KR20140011521A - 다층 박막 필터를 이용한 외부공진 레이저 및 이를 포함한 광 송신기 - Google Patents

다층 박막 필터를 이용한 외부공진 레이저 및 이를 포함한 광 송신기 Download PDF

Info

Publication number
KR20140011521A
KR20140011521A KR1020120069313A KR20120069313A KR20140011521A KR 20140011521 A KR20140011521 A KR 20140011521A KR 1020120069313 A KR1020120069313 A KR 1020120069313A KR 20120069313 A KR20120069313 A KR 20120069313A KR 20140011521 A KR20140011521 A KR 20140011521A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
lens
optical signal
film filter
multilayer thin
Prior art date
Application number
KR1020120069313A
Other languages
English (en)
Inventor
이지현
조승현
명승일
이상수
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020120069313A priority Critical patent/KR20140011521A/ko
Priority to US13/928,570 priority patent/US20140003818A1/en
Publication of KR20140011521A publication Critical patent/KR20140011521A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50—Transmitters
    • H04B10/501—Structural aspects
    • H04B10/503—Laser transmitters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14—External cavity lasers
    • H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08013—Resonator comprising a fibre, e.g. for modifying dispersion or repetition rate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

다층박막필터를 이용한 외부공진 레이저 및 이를 포함한 광 송신기가 개시된다. 외부 공진 레이저는 광신호를 출력하는 반도체 레이저 다이오드; 반도체 레이저 다이오드로부터 출력된 광신호를 모으는 렌즈; 상기 렌즈를 통과한 광신호를 수신하여 투과 파장 대역에 대응하는 광신호를 통과시키는 다층 박막 필터; 및 상기 다층 박막 필터를 통해 전달된 광신호를 광섬유에 전달하는 부분 반사체를 포함할 수 있다.

Description

다층 박막 필터를 이용한 외부공진 레이저 및 이를 포함한 광 송신기 {External cavity laser using thin film filter and optical transmitter comprising external cavity laser}
본 발명은 외부공진 레이저 및 이를 포함한 광 송신기에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 유무선 네트워크에서의 분리형 기지국에 사용되는 파장 분할 다중화 방식의 광 송신기에 관한 것이다.
스마트 폰, 스마트 TV 등의 휴대용 다기능 디바이스 등장으로 유무선 네트워크에 과도한 트래픽이 유발되고 있다. 이를 효율적으로 대처하기 위해 유선 가입자 망 또는 유무선 통합 가입자 망에 파장 분할 다중화 방식(Wavelength Division Multiplexing: 이하 WDM라 칭함)의 연구가 진행되고 있다. WDM은 한 가닥의 광섬유에 복수의 광 파장을 다중화하여 송수신하는 기술을 의미한다. WDM 방식에 의하면, 한 가닥의 광섬유에 수용하는 광 파장의 수만큼 선로 비용이 절감될 뿐 아니라, 광 파장으로 채널을 분리하기 때문에 보안, QoS 및 프로토콜 투명성 측면에서 타 기술에 비하여 많은 장점이 있다.
WDM 기술 활용시, 광 가입자 장치마다 각각 다른 파장이 할당되어야 통신이 가능하므로, 원격 노드(Remote node)에 의해 분기되는 유선 가입자 망의 가입자 수, 또는 유무선 통합 망에 사용되는 분리형 기지국의 수만큼의 고유 파장을 갖는 광원이 요구된다. 이와 같이, 광가입자 장치의 개수에 대응하여 WDM 광원의 개수가 증가하기 때문에, 전체적인 비용 절감을 위해 저가 WDM 광원의 요구가 증가하고 있다.
대표적인 WDM 광원으로 사용되는 DFB (Distributed Feedback) 레이저는 ITU-T DWDM 파장에 맞도록 격자의 주기와 성능을 제어하기가 쉽지 않아 DWDM 광원으로서의 가격 효율성이 낮다. 한편, 또 다른 WDM 광원으로서, DFB 레이저의 광출력 성능과 유사하게 단일 파장을 출력하는 광원인 외부 공진 레이저가 있다. 외부 공진 레이저는 레이저 다이오드 또는 반도체 광 증폭기와 같은 역할을 수행하는 이득 매질부와 특정 파장을 반사하는 파장 선택부로 구성될 수 있다. 이 때, 파장 선택부를 제작/구성하는 방법에 따라 Fiber Bragg grating external cavity laser(FBG-ECL), Waveguide Bragg grating external cavity laser (WBG-ECL) 등으로 구분될 수 있다.
FBG-ECL에 포함된 브라그 격자는 photosensitive fiber에 레이저로 조사하여 광섬유 core의 굴절률을 주기적으로 변화시킴으로써 제작될 수 있다. FBG-ECL을 구성하는 photosensitivity fiber의 굴절률은 온도에 따라 변하기 때문에 결과적으로 FBG-ECL의 출력 파장이 온도에 따라 가변하는 문제점이 발생한다. 그리고, WBG-ECL에 포함된 브라그 격자는 광도파로 식각 등을 통해 도파로의 유효 굴절률을 주기적으로 변화시킴으로써 제작될 수 있다. WBG-ECL도 온도에 따라 도파로의 굴절률이 변하기 때문에 WBG-ECL의 출력 파장이 온도에 따라 가변하는 문제점이 발생한다. 뿐만 아니라, WBG-ECL을 제작할 때 광 도파로 식각 등의 제어가 어렵기 때문에 파장 고정형 광원으로 사용하기에는 효율적이지 않다.
본 발명은 유선망 광 가입자 단말 장치 또는 유무선 통합망의 분리형 기지국에 사용되는 WDM 광송신기에서 외부의 온도 변화에 상관없이 안정적인 광 출력 특성을 나타낼 수 있도록 다층 박막 필터와 부분 반사체를 이용한 외부 공진 레이저 및 이를 포함하는 광송신기를 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따른 외부 공진 레이저는 광신호를 출력하는 반도체 레이저 다이오드; 반도체 레이저 다이오드로부터 출력된 광신호를 모으는 렌즈; 상기 렌즈를 통과한 광신호를 수신하여 투과 파장 대역에 대응하는 광신호를 통과시키는 다층 박막 필터; 및 상기 다층 박막 필터를 통해 전달된 광신호를 광섬유에 전달하는 부분 반사체를 포함할 수 있다.
상기 외부 공진 레이저에서 상기 다층 박막 필터와 부분 반사체는, 서로 접합할 수 있다.
상기 외부 공진 레이저에서 상기 다층 박막 필터와 부분 반사체는, 미리 설정된 제1 거리만큼 이격될 수 있다.
상기 외부 공진 레이저에서 상기 렌즈와 다층 박막 필터는, 서로 접합할 수 있다.
상기 외부 공진 레이저에서 상기 렌즈와 다층 박막 필터는, 미리 설정된 제2 거리만큼 이격될 수 있다.
상기 외부 공진 레이저에서 상기 다층 박막 필터의 전면은 무반사 코팅되고 후면은 멀티 레이어 박막 코팅될 수 있다.
상기 외부 공진 레이저에서 상기 다층 박막 필터의 전면은 멀티 레이어 박막 코팅되고 후면은 무반사 코팅될 수 있다.
상기 외부 공진 레이저에서 상기 다층 박막 필터의 전면과 후면은 멀티 레이어 박막 코팅이 될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 외부 공진 레이저는 광신호를 출력하는 반도체 레이저 다이오드; 반도체 레이저 다이오드로부터 출력된 광신호를 모으는 제1 렌즈; 상기 제1 렌즈를 통과한 광신호를 수신하여 투과 파장 대역에 대응하는 광신호를 통과시키는 다층 박막 필터; 및 상기 다층 박막 필터를 통해 전달된 광신호를 광섬유에 전달하는 제2 렌즈를 포함할 수 있다.
상기 외부 공진 레이저에서 상기 제2 렌즈는, 부분 반사가 가능한 물질로 코팅될 수 있다.
상기 외부 공진 레이저에서 상기 제2 렌즈가 이탈되는 것을 방지하고 제2 렌즈를 고정하는 하우징을 더 포함할 수 있다.
상기 외부 공진 레이저에서 상기 하우징은, 다층 박막 필터에 접합하거나 또는 일정 거리만큼 이격될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 외부 공진 레이저를 포함하는 광송신기에서, 상기 외부 공진 레이저는, 광신호를 출력하는 반도체 레이저 다이오드; 반도체 레이저 다이오드로부터 출력된 광신호를 모으는 렌즈; 상기 렌즈를 통과한 광신호를 수신하여 투과 파장 대역에 대응하는 광신호를 통과시키는 다층 박막 필터; 및 상기 다층 박막 필터를 통해 전달된 광신호를 광섬유에 전달하는 부분 반사체를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 외부 공진 레이저를 포함하는 광송신기에서, 상기 외부 공진 레이저는, 광신호를 출력하는 반도체 레이저 다이오드; 반도체 레이저 다이오드로부터 출력된 광신호를 모으는 제1 렌즈; 상기 제1 렌즈를 통과한 광신호를 수신하여 투과 파장 대역에 대응하는 광신호를 통과시키는 다층 박막 필터; 및 상기 다층 박막 필터를 통해 전달된 광신호의 일부를 반사시키면서, 광신호 일부를 광섬유에 전달하는 제2 렌즈를 포함할 수 있다.본 발명의 다른 실시예에 따른 외부 공진 레이저를 포함하는 광송신기에서 광신호를 출력하는 반도체 레이저 다이오드; 반도체 레이저 다이오드로부터 출력된 광신호를 모으는 제1 렌즈; 상기 제 1렌즈를 통과한 광 신호를 받아들이는 광섬유 블록; 이를 통과해서 나오는 빛을 다시 모으는 제 3렌즈; 상기 제 3렌즈를 통과한 광 신호를 수신하여 투과 파장 대역에 대응하는 광 신호를 통과시키는 다층 박막 필터; 및 상기 다층 박막 필터를 통해 전달된 광신호를 광섬유에 전달하는 부분 반사체를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면 다층 박막 필터를 분리해낼 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면 온도를 측정하기 위한 온도 센서와 온도를 조절하기 위한 열전 소자를 더 포함할 수 있다.
상기 광송신기는, 파장 분할 다중 방식에 적용될 수 있다.
상기 광송신기는, 유선망 광 가입자 단말 장치 또는 유무선 통합망의 분리형 기지국에 사용될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 외부 공진 레이저가 다층 박막 필터를 이용함으로써 외부 환경에 따라 온도가 변화하더라도 안정적인 광 출력 특성을 나타낼 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 광송신기의 출력 파장을 안정적으로 유지하기 위해서 추가적인 구성이 불필요하고, 광출력 파장을 모니터링할 필요가 없어 광송신기의 비용을 절감할 수 있다.
도 1은 일반적인 외부 공진 레이저의 구성도이다.
도 2는 종래의 FBG-ECL의 구성도이다.
도 3은 종래의 WBG-ECL 구성도이다.
도 4는 종래의 다층 박막 필터의 일반적인 투과 특성을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 다층 박막 필터와 부분 반사체를 이용한 외부 공진 레이저를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 다층 박막 필터와 부분 반사체를 이용한 외부 공진 레이저를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드와 렌즈 사이에 다층 박막 필터가 위치한 경우를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 다층 박막 필터와 부분 반사체를 이용한 외부 공진 레이저를 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 제1 렌즈를 통과한 광신호를 받아들이는 광섬유 블록과 광섬유 블록으로부터 통과해 나오는 빛을 다시 모으는 제 2렌즈를 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 외부공진 레이저에 다층 박막 필터의 투과 대역에 대응하지 않는 광이 입사된 경우를 도시한 도면이다.
도 11는 본 발명의 일실시예에 따라 다층 박막 필터로 입사되는 광의 입사 각도에 기초한 다층박막 필터의 투과 대역 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 12은 본 발명의 일실시예에 따라 외부공진 레이저를 열전 소자가 내장된 TO형 패키지 형태를 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 일실시예에 따라 외부공진 레이저를 열전 소자가 내장된 일체형 패키지 형태를 도시한 도면이다.
도 14는 본 발명의 일실시예에 따라 렌즈와 렌즈 사이에 다층 박막 필터가 위치한 경우를 도시한 도면이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 일반적인 외부 공진 레이저의 구성도이다.
도 1을 참조하면, 외부 공진 레이저는 반도체 레이저 다이오드(101) 및 브라그 격자(101)를 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 레이저 다이오드(101)는 이득 매질 역할을 하고, 브라그 격자(101)는 반도체 레이저 다이오드(101)에서 출력된 광신호의 파장을 선택할 수 있다.
반도체 레이저 다이오드(101)는 광신호를 출력하기 위해 활성 매질(Active medium)에 형성될 수 있다. 활성 매질의 출사면은 무반사 코팅(anti-reflection coating:AR coating)으로 구성되고, 활성 매질의 후면은 고반사 코팅(highreflection coating:HR coating)으로 구성될 수 있다.
반도체 레이저 다이오드(101)는 파장 선택형 필터인 브라그 격자(101)와 결합하여 외부 공진기를 형성할 수 있다. 일례로, 브라그 격자(101)는 도 2에 도시된 바와 같이 photosensitive 광섬유에 브라그 격자를 새김으로써 생성된 Fiber Bragg grating 일 수 있다. 다른 일례로, 브라그 격자(101)는 도 3에 도시된 바와 같이 광 도파로를 부분 식각하여 제작된 waveguide Bragg grating일 수 있다.
도 4는 종래의 다층 박막 필터의 일반적인 투과 특성을 도시한 도면이다.
도 1에 도시된 브라그 격자(101)는 파장 선택형 필터와 같은 동작을 수행할 수 있다. 본 발명의 일실시예에 따르면, 파장 선택형 필터는 브라그 격자가 아닌 다층 박막 필터와 부분 반사체로 구성될 수 있다.
도 4를 참고하면, 다층 박막 필터는 투명 블록 기판으로 후면부(401)와 전면부(402)와 연결될 수 있다. 이 때, 전면부(402)는 무반사 코팅(anti-reflection coating:AR coating)이 될 수 있고, 후면부(401)는 멀티 레이어 박막 코팅(multilayer thin-film coating)이 될 수 있다. 다층 박막 필터는 후면부(401)와 전면부(402)를 통해 입사된 광들 중에서 원하는 파장 대역에 해당하는 광만 투과하도록 한다. 또 다른 실시예에 따르면, 전면부(402)와 후면부(401) 모두 멀티 레이어 박막 코팅이 될 수 있다. 이 때, 멀티 레이어 박막 코팅에 사용되는 물질의 굴절률과 코팅의 두께, 박막 층수 등을 조절하여 원하는 광특성을 갖도록 할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 다층 박막 필터와 부분 반사체를 이용한 외부 공진 레이저를 도시한 도면이다.
도 5를 참고하면, 외부 공진 레이저는 반도체 레이저 다이오드(501), 렌즈(502), 다층 박막 필터(503), 부분 반사체(504)를 구성할 수 있다. 외부 공진 레이저를 통해 출력된 광은 싱글 모드 광섬유(505)를 통해 외부로 전송될 수 있다.
반도체 레이저 다이오드(501), 렌즈(502), 다층 박막 필터(503), 부분 반사체(504)로 구성된 외부 공진 레이저는 광 송신 패키지를 구성할 수 있다. 이 때, 광 송신 패키지는 TO-CAN 패키지일 수 있다.
렌즈(502)는 반도체 레이저 다이오드(501)로부터 출력된 광신호를 모을 수 있다. 즉, 반도체 레이저 다이오드(501)에 전류가 인가되어 광신호가 출력되면, 출력된 광신호는 렌즈를 통하여 일정한 거리에서 상이 맺히게 된다.
렌즈(502)를 통과한 광신호는 다층 박막 필터(503)와 부분 반사체(504)에 도달할 수 있다. 여기서, 다층 박막 필터(503)와 부분 반사체(504)는 반도체 레이저 다이오드(501)로부터 출력된 광신호의 파장을 선택하는 동작을 수행할 수 있다.
도 5를 참고하면, 다층 박막 필터(503)와 부분 반사체(504)는 바로 연결된 일체형으로 구성될 수 있다. 여기서, 부분 반사체(504) 쪽에 맞닿은 다층 박막 필터(503)의 전면부는 무반사 코팅(anti-reflection coating:AR coating)이 될 수 있고, 다층 박막 필터(503)의 후면부는 멀티 레이어 박막 코팅(multilayer thin-film coating)이 될 수 있다.
이 때 멀티 레이어 박막 코팅에 사용되는 물질의 굴절률과 코팅의 두께, 박막 층수 등을 조절하여 원하는 광특성을 갖도록 할 수 있다. 또한, 다층 박막 필터(503)와 부분 반사체(504)는 평면에서 일정한 각도로 기울어져 배치될 수 있다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 다층 박막 필터와 부분 반사체를 이용한 외부 공진 레이저를 도시한 도면이다.
도 6을 참고하면, 외부 공진 레이저는 반도체 레이저 다이오드(601), 렌즈(602), 다층 박막 필터(603), 부분 반사체(604)를 구성할 수 있다. 외부 공진 레이저를 통해 출력된 광은 싱글 모드 광섬유(605)를 통해 외부로 전송될 수 있다.
도 6은 도 5와 달리, 다층 박막 필터(603), 부분 반사체(604)가 결합된 형태가 아닌 일정 거리만큼 이격될 수 있다. 그리고, 다층 박막 필터(603)는 렌즈(602) 하우징(606)에 접합할 수 있다. 다른 예로, 다층 박막 필터(603)도 렌즈(602)와 일정 거리만큼 이격될 수 있다.
일례로, 도 6에 도시되지 않았지만, 외부 공진 레이저는 열전 소자를 더 포함할 수 있다. 열전 소자는 반도체 레이저 다이오드(601)의 온도를 조절할 수 있다. 반도체 레이저 다이오드(601)는 열전 소자의 상면에 장착될 수 있다. 열전 소자는 반도체 레이저 다이오드(601)의 온도를 감시할 수 있는 온도 센서를 포함할 수 있다. 온도 센서는 열전 소자의 상부판에 장착되어, 열전 소자의 상부판의 온도를 측정할 수 있다. 열전 소자는 온도 센서로부터 측정된 온도를 이용하여, 반도체 레이저 다이오드의 온도를 제어할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드와 렌즈 사이에 다층 박막 필터가 위치한 경우를 도시한 도면이다.
도 7을 참고하면, 외부 공진 레이저는 반도체 레이저 다이오드(701), 다층 박막 필터(702), 렌즈(703) 및 부분 반사체(704)를 구성할 수 있다. 외부 공진 레이저를 통해 출력된 광은 싱글 모드 광섬유(705)를 통해 외부로 전송될 수 있다.
다층 박막 필터(702)는 반도체 레이저 다이오드(701)와 렌즈(703) 사이에 위치할 수 있다. 다층 박막 필터(702)는 반도체 레이저 다이오드(701)로부터 출력된 광신호의 파장을 선택하는 동작을 수행할 수 있다. 선택된 광신호는 렌즈(703)를 통과하여 부분 반사체(705)에 도달할 수 있다.
일례로, 도 7에 도시되지 않았지만, 외부 공진 레이저는 열전 소자를 더 포함할 수 있다. 열전 소자는 반도체 레이저 다이오드(701)의 온도를 조절할 수 있다. 반도체 레이저 다이오드(701)는 열전 소자의 상면에 장착될 수 있다. 열전 소자는 반도체 레이저 다이오드(701)의 온도를 감시할 수 있는 온도 센서를 포함할 수 있다. 온도 센서는 열전 소자의 상부판에 장착되어, 열전 소자의 상부판의 온도를 측정할 수 있다. 열전 소자는 온도 센서로부터 측정된 온도를 이용하여, 반도체 레이저 다이오드의 온도를 제어할 수 있다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 다층 박막 필터와 부분 반사체를 이용한 외부 공진 레이저를 도시한 도면이다.
도 8을 참고하면, 외부 공진 레이저는 반도체 레이저 다이오드(801), 제1 렌즈(802), 다층 박막 필터(803), 하우징(804) 및 제2 렌즈(805)를 구성할 수 있다. 외부 공진 레이저를 통해 출력된 광은 싱글 모드 광섬유(806)를 통해 외부로 전송될 수 있다.
도 8은 도 5 및 도 6과 달리 2개의 렌즈로 구성될 수 있다. 제2 렌즈(805)는 하우징(804) 내부에 위치하며, 제2 렌즈(805)는 표면에 부분 반사를 위한 물질이 코팅될 수 있다. 코팅된 물질의 반사율은 조절될 수 있다. 그리고, 하우징(804)에 다층 박막 필터(803)을 평평하게 접합시킬 수 있다.
일례로, 도 8에 도시되지 않았지만, 외부 공진 레이저는 열전 소자를 더 포함할 수 있다. 열전 소자는 반도체 레이저 다이오드(801)의 온도를 조절할 수 있다. 반도체 레이저 다이오드(801)는 열전 소자의 상면에 장착될 수 있다. 열전 소자는 반도체 레이저 다이오드(801)의 온도를 감시할 수 있는 온도 센서를 포함할 수 있다. 온도 센서는 열전 소자의 상부판에 장착되어, 열전 소자의 상부판의 온도를 측정할 수 있다. 열전 소자는 온도 센서로부터 측정된 온도를 이용하여, 반도체 레이저 다이오드의 온도를 제어할 수 있다.
도 9은 본 발명의 제5 실시예에 따른 제1 렌즈를 통과한 광신호를 받아들이는 광섬유 블록과 광섬유 블록으로부터 통과해 나오는 빛을 다시 모으는 제 2렌즈를 도시한 도면이다.
도 9은 도 5 및 도 6, 도 7, 도 8과 달리 반도체 레이저 다이오드와 박막 필터부 사이에 광섬유 블록(907)이 포함되도록 구성될 수 있다. 광섬유 블록에서 나온 출력을 모으기 위한 제2 렌즈(906)가 사용될 수 있다.
도 9을 참고하면, 광섬유 블록(907)은 반도체 레이저 다이오드(901)로부터 출력된 광신호를 모으는 제1 렌즈(902)를 통과하는 광신호를 받을 수 있다. 제2 렌즈(906)는 광섬유 블록(907)으로부터 통과해서 나오는 빛을 모을 수 있다. 다층 박막 필터(903)는 투과 파장 대역에 대응하는 광 신호를 제2 렌즈(906)로부터 수신하여, 통과시킬 수 있다. 상기 외부 공진 레이저는 다층 박막 필터(903)를 통해 전달된 광신호를 광섬유(905)에 전달하는 부분 반사체(904)를 포함할 수 있다.
일례로, 도 9에 도시되지 않았지만, 외부 공진 레이저는 열전 소자를 더 포함할 수 있다. 열전 소자는 반도체 레이저 다이오드(901)의 온도를 조절할 수 있다. 반도체 레이저 다이오드(901)는 열전 소자의 상면에 장착될 수 있다. 열전 소자는 반도체 레이저 다이오드(901)의 온도를 감시할 수 있는 온도 센서를 포함할 수 있다. 온도 센서는 열전 소자의 상부판에 장착되어, 열전 소자의 상부판의 온도를 측정할 수 있다. 열전 소자는 온도 센서로부터 측정된 온도를 이용하여, 반도체 레이저 다이오드의 온도를 제어할 수 있다.
도 5, 도 6, 도 7, 도 8, 및 도 9에서 설명된 외부 공진 레이저는 광송신기의 내부에 포함될 수 있다. 광송신기는 파장 분할 다중 방식이 적용될 수 있다. 그리고, 광송신기는 유선망 광 가입자 단말 장치 또는 유무선 통합망의 분리형 기지국에 사용될 수 있다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 외부공진 레이저에 다층 박막 필터의 투과 대역에 대응하지 않는 광이 입사된 경우를 도시한 도면이다.
도 10를 참고하면, 도 10에 도시된 외부 공진 레이저는 도 5와 동일한 구조를 나타내지만, 도 6, 도 7, 및 도 8에 도시된 외부 공진 레이저도 도 10과 동일하게 적용될 수 있다. 도 10를 참고하면, 반도체 레이저 다이오드(1001)로부터 출력된 광신호는 렌즈(1002)를 통해 일정한 각도로 다층 박막 필터(1003)에 입사된다.
입사된 광신호가 투과 대역에 대응하지 않는 경우, 다층 박막 필터(1003)와 부분 반사체(1004)에 의해 반사될 수 있다. 반사된 광신호는 반도체 레이저 다이오드(1001)로 되돌아가지 않는다. 즉, 도 10에서 볼 수 있듯이 반사된 광신호는 반도체 광 증폭기로 재입사되지 않기 때문에, 재입사된 광신호로 인해 원하지 않는 파장대역에서 멀티모드 레이징하는 문제점은 존재하지 않는다.
도 11는 본 발명의 일실시예에 따라 다층 박막 필터로 입사되는 광의 입사 각도에 기초한 다층박막 필터의 투과 대역 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 10에서, 렌즈(1002)를 통해 포커싱 된 광신호가 다층 박막 필터(1003)를 입사하는 경우, 다층 박막 필터(1003)에 입사되는 각도에 따라 다층박막 필터의 투과 대역 스펙트럼이 다르게 될 수 있다.
따라서, HR coating이 된 반도체 레이저 다이오드와 다층 박막 필터 및 부분 반사체로 구성된 외부 공진 레이저에서 공진 조건을 만족하여 레이징하는 파장은, 파장 선택 역할을 수행하는 다층 박막 필터의 투과 파장 중 일부가 된다. 이로 인해, 도 5, 도 6, 도7 및 도 8, 도 9에서 설명된 외부 공진 레이저는 단일 파장 레이저를 형성할 수 있으며, 도 5 및 도 8, 도 9의 경우 다층 박막 필터부를 분리함으로써 출력 파장을 선택할 수 있도록 구성할 수도 있다.
도 12은 본 발명의 일실시예에 따라 외부공진 레이저를 열전 소자가 내장된 TO형 패키지 형태를 도시한 도면이다.
도 12을 참고하면, 외부 공진 레이저는 반도체 레이저 다이오드(1205), 렌즈(1204), 다층 박막 필터(1203), 부분 반사체(1202)를 구성할 수 있다. 외부 공진 레이저를 통해 출력된 광은 싱글 모드 광섬유(1201)를 통해 외부로 전송될 수 있다. 반도체 레이저 다이오드(1205), 렌즈(1204), 다층 박막 필터(1203), 부분 반사체(1202)로 구성된 외부 공진 레이저는 열전 소자(1207)가 구비된 TO형 패키지(1208)를 포함할 수 있다.
열전 소자(1207)는 반도체 레이저 다이오드(1205)의 온도를 조절할 수 있다. 반도체 레이저 다이오드(1205)는 열전 소자(1207)의 상면에 장착될 수 있다. 열전 소자(1207)는 반도체 레이저 다이오드(1208)의 온도를 감시할 수 있는 온도 센서를 포함할 수 있다. 온도 센서는 열전 소자(1207)의 상부판에 장착되어, 열전 소자(1207)의 상부판의 온도를 측정할 수 있다. 열전 소자(1207)는 온도 센서로부터 측정된 온도를 이용하여, 반도체 레이저 다이오드(1205)의 온도를 제어할 수 있다.
반도체 레이저 다이오드(1205)는 렌즈(1204)로 광신호를 출력할 수 있다. 그리고, 렌즈(1204)는 반도체 레이저 다이오드(1205)로부터 출력된 광신호를 모아, 일정한 거리에서 상을 맺을 수 있다. 렌즈(1204)를 통과한 광신호는 다층 박막 필터(1203)와 부분 반사체(1202)에 도달하여, 반도체 레이저 다이오드(1205)로부터 출력된 광신호의 파장을 선택하는 동작을 수행할 수 있다.
다층 박막 필터(1203)와 부분 반사체(1202)는 바로 연결된 일체형으로 구성될 수 있다. 또한, 다층 박막 필터(1203), 부분 반사체(1202)는 상기 일체형으로 결합된 형태가 아닌 일정 거리만큼 이격될 수 있다. 그리고, 다층 박막 필터(1203)는 렌즈(1202) 하우징에 접합할 수 있다.
도 12의 외부 공진 레이저는 도 5와 도6, 도7 및 도8과, 도9의 제1 실시예와 제2 실시예 및 제3 실시예와 제4 실시예의 외부 공진 레이저와 동일한 구조일 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따라 외부공진 레이저를 열전 소자가 내장된 일체형 패키지 형태를 도시한 도면이다.
도 13를 참고하면, 외부 공진 레이저는 반도체 레이저 다이오드(1301), 렌즈(1302), 다층 박막 필터(1303), 부분 반사체(1304)를 구성할 수 있다. 외부 공진 레이저를 통해 출력된 광은 싱글 모드 광섬유(1305)를 통해 외부로 전송될 수 있다. 반도체 레이저 다이오드(1301), 렌즈(1202), 다층 박막 필터(1303), 부분 반사체(1304)로 구성된 외부 공진 레이저는 열전 소자(1307)가 구비된 일체형 패키지(1308)를 포함할 수 있다. 일체형 패키지(1308)는 버터플라이(BTF: Boiler Tube Failures) 또는 Mini-DIL 패키지일 수 있다.
열전 소자(1307)는 외부 공진기의 온도를 조절할 수 있다. 열전 소자(1307)는 반도체 레이저 다이오드(1301), 렌즈(1302) 및 다층 박막 필터(1303) 중 적어도 하나 이상을 열전 소자(1307)의 상면에 장착할 수 있다. 열전 소자(1307)는 반도체 레이저 다이오드(1301), 렌즈(1302) 및 다층 박막 필터(1303) 중 적어도 하나 이상의 온도를 감시할 수 있는 온도 센서를 포함할 수 있다. 열전 소자(1307)는 열전 소자(1307)의 상면에 온도 센서를 장착할 수 있다. 온도 센서는 반도체 레이저 다이오드(1301), 렌즈(1302) 및 다층 박막 필터(1303) 중 적어도 하나 이상의 온도를 측정할 수 있다. 열전 소자(1307)는 온도 센서로부터 측정된 온도를 이용하여, 외부 공진 레이저의 온도를 제어할 수 있다.
열전 소자(1307)는 경우에 따라, 부분 반사체(1304)를 포함하여, 열전 소자(1307)의 상면에 장착할 수 있으며, 온도를 감시할 수 있다. 또한, 열전 소자(1307)는 부분 반사체(1304)의 온도를 측정할 수 있다.
반도체 레이저 다이오드(1301)는 렌즈(1302)로 광신호를 출력할 수 있다. 그리고, 렌즈(1302)는 반도체 레이저 다이오드(1301)로부터 출력된 광신호를 모아, 일정한 거리에서 상을 맺을 수 있다. 렌즈(1302)를 통과한 광신호는 다층 박막 필터(1303)와 부분 반사체(1304)에 도달하여, 반도체 레이저 다이오드(1301)로부터 출력된 광신호의 파장을 선택하는 동작을 수행할 수 있다.
다층 박막 필터(1303)와 부분 반사체(1304)는 바로 연결된 일체형으로 구성될 수 있다. 또한, 다층 박막 필터(1303), 부분 반사체(1304)는 상기 일체형으로 결합된 형태가 아닌 일정 거리만큼 이격될 수 있다. 그리고, 다층 박막 필터(1303)는 렌즈(1302) 하우징에 접합할 수 있다.
도 13의 외부 공진 레이저는 도 5, 도 6, 도 7, 도 8, 도 9의 실시예들의 외부 공진 레이저와 동일한 구조일 수 있다.
도 14는 본 발명의 일실시예에 따라 렌즈와 렌즈 사이에 다층 박막 필터가 위치한 경우를 도시한 도면이다.
도 14를 참고하면, 외부 공진 레이저는 반도체 레이저 다이오드(1401), 제1 렌즈(1402), 다층 박막 필터(1403), 제2 렌즈(1405) 및 부분 반사체(1406)를 구성할 수 있다. 외부 공진 레이저를 통해 출력된 광은 싱글 모드 광섬유(1407)를 통해 외부로 전송될 수 있다.
도 14는 도 5, 도 6 및 도7와 달리 2개의 렌즈로 구성될 수 있다. 반도체 레이저 다이오드(1401)는 제1 렌즈(1402)로 광신호를 출력할 수 있다. 이 때, 제1 렌즈(1402)는 콜리메이팅 렌즈일 수 있다. 또한, 제2 렌즈(1405)도 콜리메이팅 렌즈일 수 있다. 일례로, 콜리메이팅 렌즈를 포함하는 외부 공진 레이저는 포커싱 렌즈를 사용하는 경우에 비해 외부 공진기의 길이를 단축함으로써, 외부 공진 레이저의 고속 동작에 유리할 수 있다. 출력된 광신호는 제1 렌즈(1402)를 통해 다층 박막 필터(1403)에 도달한 후, 제2 렌즈(1405)를 통과할 수 있다. 제2 렌즈(1405)를 통과한 광 신호는 부분 반사체(1406)에 도달할 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
501: 반도체 레이저 다이오드
502: 렌즈
503: 다층 박막 필터
504: 부분 반사체
505: 싱글 모드 광섬유

Claims (20)

  1. 광신호를 출력하는 반도체 레이저 다이오드;
    반도체 레이저 다이오드로부터 출력된 광신호를 모으는 렌즈;
    상기 렌즈를 통과한 광신호를 수신하여 투과 파장 대역에 대응하는 광신호를 통과시키는 다층 박막 필터; 및
    상기 다층 박막 필터를 통해 전달된 광신호를 광섬유에 전달하는 부분 반사체
    를 포함하는 외부 공진 레이저.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다층 박막 필터와 부분 반사체는, 서로 접합하는 것을 특징으로 하는 외부 공진 레이저.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 다층 박막 필터와 부분 반사체는, 미리 설정된 제1 거리만큼 이격되는 것을 특징으로 하는 외부 공진 레이저.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 렌즈와 다층 박막 필터는, 서로 접합하는 것을 특징으로 하는 외부 공진 레이저.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 렌즈와 다층 박막 필터는, 미리 설정된 제2 거리만큼 이격되는 것을 특징으로 하는 외부 공진 레이저.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 다층 박막 필터의 전면은 무반사 코팅되고 후면은 멀티 레이어 박막 코팅되는 것을 특징으로 하는 외부 공진 레이저.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 다층 박막 필터의 전면과 후면은 멀티 레이어 박막 코팅이 되는 것을 특징으로 하는 외부 공진 레이저.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 다층 박막 필터는,
    반도체 레이저 다이오드와 렌즈 및 부분 반사체 중 적어도 하나와 결합하거나, 분리되는 것을 특징으로 하는 외부 공진 레이저.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 다층 박막 필터는
    반도체 레이저 다이오드와 렌즈 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 외부 공진 레이저.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체 레이저 다이오드, 렌즈, 다층 박막 필터 및 부분 반사체는,
    상기 반도체 레이저 다이오드, 렌즈, 다층 박막 필터 및 부분 반사체의 온도를 측정하는 열전 소자;
    상기 열전 소자와 상기 반도체 레이저 다이오드, 렌즈, 다층 박막 필터 및 부분 반사체를 결합시키기 위한 금속기판; 및
    상기 열전 소자, 금속 기판 및 상기 반도체 레이저 다이오드, 렌즈, 다층 박막 필터, 부분 반사체를 하나로 결합하는 패키지
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 외부 공진 레이저.
  11. 광신호를 출력하는 반도체 레이저 다이오드;
    반도체 레이저 다이오드로부터 출력된 광신호를 모으는 제1 렌즈;
    상기 제1 렌즈를 통과한 광신호를 수신하여 투과 파장 대역에 대응하는 광신호를 통과시키는 다층 박막 필터; 및
    상기 다층 박막 필터를 통해 전달된 광신호를 광섬유에 전달하는 제2 렌즈
    를 포함하는 외부 공진 레이저.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제2 렌즈는, 부분 반사가 가능한 물질로 코팅된 것을 특징으로 하는 외부 공진 레이저.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2 렌즈가 이탈되는 것을 방지하고 제2 렌즈를 고정하는 하우징을 더 포함하는 외부 공진 레이저.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 하우징은, 다층 박막 필터에 접합하거나 또는 일정 거리만큼 이격되는 것을 특징으로 하는 외부 공진 레이저.
  15. 광신호를 출력하는 반도체 레이저 다이오드;
    반도체 레이저 다이오드로부터 출력된 광신호를 모으는 제1 렌즈;
    상기 제1 렌즈를 통과한 광신호를 수신하여 투과 파장 대역에 대응하는 광신호를 통과시키는 다층 박막 필터; 및
    상기 다층 박막 필터를 통해 전달된 광신호를 광섬유에 전달하는 제2 렌즈
    를 포함하는 외부 공진 레이저.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 렌즈 또는 제2 렌즈는,
    반도체 레이저 다이오드로부터 출력된 광신호를 평행하게 하는 콜리메이팅 렌즈로 구성되는 것을 특징으로 하는 외부 공진 레이저.
  17. 외부 공진 레이저를 포함하는 광송신기에 있어서,
    상기 외부 공진 레이저는,
    광신호를 출력하는 반도체 레이저 다이오드;
    반도체 레이저 다이오드로부터 출력된 광신호를 모으는 렌즈;
    상기 렌즈를 통과한 광신호를 수신하여 투과 파장 대역에 대응하는 광신호를 통과시키는 다층 박막 필터; 및
    상기 다층 박막 필터를 통해 전달된 광신호를 광섬유에 전달하는 부분 반사체
    를 포함하는 광송신기.
  18. 외부 공진 레이저를 포함하는 광송신기에 있어서,
    상기 외부 공진 레이저는,
    광신호를 출력하는 반도체 레이저 다이오드;
    반도체 레이저 다이오드로부터 출력된 광신호를 모으는 제1 렌즈;
    상기 제1 렌즈를 통과한 광신호를 수신하여 투과 파장 대역에 대응하는 광신호를 통과시키는 다층 박막 필터; 및
    상기 다층 박막 필터를 통해 전달된 광신호의 일부를 광섬유에 전달하는 제2 렌즈
    를 포함하는 광송신기.
  19. 제17항 및 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광송신기는, 파장 분할 다중 방식에 적용되는 것을 특징으로 하는 광송신기.
  20. 제17항 및 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광송신기는, 유선망 광 가입자 단말 장치 또는 유무선 통합망의 분리형 기지국에 사용되는 것을 특징으로 하는 광송신기.
KR1020120069313A 2012-06-27 2012-06-27 다층 박막 필터를 이용한 외부공진 레이저 및 이를 포함한 광 송신기 KR20140011521A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120069313A KR20140011521A (ko) 2012-06-27 2012-06-27 다층 박막 필터를 이용한 외부공진 레이저 및 이를 포함한 광 송신기
US13/928,570 US20140003818A1 (en) 2012-06-27 2013-06-27 External cavity laser using multilayered thin film filter and optical transmitter having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120069313A KR20140011521A (ko) 2012-06-27 2012-06-27 다층 박막 필터를 이용한 외부공진 레이저 및 이를 포함한 광 송신기

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140011521A true KR20140011521A (ko) 2014-01-29

Family

ID=49778305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120069313A KR20140011521A (ko) 2012-06-27 2012-06-27 다층 박막 필터를 이용한 외부공진 레이저 및 이를 포함한 광 송신기

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20140003818A1 (ko)
KR (1) KR20140011521A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018186723A1 (ko) * 2017-04-07 2018-10-11 (주)파이버프로 평면 광도파로 및 광 모듈

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140044436A1 (en) * 2012-08-09 2014-02-13 Electronics And Telecommunications Research Institute Optical transmitter and optical transceiver comprising optical transmitter
KR20140092214A (ko) * 2013-01-15 2014-07-23 오므론 가부시키가이샤 레이저 발진기
JP7364850B2 (ja) * 2019-04-16 2023-10-19 日亜化学工業株式会社 外部共振器型半導体レーザ

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4880289A (en) * 1983-12-16 1989-11-14 Hitachi, Ltd. Two-way optical transmission system
US7027472B2 (en) * 2001-07-19 2006-04-11 Axsun Technologies, Inc. Fixed wavelength single longitudinal mode coolerless external cavity semiconductor laser system
KR100606051B1 (ko) * 2004-09-24 2006-07-28 삼성전자주식회사 양방향 광 분기/결합 다중화기 및 이를 이용한 양방향파장분할다중 방식의 환형 네트웍
US7413352B2 (en) * 2005-08-23 2008-08-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module
US7580441B2 (en) * 2005-12-07 2009-08-25 Electronics And Telecommunications Research Institute Athermal external cavity laser
US20080037601A1 (en) * 2006-07-07 2008-02-14 Torsana Laser Technologies A/S Avoiding temperature-related faults of a laser by temperature adjustment
US8199784B2 (en) * 2007-10-15 2012-06-12 Oclaro Technology Limited Laser light source and method of operating the same
KR101276338B1 (ko) * 2009-12-18 2013-06-18 한국전자통신연구원 파장 가변 광원
US8477822B2 (en) * 2010-09-01 2013-07-02 Futurewei Technologies, Inc. Compact transistor outline packaged laser with optical monitoring function

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018186723A1 (ko) * 2017-04-07 2018-10-11 (주)파이버프로 평면 광도파로 및 광 모듈
US10955627B2 (en) 2017-04-07 2021-03-23 Fiberpro, Inc. Planar optical waveguide and optical module

Also Published As

Publication number Publication date
US20140003818A1 (en) 2014-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230024334A1 (en) Adjustable grid tracking transmitters and receivers
US8303195B2 (en) Optical transceiver module
US8000358B2 (en) Power monitoring system for a parallel optical transmitter
US7450858B2 (en) Apparatus and method for transmitting and receiving wavelength division multiplexing signals
KR101276338B1 (ko) 파장 가변 광원
EP0818859A1 (en) Wavelength monitoring and control assembly for WDM optical transmission systems
JP5121836B2 (ja) Ｐｌｃプラットフォーム上に集積されたｄｗｄｍ送信器アレイを監視するための回折格子タップのための方法およびシステム
JP2012511185A (ja) 可同調局部発振器を備えたコヒーレント光学システム
US20150357791A1 (en) Tunable laser with multiple in-line sections
US9709759B2 (en) NxN parallel optical transceiver
US10020636B2 (en) Tunable laser with multiple in-line sections including sampled gratings
EP3271977B1 (en) Tunable laser including parallel lasing cavities with a common output
WO2014157916A1 (ko) 소형 제작이 가능한 파장 가변 레이저 장치
CN109716599A (zh) 具有波分复用器、隔离器、抽头滤波器和光电探测器的光纤耦合激光源泵
JP2008181025A (ja) 一芯双方向光モジュール
KR20140011521A (ko) 다층 박막 필터를 이용한 외부공진 레이저 및 이를 포함한 광 송신기
US20090162073A1 (en) Optical module
CN107611777A (zh) 一种灵活波长的窄线宽半导体外腔激光器及控制方法
KR20130083765A (ko) 파장 측정 기능을 가지는 파장 가변형 레이저 장치
KR20110114395A (ko) 파장 분할 다중화 시스템용 양방향 전송 광송수신 모듈
KR20130093704A (ko) 사용자 선택형 레이저 및 이를 포함하는 광 송신기
US20150349493A1 (en) Semiconductor laser with external cavity having non-straight waveguide
CN110932789A (zh) 一种波长可调谐器件封装结构
KR20150098972A (ko) 파장 가변 광수신기
KR101687788B1 (ko) 광개구수를 이용한 파장다중 양방향 광송수신모듈

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application