KR101532303B1 - Organic light compound and organic light device using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 우수한 발광효율, 발광 휘도, 발광 수명을 구현할 수 있는 유기 발광 소자와 이에 이용되는 유기 발광 화합물 또는 태양광 발전용 광소자 및 이에 사용되는 광화합물에 관한 것으로, 특히 5,5,10,10-테트라히드로-5,10-디히드로인데노[2,1-a]인덴계 화합물 및 이를 이용한 유기 광소자를 개발하여 제1전극과 상기 제2전극 사이의 각종 유기막 예컨대 전자수송층(ETM), 발광층(EML), 정공수송층(HTM), 정공주입층(HIL) 등에 다각적으로 쓰일 수 있는 물질을 개발하고, 효율 증가와 구동 전압의 감소와 같은 성능의 개선 및 OLED 재료로서의 능력을 극대화시킬 수 있다.The present invention relates to an organic light emitting compound and an organic light emitting device using the same. More particularly, the present invention relates to an organic light emitting device capable of realizing excellent light emitting efficiency, light emission luminance, And 5,5,10,10-tetrahydro-5,10-dihydroindeno [2,1-a] indene compound and an organic photonic compound using the same, (ETM), a light emitting layer (EML), a hole transport layer (HTM), and a hole injection layer (HIL) between the electrode and the second electrode. It is possible to improve the performance such as the reduction of the voltage and maximize the capability as the OLED material.

Description

유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 {ORGANIC LIGHT COMPOUND AND ORGANIC LIGHT DEVICE USING THE SAME} TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic electroluminescent compound, and an organic electroluminescent device using the electroluminescent compound.

본 발명은 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting compound and an organic light emitting device using the same.

OLED에서 발광 효율을 결정하는 가장 중요한 요인은 발광 재료이다. 발광 재료로는 현재까지 형광 재료가 널리 사용되고 있으나, 전기발광의 메커니즘 상 인광 재료의 개발은 이론적으로 4배까지 발광 효율을 개선시킬 수 있는 가장 좋은 방법 중 하나이다. 현재까지 이리듐(Ⅲ) 착물 계열이 인광 발광 재료로 널리 알려져 있으며, 각 RGB 별로는 (acac)Ir(btp)2,Ir(ppy)3및 Firpic 등의 재료가 알려져 있다. 특히, 최근 일본, 구미에서 많은 인광 재료들이 연구되어지고 있다.The most important factor determining the luminous efficiency in an OLED is a light emitting material. Fluorescent materials are widely used as luminescent materials to date, but the development of a phosphorescent material on the mechanism of electroluminescence is one of the best ways to improve the luminous efficiency up to 4 times theoretically. Until now, iridium (III) complexes have been widely known as phosphorescent materials. Materials such as (acac) Ir (btp) 2 , Ir (ppy) 3 and Firpic are known for each RGB. Recently, many phosphorescent materials have been studied in Japan and Europe.

인광 발광체의 호스트 재료로는 현재까지 4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐 (CBP)가 가장 널리 알려져 있으며, 페난트롤린 유도체(BCP), BAlq 등의 정공차단층을 적용한 고효율의 OLED가 공지되어 있다. 일본의 파이오니어 등에서는 BAlq 유도체를 호스트로 이용한 고성능의 OLED가 공지되어 있다. 4,4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl (CBP) has been widely known as a host material for phosphorescent emitters, and a high-efficiency organic EL device using a hole blocking layer such as a phenanthroline derivative (BCP) Of OLEDs are known. In Japan, Pioneer and the like, a high-performance OLED using a BAlq derivative as a host is known.

또한, 일본 공개특허공보 평11-345686호에 개시된 전자수송용 물질들은 옥사졸기, 티아졸기를 함유하고 있고 발광층에도 적용할 수 있다고 보고하고 있으나, 구동전압, 휘도 및 소자의 수명 측면에서 실용화에 도달하지 못하고 있다.In addition, although the electron transporting materials disclosed in JP-A-11-345686 contain an oxazole group and a thiazole group and can also be applied to a light emitting layer, they have come to practical use in terms of driving voltage, luminance, I can not.

그러나 기존의 재료들은 발광 특성 측면에서는 유리한 면이 있으나, 유리전이온도가 낮고 열적 안정성이 매우 좋지 않아서, 진공 하에서 고온 증착 공정을 거칠 때, 물질이 변하는 등 단점을 갖고 있다. OLED에서 전력효율= (π/전압) ㅧ 전류효율 이므로, 전력효율은 전압에 반비례하는데, OLED의 소비 전력이 낮으려면 전력 효율이 높아야한다. 실제 인광 발광 재료를 사용한 OLED는 형광 발광 재료를 사용한 OLED에 비해 전류 효율(cd/A)이 상당히 높으나, 인광 발광 재료의 호스트로 BAlq 나 CBP 등 종래의 재료를 사용할 경우, 형광재료를 사용한 OLED에 비해 구동 전압이 높아서 전력 효율(lm/w)면에서 큰 이점이 없었다. 또한, OLED 소자에서의 수명 측면에서도 결코 만족할만한 수준이 되질 못하여 더욱 안정되고, 더욱 성능이 뛰어난 호스트 재료의 개발이 요구되고 있다.However, existing materials have advantages in terms of luminescence properties, but they have disadvantages such as low glass transition temperature and very poor thermal stability, such as material changes when subjected to a high temperature deposition process under vacuum. Because OLEDs have power efficiency = (π / voltage) ㅧ current efficiency, the power efficiency is inversely proportional to the voltage. OLEDs using real phosphorescent materials have significantly higher current efficiency (cd / A) than OLEDs using fluorescent materials. However, when conventional materials such as BAlq and CBP are used as hosts for phosphorescent materials, OLEDs using fluorescent materials (Lm / w) because the driving voltage is higher than that of the conventional device. In addition, since the lifetime of the OLED device is never satisfactory, development of a more stable and more excellent host material is required.

본 발명이 해결하고자 하는 첫 번째 기술적 과제는 유기 광소자, 특히 유기 발광 소자에 적용할 수 있는 신규의 5,5,10,10-테트라히드로-5,10-디히드로인데노[2,1-a]인덴계 유기 발광 화합물을 제공하는 것이다.The first technical problem to be solved by the present invention is to provide a novel 5,5,10,10-tetrahydro-5,10-dihydroindeno [2,1- a] indene-based organic light-emitting compound.

본 발명이 해결하고자 하는 두 번째 기술적 과제는 상기 신규의 5,5,10,10-테트라히드로-5,10-디히드로인데노[2,1-a]인덴계 유기 발광 화합물을 포함하여 구동전압이 낮고, 발광효율, 휘도, 열적 안정성 및 수명이 향상된 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.A second object of the present invention is to provide a novel organic electroluminescent compound including 5,5,10,10-tetrahydro-5,10-dihydroindeno [2,1-a] indene- And has an improved luminous efficiency, luminance, thermal stability, and service life.

본 발명은 하기 화학식 F로 표시되는 5,5,10,10-테트라히드로-5,10-디히드로인데노[2,1-a]인덴계 유기 발광 화합물을 특징으로 한다.
The present invention is characterized by a 5,5,10,10-tetrahydro-5,10-dihydroindeno [2,1-a] indene-based organic light emitting compound represented by the following formula (F).

[화학식 F][Chemical Formula F]

Figure 112013018955590-pat00001
Figure 112013018955590-pat00001

상기 화학식 F에서,In formula (F) above,

R1,R2,R3,및 R4는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자, C1∼C40알킬기, 또는 C6∼C40아릴기를 나타내며;R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 , which are the same or different from each other, represent a hydrogen atom, a C 1 to C 40 alkyl group, or a C 6 to C 40 aryl group;

R5,R6,R7,R8,및 R9는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자, C1∼C40알킬기, C6∼C40아릴기, C3∼C40헤테로아릴기, C3∼C40시클로알킬기, 및 C3∼C40헤테로시클로알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되고; R 5, R 6, R 7 , R 8, and R 9 are the same or different and represents hydrogen atom, C 1 ~C 40 alkyl group, C 6 ~C 40 aryl group, C 3 ~C 40 heteroaryl, C 3 To C 40 cycloalkyl groups, and C 3 to C 40 heterocycloalkyl groups;

또는 R5,R6,R7,R8,및 R9는 인접하는 기끼리 서로 결합하여 축합(fused) C6∼C40아릴기, 축합(fused) C3∼C40헤테로아릴기, 축합(fused) C3∼C40시클로알킬기, 및 축합(fused) C3∼C40헤테로시클로알킬기를 형성할 수 있고;Or R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 may be bonded to each other to form a fused C 6 -C 40 aryl group, a fused C 3 -C 40 heteroaryl group, a fused C 3 to C 40 cycloalkyl group, and a fused C 3 to C 40 heterocycloalkyl group;

또한, 상기 치환기 정의에 사용된 헤테로아릴 또는 헤테로시클로알킬은 O, S, N, 및 Si 중에서 선택된 헤테로원자가 1 내지 4개 포함될 수 있고, Further, the heteroaryl or heterocycloalkyl used in the substituent definition may contain 1 to 4 hetero atoms selected from O, S, N, and Si,

또한 상기 치환기 정의에 사용된 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴, 또는 헤테로시클로알킬은 각각 단일환(monocyclic)이거나 또는 2 내지 7개의 고리로 이루어진 다중환(polycyclic)이며, 상기 단일환 또는 다중환은 중수소(D), 할로, 하이드록시, 사이아노, 니트로, C1∼C40알킬, C1∼C40할로알킬, C1∼C40하이드록시알킬, C1∼C40알콕시, 아미노, C1∼C40알킬아미노, 디(C1∼C40알킬)아미노, C6∼C40아릴아미노, 디(C6∼C40아릴)아미노, 모노(C1∼C40알킬)실릴, 디(C1∼C40알킬)실릴, 트리(C1∼C40알킬)실릴, C6∼C40아릴, C3∼C40헤테로아릴, C3∼C40시클로알킬, 및 C3∼C40헤테로시클로알킬로 이루어진 군으로부터 선택된 치환체로 치환 또는 비치환될 수 있다.The aryl, cycloalkyl, heteroaryl, or heterocycloalkyl used in the definition of the substituent is monocyclic or polycyclic consisting of 2 to 7 rings, and the monocyclic or polycyclic ring may be monocyclic, D), halo, hydroxy, cyano, nitro, C 1 ~C 40 alkyl, C 1 ~C 40 haloalkyl, C 1 ~C 40 hydroxyalkyl, C 1 ~C 40 alkoxy, amino, C 1 ~C 40 alkylamino, di (C 1 ~C 40 alkyl) amino, C 6 ~C 40 aryl, amino, di (C 6 ~C 40 aryl) amino, mono (C 1 ~C 40 alkyl) silyl, di (C 1 ~ C 40 alkyl) silyl, tri (C 1 ~C 40 alkyl) silyl group, a C 6 ~C 40 aryl, C 3 ~C 40 heteroaryl, C 3 ~C 40 cycloalkyl, and C 3 ~C 40 heterocycloalkyl Lt; / RTI > may be substituted or unsubstituted with a substituent selected from the group consisting of

또한, 본 발명은 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기막이 상기 화학식 F로 표시되는 5,5,10,10-테트라히드로-5,10-디히드로인데노[2,1-a]인덴계 유기 발광 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 특징으로 한다.The present invention also provides a plasma display panel comprising: a first electrode; A second electrode; And at least one organic layer between the first electrode and the second electrode, wherein the organic layer comprises at least one of 5,5,10,10-tetrahydro-5,10-di Hydroquinone [2,1-a] indene-based organic light-emitting compound.

본 발명에 따른 5,5,10,10-테트라히드로-5,10-디히드로인데노[2,1-a]인덴계 유기 발광 화합물이 포함된 유기 발광 소자는 높은 발광 효율, 높은 발광 휘도, 및 현저히 향상된 발광 수명을 구현할 수 있다.The organic light emitting device comprising the 5,5,10,10-tetrahydro-5,10-dihydroindeno [2,1-a] indene organic electroluminescent compound according to the present invention has high luminous efficiency, And a remarkably improved light emission lifetime can be realized.

따라서, 본 발명에서는 신규의 유기 발광 화합물과 이 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.Accordingly, the present invention provides a novel organic light emitting compound and an organic light emitting device comprising the compound.

이와 같은 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 하기와 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 일 구현예로서 실시예 등을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 일 구현예로서 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, '..포함하다' 또는 '..이루어진다' 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성 을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms " comprises, " or " comprising " and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs.

일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

본 발명은 유기 발광 화합물, 특히 5,5,10,10-테트라히드로-5,10-디히드로인데노[2,1-a]인덴계 화합물을 개발하여 제1전극과 상기 제2전극 사이의 각종 유기막 예컨대 전자수송층(ETM), 발광층(EML), 정공수송층(HTM), 정공주입층(HIL) 등에 다각적으로 쓰일 수 있는 물질을 제시하고, 효율 증가와 구동 전압의 감소와 같은 성능의 개선 및 OLED 재료로서의 능력을 극대화시킨 물질을 개발하고자 한다.The present invention relates to an organic electroluminescent compound, especially a 5,5,10,10-tetrahydro-5,10-dihydroindeno [2,1-a] indene compound, Various materials such as an electron transporting layer (ETM), a light emitting layer (EML), a hole transporting layer (HTM), and a hole injection layer (HIL) are proposed and improved in performance And materials that maximize their ability as OLED materials.

본 명세서에서 유기 발광 화합물은 유기 광소자에 사용되는 화합물이라는 의미로서 반드시 발광이 가능한 화합물로 그 범위가 한정되지 않으며, 그 적용 범위도 유기 발광층에 한정되지 않고, 전하 주입층 및 전하 수송층 등 유기 광소자를 구성하는 어느 층에나 모두 사용될 수 있다.In the present specification, the organic luminescent compound means a compound used in an organic photonic device, and is not necessarily limited in its range of application, and its application range is not limited to the organic luminescent layer but may be an organic luminescent layer such as a charge injection layer and a charge transport layer Can be used for any layer constituting the substrate.

또 본 명세서에서 '발광 화합물' 및 '발광 소자'라는 용어는 사전적인 또는 관습적인 정의와 무관하게 본 발명이 유기 발광 소자 및 태양광 발전을 위한 소자에 모두 적용되는 경우를 고려하여, 이를 포괄하고자 선정한 용어이다.In this specification, the terms 'light emitting compound' and 'light emitting device' are used to cover the case where the present invention is applied to both an organic light emitting device and a device for solar power generation regardless of a dictionary or customary definition It is a selected term.

본 발명의 제 1태양에 따르는 유기 광소자는, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기 광소자로서, 상기 유기막이 하기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물을 포함한다.
An organic photonic device according to a first aspect of the present invention includes: a first electrode; A second electrode; And at least one organic film between the first electrode and the second electrode, wherein the organic film includes an organic light emitting compound represented by the following formula (F).

[화학식 F][Chemical Formula F]

Figure 112013018955590-pat00002
Figure 112013018955590-pat00002

상기 화학식 F에서,In formula (F) above,

R1,R2,R3,및 R4는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자, C1∼C40알킬기, 또는 C6∼C40아릴기를 나타내며;R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 , which are the same or different from each other, represent a hydrogen atom, a C 1 to C 40 alkyl group, or a C 6 to C 40 aryl group;

R5,R6,R7,R8,및 R9는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자, C1∼C40알킬기, C6∼C40아릴기, C3∼C40헤테로아릴기, C3∼C40시클로알킬기, 및 C3∼C40헤테로시클로알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되고; R 5, R 6, R 7 , R 8, and R 9 are the same or different and represents hydrogen atom, C 1 ~C 40 alkyl group, C 6 ~C 40 aryl group, C 3 ~C 40 heteroaryl, C 3 To C 40 cycloalkyl groups, and C 3 to C 40 heterocycloalkyl groups;

또는 R5,R6,R7,R8,및 R9는 인접하는 기끼리 서로 결합하여 축합(fused) C6∼C40아릴기, 축합(fused) C3∼C40헤테로아릴기, 축합(fused) C3∼C40시클로알킬기, 및 축합(fused) C3∼C40헤테로시클로알킬기를 형성할 수 있고;Or R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 may be bonded to each other to form a fused C 6 -C 40 aryl group, a fused C 3 -C 40 heteroaryl group, a fused C 3 to C 40 cycloalkyl group, and a fused C 3 to C 40 heterocycloalkyl group;

또한, 상기 치환기 정의에 사용된 헤테로아릴 또는 헤테로시클로알킬은 O, S, N, 및 Si 중에서 선택된 헤테로원자가 1 내지 4개 포함될 수 있고, Further, the heteroaryl or heterocycloalkyl used in the substituent definition may contain 1 to 4 hetero atoms selected from O, S, N, and Si,

또한 상기 치환기 정의에 사용된 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴, 또는 헤테로시클로알킬은 각각 단일환(monocyclic)이거나 또는 2 내지 7개의 고리로 이루어진 다중환(polycyclic)이며, 상기 단일환 또는 다중환은 중수소(D), 할로, 하이드록시, 사이아노, 니트로, C1∼C40알킬, C1∼C40할로알킬, C1∼C40하이드록시알킬, C1∼C40알콕시, 아미노, C1∼C40알킬아미노, 디(C1∼C40알킬)아미노, C6∼C40아릴아미노, 디(C6∼C40아릴)아미노, 모노(C1∼C40알킬)실릴, 디(C1∼C40알킬)실릴, 트리(C1∼C40알킬)실릴, C6∼C40아릴, C3∼C40헤테로아릴, C3∼C40시클로알킬, 및 C3∼C40헤테로시클로알킬로 이루어진 군으로부터 선택된 치환체로 치환 또는 비치환될 수 있다.The aryl, cycloalkyl, heteroaryl, or heterocycloalkyl used in the definition of the substituent is monocyclic or polycyclic consisting of 2 to 7 rings, and the monocyclic or polycyclic ring may be monocyclic, D), halo, hydroxy, cyano, nitro, C 1 ~C 40 alkyl, C 1 ~C 40 haloalkyl, C 1 ~C 40 hydroxyalkyl, C 1 ~C 40 alkoxy, amino, C 1 ~C 40 alkylamino, di (C 1 ~C 40 alkyl) amino, C 6 ~C 40 aryl, amino, di (C 6 ~C 40 aryl) amino, mono (C 1 ~C 40 alkyl) silyl, di (C 1 ~ C 40 alkyl) silyl, tri (C 1 ~C 40 alkyl) silyl group, a C 6 ~C 40 aryl, C 3 ~C 40 heteroaryl, C 3 ~C 40 cycloalkyl, and C 3 ~C 40 heterocycloalkyl Lt; / RTI > may be substituted or unsubstituted with a substituent selected from the group consisting of

본 발명의 발명자는 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물의 치환기로서 R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,및 R9를 선택 특정한 다양한 유도체를 개발하여 전자수송층(ETM), 발광층(EML), 정공수송층(HTM) 등, 제1전극과 상기 제2전극 사이의 각종 유기막으로 사용될 수 있는 유기 광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자를 개발하고, 유기발광소자로 활용될 경우 효율 증가와 구동 전압의 감소와 같은 성능의 개선 및 OLED 재료로서의 능력을 극대화시킬 수 있고, 특히 발광 수명이 현저히 향상됨을 발견하였으며, 이를 태양광 발전을 위한 광소자 및 광화합물 분야에 응용 적용할 경우 우수한 발전 효율을 얻을 수 있을 것으로 기대된다.The inventors of the present invention have found that when R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , and R 9 are selected as substituents of the organic light- (ETM), a light emitting layer (EML), a hole transport layer (HTM), and the like, and organic optical compounds that can be used as various organic films between the first electrode and the second electrode, It has been found that when used as a light emitting device, it is possible to improve the performance such as the efficiency increase and the driving voltage decrease, and maximize the capability as the OLED material, and in particular, the luminescence lifetime is remarkably improved. It is expected that excellent power generation efficiency can be obtained.

이하에서는 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물을 유기 발광 소자와 관련하여 설명할 것이나, 이에 의하여 본 발명이 제한 해석 되어서는 안 된다.Hereinafter, the organic electroluminescent compound represented by Formula F will be described with reference to the organic electroluminescent device, but the present invention should not be construed as being limited thereto.

상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물은 유기 광소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 유기막을 이루는 물질로 적합하다. 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물은 유기 발광 소자의 유기막, 특히 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 또는 발광층에 사용되기 적합하며 호스트 재료뿐만 아니라 도펀트 재료로서도 사용된다. 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물은 녹색인 색상을 제공하며 백색 등 발광 소자에 사용하기에 적합하다.The organic luminescent compound represented by Formula F is suitable as a material for forming an organic film interposed between the first electrode and the second electrode in the organic optical device. The organic light emitting compound represented by Formula F is suitable for use in an organic layer of an organic light emitting device, particularly, a hole transporting layer, a hole injecting layer, an electron transporting layer, or a light emitting layer, and is used as a dopant material as well as a host material. The organic light emitting compound represented by Formula F provides a green color and is suitable for use in a light emitting device such as white.

상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물을 보다 구체적으로 예시하면, 하기 화학식 F1, F2, F3, F4, 또는 F5로 나타낼 수 있다.
More specifically, the organic light emitting compound represented by Formula F may be represented by Formula F1, F2, F3, F4, or F5.

[화학식 F1][Formula F1]

Figure 112013018955590-pat00003
Figure 112013018955590-pat00003

[화학식 F2][Formula F2]

Figure 112013018955590-pat00004
Figure 112013018955590-pat00004

[화학식 F3][Formula F3]

Figure 112013018955590-pat00005
Figure 112013018955590-pat00005

[화학식 F4][Formula F4]

Figure 112013018955590-pat00006
Figure 112013018955590-pat00006

[화학식 F5][Formula F5]

Figure 112013018955590-pat00007
Figure 112013018955590-pat00007

상기 화학식 F1, F2, F3, F4, 또는 F5에 있어서,In the above formula (F1), (F2), (F3), (F4)

R1,R2,R3,및 R4는 서로 같거나 다른 것으로서 수소원자, 또는 C1∼C40알킬기를 나타내며;R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 , which are the same or different from each other, represent a hydrogen atom or a C 1 to C 40 alkyl group;

X1및 X2는 서로 같거나 다른 것으로서 단일결합선이거나, 또는 O, S, N-Y1-Y2,CY3Y4,및 SiY3Y4로 이루어진 군으로부터 선택되고;X 1 and X 2 are the same or different and are a single bond or are selected from the group consisting of O, S, NY 1 -Y 2 , CY 3 Y 4 , and SiY 3 Y 4 ;

Y1은 단일결합선이거나, 또는 C1∼C40알킬렌기, C6∼C40아릴렌기, 또는 C3∼C40헤테로아릴렌기로 이루어진 군으로부터 선택된 2가기이고, Y2,Y3,및 Y4는 각각 독립적으로 수소원자, C1∼C40알킬기, C6∼C40아릴기 및 C3∼C40헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1가기이고, 상기 아릴렌, 헤테로아릴렌, 아릴 또는 헤테로아릴의 방향족고리에는 C6∼C40아릴 및 C3∼C40헤테로아릴 중에서 선택된 치환체가 1 내지 3개 치환 또는 비치환될 수 있고;Y 1 is a single bond or a divalent group selected from the group consisting of a C 1 to C 40 alkylene group, a C 6 to C 40 arylene group, and a C 3 to C 40 heteroarylene group, Y 2 , Y 3 , and Y 4 are each independently a monovalent group selected from the group consisting of a hydrogen atom, a C 1 to C 40 alkyl group, a C 6 to C 40 aryl group and a C 3 to C 40 heteroaryl group, and said arylene, heteroarylene, aryl or hetero The aromatic ring of the aryl may be substituted or unsubstituted with 1 to 3 substituents selected from C 6 to C 40 aryl and C 3 to C 40 heteroaryl;

Ra및 Rb는 서로 같거나 다른 것으로서 수소, 중수소(D), 할로, 하이드록시, 사이아노, 니트로, C1∼C40알킬, C1∼C40할로알킬, C1∼C40하이드록시알킬, C1∼C40알콕시, 아미노, C1∼C40알킬아미노, 디(C1∼C40알킬)아미노, C6∼C40아릴아미노, 디(C6∼C40아릴)아미노, 모노(C1∼C40알킬)실릴, 디(C1∼C40알킬)실릴, 트리(C1∼C40알킬)실릴, C6∼C40아릴, C3∼C40헤테로아릴, C3∼C40시클로알킬, 및 C3∼C40헤테로시클로알킬로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 또는 축합(fused) C6∼C40아릴기를 형성할 수 있다.R a and R b are each the same or different and represents hydrogen, deuterium (D), halo, hydroxy, cyano, nitro, C 1 ~C 40 alkyl, C 1 ~C 40 haloalkyl, C 1 ~C 40 hydroxyalkyl alkyl, C 1 ~C 40 alkoxy, amino, C 1 ~C 40 alkylamino, di (C 1 ~C 40 alkyl) amino, C 6 ~C 40 aryl, amino, di (C 6 ~C 40 aryl) amino, mono (C 1 ~C 40 alkyl) silyl, di (C 1 ~C 40 alkyl) silyl, tri (C 1 ~C 40 alkyl) silyl, C 6 ~C 40 aryl, C 3 ~C 40 heteroaryl, C 3 ~ C 40 cycloalkyl, and C 3 ~C 40 or selected from the group consisting of alkyl heterocycloalkyl, or a condensed (fused) C 6 ~C 40 aryl group can be formed.

또한, 바람직하기로는 상기 화학식 F1, F2, F3, F4, 또는 F5로 표시되는 유기 발광 화합물에 있어서 상기 X1및 X2둘 중 하나는 N-Y1-Y2이고, 다른 하나는 단일결합선 또는 CY3Y4인 화합물이다.Further, preferably the formula F1, F2, F3, F4, or the organic electroluminescent compounds represented by F5 one of the X 1 and X 2 are both NY 1 -Y 2, the other is a single bonding line, or CY 3 Y is 4;.

또한, 보다 바람직하기로는 상기 화학식 F1, F2, F3, F4, 또는 F5로 표시되는 유기 발광 화합물에 있어서 상기 Y1은 단일결합선이거나, 또는 페닐렌기, 피리딜렌기, 피리미딜렌기, 피라지닐렌기, 피리다지닐렌기, 및 트리아지닐렌기로 이루어진 군으로부터 선택된 2가기이고, 이때 상기 2가기는 페닐 및 피리딜 중에서 선택된 치환체가 1 내지 3개 치환 또는 비치환될 수 있고; 상기 Y2는 수소원자, C1∼C10알킬기, In addition, more preferably, or the Y 1 is a single connection lines in the organic light-emitting compound represented by the formula F1, F2, F3, F4, or F5, or a phenyl group, a pyridyl group, a pyrimidyl group, a pyrazinyl group, A pyridazinylene group, and a triazinylene group, wherein the divalent group may be substituted or unsubstituted with 1 to 3 substituents selected from phenyl and pyridyl; Y 2 represents a hydrogen atom, a C 1 to C 10 alkyl group,

Figure 112014104702395-pat00008
Figure 112014104702395-pat00009
로 이루어진 군으로부터 선택된 1가기이고, 이때 상기 1가기는 중수소(D), 할로, 하이드록시, 사이아노, 니트로, C1∼C10알킬, C1∼C10할로알킬, C1∼C10하이드록시알킬, C1∼C10알콕시, 아미노, C1∼C10알킬아미노, 디(C1∼C10알킬)아미노, C6∼C10아릴아미노, 디(C6∼C10아릴)아미노, 모노(C1∼C10알킬)실릴, 디(C1∼C10알킬)실릴, 트리(C1∼C10알킬)실릴, C6∼C10아릴, C3∼C10헤테로아릴, C3∼C10시클로알킬, 및 C3∼C10헤테로시클로알킬로 이루어진 군으로부터 선택된 1 내지 10개의 치환체가 치환 또는 비치환될 수 있고; 상기 Y3,및 Y4는 각각 독립적으로 수소원자, 및 C1∼C10알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물이다.
Figure 112014104702395-pat00008
Figure 112014104702395-pat00009
And one selected from the group consisting of the top, wherein the first top is deuterium (D), halo, hydroxy, cyano, nitro, C 1 ~C 10 alkyl, C 1 ~C 10 haloalkyl, C 1 ~C 10 Hyde hydroxyalkyl, C 1 ~C 10 alkoxy, amino, C 1 ~C 10 alkylamino, di (C 1 ~C 10 alkyl) amino, C 6 ~C 10 aryl, amino, di (C 6 ~C 10 aryl) amino, (C 1 -C 10 alkyl) silyl, di (C 1 -C 10 alkyl) silyl, tri (C 1 -C 10 alkyl) silyl, C 6 -C 10 aryl, C 3 -C 10 heteroaryl, C 3 To C 10 cycloalkyl, and C 3 to C 10 heterocycloalkyl may be substituted or unsubstituted; Y 3 and Y 4 are each independently a hydrogen atom, and a C 1 to C 10 alkyl group.

보다 상세하게 본 발명의 일 구현예에 따르면, 본 발명의 유기 발광 소자에 사용되는 유기 발광 화합물은 5,5,10,10-테트라히드로-5,10-디히드로인데노[2,1-a]인덴계을 기본 골격으로 하며, 구체적으로 예시하면 하기 [제1표군(群)]에 나타낸 바와 같은 화합물 1 내지 198이 포함될 수 있겠으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다:In more detail, according to one embodiment of the present invention, the organic light emitting compound used in the organic light emitting device of the present invention is 5,5,10,10-tetrahydro-5,10-dihydroindeno [2,1-a ] Indene system as a basic skeleton. Specific examples thereof include compounds 1 to 198 as shown in the following [first group (s)], but the present invention is not limited thereto.

[제1표군(群)][First group (group)]

Figure 112013018955590-pat00010
Figure 112013018955590-pat00011
Figure 112013018955590-pat00012
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Figure 112013018955590-pat00021

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본 발명에 따른 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물은 통상의 합성 방법을 이용하여 합성될 수 있으며, 상기 화합물의 보다 상세한 합성 경로는 하기 대표합성예 1 내지 2를 참조할 수 있다. The organic electroluminescent compound represented by Formula F according to the present invention can be synthesized using a conventional synthetic method, and a more detailed synthesis route of the compound can be described in Representative Synthesis Examples 1 and 2 below.

상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물은 유기 광소자의 유기막, 특히 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층 또는 발광층에 사용되기 적합하다. 본 발명을 따르는 유기발광 소자의 구조는 매우 다양하다. 상기 제1전극과 제2전극 사이에 정공주입층, 정공수송층, 정공저지층, 전자저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함할 수 있다.The organic electroluminescent compound represented by Formula F is suitable for use in an organic layer of an organic photonic device, particularly a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, or a light emitting layer. The structure of the organic light emitting device according to the present invention is very diverse. The organic EL device may further include at least one layer selected from the group consisting of a hole injecting layer, a hole transporting layer, a hole blocking layer, an electron blocking layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer between the first electrode and the second electrode.

구체적으로 본 발명은 유기 전계 발광 소자를 제공하며, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극 및 제2전극 사이에 개재되는 1층 이상의 유기물층으로 이루어진 유기 발광 소자에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 F에서 선택되는 유기 발광 화합물을 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 한다.More specifically, the present invention provides an organic electroluminescent device, wherein the organic electroluminescent device comprises: a first electrode; A second electrode; And at least one organic compound layer interposed between the first electrode and the second electrode, wherein the organic compound layer comprises at least one organic electroluminescent compound selected from Formula (F).

본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 상기 화학식 F로 표시되는 화합물을 하나 이상 포함하면서, 동시에 통상의 호스트 재료, 통상의 도펀트 재료, 또는 이의 혼합물을 더 포함할 수 있다.The organic electroluminescent device according to the present invention may further include at least one compound represented by the above formula (F) and at the same time, a conventional host material, a conventional dopant material, or a mixture thereof.

본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 상기 유기물층을 발광층으로 포함하며, 상기 발광층은 상기 화학식 F로 표시되는 화합물로부터 선택되는 유기 발광 화합물 하나 이상을 발광 호스트로 하여 하나 이상의 인광 도펀트를 포함하며, 상기 발광 도펀트는 특별히 제한되지 않는다.The organic electroluminescent device according to the present invention comprises the organic compound layer as a light emitting layer, wherein the light emitting layer comprises at least one phosphorescent dopant as at least one organic electroluminescent compound selected from compounds represented by the general formula (F) The dopant is not particularly limited.

본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 F로 표시되는 화합물로부터 선택되는 유기 발광 화합물 하나 이상을 포함하고, 동시에 아릴아민계 화합물 또는 스티릴아릴아민계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 더 포함할 수 있다.In the organic electroluminescent device of the present invention, at least one compound selected from the group consisting of an arylamine-based compound and a styrylarylamine-based compound, which contains at least one organic electroluminescent compound selected from the compound represented by the above formula (F) .

또한, 본 발명의 유기 발광 소자에 있어서, 유기물층에 상기 화학식 F로 표시되는 화합물로부터 선택되는 유기 발광 화합물 하나 이상 이외에 1족, 2족, 4주기, 5주기 전이금속, 란탄계열금속 및 d-전이원소의 유기금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 또는 착체화합물을 더 포함할 수도 있고, 상기 유기물층은 발광층 및 전하생성층을 포함할 수 있다.Further, in the organic light emitting device of the present invention, in addition to one or more organic luminescent compounds selected from the compounds represented by the above formula (F) in the organic layer, Group 1, Group 2, Group 4, Group 5 transition metal, Group lanthanide metal, The organic compound layer may further include at least one metal or complex compound selected from the group consisting of an organic metal of the element, and the organic compound layer may include a light emitting layer and a charge generating layer.

또한, 상기 유기물층에 상기 유기 발광 화합물 이외에 청색, 적색 또는 녹색 발광을 하는 통상의 유기발광층 하나 이상을 동시에 포함하여 백색 발광을 하는 유기 전계 발광 소자를 형성할 수 있다.In addition, an organic electroluminescent device emitting white light by simultaneously including at least one common organic light emitting layer emitting blue, red or green light in addition to the organic light emitting compound may be formed in the organic material layer.

보다 구체적으로, 본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 구현예는 먼저, 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/발광층/전자수송층/전자주입층/제2전극으로 이루어진 구조를 가질 수 있고, 또 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/제2전극으로 이루어진 구조를 가질 수 있으며, 나아가 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/전자주입층/제2전극의 구조를 가질 수 있다.More specifically, in an embodiment of the organic light emitting device according to the present invention, the organic light emitting device may have a structure including a first electrode / a hole injection layer / a light emitting layer / an electron transport layer / an electron injection layer / The organic light emitting device may have a structure including a first electrode / a hole injection layer / a hole transporting layer / a light emitting layer / an electron transporting layer / an electron injecting layer / a second electrode. Further, the organic light emitting device may include a first electrode / a hole injecting layer / / Light emitting layer / hole blocking layer / electron transporting layer / electron injecting layer / second electrode.

이때, 상기 전자수송층, 발광층, 정공주입층 또는 정공수송층 중 하나 이상은 본 발명을 따르는 유기 발광 화합물을 포함할 수 있다.At this time, one or more of the electron transporting layer, the light emitting layer, the hole injecting layer, or the hole transporting layer may include an organic light emitting compound according to the present invention.

본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 발광층은 적색, 녹색, 청색 또는 백색을 포함하는 인광 또는 형광 도펀트를 포함할 수 있다. 이 중, 상기 인광 도펀트는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb 및 Tm으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 유기금속화합물일 수 있다. 또한, 본 발명에 따르는 화합물은 발광층에서 형광 도펀트로도 사용될 수 있다.The light emitting layer of the organic light emitting device according to the present invention may include a phosphorescent or fluorescent dopant including red, green, blue or white. The phosphorescent dopant may be an organometallic compound containing at least one element selected from the group consisting of Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb and Tm. In addition, the compound according to the present invention can also be used as a fluorescent dopant in the light emitting layer.

이하, 본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 제조 방법을 구체적으로 살펴보기로 한다. 먼저 기판 상부에 높은 일함수를 갖는 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등에 의해 형성하여 제1전극을 형성한다. 상기 제1전극은 애노드(Anode)일 수 있다. 여기에서 기판으로는 통상적인 유기 광소자에서 사용되는 기판을 사용하는데 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 사용한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting device according to the present invention will be described in detail. First, a first electrode material having a high work function is formed on a substrate by a vapor deposition method, a sputtering method, or the like to form a first electrode. The first electrode may be an anode. Here, the substrate used in a typical organic optical device is preferably a glass substrate or a transparent plastic substrate having excellent mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness. As the material for the first electrode, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO2), zinc oxide (ZnO) or the like is used which is transparent and excellent in conductivity.

다음으로, 상기 제1전극 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공주입층(HIL)을 형성할 수 있다.Next, a hole injection layer (HIL) may be formed on the first electrode by various methods such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, and an LB method.

진공증착법에 의하여 정공주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 증착온도 100 내지 500℃, 진공도 10-5내지 10-3torr,증착속도 0.01 내지 100 Å/sec, 막 두께는 통상 100 Å 내지 1 ㎛ 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.When the hole injection layer is formed by the vacuum deposition method, the deposition conditions vary depending on the compound used as the material of the hole injection layer, the structure and the thermal characteristics of the desired hole injection layer, and the like. In general, A degree of vacuum of 10 < -5 > to 10 < -3 > torr, a deposition rate of 0.01 to 100 ANGSTROM / sec, and a film thickness of 100 ANGSTROM to 1 mu m.

스핀코팅법에 의하여 정공주입층을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000 rpm 내지 5000 rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위 에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.When the hole injecting layer is formed by spin coating, the coating conditions vary depending on the compound used as the material of the hole injecting layer, the structure and the thermal properties of the desired hole injecting layer, and preferably from about 2000 rpm to 5000 rpm The coating speed and the heat treatment temperature for removing the solvent after coating are preferably selected in a temperature range of about 80 to 200 캜.

상기 정공주입층 물질은 전술한 바와 같은 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물일 수 있다.The hole injection layer material may be an organic light emitting compound represented by Formula F as described above.

또는, 예를 들어, 미국특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 Advanced Material, 6, p.677(1994)에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류인 TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB, 4,4',4"-트리스(N-(나프틸)-N-페닐아미노)트리페닐아민 (2-TNATA), 용해성이 있는 전도성 고분자인 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산 (Pani/DBSA) 또는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트 (PEDOT/PSS), 폴리아닐린/캠퍼술폰산 (PANI/CSA) 또는 폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트) (PANI/PSS) 등과 같은 공지된 정공주입 물질을 사용할 수 있다.Alternatively, phthalocyanine compounds such as copper phthalocyanine disclosed in U.S. Patent No. 4,356,429 or starburst amine derivatives such as TCTA, m-MTDATA, and m-MTDATA described in Advanced Material, 6, p.677 (1994) (2-TNATA), polyaniline / dodecylbenzenesulfonic acid (Pani / DBSA), which is a soluble conductive polymer, (PEDOT / PSS), polyaniline / camphorsulfonic acid (PANI / CSA) or polyaniline / poly (4-styrenesulfonate) (PANI / PSS ), And the like can be used.

상기 정공주입층의 두께는 약 100 Å 내지 10000 Å, 바람직하게는 100 Å 내지 1000 Å일 수 있다. 상기 정공주입층의 두께가 100 Å 미만인 경우, 정공주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공주입층의 두께가 10000 Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The thickness of the hole injection layer may be about 100 A to about 10000 A, and preferably about 100 A to about 1000 A. When the thickness of the hole injection layer is less than 100 ANGSTROM, hole injection characteristics may be degraded. If the thickness of the hole injection layer is more than 10000 ANGSTROM, the driving voltage may increase.

다르게는, 상기 정공주입층은 진공기상증착법에 의해 형성할 수 있다. 구체적인 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적인 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 예를 들어 N,N-비스-[4-(디-메타톨릴아미노)페닐]-N,N-바이페닐-4,4-디아민 (DNTPD) 등이 사용될 수 있다.Alternatively, the hole injection layer may be formed by a vacuum vapor deposition method. The specific deposition conditions vary depending on the compound used, but are selected from substantially the same range of conditions as the formation of a general hole injection layer. For example, N, N-bis- [4- (di-methtolylamino) phenyl] -N, N-biphenyl-4,4-diamine (DNTPD) and the like can be used.

다음으로 상기 정공주입층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공수송층 (HTL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀팅법에 의하여 정공수송층을 형성하는 경우, 그 증착조건 및 코팅조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.Next, a hole transport layer (HTL) may be formed on the hole injection layer by various methods such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, and an LB method. In the case of forming the hole transporting layer by the vacuum deposition method and the sputtering method, the deposition conditions and the coating conditions vary depending on the compound used, but are generally selected from substantially the same range of conditions as the formation of the hole injection layer.

상기 정공수송층 물질은 전술한 바와 같은 상기 화학식 F로 표시되는 유기 발광 화합물을 포함할 수 있다. 또한 공지된 정공수송 물질로서 예를 들어, N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등의 카르바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민 (TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘 (α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상적인 아민 유도체 등을 포함할할 수 있다. 상기 정공수송층의 두께는 약 50 Å 내지 1000 Å, 바람직하게는 100 Å 내지 600 Å일 수 있다. 상기 정공수송층의 두께가 50 Å 미만인 경우, 정공수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공수송층의 두께가 1000 Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The hole transport layer material may include an organic light emitting compound represented by Formula (F) as described above. Examples of known hole transporting materials include carbazole derivatives such as N-phenylcarbazole and polyvinylcarbazole, N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'- 1-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD), and N, N'-di A typical amine derivative, and the like. The thickness of the hole transporting layer may be about 50 A to 1000 A, preferably 100 A to 600 A. When the thickness of the hole transporting layer is less than 50 ANGSTROM, the hole transporting property may be deteriorated. When the thickness of the HTL is more than 1000 ANGSTROM, the driving voltage may increase.

다음으로 상기 정공수송층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층 (EML)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.Next, a light emitting layer (EML) may be formed on the hole transporting layer by a method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, or an LB method. When a light emitting layer is formed by a vacuum deposition method and a spin coating method, the deposition conditions vary depending on the compound used, but generally, the conditions are substantially the same as those for forming the hole injection layer.

상기 발광층은 전술한 바와 같이 본 발명에 따른 상기 화학식 F로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 이때, 상기 화학식 F로 표시되는 화합물은 적합한 공지의 호스트 재료와 함께 사용될 수 있거나, 공지의 도펀트 재료와 함께 사용될 수 있다. 상기 화학식 F로 표시되는 화합물을 단독으로 사용하는 것도 가능하다. The light emitting layer may include the compound represented by Formula F according to the present invention as described above. At this time, the compound represented by the above formula (F) can be used together with a suitable known host material or can be used together with a known dopant material. It is also possible to use the compound represented by the above formula (F) alone.

상기 화학식 F로 표시되는 화합물과 조합하여 사용할 수 있는 호스트 재료로는 예를 들면, 트리스(8-하이드록시퀴놀레이트알루미늄 (Alq3), 4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐 (CBP), 또는 폴리(n-비닐카바졸) (PVK) 등을 사용할 수 있다. 또한, 호스트 재료로는 하기 화학식 i로 표시되는 비대칭 안트라센 유도체, 하기 화학식 ⅱ로 표시되는 비대칭 모노안트라센 유도체, 하기 화학식 ⅲ으로 표시되는 비대칭 피렌 유도체, 하기 화학식 ⅳ로 표시되는 비대칭 안트라센 유도체, 하기 화학식 v로 표시되는 안트라센 유도체, 하기 화학식 ⅵ으로 표시되는 안트라센 유도체, 하기 화학식 ⅶ로 표시되는 스파이로플루오렌 유도체, 하기 화학식 ⅷ로 표시되는 축합고리 함유 화합물, 하기 화학식 ⅸ로 표시되는 플루오렌 화합물, 하기 화학식 x로 표시되는 안트라센 중심 골격을 갖는 화합물, 또는 상기 화학식 x에서 A1과 A2가 서로 다른 기가 치환된 하기 화학식 xi로 표시되는 안트라센 중심 골격을 갖는 화합물로부터 선택될 수 있다.
Examples of the host material usable in combination with the compound represented by Formula F include tris (8-hydroxyquinolate aluminum (Alq3), 4,4'-N, N'-dicarbazole- CBP), poly (n-vinylcarbazole) (PVK), etc. The host material may include an asymmetric anthracene derivative represented by the following formula (i), an asymmetric monoanthracene derivative represented by the following formula An asymmetric pyrene derivative represented by the following formula (iv), an asymmetric anthracene derivative represented by the following formula (iv), an anthracene derivative represented by the following formula (v), an anthracene derivative represented by the following formula (vi), a spirofluorene derivative represented by the following formula A condensed ring-containing compound represented by the formula (X), a fluorene compound represented by the following formula (X), an anthracene center skeleton represented by the following formula (X) Or a compound having an anthracene central skeleton represented by the following formula (xi) wherein A 1 and A 2 in the above formula (x) are substituted with different groups.

[화학식 i](I)

Figure 112013018955590-pat00022
Figure 112013018955590-pat00022

상기 화학식 i에서, Ar은 치환되거나 비치환된 C10∼C50의 축합 아릴기이고; Ar'는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기이고; X는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 6 내지 50의 아릴싸이오기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시카보닐기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 또는 하이드록실기이고; a, b 및 c는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고; n은 1 내지 3의 정수이고, n이 2 또는 3인 경우 [ ] 안은 같거나 다를 수 있다.
In formula i, Ar is a substituted or unsubstituted C 10 ~C 50 condensed aryl group, in which p is 1 to 100; Ar 'is a substituted or unsubstituted C 6 ~C 50 aryl group; X is a substituted or unsubstituted C 6 ~C 50 aryl group, a substituted or unsubstituted heteroaryl group can be unsubstituted 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted alkyl group of C 1 ~C 50 ring, a substituted or unsubstituted an alkoxy group of C 1 ~C 50, a substituted or unsubstituted aralkyl group unsubstituted C 6 ~C 50, a substituted or unsubstituted 6 to 50 nuclear atoms aryloxy group, a substituted or unsubstituted nuclear atoms of 6 to 50 A substituted or unsubstituted C 1 to C 50 alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, or a hydroxyl group; a, b and c are each independently an integer of 0 to 4; n is an integer of 1 to 3, and when n is 2 or 3, [] may be the same or different.

[화학식 ⅱ](Ii)

Figure 112013018955590-pat00023
Figure 112013018955590-pat00023

상기 화학식 ⅱ에서, Ar1및 Ar2는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기이고; m 및 n은 각각 1 내지 4의 정수이고, 단 m=n=1이고 Ar1과 Ar2의 벤젠고리에의 결합 위치가 좌우 대칭형인 경우에는 Ar1과 Ar2는 동일하지 않고, m 또는 n이 2 내지 4의 정수인 경우에는 m과 n은 다른 정수이고; R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9및 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C3∼C50사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 6 내지 50의 아릴싸이오기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시카보닐기, 치환되거나 비치환된 실릴기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기 또는 하이드록실기이다.
In the above formula (ii), Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group; m and n are each an integer of 1 to 4, provided that when m = n = 1 and Ar 1 and Ar 2 have a symmetric bond to the benzene ring, Ar 1 and Ar 2 are not the same and m or n Is an integer of 2 to 4, m and n are different integers; Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C 6 to C 50 aryl group, substituted or unsubstituted heteroaryl group can be substituted in the 5 to 50, the ring nucleus atoms or unsubstituted alkyl group-substituted C 1 ~C 50, a substituted or unsubstituted C 3 ~C 50 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 50 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 6 ~C 50 aralkyl group, a substituted or unsubstituted 5 to 50 nuclear atoms aryloxy, substituted or unsubstituted aryl of 6 to 50 nuclear atoms of Cy A substituted or unsubstituted C 1 to C 50 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted silyl group, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group or a hydroxyl group.

[화학식 ⅲ](Iii)

Figure 112013018955590-pat00024
Figure 112013018955590-pat00024

상기 화학식 ⅲ에서, Ar 및 Ar'은 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 핵C6∼C50의 아릴기이고; L 및 L'은 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 페닐렌기, 치환되거나 비치환된 나프탈레닐렌기, 치환되거나 비치환된 플루오렌일렌기 또는 치환되거나 비치환된 다이벤조실롤릴렌기이고; m은 0 내지 2의 정수이고; n은 1 내지 4의 정수이고; s는 0 내지 2의 정수이고; t는 0 내지 4의 정수이고; 또한 L 또는 Ar은 피렌의 C1 내지 C5 위치 중 어느 하나에 결합하고, L' 또는 Ar'은 피렌의 C6 내지 C10 위치 중 어느 하나에 결합하며, In the above formula (iii), Ar and Ar 'are each independently a substituted or unsubstituted aromatic C 6 to C 50 aryl group; L and L 'are each independently a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted naphthalenylene group, a substituted or unsubstituted fluorenylene group or a substituted or unsubstituted dibenzylphenylene group; m is an integer from 0 to 2; n is an integer from 1 to 4; s is an integer from 0 to 2; t is an integer from 0 to 4; And L or Ar is bonded to any one of the C1 to C5 positions of the pyrene and L 'or Ar' is bonded to any one of the C6 to C10 positions of the pyrene,

단, n+t가 짝수일 때, Ar, Ar', L, L'은 하기 (1) 또는 (2)를 만족한다 :Provided that Ar, Ar ', L and L' satisfy the following (1) or (2) when n + t is an even number:

(1) Ar≠Ar' 및/또는 L≠L'(여기서 ≠는, 서로 다른 구조의 기임을 나타냄)(1) Ar ≠ Ar 'and / or L ≠ L' (wherein ≠ represents a group of different structure)

(2) Ar=Ar'이고 L=L'일 때(2) when Ar = Ar 'and L = L'

(2-1) m≠s 및/또는 n≠t, 또는(2-1) m? S and / or n? T, or

(2-2) m=s 이고 n=t일 때,(2-2) When m = s and n = t,

(2-2-1) L 및 L', 또는 피렌이 각각 Ar 및 Ar' 상의 다른 결합 위치에 결합해 있거나, (2-2-1) L and L ', or pyrene is bonded to other bonding sites on Ar and Ar'

(2-2-2) L 및 L', 또는 피렌이 각각 Ar 및 Ar' 상의 같은 결합 위치에서 결합하고 있는 경우, L 및 L' 또는 Ar 및 Ar'의 피렌에 있어서의 치환 위치가 C1과 C6 위치, 또는 C2와 C7 위치인 경우는 없다.
(2-2-2) When L and L 'or pyrene are bonded at the same bonding positions on Ar and Ar', the substitution positions of L and L 'or Ar and Ar' in the pyrene are C1 and C6 Position, or C2 or C7 position.

[화학식 ⅳ][Chemical Formula (iv)

Figure 112013018955590-pat00025
Figure 112013018955590-pat00025

상기 화학식 ⅳ에서, A1및 A2는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 C10∼C20의 축합 아릴기이고; Ar1및 Ar2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기이고; R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9및 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C3∼C50의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 6 내지 50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 6 내지 50의 아릴싸이오기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시카보닐기, 치환되거나 비치환된 실릴기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기 또는 하이드록실기이고; Ar1,Ar2,R9및 R10은 축합 아릴기에의 치환기로서 2 이상의 복수개가 치환될 수 있고, 이들은 서로 인접하는 기가 결합하여 포화 또는 불포화된 고리를 형성할 수도 있고; 단, 안트라센 모핵의 C9 및 C10 위치에, 상기 안트라센 상에 나타내는 X-Y축에 대하여 대칭형이 되는 기가 결합하는 경우는 제외한다.
In Formula ⅳ, A 1 and A 2 are each independently a substituted or unsubstituted C 10 ~C2 0 condensed aryl group of; Ar 1 and Ar 2 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl group; Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C 6 to C 50 aryl group, A substituted or unsubstituted heteroaryl group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted C 1 to C 50 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 50 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 ~C 50 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 6 ~C 50 aralkyl group, a substituted or unsubstituted 6 to 50 nuclear atoms aryloxy group, a substituted or unsubstituted aryl of 6 to 50 nuclear atoms A substituted or unsubstituted C 1 to C 50 alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted silyl group, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group or a hydroxyl group; Ar 1 , Ar 2 , R 9 and R 10 are substituents on the condensed aryl group and may be substituted by a plurality of two or more, which may be adjacent to each other to form a saturated or unsaturated ring; However, the case where groups symmetrical with respect to the XY axis shown in the anthracene phase are bonded to the C9 and C10 positions of the anthracene mother nucleus are excluded.

[화학식 v](V)

Figure 112013018955590-pat00026
Figure 112013018955590-pat00026

상기 화학식 v에서, R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9및 R10은 각각 독립적으로 수소원자, C1∼C50의 알킬기, C3∼C50의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬아미노기, 치환되거나 비치환된 C2∼C50의 알켄일기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴아미노기, 치환되거나 비치환된 C5∼C50의 헤테로아릴기 또는 치환되거나 비치환된 C5∼C50의 헤테로사이클기를 나타내고; a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수를 나타내고, 이들이 2 이상인 경우 R1끼리 또는 R2끼리는 서로 같거나 다를 수 있고, 또한 R1끼리 또는 R2끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있고, 또한 R3과 R4,R5와 R6,R7과 R8,R9와 R10이 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있고; L1은 단일 결합, -O-, -S-, -N(R)- (이때 R은 C1∼C50의 알킬기 또는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기임), C2∼C50의 알킬렌기 또는 C6∼C50의 아릴렌기를 나타낸다.
Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are each independently a hydrogen atom, a C 1 to C 50 alkyl group, a C of 3 ~C 50 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~C 50 aryl group, a substituted or unsubstituted C 1 ~C 50 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 6 ~C 50 aryl oxy group , A substituted or unsubstituted C 1 to C 50 alkylamino group, a substituted or unsubstituted C 2 to C 50 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 50 arylamino group, a substituted or unsubstituted C 5 ~C 50 hetero aryl group or a substituted or represents a heterocycle of the unsubstituted C 5 ~C 50; a and b each independently represent an integer of 1 to 5, provided that when they are two or more, R 1 s or R 2 s may be the same or different and R 1 s or R 2 s may be bonded to each other to form a ring , And R 3 and R 4 , R 5 and R 6 , R 7 and R 8 , R 9 and R 10 may be bonded to each other to form a ring; L 1 is a single bond, -O-, -S-, -N (R ) - ( wherein R is an aryl group of C 1 ~C 50 alkyl group or a substituted or unsubstituted C 6 ~C 50 a), C 2 ~ for C 50 alkylene group or a C 6 ~C 50 represents an arylene.

[화학식 ⅵ](Vi)

Figure 112013018955590-pat00027
Figure 112013018955590-pat00027

상기 화학식 ⅵ에서, R11,R12,R13,R14,R15,R16,R17,R18,R19및 R20은 각각 독립적으로 수소 원자, C1∼C50의 알킬기, C3∼C50의 사이클로알킬기, C6∼C50의 아릴기, C1∼C50의 알콕시기, 핵원자수 6 내지 50의 아릴옥시기, C1∼C50의 알킬아미노기, C6∼C50의 아릴아미노기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기 또는 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로사이클기를 나타내고; c, d, e 및 f는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수를 나타내고, 이들이 2 이상인 경우 R11끼리, R12끼리, R16끼리 또는 R17끼리는 서로 같거나 다를 수 있고, 또한 R11끼리, R12끼리, R16끼리 또는 R17끼리는 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있고, 또한 R13과 R14,R18과 R19가 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있고; L2는 단일 결합, -O-, -S-, -N(R)- (이때 R은 C1∼C50의 알킬기 또는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기임), C2∼C50의 알킬렌기 또는 C6∼C50의 아릴렌기를 나타낸다.
Wherein R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , R 16 , R 17 , R 18 , R 19 and R 20 each independently represent a hydrogen atom, a C 1 to C 50 alkyl group, C C 3 to C 50 cycloalkyl, C 6 to C 50 aryl, C 1 to C 50 alkoxy, aryloxy of 6 to 50 nucleus atoms, C 1 to C 50 alkylamino, C 6 to C A substituted or unsubstituted arylamino group having 5 to 50 ring atoms, a heteroaryl group having 5 to 50 ring atoms having a substituted or unsubstituted hetero ring group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 5 to 50 ring atoms; c, d, e, and f each independently represent an integer of 1 to 5, and when two or more thereof are present, R 11 , R 12 , R 16 or R 17 may be the same or different, and R 11 , R 12 , R 16 or R 17 may be bonded to each other to form a ring, or R 13 and R 14 , R 18 and R 19 may be bonded to each other to form a ring; L 2 represents a single bond, -O-, -S-, -N (R ) - ( wherein R is an aryl group of C 1 ~C 50 alkyl group or a substituted or unsubstituted C 6 ~C 50 a), C 2 ~ for C 50 alkylene group or a C 6 ~C 50 represents an arylene.

[화학식 ⅶ][Chemical Formula I]

Figure 112013018955590-pat00028
Figure 112013018955590-pat00028

상기 화학식 ⅶ에서, A5,A6,A7및 A8은 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 바이페닐기 또는 치환되거나 비치환된 나프틸기이다.
In the above formula, A 5 , A 6 , A 7 and A 8 are each independently a substituted or unsubstituted biphenyl group or a substituted or unsubstituted naphthyl group.

[화학식 ⅷ][Chemical Formula I]

Figure 112013018955590-pat00029
Figure 112013018955590-pat00029

상기 화학식 ⅷ에서, A9,A10,A11,A12,A13및 A14는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 바이페닐기 또는 치환되거나 비치환된 나프틸기이고, 이들 중 적어도 하나는 3환 이상의 축합 방향족환을 갖으며; R21,R22및 R23은 각각 독립적으로 수소 원자, C1∼C6의 알킬기, C3∼C6의 사이클로알킬기, C1∼C6의 알콕시기, C6∼C18의 아릴옥시기, C7∼C18의 아르알킬옥시기, C6∼C16의 아릴아미노기, 나이트로기, 사이아노기, C1∼C6의 에스터기 또는 할로젠 원자를 나타낸다.
Wherein A 9 , A 10 , A 11 , A 12 , A 13 and A 14 are each independently a substituted or unsubstituted biphenyl group or a substituted or unsubstituted naphthyl group, Or more condensed aromatic ring; R 21, aryloxy group of R 22 and R 23 each independently represent a hydrogen atom, C 1 ~C 6 alkyl, C 3 ~C 6 cycloalkyl group, C 1 ~C 6 alkoxy group, C 6 ~C 18 of the , A C 7 to C 18 aralkyloxy group, a C 6 to C 16 arylamino group, a nitro group, a cyano group, an C 1 to C 6 ester group or a halogen atom.

[화학식 ⅸ] [Chemical Formula I]

Figure 112013018955590-pat00030
Figure 112013018955590-pat00030

상기 화학식 ⅸ에서, R1및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로사이클기, 치환되거나 비치환된 아미노기, 사이아노기 또는 할로젠 원자를 나타내고, 다른 플루오렌기에 결합하는 R1끼리 및 R2끼리는 서로 같거나 다를 수 있고, 같은 플루오렌기에 결합하는 R1및 R2는 서로 같거나 다를 수 있고; R3및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기 또는 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로사이클기를 나타내고, 다른 플루오렌기에 결합하는 R3끼리 및 R4끼리는 서로 같거나 다를 수 있고, 같은 플루오렌기에 결합하는 R3및 R4는 서로 같거나 다를 수 있고; Ar1및 Ar2는 벤젠고리의 합계가 3개 이상인 치환되거나 비치환된 축합 다환 방향족기 또는 벤젠고리와 헤테로고리의 합계가 3개 이상인 치환되거나 비치환된 탄소로 플루오렌기에 결합하는 축합 다환 헤테로고리기를 나타내고, Ar1및 Ar2는 서로 같거나 다를 수 있고; n은 1 내지 1O의 정수를 나타낸다.
Wherein R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C 1 -C 50 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aralkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~C 50 aryl group, a substituted or unsubstituted substituted group, the number of nuclear atoms of 5 to 50 ring heterocycle or represents an amino group, a cyano group or a halogen atom unsubstituted, each other R 1, which is bonded to another fluorene And R 2 's may be the same or different from each other, and R 1 and R 2 bonded to the same fluorene group may be the same or different from each other; R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C 1 to C 50 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 50 aralkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 50 An aryl group or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms and R 3 and R 4 bonded to other fluorene groups may be the same or different and R 3 and R 4 may be the same or different from each other; Ar 1 and Ar 2 are a substituted or unsubstituted condensed polycyclic aromatic group having a total of three or more benzene rings or a condensed polycyclic hetero ring having three or more benzene rings and a heterocyclic ring bonded to a fluorene group, And Ar 1 and Ar 2 may be the same or different from each other; n represents an integer of 1 to 10;

[화학식 x][Formula x]

Figure 112013018955590-pat00031
Figure 112013018955590-pat00031

상기 화학식 x에서, A1및 A2는 각각 독립적으로 치환되거나 비치환된 C6∼C20의 아릴기 또는 이로부터 유도되는 기이고, 상기 아릴기는 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C3∼C50의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시카보닐기, 치환되거나 비치환된 실릴기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기 및 하이드록실기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 둘 이상의 치환기로 치환될 수 있고, 둘 이상의 치환기로 치환되는 경우 이들 치환기는 서로 같거나 다를 수 있고, 또한 서로 인접하는 치환기끼리 서로 결합하여 포화 또는 불포화된 사이클릭 구조를 형성하고 있을 수도 있고; R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아릴기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알킬기, 치환되거나 비치환된 C3∼C50의 사이클로알킬기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시기, 치환되거나 비치환된 C6∼C50의 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴옥시기, 치환되거나 비치환된 핵원자수 5 내지 50의 아릴싸이오기, 치환되거나 비치환된 C1∼C50의 알콕시카보닐기, 치환되거나 비치환된 실릴기, 카복실기, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기 및 하이드록실기로부터 선택된다.
In formula (x), A 1 and A 2 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 -C 20 aryl group or a group derived therefrom, and the aryl group is a substituted or unsubstituted C 6 -C 50 aryl A substituted or unsubstituted C 1 to C 50 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 50 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 50 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 6 of ~C 50 aralkyl group, a substituted or unsubstituted 5 to 50 nuclear atoms aryloxy, substituted or unsubstituted come in the number of nuclear atoms of 5 to 50 ring Cy aryl, substituted or unsubstituted C 1 ~C 50 of An alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted silyl group, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group and a hydroxyl group, and may be substituted with two or more substituents When substituted, these substituents May be the same or different from each other and the adjacent substituents may be bonded to each other to form a saturated or unsaturated cyclic structure; Each of R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 and R 8 is independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C 6 to C 50 aryl group, a substituted or unsubstituted nucleus A substituted or unsubstituted C 1 to C 50 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 50 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 50 alkoxy group , A substituted or unsubstituted C 6 to C 50 aralkyl group, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms, an arylthio group having 5 to 50 substituted or unsubstituted nuclear atoms, hwandoen C 1 ~C 50 alkoxy carbonyl group, the substituted or between unsubstituted silyl group, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group and is selected from the group and a hydroxyl group, nitro.

[화학식 xi](Xi)

Figure 112013018955590-pat00032
Figure 112013018955590-pat00032

상기 화학식 xi에서, A1,A2,R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7및 R8은 각각 독립적으로 상기 화학식 x에서 정의한 바와 같으며, 다만 중심의 안트라센의 C9 및 C10 위치에는 상기 안트라센 상에 나타내는 X-Y축에 대하여 대칭형이 되는 기가 결합하는 경우는 없다.
In Formula (xi), A 1 , A 2 , R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 and R 8 are each independently as defined in Formula x, C9 and C10 positions of the anthracene are not bonded to groups symmetrical with respect to the XY axis shown in the anthracene phase.

이상의 호스트 재료 중에서도 바람직하기로는 안트라센 유도체이고, 더 바람직하기로는 모노안트라센 유도체이고, 특히 바람직하기로는 비대칭 안트라센 유도체이다.Among the host materials described above, an anthracene derivative is preferable, a monoanthracene derivative is more preferable, and an asymmetric anthracene derivative is particularly preferable.

상기 화학식 F로 표시되는 화합물과 조합하여 사용할 수 있는 도펀트 재료로는 형광 도펀트로서 이데미츠사(Idemitsu사)에서 구입 가능한 IDE102, IDE105 및 하야시바라사에서 구입 가능한 C545T 등을 사용할 수 있으며, 인광 도펀트로서 적색 인광 도펀트 PtOEP, UDC사의 RD61, 녹색 인광 도펀트 Ir(PPy)3 (이때, PPy는 2-페닐피리딘), 청색 인광 도펀트인 F2Irpic, UDC사의 적색인 광 도펀트 RD 61 등을 사용할 수 있다. N-메틸퀴나크리돈 (MQD), 쿠마린(Coumarine) 유도체 등도 사용할 수 있다. 또한, 하기 화학식 a로 표시되는 금속-리간드 착화합물도 사용될 수 있다.As a dopant material usable in combination with the compound represented by the above formula (F), IDE102, IDE105 available from Idemitsu Co., Ltd. and C545T available from Hayashibara Co., Ltd. can be used as a fluorescent dopant, and red phosphorescence Dopant PtOEP, UDC RD61, green phosphorescent dopant Ir (PPy) 3 (where PPy is 2-phenylpyridine), F2Irpic as a blue phosphorescent dopant, and RD 61 as a red light dopant of UDC. N-methylquinacridone (MQD), coumarine derivatives and the like can also be used. Further, a metal-ligand complex compound represented by the following formula (a) may also be used.

[화학식 a](A)

M1L101L102L103 M 1 L 101 L 102 L 103

상기 화학식 a에서, M1은 주기율표상의 7족, 8족, 9족, 10족, 11족, 13족, 14족, 15족 및 16족의 금속원소로 이루어진 군으로부터 선택되고; L101,L102,L103은 각각 리간드로서 하기 구조로부터 선택되며;In Formula (a), M 1 is selected from the group consisting of Group 7, Group 8, Group 9, Group 10, Group 11, Group 13, Group 14, Group 15, and Group 16 metal elements on the periodic table; L 101 , L 102 and L 103 are each selected from the following structures as ligands;

Figure 112013018955590-pat00033

Figure 112013018955590-pat00033

이때, R201,R202,및 R203은 각각 수소원자, 할로겐이 치환되거나 치환되지 않은 C1∼C30의 알킬기, C1∼C30의 알킬이 치환되거나 치환되지 않은 C1∼C50의 아릴기, 또는 할로젠 원자이고; R204내지 R219는 서로 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1∼C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1∼C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3∼C30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2∼C30의알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6∼C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 모노 또는 치환 또는 비치환된 디(C1∼C30의 알킬)아미노기, 치환 또는 비치환된 모노 또는 디-(C6∼C30의 아릴)아미노기, SF5, 치환 또는 비치환된 트리(C1∼C30의 알킬)실릴기, 치환 또는 비치환된 디(C1∼C30의 알킬)(C6∼C30의 아릴)실릴기, 치환 또는 비치환된 트리(C6∼C30의 아릴)실릴기, 시아노 또는 할로젠 원자이고; R220내지 R223은 서로 독립적으로 수소원자, 중수소 원자, 할로젠이 치환되거나 치환되지 않은 C1∼C30의 알킬기, 또는 C1∼C30의 알킬이 치환되거나 치환되지 않은 C6∼C30의 아릴기이고; R224및 R225는 서로 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1∼C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6∼C30의 아릴기, 또는 할로젠 원자이거나, R224와 R225는 축합고리를 포함하거나 포함하지 않는 C3∼C12의 알킬렌 또는 C3∼C12의 알케닐렌으로 연결되어 지방족 고리 및 단일환 또는 다중환의 방향족 고리를 형성하며; R226은 치환 또는 비치환된 C1∼C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6∼C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C5∼C30의 헤테로아릴기, 또는 할로젠 원자이고; R227내지 R229는 서로 독립적으로 수소원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1∼C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6∼C30의 아릴기, 또는 할로젠 원자이고; Q는

Figure 112013018955590-pat00034
,
Figure 112013018955590-pat00035
또는
Figure 112013018955590-pat00036
이며, R231내지 R242는 서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로젠이 치환되거나 치환되지 않은 C1∼C30의 알킬기, C1∼C30의 알콕시기, 할로젠이 치환 또는 비치환된 C6∼C30의 아릴기, 시아노가 치환 또는 비치환된 C5∼C30의 시클로알킬기이거나, 인접한 치환체와 C3∼C12의 알킬렌 또는 C3∼C12의 알케닐렌으로 연결되어 스피로 고리 또는 축합고리를 형성할 수 있거나, R207또는 R208과 C3∼C12의 알킬렌 또는 C3∼C12의 알케닐렌으로 연결되어 포화 또는 불포화의 축합고리를 형성할 수 있다.At this time, the R 201, R 202, and R 203 each represent a hydrogen atom, an alkyl group with or without halogen substituent C 1 ~C 30, C 1 ~C 30 alkyl is optionally substituted C 1 ~C 50 of An aryl group, or a halogen atom; R 204 to R 219 independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 ~C 30 uial Kane group, a substituted or unsubstituted mono or a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~C 30 ring-di (C 1 ~C 30 alkyl) amino group, a substituted or unsubstituted mono- or di-ring - (C 6 ~C 30 aryl) amino group, a SF5, substituted or unsubstituted tree (C 1 ~C 30 of alkyl) silyl group, a substituted or unsubstituted ring Di (C 1 to C 30 alkyl) (C 6 to C 30 aryl) silyl, substituted or unsubstituted tri (C 6 to C 30 aryl) silyl, cyano or halogen atom; R 220 to R 223 independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, a C 1 to C 30 alkyl group optionally substituted by halogen, or a C 6 to C 30 substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl Lt; / RTI > R 224 and R 225 independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, or a halogen atom, or R 224 and R 225 is connected by including the fused ring does not contain, or C 3 ~C 12 alkylene or C 3 ~C 12 of alkenylene to form an aliphatic ring, or a monocyclic or multi-fused ring; R 226 is a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 5 to C 30 heteroaryl group, or a halogen atom ; R 227 to R 229 independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted C 1 to C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, or a halogen atom; Q is
Figure 112013018955590-pat00034
,
Figure 112013018955590-pat00035
or
Figure 112013018955590-pat00036
And R 231 to R 242 are independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 6 aryl groups ~C 30, cyano furnace or a cycloalkyl group of the substituted or unsubstituted C 5 ~C 30, alkenylene of an adjacent substituent via C 3 ~C 12 alkylene or C 3 ~C 12 of the spiro ring or May form a condensed ring, or may be connected to R 207 or R 208 by C 3 -C 12 alkylene or C 3 -C 12 alkenylene to form a saturated or unsaturated condensed ring.

도핑 농도는 특별히 제한되지 않으나 통상적으로 호스트 100 중량부를 기준으로 하여 상기 도펀트의 함량은 0.01 내지 15 중량부이다. 상기 발광층의 두께는 약 100 Å 내지 1000 Å, 바람직하게는 200 Å 내지 600 Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 100 Å 미만인 경우 발광 특성이 저하될 수 있으며, 상기 발광층의 두께가 1000 Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The doping concentration is not particularly limited, but the content of the dopant is usually 0.01 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight of the host. The thickness of the light emitting layer may be about 100 A to 1000 A, preferably 200 A to 600 A, When the thickness of the light emitting layer is less than 100 ANGSTROM, the light emission characteristics may be degraded. When the thickness of the light emitting layer is more than 1000 ANGSTROM, the driving voltage may increase.

발광층에 발광 화합물이 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여, 상기 발광층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 정공저지층 (HBL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 정공저지층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 사용가능한 공지의 정공저지재료, 예를 들면 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체 (TAZ), 페난트롤린 유도체 (BCP) 등을 들 수 있다.When a luminescent compound is used together with a phosphorescent dopant in the luminescent layer, a method such as vacuum deposition, spin coating, casting, LB or the like is performed on the luminescent layer to prevent the triplet excitons or holes from diffusing into the electron transporting layer The hole blocking layer HBL can be formed. When the hole blocking layer is formed by a vacuum deposition method or a spin coating method, the conditions vary depending on the compound used, but are generally selected from substantially the same range of conditions as the formation of the hole injection layer. Known hole blocking materials that can be used include oxadiazole derivatives, triazole derivatives (TAZ), phenanthroline derivatives (BCP), and the like.

상기 정공저지층의 두께는 약 50 Å 내지 1000 Å, 바람직하게는 100 Å 내지 300 Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 50 Å 미만인 경우 정공저지 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공저지층의 두께가 1000 Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다. The thickness of the hole blocking layer may be about 50 Å to 1000 Å, preferably 100 Å to 300 Å. When the thickness of the hole blocking layer is less than 50 ANGSTROM, the hole blocking characteristics may be deteriorated. When the thickness of the hole blocking layer is more than 1000 ANGSTROM, the driving voltage may increase.

다음으로 전자수송층 (ETL)을 진공증착법, 또는 스핀코팅법, 캐스트법 등의 다양한 방법을 이용하여 형성한다.Next, an electron transport layer (ETL) is formed by various methods such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, and a casting method.

진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 전자수송층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 상기 전자수송층 재료는 전자주입전극(Cathode)로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 퀴놀린 유도체, 특히 Alq3, TAZ, Balq, PBD 등과 같은 공지의 재료를 사용할 수도 있다.In the case of forming the electron transporting layer by the vacuum deposition method and the spin coating method, the conditions vary depending on the compound used, but generally, the conditions are substantially the same as those for forming the hole injection layer. The electron transport layer material serves to stably transport electrons injected from an electron injection electrode, and quinoline derivatives, particularly known materials such as Alq3, TAZ, Balq, PBD and the like may be used.

상기 전자수송층의 두께는 약 100 Å 내지 1000 Å, 바람직하게는 200 Å 내지 500 Å일 수 있다. 상기 전자수송층의 두께가 100 Å 미만인 경우 전자수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자수송층의 두께가 1000 Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The thickness of the electron transporting layer may be about 100 ANGSTROM to 1000 ANGSTROM, preferably 200 ANGSTROM to 500 ANGSTROM. When the thickness of the electron transporting layer is less than 100 ANGSTROM, the electron transporting property may be degraded. When the thickness of the electron transporting layer is more than 1000 ANGSTROM, the driving voltage may increase.

또한 전자수송층 상부에 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자주입층(EIL)이 적층될 수 있으며 이는 특별히 재료를 제한하지 않는다. 전자 주입층으로서는 LiF, NaCl, CsF, Li2O,BaO등과 같은 전자주입층 형성재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 상기 전자주입층의 두께는 약 1 Å 내지 100 Å, 바람직하게는 5 Å 내지 50 Å 일 수 있다. 상기 전자주입층의 두께가 1 Å 미만인 경우 전자주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자주입층의 두께가 100 Å를 초과하는 경우 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.Further, an electron injection layer (EIL), which is a material having a function of facilitating the injection of electrons from the cathode, may be laminated on the electron transporting layer, which is not particularly limited. As the electron injection layer, any material known as an electron injection layer forming material such as LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, or the like can be used. The deposition conditions of the electron injection layer vary depending on the compound used, but are generally selected from substantially the same range of conditions as the formation of the hole injection layer. The thickness of the electron injection layer may be about 1 A to 100 A, preferably 5 A to 50 A. If the thickness of the electron injection layer is less than 1 A, the electron injection characteristics may be deteriorated. If the thickness of the electron injection layer exceeds 100 A, the driving voltage may increase.

마지막으로 전자주입층 상부에 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 제2전극을 형성할 수 있다.Finally, the second electrode can be formed on the electron injection layer by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like.

상기 제2전극은 캐소드(Cathode)로 사용될 수 있다. 상기 제2전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등을 들 수 있다.The second electrode may be used as a cathode. As the metal for forming the second electrode, a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a low work function, or a mixture thereof may be used. Specific examples thereof include lithium (Li), magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), magnesium- .

또한 전면 발광소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 사용한 투과형 캐소드를 사용할 수도 있다.Also, a transmissive cathode using ITO or IZO may be used to obtain a front light emitting element.

본 발명의 다른 구현예에 따르는 유기 전계 발광 화합물은 상기 화학식 F로 표시되는 5,5,10,10-테트라히드로-5,10-디히드로인데노[2,1-a]인덴계 화합물이며, 보다 구체적으로는 상기 [제1표군(群)]에서 구체적으로 예시된 화합물 1 내지 198이 포함될 수 있다. 상기 화합물들에 대한 구체적인 내용은 상술한 유기 발과 소자에 대하여 설명한 부분과 동일하다. The organic electroluminescent compound according to another embodiment of the present invention is the 5,5,10,10-tetrahydro-5,10-dihydroindeno [2,1-a] indene compound represented by Formula F, More specifically, the compounds 1 to 198 specifically exemplified in the above [first group (s)] can be included. The details of the compounds are the same as those described for the organic foot and the device described above.

이하에서, 본 발명의 합성예 및 실시예를 구체적으로 예시하지만, 본 발명이 하기의 합성예 및 실시예로 한정되는 것은 아니다. 이하의 합성예에서 중간체 화합물은 최종 생성물의 번호에 일련번호를 추가하는 방식으로 표기한다. 예를 들어, 화합물 1은 화합물 [1] 로 표기하고, 상기 화합물의 중간체 화합물은 [1-1] 등으로 표기한다.Hereinafter, Synthesis Examples and Examples of the present invention will be specifically described, but the present invention is not limited to the following Synthesis Examples and Examples. In the following synthesis examples, the intermediate compounds are indicated by adding the serial number to the final product number. For example, the compound 1 is represented by the compound [1], and the intermediate compound of the compound is represented by [1-1] or the like.

[실시예] [Example]

대표합성예 1. 화합물 10의 합성Representative Synthesis Example 1. Synthesis of Compound 10

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Figure 112013018955590-pat00037

1) 중간체 화합물 [10-1]의 제조1) Preparation of intermediate compound [10-1]

반응 플라스크에 2-브로모-5,5,10,10-테트라메틸-5,10-디히드로인데노[2,1-a]인덴 100 g (0.295 mol), 2-니트로페닐보론산 98.3 g (0.589 mol)을 1,4-디옥산 1 L로 녹이고 질소기류하에서 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 17.0 g (14.75 mmol), 탄산칼륨 61.2 g (0.443 mol), 정제수 100 mL로 12시간 동안 환류 교반시켰다. 반응종결 후 실온까지 천천히 냉각한 다음 정제수에 부어 고체화 시켰다. 여과된 고체는 정제수와 메탄올로 세척하여 노란색 고체상태의 중간체 화합물 [10-1] 79.0 g (70%)을 제조하였다.100 g (0.295 mol) of 2-bromo-5,5,10,10-tetramethyl-5,10-dihydroindeno [2,1-a] indene, 98.3 g (0.589 mol) was dissolved in 1 L of 1,4-dioxane, and 17.0 g (14.75 mmol) of tetrakis (triphenylphosphine) palladium, 61.2 g (0.443 mol) of potassium carbonate and 100 mL of purified water And the mixture was refluxed and stirred. After completion of the reaction, the reaction mixture was slowly cooled to room temperature and poured into purified water to solidify it. The filtered solid was washed with purified water and methanol to obtain 79.0 g (70%) of intermediate compound [10-1] in the form of a yellow solid.

2) 중간체 화합물 [10-2], [10-3]의 제조2) Preparation of intermediate compounds [10-2], [10-3]

중간체 화합물 [10-1] 75.0 g (0.197 mol)을 질소 분위기에서 트리페닐포스핀 129 g (0.492 mol), 1,2-디클로로벤젠 1 L에 녹이고 180℃에서 8시간동안 교반시켰다. 반응종결 후 실온까지 냉각한 다음 증류수와 에틸아세테이트를 가하고 층분리하여 유기층을 모았다. 유기층을 무수 황산 마그네슘으로 건조 후 여과하였다. 여과액을 감압 증류하여 얻은 액체를 컬럼 크로마토그래피를 통하여 미색 고체 상태의 중간체 화합물 [10-2] 30 g (43%), 중간체 화합물 [10-3] 20 g (29%)을 각각 제조하였다. 75.0 g (0.197 mol) of the intermediate compound [10-1] was dissolved in 129 g (0.492 mol) of triphenylphosphine and 1 L of 1,2-dichlorobenzene in a nitrogen atmosphere, and the mixture was stirred at 180 ° C for 8 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, distilled water and ethyl acetate were added, and the organic layer was collected by layer separation. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was distilled under reduced pressure to obtain 30 g (43%) of the intermediate compound [10-2] in the off-white solid state and 20 g (29%) of the intermediate compound [10-3] respectively by column chromatography.

3) 화합물 [10]의 제조3) Preparation of compound [10]

둥근 바닥 플라스크에 중간체 화합물 [10-2] 5.0 g (14.3 mmol)을 투입하고 질소 분위기하 상온에서 디메틸포름아미드 100 mL를 넣고 교반하였다. 반응 혼합물에 소디움하이드라이드 (55% in 미네랄오일) 936 mg (21.45 mmol)을 첨가시켰다. 30분 교반 후 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 4.2 g (15.73 mmol)을 천천히 첨가하였다. 상온을 유지하면서 3시간 교반한 후 반응액을 정제수 300 mL에 붓고 고체화시켰다. 고체를 여과하고 정제수로 세척하였다. 노란색 고체를 디클로로메탄으로 녹이고 메탄올을 가해 결정화하여 미색 고체의 목적 화합물 [10] 7.6 g (91%)을 제조하였다.5.0 g (14.3 mmol) of the intermediate compound [10-2] was added to a round bottom flask, and 100 mL of dimethylformamide was added thereto at room temperature under nitrogen atmosphere and stirred. To the reaction mixture was added 936 mg (21.45 mmol) of sodium hydride (55% in mineral oil). After stirring for 30 minutes, 4.2 g (15.73 mmol) of 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine was slowly added. After stirring at room temperature for 3 hours, the reaction solution was poured into 300 mL of purified water and solidified. The solid was filtered and washed with purified water. The yellow solid was dissolved in dichloromethane and crystallized by adding methanol to give 7.6 g (91%) of the title compound as an off-white solid [10].

대표합성예 2. 화합물 110의 합성예Representative Synthesis Example 2. Synthesis Example of Compound 110

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Figure 112013018955590-pat00038

1) 중간체 화합물 [110-1]의 제조1) Preparation of intermediate compound [110-1]

1L 반응 플라스크에 질소 분위기에서 2-브로모-5,5,10,10-테트라메틸-5,10-디히드로인데노[2,1-a]인덴 100 g(0.295mol), 2-아미노아세토페논 59.8 g (0.443 mol), 구리분말 (copper powder) 9.3 g (0.147 mol), 탄산칼륨 61.2 g (0.443 mol)에 디페닐에테르 300 mL를 넣고 180℃로 18시간 가열 교반하였다. 반응 종료 후 메탄올 500 mL를 가하여 교반하고 감압 여과하고, 다시 아세톤 200 mL와 증류수 600 mL를 가하여 교반한 뒤 감압 여과하였다. 고체를 실리카겔 크로마토그래피로 분리 정제하여 밝은 노란색 고체의 중간체 화합물 [110-1] 80 g (69%)을 제조하였다.A 1 L reaction flask was charged with 100 g (0.295 mol) of 2-bromo-5,5,10,10-tetramethyl-5,10-dihydroindeno [2,1- 300 mL of diphenyl ether was added to 59.8 g (0.443 mol) of phenone, 9.3 g (0.147 mol) of copper powder and 61.2 g (0.443 mol) of potassium carbonate, and the mixture was heated and stirred at 180 ° C for 18 hours. After completion of the reaction, 500 mL of methanol was added, stirred, and filtered under reduced pressure. Then, 200 mL of acetone and 600 mL of distilled water were added thereto, followed by stirring and filtration under reduced pressure. The solid was separated and purified by silica gel chromatography to obtain 80 g (69%) of intermediate compound [110-1] as a light yellow solid.

2) 중간체 화합물 [110-2]의 제조2) Preparation of intermediate compound [110-2]

1L 반응 플라스크에 질소 분위기에서 중간체 화합물 [10-1] 80.0 g (0.203 mol)을 테트라히드로퓨란 400 mL에 녹이고, 실온에서 메틸마그네슘클로라이드 (3.0 M in THF) 101 mL (0.305 mol)를 천천히 적가하였다. 15시간 동안 교반시킨 후 포화 암모늄 수용액 500 mL를 가해 반응을 종료시키고, 에틸아세테이트로 추출하여 무수 황산 마그네슘으로 건조하여 여과하고, 여과액은 감압 농축한 뒤, 실리카겔 크로마토그래프로 분리 정제하여 밝은 노란색 중간체 화합물 [10-2] 65 g (78%)을 제조하였다.80.0 g (0.203 mol) of Intermediate Compound [10-1] was dissolved in 400 mL of tetrahydrofuran in a 1 L reaction flask under a nitrogen atmosphere, and 101 mL (0.305 mol) of methylmagnesium chloride (3.0 M in THF) was slowly added dropwise at room temperature . After stirring for 15 hours, the reaction was terminated by adding 500 mL of a saturated aqueous ammonium solution, followed by extraction with ethyl acetate, drying over anhydrous magnesium sulfate, and filtration. The filtrate was concentrated under reduced pressure and then purified by silica gel chromatography to obtain a light yellow intermediate 65 g (78%) of the compound [10-2] was prepared.

3) 중간체 화합물 [110-3], [110-4]의 제조3) Preparation of intermediate compounds [110-3], [110-4]

1L 반응 플라스크에 질소 분위기에서 중간체 화합물 [110-2] 65.0 g (0.159 mol)을 디클로로메탄 500 mL에 녹이고 메탄술폰산 25.7 mL (0.397 mol)을 적가하였다. 상온에서 15시간 교반 후 디클로로메탄으로 추출하고 무수 황산 마그네슘으로 건조하여 여과하고, 여과액은 감압 농축한 뒤, 실리카겔 크로마토그래프로 분리 정제하여 밝은 흰색 고체의 중간체 화합물 [110-3] 35 g (56%), 중간체 화합물 [110-4] 15 g (24%)을 제조하였다.In a 1 L reaction flask, 65.0 g (0.159 mol) of the intermediate compound [110-2] was dissolved in 500 mL of dichloromethane in a nitrogen atmosphere, and 25.7 mL (0.397 mol) of methanesulfonic acid was added dropwise. After stirring at room temperature for 15 hours, the mixture was extracted with dichloromethane, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and then purified by silica gel chromatography to obtain 35 g of an intermediate compound [110-3] %) And 15 g (24%) of the intermediate compound [110-4].

4) 화합물 [110]의 제조 4) Preparation of compound [110]

100 mL 반응 플라스크에 중간체 화합물 [110-3] 5.0 g (12.77 mmol), 2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 5.95 g (15.32 mmol), 소듐 터트부톡사이드 1.84 g (19.16 mmol), 팔라듐아세테이드 57 mg (0.255 mmol), 50% 트리터트부틸포스핀 0.25 mL (0.511 mmol)에 톨루엔 50 mL를 넣고 5시간 환류 교반하였다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출하여 무수 황산 마그네슘으로 건조하여 여과하고, 여과액은 감압 농축한 뒤, 실리카겔 크로마토그래프로 분리 정제하여 흰색 고체의 목적 화합물 [110] 6.5 g (73%)을 제조하였다.To a 100 mL reaction flask were added 5.0 g (12.77 mmol) of intermediate compound [110-3] and 5.95 g (15.32 mmol) of 2- (3-bromophenyl) 50 mL of toluene was added to 1.84 g (19.16 mmol) of sodium tert-butoxide, 57 mg (0.255 mmol) of palladium acetate and 0.25 mL (0.511 mmol) of 50% trityta butylphosphine and the mixture was refluxed with stirring for 5 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was extracted with dichloromethane, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and then purified by silica gel chromatography to obtain 6.5 g (73%) of the target compound [110] as a white solid.

상기한 대표합성예 1 내지 2의 방법에 따라 화합물 1 내지 198의 화합물을 합성하였으며, 합성된 각 화합물의 구조 확인을 위한 핵자기공명 스펙트럼(NMR)과 질량분석(MS)한 결과를 하기 [제2표군(群)]에 나타내었다.Compounds 1 to 198 were synthesized according to the methods of Representative Synthesis Examples 1 to 2, and the results of nuclear magnetic resonance spectroscopy (NMR) and mass spectrometry (MS) 2 group (group)].

[제2표군(群)][Second group (group)]

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비교예 1. 비교샘플 1 제작Comparative Example 1. Preparation of Comparative Sample 1

하기 화학식 a로 표시되는 화합물을 인광 녹색 호스트로 사용하고, 하기 화학식 c로 표시되는 화합물을 인광 녹색 도펀트로 사용하고, 4,4',4"-트리스(N-나프탈렌-2-일)-N-페닐아미노)-트리페닐아민 (이하, '2-TNATA'라 약함)을 정공주입층 물질로 사용하고, N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐벤지딘 (이하, 'α-NPD'라 약함)을 정공수송층 물질로 사용하여, 다음과 같은 구조를 갖는 유기발광소자를 제작하였다: ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/화합물a+화합물c(30nm)/Alq(30 nm)/LiF(0.5nm)/ Al(60nm).Wherein the compound represented by the following formula (a) is used as a phosphorescent green host and the compound represented by the following formula (c) is used as a phosphorescent green dopant and 4,4 ', 4 "-tris (N-naphthalen- (Phenylamino) -triphenylamine (hereinafter abbreviated as '2-TNATA') was used as a hole injection layer material and N, N'-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine ITO / 2-TNATA (80 nm) /? -NPD (30 nm) / Compound a + NPD (hereinafter abbreviated as? -NPD) was used as a hole transport layer material. Compound c (30 nm) / Alq (30 nm) / LiF (0.5 nm) / Al (60 nm).

애노드는 코닝(Corning)사의 15 Ω/cm2(1000Å) ITO 유리 기판을 50 mm x 50 mm x 0.7 mm크기로 잘라서 아세톤, 이소프로필알콜과 순수한 물 속에서 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다. 상기 기판 상부에 2-TNATA를 진공 증착하여 80 nm 두께의 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 상부에, α-NPD를 진공 증착하여 30 nm 두께의 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 화학식 a로 표시되는 화합물 및 화학식 c로 표시되는 화합물(도핑률: 10%)를 진공 증착하여 30 nm 두께의 발광층을 형성하였다. 이후, 상기 발광층 상부에 Alq3화합물을 30 nm의 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF 0.5 nm(전자주입층)과 Al 60 nm(캐소드)를 순차적으로 진공증착하여, 하기 [제3표군(群)]에 표시된 바와 같은 유기발광소자를 제조하였다. 이를 비교샘플 1이라고 한다.An anode was prepared by cutting Corning's 15 Ω / cm 2 (1000 Å) ITO glass substrate to a size of 50 mm × 50 mm × 0.7 mm, ultrasonically cleaning it in acetone, isopropyl alcohol and pure water for 15 minutes each, Min for UV ozone cleaning. 2-TNATA was vacuum deposited on the substrate to form a hole injection layer having a thickness of 80 nm. On top of the hole injection layer, α-NPD was vacuum deposited to form a hole transport layer having a thickness of 30 nm. A compound represented by Formula (a) and a compound represented by Formula (c) (doping ratio: 10%) were vacuum deposited on the hole transport layer to form a light emitting layer with a thickness of 30 nm. Then, an Alq 3 compound was vacuum deposited on the light emitting layer to a thickness of 30 nm to form an electron transporting layer. LiF 0.5 nm (electron injecting layer) and Al 60 nm (cathode) were sequentially vacuum-deposited on the electron transporting layer to form an organic light emitting device as shown in the third table group (3). This is referred to as Comparative Sample 1.

비교예 2. 비교샘플 2 제작Comparative Example 2. Production of Comparative Sample 2

하기 화학식 b로 표시되는 화합물을 인광 녹색 호스트로 사용하고, 하기 화학식 c로 표시되는 화합물을 인광 녹색 도펀트로 사용하고, 2-TNATA을 정공주입층 물질로 사용하고, α-NPD을 정공수송층 물질로 사용하여, 다음과 같은 구조를 갖는 유기발광소자를 제작하였다: ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/화합물b+화합물c(30nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(60nm).A compound represented by the following formula (b) is used as a phosphorescent green host, a compound represented by the following formula (c) is used as a phosphorescent green dopant, 2-TNATA is used as a hole injecting layer material and? -NPD is used as a hole transporting layer material (30 nm) / Alq 3 (30 nm) / LiF (0.5 nm) was used as an organic light emitting device having the following structure: ITO / 2-TNATA (80 nm) /? -NPD ) / Al (60 nm).

애노드는 코닝(Corning)사의 15 Ω/cm2(1000Å) ITO 유리 기판을 50 mm x 50 mm x 0.7 mm크기로 잘라서 아세톤, 이소프로필알콜과 순수한 물 속에서 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다. 상기 기판 상부에 2-TNATA를 진공 증착하여 80 nm 두께의 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 상부에, α-NPD를 진공 증착하여 30 nm 두께의 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 화학식 a로 표시되는 화합물 및 화학식 c로 표시되는 화합물(도핑율: 10%)를 진공 증착하여 30 nm 두께의 발광층을 형성하였다. 이후, 상기 발광층 상부에 Alq3화합물을 30 nm의 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF 0.5 nm(전자주입층)과 Al 60 nm(캐소드)를 순차적으로 진공증착하여, 하기 [제3표군(群)]에 표시된 바와 같은 유기발광소자를 제조하였다. 이를 비교샘플 2이라고 한다.An anode was prepared by cutting Corning's 15 Ω / cm 2 (1000 Å) ITO glass substrate to a size of 50 mm × 50 mm × 0.7 mm, ultrasonically cleaning it in acetone, isopropyl alcohol and pure water for 15 minutes each, Min for UV ozone cleaning. 2-TNATA was vacuum deposited on the substrate to form a hole injection layer having a thickness of 80 nm. On top of the hole injection layer, α-NPD was vacuum deposited to form a hole transport layer having a thickness of 30 nm. A compound represented by Formula (a) and a compound represented by Formula (c) (doping ratio: 10%) were vacuum deposited on the hole transport layer to form a light emitting layer with a thickness of 30 nm. Then, an Alq 3 compound was vacuum deposited on the light emitting layer to a thickness of 30 nm to form an electron transporting layer. LiF 0.5 nm (electron injecting layer) and Al 60 nm (cathode) were sequentially vacuum-deposited on the electron transporting layer to form an organic light emitting device as shown in the third table group (3). This is referred to as Comparative Sample 2.

Figure 112013018955590-pat00054
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실시예 1 내지 57. 샘플 제작 Examples 1 to 57. Sample preparation

상기 비교예 1에서, 발광층 인광 호스트 화합물 a 대신 상기 표 1에 개시된 화학식 1 내지 198로 표시되는 화합물들 중에서 선택된 화합물을 각각 인광 녹색 호스트 화합물로 이용하였다. 그리고 상기 비교예 1과 동일한 방법으로 ITO/2-TNATA(80 nm)/α-NPD(30 nm)/[인광 녹색 호스트 화합물 1 내지 198 중 하나+화합물 c(10%)](30 nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(60nm)의 구조를 갖는 유기발광소자를 제작하였다. 그리고 이를 각각 샘플 1 내지 57 이라고 한다.In Comparative Example 1, instead of the phosphorescent host compound a, the compounds selected from the compounds represented by Chemical Formulas (1) to (198) shown in Table 1 were used as phosphorescent green host compounds. (30 nm) / [phosphorescent green host compound 1 to 198 + compound c (10%)] (30 nm) /? -NPD An organic light emitting device having a structure of Alq 3 (30 nm) / LiF (0.5 nm) / Al (60 nm) was fabricated. These are referred to as Samples 1 to 57, respectively.

[실험예] 특성평가[Experimental Example] Characteristic evaluation

실험예 1: 발광 특성 평가Experimental Example 1: Evaluation of luminescence characteristics

상기 비교예 및 실시예에서 제작된 비교샘플 1, 2 및 샘플 1 내지 57에 대하여, Keithley sourcemeter "2400", KONIKA MINOLTA "CS-2000"을 이용하여 발광휘도, 발광효율, 발광피크를 각각 평가하였으며, 그 결과를 하기 [제3표군(群)]에 나타내었다. 상기 샘플들은 511∼517 nm 범위에서 녹색 발광 피크값을 보여주었다.The luminescence brightness, luminescence efficiency and luminescence peak were evaluated using Keithley source meter "2400" and KONIKA MINOLTA "CS-2000" for Comparative Samples 1 and 2 and Samples 1 to 57 prepared in the above Comparative Examples and Examples, respectively , And the results are shown in the following [third group (group)]. The samples showed green emission peak values in the 511-517 nm range.

[제3표군(群)][Group 3]

Figure 112013018955590-pat00055
Figure 112013018955590-pat00056
Figure 112013018955590-pat00057

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상기 [제3표군(群)]으로부터 확인되는 바와 같이 샘플 1 내지 57은 비교샘플 1, 2에 비하여 향상된 발광 특성을 나타내었다.Samples 1 to 57 exhibited improved luminescence characteristics as compared to Comparative Samples 1 and 2, as confirmed from the above [third group (group)].

Claims (10)

하기 화합물 1 내지 135로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 화합물:
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Figure 112015038737682-pat00084
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An organic electroluminescent compound characterized in that it is selected from the group consisting of the following compounds 1 to 135:
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 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1전극; 제 2전극; 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기 발광 소자에 있어서,
상기 유기막이 상기 청구항 제 1 항의 유기 발광 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자. A first electrode; A second electrode; And at least one organic layer between the first electrode and the second electrode,
Wherein the organic layer comprises the organic light-emitting compound of claim 1. 제 6 항에 있어서,
상기 유기막이 공지의 호스트 재료, 공지의 도펀트 재료 또는 이들의 혼합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자. The method according to claim 6,
Wherein the organic film further comprises a known host material, a known dopant material, or a mixture thereof. 제 6 항에 있어서,
상기 유기막이 아릴아민계 화합물 또는 스티릴아릴아민계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자. The method according to claim 6,
Wherein the organic layer further comprises at least one compound selected from the group consisting of an arylamine-based compound and a styrylarylamine-based compound. 제 6 항에 있어서,
상기 유기막이 1족, 2족, 4주기, 5주기 전이금속, 란탄계열금속 및 d-전이원소의 유기금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 또는 착체화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자. The method according to claim 6,
Wherein the organic film further comprises at least one metal or complex compound selected from the group consisting of Group 1, Group 2, 4 period, 5 period transition metal, lanthanide metal and d-transition metal organic metal device. 제 6 항에 있어서,
상기 유기막이 청색, 적색 또는 녹색 발광을 하는 통상의 유기발광층 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.The method according to claim 6,
Wherein the organic layer further comprises one or more conventional organic light emitting layers emitting blue, red or green light.
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