KR101790552B1 - Organic light compound and organic light device using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 광소자 및 이에 사용되는 유기 광화합물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 우수한 발광효율, 발광 휘도, 색순도 및 발광 수명을 구현할 수 있는 유기 발광 소자와 이에 사용되는 유기 발광 화합물 또는 태양광 발전용 광소자 및 이에 사용되는 광화합물에 관한 것으로, 특히 옥산텐(oxanthene)계 유도체 및 이를 이용한 유기 광소자를 개발하여 전자수송층(ETM), 발광층(EML), 정공수송층(HTM) 등, 제1전극과 상기 제2전극 사이의 각종 유기막과 같이 다각적으로 쓰일 수 있는 물질을 제공하며, 무엇보다도 인광 Host 물질로 우수한 전하수송 특성을 가지며 Dopant의 흡수 Spectrum과의 Overlap이 잘되는 유도체를 통하여 향상된 발광 효율과 저전압 구동 그리고 우수한 색발현률을 이끌어 낼 수 있다.More particularly, the present invention relates to an organic light emitting device capable of realizing excellent light emitting efficiency, light emission luminance, color purity, (ETM), a light emitting layer (EML), a hole transporting layer (HTM), and the like, which are used for an organic light emitting diode (OLED) And various organic layers between the first electrode and the second electrode. Among other things, the phosphorescent host material has an excellent charge transporting property and is superior in terms of luminous efficiency and luminous efficiency through a derivative having a good overlap with the absorption spectrum of the dopant. Low voltage driving and excellent color rendering.

Description

유기발광 화합물 및 이를 이용한 유기 광소자{ORGANIC LIGHT COMPOUND AND ORGANIC LIGHT DEVICE USING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED)

본 발명은 유기발광 화합물 및 이를 이용한 유기 광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 인광 Host 물질로 우수한 전하수송 특성을 가지며 Dopant의 흡수 Spectrum과의 Overlap이 잘되는 옥산텐(oxanthene)계 유도체 및 이를 이용한 유기 발광 소자 또는 태양광 발전용 광소자에 관한 것이다.The present invention relates to an organic luminescent compound and an organic photonic device using the same. More particularly, the present invention relates to an oxanthene derivative having good charge transport properties as a phosphorescent host material and having a good overlap with the absorption spectrum of dopant, A light emitting element or an optical element for solar power generation.

1987년 Kodak사의 Tang등이 발광층과 전하수송층으로 각각 Alq3 와 TPD라는 이중층 저분자 유기물 박막을 형성하여 효율과 안정성이 개선된 녹색의 발광현상을 발견한 이후로 저분자 OLED 디스플레이의 개발이 급속도로 빠르게 이루어졌다. 1980년대 후반 저분자 OLED 소자의 구조는 양극(ITO), 정공수송층 (Hole Transfer Layer, HTL) 발광층 (Emission Layer, EML), 음극(Mg:Ag)의 간단한 구조에서 출발하였다. 이후 형광소자의 경우는 CuPc같은 정공주입층(Hole Injedtion Layer, HIL)이 도입되었고, Cathode와 전자주입층 재료로 Al:Li이 개발되고 LiF 같은 재료가 개발되면서 구조가 복잡해지게 되었다. 이에 따라서 전기광학적인 특성도 효율과 구동전압이 혁신적으로 개선이 이루어지게 되었다.
In 1987, Tang et al. Of Kodak developed a low-molecular-weight OLED display rapidly after discovering a green luminescence phenomenon with improved efficiency and stability by forming a bilayer low-molecular organic thin film of Alq 3 and TPD as a light emitting layer and a charge transport layer, respectively lost. In the late 1980s, the structure of a low-molecular OLED device started from a simple structure of an anode (ITO), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), and a cathode (Mg: Ag). In the case of fluorescent devices, Hole Injection Layer (HIL) such as CuPc was introduced, Al: Li was developed as cathode and electron injection layer material, and materials such as LiF were developed and the structure became complicated. As a result, the efficiency and the driving voltage of the electro-optical characteristic have been improved.

인광구조는 일반적으로 양극(Anode), 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층(Electron Transfer Layer, ETL), 전자 주입층(Electro Iniection Layer, EIL), 그리고 음극(Cathode)으로 구성되어 있으며 추가로 정공저지층(Hole Blocking Layer, HBL) 층이 도입이 되었으나 반드시 꼭 필요한 층은 아닌 것으로 알려져 있다.
The phosphorescent structure is generally composed of an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transfer layer (ETL), an electron injection layer (EIL), and a cathode Hole blocking layer (HBL) layer has been introduced as a layer but it is not necessarily a necessary layer.

발광층 물질은 크게 형광소자용 발광재료와 인광소자용 발광재료로 구분되며 다시 발광색에 따라 구분이 된다. 또 발광층 재료는 Host용 물질과 Dopant용 물질로 나누어진다. Host 또는 Dopant 물질만으로도 빛을 낼 수 있으나 자체 Quenching 현상으로 효율 및 휘도가 매우 낮아지고, 각각 분자들끼리 Self-aggregation 현상 때문에 각 분자의 고유한 특성이 아닌 Excimer 특성이 함께 나타나기 때문에 발광효율 및 소자안정성을 높이기 위해서는 Host에 Dopant를 도핑하여 발광층을 만든다.
The light emitting layer material is largely divided into a light emitting material for a fluorescent element and a light emitting material for a phosphorescent element, and is classified again according to a luminescent color. The light emitting layer material is divided into a host material and a dopant material. Host or Dopant materials can emit light, but their efficiency and brightness are very low due to their own quenching phenomenon. Due to self-aggregation phenomenon between molecules, Dopant is doped into the host to form a light emitting layer.

인광 호스트 재료로는 정공이동성과 전자이동성이 있는 양극성물질인 CBP가 Red, Green 용으로 현재까지 널리 사용되었다. 하지만 최근에는 전자수송성이 있는 Balq 또는 그것과 비슷한 종류의 Al착제 물질들이 인광 Red Host로 유용하다고 알려져 있다. 그리고 Blue 인광 Host용 재료로서 CBP의 유도체, Artsi계 무질들이 특성이 우수하다고 알려져 있다.
CBP, which is a bipolar material with hole mobility and electron mobility, has been widely used for phosphorescent host materials for Red and Green. Recently, however, it has been known that Balq, an electron transporting material, or a similar kind of Al complex material is useful as a phosphorescent red host. It is also known that CBP derivative and Artsi family substances have excellent properties as a material for blue phosphorescent host.

Host 재료에 필요한 특성으로는 먼저 전하수송 특성이 우수해야 한다. 발광층에서도 정공이나 전자를 이동시켜야 하기 때문에 적절한 이동도가 꼭 필요하다. 또 Host 재료는 에너지를 Dopant에 전달해야 되기 때문에 Host의 발광 Spectrum이 Dopant의 흡수 Spectrum과 잘 Overlap이 되어야 에너지 Transfer가 잘 일어난다. 에너지 측면에서도 Host의 Band Gap이 당연히 Dopant의 Gap 보다는 넓어야 하며 Host의 LUMO Level이 Dopant LUMO보다 높아야 한다.
The characteristics required for the host material must first be excellent in charge transport properties. It is necessary to move the holes and electrons in the light emitting layer, so that the mobility is appropriately required. In addition, the host material must transfer the energy to the dopant, so that the emission spectrum of the host should be well overlapped with the absorption spectrum of the dopant so that the energy transfer occurs well. In terms of energy, the band gap of the host should be wider than the gap of the dopant, and the LUMO level of the host should be higher than the Dopant LUMO.

따라서, 유기 전계 발광 소자의 특성을 더욱 향상시키기 위하여, 유기 전계 발광 소자에서 전자 수송용 물질로 사용될 수 있는 보다 안정적이고 효율적인 재료에 대한 개발이 계속 요구된다.Therefore, in order to further improve the characteristics of the organic electroluminescent device, development of a more stable and efficient material that can be used as an electron transporting material in the organic electroluminescent device is continuously required.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 유기 광소자, 특히 유기 전계 발광소자에 적용할 수 있는 새로운 유기 광화합물을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a novel organic optical compound that can be applied to an organic photonic device, particularly an organic electroluminescent device.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 개발하여 인광 Host 물질로 우수한 전하수송 특성을 가지며 Dopant의 흡수 Spectrum과의 Overlap이 잘되는 옥산텐(oxanthene)계 유도체를 개발하여 향상된 발광 효율과 저전압 구동 그리고 우수한 색발현률을 구현한 물질을 제공하는 것이다.Another technical problem to be solved by the present invention is to develop an oxanthene derivative having a charge transport property as a phosphorescent host material and having a good overlap with the absorption spectrum of the dopant to improve the luminous efficiency and the low voltage driving, To provide a material.

본 발명에 따른 유기 광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자는 하기 화학식 F의 유기 광화합물을 기초로 한다:The organic photocompound according to the present invention and the organic photon using the same are based on the organic photocompound of the following formula:

<화학식 F><Formula F>

Figure 112013044829814-pat00001
Figure 112013044829814-pat00001

상기 화학식에서 상기 X는 O, S, Se 또는 Si이고,Wherein X is O, S, Se or Si,

상기 A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1, D2, E1 및 E2는 각각 독립적으로 A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1, D2, E1 and E2 are each independently

H, D, F, C1~C40의 알킬기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C5~C40의 케톤기, C5~C40의 아릴케톤기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되거나; 또는 인접하는 기와 축합(fused) 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리 또는 축합 헤테로방향족 고리를 형성하는 기이다(단, 상기 X가 O, S 또는 Se인 경우 A1 및 A2는 0(zero)이다).
A C5-C40 aryl group, a C5-C40 heteroaryl group, a C5-C40 aryloxy group, a C1-C40 alkyloxy group, a C5-C40 arylamino group, A C 5 to C 40 aryl ketone group, a C 3 to C 40 cycloalkyl group, and a C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, or a group selected from ; Or a fused aliphatic ring, a condensed aromatic ring, a condensed heteroaliphatic ring or a condensed heteroaromatic ring adjacent to the adjacent group (provided that when X is O, S or Se, A1 and A2 are 0, to be).

또 본 발명에 따른 유기 광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자는 하기 화학식 1 내지 82에 해당하는 유기 광화합물을 기초로 한다.The organic optical compound according to the present invention and the organic optical device using the organic optical compound are based on organic optical compounds corresponding to the following Chemical Formulas 1 to 82.

본 발명에 따른 유기 광소자는 높은 발광 효율, 높은 발광 휘도, 높은 색순도 및 현저히 향상된 발광 수명을 제공하며,The organic optical device according to the present invention provides high luminous efficiency, high luminance, high color purity and remarkably improved luminous lifetime,

아울러 본 발명은 이를 유기 발광 소자 및 유기 발광 화합물, 또는 태양광 발전을 위한 유기 광소자 및 광화합물을 제공한다.In addition, the present invention provides organic light emitting devices and organic light emitting compounds, or organic photoconductors and optical compounds for solar power generation.

이하 본 발명을 상세히 설명하도록 한다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 구현예(態樣, aspect)(또는 실시예)들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. While the present invention has been described in connection with certain embodiments, it is obvious that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 구현예(태양, 態樣, aspect)(또는 실시예)를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, ~포함하다~ 또는 ~이루어진다~ 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the term &quot; comprising &quot; or &quot; consisting of &quot;, or the like, refers to the presence of a feature, a number, a step, an operation, an element, a component, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

본 발명은 특히 옥산텐(oxanthene)계 유도체를 개발하여 전자수송층(ETM), 발광층(EML), 정공수송층(HTM) 등, 제1전극과 상기 제2전극 사이의 각종 유기막과 같이 다각적으로 쓰일 수 있는 물질, 특히 인광 Host 물질로 우수한 전하수송 특성을 가지며 Dopant의 흡수 Spectrum과의 Overlap이 잘되는 물질을 제시하고, 효율 증가와 구동 전압의 감소와 같은 성능의 개선 및 OLED 재료로서의 능력을 극대화시킨 물질을 개발하고자 한다.The present invention has been developed especially for oxanthene derivatives and has been widely used for a variety of organic films such as an electron transport layer (ETM), a light emitting layer (EML), a hole transport layer (HTM) Possible materials, especially phosphorescent host materials, have excellent charge transport properties and exhibit a good overlap with the absorption spectra of dopants. They also improve the performance such as increasing the efficiency and reducing the driving voltage and maximizing the ability as OLED materials. .

본 명세서에서 유기 광화합물은 유기 광소자에 사용되는 화합물이라는 의미로서 반드시 발광이 가능한 화합물로 그 범위가 한정되지 않으며, 그 적용 범위도 유기 발광층에 한정되지 않고, 전하 주입층 및 전하 수송층 등 유기 광소자를 구성하는 어느 층에나 모두 사용될 수 있다.In the present specification, the term "organic photocompound" means a compound used in an organic photonic device. The scope of the present invention is not limited to the organic luminescent layer. The scope of the present invention is not limited to the organic luminescent layer. Can be used for any layer constituting the substrate.

또 본 명세서에서 '광화합물' 및 '광소자'라는 용어는 사전적인 또는 관습적인 정의와 무관하게 본 발명이 유기 발광 소자 및 태양광 발전을 위한 소자에 모두 적용되는 경우를 고려하여, 이를 포괄하고자 선정한 용어이다.In this specification, the terms 'optical compound' and 'optical device' are used to cover the case where the present invention is applied to both an organic light emitting device and a device for solar power generation regardless of a dictionary or conventional definition It is a selected term.

본 발명의 제 1태양에 따르는 유기 광소자는, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기 광소자로서, 상기 유기막이 하기 화학식 F의 유기 광화합물을 포함한다.
An organic photonic device according to a first aspect of the present invention includes: a first electrode; A second electrode; And at least one organic film between the first electrode and the second electrode, wherein the organic film comprises an organic photo-compound represented by the following formula (F).

<화학식 F><Formula F>

Figure 112013044829814-pat00002

Figure 112013044829814-pat00002

상기 화학식의 유도체에서 상기 X는 O, S, Se 또는 Si이고,In the derivatives of the above formula, X is O, S, Se or Si,

상기 A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1, D2, E1 및 E2는 각각 독립적으로 A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1, D2, E1 and E2 are each independently

H, D, F, C1~C40의 알킬기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C5~C40의 케톤기, C5~C40의 아릴케톤기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되거나; 또는 인접하는 기와 축합(fused) 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리 또는 축합 헤테로방향족 고리를 형성하는 기이다(단, 상기 X가 O, S 또는 Se인 경우 A1 및 A2는 0(zero)이다).
A C5-C40 aryl group, a C5-C40 heteroaryl group, a C5-C40 aryloxy group, a C1-C40 alkyloxy group, a C5-C40 arylamino group, A C 5 to C 40 aryl ketone group, a C 3 to C 40 cycloalkyl group, and a C 3 to C 40 heterocycloalkyl group, or a group selected from ; Or a fused aliphatic ring, a condensed aromatic ring, a condensed heteroaliphatic ring or a condensed heteroaromatic ring adjacent to the adjacent group (provided that when X is O, S or Se, A1 and A2 are 0, to be).

본 발명의 발명자는 상기 화학식 F의 유기 광화합물의 치환기에서 상기 A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1, D2, E1 및 E2와 X를 선택 특정한,The inventors of the present invention have found that the substituent of the organic photocompound of the above formula (F) is selected from the group consisting of A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1, D2, E1,

다양한 유도체를 개발하여 전자수송층(ETM), 발광층(EML), 정공수송층(HTM) 등, 제1전극과 상기 제2전극 사이의 각종 유기막으로 사용될 수 있는 유기 광화합물 및Various derivatives have been developed to form organic light compounds that can be used as various organic films between the first electrode and the second electrode such as an electron transport layer (ETM), a light emitting layer (EML), a hole transport layer (HTM)

이를 이용한 유기 광소자를 개발하고,We have developed an organic photonic device using it,

유기발광소자로 활용될 경우 효율 증가와 구동 전압의 감소와 같은 성능의 개선 및 OLED 재료로서의 능력을 극대화시킬 수 있고, 특히 발광 수명이 현저히 향상됨을 발견하였으며,It has been found that when the organic electroluminescent device is used as an organic light emitting device, it is possible to improve the performance such as the efficiency increase and the driving voltage decrease, maximize the ability as the OLED material,

이를 태양광 발전을 위한 광소자 및 광화합물 분야에 응용 적용할 경우 우수한 발전 효율을 얻을 수 있을 것으로 기대된다.It is expected that excellent application efficiency will be obtained when applied to optical devices and optical compound fields for solar power generation.

이하에서는 화학식 F의 유기 광화합물을 유기 발광 소자와 관련하여 설명할 것이나, 이에 의하여 본 발명이 제한 해석 되어서는 안 된다.
Hereinafter, the organic photochemical compound of formula (F) will be described in relation to an organic light emitting device, but the present invention should not be construed as limiting.

상기 화학식 F의 유기 광화합물은 유기 광소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 유기막을 이루는 물질로 적합하다. 상기 화학식 F의 유기 광화합물은 유기 발광 소자의 유기막, 특히 정공수송층, 정공주입층 또는 발광층에 사용되기 적합하며 호스트 재료뿐만 아니라 도판트 재료로서도 사용된다. 상기 화학식 F의 유기 광화합물은 청색 내지 녹색인 색상을 제공하며 백색 발광 소자에 사용하기에 적합하다.
The organic photo-compound of Formula F is suitable as a material for forming an organic film interposed between the first electrode and the second electrode of the organic optical device. The organic photocompound of Formula F is suitable for use in an organic layer of an organic light emitting device, particularly, a hole transport layer, a hole injection layer, or a light emitting layer, and is used not only as a host material but also as a dopant material. The organic photo compound of Formula F provides a color that is blue to green and is suitable for use in a white light emitting device.

상기 A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1, D2, E1 및 E2 중 하나 이상은 C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C5~C40의 아릴케톤기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되거나; 또는 인접하는 기와 축합(fused) 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리 또는 축합 헤테로방향족 고리를 형성하는 기이고,At least one of A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1, D2, E1 and E2 is selected from the group consisting of C5 to C40 aryl, C5 to C40 heteroaryl, C5 to C40 arylamino, A diarylamino group, an arylalkyl group of C6 to C40, an arylketone group of C5 to C40, a cycloalkyl group of C3 to C40, and a heterocycloalkyl group of C3 to C40; Or a group forming an adjacent group and a fused aliphatic ring, a condensed aromatic ring, a condensed heteroaliphatic ring or a condensed heteroaromatic ring,

상기 A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1, D2, E1 및 E2의 상기 C1~C40의 알킬기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C5~C40의 케톤기, C5~C40의 아릴케톤기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기는The C1 to C40 alkyl group, the C5 to C40 aryl group, the C5 to C40 heteroaryl group, the C5 to C40 aryloxy group, the C5 to C40 heteroaryl group, , A C 1 to C 40 alkyloxy group, a C 5 to C 40 arylamino group, a C 5 to C 40 diarylamino group, a C 6 to C 40 arylalkyl group, a C 5 to C 40 ketone group, a C 5 to C 40 aryl ketone group, The cycloalkyl group and the C3-C40 heterocycloalkyl group

각각 독립적으로 D, F, 할로겐, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C1~C40의 아미노기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상으로 치환되거나 비치환된 것이 바람직하다.
A substituted or unsubstituted C1 to C40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C40 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C40 amino group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 cycloalkyl group, C40 heterocycloalkyl group, C6-C40 aryl group, and C5-C40 heteroaryl group.

상기 A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1, D2, E1 및 E2의 상기 C1~C40의 알킬기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C5~C40의 케톤기, C5~C40의 아릴케톤기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기는The C1 to C40 alkyl group, the C5 to C40 aryl group, the C5 to C40 heteroaryl group, the C5 to C40 aryloxy group, the C5 to C40 heteroaryl group, , A C 1 to C 40 alkyloxy group, a C 5 to C 40 arylamino group, a C 5 to C 40 diarylamino group, a C 6 to C 40 arylalkyl group, a C 5 to C 40 ketone group, a C 5 to C 40 aryl ketone group, The cycloalkyl group and the C3-C40 heterocycloalkyl group

각각 독립적으로 D, F, 할로겐, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C1~C40의 아미노기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상으로 치환되거나 비치환되는 것이 바람직하고,
A substituted or unsubstituted C1 to C40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C40 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C40 amino group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 cycloalkyl group, C40 heterocycloalkyl group, C6-C40 aryl group, and C5-C40 heteroaryl group, and more preferably,

또 상기 A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1, D2, E1 및 E2의 상기 C1~C40의 알킬기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C5~C40의 케톤기, C5~C40의 아릴케톤기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기에 도입되는 치환기 중에서 The above C1 to C40 alkyl group, C5 to C40 aryl group, C5 to C40 heteroaryl group, C5 to C40 aryloxyl groups of A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1, D2, C40 alkyloxy group, C5-C40 arylamino group, C5-C40 diarylamino group, C6-C40 arylalkyl group, C5-C40 ketone group, C5-C40 aryl ketone group, C3-C40 And a substituent group introduced into the C3 to C40 heterocycloalkyl group

C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C1~C40의 아미노기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기는A substituted or unsubstituted C1 to C40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C40 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C40 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C40 amino group, a C3 to C40 cycloalkyl group, a C3 to C40 heterocycloalkyl group, The heteroaryl group of C &lt;

각각 독립적으로 D, F, 할로겐, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C1~C40의 아미노기, C3~C40의 시클로알킬기, C3~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 제2치환기로 추가적으로 치환되거나; 또는 인접하는 기와 축합 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리 또는 축합 헤테로방향족 고리를 형성하거나 스피로 결합을 하는 것이 바람직하다.
A substituted or unsubstituted C1 to C40 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C40 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C40 amino group, a substituted or unsubstituted C3 to C40 cycloalkyl group, At least one second substituent selected from the group consisting of a heterocycloalkyl group of C40, an aryl group of C6 to C40, and a heteroaryl group of C5 to C40; Or to form adjacent condensed aliphatic rings, condensed aromatic rings, condensed heteroaliphatic rings or condensed heteroaromatic rings or spiro bonds.

나아가 상기 A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1, D2, E1 및 E2의 상기 C1~C40의 알킬기, C5~C40의 아릴기, C5~C40의 헤테로아릴기, C5~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C5~C40의 아릴아미노기, C5~C40의 디아릴아미노기, C6~C40의 아릴알킬기, C5~C40의 케톤기, C5~C40의 아릴케톤기, C3~C40의 시클로알킬기 및 C3~C40의 헤테로시클로알킬기에 도입되는 치환기는Further, the C1 to C40 alkyl group, the C5 to C40 aryl group, the C5 to C40 heteroaryl group, the C5 to C40 aryloxyl group, the C5 to C40 heteroaryl group, and the C5 to C40 heteroaryl groups of A1, A2, B1, B2, C1, C2, D1, D2, C40 alkyloxy group, C5-C40 arylamino group, C5-C40 diarylamino group, C6-C40 arylalkyl group, C5-C40 ketone group, C5-C40 aryl ketone group, C3-C40 And the substituent which is introduced into the C3-C40 heterocycloalkyl group is

D, F, 페닐기, 톨일기, 비페닐기, 펜타레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 비페닐레닐기, 안트라세닐기, 벤조안트라세닐기, 아즈레닐기, 헵타레닐기, 아세나프틸레닐기, 페나레닐기, 메틸안트릴기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피레닐기, 크리세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 클로로페릴레닐기, 펜타페닐기, 펜타세닐기, 테트라페닐레닐기, 헥사페닐기, 헥사세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 트리나프틸레닐기, 헵타페닐기, 헵타세닐기, 플루오레닐기, 피란트레닐기, 오바레닐기, 카르바졸릴기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 티오페닐기, 인돌일기, 푸리닐기, 벤즈이미다졸일기, 퀴놀리닐기, 벤조티오페닐기, 파라티아지닐기, 피롤일기, 피라졸릴기, 이미다졸릴기, 이미다졸리닐기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 트리아졸릴기, 테트라졸일기, 옥사디아졸릴기, 피리디닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 티안트레닐기(thianthrenyl), 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 옥시라닐기, 피롤리디닐기, 피라졸리디닐기, 이미다졸리디닐기, 피페리디닐기, 피페라지닐기, 모르폴리닐기, 디(C6-C50아릴)아미노기, 실레인기 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 것이 바람직하다.
A phenanthryl group, a phenanthryl group, an anthracenyl group, a benzoanthracenyl group, an azranyl group, an acenaphthylenyl group, a phenanthryl group, a phenanthryl group, a phenanthryl group, A phenanthryl group, a phenanthrenyl group, a phenanthrenyl group, a phenanthrenyl group, a pyrenyl group, a chrysenyl group, a picenyl group, a perylenyl group, a chloroperylenyl group, a pentaphenyl group, A phenyl group, a hexacenyl group, a rubicenyl group, a coronenyl group, a trinaphthylenyl group, a heptaphenyl group, a heptacenyl group, a fluorenyl group, a pyranthrenyl group, an obenyl group, a carbazolyl group, a dibenzofuranyl group, A thiophenyl group, a thiophenyl group, an indolyl group, a purinyl group, a benzimidazolyl group, a quinolizinyl group, a quinolinyl group, a benzothiophenyl group, a parathiazinyl group, a pyrrolyl group, a pyrazolyl group, an imidazolyl group, , Thiazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group, A pyridinyl group, a pyridazinyl group, a pyrimidinyl group, a pyrazinyl group, a thianthrenyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an oxiranyl group, a pyrrolidinyl group, a pyrazolidinyl group, (C6-C50 aryl) amino group, silyl group, and derivatives thereof are preferable.

상기 아릴기는 방향족 고리 시스템을 갖는 1가 그룹으로서, 2 이상의 고리시스템을 포함할 수 있으며, 상기 2이상의 고리 시스템은 서로 결합 또는 축합된 형태로 존재할 수 있다. 상기 헤테로아릴기는 상기 아릴기 중 하나 이상의 탄소가 N, O, S, P, Si 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 그룹을 가리킨다.The aryl group is a monovalent group having an aromatic ring system and may include two or more ring systems, and the two or more ring systems may exist in a bonded or condensed form to each other. The heteroaryl group refers to a group in which at least one carbon of the aryl group is substituted with at least one member selected from the group consisting of N, O, S, P, Si and Se.

한편, 사이클로알킬기는 고리 시스템을 갖는 알킬기를 가리키며, 상기 헤테로사이클로알킬기는 상기 사이클로알킬기 중 하나 이상의 탄소가 N, O, S, P, Si 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 그룹을 가리킨다.On the other hand, the cycloalkyl group refers to an alkyl group having a ring system, and the heterocycloalkyl group refers to a group in which at least one carbon in the cycloalkyl group is substituted with at least one member selected from the group consisting of N, O, S, P, Si and Se .

상기 아릴기 및 헤테로아릴기의 하나 이상의 수소가 치환될 경우, 이들의 치환기는 C1-C50알킬기; C1-C50알콕시기; 비치환 또는 C1-C50알킬기 또는 C1-C50알콕시기로 치환된 C6-C50아릴기; 비치환 또는 C1-C50알킬기 또는 C1-C50알콕시기로 치환된 C2-C50헤테로아릴기; 비치환 또는 C1-C50알킬기 또는 C1-C50알콕시기로 치환된 C5-C50사이클로알킬기및 비치환 또는 C1-C20알킬기 또는 C1-C20알콕시기로 치환된 C5-C50헤테로사이클로알킬기, 또는 실레인기로 표시되는 그룹으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
When at least one hydrogen of the aryl group and the heteroaryl group is substituted, the substituent is a C1-C50 alkyl group; A C1-C50 alkoxy group; A C6-C50 aryl group unsubstituted or substituted with a C1-C50 alkyl group or a C1-C50 alkoxy group; A C2-C50 heteroaryl group unsubstituted or substituted with a C1-C50 alkyl group or a C1-C50 alkoxy group; A C5-C50 cycloalkyl group which is unsubstituted or substituted by a C1-C50 alkyl group or a C1-C50 alkoxy group and a C5-C50 heterocycloalkyl group which is unsubstituted or substituted by a C1-C20 alkyl group or a C1-C20 alkoxy group, &Lt; / RTI &gt;

본 발명의 제 1태양에 따르는 유기 광소자는, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기 광소자이다.An organic photonic device according to a first aspect of the present invention includes: a first electrode; A second electrode; And at least one organic film between the first electrode and the second electrode.

본 발명의 유기 광소자에 사용되는 유기 광화합물은 하기 화학식 1 내지 82의 구조(이하 화학식들에서 '화학식'은 생략하고 숫자만 기재함)를 가질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다:
The organic photo-compound used in the organic photonic device of the present invention may have, but is not limited to, the structures of the following formulas (1) to (82)

Figure 112013044829814-pat00003

Figure 112013044829814-pat00003

Figure 112013044829814-pat00004

Figure 112013044829814-pat00004

Figure 112013044829814-pat00005

Figure 112013044829814-pat00005

Figure 112013044829814-pat00006

Figure 112013044829814-pat00006

Figure 112013044829814-pat00007

Figure 112013044829814-pat00007

상기 화학식 F의 화합물로 표시되는 본 발명에 따른 유기 광화합물은 통상의 합성 방법을 이용하여 합성될 수 있으며,상기 화합물의 보다 상세한 합성 경로는 하기 합성예의 반응식들을 참조한다. 상기 화학식 F의 화합물은 유기 광소자의 유기막, 특히 정공수송층, 정공주입층 또는 발광층에 사용되기 적합하다. 본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 구조는 매우 다양하다. 상기 제1전극과 제2전극 사이에 정공주입층, 정공수송층, 정공저지층, 전자저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함할 수 있다.The organic photo-compound according to the present invention represented by the above formula (F) can be synthesized by a conventional synthesis method, and a more detailed synthesis route of the compound will be described with reference to the reaction formulas of the following synthesis examples. The compound of Formula F is suitable for use in an organic film of an organic optical device, particularly a hole transporting layer, a hole injecting layer, or a light emitting layer. The structure of the organic light emitting device according to the present invention is very diverse. The organic EL device may further include at least one layer selected from the group consisting of a hole injecting layer, a hole transporting layer, a hole blocking layer, an electron blocking layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer between the first electrode and the second electrode.

보다 구체적으로, 본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 구현예는 More specifically, an embodiment of an organic light emitting device according to the present invention

먼저, 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/발광층/전자수송층/전자주입층/제2전극으로 이루어진 구조를 가질 수 있고, First, the organic light emitting device may have a structure including a first electrode / a hole injection layer / a light emitting layer / an electron transport layer / an electron injection layer / a second electrode,

또 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/제2전극으로 이루어진 구조를 가질 수 있으며,The organic light emitting device may have a structure including a first electrode / a hole injection layer / a hole transport layer / a light emitting layer / an electron transport layer / an electron injection layer / a second electrode,

나아가 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/전자주입층/제2전극의 구조를 가질 수 있다.Further, the organic light emitting device may have a structure of a first electrode / a hole injection layer / a hole transport layer / a light emitting layer / a hole blocking layer / an electron transport layer / an electron injection layer / a second electrode.

이때, 상기 정공수송층, 정공주입층 및 발광층 중 하나 이상은 본 발명을 따르는 화합물을 포함할 수 있다.At this time, one or more of the hole transporting layer, the hole injecting layer, and the light emitting layer may include a compound according to the present invention.

본 발명을 따르는 유기 광소자의 발광층은 적색, 녹색, 청색 또는 백색을 포함하는 인광 또는 형광 도펀트를 포함할 수 있다. 이 중, 상기 인광 도펀트는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb 및 Tm으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 유기금속화합물일 수 있다. 또한, 본 발명에 따르는 화합물은 발광층에서 형광 도펀트로도 사용될 수 있다.The light-emitting layer of the organic optical device according to the present invention may include a phosphorescent or fluorescent dopant including red, green, blue or white. The phosphorescent dopant may be an organometallic compound containing at least one element selected from the group consisting of Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb and Tm. In addition, the compound according to the present invention can also be used as a fluorescent dopant in the light emitting layer.

이하, 본 발명을 따르는 유기 광소자의 제조 방법을 유기 광소자를 참조하여, 살펴보기로 한다. 먼저 기판 상부에 높은 일함수를 갖는 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등에 의해 형성하여 제1전극을 형성한다. 상기 제1전극은 애노드(Anode)일 수 있다. 여기에서 기판으로는 통상적인 유기 광소자에서 사용되는 기판을 사용하는데 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 사용한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic optical device according to the present invention will be described with reference to an organic optical device. First, a first electrode material having a high work function is formed on a substrate by a vapor deposition method, a sputtering method, or the like to form a first electrode. The first electrode may be an anode. Here, the substrate used in a typical organic optical device is preferably a glass substrate or a transparent plastic substrate having excellent mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness. As the material for the first electrode, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO2), zinc oxide (ZnO) or the like is used which is transparent and excellent in conductivity.

다음으로, 상기 제1전극 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공주입층(HIL)을 형성할 수 있다.Next, a hole injection layer (HIL) may be formed on the first electrode by various methods such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, and an LB method.

진공증착법에 의하여 정공주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 증착온도 100 내지 500℃, 진공도 10-5 내지 10-3 torr, 증착속도 0.01 내지 100Å/sec, 막 두께는 통상 100Å 내지 1㎛ 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.When the hole injection layer is formed by the vacuum deposition method, the deposition conditions vary depending on the compound used as the material of the hole injection layer, the structure and the thermal characteristics of the desired hole injection layer, and the like. In general, A degree of vacuum of 10 &lt; -5 &gt; to 10 &lt; -3 &gt; torr, a deposition rate of 0.01 to 100 A / sec and a film thickness of 100 to 1 mu m.

스핀코팅법에 의하여 정공주입층을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000rpm 내지 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위 에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.When the hole injection layer is formed by the spin coating method, the coating conditions vary depending on the compound used as the material of the hole injection layer, the structure and the thermal properties of the desired hole injection layer, but the coating speed is preferably from about 2000 rpm to 5000 rpm , And the heat treatment temperature for removing the solvent after coating is suitably selected within a temperature range of about 80 캜 to 200 캜.

상기 정공주입층 물질은 전술한 바와 같은 화학식 a를 갖는 화합물일 수 있다. The hole injection layer material may be a compound having the formula a as described above.

또는, 예를 들어, 미국특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 Advanced Material, 6, p.677(1994)에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류인 TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB, 2-TNATA(4,4',4" -tris(N-(2-naphtyl)-N-phenylamino)triphenylamine:4,4 ,4 -트리스(N-(나프틸)-N-페닐아미노)트리페닐아민), 용해성이 있는 전도성 고분자인 Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산) 또는 PEDOT/PSS (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), PANI/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSSAlternatively, phthalocyanine compounds such as copper phthalocyanine disclosed in U.S. Patent No. 4,356,429 or starburst amine derivatives such as TCTA, m-MTDATA, and m-MTDATA described in Advanced Material, 6, p.677 (1994) MTDAPB, 2-TNATA (4,4 ', 4 "-tris (N- (2-naphthyl) -N-phenylamino) triphenylamine: 4,4,4- (Polyaniline / dodecylbenzenesulfonic acid) or PEDOT / PSS (poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / poly (4-styrenesulfonate)), which is a soluble conductive polymer, Styrene sulfonate), PANI / CSA (polyaniline / camphor sulfonic acid) or PANI / PSS (polyaniline / camphor sulfonic acid)

(Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등과 같은 공지된 정공주입 물질을 사용할 수 있다.
(Polyaniline) / poly (4-styrenesulfonate): polyaniline) / poly (4-styrenesulfonate)) and the like can be used.

상기 정공주입층의 두께는 약 100Å 내지 10000Å, 바람직하게는 100Å 내지 1000Å일 수 있다. 상기 정공주입층의 두께가 100Å 미만인 경우, 정공주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공주입층의 두께가 10000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The thickness of the hole injection layer may be about 100 Å to 10000 Å, preferably 100 Å to 1000 Å. If the thickness of the hole injection layer is less than 100 angstroms, the hole injection characteristics may be degraded. If the thickness of the hole injection layer exceeds 10000 angstroms, the driving voltage may increase.

다르게는, 상기 정공주입층은 진공기상증착법에 의해 형성할 수 있다. 구체적인 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적인 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 예를 들어 DNTPD(N,N-bis-[4-(di-m-tolylamino)phenyl]-N,N -diphenylbiphenyl-4,4 -diamine) 등이 사용될 수 있다.Alternatively, the hole injection layer may be formed by a vacuum vapor deposition method. The specific deposition conditions vary depending on the compound used, but are selected from substantially the same range of conditions as the formation of a general hole injection layer. For example, DNTPD (N, N-bis- [4- (di-m-tolylamino) phenyl] -N, N-diphenylbiphenyl-4,4-diamine) may be used.

다음으로 상기 정공주입층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공수송층(HTL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀팅법에 의하여 정공수송층을 형성하는 경우, 그 증착조건 및 코팅조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.Next, a hole transport layer (HTL) may be formed on the hole injection layer by various methods such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, and an LB method. In the case of forming the hole transporting layer by the vacuum deposition method and the sputtering method, the deposition conditions and the coating conditions vary depending on the compound used, but are generally selected from substantially the same range of conditions as the formation of the hole injection layer.

상기 정공수송층 물질은 전술한 바와 같은 화학식 a의 화합물을 포함할 수 있다. 또는, 예를 들어, N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등의 카르바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상적인 아민 유도체 등과 같은 공지된 정공수송 물질을 사용할 수 있다.상기 정공수송층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 600Å일 수 있다. 상기 정공수송층의 두께가 50Å 미만인 경우, 정공수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공수송층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The hole transport layer material may comprise a compound of formula (a) as described above. Or carbazole derivatives such as N-phenylcarbazole, polyvinylcarbazole and the like, N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'- diphenyl- [ Amine having an aromatic condensed ring such as N, N'-tetramethyldisiloxane, -4,4'-diamine (TPD) and N, N'-di (naphthalen- The hole transporting layer may have a thickness of about 50 Å to 1000 Å, preferably 100 Å to 600 Å. When the thickness of the hole transporting layer is less than 50 Å, the hole transporting property may be degraded. When the thickness of the hole transporting layer is more than 1000 Å, the driving voltage may increase.

다음으로 상기 정공수송층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층(EML)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.Next, a light emitting layer (EML) may be formed on the hole transporting layer by a method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, or an LB method. When a light emitting layer is formed by a vacuum deposition method and a spin coating method, the deposition conditions vary depending on the compound used, but generally, the conditions are substantially the same as those for forming the hole injection layer.

상기 발광층은 전술한 바와 같이 본 발명을 따르는 화학식 a의 화합물을 포함할 수 있다. 이 때, 화학식 a의 화합물은 적합한 공지의 호스트 재료와 함께 사용될 수 있거나, 공지의 도펀트 재료와 함께 사용될 수 있다.The luminescent layer may comprise a compound of formula (a) according to the invention as described above. At this time, the compound of the formula (a) can be used together with a suitable known host material or can be used together with a known dopant material.

상기 화학식 a의 화합물을 단독으로 사용하는 것도 가능하다. 호스트 재료의 경우, 예를 들면, Alq3(tris(8-hydroxy-quinolatealuminium) 또는 CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), 또는 PVK(폴리(n-비닐카바졸)) 등을 사용할 수 있다.
It is also possible to use the compound of formula (a) alone. In the case of the host material, for example, Alq3 (tris (8-hydroxy-quinolatealuminium) or CBP (4,4'-N, N'-dicarbazole- ) Can be used.

도펀트 재료의 경우, 형광 도펀트로서는 이데미츠사(Idemitsu사)에서 구입 가능한 IDE102, IDE105 및 하야시바라사에서 구입 가능한 C545T 등을 사용할 수 있으며, 인광 도펀트로서는 적색 인광 도펀트 PtOEP, UDC사의 RD61, 녹색 인광 도판트 Ir(PPy)3(PPy=2-phenylpyridine), 청색 인광 도펀트인 F2Irpic, UDC사의 적색 인광 도펀트 RD 61 등을 사용할 수 있다. MQD(N-methylquinacridone), 쿠마린(Coumarine)유도체 등도 사용할 수 있다.In the case of the dopant material, IDE102, IDE105 and IDE55 available from Idemitsu Co., Ltd. and C545T available from Hayashibara Co., Ltd. can be used. As the phosphorescent dopant, red phosphorescent dopant PtOEP, UDC RD61, green phosphorescent dopant Ir (PPy) 3 (PPy = 2-phenylpyridine), a blue phosphorescent dopant F2Irpic, and a red phosphorescent dopant RD 61 manufactured by UDC. MQD (N-methylquinacridone), coumarine derivatives and the like can also be used.

도핑 농도는 특별히 제한 되지 않으나 통상적으로 호스트100 중량부를 기준으로 하여 상기 도펀트의 함량은 0.01 ~ 15 중량부이다.상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 바람직하게는 200Å 내지 600Å일 수 있다.The doping concentration is not particularly limited, but the content of the dopant is usually 0.01 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight of the host. The thickness of the light emitting layer may be about 100 Å to 1000 Å, preferably 200 Å to 600 Å.

상기 발광층의 두께가 100Å 미만인 경우, 발광 특성이 저하될 수 있으며, 상기 발광층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.When the thickness of the light emitting layer is less than 100 Å, the light emitting characteristics may be degraded. If the thickness of the light emitting layer is more than 1000 Å, the driving voltage may increase.

발광층에 발광 화합물이 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여, 상기 발광층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 정공저지층(HBL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 정공저지층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 사용가능한 공지의 정공저지재료, 예를 들면 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP 등을 들 수 있다.When a luminescent compound is used in combination with a phosphorescent dopant in the luminescent layer, a method such as vacuum deposition, spin coating, casting, or LB method is applied on the luminescent layer to prevent the triplet excitons or holes from diffusing into the electron transporting layer The hole blocking layer HBL can be formed. In the case of forming the hole blocking layer by the vacuum deposition method and the spin coating method, the conditions vary depending on the compound used, but are generally selected from substantially the same range of conditions as the formation of the hole injection layer. Known hole blocking materials which can be used, for example, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, and the like.

상기 정공저지층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 300Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 50Å 미만인 경우, 정공저지 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공저지층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.상기 정공저지층이 생략될 경우 도 1b에 도시된 구조를 가지는 유기발광 소자가 얻어진다.The thickness of the hole blocking layer may be about 50 Å to 1000 Å, preferably 100 Å to 300 Å. If the thickness of the hole blocking layer is less than 50 angstroms, the hole blocking characteristics may be deteriorated. If the thickness of the hole blocking layer exceeds 1000 angstroms, the driving voltage may be increased. An organic light emitting element having the structure shown in FIG. 1B is obtained.

다음으로 전자수송층(ETL)을 진공증착법, 또는 스핀코팅법, 캐스트법 등의 다양한 방법을 이용하여 형성한다.Next, an electron transport layer (ETL) is formed by various methods such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, and a casting method.

진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 전자수송층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 상기 전자수송층 재료는 전자주입전극(Cathode)로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, Balq, PBD등과 같은 공지의 재료를 사용할 수도 있다.
In the case of forming the electron transporting layer by the vacuum deposition method and the spin coating method, the conditions vary depending on the compound used, but generally, the conditions are substantially the same as those for forming the hole injection layer. The electron transport layer material serves to stably transport electrons injected from an electron injection electrode, and is a quinoline derivative, particularly a known material such as tris (8-quinolinolate) aluminum (Alq3), TAZ, Balq, Materials may also be used.

상기 전자수송층의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 바람직하게는 200Å 내지 500Å일 수 있다. 상기 전자수송층의 두께가 100Å 미만인 경우, 전자수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자수송층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The thickness of the electron transporting layer may be about 100 ANGSTROM to 1000 ANGSTROM, preferably 200 ANGSTROM to 500 ANGSTROM. When the thickness of the electron transporting layer is less than 100 angstroms, the electron transporting characteristics may be deteriorated. When the thickness of the electron transporting layer exceeds 1000 angstroms, the driving voltage may increase.

또한 전자수송층 상부에 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자주입층(EIL)이 적층될 수 있으며 이는 특별히 재료를 제한하지 않는다.Further, an electron injection layer (EIL), which is a material having a function of facilitating the injection of electrons from the cathode, may be laminated on the electron transporting layer, which is not particularly limited.

전자 주입층으로서는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등과 같은 전자주입층 형성 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.As the electron injection layer, any material known as an electron injection layer forming material such as LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, or the like can be used. The deposition conditions of the electron injection layer vary depending on the compound used, but are generally selected from substantially the same range of conditions as the formation of the hole injection layer.

상기 전자주입층의 두께는 약 1Å 내지 100Å, 바람직하게는 5Å 내지 50Å일 수 있다. 상기 전자주입층의 두께가 1Å 미만인 경우, 전자주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자주입층의 두께가 100Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The thickness of the electron injection layer may be about 1 A to 100 A, preferably 5 A to 50 A. If the thickness of the electron injection layer is less than 1 angstrom, the electron injection characteristics may be deteriorated. If the thickness of the electron injection layer exceeds 100 angstroms, the driving voltage may increase.

마지막으로 전자주입층 상부에 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 제2전극을 형성할 수 있다.Finally, the second electrode can be formed on the electron injection layer by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like.

상기 제2전극은 캐소드(Cathode)로 사용될 수 있다. 상기 제2전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 들 수 있다. 또한 전면 발광소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 사용한 투과형 캐소드를 사용할 수도 있다.The second electrode may be used as a cathode. As the metal for forming the second electrode, a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a low work function, or a mixture thereof may be used. Specific examples thereof include lithium (Li), magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), magnesium- . Also, a transmissive cathode using ITO or IZO may be used to obtain a front light emitting element.

본 발명의 다른 구현예에 따르는 유기 전계 발광 화합물은 상기 화학식 a로 표현될 수 있으며, 보다 구체적으로는 상기 화학식 1 내지 82로 표현될 수 있다. 상기 화합물들에 대한 구체적인 내용은 상술한 유기 발과 소자에 대하여 설명한 부분과 동일하다.
The organic electroluminescent compound according to another embodiment of the present invention may be represented by the above formula (a), and more specifically, it may be represented by the above formulas (1) to (82). The details of the compounds are the same as those described for the organic foot and the device described above.

이하에서, 본 발명의 반응예 및 비교예를 구체적으로 예시하지만, 본 발명이 하기의 합성예 및 실시예로 한정되는 것은 아니다. 이하의 반응예에서 중간체 화합물은 최종 생성물의 번호에 일련번호를 추가하는 방식으로 표기한다. 예를 들어, 화합물 1은 화합물 [1] 로 상기 화합물의 중간체 화합물은 [1-1] 등으로 표기한다. 본 명세서에서 화학물의 번호는 화학식의 번호로서 표기한다. 예를 들어, 화학식 1로 표시되는 화합물은 화합물 1로 표기한다.
Hereinafter, the reaction examples and comparative examples of the present invention will be specifically described, but the present invention is not limited to the following synthesis examples and examples. In the following reaction examples, the intermediate compounds are indicated by adding the serial number to the final product number. For example, Compound 1 is represented by the compound [1], and the intermediate compound of the above compound is represented by [1-1] or the like. In the present specification, the chemical number is represented by the chemical number. For example, the compound represented by the formula (1) is represented by the compound (1).

[반응 예 1] 화합물 [35]의 합성[Reaction Example 1] Synthesis of Compound [35]

Figure 112013044829814-pat00008

Figure 112013044829814-pat00008

중간체 화합물 [35-1]의 제조Preparation of intermediate compound [35-1]

1L 반응플라스크에 2-브로모티오페놀 19.0g (0.101mol)과 탄산칼륨 27.8g (0.201mol)을 질소 분위기에서 N,N-디메틸포름아미드 300mL로 교반한다. 상온에서 2’-플로로아세토페논 14.6mL(0.12mol)을 적가하고 승온하여 100℃에서 12시간 동안 교반한다. 상온으로 냉각하고 반응액을 포화 염화암모늄 수용액 800mL 에 부어 유기층을 분리한다. 유기층을 무수황산 마그네슘으로 건조하여 여과한다. 여과액은 감압 농축하여 디클로로메탄과 헥산으로 재결정화하여 중간체 화합물 [35-1] 22.0g (72%)을 제조하였다.19.0 g (0.101 mol) of 2-bromothiophenol and 27.8 g (0.201 mol) of potassium carbonate were stirred in a 1 L reaction flask with 300 mL of N, N-dimethylformamide in a nitrogen atmosphere. 14.6 mL (0.12 mol) of 2'-fluoroacetophenone was added dropwise at room temperature, and the mixture was heated and stirred at 100 ° C for 12 hours. The reaction mixture was cooled to room temperature and poured into 800 mL of a saturated ammonium chloride aqueous solution to separate the organic layer. The organic layer is dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from dichloromethane and hexane to obtain 22.0 g (72%) of intermediate compound [35-1].

중간체 화합물 [35-2]의 제조Preparation of intermediate compound [35-2]

플라스크에 중간체 화합물 [35-1] 21.5g(69.98mmol)을 투입하고 질소 분위기에서 무수 테트라히드로퓨란 300mL로 교반하여 녹인다. 5℃에서 메틸 마그네슘 브로마이드 75mL(1.4M, 0.104mol)를 천천히 적가시킨다. 동온도에서 1시간 동안 교반 후 반응액을 포화 염화암모늄 수용액 500mL 에 붓고 에틸아세테이트 300mL 로 추출한다. 유기층을 분리하고 무수 황산마그네슘으로 건조하여 여과한다. 여과액은 감압 농축하여 실리카겔 컬럼크로마토그라프로 분리 정제하여 무색 오일의 중간체 화합물 [35-2] 20.0g(93%)을 제조하였다.
21.5 g (69.98 mmol) of the intermediate compound [35-1] was added to the flask and stirred with 300 mL of anhydrous tetrahydrofuran in a nitrogen atmosphere. 75 mL (1.4 M, 0.104 mol) of methylmagnesium bromide is slowly added dropwise at 5 占 폚. After stirring at the same temperature for 1 hour, the reaction solution was poured into 500 mL of a saturated ammonium chloride aqueous solution and extracted with 300 mL of ethyl acetate. The organic layer was separated, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and purified by silica gel column chromatography to obtain 20.0 g (93%) of the intermediate compound [35-2] as a colorless oil.

중간체 화합물 [35-3]의 제조Preparation of intermediate compound [35-3]

플라스크에 중간체 화합물[35-2] 20g(61.87mmol), 메탄술폰산 400ml을 넣고 60℃에서 교반한다. 반응종결 후 반응액을 상수1L에 천천히 넣으면서 교반하고 생성된 고체를 감압여과한다. 얻어진 고체를 디클로로메탄과 메탄올로 재결정하고 컬럼크로마토그라프로 분리정제하여 흰색고체의 중간체화합물 [35-3] 9.6g(51%)을 수득하였다.
20 g (61.87 mmol) of the intermediate compound [35-2] and 400 ml of methanesulfonic acid are placed in a flask and stirred at 60 캜. After completion of the reaction, the reaction solution is slowly added to a constant volume of 1 L while stirring, and the resulting solid is filtered under reduced pressure. The resulting solid was recrystallized from dichloromethane and methanol, and the product was purified by column chromatography to obtain 9.6 g (51%) of an intermediate compound [35-3] as a white solid.

중간체 화합물 [35-4]의 제조Preparation of intermediate compound [35-4]

플라스크에 중간체 화합물[35-3] 9.1g(29.81mmol), 테트라하이드로퓨란 150ml을 넣고 N2하에서 교반하여 완전히 녹인다. -78℃에서 2.5M n-부틸리튬 14.3ml(35.77mmol)을 천천히 적가하고 30분뒤 동일한 온도에서 트리메틸보레이트 3.99ml(35.77mmol)을 적하한다. 반응종결 후 상온에서 1N 염산 수용액에 붓고 에틸아세테이트로 추출한다. 유기층 분리 후 디클로로메탄과 노르말헥산으로 재결정화하여 흰색 고체의 중간체 화합물 [35-4] 4.7g(59%)을 수득하였다.
To the flask, 9.1 g (29.81 mmol) of the intermediate compound [35-3] and 150 ml of tetrahydrofuran are added, and the mixture is completely dissolved by stirring under N 2 . 14.3 ml (35.77 mmol) of 2.5M n-butyllithium was slowly added dropwise at -78 ° C, and 3.99 ml (35.77 mmol) of trimethylborate was added dropwise at the same temperature for 30 minutes. After completion of the reaction, the reaction mixture was poured into 1N hydrochloric acid aqueous solution at room temperature and extracted with ethyl acetate. The organic layer was separated and recrystallized from dichloromethane and normal hexane to obtain 4.7 g (59%) of an intermediate compound [35-4] as a white solid.

중간체 화합물 [35-5]의 제조Preparation of intermediate compound [35-5]

플라스크에 중간체 화합물[35-4] 4.2g(15.54mmol), 1-브로모-3-아이오도밴젠 4.4g(15.54mmol), 탄산칼슘 2.79g(20.21mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 0.18g(0.15mmol)를 넣고 질소하에서 톨루엔과 정제수로 12시간 동안 환류 교반시킨다. 반응종결 후 상온에서 에틸아세테이트로 추출하여 얻은 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조, 여과하여 얻은 고체를 컬럼크로마토그라프로 분리정제하여 흰색고체의 중간체화합물 [35-5] 3.7g(63%)을 수득하였다.
(15.54 mmol) of intermediate compound [35-4], 4.4 g (15.54 mmol) of 1-bromo-3-iodobenzene, 2.79 g (20.21 mmol) of calcium carbonate, 0.18 g (0.15 mmol) of palladium was added, and the mixture was refluxed under stirring in toluene and purified water for 12 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was extracted with ethyl acetate at room temperature, and the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The obtained solid was separated and purified by column chromatography to obtain 3.7 g (63%) of an intermediate compound [35-5] as a white solid .

화합물 [35]의 제조Preparation of compound [35]

플라스크에 중간체 화합물[35-5] 3.3g(8.65mmol), 2-트리페닐렌보론산 2.6g(9.52mmol), 탄산칼슘 1.55g(11.25mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 0.1g(0.08mmol)를 넣고 질소하에서 톨루엔과 정제수로 12시간 동안 환류 교반시킨다. 반응종결 후 상온에서 감압여과하여 얻어진 고체를 디클로로메탄과 메탄올로 재결정하고 컬럼크로마토그라프로 분리정제하여 흰색고체의 목적화합물 [35] 3.4g(76%)을 수득하였다.
To the flask was added 3.3 g (8.65 mmol) of the intermediate compound [35-5], 2.6 g (9.52 mmol) of 2-triphenyleneboronic acid, 1.55 g (11.25 mmol) of calcium carbonate, 0.1 g of tetrakis (triphenylphosphine) palladium 0.08 mmol) were added, and the mixture was refluxed under stirring in toluene and purified water for 12 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was filtered under reduced pressure at room temperature, and the resulting solid was recrystallized from dichloromethane and methanol, and then separated and purified by column chromatography to obtain 3.4 g (76%) of the target compound [35] as a white solid.

상기 반응예 1과 동일한 방법으로 1 내지 82의 화합물을 제조하였으며, 그 결과를 하기 [제1표군(群)]에 나타내었다.Compounds 1 to 82 were prepared in the same manner as in Reaction Example 1, and the results are shown in the first group (first group).

[제1표군(群)][First group (group)]

Figure 112013044829814-pat00009

Figure 112013044829814-pat00009

Figure 112013044829814-pat00010

Figure 112013044829814-pat00010

Figure 112013044829814-pat00011

Figure 112013044829814-pat00011

Figure 112013044829814-pat00012

Figure 112013044829814-pat00012

Figure 112013044829814-pat00013

Figure 112013044829814-pat00013

Figure 112013044829814-pat00014

Figure 112013044829814-pat00014

비교예 1Comparative Example 1

하기 화학식 a로 표시되는 화합물 a를 인광 청색 호스트로 사용하고, 하기 화학식 b로 표시되는 화합물을 인광 청색 도판트로 사용하고, 2-TNATA(4,4’,4”-tris(N-naphthalen-2-yl)-N-phenylamino)-triphenylamine)을 정공주입층 물질로 사용하고, α-NPD(N,N’-di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenylbenzidine)을 정공수송층 물질로 사용하여, 다음과 같은 구조를 갖는 유기발광소자를 제작하였다: ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/화합물a+화합물b(30nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/ Al(60nm).A compound represented by the following formula (a) is used as a phosphorescent blue host, and a compound represented by the following formula (b) is used as a phosphorescent blue dopant and 2-TNATA (4,4 ' -yl) -N-phenylamino) -triphenylamine was used as a hole injection layer material and α-NPD (N, N'-di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine) (30 nm) / Alq3 (30 nm) / LiF (0.5 nm) / compound a + compound (30 nm) / ITO / 2-TNATA / Al (60 nm).

애노드는 코닝(Corning)사의 15Ω/cm2 (1000Å) ITO 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.7mm크기로 잘라서 아세톤 이소프로필 알콜과 순수물 속에서 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다. 상기 기판 상부에 2-TANATA를 진공 증착하여 80nm 두께의 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 상부에, α-NPD를 진공 증착하여 30nm 두께의 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 화학식 a로 표시되는 화합물 a 및 화학식 b로 표시되는 화합물 b(8% 도핑)를 진공 증착하여 30nm두께의 발광층을 형성하였다. 이후, 상기 발광층 상부에 Alq3 화합물을 30nm의 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF 0.5nm(전자주입층)과 Al 60nm(캐소드)를 순차적으로 진공증착하여, 표3에 표시된 바와 같은 유기발광소자를 제조하였다. 이를 비교샘플 1이라고 한다.An anode was prepared by cutting Corning's 15 Ω / cm 2 (1000 Å) ITO glass substrate into 50 mm × 50 mm × 0.7 mm size, ultrasonically cleaning it in acetone isopropyl alcohol and pure water for 15 minutes each, Washed and used. 2-TANATA was vacuum-deposited on the substrate to form a hole injection layer having a thickness of 80 nm. On top of the hole injection layer,? -NPD was vacuum deposited to form a hole transport layer having a thickness of 30 nm. A compound represented by the formula (a) and a compound represented by the formula (b) (8% doping) were vacuum deposited on the hole transport layer to form a 30 nm thick light emitting layer. Then, an Alq3 compound was vacuum deposited on the light emitting layer to a thickness of 30 nm to form an electron transporting layer. LiF 0.5 nm (electron injecting layer) and Al 60 nm (cathode) were sequentially vacuum-deposited on the electron transporting layer to form an organic light emitting device as shown in Table 3. This is referred to as Comparative Sample 1.

본 비교예 및 이하의 비교예 및 실시예들에서는 디오브이사에서 제작한 EL 증착기를 사용하여 소자를 제작하였다.In this comparative example and the following comparative examples and embodiments, devices were fabricated by using an EL evaporator manufactured by DeVoiste.

<화학식 a> <화학식 b>(Formula a) < Formula b >

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Figure 112013044829814-pat00016

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실시예 1~82Examples 1 to 82

상기 비교예 1 중, 발광층 인광 호스트 화합물로서 화합물 a 대신 상기 합성예에 개시된 화학식 1~82로 표시되는 화합물 1~82을 발광층 인광호스트 화합물로 각각 이용한 것을 제외하고는 상기 비교예 1과 동일한 방법으로 ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/[인광 호스트 화합물 1~82 중 하나](30nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(60nm)의 구조를 갖는 유기발광소자를 제조하였다. 이를 각각 샘플 1 내지 81이라고 한다.
In the same manner as in Comparative Example 1 except that Compound 1 was replaced with Compound 1 as a phosphorescent host compound in the light emitting layer in Comparative Example 1, An organic material having a structure of ITO / 2-TNATA (80 nm) /? -NPD (30 nm) / [phosphorescent host compound 1-82] (30 nm) / Alq3 (30 nm) / LiF (0.5 nm) / Al Thereby preparing a light emitting device. These are referred to as Samples 1 to 81, respectively.

평가예 1: 비교샘플 1 및 샘플 1~82의 발광 특성 평가Evaluation Example 1: Evaluation of luminescence characteristics of Comparative Sample 1 and Samples 1 to 82

비교샘플 1 및 샘플 1~82에 대하여, Keithley SMU 235, PR650를 이용하여 발광휘도, 발광효율, 발광피크를 각각 평가하여, 그 결과를 하기 [제2표군(群)]에 나타내었다. 상기 샘플들은 516~524nm 범위에서 녹색 발광피크값을 보여주었다.Comparative Example 1 and Samples 1 to 82 were evaluated for light emission luminance, luminous efficiency and emission peak using Keithley SMU 235 and PR650, respectively, and the results are shown in the following [second group (group)]. The samples showed green emission peak values in the range of 516 to 524 nm.

[제2표군(群)][Second group (group)]

Figure 112013044829814-pat00017

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Figure 112013044829814-pat00018

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Figure 112013044829814-pat00019

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Figure 112013044829814-pat00020

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상기 [제2표군(群)]에 보여지는 바와 같이 샘플 1 내지 82은 비교샘플 1에 비하여 향상된 발광 특성을 나타내었다.
Samples 1 to 82 exhibited improved luminescence properties as compared to Comparative Sample 1, as shown in [second set of group (s)].

이상의 설명에서 통상의 공지된 기술을 생략되어 있으나, 당업자라면 용이하게 이를 추측 및 추론하고 재현할 수 있다.In the above description, the conventional well-known technique is omitted, but a person skilled in the art can easily guess, deduce and reproduce it.

Claims (4)

하기 화학식 1 내지 61 및 82 중 어느 하나인 유기발광 화합물.
Figure 112017030576126-pat00028



Figure 112017030576126-pat00029



Figure 112017030576126-pat00030



Figure 112017030576126-pat00031
The organic electroluminescent compound according to any one of claims 1 to 61 and 82,
Figure 112017030576126-pat00028



Figure 112017030576126-pat00029



Figure 112017030576126-pat00030



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