두에 두어야 한다. 전술한 바와 같이, 바람직하게는 투광성 도전막(60)이 구비된다. 특히 p형 GaN의 경우에 전류 확산 능력이 떨어지며, p형 반도체층(50)이 GaN으로 이루어지는 경우에, 대부분 투광성 도전막(60)의 도움을 받아야 한다. 예를 들어, ITO, Ni/Au와 같은 물질이 투광성 도전막(60)으로 사용될 수 있다. 가지 전극(93)의 높이가 전극(92)에까지 이르는 경우에는 가지 전극(93) 자체가 전기적 연결(94)을 형성한다. 전극(92)을 도 2의 p측 본딩 패드(700)와 같은 방식으로 구성하는 것을 배제할 필요는 없으나, p측 본딩 패드(700)에 의해 빛이 흡수되고, 비도전성 반사막(91)의 면적이 줄어드는 등 바람직하다고 할 수 없다. 당업자는 바람직하지는 않더라도 전극(92)이 칩의 제조 이후 패키지 레벨에서 장착면에 의해 구성될 수 있음을 배제하여서는 안 된다. 여기까지의 구성요소들로 본 개시에 따른 반도체 발광소자가 구성될 수 있음을 밝혀 둔다. 그러나 가지 전극(93) 자체에서도 활성층(40)에서 생성된 빛의 흡수가 일부 있으므로, 바람직하게는 이를 방지하기 위하여, 가지 전극(93) 아래에 광 흡수 방지막(95)이 구비된다. 광 흡수 방지막(95)은 활성층(40)에서 발생된 빛의 일부 또는 전부를 반사하는 기능만을 가져도 좋고, 가지 전극(93)으로부터의 전류가 가지 전극(93)의 바로 아래로 흐르지 못하도록 하는 기능만을 가져도 좋고, 양자의 기능을 모두 가져도 좋다. 이들의 기능을 위해, 광 흡수 방지막(95)은 p형 반도체층(50)보다 굴절률이 낮은 투광성 물질로 된 단일층(예: SiO2) 또는 다층막(예: Si02/TiO2/SiO2) 또는 분포 브래그 리플렉터 또는 단일층과 분포 브래그 리플렉터의 결합 등으로 이루어질 수 있다. 또한 광 흡수 방지막(95)은 비도전성 물질(예: SiOx, TiOx와 같은 유전체막)로 이루어질 수 있다. 따라서, 광 흡수 방지막(95)이 반드시 투광성 물질로 구성될 필요는 없으며, 또한 반드시 비도전성 물질로 구성될 필요도 없다. 다만 투광성 유전체막을 이용함으로써, 보다 그 효과를 높일 수 있게 된다.The semiconductor light emitting device is grown on the substrate 10, the buffer layer 20 grown on the substrate 10, the n-type semiconductor layer 30 grown on the buffer layer 20, and the n-type semiconductor layer 30, An active layer 40 that generates light through recombination, and a p-type semiconductor layer 50 that is grown on the active layer 40. The substrate 10 is mainly made of sapphire, SiC, Si, GaN or the like, and the substrate 10 can be finally removed, and the buffer layer 20 can be omitted. The electrode 80 may be formed on the side of the n-type semiconductor layer 30 from which the substrate 10 is removed or on the side of the conductive substrate 10 when the substrate 10 is removed or has conductivity. The positions of the n-type semiconductor layer 30 and the p-type semiconductor layer 50 can be changed, and they are mainly composed of GaN in the III-nitride semiconductor light emitting device. Each semiconductor layer 20, 30, 40, 50 may be composed of multiple layers, and additional layers may be provided. An electrode 80 for supplying electrons to the n-type semiconductor layer 30 and an electrode 92 for supplying holes to the p-type semiconductor layer 50 are provided. A branch electrode 81 extending into the n-type semiconductor layer 30 forms a part of the electrode 80. [ The electrode 80 may have a height enough to be coupled to the package by using a separate bump, or may be deposited to a height sufficient to couple itself to the package as shown in FIG. The non-conductive reflective film (not shown) is formed on the p-type semiconductor layer 50 so that light from the active layer 40 is reflected toward the substrate 10 used for growth or toward the n-type semiconductor layer 30 when the substrate 10 is removed 91 are provided. The non-conductive reflective film 91 may be formed on a portion of the n-type semiconductor layer 30 and the electrode 80 which are etched and exposed. It should be borne in mind by those skilled in the art that the non-conductive reflective film 91 does not necessarily cover all the regions on the semiconductor layers 30 and 50 on the opposite side of the substrate 10. [ Non-conductive reflective film 91, but functions as a reflection film, and preferably made of a translucent material so as to prevent the absorption of light, for example, a translucent dielectric material such as SiO x, TiO x, Ta 2 O 5, MgF 2 Lt; / RTI > The non-conductive reflective film 91 has a lower refractive index than that of the p-type semiconductor layer 50 (e.g., GaN) in the case where the non-conductive reflective film 91 is made of SiO x , so that light of a critical angle or more is partially reflected toward the semiconductor layers 30, 40, . On the other hand, when the non-conductive reflective film 91 is made of a distributed Bragg reflector (DBR, for example, a combination of SiO 2 and TiO 2 ), a larger amount of light is transmitted through the semiconductor layers 30, 50) side. 7 shows a dual structure in which the non-conductive reflective film 91 is composed of the distributed Bragg reflector 91a and the dielectric film 91b having a refractive index lower than that of the p-type semiconductor layer 50. [ A dielectric film 91b having a certain thickness is formed prior to the deposition of the distribution Bragg reflector 91a requiring precision so that the deposition material 50 having a heterogeneous and irregular shape existing on the semiconductor layers 30, , 60, 80, 81, and 93), it is possible to stably manufacture the distributed Bragg reflector 91a, and also to help reflect light. In the case of the dielectric film 91b, SiO 2 is suitable as the material, and the thickness is suitably from 0.2 탆 to 1.0 탆. In the case of the distributed Bragg reflector 91a, when composed of TiO 2 / SiO 2 , each layer is designed to have an optical thickness of 1/4 of a given wavelength, the number of which is 4 to 20 pairs Do. The height of the branch electrode 93 is suitably 0.5 um to 4.0 um. Too thin a thickness causes an increase in the operating voltage, while an excessively thick branch electrode can cause process stability and material cost increase. The electrode 92 is formed on the p-type semiconductor layer 50 in such a manner that the whole of the nonconductive reflective film 91 is formed on the p-type semiconductor layer 50 from the viewpoint of helping to reflect light from the active layer 30 toward the substrate 10 side or the n- Or a conductive reflective film covering almost the whole area. At this time, metals such as Al and Ag having high reflectance may be used. A branched electrode 93 extending from the electrode 92 to the p-type semiconductor layer 50 for supplying current (strictly supplying holes) is provided between the non-conductive reflective film 91 and the p-type semiconductor layer 50 Respectively. By introducing the branch electrodes 93, a foundation is provided for implementing the flip chip shown in Fig. 1 and the flip chip improved in both of the problems of the flip chip shown in Fig. An electrical connection 94 penetrating the non-conductive reflective film 91 in the vertical direction is provided for electrically communicating the electrode 92 with the non-conductive reflective film 91 and the branched electrode 93. A large number of electrical connections 94 should be formed and directly connected to the transmissive conductive film 60 provided on substantially the entire surface of the p-type semiconductor layer 50. In this case, the electrode 92 ) And the light-transmitting conductive film 60, as well as causing many problems in the manufacturing process. The present disclosure is characterized in that branch electrodes 93 are formed on a p-type semiconductor layer 50 or preferably a light-transmitting conductive film 60 prior to the formation of the non-conductive reflective film 91 and the electrode 92, So that stable electrical contact can be made between the electrodes. Al, Ag or the like having a good reflectivity is suitable as the material of the electrode 92, but materials such as Cr, Ti, Ni, or their alloys are suitable for stable electrical contact. Therefore, by introducing the branch electrode 93, It becomes easier to cope with necessary design specifications. Those skilled in the art should bear in mind that Al, Ag or the like having good reflectivity may also be used for the branch electrode 93. [ As described above, a light-transmitting conductive film 60 is preferably provided. In particular, in the case of p-type GaN, the current diffusion ability is lowered. When the p-type semiconductor layer 50 is made of GaN, most of the light-transmitting conductive film 60 should be supported. For example, a material such as ITO or Ni / Au may be used as the transparent conductive film 60. When the height of the branch electrode 93 reaches the electrode 92, the branch electrode 93 itself forms an electrical connection 94. It is not necessary to exclude that the electrode 92 is formed in the same manner as the p-side bonding pad 700 of FIG. 2, but light is absorbed by the p-side bonding pad 700 and the area of the non- Is not desirable. Those skilled in the art should not exclude that electrode 92 may be constructed by the mounting surface at the package level after fabrication of the chip, although this is not preferred. It is noted that the semiconductor light emitting device according to the present disclosure can be constituted by the constituent elements so far. However, since the branched electrode 93 itself absorbs light generated in the active layer 40, a light absorption prevention film 95 is preferably provided under the branched electrode 93 in order to prevent this. The light absorption prevention film 95 may have a function of reflecting a part or all of the light generated in the active layer 40 and may have a function of preventing a current from the branch electrode 93 from flowing directly below the branch electrode 93 Or may have both functions. For these functions, the light absorbing film 95 is a single layer of a p-type semiconductor layer 50 than the light-transmitting material having a lower refractive index (for example: SiO 2) or a multilayer film (for example: Si0 2 / TiO 2 / SiO 2) Or a combination of a distributed Bragg reflector or a single layer and a distributed Bragg reflector. The light absorption preventing film 95 may be made of a non-conductive material (for example, a dielectric film such as SiO x or TiO x ). Therefore, the light absorption preventing film 95 does not necessarily have to be made of a light-transmissive material, and it is not necessarily composed of a non-conductive substance. However, by using a translucent dielectric film, the effect can be further enhanced.

도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 투광성 도전막(60)에 비도전성 반사막(91)이 p형 반도체층(50)과 접하도록 개구(96)가 구비되어 있다. 개구(96)는 복수의 섬 형태, 띠 형태 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 투광성 도전막(60)으로 가장 일반적인 ITO의 경우에도 활성층(40)에서 발생한 빛의 일부를 흡수하므로, 개구(96)를 형성함으로써 투광성 도전막(60)에 의한 빛의 흡수를 줄일 수 있게 된다. 이때 p형 반도체층(50) 전체로의 부족한 전류 확산은 가지 전극(93)에 의해 보완될 수 있다. 미설명 동일부호에 대한 설명은 생략한다.6 shows another example of the semiconductor light emitting device according to the present invention in which an opening 96 is provided in the light transmitting conductive film 60 such that the nonconductive reflecting film 91 is in contact with the p-type semiconductor layer 50 . The opening 96 may have various shapes such as a plurality of island shapes, a band shape, and the like. Absorbing part of the light generated in the active layer 40 is absorbed even in the case of ITO most commonly used as the translucent conductive film 60. As a result of forming the opening 96, absorption of light by the translucent conductive film 60 can be reduced. At this time, insufficient current diffusion into the p-type semiconductor layer 50 can be compensated for by the branch electrode 93. [ The description of the same reference numerals will be omitted.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 기판(10), 버퍼층(20) 및 n형 반도체층(30)을 관통하여 전기적 연결(82)이 마련되어 있으며, 기판(10)에 전극(83)이 마련되어 있다. 이러한 구성을 통해 기판(10) 반대 측의 복수의 반도체층(30,50) 전체에 비도전성 반사막(91) 및 전극(92)을 형성할 수 있게 된다.8 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present invention. The semiconductor light emitting device according to the present embodiment is provided with an electrical connection 82 penetrating the substrate 10, the buffer layer 20 and the n-type semiconductor layer 30, 10 are provided with an electrode 83. The nonconductive reflective film 91 and the electrodes 92 can be formed on the entirety of the plurality of semiconductor layers 30 and 50 on the opposite side of the substrate 10. [

도 9 및 도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 투광성 도전막(60)이 제거되어 가지 전극(93)이 직접 광 흡수 방지막(95)과 접촉하는 구조를 제시하고 있다.9 and 10 show another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure in which the transmissive conductive film 60 is removed and the branch electrode 93 directly contacts the light absorption prevention film 95 .

도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 5와 달리 광 흡수 방지막(95)이 구비되어 있지 않다.11 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, unlike FIG. 5, the light absorption preventing film 95 is not provided.

도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면이고, 도 13은 도 12의 A-A'라인을 따른 단면도이다. 이 실시예의 첫 번째 특징은 p형 반도체층(50) 상의 가지 전극(93)이 서로 분리되어 있으며, 각각의 전기적 연결(94)을 통한 다음, 전극(92)에 의해 서로 연결되어 있다. 전극(92)은 가지 전극(93)에 전류를 공급하는 역할, 빛을 반사하는 기능, 방열 기능 및/또는 소자와 외부를 연결하는 기능을 가진다. 가지 전극(93) 모두가 분리되어 있는 것이 가장 바람직하지만, 둘 이상의 가지 전극(93)이 분리됨으로써, 가지 전극(93)을 서로 연결하는 가지 부분을 제거함으로써, 소자 상부에서 높이가 불균일하게 되는 것을 감소시킬 수 있게 된다. 이 실시예의 두 번째 특징은 가지 전극(93)이 소자의 일 측면(C) 방향을 따라 길게 뻗어 있다는 것이다. 예를 들어, 도 12에서, 전극(92) 측으로부터 전극(80)을 향하여 길게 뻗어 있다. 이렇게 길게 뻗어 있는 가지 전극(93)에 의해 소자가 뒤집혀 탑재부(예: 서브마운트, 패키지, COB(Chip on Board))에 놓였을 때, 기울어짐 없이 놓이게 할 수 있다. 이러한 관점에 소자의 구성이 허락하는 한 가지 전극(93)을 길게 하는 것이 바람직하다. 본 개시에서, 가지 전극(93)이 비도전성 반사막(91)의 아래 놓이므로, 전극(80)을 지나서 길게 뻗는 것도 가능하다. 이 실시예의 세 번째 특징은 전극(80)이 비도전성 반사막(91) 위에 위치하는 것이다. 전극(80)은 전기적 연결(82)을 통해 가지 전극(81)과 연결된다. 전극(80)은 전극(92)과 동일한 기능을 가진다. 이러한 구성을 통해, 도 3과 비교할 때, 전극(80)이 위치하는 측의 높이가 높아져, 소자를 탑재부와 결합 때, 전극(92) 측과 전극(80) 측의 높이 차가 감소하여, 결합에 이점을 가지게 되며, 이러한 이점은 유테틱 본딩을 이용하는 경우에, 특히 커진다. 이 실시예의 네 번째 특징은 가지 전극(81)을 가지 전극(93)과 마찬가지의 방식으로 배치할 수 있다는 것이다. 이 실시예의 다섯 번째 특징은 보조 방열 패드(97)를 구비하는 것이다. 보조 방열 패드(97)는 소자 내의 열을 외부로 방출하는 기능 및/또는 빛의 반사 기능을 가지는 한편, 전극(92) 및/또는 전극(80)과 전기적으로 분리됨으로써, 전극(92)과 전극(80) 간의 전기적 접촉을 방지하는 기능을 한다. 보조 방열 패드(93)가 본딩에 이용되어도 좋다. 특히, 전극(92) 및 전극(80) 모두와 전기적으로 분리되어 있는 경우에, 전극(92) 및 전극(80) 중 어느 한쪽과 보조 방열 패드(93)가 우발적으로 전기적으로 접촉되더라도, 소자 전체의 전기적 동작에는 문제를 야기하기 않는다. 이 실시예가 위 다섯 특징 모두를 구비해야 하는 것은 아님을 당업자는 염두에 두어야 한다. 12 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and Fig. 13 is a sectional view taken along line A-A 'of Fig. The first feature of this embodiment is that the branch electrodes 93 on the p-type semiconductor layer 50 are separated from each other and are connected to each other by the electrodes 92 through the respective electrical connections 94. The electrode 92 has a role of supplying a current to the branch electrode 93, a function of reflecting light, a function of dissipating heat, and a function of connecting the element and the outside. It is most preferable that all of the branch electrodes 93 are separated from each other. However, since two or more branch electrodes 93 are separated, branch portions connecting the branch electrodes 93 are removed, . The second feature of this embodiment is that the branch electrode 93 is elongated along one side (C) direction of the device. For example, in FIG. 12, the electrode 92 extends long toward the electrode 80. When the device is turned upside down by the elongate branch electrodes 93 and placed on a mounting portion (e.g., submount, package, COB (Chip on Board)), it can be placed without tilting. In view of this, it is preferable to lengthen one electrode 93 that the configuration of the element allows. In this disclosure, since the branch electrode 93 is placed under the non-conductive reflective film 91, it is also possible to extend long beyond the electrode 80. [ A third feature of this embodiment is that the electrode 80 is located on the non-conductive reflective film 91. [ The electrode 80 is connected to the branch electrode 81 through an electrical connection 82. The electrode 80 has the same function as the electrode 92. 3, the height of the side where the electrode 80 is located becomes higher, so that the height difference between the electrode 92 side and the electrode 80 side is reduced when the element is coupled with the mount portion, And this advantage is particularly large when using eutectic bonding. The fourth characteristic of this embodiment is that the branch electrode 81 can be arranged in the same manner as the branch electrode 93. [ The fifth feature of this embodiment is that the auxiliary heat-radiating pad 97 is provided. The auxiliary heat sink pad 97 has a function of emitting heat to the outside and / or a function of reflecting light, and is electrically separated from the electrode 92 and / or the electrode 80, (80). The auxiliary heat radiating pad 93 may be used for bonding. Particularly, in the case where the electrode 92 and the electrode 80 are electrically separated from each other, even if the electrode 92 and the electrode 80 are accidentally brought into electrical contact with the auxiliary radiating pad 93, There is no problem in the electrical operation of the battery. It should be borne in mind by those skilled in the art that this embodiment does not have to have all of the above five features.

도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 전극(92)과 전극(80) 사이에, 보조 방열 패드(121,122,123,124)의 예들이 도시되어 있다. 바람직하게는 보조 방열 패드(121,122,123,124)가 가지 전극(92) 사이 또는 가지 전극(92)과 가지 전극(81) 사이에 위치한다. 보조 방열 패드(121,122,123,124)를 가지 전극(92) 위에 형성하지 않음으로써, 본딩(예: 유테틱 본딩) 시에, 소자 전면이 탑재부와 잘 붙을 수 있게 되어, 소자의 열방출을 돕게 된다. 보조 방열 패드(121)와 보조 방열 패드(122)는 전극(92)과 전극(80)으로부터 분리되어 있고, 보조 방열 패드(123)는 전극(92)과 연결되어 있으며, 보조 방열 패드(124)는 전극(80)과 연결되어 있다.14 shows another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which examples of the auxiliary heat radiation pads 121, 122, 123, and 124 are shown between the electrode 92 and the electrode 80. FIG. Preferably the auxiliary radiator pads 121, 122, 123 and 124 are located between the branch electrodes 92 or between the branch electrodes 92 and the branch electrodes 81. Since the auxiliary heat radiating pads 121, 122, 123 and 124 are not formed on the branched electrodes 92, the entire surface of the element can be adhered to the mounting portion at a time of bonding (e.g., eutectic bonding). The auxiliary heat sink pad 121 and the auxiliary heat sink pad 122 are separated from the electrode 92 and the electrode 80. The auxiliary heat sink pad 123 is connected to the electrode 92, Is connected to the electrode (80).

도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 가지 전극(93)이 전극(80)의 아래에 까지(참고선(B)를 지나서) 뻗어 있다. p형 반도체층(50) 상에 가지 전극(93)을 도입함으로써, 플립 칩을 구성함에 있어서, 제약 없이 요구되는 소자 영역에 전류를 공급할 수 있게 된다. 두 개의 전기적 연결이(94,94)이 구비되어 있으며, 전류 확산에 요구되는 조건에 따라 필요한 곳에 전기적 연결(94)을 위치시킬 수 있다. 좌측의 전기적 연결(94)이 생략되어도 좋다. 전극(92)이 보조 방열 패드(97; 도 12 참조)의 기능을 겸하고 있다. 가지 전극(93)이 없는 경우에라도, 투광성 도전막(60)에 전기적 연결(94)을 직접 연결하여, 전류를 공급할 수 있으나, 전극(80) 아래의 p형 반도체(50)에는 직접 전류를 공급할 수 없으며, 가지 전극(93)을 도입함으로써, n형 반도체층(30)에 전류를 공급하는 전극(80) 아래로도 전류를 공급할 수 있게 된다. 전기적 연결(82)의 경우에도 마찬가지다.15 shows another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which a branch electrode 93 extends under the electrode 80 (beyond the reference line B). By introducing the branched electrodes 93 on the p-type semiconductor layer 50, current can be supplied to the required element region without restriction in the construction of the flip chip. Two electrical connections 94 and 94 are provided and the electrical connection 94 can be positioned where it is needed according to the requirements for current spreading. The left electrical connection 94 may be omitted. The electrode 92 also serves as an auxiliary heat radiating pad 97 (see FIG. 12). The current can be supplied by directly connecting the electrical connection 94 to the transmissive conductive film 60 even when there is no branched electrode 93. However, By introducing the branched electrode 93, it becomes possible to supply current even under the electrode 80 that supplies current to the n-type semiconductor layer 30. This also applies to the case of the electrical connection 82.

도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 비도전성 반사막(91)이 다층의 유전체 막(91c,91d,91e)으로 되어 있다. 예를 들어, 비도전성 반사막(91)을 SiO2로 된 유전체 막(91c), TiO2로 된 유전체 막(91d) 및 SiO2로 된 유전체 막(91e)으로 구성하여 반사막의 역할을 할 수 있다. 바람직하게는 비도전성 반사막(91)이 DBR 구조를 포함하도록 형성된다. 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 형성함에 있어서, 가지 전극(93) 또는 가지 전극(81)과 같은 구조물을 필요로 하고, 비도전성 반사막(91)을 형성한 후에도 전기적 연결(94) 또는 전기적 연결(82)을 형성하는 공정을 필요로 하므로, 반도체 발광소자의 제조 후에, 누설 전류의 발생 등, 소자 신뢰성에 영향을 줄 수 있으므로, SiO2로 된 유전체 막(91c)을 형성함에 있어서, 특히 주의를 할 필요가 있다. 이를 위해, 첫째로, 유전체 막(91c)의 두께를 그 뒤에 후속하는 유전체 막(91d,91e)의 두께보다 두껍게 형성할 필요가 있다. 둘째로, 유전체 막(91c)을 소자 신뢰성 확보에 보다 적합한 방법으로 형성할 필요가 있다. 예를 들어, SiO2로 된 유전체 막(91c)을 화학 기상 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 그 중에서도(바람직하게는) 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD; Plasma Enhanced CVD)에 의해 형성하고, TiO2/SiO2 DBR로 된 유전체 막(91d)/유전체 막(91e) 반복 적층 구조를 물리 증착법(PVD; Physical Vapor Deposition), 그 중에서도(바람직하게는) 전자선 증착법(Electron Beam Evaporation) 또는 스퍼터링법(Sputtering) 또는 열 증착법(Thermal Evaporation)에 의해 형성함으로써, 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 신뢰성을 확보하면서도 비도전성 반사막(91)으로서의 기능을 확보할 수 있게 된다. 메사식각된 영역 등의 단차 영역을 덮는데(step coverage), 화학 기상 증착법이 물리 증착법, 특히 전자선 증착법에 비해 유리하기 때문이다.16 shows another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which the nonconductive reflective film 91 is a multilayer dielectric film 91c, 91d, 91e. For example, the non-conductive reflective film 91 may be composed of a dielectric film 91c made of SiO 2 , a dielectric film 91d made of TiO 2 , and a dielectric film 91e made of SiO 2 , . Preferably, the non-conductive reflective film 91 is formed to include the DBR structure. The formation of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure requires a structure such as the branch electrode 93 or the branch electrode 81 and the electrical connection 94 or the electrical connection 82). Therefore, after the production of the semiconductor light emitting device, the reliability of the device, such as the generation of leakage current, may be affected. Therefore, in forming the dielectric film 91c made of SiO 2 , Needs to be. For this purpose, first, it is necessary to form the dielectric film 91c thicker than the thickness of the subsequent dielectric films 91d and 91e. Secondly, it is necessary to form the dielectric film 91c by a method more suitable for securing device reliability. For example, the chemical vapor deposition of a dielectric film (91c) with a SiO 2 (CVD; Chemical Vapor Deposition), among them (preferably) plasma enhanced chemical vapor deposition; formed by (PECVD Plasma Enhanced CVD), and TiO 2 A dielectric film 91d / SiO 2 DBR / dielectric film 91e may be formed by physical vapor deposition (PVD), electron beam evaporation (Electron Beam Evaporation) or sputtering (sputtering) ) Or a thermal evaporation method, the function of the nonconductive reflective film 91 can be ensured while securing the reliability of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. (Step coverage) such as mesa etched regions because chemical vapor deposition is more advantageous than physical vapor deposition, especially electron beam deposition.

도 17은 전기적 연결이 형성된 영역을 확대한 도면으로서, 투광성 전도막(60), 투광성 전도막(60) 위에 놓인 가지 전극(93), 가지 전극(93)을 둘러싸고 있는 비도전성 반사막(91), 전극(92), 그리고 가지 전극(93)을 전극(92)과 연결하는 전기적 연결(94)이 도시되어 있다. 일반적으로 반도체 발광소자에 전극, 가지 전극, 본딩 패드를 형성할 때, 복수의 금속 층으로 구성된다. 최하층은 투광성 전도막(60)과 결합력이 높아야 하며, Cr, Ti와 같은 물질이 주로 사용되며, Ni, Ti, TiW 등도 사용될 수 있으며, 특별히 제한되는 것은 아니다. 최상층으로는 와이어 본딩 또는 외부 전극과 연결을 위해, Au이 사용된다. 그리고, Au의 양을 줄이고, 상대적으로 무른 Au의 특성을 보완하기 위해, 최하층과 최상층 사이에, 요구되는 사양에 따라, Ni, Ti, TiW, W 등이 사용되거나, 높은 반사율이 요구되는 경우에, Al, Ag 등이 사용된다. 본 개시에 있어서, 가지 전극(93)은 전기적 연결(94)과의 전기적으로 연결되어야 하므로, 최상층으로 Au를 고려할 수 있을 것이다. 그러나 본 발명자들은 가지 전극(93)의 최상층으로서 Au을 사용하는 것이 부적합하다는 것을 알게 되었다. Au 위에 비도전성 반사막(91) 증착시에 양자 간의 결합력이 약해서 쉽게 벗겨지는 문제가 있었다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, Au 대신에 Ni, Ti, W, TiW, Cr, Pd, Mo와 같은 물질로 가지 전극의 최상층을 구성하게 되면 그 위에 증착될 비도전성 반사막(91)과의 접착력이 유지되어 신뢰성이 향상될 수 있다. 또한 비도전성 반사막(91)에 전기적 연결(94)을 위한 구멍을 형성하는 공정(습식 또는 건식 식각)에서 위 금속이 장벽(barrier) 역할을 충분히 하여 후속공정 및 전기적 연결의 안정성을 확보하는데 도움이 된다.17 is an enlarged view of a region where the electrical connection is formed and includes a transmissive conductive film 60, a branched electrode 93 overlying the transmissive conductive film 60, a non-conductive reflective film 91 surrounding the branched electrode 93, An electrode 92 and an electrical connection 94 connecting the branch electrode 93 to the electrode 92 are shown. Generally, when an electrode, a branch electrode, and a bonding pad are formed in a semiconductor light emitting element, the metal layer is composed of a plurality of metal layers. The lowermost layer should have a high bonding strength with the transparent conductive film 60, and materials such as Cr and Ti may be mainly used, and Ni, Ti, TiW, and the like may also be used. For the top layer, Au is used for wire bonding or connection with external electrodes. When Ni, Ti, TiW, W or the like is used in accordance with the required specification between the lowest and the uppermost layers in order to reduce the amount of Au and to complement the characteristics of Au, , Al, Ag and the like are used. In the present disclosure, since the branch electrode 93 should be electrically connected to the electrical connection 94, Au may be considered as the uppermost layer. However, the present inventors have found that it is not suitable to use Au as the uppermost layer of the branch electrode 93. There is a problem in that when the non-conductive reflective film 91 is deposited on Au, the bonding force between the two is weak, so that it easily peels off. In order to solve such a problem, if the uppermost layer of the branch electrodes is made of a material such as Ni, Ti, W, TiW, Cr, Pd, or Mo instead of Au, the adhesive force to the non-conductive reflective film 91 to be deposited is maintained So that the reliability can be improved. Further, in the process (wet or dry etching) for forming the hole for the electrical connection 94 in the non-conductive reflective film 91, the above metal is sufficient to serve as a barrier, thereby assuring the stability of the subsequent process and electrical connection do.

도 19 및 도 20은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 13에 도시된 반도체 발광소자와 달리, 비도전성 반사막(19)이 기판(10)의 측면(11)에까지 형성되어 있다. 도 20에 도시된 바와 같이, 반도체 발광소자를 리드 프레임 또는 PCB(2000)에 장착한 때에, 주로 금속으로 되어 불투명인 본딩 물질(111)이 기판 또는 성장 기판(10)의 측면(11)에까지 이른 경우에도, 비도전성 반사막(91)이 기판(10)의 측면(11)에까지 형성됨으로써, 본딩 물질(111)에 의한 광 흡수를 방지할 수 있게 된다. 이러한 구조는 도 13에 도시된 반도체 발광소자에 제한되는 것이 아니라, 도 2 및 도 18에 도시된 반도체 발광소자를 포함하여, 비도전성 반사막(91)을 이용하는 반도체 발광소자에 적용될 수 있다.19 and 20 are views showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present invention. Unlike the semiconductor light emitting device shown in Fig. 13, a non-conductive reflective film 19 is provided on the side surface 11 of the substrate 10 Respectively. 20, when the semiconductor light emitting element is mounted on the lead frame or the PCB 2000, the bonding material 111, which is mainly made of metal and is opaque, reaches the side surface 11 of the substrate or the growth substrate 10 The nonconductive reflective film 91 is formed to the side surface 11 of the substrate 10 so that light absorption by the bonding material 111 can be prevented. This structure is not limited to the semiconductor light emitting device shown in FIG. 13, but may be applied to a semiconductor light emitting device including the semiconductor light emitting device shown in FIGS. 2 and 18, which uses the nonconductive reflective film 91.

도 21 내지 도 23은 도 19에 도시된 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저 도 21에서와 같이, 비도전성 반사막(91)이 형성되기 이전까지의 공정을 진행한다. 기판(10) 위에, 복수의 반도체층(30,40,50)을 형성한 다음, 아이솔레이션 공정을 거쳐, 개별의 반도체 발광소자(A,B)로 분리한 다음, 통상의 반도체 제조 공정을 거쳐, 광 흡수 방지막(95), 투광성 전도막(50), 가지 전극(81,93)을 형성한다. 필요에 따라, 개별의 반도체 발광소자(A,B)로 분리하는 공정은 생략될 수 있으며, 후술하는 바와 같이, 아이솔레이션 공정은 기판(10)에 홈(12)을 형성하는 공정 자체일 수 있다. 또한 필요에 따라, 반도체 공정들의 순서는 바뀔 수 있다.21 to 23 are views showing an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device shown in Fig. 19, wherein the process up to the step of forming the nonconductive reflective film 91 is first carried out as shown in Fig. A plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50 are formed on a substrate 10 and then separated into individual semiconductor light emitting devices A and B through an isolation process. A light absorption preventing film 95, a light transmitting conductive film 50 and branch electrodes 81 and 93 are formed. If necessary, the process of separating the semiconductor light emitting devices into separate semiconductor light emitting devices A and B may be omitted, and the isolation process may be a process of forming the grooves 12 in the substrate 10, as described later. Also, if necessary, the order of the semiconductor processes can be changed.

다음으로, 도 22에서와 같이, 기판(10)에 홈(12)을 형성하여, 기판(10)의 측면(11)을 노출시킨다. 이러한 공정은, 식각, 쏘잉, 레이저 스크라이빙 등의 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 깊이 10~50um 정도의 홈(12)을 형성할 수 있다.Next, as shown in Fig. 22, a groove 12 is formed in the substrate 10 to expose the side face 11 of the substrate 10. [ Such a process may be formed by a method such as etching, sawing, or laser scribing. For example, grooves 12 having a depth of about 10 to 50 mu m can be formed.

다음으로, 도 23에서와 같이, 비도전성 반사막(91)을 전술한 방법에 의해 형성한다. 필요에 따라, 전기적 연결(82,94), 전극(80,92) 그리고 보조 방열 패드(97)를 형성한다. 이후, 브레이킹, 쏘잉, 또는 스크라이빙&브레이킹 등의 방법으로 도 19에 도시된 것과 같은 형태로 개별의 반도체 발광소자(A,B)를 분리한다.Next, as shown in Fig. 23, the non-conductive reflective film 91 is formed by the above-described method. If necessary, electrical connections 82 and 94, electrodes 80 and 92, and an auxiliary heat spread pad 97 are formed. Then, the individual semiconductor light-emitting elements A and B are separated in a manner as shown in Fig. 19 by braking, sawing, or scribing and breaking.

복수의 반도체층(30,40,50)을 형성한 다음, 바로 홈(12)을 형성하는 공정을 시행하여도 좋다. 이 경우에, 별도의 아이솔레이션 공정은 생략될 수 있다. 따라서, 홈(12)을 형성하는 공정은 비도전성 반사막(91)을 형성하기 이전이라면 언제든 가능하다.A step of forming the grooves 12 immediately after forming the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may be performed. In this case, a separate isolation process can be omitted. Therefore, the process of forming the groove 12 can be performed any time before the non-conductive reflective film 91 is formed.

도 24는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 본딩 물질(111)이 반도체 발광소자로 타고 올라오는 것을 방지하기 위하여, 전극(80,92)에 추가적으로 도금 막(112)이 구비되어 있다. 바람직하게는 10um이상의 높이를 가진다. 더욱 바람직하게는 20um이상의 높이를 가진다. 이러한 높이는 전극(80,92)을 형성하는데 주로 사용되는 스퍼터링법, 전자선 증착법으로는 상용적으로 구현하기가 쉽지 않다. 성장 기판(10)의 측면(11)에 비도전성 반사막(91)이 형성되는 경우에는, 도금 막(112)의 높이가 낮아질 수 있다. 또한 Ni과 같은 금속을 이용함으로써, 유테틱 본딩에 사용되는 솔더에 대한 디퓨전 배리어(Diffusion Barrier)로서의 기능을 향상시킬 수 있게 된다. 전극(80,92)이 생략되는 경우에, 전기적 연결(82,94)을 씨드(seeds)로 하여 도금 막(112)을 형성할 수 있다. 도금은 비전해 도금법 또는 전해 도금법으로 가능하다.24 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present invention. In order to prevent the bonding material 111 from riding up to the semiconductor light emitting device, a plating film 112 is additionally provided to the electrodes 80, Respectively. And preferably has a height of 10um or more. More preferably, it has a height of 20um or more. Such heights are not easily realized by the sputtering method and the electron beam deposition method, which are mainly used for forming the electrodes 80 and 92, commercially. When the non-conductive reflective film 91 is formed on the side surface 11 of the growth substrate 10, the height of the plating film 112 may be lowered. Further, by using a metal such as Ni, the function as a diffusion barrier for the solder used for eutectic bonding can be improved. When the electrodes 80 and 92 are omitted, the plating film 112 can be formed using the electrical connections 82 and 94 as seeds. Plating can be done by non-electrolytic plating or electrolytic plating.

도 25는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 전극(92) 측의 도금 막(112)이 전극(80) 측의 도금 막(112)보다 넓게 형성되어 있다.25 shows another example of the semiconductor light emitting device according to the present invention in which the plated film 112 on the electrode 92 side is formed wider than the plated film 112 on the electrode 80 side.

도 26은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 3에 도시된 반도체 발광소자에 도금 막(112)이 적용되어 있으며, 전극(80) 측의 도막 막(112)을 높게 형성하여, 플립 칩 본딩시에 전극(92) 측과 전극(80) 측의 높이가 맞지 않는 문제점도 해소하는 것이 가능하다. 한 번의 도금으로도 전극(92) 측의 도금 막(112)의 높이와 전극(80) 측의 도금 막(112)의 높이를 어느 정도 맞출 수 있지만, 필요한 경우에, 전극(92) 측과 전극(80) 측을 별도로 도금하는 것도 가능하다.FIG. 26 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which the plating film 112 is applied to the semiconductor light emitting device shown in FIG. 3, and the coating film 112 on the electrode 80 side It is possible to solve the problem that the height between the electrode 92 side and the electrode 80 side does not match at the time of flip chip bonding. The height of the plating film 112 on the electrode 92 side and the height of the plating film 112 on the electrode 80 side can be adjusted to some extent by one plating, It is also possible to separately plastically coat the surface of the base material 80.

도 27은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 8에 도시된 반도체 발광소자에 도금 막(112)이 적용되어 있으며, 하나의 도금 막(112)이 구비되어 있다. 도금 막(112)은 전극(92) 전체에 형성되어도 좋다.FIG. 27 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, wherein a plating film 112 is applied to the semiconductor light emitting device shown in FIG. 8, and one plating film 112 is provided. The plated film 112 may be formed on the entire surface of the electrode 92.

도 28은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 형광체(220)를 더 구비한다. 형광체(220)는 에폭시 수지와 혼합되어 봉지제(230)를 형성하고 있으며, 반도체 발광소자가 반사컵(210)에 놓여 있다. 전극(80)과 전극(92)이 도전성 접합제(240,250)를 통해 외부와 전기적으로 연결된다. 형광체(220)는 도 18에서와 같이 컨포멀(conformal) 코팅되어도 좋고, 직접 도포되어도 좋고, 반도체 발광소자로부터 약간 거리를 두고 위치되어 좋다. 이때, 통상 50~180um 두께의 기판(50)이 아래에 놓이는 정션-업(junction-up) 형태의 래터럴 칩(Lateral Chip)과 달리, 활성층(40)의 아래 쪽에 위치하게 되므로, 활성층(40)에 발생한 빛이 반사컵(210)의 중앙에 가깝게 위치하지 못함으로써, 형광체(220) 변환 효율이 떨어질 수 있는 한편, 반사컵(210)에 의한 빛 흡수도 문제가 될 수 있다. 도 24 내지 도 27에 도시된 도금 막(112)을 구비함으로써, 이러한 문제점을 해소할 수 있게 된다. 이러한 관점에서 도금 막(112)은 20um이상의 두께를 가지는 것이 바람직하다. 28 is a diagram showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which the semiconductor light emitting device further comprises a phosphor 220. [ The phosphor 220 is mixed with an epoxy resin to form an encapsulant 230, and the semiconductor light emitting device is placed in the reflective cup 210. The electrode 80 and the electrode 92 are electrically connected to the outside through the conductive bonding agents 240 and 250. The phosphor 220 may be conformally coated as shown in FIG. 18, may be directly coated, or may be located at a distance from the semiconductor light emitting element. Unlike the lateral chip of the junction-up type in which the substrate 50 of 50-180um thickness is placed at the bottom, the active layer 40 is located below the active layer 40, Since the light generated in the reflective cup 210 is not positioned close to the center of the reflective cup 210, the conversion efficiency of the phosphor 220 may be deteriorated, and light absorption by the reflective cup 210 may also be a problem. By providing the plating film 112 shown in Figs. 24 to 27, this problem can be solved. From this viewpoint, it is preferable that the plating film 112 has a thickness of 20um or more.

도 29는 도 7에 도시된 반도체 발광소자에서 유전체 막, 분포 브래그 리플렉터, 그리고 전극의 관계를 나타내는 도면으로서, 유전체 막(91b), 분포 브래그 리플렉터(91a), 그리고 전극(92)이 순차로 적층되어 있다. 활성층(40; 이하, 도 7 참조)에서 발생된 빛은 많은 부분이 유전체 막(91b)과 분포 브래그 리플렉터(91a)에서 의해 n형 반도체층(30) 측으로 반사되지만, 유전체 막(91b)과 분포 브래그 리플렉터(91a)도 일정한 두께를 가지므로, 일부의 빛이 그 내부에 갖히거나, 유전체 막(91b)과 분포 브래그 리플렉터(91a) 측면을 통해 방출되거나, 금속으로 된 전극(92)에 의해 흡수된다. 본 발명자들은 유전체 막(91b), 분포 브래그 리플렉터(91a), 그리고 전극(92)의 관계를 광 웨이브가이드(optical waveguide)의 관점에서, 분석해 보았다. 광 웨이브가이드는 빛의 전파부를 그 보다 굴절률이 낮은 물질로 둘러싸서, 전반사를 이용하여, 빛을 안내하는 구조물이다. 이러한 관점에서, 분포 브래그 리플렉터(91a)를 전파부로 보면, 유전체 막(91b)은 전파부를 둘러싸는 구성의 일부로 볼 수 있다. 분포 브래그 리플렉터(91a)가 SiO2/TiO2로 구성되는 경우에, SiO2의 굴절률이 1.46이고, TiO2의 굴절률이 2.4이므로, 분포 브래그 리플렉터(91a)의 유효 굴절률(여기서, 유효 굴절률은 서로 다른 굴절률을 가진 물질들로 이루어진 도파로에서 진행할 수 있는 빛이 가지는 등가 굴절률을 의미하며, 1,46과 2.4 사이의 값을 가진다.)이 SiO2로 된 유전체 막(91b)의 경우보다 높은 굴절률을 갖게 된다. 그러나, 그 반대 측에는 금속으로 된 전극(92)이 존재하므로, 전극(92)이 분포 브래그 리플렉터(91a)의 측면 방향으로 광 전파됨에 있어서, 빛의 흡수가 일어날 수 있다.FIG. 29 is a view showing the relationship between a dielectric film, a distributed Bragg reflector, and electrodes in the semiconductor light emitting device shown in FIG. 7, in which a dielectric film 91b, a distributed Bragg reflector 91a, . A large part of the light generated in the active layer 40 (hereinafter referred to as Fig. 7) is reflected toward the n-type semiconductor layer 30 side by the dielectric film 91b and the distributed Bragg reflector 91a, The Bragg reflector 91a has a certain thickness so that some of the light may be trapped therein or may be discharged through the dielectric film 91b and the side of the distributed Bragg reflector 91a or absorbed by the metal electrode 92 do. The present inventors have analyzed the relationship between the dielectric film 91b, the distributed Bragg reflector 91a, and the electrode 92 from the viewpoint of an optical waveguide. The optical waveguide is a structure for guiding light by surrounding the propagating portion of the light with a material having a lower refractive index than that of the light guiding portion. From this point of view, when the distributed Bragg reflector 91a is regarded as a propagation portion, the dielectric film 91b can be seen as a part of the configuration surrounding the propagation portion. Distributed Bragg reflector (91a) has a case consisting of a SiO 2 / TiO 2, in which the refractive index of SiO 2 is 1.46, is another effective refractive index (where the effective refractive index of the because the refractive index of TiO 2 is 2.4, distributed Bragg reflector (91a) Means an equivalent refractive index of light capable of traveling in a waveguide made of materials having different refractive indexes and has a value between 1,46 and 2.4). In the case of the dielectric film 91b made of SiO 2 , the refractive index . However, since the electrode 92 is made of metal on the opposite side, light can be absorbed when the electrode 92 propagates in the lateral direction of the distributed Bragg reflector 91a.

도 30은 도 7에 도시된 반도체 발광소자에서 광 웨이브가이드를 도입한 유전체 막, 분포 브래그 리플렉터, 그리고 전극의 관계를 나타내는 도면으로서, 유전체 막(91b), 분포 브래그 리플렉터(91a), 그리고 전극(92)이 순차로 적층되어 있지만, 분포 브래그 리플렉터(91a)와 전극(92) 사이에 분포 브래그 리플렉터(91a)의 유효 굴절률보다 낮은 물질로 된 투광성 막(91f)이 구비되어 있다. 바람직하게는 투광성 막(91f)은 λ/4n이상의 두께를 가진다(여기서 λ는 활성층(40)에서 생성된 빛의 파장이고, n은 투광성 막(91f)을 이루는 물질의 굴절률이다). 예를 들어, 투광성 막(91f)을 1.46의 굴절률을 가지는 유전체인 SiO2로 형성할 수 있다. λ가 450nm(4500A)인 경우에, 4500/4*1.46 = 771A 이상의 두께로 형성할 수 있다. 광 웨이브가이드의 효율은 투광성 막(91f)의 굴절률과 분포 브래그 리플렉터(91a)의 유효 굴절률의 차가 클수록 높아지므로, 이러한 물질을 사용함으로써 효율을 높일 수 있게 된다. 투광성 막(91f)은 분포 블래그 리플렉터(91a)의 유효 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지면 특별히 제한되지 않으며, Al2O3와 같은 금속 산화물, SiO2, SiON 와 같은 유전체 막, MgF, CaF, 등의 물질로 이루어질 수 있다. 굴절률의 차이가 작은 경우에, 그 두께는 두껍게 하여 효과를 거둘 수 있다. 또한 SiO2를 사용하는 경우에, 1.46보다 낮은 굴절률을 가지는 SiO2를 사용함으로써 효율을 높일 수 있게 된다.Fig. 30 is a view showing the relationship between the dielectric film, the distributed Bragg reflector, and the electrode in which the optical waveguide is introduced in the semiconductor light emitting device shown in Fig. 7, and the dielectric film 91b, the distributed Bragg reflector 91a, A transparent film 91f made of a material lower than the effective refractive index of the distributed Bragg reflector 91a is provided between the distributed Bragg reflector 91a and the electrode 92. In this case, Preferably, the light transmissive film 91f has a thickness of? / 4n or more (where? Is the wavelength of light generated in the active layer 40 and n is the refractive index of the material forming the light transmissive film 91f). For example, the light transmissive film 91f may be formed of SiO 2 , which is a dielectric having a refractive index of 1.46. When λ is 450 nm (4500 A), it can be formed to a thickness of 4500/4 * 1.46 = 771 A or more. Since the efficiency of the optical waveguide becomes higher as the difference between the refractive index of the transmissive film 91f and the effective refractive index of the distributed Bragg reflector 91a becomes larger, the efficiency of the optical waveguide can be increased by using such a material. The transparent film (91f) is has the lower refractive index than the effective refractive index of the bladder that the reflector (91a) the distribution is not particularly limited, and a dielectric film, MgF, CaF, such as a metal oxide, SiO 2, SiON, such as Al 2 O 3 ≪ / RTI > When the difference in the refractive index is small, the thickness can be increased to obtain an effect. In addition, it is possible to increase the efficiency in the case of using the SiO 2, using SiO 2 having a refractive index lower than 1.46.

도 31은 도 30에 설명된 광 웨이브가이드가 도입된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 분포 브래그 리플렉터(91a) 위에, 분포 블래그 리플렉터(91a)의 유효 굴절률보다 낮은 굴절률의 가지는 투광성 막(91f)이 도입되어 있다. 즉, 비도전성 반사막(91)이 투광성 막(91f)을 더 포함한다. 다만, 투광성 막(91f)이 금속 산화물과 같은 도전성 물질로 이루어지는 경우에는 투광성 막(91f)은 비도전성 반사막(91)의 일부를 이루는 것은 아니다. 유전체 막(91b)이 생략되는 경우를 생각해 볼 수 있으며, 광 웨이브가이드의 관점에서는 바람직하지 않지만, 본 개시의 전체 기술사상의 관점에서, 분포 브래그 리플렉터(91a)와 투광성 막(91f)으로 된 구성을 배제할 이유는 없다. 전극(92)은 투광성 막(91f)의 전체에 형성되어도 좋고, 도시와 같이 일부에만 형성되어도 좋고, 생략될 수 있다. 전극(92)이 투광성 막(91f)의 일부에 형성되거나, 생략되는 경우에, 투광성 막(91f)은 반드시 칩을 제조하는 단계에서 분포 브래그 리플렉터(91a)에 형성될 필요는 없으며, 패키지를 제조하는 과정과 같이, 칩을 패키지, PCB 등에 장착하는 과정에서 도입될 수 있다. 예를 들어, 패키지의 리드 프레임에 칩을 장착하는 과정에서, 리드 프레임을 제외한 영역에 Clear Epoxiy와 같은 물질을 미리 준비해둠으로써, 장착의 과정에서 분포 브래그 리플렉터(91a) 위에 투광성 막(91f)이 형성되도록 하는 것도 가능하다. 도 24에서, 전극(80)과 전극(92) 사이의 공간을 투광성 물질로 채울 수 있다.31 is a view showing an example of a semiconductor light emitting element into which the optical waveguide described in Fig. 30 is introduced. On the distribution Bragg reflector 91a, a light transmitting film having a refractive index lower than the effective refractive index of the distributed Bragg reflector 91a (91f) are introduced. That is, the non-conductive reflective film 91 further includes the light-transmissive film 91f. However, when the light-transmissive film 91f is made of a conductive material such as metal oxide, the light-transmissive film 91f does not constitute a part of the non-conductive reflective film 91. [ It is possible to consider a case where the dielectric film 91b is omitted and it is not preferable from the viewpoint of the optical waveguide. However, from the viewpoint of the entire technical idea of the present disclosure, the configuration including the distributed Bragg reflector 91a and the transparent film 91f There is no reason to exclude. The electrode 92 may be formed entirely on the light-transmissive film 91f or may be formed only in a part as shown in the figure, and may be omitted. The transparent film 91f does not necessarily have to be formed in the distributed Bragg reflector 91a at the stage of manufacturing the chip when the electrode 92 is formed on a part of the transparent film 91f or is omitted, The chip may be introduced into a package, a PCB, or the like. For example, in the process of mounting a chip on a lead frame of a package, a material such as Clear Epoxy is prepared in advance in an area other than the lead frame, so that the light transmissive film 91f is formed on the distribution Bragg reflector 91a in the process of mounting . In Fig. 24, the space between the electrode 80 and the electrode 92 can be filled with a light-transmitting material.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;으로서, 성장 기판을 이용해 순차로 성장되는 복수의 반도체층; 복수의 반도체층에 전자와 정공 중의 하나를 공급하는 제1 전극; 복수의 반도체층에 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하는 제2 전극; 활성층으로부터의 빛을 성장 기판 측인 제1 반도체층 측으로 반사하도록 제2 반도체층 위에 형성되며, 제2 반도체층 측으로부터 유전체 막과 분포 브래그 리플렉터를 순차로 구비하는 비도전성 반사막; 그리고, 비도전성 반사막의 일부로서 또는 별개로서, 분포 브래그 리플렉터 위에 구비되며, 분포 브래그 리플렉터의 유효 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지는 투광성 막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자(1) a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a second semiconductor layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A plurality of semiconductor layers having an active layer to be generated, the plurality of semiconductor layers being sequentially grown using a growth substrate; A first electrode for supplying one of electrons and holes to the plurality of semiconductor layers; A second electrode for supplying the remaining one of electrons and holes to the plurality of semiconductor layers; A nonconductive reflective film formed on the second semiconductor layer so as to reflect light from the active layer toward the first semiconductor layer side on the growth substrate side and having a dielectric film and a distributed Bragg reflector sequentially from the second semiconductor layer side; And a translucent film provided on the distributed Bragg reflector as a part of or separately from the nonconductive reflective film and having a refractive index lower than an effective refractive index of the distributed Bragg reflector.

(2) 투광성 막은 λ/4n (λ는 활성층에서 생성된 빛의 파장, n은 투광성 막의 굴절률)이상의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) The semiconductor light emitting device according to (2), wherein the light transmitting film has a thickness of? / 4n (? Is the wavelength of light generated in the active layer and n is the refractive index of the light transmitting film).

(3) 투광성 막은 유전체 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (3) The light emitting device of claim 1, wherein the light transmitting film is made of a dielectric material.

(4) 투광성 막을 SiO2로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) The semiconductor light emitting device as described in any one of (1) to (4), wherein the light transmitting film is made of SiO 2 .

(5) 유전체 막과 투광성 막은 같은 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. 예를 들어, SiO2로 이루어질 수 있다.(5) The semiconductor light emitting device according to (5), wherein the dielectric film and the translucent film are made of the same material. For example, SiO 2 .

(6) 유전체 막의 굴절률보다 투광성 막의 굴절률이 더 낮은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(6) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (4), wherein the refractive index of the light transmitting film is lower than the refractive index of the dielectric film.

(7) 투광성 막은 금속 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (7), wherein the light transmitting film is made of a metal oxide.

(8) 제2 전극이 투광성 막 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. 광 웨이브가이드 개념으로 도 2 내지 도 31에 도시된 반도체 발광소자를 포함한 다양한 반도체 발광소자에 적용될 수 있다.(8) The semiconductor light emitting device according to (8), wherein the second electrode is formed on the light transmitting film. The present invention can be applied to various semiconductor light emitting devices including the semiconductor light emitting devices shown in FIGS.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 새로운 형태의 반사막 구조를 구현할 수 있게 된다.According to one semiconductor light emitting device according to the present disclosure, a new type of reflective film structure can be realized.

또한 본 개시에 따른 다른 반도체 발광소자에 의하면, 새로운 형태의 플립 칩을 구현할 수 있게 된다.Further, according to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, a new type of flip chip can be realized.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 발광소자에 의하면, 가지 전극을 도입한 반사막 구조를 구현할 수 있게 된다.Further, according to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, it is possible to realize a reflective film structure incorporating a branch electrode.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 발광소자에 의하면, 가지 전극을 도입한 플립 칩을 구현할 수 있게 된다.Further, according to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, a flip chip incorporating a branch electrode can be realized.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 발광소자에 의하면, 반도체 발광소자의 방열을 원활히 할 수 있게 된다.Further, according to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, heat radiation of the semiconductor light emitting device can be smoothly performed.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 발광소자에 의하면, 가지 전극을 도입하여 전류 확산을 원활히 하는 한편, 반도체 발광소자의 방열을 원활히 할 수 있게 된다.Further, according to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, diagonal electrodes are introduced to facilitate current diffusion, and heat radiation of the semiconductor light emitting device can be smoothly performed.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 발광소자에 의하면, 방열 패드를 반도체 발광소자에서의 전류 확산 기능과 전극에 의한 광 반사 기능에 영향을 크게 받지 않으면서 설계할 수 있게 된다.In addition, according to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, the heat radiation pad can be designed without greatly influencing the current diffusion function in the semiconductor light emitting device and the light reflection function by the electrode.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 발광소자에 의하면, 가지 전극에 의한 광 흡수를 줄일 수 있게 된다.Further, according to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, light absorption by the branch electrode can be reduced.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법에 의하면, 본딩 물질이 기판의 측면까지 타고 올라온 경우에도, 이에 의한 광 흡수를 방지할 수 있게 된다.Further, according to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure and a method of manufacturing the same, light absorption by the bonding material can be prevented even if the bonding material rides up to the side surface of the substrate.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 발광소자에 의하면, 본딩 물질이 반도체 발광소자의 측면으로 타고 올라오는 것을 방지할 수 있게 된다.In addition, according to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, it is possible to prevent the bonding material from riding on the side surface of the semiconductor light emitting device.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 발광소자에 의하면, 분포 브래그 리플렉터 내에서 측방으로 광 광출을 개선할 수 있게 된다.Further, according to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, the light emission can be improved laterally in the distributed Bragg reflector.

기판(10) 반도체층(30,50) 활성층(40)Substrate (10) Semiconductor layer (30,50) Active layer (40)

Claims (10)

제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;으로서, 성장 기판을 이용해 순차로 성장되는 복수의 반도체층;
복수의 반도체층에 전자와 정공 중의 하나를 공급하는 제1 전극;
복수의 반도체층에 전자와 정공 중의 나머지 하나를 공급하는 제2 전극;
활성층으로부터의 빛을 성장 기판 측인 제1 반도체층 측으로 반사하도록 제2 반도체층 위에 형성되며, 제2 반도체층 측으로부터 유전체 막과 분포 브래그 리플렉터를 순차로 구비하는 비도전성 반사막; 그리고,
비도전성 반사막의 일부로서 또는 별개로서, 분포 브래그 리플렉터 위에 구비되며, 분포 브래그 리플렉터의 유효 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지는 투광성 막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and an active layer disposed between the first and second semiconductor layers and generating light through recombination of electrons and holes, A plurality of semiconductor layers sequentially grown by using a growth substrate;
A first electrode for supplying one of electrons and holes to the plurality of semiconductor layers;
A second electrode for supplying the remaining one of electrons and holes to the plurality of semiconductor layers;
A nonconductive reflective film formed on the second semiconductor layer so as to reflect light from the active layer toward the first semiconductor layer side on the growth substrate side and having a dielectric film and a distributed Bragg reflector sequentially from the second semiconductor layer side; And,
And a translucent film provided on the distribution Bragg reflector as a part of, or separately from, the non-conductive reflection film and having a refractive index lower than the effective refractive index of the Distribution Bragg reflector. 청구항 1에 있어서,
투광성 막은 λ/4n (λ는 활성층에서 생성된 빛의 파장, n은 투광성 막의 굴절률)이상의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the light-transmitting film has a thickness of? / 4n (? Is a wavelength of light generated in the active layer and n is a refractive index of the light-transmitting film). 청구항 1에 있어서,
투광성 막은 유전체 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the light-transmitting film is made of a dielectric material. 청구항 1에 있어서,
투광성 막을 SiO2로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the light-transmitting film is made of SiO 2 . 청구항 1에 있어서,
유전체 막과 투광성 막은 같은 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the dielectric film and the light-transmitting film are made of the same material. 청구항 5에 있어서,
유전체 막의 굴절률보다 투광성 막의 굴절률이 더 낮은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 5,
Wherein the refractive index of the light-transmitting film is lower than the refractive index of the dielectric film. 청구항 1에 있어서,
투광성 막은 금속 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the light-transmitting film is made of a metal oxide. 청구항 1에 있어서,
비도전성 반사막과 투광성 막을 관통하며, 제2 반도체층과 제2 전극을 연결하는 전기적 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And an electrical connection connecting the second semiconductor layer and the second electrode through the nonconductive reflective film and the light transmissive film. 청구항 1에 있어서,
제2 전극이 투광성 막 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And a second electrode is formed on the light-transmitting film. 청구항 1 내지 청구항 9 중의 어느 한 항에 있어서,
반도체는 3족 질화물 반도체인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the semiconductor is a Group III nitride semiconductor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20150114110A (en) * 2014-03-31 2015-10-12 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light emitting device
KR20150145341A (en) * 2014-06-18 2015-12-30 순천대학교 산학협력단 Light emitting diode, Package and Method for manufacturing for the same
WO2018117680A3 (en) * 2016-12-23 2018-08-16 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light emitting device

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