KR20140023076A - 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비 - Google Patents

멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비 Download PDF

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KR20140023076A
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Abstract

본 발명은 반도체 공정장비에 관한 것으로 보다 상세하게는, 반도체 공정을 수행하는 반응모듈을 적층하여 타워형의 반응챔버에 설치하고, 이러한 반응챔버를 웨이퍼를 이송하는 이송로봇이 설치되는 로드락챔버의 외주면에 다수개가 연결되도록 설치함으로써, 반도체 공정 효율을 향상할 수 있는 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은, 내부에 웨이퍼를 이송하기 위한 이송로봇이 설치되는 로드락챔버와, 상기 로드락챔버의 일측에 설치되어 웨이퍼 이송장치에 의해 이송된 웨이퍼를 전처리하여 상기 로드락챔버로 공급하는 버퍼챔버 및 상기 로드락챔버에 연결되며, 상기 로드락챔버의 내부와 연결되어 상기 웨이퍼의 반입 및 반출이 가능한 출입구가 높이 방향을 따라 복수개로 형성되고, 내부에는 상기 출입구를 통해 반입되는 웨이퍼를 공급받아 화학기상증착 공정을 수행하는 복수의 반응모듈이 구비되는 반응챔버를 포함한다.

Description

멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비{DEVICE OF MULTI-LAMINATE TYPE WITH CVD OR ETCHER}
본 발명은 반도체 공정장비 장치에 관한 것으로 보다 상세하게는, 반도체 공정을 수행하는 반응모듈을 적층하여 타워형의 반응챔버에 설치하고, 이러한 반응챔버를 웨이퍼를 이송하는 이송로봇이 설치되는 로드락챔버의 외주면에 다수개가 연결되도록 설치함으로써, 반도체 공정 효율을 향상할 수 있는 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비에 관한 것이다.
화학기상증착장치(Chemical Vapor Deposition ,CVD)는 반도체 웨이퍼의 표면에 박막을 증착하기 위하여 사용되는 것으로써, 가스 공급부를 통하여 챔버 내부에 공정가스를 주입하여 서셉터(Susceptor)에 놓이는 웨이퍼에 원하는 막질을 증착시키는 것이다.
박막의 증착은 다양한 기술, 화학적 증착 및 물리적 증착 등을 포함하는 가장 일반적인 기술에 의해 달성될 수 있다.
화학적 증착은 플레이팅(plating), 화학 용액 증착(chemical solution deposition, CSD) 및 화학 증기 장착(CVD) 등의 방법이 널리 이용되고 있다. 플레이팅 및 CSD는 일반적으로 용액 화학 전구체를 이용하는 반면에, CVD는 일반적으로 가스 화학 전구체를 이용하며, 이러한 기술은 대기 압력 또는 진공 상태 하에서 행해진다.
물리적 증착은 열 증발, 스퍼터링(sputtering), 펄스형 레이저 증착 및 캐소드 아크 증착(cathodic arc deposition) 등이 있으며, 이러한 물리적 증착 기술은 바람직한 박막 재료를 증착하기 위하여 일반적으로 진공 상태를 이용한다.
화학적 증착의 경우에는 CVD가 가장 일반적으로 이용되고, 물리적 증착의 경우에는 스퍼터링이 가장 일반적으로 이용 된다.
상기 CVD는 일반적으로 전구체 가스가 기질 표면에 고착 또는 부착될 수 있도록 하기 위해 에너지원을 필요로 하며, 이러한 에너지원이 없다면 표면에 대한 고착이 발생하지 않게 된다.
예를 들면, 열분해(pyrolytic) CVD 프로세스에서 박막 코팅이 편평한 유리 기질 상에 되기 위해서는 유리 기질이 가열되는 것이 일반적이다. 가열된 유리 기질은 CVD 에너지원으로 작용하여, 전구체 가스가 가열된 유리 기질과 접촉할 때 전구체 가스가 고온의 유리 표면에 부착된다. 또한, 가열된 표면은 전구체 가스가 화학적으로 반응하여 최후 박막 코팅 구성을 형성하도록 하는데 필요한 에너지를 제공한다.
또한, 상기 가열된 표면은 플라즈마가 플라즈마 강화(plasma enhanced) CVD, 또는 PECVD로 알려진 CVD 타입 프로세스의 에너지원으로 작용할 수 있다. 플라즈마는 부분적으로 이온화된 가스 및 자유 전자로 구성되고, 각각의 구성은 다소 독립적으로 이동 능력을 가진다. 이러한 독립적 움직임은 플라즈마가 전기적으로 전도성을 가짐으로서 전자기장에 반응할 수 있게 된다.
이러한 전기 전도성은 PECVD 프로세스에 종래의 화학적 물리적 증착 기술에 대비 다양한 장점을 제공한다.
상기 PECVD 프로세스에서, 증착 재료는 전구체 가스로부터 도출되는데, 이러한 전구체 가스의 예는 통상의 기술자에게 널리 알려진 공지의 기술이다. 예를 들면, 실리콘계 박막이 증착되게 되면, 일반적인 전구체 가스는 실란(silane), SiH4이 사용된다. SiH4가 플라즈마 소스가 될 때, 플라즈마는 가열된 표면과 반응하여 고체층에서 부착되는 지점까지 실란 분자의 에너지 준위를 높이도록 작용한다.
더욱 상세하게는, 상기 SiH4이 이온화되어 전자는 높은 에너지 준위로 이동하고, 이후에 수소 원자 이탈에 의해 달성된다. 이와 같이, 이온화된 분자는 반응 부위를 가지게 되어 산소와 같은 반응성 가스가 존재할 때 SiO2의 박막을 용이하게 형성할 수 있게 되는 것이다.
이처럼, 상기 PECVD에 의해 증착될 수 있는 박막의 형태는 투명 전도성 산화물 박막 코팅, 태양 제어 및 광학 박막 코팅, 및 반도체 박막 코팅 등 다양한 분야에서 이용될 수 있는 증착방법이다.
이와 관련한 선행기술로는 국내공개특허공보 제2011-0109216호(유도 결합형 플라즈마 소스형 샤워 헤드를 가지는 화학기상 증착 장치, 2011.10.06. 공개)가 있다.
본 발명은 웨이퍼를 이송하는 이송로봇이 설치되는 로드락챔버에 복수개의 반응챔버가 연결되도록 하되, 상기 반응챔버의 내부에는 웨이퍼에 반도체 공정을 수행하는 반응모듈이 복수개로 적층되어 설치되어 반도체 공정 효율을 향상시킬 수 있는 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비를 제공하는데 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 이송로봇은 웨이퍼 이송 장치(EFEM)로부터 공급되는 웨이퍼를 취부하여 로드락챔버 내에서 300도 회전 가능하면서, 상하로 승하강 가능하여 타워형의 반응챔버 내부에 적층되어 설치되는 복수의 반응모듈에 웨이퍼를 공급할 수 있는 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비를 제공하는데 있다.
또한, 상기 로드락챔버 내에서 웨이퍼 이송시, 상기 로드락챔버 내부에 질소를 충전함으로서 상기 웨이퍼에 산화막이 형성되어 품질이 저하되는 것을 방지하는 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비를 제공하는데 목적이 있다.
그리고 본 발명은, 상기 반응챔버 내부에서 적층되게 설치되는 반응모듈이 로드락챔버에 형성되어 상기 반응모듈로 웨이퍼를 반입 및 반출하는 출입구에 개별적으로 결합 및 분리 가능하여 이상이 발생한 반응모듈은 반도체 공정에서 배제가 가능한 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비를 제공하는데 목적이 있다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위하여,
본 발명은 내부에 웨이퍼를 이송하기 위한 이송로봇이 설치되는 로드락챔버와, 상기 로드락챔버의 일측에 설치되어 웨이퍼 이송장치에 의해 이송된 웨이퍼를 전처리하여 상기 로드락챔버로 공급하는 버퍼챔버 및 상기 로드락챔버에 연결되며, 상기 로드락챔버의 내부와 연결되어 상기 웨이퍼의 반입 및 반출이 가능한 출입구가 높이 방향을 따라 복수개로 형성되고, 내부에는 상기 출입구를 통해 반입되는 웨이퍼를 공급받아 화학기상증착 공정을 수행하는 복수의 반응모듈이 구비되는 반응챔버를 포함한다.
상기 이송로봇은 상기 로드락챔버의 하부에 배치되는 케이스부와, 상기 케이스부의 상부에 구비되어 상방으로 슬라이딩 되는 승하강부와, 상기 승하강부의 상단에서 회동 가능하게 구비되는 베이스부와, 다수의 관절이 형성되어 일단이 상기 베이스부에 회동 가능하게 결합되는 암부와, 상기 암부의 타단에서 회동 가능하게 결합되며, 상기 웨이퍼를 취부하여 이송하는 그립부와, 상기 케이스부의 내부에 설치되어 상기 승하강부와 베이스부 및 암부와 그립부에 구동력을 제공하는 구동수단 및 상기 케이스부의 내부에 설치되어 상기 구동수단을 제어하는 마이컴으로 구성된다.
상기 반응챔버는 그 내부에서 다단으로 배치되어 상기 반응모듈이 거치되는 가이드레일 및 상기 가이드레일의 하부에 설치되어 상기 반응모듈이 출입구에 밀착되도록 고정하는 척을 포함한다.
상기 반응모듈은 상기 가이드레일 상에서 개별적으로 이동 가능하다.
상기 로드락챔버에는 상기 출입구를 개폐하는 도어가 더 구비된다.
상기와 같은 과제의 해결 수단에 의하여,
본 발명은 웨이퍼에 반도체 공정을 수행하는 반응모듈이 하나의 반응챔버 안에 여러 층으로 적층되어 구비됨으로서 생산효율이 향상되며, 단층형이 아닌 적층형(또는 타워형)의 반응챔버를 이용함으로써 반도체 공정장비를 설치하는데 요구되는 면적을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
그리고, 로드락챔버의 내부를 질소와 같은 불활성가스 상태로 조성하여 웨이퍼 이송 중 산화막이 형성되는 것을 방지함으로써 품질이 저하되는 것을 방지하는 효과가 있다.
또한, 여러 개의 반응모듈 중 하나, 또는 일부가 고장 등으로 인해 반도체 공정을 수행할 수 없게 되면, 해당 반응모듈이 접속하고 있던 출입구를 도어로 봉쇄하고, 반응모듈은 출입구로부터 후진이동 시켜서 반도체 공정에서 개별적으로 제외 시키므로 설비의 휴지시간을 절감할 수 있으며, 해당 반응모듈을 즉시 정비하여 다시 반도체 공정에 투입할 수 있어 생산효율이 우수할 뿐만 아니라 유지 및 보수가 용이한 효과가 있다.
한편, 상기 반응챔버 내에서 반응모듈을 고정하는 척의 수직 길이를 단축함으로써 상기 반응챔버의 전체적인 높이를 감소시키는 효과도 있다.
도 1은 본 발명에 따른 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비를 개략적으로 도시한 사시도.
도 2는 본 발명에 따른 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비의 정면을 개략적으로 도시한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비의 평면도.
도 4는 본 발명에 따른 이송로봇의 평면을 도시한 도면.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비의 정면을 개략적으로 도시한 도면이며, 도 3은 본 발명에 따른 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비의 평면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 이송로봇의 평면을 도시한 도면이다.
상기 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비에서 씨브이디(CVD)는 웨이퍼에 화학기상을 증착하는 장비이고, 상기 에처(Etcher)는 식각공정을 수행하는 장비를 의미한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비는 내부에 웨이퍼(W)를 이송하기 위한 이송로봇(400)이 설치되는 로드락챔버(100)와, 상기 로드락챔버(100)의 일측에 설치되어 웨이퍼(W) 이송장치에 의해 이송된 웨이퍼(W)를 예열 또는 냉각 등과 같은 전처리를 하여 상기 로드락챔버(100)로 공급하는 버퍼챔버(200) 및 상기 로드락챔버(100)에 연결되며, 상기 로드락챔버(100)의 내부와 연결되어 상기 웨이퍼(W)의 반입 및 반출이 가능한 출입구(330)가 높이 방향을 따라 복수개로 형성되고, 내부에는 상기 출입구(330)를 통해 반입되는 웨이퍼(W)를 공급받아 화학기상증착 공정을 수행하는 복수의 반응모듈(310)이 구비되는 반응챔버(300)를 포함한다.
상기 웨이퍼(W)는 이송장비인 EFEM(Equipment Front End Module)에 의해 이송되어 상기 버퍼챔버(200)로 공급된다.
상기 버퍼챔버(200)는 상기 웨이퍼(W)에 CVD 증착 공정을 수행하기 전, 또는 후에 급격한 온도변화로 인해 상기 웨이퍼(W)가 훼손되는 것을 방지하기 위한 것이다.
상기 반응챔버(300)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상방으로 연장 형성된 타워형상의 챔버로써, 그 내부에는 상기 웨이퍼(W)에 증착 공정을 수행하는 복수의 반응모듈(310)이 구비된다.
상기 반응모듈(310)은 상기 반응챔버(300)의 내에서 상방으로 일정거리 이격되어 적층되도록 설치된다. 그리고 이와 같은 구성을 위해, 상기 반응챔버(300)의 내부에는 다단으로 배치되어 상기 반응모듈(310)이 거치되는 가이드레일(320)이 구비된다.
상기 가이드레일(320)의 하부에는 상기 반응모듈(310)의 온도를 높이는 히터와 그 히터를 상하로 구동하는 히터 척(340)이 있다. 이 히터 척(340)을 써서 로봇이 반응모듈(310)로 이송할 수도 있고, 또는 반응모듈(310)내의 히터는 고정하고 세라믹 핀(미도시)을 이용하여 이송할 수도 있다. 상부와의 간섭을 방지하기 위해 세라믹 핀을 이용하여 웨이퍼를 이송 할 수도 있다.
상기 웨이퍼(W)에 화학기상증착 공정을 수행하는 반응모듈(310) 및 상기 반응모듈(310)의 히터를 고정하는 척(340)은 공지된 것을 이용함으로써 상세한 설명은 생략하기로 한다.
그리고, 상기 반응모듈(310)은 상기 반응챔버(300) 내의 가이드레일(320)을 따라 상기 출입구(330)에 대하여 전진 및 후진이동 될 수 있는데(도 3 참조), 이는 복수의 반응모듈(310)이 상기 가이드레일(320) 상에서 개별적으로 이동 가능하여 복수의 반응모듈(310) 중 일부가 고장으로 인하여 반도체 공정을 수행할 수 없을 때에는 반도체 공정 수행이 불가능한 반응모듈(310)을 가이드레일(320) 상에서 후진이동 시켜서 반도체 공정 작업에서 해당 반응모듈(310)만 제외시킬 수 있다.
이 때, 상기 출입구(330)를 통해 이물질이 드나들거나, 또는 상기 로드락챔버(100) 내의 가스가 누출될 수 있으므로, 상기 출입구(330)에는 개폐가 가능한 도어(350)가 더 구비될 수 있다.
상기 이송로봇(400)은, 상기 로드락챔버(100)의 하부에 배치되는 케이스부(410)와, 상기 케이스부(410)의 상부에 구비되어 상방으로 슬라이딩 되는 승하강부(420)와, 상기 승하강부(420)의 상단에서 회동 가능하게 구비되는 베이스부(430)와, 다수의 관절이 형성되어 일단이 상기 베이스부(430)에 회동 가능하게 결합되는 암부(440)와, 상기 암부(440)의 타단에서 회동 가능하게 결합되며, 상기 웨이퍼(W)를 취부하여 이송하는 그립부(450)와, 상기 케이스부(410)의 내부에 설치되어 상기 승하강부(420)와 베이스부(430) 및 암부(440)와 그립부(450)에 구동력을 제공하는 구동수단 및 상기 케이스부(410)의 내부에 설치되어 상기 구동수단을 제어하는 마이컴이 구비된다.
상기 승하강부(420)는 상기 승강부의 상단에 위치하는 베이스부(430)와 암부(440) 및 그립부(450)가 상기 버퍼챔버(200)와 여러 층으로 다단 형성되는 반응모듈(310)에 웨이퍼(W)를 용이하게 반입 및 반출시킬 수 있도록 하기 위해 상기 로드락챔버(100) 내에서 충분한 높이로 승강 및 하강 된다.
이를 위하여, 상기 승하강부(420)는 복수의 단으로 형성될 수 있다.
상기 베이스부(430)는 상기 승하강부(420)의 상단에 결합되어 300도의 회전반경으로 회동될 수 있다.
상기 베이스부(430)의 상부에는 다수의 관절이 형성되어 일단이 상기 베이스부(430)에 회동 가능하게 결합되는 암부(440)가 구비된다.
상기 암부(440)의 타단에는 상기 암부(440)의 타단에서 회동 가능하게 결합되며 상기 웨이퍼(W)를 취부할 수 있는 그립부(450)가 구비된다.
즉, 상기 이송로봇(400)은 상기 승하강부(420)에 상기 웨이퍼(W)를 취부할 수 있는 그립부(450)의 높이를 선정하고, 상기 베이스부(430)의 회동에 의해 그립부(450)의 방향을 선정하며, 상기 암부(440)의 관절구동으로 인해 상기 그립부(450)를 로드락챔버(100)의 가장자리에 위치하는 버퍼챔버(200) 또는 출입구(330)로 전진시키거나, 또는 로드락챔버(100)의 중심부로 후진시킬 수 있게 된다(도 4 참조).
상기 구동수단은 케이스부(410)의 내부에 설치되어 상기와 같은 승하강부(420)와 베이스부(430) 및 암부(440)와 그립부(450)에 구동력을 제공하는 것으로, 공압실린더, 모터 등을 이용할 수 있다.
상기 마이컴은 상기 구동수단을 제어하여 궁급적으로는 상기 승하강부(420), 베이스부(430), 암부(440) 및 그립부(450)의 구동을 제어하는 것으로, 상기 마이컴 스스로 제어 여부를 결정하기도 하며, 본 발명에 따른 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비의 외부에서 전송되는 컨트롤 신호를 수신하여 제어할 수 있다.
한편, 상기 로드락챔버(100)는 내부에 질소가스를 충진하여 웨이퍼(W)에 산화막이 형성되는 것을 방지한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비를 이용함으로써 다음과 같은 효과를 수득할 수 있다.
먼저, 웨이퍼(W)에 반도체 공정을 수행하는 반응모듈(310)이 하나의 반응챔버(300) 안에 여러 층으로 적층되어 구비됨으로서 생산효율이 향상되며, 단층형이 아닌 적층형(또는 타워형)의 반응챔버(300)를 이용함으로써 반도체 공정장비를 설치하는데 요구되는 면적을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
그리고, 로드락챔버(100)의 내부를 질소와 같은 불활성가스 상태로 조성하여 웨이퍼(W) 이송 중 산화막이 형성되는 것을 방지함으로써 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있게 된다.
또한, 여러 개의 반응모듈(310) 중 하나, 또는 일부가 고장 등으로 인해 반도체 공정을 수행할 수 없게 되면, 해당 반응모듈(310)이 접속하고 있던 출입구(330)를 도어(350)로 봉쇄하고, 반응모듈(310)은 출입구(330)로부터 후진이동 시켜서 반도체 공정에서 개별적으로 제외시키므로 설비의 휴지시간을 절감할 수 있으며, 해당 반응모듈(310)을 즉시 정비하여 다시 반도체 공정에 투입할 수 있어 생산효율이 우수할 뿐만 아니라 유지 및 보수가 용이한 효과가 있는 것이다.
본 발명의 권리는 상기한 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.
W : 웨이퍼
100 : 로드락챔버 200 : 버퍼챔버
300 : 반응챔버 310 : 반응모듈
320 : 가이드레일 330 : 출입구
340 : 척 350 : 도어
400 : 이송로봇 410 : 케이스부
420 : 승하강부 430 : 베이스부
440 : 암부 450 : 그립부

Claims (8)

  1. 내부에 웨이퍼를 이송하기 위한 이송로봇이 설치되는 로드락챔버;
    상기 로드락챔버의 일측에 설치되어 웨이퍼 이송장치에 의해 이송된 웨이퍼를 전처리하여 상기 로드락챔버로 공급하는 버퍼챔버; 및
    상기 로드락챔버에 연결되며, 상기 로드락챔버의 내부와 연결되어 상기 웨이퍼의 반입 및 반출이 가능한 출입구가 높이 방향을 따라 복수개로 형성되고, 내부에는 상기 출입구를 통해 반입되는 웨이퍼를 공급받아 반도체 공정을 수행하는 복수의 반응모듈이 구비되는 반응챔버;를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 이송로봇은,
    상기 로드락챔버의 하부에 배치되는 케이스부;
    상기 케이스부의 상부에 구비되어 상방으로 슬라이딩 되는 승하강부;
    상기 승하강부의 상단에서 회동 가능하게 연결되는 베이스부;
    다수의 관절이 형성되어 일단이 상기 베이스부에 회동 가능하게 결합되는 암부; 및
    상기 암부의 타단에서 회동 가능하게 결합되며, 상기 웨이퍼를 취부하여 이송하는 그립부;로 구성되는 것을 특징으로 하는 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 이송로봇은,
    상기 케이스부의 내부에 설치되어 상기 승하강부와 베이스부 및 암부와 그립부에 구동력을 제공하는 구동수단; 및
    상기 케이스부의 내부에 설치되어 상기 구동수단을 제어하는 마이컴;이 더 구비될 수 있는 것을 특징으로 하는 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 로드락챔버는,
    내부에 질소가스가 충전되는 것을 특징으로 하는 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 반응챔버는,
    상기 로드락챔버의 외측면에 복수로 설치되는 것을 특징으로 하는 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 반응챔버는,
    상기 반응챔버의 내부에서 다단으로 배치되어 상기 복수의 반응모듈이 거치되는 가이드레일;을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 복수의 반응모듈은,
    상기 가이드레일 상에서 개별적으로 슬라이딩 이동 가능한 것을 특징으로 하는 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 로드락챔버에는,
    상기 출입구를 개폐하는 도어;가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 멀티 적층형 씨브이디, 에처가 구비되는 반도체 공정장비.
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