KR20130136408A - 사출 성형기에서 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 방법과 장치 및 사출 성형기 - Google Patents

사출 성형기에서 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 방법과 장치 및 사출 성형기 Download PDF

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일라스트 쿤스트스토프페라르바이퉁스-게엠베하 운트 코. 카에게
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Abstract

본 발명은 사출 성형을 이용하여 특히 완전 자동 사출 성형기(11)에서 저점도의 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로, 상기 광활성화성 액체 실리콘 재료는 그의 조성에 따라 온도 제어를 받고 또한 다음에 몰드 공동부(1)에 들어가기 전에 자외선 및/또는 가시광선으로 가교 결합된다. 본 발명의 특징으로서, 자외광 또는 가시광은 몰드 공동부(1) 및/또는 이 몰드 공동부(1)까지 이르는 이송 라인(3)의 투명 재료(4)에 있는 포켓 구멍(12) 내부 및/또는 상기 몰드 공동부(1) 및/또는 이송 라인(3)에 있으며 일 측에서 폐쇄되는 통로(13) 내부에 배치되는 방사선 발생원(5)에서 나오며, 그래서 상기 방사선 발생원(5)은 실리콘 재료에 매우 가까이 있게 된다. 또한, 본 발명은 열가소성 재료와 실리콘을 적어도 부분적으로 결합하기 위한 사출 성형기에 관한 것이다.

Description

사출 성형기에서 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 방법과 장치 및 사출 성형기{METHOD AND DEVICE FOR PROCESSING LIQUID SILICONE MATERIALS IN INJECTION-MOLDING MACHINES AND INJECTION-MOLDING MACHINE}
본 발명은 사출 성형 기술을 이용하여 저점도의 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 방법, 이 방법에 따라 작동하는 저점도의 광활성화성 액체 실리콘 재료 가공 장치, 및 상기 방법에 따라 작동하는 사출 성형기에 관한 것으로, 실리콘 재료의 가교 결합(cross-linking)은 자외선 및/또는 가시광선의 작용으로 이루어진다.
사출 성형기는 원활하고 완전 자동화된 제조 공정을 위해 확실하게 재현가능한 제조 조건을 필요로 한다. 대략 1980년부터 알려져 있는 액체 실리콘 기술(LSR = liquid silicone rubber)의 경우, 적절한 투입부 및 혼합부를 사용하여 저점도의 실리콘 고무 성분들이 서로 혼합되고 또한 사출 성형법으로 몰드 공동부에서 높은 온도에서 가황된다. 이 기술에서는 가교 결합 기간이 짧기 때문에 높은 사이클 속도가 얻어진다. 그러나, 이 기술은 가황을 위한 온도 증가를 위해 높은 전력이 요구된다는 단점이 있다.
다른 단점은 많은 열가소성 재료가 그의 특성 때문에 높은 온도에서 변형되는 경향이 있다는 상황에서 나오는데, 이러한 상황으로 인해, 사출 성형법을 이용하여 품질 손실 없이 경질의 열가소성 플라스틱을 연질의 영구 탄성 실리콘 플라스틱과 연결시키는 것이 전에는 불가능했다. 광활성화성 LSR 재료의 개발로 인해(이 재료를 몰드 공동부에서 가교 결합하기 위해 별도의 온도 공급부는 필요하지 않다), 이제 LSR 재료의 사출 성형 가공과 관련한 이전의 문제들을 해결할 수 있는 새로운 가능성이 나타났다.
광활성화성 폴리머 조성물, 특히 실리콘 조성물이 수년간 알려져 있다. 따라서, 예컨대 DE 10 2008 000 156 A1에는 방사선(radiation)에 의해 활성화가능한 수소규소화 반응이 기재되어 있는데, 이 반응에서 UV 광 또는 가시광을 사용하여 방사선으로 가교 결합될 수 있는 실리콘 제품이 제조된다. 또한, EP 1 817 372에는 광의 조사(irradiation)로 활성화가능한 실록산(siloxane) 조성물이 기재되어 있는데, 이에 의해 필러(filler) 및/또는 안료를 포함하는 후벽 성형품이 제조된다. 가시광 또는 UV 광을 조사하여 가교 결합될 수 있는 다른 실리콘 조성물이 US 4 699 802, EP 0 146 307, US 6 376 569 또는 WO 92/10544에 알려져 있다.
또한, 광활성화성 폴리머에 조사를 하기 의한 투명 창(window)을 갖는 장치가 종래 기술에 알려져 있다. 따라서, 예컨대, US 5 401 155에는 광 투과성 창을 갖는 금속 몰드가 기재되어 있는데, 상기 창은 광원에 수직하게 배치된다. 광경화성 폴리머 재료로부터 렌즈형 플라스틱 제품을 제조하기 위한 2-부분 몰드가 US 6 627 124에 알려져 있으며, 이 몰드에서 한 몰드 절반부는 광 투과성 재료로 만들어진다. WO 2011/101269에는 두개의 투명한 벽으로 만들어진 몰드 공동부가 기재되어 있는데, 각각의 벽 뒤에는 UV 램프가 배치된다.
광활성화성 실리콘 고무 조성물이 몰드 공동부 안으로 주입되기 바로 전에 그 성분들을 UV 광을 사용해 활성화시키는 것도 알려져 있는데, 광 투여량과 조사 시간 및 잔여 전달 거리 및 전달 속도는, 몰드 공동부 안에서 경화만 일어나되 실리콘 고무 조성물이 이 몰드 공동부에 들어가기 전에는 아직 경화가 일어나지 않도록 정해져야 한다.
그러나, 이들 모든 방법은 조사된 플라스틱 조성물은 온도 제어부의 어떠한 모니터링도 받지 않는다는 단점을 갖고 있다. 그러나, 광활성화되는 가교 결합 공정의 반응 프로파일은 항상 광활성화 또는 가교 결합 시작의 시점에서 시작 재료의 온도에 의존하는데, 물론 가교 졀합 속도의 온도 의존성은 시작 재료의 특정 조성 및 그 시작 재료의 첨가제에도 의존한다.
본 발명의 목적은, 저점도의 광활성화성 액체 실리콘 재료를 사출 성형하기 위한 방법 및 감소된 전력 소비 및 더 높은 사이클 속도로 그 방법에 따라 작동되는 사출 성형 장치를 제공하는 것으로, 이는 LSR과 열가소성 재료 간에 질 높은 결합을 또한 줄 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 목적은, 2-단계 작업 사이클에서, 성형된 열가소성 재료를 제조하고 또한 이를 LSR로 적어도 부분적으로 덮을 수 있는 사출 성형기를 제공하는 것이다.
상기 목적들은 청구항 1 의 기술적 특징을 갖는 방법 또는 청구항 5 의 기술적 특징을 갖는 장치, 및 청구항 17 에 따른 사출 성형기에 의해 달성된다. 유리한 개량은 종속 청구항들의 내용이다
도면을 바탕으로 본 발명을 더 자세히 설명하도록 한다. .
도 1 은 본 발명에 따른 장치의 가능한 일 실시 형태의 사시도를 나타낸다.
도 2 는 도 1 의 장치의 측면도를 나타내는 것으로, 이 장치는 중요한 세부 구성을 더 잘 확인할 수 있도록 온도 제어부에서부터 몰드 공동부까지 단면도로 나타나 있다.
도 3 은 도 2 의 확대 상세도를 나타낸다.
도 4 는 개장된 종래의 사출 성형 도구의 가능한 일 실시 형태를 나타낸다.
도 5 는 열가소성 예비 성형체를 제조하기 위한 사출 성형 도구와 함께 도 4 의 장치를 나타낸다.
도 6 은 열가소성 예비 성형체와 광활성화성 실리콘을 서로 결합하기 위한 도 4 에 따른 대안 실시 형태의 상세도를 나타낸다.
도 7 은 도 4 또는 6 에 따른 장치의 다른 대안 실시 형태를 나타낸다.
도 1 에 따르면, 본 발명에 따른 장치는 몰드 공동부(1), 온도 제어부(2) 및 몰드 공동부(1)와 온도 제어부(2) 사이에 있는 이송 라인(3)으로 구성되며, 몰드 공공부(1)의 적어도 일 부분 및/또는 이송 라인(3)의 적어도 일 부분은 투명 재료(4)로 이루어지며, 자외광 또는 가시광을 위한 하나 이상의 방사선 발생원(5)이 투명 재료(4)에 있는 포켓 구멍(12) 내부에 제공되어 있다. 발광하는 방사선 발생원(5)이 거의 스탑까지 삽입되는 상기 포켓 구멍(12)을 형성함으로써, 투명 재료(4)에서의 방사선 통과 거리가 상당히 감소되고, 그리 하여 더 양호한 수율의 광 세기가 얻어진다. 이 실시 형태에서, 방사선 통과 거리가 투명 재료(4)에서 유지된다. 투명 재료(4)의 적용 및 형태에 따라, 상기 방사선 통과 거리는 0.5 ∼ 25 mm일 수 있고, 예외적인 경우에는 이 보다 클 수 있다.
온도 제어부(2)에서 LSR 시작 재료의 온도를 목표 대로 설정하여, 몰드 공동부(1) 내부에 있는 LSR 시작 재료의 광활성 경화 중에 사이클 시간을 상당히 단축할 수 있다. 따라서, 실험에 따르면, 종래 기술에 따른 LSR의 방사선 가교 결합을 위한 공지된 방법에 비해, 동일한 시간 단위에서 1배 ∼ 6배 더 높은 출력을 얻을 수 있기에 충분하게 사이클 시간을 단축할 수 있는 것으로 나타났다.
온도 제어부(2)는 실리콘 재료를 위한 통로 채널을 포함할 수 있으며, 이 통로 채널에는 정적 혼합기가 설치되거나, 또는 온도 제어부(2)가 정적 혼합기(6) 주위에 배치될 수 있다. 압력 조절을 위한 추가적인 요소, 예컨대 재료 압력 제한기(7) 및 실리콘 재료에 있는 비액체 또는 점성 성분을 분리시켜 내기 위한 선택적인 스크린 어댑터(8)가 몰드 공동부(1)까지 이르는 이송 라인(3)에 제공될 수 있다.
온도 제어되는 시작 재료의 광활성화를 최적화하기 위해서는, 몰드 공동부(1)에 직접 접하는 이송 라인(3)의 영역을 넓게 하고 평평하게 하는 것이 유리한 것으로 밝혀졌는데, 이송 라인(3)의 평평한 영역의 적어도 일 부분은 투명 재료(4)(포켓 구멍(12)을 갖는다)로 만들어지며, 그 포켓 구멍에서 자외광 및/또는 가시광이 방출되며, 이러한 광은 몰드 공동부에서의 다음 가교 결합을 위해 실리콘 재료를 활성화시킨다. 이를 더 잘 도시하기 위해, 특히 이송 라인(3)의 이 영역은 도 2 에서 단면도로 나타나 있다.
특히 이송 라인(3)의 이 평평한 부분은 도 3 에 별도로 확대되어 도시되어 있다. 넓어진 영역(3)에 있는 통로 채널(15)에서 상기 온도 제어되는 시작 재료의 방사 두께는 6 mm 이하, 바람직하게는 3 mm 이하이면 유리한 것으로 밝혀졌다.
투명 재료(4)는 바람직하게는 폴리카보네이트 또는 폴리메틸 메타크릴레이트로 제조된다. 폴리카보네이트는 제조가 저렴하고, 자외광 및 가시광에 대해 높은 투과성을 보이며, 가공이 용이하고 또한 이 의도하는 용도를 위해 충분한 온도 안정성을 갖고 있다.
실험에 따르면, 몰드 공동부(1)의 적어도 일 부분이 투명 재료(4)로 제조되면, 몰드 공동부 표면은 여기서 경화된 실리콘 재료의 양호한 제거성을 위해 지나치게 매끄러운 것으로 나타났다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 몰드 공동부(1)에 있는 투명 재료(4)의 성형 표면을 다소 거칠게 하였으며, VDI에 따른 21 ra ∼ 27 ra 범위의 거칠기가 경화된 예비 성형체의 매우 양호한 제거성을 얻는데 이미 충분하였다. 몰드 공동부의 투명한 폴리카보네이트 부분의 거친 우유빛 표면을 통한 실리콘 재료의 광 수율, 즉 활성화 속도가 이 거친 영역에서 다소 감소되는 것으로 나타났다. 그러나, 광 수율의 이러한 감소는, 방사선 발생원(5)의 발광점을 포켓 구멍(12) 내에 둠으로써 종래 기술에 따른 실시 형태와 비교하여 더 많이 보상된다.
대조적으로, 실리콘 재료로 젖는 표면에서 이송 라인(3)에 있는 투명 재료(4)도 거칠게 만들 절대적인 필요는 없다. 예비 성형체를 몰드에서 빼내는 중에, 경화된 실리콘 재료는 이송 라인(3)의 이 영역에서 충분히 잘 떨어져 다음 실리콘 재료를 위한 깨끗한 표면이 보장된다.
본 발명에 따른 장치의 기본적인 아이디어는, 이전에 온도 가교 결합 실리콘 재료를 가공하는데 사용되던 기존의 사출 성형기를 개장하는데도 매우 잘 이용될 수 있다. 통상적인 사출 성형기의 통상적인 도구가 도 4 에 나타나 있는데, 그러나, 몰드 공동부(1)에 있어서 출력측에 있는 부분(16)은 투명 재료(4)로 대체된다. 여기서 공동부의 대응하는 부분은 경화된 열가소성 재료로 만들어진 예비 성형체(9)로 형성되며, 이 예비 성형체는 투명 재료(4)의 공동부 안으로 부분적으로 들어가 있으며, 투명 재료(4)에 있는 포켓 구멍(12) 내에 위치되는 방사선 발생원(5)을 통한 활성화로 인한 실리콘 재료 가교 결합 전에 실리콘 재료로 덮히고/덮히거나 보어홀에 끼워지게 된다. 성형된 열가소성 재료(9) 없이, 광활성화된 실리콘 성형부를 이 장치를 사용해 제조하는 것도 물론 가능하다.
도 5 는 도 4 의 장치를 열가소성 재료를 제조하기 위한 사출 성형 도구와 함께 나타낸 것이다. 여기서 열가소성 재료(9)는 제 1 사출 성형 도구(10)에서 성형되고 몰드 공동부의 개방 후에, 장치(여기서는 미도시)(예컨대, 그립퍼)를 통해 제거되어 제 2 사출 성형 도구(11)에 배치되며, 이 제 2 사출 성형 도구에서, 이어지는 몰드 공동부(1)의 폐쇄 후에 상기 열가소성 재료는 광활성화성 실리콘으로 부분적으로 덮히게 된다.
도 6 은 도 4 에 대응하지만 다른 열가소성 재료(9)를 위한 장치의 상세 단면도를 나타낸다. 여기서 이 단면은 투명 재료(4) 내부에 있는 포켓 구멍(12)을 더 잘 볼 수 있도록 취해져 있다. 열가소성 재료(9)는 투명 재료(4)를 덮어 부분적으로 에워싸며, 실리콘은 주입 라인(17)을 경유하여 몰드 공동부(1)에 도달하여 이 몰드 공동부(1) 내부에서 광활성화되고, 활성화 광은 먼저 열가소성 재료(9)를 통과하게 된다.
도 6 에 따른 장치를 본 발명에 따라 개량한 것이 도 7 에 나타나 있는데, 방사선 발생원은 통로(13) 내부에 배치되고, 이 통로는 몰드 공동부(1)의 일 부분(16)을 완전히 관통해 있고, 열가소성 재료(9)가 제공되어 공동부의 일부 영역을 채우고 통로(13)를 덮게 된다. 이렇게 해서, 발광점에 의한 실리콘 재료까지의 방사선 통과 거리는 다시 한번 감소된다. 이 변형예에 의해 광 수율이 더욱 최적화된다. 이 변형예에서, 몰드 공동부(1)의 상기 부분(16)은 통상적인 불투명 재료로 제조될 수 있다.
바람직한 다른 실시 형태에서, 통로(13)를 덮는 투명 렌즈(14)가 그 통로(13)의 일 단부에 위치된다. 이 변형예에서 몰드 공동부(1)의 상기 부분(16)은 또한 통상적인 불투명 재료로 제조될 수 있다.
추가로, 본 발명의 다른 변형예에서, 이송 라인(3)의 영역 전체를 통상적인 불투명 재료로 제조할 수 있고, 투명 렌즈(14)로 폐쇄되는 통로(13)는 투명 재료(4) 대신의 요소에 배치된다.
투명 렌즈(14)는 유리 또는 투명 플라스틱으로 제조될 수 있고, 실리콘 재료에 의해 젖는 투명 렌즈의 표면은 완전히 평평하거나 또는 VDI에 따른 21 ra ∼ 27 ra 범위의 거칠기를 가질 수 있다.
발광하는 방사선 발생원(5)은 바람직하게는 1 ∼ 20 W 의 전력 소비를 갖는 LED 램프인데, 이러한 램프는 가시 범위 및/또는 UV 범위의 광을 발한다. 실리콘 제품의 종류 및 적용되는 방법에 따라, 하나의 LED 램프 또는 복수의 LED 램프가 이송 라인(3) 및/또는 몰드 공동부(1)의 상기 부분(16)에 배치되고, 복수의 LED 램프는 상기 영역을 덮도록 분산 배치된다. LED 램프 대신에, 다른 램프 또는 광학적 도파부를 사용할 수 있으며, 이들은 실질적으로 점 형태의 방사선 발생원(5)이다.
본 발명의 특별한 이점은 액체 실리콘 재료의 가교 결합이 실질적으로 낮은 전력 소비로 이루어질 수 있다는 것인데, 왜냐하면 이전의 열 가교 결합 실리콘 재료의 경우에 공구 또는 몰드 공동부는 180 ℃ ∼ 220 ℃ 의 온도로 유지되어야 했지만, 이와는 대조적으로, 온도 최적화된 광활성 가교 결합의 경우에는 액체 실리콘 재료는 단지 35 ℃ ∼ 75 ℃ 의 온도로 가열되기 때문이다. 방사선 발생원(5)의 발광점이 포켓 구멍(12) 내부 또는 통로(13) 내부에 배치되므로 방사선 발생원(5)은 실리콘 재료에 매우 가까이 위치되어 광 수율이 최적화된다.
다른 이점으로서는, 온도 제어부를 주입 노즐의 이송부에 설치하거나 또는 이 온도 제어부를 이미 정적 혼합기와 결합해 두고 또한 금속 몰드 공동부의 일 부분(16)을 몰드 공동부의 투명한 부분(4)으로 대체하고 방사선 발생원(5)의 발광점을 몰드 공동부의 이들 부분(4)의 포켓 구멍(12) 내부에 배치하거나 또는 투명 재료(4)로 만들어진 영역을 갖는 이송 라인(3)을 주입 노즐과 금속 몰드 공동부 사이에서 그 금속 몰드 공동부 바로 앞에 제공함으로써(이 경우에도 방사선 발생원(5)의 발광점은 포켓(12) 또는 통로(13) 내부에 있다), 본 발명을 비교적 간단한 방식으로 사용하여, 상기 신규한 방사 가교 결합 기술을 위해 고온 가교 결합을 위한 사출 성형기(실리콘을 가공하는 작업에서 전세계적으로 존재하고 있음)를 개장할 수 있다.
특별한 이점으로서, 이전에 상기 도구에서 필요했던 가열기는 완전히 생략할 수 있는데, 이리하여 그 도구의 제작이 상당히 더 간단하게 된다 .
또한, 일 이점으로서, 80 ℃ 미만의 비교적 낮은 실리콘 온도 때문에 열가소성 재료를 실리콘 재료로 덮는 경우에 그 열가소성 재료의 바람직하지 않은 형상 변화에 대한 염려가 없다.
그러나, 가장 큰 이점은, 본 발명을 사용하면, 내온도성이 낮은 열가소성 예비 성형체를 사출 성형기에서 제조하고 또한 도 5 에 나타나 있는 바와 같이 예비 성형체가 인접한 몰드 공동부에서 경화된 후에 즉시 그 예비 성형체를 적어도 부분적으로 가교 결합 실리콘으로 덮는 것이 매우 유리하게 처음으로 가능하다라는 것이다.

Claims (18)

  1. 사출 성형을 이용하여 특히 완전 자동 사출 성형기(11)에서 저점도의 광활성화성(light-activatable) 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 방법으로서,
    상기 광활성화성 액체 실리콘 재료는 그의 조성에 따라 온도 제어를 받고 또한 다음에 몰드 공동부(1)에 들어가기 전에 자외선 및/또는 가시광선으로 가교 결합(cross-linking)되며,
    자외광 또는 가시광은, 몰드 공동부(1) 및/또는 이 몰드 공동부(1)까지 이르는 이송 라인(3)의 투명 재료(4)에 있는 포켓 구멍(12) 내부 및/또는 상기 몰드 공동부(1) 및/또는 이송 라인(3)에 있으며 일 측에서 폐쇄되는 통로(13) 내부에 배치되는 방사선 발생원(5)에서 나오며, 그래서 상기 방사선 발생원(5)은 실리콘 재료에 매우 가까이 있게 되는, 저점도의 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 액체 실리콘 재료는 35 ℃ ∼ 75 ℃, 바람직하게는 40 ℃ ∼ 60 ℃, 특히 바람직하게는 오늘날 45 ℃ ∼ 50 ℃의 온도로 예열되는, 저점도의 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    사이클 속도는 60 초 미만, 바람직하게는 30 초 미만, 그리고 특히 바람직하게는 10 초 ∼ 15 초로 선택되는, 저점도의 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 방법.
  4. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 액체 실리콘 재료는 자외선 및/또는 가시광선을 사용하여 상기 몰드 공동부(1) 내부 및/또는 그 몰드 공동부(1)까지 이르는 상기 이송 라인(3) 내부에서 활성화되는, 저점도의 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 방법.
  5. 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한, 특히 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 방법을 실시하기 위한 장치로서,
    상기 장치는 이송 라인(3)을 통해 저점도의 액체 실리콘 재료를 위한 하나 이상의 저장 용기에 연결되며, 상기 장치는 실리콘 재료를 위한 온도 제어부(2), 몰드 공동부(1)까지 이르는 이송 라인(3) 및 하나 이상의 공동부를 위한 몰드 공동부(1)를 포함하며,
    상기 몰드 공공부(1)의 적어도 일 부분 및/또는 상기 이송 라인(3)의 적어도 일 부분은 투명 재료(4)로 이루어지며, 자외광 또는 가시광을 위한 하나 이상의 방사선 발생원(5)이 상기 투명 재료(4)에 있는 포켓 구멍(12) 내부에 제공되거나, 또는 상기 몰드 공동부(1) 및/또는 이송 라인(3)은 불투명 재료로 이루어지며, 자외광 또는 가시광을 위한 상기 하나 이상의 방사선 발생원(5)은 몰드 공동부(1) 및/또는 이송 라인(3)에 있는 통로(13) 내부에 제공되고, 이 통로(13)의 일 단부는 삽입된 렌즈(14)에 의해 또는 상기 공동부에 배치되는 성형된 열가소성 재료(9)에 의해 폐쇄되는, 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 온도 제어부(2)는 설치된 정적 혼합기(6)를 갖는 실리콘 재료용 통로 채널을 갖거나 또는 상기 온도 제어부(2)가 정적 혼합기(6) 주위에 배치되는, 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 장치.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 몰드 공동부(1)까지 이르는 상기 이송 라인(3)에는, 재료 압력 제한기(7)의 형태로 된 압력 조절용 추가 요소 및 실리콘 재료에 있는 비액체 또는 점성 성분을 분리시켜 내기 위한 선택적인 스크린 어댑터(8)가 제공되어 있는, 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 장치.
  8. 제 5 항, 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 이송 라인(3)은 상기 몰드 공동부(1) 앞에서 평평하게 넓혀져 있고, 상기 이송 라인(3)의 자유 단면적은 바람직하게는 항상 동일하게 유지되며, 상기 이송 라인(3)의 평평한 영역의 적어도 일 부분은 투명 재료(4)로 제조되고 상기 방사선 발생원(5)은 그 투명 재료에 있는 포켓 구멍(12) 내부에 배치되거나, 또는 상기 방사선 발생원(5)은 상기 통로(13) 내부에 위치되며, 이 통로(13)의 일 단부는 삽입된 렌즈(14)에 의해 폐쇄되는, 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 이송 라인(3)의 평평한 영역은 몰드 공동부(1)에 직접 접하며, 그 평평한 영역의 크기는, 상기 이송 라인(3)의 상기 평평한 영역에서 방사선이 통과되는 실리콘 재료의 두께가 최대 6 mm, 바람직하게는 최대 3 mm 가 되도록 정해져 있는, 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 장치.
  10. 제 5 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명 재료(4)는 폴리카보네이트 또는 폴리메틸 메타크릴레이트로 이루어져 있는, 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 장치.
  11. 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 몰드 공동부(1)의 상기 투명 재료(4)의 성형 표면은 거친 표면 구조를 갖는, 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 몰드 공동부(1)의 투명 재료(4)의 거칠기는 21 ra ∼ 27 ra 의 범위에 있고, 이에 따라 1.1 ㎛ ∼ 2.2 ㎛ 인, 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 장치.
  13. 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 장치는 기존의 사출 성형기를 개장(retrofitting)하는데 적합한, 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 장치.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 렌즈(14)는 유리 또는 투명 플라스틱으로 제조되는, 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 장치.
  15. 제 5 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 방사선 발생원(5)은 LED 램프 또는 이와 유사한 실질적으로 점 형태의 방사선 발생원인, 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 LED 램프는 1 ∼ 20 W 의 전력 소비를 갖는, 광활성화성 액체 실리콘 재료를 가공하기 위한 장치.
  17. 사출 성형 도구를 가지며 광활성화성 실리콘 재료로부터 실리콘 성형품을 제조하기 위한, 특히 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 방법을 실시하기 위한 사출 성형기로서,
    몰드 공동부(1)의 적어도 일 부분은 투명 재료(4), 특히 투명 폴리카보네이트 또는 폴리메틸 메타크릴레이트로 이루어지고, 자외광 또는 가시광을 위한 하나 이상의 방사선 발생원(5)이 상기 투명 재료(4)에 있는 포켓 구멍(12) 내부에 제공되거나, 또는 상기 몰드 공동부(1)는 전체적으로 통상적인 불투명 재료로 이루어지며, 자외광 또는 가시광을 위한 상기 하나 이상의 방사선 발생원(5)은 몰드 공동부(1)에 있는 통로(13) 내부에 제공되고, 이 통로(13)의 일 단부는 삽입된 렌즈(14)에 의해 또는 상기 공동부에 배치되는 성형된 열가소성 재료(9)에 의해 폐쇄되는, 광활성화성 실리콘 재료로부터 실리콘 성형품을 제조하기 위한 사출 성형기.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 사출 성형기는 성형된 열가소성 재료(9)를 제조하기 위한 제 1 사출 성형 도구(10), 및 이 제 1 사출 성형 도구로부터 단열되어 있으며 광활성화성 실리콘 재료를 사용하여 이들 열가소성 재료(9)를 적어도 부분적으로 덮기 위한 제 2 사출 성형 도구(11)를 가지며, 상기 성형된 열가소성 재료(9)가 상기 제 1 사출 성형 도구(10)로부터 제 2 사출 성형 도구(11)로 전달되는 것은 적절한 요소, 특히 그립퍼(gripper)에 의해 이루어지는, 광활성화성 실리콘 재료로부터 실리콘 성형품을 제조하기 위한 사출 성형기.
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