KR20130139320A - Paste composition, and method for producing plasma display - Google Patents

Paste composition, and method for producing plasma display Download PDF

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유이치로 이구치
야스히로 코바야시
요우헤이 야마모토
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도레이 카부시키가이샤
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Abstract

유기물과 물기물로 이루어지는 페이스트를 패턴 가공한 후에 고온의 소성 공정에 의해 유기물을 연소나 분해에 의해 증류 제거한 후 유리를 부분적으로 용융·소결시킴으로써 무기 재료에 의한 패턴을 형성할 수 있다. 이 방법에서는 유기 성분을 소성에 의해 제거할 때에 응력이 작용해서 패턴 결손이 발생하기 쉽다는 문제가 있었다. 유리 분말과 유기 성분을 포함하는 페이스트 조성물로서, 유리 분말로서 570℃에 있어서의 점도 η1(dPa·s)과 590℃에 있어서의 점도 η2(dPa·s)가 하기 식(1)을 만족시키는 저융점 유리 분말을 전체 유리 분말에 대하여 40질량% 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물로 한다. 0.5<logη1-logη2<0.9 (1) 이 페이스트 조성물에 의해 패턴 결손을 저지한 패턴을 형성할 수 있다.After pattern-processing the paste which consists of an organic substance and water, an organic substance can be distilled off by combustion or decomposition by a high temperature baking process, and a pattern by an inorganic material can be formed by partially melting and sintering glass. In this method, there is a problem in that stress is applied when the organic component is removed by firing, and pattern defects are likely to occur. As a paste composition containing a glass powder and an organic component, the viscosity η 1 (dPa · s) at 570 ° C. and the viscosity η 2 (dPa · s) at 590 ° C. as a glass powder satisfy the following formula (1): It is set as the paste composition characterized by containing 40 mass% or more of melting | fusing point glass powder with respect to all the glass powder. 0.5 <log (eta) 1-log (eta) 2 <0.9 (1) This paste composition can form the pattern which interrupted the pattern defect.

Description

페이스트 조성물 및 플라즈마 디스플레이의 제조 방법{PASTE COMPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING PLASMA DISPLAY}Paste composition and manufacturing method of plasma display {PASTE COMPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING PLASMA DISPLAY}

본 발명은 페이스트 조성물에 관한 것이다. 특히, 플라즈마 디스플레이 패널, 필드 에미션 디스플레이, 및 형광 표시관 등의 평면 디스플레이 등에 사용하는 절연성 패턴의 형성에 바람직한 페이스트 및 평면 디스플레이용 패널의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a paste composition. In particular, it is related with the manufacturing method of the paste suitable for formation of the insulating pattern used for flat panel displays, such as a plasma display panel, a field emission display, a fluorescent display tube, and a panel for flat panel displays.

최근, 플라즈마 디스플레이 패널, 필드 에미션 디스플레이, 형광 표시관, 액정 표시 장치, 일렉트로루미네슨스 디스플레이, 발광 다이오드 등의 평면 디스플레이의 개발이 급속히 진행되고 있다. 이들 중 플라즈마 디스플레이는 전면 유리 기판과 배면 유리 기판 사이에 형성된 방전 공간내에서 대향하는 전극간에 플라즈마 방전을 발생시켜 상기 방전 공간내에 봉입되어 있는 가스로부터 발생한 자외선을 방전 공간내에 설치한 형광체에 조사함으로써 표시를 행하는 것이다. 플라즈마 디스플레이나 형광 표시관 등의 가스 방전 타입의 디스플레이는 방전 공간을 구획하기 하기 위한 절연성의 격벽을 필요로 한다. 또한, 필드 에미션 디스플레이 등의 전계 방사형 디스플레이는 게이트 전극과 캐소드를 격절시키기 위한 절연성의 격벽을 필요로 한다.In recent years, development of flat panel displays, such as a plasma display panel, a field emission display, a fluorescent display tube, a liquid crystal display device, an electroluminescence display, and a light emitting diode, is progressing rapidly. Among them, the plasma display generates a plasma discharge between the opposing electrodes in the discharge space formed between the front glass substrate and the back glass substrate, and displays the fluorescent substance provided in the discharge space by irradiating ultraviolet rays generated from the gas enclosed in the discharge space. To do. Gas discharge type displays such as plasma displays and fluorescent display tubes require an insulating partition for partitioning the discharge space. In addition, field emission displays, such as field emission displays, require insulating barriers to repel gate electrodes and cathodes.

이들 격벽을 형성하는 방법으로서 격벽 페이스트를 스크린 인쇄판에 의해 패턴상으로 반복해서 도포, 건조한 후, 소성을 행하는 스크린 인쇄법, 건조시킨 격벽 재료의 층 위에 레지스트로 마스킹하고, 샌드 블라스트 처리에 의해 깎은 후, 소성을 행하는 샌드 블라스트법, 건조시킨 격벽 재료를 소성한 후, 그 층 위에 레지스트로 마스킹을 행하고, 에칭하는 에칭법(특허문헌 1), 격벽 페이스트의 도포막에 패턴을 갖는 금형을 압박하여 패턴을 형성한 후, 소성을 행하는 형 전사법(임프린트법)(특허문헌 4), 감광성 페이스트 재료로 이루어지는 격벽 재료를 도포, 건조하고, 노광, 현상 처리를 행한 후, 소성을 행하는 감광성 페이스트법(포토리소그래피법) 등이 알려져 있다(특허문헌 2, 5). 이들 방법에 공통되는 것은 유기물과 무기물로 이루어지는 페이스트를 사용해서 페이스트 도포막 패턴을 형성한 후에 고온의 소성 공정에 의해 유기물을 연소나 분해에 의해 증류 제거한 후, 유리를 부분적으로 용융·소결시킴으로써 무기 재료에 의한 패턴을 형성하는 점이다. 베이스가 되는 기판으로서 유리 기판을 사용할 경우는 유리 기판의 변형을 억제하기 위해서 소성 온도를 650℃ 이하로 하는 것이 일반적이다. 그러나, 상기 방법에서는 유기 성분을 소성에 의해 제거할 때에 응력이 작용해서 패턴 결손이 생기기 쉽다고 하는 문제가 있었다.As a method of forming these barrier ribs, the barrier paste is repeatedly applied and patterned by a screen printing plate, dried, and then screened by baking, masked with a resist on a layer of the dried barrier material, and then shaved by sandblasting. After baking the sand blast method which bakes, the dried partition material, the mask is masked with a resist on the layer, and the etching method (patent document 1) which etches and presses the metal mold | die which has a pattern to the coating film of a partition paste, and patterns After forming the film, the photosensitive paste method of baking is applied after the mold transfer method (imprint method) (patent document 4) which performs baking, the partition material which consists of the photosensitive paste material, and it performs exposure and image development, and is baked. Lithographic methods) and the like (Patent Documents 2 and 5). Common to these methods is to form a paste coating film pattern using a paste made of an organic material and an inorganic material, and then, after the organic material is distilled off by combustion or decomposition by a high temperature baking process, the glass is partially melted and sintered to form an inorganic material. It is the point which forms the pattern by. When using a glass substrate as a base material, it is common to make baking temperature 650 degrees C or less in order to suppress deformation of a glass substrate. However, in the above method, there is a problem in that stress is applied when the organic component is removed by firing, and pattern defects are likely to occur.

여기에서, 패턴 결손의 요인은 제 1로 유기물이 고온에서 소성·증류 제거될 때의 소성 응력, 제 2로 고온에서 유리 성분이 연화·수축될 때의 수축 응력이 있다. 제 1의 소성 응력에 의한 패턴 결손을 억지하는 방법으로서 특허문헌 3에서는 유기 성분 중에 유연성이 우수한 우레탄 화합물을 첨가함으로써 응력에 대한 패턴의 강도를 높임으로써 패턴 결손을 억지하는 방법이 제안되어 있다. 이 방법은 유기물이 소성시에 분해되는 과정에 있어서 발생되는 응력에 의한 결손을 방지하기 위해서는 유효한 방법이지만, 유기물이 소성에 의해 제거된 후, 유리 성분의 소결 과정에 있어서의 수축 응력에 의한 패턴 결손을 억지하는 효과는 없다.Here, the cause of the pattern defect is a plastic stress when the first organic material is calcined and distilled off at a high temperature, and a shrinkage stress when the glass component is softened and contracted at a second high temperature. As a method of inhibiting pattern defects caused by first plastic stress, Patent Document 3 proposes a method of inhibiting pattern defects by increasing the strength of a pattern against stress by adding a urethane compound having excellent flexibility in an organic component. This method is effective to prevent defects caused by stress generated in the process of decomposing organic matters during firing, but pattern defects caused by shrinkage stress in the sintering process of glass components after organic matters are removed by firing. There is no effect to suppress.

일본 특허 공개 평 7-320641호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 7-320641 일본 특허 공개 평 9-310030호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 9-310030 일본 특허 공개 2002-173597호 공보Japanese Patent Publication No. 2002-173597 일본 특허 공개 2009-203356호 공보Japanese Patent Publication No. 2009-203356 미국 특허 6197480호 공보United States Patent 6197480

그래서, 본 발명은 유리 재료의 고온에서의 점도 특성의 제어, 특히, 온도에 대한 점도의 변화량을 일정한 범위내로 설계함으로써 무기물이 소결될 때에 발생되는 패턴 결손을 억지할 수 있는 페이스트를 제공하는 것이다.Therefore, the present invention provides a paste capable of suppressing pattern defects generated when the inorganic material is sintered by controlling the viscosity characteristics at a high temperature of the glass material, in particular, by designing an amount of change in viscosity with respect to a temperature within a certain range.

상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은 이하의 구성을 갖는다.In order to solve the said subject, this invention has the following structures.

(1)유리 분말과 유기 성분을 포함하는 페이스트 조성물로서, 570℃에 있어서의 점도 η1(dPa·s)과 590℃에 있어서의 점도 η2(dPa·s)가 하기 식(1)을 만족시키는 저융점 유리 분말을 전체 유리 분말에 대하여 40질량% 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.(1) A paste composition comprising a glass powder and an organic component, wherein the viscosity η 1 (dPa · s) at 570 ° C. and the viscosity η 2 (dPa · s) at 590 ° C. satisfy the following formula (1): A paste composition comprising a melting point glass powder based on 40% by mass or more of the total glass powder.

0.5<logη1-logη2<0.9 (1)0.5 <logη1-logη2 <0.9 (1)

(2)유리 분말과 유기 성분을 포함하는 페이스트 조성물로서, 유리 분말로서 570℃에서의 점도 η1(dPa·s)과 590℃에서의 점도 η2(dPa·s)가 하기 식(2)을 만족시키는 저융점 유리 분말을 전체 유리 분말에 대하여 40질량% 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.(2) As a paste composition containing a glass powder and an organic component, the viscosity η 1 (dPa · s) at 570 ° C. and the viscosity η 2 (dPa · s) at 590 ° C. satisfy the following formula (2) as the glass powder: The paste composition characterized by containing 40 mass% or more of low-melting-point glass powder with respect to all the glass powder.

1.05<logη1/logη2<1.11 (2)1.05 <logη1 / logη2 <1.11 (2)

(3)(1) 또는 (2)에 있어서, 상기 η1(dPa·s)과 η2(dPa·s)가 하기 식(3) 및 식(4)를 만족시키는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.(3) The paste composition according to (1) or (2), wherein η1 (dPa · s) and η2 (dPa · s) satisfy the following formulas (3) and (4).

8.5<logη1<9.0 (3)8.5 <logη1 <9.0 (3)

7.8<logη2<8.5 (4)7.8 <logη2 <8.5 (4)

(4)(1)∼(3) 중 어느 하나에 있어서, 상기 저융점 유리 분말의 연화 온도가 560∼610℃인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.(4) The paste composition according to any one of (1) to (3), wherein the softening temperature of the low melting glass powder is 560 to 610 ° C.

(5)(1)∼(4) 중 어느 하나에 있어서, 상기 저융점 유리 분말 중의 알칼리 금속산화물 함유량 X(M2O)(질량%) 및 산화아연 함유량 X(ZnO)(질량%)이 하기 식(5)을 만족시키고, 또한 상기 저융점 유리 분말 중의 산화규소 함유량 X(SiO2)(질량%), 산화알루미늄 함유량 X(Al2O3)(질량%) 및 산화붕소의 함유량 X(B2O3)(질량%)가 하기 식(6)을 만족시키고, 또한 상기 저융점 유리 분말 중의 알칼리 금속산화물의 함유량 X(M2O)가 4∼10질량%의 범위내이며, 또한 산화아연의 함유량 X(ZnO)가 3∼10질량%의 범위내인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.5 (1) - to the method according to any one of the low-melting alkali metal oxide content of the glass powder X (M 2 O) (weight%) and zinc oxide content X (ZnO) (mass%) of 4 Satisfying formula (5), and furthermore, silicon oxide content X (SiO 2 ) (mass%), aluminum oxide content X (Al 2 O 3 ) (mass%) and boron oxide content X (B) in the low melting point glass powder. 2 O 3 ) (mass%) satisfies the following formula (6), and the content X (M 2 O) of the alkali metal oxide in the low-melting-point glass powder is in the range of 4-10 mass%, and zinc oxide Content X (ZnO) of is in the range of 3-10 mass%, The paste composition characterized by the above-mentioned.

1.0≤X(M2O)/X(ZnO)≤3.0 (5)1.0≤X (M 2 O) / X (ZnO) ≤3.0 (5)

1.5<(X(SiO2)+X(Al2O3))/X(B2O3)<2.0 (6)1.5 <(X (SiO 2 ) + X (Al 2 O 3 )) / X (B 2 O 3 ) <2.0 (6)

(6)(1)∼(5) 중 어느 하나에 있어서, 유기 성분으로서 광반응성 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.(6) The paste composition according to any one of (1) to (5), comprising a photoreactive material as an organic component.

(7) 상기 (1)∼(6)의 페이스트 조성물을 사용해서 격벽을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이의 제조 방법.(7) A method of manufacturing a plasma display, wherein the partition wall is formed using the paste composition of the above (1) to (6).

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명의 페이스트에 의하면, 소성 후에 결함이 없는 무기물 패턴을 얻을 수 있고, 특히 패턴에 결함이 없는 디스플레이 부재를 제공할 수 있고, 저비용으로 고수율의 PDP 제조를 행하는데에 유효하다.According to the paste of the present invention, an inorganic pattern free of defects can be obtained after firing, and in particular, a display member free of defects in the pattern can be provided, and is effective for producing a high yield of PDP at low cost.

본 발명의 페이스트는 유기물과 무기 분말로 구성된다. 유기물은 소성전의 패턴을 형성하기 위해서 일정량이 필요하지만, 유기 성분이 지나치게 많으면 소성 공정에서 제거하는 물질의 양이 많아지고, 소성 수축률이 커지므로 소성 공정에서의 패턴 결손을 발생하기 쉽다. 또한, 소성 공정에서 유기물이 잔존하기 쉽고, 이 잔존한 유기물은 디스플레이내의 오염을 발생시키기 쉽다. 한편, 유기 성분이 과소해지면 페이스트 중에서의 무기 미립자의 혼합·분산이 불충분하게 될 뿐만 아니라 페이스트의 점도의 상승 때문에 페이스트의 도포성이 저하되는 등의 문제가 생겨 페이스트의 안정성에도 악영향이 있어 바람직하지 못한 경우가 있따. 또한, 유기 성분과 무기 미립자의 분산성이 저하되므로 소성시에 결함이 생기기 쉬워진다. 그래서, 페이스트 중의 무기 미립자의 함유량이 40질량%∼80질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 40질량%∼70질량%이다.The paste of the present invention is composed of organic matter and inorganic powder. A certain amount of organic matter is required in order to form a pattern before firing. However, when the organic component is too large, the amount of the substance removed in the firing process increases, and the plastic shrinkage rate increases, which is likely to cause pattern defects in the firing process. In addition, organic matters tend to remain in the firing step, and the remaining organic matters tend to cause contamination in the display. On the other hand, when the organic component becomes too small, not only the mixing and dispersion of the inorganic fine particles in the paste will be insufficient, but also the problems such as a decrease in the applicability of the paste due to an increase in the viscosity of the paste will adversely affect the stability of the paste. There is a case. In addition, since the dispersibility of the organic component and the inorganic fine particles is lowered, defects tend to occur during firing. Therefore, it is preferable that content of the inorganic fine particle in a paste is 40 mass%-80 mass%, More preferably, it is 40 mass%-70 mass%.

본 발명에 있어서 유기물을 소성에 의해 거의 완전히 제거하고, 또한 일정한 강도를 확보하기 위해서는 사용하는 저융점 유리 분말로서는 연화 온도 480℃ 이상의 유리 분말을 사용하는 것이 바람직하다. 연화 온도가 480℃ 이하에서는 소성시에 유기 성분이 충분히 제거되기 전에 유리가 연화되어 버려 유기물의 잔존물이 유리 중에 도입되어 버린다. 이 경우는 장래에 유기물이 서서히 방출되어 제품품질을 저하시킬 우려가 있다. 그래서, 연화 온도를 480℃ 이상의 유리 분말을 사용한 페이스트를 패턴 형성한 후, 500℃ 이상으로 가열해서 유기물을 완전히 제거한 후에 유리 성분의 소결을 진행시켜 무기 패턴을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 소성 온도가 620℃ 이상이 되면 일반적인 유리 기판에서는 변형이 커지므로 소성 온도로서는 620℃ 이하가 바람직하다. 즉, 디스플레이에 있어서의 무기재료 패턴의 형성에는 500∼620℃에서 소성하는 것이 바람직하고, 이 때에 사용하는 페이스트 중의 저융점 유리 분말의 특성으로서는 연화 온도 480∼620℃의 유리를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 소성 공정에 있어서 유리 분말의 온도에 대한 점도변화가 큰 경우는 단시간에서의 소성 수축이 일어나기 쉽고, 순간적인 수축 응력이 커지는 경향이 있어 패턴 결손으로 연결되기 쉽다. 그래서, 이 고온영역에서의 저융점 유리 분말의 점도변화를 일정화로 함으로써 소성 수축을 완화적으로 행하게 해서 수축 응력에 의한 패턴 결손을 발생시키기 어렵게 할 수 있다. 특히, 570∼590℃의 영역에서의 점도변동을 일정 이하로 억제하는 것이 중요하다. 즉, 570℃에 있어서의 점도 η1(dPa·s)과 590℃에 있어서의 점도 η2(dPa·s)가 하기 식(1)을 만족시키는 저융점 유리 분말을 사용함으로써 패턴 결손이 발생되기 어려운 페이스트를 작성할 수 있다.In the present invention, in order to remove the organic material almost completely by firing and to secure a constant strength, it is preferable to use a glass powder having a softening temperature of 480 ° C or higher as the low melting point glass powder to be used. If the softening temperature is 480 ° C. or lower, the glass is softened before the organic component is sufficiently removed at the time of firing, and the residue of the organic substance is introduced into the glass. In this case, there is a fear that organic substances are gradually released in the future, thereby degrading product quality. Therefore, it is preferable to form an inorganic pattern by carrying out sintering of a glass component, after forming a paste using the glass powder of 480 degreeC or more softening temperature, heating to 500 degreeC or more and completely removing an organic substance. Moreover, when baking temperature becomes 620 degreeC or more, since a deformation becomes large in a general glass substrate, 620 degreeC or less is preferable as baking temperature. That is, it is preferable to bake at 500-620 degreeC for formation of the inorganic material pattern in a display, and it is preferable to use the glass of the softening temperature of 480-620 degreeC as a characteristic of the low melting-point glass powder in the paste used at this time. . In addition, in the baking process, when the viscosity change with respect to the temperature of glass powder is large, plastic shrinkage in a short time tends to occur, and instantaneous shrinkage stress tends to be large, leading to pattern defects. Therefore, by making the viscosity change of the low-melting-point glass powder in this high temperature region constant, it is possible to make plastic shrinkage relieve and to hardly generate pattern defects due to shrinkage stress. In particular, it is important to suppress the viscosity fluctuation in the range of 570-590 degreeC below a fixed level. That is, the paste hardly generate | occur | produces a pattern defect by using the low melting glass powder in which viscosity (eta) 1 (dPa * s) in 570 degreeC and viscosity (eta2 (dPa * s) in 590 degreeC satisfy | fill following formula (1). You can write

0.5<logη1-logη2<0.9 (1)0.5 <logη1-logη2 <0.9 (1)

본 발명에 있어서 저연화점 유리의 570℃에 있어서의 점도 η1(dPa·s) 및 590℃에 있어서의 점도 η2(dPa·s)는 후술하는 관입법을 사용해서 측정할 수 있다.In this invention, the viscosity (eta) 1 (dPa * s) at 570 degreeC and the viscosity (eta2) (dPa * s) at 590 degreeC of low softening point glass can be measured using the penetration method mentioned later.

logη1-logη2의 값이 0.5 이하이면 가열에 의한 연화를 충분히 진행시키기 어려워진다. 즉, 가열에 의해 소결시키는 저연화점 유리는 일반적으로 logη1-logη2는 0.5보다 커진다. 또한, 0.9 이상인 경우는 온도에 대한 점도변화가 크고, 순간적인 수축 응력에 의한 패턴 결손을 발생하기 쉽다.If the value of logη1-logη2 is 0.5 or less, it becomes difficult to fully advance softening by heating. That is, in the low softening point glass sintered by heating, logη1-logη2 generally becomes larger than 0.5. In addition, in the case of 0.9 or more, the viscosity change with respect to temperature is large, and a pattern defect by a temporary shrinkage stress is easy to generate | occur | produce.

또한, 570℃에 있어서의 점도 η1(dPa·s)과 590℃에 있어서의 점도 η2(dPa·s)가 하기 식(2)을 만족시키는 유리 분말을 사용함으로써 패턴 결손이 발생되기 어려운 페이스트를 작성할 수 있다. Moreover, the viscosity which is hard to produce a pattern defect is produced by using the glass powder whose viscosity (eta) 1 (dPa * s) in 570 degreeC and viscosity (eta2 (dPa * s) in 590 degreeC satisfy | fill the following formula (2). Can be.

1.05<logη1/logη2<1.11 (2)1.05 <logη1 / logη2 <1.11 (2)

logη1-logη2의 값이 1.05 이하이면 가열에 의한 연화를 충분히 진행시키기 어려워지고, 또한, 1.11 이상인 경우는 온도에 대한 점도변화가 커서 단시간에서의 온도변화로 생기는 수축 응력에 의한 패턴 결손을 보이기 쉽다.When the value of log? 1-log? 2 is 1.05 or less, it is difficult to sufficiently advance the softening by heating, and when it is 1.11 or more, the viscosity change with respect to temperature is large, and it is easy to show a pattern defect due to the shrinkage stress caused by the temperature change in a short time.

본 발명의 페이스트 조성물에 사용하는 저융점 유리 분말로서 연화 온도가 560∼610℃인 것에 의해 적당한 소결이 진행되고, 강도가 우수한 무기 패턴을 형성할 수 있다.As a low melting-point glass powder used for the paste composition of this invention, when softening temperature is 560-610 degreeC, suitable sintering advances and the inorganic pattern excellent in intensity | strength can be formed.

본 발명에서 말하는 연화 온도는 통상, 시차열 분석 장치(DTA)를 사용해서 측정할 수 있고, 예를 들면, 유리 분말을 측정해서 얻어지는 DTA곡선으로부터 흡열 피크에 있어서의 흡열 종료 온도를 접선법에 의해 외삽해서 구할 수 있다.The softening temperature according to the present invention can usually be measured by using a differential thermal analysis device (DTA), and for example, the endothermic end temperature in the endothermic peak from the DTA curve obtained by measuring the glass powder by the tangential method. Can be extrapolated.

본 발명의 페이스트 조성물에 포함되는 저융점 유리의 함유율은 전체 유리 분말에 대하여 40질량% 이상인 것이 소결성의 점에서 필요하다.It is necessary for the content rate of the low melting glass contained in the paste composition of this invention to be 40 mass% or more with respect to all glass powder from a sinterability point.

또한, 여기에서 사용하는 유리 분말의 570℃에 있어서의 점도 η1(dPa·s)과 590℃에 있어서의 점도 η2(dPa·s)를 일정한 범위내로 함으로써 치밀하며 강도가 우수한 무기 패턴을 형성할 수 있다. 즉, 하기 식(3) 및 (4)의 관계를 갖는 저융점 유리 분말을 40질량% 이상 함유함으로써 소성후에 보다 강도가 우수한 무기 패턴을 형성할 수 있다.In addition, by forming the viscosity η 1 (dPa · s) at 570 ° C. and the viscosity η 2 (dPa · s) at 590 ° C. of the glass powder used herein, a dense and excellent inorganic pattern can be formed. have. That is, by containing 40 mass% or more of low melting-point glass powder which has a relationship of following formula (3) and (4), the inorganic pattern which is more excellent in strength after baking can be formed.

8.5<logη1<9.0 (3)8.5 <logη1 <9.0 (3)

7.8<logη2<8.5 (4)7.8 <logη2 <8.5 (4)

유리의 소결을 진행시켜서 일정 정도의 소결을 진행시키기 위해서는 logη1, logη2가 상기 식(3) 및 식(4)를 만족시키도록 설계하는 것이 바람직하다. logη1 또는 logη2가 지나치게 크면 소결이 진행되기 어렵고, 형성물의 강도가 부족하게 되는 경우가 있다. 한편, logη1 또는 logη2가 지나치게 작은 경우는 유리 소결과 함께 패턴 형상이 변형되어 형상유지가 곤란해지는 경우가 있다. 즉, 상기 식을 만족시키는 범위로 함으로써 특히 적당한 소결성을 얻을 수 있고, 결함이 없는 무기물 패턴을 얻을 수 있다. 본 발명의 페이스트 조성물에 포함되는 저연화점 유리 분말은 유리를 저융점화하는데에 유효한 재료인 산화납, 산화비스무트, 산화아연, 알칼리 금속의 산화물을 사용할 수 있지만, 산화납은 환경상에서 바람직하지 못하고, 산화비스무트는 고가의 원소인 비스무트를 사용하는 점에서 불리하다. 그래서, 알칼리 금속산화물을 사용해서 유리의 연화 온도를 조정하는 것이 바람직하다. 또한, 일반적으로는 알칼리 금속은 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘을 가리키지만, 본 발명의 저연화점 유리 분말의 구성 성분으로서 포함되는 알칼리 금속산화물이란 산화리튬, 산화나트륨 및 산화칼륨을 가리키고, 산화리튬, 산화나트륨 및 산화칼륨의 합계의 함유량을 X(M2O)로 한다.It is preferable to design so that log (eta) 1 and log (eta) 2 may satisfy | fill said Formula (3) and Formula (4) in order to advance sintering of glass by advancing sintering of a certain grade. If logeta1 or logeta2 is too large, sintering will not progress easily and the strength of a formed object may run short. On the other hand, when log (eta) 1 or log (eta) 2 is too small, pattern shape may deform | transform with glass sintering, and shape maintenance may become difficult. That is, by setting it as the range which satisfy | fills the said formula, especially suitable sintering property can be obtained and the inorganic pattern without a defect can be obtained. The low softening point glass powder included in the paste composition of the present invention may use oxides of lead oxide, bismuth oxide, zinc oxide, and alkali metal which are effective materials for low melting point of the glass, but lead oxide is not preferable in the environment. Bismuth oxide is disadvantageous in that it uses bismuth which is an expensive element. Therefore, it is preferable to adjust the softening temperature of glass using an alkali metal oxide. In addition, although alkali metal generally refers to lithium, sodium, potassium, rubidium, and cesium, alkali metal oxide contained as a component of the low softening point glass powder of this invention refers to lithium oxide, sodium oxide, and potassium oxide, and to the total content of oxide lithium, sodium and potassium oxide, X (M 2 O).

이 경우의 알칼리 금속산화물의 함유량 X(M2O)은 전체 유리 중에서 4∼10질량%로 하는 것이 바람직하다. 4질량% 미만에서는 유리 기판상에서 소성하기 위해서 충분한 연화 온도 저감을 할 수 없는 경우가 있다. 또한, 10질량%보다 많은 경우는 고온에서의 점도가 지나치게 저하되는 경우가 있다. 또한, 알칼리 금속에 의한 연화 온도 조정만으로는 고온에서의 점도가 지나치게 저하된다. 그래서, 산화아연을 3∼10질량% 첨가하는 것이 바람직하다. 3질량% 미만에서는 고온에서의 점도가 높아지고, 10질량%보다 많으면 유리의 비용이 높아지는 경향이 있다. 특히, 저융점 유리 분말 중의 알칼리 금속산화물 함유량 X(M2O)(질량%) 및 산화아연 함유량 X(ZnO)(질량%)이 하기 식(5)을 만족시키는 것이 고온 점성 제어의 점에서 바람직하다.The content X (M 2 O) of the alkali metal oxide in this case is preferably in the range of 4 to 10% by weight of the total glass. If it is less than 4 mass%, in order to bake on a glass substrate, sufficient softening temperature reduction may not be possible. Moreover, when more than 10 mass%, the viscosity in high temperature may fall too much. Moreover, only the softening temperature adjustment by an alkali metal will fall too much the viscosity in high temperature. Therefore, it is preferable to add 3-10 mass% of zinc oxides. If it is less than 3 mass%, the viscosity in high temperature will become high, and when there is more than 10 mass%, there exists a tendency for the cost of glass to become high. In particular, it is preferable in view of the high temperature viscosity control that satisfies the alkali metal oxide content of the low melting point glass frit X (M 2 O) (weight%) and zinc oxide content X (ZnO) to the (mass%) Equation (5) Do.

1.0≤X(M2O)/X(ZnO)≤3.0 (5)1.0≤X (M 2 O) / X (ZnO) ≤3.0 (5)

X(M2O)/X(ZnO)를 1.0∼3.0의 범위가 되도록 설계하는 것이 고온 점성 제어의 점에서 바람직하다. 1.0 미만에서는 고온점도가 지나치게 높아져지고, 3.0보다 큰 경우는 반대로 지나치게 낮아진다.To the X (M 2 O) / X (ZnO) , which is designed to range from 1.0 to 3.0 are preferred in view of the high temperature viscosity control. If it is less than 1.0, high temperature viscosity will become high too much, and if larger than 3.0, it will become too low on the contrary.

또한, 저융점 유리는 상기 알칼리 금속산화물, 및 산화납에 추가해서 산화규소, 산화붕소, 산화알루미늄, 알칼리 토류 금속(마그네슘, 칼슘, 바륨, 스트론튬 등)의 산화물 등을 사용함으로써 유리의 안정성, 결정성, 투명성, 열팽창 특성 등을 제어할 수 있다. 이들 조성으로서는 이하에 나타내는 조성으로 함으로써, 본 발명에 사용하는 점도 특성의 저융점 유리를 제작할 수 있다.In addition, the low-melting glass is used in addition to the alkali metal oxide and lead oxide, and the stability and crystallinity of the glass by using an oxide of silicon oxide, boron oxide, aluminum oxide, alkaline earth metal (magnesium, calcium, barium, strontium, and the like). Properties, transparency, thermal expansion characteristics, and the like can be controlled. As these compositions, by setting it as the composition shown below, the low melting-point glass of the viscosity characteristic used for this invention can be produced.

알칼리 금속산화물 ············4∼10질량%Alkali metal oxides 4 to 10% by mass

산화아연 ····· ···········3∼10질량%Zinc oxide 3 to 10% by mass

산화규소 ················20∼40질량%Silicon oxide 20 to 40% by mass

산화붕소 ················25∼33질량%Boron oxide 25 to 33 mass%

산화알루미늄····· ······· ··10∼30질량%Aluminum oxide 10 to 30% by mass

알칼리 토류 금속산화물 ······· ··5∼15질량%Alkaline earth metal oxides 5 to 15% by mass

또한, 알칼리 토류 금속은 마그네슘, 칼슘, 바륨, 스트론튬으로부터 선택되는 1종류 이상을 가리킨다. In addition, an alkaline earth metal refers to one or more types chosen from magnesium, calcium, barium, and strontium.

고온에서의 점도변화를 작게 하기 위해서는 산화규소 함유량 X(SiO2)(질량%), 산화알루미늄 함유량 X(Al2O3)(질량%) 및 산화붕소의 함유량 X(B2O3)(질량%)이 하기 식(6)을 만족시키는 것이 바람직하다.Silicon oxide content X (SiO 2 ) (mass%), aluminum oxide content X (Al 2 O 3 ) (mass%) and content of boron oxide X (B 2 O 3 ) (mass) It is preferable that%) satisfy | fills following formula (6).

1.5<(X(SiO2)+X(Al2O3))/X(B2O3)<2.0 (6)1.5 <(X (SiO 2 ) + X (Al 2 O 3 )) / X (B 2 O 3 ) <2.0 (6)

산화붕소는 유리의 고온에서의 유동 특성을 향상시키기 위해서는 유효하지만, 반대로 온도에 대한 유동성이나 점도를 변화시키기 쉽다. 반대로, 산화규소나 산화알루미늄은 고온에서의 유동성을 저하시키지만, 한편 온도에 대한 점도변화를 작게 하는 효과가 있다. 그래서, 상기 관계를 만족시킴으로써 고온에서의 유동성을 유지하면서 온도에 대한 점도변화를 적당하게 유지할 수 있다.Boron oxide is effective in order to improve the flow characteristic at the high temperature of glass, but on the contrary, it is easy to change the fluidity | liquidity or viscosity with respect to temperature. On the contrary, silicon oxide and aluminum oxide reduce the fluidity at high temperature, but have an effect of reducing the viscosity change with respect to temperature. Thus, by satisfying the above relationship, it is possible to appropriately maintain the viscosity change with respect to temperature while maintaining fluidity at high temperature.

또한, 상기 이외에 산화티타늄, 산화지르코늄, 산화비스무트, 및 각종 금속산화물로부터 선택되는 산화물을 첨가할 수 있지만, 이들 산화물은 10질량% 미만으로 하는 것이 바람직하다. 10질량% 이상 첨가하면 변색이나 결정화에 의해 유리의 특성이 손상되거나, 비용이 높아지는 문제가 있다.In addition to the above, oxides selected from titanium oxide, zirconium oxide, bismuth oxide, and various metal oxides can be added, but these oxides are preferably less than 10% by mass. If 10 mass% or more is added, there exists a problem that a characteristic of glass may be impaired by discoloration and crystallization, or a cost becomes high.

본 발명에 사용하는 저연화점 유리 분말의 고온에서의 점도특성으로서는 상술한 바와 같이 유리가 연화·소결될 때의 점도(중점도역)의 측정을 측정하는 「관입법」을 사용해서 측정할 수 있다. 측정 장치는 (유)오프토사제의 고온 관입식 점도계(품번:PVM-1400) 등을 사용해서 측정할 수 있다. 유리 샘플을 사용해서 로드셀에 의한 부하 가중을 측정함으로써 점도를 구할 수 있다. 실제의 측정은 평판상 유리 시료 표면에 관입 압자를 일정한 관입 속도로 밀어 넣고, 관입봉에 가해지는 가중으로부터 이하 식으로 점도를 측정한다.As a viscosity characteristic at the high temperature of the low softening point glass powder used for this invention, it can measure using the "penetration method" which measures the measurement of the viscosity (medium viscosity range) when glass softens and sinters as mentioned above. . A measuring apparatus can be measured using a high temperature penetration type | mold viscosity meter (product number: PVM-1400) made from (Yu-O) Corporation. The viscosity can be calculated | required by measuring the load weight by a load cell using a glass sample. The actual measurement pushes a penetration indenter into a flat glass sample surface at a constant penetration speed, and measures a viscosity from the weight applied to a penetration rod by the following formula.

η = G×W/Vη = G × W / V

η:점도, G:장치 정수, W:관입봉에의 부하 가중(g), V:관입 속도(mm/sec)η: viscosity, G: device constant, W: load weight (g) to penetration rod, V: penetration velocity (mm / sec)

(참고 문헌: 「재료」 15권 제155호 567페이지(1966))(Reference: 「Materials」, Vol. 15, No. 155, page 567 (1966))

본 발명의 페이스트 조성물에 사용하는 저융점 유리 분말의 입자지름으로서는 50% 체적 평균 입자지름(D50)이 1.0∼4.0㎛의 범위내인 것이 바람직하다. 1.0㎛ 미만에서는 입자의 응집이 강해져 균일한 분산성이 얻어지기 어려워지고, 페이스트의 유동성이 불안정해진다. 이러한 경우는 페이스트를 도포했을 때의 두께 균일성이 저하된다. 또한, D50이 4.0㎛를 초과하면 소결체의 표면 요철이 커지고, 후공정에서 패턴이 파쇄되는 원인으로 되기 쉽다.As a particle diameter of the low melting glass powder used for the paste composition of this invention, it is preferable that 50% volume average particle diameter (D50) exists in the range of 1.0-4.0 micrometers. When the particle size is less than 1.0 µm, the aggregation of the particles becomes stronger, whereby the uniform dispersibility is hardly obtained, and the fluidity of the paste becomes unstable. In this case, thickness uniformity at the time of apply | coating a paste falls. Moreover, when D50 exceeds 4.0 micrometers, the surface unevenness | corrugation of a sintered compact will become large, and it becomes easy to become a cause which a pattern fractures in a later process.

본 발명의 페이스트 조성물은 상술의 저융점 유리 분말 이외에 650℃에서도 연화되지 않는 고융점 유리나 실리카·알루미나·지르코니아 등의 세라믹스 입자를 필러 성분으로서 첨가할 수 있다. 필러는 소성 수축률의 제어나 형성되는 격벽의 형상을 유지하기 위해서 저융점 유리와 함께 사용할 수 있다. 단, 무기미립자 전체에 차지하는 비율이 50질량%를 초과하면 저융점 유리의 소결을 저해하고, 격벽의 강도의 저하 등의 문제점을 발생시키므로 바람직하지 못하다. 또한, 이들 필러에 관해서는 저융점 유리와 같은 이유로 평균 입자지름 0.5∼4.0㎛인 것이 바람직하다. The paste composition of this invention can add ceramic particles, such as high melting glass and silica, alumina, zirconia, which are not softened at 650 degreeC other than the low melting glass powder mentioned above as a filler component. A filler can be used with low melting glass in order to control plastic shrinkage rate, and to maintain the shape of the partition which is formed. However, when the ratio to the whole inorganic fine particle exceeds 50 mass%, since the sintering of low melting glass is inhibited and a problem, such as the fall of the strength of a partition, arises, it is unpreferable. Moreover, about these fillers, it is preferable that it is 0.5-4.0 micrometers in average particle diameter for the same reason as low melting glass.

또한, 본 발명의 페이스트 조성물은 패턴 가공하기 위한 프로세스에 따라 각종 유기 성분을 사용할 수 있다. 예를 들면, 고정밀도로 패턴 개구부를 형성한 메시 스크린을 사용한 스크린 인쇄법으로 패턴 가공할 때에는 바인더로서 에틸셀룰로오스나 니트로셀룰로오스 등의 셀룰로오스류를 사용하고, 또한, 용매로서 터피네올 등을 사용함으로써 스크린 인쇄시의 스크린 판상에의 페이스트 잔사가 적은(즉, 판분리성이 우수한) 페이스트로 할 수 있다. 또한, 샌드 블라스트의 경우는 셀룰로오스류나 부티랄 수지, 아크릴 수지와 유기용매를 사용해서 작성한 페이스트를 슬릿 코터로 도포·건조 후 필름 레지스트를 부착하고, 상기 레지스트 필름을 포토리소그래피법(패턴 노광/현상)을 사용해서 패턴 가공하고, 레지스트 제거된 부분을 샌드 블라스트 처리에 의해 제거하는 방법에 의해 패턴 형성 가능하다. 본 발명의 페이스트 조성물을 사용하는 보다 바람직한 가공 방법은 본 발명의 페이스트 조성물을 유기 성분으로 해서 광반응성 재료를 포함하는 감광성 페이스트로서 이것을 사용하는 감광성 페이스트법이다. 감광성 페이스트는 기판 상에 도포·건조한 후에 포토리소그래피법에 의해 고정밀도의 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 페이스트의 유기 성분 중에 우레탄 결합을 갖는 화합물을 사용함으로써 유기물이 소성 증류 제거될 때까지의 응력을 완화하여 패턴 결손을 억제할 수 있다.Moreover, the paste composition of this invention can use various organic components according to the process for patterning. For example, when pattern-processing by the screen printing method using the mesh screen which formed the pattern opening part with high precision, celluloses, such as ethyl cellulose and nitrocellulose, are used as a binder, and terpineol etc. are used as a solvent. It can be set as a paste with few paste residues (that is, excellent plate separation property) on the screen plate at the time of printing. In the case of sand blasting, a paste prepared using cellulose, butyral resin, acrylic resin, and organic solvent is coated and dried with a slit coater, and then a film resist is attached, and the resist film is subjected to photolithography (pattern exposure / development). The pattern can be formed by using a method, and the pattern can be formed by a method of removing the resist-removed portion by sand blasting. The more preferable processing method using the paste composition of this invention is the photosensitive paste method which uses this as a photosensitive paste containing photoreactive material as the organic composition of the paste composition. The photosensitive paste can form a high-precision pattern by the photolithography method after apply | coating and drying on a board | substrate. Moreover, by using the compound which has a urethane bond in the organic component of the paste of this invention, the stress until the organic substance is calcined and distilled off can be alleviated and pattern defect can be suppressed.

본 발명의 페이스트 조성물을 유기 성분으로서 광반응성 재료를 포함하는 감광성 페이스트로 하고, 고정밀도의 패턴 형성을 행할 경우 광의 투과성을 높이기 위해서 광조사시에는 유기물과 무기물의 굴절율을 조정시켜서 광산란을 억제할 필요가 있다. 유기 성분으로서 비점 250℃ 이하의 용매성분을 증류 제거한 후에 잔류하는 성분의 평균 굴절율(n1)과, 유리 분말의 평균 굴절율(n2) 사이에 이하의 관계를 갖는 것이 필요하다. When the paste composition of the present invention is a photosensitive paste containing a photoreactive material as an organic component, and high-precision pattern formation is performed, it is necessary to adjust the refractive indexes of organic and inorganic materials to suppress light scattering in order to increase light transmittance. There is. It is necessary to have the following relationship between the average refractive index n1 of the component which remains after distilling off the solvent component of boiling point 250 degrees C or less as an organic component, and the average refractive index n2 of glass powder.

-0.1<n1-n2<0.1-0.1 <n1-n2 <0.1

각종 산화물로 이루어지는 유리 성분은 그 배합을 고려하는 점에서 특성의 제어가 가능하며, 본 발명에 있어서도 열특성, 굴절율 등을 컨트롤한 저융점 유리 분말을 사용할 수 있다.The glass component which consists of various oxides can control a characteristic in consideration of the compounding, and also the low melting glass powder which controlled the thermal characteristic, refractive index, etc. can also be used in this invention.

본 발명의 페이스트 조성물은 유기 성분으로서 광반응성 재료를 포함함으로써 노광·현상함으로써 패턴 가공 가능한 감광성 페이스트로 할 수 있다. 광반응성 재료로서는 반응성 모노머, 반응성 올리고머, 광중합 개시제 등을 첨가함으로써 반응성을 제어할 수 있다. 여기에서, 반응성 모노머 및 반응성 올리고머에 있어서의 반응성이란 페이스트가 활성광선의 조사를 받았을 경우에 반응성 모노머 또는 반응성 올리고머가 광가교, 광중합 등의 반응을 일으켜서 화학구조가 변화되는 것을 의미한다.The paste composition of this invention can be made into the photosensitive paste which can be pattern-processed by exposing and developing by including a photoreactive material as an organic component. As a photoreactive material, reactivity can be controlled by adding a reactive monomer, a reactive oligomer, a photoinitiator, etc. Here, the reactivity in the reactive monomer and the reactive oligomer means that when the paste is irradiated with actinic light, the reactive monomer or the reactive oligomer causes a reaction such as photocrosslinking or photopolymerization to change the chemical structure.

구체적으로 감광성 모노머로서는 활성인 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 화합물을 들 수 있고, 관능기로서 비닐기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 아크릴아미드기를 갖는 단관능 및 다관능 화합물을 들 수 있다. 특히, 다관능 아크릴레이트 화합물 및 메타크릴레이트 화합물을 유기 성분 중에 10∼80중량부 함유시킨 것이 광반응에 의해 경화시의 가교 밀도를 높게 하고, 패턴 형성성을 향상시키는 점에서 바람직하다. 다관능 아크릴레이트 화합물 및 메타크릴레이트로서는 다양한 종류의 화합물이 개발되어 있으므로, 그것으로부터 반응성, 굴절율 등을 고려해서 적당히 선택하는 것이 가능하다. 반응성 모노머나 반응성 올리고머로서 분자내에 반응하는 관능기 이외에 우레탄 결합을 갖는 모노머 또는 올리고머를 사용함으로써 보다 패턴 결손되기 어려운 페이스트 재료를 얻을 수 있다. 이것은 본 발명의 고온점도 특성을 갖는 저융점 유리 분말을 사용했을 경우 가열 소성 후기에서 유리가 소결 진행되는 과정에서 급격한 수축을 보이기 어려운 것이 패턴 결손을 억제하는 것에 대해서 유기 바인더에 우레탄 구조를 갖는 화합물을 사용했을 경우에는 과열 소성 초기의 유기 성분이 분해·증류 제거되는 즉 유기물이 잔존하고 있는 상태에서의 과열 과정에 있어서의 응력 완화가 생기고, 패턴 결손을 발생하기 어려운 메커니즘에 의한다. 이들 양쪽의 특성을 가짐으로써 넓은 온도 영역에서 패턴 결손을 억제할 수 있다.Specifically as a photosensitive monomer, the compound which has an active carbon-carbon double bond is mentioned, A monofunctional and polyfunctional compound which has a vinyl group, acryloyl group, a methacryloyl group, and an acrylamide group is mentioned as a functional group. In particular, it is preferable to contain 10 to 80 parts by weight of the polyfunctional acrylate compound and the methacrylate compound in the organic component in order to increase the crosslinking density at the time of curing by photoreaction and to improve the pattern formability. Since various kinds of compounds have been developed as the polyfunctional acrylate compound and methacrylate, it is possible to select appropriately from the consideration of reactivity, refractive index and the like. By using a monomer or oligomer having a urethane bond in addition to the functional group reacting in the molecule as the reactive monomer or the reactive oligomer, a paste material which is less likely to be pattern-deficient can be obtained. This is because when the low melting glass powder having the high temperature viscosity characteristic of the present invention is used, it is difficult to show rapid shrinkage during the sintering process of glass during the post-heating firing. When it is used, it is caused by a mechanism in which the organic components in the initial stage of superheat firing are decomposed and distilled off, that is, the stress relaxation in the overheating process in the state in which organic matter remains, and the pattern defect is hard to occur. By having both of these characteristics, a pattern defect can be suppressed in a wide temperature range.

본 발명의 페이스트 조성물은 바인더로서 카르복실기를 갖는 공중합 폴리머를 함유시킬 수 있다. 카르복실기를 갖는 공중합체로서는 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 말레산, 푸말산, 비닐아세트산 또는 이들 산무수물 등의 카르복실기 함유 모노머 및 메타크릴산 에스테르, 아크릴산 에스테르, 스티렌, 아크릴로니트릴, 아세트산 비닐, 2-히드록시아크릴레이트 등의 모노머를 선택하고, 아조비스이소부틸로니트릴과 같은 개시제를 사용해서 공중합함으로써 얻어진다. 카르복실기를 갖는 공중합체로서는 소성시의 열분해 온도가 낮은 점에서 아크릴산 에스테르 또는 메타아크릴산 에스테르 및 아크릴산 또는 메타아크릴산을 공중합성분으로 하는 공중합체가 바람직하게 사용된다.The paste composition of this invention can contain the copolymer polymer which has a carboxyl group as a binder. As a copolymer which has a carboxyl group, For example, carboxyl group-containing monomers, such as acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, vinyl acetic acid, or these acid anhydrides, methacrylic acid ester, acrylic acid ester, styrene, It is obtained by selecting monomers, such as an acrylonitrile, vinyl acetate, and 2-hydroxyacrylate, and copolymerizing using an initiator like azobisisobutylonitrile. As a copolymer which has a carboxyl group, the copolymer which uses acrylic acid ester or methacrylic acid ester, and acrylic acid or methacrylic acid as a copolymerization component is preferable at the point of the low thermal decomposition temperature at the time of baking.

카르복실기를 함유함으로써, 알칼리 수용액에의 용해성이 우수한 페이스트로 하게 되고, 패턴 노광후의 현상이 가능하게 된다. 카르복실기를 갖는 공중합체의 산가는 50∼150mgKOH/g인 것이 바람직하다. 산가를 150mgKOH/g 이하로 함으로써 현상 허용폭을 넓게 취할 수 있다. 또한, 산가를 50mgKOH/g 이상으로 함으로써 미노광부의 현상액에 대한 용해성이 저하되는 일이 없다. 따라서 현상액 농도를 짙게 할 필요가 없고 노광부의 박리를 방지하여 고세밀한 패턴을 얻을 수 있다. 또한, 카르복실기를 갖는 공중합체가 측쇄에 에틸렌성 불포화기를 갖는 것도 바람직하다. 에틸렌성 불포화기로서는 아크릴기, 메타크릴기, 비닐기, 알릴기 등을 들 수 있다.By containing a carboxyl group, it becomes the paste excellent in the solubility to aqueous alkali solution, and the image development after pattern exposure is attained. It is preferable that the acid value of the copolymer which has a carboxyl group is 50-150 mgKOH / g. By setting the acid value to 150 mgKOH / g or less, the developing tolerance can be widened. Moreover, the solubility with respect to the developing solution of an unexposed part does not fall by setting an acid value to 50 mgKOH / g or more. Therefore, it is not necessary to thicken the developer concentration, and peeling of an exposure part can be prevented and a high-definition pattern can be obtained. Moreover, it is also preferable that the copolymer which has a carboxyl group has an ethylenically unsaturated group in a side chain. As an ethylenically unsaturated group, an acryl group, methacryl group, a vinyl group, an allyl group, etc. are mentioned.

본 발명의 페이스트 조성물은 유리 분말과 유기 성분, 필요에 따라 유기용매 및 바인더(감광성 페이스트의 경우는 이들에 추가해서 반응성 모노머, 반응성 올리고머, 반응성 폴리머, 광중합 개시제 등으로 이루어지는 광반응성 재료) 등의 각종성분을 소정의 조성이 되도록 조합한 후, 3개 롤러나 혼련기로 균질하게 혼합 분산해서 제작한다.The paste composition of the present invention may be prepared in various forms such as glass powders and organic components, organic solvents and binders (in the case of photosensitive pastes, photoreactive materials including reactive monomers, reactive oligomers, reactive polymers, photopolymerization initiators, etc. in addition to them). The components are combined so as to have a predetermined composition, and then homogeneously mixed and dispersed by three rollers or a kneader to prepare.

페이스트의 점도는 무기미립자, 증점제, 유기용매, 가소제 및 침강 방지제 등 첨가 비율에 의해 적당히 조정할 수 있지만, 그 범위는 2∼200Pa·s의 범위내인 것이 바람직하다. 예를 들면, 기판에의 도포를 스핀코트법으로 행할 경우는 2∼5Pa·s의 점도가 바람직하다. 기판에의 도포를 스크린 인쇄법으로 행하고, 1회의 도포로 막두께 10∼20㎛를 얻기 위해서는 50∼200Pa·s의 점도가 바람직하다. 블레이드 코터법이나 다이 코터법 등을 사용할 경우는 10∼50Pa·s의 점도가 바람직하다.Although the viscosity of a paste can be suitably adjusted with addition ratios, such as an inorganic fine particle, a thickener, an organic solvent, a plasticizer, and a sedimentation inhibitor, it is preferable that the range exists in the range of 2-200 Pa.s. For example, when applying to a board | substrate by a spin coat method, the viscosity of 2-5 Pa.s is preferable. In order to apply | coat to a board | substrate by the screen printing method and to obtain film thickness 10-20 micrometers by one application | coating, the viscosity of 50-200 Pa.s is preferable. When using the blade coater method, the die coater method, etc., the viscosity of 10-50 Pa.s is preferable.

이렇게 해서 얻어진 본 발명의 페이스트를 기판 상에 도포하고, 여러 방법을 사용해서 패턴을 형성하고, 또한 소성함으로써 디스플레이 부재를 얻을 수 있다. 본 발명의 페이스트는 특히 기판 상에 격벽을 갖는 플라즈마 디스플레이 부재의 제조에 바람직하게 사용할 수 있다. 패턴을 형성하는 방법으로서는 예를 들면, 스크린 인쇄법, 샌드 블라스트법, 포토리소그래피법 등을 사용할 수 있다. 포토리소그래피법은 고세밀한 가공이 가능하기 때문에 바람직하다.The display member can be obtained by apply | coating the paste of this invention obtained in this way on a board | substrate, forming a pattern using various methods, and baking. The paste of the present invention can be suitably used particularly for the manufacture of a plasma display member having partition walls on a substrate. As a method of forming a pattern, the screen printing method, the sand blasting method, the photolithography method, etc. can be used, for example. The photolithography method is preferable because high precision processing is possible.

포토리소그래피 기술에 의해 상기 페이스트를 사용해서 디스플레이 부재의 제조를 행하는 일례에 대해서 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.Although the example which manufactures a display member using the said paste by photolithography technique is demonstrated, this invention is not limited to this.

기판 상에 페이스트를 전면에 또는 부분적으로 도포해서 도포막을 형성한다. 도포방법으로서는 스크린 인쇄법, 바 코터, 롤 코터, 다이코터, 블레이드 코터 등의 방법을 사용할 수 있다. 도포두께는 도포 횟수, 스크린의 메시 및 페이스트의 점도를 선택함으로써 조정할 수 있다.The paste is applied to the entire surface or partially on the substrate to form a coating film. As a coating method, methods, such as a screen printing method, a bar coater, a roll coater, a die coater, and a blade coater, can be used. The coating thickness can be adjusted by selecting the number of coating times, the viscosity of the mesh of the screen, and the paste.

여기서 페이스트를 기판 상에 도포한 후, 노광 장치를 사용해서 노광을 행한다. 노광 장치로서는 프록시미티 노광기 등을 사용할 수 있다. 또한, 대면적의 노광을 행할 경우는 기판 상에 페이스트를 도포한 후에 반송하면서 노광을 행함으로써 작은 노광 면적의 노광기로 큰 면적을 노광할 수 있다.Here, after apply | coating a paste on a board | substrate, it exposes using an exposure apparatus. As an exposure apparatus, a proximity exposure machine etc. can be used. In addition, when exposing large area, it can expose a large area by the exposure machine of a small exposure area by performing exposure, conveying, after apply | coating paste on a board | substrate.

노광 후, 도포막의 노광 부분과 미노광 부분의 현상액에 대한 용해도차를 이용해서 현상을 행한다. 현상은 침지법이나 스프레이법, 브러시법으로 행한다. 현상액에는 페이스트 중의 유기 성분이 용해 가능한 유기용매를 사용할 수 있다. 또한, 상기 유기용매에 그 용해력이 상실되지 않는 범위에서 물을 첨가해도 좋다. 현상액은 물을 주성분으로 하는 것이 바람직하다. 페이스트 중에 카르복실기 등의 산성기를 갖는 화합물이 존재할 경우 알칼리 수용액으로 현상할 수 있다. 알칼리 수용액으로서는 수산화나트륨이나 탄산나트륨, 수산화칼슘 수용액 등을 사용할 수 있지만, 유기 알칼리 수용액을 사용한 쪽이 소성시에 알칼리 성분을 제거하기 쉬우므로 바람직하다.After exposure, image development is performed using the solubility difference with respect to the developing solution of the exposed part and unexposed part of a coating film. The development is carried out by an immersion method, a spray method, or a brush method. As a developing solution, the organic solvent which can melt | dissolve the organic component in a paste can be used. Moreover, you may add water to the said organic solvent in the range in which the solvent power is not lost. It is preferable that a developing solution has water as a main component. When the compound which has acidic groups, such as a carboxyl group, exists in paste, it can develop with aqueous alkali solution. As the aqueous alkali solution, sodium hydroxide, sodium carbonate, calcium hydroxide aqueous solution and the like can be used, but an organic alkali aqueous solution is preferred because it is easy to remove the alkali component during firing.

유기 알칼리로서는 탄산나트륨이나 탄산칼륨, 수산화나트륨, 탄산수소나트륨 등의 무기 알칼리의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 일반적인 아민 화합물을 사용해도 좋다. 구체적으로는 테트라메틸암모늄히드록사이드, 트리메틸벤질암모늄히드록사이드, 모노에탄올아민, 디에탄올아민 등을 들 수 있다. 알칼리 수용액의 농도는 통상 0.05∼5질량%, 보다 바람직하게는 0.1∼1질량%이다. 알칼리 농도가 지나치게 낮으면 가용부가 제거되지 않고, 알칼리 농도가 지나치게 높으면 패턴부를 박리시키고, 또 비가용부를 부식시킬 우려가 있어 좋지 않다. 또한, 현상시의 현상 온도는 20∼50℃에서 행하는 것이 공정 관리상 바람직하다.As the organic alkali, aqueous solutions of inorganic alkalis such as sodium carbonate, potassium carbonate, sodium hydroxide and sodium hydrogencarbonate can be used. Moreover, you may use a general amine compound. Specifically, tetramethylammonium hydroxide, trimethylbenzylammonium hydroxide, monoethanolamine, diethanolamine, etc. are mentioned. The density | concentration of aqueous alkali solution is 0.05-5 mass% normally, More preferably, it is 0.1-1 mass%. If the alkali concentration is too low, the soluble portion is not removed. If the alkali concentration is too high, the pattern portion may be peeled off and the insoluble portion may be corroded. Moreover, it is preferable in process control that image development temperature at the time of image development is performed at 20-50 degreeC.

이어서 소성로에서 소성을 행한다. 소성 분위기나 온도는 페이스트나 기판의 종류에 따라 다르지만, 공기 중, 질소, 수소 등의 분위기 중에서 소성한다. 소성로로서는 배치식의 소성로나 벨트식의 연속형 소성로를 사용할 수 있다.Subsequently, baking is performed in a kiln. The firing atmosphere and temperature vary depending on the type of paste or substrate, but are fired in an atmosphere such as air, nitrogen, or hydrogen. As a kiln, a batch type kiln and a belt type continuous kiln can be used.

소성은 통상 480∼610℃의 온도에서 10∼60분간 유지해서 소성을 행하는 것이 바람직하다. 이상의 공정에 의해, 기판 상에 실질적으로 무기물이 되는 패턴이 형성된 디스플레이 부재가 얻어진다.It is preferable to bake and hold baking for 10 to 60 minutes at the temperature of 480-610 degreeC normally. By the above process, the display member in which the pattern which becomes an inorganic substance substantially is formed on a board | substrate is obtained.

실시예Example

이하에, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to this.

(실시예 1∼8, 비교예 1∼4)(Examples 1-8, Comparative Examples 1-4)

A.유리 분말의 입경 분포 평가A. Evaluation of particle size distribution of glass powder

입도 분포 측정 장치(니키소 가부시키가이샤제 「MT3300」)를 사용해서 유리 분말의 평균 입자지름(d50)과, 최대 입자지름(dmax)을 평가했다. 물을 채운 시료실에 유리 분말을 투입하고, 300초간, 초음파 처리를 행한 후에 측정을 행했다.The average particle diameter (d 50 ) and the maximum particle diameter (d max ) of glass powder were evaluated using the particle size distribution measuring apparatus ("MT3300" by Nikki Corporation). Glass powder was thrown into the sample chamber filled with water, and the measurement was performed after performing a sonication for 300 second.

B.유리 분말의 연화 온도 평가B. Softening Temperature Evaluation of Glass Powder

시차열 분석 장치(가부시키가이샤 리가쿠제 「차동형 시차열 천평 TG8120」)를 사용하고, 알루미나 분말을 표준 시료로 해서 실온으로부터 20℃/분으로 승온해서 얻어진 DTA곡선으로부터 흡열 피크에 있어서의 흡열 종료 온도를 접선법에 외삽해서 연화 온도(Ts)를 구했다.Endothermic end temperature in the endothermic peak from the DTA curve obtained by using a differential thermal analysis device ("Differential differential differential thermal flat TG8120" manufactured by Rigaku, Ltd.) as a standard sample and heating up from room temperature to 20 ° C / min. Was extrapolated to the tangential method to obtain the softening temperature (Ts).

C.유리의 고온 점도 평가C. High Temperature Viscosity Evaluation of Glass

(유)오푸토사제의 고온 관입식 점도계(품번:PVM-1400)를 사용하고, 「관입법」을 사용해서 측정. 평판상 유리 시료 표면에 관입 압자를 관입 속도 0.1mm/min(550℃ 미만), 1.0mm/min(550℃ 이상)으로 밀어넣고, 관입봉에 가해지는 가중으로부터 이하 식으로 점도를 측정.It is measured using "penetration method" using high-temperature penetration type viscometer (product number: PVM-1400) made by OPTO Corporation. The indenter was pushed on the surface of the flat glass sample at a penetration rate of 0.1 mm / min (less than 550 ° C.) and 1.0 mm / min (550 ° C. or more), and the viscosity was measured in the following manner from the weight applied to the penetration rod.

η = G×W/Vη = G × W / V

η:점도, G:장치 정수, W:관입봉에의 부하 가중(g), V:관입 속도(mm/sec)η: viscosity, G: device constant, W: load weight (g) to penetration rod, V: penetration velocity (mm / sec)

D.감광성 페이스트 및 그것을 사용한 배면 기판의 제작D. Fabrication of photosensitive paste and back substrate using the same

실시예 1∼6, 비교예 1∼3의 페이스트에 사용한 원료는 다음과 같다.The raw material used for the paste of Examples 1-6 and Comparative Examples 1-3 is as follows.

감광성 모노머 M-1:트리메티롤프로판트리아크릴레이트Photosensitive monomer M-1: trimethylolpropane triacrylate

감광성 모노머 M-2:테트라프로필렌글리콜디메타크릴레이트Photosensitive monomer M-2: Tetrapropylene glycol dimethacrylate

관광성 모노머 M-3:하기 식(A)에 있어서 R1, R2는 수소, R3은 에틸렌옥사이드-프로필렌옥사이드코올리고머, R4는 이소포론디이소시아네이트 잔기, 분자량은 19,000Tourist monomer Monomer M-3: In the following formula (A), R1 and R2 are hydrogen, R3 is an ethylene oxide-propylene oxide co-oligomer, R4 is an isophorone diisocyanate residue, and the molecular weight is 19,000

R1-(R4-R3)n-R4-R2 (A)R1- (R4-R3) n-R4-R2 (A)

감광성 폴리머:메타크릴산/메타크릴산 메틸/스티렌=40/40/30으로 이루어지는 공중합체의 카르복실기에 대하여 0.4당량의 글리시딜메타크릴레이트를 부가 반응시킨 것(중량 평균 분자량 43000, 산가 100)Photosensitive polymer: 0.4-glycidyl methacrylate addition reaction was carried out with respect to the carboxyl group of the copolymer which consists of methacrylic acid / methyl methacrylate / styrene = 40/40/30 (weight average molecular weight 43000, acid value 100).

광중합 개시제:2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)부타논-1(BASF사제 IC369).Photoinitiator: 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1 (IC369 by BASF Corporation).

중합 금지제:1,6-헥산디올-비스[(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트])Polymerization inhibitor: 1,6-hexanediol-bis [(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate])

자외선 흡수제 용액:스단 IV(도쿄 오카 고교 가부시키가이샤제)의 γ-부티로락톤 0.3질량% 용액Ultraviolet light absorber solution: 0.3 mass% solution of gamma -butyrolactone of sdan IV (made in Tokyo Okagyo Kogyo Co., Ltd.)

점도 조정제:플로우논 EC121(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.제)Viscosity modifier: Flownon EC121 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)

용매:γ-부티로락톤Solvent: γ-butyrolactone

유리 분말:표 1에 나타내는 유리 분말 1∼6을 사용했다.Glass powder: The glass powders 1-6 shown in Table 1 were used.

Figure pct00001
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상기 재료를 사용해서 실시예 1∼6, 비교예 1∼3의 감광성 페이스트는 이하의 방법으로 제작했다.Using the said material, the photosensitive paste of Examples 1-6 and Comparative Examples 1-3 was produced with the following method.

감광성 모노머 M-1을 4질량%, 감광성 모노머 M-2를 6질량%, 감광성 폴리머 24질량%, 광중합 개시제 6질량%, 중합 금지제 0.2질량% 및 자외선 흡수제 용액 12.8질량%, 용매 38질량%를 80℃로 가열 용해했다. 냉각 후 점도 조정제를 9질량% 첨가하고, 유기용액 1을 제작했다. 또한, 상기 유기용액 1에 있어서 감광성 모노머 M-2 대신에 감광성 모노머 M-3을 6질량% 첨가하고, 유기용액 2를 제작했다.4 mass% of photosensitive monomer M-1, 6 mass% of photosensitive monomer M-2, 24 mass% of photosensitive polymers, 6 mass% of photoinitiators, 0.2 mass% of polymerization inhibitors, 12.8 mass% of ultraviolet absorber solutions, and 38 mass% of solvents It melt | dissolved by heating at 80 degreeC. 9 mass% of viscosity modifiers were added after cooling, and the organic solution 1 was produced. In addition, 6 mass% of photosensitive monomers M-3 were added instead of the photosensitive monomer M-2 in the said organic solution 1, and the organic solution 2 was produced.

이어서, 제작한 유기용액 1 또는 유기용액 2의 60질량%에 표 2에 나타내는 유리 분말을 첨가한 후, 3개 롤러 혼련기로 혼련하고, 페이스트를 제작했다. 또한, 제작한 페이스트를 사용해서 이하의 방법으로 플라즈마 디스플레이용의 배면기판을 제작했다.Subsequently, after adding the glass powder shown in Table 2 to 60 mass% of the produced organic solution 1 or the organic solution 2, it knead | mixed with three roller kneaders and produced the paste. In addition, using the produced paste, a back substrate for plasma display was produced by the following method.

대각 42인치 사이즈의 유리 기판 상에 스트라이프상의 어드레스 은전극(선폭 50㎛, 두께 3㎛, 피치 300㎛)을 형성하고, 이 위에 두께 15㎛의 유전체층을 형성한 후, 상기 페이스트를 건조 두께 160㎛가 되도록 도포·건조했다. A stripe-shaped address silver electrode (line width 50 μm, thickness 3 μm, pitch 300 μm) was formed on a diagonal 42 inch glass substrate, and a dielectric layer having a thickness of 15 μm was formed thereon, and then the paste was dried with a thickness of 160 μm. It applied and dried so that it might become.

이어서, 플라즈마 디스플레이용 격벽 패턴 형성을 목적으로 한 포토마스크(스트라이프상 패턴, 선폭 50㎛, 패턴 피치 300㎛)를 어드레스 전극으로 평행해지는 배치로 세트해서 노광했다. 노광 후 0.5%의 에탄올아민 수용액 중에서 현상하고, 또한 595℃에서 15분간 소성했다. 피치 300㎛, 선폭 50㎛, 높이 120㎛의 스트라이프상 격벽을 갖는 디스플레이 부재를 얻을 수 있었다.Next, the photomask (stripe-shaped pattern, 50 micrometers of line width, and 300 micrometers of pattern pitch) aimed at formation of the partition pattern for plasma displays was set and exposed in parallel to the address electrode. It developed in 0.5% ethanolamine aqueous solution after exposure, and baked at 595 degreeC for 15 minutes. A display member having a stripe-shaped partition wall having a pitch of 300 µm, a line width of 50 µm, and a height of 120 µm was obtained.

E.샌드 블라스트용 페이스트 및 그것을 사용한 배면 기판의 제작E. Sand blast paste and back substrate using the same

실시예 7 및 8, 비교예 4의 페이스트는 이하의 순서로 제작했다. 터피네올과 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트를 1:1로 혼합한 용제에 3질량%의 에틸셀룰로오스 수지 및 가소제로서 디부틸프탈레이트 5질량%를 용해한 유기용액 3을 제작했다. 상기 용액 60질량%에 표 2에 나타내는 유리 분말을 첨가한 후, 3개 롤러 혼련기로 혼련하고, 페이스트를 제작했다.The pastes of Examples 7 and 8 and Comparative Example 4 were prepared in the following order. The organic solution 3 which melt | dissolved 5 mass% of dibutyl phthalates as a 3 mass% ethylcellulose resin and a plasticizer was prepared in the solvent which mixed terpineol and diethylene glycol monobutyl ether acetate 1: 1. After adding the glass powder shown in Table 2 to 60 mass% of said solutions, it knead | mixed with three roller kneaders, and produced the paste.

대각 42인치 사이즈의 유리 기판 상에 스트라이프상의 어드레스 은전극(선폭 50㎛, 두께 3㎛, 피치 250㎛)을 형성하고, 이 위에 두께 15㎛의 유전체층을 형성한 후, 상기 페이스트를 건조 두께 140㎛가 되도록 도포·건조했다.A stripe-shaped address silver electrode (line width 50 µm, thickness 3 µm, pitch 250 µm) was formed on a diagonal 42-inch glass substrate, and a dielectric layer having a thickness of 15 µm was formed thereon, and then the paste was dried to 140 µm thick. It applied and dried so that it might become.

이어서, 페이스트층 상에 보호막을 갖는 네거티브형 드라이 필름 레지스트(니혼 고세이 카가쿠 고교(주)제, NCP225, 25㎛)를 100℃의 열 롤로 라미네이트했다. Next, the negative type dry film resist (NCP225, 25 micrometers made by Nippon Kosei Kagaku Kogyo Co., Ltd.) which has a protective film on the paste layer was laminated with the 100 degreeC heat roll.

상기 레지스트층 상에 피치 300㎛, 개구부폭 50㎛의 라인앤드스페이스의 패턴 마스크를 위치맞춤해서 배치하고, 자외선 조사(364nm, 강도 20mW/㎠, 조사량 120mJ/㎠)하고, 노광한 후 포토레지스트층상의 보호막을 박리하고, 액체 온도 30℃의 탄산 나트륨 1질량% 수용액을 사용해서 스프레이 현상했다. 라인 패턴 마스크에 따른 레지스트 패턴이 얻어졌다.A pattern mask of a line and space having a pitch of 300 µm and an opening width of 50 µm was positioned on the resist layer, and was irradiated with ultraviolet radiation (364 nm, intensity of 20 mW / cm 2, irradiation amount of 120 mJ / cm 2), and then exposed to a photoresist layer. The protective film was peeled off and spray-developed using a 1 mass% aqueous solution of sodium carbonate at a liquid temperature of 30 ° C. The resist pattern according to the line pattern mask was obtained.

이어서, 이 레지스트 패턴을 마스크로 해서 X 하이퍼 블래스트 장치 HCH-3X7BBART-411M(후지 세이사쿠쇼(주)제)을 사용해서 샌드 블라스트 가공을 실시했다. 또한 595℃에서 15분간 소성했다. 피치 300㎛, 선폭 50㎛, 높이 120㎛의 스트라이프상 격벽을 갖는 디스플레이 부재를 얻을 수 있었다.Subsequently, sand blasting was performed using X hyperblast apparatus HCH-3X7BBART-411M (made by Fuji Seisakusho Co., Ltd.) using this resist pattern as a mask. Furthermore, it baked at 595 degreeC for 15 minutes. A display member having a stripe-shaped partition wall having a pitch of 300 µm, a line width of 50 µm, and a height of 120 µm was obtained.

F.패턴 결손의 평가F. Evaluation of Pattern Defects

소성 후 단선 등의 패턴 결함을 관찰했다. 패턴 결손수를 카운트해서 평가를 행한 결과를 표 2에 나타낸다.Pattern defects, such as a disconnection, were observed after baking. Table 2 shows the results of evaluation by counting the number of pattern defects.

또한, 패턴 결함의 발생 용이함의 평가로서 단선 개시 사이즈의 평가를 이하의 방법으로 행했다. 상기 포토마스크를 사용한 노광에 있어서 포토마스크에 5∼40㎛의 사이즈의 패턴 결함을 각 40개소 형성(개구부에 일정 폭의 사광 슬릿을 형성)한 마스크를 사용하고, 그 마스크 결함 개소에서 50% 이상이 단선되는(마스크에 동사이즈의 패턴 결함을 40개소 제작해서 그 중 20개소 이상에서 단선되는) 패턴 결함 사이즈를 단선 개시 사이즈로 했다. 본 평가는 공정 중에서 마스크가 손상되거나 이물이 부착된 경우에 패턴 결함이 어느 정도 발생하기 쉬운지를 나타내는 평가가 되고, 클수록 바람직하다.In addition, evaluation of disconnection starting size was performed as the evaluation of the ease of generation of a pattern defect by the following method. In the exposure using the photomask, a mask in which 40 pattern defects each having a size of 5 to 40 µm is formed on the photomask (a light-emitting slit having a predetermined width is formed at each opening) is used, and at least 50% of the mask defects are used. The pattern defect size which is disconnected (produced 40 pattern defects of the same size in a mask and disconnected at 20 or more places among them) was made into disconnection start size. This evaluation becomes evaluation which shows how much a pattern defect is easy to occur when a mask is damaged or a foreign material adheres in a process, and it is so preferable that it is large.

실시예 1∼8,및 비교예 1∼4에서 얻어진 감광성 페이스트의 평가 결과를 표 2에 나타낸다.Table 2 shows the evaluation results of the photosensitive pastes obtained in Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 4.

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(산업상 이용 가능성)(Industrial applicability)

본 발명은 잔존 유기 성분이 적은 격벽을 형성하기 위한 페이스트로서 유용하게 이용할 수 있다. 또한, 잔존 유기 성분이 적은 격벽을 형성해서 휘도나 색순도 등의 표시 특성이 우수하고, 패널 신뢰성이 높은 평면 디스플레이로서 유용하게 이용할 수 있다.
This invention can be usefully used as a paste for forming the partition with few residual organic components. Moreover, the partition which has few residual organic components is formed, and it is excellent in display characteristics, such as a brightness | luminance and a color purity, and can be useful as a flat panel display with high panel reliability.

Claims (7)

유리 분말과 유기 성분을 포함하는 페이스트 조성물로서, 570℃에 있어서의 점도 η1(dPa·s)과 590℃에 있어서의 점도 η2(dPa·s)가 하기 식(1)을 만족시키는 저융점 유리 분말을 전체 유리 분말에 대하여 40질량% 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
0.5<logη1-logη2<0.9 (1)
As a paste composition containing a glass powder and an organic component, the low-melting-point glass powder in which viscosity (eta) 1 (dPa * s) at 570 degreeC and viscosity (eta2) (dPa * s) at 590 degreeC satisfy | fills following formula (1) 40 mass% or more with respect to all the glass powder, The paste composition characterized by the above-mentioned.
0.5 <logη1-logη2 <0.9 (1)
유리 분말과 유기 성분을 포함하는 페이스트 조성물로서, 유리 분말로서 570℃에서의 점도 η1(dPa·s)과 590℃에서의 점도 η2(dPa·s)가 하기 식(2)을 만족시키는 저융점 유리 분말을 전체 유리 분말에 대하여 40질량% 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
1.05<logη1/logη2<1.11 (2)
A paste composition comprising a glass powder and an organic component, wherein the glass powder has a low melting point glass at which viscosity η 1 (dPa · s) at 570 ° C. and viscosity η 2 (dPa · s) at 590 ° C. satisfy the following formula (2): A paste composition comprising 40% by mass or more of the powder relative to the total glass powder.
1.05 <logη1 / logη2 <1.11 (2)
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 η1(dPa·s)과 η2(dPa·s)가 하기 식(3) 및 식(4)을 만족시키는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
8.5<logη1<9.0 (3)
7.8<logη2<8.5 (4)
3. The method according to claim 1 or 2,
The said (eta) (dPa * s) and (eta2) (dPa * s) satisfy | fill following formula (3) and formula (4), The paste composition characterized by the above-mentioned.
8.5 <logη1 <9.0 (3)
7.8 <logη2 <8.5 (4)
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 저융점 유리 분말의 연화 온도가 560∼610℃인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The softening temperature of the said low melting glass powder is 560-610 degreeC, The paste composition characterized by the above-mentioned.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 저융점 유리 분말 중의 알칼리 금속산화물 함유량 X(M2O)(질량%) 및 산화아연 함유량 X(ZnO)(질량%)가 하기 식(5)을 만족시키고, 또한 상기 저융점 유리 분말 중의 산화규소 함유량 X(SiO2)(질량%), 산화알루미늄 함유량 X(Al2O3)(질량%) 및 산화붕소의 함유량 X(B2O3)(질량%)가 하기 식(6)을 만족시키고, 또한 상기 저융점 유리 분말 중의 알칼리 금속산화물의 함유량 X(M2O)가 4∼10질량%의 범위내이며, 또한 산화아연의 함유량 X(ZnO)가 3∼10질량%의 범위내인 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
1.0≤X(M2O)/X(ZnO)≤3.0 (5)
1.5<(X(SiO2)+X(Al2O3))/X(B2O3)<2.0 (6)
The method according to any one of claims 1 to 4,
The low-melting glass powder in satisfying the alkali metal oxide content X (M 2 O) (weight%) and zinc oxide content X (ZnO) to the (mass%) Equation (5), and oxidation of the low melting point glass frit Silicon content X (SiO 2 ) (mass%), aluminum oxide content X (Al 2 O 3 ) (mass%) and content of boron oxide X (B 2 O 3 ) (mass%) satisfy the following formula (6): In addition, the content X (M 2 O) of the alkali metal oxide in the low melting point glass powder is in the range of 4 to 10% by mass, and the content X (ZnO) of zinc oxide is in the range of 3 to 10% by mass. Paste composition, characterized in that.
1.0≤X (M 2 O) / X (ZnO) ≤3.0 (5)
1.5 <(X (SiO 2 ) + X (Al 2 O 3 )) / X (B 2 O 3 ) <2.0 (6)
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
유기 성분으로서 광반응성 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 페이스트 조성물.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
A paste composition comprising a photoreactive material as an organic component.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 페이스트 조성물을 사용해서 격벽을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이의 제조 방법.
A partition wall is formed using the paste composition as described in any one of Claims 1-6, The manufacturing method of the plasma display characterized by the above-mentioned.
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