KR20140015958A - Light emitting device package - Google Patents

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KR20140015958A
KR20140015958A KR1020120082494A KR20120082494A KR20140015958A KR 20140015958 A KR20140015958 A KR 20140015958A KR 1020120082494 A KR1020120082494 A KR 1020120082494A KR 20120082494 A KR20120082494 A KR 20120082494A KR 20140015958 A KR20140015958 A KR 20140015958A
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이치우
박민정
박종원
우나리
윤창번
윤철수
한옥식
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 발광 소자 패키지에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은,
발광 소자와, 상기 발광 소자가 탑재된 패키지 본체와, 상면에 오목부가 형성되며, 상기 발광 소자로부터 방출되는 광의 파장을 제1 파장의 광으로 변환하는 제1 파장변환물질을 갖는 제1 파장변환부 및 상기 오목부에 형성되며 상기 발광 소자로부터 방출되는 광의 파장을 제2 파장의 광으로 변환하는 제2 파장변환물질을 갖는 제2 파장변환부를 포함하는 발광 소자 패키지를 제공한다.The present invention relates to a light emitting device package, an aspect of the present invention,
A first wavelength conversion portion having a light emitting element, a package body on which the light emitting element is mounted, and a concave portion formed on an upper surface thereof, and a first wavelength conversion material converting the wavelength of light emitted from the light emitting element into light having a first wavelength; And a second wavelength conversion unit formed in the concave portion and having a second wavelength conversion material converting a wavelength of light emitted from the light emitting device into light having a second wavelength.

Description

발광 소자 패키지{Light Emitting Device Package}Light Emitting Device Package

본 발명은 발광 소자 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package.

일반적으로, 파장변환용 형광체물질은 다양한 광원의 특정 파장광을 원하는 파장광으로 변환시키는 물질로 사용되고 있다. 특히, 다양한 광원 중 발광다이오드는 저전력 구동 및 우수한 광효율으로 인해 LCD 백라이트와 자동차 조명 및 가정용 조명장치로서 유익하게 적용될 수 있으므로, 최근에 형광체 물질은 백색광 발광 소자를 제조하기 위한 핵심기술로 각광받고 있다.In general, the phosphor material for wavelength conversion is used as a material for converting specific wavelength light of various light sources into the desired wavelength light. In particular, since light emitting diodes among various light sources can be advantageously applied as LCD backlights, automobile lights, and home lighting devices due to low power driving and excellent light efficiency, phosphor materials have recently been spotlighted as a core technology for manufacturing white light emitting devices.

특히, 최근에 색재현성과 높은 양자효율을 가지고 있는 양자점을 이용한 발광 소자 패키지에 관한 많은 연구 및 특허가 진행되고 있다. 하지만 현재 양자점을 형광체를 적용한 발광 소자 또는 양자점을 실리콘에 직접 적용한 발광 소자는 양자점의 열화 및 소멸 문제로 낮은 신뢰성을 가지고 있어 실제 상용화 하는데는 많은 문제점을 안고 있다. In particular, many researches and patents on light emitting device packages using quantum dots having color reproducibility and high quantum efficiency have been recently conducted. However, currently, a light emitting device using quantum dots or a light emitting device directly applying quantum dots to silicon has low reliability due to deterioration and disappearance of the quantum dots and thus has many problems in commercialization.

즉, 형광체를 단독으로 적용하였을 때에는 파우더 형광체의 고질적인 문제인 색의 불균일성, 빛의 재흡수, 광산란 문제가 여전히 남아있다. 또한 양자점을 적용하였을 때에는 양자점이 유기물에 혼합되어 있기 때문에 산소 수분에 매우 취약하며, 또한 발광 소자 칩에서 발생하는 과도한 열로 인해 양자점이 소멸되거나 변색 되는 현상이 나타난다. That is, when the phosphor is applied alone, the problem of color nonuniformity, reabsorption of light, and light scattering, which are inherent problems of powder phosphors, still remain. In addition, when the quantum dot is applied, the quantum dot is very vulnerable to oxygen moisture because it is mixed with the organic material, and also the phenomenon that the quantum dot disappears or discolors due to excessive heat generated from the light emitting device chip.

본 발명은 이러한 양자점 및 형광체의 문제를 개선하며, 두 재료의 장점을 동시에 취하기 위해 컵 형상의 형광체층을 제작하여 양자점을 담은 후 산소 수분을 차단하여 구조를 개선하고 색 재현성 및 고휘도를 구현한 백색 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
The present invention improves the problems of the quantum dot and the phosphor, and in order to take advantage of the two materials at the same time to produce a cup-shaped phosphor layer containing the quantum dot after blocking oxygen moisture to improve the structure and implement color reproducibility and high brightness white A light emitting device package.

본 발명의 목적 중 하나는 전 가시광 영역에서의 발광 영역을 가지며 고휘도, 연색성, 색재현성이 우수한 새로운 형태의 발광 소자 패키지를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a novel light emitting device package having a light emitting area in the entire visible light region and excellent in high brightness, color rendering, and color reproducibility.

상기와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 측면은,One aspect of the present invention to solve the above problems,

발광 소자와, 상기 발광 소자가 탑재된 패키지 본체와, 상면에 오목부가 형성되며, 상기 발광 소자로부터 방출되는 광의 파장을 제1 파장의 광으로 변환하는 제1 파장변환물질을 갖는 제1 파장변환부 및 상기 오목부에 형성되며 상기 발광 소자로부터 방출되는 광의 파장을 제2 파장의 광으로 변환하는 제2 파장변환물질을 갖는 제2 파장변환부를 포함하는 발광 소자 패키지를 제공한다.
A first wavelength conversion portion having a light emitting element, a package body on which the light emitting element is mounted, and a concave portion formed on an upper surface thereof, and a first wavelength conversion material converting the wavelength of light emitted from the light emitting element into light having a first wavelength; And a second wavelength conversion unit formed in the concave portion and having a second wavelength conversion material converting a wavelength of light emitted from the light emitting device into light having a second wavelength.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 파장변환물질은 무기 형광체를 포함하며, 상기 제2 파장변환물질은 양자점 형광체를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first wavelength converting material may include an inorganic phosphor, and the second wavelength converting material may include a quantum dot phosphor.

이 경우, 상기 오목부를 밀봉하도록 상기 제1 파장변환부 상에 형성된 보호층을 더 포함할 수 있으며, In this case, it may further include a protective layer formed on the first wavelength conversion portion to seal the recess,

상기 보호층은 글래스판 또는 광투과성 고분자화합물일 수 있다.The protective layer may be a glass plate or a light transmissive polymer compound.

이 경우, 상기 제1 파장변환부는 상기 무기 형광체로 이루어진 세라믹 구조체일 수 있다.In this case, the first wavelength converter may be a ceramic structure made of the inorganic phosphor.

이 경우, 상기 제1 파장변환부는 상기 무기 형광체가 함유된 투명수지로 이루어질 수 있다.In this case, the first wavelength conversion part may be made of a transparent resin containing the inorganic phosphor.

이 경우, 상기 제2 파장변환부는 상기 양자점 형광체를 함유한 투명수지로 이루어질 수 있다.In this case, the second wavelength converter may be made of a transparent resin containing the quantum dot phosphor.

이 경우, 상기 발광소자는 청색광을 발광하며, 상기 제1 파장변환물질은 적색 형광체이고, 상기 제2 파장변환물질은 녹색 형광체일 수 있다.In this case, the light emitting device may emit blue light, the first wavelength converting material may be a red phosphor, and the second wavelength converting material may be a green phosphor.

이 경우, 상기 발광소자는 청색광을 발광하며, 상기 제1 파장변환물질은 녹색 형광체이고, 상기 제2 파장변환물질은 적색 형광체일 수 있다.
In this case, the light emitting device may emit blue light, the first wavelength conversion material may be a green phosphor, and the second wavelength conversion material may be a red phosphor.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 패키지 본체는 상기 발광 소자의 실장영역을 제공하는 캐비티를 포함하며, 상기 제1 파장변환부는 상기 캐비티 상면을 덮도록 형성될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the package body includes a cavity providing a mounting area of the light emitting device, the first wavelength conversion portion may be formed to cover the upper surface of the cavity.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 파장변환부는 컵형상으로 이루어질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first wavelength conversion portion may be formed in a cup shape.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 파장변환부의 적어도 일부는 상기 캐비티 내벽 형상과 대응되도록 형성되어 캐비티 안쪽에 삽입될 수 있다.In one embodiment of the present invention, at least a portion of the first wavelength conversion portion may be formed to correspond to the shape of the inner wall of the cavity may be inserted into the cavity.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 파장변환부는 상기 캐비티 저면과 이격되어 형성될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first wavelength conversion portion may be formed spaced apart from the bottom surface of the cavity.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 파장변환부 중 적어도 하나는 형광물질 이외에 빛의 원활한 확산을 위한 확산물질을 더 함유할 수 있다.In one embodiment of the present invention, at least one of the first and second wavelength conversion portion may further contain a diffusion material for smooth diffusion of light in addition to the fluorescent material.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 캐비티는 내측면이 단차진 복수의 층 구조일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the cavity may be a plurality of layer structure with an inner side stepped.

이 경우, 상기 캐비티의 복수의 층 구조 중 적어도 하나에 형성되며 상기 제1 및 제2 파장변환부와 다른 구성물질을 갖는 제3 파장변환부를 포함할 수 있다.In this case, the cavity may include a third wavelength conversion part formed in at least one of the plurality of layer structures of the cavity and having a different material from the first and second wavelength conversion parts.

본 발명의 일 실시 형태에 의할 경우, 기판과 반도체층 사이에 반사층을 형성하여 광추출효율을 높이고, 동시에 소자의 신뢰성이 향상된 반도체 발광 소자 및발광 장치를 얻을 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a semiconductor light emitting device and a light emitting device can be obtained by forming a reflective layer between the substrate and the semiconductor layer to increase the light extraction efficiency and at the same time improve the reliability of the device.

또한, 양자점 파장변환부를 적용하여 파장의 반치폭이 좁고 우수한 색 재현성을 구사할 수 있다. 또한 컵 형상의 형광체층을 이용하여 양자점이 받는 온도를 낮추고, 스페이서를 이용하여 산소/수분을 차단함으로서, 발광 소자 패키지의 수명을 안정적으로 확보 할 수 있다.In addition, by applying a quantum dot wavelength conversion portion, the half width of the wavelength is narrow and excellent color reproducibility can be utilized. In addition, by using a cup-shaped phosphor layer to lower the temperature received by the quantum dot, by using a spacer to block the oxygen / moisture, it is possible to ensure a stable life of the light emitting device package.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도5는 종래 기술에 따른 발광 소자 패키지에서 시간변화에 따른 발광성능을 나타낸 그래프이다.
도6은 종래 기술에 따른 발광 소자 패키지에서 시간변화에 따른 광파장의 변화를 나타낸 그래프이다.
도7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지에서 시간변화에 따른 발광성능을 나타낸 그래프이다.
도8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지에서 시간변화에 따른 광파장의 변화를 나타낸 그래프이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
5 is a graph showing light emitting performance according to time change in the light emitting device package according to the related art.
6 is a graph showing a change in light wavelength with time variation in the light emitting device package according to the prior art.
7 is a graph showing light emitting performance according to time variation in a light emitting device package according to an exemplary embodiment of the present invention.
8 is a graph showing a change in light wavelength with time variation in a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Further, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도1을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 발광 소자(11), 상기 발광 소자 칩이 상면에 실장된 패키지 본체(12), 상기 발광소자(11) 및 패키지 본체(12)의 상부에 배치된 제1 및 제2 파장변환부(13, 14)을 포함하는 형태로 제공될 수 있다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the light emitting device package according to the present exemplary embodiment includes a light emitting device 11, a package body 12 on which the light emitting device chip is mounted, and an upper portion of the light emitting device 11 and the package body 12. It may be provided in the form including the first and second wavelength converter 13, 14 disposed in the.

이하, 본 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구성 요소들을 상세히 설명한다. 다만, 본 명세서에서, '상면', '하면', '측면' 등의 용어는 도면을 기준으로 한 것이며, 실제로는 소자가 배치되는 방향에 따라 달라질 수 있을 것이다.
Hereinafter, the components of the semiconductor light emitting device according to the present embodiment will be described in detail. However, in this specification, terms such as 'top', 'bottom', and 'side' are based on the drawings and may actually vary depending on the direction in which the device is disposed.

본 실시 형태에서 발광소자(11)는 광원으로 사용될 수 있는 것이라면 어느 것이나 채용이 가능하며, 다만 광원의 소형화 및 고효율화의 측면에서 발광다이오드를 채용하는 것이 바람직하다.As long as the light emitting element 11 can be used as a light source in the present embodiment, any one can be employed. However, it is preferable to employ a light emitting diode in terms of miniaturization and high efficiency of the light source.

이 경우, 발광다이오드는 전압 인가에 의해 빛을 발생시키는 광원으로서, 백라이트 유닛과 같이 백색 광원이 필요한 곳에 주로 사용된다. 이러한 발광다이오드로 주로 백색 발광 다이오드 칩이 사용되지만, 필요시 적색, 녹색 또는 청색 발광다이오드 칩을 모아 구성하여 이 세 가지 색상의 빛을 선택적으로 발광시키도록 구성할 수도 있다. 또한, 이 세 가지 색의 혼합으로 백색 광을 발현할 수 있으며, 각 색상의 발광 다이오드 칩을 모두 설치하고 각 칩의 인가 전압에 차이를 둠으로써 이 외 원하는 특정의 색상도 발현할 수 있다.
In this case, the light emitting diode is a light source that generates light by applying a voltage, and is mainly used where a white light source is required, such as a backlight unit. A white light emitting diode chip is mainly used as the light emitting diode, but if necessary, a red, green, or blue light emitting diode chip may be collected and configured to selectively emit light of these three colors. In addition, the mixture of the three colors can express white light, and by installing all the LED chips of each color and varying the applied voltage of each chip, the desired specific color can also be expressed.

패키지 본체(12)는 열전도효율이 높아 발광소자(11)가 동작하는 동안에 발생되는 열을 외부로 용이하게 방출시킬 수 있는 고방열성의 세라믹 소재를 주로 사용하나 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.The package body 12 mainly uses a high heat dissipation ceramic material that can easily dissipate heat generated during operation of the light emitting device 11 due to high thermal conductivity, but the scope of the present invention is not limited thereto. .

즉, 패키지 본체(12)는 상기 예시 이외에도 에폭시, 트라아진, 실리콘 및 폴리이미드 등을 함유하는 유기 수지 소재 및 기타 유기 수지 소재로 형성되거나, AlN 및 Al2O3 등의 세라믹 소재, 또는 금속 및 금속화합물 등을 소재로 하여 형성될 수 있다.That is, the package body 12 is formed of an organic resin material and other organic resin material containing epoxy, triazine, silicon, polyimide and the like, in addition to the above examples, or a ceramic material such as AlN and Al 2 O 3 , or a metal and It may be formed using a metal compound or the like.

이러한 패키지 본체(12)에는 발광소자(11)가 설치될 수 있는 공간을 제공하며 발광소자(11)에 전기적 신호를 전달할 수 있도록 패키지 본체(12)의 상면 및 하면 또는 제1 서브기판과 제2 서브기판 사이 등 다양한 위치에 여러 형태로 된 전극(미도시)이 형성될 수 있다.The package body 12 provides a space in which the light emitting device 11 can be installed, and allows the top and bottom surfaces of the package body 12 or the first sub-substrate and the second substrate to transmit electrical signals to the light emitting device 11. Various shapes of electrodes (not shown) may be formed at various locations, such as between sub-substrates.

그리고, 발광소자(11)는 와이어와 같은 접속수단에 의해 전극과 전기적으로 연결된다. 상기 와이어 이외에 발광소자(11)는 패키지 본체(12)에 설치된 전극과 플립칩 본딩 등에 의해 연결될 수 있으며, 전기적 연결 방식은 이러한 방식에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 변경하여 적용시킬 수 있다.The light emitting element 11 is electrically connected to the electrode by a connecting means such as a wire. In addition to the wire, the light emitting device 11 may be connected to an electrode installed on the package body 12 by flip chip bonding, and the like, and the electrical connection method is not limited to this method and may be applied in various forms.

한편, 패키지 본체(12)는 하나의 몸체로 이루어져 드릴 등을 이용하여 수직방향으로 홀 가공을 한 후 캐비티(121)를 형성하여 사용할 수 있으나, 본 실시 형태에서는 다양한 도전성 패턴을 확보하고 캐비티(121)를 형성하기 보다 용이하도록 평평한 상면을 갖는 제1 기판(미도시) 위에 중공부를 갖는 제2 기판(미도시)을 적층한 후 접착제 등을 이용하여 고정시켜 캐비티를 갖는 패키지 본체를 형성하도록 구성될 수도 있다.On the other hand, the package body 12 is formed of a single body and can be used to form a cavity 121 after the hole processing in the vertical direction using a drill or the like, in the present embodiment to secure a variety of conductive patterns and the cavity 121 The second substrate (not shown) having a hollow portion is laminated on the first substrate (not shown) having a flat top surface to be easier to form a), and then fixed using an adhesive or the like to form a package body having a cavity. It may be.

이러한 패키지 본체(12)의 캐비티(121) 형상은 상기 제2 기판에 형성된 중공부의 형상에 따라 결정되며, 대부분 가공이 용이한 원형으로 이루어지나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며 정사각형 또는 직사각형 등 패키지의 종류와 발광소자의 형상 등을 고려하여 다양한 형태로 제작될 수 있다.The shape of the cavity 121 of the package body 12 is determined according to the shape of the hollow part formed on the second substrate, and most of the package body 12 is formed in a circular shape which is easy to process, but the present invention is not limited thereto. It may be manufactured in various forms in consideration of the type and shape of the light emitting device.

한편, 캐비티(121)의 내벽은 수직으로 형성될 수 있고, 캐비티(121)의 내벽의 경사에 따라 발광소자(11)로부터 방출된 빛의 조명영역이 상이해지는 점을 감안하여 전방으로 반사되는 빛과 측방으로 분산되는 빛의 양을 효율적으로 조정할 수 있도록 내벽을 경사지게 형성할 수 있다.On the other hand, the inner wall of the cavity 121 may be formed vertically, the light reflected forward in consideration of the fact that the illumination area of the light emitted from the light emitting element 11 is different according to the inclination of the inner wall of the cavity 121. The inner wall may be formed to be inclined to efficiently adjust the amount of light scattered to and from the side.

이 경우 캐비티(121) 내벽의 경사 기울기는 발광소자(11)의 특성 및 지향각 등을 고려하여 다양한 범위 내에서 변경될 수 있으며, 사용되는 제품에 따라서 원하는 광 특성을 발휘하도록 선택되어 사용될 수 있다. 이러한 사항을 고려하여 캐비티(121)의 내벽의 경사 기울기는 바람직하게 30-60°, 더 바람직하게는 45° 정도가 되도록 구성될 수 있다.In this case, the inclination inclination of the inner wall of the cavity 121 may be changed within various ranges in consideration of the characteristics and the orientation angle of the light emitting device 11, and may be selected and used to exhibit desired optical properties according to the product used. . In consideration of this, the inclination inclination of the inner wall of the cavity 121 may be configured to be preferably 30-60 °, more preferably about 45 °.

또한, 캐비티(121)는 설치되는 발광소자(11)의 크기와 제1 및 제2 파장변환부(13, 14)의 두께를 고려하여 그 저면의 폭과 높이가 구성될 수 있다.In addition, the cavity 121 may be configured to have a width and a height of a bottom surface in consideration of the size of the light emitting device 11 and the thicknesses of the first and second wavelength conversion parts 13 and 14.

즉, 일반적으로 본 실시 형태에서 발광소자(11)로 사용되는 발광다이오드 칩은 정육방면체 광원이므로 각 면에서 빛이 발생될 수 있다. 이 중 발광다이오드 칩의 측면으로 발생되는 빛의 양이 많으므로 광 손실을 줄이기 위해서는 발광소자(11)의 측면에 반사수단이 위치하도록 하여 발광소자(11)의 측면으로 발생되는 빛의 방향을 변경하는 것이 바람직하다. 이를 위해 캐비티(121)의 내벽은 설치되는 발광소자(11)에 맞게 그 높이가 조정되어 발광소자(11)의 측면으로 방출된 빛이 캐비티 상부로 반사되는 광반사면의 역할을 할 수 있다. 즉, 발광소자(11)로부터 방출된 빛이 캐비티(14)의 내벽에 반사되어 빛의 경로가 전방을 향하도록 변경되므로 광 손실을 최소화할 수 있는 것이다.
That is, in general, since the light emitting diode chip used as the light emitting element 11 in the present embodiment is a regular hexagonal light source, light may be generated from each side. Among them, since the amount of light generated on the side of the light emitting diode chip is large, in order to reduce light loss, the reflecting means is positioned on the side of the light emitting element 11 to change the direction of the light generated on the side of the light emitting element 11. It is desirable to. To this end, the height of the inner wall of the cavity 121 is adjusted according to the light emitting device 11 to be installed, and may serve as a light reflection surface on which light emitted from the side surface of the light emitting device 11 is reflected to the upper part of the cavity. That is, since the light emitted from the light emitting element 11 is reflected to the inner wall of the cavity 14 so that the light path is changed to the front, the light loss can be minimized.

제1 파장변환부(13)는 상기 패키지 본체(12)의 캐비티(121)를 덮도록 설치되되, 상기 발광 소자(11)로부터 방출된 빛을 다른 파장으로 변환할 수 있다. The first wavelength converter 13 is installed to cover the cavity 121 of the package body 12, and converts the light emitted from the light emitting element 11 into another wavelength.

또한, 상기 발광 소자(11)와 소정의 간격을 두고 형성될 수 있다. 즉, 캐비티(121) 측벽 및 제1 파장변환부(13)로 둘러싸인 빈 공간이 형성될 수 있다. 상기 공간에는 공기가 충진될 수 있으며, 발광소자(11)를 이루는 물질과 외부와의 굴절률의 차이를 줄이고 광 추출효율을 향상시킬 수 있도록 높은 투명도의 물질, 예를 들어, 실리콘이 충진될 수도 있다.In addition, the light emitting device 11 may be formed at a predetermined interval. That is, an empty space surrounded by the side wall of the cavity 121 and the first wavelength converter 13 may be formed. The space may be filled with air, and a material of high transparency, for example, silicon, may be filled to reduce the difference in refractive index between the material constituting the light emitting device 11 and the outside and improve light extraction efficiency. .

또, 제1 파장변환부(13)는 상기 캐비티(121)과 반대측의 표면에 내측으로 오목한 오목부가 형성될 수 있다. 상기 오목부는 다양한 형태로 제한없이 형성될 수 있으나, 예를 들어 가공이 용이한 원형으로 형성될 수 있으며, 후술하는 바와 같이 내측에 제2 파장변환부를 수납하는 형태로 제공될 수 있다.In addition, the first wavelength conversion part 13 may be formed with a recess inwardly concave on the surface opposite to the cavity 121. The concave portion may be formed in various forms without limitation, for example, may be formed in a circular shape that is easy to process, and may be provided in a form of accommodating the second wavelength conversion portion inside as described below.

이 경우, 제1 파장변환부(13)는 광투과성의 수지 및 형광물질이 혼합되어 이루어질 수 있으며, 발광소자(11)를 보호하는 역할을 한다. 또한, 열에 약한 제2 파장변환부(14)와 발광 소자(11)간의 간격을 유지해줌으로써 제2 파장변환부(14)가 발광소자(11)의 작동시 그 열에 의해 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다.In this case, the first wavelength converter 13 may be formed by mixing a light-transmissive resin and a fluorescent material, and serves to protect the light emitting device 11. In addition, the gap between the second wavelength converter 14 and the light emitting element 11, which is weak to heat, serves to prevent the second wavelength converter 14 from being damaged by the heat during operation of the light emitting element 11. do.

이러한 제1 파장변환부(13)는 발광소자(11)으로부터 발생된 빛의 손실을 최소화하면서 통과시킬 수 있도록 높은 투명도의 실리콘, 폴리머, 에폭시 또는 실리카등의 수지와 발광소자(11)로부터 방출된 빛의 파장을 변환시켜 단색광을 백색광 등으로 변환시키기 위한 무기형광물질이 결합되어 형성될 수 있다.The first wavelength conversion unit 13 is emitted from the resin and the light emitting element 11, such as silicon, polymer, epoxy or silica of high transparency so as to pass while minimizing the loss of light generated from the light emitting element 11 Inorganic fluorescent materials for converting the wavelength of light to convert monochromatic light into white light may be combined.

특히, 제1 파장변환부(13)는 형광체와 폴리머를 혼합하여 사출 형성되어 무기 형광체가 함유된 투명수지로 이루어지거나, 소결되어 세라믹 구조체로 형성될 수 있다. 그러나 본 실시 형태에서는 이와 같은 예시에 한정되는 것은 아니며, 오목부를 갖고, 상기 오목부의 내측에 제2 파장변환부를 수납할 수 있을 정도의 내구성을 갖춘 경우라면 다양한 형태로 형성될 수 있을 것이다.In particular, the first wavelength conversion unit 13 may be formed by mixing the phosphor and the polymer to be injected and formed of a transparent resin containing an inorganic phosphor, or may be sintered to form a ceramic structure. However, the present embodiment is not limited to such an example, and may have various shapes as long as it has a concave portion and durability enough to accommodate the second wavelength converting portion inside the concave portion.

또한, 제1 파장변환부(13)에는 발광소자(11)에서 방출되는 자외선을 흡수할 수 있도록 자외선 흡수제가 더 포함될 수 있다.
In addition, the first wavelength converter 13 may further include an ultraviolet absorber to absorb ultraviolet rays emitted from the light emitting element 11.

제2 파장변환부(14)는, 상기 오목부 내측에 형성되되, 상기 발광소자(11)에서 방출된 빛의 광경로상에 위치하며 발광 소자(11)로부터 발생되어 제1 파장변환부에서 1차 변환된 빛을 다시 2차로 변환할 수 있다. 즉, 상기 발광소자(11)에서 방출된 빛은 제1 파장변환부(13) 및 제2 파장변환부(14)를 순차로 거쳐 발광소자 패키지 상부로 방출되도록 제공될 수 있다.The second wavelength converter 14 is formed inside the concave portion, and is positioned on the optical path of the light emitted from the light emitting element 11 and is generated from the light emitting element 11 to generate 1. The secondary transformed light can be converted back to secondary. That is, the light emitted from the light emitting element 11 may be provided to be emitted to the upper portion of the light emitting device package through the first wavelength conversion portion 13 and the second wavelength conversion portion 14 in sequence.

이러한 제2 파장변환부(14)는 양자점 형광체를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 양자점 형광체를 함유한 투명 수지로 이루어질 수 있고, 투명 수지로서 실리콘을 사용할 수 있다. The second wavelength converter 14 may include a quantum dot phosphor, for example, may be made of a transparent resin containing a quantum dot phosphor, and silicon may be used as the transparent resin.

일반적으로 양자점 형광체는 방출파장의 반치폭이 작기 때문에 색재현성에 매우 유리한 장점을 갖는다. 그러나 반대로 열에 약한 단점을 가지므로 발광 소자(11)의 동작시 방출되는 열에 의하여 변성되어 성능을 발휘하기 어려운 측면이 있다.In general, the quantum dot phosphor has a small half width of the emission wavelength, which is very advantageous for color reproducibility. However, on the contrary, since it has a weak disadvantage in heat, there is a side that is denatured by heat emitted during operation of the light emitting device 11 and thus it is difficult to exhibit performance.

본 실시 형태의 경우에는 제2 파장변환부(14)가 발광 소자(11)와 직접 접촉하지 아니하고 제1 파장변환부(13)를 통하여 일정 거리 이격되어 있는 구조이므로 비교적 열에 강하고 수명이 긴 우수한 효과를 가질 수 있다.In the present embodiment, since the second wavelength conversion portion 14 is not directly in contact with the light emitting element 11 but is spaced apart by a predetermined distance through the first wavelength conversion portion 13, it is relatively heat resistant and has a long lifetime. It can have

또한, 제2 파장변환부(14)는 일반적으로 평평한 상면을 제공하도록 구성되지만, 필요시 빛의 광 지향각 등을 고려하여 상면이 하측으로 오목하게 들어간 형상으로 구성되거나, 상면이 상측으로 볼록하게 돌출된 형상으로 구성할 수도 있다.In addition, the second wavelength conversion unit 14 is generally configured to provide a flat upper surface, but if necessary, the upper surface is concave to the lower side in consideration of the light directivity angle or the like, or the upper surface is convex upward. It may also be configured as a protruding shape.

이 경우, 제2 파장변환부(14)의 곡률반경을 발광소자(11)의 광 방출량과 캐비티(121)의 크기 등을 고려하여 설정될 수 있을 것이다.
In this case, the radius of curvature of the second wavelength converter 14 may be set in consideration of the amount of light emitted from the light emitting element 11 and the size of the cavity 121.

상술한 바와 같이, 본 실시 형태에서는 제1 및 제2 파장변환부(13, 14)의 두 단계의 파장변환부를 거쳐 빛이 2 단계로 변환된다. 이 과정에서 최종 출사되는 빛은, 반드시 이에 한정하는 것은 아니지만 백색광일 수 있다. As described above, in the present embodiment, light is converted into two stages through two stages of wavelength converting portions of the first and second wavelength converting portions 13 and 14. The light emitted finally in this process may be white light, but is not limited thereto.

이 경우 상기 발광 소자(11)가 청색 광을 방출하는 청색 발광 소자인 경우, 발광 소자 패키지가 최종적으로 백색광을 방출하도록 하기 위해서 제1 파장변환부(13)는 녹색 형광체를, 제2 파장변환부(14)는 적색 형광체를 함유하도록 할 수 있다. 또는 이와 반대로, 제1 파장변환부(13)는 적색 형광체를, 제2 파장변환부(14)는 녹색 형광체를 함유하도록 할 수 있다.In this case, when the light emitting device 11 is a blue light emitting device that emits blue light, the first wavelength conversion unit 13 converts the green phosphor into a second wavelength conversion unit so that the light emitting device package finally emits white light. (14) can contain a red phosphor. Alternatively, on the contrary, the first wavelength converter 13 may include a red phosphor, and the second wavelength converter 14 may include a green phosphor.

우선 제1 파장변환부(13)는 녹색 형광체를, 제2 파장변환부(14)는 적색 형광체를 함유하는 경우에는 제1 파장변환부(13)에 함유된 무기 형광체가 가지는 장점인 높은 휘도와, 제2 파장변환부(14)에 함유된 양자점 형광체가 가지는 장점인 높은 색재현성의 특징을 살릴 수 있는 효과가 있다.First, when the first wavelength converter 13 has a green phosphor, and the second wavelength converter 14 contains a red phosphor, the first wavelength converter 13 has a high luminance, which is an advantage of the inorganic phosphor contained in the first wavelength converter 13. In addition, there is an effect that can utilize the characteristics of high color reproducibility which is an advantage of the quantum dot phosphor contained in the second wavelength conversion part 14.

반대로 제1 파장변환부(13)는 적색 형광체를, 제2 파장변환부(14)는 녹색 형광체를 함유하는 경우에는 단파장에서 장파장으로 가는 빛의 재흡수(reabsorption)현상을 방지할 수 있고, 제2 파장변환부(14)에 함유된 양자점 형광체가 가지는 장점을 살려 녹색 파장 영역에서 높은 색재현성을 얻을 수 있는 효과가 있다.
In contrast, when the first wavelength converter 13 includes a red phosphor and the second wavelength converter 14 includes a green phosphor, the first wavelength converter 13 may prevent reabsorption of light from short wavelengths to long wavelengths. Taking advantage of the quantum dot phosphor contained in the two-wavelength conversion unit 14, there is an effect that can obtain a high color reproducibility in the green wavelength range.

도2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도2를 참조하면, 본 실시 형태에서는 캐비티(221)내벽에 반사부(25)를 갖고, 제1 및 제2 파장변환부(23, 24) 상부에 광투과성의 보호층(26)이 배치되어 있다는 점을 제외하고는 기본적인 구성은 도1에서 도시한 실시 형태와 동일하다.
2 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, in the present exemplary embodiment, the reflective part 25 is disposed on the inner wall of the cavity 221, and the light-transmissive protective layer 26 is disposed on the first and second wavelength conversion parts 23 and 24. Except that, the basic configuration is the same as the embodiment shown in FIG.

반사부(25)는 고반사성 물질로 이루어지며, 캐비티(221)의 내벽에는 발광소자(21)에서 전달된 빛의 반사율을 더욱 높일 수 있도록 바람직하게는 알루미늄 등의 금속 재질의 코팅막으로 형성될 수 있다.The reflector 25 is made of a highly reflective material, and the inner wall of the cavity 221 may be formed of a coating film of a metal material, such as aluminum, so as to further increase the reflectance of the light transmitted from the light emitting device 21. have.

보호층(26)은 제2 파장변환부(24)를 완전히 덮고, 제1 파장변환부(23)의 적어도 일부를 덮도록 오목부를 밀봉하는 형태로 형성될 수 있다. 이는, 습기와 열에 상대적으로 취약한 양자점 형광체를 포함하는 제2 파장변환부(24)를 보호하기 위한 것이다. 따라서, 상기 보호층(26)과 제2 파장변환부(24) 사이에는 이격된 공간이 없이 완전히 밀착되도록 하는 것이 바람직하다.The protective layer 26 may be formed to completely cover the second wavelength converter 24 and seal the recess to cover at least a portion of the first wavelength converter 23. This is to protect the second wavelength converter 24 including the quantum dot phosphor relatively vulnerable to moisture and heat. Therefore, it is preferable that the protective layer 26 and the second wavelength conversion part 24 be completely in contact with each other without a space.

또한 이 경우, 보호층(26)은 상기 제2 파장변환부(24)를 보호하는 역할을 수행함과 동시에 발광 소자 패키지의 최종 광출사면이기도 하므로, 충분한 광투과성을 갖는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 보호층(26)은 글래스판일 수 있으며, 광투과성 고분자 수지로 이루어질 수 있다.
In this case, since the protective layer 26 serves to protect the second wavelength converter 24 and is also the final light exit surface of the light emitting device package, it is preferable to have sufficient light transmittance. Therefore, the protective layer 26 may be a glass plate, and may be made of a light transmissive polymer resin.

도3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도3을 참조하면, 본 실시 형태에서는 제1 파장변환부(33)가 그 일부 영역이 돌출되어 캐비티(321)내벽 일부에 삽입 형성된 돌출부(331)를 갖는다는 점을 제외하고는 기본적인 구성은 도1에서 도시한 실시 형태와 동일하다.3 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, in the present embodiment, the basic configuration of the first wavelength conversion unit 33 includes a protrusion 331 formed by protruding a part of the first wavelength conversion part and inserted into a portion of the inner wall of the cavity 321. It is the same as the embodiment shown in FIG.

즉, 제1 파장변환부(33)는 도3에 도시된 바와 같이 밑면이 수평인 구성이 아니며, 하면 중앙에 소정 깊이로 돌출부(331)가 형성되어, 캐비티(321)내벽 일부에 끼워져 고정되도록 구성될 수 있다.That is, the first wavelength conversion unit 33 is not a horizontal configuration as shown in Figure 3, the projection 331 is formed at a predetermined depth in the center of the lower surface, so as to be fitted to a portion of the inner wall of the cavity 321 Can be configured.

한편 제1 파장변환부(33)의 돌출부가 형성되지 않은 다른 영역은 상기 도1 및 도2에서 도시되었던 바와 마찬가지로 평평한 하면을 갖도록 구성될 수 있다. 이와 같이 함으로써 패키지 본체(32)의 캐비티(321)가 형성된 영역과 캐비티(321)가 형성되지 않은 영역 모두에서 제1 파장변환부(33)와의 결합이 보다 견고하고 안정적으로 확보될 수 있다.
Meanwhile, another region in which the protrusion of the first wavelength converter 33 is not formed may have a flat lower surface as shown in FIGS. 1 and 2. In this way, the coupling with the first wavelength conversion unit 33 can be more firmly and stably secured in both the region where the cavity 321 of the package body 32 is formed and the region where the cavity 321 is not formed.

도4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도4를 참조하면, 본 실시 형태에서는 캐비티 내측에 단차부(422)가 형성되어 다층 구조로 이루어질 수 있다는 점에서 상기 도1 및 도2에 도시된 실시 형태와 차이가 있다. 4 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device package according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the present embodiment differs from the embodiment illustrated in FIGS. 1 and 2 in that a stepped portion 422 is formed inside the cavity to have a multi-layer structure.

이 경우, 하부에서 상부로 갈수록 직경이 커지는 중공부를 갖는 복수의 서브기판을 이용하여 캐비티가 단차진 다층 구조로 이루어지도록 형성할 수 있을 것이다. 앞선 실시 예와 유사한 부분에 대해서는 그 상세한 설명은 생략한다.In this case, the cavity may be formed to have a stepped multi-layer structure by using a plurality of sub-substrates having hollow portions that increase in diameter from bottom to top. Details similar to those of the foregoing embodiment will be omitted.

본 실시 형태에서는 캐비티에 형성된 단차부(422)에 상기 제1 및 제2 파장변환부와 다른 구성물질을 갖는 제3 파장변환부(48)를 형성한 실시 형태를 예시하고 있다. 이와 같이, 상기 단차부(422)를 파장변환부를 별도로 배치할 수 있는 공간으로서 활용할 수 있다. 또한, 상기 단차부(422)는 복수개 형성될 수 있으며, 상기 복수개 형성된 단차부마다 서로 다른 구성물질, 서로 다른 색의 또는 같은 색상이 중복되게 파장변환물질을 적용하여 선택적으로 하나씩 형성되도록 하여 다양한 색 구현이 가능할 것이다. 이때, 필요시 하나의 파장변환부를 복수의 색상 형광물질을 혼합하여 구성할 수도 있으며, 복수개 형성된 단차부마다 서로 다른 색상의 파장변환부를 형성하는 경우 광속 및 CRI를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In the present embodiment, an embodiment in which the third wavelength conversion part 48 having a different material from the first and second wavelength conversion parts is formed in the stepped part 422 formed in the cavity is illustrated. As such, the stepped portion 422 may be utilized as a space in which the wavelength conversion portion may be separately disposed. In addition, the stepped portion 422 may be formed in plural, and each of the plurality of formed stepped portions may be formed one by one by selectively applying wavelength converting materials such that different constituent materials, different colors, or the same colors overlap each other. Implementation would be possible. At this time, if necessary, one wavelength conversion unit may be configured by mixing a plurality of color fluorescent materials, and in the case of forming a wavelength conversion unit having a different color for each of the plurality of stepped portions, there is an advantage of improving luminous flux and CRI.

또한, 한 쌍의 제1 및 제2 파장변환부를 상기 단차부(422)에 배치하고 그 상부에 제1 및 제2 파장변환부를 다시 배치하여, 결과적으로 제1 및 제2 파장 변환부가 번갈아 적층되는 형태로 제공될 수 있을 것이다.
In addition, a pair of first and second wavelength converting portions are disposed in the stepped portion 422, and the first and second wavelength converting portions are repositioned thereon, so that the first and second wavelength converting portions are alternately stacked. It may be provided in a form.

도5는 종래 기술에 따른 발광 소자 패키지에서 시간 및 온도변화에 따른 발광성능을 나타낸 그래프이다. 5 is a graph showing light emitting performance according to time and temperature changes in a light emitting device package according to the prior art.

도5를 참조하면, 시험을 시작한 시점에서의 발광성능을 100%로 할 때, 시험시작후 약 25분 경과한 시점에서 상온에서는 약 20%, 85도와 60도의 온도에서는 강각 40% 및 90%의 성능 하락폭을 보이고 있음을 알 수 있다.
Referring to FIG. 5, when the luminescence performance at the start of the test was 100%, about 20% at room temperature, about 20% at room temperature, and 40% and 90% of the stiffness at a temperature of 85 ° and 60 °, respectively. It can be seen that there is a performance drop.

도6은 종래 기술에 따른 발광 소자 패키지에서 시간 및 온도변화에 따른 광파장의 변화를 나타낸 그래프이다.6 is a graph showing a change in light wavelength with time and temperature change in a light emitting device package according to the prior art.

도6을 참조하면, 특히 530nm 및 600nm 부근의 파장에서 시간이 지남에 따라 광방출량이 현격히 약해지는 것을 알 수 있다.
Referring to FIG. 6, it can be seen that the light emission amount is significantly weakened over time, especially at wavelengths around 530 nm and 600 nm.

도7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지에서 시간 및 온도변화에 따른 발광성능을 나타낸 그래프이다.7 is a graph showing light emitting performance according to time and temperature changes in a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

도7을 참조하면, 시험 시작 후 약 1000 시간 경과 후에도 상온 및 60도의 온도에서 거의 성능 저하가 없음을 알 수 있다. 또한 온도 85도의 열악한 조건 하에서도 발광 성능의 하락폭은 약 40%에 그쳐, 상기 설명한 종래기술에 비해 매우 뛰어난 안정성 및 수명을 보이고 있음을 알 수 있다.
Referring to FIG. 7, it can be seen that there is almost no deterioration in performance at room temperature and 60 degrees even after about 1000 hours after the start of the test. In addition, it can be seen that even under poor conditions of 85 ° C, the drop in light emission performance is only about 40%, which shows very excellent stability and lifespan compared to the above-described prior art.

도8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지에서 시간 및 온도변화에 따른 광파장의 변화를 나타낸 그래프이다.8 is a graph showing a change in light wavelength according to time and temperature changes in a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

역시 약 1000 시간 후에도 모든 광파장 영역에서 동일한 광출력을 보이고 있음을 알 수 있다.
It can be seen that even after about 1000 hours, the same light output is shown in all light wavelength regions.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.
The present invention is not limited by the above-described embodiments and the accompanying drawings, but is defined by the appended claims. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims, As will be described below.

11, 21, 31, 41: 발광 소자 12, 22, 32, 42: 패키지 본체
121, 122, 321: 캐비티 13, 23, 33, 43: 제1 파장변환부
14, 24, 34, 44: 제2 파장변환부 25: 반사층
26: 보호층 331: 돌출부
422: 단차부11, 21, 31, 41: light emitting elements 12, 22, 32, 42: package body
121, 122, 321: cavity 13, 23, 33, 43: the first wavelength conversion unit
14, 24, 34, 44: second wavelength conversion portion 25: reflective layer
26: protective layer 331: protrusion
422 step

Claims (16)

발광 소자;
상기 발광 소자가 탑재된 패키지 본체;
상면에 오목부가 형성되며, 상기 발광 소자로부터 방출되는 광의 파장을 제1 파장의 광으로 변환하는 제1 파장변환물질을 갖는 제1 파장변환부; 및
상기 오목부에 형성되며 상기 발광 소자로부터 방출되는 광의 파장을 제2 파장의 광으로 변환하는 제2 파장변환물질을 갖는 제2 파장변환부;
를 포함하는 발광 소자 패키지.
A light emitting element;
A package body on which the light emitting element is mounted;
A first wavelength conversion unit having a concave portion formed on an upper surface thereof and having a first wavelength conversion material converting the wavelength of light emitted from the light emitting device into light having a first wavelength; And
A second wavelength conversion unit formed in the concave portion and having a second wavelength conversion material converting wavelengths of light emitted from the light emitting device into light having a second wavelength;
Emitting device package.
제1항에 있어서,
상기 제1 파장변환물질은 무기 형광체를 포함하며, 상기 제2 파장변환물질은 양자점 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
The method of claim 1,
The first wavelength converting material includes an inorganic phosphor, and the second wavelength converting material includes a quantum dot phosphor.
제2항에 있어서,
상기 오목부를 밀봉하도록 상기 제1 파장변환부 상에 형성된 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
3. The method of claim 2,
Light emitting device package further comprises a protective layer formed on the first wavelength conversion portion to seal the recess.
제3항에 있어서,
상기 보호층은 글래스판 또는 광투과성 고분자화합물인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
The method of claim 3,
The protective layer is a light emitting device package, characterized in that the glass plate or a light transmitting polymer compound.
제2항에 있어서,
상기 제1 파장변환부는 상기 무기 형광체로 이루어진 세라믹 구조체인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
3. The method of claim 2,
The first wavelength conversion unit is a light emitting device package, characterized in that the ceramic structure consisting of the inorganic phosphor.
제2항에 있어서,
상기 제1 파장변환부는 상기 무기 형광체가 함유된 투명수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
3. The method of claim 2,
The first wavelength conversion unit is a light emitting device package, characterized in that made of a transparent resin containing the inorganic phosphor.
제2항에 있어서,
상기 제2 파장변환부는 상기 양자점 형광체를 함유한 투명수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
3. The method of claim 2,
The second wavelength conversion unit is a light emitting device package, characterized in that made of a transparent resin containing the quantum dot phosphor.
제2항에 있어서,
상기 발광소자는 청색광을 발광하며,
상기 제1 파장변환물질은 적색 형광체이고, 상기 제2 파장변환물질은 녹색 형광체인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
3. The method of claim 2,
The light emitting device emits blue light,
The first wavelength conversion material is a red phosphor, the second wavelength conversion material is a light emitting device package, characterized in that the green phosphor.
제2항에 있어서,
상기 발광소자는 청색광을 발광하며,
상기 제1 파장변환물질은 녹색 형광체이고, 상기 제2 파장변환물질은 적색 형광체인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
3. The method of claim 2,
The light emitting device emits blue light,
The first wavelength converting material is a green phosphor, and the second wavelength converting material is a light emitting device package, characterized in that the red phosphor.
제1항에 있어서
상기 패키지 본체는 상기 발광 소자의 실장영역을 제공하는 캐비티를 포함하며,
상기 제1 파장변환부는 상기 캐비티 상면을 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
The method of claim 1, wherein
The package body includes a cavity that provides a mounting area of the light emitting device,
The first wavelength conversion unit is a light emitting device package, characterized in that formed to cover the upper surface of the cavity.
제1항에 있어서
상기 제1 파장변환부는 컵형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
The method of claim 1, wherein
The first wavelength conversion unit is a light emitting device package, characterized in that formed in a cup shape.
제1항에 있어서, 상기 제1 파장변환부의 적어도 일부는 상기 캐비티 내벽 형상과 대응되도록 형성되어 캐비티 안쪽에 삽입되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
The light emitting device package of claim 1, wherein at least a part of the first wavelength conversion part is formed to correspond to the shape of the inner wall of the cavity and is inserted into the cavity.
제1항에 있어서,
상기 제1 파장변환부는 상기 캐비티 저면과 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
The method of claim 1,
The first wavelength conversion unit is a light emitting device package, characterized in that formed spaced apart from the bottom surface of the cavity.
제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 파장변환부 중 적어도 하나는 형광물질 이외에 빛의 원활한 확산을 위한 확산물질을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
The method of claim 1,
At least one of the first and the second wavelength conversion unit further comprises a diffusion material for smooth diffusion of light in addition to the fluorescent material.
제1항에 있어서,
상기 캐비티는 내측면이 단차진 복수의 층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
The method of claim 1,
The cavity has a light emitting device package, characterized in that the inner surface has a plurality of layer structure stepped.
제15항에 있어서,
상기 캐비티의 복수의 층 구조 중 적어도 하나에 형성되며 상기 제1 및 제2 파장변환부와 다른 구성물질을 갖는 제3 파장변환부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.16. The method of claim 15,
And a third wavelength conversion unit formed in at least one of the plurality of layer structures of the cavity and having a different material from the first and second wavelength conversion units.
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