KR20140020789A - Light emitting device - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 152
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 152
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 55
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
본 발명은 기판 및 발광 소자 상에 밀봉 부재를 구비하는 발광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device having a sealing member on a substrate and a light emitting element.
종래부터, 기판 상에 배치된 발광 소자 등을 구비하는 발광 장치가 제안되어 있다. 그리고, 이러한 발광 장치에서는, 발광 소자는, 그 휘도 및 지향성 등을 확보하기 위해서, 렌즈 효과를 갖는 형상 등을 가진 투명한 밀봉 수지로 피복되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1).DESCRIPTION OF RELATED ART Conventionally, the light emitting device provided with the light emitting element etc. arrange | positioned on a board | substrate are proposed. And in such a light emitting device, in order to ensure the brightness | luminance, directivity, etc., the light emitting element is coat | covered with transparent sealing resin which has a shape etc. which have a lens effect (for example, patent document 1).
그러나, 기판으로부터 높게 돌출된 렌즈 형상의 밀봉 수지는, 외부로부터의 충격 등에 의해, 기판 박리되기 쉬워지는 경우가 있다.However, lens-shaped sealing resin which protrudes highly from a board | substrate may become easy to peel a board | substrate by the impact etc. from the exterior.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 보다 밀착성이 양호한 밀봉 수지를 구비하는 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of the said subject, and an object of this invention is to provide the light-emitting device provided with sealing resin with favorable adhesiveness.
본 발명은 이하의 발명을 포함한다.The present invention includes the following inventions.
(1) 기체(基體)와, 상기 기체의 한 면에 설치된 복수의 배선부와, 상기 배선부를 피복하고, 그 일부에 개구를 갖는 피복막을 구비한 기판,(1) a substrate provided with a substrate, a plurality of wiring portions provided on one surface of the substrate, and a coating film covering the wiring portions and having an opening therein;
상기 피복막의 개구 내의 기판 상에 배치되고, 상기 피복막보다도 높은 위치에 상면을 갖는 발광 소자,A light emitting element disposed on a substrate in the opening of the coating film and having an upper surface at a position higher than the coating film;
적어도 상기 피복막의 개구 내이며, 상기 발광 소자의 주위에 배치된 제1 수지 및A first resin at least in the opening of the coating film and disposed around the light emitting element; and
상기 기판과 상기 발광 소자를 밀봉하는 제2 수지를 구비하여 이루어지고,And a second resin sealing the substrate and the light emitting element,
상기 제2 수지가 상기 제1 수지에 접촉하여 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.The second resin is disposed in contact with the first resin.
(2) 상기 제1 수지 및 제2 수지는 동일 중합체를 포함하는 상기의 발광 장치.(2) Said light emitting device wherein said 1st resin and 2nd resin contain the same polymer.
(3) 상기 제1 수지는 상기 피복막의 개구 내에서 상기 피복막 상에 배치되어 있는 상기 어느 한쪽의 발광 장치.(3) The said light-emitting device of any one of said 1st resin is arrange | positioned on the said coating film in the opening of the said coating film.
(4) 상기 제2 수지의 외측 테두리가 상기 피복막 상에 배치되어 있는 상기 어느 한쪽의 발광 장치.(4) The said light emitting device in any one of which the outer edge of the said 2nd resin is arrange | positioned on the said coating film.
(5) 상기 제2 수지의 외측 테두리가 상기 피복막 상방(上方)이며 또한 상기 제1 수지 상에 배치되어 있는 상기 어느 한쪽의 발광 장치.(5) The said light emitting device of any one of said 2nd resin whose outer edge is above the said coating film, and is arrange | positioned on the said 1st resin.
(6) 상기 제2 수지의 외측 테두리가 상기 피복막의 개구 내에서, 제1 수지 상에 배치되어 있는 상기 어느 한쪽의 발광 장치.(6) The said light emitting device in any one of which the outer edge of the said 2nd resin is arrange | positioned on 1st resin in the opening of the said coating film.
(7) 상기 제1 수지는 또한 반사재를 포함하는 상기 어느 한쪽의 발광 장치.(7) The light emitting device of any one of the above, wherein the first resin further includes a reflecting material.
본 발명에 따르면, 밀착성이 양호한 밀봉 수지를 구비하는 발광 장치를 제공할 수 있다.According to this invention, the light emitting device provided with sealing resin with favorable adhesiveness can be provided.
도 1a는 본 발명의 발광 장치의 일 실시 형태를 도시하는 개요 평면도이다.
도 1b는 본 발명의 발광 장치의 일 실시 형태를 도시하는 개요 단면도이다.
도 2는 본 발명의 발광 장치가 다른 실시 형태를 도시하는 개요 단면도이다.
도 3은 본 발명의 발광 장치의 또한 다른 실시 형태를 도시하는 개요 단면도이다.
도 4는 본 발명의 발광 장치의 또한 다른 실시 형태를 도시하는 개요 단면도이다.
도 5는 본 발명의 발광 장치의 또한 다른 실시 형태를 도시하는 개요 단면도이다.1A is a schematic plan view showing one embodiment of a light emitting device of the present invention.
1B is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the light emitting device of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the light emitting device of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view showing yet another embodiment of the light emitting device of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view showing yet another embodiment of the light emitting device of the present invention.
5 is a schematic cross-sectional view showing yet another embodiment of the light emitting device of the present invention.
본 발명의 발광 장치는, 주로, 기판과, 발광 소자와, 제1 수지와, 제2 수지를 구비한다.The light emitting device of the present invention mainly includes a substrate, a light emitting element, a first resin, and a second resin.
(기판)(Board)
기판은, 적어도, 기체와, 이 기체의 위에 설치된 복수의 배선부와, 배선부 상에 설치된 피복막을 구비한다.The board | substrate is equipped with at least the base body, the some wiring part provided on this base body, and the coating film provided on the wiring part.
기체는 발광 장치의 모체가 되는 부재이며, 목적이나 용도 등에 따라 적절한 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 재료로서는, 발광 소자의 실장, 광 반사율, 다른 부재와의 밀착성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 플라스틱, 유리, 세라믹스 등의 절연성 재료로 구성된 것을 들 수 있다. 구체적으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드 등의 수지가 바람직하다. 특히, 발광 소자의 실장에 땜납을 사용하는 경우에는, 내열성이 높은 폴리이미드를 사용하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 기체를 형성하는 재료에 광 반사율이 높은 재료(예를 들어, 산화티타늄 등의 백색 필러 등)를 함유시켜 두어도 된다.A base is a member which becomes a mother of a light emitting device, and can be formed using a suitable material according to a purpose, a use, etc. As a material, it can select suitably in consideration of mounting of a light emitting element, light reflectance, adhesiveness with another member, etc., for example, the thing comprised from insulating materials, such as plastic, glass, and ceramics, is mentioned. Specifically, resins such as polyethylene terephthalate and polyimide are preferable. In particular, when solder is used for mounting the light emitting element, it is more preferable to use polyimide having high heat resistance. Moreover, you may make it contain the material with high light reflectivity (for example, white filler, such as titanium oxide, etc.) in the material which forms gas.
기체의 두께는 특별히 한정되는 일 없이, 예를 들어 10 ㎛ 내지 몇 mm 정도의 두께로 할 수 있다. 기체는 가요성(可撓性)을 갖는 것이어도 되고, 그 경우에는, 10 ㎛ 내지 100 ㎛ 정도를 들 수 있다.The thickness of the base is not particularly limited and can be, for example, a thickness of about 10 μm to several mm. The substrate may have flexibility, and in that case, about 10 µm to 100 µm may be mentioned.
기체는 목적이나 용도 등에 따라, 적절한 형상(크기, 길이)으로 할 수 있다. 예를 들어, 사각형, 직사각형, 다각형, 원형, 타원형 및 그것들을 조합한 형상 등을 들 수 있다. 본 발명의 발광 장치를 직관의 형광등 등에 사용하는 경우에는, 짧은 방향의 폭에 비하여 10배 이상의 길이를 갖는 긴 형상으로 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 약 120 cm의 직관형의 조명으로 할 경우, 폭이 0.5 cm 내지 5 cm이고, 길이가 30 cm 내지 120 cm의 기체 등으로 할 수 있다. 특히, 가요성의 기체를 사용하는 경우, 만곡 또는 굴곡 등, 변형시켜서 사용할 수 있기 때문에, 직관형 조명의 폭, 길이 보다도, 몇 mm 내지 몇 cm 정도가 큰 것을 사용할 수 있다.The base may be in an appropriate shape (size, length) according to the purpose, use, and the like. For example, a square, a rectangle, a polygon, a circle, an oval, the shape which combined them, etc. are mentioned. In the case where the light emitting device of the present invention is used for fluorescent tubes of straight tubes or the like, it is preferable to have an elongated shape having a length of 10 times or more as compared with the width of the short direction. Specifically, when it is set as about 120 cm of linear illumination, it can be set as 0.5 cm-5 cm in width, and 30 cm-120 cm in length, etc. can be made. In particular, in the case of using a flexible gas, since it can be used by being deformed, such as bending or bending, it can be used a few mm to several cm larger than the width and length of the linear illumination.
또한, 가요성의 기체의 경우에는, 이러한 긴 형상의 기체(기판)를 복수개분 맞추어 롤투롤 방식으로 제조할 수 있다. 이 경우, 기체에 스프로켓 홀을 가져도 된다.In the case of a flexible base, a plurality of such elongate bases (substrates) can be produced in a roll-to-roll manner. In this case, the base may have a sprocket hole.
복수의 배선부는 외부 전원을 접속 가능하게 하는 도전 부재이며, 기체의 일면 상에 배치되고, 발광 소자에 직접 또는 간접적으로 접속된다. 배선부는 예를 들어 구리 및 알루미늄 등의 금속 또는 합금의 단층 또는 적층 구조의 도전성 박막에 의해 형성할 수 있다. 배선부는 기체의 일면 상 뿐만 아니라, 기체의 종류에 따라서는, 그 내부 또는 다른 면에 배치되어 있어도 된다.The plurality of wiring portions are conductive members that enable the connection of an external power source, are arranged on one surface of the base, and are directly or indirectly connected to the light emitting element. The wiring portion can be formed of, for example, a conductive thin film of a single layer or a laminated structure of a metal or an alloy such as copper and aluminum. The wiring portion may be disposed not only on one side of the base, but also on the inside or another side thereof, depending on the kind of base.
배선부의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니라, 상기 분야에서 통상 사용되는 기판이 구비하는 배선부의 두께를 적용할 수 있다. 예를 들어, 수 ㎛ 내지 몇 mm 정도를 들 수 있다. 특히, 상술한 바와 같이, 가요성을 갖는 기체를 사용하는 경우에는, 배선부는 그 가요성을 손상시키지 않는 두께인 것이 바람직하고, 예를 들어 8 ㎛ 내지 150 ㎛ 정도의 두께로 할 수 있다.Although the thickness of a wiring part is not specifically limited, The thickness of the wiring part with which the board | substrate normally used in the said field is provided is applicable. For example, several micrometers-about several mm can be mentioned. In particular, as described above, when using a substrate having flexibility, the wiring portion is preferably a thickness that does not impair its flexibility, and can be, for example, about 8 μm to 150 μm.
복수의 배선부의 형상(패턴)은 특별히 한정되는 것은 아니라, 통상, 발광 소자를 탑재하는 기판 등에 있어서의 배선의 형상 또는 패턴과 마찬가지 또는 준하는 형상 등을 들 수 있고, 또한 방열성 및/또는 강도 등을 고려하여 그 형상을 설정하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 크랭크 형상, 삼각형, 사각형 등의 다각형, 원, 타원 등의 각이 없는 형상, 이들 형상에 부분적으로 요철을 갖는 형상 등의 1종 또는 이것들을 조합하여 이용할 수 있다. 또한, 배선부의 코너부는 둥그스름해져 있는 것이 바람직하다.The shape (pattern) of the plurality of wiring portions is not particularly limited, and usually, the shape or pattern similar to or similar to the shape or pattern of wiring in a substrate or the like on which the light emitting element is mounted may be mentioned. It is preferable to set the shape in consideration. For example, it can be used, such as polygons, such as a crank shape, a triangle, a square, a shape without angles, such as a circle and an ellipse, the shape which has a partial unevenness | corrugation in these shapes, or a combination thereof. Moreover, it is preferable that the corner part of a wiring part is rounded.
복수의 배선부는 서로 이격하도록 배치됨과 함께, 발광 소자에 직접 또는 간접적으로 전기적으로 접속되는 배선부(즉, 도전에 기여하는 배선부) 외에, 마찬가지 또는 다른 형상 등이며, 통전에 기여하지 않는 배선부가 배치되어 있어도 된다. 이 통전에 기여하지 않는 배선부는 방열 부재 또는 발광 소자를 적재부로서 기능시킬 수 있다. 예를 들어, 기체가 직사각형인 경우에는, 이 통전에 기여하지 않는 배선부는 길이 방향의 단부까지 연장됨과 함께, 짧은 방향에 있어서, 배선부의 양측에 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 배선부에는, 외부 접속용의 단자를 배치해 둘 수 있다. 예를 들어, 커넥터 등을 배치하고, 외부 전원으로부터 발광 소자에 급전할 수 있다.The plurality of wiring portions are arranged to be spaced apart from each other, and in addition to the wiring portions (that is, the wiring portions that contribute to conduction) directly or indirectly electrically connected to the light emitting element, the wiring portions that have the same or different shapes and the like, and do not contribute to the energization. It may be arranged. The wiring part which does not contribute to this electricity supply can function a heat radiating member or a light emitting element as a mounting part. For example, when a base is rectangular, it is preferable that the wiring part which does not contribute to this electricity supply extends to the edge part of a longitudinal direction, and is arrange | positioned at both sides of a wiring part in a short direction. Moreover, the terminal for external connection can be arrange | positioned at the wiring part. For example, a connector or the like can be arranged to power the light emitting element from an external power source.
이러한 배선부는 특히, 가요성을 갖는 기체에 배치되는 경우에는, 그 일부를 기체의 대략 전체에 배치(바람직하게는, 틈새 없이 배치)시킴으로써, 기판이 만곡된 경우 등의 발광 소자 및 제2 수지에의 응력 부하를 경감할 수 있다. 구체적으로는, 긴 형상의 기체를 사용하는 경우, 그 길이 방향에 있어서 길게 배치시키는 것이 바람직하고, 길이 방향의 1/3 내지 1배의 길이로 배치시키는 것이 보다 바람직하다.In particular, when the wiring portion is disposed on a substrate having flexibility, a part of the wiring portion is disposed in approximately the entirety of the substrate (preferably with no gaps), so that the light emitting element and the second resin such as the substrate are curved. Can reduce the stress load. Specifically, when using an elongated gas, it is preferable to arrange | position it long in the longitudinal direction, and it is more preferable to arrange | position it at the length of 1/3 to 1 times of the longitudinal direction.
도전에 기여할 수 있는 배선부는 플러스측 단자와 마이너스측 단자에 의해 구성되어 있으면 되고, 한 쌍의 단자 각각을 구성하는 배선부의 수는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 한 쌍의 단자 각각이 1개의 단자만에 의해 구성되어 있어도 되고, 복수의 단자에 의해 구성되어 있어도 된다.The wiring portion that may contribute to the electrical conductivity may be constituted by a positive side terminal and a negative side terminal, and the number of wiring portions constituting each of the pair of terminals is not particularly limited. For example, a pair of terminals may be comprised by only one terminal, and may be comprised by the some terminal.
도전에 기여할 수 있는 배선부는 예를 들어 한 쌍의 외부 배선에 접속되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 외부 배선으로부터 전력이 공급된다. 또한, 한 쌍의 외부 배선은 공지된 커넥터(도시하지 않음) 등에 접속되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the wiring part which can contribute to an electrical conductivity is connected, for example to a pair of external wiring. Thereby, electric power is supplied from an external wiring. Moreover, it is preferable that a pair of external wiring is connected to a well-known connector (not shown) etc.
이와 같이, 배선부는 비교적 대면적으로 다양한 형상을 갖는 배선부를 조합하여 배치함으로써, 발광 장치의 배치 자유도를 높일 수 있다. 예를 들어, 기체가 직사각형인 경우에는, 길이 방향으로 3개씩, 짧은 방향으로 2개씩 배열된 6개의 발광 소자를 1 블록으로 하여 병렬로 접속하고, 길이 방향으로 배열된 12 블록을 한 쌍의 단자로서 기능할 수 있는 배선부에 의해 직렬로 접속하는 것 등이 가능하게 된다. 또한, 기체가 대략 정사각형, 원형 또는 타원 형상이며, 1개의 발광 소자를 통상의 플러스-마이너스 각각의 배선부에 접속한 것이어도 된다.In this way, the wiring portion can be arranged in a combination of wiring portions having various shapes in a relatively large area, whereby the degree of freedom in arranging the light emitting device can be increased. For example, when the body is rectangular, six light-emitting elements arranged three in the longitudinal direction and two in the short direction are connected in parallel as one block, and a pair of terminals is connected to the 12 blocks arranged in the longitudinal direction. It is possible to connect in series by the wiring part which can function as a function. In addition, the base may have a substantially square, circular or elliptic shape, and one light emitting element may be connected to each of the usual positive and negative wiring portions.
또한, 배선부는 기체의 일면에 있어서, 가능한 한 넓은 면적으로 설치되는 것에 의해 방열성을 높일 수 있다.In addition, the wiring portion can be improved in heat dissipation by being provided on one surface of the base as large as possible.
또한, 기체의 1 표면에 있어서, 복수의 배선부는 각각 분리되어 있기 때문에, 그 분리 때문에, 배선부가 설치되어 있지 않은 홈부(즉, 기체가 노출되어 있는 부분)를 갖고 있게 된다. 홈부는 배선부 사이에 배치되는 것으로부터, 그 형상은 배선부의 형상에 대응하고 있고, 예를 들어 크랭크 형상을 들 수 있다. 홈부의 폭은, 배선부의 폭보다 좁은 것, 바꾸어 말하면, 배선부가 넓은 면적으로 설치하는 것이 바람직하고, 예를 들어 0.05 mm 내지 5 mm 정도로 할 수 있다.Moreover, since several wiring parts are isolate | separated from one surface of a base | substrate, because of the separation, it has the groove part (namely, the part which a base is exposed) in which the wiring part is not provided. Since the groove part is arrange | positioned between wiring parts, the shape corresponds to the shape of a wiring part, For example, a crank shape is mentioned. The width of the groove portion is narrower than the width of the wiring portion, in other words, the wiring portion is preferably provided in a large area, and can be, for example, about 0.05 mm to 5 mm.
또한, 배선부(도전에 기여하는/기여하지 않는 배선부의 양쪽을 포함함)가 기체의 1 표면에 있어서, 전체면에 비교적 대면적으로 배치되어 있는 경우에는, 예를 들어 가요성을 갖는 기체를 사용해도, 그 가요성을 유지하면서, 또한, 적당한 강도를 부가할 수 있고, 가요성 기판의 굴곡에 의한 배선부의 단선, 기판 자체의 파단 등을 유효하게 방지할 수 있다. 구체적으로는, 기체의 면적에 대하여 50% 이상이 바람직하고, 70% 이상이 보다 바람직하고, 90% 이상의 면적으로 배선부를 설치하는 것이 더욱 바람직하다.In addition, when the wiring part (including both wiring parts which contribute / does not contribute) is arrange | positioned relatively largely in the whole surface on one surface of a base body, Even if it is used, while maintaining the flexibility, an appropriate strength can be added, and the disconnection of the wiring portion due to the bending of the flexible substrate, the breakage of the substrate itself, and the like can be effectively prevented. Specifically, 50% or more is preferable with respect to the area of a base, 70% or more is more preferable, and it is still more preferable to provide a wiring part with an area of 90% or more.
배선부를 피복하는 피복막은, 발광 소자로부터 출사되는 광의 반사막으로서 기능할 수 있는 것이 바람직하다. 이 피복막은, 후술하는 바와 같이, 그 일부에 배선부를 노출되는 개구를 갖고 있으며, 이 개구를 제외하고, 기판의 표면의 대략 전체면을 피복하고 있는 것이 바람직하고, 상술한 배선 간의 홈부도 피복하고 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the coating film which coat | covers a wiring part can function as a reflective film of the light radiate | emitted from a light emitting element. This coating film has an opening which exposes a wiring part in a part as mentioned later, Except this opening, it is preferable to coat the substantially whole surface of the board | substrate, and also to coat the groove part between wiring mentioned above. It is desirable to have.
피복막은, 상술한 바와 같이, 그 일부에 개구를 갖는다. 개구는 발광 소자를 플러스-마이너스의 2개의 배선부에 접속하기 위해서, 배선부를 노출되게 설치되어 있다. 개구의 형상 및 크기는, 특별히 한정되는 것은 아니라, 발광 소자의 배선부에의 전기적인 접속을 가능하게 하는 최소한의 크기가 바람직하다. 플립 칩 실장하는 경우에는, 1개의 개구부 내에 홈의 일부를 노출시키는 것이 바람직하다.As described above, the coating film has an opening in a part thereof. An opening is provided so that a wiring part may be exposed in order to connect a light emitting element to two plus-minus wiring parts. The shape and size of the opening are not particularly limited, and the minimum size that enables electrical connection to the wiring portion of the light emitting element is preferable. When flip chip mounting, it is preferable to expose a part of groove in one opening part.
통상, 발광 장치로서의 출력 및 배광 등에 따라 필요한 발광 소자의 수 및 배치가 조정되고, 그것에 의하여 개구부의 개수 및 위치가 결정된다. 발광 소자의 개수와 같은 개수의 개구부 또는 발광 소자의 개수와 다른 개수의 개구부를 형성할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자가 20개 필요한 경우, 각 발광 소자를 1개의 개구에 적재시키는 경우에는, 피복막에는 20개의 개구가 배치된다. 또는, 1개의 개구부에 2개의 발광 소자를 적재시킬 경우, 10개의 개구부가 배치된다. 경우에 따라서는, 개구 내에 발광 소자가 적재되어 있지 않아도 되고, 예를 들어 발광 장치를 몇개의 랭크(예를 들어, 출력의 다른 발광 장치)로서 제작하는 경우, 동일한 기판(즉, 피복막에 설치되는 개구부의 수 및 배치가 동일한 것)을 사용하여, 발광 소자가 적재되지 않는 개구부로 함으로써 출력을 상이하게 할 수 있다. 또한, 커넥터등의 발광 소자에 통전시키기 위한 영역에 피복막이 없는 영역(개구)이 배치되어 있어도 된다.Usually, the number and arrangement of necessary light emitting elements are adjusted in accordance with the output and the light distribution as the light emitting device, whereby the number and position of the openings are determined. The same number of openings as the number of light emitting elements or the number of openings different from the number of light emitting elements can be formed. For example, when 20 light emitting elements are required, when each light emitting element is placed in one opening, 20 openings are arranged in the coating film. Alternatively, when two light emitting elements are stacked in one opening, ten openings are arranged. In some cases, the light emitting element does not have to be stacked in the opening, and for example, when the light emitting device is manufactured as several ranks (for example, other light emitting devices of output), it is provided on the same substrate (that is, the coating film). By using the same number of openings and the same arrangement), the output can be made different by setting the openings into which the light emitting elements are not mounted. Moreover, the area | region (opening) without a coating film may be arrange | positioned in the area | region for energizing light emitting elements, such as a connector.
피복막은 발광 소자의 출사광 및 후술하는 파장 변환 부재에 의해 변환된 파장의 광을 반사하는 재료에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 재료로서는, 예를 들어 페놀 수지, 에폭시 수지, BT 레진, PPA, 실리콘 수지, 우레아 수지 등의 수지를 들 수 있다. 또한, 이들 재료에, 예를 들어 SiO2, TiO2, Al2O3, ZrO2, MgO 등의 필러를 함유시켜도 된다.It is preferable that a coating film is formed of the material which reflects the emission light of a light emitting element, and the light of the wavelength converted by the wavelength conversion member mentioned later. As such a material, resin, such as a phenol resin, an epoxy resin, BT resin, PPA, a silicone resin, urea resin, is mentioned, for example. Further, in these materials, for example, it may be contained a filler such as SiO 2, TiO 2, Al 2 O 3, ZrO 2, MgO.
피복막은, 비교적 얇은 두께로 설치하는 것이 바람직하고, 특히, 피복막보다도 높은 위치에 발광 소자의 상면이 위치하도록 배치하는 것이 바람직하다. 이러한 두께로 함으로써, 후술하는 제1 수지를 발광 소자의 측면에 배치할 수 있다. 그 결과, 넓은 배광 특성을 얻을 수 있고, 특히 조명에 사용하는 경우 등에 적합하다.It is preferable to provide a coating film with a comparatively thin thickness, and it is especially preferable to arrange | position so that the upper surface of a light emitting element may be located in a position higher than a coating film. By setting it as such thickness, the 1st resin mentioned later can be arrange | positioned at the side surface of a light emitting element. As a result, a wide light distribution characteristic can be obtained, and is particularly suitable for use in lighting.
(발광 소자)(Light emitting element)
발광 소자는, 기판 상의 상술한 피복막의 개구부의 내측에 있어서, 2개의 배선부를 넘어서 또는 1개의 배선부 상에 배치된다. 이러한 배치에 의해, 발광 소자를 플러스-마이너스쌍이 되는 배선부에 전기적으로 접속할 수 있다.The light emitting element is disposed over two wiring portions or on one wiring portion inside the opening of the coating film described above on the substrate. With this arrangement, the light emitting element can be electrically connected to the wiring portion serving as a plus-minus pair.
복수의 발광 소자는, 발광 장치로서 필요한 출력 및 배광을 충족하고, 그 개수 및/또는 색조 및/또는 배치가 결정된다. 따라서, 이것에 따라, 상술한 바와 같이, 배선부 및/또는 피복막의 개구부 등의 형상 및 위치 등이 조정된다.The plurality of light emitting elements satisfy the output and light distribution required as the light emitting device, and their number and / or color tone and / or arrangement are determined. Therefore, according to this, as mentioned above, the shape, a position, etc. of the opening part of a wiring part and / or a coating film, etc. are adjusted.
발광 소자는, 반도체 구조와, p측 전극과, n측 전극을 갖는다.The light emitting element has a semiconductor structure, a p-side electrode, and an n-side electrode.
반도체 구조는, 예를 들어 투광성을 갖는 사파이어 기판 상에 순차 적층된 질화갈륨계 반도체로 이루어지는 n형층, 활성층 및 p형층 등에 의해 형성할 수 있다. 단, 질화갈륨계 반도체에 한하지 않고, II-VI족, III-V족 반도체 중의 어느 것을 사용해도 된다.The semiconductor structure can be formed by, for example, an n-type layer, an active layer, a p-type layer, or the like made of a gallium nitride based semiconductor sequentially stacked on a light-transmitting sapphire substrate. However, not only a gallium nitride semiconductor but any of II-VI and III-V semiconductors may be used.
n측 전극 및 p측 전극은, 공지된 전극 재료의 단층막 또는 적층막에 의해 형성할 수 있다.The n-side electrode and the p-side electrode can be formed by a single layer film or a laminated film of a known electrode material.
발광 소자는 기판 상에 플립 칩 실장되어 있어도 되고, 페이스 업 실장되어 있어도 된다.The light emitting element may be flip chip mounted or face up mounted on a substrate.
플립 칩 실장될 경우에는, 발광 소자의 p측 전극 및 n측 전극은, 한 쌍의 접합 부재를 통하여 한 쌍의 배선부에 각각 접속된다. 접합 부재로서는, Sn-Ag-Cu계, Sn-Cu계, Au-Sn계 등의 땜납, Au 등의 금속의 범프 등을 사용할 수 있다.When flip chip mounting, the p-side electrode and n-side electrode of a light emitting element are respectively connected to a pair of wiring part through a pair of bonding member. As a joining member, solder, such as Sn-Ag-Cu system, Sn-Cu system, Au-Sn system, bumps of metals, such as Au, etc. can be used.
페이스 업 실장될 경우에는, 발광 소자는, 수지 등의 절연성 접합 부재, 상술한 도전성의 접합 부재에 의해 기체상(배선부 상)에 고정되어, 와이어에 의해 배선부에 전기적으로 접속된다. 발광 소자의 기판이 도전성인 경우에는, 상술한 접합 부재에 의해 전기적으로 접속된다.In the case of face-up mounting, the light emitting element is fixed to the gas phase (on the wiring portion) by an insulating bonding member such as resin and the above-mentioned conductive bonding member, and is electrically connected to the wiring portion by a wire. When the board | substrate of a light emitting element is electroconductive, it is electrically connected by the bonding member mentioned above.
발광 장치의 기판의 1 표면에는, 발광 소자 뿐만 아니라, 제너 다이오드 등의 보호 소자 또는 관련 부품이 배치되어 있어도 된다. 이러한 보호 소자 및 관련 부품은, 발광 소자가 적재된 개구 내에 함께 배치해도 되고, 그 이외에 별도 개구를 설치하고, 그 개구 내에 배치해도 된다. 단, 발광 소자로부터의 광을 흡수하지 않는 위치에 배치하는 것이 바람직하고, 발광 소자와 동일수의 보호 소자는 필요하지 않기 때문에, 예를 들어 복수개의 발광 소자가 직렬 접속된 배선부에 1개의 보호 소자를 적재시키고, 그 때에, 발광 소자의 배치에 관계없이 커넥터 부근에 적재시키는 등, 임의의 위치에 적재시키는 것이 바람직하다.On one surface of the substrate of the light emitting device, not only a light emitting element but also a protective element such as a zener diode or a related component may be disposed. Such a protection element and related components may be arrange | positioned together in the opening in which the light emitting element was mounted, and may provide another opening separately and arrange | position in the opening. However, since it is preferable to arrange | position it in the position which does not absorb the light from a light emitting element, and since the same number of protection elements as a light emitting element are not needed, for example, one protection part to the wiring part in which several light emitting elements were connected in series was carried out. It is preferable to load at an arbitrary position, such as to load an element and to place it in the vicinity of a connector irrespective of arrangement | positioning of a light emitting element at that time.
(제1 수지)(First resin)
발광 소자의 주위에는 제1 수지가 배치되어 있다. 이 제1 수지는 적어도 피복막에 형성된 개구 내에 배치되어 있으면, 피복막의 개구의 외주, 즉, 피복막 상에까지 미쳐서 배치되어 있어도 되고, 배선부의 유무에 관계 없이, 예를 들어 배선부 사이의 홈부 및/또는 발광 소자의 바로 아래에 배치되어 있어도 된다.The first resin is disposed around the light emitting element. If the first resin is disposed at least in the openings formed in the coating film, the first resin may be disposed so as to extend to the outer circumference of the opening of the coating film, that is, on the coating film. It may be disposed just below the light emitting element.
제1 수지는 발광 소자의 외측 테두리(측면)에 접하고 있는 것이 바람직하다. 통상, 발광 소자의 기판 상에의 탑재는, 접합 부재 등을 사용하여 행하는데, 이 접합 부재 및/또는 기체의 일부 표면(예를 들어, 배선부 등) 등은, 제1 수지를 구성하는 재료보다도, 통상, 광에 의한 열화가 발생하기 쉽다. 따라서, 발광 소자의 근방에 있어서, 이 접합 부재 및/또는 기체의 일부 표면 등이 제1 수지에 피복될 경우에는, 발광 소자로부터 출사되는 비교적 강한 광을 접합 부재 및/또는 기체 등에 직접 조사되는 경우가 없어지기 때문에, 발광 장치를 구성하는 부재의 광 열화를 효과적으로 방지할 수 있다.It is preferable that the 1st resin is in contact with the outer edge (side surface) of a light emitting element. Usually, mounting of a light emitting element on a board | substrate is performed using a joining member etc., but this joining member and / or a part surface (for example, wiring part etc.) of a base | substrate, etc. are materials which comprise 1st resin. In general, deterioration due to light is more likely to occur. Therefore, in the vicinity of the light emitting element, when the bonding member and / or a part of the surface of the substrate is coated with the first resin, the relatively strong light emitted from the light emitting element is directly irradiated with the bonding member and / or the substrate. Since there is no disappearance, light deterioration of the members constituting the light emitting device can be effectively prevented.
제1 수지의 발광 소자와 반대측의 단부는, 후술하는 제2 수지의 외측 테두리 내여도 되고, 외측 테두리와 일치해도 되고, 외측 테두리 외여도 되는데, 그 중에서도, 대략 외측 테두리와 일치하거나, 외측 테두리 외에 배치하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 제1 수지와 제2 수지의 접촉 면적을 확보하기 쉬워지기 때문에, 보다 견고하게, 제2 수지를 발광 장치, 특히, 제1 수지에 밀착시킬 수 있다.The edge part on the opposite side to the light emitting element of 1st resin may be in the outer edge of 2nd resin mentioned later, may correspond with an outer edge, and may be an outer edge, but it is a coincidence with an outer edge substantially, It is preferable to arrange. Thereby, since the contact area of 1st resin and 2nd resin becomes easy to be ensured, 2nd resin can be made to adhere to a light emitting device especially 1st resin more firmly.
바꾸어 말하면, 제1 수지의 크기, 즉, 발광 장치를 광 취출 방향으로부터 본 경우의 평면적은, 발광 소자의 평면적을 제외한 밀봉 수지(제2 수지)의 평면적에 대하여 동등하여도 되고, 커도 되고, 작아도 된다. 특히, 발광 소자의 평면적을 제외한 밀봉 수지의 평면적의 1/5 내지 3배 정도, 1/4 내지 3배 정도가 바람직하고, 1/3 내지 1.5배가 보다 바람직하다. 이와 같이, 제1 수지가 배치되는 평면적이 크면, 후술하는 바와 같이, 제2 수지와의 접촉 면적이 증대하기 때문에, 양자의 밀착성에 의해, 발광 장치의 제2 수지의 밀착성을 보다 한층 견고한 것으로 할 수 있다.In other words, the size of the first resin, that is, the planar area when the light emitting device is viewed from the light extraction direction may be equal to, larger, or smaller than the planar area of the sealing resin (second resin) except the planar area of the light emitting element. do. In particular, about 1/5-3 times, about 1/4-3 times of the planar area of the sealing resin except the planar area of a light emitting element are preferable, and 1/3-1.5 times are more preferable. As described above, when the plane area in which the first resin is arranged is large, the contact area with the second resin increases as described later, so that the adhesion between the second resin of the light emitting device is more firm by the adhesion between the two. Can be.
제1 수지는 예를 들어 수 ㎛ 내지 몇백 ㎛ 정도의 범위 내의 막 두께로 배치할 수 있다. 특히, 발광 소자에 접촉하는 부분은, 발광 소자의 측면의 높이에 상당하는 막 두께 이하인 것이 바람직하다. 제1 수지가 개구 내 전체에 배치될 경우에는, 개구의 외측 테두리와 접촉하는 부분은, 개구의 깊이에 상당하는 막 두께 이하인 것이 바람직하다. 특히, 발광 소자로부터, 그 외측(발광 소자의 중심에 대하여 외측)을 향하여 감소하는 두께인 것이 바람직하다.The first resin can be disposed at a film thickness within a range of, for example, several micrometers to several hundred micrometers. In particular, it is preferable that the part which contacts a light emitting element is below the film thickness corresponding to the height of the side surface of a light emitting element. When 1st resin is arrange | positioned in the whole opening, it is preferable that the part which contacts the outer edge of an opening is below the film thickness corresponding to the depth of an opening. In particular, it is preferable that the thickness decreases from the light emitting element toward the outer side (outside with respect to the center of the light emitting element).
제1 수지는 예를 들어 실리콘 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 에폭시 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 아크릴 수지 조성물 등, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 우레아 수지, 불소 수지 및 이들 수지를 적어도 1종 이상 포함하는 하이브리드 수지 등을 베이스 중합체로서 함유하는 수지에 의해 형성할 수 있다. 그 중에서도, 실리콘 수지, 에폭시 수지 등을 베이스 중합체로서 함유하는 수지가 바람직하다. 여기서, 베이스 중합체란, 제1 수지를 구성하는 재료 중, 가장 함유 중량이 많은 수지를 의미한다. 또한, 제1 수지는 예를 들어 SiO2, TiO2, Al2O3, ZrO2, MgO 등의 반사재 및/또는 확산재를 함유시키는 것이 바람직하다. 이에 의해, 효율적으로 광을 반사시킬 수 있다.The first resin contains at least one or more of a silicone resin, an epoxy resin, a urea resin, a fluorine resin and these resins, for example, a silicone resin composition, a modified silicone resin composition, an epoxy resin composition, a modified epoxy resin composition, an acrylic resin composition, and the like. It is possible to form a resin containing a hybrid resin or the like as a base polymer. Especially, resin which contains a silicone resin, an epoxy resin, etc. as a base polymer is preferable. Here, a base polymer means the resin with the most content weight among the materials which comprise 1st resin. Further, the first resin, it is preferable to, for example contain a reflective material and / or a diffusion material, such as SiO 2, TiO 2, Al 2 O 3, ZrO 2, MgO. Thereby, light can be reflected efficiently.
제1 수지를 구성하는 재료는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이에 의해, 광의 반사율을 조정할 수 있고, 또한, 수지의 선팽창 계수를 조정하는 것이 가능하게 된다.You may use the material which comprises 1st resin individually or in combination of 2 or more types. Thereby, the reflectance of light can be adjusted and the linear expansion coefficient of resin can be adjusted.
(제2 수지)(2nd resin)
제2 수지는 기판 상에 있어서, 발광 소자를 밀봉(피복)한다. 발광 소자로부터의 광에 대하여 투광성이고, 또한, 내광성 및 절연성을 갖는 것이 바람직하다. 이 제2 수지는 상술한 피복막의 개구의 모두를 피복하도록 배치되어도 되고, 일부를 피복하지 않도록 배치되어 있어도 된다. 여기에서의 투광성이란, 발광 소자의 출사광의 60% 정도 이상을 투과하는 성질, 바람직하게는 70% 이상 또는 80% 이상의 광을 투과하는 성질을 의미한다.The second resin seals (covers) the light emitting element on the substrate. It is preferable that it is light transmissive with respect to the light from a light emitting element, and has light resistance and insulation. This 2nd resin may be arrange | positioned so that all the openings of the coating film mentioned above may be covered, and may be arrange | positioned so that a part may not be covered. The light transmittance herein means a property of transmitting about 60% or more of the emitted light of the light emitting element, preferably 70% or more, or 80% or more of light.
제2 수지는 구체적으로는, 실리콘 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 에폭시 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 아크릴 수지 조성물 등, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 우레아 수지, 불소 수지 및 이들 수지를 적어도 1종 이상 포함하는 하이브리드 수지 등의 수지에 의해 형성할 수 있다.Specifically, the second resin is at least one or more of a silicone resin, an epoxy resin, a urea resin, a fluorine resin, and a resin such as a silicone resin composition, a modified silicone resin composition, an epoxy resin composition, a modified epoxy resin composition, an acrylic resin composition, and the like. It can form with resin, such as hybrid resin, to contain.
특히, 제2 수지는 상술한 제1 수지와 동일 중합체, 특히, 제1 수지를 구성하는 베이스 중합체와 동일한 중합체를 포함하여 형성되는 것이 바람직하고, 제1 수지의 페이스 중합체와 동일한 중합체를 베이스 중합체로서 포함하여 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 제2 수지가 제1 수지와 접촉하는 부위에 있어서, 양자의 적합성, 융화성 및 상용성이 양호하기 때문에, 제1 수지와의 밀착성을 보다 한층 확보할 수 있고, 제2 수지의 발광 장치에 있어서의 견고한 밀착성을 실현할 수 있다.In particular, the second resin is preferably formed by including the same polymer as the first resin described above, in particular the same polymer as the base polymer constituting the first resin, and the same polymer as the face polymer of the first resin as the base polymer. It is more preferable that it is formed including. Thereby, since the suitability, compatibility, and compatibility of both are good in the site | part which 2nd resin contacts with 1st resin, adhesiveness with 1st resin can be ensured more, and light emission of 2nd resin is carried out. Robust adhesion in the device can be realized.
제2 수지는 발광 소자로부터 출사되는 광을 흡수하여 다른 파장의 광으로 변환하는 형광체 등의 파장 변환 부재를 함유하고 있는 것이 바람직하다. 이러한 파장 변환 부재로서는, 예를 들어 산화물계, 황화물계, 질화물계의 형광체 등을 들 수 있다. 예를 들어, 발광 소자로서 청색 발광하는 질화갈륨계 발광 소자를 사용하는 경우, 청색광을 흡수하여 황색 내지 녹색계 발광하는 YAG계, LAG계, 녹색 발광하는 SiAlON계, 적색 발광하는 SCASN, CASN계의 형광체를 단독으로 또는 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 액정 디스플레이, 텔레비전의 백라이트 등의 표시 장치에 사용하는 발광 장치에서는, SiAlON계 형광체와 SCASN 형광체를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 조명 용도로서는, YAG계 또는 LAG계의 형광체와 SCASN 또는 CASN 형광체를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.It is preferable that 2nd resin contains wavelength conversion members, such as fluorescent substance which absorbs the light radiate | emitted from a light emitting element, and converts it into the light of a different wavelength. As such a wavelength conversion member, an oxide type, a sulfide type, a nitride type fluorescent substance, etc. are mentioned, for example. For example, when a gallium nitride-based light emitting device emitting blue light is used as a light emitting device, a YAG-based, LAG-based, green-emitting SiAlON-based, red-emitting SCASN, CASN-based light emitting blue light is absorbed. It is preferable to use phosphors singly or in combination. In particular, in a light emitting device used for a display device such as a liquid crystal display or a backlight of a television, it is preferable to use a combination of a SiAlON-based phosphor and a SCASN phosphor. In addition, as a lighting use, it is preferable to use combining YAG type | system | group or LAG type fluorescent substance and SCASN or CASN fluorescent substance.
또한, 제2 수지는 광 산란재(황산바륨, 산화티타늄, 산화 알루미늄, 산화 규소 등)를 함유하고 있어도 된다.In addition, the second resin may contain a light scattering material (barium sulfate, titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, or the like).
제2 수지의 형상은, 특별히 한정되는 것은 아니나, 발광 소자로부터 출사되는 광의 배광성 및 지향성을 고려하여, 오목 렌즈, 볼록 렌즈로 하는 것이 바람직하다. 그 중에서도, 반구 형상의 볼록 렌즈로 하는 것이 가장 바람직하다.Although the shape of 2nd resin is not specifically limited, It is preferable to set it as a concave lens and a convex lens in consideration of the light distribution property and directivity of the light radiate | emitted from a light emitting element. Especially, it is most preferable to set it as the hemispherical convex lens.
제2 수지의 크기는, 특별히 한정되지 않고 발광 장치의 휘도, 지향성 등을 고려하여 적절히 조정할 수 있다. 특히, 제2 수지는 제1 수지와의 접촉 면적을 보다 넓게 확보할 수 있는 크기로 하는 것이 바람직한데, 기판으로서 가요성 기판을 사용하는 경우에는, 가요성 기판의 가요성을 손상시키지 않을 정도의 크기인 것이 바람직하다. 예를 들어, 발광 소자의 모두를 피복할 수 있는 크기 이상을 들 수 있다. 또한, 발광 소자의 1변의 길이의 10배 정도 이하를 들 수 있고, 2배 정도의 직경 또는 길이 이하인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 1변(직경) 1 mm 내지 4 mm 정도를 들 수 있다.The size of the second resin is not particularly limited and can be appropriately adjusted in consideration of luminance, directivity, and the like of the light emitting device. Particularly, the second resin is preferably sized to secure a wider contact area with the first resin. However, when the flexible substrate is used as the substrate, the second resin is not to impair the flexibility of the flexible substrate. It is preferred to be size. For example, the size or more which can cover all of the light emitting elements is mentioned. Moreover, about 10 times or less of the length of one side of a light emitting element is mentioned, It is preferable that it is about 2 times or less of diameter or length. Specifically, about 1 mm-4 mm of one side (diameter) is mentioned.
제2 수지는 그 외측 테두리가 피복막 상에 배치되어 있어도 되는, 피복막의 상방이며, 또한 제1 수지 상에 배치되어도 되고, 피복막의 개구 내에서 제1 수지 상에 배치되어 있어도 된다.2nd resin may be arrange | positioned above the coating film, the outer edge may be arrange | positioned on a coating film, and may be arrange | positioned on a 1st resin, and may be arrange | positioned on the 1st resin in the opening of a coating film.
이하에, 본 발명의 발광 장치에 대해서의 구체적인 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, specific embodiment about the light emitting device of this invention is described based on drawing.
(실시 형태 1)(Embodiment 1)
이 실시 형태 1의 발광 장치(100)는 도 1a 및 도 1b에 도시한 바와 같이, 기판(10)과, 기판(10)의 표면에 배치된 발광 소자(30)와, 발광 소자(30)의 주위에 배치된 제1 수지(40)와, 기판(10) 상이며 발광 소자(30)를 피복하는 제2 수지(20)를 갖는다.1A and 1B, the
기판(10)은 폴리이미드(막 두께 25 ㎛ 정도)로 이루어지는 가요성을 갖는 기체(11)와, 그 한 면에 설치되고, 홈부(14)에 의해 분리된 배선부(12)(막 두께 35 ㎛ 정도)와, 그 위에 피복된 절연성을 갖는 피복막(15)(막 두께 15 ㎛ 정도, 산화티타늄 함유 실리콘계 수지로 이루어짐)의 적층 구조에 의해 형성되어 있다.The board |
기판(10)은 발광 소자(30)와의 전기적인 접속을 위해서, 그 일부 영역에서, 배선부(12) 사이의 홈부(14)와, 배선부(12)를 개구(15a)에 의해 피복막(15)으로부터 노출시키고 있다.In order to electrically connect the
배선부(12) 중, 한 쌍의 배선부가 외부 단자와 접속된다(도시하지 않음).The pair of wiring portions of the
발광 소자(30)는 반도체 구조와, p측 전극과, n측 전극을 갖는다(도시하지 않음). 반도체 구조는, 일부 영역에서, p형 반도체층 및 발광층이 제거되어서, n형 반도체층이 노출되어 있고, 그 노출면에 n측 전극이 형성되어 있다. p형 반도체층의 상면에는 p측 전극이 형성되어 있다. 따라서, n측 전극과 p측 전극은, 반도체 구조에 대하여 동일한 면측에 형성되어 있는 것이 된다.The
이러한 발광 소자(30)는 기판(10)의 피복막(15)으로부터 노출된 한 쌍의 배선부(12)에, n측 전극 및 p측 전극이 배치된 면을 아래로 향하게 하고, 접합 부재(35)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 접합 부재(35)는 통상, 발광 소자(30)의 테두리로부터, 그 외주에 밀려나와서 배치되어 있다.The
기판(10) 표면의 발광 소자(30)가 배치된 영역의 주위에는, 제1 수지(40)가 배치되어 있다. 제1 수지(40)는 예를 들어 산화티타늄이 30 중량% 정도 함유된 실리콘 수지에 의해 형성되어 있다.The
이 제1 수지(40)는 발광 소자(30)의 외측 테두리, 또한 접합 부재(35) 상에서, 발광 소자의 외주이며, 피복막(15)의 개구 내의 전부 및 피복막(15) 상에 달하여 배치하고 있다. 제1 수지(40)의 두께는, 발광 소자(30)측에 있어서는, 발광 소자(30)의 높이와 대략 동일한 두께이며, 접합 부재(35) 상에 있어서는 서서히 얇아지고, 피복막(15) 상에 있어서, 10 ㎛ 정도의 두께로 되어 있다.The
또한, 제1 수지(40)의 발광 소자(30) 측단부로부터 그 반대측의 단부까지의 길이는 1 mm 정도이다.In addition, the length from the
이와 같이, 제1 수지(40)가 발광 소자(30)의 외주에 있어서 비교적 대면적으로 배치될 경우에는, 통상, 접합 부재(35), 배선부(12) 등과의 밀착성이 양호하지 않은 제2 수지(20)를 보다 밀착성이 양호한 제1 수지(40)와 보다 대면적으로 접촉시킬 수 있기 때문에, 제2 수지(20)를 기판(10)에 대하여 견고하게 밀착시킬 수 있다.Thus, when the
또한, 제1 수지(40)는 접합 부재(35), 배선부(12)보다도, 반사율이 높기 때문에, 보다 한층 효율적으로 발광 소자로부터의 광 취출을 행할 수 있다.In addition, since the reflectance is higher than that of the
발광 소자(30)가 탑재된 기판(10) 상이며, 발광 소자(30), 그 주위에 배치된 제1 수지(40), 이 제1 수지(40) 직하(直下)로부터 발광 소자(30)의 외측에 배치된 피복막(15)의 위에 제2 수지(20)가 형성되어 있다. 제2 수지(20)는 예를 들어 형광체(LAG·SCASN)가 10 중량% 정도 함유된 실리콘 수지에 의해 형성되어 있다. 즉, 제2 수지(20)는 제1 수지를 구성하는 중합체와 동종의 중합체를 포함한다.It is on the board |
제2 수지(20)의 외측 테두리 a는, 기판(10)의 피복막(15) 상에 배치되어 있다. 제2 수지(20)는 포팅 등에 의해 반원구상으로 성형되어 있다.The outer edge a of the
제2 수지(20)의 직경은, 예를 들어 3.5 mm 정도이다.The diameter of the
이와 같이, 제2 수지(20)가 제1 수지(40)와 동일한 베이스 중합체를 함유하여 배치되기 때문에, 양자의 밀착성을 확보할 수 있다.Thus, since the
특히, 이 발광 장치(100)에서는, 제1 수지(40)의 전체 표면 및 피복막(15) 상에 배치되어 있는 부분의 전체 측면에 있어서, 제1 수지(40)와 제2 수지(20)가 접촉하기 때문에, 보다 한층 양자의 접촉 면적을 확보할 수 있고, 또한, 동일한 베이스 중합체를 함유하여 배치되어 있기 때문에, 양자의 적합성, 융화성 및 상용성이 양호하기 때문에, 밀착성을 보다 견고한 것으로 할 수 있다.In particular, in the
또한, 접합 부재(35) 및 배선부(12)의 표면 및 이것들의 계면, 배선부(12)와 반사막(15)의 계면을 제1 수지(40)에 의해 피복할 수 있기 때문에, 이들의 부위의 광 열화, 광 열화에 의한 박리 등을 효과적으로 방지할 수 있다.Moreover, since the surface of the
(실시 형태 2)(Embodiment 2)
이 실시 형태 2의 발광 장치(200)는 예를 들어 도 2에 도시한 바와 같이, 제2 수지(20)의 외측 테두리가 기판(10)의 피복막(15) 상에 미치는 제1 수지(40)의 단부로부터 발광 소자(30)의 중심측에 배치되도록 제2 수지(20)의 직경을 작게 하는 이외에, 발광 소자(100)와 실질적으로 동일한 구성을 갖는다.In the
즉, 이 발광 장치(200)의 제2 수지(20)의 외측 테두리 b는, 제1 수지(40)를 개재하여 피복막(15)의 상방에 배치되어 있다.That is, the outer edge b of the
제2 수지(20)의 직경은 예를 들어 2 mm 정도이다.The diameter of the
이 발광 장치(200)에 있어서도, 실시 형태 1의 발광 장치(100)와 마찬가지의 효과를 갖는다.Also in this
(실시 형태 3)(Embodiment 3)
이 실시 형태 3의 발광 장치(300)는 예를 들어 도 3에 도시한 바와 같이, 제1 수지(41)가 피복막(15)의 개구 내에만 배치되어 있는 이외에, 발광 장치(100)와 실질적으로 동일한 구성을 갖는다.The
또한, 이 발광 장치(300)의 제2 수지(20)의 외측 테두리 c는, 기판(10)의 피복막(15) 상에 배치되어 있다.In addition, the outer edge c of the
이 발광 장치(300)에 있어서도, 실시 형태 1의 발광 장치(100)와 마찬가지의 효과를 갖는다.Also in this
특히, 피복막(15)에 형성되는 개구를 보다 크게 함으로써, 제1 수지(41)가 피복막(15) 상에 미치고 있지 않아도, 제2 수지(20)의 제1 수지(41)에 대한 접촉 면적을 보다 크게 확보할 수 있기 때문에, 양자의 밀착성으로부터, 제2 수지(20)의 기판(10)에의 밀착성을 확보하는 것이 가능하게 된다.In particular, by making the opening formed in the
(실시 형태 4)(Fourth Embodiment)
이 실시 형태 4의 발광 장치(400)는 예를 들어 도 4에 도시한 바와 같이, 제2 수지(20)의 외측 테두리가 기판(10)의 피복막(15) 상에 미치는 제1 수지(41)의 단부로부터 발광 소자(30)의 중심측에 배치되도록 제2 수지(20)의 직경을 작게 하는 이외에, 발광 소자(300)와 실질적으로 동일한 구성을 갖는다.In the
즉, 이 발광 장치(400)의 제2 수지(40)의 외측 테두리 d는, 제1 수지(41)를 개재하여 피복막(15)의 상방에 배치되어 있다.That is, the outer edge d of the
제2 수지(20)의 직경은, 예를 들어 2 mm 정도이다.The diameter of the
이 발광 장치(200)에 있어서도, 실시 형태 3의 발광 장치(300)와 마찬가지의 효과를 갖는다.Also in this
(실시 형태 5)(Embodiment 5)
이 실시 형태 5의 발광 장치(500)는 예를 들어 도 5에 도시한 바와 같이, 발광 소자(30)가 페이스 업 실장되어 있고, 발광 소자(30)의 n측 전극 및 p측 전극(도시하지 않음)이 각각, 와이어(16)에 의해 배선부(12)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 와이어(16)의 일부가 제1 수지(41)에 피복되어 있는 이외에는, 발광 소자(100)와 실질적으로 동일한 구성을 갖는다.In the
이 발광 장치(500)에 있어서도, 실시 형태 1의 발광 장치(100)와 마찬가지의 효과를 갖는다.Also in this
또한, 와이어(16)와 배선부(12)의 접속 부위를 제1 수지(40)에 의해 피복할 수 있기 때문에, 이들 부위의 광 열화, 광 열화에 의한 박리, 단선 등을 효과적으로 방지할 수 있다.Moreover, since the connection part of the
본 발명의 발광 장치는, 조명용 광원, 각종 인디케이터용 광원, 차량 탑재용 광원, 디스플레이용 광원, 액정의 백라이트용 광원, 센서용 광원, 신호기, 차량 탑재 부품, 간판용 채널 레터 등, 다양한 광원에 사용할 수 있다.The light emitting device of the present invention can be used for various light sources, such as a light source for illumination, a light source for various indicators, a light source for a vehicle, a light source for a display, a light source for a display, a light source for a backlight of a liquid crystal, a light source for a sensor, a signal, a vehicle mounting component, a channel letter for a sign, and the like. Can be.
100, 200, 300, 400, 500: 발광 장치
10: 기판
11: 기체
12, 13: 배선부
14: 홈부
15a: 개구
15: 피복막
16: 와이어
20: 제2 수지
30: 발광 소자
35: 접합 부재
40, 41: 제1 수지100, 200, 300, 400, 500: light emitting device
10: substrate
11: Gas
12, 13: wiring section
14: groove
15a: opening
15: coating film
16: wire
20: second resin
30: Light emitting element
35: joint member
40, 41: first resin
Claims (7)
상기 피복막의 개구 내의 기판 상에 배치되고, 상기 피복막보다도 높은 위치에 상면을 갖는 발광 소자,
적어도 상기 피복막의 개구 내이며, 상기 발광 소자의 주위에 배치된 제1 수지 및
상기 기판과 상기 발광 소자를 밀봉하는 제2 수지를 구비하여 이루어지고,
상기 제2 수지가 상기 제1 수지에 접촉하여 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.A substrate provided with a substrate, a plurality of wiring portions provided on one surface of the substrate, and a coating film covering the wiring portions and having an opening in a portion thereof;
A light emitting element disposed on a substrate in the opening of the coating film and having an upper surface at a position higher than the coating film;
A first resin at least in the opening of the coating film and disposed around the light emitting element; and
And a second resin sealing the substrate and the light emitting element,
The second resin is disposed in contact with the first resin.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012176846A JP5994472B2 (en) | 2012-08-09 | 2012-08-09 | Light emitting device |
JPJP-P-2012-176846 | 2012-08-09 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200086678A Division KR102218518B1 (en) | 2012-08-09 | 2020-07-14 | Light emitting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140020789A true KR20140020789A (en) | 2014-02-19 |
KR102135763B1 KR102135763B1 (en) | 2020-07-20 |
Family
ID=48914164
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130094138A KR102135763B1 (en) | 2012-08-09 | 2013-08-08 | Light emitting device |
KR1020200086678A KR102218518B1 (en) | 2012-08-09 | 2020-07-14 | Light emitting device |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200086678A KR102218518B1 (en) | 2012-08-09 | 2020-07-14 | Light emitting device |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9709223B2 (en) |
EP (1) | EP2696377B1 (en) |
JP (1) | JP5994472B2 (en) |
KR (2) | KR102135763B1 (en) |
CN (2) | CN108878623B (en) |
AU (2) | AU2013211571A1 (en) |
BR (1) | BR102013020170B1 (en) |
MX (1) | MX2013009266A (en) |
TW (2) | TWI589030B (en) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BR102016004795B1 (en) * | 2015-03-05 | 2021-09-08 | Nichia Corporation | LIGHT EMITTING DIODE |
JP6805505B2 (en) * | 2015-03-05 | 2020-12-23 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device |
JP6659993B2 (en) * | 2015-07-27 | 2020-03-04 | 大日本印刷株式会社 | Flexible substrate for LED elements |
CN105161011B (en) * | 2015-08-11 | 2018-12-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display panel and preparation method thereof, display device and intelligent wearable device |
JP6684063B2 (en) * | 2015-09-02 | 2020-04-22 | アルパッド株式会社 | Semiconductor light emitting device |
CN105428502A (en) * | 2015-12-15 | 2016-03-23 | 江苏稳润光电有限公司 | White light LED wafer packaging structure and packaging method |
JP6524904B2 (en) | 2015-12-22 | 2019-06-05 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device |
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EP3439050B1 (en) * | 2017-08-02 | 2020-10-28 | Lg Innotek Co. Ltd | Light emitting device package |
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CN112652696B (en) * | 2021-01-14 | 2022-12-20 | 泉州三安半导体科技有限公司 | LED light-emitting device and manufacturing method thereof |
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JP4877779B2 (en) | 2006-11-09 | 2012-02-15 | 株式会社アキタ電子システムズ | Light emitting diode device and manufacturing method thereof |
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JP5582048B2 (en) * | 2011-01-28 | 2014-09-03 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device |
-
2012
- 2012-08-09 JP JP2012176846A patent/JP5994472B2/en active Active
-
2013
- 2013-07-22 TW TW102126150A patent/TWI589030B/en active
- 2013-07-22 TW TW106115152A patent/TWI621285B/en active
- 2013-08-01 US US13/956,496 patent/US9709223B2/en active Active
- 2013-08-05 AU AU2013211571A patent/AU2013211571A1/en not_active Abandoned
- 2013-08-06 EP EP13179338.2A patent/EP2696377B1/en active Active
- 2013-08-07 BR BR102013020170-7A patent/BR102013020170B1/en active IP Right Grant
- 2013-08-08 KR KR1020130094138A patent/KR102135763B1/en active IP Right Grant
- 2013-08-09 CN CN201810714908.7A patent/CN108878623B/en active Active
- 2013-08-09 MX MX2013009266A patent/MX2013009266A/en active IP Right Grant
- 2013-08-09 CN CN201310345519.9A patent/CN103579466B/en active Active
-
2017
- 2017-05-15 US US15/595,725 patent/US10109777B2/en active Active
- 2017-09-08 AU AU2017225120A patent/AU2017225120B2/en active Active
-
2020
- 2020-07-14 KR KR1020200086678A patent/KR102218518B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060138621A1 (en) * | 2002-09-30 | 2006-06-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and a module based thereon |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2696377A1 (en) | 2014-02-12 |
BR102013020170A2 (en) | 2015-08-11 |
KR20200089250A (en) | 2020-07-24 |
US20170250326A1 (en) | 2017-08-31 |
KR102135763B1 (en) | 2020-07-20 |
AU2017225120B2 (en) | 2018-06-28 |
TWI589030B (en) | 2017-06-21 |
CN108878623A (en) | 2018-11-23 |
AU2013211571A1 (en) | 2014-02-27 |
MX2013009266A (en) | 2014-02-21 |
TW201409770A (en) | 2014-03-01 |
JP5994472B2 (en) | 2016-09-21 |
CN103579466B (en) | 2018-07-31 |
JP2014036127A (en) | 2014-02-24 |
KR102218518B1 (en) | 2021-02-22 |
AU2017225120A1 (en) | 2017-09-28 |
TWI621285B (en) | 2018-04-11 |
US9709223B2 (en) | 2017-07-18 |
EP2696377B1 (en) | 2018-10-24 |
US10109777B2 (en) | 2018-10-23 |
US20140042897A1 (en) | 2014-02-13 |
CN103579466A (en) | 2014-02-12 |
TW201727945A (en) | 2017-08-01 |
CN108878623B (en) | 2021-06-08 |
BR102013020170B1 (en) | 2020-12-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
GRNT | Written decision to grant |