KR20140029182A - Organic light compound and organic light device using the same - Google Patents

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KR20140029182A
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Abstract

The present invention relates to an organic light-emitting compound and an organic light-emitting device using the same, and more particularly, to: an organic light-emitting device capable of realizing excellent luminous efficiency, brightness, and light-emitting life and an organic light-emitting compound used for the same; or an optical device for solar power generation and an optical compound used for the same. In particular, by developing an indazole-based compound and an organic light-emitting device using the same, a material can be developed, which can be variously used for diverse organic films, for example, an electron transport layer (ETM), an emission layer (EML), a hole transporting layer (HTM), a hole injection layer (HIL) and the like between a first and a second electrode and can provide the performance improvement such as efficiency enhancement and operational voltage reduction as well as the maximization of ability as an OLED material.

Description

유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 {ORGANIC LIGHT COMPOUND AND ORGANIC LIGHT DEVICE USING THE SAME} TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic electroluminescent compound, and an organic electroluminescent device using the electroluminescent compound.

본 발명은 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting compound and an organic light emitting device using the same.

OLED에서 발광 효율을 결정하는 가장 중요한 요인은 발광 재료이다. 발광 재료로는 현재까지 형광 재료가 널리 사용되고 있으나, 전기발광의 메커니즘 상 인광 재료의 개발은 이론적으로 4배까지 발광 효율을 개선시킬 수 있는 가장 좋은 방법 중 하나이다. 현재까지 이리듐(Ⅲ) 착물 계열이 인광 발광 재료로 널리 알려져 있으며, 각 RGB 별로는 (acac)Ir(btp)2,Ir(ppy)3및 Firpic 등의 재료가 알려져 있다. 특히, 최근 일본, 구미에서 많은 인광 재료들이 연구되어지고 있다.The most important factor determining the luminous efficiency in an OLED is a light emitting material. Fluorescent materials are widely used as luminescent materials to date, but the development of a phosphorescent material on the mechanism of electroluminescence is one of the best ways to improve the luminous efficiency up to 4 times theoretically. Until now, iridium (III) complexes have been widely known as phosphorescent materials. Materials such as (acac) Ir (btp) 2 , Ir (ppy) 3 and Firpic are known for each RGB. Recently, many phosphorescent materials have been studied in Japan and Europe.

인광 발광체의 호스트 재료로는 현재까지 4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐 (CBP)가 가장 널리 알려져 있으며, 페난트롤린 유도체(BCP), BAlq 등의 정공차단층을 적용한 고효율의 OLED가 공지되어 있다. 일본의 파이오니어 등에서는 BAlq 유도체를 호스트로 이용한 고성능의 OLED가 공지되어 있다. 4,4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl (CBP) has been widely known as a host material for phosphorescent emitters, and a high-efficiency organic EL device using a hole blocking layer such as a phenanthroline derivative (BCP) Of OLEDs are known. In Japan, Pioneer and the like, a high-performance OLED using a BAlq derivative as a host is known.

또한, 일본 공개특허공보 평11-345686호에 개시된 전자수송용 물질들은 옥사졸기, 티아졸기를 함유하고 있고 발광층에도 적용할 수 있다고 보고하고 있으나, 구동전압, 휘도 및 소자의 수명 측면에서 실용화에 도달하지 못하고 있다.In addition, although the electron transporting materials disclosed in JP-A-11-345686 contain an oxazole group and a thiazole group and can also be applied to a light emitting layer, they have come to practical use in terms of driving voltage, luminance, I can not.

그러나 기존의 재료들은 발광 특성 측면에서는 유리한 면이 있으나, 유리전이온도가 낮고 열적 안정성이 매우 좋지 않아서, 진공 하에서 고온 증착 공정을 거칠 때, 물질이 변하는 등 단점을 갖고 있다. OLED에서 전력효율= (π/전압) ㅧ 전류효율 이므로, 전력효율은 전압에 반비례하는데, OLED의 소비 전력이 낮으려면 전력 효율이 높아야한다. 실제 인광 발광 재료를 사용한 OLED는 형광 발광 재료를 사용한 OLED에 비해 전류 효율(cd/A)이 상당히 높으나, 인광 발광 재료의 호스트로 BAlq 나 CBP 등 종래의 재료를 사용할 경우, 형광재료를 사용한 OLED에 비해 구동 전압이 높아서 전력 효율(lm/w)면에서 큰 이점이 없었다. 또한, OLED 소자에서의 수명 측면에서도 결코 만족할만한 수준이 되질 못하여 더욱 안정되고, 더욱 성능이 뛰어난 호스트 재료의 개발이 요구되고 있다.However, existing materials have advantages in terms of luminescent properties, but they have disadvantages such as low glass transition temperature and very poor thermal stability, which can cause material changes when subjected to a high temperature deposition process under vacuum. Because OLEDs have power efficiency = (π / voltage) ㅧ current efficiency, the power efficiency is inversely proportional to the voltage. OLEDs using real phosphorescent materials have significantly higher current efficiency (cd / A) than OLEDs using fluorescent materials. However, when conventional materials such as BAlq and CBP are used as hosts for phosphorescent materials, OLEDs using fluorescent materials (Lm / w) because the driving voltage is higher than that of the conventional device. In addition, since the lifetime of the OLED device is never satisfactory, development of a more stable and more excellent host material is required.

본 발명이 해결하고자 하는 첫 번째 기술적 과제는 유기 광소자, 특히 유기 발광 소자에 적용할 수 있는 신규의 인다졸계 유기 발광 화합물을 제공하는 것이다.The first technical problem to be solved by the present invention is to provide a novel indazole-based organic light emitting compound that can be applied to an organic optical device, in particular an organic light emitting device.

본 발명이 해결하고자 하는 두 번째 기술적 과제는 상기 신규의 인다졸계 유기 발광 화합물을 포함하여 구동전압이 낮고, 발광효율, 휘도, 열적 안정성 및 수명이 향상된 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.The second technical problem to be solved by the present invention is to provide an organic light emitting device, including the novel indazole-based organic light emitting compound, low driving voltage, improved luminous efficiency, brightness, thermal stability and lifespan.

본 발명은 하기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 인다졸계 유기 발광 화합물을 특징으로 한다.The present invention is characterized by an indazole type organic light emitting compound represented by the following formula (F1) or formula (F2).

[화학식 F1][Formula F1]

Figure pat00001
Figure pat00001

[화학식 F2][Formula F2]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 F1 또는 F2에 있어서,In Chemical Formula F1 or F2,

R1,R2,R3,및 R4는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자, C1∼C40알킬기, C5∼C40아릴기, 또는 C5∼C40헤테로아릴기를 나타내고, 또는 R1,R2,R3,및 R4는 서로 인접하는 두 기가 결합하여 축합(fused) C5∼C40아릴기를 형성할 수 있고;R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 , which are the same as or different from each other, represent a hydrogen atom, a C 1 -C 40 alkyl group, a C 5 -C 40 aryl group, or a C 5 -C 40 heteroaryl group, or R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 may combine two adjacent groups to form a fused C 5 to C 40 aryl group;

A1및 A2는 서로 같거나 다른 것으로서 N 또는 C-R5를 나타내고, 이때 R5는 수소원자, C1∼C40알킬기, C5∼C40아릴기, 또는 C5∼C40헤테로아릴기를 나타내고; A 1 and A 2 , which are the same or different, represent N or CR 5 , wherein R 5 represents a hydrogen atom, a C 1 -C 40 alkyl group, a C 5 -C 40 aryl group, or a C 5 -C 40 heteroaryl group ;

X1및 X2는 서로 같거나 다른 것으로서 단일결합, S, O, CRaRb,SiRaRb,또는 N-(L3)m-L4를 나타내고;X 1 and X 2 , which are the same as or different from each other, represent a single bond, S, O, CR a R b , SiR a R b , or N- (L 3 ) m -L 4 ;

L1및 L3은 서로 같거나 다른 것으로서 C3∼C40시클로알킬기, 또는 C5∼C40아릴기를 나타내고;L 1 and L 3 , which are the same as or different from each other, represent a C 3 to C 40 cycloalkyl group, or a C 5 to C 40 aryl group;

L2및 L4는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자, C1∼C40알킬기, C3∼C40헤테로시클로알킬기, 또는 C5∼C40헤테로아릴기를 나타내고; L 2 and L 4, the same as or different from each other, represent a hydrogen atom, a C 1 -C 40 alkyl group, a C 3 -C 40 heterocycloalkyl group, or a C 5 -C 40 heteroaryl group;

Ra,및 Rb는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자, C1∼C40알킬기, C5∼C40아릴기, C3∼C40시클로알킬기, C3∼C40헤테로시클로알킬기, 또는 C5∼C40헤테로아릴기를 나타내고;R a and R b are the same as or different from each other and are a hydrogen atom, a C 1 to C 40 alkyl group, a C 5 to C 40 aryl group, a C 3 to C 40 cycloalkyl group, a C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, or C 5 It represents a ~C 40 heteroaryl;

m은 0 또는 1이고;m is 0 or 1;

또한 상기 치환기 A1,A2,L2,L4,Ra,및 Rb의 정의에 사용된 헤테로시클로알킬 또는 헤테로아릴은 O, S, N, 및 Si 중에서 선택된 헤테로원자가 1 내지 4개 포함될 수 있고,In addition, the heterocycloalkyl or heteroaryl used in the definition of the substituents A 1 , A 2 , L 2 , L 4 , R a , and R b may include 1 to 4 heteroatoms selected from O, S, N, and Si. Can,

또한 상기 치환기 R1,R2,R3,R4,A1,A2,L1,L2,L3,L4,Ra,및 Rb의 정의에 사용된 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴, 또는 헤테로시클로알킬은 단일고리(monocyclic)이거나 또는 2 내지 7개의 다중고리(polycyclic)로 이루어질 수 있으며, 상기 단일고리 또는 다중고리는 중수소, C1∼C40알킬, C3∼C40시클로알킬, C5∼C40아릴아미노, 디(C5∼C40아릴)아미노, C5∼C40아릴, C3∼C40헤테로시클로알킬, 및 C5∼C40헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있고, 또한 상기 단일고리 또는 다중고리의 치환체로 정의된 아릴 또는 헤테로아릴은 C1∼C40알킬, C5∼C40아릴, 및 C5∼C40헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 다시 치환 또는 비치환될 수 있다.Also used in the definitions of the substituents R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , A 1 , A 2 , L 1 , L 2 , L 3 , L 4 , R a , and R b , cycloalkyl, hetero Aryl, or heterocycloalkyl, may be monocyclic or consist of 2 to 7 polycyclic, which monocyclic or polycyclic is deuterium, C 1 -C 40 alkyl, C 3 -C 40 cyclo Selected from the group consisting of alkyl, C 5 -C 40 arylamino, di (C 5 -C 40 aryl) amino, C 5 -C 40 aryl, C 3 -C 40 heterocycloalkyl, and C 5 -C 40 heteroaryl Aryl or heteroaryl, which may be substituted or unsubstituted with a substituent, and defined as a substituent of the above monocyclic or polycyclic ring, may be substituted with C 1 -C 40 alkyl, C 5 -C 40 aryl, and C 5 -C 40 heteroaryl. It may be substituted or unsubstituted again with a substituent selected from the group consisting of.

또한, 본 발명은 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기막이 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 인다졸계 유기 발광 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 특징으로 한다.In addition, the present invention is a first electrode; A second electrode; And an organic light emitting device comprising at least one organic film between the first electrode and the second electrode, wherein the organic film includes an indazole-based organic light emitting compound represented by Formula F1 or Formula F2. It is done.

본 발명에 따른 인다졸계 유기 발광 화합물이 포함된 유기 발광 소자는 높은 발광 효율, 높은 발광 휘도, 및 현저히 향상된 발광 수명을 구현할 수 있다.The organic light emitting device including the indazole-based organic light emitting compound according to the present invention can realize high luminous efficiency, high luminous luminance, and significantly improved luminous lifetime.

따라서, 본 발명에서는 신규의 유기 발광 화합물과 이 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.Accordingly, the present invention provides a novel organic light emitting compound and an organic light emitting device comprising the compound.

이와 같은 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 하기와 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 일 구현예로서 실시예 등을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 일 구현예로서 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, '..포함하다' 또는 '..이루어진다' 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성 을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms " comprises, " or " comprising " and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs.

일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

본 발명은 유기 발광 화합물, 특히 인다졸계 화합물을 개발하여 제1전극과 상기 제2전극 사이의 각종 유기막 예컨대 전자수송층(ETM), 발광층(EML), 정공수송층(HTM), 정공주입층(HIL) 등에 다각적으로 쓰일 수 있는 물질을 제시하고, 효율 증가와 구동 전압의 감소와 같은 성능의 개선 및 OLED 재료로서의 능력을 극대화시킨 물질을 개발하고자 한다.The present invention is to develop an organic light emitting compound, in particular indazole-based compound, various organic membranes between the first electrode and the second electrode such as electron transport layer (ETM), light emitting layer (EML), hole transport layer (HTM), hole injection layer (HIL) We propose materials that can be used in various ways, and improve materials such as increasing efficiency and decreasing driving voltage, and develop materials that maximize their ability as OLED materials.

본 명세서에서 유기 발광 화합물은 유기 광소자에 사용되는 화합물이라는 의미로서 반드시 발광이 가능한 화합물로 그 범위가 한정되지 않으며, 그 적용 범위도 유기 발광층에 한정되지 않고, 전하 주입층 및 전하 수송층 등 유기 광소자를 구성하는 어느 층에나 모두 사용될 수 있다.In the present specification, the organic luminescent compound means a compound used in an organic photonic device, and is not necessarily limited in its range of application, and its application range is not limited to the organic luminescent layer but may be an organic luminescent layer such as a charge injection layer and a charge transport layer Can be used for any layer constituting the substrate.

또 본 명세서에서 '발광 화합물' 및 '발광 소자'라는 용어는 사전적인 또는 관습적인 정의와 무관하게 본 발명이 유기 발광 소자 및 태양광 발전을 위한 소자에 모두 적용되는 경우를 고려하여, 이를 포괄하고자 선정한 용어이다.In this specification, the terms 'light emitting compound' and 'light emitting device' are used to cover the case where the present invention is applied to both an organic light emitting device and a device for solar power generation regardless of a dictionary or customary definition It is a selected term.

본 발명의 제 1태양에 따르는 유기 광소자는, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기 광소자로서, 상기 유기막이 하기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 유기 발광 화합물을 포함한다.An organic photonic device according to a first aspect of the present invention includes: a first electrode; A second electrode; And an organic optical device including at least one organic film between the first electrode and the second electrode, wherein the organic film includes an organic light emitting compound represented by Formula F1 or Formula F2.

[화학식 F1][Formula F1]

Figure pat00003
Figure pat00003

[화학식 F2][Formula F2]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 F1 또는 F2에 있어서,In Chemical Formula F1 or F2,

R1,R2,R3,및 R4는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자, C1∼C40알킬기, C5∼C40아릴기, 또는 C5∼C40헤테로아릴기를 나타내고, 또는 R1,R2,R3,및 R4는 서로 인접하는 두 기가 결합하여 축합(fused) C5∼C40아릴기를 형성할 수 있고;R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 , which are the same as or different from each other, represent a hydrogen atom, a C 1 -C 40 alkyl group, a C 5 -C 40 aryl group, or a C 5 -C 40 heteroaryl group, or R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 may combine two adjacent groups to form a fused C 5 to C 40 aryl group;

A1및 A2는 서로 같거나 다른 것으로서 N 또는 C-R5를 나타내고, 이때 R5는 수소원자, C1∼C40알킬기, C5∼C40아릴기, 또는 C5∼C40헤테로아릴기를 나타내고; A 1 and A 2 , which are the same or different, represent N or CR 5 , wherein R 5 represents a hydrogen atom, a C 1 -C 40 alkyl group, a C 5 -C 40 aryl group, or a C 5 -C 40 heteroaryl group ;

X1및 X2는 서로 같거나 다른 것으로서 단일결합, S, O, CRaRb,SiRaRb,또는 N-(L3)m-L4를 나타내고;X 1 and X 2 , which are the same as or different from each other, represent a single bond, S, O, CR a R b , SiR a R b , or N- (L 3 ) m -L 4 ;

L1및 L3은 서로 같거나 다른 것으로서 C3∼C40시클로알킬기, 또는 C5∼C40아릴기를 나타내고;L 1 and L 3 , which are the same as or different from each other, represent a C 3 to C 40 cycloalkyl group, or a C 5 to C 40 aryl group;

L2및 L4는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자, C1∼C40알킬기, C3∼C40헤테로시클로알킬기, 또는 C5∼C40헤테로아릴기를 나타내고; L 2 and L 4, the same as or different from each other, represent a hydrogen atom, a C 1 -C 40 alkyl group, a C 3 -C 40 heterocycloalkyl group, or a C 5 -C 40 heteroaryl group;

Ra,및 Rb는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자, C1∼C40알킬기, C5∼C40아릴기, C3∼C40시클로알킬기, C3∼C40헤테로시클로알킬기, 또는 C5∼C40헤테로아릴기를 나타내고;R a and R b are the same as or different from each other and are a hydrogen atom, a C 1 to C 40 alkyl group, a C 5 to C 40 aryl group, a C 3 to C 40 cycloalkyl group, a C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, or C 5 It represents a ~C 40 heteroaryl;

m은 0 또는 1이고;m is 0 or 1;

또한 상기 치환기 A1,A2,L2,L4,Ra,및 Rb의 정의에 사용된 헤테로시클로알킬 또는 헤테로아릴은 O, S, N, 및 Si 중에서 선택된 헤테로원자가 1 내지 4개 포함될 수 있고,In addition, the heterocycloalkyl or heteroaryl used in the definition of the substituents A 1 , A 2 , L 2 , L 4 , R a , and R b may include 1 to 4 heteroatoms selected from O, S, N, and Si. Can,

또한 상기 치환기 R1,R2,R3,R4,A1,A2,L1,L2,L3,L4,Ra,및 Rb의 정의에 사용된 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴, 또는 헤테로시클로알킬은 단일고리(monocyclic)이거나 또는 2 내지 7개의 다중고리(polycyclic)로 이루어질 수 있으며, 상기 단일고리 또는 다중고리는 중수소, C1∼C40알킬, C3∼C40시클로알킬, C5∼C40아릴아미노, 디(C5∼C40아릴)아미노, C5∼C40아릴, C3∼C40헤테로시클로알킬, 및 C5∼C40헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있고, 또한 상기 단일고리 또는 다중고리의 치환체로 정의된 아릴 또는 헤테로아릴은 C1∼C40알킬, C5∼C40아릴, 및 C5∼C40헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 다시 치환 또는 비치환될 수 있다.Also used in the definitions of the substituents R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , A 1 , A 2 , L 1 , L 2 , L 3 , L 4 , R a , and R b , cycloalkyl, hetero Aryl, or heterocycloalkyl, may be monocyclic or consist of 2 to 7 polycyclic, which monocyclic or polycyclic is deuterium, C 1 -C 40 alkyl, C 3 -C 40 cyclo Selected from the group consisting of alkyl, C 5 -C 40 arylamino, di (C 5 -C 40 aryl) amino, C 5 -C 40 aryl, C 3 -C 40 heterocycloalkyl, and C 5 -C 40 heteroaryl Aryl or heteroaryl, which may be substituted or unsubstituted with a substituent, and defined as a substituent of the above monocyclic or polycyclic ring, may be substituted with C 1 -C 40 alkyl, C 5 -C 40 aryl, and C 5 -C 40 heteroaryl. It may be substituted or unsubstituted again with a substituent selected from the group consisting of.

본 발명의 발명자는 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 유기 발광 화합물의 치환기로서 R1,R2,R3,R4,A1,A2,X1,X2,L1,및 L3를 선택 특정한 다양한 유도체를 개발하여 전자수송층(ETM), 발광층(EML), 정공수송층(HTM) 등, 제1전극과 상기 제2전극 사이의 각종 유기막으로 사용될 수 있는 유기 광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자를 개발하고, 유기발광소자로 활용될 경우 효율 증가와 구동 전압의 감소와 같은 성능의 개선 및 OLED 재료로서의 능력을 극대화시킬 수 있고, 특히 발광 수명이 현저히 향상됨을 발견하였으며, 이를 태양광 발전을 위한 광소자 및 광화합물 분야에 응용 적용할 경우 우수한 발전 효율을 얻을 수 있을 것으로 기대된다.The inventors of the present invention as a substituent of the organic light emitting compound represented by Formula F1 or Formula F2 R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , A 1 , A 2 , X 1 , X 2 , L 1 , and L 3 By developing various specific derivatives, an organic photochemical compound which can be used as various organic films between the first electrode and the second electrode, such as an electron transport layer (ETM), an emission layer (EML), a hole transport layer (HTM), etc. When developing an optical device and using it as an organic light emitting device, it has been found that it is possible to maximize performance as an OLED material and to improve performance, such as increased efficiency and a decrease in driving voltage, and in particular, light emission life is remarkably improved. It is expected that excellent power generation efficiency can be obtained when applied to the field of optical device and optical compound.

이하에서는 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 유기 발광 화합물을 유기 발광 소자와 관련하여 설명할 것이나, 이에 의하여 본 발명이 제한 해석 되어서는 안 된다.Hereinafter, the organic light emitting compound represented by Chemical Formula F1 or Chemical Formula F2 will be described with reference to the organic light emitting device, but the present invention should not be construed as a limitation.

상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 유기 발광 화합물은 유기 광소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 유기막을 이루는 물질로 적합하다. 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 유기 발광 화합물은 유기 발광 소자의 유기막, 특히 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 또는 발광층에 사용되기 적합하며 호스트 재료뿐만 아니라 도펀트 재료로서도 사용된다. 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 유기 발광 화합물은 녹색인 색상을 제공하며 백색 등 발광 소자에 사용하기에 적합하다.The organic light emitting compound represented by Chemical Formula F1 or Chemical Formula F2 is suitable as a material forming an organic film interposed between the first electrode and the second electrode among organic optical devices. The organic light emitting compound represented by Chemical Formula F1 or Chemical Formula F2 is suitable for use in an organic film, particularly a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, or a light emitting layer of an organic light emitting device, and is used as a dopant material as well as a host material. The organic light emitting compound represented by Chemical Formula F1 or Chemical Formula F2 provides a green color and is suitable for use in a light emitting device such as white.

상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 유기 발광 화합물의 치환기를 구체적으로 나타내면 하기와 같다.Specific examples of the substituent of the organic light emitting compound represented by Formula F1 or Formula F2 are as follows.

상기 R1,R2,R3,및 R4는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자, C1∼C10알킬기, 페닐기, 나프탈레닐기, 피리딜기, 피리미딜기, 또는 트리아지닐기이거나, 또는 R1,R2,R3,및 R4는 서로 인접하는 두 기가 결합하여 축합(fused) 페닐기 또는 축합(fised) 나프탈레닐기를 형성할 수 있다. R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are the same as or different from each other and are a hydrogen atom, a C 1 -C 10 alkyl group, a phenyl group, a naphthalenyl group, a pyridyl group, a pyrimidyl group, or a triazinyl group, or R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 may combine two adjacent groups to form a fused phenyl group or a fised naphthalenyl group.

상기 A1및 A2는 서로 같거나 다른 것으로서 N 또는 C-R5를 나타내고, 이때 R5는 수소원자, C1∼C10알킬기, 또는 페닐기를 나타낼 수 있다.The A 1 and A 2 are the same as or different from each other and represent N or CR 5 , wherein R 5 may represent a hydrogen atom, a C 1 to C 10 alkyl group, or a phenyl group.

상기 X1및 X2는 서로 같거나 다른 것으로서 단일결합, S, O, CH(C1∼C10알킬), C(C1∼C10알킬)(C1∼C10알킬), CH(C5∼C10아릴), C(C5∼C10아릴)(C5∼C10아릴), SiH(C1∼C10알킬), Si(C1∼C10알킬)(C1∼C10알킬), SiH(C5∼C10아릴), Si(C5∼C10아릴)(C5∼C10아릴) 또는 N-(L3)m-L4를 나타낼 수 있다.X 1 and X 2 are the same as or different from each other, and a single bond, S, O, CH (C 1 -C 10 alkyl), C (C 1 -C 10 alkyl) (C 1 -C 10 alkyl), CH (C 5- C 10 aryl), C (C 5 -C 10 aryl) (C 5 -C 10 aryl), SiH (C 1 -C 10 alkyl), Si (C 1 -C 10 alkyl) (C 1 -C 10 Alkyl), SiH (C 5 -C 10 aryl), Si (C 5 -C 10 aryl) (C 5 -C 10 aryl) or N- (L 3 ) m -L 4 .

상기 L1및 L3은 서로 같거나 다른 것으로서 페닐렌기, 바이페닐렌기,

Figure pat00005
,나프탈레닐렌기, 나프탈레닐렌나프탈레닐렌기, 안트라세닐렌기, 페난트레닐렌기, 플루오레닐렌기, 또는
Figure pat00006
를 나타내고, 또한, 이들은 각각 중수소, C1∼C10알킬, 페닐, C1∼C10알킬 치환된 페닐, 바이페닐, 및 피리딜 중에서 선택된 치환체로 치환 또는 비치환될 수 있다. L 1 and L 3 are the same as or different from each other, a phenylene group, a biphenylene group,
Figure pat00005
Naphthalenylene group, naphthalenylene naphthalenylene group, anthracenylene group, phenanthrenylene group, fluorenylene group, or
Figure pat00006
In addition, they may be substituted or unsubstituted with a substituent selected from deuterium, C 1 -C 10 alkyl, phenyl, C 1 -C 10 alkyl substituted phenyl, biphenyl, and pyridyl, respectively.

상기 Q1은 O, S, C(C1∼C10알킬)(C1∼C10알킬), C(C5∼C10아릴)(C5∼C10아릴), Si(C1∼C10알킬)(C1∼C10알킬) 또는 Si(C5∼C10아릴)(C5∼C10아릴)를 나타낼 수 있다.Q 1 is O, S, C (C 1 -C 10 alkyl) (C 1 -C 10 alkyl), C (C 5 -C 10 aryl) (C 5 -C 10 aryl), Si (C 1 -C 10 alkyl) (C 1 -C 10 alkyl) or Si (C 5 -C 10 aryl) (C 5 -C 10 aryl).

상기 L2및 L4는 수소원자, C1∼C10알킬기, 피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 인돌기, 페난트리딘기, 벤조티아졸기,

Figure pat00007
,
Figure pat00008
,
Figure pat00009
또는
Figure pat00010
를 나타내고, 또한 이들은 각각 중수소, C1∼C10알킬, 페닐, 중수소 치환된 페닐, C1∼C10알킬 치환된 페닐, 바이페닐, 나프탈레닐, 및 피리딜 중에서 선택된 치환체로 치환 또는 비치환될 수 있다.L 2 and L 4 represent a hydrogen atom, a C 1 -C 10 alkyl group, a pyridyl group, a pyrimidyl group, a triazinyl group, a quinolinyl group, a quinazolinyl group, an indole group, a phenanthridine group, a benzothiazole group,
Figure pat00007
,
Figure pat00008
,
Figure pat00009
or
Figure pat00010
And are also unsubstituted or substituted with substituents selected from deuterium, C 1 -C 10 alkyl, phenyl, deuterium substituted phenyl, C 1 -C 10 alkyl substituted phenyl, biphenyl, naphthalenyl, and pyridyl, respectively. Can be.

상기 Q2,Q3,및 Q4는 서로 같거나 다른 것으로서 O, S, NH, N(C1∼C10알킬), N(C5∼C10아릴), C(C1∼C10알킬)(C1∼C10알킬), C(C5∼C10아릴)(C5∼C10아릴), Si(C1∼C10알킬)(C1∼C10알킬) 또는 Si(C5∼C10아릴)(C5∼C10아릴)를 나타낸다.Q 2 , Q 3 , and Q 4 are the same as or different from each other and are O, S, NH, N (C 1 -C 10 alkyl), N (C 5 -C 10 aryl), C (C 1 -C 10 alkyl ) (C 1 -C 10 alkyl), C (C 5 -C 10 aryl) (C 5 -C 10 aryl), Si (C 1 -C 10 alkyl) (C 1 -C 10 alkyl) or Si (C 5 -C 10 aryl) (C 5 -C 10 aryl).

상기 Rc및 Rd는 서로 같거나 다른 것으로서 C1∼C40알킬기, C5∼C40아릴기, C3∼C40시클로알킬기, C3∼C40헤테로시클로알킬기, 또는 C5∼C40헤테로아릴기 중에서 선택된 1 내지 5개의 치환체이고, 또한 이들 각각은 중수소, C1∼C10알킬, C5∼C10아릴, C3∼C10시클로알킬, C3∼C10헤테로시클로알킬, 또는 C5∼C10헤테로아릴 중에서 선택된 1 내지 5개의 치환체로 치환 또는 비치환될 수 있다.R c and R d are the same as or different from each other, and are C 1 -C 40 alkyl groups, C 5 -C 40 aryl groups, C 3 -C 40 cycloalkyl groups, C 3 -C 40 heterocycloalkyl groups, or C 5 -C 40 is 1 to 5 substituents selected from the heteroaryl group, and each of which is heavy hydrogen, C 1 ~C 10 alkyl, C 5 ~C 10 aryl, C 3 ~C 10 cycloalkyl, C 3 ~C 10 heterocycloalkyl, or It may be substituted or unsubstituted with 1 to 5 substituents selected from C 5 to C 10 heteroaryl.

상기 m은 L1의 개수를 의미하는 것으로, m=0인 경우는 L1이 존재하지 않음을 의미하는 것이고, m=0인 경우는 L1이 존재함을 의미하는 것이다. M denotes the number of L 1 , and when m = 0, L 1 does not exist, and when m = 0, L 1 is present.

보다 상세하게 본 발명의 일 구현예에 따르면, 본 발명의 유기 발광 소자에 사용되는 유기 발광 화합물은 인다졸을 기본 골격으로 하며, 구체적으로 예시하면 하기 [제1표군(群)]에 나타낸 바와 같은 화합물 1 내지 360이 포함될 수 있겠으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다:In more detail, in accordance with an embodiment of the present invention, the organic light emitting compound used in the organic light emitting device of the present invention has an indazole as a basic skeleton, specifically, as shown in the following [First Table Group] Compounds 1 to 360 may be included, but the invention is not limited thereto:

[제1표군(群)][First group (group)]

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Figure pat00013
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본 발명에 따른 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 유기 발광 화합물은 통상의 합성 방법을 이용하여 합성될 수 있으며, 상기 화합물의 보다 상세한 합성 경로는 하기 합성예 1 내지 4를 참조할 수 있다. The organic light emitting compound represented by Chemical Formula F1 or Chemical Formula F2 according to the present invention may be synthesized using a conventional synthetic method, and more detailed synthetic routes of the compound may be referred to Synthesis Examples 1 to 4 below.

상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 유기 발광 화합물은 유기 광소자의 유기막, 특히 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층 또는 발광층에 사용되기 적합하다. 본 발명을 따르는 유기발광 소자의 구조는 매우 다양하다. 상기 제1전극과 제2전극 사이에 정공주입층, 정공수송층, 정공저지층, 전자저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함할 수 있다.The organic light emitting compound represented by Chemical Formula F1 or Chemical Formula F2 is suitable for use in an organic film of an organic optical device, in particular, a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, or a light emitting layer. The structure of the organic light emitting device according to the present invention is very diverse. The organic EL device may further include at least one layer selected from the group consisting of a hole injecting layer, a hole transporting layer, a hole blocking layer, an electron blocking layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer between the first electrode and the second electrode.

구체적으로 본 발명은 유기 전계 발광 소자를 제공하며, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극 및 제2전극 사이에 개재되는 1층 이상의 유기물층으로 이루어진 유기 발광 소자에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2에서 선택되는 유기 발광 화합물을 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 한다.More specifically, the present invention provides an organic electroluminescent device, wherein the organic electroluminescent device comprises: a first electrode; A second electrode; And at least one organic material layer interposed between the first electrode and the second electrode, wherein the organic material layer includes at least one organic light emitting compound selected from Formula F1 or Formula F2.

본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 화합물을 하나 이상 포함하면서, 동시에 통상의 호스트 재료, 통상의 도펀트 재료, 또는 이의 혼합물을 더 포함할 수 있다.The organic electroluminescent device according to the present invention may include at least one compound represented by Formula F1 or Formula F2, and may further include a conventional host material, a common dopant material, or a mixture thereof.

본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 상기 유기물층을 발광층으로 포함하며, 상기 발광층은 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 화합물로부터 선택되는 유기 발광 화합물 하나 이상을 발광 호스트로 하여 하나 이상의 인광 도펀트를 포함하며, 상기 발광 도펀트는 특별히 제한되지 않는다.The organic electroluminescent device according to the present invention includes the organic material layer as a light emitting layer, and the light emitting layer includes at least one phosphorescent dopant using at least one organic light emitting compound selected from compounds represented by Formula F1 or Formula F2 as a light emitting host. The light emitting dopant is not particularly limited.

본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 화합물로부터 선택되는 유기 발광 화합물 하나 이상을 포함하고, 동시에 아릴아민계 화합물 또는 스티릴아릴아민계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 더 포함할 수 있다.In the organic electroluminescent device of the present invention, at least one organic light emitting compound selected from the compound represented by the formula (F1) or formula (F2), at the same time selected from the group consisting of arylamine compound or styrylarylamine compound It may further comprise a compound.

또한, 본 발명의 유기 발광 소자에 있어서, 유기물층에 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 화합물로부터 선택되는 유기 발광 화합물 하나 이상 이외에 1족, 2족, 4주기, 5주기 전이금속, 란탄계열금속 및 d-전이원소의 유기금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 또는 착체화합물을 더 포함할 수도 있고, 상기 유기물층은 발광층 및 전하생성층을 포함할 수 있다.Further, in the organic light emitting device of the present invention, in addition to at least one organic light emitting compound selected from the compound represented by the formula (F1) or (F2) in the organic layer, Group 1, Group 2, 4 cycle, 5 cycle transition metal, lanthanum series metal and It may further include one or more metals or complex compounds selected from the group consisting of organic metal of the d-transition element, the organic material layer may include a light emitting layer and a charge generating layer.

또한, 상기 유기물층에 상기 유기 발광 화합물 이외에 청색, 적색 또는 녹색 발광을 하는 통상의 유기발광층 하나 이상을 동시에 포함하여 백색 발광을 하는 유기 전계 발광 소자를 형성할 수 있다.In addition, an organic electroluminescent device emitting white light by simultaneously including at least one common organic light emitting layer emitting blue, red or green light in addition to the organic light emitting compound may be formed in the organic material layer.

보다 구체적으로, 본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 구현예는 먼저, 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/발광층/전자수송층/전자주입층/제2전극으로 이루어진 구조를 가질 수 있고, 또 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/제2전극으로 이루어진 구조를 가질 수 있으며, 나아가 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/전자주입층/제2전극의 구조를 가질 수 있다.More specifically, in an embodiment of the organic light emitting device according to the present invention, the organic light emitting device may have a structure including a first electrode / a hole injection layer / a light emitting layer / an electron transport layer / an electron injection layer / The organic light emitting device may have a structure including a first electrode / a hole injection layer / a hole transporting layer / a light emitting layer / an electron transporting layer / an electron injecting layer / a second electrode. Further, the organic light emitting device may include a first electrode / a hole injecting layer / / Light emitting layer / hole blocking layer / electron transporting layer / electron injecting layer / second electrode.

이때, 상기 전자수송층, 발광층, 정공주입층 또는 정공수송층 중 하나 이상은 본 발명을 따르는 유기 발광 화합물을 포함할 수 있다.At this time, one or more of the electron transporting layer, the light emitting layer, the hole injecting layer, or the hole transporting layer may include an organic light emitting compound according to the present invention.

본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 발광층은 적색, 녹색, 청색 또는 백색을 포함하는 인광 또는 형광 도펀트를 포함할 수 있다. 이 중, 상기 인광 도펀트는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb 및 Tm으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 유기금속화합물일 수 있다. 또한, 본 발명에 따르는 화합물은 발광층에서 형광 도펀트로도 사용될 수 있다.The light emitting layer of the organic light emitting device according to the present invention may include a phosphorescent or fluorescent dopant including red, green, blue or white. The phosphorescent dopant may be an organometallic compound containing at least one element selected from the group consisting of Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb and Tm. In addition, the compound according to the present invention can also be used as a fluorescent dopant in the light emitting layer.

이하, 본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 제조 방법을 구체적으로 살펴보기로 한다. 먼저 기판 상부에 높은 일함수를 갖는 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등에 의해 형성하여 제1전극을 형성한다. 상기 제1전극은 애노드(Anode)일 수 있다. 여기에서 기판으로는 통상적인 유기 광소자에서 사용되는 기판을 사용하는데 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 사용한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting device according to the present invention will be described in detail. First, a first electrode material having a high work function on the substrate is formed by a deposition method or a sputtering method to form a first electrode. The first electrode may be an anode. Here, the substrate used in a typical organic optical device is preferably a glass substrate or a transparent plastic substrate having excellent mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness. As the material for the first electrode, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO2), zinc oxide (ZnO) or the like is used which is transparent and excellent in conductivity.

다음으로, 상기 제1전극 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공주입층(HIL)을 형성할 수 있다.Next, a hole injection layer (HIL) may be formed on the first electrode by various methods such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, and an LB method.

진공증착법에 의하여 정공주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 증착온도 100 내지 500℃, 진공도 10-5내지 10-3torr,증착속도 0.01 내지 100 Å/sec, 막 두께는 통상 100 Å 내지 1 ㎛ 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.When the hole injection layer is formed by the vacuum deposition method, the deposition conditions vary depending on the compound used as the material of the hole injection layer, the structure and the thermal characteristics of the desired hole injection layer, and the like. In general, A degree of vacuum of 10 < -5 > to 10 < -3 > torr, a deposition rate of 0.01 to 100 ANGSTROM / sec, and a film thickness of 100 ANGSTROM to 1 mu m.

스핀코팅법에 의하여 정공주입층을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000 rpm 내지 5000 rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위 에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.When the hole injecting layer is formed by spin coating, the coating conditions vary depending on the compound used as the material of the hole injecting layer, the structure and the thermal properties of the desired hole injecting layer, and preferably from about 2000 rpm to 5000 rpm The coating speed and the heat treatment temperature for removing the solvent after coating are preferably selected in a temperature range of about 80 to 200 캜.

상기 정공주입층 물질은 전술한 바와 같은 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 유기 발광 화합물일 수 있다.The hole injection layer material may be an organic light emitting compound represented by Chemical Formula F1 or Chemical Formula F2 as described above.

또는, 예를 들어, 미국특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 Advanced Material, 6, p.677(1994)에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류인 TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB, 4,4',4"-트리스(N-(나프틸)-N-페닐아미노)트리페닐아민 (2-TNATA), 용해성이 있는 전도성 고분자인 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산 (Pani/DBSA) 또는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트 (PEDOT/PSS), 폴리아닐린/캠퍼술폰산 (PANI/CSA) 또는 폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트) (PANI/PSS) 등과 같은 공지된 정공주입 물질을 사용할 수 있다.Alternatively, phthalocyanine compounds such as copper phthalocyanine disclosed in U.S. Patent No. 4,356,429 or starburst amine derivatives such as TCTA, m-MTDATA, and m-MTDATA described in Advanced Material, 6, p.677 (1994) (2-TNATA), polyaniline / dodecylbenzenesulfonic acid (Pani / DBSA), which is a soluble conductive polymer, (PEDOT / PSS), polyaniline / camphorsulfonic acid (PANI / CSA) or polyaniline / poly (4-styrenesulfonate) (PANI / PSS ), And the like can be used.

상기 정공주입층의 두께는 약 100 Å 내지 10000 Å, 바람직하게는 100 Å 내지 1000 Å일 수 있다. 상기 정공주입층의 두께가 100 Å 미만인 경우, 정공주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공주입층의 두께가 10000 Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The thickness of the hole injection layer may be about 100 A to about 10000 A, and preferably about 100 A to about 1000 A. When the thickness of the hole injection layer is less than 100 ANGSTROM, hole injection characteristics may be degraded. If the thickness of the hole injection layer is more than 10000 ANGSTROM, the driving voltage may increase.

다르게는, 상기 정공주입층은 진공기상증착법에 의해 형성할 수 있다. 구체적인 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적인 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 예를 들어 N,N-비스-[4-(디-메타톨릴아미노)페닐]-N,N-바이페닐-4,4-디아민 (DNTPD) 등이 사용될 수 있다.Alternatively, the hole injection layer may be formed by a vacuum vapor deposition method. The specific deposition conditions vary depending on the compound used, but are selected from substantially the same range of conditions as the formation of a general hole injection layer. For example, N, N-bis- [4- (di-methtolylamino) phenyl] -N, N-biphenyl-4,4-diamine (DNTPD) and the like can be used.

다음으로 상기 정공주입층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공수송층(HTL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀팅법에 의하여 정공수송층을 형성하는 경우, 그 증착조건 및 코팅조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.Next, a hole transport layer (HTL) may be formed on the hole injection layer by various methods such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, and an LB method. In the case of forming the hole transporting layer by the vacuum deposition method and the sputtering method, the deposition conditions and the coating conditions vary depending on the compound used, but are generally selected from substantially the same range of conditions as the formation of the hole injection layer.

상기 정공수송층 물질은 전술한 바와 같은 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 유기 발광 화합물을 포함할 수 있다. 또한 공지된 정공수송 물질로서 예를 들어, N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등의 카르바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민 (TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘 (α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상적인 아민 유도체 등을 포함할할 수 있다. 상기 정공수송층의 두께는 약 50 Å 내지 1000 Å, 바람직하게는 100 Å 내지 600 Å일 수 있다. 상기 정공수송층의 두께가 50 Å 미만인 경우, 정공수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공수송층의 두께가 1000 Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The hole transport layer material may include an organic light emitting compound represented by Chemical Formula F1 or Chemical Formula F2 as described above. Examples of known hole transporting materials include carbazole derivatives such as N-phenylcarbazole and polyvinylcarbazole, N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'- 1-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD), and N, N'-di A typical amine derivative, and the like. The thickness of the hole transporting layer may be about 50 A to 1000 A, preferably 100 A to 600 A. When the thickness of the hole transporting layer is less than 50 ANGSTROM, the hole transporting property may be deteriorated. When the thickness of the HTL is more than 1000 ANGSTROM, the driving voltage may increase.

다음으로 상기 정공수송층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층(EML)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.Next, a light emitting layer (EML) may be formed on the hole transporting layer by a method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, or an LB method. When a light emitting layer is formed by a vacuum deposition method and a spin coating method, the deposition conditions vary depending on the compound used, but generally, the conditions are substantially the same as those for forming the hole injection layer.

상기 발광층은 전술한 바와 같이 본 발명에 따른 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 이때, 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 화합물은 적합한 공지의 호스트 재료와 함께 사용될 수 있거나, 공지의 도펀트 재료와 함께 사용될 수 있다. 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 화합물을 단독으로 사용하는 것도 가능하다. As described above, the emission layer may include a compound represented by Formula F1 or Formula F2 according to the present invention. In this case, the compound represented by Formula F1 or Formula F2 may be used with a suitable known host material or may be used with a known dopant material. It is also possible to use the compound represented by the said Formula (F1) or Formula (F2) independently.

상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 화합물과 조합하여 사용할 수 있는 호스트 재료로는 예를 들면, 트리스(8-하이드록시퀴놀레이트알루미늄 (Alq3), 4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐 (CBP), 또는 폴리(n-비닐카바졸) (PVK) 등을 사용할 수 있다. 또한, 호스트 재료로는 하기 화학식 i로 표시되는 비대칭 안트라센 유도체, 하기 화학식 ⅱ로 표시되는 비대칭 모노안트라센 유도체, 하기 화학식 ⅲ으로 표시되는 비대칭 피렌 유도체, 하기 화학식 ⅳ로 표시되는 비대칭 안트라센 유도체, 하기 화학식 v로 표시되는 안트라센 유도체, 하기 화학식 ⅵ으로 표시되는 안트라센 유도체, 하기 화학식 ⅶ로 표시되는 스파이로플루오렌 유도체, 하기 화학식 ⅷ로 표시되는 축합고리 함유 화합물, 하기 화학식 ⅸ로 표시되는 플루오렌 화합물, 하기 화학식 x로 표시되는 안트라센 중심 골격을 갖는 화합물, 또는 상기 화학식 x에서 A1과 A2가 서로 다른 기가 치환된 하기 화학식 xi로 표시되는 안트라센 중심 골격을 갖는 화합물로부터 선택될 수 있다.As a host material which can be used in combination with the compound represented by the said Formula (F1) or (F2), for example, tris (8-hydroxy quinolate aluminum (Alq3), 4,4'-N, N'- dicarbazole- Biphenyl (CBP), poly (n-vinylcarbazole) (PVK), etc. In addition, as a host material, an asymmetric anthracene derivative represented by the following general formula (i), an asymmetric monoanthracene derivative represented by the following general formula (ii) , Asymmetric pyrene derivatives represented by the following formula (VII), asymmetric anthracene derivatives represented by the following formula (VII), anthracene derivatives represented by the following formula (V), anthracene derivatives represented by the following formula (VII), and spirofluorene derivatives represented by the following formula (VII) , A condensed ring-containing compound represented by the following formula (VII), a fluorene compound represented by the following formula (VII), anthracene represented by the following formula (x) It may be selected from a compound having a central skeleton, or a compound having an anthracene central skeleton represented by the following formula (xi) in which A 1 and A 2 are substituted with different groups in the formula (x).

[화학식 i](I)

Figure pat00035
Figure pat00035

(상기 화학식 i에서, Ar은 치환되거나 비치환된 C10∼C50의 축합 아릴기이고; Ar'는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기이고; X는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 6 내지 50의 아릴싸이오기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시카보닐기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 또는 하이드록실기이고; a, b 및 c는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고; n은 1 내지 3의 정수이고, n이 2 또는 3인 경우 [ ] 안은 같거나 다를 수 있다)(In Formula (I), Ar is a substituted or unsubstituted C 10- C 50 condensed aryl group; Ar 'is a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group; X is a substituted or unsubstituted C of 6 ~C 50 aryl group, a substituted or beach heteroaryl group can unsubstituted 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted alkyl group of unsubstituted C 1 ~C 50, substituted or unsubstituted C 1 ~C 50 alkoxy group , Substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aralkyl group, substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 6 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted Ring C 1 -C 50 alkoxycarbonyl group, carboxyl group, halogen atom, cyano group, nitro group, or hydroxyl group, a, b and c are each independently an integer of 0 to 4; n Is an integer from 1 to 3, and in n may be the same or different when n is 2 or 3)

[화학식 ⅱ](Ii)

Figure pat00036
Figure pat00036

(상기 화학식 ⅱ에서, Ar1및 Ar2는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기이고; m 및 n은 각각 1 내지 4의 정수이고, 단 m=n=1이고 Ar1과 Ar2의 벤젠고리에의 결합 위치가 좌우 대칭형인 경우에는 Ar1과 Ar2는 동일하지 않고, m 또는 n이 2 내지 4의 정수인 경우에는 m과 n은 다른 정수이고; R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9및 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C3∼C50사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 6 내지 50의 아릴싸이오기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시카보닐기, 치환되거나 비치환된 실릴기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기 또는 하이드록실기이다.)(In Formula (ii), Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group; m and n are each an integer of 1 to 4, provided that m = n = 1 and Ar Ar 1 and Ar 2 are not the same when the bond position of 1 and Ar 2 to the benzene ring is symmetric, and m and n are different integers when m or n is an integer of 2 to 4; R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group, substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted C 1 -C 50 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 50 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 50 alkoxy group group, a substituted or unsubstituted substituted C 6 ~C 50 aralkyl group, the ring or unsubstituted 5 to 50 nuclear atoms aryloxy, substituted or unsubstituted nuclear atoms of 6 to 50 Im coming aryl, a substituted or unsubstituted C 1 ~C 50 alkoxy carbonyl group, a substituted or unsubstituted group in between a silyl group, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro, or hydroxyl group.)

[화학식 ⅲ](Iii)

Figure pat00037
Figure pat00037

[상기 화학식 ⅲ에서, Ar 및 Ar'은 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 핵C6∼C50의 아릴기이고; L 및 L'은 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 페닐렌기, 치환되거나 비치환된 나프탈레닐렌기, 치환되거나 비치환된 플루오렌일렌기 또는 치환되거나 비치환된 다이벤조실롤릴렌기이고; m은 0 내지 2의 정수이고; n은 1 내지 4의 정수이고; s는 0 내지 2의 정수이고; t는 0 내지 4의 정수이고; 또한 L 또는 Ar은 피렌의 C1 내지 C5 위치 중 어느 하나에 결합하고, L' 또는 Ar'은 피렌의 C6 내지 C10 위치 중 어느 하나에 결합하며, [In Formula (VII), Ar and Ar 'are each independently a substituted or unsubstituted aryl group of nuclear C 6 -C 50 ; L and L 'are each independently a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted naphthalenylene group, a substituted or unsubstituted fluorenylene group or a substituted or unsubstituted dibenzylphenylene group; m is an integer from 0 to 2; n is an integer from 1 to 4; s is an integer from 0 to 2; t is an integer from 0 to 4; And L or Ar is bonded to any one of the C1 to C5 positions of the pyrene and L 'or Ar' is bonded to any one of the C6 to C10 positions of the pyrene,

단, n+t가 짝수일 때, Ar, Ar', L, L'은 하기 (1) 또는 (2)를 만족한다 :Provided that Ar, Ar ', L and L' satisfy the following (1) or (2) when n + t is an even number:

(1) Ar≠Ar' 및/또는 L≠L'(여기서 ≠는, 서로 다른 구조의 기임을 나타냄)(1) Ar ≠ Ar 'and / or L ≠ L' (wherein ≠ represents a group of different structure)

(2) Ar=Ar'이고 L=L'일 때(2) when Ar = Ar 'and L = L'

(2-1) m≠s 및/또는 n≠t, 또는(2-1) m? S and / or n? T, or

(2-2) m=s 이고 n=t일 때,(2-2) When m = s and n = t,

(2-2-1) L 및 L', 또는 피렌이 각각 Ar 및 Ar' 상의 다른 결합 위치에 결합해 있거나, (2-2-1) L and L ', or pyrene is bonded to other bonding sites on Ar and Ar'

(2-2-2) L 및 L', 또는 피렌이 각각 Ar 및 Ar' 상의 같은 결합 위치에서 결합하고 있는 경우, L 및 L' 또는 Ar 및 Ar'의 피렌에 있어서의 치환 위치가 C1과 C6 위치, 또는 C2와 C7 위치인 경우는 없다.](2-2-2) When L and L 'or pyrene are bonded at the same binding position on Ar and Ar', respectively, the substitution position in the pyrene of L and L 'or Ar and Ar' is C1 and C6. Position or C2 and C7 position.]

[화학식 ⅳ][Chemical Formula (iv)

Figure pat00038
Figure pat00038

(상기 화학식 ⅳ에서, A1및 A2는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 C10∼C20의 축합 아릴기이고; Ar1및 Ar2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기이고; R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9및 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C3∼C50의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 6 내지 50의 아릴싸이오기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시카보닐기, 치환되거나 비치환된 실릴기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기 또는 하이드록실기이고; Ar1,Ar2,R9및 R10은 축합 아릴기에의 치환기로서 2 이상의 복수개가 치환될 수 있고, 이들은 서로 인접하는 기가 결합하여 포화 또는 불포화된 고리를 형성할 수도 있고; 단, 안트라센 모핵의 C9 및 C10 위치에, 상기 안트라센 상에 나타내는 X-Y축에 대하여 대칭형이 되는 기가 결합하는 경우는 제외한다.)(In Formula (X), A 1 and A 2 are each independently a substituted or unsubstituted C 10 to C 2 0 condensed aryl group; Ar 1 and Ar 2 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C 6.) aryl groups and ~C 50; R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6, R 7, R 8, R 9 and R 10 is a ring C each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted of 6 ~C 50 aryl group, a substituted or unsubstituted heteroaryl groups in the number of nuclear atoms of 5 to 50 ring, an alkyl group a substituted or unsubstituted C 1 ~C 50, a substituted or unsubstituted C 3 ~C 50 cycloalkyl group , Substituted or unsubstituted C 1 -C 50 alkoxy group, substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aralkyl group, substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted Arylthio groups having 6 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted C 1 to C 50 alkoxycarbonyl groups, substituted or unsubstituted silyl groups, carboxy Real groups, halogen atoms, cyano groups, nitro groups, or hydroxyl groups; Ar 1 , Ar 2 , R 9 and R 10 may be substituted with two or more groups as substituents to condensed aryl groups, which are adjacent to each other. The groups may be bonded to form a saturated or unsaturated ring, except that the groups symmetric with respect to the XY axis shown on the anthracene are bonded to the C9 and C10 positions of the anthracene nucleus.)

[화학식 v](V)

Figure pat00039
Figure pat00039

(상기 화학식 v에서, R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9및 R10은 각각 독립적으로 수소원자, C1∼C50의 알킬기, C3∼C50의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬아미노기, 치환되거나 비치환된 C2∼C50의 알켄일기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴아미노기, 치환되거나 비치환된 C5∼C50의 헤테로아릴기 또는 치환되거나 비치환된 C5∼C50의 헤테로사이클기를 나타내고; a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수를 나타내고, 이들이 2 이상인 경우 R1끼리 또는 R2끼리는 서로 같거나 다를 수 있고, 또한 R1끼리 또는 R2끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있고, 또한 R3과 R4,R5와 R6,R7과 R8,R9와 R10이 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있고; L1은 단일 결합, -O-, -S-, -N(R)- (이때 R은 C1∼C50의 알킬기 또는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기임), C2∼C50의 알킬렌기 또는 C6∼C50의 아릴렌기를 나타낸다)(In Formula v, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group of C 1 to C 50 , C 3 -C 50 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group, substituted or unsubstituted C 1 -C 50 alkoxy group, substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl jade Time period, substituted or unsubstituted C 1 -C 50 alkylamino group, substituted or unsubstituted C 2 -C 50 alkenyl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 50 arylamino group, substituted or unsubstituted C 5 to C 50 heteroaryl group or substituted or unsubstituted C 5 to C 50 heterocycle group; a and b each independently represent an integer of 1 to 5, and when they are 2 or more, R 1 or R 2 They may be the same as or different from each other, and R 1 or R 2 may be bonded to each other to form a ring, and also R 3 and R 4 , R 5 and R 6 , R 7 and R 8 , R 9 and R 10 may combine with each other to form a ring; L 1 is a single bond, -O-, -S-, -N (R)-(where R is C 1- A C 50 alkyl group or a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group, a C 2 -C 50 alkylene group, or a C 6 -C 50 arylene group)

[화학식 ⅵ](Vi)

Figure pat00040
Figure pat00040

(상기 화학식 ⅵ에서, R11,R12,R13,R14,R15,R16,R17,R18,R19및 R20은 각각 독립적으로 수소 원자, C1∼C50의 알킬기, C3∼C50의 사이클로알킬기, C6∼C50의 아릴기, C1∼C50의 알콕시기, 핵원자수 6 내지 50의 아릴옥시기, C1∼C50의 알킬아미노기, C6∼C50의 아릴아미노기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기 또는 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로사이클기를 나타내고; c, d, e 및 f는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수를 나타내고, 이들이 2 이상인 경우 R11끼리, R12끼리, R16끼리 또는 R17끼리는 서로 같거나 다를 수 있고, 또한 R11끼리, R12끼리, R16끼리 또는 R17끼리는 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있고, 또한 R13과 R14,R18과 R19가 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있고; L2는 단일 결합, -O-, -S-, -N(R)- (이때 R은 C1∼C50의 알킬기 또는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기임), C2∼C50의 알킬렌기 또는 C6∼C50의 아릴렌기를 나타낸다)(In the formula (VII), R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , R 16 , R 17 , R 18 , R 19 and R 20 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group of C 1 to C 50 , C for 3 ~C 50 cycloalkyl group, C 6 ~C 50 aryl group, C 1 ~C 50 alkoxy group, the number of nuclear atoms of 6 to 50 aryloxy group, C 1 ~C 50 alkylamino group, C 6 ~ An arylamino group of C 50 , a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 50 nuclear atoms, or a substituted or unsubstituted nuclear atom having 5 to 50 heterocycle groups; c, d, e and f each independently Represent an integer of 1 to 5, and when they are 2 or more, R 11 , R 12 , R 16 or R 17 may be the same or different, and also R 11 , R 12 , R 16 or R 17 May be bonded to each other to form a ring, and R 13 and R 14 , R 18 and R 19 may be bonded to each other to form a ring; L 2 may be a single bond, —O—, -S-, -N (R) - (wherein R is C 1 ~C 50 alkyl group or a substituted or unsubstituted C 6 ~C 50 aryl group a), of C 2 ~C 50 alkylene group or a C 6 ~C 50 arylene groups)

[화학식 ⅶ][Chemical Formula I]

Figure pat00041
Figure pat00041

(상기 화학식 ⅶ에서, A5,A6,A7및 A8은 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 바이페닐기 또는 치환되거나 비치환된 나프틸기이다)(In Formula (VIII), A 5 , A 6 , A 7 and A 8 are each independently a substituted or unsubstituted biphenyl group or a substituted or unsubstituted naphthyl group.)

[화학식 ⅷ][Chemical Formula I]

Figure pat00042
Figure pat00042

(상기 화학식 ⅷ에서, A9,A10,A11,A12,A13및 A14는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 바이페닐기 또는 비치환된 나프틸기이고, 이들 중 적어도 하나는 3환 이상의 축합 방향족환을 갖으며; R21,R22및 R23은 각각 독립적으로 수소 원자, C1∼C6의 알킬기, C3∼C6의 사이클로알킬기, C1∼C6의 알콕시기, C5∼C18의 아릴옥시기, C7∼C18의 아르알킬옥시기, C5∼C16의 아릴아미노기, 나이트로기, 사이아노기, C1∼C6의 에스터기 또는 할로젠 원자를 나타낸다)(In formula (VIII), A 9 , A 10 , A 11 , A 12 , A 13 and A 14 are each independently a substituted or unsubstituted biphenyl group or an unsubstituted naphthyl group, at least one of which is three or more rings. had have a fused aromatic ring; R 21, R 22 and R 23 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group of C 1 ~C 6, cycloalkyl group of C 3 ~C 6, alkoxy group of C 1 ~C 6, C 5 An aryloxy group of -C 18, an aralkyloxy group of C 7 -C 18 , an arylamino group of C 5 -C 16 , a nitro group, a cyano group, an ester group of C 1 -C 6 , or a halogen atom )

[화학식 ⅸ] [Chemical Formula I]

Figure pat00043
Figure pat00043

(상기 화학식 ⅸ에서, R1및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로사이클기, 치환되거나 비치환된 아미노기, 사이아노기 또는 할로젠 원자를 나타내고, 다른 플루오렌기에 결합하는 R1끼리 및 R2끼리는 서로 같거나 다를 수 있고, 같은 플루오렌기에 결합하는 R1및 R2는 서로 같거나 다를 수 있고; R3및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기 또는 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로사이클기를 나타내고, 다른 플루오렌기에 결합하는 R3끼리 및 R4끼리는 서로 같거나 다를 수 있고, 같은 플루오렌기에 결합하는 R3및 R4는 서로 같거나 다를 수 있고; Ar1및 Ar2는 벤젠고리의 합계가 3개 이상인 치환되거나 비치환된 축합 다환 방향족기 또는 벤젠고리와 헤테로고리의 합계가 3개 이상인 치환되거나 비치환된 탄소로 플루오렌기에 결합하는 축합 다환 헤테로고리기를 나타내고, Ar1및 Ar2는 서로 같거나 다를 수 있고; n은 1 내지 1O의 정수를 나타낸다)(In the formula (V), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C 1 -C 50 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aralkyl group, a substituted or unsubstituted an aryl group of C 6 ~C 50, a substituted or unsubstituted 5 to 50 nuclear atoms of the heterocyclic group, a substituted or represents an amino group, a cyano group or a halogen atom unsubstituted, R 1 bonded to different fluorene Each other and R 2 may be the same as or different from each other, R 1 and R 2 bonded to the same fluorene group may be the same or different from each other; R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C 1 An alkyl group of -C 50 , a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aralkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms. R bound to other fluorene groups 3 and R 4 may be the same as or different from each other, R 3 and R 4 bonded to the same fluorene group may be the same or different from each other, and Ar 1 and Ar 2 may be substituted or unsubstituted with a total of three or more benzene rings; A condensed polycyclic aromatic group or a condensed polycyclic heterocyclic group bonded to a fluorene group with a substituted or unsubstituted carbon having a total of three or more benzene rings and heterocycles, and Ar 1 and Ar 2 may be the same or different from each other; n Represents an integer of 1 to 10)

[화학식 x][Formula x]

Figure pat00044
Figure pat00044

(상기 화학식 x에서, A1및 A2는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 C6∼C20의 아릴기 또는 이로부터 유도되는 기이고, 상기 아릴기는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C3∼C50의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시카보닐기, 치환되거나 비치환된 실릴기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기 및 하이드록실기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 둘 이상의 치환기로 치환될 수 있고, 둘 이상의 치환기로 치환되는 경우 이들 치환기는 서로 같거나 다를 수 있고, 또한 서로 인접하는 치환기끼리 서로 결합하여 포화 또는 불포화된 사이클릭 구조를 형성하고 있을 수도 있고; R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C3∼C50의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시카보닐기, 치환되거나 비치환된 실릴기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기 및 하이드록실기로부터 선택된다)(In Formula x, A 1 and A 2 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 aryl group or a group derived therefrom, wherein the aryl group is a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 of Aryl group, substituted or unsubstituted C 1 -C 50 alkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 50 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C 1 -C 50 alkoxy group, substituted or unsubstituted C 6-C 50 aralkyl group, substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted C 1 to C 50 An alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted silyl group, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group and a hydroxyl group may be substituted with one or two or more substituents, and two or more substituents If substituted with these substitutions Might be to each other equal to and or be different, and also form a cyclic structure among the substituents adjacent to each other be connected to each other, saturated or unsaturated, and; R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6, R 7 and R 8 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted C 1 -C 50 alkyl groups, substituted or unsubstituted C 3 -C 50 cycloalkyl groups, substituted or unsubstituted C 1 -C 50 alkoxy groups, substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aralkyl groups, substituted or unsubstituted Substituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted C 1 to C 50 alkoxycarbonyl group, substituted or unsubstituted silyl group , Carboxyl group, halogen atom, cyano group, nitro group and hydroxyl group Is selected)

[화학식 xi](Xi)

Figure pat00045
Figure pat00045

(화학식 xi에서, A1,A2,R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7및 R8은 각각 독립적으로 상기 화학식 x에서 정의한 바와 같으며, 다만 중심의 안트라센의 C9 및 C10 위치에는 상기 안트라센 상에 나타내는 X-Y축에 대하여 대칭형이 되는 기가 결합하는 경우는 없다)(In Formula xi, A 1 , A 2 , R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 and R 8 are each independently as defined in Formula x, except that At the C9 and C10 positions of the anthracene, a group symmetrical with respect to the XY axis indicated on the anthracene does not bind)

이상의 호스트 재료 중에서도 바람직하기로는 안트라센 유도체이고, 더 바람직하기로는 모노안트라센 유도체이고, 특히 바람직하기로는 비대칭 안트라센 유도체이다.Among the host materials described above, an anthracene derivative is preferable, a monoanthracene derivative is more preferable, and an asymmetric anthracene derivative is particularly preferable.

상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 화합물과 조합하여 사용할 수 있는 도펀트 재료로는 형광 도펀트로서 이데미츠사(Idemitsu사)에서 구입 가능한 IDE102, IDE105 및 하야시바라사에서 구입 가능한 C545T 등을 사용할 수 있으며, 인광 도펀트로서 적색 인광 도펀트 PtOEP, UDC사의 RD61, 녹색 인광 도펀트 Ir(PPy)3 (이때, PPy는 2-페닐피리딘), 청색 인광 도펀트인 F2Irpic, UDC사의 적색인 광 도펀트 RD 61 등을 사용할 수 있다. N-메틸퀴나크리돈 (MQD), 쿠마린(Coumarine) 유도체 등도 사용할 수 있다. 또한, 하기 화학식 a로 표시되는 금속-리간드 착화합물도 사용될 수 있다.As a dopant material that can be used in combination with the compound represented by Formula F1 or Formula F2, IDE102, IDE105, and C545T, available from Hayamibara, may be used as fluorescent dopants, and phosphorescent dopants. As the red phosphorescent dopant PtOEP, RD61 manufactured by UDC, green phosphorescent dopant Ir (PPy) 3 (where PPy is 2-phenylpyridine), F2Irpic which is a blue phosphorescent dopant, and an optical dopant RD 61 which is red in UDC can be used. N-methylquinacridone (MQD), coumarine derivatives and the like can also be used. Further, a metal-ligand complex compound represented by the following formula (a) may also be used.

[화학식 a](A)

M1L101L102L103 M 1 L 101 L 102 L 103

(상기 화학식 a에서, M1은 주기율표상의 7족, 8족, 9족, 10족, 11족, 13족, 14족, 15족 및 16족의 금속원소로 이루어진 군으로부터 선택되고; L101,L102,L103은 각각 리간드로서 하기 구조로부터 선택되며;(In the formula a, M 1 is selected from the group consisting of metal elements of Group 7, 8, 9, 10, 11, 13, 14, 15 and 16 of the periodic table; L 101 , L 102 , L 103 are each selected from the following structures as ligands;

Figure pat00046

Figure pat00046

이때, R201,R202,및 R203은 각각 수소원자, 할로겐이 치환되거나 치환되지 않은 C1∼C30의 알킬기, C1∼C30의 알킬이 치환되거나 치환되지 않은 C1∼C50의 아릴기, 또는 할로젠 원자이고; R204내지 R219는 서로 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1∼C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1∼C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3∼C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2∼C30의알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6∼C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 모노 또는 치환 또는 비치환된 디(C1∼C30의 알킬)아미노기, 치환 또는 비치환된 모노 또는 디-(C6∼C30의 아릴)아미노기, SF5, 치환 또는 비치환된 트리(C1∼C30의 알킬)실릴기, 치환 또는 비치환된 디(C1∼C30의 알킬)(C6∼C30의 아릴)실릴기, 치환 또는 비치환된 트리(C6∼C30의 아릴)실릴기, 시아노 또는 할로젠 원자이고; R220내지 R223은 서로 독립적으로 수소원자, 중수소 원자, 할로젠이 치환되거나 치환되지 않은 C1∼C30의 알킬기, 또는 C1∼C30의 알킬이 치환되거나 치환되지 않은 C6∼C30의 아릴기이고; R224및 R225는 서로 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1∼C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6∼C30의 아릴기, 또는 할로젠 원자이거나, R224와 R225는 축합고리를 포함하거나 포함하지 않는 C3∼C12의 알킬렌 또는 C3∼C12의 알케닐렌으로 연결되어 지방족 고리 및 단일환 또는 다중환의 방향족 고리를 형성하며; R226은 치환 또는 비치환된 C1∼C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6∼C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C5∼C30의 헤테로아릴기, 또는 할로젠 원자이고; R227내지 R229는 서로 독립적으로 수소원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1∼C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6∼C30의 아릴기, 또는 할로젠 원자이고; Q는

Figure pat00047
,
Figure pat00048
또는
Figure pat00049
이며, R231내지 R242는 서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로젠이 치환되거나 치환되지 않은 C1∼C30의 알킬기, C1∼C30의 알콕시기, 할로젠이 치환 또는 비치환된 C6∼C30의 아릴기, 시아노가 치환 또는 비치환된 C5∼C30의 시클로알킬기이거나, 인접한 치환체와 C3∼C12의 알킬렌 또는 C3∼C12의 알케닐렌으로 연결되어 스피로 고리 또는 축합고리를 형성할 수 있거나, R207또는 R208과 C3∼C12의 알킬렌 또는 C3∼C12의 알케닐렌으로 연결되어 포화 또는 불포화의 축합고리를 형성할 수 있다.At this time, the R 201, R 202, and R 203 each represent a hydrogen atom, an alkyl group with or without halogen substituent C 1 ~C 30, C 1 ~C 30 alkyl is optionally substituted C 1 ~C 50 of An aryl group, or a halogen atom; R 204 to R 219 independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~C 30 uial Kane group, a substituted or unsubstituted mono or a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~C 30 ring-di (C 1 ~C 30 alkyl) amino group, a substituted or unsubstituted mono- or di-ring - (C 6 ~C 30 aryl) amino group, a SF5, substituted or unsubstituted tree (C 1 ~C 30 of alkyl) silyl group, a substituted or unsubstituted ring Di (C 1 to C 30 alkyl) (C 6 to C 30 aryl) silyl, substituted or unsubstituted tri (C 6 to C 30 aryl) silyl, cyano or halogen atom; R 220 to R 223 independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, a C 1 to C 30 alkyl group optionally substituted by halogen, or a C 6 to C 30 substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl Lt; / RTI > R 224 and R 225 independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, or a halogen atom, or R 224 and R 225 is connected by including the fused ring does not contain, or C 3 ~C 12 alkylene or C 3 ~C 12 of alkenylene to form an aliphatic ring, or a monocyclic or multi-fused ring; R 226 is a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 5 to C 30 heteroaryl group, or a halogen atom ; R 227 to R 229 independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, or a halogen atom; Q is
Figure pat00047
,
Figure pat00048
or
Figure pat00049
And R 231 to R 242 are independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 6 aryl groups ~C 30, cyano furnace or a cycloalkyl group of the substituted or unsubstituted C 5 ~C 30, alkenylene of an adjacent substituent via C 3 ~C 12 alkylene or C 3 ~C 12 of the spiro ring or May form a condensed ring, or may be connected to R 207 or R 208 by C 3 -C 12 alkylene or C 3 -C 12 alkenylene to form a saturated or unsaturated condensed ring.

도핑 농도는 특별히 제한되지 않으나 통상적으로 호스트 100 중량부를 기준으로 하여 상기 도펀트의 함량은 0.01 내지 15 중량부이다. 상기 발광층의 두께는 약 100 Å 내지 1000 Å, 바람직하게는 200 Å 내지 600 Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 100 Å 미만인 경우 발광 특성이 저하될 수 있으며, 상기 발광층의 두께가 1000 Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The doping concentration is not particularly limited, but the content of the dopant is usually 0.01 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight of the host. The thickness of the light emitting layer may be about 100 A to 1000 A, preferably 200 A to 600 A, When the thickness of the light emitting layer is less than 100 ANGSTROM, the light emission characteristics may be degraded. When the thickness of the light emitting layer is more than 1000 ANGSTROM, the driving voltage may increase.

발광층에 발광 화합물이 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여, 상기 발광층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 정공저지층(HBL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 정공저지층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 사용가능한 공지의 정공저지재료, 예를 들면 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체(TAZ), 페난트롤린 유도체(BCP) 등을 들 수 있다.When a light emitting compound is used with a phosphorescent dopant in the light emitting layer, a method such as vacuum deposition, spin coating, cast method, LB method, etc. is used on the light emitting layer to prevent the triplet excitons or holes from diffusing into the electron transport layer. The hole blocking layer HBL can be formed. When the hole blocking layer is formed by a vacuum deposition method or a spin coating method, the conditions vary depending on the compound used, but are generally selected from substantially the same range of conditions as the formation of the hole injection layer. Known hole blocking materials that can be used include, for example, oxadiazole derivatives, triazole derivatives (TAZ), phenanthroline derivatives (BCP), and the like.

상기 정공저지층의 두께는 약 50 Å 내지 1000 Å, 바람직하게는 100 Å 내지 300 Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 50 Å 미만인 경우 정공저지 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공저지층의 두께가 1000 Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다. The thickness of the hole blocking layer may be about 50 Å to 1000 Å, preferably 100 Å to 300 Å. When the thickness of the hole blocking layer is less than 50 ANGSTROM, the hole blocking characteristics may be deteriorated. When the thickness of the hole blocking layer is more than 1000 ANGSTROM, the driving voltage may increase.

다음으로 전자수송층(ETL)을 진공증착법, 또는 스핀코팅법, 캐스트법 등의 다양한 방법을 이용하여 형성한다.Next, an electron transport layer (ETL) is formed by various methods such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, and a casting method.

진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 전자수송층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 상기 전자수송층 재료는 전자주입전극(Cathode)로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 퀴놀린 유도체, 특히 Alq3, TAZ, Balq, PBD 등과 같은 공지의 재료를 사용할 수도 있다.In the case of forming the electron transporting layer by the vacuum deposition method and the spin coating method, the conditions vary depending on the compound used, but generally, the conditions are substantially the same as those for forming the hole injection layer. The electron transport layer material serves to stably transport electrons injected from an electron injection electrode, and quinoline derivatives, particularly known materials such as Alq3, TAZ, Balq, PBD and the like may be used.

상기 전자수송층의 두께는 약 100 Å 내지 1000 Å, 바람직하게는 200 Å 내지 500 Å일 수 있다. 상기 전자수송층의 두께가 100 Å 미만인 경우 전자수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자수송층의 두께가 1000 Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The thickness of the electron transporting layer may be about 100 ANGSTROM to 1000 ANGSTROM, preferably 200 ANGSTROM to 500 ANGSTROM. When the thickness of the electron transporting layer is less than 100 ANGSTROM, the electron transporting property may be degraded. When the thickness of the electron transporting layer is more than 1000 ANGSTROM, the driving voltage may increase.

또한 전자수송층 상부에 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자주입층(EIL)이 적층될 수 있으며 이는 특별히 재료를 제한하지 않는다. 전자 주입층으로서는 LiF, NaCl, CsF, Li2O,BaO등과 같은 전자주입층 형성재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 상기 전자주입층의 두께는 약 1 Å 내지 100 Å, 바람직하게는 5 Å 내지 50 Å 일 수 있다. 상기 전자주입층의 두께가 1 Å 미만인 경우 전자주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자주입층의 두께가 100 Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.Further, an electron injection layer (EIL), which is a material having a function of facilitating the injection of electrons from the cathode, may be laminated on the electron transporting layer, which is not particularly limited. As the electron injection layer, any material known as an electron injection layer forming material such as LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, or the like can be used. The deposition conditions of the electron injection layer vary depending on the compound used, but are generally selected from substantially the same range of conditions as the formation of the hole injection layer. The thickness of the electron injection layer may be about 1 A to 100 A, preferably 5 A to 50 A. If the thickness of the electron injection layer is less than 1 A, the electron injection characteristics may be deteriorated. If the thickness of the electron injection layer exceeds 100 A, the driving voltage may increase.

마지막으로 전자주입층 상부에 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 제2전극을 형성할 수 있다.Finally, the second electrode can be formed on the electron injection layer by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like.

상기 제2전극은 캐소드(Cathode)로 사용될 수 있다. 상기 제2전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등을 들 수 있다.The second electrode may be used as a cathode. As the metal for forming the second electrode, a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a low work function, or a mixture thereof may be used. Specific examples thereof include lithium (Li), magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), magnesium- .

또한 전면 발광소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 사용한 투과형 캐소드를 사용할 수도 있다.Also, a transmissive cathode using ITO or IZO may be used to obtain a front light emitting element.

본 발명의 다른 구현예에 따르는 유기 전계 발광 화합물은 상기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 인다졸계 화합물이며, 보다 구체적으로는 상기 [제1표군(群)]에서 구체적으로 예시된 화합물 1 내지 360이 포함될 수 있다. 상기 화합물들에 대한 구체적인 내용은 상술한 유기 발과 소자에 대하여 설명한 부분과 동일하다.The organic electroluminescent compound according to another embodiment of the present invention is an indazole compound represented by Formula F1 or Formula F2, and more specifically, Compounds 1 to 360 specifically illustrated in the above [First Table Group] are May be included. The details of the compounds are the same as those described for the organic foot and the device described above.

이하에서, 본 발명의 합성예 및 실시예를 구체적으로 예시하지만, 본 발명이 하기의 합성예 및 실시예로 한정되는 것은 아니다. 이하의 합성예에서 중간체 화합물은 최종 생성물의 번호에 일련번호를 추가하는 방식으로 표기한다. 예를 들어, 화합물 1은 화합물 [1] 로 표기하고, 상기 화합물의 중간체 화합물은 [1-1] 등으로 표기한다.
Hereinafter, the synthesis examples and examples of the present invention will be specifically illustrated, but the present invention is not limited to the following synthesis examples and examples. In the following synthesis, the intermediate compound is indicated by adding the serial number to the number of the final product. For example, compound 1 is represented by compound [1], and the intermediate compound of the said compound is described by [1-1] etc.

[실시예][Example]

대표합성예 1. 화합물 1의 합성Representative Synthesis Example 1 Synthesis of Compound 1

Figure pat00050
Figure pat00050

중간체 화합물 [1-1]의 제조Preparation of intermediate compound [1-1]

질소 분위기에서 반응플라스크에 7-클로로-1H-인다졸 100g(655.39 mmol), 아이오드벤젠 200.5g(983.09 mmol), 수산화 칼륨 55.1g(983.09 mmol), 요오드화 구리 37.4g(196.61 mmol), 8-히드록시퀴놀린95.1g(655.39 mmol), 디메틸설폭사이드1.5L을 넣고 140℃에서 6시간 동안 교반한다. 반응 종료 후 실온까지 냉각힌다. 반응액에정제수 1L을 부어 고체화 시킨다. 생성된 고체를 여과하고 정제수와 메탄올을 사용하여 세척한다. 여과된 고체를 디클로로메탄을 가하여 녹인 후 실리카 여과한다. 여과액은 감압증류 하여 디클로로메탄과헥산을 이용하여 미색고체의 중간체 화합물 [1-1] 122g(65%)을 제조하였다.In a nitrogen flask, 100 g (655.39 mmol) of 7-chloro-1H-indazole, 200.5 g (983.09 mmol) of iodine benzene, 55.1 g (983.09 mmol) of potassium hydroxide, 37.4 g (196.61 mmol) of copper iodide, 8- Hydroxyquinoline 95.1 g (655.39 mmol) and 1.5 L of dimethyl sulfoxide were added and stirred at 140 ° C. for 6 hours. After the reaction is completed, the mixture is cooled to room temperature. Pour 1 liter of purified water into the reaction solution to solidify. The resulting solid is filtered and washed with purified water and methanol. The filtered solid was dissolved by adding dichloromethane and filtered through silica. The filtrate was distilled under reduced pressure to prepare 122 g (65%) of an off-white solid compound [1-1] using dichloromethane and hexane.

중간체 화합물 [1-2]의 제조Preparation of intermediate compound [1-2]

질소 분위기에서 반응플라스크에 화합물 [1-2] 122g(533.49 mmol), (2-니트로페닐)보론산133.5g(800.2 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 12.3g(10.6 mmol), 탄산칼륨110.6g(800.2 mmol), 증류수 120mL, 테트라히드로퓨란 1.2L를 가하고 50℃에서 24시간 교반한다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출하여 무수황산 마그네슘으로 건조하여 여과하고,여과액은 감압 농축한 뒤, 디클로로메탄과 메탄올을이용하여 노란색고체의 중간체 화합물 [1-2] 87.4g(52%)을 제조하였다.122 g (533.49 mmol) of compound [1-2], 133.5 g (800.2 mmol) of (2-nitrophenyl) boronic acid, 12.3 g (10.6 mmol) of tetrakis (triphenylphosphine) palladium, carbonate in a reaction flask under nitrogen atmosphere 110.6 g (800.2 mmol) of potassium, 120 mL of distilled water and 1.2 L of tetrahydrofuran were added and stirred at 50 ° C for 24 hours. After completion of the reaction, the mixture was extracted with ethyl acetate, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was concentrated under reduced pressure, and then a yellow solid intermediate compound [1-2] 87.4 g (52%) was prepared using dichloromethane and methanol. It was.

중간체 화합물 [1-3]의 제조Preparation of Intermediate Compound [1-3]

반응플라스크에 화합물 [1-2] 87g(275.9 mmol), 트리에틸포스파이트 145mL (827.7 mmol), 이소프로필 벤젠 200m을 넣고 150℃에서 12시간 동안 교반한다. 반응 종료 후 반응액을 감압 농축한다. 농축액을컬럼크로마토그라프로 분리 정제하여 노란색 고체의 중간체 화합물 [1-3] 54.7g(70%)을 제조하였다.87 g (275.9 mmol) of compound [1-2], 145 mL (827.7 mmol) of triethylphosphite, and 200 m of isopropyl benzene were added thereto, and the mixture was stirred at 150 ° C. for 12 hours. After completion of the reaction, the reaction solution is concentrated under reduced pressure. The concentrate was separated and purified through column chromatography to prepare 54.7 g (70%) of an intermediate compound [1-3] as a yellow solid.

화합물 [1]의 제조Preparation of compound [1]

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질소 분위기에서 반응플라스크에 화합물 [1-3] 6g(21.1mmol), 디메틸포름아마이드 120mL을 넣고 현탁 교반한다. 반응액에 수소화 나트륨 1.3g(31.7mmol)을 넣고 20분간 교반 후 2-클로로-4,6-디페닐트리아진 6g(533.49 mmol)을 넣고 4시간 동안 교반한다.반응 종료 후 증류수 100mL을 넣고 30분 교반한다. 생성된 고체를 여과하고 정제수와 메탄올을 사용하여 세척한다. 여과된 고체를 톨루엔 재결정을 통하여 흰색고체의 목적 화합물[1] 7.8g(72%)을 수득하였다.In a nitrogen atmosphere, 6 g (21.1 mmol) of Compound [1-3] and 120 mL of dimethylformamide are added to the flask, and the mixture is suspended and stirred. Add 1.3 g (31.7 mmol) of sodium hydride to the reaction solution, stir for 20 minutes, add 6 g (533.49 mmol) of 2-chloro-4,6-diphenyltriazine, and stir for 4 hours.After completion of the reaction, add 100 mL of distilled water and add 30 Stir for minutes. The resulting solid is filtered and washed with purified water and methanol. 7.8 g (72%) of the title compound (1) as a white solid was obtained through toluene recrystallization.

대표합성예 2. 화합물 4의 합성Representative Synthesis Example 2 Synthesis of Compound 4

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Figure pat00052

반응플라스크에 화합물 [1-3] 6g(21.1 mmol), 2-(3-클로로페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진7.9g(23.2 mmol), 팔라듐(II) 아세테이트94mg(0.42 mmol), 포타슘 t-부톡시드3g(31.6 mmol), 50% 트리-t-부틸포스핀0.8mL(0.84mmol)을 투입하고자일렌100mL로 12시간동안 환류교반한다. 반응 종결후반응액에 포화암모늄 수용액을 붓고 에틸아세테이트로 추출한다. 유기층을 분리 후 무수황산 마그네슘으로 건조하여 여과한다. 여과액은 감압 농축한다. 농축액을 톨루엔 재결정을 통하여 흰색고체의 목적 화합물[4] 8.5g(68%)을 수득하였다.6 g (21.1 mmol), 2- (3-chlorophenyl) -4,6-diphenyl-1,3,5-triazine 7.9 g (23.2 mmol), palladium (II) 94 mg (0.42 mmol) of acetate, 3 g (31.6 mmol) of potassium t-butoxide, and 0.8 mL (0.84 mmol) of 50% tri-t-butylphosphine were stirred under reflux with 100 mL of ethylene for 12 hours. After completion of the reaction, saturated aqueous ammonium solution was poured into the reaction solution and extracted with ethyl acetate. The organic layer is separated, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate is concentrated under reduced pressure. The concentrated solution was recrystallized from toluene to obtain 8.5 g (68%) of the title compound [4] as a white solid.

대표합성예Representative synthetic example 3. 화합물 98의 합성 3. Synthesis of Compound 98

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1) 중간체 화합물 [98-1]의 제조1) Preparation of Intermediate Compound [98-1]

상기 대표합성예 1의 방법과 동일한 방법으로 6-클로로-1H-인다졸 50 g (327.69 mmol), 아이오드벤젠 100.2 g (491.54 mmol), 수산화칼륨 27.1 g (491.54 mmol), 요오드화구리 18.7 g (98.31 mmol), 8-히드록시퀴놀린 47.5 g (327.68 mmol), 디메틸설폭사이드 750 mL를 사용하여 미색 고체의 중간체 화합물 [98-1] 62 g (수율 66%)을 제조하였다. In the same manner as in Synthesis Example 1, 50 g (327.69 mmol) of 6-chloro-1H-indazole, 100.2 g (491.54 mmol) of iodinebenzene, 27.1 g (491.54 mmol) of potassium hydroxide, and 18.7 g of copper iodide ( 98.31 mmol), 47.5 g (327.68 mmol) of 8-hydroxyquinoline, and 750 mL of dimethylsulfoxide were used to prepare 62 g (yield 66%) of an intermediate compound [98-1] as an off-white solid.

2) 중간체 화합물 [98-2]의 제조2) Preparation of Intermediate Compound [98-2]

반응플라스크에 중간체 화합물 [98-1] 62 g (271.12 mmol), 1-(2-아미노페닐)에탄온 43.9 g (324.34 mmol), 팔라듐(Ⅱ) 아세테이트 1.2 g (5.42 mmol), 탄산 칼륨 56.2 g (406.6 mmol), 50% 트리-t-부틸포스핀 10.2 mL (10.8 mmol), 톨루엔 1 L로 24시간동안 환류 교반하였다. 반응 종결 후 반응액에 포화 암모늄 수용액을 붓고 에틸아세테이트로 추출하였다. 유기층을 분리 후 무수 황산 마그네슘으로 건조하여 여과하였다. 여과액은 감압 농축 후 컬럼크로마토그라프로 분리 정제하여 노란색 고체의 중간체 화합물 [98-2] 60 g (수율 68%)을 제조하였다.62 g (271.12 mmol) of the intermediate compound [98-1], 43.9 g (324.34 mmol) of 1- (2-aminophenyl) ethanone, 1.2 g (5.42 mmol) of palladium (II) acetate, 56.2 g of potassium carbonate (406.6 mmol), 10.2 mL (10.8 mmol) of 50% tri-t-butylphosphine, and 1 L of toluene were stirred under reflux for 24 hours. After completion of the reaction, saturated aqueous ammonium solution was poured into the reaction solution and extracted with ethyl acetate. The organic layer was separated, dried over anhydrous magnesium sulfate, and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and separated and purified by column chromatography to obtain 60 g (yield 68%) of the intermediate compound [98-2] as a yellow solid.

3) 중간체 화합물 [98-3]의 제조3) Preparation of Intermediate Compound [98-3]

질소분위기에서 반응플라스크에 중간체 화합물 [98-2] 60 g (183.27 mmol), 테트라히드로퓨란 600 mL을 넣고 교반하였다. 반응기에 3M 메틸마그네슘클로라이드 91.6 mL (274.9 mmol)을 천천히 적가 24 시간동안 상온 교반하였다. 반응 종결 후 반응액을 포화 암모늄 수용액에 천천히 붓고 에틸아세테이트로 유기층을 분리하였다. 유기층 분리 후 무수 황산 마그네슘으로 건조하여 여과하였다. 여과액은 감압 농축하여 노란색 중간체 화합물 [98-3] 49.1 g (수율 78%)을 제조하였다.In a nitrogen atmosphere, 60 g (183.27 mmol) of an intermediate compound and 600 mL of tetrahydrofuran were added to a reaction flask and stirred. 91.6 mL (274.9 mmol) of 3M methylmagnesium chloride was slowly added dropwise to the reactor, followed by stirring at room temperature for 24 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was slowly poured into a saturated aqueous ammonium solution and the organic layer was separated with ethyl acetate. The organic layer was separated and dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure to give 49.1 g (yield 78%) of a yellow intermediate compound.

4) 중간체 화합물 [98-4], [98-5]의 제조4) Preparation of Intermediate Compounds [98-4] and [98-5]

질소분위기에서 반응플라스크에 중간체 화합물 [98-3] 49 g (142.68 mmol), 디클로로메탄 500 mL을 넣고 교반하였다. 반응기에 술폰산 46.3 mL (713.41 mmol)을 넣고 12시간동안 상온 교반하였다. 반응 종결 후 포화 암모늄 수용액을 붓고 에틸아세테이트로 추출하였다. 유기층을 분리 후 무수 황산 마그네슘으로 건조하여 여과하였다. 여과액은 감압 농축 후 컬럼크로마토그라프로 분리 정제하여 흰색고체의 중간체 화합물 [98-4] 18.5 g (수율 40%), 중간체 화합물 [98-5] 19.5 g (수율 42%)을 제조하였다.In a nitrogen atmosphere, 49 g (142.68 mmol) of an intermediate compound and 500 mL of dichloromethane were added to a reaction flask and stirred. 46.3 mL (713.41 mmol) of sulfonic acid was added to the reactor, followed by stirring at room temperature for 12 hours. After completion of the reaction, saturated aqueous ammonium solution was poured and extracted with ethyl acetate. The organic layer was separated, dried over anhydrous magnesium sulfate, and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to obtain 18.5 g (yield 40%) of intermediate compound [98-4] and 19.5 g (yield 42%) of intermediate compound [98-5].

5) 화합물 [98]의 제조5) Preparation of Compound [98]

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상기 대표합성예 2의 방법과 동일한 방법으로 화합물 [98-4] 6 g (18.43 mmol), 2-(3-클로로페닐)-4,6-디페닐피리미딘 7.5 g (22.11 mmol), 팔라듐(Ⅱ) 아세테이트 82 mg (0.36 mmol), 포타슘 t-부톡시드 2.6 g (27.6 mmol), 50% 트리-t-부틸포스핀 0.7 mL (0.73 mmol), 자일렌 100 mL를 사용하여 흰색 고체의 목적 화합물 [98] 7.8 g (수율 67%)을 수득하였다.In the same manner as in Synthesis Example 2, 6 g (18.43 mmol) of compound [98-4], 7.5 g (22.11 mmol) of 2- (3-chlorophenyl) -4,6-diphenylpyrimidine, and palladium ( II) The desired compound as a white solid using 82 mg (0.36 mmol) of acetate, 2.6 g (27.6 mmol) of potassium t-butoxide, 0.7 mL (0.73 mmol) of 50% tri-t-butylphosphine, 100 mL of xylene 7.8 g (67% yield) were obtained.

대표합성예Representative synthetic example 4. 화합물 113의 합성 4. Synthesis of Compound 113

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1) 중간체 화합물 [113-1]의 제조1) Preparation of Intermediate Compound [113-1]

상기 대표합성예 1의 방법과 동일한 방법으로 1,6-디히드로페롤로[2,3-e]인다졸 50 g (318.12 mmol), 아이오드벤젠 71.3 g (349.99 mmol), 수산화칼륨 26.7 g (477.18 mmol), 요오드화구리 18.1 g (95.43 mmol), 8-히드록시퀴놀린46.1 g (318.12 mmol), 디메틸설폭사이드 750 mL를 사용하여 컬럼크로마토그라프로 분리 정제하여 미색 고체의 중간체 화합물 [113-1] 38.5 g (수율 52%)을 제조하였다. In the same manner as in Synthesis Example 1, 50 g (318.12 mmol) of 1,6-dihydroferolo [2,3-e] indazole, 71.3 g (349.99 mmol) of iodinebenzene, and 26.7 g of potassium hydroxide ( 477.18 mmol), 18.1 g (95.43 mmol) of copper iodide, 46.1 g (318.12 mmol) of 8-hydroxyquinoline, and 750 mL of dimethyl sulfoxide were separated and purified through column chromatography to give an off-white solid compound [113-1] 38.5 g (52% yield) were prepared.

2) 화합물 [113]의 제조2) Preparation of Compound [113]

상기 대표합성예 2의 방법과 동일한 방법으로 화합물 [113-1] 6 g (25.72 mmol), 2-(3-클로로페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 10.6 g (30.86 mmol), 팔라듐(Ⅱ) 아세테이트 115 mg (0.51 mmol), 포타슘 t-부톡시드 3.7 g (38.58 mmol), 50% 트리-t-부틸포스핀 0.5 mL (1.02 mmol), 자일렌 100 mL를 사용하여 흰색 고체의 목적 화합물 [113] 8.3 g (수율 60%)을 수득하였다.In the same manner as in Synthesis Example 2, 60.6 g (25.72 mmol) of Compound [113-1], and 10.6 g of 2- (3-chlorophenyl) -4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (30.86 mmol), 115 mg (0.51 mmol) of palladium (II) acetate, 3.7 g (38.58 mmol) of potassium t-butoxide, 0.5 mL (1.02 mmol) of 50% tri-t-butylphosphine, 100 mL of xylene To give 8.3 g (yield 60%) of the title compound (113) as a white solid.

상기한 대표합성예 1 내지 4의 방법에 따라 화합물 1 내지 360의 화합물을 합성하였으며, 합성된 각 화합물의 구조 확인을 위한 핵자기공명 스펙트럼(NMR)과 질량분석(MS)한 결과를 하기 [제2표군(群)]에 나타내었다.Compounds of Compounds 1 to 360 were synthesized according to the methods of Representative Synthesis Examples 1 to 4 described above, and the results of nuclear magnetic resonance spectra (NMR) and mass spectrometry (MS) for confirming the structure of the synthesized compounds were shown below. 2 vote group].

[제2표군(群)][Second group (group)]

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비교예 1. 비교샘플 1 제작Comparative Example 1. Preparation of Comparative Sample 1

하기 화학식 a로 표시되는 화합물을 인광 녹색 호스트로 사용하고, 하기 화학식 c로 표시되는 화합물을 인광 녹색 도판트로 사용하고, 2-TNATA(4,4',4"-tris(N-naphthalen-2-yl)-N-phenylamino)-triphenylamine)을 정공주입층 물질로 사용하고, α-NPD(N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenylbenzidine)을 정공수송층 물질로 사용하여, 다음과 같은 구조를 갖는 유기발광소자를 제작하였다:ITO/2-TNATA(80 nm)/α-NPD(30 nm)/화합물a+화합물c(30 nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(60nm).Using a compound represented by the formula (a) as a phosphorescent green host, using a compound represented by the formula (c) as a phosphorescent green dopant, 2-TNATA (4,4 ', 4 "-tris (N-naphthalen-2- yl) -N-phenylamino) -triphenylamine) is used as the hole injection layer material, and α-NPD (N, N'-di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine) is used as the hole transport layer material. Thus, an organic light emitting device having the following structure was manufactured: ITO / 2-TNATA (80 nm) / α-NPD (30 nm) / Compound a + Compound c (30 nm) / Alq 3 (30 nm) / LiF ( 0.5 nm) / Al (60 nm).

애노드는코닝(Corning)사의 15Ω/cm2(1000Å) ITO 유리기판을 50mm x 50mm x 0.7mm크기로 잘라서 아세톤이 소프로필알콜과 순수한 물속에서 각 15분동안 초음파세정한 후, 30분동안 UV 오존세정하여 사용하였다. 상기 기판상부에2-TNATA를 진공 증착하여 80 nm 두께의 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층상부에, α-NPD를 진공 증착하여 30 nm 두께의 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 화학식 a로 표시되는 화합물 및 화학식 c로 표시되는 화합물(도핑률:10%)를 진공 증착하여 30 nm두께의 발광층을 형성하였다. 이후, 상기 발광층상부에 Alq3화합물을30 nm의두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF0.5 nm(전자주입층)과 Al 60 nm(캐소드)를 순차적으로 진공증착하여, [제2표군(群)]에 표시된 바와 같은 유기발광소자를 제조하였다. 이를 비교샘플 1이라고 한다.Anode cut Corning's 15Ω / cm 2 (1000Å) ITO glass substrate into 50mm x 50mm x 0.7mm size, and acetone was ultrasonically cleaned in sopropyl alcohol and pure water for 15 minutes, and then UV ozone for 30 minutes. It was used by washing. 2-TNATA was vacuum deposited on the substrate to form a hole injection layer having a thickness of 80 nm. On the hole injection layer, α-NPD was vacuum deposited to form a hole transport layer having a thickness of 30 nm. A compound represented by Chemical Formula a and a compound represented by Chemical Formula c (doping rate: 10%) were vacuum deposited on the hole transport layer to form a light emitting layer having a thickness of 30 nm. Thereafter, an Alq 3 compound was vacuum-deposited to a thickness of 30 nm on the emission layer to form an electron transport layer. LiF 0.5 nm (electron injection layer) and Al 60 nm (cathode) were sequentially vacuum-deposited on the electron transport layer to prepare an organic light emitting device as shown in [Table 2]. This is referred to as Comparative Sample 1.

비교예 2. 비교샘플 2 제작Comparative Example 2. Production of Comparative Sample 2

하기 화학식 b로 표시되는 화합물을 인광 녹색 호스트로 사용하고, 하기 화학식 c로 표시되는 화합물을 인광 녹색 도판트로 사용하고, 2-TNATA(4,4',4"-tris(N-naphthalen-2-yl)-N-phenylamino)-triphenylamine)을 정공주입층 물질로 사용하고, α-NPD(N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenylbenzidine)을 정공수송층 물질로 사용하여, 다음과 같은 구조를 갖는 유기발광소자를 제작하였다:ITO/2-TNATA(80 nm)/α-NPD(30 nm)/화합물b+화합물c(30 nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(60nm).Using a compound represented by the formula b as a phosphorescent green host, using a compound represented by the formula c as a phosphorescent green dopant, 2-TNATA (4,4 ', 4 "-tris (N-naphthalen-2- yl) -N-phenylamino) -triphenylamine) is used as the hole injection layer material, and α-NPD (N, N'-di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine) is used as the hole transport layer material. Thus, an organic light emitting device having the following structure was manufactured: ITO / 2-TNATA (80 nm) / α-NPD (30 nm) / Compound b + Compound c (30 nm) / Alq 3 (30 nm) / LiF ( 0.5 nm) / Al (60 nm).

애노드는코닝(Corning)사의 15Ω/cm2(1000Å) ITO 유리기판을 50mm x 50mm x 0.7mm크기로 잘라서 아세톤이 소프로필알콜과 순수한 물속에서 각 15분동안 초음파세정한 후, 30분동안 UV 오존 세정하여 사용하였다. 상기 기판상부에 2-TNATA를 진공 증착하여 80 nm 두께의 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 상부에, α-NPD를 진공 증착하여 30nm 두께의 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 화학식 a로 표시되는 화합물 및 화학식 c로 표시되는 화합물(도핑율:10%)를 진공 증착하여 30nm 두께의 발광층을 형성하였다. 이후, 상기 발광층상부에 Alq3화합물을 30nm의 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF0.5nm(전자주입층)과 Al 60nm(캐소드)를 순차적으로 진공증착하여, [제2표군(群)]에 표시된 바와 같은 유기발광소자를 제조하였다. 이를 비교샘플2이라고 한다.Anode cut Corning's 15Ω / cm 2 (1000Å) ITO glass substrate into 50mm x 50mm x 0.7mm size, and acetone was ultrasonically cleaned in sopropyl alcohol and pure water for 15 minutes, and then UV ozone for 30 minutes. It was used by washing. 2-TNATA was vacuum deposited on the substrate to form a hole injection layer having a thickness of 80 nm. On top of the hole injection layer,? -NPD was vacuum deposited to form a hole transport layer having a thickness of 30 nm. A compound represented by Chemical Formula a and a compound represented by Chemical Formula c (doping rate: 10%) were vacuum deposited on the hole transport layer to form a light emitting layer having a thickness of 30 nm. Thereafter, an Alq 3 compound was vacuum-deposited to a thickness of 30 nm on the emission layer to form an electron transport layer. LiF 0.5 nm (electron injection layer) and Al 60 nm (cathode) were sequentially vacuum-deposited on the electron transport layer to prepare an organic light emitting device as shown in [Second Table]. This is called Comparative Sample 2.

비교예 3. 비교샘플 3 제작Comparative Example 3. Comparative Sample 3 Preparation

C하기 화학식 a로 표시되는 화합물 a를 호스트로 사용하고, 하기 화학식 d로 표시되는 화합물 d을 도판트로 사용하고, 2-TNATA(4,4',4"-tris(N-naphthalen-2-yl)-N-phenylamino)-triphenylamine)을 정공주입층 물질로 사용하고, α-NPD(N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenylbenzidine)을 정공수송층 물질로 사용하여, 다음과 같은 구조를 갖는 유기발광소자를 제작하였다: ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/화합물a+화합물d(30nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/ Al(60nm).C using compound a represented by formula a as a host, compound d represented by formula d as a dopant, 2-TNATA (4,4 ', 4 "-tris (N-naphthalen-2-yl ) -N-phenylamino) -triphenylamine) is used as the hole injection layer material, and α-NPD (N, N'-di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine) is used as the hole transport layer material. An organic light emitting diode having the following structure was fabricated: ITO / 2-TNATA (80nm) / α-NPD (30nm) / Compound a + Compound d (30nm) / Alq3 (30nm) / LiF (0.5nm) / Al (60 nm).

애노드는 코닝(Corning)사의 15Ω/cm2(1000Å) ITO 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.7mm크기로 잘라서 아세톤, 이소프로필 알콜과 순수물 속에서 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다. 상기 기판 상부에 2-TANATA를 진공 증착하여 80nm 두께의 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 상부에, α-NPD를 진공 증착하여 30nm 두께의 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 화학식 a로 표시되는 화합물 a 및 화학식 d로 표시되는 화합물 d(10% 도핑)를 진공 증착하여 30nm두께의 발광층을 형성하였다. 이후, 상기 발광층 상부에 Alq3 화합물을 30nm의 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF 0.5nm(전자주입층)과 Al 60nm(캐소드)를 순차적으로 진공증착하여, [제2표군(群)]에 도시된 바와 같은 유기발광소자를 제조하였다. 이를 비교샘플 3이라고 한다. An anode was prepared by cutting Corning's 15 Ω / cm 2 (1000 Å) ITO glass substrate to a size of 50 mm × 50 mm × 0.7 mm, ultrasonically cleaning it in acetone, isopropyl alcohol and pure water for 15 minutes each, Ozone cleaning was used. 2-TANATA was vacuum-deposited on the substrate to form a hole injection layer having a thickness of 80 nm. On top of the hole injection layer,? -NPD was vacuum deposited to form a hole transport layer having a thickness of 30 nm. Compound a represented by Formula a and Compound d (10% doped) represented by Formula d were vacuum deposited on the hole transport layer to form a light emitting layer having a thickness of 30 nm. Then, an Alq3 compound was vacuum deposited on the light emitting layer to a thickness of 30 nm to form an electron transporting layer. LiF 0.5 nm (electron injection layer) and Al 60 nm (cathode) were sequentially vacuum deposited on the electron transport layer to prepare an organic light emitting device as shown in [Second Table]. This is referred to as Comparative Sample 3.

Figure pat00077

Figure pat00077

실시예 1 내지 326. 샘플 제작 Examples 1-326. Sample Preparation

상기 비교예 1에서, 발광층 인광 호스트 화합물 a 대신 상기 합성예에 개시된 화학식 1 내지 360로 표시되는 화합물들을 각각 인광 녹색 호스트 화합물로 이용하였다. 그리고 상기 비교예 1과 동일한 방법으로 ITO/2-TNATA(80 nm)/α-NPD(30 nm)/[인광 녹색 호스트 화합물 1 내지 360 중 하나+화합물 c(10%)](30 nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(60nm)의 구조를 갖는 유기발광소자를 제작하였다. 그리고 이를 각각 샘플 1 내지 326 이라고 한다.In Comparative Example 1, instead of the light emitting layer phosphorescent host compound a, compounds represented by Chemical Formulas 1 to 360 disclosed in the synthesis examples were used as phosphorescent green host compounds, respectively. And ITO / 2-TNATA (80 nm) / α-NPD (30 nm) / [one of phosphorescent green host compounds 1 to 360 + compound c (10%)] (30 nm) / An organic light emitting diode having a structure of Alq 3 (30 nm) / LiF (0.5 nm) / Al (60 nm) was manufactured. These are referred to as samples 1 to 326, respectively.

실시예 327 내지 360. 샘플 제작 Examples 327-360. Sample Preparation

상기 비교예 3에서, 발광층 인광 호스트 화합물로서 화합물 a 대신 상기 합성예에 개시된 화학식 327 내지 360의 화합물들을 각각 발광층 호스트 화합물로 이용하였다. 그리고 상기 비교예 3과 동일한 방법으로 ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/[호스트 화합물 327 내지 360 중 하나 + 화합물](30nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(60nm)의 구조를 갖는 유기발광소자를 제작하였다. 그리고 이를 각각 샘플 327 내지 360 이라고 한다.In Comparative Example 3, compounds of Chemical Formulas 327 to 360 disclosed in Synthesis Example were used as emission layer host compounds instead of compound a as emission layer phosphorescent host compounds. And ITO / 2-TNATA (80 nm) / α-NPD (30 nm) / [one of host compounds 327 to 360 + compound] (30 nm) / Alq 3 (30 nm) / LiF (0.5 nm) in the same manner as in Comparative Example 3. An organic light emitting device having a structure of / Al (60 nm) was manufactured. And these are called samples 327-360, respectively.

[실험예] 특성평가[Experimental Example] Characteristic evaluation

실험예 1: 발광 특성 평가Experimental Example 1: Evaluation of luminescence characteristics

1) 샘플 1 내지 326의 발광 특성 평가1) Evaluation of Luminescence Characteristics of Samples 1 to 326

상기 비교예 및 실시예에서 제작된 비교샘플 1, 2 및 샘플 1 내지 326에 대하여, Keithley sourcemeter "2400", KONIKA MINOLTA "CS-2000"을 이용하여 발광휘도, 발광효율, 발광피크를 각각 평가하였으며, 그 결과를 하기 [제3표군(群)]에 나타내었다. 상기 샘플들은 511∼517 nm 범위에서 녹색 발광 피크값을 보여주었다.For Comparative Samples 1, 2 and Samples 1 to 326 prepared in Comparative Examples and Examples, the luminous intensity, luminous efficiency, and luminous peak were evaluated using Keithley sourcemeter "2400" and KONIKA MINOLTA "CS-2000", respectively. The results are shown in the following [Table 3]. The samples showed green emission peak values in the 511-517 nm range.

[제3표군(群)][Group 3]

Figure pat00078
Figure pat00079
Figure pat00080
Figure pat00081
Figure pat00082
Figure pat00083
Figure pat00084
Figure pat00085
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Figure pat00087
Figure pat00088
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상기 [제3표군(群)]으로부터 확인되는 바와 같이 샘플 1 내지 326은 비교샘플 1, 2에 비하여 향상된 발광 특성을 나타내었다.As confirmed from the above [Third Table], Samples 1 to 326 showed improved luminescence properties compared to Comparative Samples 1 and 2.

2) 샘플 327 내지 360의 발광 특성 평가2) Evaluation of Luminescence Characteristics of Samples 327 to 360

상기 비교예 및 실시예에서 제작된 비교샘플 3과 샘플 327 내지 360에 대하여, Keithley SMU 235, PR650를 이용하여 발광휘도, 발광효율, 발광피크를 각각 평가하였으며, 그 결과를 하기 [제4표군(群)]에 나타내었다. 상기 샘플들은 610∼616 nm 범위에서 적색 발광 피크값을 보여주었다.For Comparative Sample 3 and Samples 327 to 360 prepared in Comparative Examples and Examples, the light emission luminance, light emission efficiency, and light emission peak were evaluated using Keithley SMU 235 and PR650, respectively. Viii). The samples showed red luminescence peak values in the range of 610-616 nm.

[제4표군(群)][Group 4]

Figure pat00091
Figure pat00092
Figure pat00091
Figure pat00092

상기 [제4표군(群)]로부터 확인되는 바와 같이 샘플 327 내지 360은 비교샘플 3에 비하여 향상된 발광 특성을 나타내었다.As confirmed from the above [Table 4], samples 327 to 360 exhibited improved luminescence properties as compared to comparison sample 3.

실험예 2: 수명 특성 평가Experimental Example 2: Evaluation of Life Characteristics

1) 샘플 1 내지 326의 수명 특성 평가1) Evaluation of Life Characteristics of Samples 1 to 326

상기 비교예 및 실시예에서 제작된 비교샘플 1, 2 및 샘플 1 내지 326에 대하여, ENC 테크놀로지사의 LTS-1004AC 수명 측정 장치를 이용하여 3000 nit를 기준으로 수명이 97%에 도달하는 시간을 각각 측정하였다. 그 결과를 하기 [제5표군(群)]에 나타내었다.For Comparative Samples 1 and 2 and Samples 1 to 326 produced in Comparative Examples and Examples, the time at which the life reaches 97% based on 3000 nits was measured using the LTS-1004AC life measuring apparatus of ENC Technology. It was. The results are shown in the following [Table 5].

[제5표군(群)][Fifth group (group)]

Figure pat00093
Figure pat00094
Figure pat00095
Figure pat00096
Figure pat00097
Figure pat00098
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Figure pat00100
Figure pat00101
Figure pat00102
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Figure pat00094
Figure pat00095
Figure pat00096
Figure pat00097
Figure pat00098
Figure pat00099
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Figure pat00101
Figure pat00102
Figure pat00103
Figure pat00104
Figure pat00105

상기 [제5표군(群)]로부터 확인되는 바와 같이 샘플 1 내지 326은 비교샘플 1, 2에 비하여 향상된 수명 특성을 나타내었다.As confirmed from the above [Table 5], Samples 1 to 326 showed improved life characteristics compared to Comparative Samples 1 and 2.

2) 샘플 327 내지 360의 수명 특성 평가2) Evaluation of Life Characteristics of Samples 327 to 360

상기 비교예 및 실시예에서 제작된 비교샘플 3 및 샘플 327, 329, 348, 350, 353, 360에 대하여, LTS-1004C 수명 평가 장비를 이용하여 DC모드로 휘도 5000 nit를 기준으로 발광의 세기가 최초값의 70%까지 감소하는 시간으로 수명을 평가하였다. 그 결과를 하기 [제6표군(群)]에 나타내었다.For Comparative Sample 3 and Samples 327, 329, 348, 350, 353, and 360 prepared in Comparative Examples and Examples, the intensity of light emission was determined based on the luminance 5000 nit in DC mode using the LTS-1004C life test equipment. Life was assessed with time decreasing to 70% of initial value. The results are shown in the following [Table 6].

[제6표군(群)][Group 6]

Figure pat00106
Figure pat00106

상기 [제6표군(群)]로부터 확인되는 바와 같이 샘플 327, 329, 348, 350, 353, 360은 비교샘플 3에 비하여 향상된 수명특성을 보여주었다.As confirmed from the [Table 6], samples 327, 329, 348, 350, 353, and 360 showed improved life characteristics as compared to comparison sample 3.

Claims (10)

하기 화학식 F1 또는 화학식 F2로 표시되는 유기 발광 화합물 :
[화학식 F1]
Figure pat00107

[화학식 F2]
Figure pat00108

상기 화학식 F1 또는 F2에 있어서,
R1,R2,R3,및 R4는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자, C1∼C40알킬기, C5∼C40아릴기, 또는 C5∼C40헤테로아릴기를 나타내고, 또는 R1,R2,R3,및 R4는 서로 인접하는 두 기가 결합하여 축합(fused) C5∼C40아릴기를 형성할 수 있고;
A1및 A2는 서로 같거나 다른 것으로서 N 또는 C-R5를 나타내고, 이때 R5는 수소원자, C1∼C40알킬기, C5∼C40아릴기, 또는 C5∼C40헤테로아릴기를 나타내고;
X1및 X2는 서로 같거나 다른 것으로서 단일결합, S, O, CRaRb,SiRaRb,또는 N-(L3)m-L4를 나타내고;
L1및 L3은 서로 같거나 다른 것으로서 C3∼C40시클로알킬기, 또는 C5∼C40아릴기를 나타내고;
L2및 L4는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자, C1∼C40알킬기, C3∼C40헤테로시클로알킬기, 또는 C5∼C40헤테로아릴기를 나타내고;
Ra,및 Rb는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자, C1∼C40알킬기, C5∼C40아릴기, C3∼C40시클로알킬기, C3∼C40헤테로시클로알킬기, 또는 C5∼C40헤테로아릴기를 나타내고;
m은 0 또는 1이고;
또한 상기 치환기 A1,A2,L2,L4,Ra,및 Rb의 정의에 사용된 헤테로시클로알킬 또는 헤테로아릴은 O, S, N, 및 Si 중에서 선택된 헤테로원자가 1 내지 4개 포함될 수 있고,
또한 상기 치환기 R1,R2,R3,R4,A1,A2,L1,L2,L3,L4,Ra,및 Rb의 정의에 사용된 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴, 또는 헤테로시클로알킬은 단일고리(monocyclic)이거나 또는 2 내지 7개의 다중고리(polycyclic)로 이루어질 수 있으며, 상기 단일고리 또는 다중고리는 중수소, C1∼C40알킬, C3∼C40시클로알킬, C5∼C40아릴아미노, 디(C5∼C40아릴)아미노, C5∼C40아릴, C3∼C40헤테로시클로알킬, 및 C5∼C40헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있고, 또한 상기 단일고리 또는 다중고리의 치환체로 정의된 아릴 또는 헤테로아릴은 C1∼C40알킬, C5∼C40아릴, 및 C5∼C40헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 다시 치환 또는 비치환될 수 있다.
An organic light emitting compound represented by the following Formula F1 or Formula F2:
[Formula F1]
Figure pat00107

[Formula F2]
Figure pat00108

In Chemical Formula F1 or F2,
R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 , which are the same as or different from each other, represent a hydrogen atom, a C 1 -C 40 alkyl group, a C 5 -C 40 aryl group, or a C 5 -C 40 heteroaryl group, or R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 may combine two adjacent groups to form a fused C 5 to C 40 aryl group;
A 1 and A 2 , which are the same or different, represent N or CR 5 , wherein R 5 represents a hydrogen atom, a C 1 -C 40 alkyl group, a C 5 -C 40 aryl group, or a C 5 -C 40 heteroaryl group ;
X 1 and X 2 , which are the same as or different from each other, represent a single bond, S, O, CR a R b , SiR a R b , or N- (L 3 ) m -L 4 ;
L 1 and L 3 , which are the same as or different from each other, represent a C 3 to C 40 cycloalkyl group, or a C 5 to C 40 aryl group;
L 2 and L 4, the same as or different from each other, represent a hydrogen atom, a C 1 -C 40 alkyl group, a C 3 -C 40 heterocycloalkyl group, or a C 5 -C 40 heteroaryl group;
R a and R b are the same as or different from each other and are a hydrogen atom, a C 1 to C 40 alkyl group, a C 5 to C 40 aryl group, a C 3 to C 40 cycloalkyl group, a C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, or C 5 It represents a ~C 40 heteroaryl;
m is 0 or 1;
In addition, the heterocycloalkyl or heteroaryl used in the definition of the substituents A 1 , A 2 , L 2 , L 4 , R a , and R b may include 1 to 4 heteroatoms selected from O, S, N, and Si. Can,
Also used in the definitions of the substituents R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , A 1 , A 2 , L 1 , L 2 , L 3 , L 4 , R a , and R b , cycloalkyl, hetero Aryl, or heterocycloalkyl, may be monocyclic or consist of 2 to 7 polycyclic, which monocyclic or polycyclic is deuterium, C 1 -C 40 alkyl, C 3 -C 40 cyclo Selected from the group consisting of alkyl, C 5 -C 40 arylamino, di (C 5 -C 40 aryl) amino, C 5 -C 40 aryl, C 3 -C 40 heterocycloalkyl, and C 5 -C 40 heteroaryl Aryl or heteroaryl, which may be substituted or unsubstituted with a substituent, and defined as a substituent of the above monocyclic or polycyclic ring, may be substituted with C 1 -C 40 alkyl, C 5 -C 40 aryl, and C 5 -C 40 heteroaryl. It may be substituted or unsubstituted again with a substituent selected from the group consisting of.
제 1 항에 있어서,
상기 R1,R2,R3,및 R4는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자, C1∼C10알킬기, 페닐기, 나프탈레닐기, 피리딜기, 피리미딜기, 또는 트리아지닐기이거나, 또는 R1,R2,R3,및 R4는 서로 인접하는 두 기가 결합하여 축합(fused) 페닐기 또는 축합(fised) 나프탈레닐기를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 화합물.
The method of claim 1,
R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are the same as or different from each other and are a hydrogen atom, a C 1 -C 10 alkyl group, a phenyl group, a naphthalenyl group, a pyridyl group, a pyrimidyl group, or a triazinyl group, or R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are organic light emitting compounds, characterized in that two adjacent groups are bonded to each other to form a fused phenyl group or a condensed naphthalenyl group.
제 1 항에 있어서,
상기 A1및 A2는 서로 같거나 다른 것으로서 N 또는 C-R5를 나타내고, 이때 R5는 수소원자, C1∼C10알킬기, 또는 페닐기를 나타내는 것을 특징으로 하는 유기 발광 화합물.
The method of claim 1,
A 1 and A 2 are the same as or different from each other and represent N or CR 5 , wherein R 5 represents a hydrogen atom, a C 1 to C 10 alkyl group, or a phenyl group.
제 1 항에 있어서,
상기 X1및 X2는 서로 같거나 다른 것으로서 단일결합, S, O, CH(C1∼C10알킬), C(C1∼C10알킬)(C1∼C10알킬), CH(C5∼C10아릴), C(C5∼C10아릴)(C5∼C10아릴), SiH(C1∼C10알킬), Si(C1∼C10알킬)(C1∼C10알킬), SiH(C5∼C10아릴), Si(C5∼C10아릴)(C5∼C10아릴) 또는 N-(L3)m-L4를 나타내는 것을 특징으로 하는 유기 발광 화합물.
The method of claim 1,
X 1 and X 2 are the same as or different from each other, and a single bond, S, O, CH (C 1 -C 10 alkyl), C (C 1 -C 10 alkyl) (C 1 -C 10 alkyl), CH (C 5- C 10 aryl), C (C 5 -C 10 aryl) (C 5 -C 10 aryl), SiH (C 1 -C 10 alkyl), Si (C 1 -C 10 alkyl) (C 1 -C 10 Alkyl), SiH (C 5 -C 10 aryl), Si (C 5 -C 10 aryl) (C 5 -C 10 aryl) or N- (L 3 ) m -L 4 .
제 1 항에 있어서,
상기 L1및 L3은 서로 같거나 다른 것으로서 페닐렌기, 바이페닐렌기,
Figure pat00109
,나프탈레닐렌기, 나프탈레닐렌나프탈레닐렌기, 안트라세닐렌기, 페난트레닐렌기, 플루오레닐렌기, 또는
Figure pat00110
를 나타내고, 이들은 각각 중수소, C1∼C10알킬, 페닐, C1∼C10알킬 치환된 페닐, 바이페닐, 및 피리딜 중에서 선택된 치환체로 치환 또는 비치환될 수 있고;
상기 Q1은 O, S, C(C1∼C10알킬)(C1∼C10알킬), C(C5∼C10아릴)(C5∼C10아릴), Si(C1∼C10알킬)(C1∼C10알킬) 또는 Si(C5∼C10아릴)(C5∼C10아릴)를 나타내는 것을 특징으로 하는 유기 발광 화합물.
The method of claim 1,
L 1 and L 3 are the same as or different from each other, a phenylene group, a biphenylene group,
Figure pat00109
Naphthalenylene group, naphthalenylene naphthalenylene group, anthracenylene group, phenanthrenylene group, fluorenylene group, or
Figure pat00110
Each of which may be substituted or unsubstituted with a substituent selected from deuterium, C 1 -C 10 alkyl, phenyl, C 1 -C 10 alkyl substituted phenyl, biphenyl, and pyridyl;
Q 1 is O, S, C (C 1 -C 10 alkyl) (C 1 -C 10 alkyl), C (C 5 -C 10 aryl) (C 5 -C 10 aryl), Si (C 1 -C 10 alkyl) (C 1 -C 10 alkyl) or Si (C 5 -C 10 aryl) (C 5 -C 10 aryl).
제 1 항에 있어서,
상기 L2및 L4는 수소원자, C1∼C10알킬기, 피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 인돌기, 페난트리딘기, 벤조티아졸기,
Figure pat00111
, ,
Figure pat00113
또는
Figure pat00114
를 나타내고, 이들은 각각 중수소, C1∼C10알킬, 페닐, 중수소 치환된 페닐, C1∼C10알킬 치환된 페닐, 바이페닐, 나프탈레닐, 및 피리딜 중에서 선택된 치환체로 치환 또는 비치환될 수 있고;
상기 Q2,Q3,및 Q4는 서로 같거나 다른 것으로서 O, S, NH, N(C1∼C10알킬), N(C5∼C10아릴), C(C1∼C10알킬)(C1∼C10알킬), C(C5∼C10아릴)(C5∼C10아릴), Si(C1∼C10알킬)(C1∼C10알킬) 또는 Si(C5∼C10아릴)(C5∼C10아릴)를 나타내고;
Rc및 Rd는 서로 같거나 다른 것으로서 C1∼C40알킬기, C5∼C40아릴기, C3∼C40시클로알킬기, C3∼C40헤테로시클로알킬기, 또는 C5∼C40헤테로아릴기 중에서 선택된 1 내지 5개의 치환체이고, 이들 각각은 중수소, C1∼C10알킬, C5∼C10아릴, C3∼C10시클로알킬, C3∼C10헤테로시클로알킬, 또는 C5∼C10헤테로아릴 중에서 선택된 1 내지 5개의 치환체로 치환 또는 비치환될 수 있고;
m은 0 또는 1인 것을 특징으로 하는 유기 발광 화합물.
The method of claim 1,
L 2 and L 4 represent a hydrogen atom, a C 1 -C 10 alkyl group, a pyridyl group, a pyrimidyl group, a triazinyl group, a quinolinyl group, a quinazolinyl group, an indole group, a phenanthridine group, a benzothiazole group,
Figure pat00111
, ,
Figure pat00113
or
Figure pat00114
Which may be unsubstituted or substituted with substituents selected from deuterium, C 1 -C 10 alkyl, phenyl, deuterium substituted phenyl, C 1 -C 10 alkyl substituted phenyl, biphenyl, naphthalenyl, and pyridyl, respectively. Can;
Q 2 , Q 3 , and Q 4 are the same as or different from each other and are O, S, NH, N (C 1 -C 10 alkyl), N (C 5 -C 10 aryl), C (C 1 -C 10 alkyl ) (C 1 -C 10 alkyl), C (C 5 -C 10 aryl) (C 5 -C 10 aryl), Si (C 1 -C 10 alkyl) (C 1 -C 10 alkyl) or Si (C 5 -C 10 aryl) (C 5 -C 10 aryl);
R c and R d are the same as or different from each other and are C 1 -C 40 alkyl group, C 5 -C 40 aryl group, C 3 -C 40 cycloalkyl group, C 3 -C 40 heterocycloalkyl group, or C 5 -C 40 hetero 1 to 5 substituents selected from aryl groups, each of which is deuterium, C 1 -C 10 alkyl, C 5 -C 10 aryl, C 3 -C 10 cycloalkyl, C 3 -C 10 heterocycloalkyl, or C 5 Optionally substituted or substituted with 1 to 5 substituents selected from -C 10 heteroaryl;
m is 0 or 1;
제 1 항에 있어서,
하기 화합물 1 내지 360으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 화합물:
Figure pat00115
Figure pat00116
Figure pat00117
Figure pat00118
Figure pat00119
Figure pat00120
Figure pat00121
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Figure pat00123
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Figure pat00125
Figure pat00126
Figure pat00127
Figure pat00128
Figure pat00129
Figure pat00130
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Figure pat00133
Figure pat00134
Figure pat00135
Figure pat00136
Figure pat00137
Figure pat00138
The method of claim 1,
An organic light emitting compound selected from the group consisting of the following compounds 1 to 360:
Figure pat00115
Figure pat00116
Figure pat00117
Figure pat00118
Figure pat00119
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Figure pat00134
Figure pat00135
Figure pat00136
Figure pat00137
Figure pat00138
제 1전극; 제 2전극; 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기 발광 소자에 있어서,
상기 유기막이 상기 청구항 제 1 항 내지 제 10 항으로부터 선택된 어느 한 항의 유기 발광 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
A first electrode; A second electrode; And at least one organic layer between the first electrode and the second electrode,
The organic light-emitting device of claim 1, wherein the organic layer comprises any one of the organic light emitting compounds selected from the above claims.
제 8 항에 있어서,
상기 유기막이 공지의 호스트 재료, 공지의 도펀트 재료 또는 이들의 혼합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
The method of claim 8,
Wherein the organic film further comprises a known host material, a known dopant material, or a mixture thereof.
제 8 항에 있어서,
상기 유기막이 아릴아민계 화합물 또는 스티릴아릴아민계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
The method of claim 8,
Wherein the organic layer further comprises at least one compound selected from the group consisting of an arylamine-based compound and a styrylarylamine-based compound.
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