KR20140020711A - 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 전면 기판의 중앙에서 제1 전극 영역과 제2 전극 영역의 2개의 영역으로 분할 노광함으로써 버스 전극을 형성하는 것, 배면 기판의 중앙에서 제1 격벽 영역과 제2 격벽 영역의 2개의 영역으로 분할 노광함으로써 격벽을 형성하는 것, 제1 전극 영역과 제2 전극 영역의 경계 근방에 있어서, 제1 전극 영역의 개구율 및 제2 전극 영역의 개구율을 구하는 것, 제1 격벽 영역과 제2 격벽 영역의 경계 근방에 있어서, 제1 격벽 영역의 개구율 및 제2 격벽 영역의 개구율을 구하는 것, 제1 전극 영역의 개구율과 상기 제1 격벽 영역의 개구율을 곱한 값으로부터 상기 제2 전극 영역의 개구율과 상기 제2 격벽 영역의 개구율을 곱한 값을 차분한 제1 차분값을 구하는 것, 각 차분값의 절대값에 따라 전극 영역과 격벽 영역을 대향하도록 배치하는 것을 구비한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법{PLASMA DISPLAY PANEL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}
여기에 개시된 기술은, 표시 디바이스 등에 이용되는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(이하, PDP라고 함)을 제조할 때에 포토리소그래피법이 이용되는 것이 알려져 있다. 또한, 기판 사이즈가 큰 경우에는, 노광 영역을 복수의 영역으로 나누어 노광하는 분할 노광법이 이용된다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
일본 특허 출원 공개 제2007-200879호 공보
PDP의 제조 방법은, 전면 기판 상에 형성된 감광성 성분을 포함하는 전극 페이스트층을, 전면 기판의 중앙에서 제1 전극 영역과 제2 전극 영역의 2개의 영역으로 분할 노광함으로써 버스 전극을 형성하는 것, 배면 기판 상에 형성된 감광성 성분을 포함하는 격벽 페이스트층을, 배면 기판의 중앙에서 제1 격벽 영역과 제2 격벽 영역의 2개의 영역으로 분할 노광함으로써 격벽을 형성하는 것, 제1 전극 영역과 제2 전극 영역의 경계 근방에 있어서, 제1 전극 영역의 개구율 및 제2 전극 영역의 개구율을 구하는 것, 제1 격벽 영역과 제2 격벽 영역의 경계 근방에 있어서, 제1 격벽 영역의 개구율 및 제2 격벽 영역의 개구율을 구하는 것, 제1 전극 영역과, 제1 격벽 영역이 대향하도록 배치한 경우에 있어서, 제1 전극 영역의 개구율과 제1 격벽 영역의 개구율을 곱한 값으로부터 제2 전극 영역의 개구율과 제2 격벽 영역의 개구율을 곱한 값을 차분한 제1 차분값을 구하는 것, 제1 전극 영역과, 제2 격벽 영역이 대향하도록 배치한 경우에 있어서, 제1 전극 영역의 개구율과 제2 격벽 영역의 개구율을 곱한 값으로부터 제2 전극 영역의 개구율과 제1 격벽 영역의 개구율을 곱한 값을 차분한 제2 차분값을 구하는 것, 제1 차분값의 절대값이 제2 차분값의 절대값보다 작은 경우, 제1 전극 영역과, 제1 격벽 영역이 대향하도록 배치하고, 제1 차분값의 절대값이 제2 차분값의 절대값보다 큰 경우, 제1 전극 영역과, 제2 격벽 영역이 대향하도록 배치하는 것을 구비한다.
PDP는, 전면 기판 상에 형성된 감광성 성분을 포함하는 전극 페이스트층을, 전면 기판의 중앙에서 제1 전극 영역과 제2 전극 영역의 2개의 영역으로 분할 노광함으로써 버스 전극을 형성하는 것, 배면 기판 상에 형성된 감광성 성분을 포함하는 격벽 페이스트층을, 배면 기판의 중앙에서 제1 격벽 영역과 제2 격벽 영역의 2개의 영역으로 분할 노광함으로써 격벽을 형성하는 것, 제1 전극 영역과 제2 전극 영역의 경계 근방에 있어서, 제1 전극 영역의 개구율 및 제2 전극 영역의 개구율을 구하는 것, 제1 격벽 영역과 제2 격벽 영역의 경계 근방에 있어서, 제1 격벽 영역의 개구율 및 제2 격벽 영역의 개구율을 구하는 것, 제1 전극 영역과, 제1 격벽 영역이 대향하도록 배치한 경우에 있어서, 제1 전극 영역의 개구율과 제1 격벽 영역의 개구율을 곱한 값으로부터 제2 전극 영역의 개구율과 제2 격벽 영역의 개구율을 곱한 값을 차분한 제1 차분값을 구하는 것, 제1 전극 영역과, 제2 격벽 영역이 대향하도록 배치한 경우에 있어서, 제1 전극 영역의 개구율과 제2 격벽 영역의 개구율을 곱한 값으로부터 제2 전극 영역의 개구율과 제1 격벽 영역의 개구율을 곱한 값을 차분한 제2 차분값을 구하는 것, 제1 차분값의 절대값이 제2 차분값의 절대값보다 작은 경우, 제1 전극 영역과, 제1 격벽 영역이 대향하도록 배치하고, 제1 차분값의 절대값이 제2 차분값의 절대값보다 큰 경우, 제1 전극 영역과, 제2 격벽 영역이 대향하도록 배치하는 것을 구비한 제조 방법에 의해, 제조된 것이다.
도 1은 PDP의 개략 구조를 나타내는 사시도이다.
도 2는 PDP의 방전 셀 구조를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 실시 형태에 관한 분할 노광에 있어서, 기판의 좌측 영역을 노광하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3에 있어서의 4―4선 단면도이다.
도 5는 본 실시 형태에 관한 분할 노광에 있어서, 기판의 우측 영역을 노광하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 5에 있어서의 6―6선 단면도이다.
도 7은 본 실시 형태에 관한 PDP의 제조 흐름의 일부를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 실시 형태에 관한 전면 기판을 버스 전극이 형성된 측으로부터 본 도면이다.
도 9는 본 실시 형태에 관한 배면 기판을 세로 격벽이 형성된 측으로부터 본 도면이다.
도 10은 전면 기판의 영역 A와 배면 기판의 영역 A가 대향하도록 배치된 상태를 나타내는 도면이다.
도 11은 도 10에 있어서의 이음부의 근방을 확대한 도면이다.
도 12는 전면 기판의 영역 A와 배면 기판의 영역 B가 대향하도록 배치된 상태를 나타내는 도면이다.
도 13은 도 12에 있어서의 이음부의 근방을 확대한 도면이다.
도 14는 버스 전극과 격벽의 선폭 차 측정 결과를 나타내는 도면이다.
도 15는 도 14에 나타내는 전면판과 배면판을 이용한 경우의 휘도 차의 계산값과 실측값을 나타내는 도면이다.
[1. PDP(100)의 구성]
도 1에 도시되는 바와 같이, PDP(100)는, 전면판(1)과 배면판(2)으로 구성된다. 전면판(1)과 배면판(2)은 대향 배치된다. 전면판(1)과 배면판(2)과의 사이에 방전 공간이 형성된다. 방전 공간에는, 방전 가스로서, 예를 들면 네온(Ne)과 크세논(Xe)의 혼합 가스가 봉입되어 있다.
전면판(1)은, 글래스제의 전면 기판(3) 상에, 복수의 주사 전극(4)과 복수의 유지 전극(5)을 갖는다. 주사 전극(4)과 유지 전극(5)은, 평행하게 형성되어 있다. 또한, 전면 기판(3)에는, 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)을 덮는 유전체층(6)이 형성되어 있다. 유전체층(6) 상에 산화마그네슘(MgO) 등으로 이루어지는 보호층(7)이 형성되어 있다. 주사 전극(4)은, 투명 전극(4a)과 투명 전극(4a)에 적층된 버스 전극(4b)을 갖는다. 유지 전극(5)은, 투명 전극(5a)과 투명 전극(5a)에 적층된 버스 전극(5b)을 갖는다.
배면판(2)은, 글래스제의 배면 기판(8) 상에, 복수의 데이터 전극(10)이 형성되어 있다. 또한, 배면 기판(8)에는, 데이터 전극(10)을 덮는 기초 유전체층(9)이 형성되어 있다. 기초 유전체층(9) 상에 방전 공간을 구획하는 복수의 격벽(11)이 설치되어 있다. 격벽(11)은, 일례로서 세로 격벽(21)과, 세로 격벽(21)과 직교하는 가로 격벽(22)을 갖는 우물 정자 형상이다. 복수의 격벽(11)의 사이에 형광체층(12)이 형성되어 있다.
PDP(100)를 정면에서 본 경우, 데이터 전극(10)은, 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)과 교차한다. 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)과 데이터 전극(10)과의 교차 부분에, 복수의 방전 셀이 형성된다. 또한, 주사 전극(4)과 유지 전극(5)과의 사이에는, 콘트라스트를 향상시키기 위해 흑색의 차광층(13)이 형성되어도 된다.
또한, PDP(100)는 상술한 구성에 한정되지 않는다. 예를 들면 스트라이프 형상의 격벽(11)을 구비한 것도 좋다. 또한, 도 1에는, 주사 전극(4)과 유지 전극(5)이 교대로 배열된 예가 나타내어졌다. 그러나, 주사 전극(4), 유지 전극(5), 유지 전극(5), 주사 전극(4)과 같이 배열하는 전극 배열의 구성이어도 된다.
[2. PDP(100)의 제조 방법]
[2-1. 전면판(1)의 제조 방법]
포토리소그래피법에 의해, 전면 기판(3) 상에, 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)이 형성된다. 상세한 것은 후술된다.
다음으로, 유전체층(6)이 형성된다. 유전체층(6)의 재료에는, 유전체 글래스 프릿과 수지와 용제 등을 포함하는 유전체 페이스트가 이용된다. 우선 다이 코트법 등에 의해, 유전체 페이스트가 소정의 두께로 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)을 덮도록 전면 기판(3) 상에 도포된다. 다음으로, 건조로에 의해, 유전체 페이스트 중의 용제가 제거된다. 마지막으로, 소성로에 의해, 유전체 페이스트가 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 유전체 페이스트 중의 수지가 제거된다. 또한, 유전체 글래스 프릿이 연화된다. 연화된 유전체 글래스 프릿은, 소성 후에 다시 경화된다. 이상의 공정에 의해, 유전체층(6)이 형성된다. 여기서, 유전체 페이스트를 다이 코트하는 방법 이외에도, 스크린 인쇄법, 스핀 코트법 등을 이용할 수 있다. 또한, 유전체 페이스트를 이용하지 않고, CVD(Chemical Vapor Deposition)법 등에 의해, 유전체층(6)으로 되는 막을 형성할 수도 있다.
다음으로, 유전체층(6) 상에 산화마그네슘(MgO) 등으로 이루어지는 보호층(7)이 형성된다. 보호층(7)은, 일례로서, EB(Electron Beam) 증착 장치에 의해 형성된다. 보호층(7)의 재료는, 단결정의 MgO로 이루어지는 펠릿이다. 펠릿에는, 불순물로서 알루미늄(Al), 규소(Si) 등이 더 첨가되어 있어도 된다.
우선, EB 증착 장치의 성막실에 배치된 펠릿에 전자 빔이 조사된다. 전자 빔의 에너지를 받은 펠릿은 증발한다. 증발한 MgO는, 성막실 내에 배치된 유전체층(6) 상에 부착된다. MgO의 막 두께는, 전자 빔의 강도, 성막실의 압력 등에 의해, 소정의 범위 내에 있도록 조정된다.
또한, 보호층(7)은, MgO 이외에도 산화칼슘(CaO)과의 혼합막, 혹은, 산화스트론튬(SrO), 산화바륨(BaO), 산화알루미늄(Al2O3) 등의 금속 산화물을 포함하는 막을 이용할 수 있다. 또한, 복수의 종류의 금속 산화물을 포함하는 막을 이용할 수도 있다.
이상의 공정에 의해, 전면 기판(3) 상에, 주사 전극(4), 유지 전극(5), 유전체층(6) 및 보호층(7)을 갖는 전면판(1)이 완성된다.
[2-2. 배면판(2)의 제조 방법]
도 1에 도시되는 바와 같이, 포토리소그래피법에 의해, 배면 기판(8) 상에, 데이터 전극(10)이 형성된다. 데이터 전극(10)의 재료에는, 도전성을 확보하기 위한 은(Ag)과 은을 결착시키기 위한 글래스 프릿과 감광성 수지와 용제 등을 포함하는 데이터 전극 페이스트가 이용된다. 우선, 스크린 인쇄법 등에 의해, 데이터 전극 페이스트가 소정의 두께로 배면 기판(8) 상에 도포된다. 다음으로, 건조로에 의해, 데이터 전극 페이스트 중의 용제가 제거된다. 다음으로, 소정의 패턴의 포토마스크를 개재하여, 데이터 전극 페이스트가 노광된다. 다음으로, 데이터 전극 페이스트가 현상되어, 데이터 전극 패턴이 형성된다. 마지막으로, 소성로에 의해, 데이터 전극 패턴이 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 데이터 전극 패턴 중의 감광성 수지가 제거된다. 또한, 데이터 전극 패턴 중의 글래스 프릿이 연화된다. 연화된 글래스 프릿은, 소성 후에 경화된다. 이상의 공정에 의해, 데이터 전극(10)이 형성된다. 여기서, 데이터 전극 페이스트를 스크린 인쇄하는 방법 이외에도, 스퍼터법, 증착법 등을 이용할 수 있다.
다음으로, 기초 유전체층(9)이 형성된다. 기초 유전체층(9)의 재료에는, 글래스 프릿과 수지와 용제 등을 포함하는 기초 유전체 페이스트가 이용된다. 우선, 스크린 인쇄법 등에 의해, 기초 유전체 페이스트가 소정의 두께로 데이터 전극(10)이 형성된 배면 기판(8) 상에 데이터 전극(10)을 덮도록 도포된다. 다음으로, 건조로에 의해, 기초 유전체 페이스트 중의 용제가 제거된다. 마지막으로, 소성로에 의해, 기초 유전체 페이스트가 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 기초 유전체 페이스트 중의 수지가 제거된다. 또한, 글래스 프릿이 연화된다. 연화된 글래스 프릿은, 소성 후에 경화된다. 이상의 공정에 의해, 기초 유전체층(9)이 형성된다.
또한, 기초 유전체 페이스트를 스크린 인쇄하는 방법 이외에도, 다이 코트법, 스핀 코트법 등을 이용할 수 있다. 또한, 기초 유전체 페이스트를 이용하지 않고, CVD(Chemical Vapor Deposition)법 등에 의해, 기초 유전체층(9)으로 되는 막을 형성할 수도 있다.
다음으로, 포토리소그래피법에 의해, 격벽(11)이 형성된다. 상세한 것은 후술된다.
다음으로, 형광체층(12)이 형성된다. 형광체층(12)의 재료에는, 형광체 입자와 바인더와 용제 등을 포함하는 형광체 페이스트가 이용된다. 우선, 디스펜스법 등에 의해, 형광체 페이스트가 소정의 두께로 인접하는 격벽(11)간의 기초 유전체층(9) 상 및 격벽(11)의 측면에 도포된다. 다음으로, 건조로에 의해, 형광체 페이스트 중의 용제가 제거된다. 마지막으로, 소성로에 의해, 형광체 페이스트가 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 형광체 페이스트 중의 수지가 제거된다. 이상의 공정에 의해, 형광체층(12)이 형성된다. 또한, 디스펜스법 이외에도, 스크린 인쇄법 등을 이용할 수 있다.
이상의 공정에 의해, 배면 기판(8) 상에, 데이터 전극(10), 기초 유전체층(9), 격벽(11) 및 형광체층(12)을 갖는 배면판(2)이 완성된다.
[2-3. 전면판(1)과 배면판(2)과의 조립 방법]
우선, 디스펜스법에 의해, 배면판(2)의 주위에 봉착재가 형성된다. 봉착재의 재료에는, 글래스 프릿과 바인더와 용제 등을 포함하는 봉착 페이스트가 이용된다. 다음으로 건조로에 의해, 봉착 페이스트 중의 용제가 제거된다. 다음으로, 전면판(1)과 배면판(2)이 대향 배치된다. 다음으로, 전면판(1)과 배면판(2)의 주위가 글래스 프릿으로 봉착된다. 마지막으로, 방전 공간에 Ne, Xe 등을 포함하는 방전 가스가 봉입된다.
[3. 리소그래피법]
노광 시, 포토마스크와 피노광 기판과의 위치 정렬(얼라인먼트)이 행해진다. 얼라인먼트에 어긋남이 발생한 경우, 패턴을 설계대로 형성할 수 없게 된다. 따라서, PDP(100)의 화상 표시 영역 내에서 표시 상태가 변화하거나, 외관에서의 얼룩이 발생하거나 한다. 따라서, 얼라인먼트에는 매우 높은 정밀도가 요구된다. 또한 PDP(100)의 대화면화의 진전에 수반하여, 1매의 포토마스크의 노광 영역 내에 들어가지 않는 넓은 영역을 노광하기 위해, 복수의 포토마스크를 이용하는 분할 노광법이 채용된다.
분할 노광법에 있어서는, 한쪽의 분할 노광 영역과 다른 쪽의 분할 노광 영역을 결합하고 있는 중복 영역(이하, 이음 영역이라고 함)이 존재한다. 따라서, 한쪽의 분할 노광 영역과 다른 쪽의 분할 노광 영역과의 얼라인먼트도 필요해진다.
그러나, 복수의 포토마스크를 이용하는 경우, 각각의 포토마스크의 개체 차나, 노광 장치에 있어서의 환경 온도의 차이, 포토마스크와 기판과의 갭의 차이 등의 원인에 의해, 한쪽의 분할 노광 영역과 다른 쪽의 분할 노광 영역에서, 패턴 폭이 다르다고 하는 현상이 발생하는 경우가 있다.
[3-1. 방전 셀의 개구율]
패턴 폭이 다르면, 방전 셀에 있어서의 개구율이 변화한다. 도 2에 도시되는 바와 같이, 하나의 방전 셀은, 세로 격벽(21)과 가로 격벽(22)으로 둘러싸여진 영역이다. 방전 셀로부터 발생한 가시광은, 전면판(1)을 투과한다. 그러나, 전면판(1)에는, 가시광이 투과하지 않는 버스 전극(4b, 5b)이 형성되어 있다. 버스 전극(4b, 5b)의 폭이 넓어지면, 하나의 방전 셀에 있어서의 설계값의 개구율과 비교하여, 개구율이 감소한다. 즉, 가시광선이 차단되는 영역이 증대된다. 따라서, 광 취출 효율이 저하된다. 따라서, 휘도는 내려간다. 한편, 버스 전극(4b, 5b)의 폭이 좁아지면, 휘도는 올라간다.
마찬가지로, 격벽(11)의 폭이 넓어지면, 하나의 방전 셀에 있어서의 설계값의 개구율과 비교하여, 개구율이 감소한다. 즉, 차광되는 영역이 증대된다. 따라서, 광 취출 효율이 저하된다. 따라서, 휘도는 내려간다. 한편, 격벽(11)의 폭이 좁아지면, 휘도는 올라간다.
따라서, 전면판(1)의 개구율과 배면판(2)의 개구율을 곱한 값과, 광 취출 효율은 상관이 있다. 따라서 전면판(1)의 개구율과 배면판(2)의 개구율을 곱한 값이 크면, 휘도는 커지는 경향이 있다. 한편, 전면판(1)의 개구율과 배면판(2)의 개구율을 곱한 값이 작으면, 휘도는 작아지는 경향이 있다.
또한, 세로 격벽(21)의 폭의 변화가 광 취출 효율에 끼치는 영향 쪽이, 가로 격벽(22)의 폭의 변화가 광 취출 효율에 끼치는 영향보다 크다. 가로 격벽(22)의 근방은, 실질적으로 방전이 발생하고 있지 않은 영역이다. 즉, 가로 격벽(22)의 근방은, 방전 셀로부터 발생하는 가시광이 상대적으로 약한 영역이기 때문이다.
한쪽의 분할 노광 영역과 다른 쪽의 분할 노광 영역에서 휘도가 다르면, 특히, 이음 영역의 근방에서 현저해진다. 이음 영역의 근방에서 휘도 차가 발생하면, PDP 장치가 감상될 때, 시청자에게 용이하게 인식된다. 즉, 점등 시에 PDP 장치의 표시 품질이 저하된다.
[3-2. 분할 노광법]
도 3 내지 도 6에 도시되는 바와 같이, 사각형의 기판(51) 상에는, 감광성 재료층(52)이 형성되어 있다. 기판(51)과 대향하는 위치에, 제1 포토마스크(53) 및 제2 포토마스크(54)가 배치되어 있다. 제1 포토마스크(53) 및 제2 포토마스크(54)는 사각형이다. 또한, 사각형이라 함은, 반드시 기하학적으로 완전한 사각형인 것을 의미하는 것은 아니다. 포토마스크의 설계상의 이유 등에 의해, 일부에 돌출이나, 함몰 등이 있어도, 육안 관찰에 의해, 대략 사각형이라고 판단되는 것이다.
기판(51)의 면적은, 제1 포토마스크(53) 및 제2 포토마스크(54)와 비교하여 크다. 따라서, 감광성 재료층(52)은, 분할 노광된다. 즉, 제1 포토마스크(53)에 의해 노광되는 영역과, 제2 포토마스크(54)에 의해 노광되는 영역으로 분할된다.
본 실시 형태에 있어서, 예를 들면, 제1 포토마스크(53) 및 제2 포토마스크(54)는, 노광 장치에 배치된다. 제1 포토마스크(53) 및 제2 포토마스크(54)는 노광 장치 내의 포토마스크 폴더(도시 생략)에 흡착되어 있다. 흡착면은 노광 영역에 간섭되지 않는 영역에 형성되어 있다. 각각의 흡착 개소에는, 제1 포토마스크(53) 및 제2 포토마스크(54)에 대하여 3차원 방향으로 이동 가능한 기구가 설치되어 있다. 따라서, 제1 포토마스크(53) 및 제2 포토마스크(54) 각각을 독립하여 이동 및 고정할 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시되는 바와 같이, 기판(51)의 좌측에는, 제1 포토마스크(53)가 노광 갭을 두고 감광성 재료층(52)의 상부에 배치되어 있다. 도 3 및 도 5에 도시되는 바와 같이, 제1 포토마스크(53) 및 제2 포토마스크(54)에는 개구부(55)가 형성되어 있다.
개구부(55)를 통해 제1 포토마스크(53) 및 제2 포토마스크(54)의 상방에 설치된 노광 광원(도시 생략)으로부터, 감광성 재료층(52)에 대하여 광이 조사된다. 도 6에 도시되는 바와 같이, 이음 영역인 이음부(52c)의 좌측이 제1 노광 영역(52a)이다. 이음부(52c)의 우측이 제2 노광 영역(52b)이다. 또한, 본 실시 형태에서는, 감광성 재료층(52)에 있어서의 미노광의 영역이 현상 공정에서 제거된다.
또한, 기판(51)의 긴 변측의 상하 단부 및 중앙부 각각에는, 얼라인먼트 마크가 형성되어 있다. 얼라인먼트 마크를 이용함으로써, 기판(51)과, 제1 포토마스크(53) 및 제2 포토마스크(54)와의 위치 정렬이 용이해진다. 분할 노광법을 PDP(100)의 제조에 적용하는 경우, 일례로서, 전면판(1)의 얼라인먼트 마크는, 투명 전극(4a, 5a)을 전면 기판(3)에 형성할 때에 ITO에 의해 동시에 형성할 수 있다. 또한 배면판(2)의 얼라인먼트 마크는, 데이터 전극(10)을 배면 기판(8)에 형성할 때에 Ag 등의 도전 재료에 의해 동시에 형성할 수 있다.
[4-1. 버스 전극(4b, 5b)의 형성 스텝 S11 내지 S14]
도 7에 나타내어지는 바와 같이, 버스 전극(4b, 5b)을 형성하는 공정은, 노광 스텝 S11, 현상 스텝 S12, 소성 스텝 S13 및 형상 계측 스텝 S14를 포함한다.
(전극 페이스트의 도포)
스크린 인쇄법 등에 의해, 전극 페이스트가, 전면 기판(3) 상에 도포된다. 도포된 전극 페이스트의 막 두께는, 10 내지 15㎛ 정도의 범위에서 적절히 설정된다. 스크린 인쇄법 이외에는, 다이 코트법 등을 이용할 수 있다. 또한, 전극 페이스트를 이용하는 방법 이외에도, 스퍼터법, 증착법을 이용함으로써, 도전성 막을 형성한 후, 포토레지스트를 이용하여 패터닝해도 된다.
(전극 페이스트)
전극 페이스트는, 도전성 입자와 도전성 입자를 결착시키기 위한 글래스 프릿과 감광성 모노머, 광중합 개시제, 수지 및 용제 등을 포함한다.
도전성 입자로서는, 은(Ag), 구리(Cu) 등이 이용된다. 도전성 입자의 평균 입경은, 1㎛ 이상 3㎛ 이하가 바람직하다. 평균 입경이, 1㎛ 미만으로 되면 전극 페이스트 중에서 응집하기 쉬워지기 때문이다. 평균 입경이, 3㎛를 초과하면 전극 페이스트 중에 균일하게 분산시키는 것이 곤란해지기 때문이다.
글래스 프릿으로서는, 적어도 삼산화2비스무트(Bi2O3)를 20 내지 50중량%, 삼산화2붕소(B2O3)를 5 내지 35중량%, 산화아연(ZnO)을 10 내지 20중량%, 산화바륨(BaO)을 5 내지 20중량% 포함한다. 또한, 글래스 프릿은 삼산화몰리브덴(MoO3), 삼산화텅스텐(WO3) 등을 포함해도 된다.
Bi2O3는, 함유량이 지나치게 많으면 열팽창 계수가 증대되고 연화점이 저하된다고 하는 관점에서, 20 내지 50중량%인 것이 바람직하다. 나아가서는, 30 내지 45중량%인 것이 보다 바람직하다. 글래스 골격을 형성하는 B2O3는, 함유량이 지나치게 많으면 열팽창 계수가 저하되고 연화점이 높아진다고 하는 관점에서, 5 내지 35중량%인 것이 바람직하다.
ZnO는, 함유량이 지나치게 많으면 열팽창 계수가 증대되고 투명성을 손상시킨다고 하는 관점에서, 10 내지 20중량%인 것이 바람직하다.
BaO는, 함유량이 지나치게 많으면 연화점이 높아진다고 하는 관점에서, 5 내지 20중량%인 것이 바람직하다.
감광성 모노머로서는, 2―히드록시에틸아크릴레이트, 2―히드록시프로필아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트 등이 이용된다. 이들 중, 1종류를 단독으로 이용할 수 있다. 또는, 이들 중, 2종류 이상을 혼합하여 이용할 수 있다.
광중합 개시제는, 공액(共役) 탄소환 중에 2개의 분자내 환을 갖는 화합물인 치환 또는 비치환 다핵성 퀴논을 포함한다. 예로서는, 9, 10―안트라퀴논, 2―메틸안트라퀴논, 2―에틸안트라퀴논, 2―t―부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논 등이 이용된다.
수지로서는, 아크릴계 폴리머와, 셀룰로오스계 폴리머 등이 이용된다. 아크릴계 폴리머로서는, 폴리부틸아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트 등으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함할 수 있다. 셀룰로오스계 폴리머는, 에틸셀룰로오스, 히드록시셀룰로오스, 히드록시프로필셀룰로오스로부터 선택되는 적어도 1종을 포함할 수 있다.
용제로서는, α―, β―, γ―테르피네올 등의 테르펜류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류 등이 이용된다. 이들 중, 1종류를 단독으로 이용할 수 있다. 또는, 이들 중, 2종류 이상을 혼합하여 이용할 수 있다.
이들 재료를 3개 롤, 볼밀 또는 샌드밀 등의 분산기를 이용하여 혼합 및 분산시킴으로써 전극 페이스트가 제작된다.
(전극 페이스트의 건조)
다음으로 건조로에 의해, 전극 페이스트 중의 용제가 제거된다. 건조로로서는, 히터 가열로, 감압 건조로, 적외선 건조로 등이 예시된다. 건조에 있어서의 분위기는, 대기여도 불활성 가스여도 상관없다. 건조 온도는, 80℃ 내지 200℃ 정도이다. 건조 시간은, 3분 내지 30분 정도이다. 건조에 의해, 전극 페이스트의 막 두께가 감소한다. 건조 후의 전극 페이스트의 막 두께는, 4 내지 8㎛ 정도의 범위에서 적절히 설정된다. 건조 온도 및 건조 시간은, 전극 페이스트 중에 포함되는 용제의 종류, 양 등에 따라 적절히 설정된다. 이상의 공정까지가, 도 7에 있어서의 전공정이다.
(노광)
S11에서는, 분할 노광이 이루어진다. 노광에는, 네가티브형의 포토마스크가 이용되었다. 노광 장치로서는, 스테퍼 노광기, 프록시미티 노광기 등을 이용할 수 있다. 발광 디바이스로서는, 엑시머 램프, 저압 수은 램프, 고압 수은 램프 등이 이용된다.
소정의 패턴이 형성된 제1 포토마스크를 개재하여, 제1 버스 전극 영역이 노광된다. 제1 포토마스크는, 도 4에 있어서의 제1 포토마스크(53)에 상당한다. 제1 버스 전극 영역은, 도 6에 있어서의 제1 노광 영역(52a)에 상당한다. 다음으로, 소정의 패턴이 형성된 제2 포토마스크를 개재하여, 제2 버스 전극 영역이 노광된다. 제2 포토마스크는, 도 6에 있어서의 제2 포토마스크(54)에 상당한다. 제2 버스 전극 영역은, 도 6에 있어서의 제2 노광 영역(52b)에 상당한다. 광의 파장은, 전극 페이스트에 포함되어 있는 광중합 개시제가 반응하는 파장이다. 일반적으로는, 250㎚ 내지 450㎚ 정도이다. 전극 페이스트에 있어서의 광이 조사된 영역은, 광 중합성 모노머가 중합함으로써, 경화된다.
(현상)
S12에서는, 전극 페이스트가 현상된다. 현상액은, 일례로서, 알칼리 현상액이 이용된다. 구체적으로는, 탄산나트륨 용액, 수산화칼륨 용액, TMAH(tetramethyl annmonium hydroxide) 등이 이용된다. 전극 페이스트에 현상액이 분사됨으로써, 광이 조사된 영역이 잔존하고, 광이 조사되지 않은 영역이 제거된다. 마지막으로 수(水)세정이 행해져, 전면 기판(3)에 부착된 오염물 등이 제거된다.
(소성)
S13에서는, 소성로에 의해, 버스 전극 패턴이 소성된다. 소성로로서는, 예를 들면, 히터 가열로 등이 이용된다. 소성에 있어서의 분위기는, 산소를 포함하는 것이 바람직하다. 수지를 연소시키기 위해서이다. 즉, 분위기는, 대기여도 상관없다. 소성로에 의해, 버스 전극 패턴이 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 버스 전극 패턴 중의 감광성 수지가 제거된다. 또한, 버스 전극 패턴 중의 글래스 프릿이 연화된다. 연화된 글래스 프릿은, 소성 후에 경화된다. 소성이 완료되면, 전면 기판(3)에 버스 전극(4b, 5b)이 형성된다.
(형상 계측)
S14에서는, 예를 들면, 화상 인식 장치에 의해 버스 전극(4b, 5b)의 폭이 계측된다. 화상 인식 장치라 함은, 고체 촬상 소자, 렌즈 등을 구비한 카메라, 조명 장치 및 컴퓨터 등에 의해 구성되는 것을 말한다. 버스 전극(4b, 5b)을 촬영하고, 노이즈 제거, 이치화 등의 화상 처리가 이루어짐으로써, 버스 전극의 선 폭이 계측된다. 버스 전극(4b, 5b)의 선 폭은, 제1 버스 전극 영역과 제2 버스 전극 영역의 양 영역에서 측정된다. 특히, 이음부(52c)의 근방에서 측정되는 것이 바람직하다. 또한 복수의 개소에 있어서 측정되는 것이 바람직하다.
[4-2. 격벽(11)의 형성 스텝 S21 내지 S24]
도 7에 나타내어지는 바와 같이, 격벽(11)을 형성하는 공정은, 노광 스텝 S21, 현상 스텝 S22, 소성 스텝 S23 및 형상 계측 스텝 S24를 포함한다.
(격벽 페이스트의 도포)
우선, 다이 코트법에 의해, 격벽 페이스트가 소정의 두께로 절연체층 상에 도포된다. 도포된 격벽 페이스트의 막 두께는, 100 내지 300㎛ 정도의 범위에서 적절히 설정된다. 격벽 페이스트의 도포 장치로서는, 스크린 인쇄기, 다이 코터, 블레이드 코터 등을 이용할 수 있다. 도포 두께는, 도포 횟수, 스크린 판의 메쉬, 페이스트의 점도에 의해 조정할 수 있다.
(격벽 페이스트)
격벽의 재료에는, 필러와, 필러를 결착시키기 위한 글래스 프릿과, 감광성 수지와, 용제 등을 포함하는 격벽 페이스트가 이용된다.
감광성 수지는, 네가티브형이 이용되었다. 즉, 노광된 부분의 현상액에 대한 용해성이 증대된다.
필러로서는, 일례로서, 삼산화2알루미늄(Al2O3), 이산화규소(SiO2), 코디어라이트 등의 산화물 등이 이용된다.
글래스 프릿으로서는, 삼산화2비스무트(Bi2O3), 삼산화2붕소(B2O3), 오산화2바나듐(V2O5) 등을 주성분으로 한 글래스 프릿이 이용된다. 예를 들면, Bi2O3―B2O3―RO―MO계 글래스가 이용된다. 여기서 R은, 바륨(Ba), 스트론튬(Sr), 칼슘(Ca) 및 마그네슘(Mg) 중 어느 하나이다. M은, 구리(Cu), 안티몬(Sb) 및 철(Fe) 중 어느 하나이다. 그 외에도, 예를 들면, V2O5―BaO―TeO―WO계의 글래스가 이용된다.
감광성 수지로서는, 알칼리 가용성의 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 감광성 수지가 알칼리 가용성을 가짐으로써 현상액으로서 환경에 문제가 있는 유기 용매가 아니라 알칼리 수용액을 이용할 수 있기 때문이다. 알칼리 가용성의 수지로서는, 일례로서, 아크릴계 공중합체가 바람직하다. 아크릴계 공중합체라 함은, 공중합 성분에 적어도 아크릴계 모노머를 포함하는 공중합체를 말한다.
또한, 격벽 페이스트에는, 광중합 개시제, 유기 용매, 필요에 따라, 비감광성 수지 성분, 산화 방지제, 유기 염료, 증감제, 증감조제, 가소제, 증점제, 분산제, 침전 방지제 등이 더 첨가되어도 된다.
용제로서는, α―, β―, γ―테르피네올 등의 테르펜류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류 등이 이용된다. 이들 중, 1종류를 단독으로 이용할 수 있다. 또는, 이들 중, 2종류 이상을 혼합하여 이용할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 격벽 페이스트는, 일례로서, 알칼리 현상성의 감광성 페이스트이다. 여기서, 알칼리 현상성이라 함은, 네가티브형 마스크를 이용한 노광의 경우, 노광 전의 상태에서는 pH가 9 내지 14인 알카리성의 수계 현상액에는 용해하지만 pH가 6 내지 8인 중성의 수계 현상액에는 용해하지 않는다. 한편, 노광 후에는 pH가 9 내지 14인 알카리성의 수계 현상액, pH가 6 내지 8인 중성의 수계 현상액 중 어느 것에도 용해하지 않는 성질을 갖는 것을 가리킨다.
비감광성 수지 성분은, 예를 들면 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스 화합물, 고분자량 폴리에테르 등이다. 또한, 감광성 모노머는, 탄소―탄소 불포화 결합을 함유하는 화합물이다.
(격벽 페이스트의 건조)
다음으로 건조로에 의해, 격벽 페이스트 중의 용제가 제거된다. 건조로로서는, 히터 가열로, 감압 건조로, 적외선 건조로 등이 예시된다. 건조에 있어서의 분위기는, 대기여도 불활성 가스여도 상관없다. 건조 온도는, 80℃ 내지 200℃ 정도이다. 건조 시간은, 3분 내지 30분 정도이다. 건조에 의해, 격벽 페이스트의 막 두께가 감소한다. 건조 후의 격벽 페이스트의 막 두께는, 50 내지 200㎛ 정도의 범위에서 적절히 설정된다. 건조 온도 및 건조 시간은, 격벽 페이스트 중에 포함되는 용제의 종류, 양 등에 따라 적절히 설정된다. 이상의 공정이, 도 7에 있어서의 전공정이다.
(노광)
S21에서는, 분할 노광이 이루어진다. 노광에는, 네가티브형의 포토마스크가 이용되었다. 노광 장치로서는, 스테퍼 노광기, 프록시미티 노광기 등을 이용할 수 있다. 발광 디바이스로서는, 엑시머 램프, 저압 수은 램프, 고압 수은 램프 등이 이용된다.
소정의 패턴이 형성된 제1 포토마스크를 개재하여, 제1 격벽 영역이 노광된다. 제1 포토마스크는, 도 4에 있어서의 제1 포토마스크(53)에 상당한다. 제1 격벽 전극 영역은, 도 6에 있어서의 제1 노광 영역(52a)에 상당한다. 다음으로, 소정의 패턴이 형성된 제2 포토마스크를 개재하여, 제2 격벽 영역이 노광된다. 제2 포토마스크는, 도 6에 있어서의 제2 포토마스크(54)에 상당한다. 제2 격벽 영역은, 도 6에 있어서의 제2 노광 영역(52b)에 상당한다.
광의 파장은, 격벽 페이스트에 포함되어 있는 광중합 개시제가 반응하는 파장이다. 일반적으로는, 250㎚ 내지 450㎚ 정도이다. 격벽 페이스트에 있어서의 광이 조사된 영역은 경화된다.
(현상)
S22에서는, 격벽 페이스트가 현상된다. 현상액은, 일례로서, 알칼리 현상액이 이용된다. 구체적으로는, 탄산나트륨 용액, 수산화칼륨 용액, TMAH 등이 이용된다. 격벽 페이스트에 현상액이 분사됨으로써, 광이 조사된 영역이 잔존하고, 광이 조사되지 않은 영역이 제거된다. 마지막으로 수세정이 행해져, 배면 기판(8)에 부착된 오염물 등이 제거된다.
(소성)
S23에서는, 소성로에 의해, 격벽 패턴이 소성된다. 소성로로서는, 예를 들면, 히터 가열로 등이 이용된다. 소성에 있어서의 분위기는, 산소를 포함하는 것이 바람직하다. 수지를 연소시키기 위해서이다. 즉, 분위기는, 대기여도 상관없다. 소성로에 의해, 격벽 패턴이 소정의 온도에서 소성된다. 즉, 격벽 패턴 중의 폴리머 등이 제거된다. 또한, 격벽 패턴 중의 글래스 프릿이 연화된다. 연화된 글래스 프릿은, 소성 후에 경화된다. 소성이 완료되면, 배면 기판(8)에 격벽(11)이 형성된다.
(형상 계측)
S24에서는, 예를 들면, 화상 인식 장치에 의해 격벽의 폭이 계측된다. 화상 인식 장치는, S14와 마찬가지의 장치를 이용해도 된다. 격벽(11)의 선 폭은, 제1 격벽 영역과 제2 격벽 영역의 양 영역에서 측정된다. 특히, 이음부(52c)의 근방에서 측정되는 것이 바람직하다. 또한 복수의 개소에 있어서 측정되는 것이 바람직하다.
[4-3. 조립 스텝 S31 내지 S32]
(평가)
S31에서는, 배면 기판(8) 또는 전면 기판(3)을 180도 회전시킬지 여부를 판단한다. 구체적으로는, 이음부(52c)에 있어서의 버스 전극(4b, 5b)의 폭과 격벽(11)의 폭이 임계값을 초과하고 있는지 여부가 평가된다. 또한, 배면 기판(8)에 대해서는, 형광체층(12)의 형성 전인 것이 바람직하다. 격벽(11)의 형상 평가가 용이하기 때문이다. 또한, 후의 공정이 용이해지기 때문이다.
이하에 S31에 대해, 보다 상세한 설명이 이루어진다.
도 8에 도시되는 바와 같이 전면 기판(3)측의 긴 변 중앙부의 상하 단부에 얼라인먼트 마크(1a)가 형성되어 있다. 얼라인먼트 마크(1a)는, 일례로서, 십자 형상이다. 또한, 얼라인먼트 마크(1a)는 버스 전극(4b, 5b)이 전면 기판(3)에 형성될 때에, 동시에 형성되어도 된다. 또한 전면 기판 기준 위치(3a)가 전면 기판(3)의 우측 상부 코너에 형성되어 있다. 도 8에 있어서의 이음부(1b)의 좌측의 영역 A가, 제1 버스 전극 영역이다. 이음부(1b)의 우측의 영역 B가, 제2 버스 전극 영역이다. 또한, 이음부(1b)는, 도 6에 있어서의 이음부(52c)에 상당한다.
또한, 도 9에 도시되는 바와 같이 배면 기판(8)측의 긴 변 중앙부의 상하 단부에 얼라인먼트 마크(2a)가 형성되어 있다. 얼라인먼트 마크(2a)는, 일례로서, 십자 형상이다. 또한, 얼라인먼트 마크(2a)는 격벽(11)이 배면 기판(8)에 형성될 때에, 동시 형성되어도 된다. 또한 배면 기판 기준 위치(8a)가 배면 기판(8)의 좌측 상부 코너에 형성되어 있다. 도 9에 있어서의 이음부(2b)의 좌측의 영역 B가, 제1 격벽 영역이다. 이음부(2b)의 우측의 영역 A가 제2 격벽 영역이다. 또한, 이음부(2b)는, 도 6에 있어서의 이음부(52c)에 상당한다.
또한, 전면 기판 기준 위치(3a), 배면 기판 기준 위치(8a)로서는, 전면 기판(3) 및/또는 배면 기판(8)의 영역의 일부가 절단된 구성, 마크 등이 부가된 구성 등이 있다. 또한, 전면 기판 기준 위치(3a), 배면 기판 기준 위치(8a)의 위치는, 적절히 설정된다.
[전면 기판 기준 위치(3a)와 배면 기판 기준 위치(8a)가 겹치는 위치에 배치]
도 10에 도시되는 바와 같이, 전면 기판 기준 위치(3a)와 배면 기판 기준 위치(8a)가 겹치는 위치에 오도록, 전면 기판(3)과 배면 기판(8)이 대향 배치된 경우가 가정된다. 따라서, 전면 기판(3)의 영역 A와 배면 기판(8)의 영역 A가 대향 배치되어 있다. 즉, 전면 기판(3)의 영역 B와 배면 기판(8)의 영역 B가 대향 배치되어 있다.
또한, 도 11에 도시되는 바와 같이 버스 전극(4b, 5b) 및 세로 격벽(21)의 선 폭이 영역 A와 영역 B에서 각각 다른 경우가 상정된다.
전면 기판(3)의 영역 A에 있어서의 버스 전극(4b, 5b)의 폭은, 영역 B에 있어서의 버스 전극(4b, 5b)의 폭보다 넓다. 따라서, 전면 기판(3)의 영역 A의 개구율은, 영역 B의 개구율보다 작아진다.
배면 기판(8)의 영역 A에 있어서의 세로 격벽(21)의 폭은, 영역 B에 있어서의 세로 격벽(21)의 폭보다 넓다. 따라서, 배면 기판(8)의 영역 A의 개구율은, 영역 B의 개구율보다 작아진다.
따라서, 도 10에 도시되는 바와 같이 대향 배치된 경우, 전면 기판(3)의 영역 A에 있어서의 개구율과 배면 기판(8)의 영역 A에 있어서의 개구율을 곱한 값은, 전면 기판(3)의 영역 B에 있어서의 개구율과 배면 기판(8)의 영역 B에 있어서의 개구율을 곱한 값보다 작아진다. 따라서, 이음부(1b, 2b)를 경계로 하여 좌측은 밝고, 우측은 어두워진다. 따라서, 이음부(1b, 2b) 및 그 근방에 있어서 휘도의 차가 인식되기 쉬워진다.
[전면 기판 기준 위치(3a)와 배면 기판 기준 위치(8a)가 대각의 위치에 배치]
도 12에 도시되는 바와 같이, 전면 기판 기준 위치(3a)와 배면 기판 기준 위치(8a)가 대각의 위치로 되도록 배면 기판(8)을 180도 회전시켜 전면 기판(3)과 대향 배치되어 있다. 따라서, 전면 기판(3)의 영역 B와 배면 기판(8)의 영역 A가 대향 배치되어 있다. 즉, 전면 기판(3)의 영역 A와 배면 기판(8)의 영역 B가 대향 배치되어 있다.
따라서, 도 13에 도시되는 바와 같이, 전면 기판(3)의 영역 A에 있어서의 개구율과 배면 기판(8)의 영역 B에 있어서의 개구율을 곱한 값은, 전면 기판(3)의 영역 B에 있어서의 개구율과 배면 기판(8)의 영역 A에 있어서의 개구율을 곱한 값과 큰 차가 없어진다. 따라서, 이음부(1b, 2b) 및 그 근방에 있어서 휘도의 차가 인식되기 어려워진다.
즉, 전면 기판 기준 위치(3a)와 배면 기판 기준 위치(8a)가 겹치는 위치에 배치된 경우와 비교하여, 이음부(1b, 2b) 및 그 근방에 있어서 휘도의 차가 인식되기 어려워진다.
상술한 바와 같이, 버스 전극(4b, 5b)의 선 폭 및 세로 격벽(21)의 선 폭 및 전면 기판(3), 배면 기판(8)의 배치 위치에 의해, 이음부(1b, 2b)에 있어서의 휘도 차를 저감할 수 있다.
즉, S31에 있어서는, 버스 전극(4b, 5b)의 선 폭 및 세로 격벽(21)의 선 폭으로부터, 개구율을 구하고, 제1 버스 전극 영역과 제1 격벽 영역이 대향하도록 배치할지, 제1 버스 전극 영역과 제2 격벽 영역이 대향하도록 배치할지가 결정된다. 또한, 배면 기판(8)에 있어서, 가로 격벽(22)의 선 폭을 측정한 뒤에, 개구율을 구해도 된다. 개구율의 계산 정밀도가 향상되기 때문이다.
(회전)
S32에서는, S31에 있어서 임계값 이상이라고 평가된 경우, 전면 기판(3) 혹은 배면 기판(8)이 180도 회전된다. 또한, S31에 있어서, 임계값 미만이라고 평가된 경우, S32는 실행되지 않는다.
또한, 이음부(1b, 2b)에 있어서의 휘도 차는, 비율로 하여 약 1.5%를 초과하면 시인되기 쉽다. 즉, 휘도 차가 1.5% 이하로 되도록, 전면 기판(3)과 배면 기판(8)을 배치하는 것이 바람직하다. 일반적으로, 인간의 눈은, 급격한 휘도 차에 대해서는, 검출 능력이 높다. 바꾸어 말하면, 완만하게 휘도가 변화하고 있어도 차이를 검출할 수 없다. 이음부(1b, 2b)에 있어서의 휘도 차는, 급격한 변화로 인해, 인간의 눈에 검출되기 쉽다.
한편, 급격한 휘도 차로서 인식되는 영역은, PDP(100)의 크기에 의존한다. 즉, PDP(100)가 클수록, 급격한 휘도 차로서 인식되는 영역은 커진다. 발명자들의 검토에 의하면, 예를 들면, 대각 150인치(화상 표시 영역은 가로 340㎝, 세로 180㎝)의 PDP(100)에 있어서는, 이음부(1b, 2b)의 좌우 3.0㎝ 이내의 영역에 있어서 휘도 차가 발생하면, 인식되기 쉬운 것이 판명되었다. 즉, 대각 150인치의 PDP(100)를 제조할 때에는, 이음부(1b, 2b)의 좌우 3.0㎝ 이내의 영역에서 버스 전극(4b, 5b)의 폭 및 세로 격벽(21)의 폭이 측정되는 것이 바람직하다. 또한, 대각 100인치(화상 표시 영역은 가로 230㎝, 세로 130㎝)의 PDP(100)를 제조할 때에는, 이음부(1b, 2b)의 좌우 2.1㎝ 이내의 영역에서 버스 전극(4b, 5b)의 폭 및 세로 격벽(21)의 폭이 측정되는 것이 바람직하다. 또한, 대각 85인치(화상 표시 영역은 가로 190㎝, 세로 100㎝)의 PDP(100)를 제조할 때에는, 이음부(1b, 2b)의 좌우 1.8㎝ 이내의 영역에서 버스 전극(4b, 5b)의 폭 및 세로 격벽(21)의 폭이 측정되는 것이 바람직하다. 또한, 측정 위치는, 전면 기판(3)과 배면 기판(8)을 대향시켰을 때에, 대략 마주보는 위치가 바람직하다. S31에 있어서, 보다 정확한 평가를 할 수 있기 때문이다.
또한, 발명자들의 검토에 의하면, 선 폭의 임계값은, 화소 사이즈에 의존하는 것이 판명되었다. 또한, 화소 사이즈라 함은, 적색을 발광하는 방전 셀, 녹색을 발광하는 방전 셀 및 청색을 발광하는 방전 셀의 3개의 방전 셀로 구성되는 1화소의 크기를 의미한다. 1화소는 대략 정사각형이다. 일변이 830㎛의 화소인 경우에는, 이음부(1b, 2b)에 있어서 3㎛ 이상의 선폭 차가 발생하면, 1.5%의 휘도 차가 발생한다. 일변이 980㎛의 화소인 경우에는, 이음부(1b, 2b)에 있어서 4.2㎛ 이상의 선폭 차가 발생하면, 1.5%의 휘도 차가 발생한다. 일변이 1180㎛의 화소인 경우에는, 이음부(1b, 2b)에 있어서 6㎛ 이상의 선폭 차가 발생하면, 1.5%의 휘도 차가 발생한다. 따라서, 제조하는 PDP(100)의 화소 사이즈에 따라, 임계값을 바꾸는 것이 바람직하다.
또한, 임계값을 설정하지 않고, PDP(100)를 제조할 수도 있다. 즉, 제1 전극 영역과, 제1 격벽 영역이 대향하도록 배치한 경우에 있어서의, 제1 전극 영역의 개구율과 제1 격벽 영역의 개구율을 곱한 값으로부터 제2 전극 영역의 개구율과 제2 격벽 영역의 개구율을 곱한 값을 차분한 제1 차분값을 구한다. 제1 전극 영역과, 제2 격벽 영역이 대향하도록 배치한 경우에 있어서의, 제1 전극 영역의 개구율과 제2 격벽 영역의 개구율을 곱한 값으로부터 제2 전극 영역의 개구율과 제1 격벽 영역의 개구율을 곱한 값을 차분한 제2 차분값을 구한다. 제1 차분값의 절대값이 제2 차분값의 절대값보다 작은 경우, 제1 전극 영역과, 제1 격벽 영역이 대향하도록 배치한다. 제1 차분값의 절대값이 제2 차분값의 절대값보다 큰 경우, 제1 전극 영역과, 제2 격벽 영역이 대향하도록 배치한다. 이상의 방법에 의해, 보다 휘도 차가 작은 PDP(100)를 제조할 수 있다.
[5. PDP 장치에 있어서의 휘도 차의 평가]
대각 150인치의 PDP(100)를 제조할 때의 평가 결과가 나타내어진다.
[5-1. 선폭 차 측정]
1매의 전면 기판(3)과 1매의 배면 기판(8)이, 본 실시 형태에 따른 제조 방법에 의해 시작(試作)되었다.
도 14에 나타내어지는 세로 격벽(21)의 선 폭의 차(도면 중, △의 기호로 나타내어짐)는, 이음부(2b)의 근방의 영역 B에 있어서의 선 폭과, 이음부(2b)의 근방의 영역 A에 있어서의 선 폭과의 차분값이다. 버스 전극(4b, 5b)의 선 폭의 차(도면 중, ●의 기호로 나타내어짐)는, 이음부(1b)의 근방의 영역 B에 있어서의 선 폭과, 이음부(1b)의 근방의 영역 A에 있어서의 선 폭과의 차분값이다.
도 14에 있어서의 기판 하측이라 함은, 도 8에 있어서의 전면 기판(3)의 하측 및 도 9에 있어서의 배면 기판(8)의 하측을 의미한다. 도 14에 있어서의 기판 상측이라 함은, 도 8에 있어서의 전면 기판(3)의 상측 및 도 9에 있어서의 배면 기판(8)의 상측을 의미한다. 즉, 도 14는 이음부(1b, 2b)의 근방에 있어서, 복수의 개소에 대해 측정된 결과이다.
도 14에 있어서, 종축의 값이 플러스일 때, 이음부(1b, 2b)에 있어서 영역 B에 있어서의 선 폭이 영역 A에 있어서의 선 폭보다 넓은 것을 의미한다. 한편, 마이너스일 때, 영역 A에 있어서의 선 폭이 영역 B에 있어서의 선 폭보다 좁은 것을 의미한다. 또한, 도 14에 있어서의 선폭 차라 함은, 복수의 선폭 차의 평균값이다.
도 14에 나타내어지는 바와 같이, 기판 하부측 및 상부측에서는, 버스 전극(4b, 5b)의 선 폭은 영역 B 쪽이 영역 A보다 넓다. 버스 전극(4b, 5b)의 선폭 차의 최대값은 약 3.0㎛이다. 세로 격벽(21)의 선 폭도 마찬가지의 경향을 나타냈다. 세로 격벽(21)의 선폭 차의 최대값은 약 3.0㎛이다.
[5-2. 휘도 평가]
도 15에 있어서의 통상 대향 위치(도면 중, □의 기호로 나타내어짐)는, 비교예이다. 즉, 도 15에 나타내어진 전면 기판(3)의 영역 A와 배면 기판(8)의 영역 A가 대향하도록 배치하였다고 가정한 경우의 휘도 차(계산값)이다.
한편, 도 15에 있어서의 배면판 180도 회전 대향 배치(도면 중, ◆의 기호로 나타내어짐)는, 실시예이다. 즉, 배면 기판(8)을 점대칭으로 되도록 180도 회전시켜 전면 기판(3)과 대향 배치시킨 경우이다. 전면 기판(3)의 영역 A와 배면 기판(8)의 영역 B가 대향하도록 배치하여 제조된 PDP(100)의 실측값이다.
또한, 도 15에 나타내어지는 PDP 상측, PDP 하측은, 도 14와 동일한 의미이다. 도 15에 나타내어지는 종축은, 이음부(1b, 2b)의 좌측의 영역의 휘도를, 이음부(1b, 2b)의 우측의 영역의 휘도로 제산하고, 또한 1을 차분한 값이다. 예를 들면, 이음부(1b, 2b)의 좌측의 영역과 우측의 영역에서 휘도 차가 없는 경우, 좌측의 영역의 휘도/우측의 영역의 휘도=1로 되므로, 휘도 차는 0%로 된다.
비교예에 있어서의 휘도 차는, PDP(100)의 상부측에 있어서 최대 2.0%로 계산되었다. 또한, PDP(100)의 하부측에 있어서 최대 2.8%로 계산되었다. 즉, 휘도 차가 1.5%를 초과한다. 따라서, 비교예에 있어서는, PDP(100)의 하부측 및 상부측에서는 이음부(1b, 2b) 및 그 근방에 있어서, 휘도 차가 시인되기 쉽게 되어 있다. 즉, 휘도 차가 눈에 띔으로써, PDP 장치의 표시 품질이 저하된다고 생각된다.
한편, 실시예에 있어서의 휘도 차는, 최대여도 1.2% 이하로 억제할 수 있었다. 즉, 이음부(1b, 2b) 및 그 근방의 휘도 차가 시인되기 어렵다. 따라서, PDP(100)를 점등시켰을 때의 표시 품질의 저하가 억제되었다.
따라서, 본 실시 형태에 따른 제조 방법은, 일례로서, 대각 150인치의 PDP(100)를 제조하는 경우, 버스 전극(4b, 5b)의 선폭 차 및 격벽(11)의 선폭 차가, 이음부(1b, 2b) 및 그 근방에 있어서의 영역 A와 영역 B에서 3.0㎛를 초과할 때, 배면 기판(8)을 점대칭으로 180도 회전시켜 전면 기판(3)과 대향 배치시킨다.
[6. 정리]
본 실시 형태에 따른 PDP(100)의 제조 방법은, 전면 기판(3) 상에 형성된 감광성 성분을 포함하는 전극 페이스트층을, 전면 기판(3)의 중앙에서 제1 전극 영역인 영역 A와 제2 전극 영역인 영역 B의 2개의 영역으로 분할 노광함으로써 버스 전극(4b, 5b)을 형성하는 것과, 배면 기판(8) 상에 형성된 감광성 성분을 포함하는 격벽 페이스트층을, 배면 기판의 중앙에서 제1 격벽 영역인 영역 A와 제2 격벽 영역인 영역 B의 2개의 영역으로 분할 노광함으로써 격벽(11)을 형성하는 것과, 제1 전극 영역과 상기 제2 전극 영역의 경계 근방인 이음부(1b)에 있어서, 제1 전극 영역의 개구율 및 제2 전극 영역의 개구율을 구하는 것과, 제1 격벽 영역과 제2 격벽 영역의 경계 근방인 이음부(2b)에 있어서, 제1 격벽 영역의 개구율 및 제2 격벽 영역의 개구율을 구하는 것과, 제1 전극 영역과, 제1 격벽 영역이 대향하도록 배치한 경우에 있어서, 제1 전극 영역의 개구율과 제1 격벽 영역의 개구율을 곱한 값으로부터 제2 전극 영역의 개구율과 제2 격벽 영역의 개구율을 곱한 값을 차분한 제1 차분값을 구하는 것과, 제1 전극 영역과, 제2 격벽 영역이 대향하도록 배치한 경우에 있어서, 제1 전극 영역의 개구율과 제2 격벽 영역의 개구율을 곱한 값으로부터 제2 전극 영역의 개구율과 제1 격벽 영역의 개구율을 곱한 값을 차분한 제2 차분값을 구하는 것과, 제1 차분값의 절대값이 제2 차분값의 절대값보다 작은 경우, 제1 전극 영역과, 제1 격벽 영역이 대향하도록 배치하는 것을 구비한다.
본 실시 형태에 따른 방법에 의하면, 분할 노광의 이음부(1b, 2b) 및 그 근방의 휘도 차가 시인되기 어려운 PDP(100)를 제조할 수 있다. 따라서, PDP(100)를 점등시켰을 때의 표시 품질의 저하가 억제된다.
또한, 제1 전극 영역과 제2 전극 영역의 경계 근방에 있어서, 제1 전극 영역의 개구율 및 제2 전극 영역의 개구율을 구하는 것, 및 제1 격벽 영역과 제2 격벽 영역의 경계 근방에 있어서, 제1 격벽 영역의 개구율 및 제2 격벽 영역의 개구율을 구하는 것은, 전면 기판(3)과 배면 기판(8)이 대향하여 배치된 경우에, 서로 겹치는 위치에 있어서, 제1 전극 영역의 개구율 및 제2 전극 영역의 개구율을 구하고, 또한, 제1 격벽 영역의 개구율 및 제2 격벽 영역의 개구율을 구하는 것이 바람직하다. PDP(100)에 있어서의 휘도 차의 산출이 보다 정확해지기 때문이다.
또한, 본 실시 형태에 나타내어진 구성, 재료, 장치 등은, 단순히 예시에 불과하다. 따라서, 예시된 구성 등은, 본 발명을 전혀 한정하는 것은 아니다.
여기에 개시된 기술은, 표시 품질의 저하가 억제 가능한 대화면의 PDP를 실현할 수 있다. 따라서, 대화면의 표시 디바이스 등에 유용하다.
1 : 전면판
1a, 2a : 얼라인먼트 마크
1b, 2b, 52c : 이음부
2 : 배면판
3 : 전면 기판
4 : 주사 전극
5 : 유지 전극
4a, 5a : 투명 전극
4b, 5b : 버스 전극
6 : 유전체층
7 : 보호층
9 : 기초 유전체층
10 : 데이터 전극
11 : 격벽
12 : 형광체층
21 : 세로 격벽
22 : 가로 격벽
51 : 기판
52 : 감광성 재료층
53 : 제1 포토마스크
54 : 제2 포토마스크
55 : 개구부
100 : PDP

Claims (6)

  1. 전면 기판 상에 형성된 감광성 성분을 포함하는 전극 페이스트층을, 상기 전면 기판의 중앙에서 제1 전극 영역과 제2 전극 영역의 2개의 영역으로 분할 노광함으로써 버스 전극을 형성하는 것,
    배면 기판 상에 형성된 감광성 성분을 포함하는 격벽 페이스트층을, 상기 배면 기판의 중앙에서 제1 격벽 영역과 제2 격벽 영역의 2개의 영역으로 분할 노광함으로써 격벽을 형성하는 것,
    상기 제1 전극 영역과 상기 제2 전극 영역의 경계 근방에 있어서, 상기 제1 전극 영역의 개구율 및 상기 제2 전극 영역의 개구율을 구하는 것,
    상기 제1 격벽 영역과 상기 제2 격벽 영역의 경계 근방에 있어서, 상기 제1 격벽 영역의 개구율 및 상기 제2 격벽 영역의 개구율을 구하는 것,
    상기 제1 전극 영역과, 상기 제1 격벽 영역이 대향하도록 배치한 경우에 있어서, 상기 제1 전극 영역의 개구율과 상기 제1 격벽 영역의 개구율을 곱한 값으로부터 상기 제2 전극 영역의 개구율과 상기 제2 격벽 영역의 개구율을 곱한 값을 차분한 제1 차분값을 구하는 것,
    상기 제1 전극 영역과, 상기 제2 격벽 영역이 대향하도록 배치한 경우에 있어서, 상기 제1 전극 영역의 개구율과 상기 제2 격벽 영역의 개구율을 곱한 값으로부터 상기 제2 전극 영역의 개구율과 상기 제1 격벽 영역의 개구율을 곱한 값을 차분한 제2 차분값을 구하는 것,
    상기 제1 차분값의 절대값이 상기 제2 차분값의 절대값보다 작은 경우, 상기 제1 전극 영역과, 상기 제1 격벽 영역이 대향하도록 배치하고,
    상기 제1 차분값의 절대값이 상기 제2 차분값의 절대값보다 큰 경우, 상기 제1 전극 영역과, 상기 제2 격벽 영역이 대향하도록 배치하는 것
    을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극 영역과 상기 제2 전극 영역의 경계 근방에 있어서, 상기 제1 전극 영역의 개구율 및 상기 제2 전극 영역의 개구율을 구하는 것, 및 상기 제1 격벽 영역과 상기 제2 격벽 영역의 경계 근방에 있어서, 상기 제1 격벽 영역의 개구율 및 상기 제2 격벽 영역의 개구율을 구하는 것은,
    상기 전면 기판과 상기 배면 기판이 대향하여 배치된 경우에, 서로 겹치는 위치에 있어서, 상기 제1 전극 영역의 개구율 및 상기 제2 전극 영역의 개구율을 구하고, 또한, 상기 제1 격벽 영역의 개구율 및 상기 제2 격벽 영역의 개구율을 구하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 전극 영역과 상기 제2 전극 영역의 경계 근방에 있어서, 상기 제1 전극 영역의 개구율 및 상기 제2 전극 영역의 개구율을 구하는 것은,
    복수의 제1 전극 영역의 개구율 및 복수의 제2 전극 영역의 개구율을 구하는 것을 더 포함하고,
    상기 제1 격벽 영역과 상기 제2 격벽 영역의 경계 근방에 있어서, 상기 제1 격벽 영역의 개구율 및 상기 제2 격벽 영역의 개구율을 구하는 것은,
    복수의 제1 격벽 영역의 개구율 및 복수의 제2 격벽 영역의 개구율을 구하는 것을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극 영역과 상기 제2 전극 영역의 경계 근방에 있어서, 상기 제1 전극 영역의 개구율 및 상기 제2 전극 영역의 개구율을 구하는 것은,
    상기 버스 전극의 폭을 측정하는 것을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 격벽 영역과 상기 제2 격벽 영역의 경계 근방에 있어서, 상기 제1 격벽 영역의 개구율 및 상기 제2 격벽 영역의 개구율을 구하는 것은,
    상기 격벽의 폭을 측정하는 것을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  6. 전면 기판 상에 형성된 감광성 성분을 포함하는 전극 페이스트층을, 상기 전면 기판의 중앙에서 제1 전극 영역과 제2 전극 영역의 2개의 영역으로 분할 노광함으로써 버스 전극을 형성하는 것,
    배면 기판 상에 형성된 감광성 성분을 포함하는 격벽 페이스트층을, 상기 배면 기판의 중앙에서 제1 격벽 영역과 제2 격벽 영역의 2개의 영역으로 분할 노광함으로써 격벽을 형성하는 것,
    상기 제1 전극 영역과 상기 제2 전극 영역의 경계 근방에 있어서, 상기 제1 전극 영역의 개구율 및 상기 제2 전극 영역의 개구율을 구하는 것,
    상기 제1 격벽 영역과 상기 제2 격벽 영역의 경계 근방에 있어서, 상기 제1 격벽 영역의 개구율 및 상기 제2 격벽 영역의 개구율을 구하는 것,
    상기 제1 전극 영역과, 상기 제1 격벽 영역이 대향하도록 배치한 경우에 있어서, 상기 제1 전극 영역의 개구율과 상기 제1 격벽 영역의 개구율을 곱한 값으로부터 상기 제2 전극 영역의 개구율과 상기 제2 격벽 영역의 개구율을 곱한 값을 차분한 제1 차분값을 구하는 것,
    상기 제1 전극 영역과, 상기 제2 격벽 영역이 대향하도록 배치한 경우에 있어서, 상기 제1 전극 영역의 개구율과 상기 제2 격벽 영역의 개구율을 곱한 값으로부터 상기 제2 전극 영역의 개구율과 상기 제1 격벽 영역의 개구율을 곱한 값을 차분한 제2 차분값을 구하는 것,
    상기 제1 차분값의 절대값이 상기 제2 차분값의 절대값보다 작은 경우, 상기 제1 전극 영역과, 상기 제1 격벽 영역이 대향하도록 배치하고,
    상기 제1 차분값의 절대값이 상기 제2 차분값의 절대값보다 큰 경우, 상기 제1 전극 영역과, 상기 제2 격벽 영역이 대향하도록 배치하는 것
    을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 의해 제조된 플라즈마 디스플레이 패널.
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