KR20120104067A - Organic light compound and organic light device using the same - Google Patents

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KR20120104067A
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Abstract

PURPOSE: An organic luminescent compound with excellent charge transmission properties, an organic light device with the luminous efficiencies, and luminous efficiency and the low voltage operation using the same are provided to enhance luminous efficiencies, luminescent brightness, color order and luminescence lifetime. CONSTITUTION: An organic light device comprises a first electrode, a second electrode, and one or more organic membranes between the first and the second electrodes. The organic membrane includes the organic luminescent compound represented by chemical formula F. Here, X indicates N, O, S, Si or Se, a1 and a2 are subordinated to X, and respectively indicate 0 (zero), C1-C50 alkyl group, and substituted or non-substituted C6-C50 aryl or substituted or non-substituted C2-C50 heteroaryl group. A indicates H, D, F, C1-C50 alkyl group, C1-C50 alkoxy, C1-C50 ketone, silane, substituted or non-substituted C6-C50 aryl, substituted or non-substituted C2-C50 heteroaryl, substituted or non-substituted C2-C50 cycloalkyl or substituted or non-substituted C2-C50 heterocycloalkyl.

Description

유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자{ORGANIC LIGHT COMPOUND AND ORGANIC LIGHT DEVICE USING THE SAME}Organic light emitting compound and organic optical device using the same {ORGANIC LIGHT COMPOUND AND ORGANIC LIGHT DEVICE USING THE SAME}

본 발명은 유기발광화합물, 특히 티오펜(thiophene)계 유도체 및 이를 이용한 유기 광소자에 관한 것으로서, 이를 통하여 인광 Host 물질로 우수한 전하수송 특성을 가지며 Dopant의 흡수 Spectrum과의 Overlap이 잘되는 티오펜계 유도체를 개발하여 향상된 발광 효율과 저전압 구동 그리고 우수한 색발현률을 제공한다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to an organic light emitting compound, particularly a thiophene derivative, and an organic photonic device using the organic light emitting compound. More particularly, the present invention relates to a thiophene derivative having good charge transport properties as a phosphorescent host material and having good overlap with absorption spectrum of dopant To provide improved luminous efficiency, low voltage driving and excellent color development.

1987년 Kodak사의 Tang등이 발광층과 전하수송층으로 각각 Alq3 와 TPD라는 이중층 저분자 유기물 박막을 형성하여 효율과 안정성이 개선된 녹색의 발광현상을 발견한 이후로 저분자 OLED 디스플레이의 개발이 급속도로 빠르게 이루어졌다. 1980년대 후반 저분자 OLED 소자의 구조는 양극(ITO), 정공수송층 (Hole Transfer Layer, HTL) 발광층 (Emission Layer, EML), 음극(Mg:Ag)의 간단한 구조에서 출발하였다. 이후 형광소자의 경우는 CuPc같은 정공주입층(Hole Injedtion Layer, HIL)이 도입되었고, Cathode와 전자주입층 재료로 Al:Li이 개발되고 LiF 같은 재료가 개발되면서 구조가 복잡해지게 되었다. 이에 따라서 전기광학적인 특성도 효율과 구동전압이 혁신적으로 개선이 이루어지게 되었다.
In 1987, Tang et al. Developed a low-molecular-weight OLED display with rapid efficiency and stability since it discovered a green luminescent phenomenon with improved efficiency and stability by forming a bilayer low-molecular organic thin film of Alq 3 and TPD as a light emitting layer and a charge transport layer, respectively lost. In the late 1980s, the structure of a low-molecular OLED device started from a simple structure of an anode (ITO), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), and a cathode (Mg: Ag). In the case of fluorescent devices, Hole Injection Layer (HIL) such as CuPc was introduced, Al: Li was developed as cathode and electron injection layer material, and materials such as LiF were developed and the structure became complicated. Accordingly, the efficiency and driving voltage of the electro-optical characteristics have been improved.

인광구조는 일반적으로 양극(Anode), 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층(Electron Transfer Layer, ETL), 전자 주입층(Electro Iniection Layer, EIL), 그리고 음극(Cathode)으로 구성되어 있으며 추가로 정공저지층(Hole Blocking Layer, HBL) 층이 도입이 되었으나 반드시 꼭 필요한 층은 아닌 것으로 알려져 있다.
Phosphorescent structure is generally composed of anode, hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, electron transfer layer (ETL), electron injection layer (EIL), and cathode (Cathode) Although a hole blocking layer (HBL) layer has been introduced, it is known that it is not necessary.

발광층 물질은 크게 형광소자용 발광재료와 인광소자용 발광재료로 구분되며 다시 발광색에 따라 구분이 된다. 또 발광층 재료는 Host용 물질과 Dopant용 물질로 나누어진다. Host 또는 Dopant 물질만으로도 빛을 낼 수 있으나 자체 Quenching 현상으로 효율 및 휘도가 매우 낮아지고, 각각 분자들끼리 Self-aggregation 현상 때문에 각 분자의 고유한 특성이 아닌 Excimer 특성이 함께 나타나기 때문에 발광효율 및 소자안정성을 높이기 위해서는 Host에 Dopant를 도핑하여 발광층을 만든다.
The light emitting layer material is largely classified into a light emitting material for a fluorescent device and a light emitting material for a phosphorescent device, and is further classified according to a light emitting color. The light emitting layer material is divided into a host material and a dopant material. Although only the host or dopant material can emit light, its efficiency and brightness are very low due to its own quenching phenomenon, and because of self-aggregation of molecules, each of them exhibits the characteristics of each molecule, not the unique characteristics of each molecule. In order to increase the dopant to the host to make a light emitting layer.

인광 호스트 재료로는 정공이동성과 전자이동성이 있는 양극성물질인 CBP가 Red, Green 용으로 현재까지 널리 사용되었다. 하지만 최근에는 전자수송성이 있는 Balq 또는 그것과 비슷한 종류의 Al착제 물질들이 인광 Red Host로 유용하다고 알려져 있다. 그리고 Blue 인광 Host용 재료로서 CBP의 유도체, Artsi계 무질들이 특성이 우수하다고 알려져 있다.
As a phosphorescent host material, CBP, a bipolar material having hole mobility and electron mobility, has been widely used for red and green. Recently, however, Balq or similar Al complex materials with electron transport properties are known to be useful as phosphorescent red hosts. In addition, CBP derivatives and Artsi-based materials are known to have excellent properties as blue phosphorescent host materials.

Host 재료에 필요한 특성으로는 먼저 전하수송 특성이 우수해야 한다. 발광층에서도 정공이나 전자를 이동시켜야 하기 때문에 적절한 이동도가 꼭 필요하다. 또 Host 재료는 에너지를 Dopant에 전달해야 되기 때문에 Host의 발광 Spectrum이 Dopant의 흡수 Spectrum과 잘 Overlap이 되어야 에너지 Transfer가 잘 일어난다. 에너지 측면에서도 Host의 Band Gap이 당연히 Dopant의 Gap 보다는 넓어야 하며 Host의 LUMO Level이 Dopant LUMO보다 높아야 한다. The characteristics required for the host material should first be excellent in the charge transport characteristics. Since holes and electrons must be moved in the light emitting layer, proper mobility is necessary. In addition, since the host material must transfer energy to the dopant, energy transfer occurs well when the host's emission spectrum overlaps with the absorption spectrum of the dopant. In terms of energy, the band gap of the host should be wider than the gap of Dopant, and the LUMO level of the host should be higher than the Dopant LUMO.

본 발명이 이루고자 하는 첫 번째 기술적 과제는 유기 광소자, 특히 유기 전계 발광소자에 적용할 수 있는 새로운 유기 광화합물을 제공하는 것이다.The first technical problem to be achieved by the present invention is to provide a new organic optical compound that can be applied to organic optical devices, in particular organic electroluminescent devices.

본 발명이 이루고자 하는 두 번째 기술적 과제는 상기 신규 화합물을 포함하여 구동전압이 낮고, 발광효율, 휘도, 색순도, 열적 안정성 및 수명이 향상된 유기 전계 발광 소자 및 태양광 발전을 위한 유기 광소자를 제공하는 것이다.The second technical problem to be achieved by the present invention is to provide an organic electroluminescent device and a photovoltaic device for photovoltaic power generation, including the novel compound, low driving voltage, improved luminous efficiency, brightness, color purity, thermal stability and lifetime. .

특히 본 발명은 인광 Host 물질로 우수한 전하수송 특성을 가지며 Dopant의 흡수 Spectrum과의 Overlap이 잘되는 티오펜계 유도체를 개발하여 향상된 발광 효율과 저전압 구동, 그리고 우수한 색발현률을 얻는 것을 목적으로 한다.In particular, the present invention aims to develop a thiophene derivative having a good charge transporting property as a phosphorescent host material and having a good overlap with the absorption spectrum of the dopant to obtain improved luminous efficiency, low voltage driving, and excellent color development rate.

본 발명에 따른 유기 발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자는 하기 화학식 F로 표시되는 유기 발광화합물을 기초로 한다:The organic electroluminescent compound according to the present invention and the organic photoconductor using the same are based on the organic electroluminescent compound represented by the following formula (F)

<화학식 F><Formula F>

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 F에서 In the above formula (F)

X는 N, O, S, Si 또는 Se이고, X is N, O, S, Si or Se,

a1 및 a2는 상기 X에 종속되고, 각각 독립적으로 0(zero), C1-C50알킬기 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기이고,a1 and a2 are each dependent on X and each independently represent a zero, a C1-C50 alkyl group substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group,

A는 H, D, F, C1-C50알킬기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기이고,A is selected from H, D, F, a C1-C50 alkyl group, a C1-C50 alkoxy group, a C1-C50 ketone group, a silyl group, a substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group, a substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group , A substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group,

R은 방향족 고리 또는 지방족 고리이고,R is an aromatic ring or an aliphatic ring,

B1 및 B2는 각각 독립적으로 H, D, F, C1-C50알킬기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기이고,B1 and B2 are each independently selected from the group consisting of H, D, F, a C1-C50 alkyl group, a C1-C50 alkoxy group, a C1-C50 ketone group, a silyl group, a substituted or unsubstituted C6- C50 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group,

b1 및 b2는 R이 방향족 고리인 경우 0(zero)이고, R이 지방족 고리인 경우 C1-C50알킬기이며,b1 and b2 are 0 (zero) when R is an aromatic ring, C1-C50 alkyl group when R is an aliphatic ring,

R1 및 R2는 각각 독립적으로 R1 and R2 are each independently

H, D, F, C1-C50알킬기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기이거나A substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C1-C50 alkyl group, a C1-C50 alkoxy group, a C1-C50 ketone group, Or an unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group

R1 및 R2는 함께 인접하는 고리와 축합(fused) 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리 또는 축합 헤테로방향족 고리를 형성하는 기이다.
R1 and R2 together form a fused aliphatic ring, a condensed aromatic ring, a condensed heteroaliphatic ring or a condensed heteroaromatic ring together with the adjacent ring.

본 발명에 따른 유기 광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자에서 The organic optical compound according to the present invention and the organic optical device using the same

상기 화학식 F는 하기 화학식 F1 내지 F11의 유기 발광화합물 중 어느 하나인 것이 바람직하다:The formula (F) is preferably any one of the following organic luminescent compounds represented by the following formulas (F1) to (F11)

<화학식 F1><Formula F1>

Figure pat00002
Figure pat00002

<화학식 F2><Formula F2>

Figure pat00003
Figure pat00003

<화학식 F3><Formula F3>

Figure pat00004
Figure pat00004

<화학식 F4><Formula F4>

Figure pat00005
Figure pat00005

<화학식 F5><Formula F5>

Figure pat00006
Figure pat00006

<화학식 F6><Formula F6>

Figure pat00007
Figure pat00007

<화학식 F7><Formula F7>

Figure pat00008
Figure pat00008

<화학식 F8><Formula F8>

Figure pat00009
Figure pat00009

<화학식 F9><Formula F9>

Figure pat00010
Figure pat00010

<화학식 F10><Formula F10>

Figure pat00011
Figure pat00011

<화학식 F11><Formula F11>

Figure pat00012
Figure pat00012

상기 화학식 F1 내지 F11 각각에서In each of the above formulas F1 to F11

A는 H, D, F, C1-C50알킬기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기이고,A is selected from H, D, F, a C1-C50 alkyl group, a C1-C50 alkoxy group, a C1-C50 ketone group, a silyl group, a substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group, a substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group , A substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group,

B1 및 B2는 각각 독립적으로 H, D, F, C1-C50알킬기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기이고,B1 and B2 are each independently selected from the group consisting of H, D, F, a C1-C50 alkyl group, a C1-C50 alkoxy group, a C1-C50 ketone group, a silyl group, a substituted or unsubstituted C6- C50 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group,

상기 화학식 F1에서In Formula F1,

X1 및 X2는 각각 C(carbon) 또는N이고,X1 and X2 are each C (carbon) or N,

D1 및 D2는 각각 H, D, F 중 어느 하나이고,D1 and D2 are any one of H, D and F,

상기 화학식 F4 또는 F10에서In the above formula (F4 or F10)

D는 인접하는 고리와 축합(fused) 방향족 고리, 축합 헤테로방향족 고리를 형성하는 기이다.
D is a group forming an adjacent ring and a fused aromatic ring, a condensed hetero aromatic ring.

나아가 본 발명에 따른 유기 광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자는 하기 화학식 1 내지 204에 해당하는 유기 광화합물을 기초로 한다Further, the organic optical compound according to the present invention and the organic optical device using the organic optical compound are based on organic optical compounds corresponding to the following Chemical Formulas 1 to 204

본 발명에 따른 유기 광소자는 높은 발광 효율, 높은 발광 휘도, 높은 색순도 및 현저히 향상된 발광 수명을 제공하며,The organic optical device according to the present invention provides high luminous efficiency, high luminance, high color purity and remarkably improved luminous lifetime,

아울러 본 발명은 이를 유기 발광 소자 및 유기 발광 화합물, 또는 태양광 발전을 위한 유기 광소자 및 광화합물을 제공한다. 무엇보다도 본 발명에 따른 유기 광소자는 인광 Host 물질로 우수한 전하수송 특성을 가지며 Dopant의 흡수 Spectrum과의 Overlap이 잘되는 티오펜계 유도체를 개발하여 향상된 발광 효율과 저전압 구동, 그리고 우수한 색발현률을 제공한다.In addition, the present invention provides an organic light emitting device and an organic light emitting compound, or an organic optical device and a photo compound for photovoltaic power generation. Above all, the organic optical device according to the present invention has developed a thiophene derivative having excellent charge transport characteristics as a phosphorescent host material and well overlapping with absorption spectra of Dopant, thereby providing improved luminous efficiency, low voltage driving, and excellent color expression rate.

이하 본 발명을 상세히 설명하도록 한다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 구현예(態樣, aspect)(또는 실시예)들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. The present invention may be modified in various ways and may have various forms, and thus embodiments (or embodiments) will be described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific form disclosed, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 구현예(태양, 態樣, aspect)(또는 실시예)를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, ~포함하다~ 또는 ~이루어진다~ 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In the present application, the term &quot; comprising &quot; or &quot; consisting of &quot;, or the like, refers to the presence of a feature, a number, a step, an operation, an element, a component, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

본 발명은 티오펜(thiophene)계 유도체를 개발하여 전자수송층(ETM), 발광층(EML), 정공수송층(HTM) 등, 제1전극과 상기 제2전극 사이의 각종 유기막과 같이 다각적으로 쓰일 수 있는 물질을 제시하고, 효율 증가와 구동 전압의 감소와 같은 성능의 개선 및 OLED 재료로서의 능력을 극대화시킨 물질을 개발하고자 한다. 특히 상기 티오펜계 유도체는 인광 Host 물질로 우수한 전하수송 특성을 가지며 Dopant의 흡수 Spectrum과의 Overlap이 잘되는 티오펜계 유도체를 개발하여 향상된 발광 효율과 저전압 구동 그리고 우수한 색발현률을 제공한다. The present invention has developed a thiophene derivative and can be used in various ways such as various organic films between a first electrode and a second electrode such as an electron transport layer (ETM), a light emitting layer (EML), a hole transport layer (HTM) And to develop a material that maximizes its performance as an OLED material, such as increased efficiency and reduced driving voltage. In particular, the thiophene derivative has excellent charge transport properties as a phosphorescent host material and develops a thiophene derivative having a good overlap with absorption spectrum of dopant to provide improved luminous efficiency, low voltage driving and excellent color development rate.

본 명세서에서 유기 광화합물은 유기 광소자에 사용되는 화합물이라는 의미로서 반드시 발광이 가능한 화합물로 그 범위가 한정되지 않으며, 그 적용 범위도 유기 발광층에 한정되지 않고, 전하 주입층 및 전하 수송층 등 유기 광소자를 구성하는 어느 층에나 모두 사용될 수 있다.In the present specification, an organic photochemical compound is a compound used in an organic optical device, and is not necessarily limited to a compound capable of emitting light, and its application range is not limited to an organic light emitting layer, and an organic photonic compound such as a charge injection layer and a charge transport layer It can be used in any layer that constitutes the ruler.

또 본 명세서에서 '광화합물' 및 '광소자'라는 용어는 사전적인 또는 관습적인 정의와 무관하게 본 발명이 유기 발광 소자 및 태양광 발전을 위한 소자에 모두 적용되는 경우를 고려하여, 이를 포괄하고자 선정한 용어이다.
In this specification, the terms 'optical compound' and 'optical device' are used to cover the case where the present invention is applied to both an organic light emitting device and a device for solar power generation regardless of a dictionary or conventional definition It is a selected term.

본 발명에 따른 유기 광소자는, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기 광소자로서, An organic photonic device according to the present invention includes a first electrode; A second electrode; And at least one organic film between the first electrode and the second electrode.

상기 유기막이 하기 화학식 F로 표시되는 유기 발광화합물을 포함한다:Wherein the organic film comprises an organic luminescent compound represented by the following formula (F): &lt; EMI ID =

<화학식 F><Formula F>

Figure pat00013
Figure pat00013

상기 화학식 F에서 In the above formula (F)

X는 N, O, S, Si 또는 Se이고, X is N, O, S, Si or Se,

a1 및 a2는 상기 X에 종속되고, 각각 독립적으로 0(zero), C1-C50알킬기 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기이고,a1 and a2 are each dependent on X and each independently represent a zero, a C1-C50 alkyl group substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group,

A는 H, D, F, C1~C50의 알킬기, C2~C50의 알케닐기, C2~C50의 알키닐기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C5~C50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기, C5~C50의 아릴옥시기, C1~C50의 알킬옥시기, C5~C50의 아릴아미노기, C5~C50의 디아릴아미노기, 또는C6~C50의 아릴알킬기이고,A is a group selected from the group consisting of H, D, F, C1 to C50 alkyl groups, C2 to C50 alkenyl groups, C2 to C50 alkynyl groups, C1 to C50 alkoxy groups, C1 to C50 ketone groups, A substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group, a C5-C50 aryloxy group, a C1- C50 alkyloxy group, C5-C50 arylamino group, C5-C50 diarylamino group, or C6-C50 arylalkyl group,

R은 방향족 고리 또는 지방족 고리, 특히 C6의 방향족 고리 또는 C6의 지방족 고리 이고,R is an aromatic ring or an aliphatic ring, especially an aromatic ring of C6 or an aliphatic ring of C6,

B1 및 B2는 각각 독립적으로 H, D, F, C1~C50의 알킬기, C2~C50의 알케닐기, C2~C50의 알키닐기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C5~C50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기, C5~C50의 아릴옥시기, C1~C50의 알킬옥시기, C5~C50의 아릴아미노기, C5~C50의 디아릴아미노기, 또는C6~C50의 아릴알킬기이고,B1 and B2 are each independently selected from the group consisting of H, D, F, C1 to C50 alkyl groups, C2 to C50 alkenyl groups, C2 to C50 alkynyl groups, C1 to C50 alkoxy groups, C1 to C50 ketone groups, A substituted or unsubstituted C5-C50 aryl group, a substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group, An alkyloxy group of C 1 to C 50, an arylamino group of C 5 to C 50, a diarylamino group of C 5 to C 50, or an arylalkyl group of C 6 to C 50,

b1 및 b2는 R이 방향족 고리인 경우 0(zero)이고, R이 지방족 고리인 경우 C1-C50알킬기이며,
b1 and b2 are zero when R is an aromatic ring, C1-C50 alkyl group when R is an aliphatic ring,

R1 및 R2는 각각 독립적으로 R1 and R2 are each independently

H, D, F, C1~C50의 알킬기, C2~C50의 알케닐기, C2~C50의 알키닐기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C5~C50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기, C5~C50의 아릴옥시기, C1~C50의 알킬옥시기, C5~C50의 아릴아미노기, C5~C50의 디아릴아미노기, 또는C6~C50의 아릴알킬기이거나A substituted or unsubstituted C5-C50 alkyl group, a substituted or unsubstituted C5-C50 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C5-C50 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C5- A substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group, a C5-C50 aryloxy group, a C1-C50 An alkyloxy group, an arylamino group of C5 to C50, a diarylamino group of C5 to C50, or an arylalkyl group of C6 to C50

R1 및 R2는 함께 인접하는 고리와 축합(fused) 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리 또는 축합 헤테로방향족 고리를 형성하는 기이다.
R1 and R2 together form a fused aliphatic ring, a condensed aromatic ring, a condensed heteroaliphatic ring or a condensed heteroaromatic ring together with the adjacent ring.

나아가 상기 화학식 F는 하기 화학식 F1(하기 화합물 1 내지 204에서 1 내지 63 및 177 내지 197이 해당됨), F2(하기 화합물 1 내지 204에서 64 내지 82가 해당됨), F3(하기 화합물 1 내지 204에서 83 내지 101이 해당됨), F4(하기 화합물 1 내지 204에서 102 내지 139가 해당됨), F5(하기 화합물 1 내지 204에서 140 내지 158이 해당됨), F6(하기 화합물 1 내지 204에서 159 내지 163이 해당됨), F7(하기 화합물 1 내지 204에서 164 내지 168이 해당됨), F8(하기 화합물 1 내지 204에서 169 내지 172가 해당됨), F9(하기 화합물 1 내지 204에서 173 내지 176가 해당됨), F10(하기 화합물 1 내지 204에서 198 내지 203가 해당됨) 또는 F11(하기 화합물 1 내지 204에서 204가 해당됨)의 유기 발광화합물 중 어느 하나인 것이 바람직하다.Further, the above formula (F) is a compound represented by the following formula (F1) (corresponding to 1 to 63 and 177 to 197 in the following compounds 1 to 204), F2 (corresponding to 64 to 82 in the following compounds 1 to 204), F3 To 101), F4 (corresponding to 102 to 139 in the following compounds 1 to 204), F5 (corresponding to 140 to 158 in the following compounds 1 to 204), F6 (corresponding to the following compounds 1 to 204 to 159 to 163) , F7 (corresponding to the following compounds 1 to 204 correspond to 164 to 168), F8 (corresponding to the following compounds 1 to 204 to 169 to 172), F9 (corresponding to the following compounds 1 to 204 to 173 to 176), F10 1 to 204 to 198 to 203), or F11 (corresponding to the following compounds 1 to 204 to 204).

<화학식 F1><Formula F1>

Figure pat00014
Figure pat00014

<화학식 F2><Formula F2>

Figure pat00015
Figure pat00015

<화학식 F3><Formula F3>

Figure pat00016
Figure pat00016

<화학식 F4><Formula F4>

Figure pat00017
Figure pat00017

<화학식 F5><Formula F5>

Figure pat00018
Figure pat00018

<화학식 F6><Formula F6>

Figure pat00019
Figure pat00019

<화학식 F7><Formula F7>

Figure pat00020
Figure pat00020

<화학식 F8><Formula F8>

Figure pat00021
Figure pat00021

<화학식 F9><Formula F9>

Figure pat00022
Figure pat00022

<화학식 F10><Formula F10>

Figure pat00023
Figure pat00023

<화학식 F11><Formula F11>

Figure pat00024
Figure pat00024

상기 화학식 F1 내지 F11 각각에서In each of the above formulas F1 to F11

A는 H, D, F, C1~C50의 알킬기, C2~C50의 알케닐기, C2~C50의 알키닐기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C5~C50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기, C5~C50의 아릴옥시기, C1~C50의 알킬옥시기, C5~C50의 아릴아미노기, C5~C50의 디아릴아미노기, 또는C6~C50의 아릴알킬기이고,
A is H, D, F, C1-C50 alkyl group, C2-C50 alkenyl group, C2-C50 alkynyl group, C1-C50 alkoxy group, C1-C50 ketone group, silane group, substituted or unsubstituted C5 ~ C50 aryl group, substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group, C5-C50 aryloxy group, C1 ~ A C50 alkyloxy group, a C5 to C50 arylamino group, a C5 to C50 diarylamino group, or a C6 to C50 arylalkyl group,

B1 및 B2는 각각 독립적으로 H, D, F, C1~C50의 알킬기, C2~C50의 알케닐기, C2~C50의 알키닐기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C5~C50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기, C5~C50의 아릴옥시기, C1~C50의 알킬옥시기, C5~C50의 아릴아미노기, C5~C50의 디아릴아미노기, 또는C6~C50의 아릴알킬기이고,
B1 and B2 are each independently selected from the group consisting of H, D, F, C1 to C50 alkyl groups, C2 to C50 alkenyl groups, C2 to C50 alkynyl groups, C1 to C50 alkoxy groups, C1 to C50 ketone groups, A substituted or unsubstituted C5-C50 aryl group, a substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group, An alkyloxy group of C 1 to C 50, an arylamino group of C 5 to C 50, a diarylamino group of C 5 to C 50, or an arylalkyl group of C 6 to C 50,

상기 화학식 F1에서In Formula F1,

X1 및 X2는 각각 C(carbon)(하기 화합물 1 내지 204에서 1 내지 63 및 177 내지 1195가 해당됨) 또는N(하기 화합물 1 내지 204에서 196 및 197이 해당됨)이고,X1 and X2 are each C (carbon) (corresponding to 1 to 63 and 177 to 1195 in the following compounds 1 to 204) or N (corresponding to the following compounds 1 to 204 to 196 and 197)

D1 및 D2는 각각 H, D, F 중 어느 하나이고,D1 and D2 are any one of H, D and F,

상기 화학식 F4 또는 F10에서In the above formula (F4 or F10)

D는 인접하는 고리와 축합(fused) 방향족 고리, 축합 헤테로방향족 고리를 형성하는 기이다.
D is a group forming an adjacent ring and a fused aromatic ring, a condensed hetero aromatic ring.

이상 상기 화학식 F와 F1 내지 F11에서 각 화학식은 A, B1, B2, C1, C2, D, D1 또는 D2로 작용기를 공통적으로 표현하고 있으나, 각 화학식에서 이들은 상호 무관하다.
In the above formulas F and F1 to F11, each formula is commonly represented by A, B1, B2, C1, C2, D, D1 or D2, but in each formula they are irrelevant.

한편, 상기 A, B1, B2, R1, R2의 상기 C1~C50의 알킬기, C2~C50의 알케닐기, C2~C50의 알키닐기, C5~C50의 아릴기, C5~C50의 헤테로아릴기, C5~C50의 아릴옥시기, C1~C50의 알킬옥시기, C5~C50의 아릴아미노기, C5~C50의 디아릴아미노기, C6~C50의 아릴알킬기, C3~C50의 시클로알킬기 및 C3~C50의 헤테로시클로알킬기는 The C 1 to C 50 alkyl group, the C 2 to C 50 alkenyl group, the C 2 to C 50 alkynyl group, the C 5 to C 50 aryl group, the C 5 to C 50 heteroaryl group, the C 5 to C 50 heteroaryl group, A C5-C50 arylamino group, a C5-C50 arylamino group, a C5-C50 diarylamino group, a C6-C50 arylalkyl group, a C3-C50 cycloalkyl group, and a C3-C50 heterocyclo The alkyl group

각각 독립적으로 D, F, 할로겐, 니트릴기, 니트로기, C1~C50의 알킬기, C2~C50의 알케닐기, C1~C50의 알콕시기, C1~C50의 아미노기, C3~C50의 시클로알킬기, C3~C50의 헤테로시클로알킬기, C5~C50의 아릴기 및 C5~C50의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상으로 치환되거나 비치환되는 것이 바람직하다.
A C1 to C50 alkyl group, a C1 to C50 alkoxy group, a C1 to C50 amino group, a C3 to C50 cycloalkyl group, a C3 to C50 alkenyl group, a C1 to C50 alkoxy group, A C5-C50 heteroaryl group, a C5-C50 heteroaryl group, a C5-C50 heteroaryl group, and the like.

또 상기 A, B1, B2, R1, R2의 상기 C1~C50의 알킬기, C2~C50의 알케닐기, C2~C50의 알키닐기, C5~C50의 아릴기, C5~C50의 헤테로아릴기, C5~C50의 아릴옥시기, C1~C50의 알킬옥시기, C5~C50의 아릴아미노기, C5~C50의 디아릴아미노기, C6~C50의 아릴알킬기, C3~C50의 시클로알킬기 및 C3~C50의 헤테로시클로알킬기에 도입되는 치환기 중에서 The above-mentioned C1 to C50 alkyl groups, C2 to C50 alkenyl groups, C2 to C50 alkynyl groups, C5 to C50 aryl groups, C5 to C50 heteroaryl groups, C5 to C50 heteroaryl groups, C5 to C50 aryloxy groups, C5 to C50 arylamino groups, C5 to C50 diarylamino groups, C6 to C50 arylalkyl groups, C3 to C50 cycloalkyl groups, and C3 to C50 heterocycloalkyl groups Lt; RTI ID = 0.0 &gt;

C1~C50의 알킬기, C2~C50의 알케닐기, C1~C50의 알콕시기, C1~C50의 아미노기, C3~C50의 시클로알킬기, C3~C50의 헤테로시클로알킬기, C5~C50의 아릴기 및 C5~C50의 헤테로아릴기는A C5-C50 aryl group, a C5-C50 aryl group, a C5-C50 aryl group, a C5-C50 aryl group, a C5-C50 heteroaryl group, The heteroaryl group of C50 is

각각 독립적으로 D, F, 할로겐, 니트릴기, 니트로기, C1~C50의 알킬기, C2~C50의 알케닐기, C1~C50의 알콕시기, C1~C50의 아미노기, C3~C50의 시클로알킬기, C3~C50의 헤테로시클로알킬기, C5~C50의 아릴기 및 C5~C50의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 제2치환기로 추가적으로 치환되거나; 또는 인접하는 기와 축합 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리 또는 축합 헤테로방향족 고리를 형성하거나 스피로 결합을 하는 것이 바람직하다.
A C1 to C50 alkyl group, a C1 to C50 alkoxy group, a C1 to C50 amino group, a C3 to C50 cycloalkyl group, a C3 to C50 alkenyl group, a C1 to C50 alkoxy group, At least one second substituent selected from the group consisting of a C5 to C50 heterocycloalkyl group, a C5 to C50 aryl group, and a C5 to C50 heteroaryl group; Or it is preferable to form a condensed aliphatic ring, a condensed aromatic ring, a condensed heteroaliphatic ring or a condensed heteroaromatic ring with an adjacent group or to form a spiro bond.

나아가 상기 A, B1, B2, R1, R2의 상기 C1~C50의 알킬기, C2~C50의 알케닐기, C2~C50의 알키닐기, C5~C50의 아릴기, C5~C50의 헤테로아릴기, C5~C50의 아릴옥시기, C1~C50의 알킬옥시기, C5~C50의 아릴아미노기, C5~C50의 디아릴아미노기, C6~C50의 아릴알킬기, C3~C50의 시클로알킬기 및 C3~C50의 헤테로시클로알킬기에 도입되는 치환기는Further, the above-mentioned C1 to C50 alkyl group, C2 to C50 alkenyl group, C2 to C50 alkynyl group, C5 to C50 aryl group, C5 to C50 heteroaryl group, and C5 to C50 heteroaryl groups of A, B1, B2, C5 to C50 aryloxy groups, C5 to C50 arylamino groups, C5 to C50 diarylamino groups, C6 to C50 arylalkyl groups, C3 to C50 cycloalkyl groups, and C3 to C50 heterocycloalkyl groups Lt; RTI ID = 0.0 &gt;

D, F, 페닐기, 톨일기, 비페닐기, 펜타레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 비페닐레닐기, 안트라세닐기, 벤조안트라세닐기, 아즈레닐기, 헵타레닐기, 아세나프틸레닐기, 페나레닐기, 메틸안트릴기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피레닐기, 크리세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 클로로페릴레닐기, 펜타페닐기, 펜타세닐기, 테트라페닐레닐기, 헥사페닐기, 헥사세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 트리나프틸레닐기, 헵타페닐기, 헵타세닐기, 플루오레닐기, 피란트레닐기, 오바레닐기, 카르바졸릴기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 티오페닐기, 인돌일기, 푸리닐기, 벤즈이미다졸일기, 퀴놀리닐기, 벤조티오페닐기, 파라티아지닐기, 피롤일기, 피라졸릴기, 이미다졸릴기, 이미다졸리닐기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 트리아졸릴기, 테트라졸일기, 옥사디아졸릴기, 피리디닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 티안트레닐기(thianthrenyl), 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 옥시라닐기, 피롤리디닐기, 피라졸리디닐기, 이미다졸리디닐기, 피페리디닐기, 피페라지닐기, 모르폴리닐기, 디(C6-C50아릴)아미노기, 실레인기 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 것이 바람직하다.
D, F, phenyl group, tolyl group, biphenyl group, pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group, biphenylenyl group, anthracenyl group, benzoanthracenyl group, azurenyl group, heptarenyl group, acenaphthylyl group, phenna Renyl group, methyl anthryl group, phenanthrenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pisenyl group, perrylenyl group, chloroperylenyl group, pentaphenyl group, pentaxenyl group, tetraphenylenyl group, hexa Phenyl group, hexasenyl group, rubisenyl group, coronyl group, trinaphthylenyl group, heptaphenyl group, heptasenyl group, fluorenyl group, pyrantrenyl group, obarenyl group, carbazolyl group, dibenzofuranyl group, dibenzo Thiophenyl group, thiophenyl group, indolyl group, furinyl group, benzimidazolyl group, quinolinyl group, benzothiophenyl group, parathiazinyl group, pyrroylyl group, pyrazolyl group, imidazolyl group, imidazolinyl group, oxazolyl group , Thiazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group, Pyridinyl, pyridazinyl, pyrimidinyl, pyrazinyl, thianthrenyl, cyclopentyl, cyclohexyl, oxiranyl, pyrrolidinyl, pyrazolidinyl, imidazolidi It is preferable to select from the group consisting of a silyl group, a piperidinyl group, a piperazinyl group, a morpholinyl group, a di (C6-C50 aryl) amino group, a silane group and derivatives thereof.

상기 아릴기는 방향족 고리 시스템을 갖는 1가 그룹으로서, 2 이상의 고리시스템을 포함할 수 있으며, 상기 2이상의 고리 시스템은 서로 결합 또는 축합된 형태로 존재할 수 있다. 상기 헤테로아릴기는 상기 아릴기 중 하나 이상의 탄소가 N, O, S, P, Si 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 그룹을 가리킨다.The aryl group is a monovalent group having an aromatic ring system, and may include two or more ring systems, and the two or more ring systems may exist in a bonded or condensed form with each other. The heteroaryl group refers to a group in which at least one carbon of the aryl group is substituted with at least one selected from the group consisting of N, O, S, P, Si, and Se.

한편, 사이클로알킬기는 고리 시스템을 갖는 알킬기를 가리키며, 상기 헤테로사이클로알킬기는 상기 사이클로알킬기 중 하나 이상의 탄소가 N, O, S, P, Si 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 그룹을 가리킨다.Meanwhile, a cycloalkyl group refers to an alkyl group having a ring system, and the heterocycloalkyl group refers to a group in which at least one carbon of the cycloalkyl group is substituted with at least one selected from the group consisting of N, O, S, P, Si, and Se. .

상기 아릴기 및 헤테로아릴기의 하나 이상의 수소가 치환될 경우, 이들의 치환기는 D, F, C1-C50알킬기; C1-C50알콕시기; 비치환 또는 C1-C50알킬기 또는 C1-C50알콕시기로 치환된 C6-C50아릴기; 비치환 또는 C1-C50알킬기 또는 C1-C50알콕시기로 치환된 C2-C50헤테로아릴기; 비치환 또는 C1-C50알킬기 또는 C1-C50알콕시기로 치환된 C5-C50사이클로알킬기및 비치환 또는 C1-C20알킬기 또는 C1-C20알콕시기로 치환된 C5-C50헤테로사이클로알킬기, 또는 실레인기로 표시되는 그룹으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
When one or more hydrogen of the aryl group and heteroaryl group is substituted, these substituents are D, F, C1-C50 alkyl group; C1-C50 alkoxy group; A C6-C50 aryl group unsubstituted or substituted with a C1-C50 alkyl group or a C1-C50 alkoxy group; C2-C50 heteroaryl group unsubstituted or substituted with a C1-C50 alkyl group or a C1-C50 alkoxy group; A C5-C50 cycloalkyl group which is unsubstituted or substituted by a C1-C50 alkyl group or a C1-C50 alkoxy group and a C5-C50 heterocycloalkyl group which is unsubstituted or substituted by a C1-C20 alkyl group or a C1-C20 alkoxy group, &Lt; / RTI &gt;

본 발명의 제 1태양에 따르는 유기 광소자는, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기 광소자이다.An organic optical device according to the first aspect of the present invention, the first electrode; A second electrode; And at least one organic film between the first electrode and the second electrode.

본 발명의 유기 광소자에 사용되는 유기 광화합물은 하기 화학식 1 내지 204의 구조(이하 화학식들에서 '화학식'은 생략하고 숫자만 기재함)를 가질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다:
The organic photo-compound used in the organic photonic device of the present invention may have, but is not limited to, the structures of the following formulas (1) to (204)

1One

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22

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33

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44

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55

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1919

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2020

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2222

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상기 화학식 1 내지 204의 화합물로 표시되는 본 발명에 따른 유기 광화합물은 통상의 합성 방법을 이용하여 합성될 수 있으며,상기 화합물의 보다 상세한 합성 경로는 하기 합성예의 반응식들을 참조한다. 상기 화학식의 화합물은 유기 광소자의 유기막, 특히 정공수송층, 정공주입층 또는 발광층에 사용되기 적합하다. 본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 구조는 매우 다양하다. 상기 제1전극과 제2전극 사이에 정공주입층, 정공수송층, 정공저지층, 전자저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함할 수 있다.The organic photo-compounds according to the present invention represented by the above Chemical Formulas 1 to 204 can be synthesized using conventional synthetic methods, and more detailed synthesis routes of the compounds will be described with reference to the reaction schemes of the following synthesis examples. The compound of the above formula is suitable for use in an organic film of an organic optical device, particularly a hole transporting layer, a hole injecting layer or a light emitting layer. The structure of the organic light emitting device according to the present invention is very diverse. The organic EL device may further include at least one layer selected from the group consisting of a hole injecting layer, a hole transporting layer, a hole blocking layer, an electron blocking layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer between the first electrode and the second electrode.

보다 구체적으로, 본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 구현예는 More specifically, an embodiment of an organic light emitting device according to the present invention

먼저, 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/발광층/전자수송층/전자주입층/제2전극으로 이루어진 구조를 가질 수 있고, First, the organic light emitting device may have a structure including a first electrode / a hole injection layer / a light emitting layer / an electron transport layer / an electron injection layer / a second electrode,

또 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/제2전극으로 이루어진 구조를 가질 수 있으며,The organic light emitting device may have a structure including a first electrode / a hole injection layer / a hole transport layer / a light emitting layer / an electron transport layer / an electron injection layer / a second electrode,

나아가 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/전자주입층/제2전극의 구조를 가질 수 있다.Further, the organic light emitting device may have a structure of a first electrode / a hole injection layer / a hole transport layer / a light emitting layer / a hole blocking layer / an electron transport layer / an electron injection layer / a second electrode.

이때, 상기 정공수송층, 정공주입층 및 발광층 중 하나 이상은 본 발명을 따르는 화합물을 포함할 수 있다.In this case, at least one of the hole transport layer, the hole injection layer and the light emitting layer may include a compound according to the present invention.

본 발명을 따르는 유기 광소자의 발광층은 적색, 녹색, 청색 또는 백색을 포함하는 인광 또는 형광 도펀트를 포함할 수 있다. 이 중, 상기 인광 도펀트는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb 및 Tm으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 유기금속화합물일 수 있다. 또한, 본 발명에 따르는 화합물은 발광층에서 형광 도펀트로도 사용될 수 있다.The light-emitting layer of the organic optical device according to the present invention may include a phosphorescent or fluorescent dopant including red, green, blue or white. Among these, the phosphorescent dopant may be an organometallic compound including at least one element selected from the group consisting of Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, and Tm. In addition, the compound according to the present invention can also be used as a fluorescent dopant in the light emitting layer.

이하, 본 발명을 따르는 유기 광소자의 제조 방법을 유기 광소자를 참조하여, 살펴보기로 한다. 먼저 기판 상부에 높은 일함수를 갖는 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등에 의해 형성하여 제1전극을 형성한다. 상기 제1전극은 애노드(Anode)일 수 있다. 여기에서 기판으로는 통상적인 유기 광소자에서 사용되는 기판을 사용하는데 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 사용한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic optical device according to the present invention will be described with reference to an organic optical device. First, a first electrode material having a high work function on the substrate is formed by a deposition method or a sputtering method to form a first electrode. The first electrode may be an anode. Herein, a substrate used in a conventional organic optical device is used, and a glass substrate or a transparent plastic substrate having excellent mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness is preferable. Indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2), zinc oxide (ZnO), and the like, which are transparent and have excellent conductivity, are used as the material for the first electrode.

다음으로, 상기 제1전극 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공주입층(HIL)을 형성할 수 있다.Next, a hole injection layer HIL may be formed on the first electrode by using various methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, and LB.

진공증착법에 의하여 정공주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 증착온도 100 내지 500℃, 진공도 10-5 내지 10-3 torr, 증착속도 0.01 내지 100Å/sec, 막 두께는 통상 100Å 내지 1㎛ 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.When the hole injection layer is formed by the vacuum deposition method, the deposition conditions vary depending on the compound used as the material of the hole injection layer, the structure and the thermal characteristics of the desired hole injection layer, and the like. In general, A degree of vacuum of 10 &lt; -5 &gt; to 10 &lt; -3 &gt; torr, a deposition rate of 0.01 to 100 A / sec and a film thickness of 100 to 1 mu m.

스핀코팅법에 의하여 정공주입층을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000rpm 내지 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위 에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.When the hole injection layer is formed by the spin coating method, the coating conditions vary depending on the compound used as the material of the hole injection layer, the structure and the thermal properties of the desired hole injection layer, but the coating speed is preferably from about 2000 rpm to 5000 rpm , And the heat treatment temperature for removing the solvent after coating is suitably selected within a temperature range of about 80 캜 to 200 캜.

상기 정공주입층 물질은 전술한 바와 같은 화학식을 갖는 화합물일 수 있다. The hole injection layer material may be a compound having the formula as described above.

또는, 예를 들어, 미국특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 Advanced Material, 6, p.677(1994)에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류인 TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB, 2-TNATA(4,4',4" -tris(N-(2-naphtyl)-N-phenylamino)triphenylamine:4,4 ,4 -트리스(N-(나프틸)-N-페닐아미노)트리페닐아민), 용해성이 있는 전도성 고분자인 Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산) 또는 PEDOT/PSS (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), PANI/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSSOr phthalocyanine compounds such as copper phthalocyanine disclosed in US Pat. No. 4,356,429 or the starburst type amine derivatives described in Advanced Material, 6, p.677 (1994), for example, TCTA, m-MTDATA, m-. MTDAPB, 2-TNATA (4,4 ', 4 "-tris (N- (2-naphtyl) -N-phenylamino) triphenylamine: 4,4,4-tris (N- (naphthyl) -N-phenylamino) Triphenylamine), Pani / DBSA (Polyaniline / Dodecylbenzenesulfonic acid: polyaniline / dodecylbenzenesulfonic acid) or PEDOT / PSS (Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / Poly (4-styrenesulfonate): poly (soluble conductive polymer) 3,4-ethylenedioxythiophene) / poly (4-styrenesulfonate)), PANI / CSA (Polyaniline / Camphor sulfonicacid: polyaniline / camphorsulfonic acid) or PANI / PSS

(Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등과 같은 공지된 정공주입 물질을 사용할 수 있다.
(Polyaniline) / poly (4-styrenesulfonate): polyaniline) / poly (4-styrenesulfonate)) and the like can be used.

상기 정공주입층의 두께는 약 100Å 내지 10000Å, 바람직하게는 100Å 내지 1000Å일 수 있다. 상기 정공주입층의 두께가 100Å 미만인 경우, 정공주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공주입층의 두께가 10000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The thickness of the hole injection layer may be about 100 Å to 10000 Å, preferably 100 Å to 1000 Å. This is because when the thickness of the hole injection layer is less than 100 kV, the hole injection characteristic may be lowered, and when the thickness of the hole injection layer exceeds 10000 kV, the driving voltage may increase.

다르게는, 상기 정공주입층은 진공기상증착법에 의해 형성할 수 있다. 구체적인 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적인 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 예를 들어 DNTPD(N,N-bis-[4-(di-m-tolylamino)phenyl]-N,N -diphenylbiphenyl-4,4 -diamine) 등이 사용될 수 있다.Alternatively, the hole injection layer may be formed by vacuum vapor deposition. Although specific deposition conditions depend on the compound used, they are selected from the range of conditions substantially the same as the formation of a general hole injection layer. For example, DNTPD (N, N-bis- [4- (di-m-tolylamino) phenyl] -N, N-diphenylbiphenyl-4,4-diamine) may be used.

다음으로 상기 정공주입층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공수송층(HTL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀팅법에 의하여 정공수송층을 형성하는 경우, 그 증착조건 및 코팅조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.Next, a hole transport layer (HTL) may be formed on the hole injection layer by using various methods such as vacuum deposition, spin coating, cast, and LB. In the case of forming the hole transporting layer by the vacuum deposition method and the sputtering method, the deposition conditions and the coating conditions vary depending on the compound used, but are generally selected from substantially the same range of conditions as the formation of the hole injection layer.

상기 정공수송층 물질은 전술한 바와 같은 화학식의 화합물을 포함할 수 있다. 또는, 예를 들어, N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등의 카르바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상적인 아민 유도체 등과 같은 공지된 정공수송 물질을 사용할 수 있다.상기 정공수송층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 600Å일 수 있다. 상기 정공수송층의 두께가 50Å 미만인 경우, 정공수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공수송층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The hole transport layer material may comprise a compound of the formula as described above. Or carbazole derivatives such as N-phenylcarbazole, polyvinylcarbazole and the like, N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'- diphenyl- [ Amine having an aromatic condensed ring such as N, N'-tetramethyldisiloxane, -4,4'-diamine (TPD) and N, N'-di (naphthalen- The hole transporting layer may have a thickness of about 50 Å to 1000 Å, preferably 100 Å to 600 Å. When the thickness of the hole transporting layer is less than 50 Å, the hole transporting property may be degraded. When the thickness of the hole transporting layer is more than 1000 Å, the driving voltage may increase.

다음으로 상기 정공수송층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층(EML)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.Next, the light emitting layer EML may be formed on the hole transport layer by using a vacuum deposition method, a spin coating method, a cast method, an LB method, or the like. When the light emitting layer is formed by the vacuum deposition method or the spin coating method, the deposition conditions vary depending on the compound used, but are generally selected from the ranges of conditions substantially the same as those of forming the hole injection layer.

상기 발광층은 전술한 바와 같이 본 발명을 따르는 화학식의 화합물을 포함할 수 있다. 이 때, 화학식의 화합물은 적합한 공지의 호스트 재료와 함께 사용될 수 있거나, 공지의 도펀트 재료와 함께 사용될 수 있다.The light emitting layer may comprise a compound of the formula according to the present invention as described above. At this time, the compounds of the formula can be used together with suitable known host materials or can be used together with known dopant materials.

상기 화학식의 화합물을 단독으로 사용하는 것도 가능하다. 호스트 재료의 경우, 예를 들면, Alq3(tris(8-hydroxy-quinolatealuminium) 또는 CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), 또는 PVK(폴리(n-비닐카바졸)) 등을 사용할 수 있다.
It is also possible to use the compound of the above formula alone. In the case of the host material, for example, Alq3 (tris (8-hydroxy-quinolatealuminium) or CBP (4,4'-N, N'-dicarbazole- ) Can be used.

도펀트 재료의 경우, 형광 도펀트로서는 이데미츠사(Idemitsu사)에서 구입 가능한 IDE102, IDE105 및 하야시바라사에서 구입 가능한 C545T 등을 사용할 수 있으며, 인광 도펀트로서는 적색 인광 도펀트 PtOEP, UDC사의 RD61, 녹색 인광 도판트 Ir(PPy)3(PPy=2-phenylpyridine), 청색 인광 도펀트인 F2Irpic, UDC사의 적색 인광 도펀트 RD 61 등을 사용할 수 있다. MQD(N-methylquinacridone), 쿠마린(Coumarine)유도체 등도 사용할 수 있다.In the case of the dopant material, IDE102, IDE105 and IDE55 available from Idemitsu Co., Ltd. and C545T available from Hayashibara Co., Ltd. can be used. As the phosphorescent dopant, red phosphorescent dopant PtOEP, UDC RD61, green phosphorescent dopant Ir (PPy) 3 (PPy = 2-phenylpyridine), a blue phosphorescent dopant F2Irpic, and a red phosphorescent dopant RD 61 manufactured by UDC. MQD (N-methylquinacridone), coumarine derivatives and the like can also be used.

도핑 농도는 특별히 제한 되지 않으나 통상적으로 호스트100 중량부를 기준으로 하여 상기 도펀트의 함량은 0.01 ~ 15 중량부이다.상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 바람직하게는 200Å 내지 600Å일 수 있다.The doping concentration is not particularly limited, but the content of the dopant is generally 0.01 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight of the host. The thickness of the light emitting layer may be about 100 kPa to 1000 kPa, preferably 200 kPa to 600 kPa.

상기 발광층의 두께가 100Å 미만인 경우, 발광 특성이 저하될 수 있으며, 상기 발광층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.When the thickness of the light emitting layer is less than 100 Å, the light emitting characteristics may be degraded. If the thickness of the light emitting layer is more than 1000 Å, the driving voltage may increase.

발광층에 발광 화합물이 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여, 상기 발광층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 정공저지층(HBL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 정공저지층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 사용가능한 공지의 정공저지재료, 예를 들면 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP 등을 들 수 있다.When a luminescent compound is used together with a phosphorescent dopant in the luminescent layer, a method such as vacuum deposition, spin coating, casting, LB or the like is performed on the luminescent layer to prevent the triplet excitons or holes from diffusing into the electron transporting layer The hole blocking layer HBL can be formed. In the case of forming the hole blocking layer by the vacuum deposition method and the spin coating method, the conditions vary depending on the compound used, but are generally selected from substantially the same range of conditions as the formation of the hole injection layer. Known hole blocking materials that can be used include, for example, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, and BCP.

상기 정공저지층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 300Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 50Å 미만인 경우, 정공저지 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공저지층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.상기 정공저지층이 생략될 경우 도 1b에 도시된 구조를 가지는 유기발광 소자가 얻어진다.The hole blocking layer may have a thickness of about 50 kPa to 1000 kPa, preferably 100 kPa to 300 kPa. If the thickness of the hole blocking layer is less than 50 angstroms, the hole blocking characteristics may be deteriorated. If the thickness of the hole blocking layer exceeds 1000 angstroms, the driving voltage may be increased. An organic light emitting element having the structure shown in FIG. 1B is obtained.

다음으로 전자수송층(ETL)을 진공증착법, 또는 스핀코팅법, 캐스트법 등의 다양한 방법을 이용하여 형성한다.Next, an electron transport layer (ETL) is formed by various methods such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, and a casting method.

진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 전자수송층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 상기 전자수송층 재료는 전자주입전극(Cathode)로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, Balq, PBD등과 같은 공지의 재료를 사용할 수도 있다.
When the electron transport layer is formed by the vacuum deposition method or the spin coating method, the conditions vary depending on the compound used, but are generally selected from the ranges of conditions almost the same as that of the formation of the hole injection layer. The electron transport layer material serves to stably transport electrons injected from an electron injection electrode, and is a quinoline derivative, particularly a known material such as tris (8-quinolinolate) aluminum (Alq3), TAZ, Balq, Materials may also be used.

상기 전자수송층의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 바람직하게는 200Å 내지 500Å일 수 있다. 상기 전자수송층의 두께가 100Å 미만인 경우, 전자수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자수송층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The electron transport layer may have a thickness of about 100 kPa to 1000 kPa, preferably 200 kPa to 500 kPa. When the thickness of the electron transporting layer is less than 100 angstroms, the electron transporting characteristics may be deteriorated. When the thickness of the electron transporting layer exceeds 1000 angstroms, the driving voltage may increase.

또한 전자수송층 상부에 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자주입층(EIL)이 적층될 수 있으며 이는 특별히 재료를 제한하지 않는다.Further, an electron injection layer (EIL), which is a material having a function of facilitating the injection of electrons from the cathode, may be laminated on the electron transporting layer, which is not particularly limited.

전자 주입층으로서는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등과 같은 전자주입층 형성 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.As the electron injection layer, any material known as an electron injection layer forming material such as LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO or the like can be used. The deposition conditions of the electron injection layer vary depending on the compound used, but are generally selected from substantially the same range of conditions as the formation of the hole injection layer.

상기 전자주입층의 두께는 약 1Å 내지 100Å, 바람직하게는 5Å 내지 50Å일 수 있다. 상기 전자주입층의 두께가 1Å 미만인 경우, 전자주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자주입층의 두께가 100Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The thickness of the electron injection layer may be about 1 A to 100 A, preferably 5 A to 50 A. This is because, when the thickness of the electron injection layer is less than 1 kW, the electron injection characteristic may be deteriorated, and when the thickness of the electron injection layer exceeds 100 kW, the driving voltage may increase.

마지막으로 전자주입층 상부에 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 제2전극을 형성할 수 있다.Finally, the second electrode can be formed on the electron injection layer by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like.

상기 제2전극은 캐소드(Cathode)로 사용될 수 있다. 상기 제2전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 들 수 있다. 또한 전면 발광소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 사용한 투과형 캐소드를 사용할 수도 있다.The second electrode may be used as a cathode. As the metal for forming the second electrode, a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a low work function, and a mixture thereof may be used. Specific examples thereof include lithium (Li), magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), magnesium- . Also, a transmissive cathode using ITO or IZO may be used to obtain a front light emitting element.

본 발명의 다른 구현예에 따르는 유기 전계 발광 화합물은 상기 화학식으로 표현될 수 있으며, 보다 구체적으로는 상기 화학식 1 내지 204로 표현될 수 있다. 상기 화합물들에 대한 구체적인 내용은 상술한 유기 발과 소자에 대하여 설명한 부분과 동일하다.
The organic electroluminescent compound according to another embodiment of the present invention may be represented by the above formula, and more specifically, the organic electroluminescent compound represented by the above general formulas (1) to (204). Details of the compounds are the same as those described for the above-mentioned organic feet and devices.

이하에서, 본 발명의 반응예 및 비교예를 구체적으로 예시하지만, 본 발명이 하기의 합성예 및 실시예로 한정되는 것은 아니다. 이하의 반응예에서 중간체 화합물은 최종 생성물의 번호에 일련번호를 추가하는 방식으로 표기한다. 예를 들어, 화합물 1은 화합물 [1] 로 상기 화합물의 중간체 화합물은 [1-1] 등으로 표기한다. 본 명세서에서 화학물의 번호는 화학식의 번호로서 표기한다. 예를 들어, 화학식 1로 표시되는 화합물은 화합물 1로 표기한다
Hereinafter, the reaction examples and comparative examples of the present invention will be specifically illustrated, but the present invention is not limited to the following synthesis examples and examples. In the following reaction examples, the intermediate compounds are indicated by adding the serial number to the final product number. For example, Compound 1 is represented by the compound [1], and the intermediate compound of the above compound is represented by [1-1] or the like. In the present specification, the chemical number is represented by the chemical number. For example, the compound represented by Formula 1 is represented by Compound 1

[반응 예 1] 화합물 [1]의 합성[Reaction Example 1] Synthesis of Compound [1]

Figure pat00229

Figure pat00229

중간체 화합물 [1-1]의 제조Preparation of Intermediate Compound [1-1]

3L 반응플라스크에 무수푸탈산 104.8g (0.708mol) 을 무수 디클로로메탄 1L로 상온 질소 분위기에서 교반한다. 알루미늄 클로라이드 236g (1.77mol)를 천천히 3 번 나누어 첨가한다. 벤조[b]티오펜 100.0g(0.745mol)을 무수 디클로로메탄 300mL 로 녹여 상기 반응액에 천천히 적가시킨다. 상온에서 1시간 교반 후 반응액을 1N 염산 수용액 2L에 붓고 층분리시킨다. 유기층을 포화소금물로 세척 후 유기층 분리한다. 유기층을 무수황산 마그네슘으로 건조하여 여과한다. 여과액은 감압 농축하여 디클로로메탄과 헥산으로 재결정화하여 중간체 화합물 [1-1] 153g (76%)을 제조하였다.In a 3 L reaction flask, 104.8 g (0.708 mol) of phthalic anhydride was stirred in 1 L of anhydrous dichloromethane in a nitrogen atmosphere at room temperature. 236 g (1.77 mol) of aluminum chloride are slowly added in three portions. (0.745 mol) of benzo [b] thiophene were dissolved in 300 mL of anhydrous dichloromethane and slowly dropped into the reaction solution. After stirring at room temperature for 1 hour, the reaction mixture was poured into 2 L of 1N hydrochloric acid aqueous solution and layered. The organic layer is washed with saturated brine and the organic layer is separated. The organic layer is dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from dichloromethane and hexane to obtain 153 g (76%) of intermediate compound [1-1].

중간체 화합물 [1-2]의 제조Preparation of intermediate compound [1-2]

플라스크에 중간체 화합물 [1-1] 100.0g(0.352mol)을 투입하고 폴리인산 1.5L로 100℃에서 3시간 동안 교반한다. 반응액을 상온으로 냉각 후 정제수 3L에 부어 고체화 시킨다. 고체를 디클로로메탄과 메탄올로 재결정화하여 노란색 중간체 화합물 [1-2] 58g (62%)을 제조하였다.
100.0 g (0.352 mol) of the intermediate compound [1-1] was added to the flask, and the mixture was stirred at 100 캜 for 3 hours with 1.5 L of polyphosphoric acid. The reaction solution is cooled to room temperature and poured into 3 L of purified water to solidify it. The solid was recrystallized from dichloromethane and methanol to give 58 g (62%) of yellow intermediate compound [1-2].

중간체 화합물 [1-3] 과 화합물 [1]의 제조Preparation of intermediate compound [1-3] and compound [1]

플라스크에 브로모벤젠 8.17g(52.01mmol)을 무수 테트라히드로퓨란 100mL로 녹인다. 78℃에서 노말 부틸리튬(2.5몰)용액 20.8mL(52.01mmol)를 천천히 적가 시킨다. 동온도에서 중간체 화합물 [1-2] 5.3g(20.80mol)을 투입하고 상온까지 8시간동안 온도를 올린다. 반응액을 포화암모늄 수용액에 200mL에 붓는다. 유기층을 분리하고 포화 소금물로 세척한다. 유기층을 분리하여 무수황산 마그네슘으로 건조하여 여과한다. 여과액을 감압 농축한 중간체 화합물[1-3]을 아세트산 200mL로 교반시킨다. 치아인산나트륨 1수화물 22.0g(0.208mol) 과 요오드화칼륨 17.3g(0.104mol)을 첨가하여 12시간 동안 환류교반한다. 상온으로 냉각하고 생성된 고체를 여과한다. 메탄올로 세척하여 흰색 고체의 목적화합물 [1] 3.0g(37%)을 제조하였다.In a flask, 8.17 g (52.01 mmol) of bromobenzene is dissolved in 100 mL of anhydrous tetrahydrofuran. At 78 ° C, 20.8 mL (52.01 mmol) of a solution of normal butyl lithium (2.5 mol) is slowly added dropwise. At the same temperature, 5.3 g (20.80 mol) of the intermediate compound [1-2] are added and the temperature is raised to room temperature for 8 hours. The reaction solution was poured into 200 mL of a saturated aqueous ammonium solution. The organic layer is separated and washed with saturated brine. The organic layer is separated, dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The intermediate compound [1-3] obtained by concentrating the filtrate under reduced pressure is stirred with 200 mL of acetic acid. 22.0 g (0.208 mol) of sodium hypophosphite monohydrate and 17.3 g (0.104 mol) of potassium iodide were added, and the mixture was refluxed and stirred for 12 hours. Cool to room temperature and filter the resulting solid. And washed with methanol to prepare 3.0 g (37%) of the target compound [1] as a white solid.

[반응 예 2] 화합물 [23]의 합성[Reaction Example 2] Synthesis of Compound [23]

Figure pat00230

Figure pat00230

중간체 화합물 [23-1]의 제조Preparation of intermediate compound [23-1]

3L 플라스크에 중간체 화합물 [1-1] 100g (0.352mol), 아연 분말 230g(3.52mol), 수산화나트륨140.8g(3.52mol)을 투입하고 디에틸렌글리콜 1.5L 로 150℃에서 12시간 동안 교반한다. 반응온도를 상온으로 냉각 후 규조토에 여과한다. 여과액을 1N 염산 수용액으로 산성화시켜 고체를 여과한다. 컬럼크로마토그라프로 분리 정제하여 흰색 고체의 중간체 화합물[23-1] 69g(73%)을 제조하였다.
100 g (0.352 mol) of the intermediate compound [1-1], 230 g (3.52 mol) of zinc powder and 140.8 g (3.52 mol) of sodium hydroxide were put in a 3 L flask and stirred at 150 캜 for 12 hours with 1.5 L of diethylene glycol. The reaction temperature is cooled to room temperature and then filtered through diatomaceous earth. The filtrate is acidified with a 1N aqueous hydrochloric acid solution and the solid is filtered off. Separation and purification by column chromatography gave 69 g (73%) of an intermediate compound [23-1] as a white solid.

중간체 화합물 [23-2]의 제조Preparation of intermediate compound [23-2]

중간체 화합물[23-2] 69g(0.257mol)을 메탄 술폰산 500mL 로 약 60℃에서 4시간 동안 교반후 상온으로 냉각한다. 반응액을 물 1L에 부어 고체화시킨다. 갈색고체를 디클로로메탄과 메탄올로 재결정화하고 컬럼크로마토그라프로 분리정제하여 흰색 고체의 중간체 화합물 [23-2] 35g(54%)을 제조하였다.
69 g (0.257 mol) of the intermediate compound [23-2] are stirred in 500 ml of methanesulfonic acid at about 60 ° C for 4 hours, and then cooled to room temperature. The reaction solution is poured into 1 L of water and solidified. The brown solid was recrystallized from dichloromethane and methanol and then separated and purified by column chromatography to obtain 35 g (54%) of intermediate compound [23-2] as a white solid.

중간체 화합물 [23-3]의 제조Preparation of Intermediate Compound [23-3]

250mL 삼구 반응플라스크에 2-브로모트리페닐렌 18.4g(59.92mmol), 마그네슘 1.45g (59.92mmol), 1,2-디브로모에탄 0.1mL를 투입하고 질소 분위기에서 4시간 환류교반시킨다. 반응액을 상온으로 냉각시키고 중간체 화합물 [23-2] 5.0g (19.97mmol)을 첨가시킨다. 반응온도를 승온하여 12시간 동안 환류 교반시킨다. 상온으로 냉각하여 반응액을 1N 염산 수용액에 붓고 에틸아세테이트로 추출한다. 유기층 분리 후 디클로로메탄과 메탄올로 재결정화하여 흰색 고체의 중간체 화합물 [23-3] 5.5g(60%)을 제조하였다.
18.4 g (59.92 mmol) of 2-bromotriphenylene, 1.45 g (59.92 mmol) of magnesium and 0.1 mL of 1,2-dibromoethane were charged into a 250 mL three-neck reaction flask and refluxed under nitrogen atmosphere for 4 hours. The reaction solution was cooled to room temperature and 5.0 g (19.97 mmol) of the intermediate compound [23-2] was added. The reaction temperature is raised and refluxed for 12 hours. After cooling to room temperature, the reaction mixture was poured into 1N aqueous hydrochloric acid solution and extracted with ethyl acetate. The organic layer was separated and recrystallized from dichloromethane and methanol to obtain 5.5 g (60%) of an intermediate compound [23-3] as a white solid.

중간체 화합물 [23-4]의 제조Preparation of intermediate compound [23-4]

250mL 삼구 반응플라스크에 중간체 화합물 [23-3] 5.0g (10.85mmol), N-브로모석시니미드2.31g (13.03mmol)을 디메틸포름아미드 100mL 로 5시간 동안 교반한다. 반응액을 정제수에 부어 고체화 시킨다. 고체를 여과하고 디클로로메탄과 메탄올로 재결정화하여 중간체 화합물 [23-4] 4.5g(77%)을 제조하였다.
5.0 g (10.85 mmol) of the intermediate compound [23-3] and 2.31 g (13.03 mmol) of N-bromosuccinimide are stirred in 100 mL of dimethylformamide for 5 hours. The reaction solution is poured into purified water to solidify. The solid was filtered and recrystallized from dichloromethane and methanol to yield 4.5 g (77%) of the intermediate compound [23-4].

화합물 [23]의 제조Preparation of compound [23]

250mL삼구 반응플라스크에 중간체 화합물 [23-4]] 4.5g (8.34mmol), 2-나프틸보론산1.72g (10.0mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 192mg(0.17mmol), 탄산칼륨 (K2CO3) 1.73g (12.51mmol) 을 투입하고 질소기류하에서 1,4-디옥산100mL , 정제수 10mL 로 12시간 동안 환류 교반시킨다. 반응종결 후 실온까지 천천히 냉각한 다음 반응액을 여과한다. 여과된 고체는 정제수와 메탄올로 세척하고 디클로로메탄과 메탄올로 재결정화하여 흰색 고체의 목적 화합물[23] 3.5g(72%)를 제조하였다.
(8.34 mmol) of intermediate compound [23-4]], 1.72 g (10.0 mmol) of 2-naphthylboronic acid, 192 mg (0.17 mmol) of tetrakis (triphenylphosphine) palladium, (12.51 mmol) of potassium carbonate (K 2 CO 3 ), and the mixture was stirred under reflux for 12 hours with 100 mL of 1,4-dioxane and 10 mL of purified water under a nitrogen stream. After completion of the reaction, slowly cool to room temperature, and then filter the reaction solution. The filtered solid was washed with purified water and methanol, and recrystallized from dichloromethane and methanol to give 3.5 g (72%) of the target compound [23] as a white solid.

[반응 예 3] 화합물 [83]과 [84]의 합성[Reaction Example 3] Synthesis of compounds [83] and [84]

Figure pat00231
Figure pat00231

Figure pat00232
Figure pat00232

중간체 화합물 [83-2]의 제조Preparation of Intermediate Compound [83-2]

반응 플라스크에 화합물 [83-1] 50.0g (0.166mol)을 이소프로판올 1L 로 현탁 교반시킨다. 상온에서 소디움보로하이드라이드 15.7g (0.416mol)를 천천히 첨가시킨다. 반응 온도를 승온하여 6시간 동안 환류 교반시킨다. 상온으로 냉각 후 1N 염산 수용액 2L 에 아주 천천히 붓는다. 오렌지 고체를 여과하고 메탄올로 세척한다. 고체를 디클로로메탄과 메탄올로 재결정화하여 중간체 화합물 [83-1] 39.0g (83%)을 제조하였다.
50.0 g (0.166 mol) of the compound [83-1] was suspended and stirred in 1 L of isopropanol in a reaction flask. Slowly add 15.7 g (0.416 mol) of sodium borohydride at room temperature. The reaction temperature is raised to reflux and stir for 6 hours. After cooling to room temperature, it is poured very slowly into 2 L of 1N hydrochloric acid aqueous solution. The orange solid is filtered off and washed with methanol. The solid was recrystallized from dichloromethane and methanol to give 39.0 g (83%) of the intermediate compound [83-1].

화합물 [83]의 제조Preparation of compound [83]

반응 플라스크에 중간체 화합물 [83-2] 39g (0.137mol)을 디글라임 500mL 로 교반시키고 리튬알루미늄하이드라이드 65g (1.715mol)을 여러 번에 걸쳐 천천히 첨가시킨다. 승온하여 160℃로 12시간 동안 가열하고 상온으로 냉각 시킨다. 반응액을 1N 염산 수용액 2L에 천천히 붓고 고체를 여과한다. 정제수로 세척후 디클로로메탄과 메탄올로 재결정화 하여 흰색 고체의 목적 화합물[83] 25g(53%)을 제조하였다.
To the reaction flask, 39 g (0.137 mol) of the intermediate compound [83-2] was stirred with 500 mL of diglyme, and 65 g (1.715 mol) of lithium aluminum hydride was slowly added several times. Heated to 160 DEG C for 12 hours and cooled to room temperature. Slowly pour the reaction solution into 2 L of 1 N aqueous hydrochloric acid solution and filter the solid. After washing with purified water, recrystallization from dichloromethane and methanol gave 25 g (53%) of the target compound [83] as a white solid.

중간체 화합물 [84-1]의 제조Preparation of intermediate compound [84-1]

플라스크에 화합물 [83] 20.0g (58.39mmol)을 무수 테트라히드로퓨란 500mL 로 교반하고 0℃에서 2.5몰-부틸리튬 28.0mL (70.07mmol)을 천천히 적가 시킨다. 동온도에서 트리메틸보레이트 7.81mL(70.07mmol)를 천천히 적가시킨다. 상온까지 10시간 동안 서서히 올리고 반응액을 포화 암모늄 수용액 1L 에 부어 층 분리시킨다. 유기층을 분리하고 포화 소금물 1L로 세척한다. 유기층 분리 후 무수황산 마그네슘으로 건조하여 여과한다. 여액을 감압 농축하여 디클로로메탄과 노말-헥산으로 재결정화하여 흰색 고체의 중간체 화합물 [84-1] 13g (58%)을 제조하였다.
20.0 g (58.39 mmol) of the compound [83] are stirred in 500 ml of anhydrous tetrahydrofuran, and 28.0 ml (70.07 mmol) of 2.5 mol-butyl lithium at 0 ° C is slowly added dropwise to the flask. 7.81 mL (70.07 mmol) of trimethyl borate is slowly added dropwise at the same temperature. The reaction mixture was gradually warmed to room temperature for 10 hours, and the reaction solution was poured into 1 L of a saturated aqueous ammonium solution to separate the layers. The organic layer is separated and washed with 1 L of saturated brine. The organic layer was separated and dried over anhydrous magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated under reduced pressure and recrystallized from dichloromethane and normal-hexane to prepare 13 g (58%) of an intermediate compound [84-1] as a white solid.

화합물 [84]의 제조Preparation of compound [84]

250mL 둥근바닥플라스크에 9-브로모펜안트렌 3.0g (11.67mmol), 중간체 화합물[84-1] 5.4g(14.0mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 270mg(0.233mmol), 2몰-탄산나트륨수용액 10mL, 1,4-디옥산 100mL를 가한 후 질소 분위기에서 10시간 동안 환류교반한다. 상온에서 메탄올을 가하여 결정화 시킨다. 고체를 여과하고 디클로로메탄과 메탄올로 재결정화하여 미색고체의 목적화합물 [84] 3.7g(61%)을 제조 하였다.
(11.67 mmol) of 9-bromophenanthrene, 5.4 g (14.0 mmol) of intermediate compound [84-1], 270 mg (0.233 mmol) of tetrakis (triphenylphosphine) palladium, 10 mL of an aqueous sodium carbonate solution and 100 mL of 1,4-dioxane were added, followed by reflux stirring in a nitrogen atmosphere for 10 hours. Methanol is added at room temperature to crystallize. The solid was filtered and recrystallized from dichloromethane and methanol to give 3.7 g (61%) of the desired compound as an off-white solid [84].

상기 반응예 1, 2, 3의 방법에따라 1내지 204의 화합물을 제조하였으며, 하기 [제1표군(群)]에 그 결과를 나타내었다. Compounds 1 to 204 were prepared according to the methods of Reaction Examples 1, 2 and 3, and the results are shown below in the first group (group).

[제1표군(群)]
[First group (group)]

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Figure pat00234

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Figure pat00245

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비교예 1Comparative Example 1

하기 화학식 a로 표시되는 화합물 a를 호스트로 사용하고, 하기 화학식 b로 표시되는 화합물을 도판트로 사용하고, 2-TNATA(4,4’,4”-tris(N-naphthalen-2-yl)-N-phenylamino)-triphenylamine)을 정공주입층 물질로 사용하고, α-NPD(N,N’-di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenylbenzidine)을 정공수송층 물질로 사용하여, 다음과 같은 구조를 갖는 유기발광소자를 제작하였다: ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/화합물a+화합물b(30nm)/Alq3(30nm)(4,4 ', 4 &quot; -tris (N-naphthalen-2-yl) - &lt; / RTI &gt; N-phenylamino) -triphenylamine was used as a hole injection layer material and α-NPD (N, N'-di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine) (30 nm) / a-NPD (30 nm) / compound a + compound b (30 nm) / Alq3 (30 nm)

/LiF(0.5nm)/ Al(60nm)./ LiF (0.5 nm) / Al (60 nm).

애노드는 코닝(Corning)사의 15Ω/cm2 (1000Å) ITO 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.7mm크기로 잘라서 아세톤, 이소프로필 알콜과 순수물 속에서 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다. 상기 기판 상부에 2-TANATA를 진공 증착하여 80nm 두께의 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 상부에, α-NPD를 진공 증착하여 30nm 두께의 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 화학식 a로 표시되는 화합물 a 및 화학식 b로 표시되는 화합물 b(8% 도핑)를 진공 증착하여 30nm두께의 발광층을 형성하였다. 이후, 상기 발광층 상부에 Alq3 화합물을 30nm의 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF 0.5nm(전자주입층)과 Al 60nm(캐소드)를 순차적으로 진공증착하여, 도 1b에 도시된 바와 같은 유기발광소자를 제조하였다. 이를 비교샘플 1이라고 한다.Anode cuts Corning's 15Ω / cm 2 (1000Å) ITO glass substrate into 50mm x 50mm x 0.7mm size, ultrasonically cleans for 15 minutes in acetone, isopropyl alcohol and pure water, and then UV for 30 minutes. Ozone washed and used. 2-TANATA was vacuum-deposited on the substrate to form a hole injection layer having a thickness of 80 nm. On top of the hole injection layer,? -NPD was vacuum deposited to form a hole transport layer having a thickness of 30 nm. Compound a represented by Formula a and Compound b represented by Formula b (8% doping) were vacuum deposited on the hole transport layer to form a light emitting layer having a thickness of 30 nm. Then, an Alq3 compound was vacuum deposited on the light emitting layer to a thickness of 30 nm to form an electron transporting layer. LiF 0.5 nm (electron injection layer) and Al 60 nm (cathode) were sequentially vacuum deposited on the electron transport layer to prepare an organic light emitting device as illustrated in FIG. 1B. This is referred to as Comparative Sample 1.

비교예 2Comparative Example 2

하기 화학식 a로 표시되는 화합물 a를 호스트로 사용하고, 하기 화학식 c로 표시되는 화합물 c을 도판트로 사용하고, 2-TNATA(4,4’,4”-tris(N-naphthalen-2-yl)-N-phenylamino)-triphenylamine)을 정공주입층 물질로 사용하고, α-NPD(N,N’-di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenylbenzidine)을 정공수송층 물질로 사용하여, 다음과 같은 구조를 갖는 유기발광소자를 제작하였다: ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/화합물a+화합물c(30nm)/Alq3(30nm)2-TNATA (4,4 ', 4 "-tris (N-naphthalen-2-yl) -N-phenylamino) -triphenylamine was used as a hole injection layer material and? -NPD (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine was used as a hole transport layer material, (30 nm) / a-NPD (30 nm) / compound a + compound c (30 nm) / Alq3 (30 nm)

/LiF(0.5nm)/ Al(60nm)./ LiF (0.5 nm) / Al (60 nm).

애노드는 코닝(Corning)사의 15Ω/cm2 (1000Å) ITO 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.7mm크기로 잘라서 아세톤, 이소프로필 알콜과 순수물 속에서 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다. 상기 기판 상부에 2-TANATA를 진공 증착하여 80nm 두께의 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 상부에, α-NPD를 진공 증착하여 30nm 두께의 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 화학식 a로 표시되는 화합물 a 및 화학식 c로 표시되는 화합물 c(10% 도핑)를 진공 증착하여 30nm두께의 발광층을 형성하였다. 이후, 상기 발광층 상부에 Alq3 화합물을 30nm의 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF 0.5nm(전자주입층)과 Al 60nm(캐소드)를 순차적으로 진공증착하여, 도 1b에 도시된 바와 같은 유기발광소자를 제조하였다. 이를 비교샘플 2이라고 한다.Anode cuts Corning's 15Ω / cm 2 (1000Å) ITO glass substrate into 50mm x 50mm x 0.7mm size, ultrasonically cleans for 15 minutes in acetone, isopropyl alcohol and pure water, and then UV for 30 minutes. Ozone washed and used. 2-TANATA was vacuum-deposited on the substrate to form a hole injection layer having a thickness of 80 nm. On top of the hole injection layer,? -NPD was vacuum deposited to form a hole transport layer having a thickness of 30 nm. Compound (a) represented by formula (a) and compound c (10% doped) represented by formula (c) were vacuum deposited on the hole transport layer to form a 30 nm thick light emitting layer. Then, an Alq3 compound was vacuum deposited on the light emitting layer to a thickness of 30 nm to form an electron transporting layer. LiF 0.5 nm (electron injection layer) and Al 60 nm (cathode) were sequentially vacuum deposited on the electron transport layer to prepare an organic light emitting device as illustrated in FIG. 1B. This is referred to as Comparative Sample 2.

비교예 3Comparative Example 3

하기 화학식 a로 표시되는 화합물 a를 호스트로 사용하고, 하기 화학식 d로 표시되는 화합물 d를 도판트로 사용하고, 2-TNATA(4,4’,4”-tris(N-naphthalen-2-yl)-N-phenylamino)-triphenylamine)을 정공주입층 물질로 사용하고, α-NPD(N,N’-di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenylbenzidine)을 정공수송층 물질로 사용하여, 다음과 같은 구조를 갖는 유기발광소자를 제작하였다: ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/화합물a+화합물d(30nm)/Alq3(30nm)2-TNATA (4,4 ', 4 "-tris (N-naphthalen-2-yl) thiophene) is used as a host by using a compound represented by the formula -N-phenylamino) -triphenylamine was used as a hole injection layer material and? -NPD (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine was used as a hole transport layer material, (30 nm) / a-NPD (30 nm) / compound a + compound d (30 nm) / Alq3 (30 nm)

/LiF(0.5nm)/ Al(60nm)./ LiF (0.5 nm) / Al (60 nm).

애노드는 코닝(Corning)사의 15Ω/cm2 (1000Å) ITO 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.7mm크기로 잘라서 아세톤, 이소프로필 알콜과 순수물 속에서 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다. 상기 기판 상부에 2-TANATA를 진공 증착하여 80nm 두께의 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 상부에, α-NPD를 진공 증착하여 30nm 두께의 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 화학식 a로 표시되는 화합물 a 및 화학식 d로 표시되는 화합물 d(8% 도핑)를 진공 증착하여 30nm두께의 발광층을 형성하였다. 이후, 상기 발광층 상부에 Alq3 화합물을 30nm의 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF 0.5nm(전자주입층)과 Al 60nm(캐소드)를 순차적으로 진공증착하여, 도 1b에 도시된 바와 같은 유기발광소자를 제조하였다. 이를 비교샘플 3이라고 한다.Anode cuts Corning's 15Ω / cm 2 (1000Å) ITO glass substrate into 50mm x 50mm x 0.7mm size, ultrasonically cleans for 15 minutes in acetone, isopropyl alcohol and pure water, and then UV for 30 minutes. Ozone washed and used. 2-TANATA was vacuum-deposited on the substrate to form a hole injection layer having a thickness of 80 nm. On top of the hole injection layer,? -NPD was vacuum deposited to form a hole transport layer having a thickness of 30 nm. Compound (a) represented by Formula (a) and compound d (8% doped) represented by Formula (d) were vacuum deposited on the hole transport layer to form a 30 nm thick light emitting layer. Then, an Alq3 compound was vacuum deposited on the light emitting layer to a thickness of 30 nm to form an electron transporting layer. LiF 0.5 nm (electron injection layer) and Al 60 nm (cathode) were sequentially vacuum deposited on the electron transport layer to prepare an organic light emitting device as illustrated in FIG. 1B. This is called Comparative Sample 3.

본 비교예 및 이하의 비교예 및 실시예들에서는 디오브이사에서 제작한 EL 증착기를 사용하여 소자를 제작하였다.In this comparative example and the following comparative examples and embodiments, devices were fabricated by using an EL evaporator manufactured by DeVoiste.

<화학식 a> <화학식 b>(Formula a) < Formula b >

Figure pat00246
Figure pat00247
Figure pat00246
Figure pat00247

<화학식 c> <화학식 d><Formula c> <Formula d>

Figure pat00248
Figure pat00249

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실시예 1~145Examples 1 to 145

상기 비교예 1 중, 발광층 호스트 화합물로서 화합물 a 대신 상기 합성예에 개시된 화학식 1~204로 표시되는 화합물 1~204중 하나를 발광층 호스트 화합물로 각각 이용한 것을 제외하고는 상기 비교예 1과 동일한 방법으로 ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/[ 호스트 화합물 1~204 중 하나+화합물 b](30nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(60nm)의 구조를 갖는 유기발광소자를 제조하였다. 이를 각각 샘플 1 내지 145이라고 한다.
Except that one of the compounds 1 to 204 represented by the general formulas (1) to (204) shown in the above Synthesis Example was used as the light-emitting layer host compound in place of the compound (a) as the light emitting layer host compound in the above Comparative Example 1 The structure of ITO / 2-TNATA (80 nm) /? -NPD (30 nm) / [one of host compounds 1 to 204 + compound b] (30 nm) / Alq3 (30 nm) / LiF (0.5 nm) / Al Was prepared. These are referred to as Samples 1 to 145, respectively.

평가예 1: 비교샘플 1 및 샘플 1~145의 발광 특성 평가Evaluation Example 1: Evaluation of luminescence characteristics of Comparative Sample 1 and Samples 1 to 145

비교샘플 1 및 샘플 1~145에 대하여, Keithley SMU 235, PR650를 이용하여 발광휘도, 발광효율, 발광피크를 각각 평가하여, 그 결과를 하기 [제2표군(群)]에 나타내었다. 상기 샘플들은 516~525nm 범위에서 녹색 발광피크값을 보여주었다.Comparative Example 1 and Sample 1 to 145 were evaluated for light emission luminance, luminous efficiency and emission peak using Keithley SMU 235 and PR650, respectively, and the results are shown in the following [second group (group)]. The samples showed green emission peak values in the range of 516 to 525 nm.

[제2표군(群)][2nd vote group]

Figure pat00250

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Figure pat00251

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상기 [제2표군(群)]에 보여지는 바와 같이 샘플 1 내지 145은 비교샘플 1에 비하여 향상된 발광 특성을 나타내었다.
Samples 1 to 145 exhibited improved luminescence characteristics as compared to Comparative Sample 1, as shown in the above [second group (s)].

실시예 146~165Examples 146 to 165

상기 비교예 2 중, 발광층 인광 호스트 화합물로서 화합물 a 대신 상기 합성예에 개시된 화학식 10으로 표시되는 화합물 10등의 화합물들을 발광층 호스트 화합물로 각각 이용한 것을 제외하고는 상기 비교예 2와 동일한 방법으로 ITO/2-TNATA(80nm)/α-NPD(30nm)/[ 호스트 화합물 10등중 하나 + 화합물c](30nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(60nm)의 구조를 갖는 유기발광소자를 제조하였다. 이를 각각 샘플 146 내지 165이라고 한다.
In the same manner as in Comparative Example 2, except that the compound (a) as the phosphorescent host compound of the above-mentioned Comparative Example 2 was used instead of the compound (a) Organic luminescence having a structure of 2-TNATA (80 nm) /? -NPD (30 nm) / [one of host compound 10 + compound c] (30 nm) / Alq3 (30 nm) / LiF (0.5 nm) / Al Device. These are referred to as Samples 146 to 165, respectively.

평가예 2: 비교샘플 2 및 샘플 146~165의 발광 특성 평가Evaluation Example 2: Evaluation of luminescence characteristics of Comparative Sample 2 and Samples 146 to 165

비교샘플 2 및 샘플 146~165에 대하여, Keithley SMU 235, PR650를 이용하여 발광휘도, 발광효율, 발광피크를 각각 평가하여, 그 결과를 하기 [제3표]에 나타내었다. 상기 샘플들은 610~616nm 범위에서 적색 발광피크값을 보여주었다.For Comparative Sample 2 and Samples 146 to 165, luminescence brightness, luminescence efficiency, and luminescence peak were evaluated using Keithley SMU 235 and PR650, respectively, and the results are shown in the following [Table 3]. The samples showed red emission peaks in the range of 610-616 nm.

[제3표][Table 3]

Figure pat00256

Figure pat00256

상기 [제3표]에 보여지는 바와 같이 샘플 146 내지 165은 비교샘플 2에 비하여 향상된 발광 특성을 나타내었다.
As shown in [Table 3] above, Samples 146 to 165 exhibited improved luminescence characteristics compared to Comparative Sample 2.

평가예 4: 비교샘플 1 및 샘플 9, 21, 48, 60, 63, 85의 수명특성 평가Evaluation Example 4 Evaluation of Life Characteristics of Comparative Sample 1 and Samples 9, 21, 48, 60, 63, and 85

비교샘플 1 및 샘플 9, 21, 48, 60, 63, 85에 대하여, 수명평가장비(LTS-1004C)를 이용하여 DC모드로 휘도 5000nit를 기준으로 발광의 세기가 최초값의 70%까지 감소하는 시간으로 수명을 평가하여, 그 결과를 하기 [제4표]에 나타내었다.
For the comparative sample 1 and the samples 9, 21, 48, 60, 63, and 85 , the intensity of light emission was reduced to 70% of the initial value based on the luminance 5000nit in the DC mode using the life evaluation equipment (LTS-1004C) The lifetime was evaluated by the time, and the results are shown in the following [Table 4].

Figure pat00257

Figure pat00257

상기 [제4표]에서 보여주는 바와 같이 샘플 9, 21, 48, 60, 63, 85은 비교샘플 1에 비하여 향상된 수명특성을 보여주었다.
Samples 9, 21, 48, 60, 63, and 85 showed improved lifespan characteristics as compared to Comparative Sample 1, as shown in Table 4 above.

이상의 설명에서 통상의 공지된 기술을 생략되어 있으나, 당업자라면 용이하게 이를 추측 및 추론하고 재현할 수 있다.Although the well-known techniques are omitted in the above description, those skilled in the art can easily infer, infer, and reproduce them.

Claims (8)

제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기 광소자로서, 상기 유기막이 하기 화학식 F의 유기 발광화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 광소자:
<화학식 F>
Figure pat00258

상기 화학식 F에서
X는 N, O, S, Si 또는 Se이고,
a1 및 a2는 상기 X에 종속되고, 각각 독립적으로 0(zero), C1-C50알킬기; 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기이고,


A는 H, D, F, C1-C50알킬기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기이고,


R은 방향족 고리 또는 지방족 고리이고,
B1 및 B2는 각각 독립적으로 H, D, F, C1-C50알킬기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기이고,
b1 및 b2는 R이 방향족 고리인 경우 0(zero)이고, R이 지방족 고리인 경우 C1-C50알킬기이며,


R1 및 R2는 각각 독립적으로
H, D, F, C1-C50알킬기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기이거나;
R1 및 R2는 함께 인접하는 고리와 축합(fused) 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리 또는 축합 헤테로방향족 고리를 형성하는 기이다.
A first electrode; A second electrode; And an organic optical device comprising at least one organic film between the first electrode and the second electrode, wherein the organic film comprises an organic light emitting compound of Formula F:
<Formula F>
Figure pat00258

In Formula F
X is N, O, S, Si or Se,
a1 and a2 are each dependent on X, and each independently 0 (zero), a C1-C50 alkyl group; A substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group,


A is H, D, F, C1-C50 alkyl group, C1-C50 alkoxy group, C1-C50 ketone group, silane group, substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group, substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group , A substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group,


R is an aromatic ring or an aliphatic ring,
B1 and B2 are each independently H, D, F, C1-C50 alkyl group, C1-C50 alkoxy group, C1-C50 ketone group, silane group, substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group, substituted or unsubstituted C2 -C50 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, or substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group,
b1 and b2 are zero when R is an aromatic ring, C1-C50 alkyl group when R is an aliphatic ring,


R1 and R2 are each independently
H, D, F, C1-C50 alkyl group, C1-C50 alkoxy group, C1-C50 ketone group, silane group, substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group, substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group, substituted Or an unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group;
R1 and R2 together form a fused aliphatic ring, a condensed aromatic ring, a condensed heteroaliphatic ring or a condensed heteroaromatic ring together with the adjacent ring.
제 1 항에 있어서,
상기 화학식 F는 하기 화학식 F1 내지 F11의 유기 발광화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 광소자:
<화학식 F1>
Figure pat00259

<화학식 F2>
Figure pat00260

<화학식 F3>
Figure pat00261

<화학식 F4>
Figure pat00262

<화학식 F5>
Figure pat00263

<화학식 F6>
Figure pat00264

<화학식 F7>
Figure pat00265

<화학식 F8>
Figure pat00266

<화학식 F9>
Figure pat00267

<화학식 F10>
Figure pat00268

<화학식 F11>
Figure pat00269



상기 화학식 F1 내지 F11 각각에서
A는 H, D, F, C1-C50알킬기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기이고,


B1 및 B2는 각각 독립적으로 H, D, F, C1-C50알킬기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기이고,


상기 화학식 F1에서
X1 및 X2는 각각 C(carbon) 또는 N이고,
D1 및 D2는 각각 H, D, F 중 어느 하나이고,


상기 화학식 F4 또는 F10에서
D는 인접하는 고리와 축합(fused) 방향족 고리, 축합 헤테로방향족 고리를 형성하는 기이다.
The method of claim 1,
Formula F is any one of the organic light emitting compounds of Formula F1 to F11:
<Formula F1>
Figure pat00259

<Formula F2>
Figure pat00260

<Formula F3>
Figure pat00261

<Formula F4>
Figure pat00262

<Formula F5>
Figure pat00263

<Formula F6>
Figure pat00264

<Formula F7>
Figure pat00265

<Formula F8>
Figure pat00266

<Formula F9>
Figure pat00267

<Formula F10>
Figure pat00268

<Formula F11>
Figure pat00269



In each of Formulas F1 to F11
A is H, D, F, C1-C50 alkyl group, C1-C50 alkoxy group, C1-C50 ketone group, silane group, substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group, substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group , A substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group,


B1 and B2 are each independently H, D, F, C1-C50 alkyl group, C1-C50 alkoxy group, C1-C50 ketone group, silane group, substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group, substituted or unsubstituted C2 -C50 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, or substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group,


In Formula F1,
X1 and X2 are each C (carbon) or N,
D1 and D2 are any one of H, D and F,


In Formula F4 or F10
D is a group forming an adjacent ring and a fused aromatic ring, a condensed hetero aromatic ring.
제 1 항에 있어서
상기 아릴기, 헤테로아릴기, 사이클로알킬기 및 헤테로사이클로알킬기의 치환기가,
C1-C50알킬기; C1-C50알콕시기; 비치환 또는 C1-C50알킬기 또는 C1-C50알콕시기로 치환된 C6-C50아릴기; 비치환 또는 C1-C50알킬기 또는 C1-C50알콕시기로 치환된 C2-C50헤테로아릴기; 비치환 또는 C1-C50알킬기 또는 C1-C50알콕시기로 치환된 C5-C50사이클로알킬기; 비치환 또는 C1-C20알킬기 또는 C1-C20알콕시기로 치환된 C5-C50헤테로사이클로알킬기; 또는 실레인기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기인 것을 특징으로 하는 유기 광소자.
The method of claim 1, wherein
Substituents of the aryl group, heteroaryl group, cycloalkyl group and heterocycloalkyl group,
A C1-C50 alkyl group; C1-C50 alkoxy group; A C6-C50 aryl group unsubstituted or substituted with a C1-C50 alkyl group or a C1-C50 alkoxy group; C2-C50 heteroaryl group unsubstituted or substituted with a C1-C50 alkyl group or a C1-C50 alkoxy group; A C5-C50 cycloalkyl group unsubstituted or substituted by a C1-C50 alkyl group or a C1-C50 alkoxy group; C5-C50 heterocycloalkyl group which is unsubstituted or substituted with a C1-C20 alkyl group or a C1-C20 alkoxy group; Or one or more substituents selected from the group consisting of a silane group.
제 1 항에 있어서,
상기 아릴기, 헤테로아릴기, 사이클로알킬기 및 헤테로사이클로알킬기는
H, D, F, 페닐기, 톨일기, 비페닐기, 펜타레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 비페닐레닐기, 안트라세닐기, 벤조안트라세닐기, 아즈레닐기, 헵타레닐기, 아세나프틸레닐기, 페나레닐기, 메틸안트릴기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피레닐기, 크리세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 클로로페릴레닐기, 펜타페닐기, 펜타세닐기, 테트라페닐레닐기, 헥사페닐기, 헥사세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 트리나프틸레닐기, 헵타페닐기, 헵타세닐기, 플루오레닐기, 피란트레닐기, 오바레닐기, 카르바졸릴기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 티오페닐기, 인돌일기, 푸리닐기, 벤즈이미다졸일기, 퀴놀리닐기, 벤조티오페닐기, 파라티아지닐기, 피롤일기, 피라졸릴기, 이미다졸릴기, 이미다졸리닐기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 트리아졸릴기, 테트라졸일기, 옥사디아졸릴기, 피리디닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 티안트레닐기(thianthrenyl), 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 옥시라닐기, 피롤리디닐기, 피라졸리디닐기, 이미다졸리디닐기, 피페리디닐기, 피페라지닐기, 모르폴리닐기, 디(C6-C50아릴)아미노기, 실레인기 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 광소자.
The method of claim 1,
The aryl group, heteroaryl group, cycloalkyl group and heterocycloalkyl group
A substituted or unsubstituted heterocyclic group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group, A phenanthryl group, a phenanthrenyl group, a triphenylenyl group, a pyrenyl group, a chrysenyl group, a picenyl group, a perylenyl group, a chloroperylenyl group, a pentaphenyl group, a pentacenyl group, a tetraphenylenyl group A heptadecenyl group, a fluorenyl group, a pyranthrenyl group, an obenyl group, a carbazolyl group, a dibenzofuranyl group, A thiophenyl group, a dibenzothiophenyl group, a thiophenyl group, an indolyl group, a purinyl group, a benzimidazolyl group, a quinolizinyl group, a benzothiophenyl group, a parathiazinyl group, a pyrrolyl group, a pyrazolyl group, an imidazolyl group, A thiazolyl group, a triazolyl group, a tetrazolyl group, an oxadiazolyl group, , Pyridinyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, thianthrenyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, oxiranyl group, pyrrolidinyl group, pyrazolidinyl group, imidazoli (C6-C50 aryl) amino group, silyl group, and derivatives thereof, wherein the substituent group has at least one substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a cyano group, a cyano group, a cyano group, a diethyl group, a piperidinyl group, a piperazinyl group, a morpholinyl group,
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유기 발광화합물이 하기 화학식 1 내지 204로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기 광소자:
Figure pat00270



Figure pat00271

Figure pat00272



Figure pat00273



Figure pat00274



Figure pat00275

Figure pat00276



Figure pat00277

Figure pat00278



Figure pat00279



Figure pat00280



Figure pat00281



Figure pat00282

Figure pat00283



Figure pat00284



Figure pat00285
The method according to any one of claims 1 to 4,
An organic optical device characterized in that the organic light emitting compound is represented by the formula 1 to 204:
Figure pat00270



Figure pat00271

Figure pat00272



Figure pat00273



Figure pat00274



Figure pat00275

Figure pat00276



Figure pat00277

Figure pat00278



Figure pat00279



Figure pat00280



Figure pat00281



Figure pat00282

Figure pat00283



Figure pat00284



Figure pat00285
하기 화학식 화학식 F로 표시되는 유기 발광화합물:
<화학식 F>
Figure pat00286

상기 화학식 F에서
X는 N, O, S, Si 또는 Se이고,
a1 및 a2는 상기 X에 종속되고, 각각 독립적으로 0(zero), C1-C50알킬기; 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기이고,


A는 H, D, F, C1-C50알킬기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기이고,


R은 방향족 고리 또는 지방족 고리이고,
B1 및 B2는 각각 독립적으로 H, D, F, C1-C50알킬기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기이고,
b1 및 b2는 R이 방향족 고리인 경우 0(zero)이고, R이 지방족 고리인 경우 C1-C50알킬기이며,


R1 및 R2는 각각 독립적으로
H, D, F, C1-C50알킬기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기이거나;
R1 및 R2는 함께 인접하는 고리와 축합(fused) 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리 또는 축합 헤테로방향족 고리를 형성하는 기이다.
An organic light emitting compound represented by Chemical Formula F:
<Formula F>
Figure pat00286

In Formula F
X is N, O, S, Si or Se,
a1 and a2 are each dependent on X, and each independently 0 (zero), a C1-C50 alkyl group; A substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group,


A is H, D, F, C1-C50 alkyl group, C1-C50 alkoxy group, C1-C50 ketone group, silane group, substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group, substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group , A substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group,


R is an aromatic ring or an aliphatic ring,
B1 and B2 are each independently H, D, F, C1-C50 alkyl group, C1-C50 alkoxy group, C1-C50 ketone group, silane group, substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group, substituted or unsubstituted C2 -C50 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, or substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group,
b1 and b2 are zero when R is an aromatic ring, C1-C50 alkyl group when R is an aliphatic ring,


R1 and R2 are each independently
H, D, F, C1-C50 alkyl group, C1-C50 alkoxy group, C1-C50 ketone group, silane group, substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group, substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group, substituted Or an unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group;
R1 and R2 together form a fused aliphatic ring, a condensed aromatic ring, a condensed heteroaliphatic ring or a condensed heteroaromatic ring together with the adjacent ring.
제 6 항에 있어서,
상기 화학식 F는 하기 화학식 F1 내지 F11의 유기 발광화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 발광화합물:
<화학식 F1>
Figure pat00287

<화학식 F2>
Figure pat00288

<화학식 F3>
Figure pat00289

<화학식 F4>
Figure pat00290

<화학식 F5>
Figure pat00291

<화학식 F6>
Figure pat00292

<화학식 F7>
Figure pat00293

<화학식 F8>

<화학식 F9>
Figure pat00295

<화학식 F10>
Figure pat00296

<화학식 F11>
Figure pat00297



상기 화학식 F1 내지 F11 각각에서
A는 H, D, F, C1-C50알킬기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기이고,


B1 및 B2는 각각 독립적으로 H, D, F, C1-C50알킬기, C1-C50알콕시기, C1-C50케톤기, 실레인기, 치환 또는 비치환된 C6-C50아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C50사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C50헤테로사이클로알킬기이고,


상기 화학식 F1에서
X1 및 X2는 각각 C(carbon) 또는 N이고,
D1 및 D2는 각각 H, D, F 중 어느 하나이고,


상기 화학식 F4 또는 F10에서
D는 인접하는 고리와 축합(fused) 방향족 고리, 축합 헤테로방향족 고리를 형성하는 기이다.
The method according to claim 6,
Formula F is an organic light emitting compound, characterized in that any one of the following organic light emitting compounds of formula F1 to F11:
<Formula F1>
Figure pat00287

<Formula F2>
Figure pat00288

<Formula F3>
Figure pat00289

<Formula F4>
Figure pat00290

<Formula F5>
Figure pat00291

<Formula F6>
Figure pat00292

<Formula F7>
Figure pat00293

<Formula F8>

<Formula F9>
Figure pat00295

<Formula F10>
Figure pat00296

<Formula F11>
Figure pat00297



In each of Formulas F1 to F11
A is H, D, F, C1-C50 alkyl group, C1-C50 alkoxy group, C1-C50 ketone group, silane group, substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group, substituted or unsubstituted C2-C50 heteroaryl group , A substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group,


B1 and B2 are each independently H, D, F, C1-C50 alkyl group, C1-C50 alkoxy group, C1-C50 ketone group, silane group, substituted or unsubstituted C6-C50 aryl group, substituted or unsubstituted C2 -C50 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C2-C50 cycloalkyl group, or substituted or unsubstituted C2-C50 heterocycloalkyl group,


In Formula F1,
X1 and X2 are each C (carbon) or N,
D1 and D2 are any one of H, D and F,


In Formula F4 or F10
D is a group forming an adjacent ring and a fused aromatic ring, a condensed hetero aromatic ring.
제 6 항에 있어서,
상기 유기 발광화합물이 하기 화학식 1 내지 204로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기 발광화합물:
Figure pat00298



Figure pat00299

Figure pat00300



Figure pat00301



Figure pat00302



Figure pat00303

Figure pat00304



Figure pat00305

Figure pat00306



Figure pat00307



Figure pat00308



Figure pat00309



Figure pat00310

Figure pat00311



Figure pat00312



Figure pat00313
The method according to claim 6,
An organic light emitting compound, characterized in that the organic light emitting compound is represented by the formula 1 to 204:
Figure pat00298



Figure pat00299

Figure pat00300



Figure pat00301



Figure pat00302



Figure pat00303

Figure pat00304



Figure pat00305

Figure pat00306



Figure pat00307



Figure pat00308



Figure pat00309



Figure pat00310

Figure pat00311



Figure pat00312



Figure pat00313
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