KR20130135161A - Organic light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
본 명세서는 유기발광소자에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 명세서는 2개 이상의 발광유닛을 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.The present specification relates to an organic light emitting device. More specifically, the present disclosure relates to an organic light emitting device comprising two or more light emitting units.
본 명세서는 2012년 5월 31일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2012-0058232호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용은 전부 본 명세서에 포함된다. This specification claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2012-0058232 filed with the Korea Intellectual Property Office on May 31, 2012, the entire contents of which are incorporated herein.
유기발광소자(OLED)는 통상 두 개의 전극(양극 및 음극) 및 이들 전극 사이에 위치하는 한 층 이상의 유기물층으로 구성된다. 이와 같은 구조의 유기발광소자에 있어서, 두 개의 전극 사이에 전압을 인가하면, 양극으로부터는 정공이, 음극으로부터는 전자가 각각 유기물층으로 유입된다. 상기 정공과 전자는 결합하여 여기자를 형성한다. 상기 여기자는 다시 기저 상태로 떨어지면서 에너지 차이에 해당하는 광자를 방출하게 된다. 이와 같은 원리에 의하여 유기발광소자는 가시 광선을 발생한다. 유기발광소자를 이용하여 정보 표시 소자 또는 조명 소자를 제조할 수 있다.The organic light emitting diode (OLED) is usually composed of two electrodes (anode and cathode) and one or more organic layers located between these electrodes. In the organic light emitting device having such a structure, when a voltage is applied between two electrodes, holes flow from the anode and electrons flow from the cathode into the organic material layer, respectively. The holes and the electrons combine to form excitons. The excitons fall back to the ground state and emit photons corresponding to the energy difference. By this principle, the organic light emitting device generates visible light. An organic light emitting device may be used to manufacture an information display device or an illumination device.
유기발광소자의 응용 범위를 넓히고 유기발광소자를 상용화하기 위하여 유기발광소자의 효율을 높이고 구동전압을 낮추고자 하는 기술이 계속 개발되고 있다. In order to expand the application range of the organic light emitting device and commercialize the organic light emitting device, a technology for increasing the efficiency of the organic light emitting device and lowering the driving voltage has been continuously developed.
본 출원서는 2개 이상의 발광유닛을 포함하는 유기발광소자에 관한 것을 기술한다.The present application describes an organic light emitting device comprising two or more light emitting units.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기발광소자는 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 2개 이상의 발광유닛을 포함한다. 여기서, 상기 발광유닛들 중 서로 인접하는 2개의 발광유닛들 사이에 전하발생층이 구비되고, 상기 서로 인접하는 2개의 발광유닛들 중 제1 전극에 더 가깝게 위치한 발광유닛과 상기 전하발생층 사이에 전자수송층이 구비되며, 상기 전자수송층은 n형 도펀트에 의하여 도핑된 제1 전자수송층; 및 금속염, 금속산화물 또는 유기금속염에 의하여 도핑된 제2 전자수송층을 포함한다.The organic light emitting device according to the exemplary embodiment of the present specification includes a first electrode; A second electrode; And at least two light emitting units provided between the first electrode and the second electrode. Here, a charge generating layer is provided between two light emitting units adjacent to each other of the light emitting units, and is located between the light emitting unit and the charge generating layer located closer to the first electrode of the two light emitting units adjacent to each other. An electron transport layer, wherein the electron transport layer comprises: a first electron transport layer doped by an n-type dopant; And a second electron transport layer doped with a metal salt, metal oxide, or organometallic salt.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따른 유기발광소자에 있어서, 상기 제2 전극에 인접한 발광유닛과 상기 제2 전극 사이에 추가의 전자수송층이 구비되고, 상기 추가의 전자수송층은 n형 도펀트에 의하여 도핑된 제1 전자수송층; 및 금속염, 금속산화물 또는 유기금속염에 의하여 도핑된 제2 전자수송층을 포함한다.In the organic light emitting device according to another embodiment of the present specification, an additional electron transport layer is provided between the light emitting unit adjacent to the second electrode and the second electrode, the additional electron transport layer is formed by an n-type dopant A doped first electron transport layer; And a second electron transport layer doped with a metal salt, metal oxide, or organometallic salt.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따른 유기발광소자에 있어서, 상기 제2 전극에 인접한 발광유닛과 상기 제2 전극 사이에 추가의 전자수송층이 구비되고, 상기 추가의 전자수송층은 n형 도펀트에 의하여 도핑된 제1 전자수송층; 및 금속염, 금속산화물 또는 유기금속염에 의하여 도핑된 제2 전자수송층을 포함한다. 또한, 상기 제2 전극과 상기 추가의 전자수송층 사이에는 추가의 전하발생층이 구비된다.In the organic light emitting device according to another embodiment of the present specification, an additional electron transport layer is provided between the light emitting unit adjacent to the second electrode and the second electrode, the additional electron transport layer is formed by an n-type dopant A doped first electron transport layer; And a second electron transport layer doped with a metal salt, metal oxide, or organometallic salt. In addition, an additional charge generating layer is provided between the second electrode and the additional electron transport layer.
본 명세서에 따른 실시상태들은 종래 유기발광소자에 비하여 발광효율이 향상될 뿐만 아니라, 구동전압이 크게 감소되고, 발광효율이 우수하며, 장수명을 가지는 유기발광소자를 제공할 수 있다. Embodiments according to the present disclosure can provide an organic light emitting device that not only improves the luminous efficiency compared to the conventional organic light emitting device, the driving voltage is greatly reduced, the luminous efficiency is excellent, and has a long life.
도 1은 본 명세서의 하나의 실시상태에 따른 유기발광소자의 적층구조를 예시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 하나의 실시상태에 따른 유기발광소자에 포함되는 전하발생층의 구조를 예시한 것이다.
도 3은 도 1에 도시한 소자에서의 전하의 흐름을 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 일반적인 유기발광소자의 적층구조를 예시한 것이다.
도 5는 도 4에 도시한 소자에서의 전하의 흐름을 개략적으로 도시한 것이다.
도 6은 본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따른 유기발광소자의 적층구조를 예시한 것이다.
도 7은 본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따른 유기발광소자의 적층구조를 예시한 것이다.
도 8은 본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따른 유기발광소자의 적층구조를 예시한 것이다.
도 9는 본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따른 유기발광소자의 적층구조를 예시한 것이다. 1 illustrates a laminated structure of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification.
2 illustrates a structure of a charge generating layer included in an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present specification.
3 schematically shows the flow of charge in the device shown in FIG.
4 illustrates a laminated structure of a general organic light emitting diode.
FIG. 5 schematically shows the flow of charge in the device shown in FIG. 4.
6 illustrates a laminated structure of an organic light emitting device according to another exemplary embodiment of the present specification.
7 illustrates a laminated structure of an organic light emitting diode according to another exemplary embodiment of the present specification.
8 illustrates a laminated structure of an organic light emitting diode according to another exemplary embodiment of the present specification.
9 illustrates a laminated structure of an organic light emitting device according to another exemplary embodiment of the present specification.
이하, 본 명세서에 기재된 실시상태들을 도면을 기초로 상세히 설명한다. 이하의 설명에서는 편의를 위하여 특정 도면부호를 참조하여 설명하지만, 본 명세서의 실시상태들은 해당 도면부호에 한정되지 않고, 관련 설명은 대응되는 구성들에 모두 적용된다.Hereinafter, exemplary embodiments described herein will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, for the sake of convenience, the present disclosure will be described with reference to specific reference numerals, but the exemplary embodiments of the present specification are not limited to the corresponding reference numerals, and the related description applies to all corresponding components.
본 명세서에서, n형이란 n형 반도체 특성을 의미한다. 다시 말하면, n형이란 LUMO(lowest unoccupied molecular orbital) 에너지 준위를 통하여 전자를 주입받거나 수송하는 특성이며, 이는 전자의 이동도가 정공의 이동도 보다 큰 물질의 특성으로서 정의할 수 있다. 반대로, p형이란 p형 반도체 특성을 의미한다. 다시 말하면, p형은 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위를 통하여 정공을 주입받거나 수송하는 특성이며, 이는 정공의 이동도가 전자의 이동도보다 큰 물질의 특성으로서 정의될 수 있다. 본 명세서에 있어서, n형 특성을 갖는 화합물 또는 유기물층은 n형 화합물 또는 n형 유기물층으로 언급될 수 있다. 또한, p형 특성을 갖는 화합물 또는 유기물층은 p형 화합물 또는 p형 유기물층으로 언급될 수 있다. 또한, n형 도핑은 n형 특성을 갖도록 도핑되었다는 것을 의미한다. In this specification, n-type means n-type semiconductor characteristics. In other words, n-type is a property that electrons are injected or transported through a lower unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level, which can be defined as a property of a material in which electron mobility is greater than hole mobility. Conversely, p-type means p-type semiconductor characteristics. In other words, p-type is a property of injecting or transporting holes through a high occupied molecular orbital (HOMO) energy level, which may be defined as a property of a material in which the hole mobility is greater than the electron mobility. In the present specification, the compound or organic compound layer having n-type characteristics may be referred to as an n-type compound or n-type organic compound layer. In addition, the compound or organic compound layer having a p-type characteristic may be referred to as a p-type compound or p-type organic compound layer. Also, n-type doping means that it is doped to have n-type characteristics.
도 1은 본 명세서에 기재된 일 실시형태에 따른 유기발광소자의 적층구조를 도시하며, 도 3은 도 1에 도시된 유기발광소자에서의 전하의 흐름을 나타낸다. 1 illustrates a stacked structure of an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment described in the present specification, and FIG. 3 illustrates a flow of electric charges in the organic light emitting diode illustrated in FIG. 1.
도 1에 도시한 바와 같이, 일 실시형태에 따른 유기발광소자는, 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에, 두 개의 발광유닛들(210, 220)이 위치하며, 두 개의 발광유닛들 (210, 220) 사이에는, 전하발생층(510) 및 2개의 층으로 이루어진 전자수송층이 위치한다. 이 때, 전하발생층(510)은 제2 전극(120)에 인접한 발광유닛(220)에 인접하여 위치하며, 전자수송층은 제1 전극(110)에 인접한 발광유닛(210)에 인접하여 위치한다. 전자수송층은, n형 도펀트에 의하여 도핑된 제1 전자수송층(310) 및 금속염, 금속산화물 또는 유기금속염에 의하여 도핑된 제2 전자수송층(410)을 포함하며, 제1 전자수송층(310)은 전하발생층(510)에 인접하여 위치하고, 제2 전자수송층(410)은 제1 전극(110)에 인접한 발광유닛(210)에 인접하여 위치한다.As shown in FIG. 1, in the organic light emitting diode according to the exemplary embodiment, two light emitting units 210 and 220 are positioned between the first electrode 110 and the second electrode 120, and two light emitting units 210 and 220 are positioned. Between the light emitting units 210 and 220, a charge generating
도 1에 따르면, 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 2개의 발광유닛(210, 220)이 구비된다. 상기 2개의 발광유닛(210, 220) 사이에는 전하발생층(510)이 구비된다. 상기 발광유닛들 중 제1 전극에 더 가깝게 위치한 발광유닛(210)과 전하발생층(510) 사이에 제1 전자수송층(310)과 제2 전자수송층(410)이 구비된다. 도 1에는 제1 전극(110) 상에 발광유닛(210), 제2 전자수송층(410), 제1 전자수송층(310), 전하발생층(510), 발광유닛(220) 및 제2 전극(120)이 적층된 구조가 도시되지만, 반대로 제2 전극(120) 상에 발광유닛(220), 전하발생층(510), 제1 전자수송층(310), 제2 전자수송층(410), 발광유닛(210) 및 제1 전극(110)이 적층된 구조도 포함된다. According to FIG. 1, two light emitting units 210 and 220 are provided between the first electrode 110 and the second electrode 120. The
본 명세서에 있어서, 인접이란, 인접하는 것으로 언급된 층들 중 가장 가까운 층들의 배치관계를 의미한다. 예컨대, 인접하는 2개의 발광유닛들이란, 다수의 발광유닛들 중에 가장 가깝게 배치된 2개의 발광유닛의 배치관계를 의미한다. 상기 인접이란, 경우에 따라 2층이 물리적으로 접하는 경우를 의미할 수도 있고, 2층 사이에 언급되지 않은 다른 층이 배치될 수도 있다. 예컨대, 제2 전극과 인접하는 발광유닛은 발광유닛들 중 제2 전극에 가장 가깝게 배치된 발광유닛을 의미한다. 또한, 상기 제2 전극과 발광유닛은 물리적으로 접할 수도 있지만, 상기 제2 전극과 상기 발광유닛 사이에 발광유닛 이외의 다른 층이 배치될 수 있다. 그러나, 인접하는 2개의 발광유닛 사이에는 전하발생층이 구비된다. In the present specification, the term “adjacent” means an arrangement relationship of the nearest layers among the layers mentioned as adjacent. For example, two adjacent light emitting units mean an arrangement relationship of two light emitting units disposed closest among the plurality of light emitting units. The adjacency may mean a case where two layers are in physical contact with each other in some cases, and another layer not mentioned between the two layers may be disposed. For example, the light emitting unit adjacent to the second electrode means a light emitting unit disposed closest to the second electrode among the light emitting units. In addition, although the second electrode and the light emitting unit may be physically in contact with each other, a layer other than the light emitting unit may be disposed between the second electrode and the light emitting unit. However, a charge generating layer is provided between two adjacent light emitting units.
본 명세서에서, 제1 전극 및 제2 전극은 외부 전압을 인가하기 위한 것으로서, 도전성을 갖는 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 상기 제1 전극은 양극일 수 있고, 상기 제2 전극은 음극일 수 있다. In the present specification, the first electrode and the second electrode are for applying an external voltage, and are not particularly limited as long as they have conductivity. For example, the first electrode may be an anode, and the second electrode may be a cathode.
본 명세서에서, 발광유닛(210, 220)이란 발광을 할 수 있는 기능을 갖는 유닛이면 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 발광유닛(210, 220)은 한 층 이상의 발광층을 포함할 수 있다. 필요에 따라, 발광유닛(210, 220)은 발광층 이외의 유기물층을 1층 이상 포함할 수 있다. In the present specification, the light emitting units 210 and 220 are not particularly limited as long as they have a function of emitting light. For example, the light emitting units 210 and 220 may include one or more light emitting layers. If necessary, the light emitting units 210 and 220 may include one or more organic material layers other than the light emitting layer.
일 실시예에 있어서 발광층은, 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 발광층의 재료로는 당해 기술분야에 알려져 있는 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 발광층 재료로는 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질을 사용할 수 있다. 발광층 재료의 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌; 및 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In one embodiment, the emission layer may include a material capable of emitting light in the visible region by transporting and bonding holes and electrons, respectively. As the material of the light emitting layer, a material known in the art may be used. For example, a material having a good quantum efficiency with respect to fluorescence or phosphorescence may be used as the light emitting layer material. Specific examples of the light emitting layer material include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compounds; Compounds of the benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole series; Polymers of poly (p-phenylenevinylene) (PPV) series; Spiro compounds; Polyfluorene; And rubrene, but are not limited thereto.
일 실시예에 있어서, 발광유닛(210, 220)은 발광층 이외에 하나 이상의 유기물층을 추가로 구비포함할 수 있다. 추가의 유기물층은 정공수송층, 정공주입층, 정공을 수송 및 주입하는 층, 버퍼층, 전자차단층, 전자수송층, 전자주입층, 전자를 수송 및 주입하는층, 정공차단층 등일 수 있다. 여기서, 정공수송층, 정공주입층, 정공을 수송 및 주입하는 층 또는 전자차단층은 발광층 보다 제1 전극(110)에 더 가깝게 배치될 수 있다. 전자수송층, 전자주입층, 전자를 수송 및 주입하는 층 또는 정공차단층은 발광층보다 제2 전극(120)에 더 가깝게 배치될 수 있다. 정공차단층의 사용 여부는 발광층의 성질에 따라서 결정될 수 있다. 예컨대, 발광층의 성질이 n형에 가까운 경우에는 정공차단층을 사용하지 않아도 좋지만, 발광층의 성질이 p형인 경우에는 정공차단층의 사용을 고려할 수 있다. 또한, 발광층의 HOMO 에너지 준위와 전자수송층의 HOMO 에너지 준위와도 관계를 고려하여 정공차단층의 사용 여부를 결정할 수도 있다. 발광층의 HOMO 에너지 준위가 전자수송층의 HOMO 에너지 준위보다 큰 값을 갖는 경우에는 정공차단층의 도입을 고려할 수 있다. 다만, 이 경우 전자수송층의 HOMO 준위가 발광층의 HOMO 준위보다 큰 경우 전자수송층 자체가 정공차단층의 역할을 할 수도 있다. 하나의 예로서, 전자수송층의 물질을 2가지 이상 사용함으로써 전자수송층의 역할과 정공차단층의 역할을 동시에 할 수도 있다. In one embodiment, the light emitting units 210 and 220 may further include one or more organic material layers in addition to the light emitting layer. The additional organic layer may be a hole transport layer, a hole injection layer, a layer for transporting and injecting holes, a buffer layer, an electron blocking layer, an electron transporting layer, an electron injection layer, a layer for transporting and injecting electrons, a hole blocking layer, and the like. Here, the hole transport layer, the hole injection layer, the layer for transporting and injecting holes or the electron blocking layer may be disposed closer to the first electrode 110 than the light emitting layer. The electron transport layer, the electron injection layer, the layer for transporting and injecting electrons or the hole blocking layer may be disposed closer to the second electrode 120 than the light emitting layer. Whether to use the hole blocking layer may be determined depending on the nature of the light emitting layer. For example, when the property of the light emitting layer is close to n type, the hole blocking layer may not be used. However, when the property of the light emitting layer is p type, the use of the hole blocking layer may be considered. In addition, the use of the hole blocking layer may be determined in consideration of the relationship between the HOMO energy level of the light emitting layer and the HOMO energy level of the electron transport layer. When the HOMO energy level of the light emitting layer has a larger value than the HOMO energy level of the electron transport layer, introduction of a hole blocking layer may be considered. However, in this case, when the HOMO level of the electron transport layer is greater than the HOMO level of the light emitting layer, the electron transport layer itself may serve as a hole blocking layer. As one example, by using two or more materials of the electron transport layer may play a role of the electron transport layer and the hole blocking layer at the same time.
본 명세서에 있어서, 전하발생층(510)이란 외부 전압의 인가 없이 전하를 발생하는 층으로, 발광유닛들(210, 220) 사이에서 전하를 발생함으로써 유기발광소자에 포함된 2개 이상의 발광유닛들이 발광할 수 있도록 한다. 본 명세서에 개시한 일 실시예에 따른 전하발생층(510)은 n형 유기물층과 p형 유기물층을 포함할 수 있다. 이 때, 전하발생층(510)의 n형 유기물층(이하 "n형 전하발생층"이라 한다)은 전하발생층(510)의 p형 유기물층(이하 "p형 전하발생층"이라 한다)에 비하여 제1 전극(110)에 더 가깝게 배치된다. 도 2에 전하발생층의 일 예를 도시하였다. 도 2에는 제1 전극(110)에 더 가깝게 배치된 n형 전하발생층(512) 및 제2 전극(120)에 더 가깝게 배치된 p형 전하발생층(511)을 포함하는 전하발생층이 도시되어 있다. In the present specification, the
일 실시예에 있어서, n형 전하발생층(512)의 LUMO 에너지 준위는 p형 전하발생층(511)의 HOMO 에너지 준위와 같거나 더 큰 값을 가지며, 이 경우 전하발생에 더 효과적이다. 예컨대, n형 전하발생층(512)의 LUMO 에너지 준위는 5~7 eV이며, p형 전하발생층(511)의 HOMO 에너지 준위는 5eV 이상일 수 있다. In one embodiment, the LUMO energy level of the n-type charge generation layer 512 has a value equal to or greater than the HOMO energy level of the p-type charge generation layer 511, which is more effective in charge generation. For example, the LUMO energy level of the n-type charge generation layer 512 may be 5-7 eV, and the HOMO energy level of the p-type charge generation layer 511 may be 5 eV or more.
본 명세서에 있어서, 에너지 준위는 에너지의 크기를 의미하는 것이다. 따라서, 진공준위로부터 마이너스(-) 방향으로 에너지 준위가 표시되는 경우에도, 에너지 준위는 해당 에너지 값의 절대값을 의미하는 것으로 해석된다. 예컨대, HOMO 에너지 준위란 진공준위로부터 최고 점유 분자 오비탈(highest occupied molecular orbital)까지의 거리를 의미한다. 또한, LUMO 에너지 준위란 진공준위로부터 최저 비점유 분자 오비탈(lowest unoccupied molecular orbital)까지의 거리를 의미한다. In this specification, the energy level means the magnitude of energy. Therefore, even when the energy level is displayed in the minus (-) direction from the vacuum level, the energy level is interpreted to mean the absolute value of the energy value. For example, the HOMO energy level means the distance from the vacuum level to the highest occupied molecular orbital. The LUMO energy level also means the distance from the vacuum level to the lowest unoccupied molecular orbital.
n형 전하발생층(512)과 p형 전하발생층(511) 사이에는 NP접합이 형성됨으로써 전하가 발생될 수 있다. 이 때, n형 전하발생층(512)의 LUMO 에너지 준위와 p형 전하발생층(511)의 HOMO 에너지 준위는 이웃하는 유기물층들 간의 에너지 준위 관계를 고려하여 조절될 수 있다. 예를 들어, n형 전하발생층(512)과 p형 전하발생층(511)은, p형 전하발생층(511)의 HOMO 에너지 준위가 n형 전하발생층(512)의 LUMO 에너지 준위와의 차가 2 eV 이하, 혹은 1 eV 이하가 되도록 조절될 수 있다. 시판되는 재료들의 에너지 준위를 기초로 판단하면, 상기 에너지 준위의 차이는 -1eV 이상 1eV 이하일 수 있으며, 0.01eV 이상 1eV 이하일 수도 있다. An electric charge can be generated by forming an NP junction between the n-type charge generation layer 512 and the p-type charge generation layer 511. In this case, the LUMO energy level of the n-type charge generation layer 512 and the HOMO energy level of the p-type charge generation layer 511 may be adjusted in consideration of the energy level relationship between neighboring organic material layers. For example, in the n-type charge generation layer 512 and the p-type charge generation layer 511, the HOMO energy level of the p-type charge generation layer 511 is compared with the LUMO energy level of the n-type charge generation layer 512. The difference can be adjusted to be 2 eV or less, or 1 eV or less. Judging from the energy levels of commercially available materials, the difference in energy levels may be -1 eV or more and 1 eV or less, or 0.01 eV or more and 1 eV or less.
n형 전하발생층(512)과 p형 전하발생층(511) 사이에서 발생된 정공은 p형 전하발생층(511)의 HOMO 에너지 준위로 용이하게 주입된다. p형 전하발생층(511)의 HOMO 에너지 준위 보다 n형 전하발생층(512)의 LUMO 에너지 준위가 클 경우 NP 접합이 용이하게 발생하여 구동전압 상승을 방지할 수 있다. 본 명세서에 있어서, NP 접합이란 n형 유기물층(512)과 p형 유기물층(511)이 물리적으로 접하는 것 뿐만 아니라, 전술한 에너지 관계를 만족하는 경우에 발생할 수 있다.Holes generated between the n-type charge generation layer 512 and the p-type charge generation layer 511 are easily injected into the HOMO energy level of the p-type charge generation layer 511. When the LUMO energy level of the n-type charge generation layer 512 is greater than the HOMO energy level of the p-type charge generation layer 511, NP junctions may be easily generated to prevent the driving voltage from increasing. In the present specification, NP junction may occur when the n-type organic compound layer 512 and the p-type organic compound layer 511 are not only in physical contact but also satisfy the above-described energy relationship.
NP 접합이 형성되면, 외부 전압이나 광원에 의하여 정공 또는 전자가 용이하게 형성된다. 즉, NP 접합에 의하여 n형 전하발생층(512)과 p형 전하발생층(511) 사이에서 정공과 전자가 동시에 발생된다. 전자는 n형 전하발생층(512)을 통하여 제1 전자수송층(310) 및 제2 전자수송층(410) 방향으로 수송된다. 정공은 p형 전하발생층(511) 방향으로 수송된다. 즉, p형 전하발생층(511)의 HOMO 에너지 준위보다 n형 전하발생층(512)의 LUMO 에너지 준위가 클 경우 정공 또는 전자가 용이하게 발생하고, 정공 주입을 위한 구동전압 상승을 방지할 수 있다. When the NP junction is formed, holes or electrons are easily formed by an external voltage or a light source. That is, holes and electrons are simultaneously generated between the n-type charge generation layer 512 and the p-type charge generation layer 511 by the NP junction. Electrons are transported toward the first
본 명세서의 일 실시예에서, p형 전하발생층(511)의 HOMO 에너지 준위는 5eV 이상일 수 있다. 5eV 이상인 경우, 인접한 발광유닛으로의 정공 주입을 효과적으로 수행할 수 있다. In one embodiment of the present specification, the HOMO energy level of the p-type charge generation layer 511 may be 5eV or more. When 5 eV or more, hole injection into adjacent light emitting units can be effectively performed.
p형 전하발생층(511) 재료로는 아릴아민계 화합물(aryl amine compound)을 사용할 수 있다. 아릴아민계 화합물의 일 예로는 하기 화학식 1의 화합물이 있다. An aryl amine compound may be used as the material of the p-type charge generating layer 511. One example of the arylamine-based compound is a compound of the formula (1).
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에 있어서, Ar1, Ar2 및 Ar3는 각각 독립적으로 수소 또는 탄화수소기이다. 이 때, Ar1, Ar2 및 Ar3 중 적어도 하나는 방향족 하이드로카본(aromatic hydrocarbon) 치환체를 포함할 수 있으며, 각 치환체는 동일한 것일 수도 있고, 각기 다른 치환체로 구성될 수도 있다. Ar1, Ar2 및 Ar3 중 방향족 하이드로카본이 아닌 것은 수소; 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 지방족 탄화수소; N, O, S 또는 Se를 포함하는 헤테로고리기일 수 있다. In Formula 1, Ar 1 , Ar 2 and Ar 3 are each independently hydrogen or a hydrocarbon group. At this time, at least one of Ar 1 , Ar 2 and Ar 3 may include an aromatic hydrocarbon substituent, each substituent may be the same, or may be composed of different substituents. Among Ar 1 , Ar 2 and Ar 3 , the non-aromatic hydrocarbons are hydrogen; Straight, branched or cyclic aliphatic hydrocarbons; It may be a heterocyclic group including N, O, S or Se.
상기 화학식 1의 구체적인 예로서 하기 화학식들이 있으나, 본 명세서에 기재된 실시형태들의 범위가 반드시 이들로만 한정되는 것은 아니다. Specific examples of Chemical Formula 1 include the following chemical formulas, but the scope of the embodiments described herein is not necessarily limited thereto.
일 실시예에서, n형 전하발생층(512)은 유기물로만 이루어질 수도 있다. 다른 실시예에서, n형 전하발생층(512)은 MoO3, V2O7, ReO3과 같은 전이금속 산화물을 더 포함할 수도 있다. 또 다른 실시예에서, n형 전하발생층(512)은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 이 때, n형 도펀트로는 유기물 또는 무기물일 수 있다. n형 도펀트가 무기물인 경우, 알칼리금속, 예컨대 Li, Na, K, Rb, Cs 또는 Fr; 알칼리 토금속, 예컨대 Be, Mg, Ca, Sr, Ba 또는 Ra; 희토류 금속, 예컨대 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Th, Dy, Ho, Er, Em, Gd, Yb, Lu, Y 또는 Mn; 또는 상기 금속들 중 1 이상의 금속을 포함하는 금속 화합물을 포함할 수 있다. 또는, n형 도펀트는 시클로펜타디엔, 시클로헵타트리엔, 6원 헤테로 고리 또는 이들 고리가 포함된 축합고리를 포함하는 물질일 수도 있다. 이 때, 도핑 농도는 0.01 내지 50 중량%, 또는 1 내지 10 중량%일 수 있다. 상기 도핑 농도 내에서 광 흡수에 의한 효율 저하를 방지할 수 있다. In one embodiment, the n-type charge generation layer 512 may be made of only organic material. In another embodiment, the n-type charge generation layer 512 may further include transition metal oxides such as MoO 3 , V 2 O 7 , and ReO 3 . In another embodiment, the n-type charge generation layer 512 may include an n-type dopant. In this case, the n-type dopant may be organic or inorganic. when the n-type dopant is inorganic, an alkali metal such as Li, Na, K, Rb, Cs or Fr; Alkaline earth metals such as Be, Mg, Ca, Sr, Ba or Ra; Rare earth metals such as La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Th, Dy, Ho, Er, Em, Gd, Yb, Lu, Y or Mn; Or a metal compound including at least one of the above metals. Alternatively, the n-type dopant may be a substance containing a cyclopentadiene, cycloheptatriene, a 6 membered hetero ring or a condensed ring containing these rings. At this time, the doping concentration may be 0.01 to 50% by weight, or 1 to 10% by weight. Within the doping concentration, a decrease in efficiency due to light absorption can be prevented.
일 실시예에 따른 n형 전하발생층(512)은 하기 화학식 2의 화합물을 포함할 수 있다. The n-type charge generating layer 512 according to an embodiment may include a compound of
[화학식 2] (2)
상기 화학식 2에 있어서, A1 내지 A6은 각각 수소, 할로겐 원자, 니트릴(-CN), 니트로(-NO2), 술포닐(-SO2R), 술폭사이드(-SOR), 술폰아미드(-SO2NR), 술포네이트(-SO3R), 트리플루오로메틸(-CF3), 에스테르(-COOR), 아미드(-CONHR 또는 -CONRR'), 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C12 알콕시, 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄 C1-C12의 알킬, 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 C2-C12 알케닐, 치환 또는 비치환된 방향족 또는 비방향족의 헤테로 고리, 치환 또는 비치환된 아릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-아릴아민, 또는 치환 또는 비치환된 아랄킬아민 등일 수 있다. 여기서, 상기 R 및 R'는 각각 치환 또는 비치환된 C1-C60의 알킬, 치환 또는 비치환된 아릴 또는 치환 또는 비치환된 5-7원 헤테로 고리 등일 수 있다.In
상기 화학식 2의 화합물의 예시적인 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 2-6의 화합물을 포함한다. Exemplary compounds of the compound of
[화학식 2-1] [Formula 2-1]
[화학식 2-2][Formula 2-2]
[화학식 2-3][Formula 2-3]
[화학식 2-4][Chemical Formula 2-4]
[화학식 2-5][Chemical Formula 2-5]
[화학식 2-6][Chemical Formula 2-6]
일 실시예에서, n형 전하발생층(512)은 하나의 층으로만 이루어질 수도 있고 2층 이상을 포함할 수도 있다. 2층 이상인 경우, 이들은 동일한 물질로 형성될 수도 있고, 다른 물질로 형성될 수도 있다. In one embodiment, the n-type charge generation layer 512 may be composed of only one layer or may include two or more layers. In the case of two or more layers, they may be formed of the same material or may be formed of different materials.
하나의 예로서, 2층 이상이 동일한 물질로 구성되는 경우 한 층은 도핑되지 않고, 나머지 한 층은 n형 도핑될 수 있다. 예컨대, n형 전하발생층(512)는 상기 화학식 2의 화합물로 이루어진 층과 상기 화학식 2의 화합물이 n형 도펀트에 의하여 도핑된 층이 적층된 구조를 가질 수 있다. As one example, when two or more layers are made of the same material, one layer may not be doped, and the other layer may be n-type doped. For example, the n-type charge generation layer 512 may have a structure in which a layer made of the compound of
또 하나의 예로서, n형 전하발생층(512)는 무기물층과 유기물층의 적층 구조일 수 있다. 구체적으로, n형 전하발생층(512)는 MoO3층과 상기 화학식 2의 화합물로 이루어진 층일 수 있다. As another example, the n-type charge generation layer 512 may have a stacked structure of an inorganic material layer and an organic material layer. Specifically, the n-type charge generating layer 512 may be a layer consisting of a MoO 3 layer and the compound of
n형 전하발생층을 2층 이상으로 구성하는 경우 LUMO 에너지 준위 값에 따라 적층할 수 있다. 구체적으로, LUMO 에너지 준위가 큰 물질을 이용하여 먼저 층을 형성하는 경우, 두 물질 사이의 에너지 장벽(barrier)를 줄일 수 있으므로, 전자의 이동이 원활하게 할 수 있다. 이에 따라 구동 전압의 상승을 방지할 수 있다. 예컨대, MoO3의 LUMO 준위는 6.7 eV 정도이고, 상기 화학식 2-1의 화합물의 LUMO 준위는 5.7 eV 이므로, MoO3층을 먼저 형성할 수 있다. When the n-type charge generating layer is composed of two or more layers, the n-type charge generating layer may be stacked according to the LUMO energy level value. Specifically, when a layer is first formed using a material having a high LUMO energy level, the energy barrier between the two materials can be reduced, and thus the electrons can be smoothly moved. As a result, an increase in the driving voltage can be prevented. For example, since the LUMO level of MoO 3 is about 6.7 eV and the LUMO level of the compound of Formula 2-1 is 5.7 eV, the MoO 3 layer may be formed first.
본 명세서에 있어서, 전자수송층은, 제1 전자수송층(310)과 제2 전자수송층(410)을 포함할 수 있다. 제1 전자수송층(310)은 n형 도펀트에 의하여 도핑되어 있다. 제1 전자수송층(310)은 n형 도펀트의 도핑에 의하여 전하발생층(510)과의 페르미 준위(Fermi level)를 효과적으로 맞추어 주는 역할을 한다. 따라서, 제1 전자수송층(310)은 전하발생층(510)으로부터의 전자 주입을 위한 에너지 배리어(barrier)를 낮춤으로써 전자 주입 특성을 향상시킬 수 있다. n형 도핑된 제1 전자수송층의 LUMO 에너지 준위는 도핑되지 않은 전자수송층에 비하여 n형 전하발생층의 LUMO 에너지 준위는 페르미 에너지 준위(Ef, Fermi energy level) 에 가깝게 형성이 되는 특징이 있다. 따라서, 두 층 사이의 에너지 장벽(barrier)은 작아지게 되고, 이로 인해 전자 주입 특성이 향상될 수 있다(참고문헌: J. Mater. Chem., 2011, 21, 17476-17482). In the present specification, the electron transport layer may include a first
제1 전자수송층(310)의 LUMO 에너지 준위는 이와 인접하는 n형 전하발생층(512)의 LUMO 에너지 준위와의 차이가 5eV 이하일 수 있다. The LUMO energy level of the first
일 실시예에서, 제1 전자수송층(310)에 포함되는 n형 도펀트는 알칼리금속, 예컨대 Li, Na, K, Rb, Cs 또는 Fr; 알칼리 토금속, 예컨대 Be, Mg, Ca, Sr, Ba 또는 Ra; 희토류 금속, 예컨대 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Th, Dy, Ho, Er, Em, Gd, Yb, Lu, Y 또는 Mn; 또는 상기 금속들 중 1 이상의 금속을 포함하는 금속 화합물을 사용할 수 있다. 여기서, 상기 n형 도펀트는, 상기 제1 전자수송층(310) 재료의 총 중량을 기준으로 1 내지 50 중량%일 수 있다. 본 명세서에 있어서, n형 도펀트를 도핑하는 방법은 당 기술 분야에 알려져 있는 방법을 이용할 수 있으며, 본 발명의 범위가 특정 방법에 의하여 한정되는 것은 아니다. In one embodiment, the n-type dopant included in the first
제1 전자수송층(310)의 두께는 50 내지 100 옴스트롱일 수 있다. 상기 n형 도펀트를 포함하는 제1 전자수송층(310)의 두께가 100 옴스트롱 이하인 경우 가시광선의 흡수에 의한 발광 효율 저하를 방지할 수 있다. The thickness of the first
본 명세서의 실시상태에 따른 유기발광소자는 또한 금속염, 금속산화물 및 유기금속염 중에서 선택된 1종 이상으로 도핑된 제2 전자수송층(410)을 포함한다. 금속염으로는 알칼리금속 또는 알칼리토금속의 할로겐화물, 예컨대 LiF, NaF, KF, RbF, CsF, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2, LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, MgCl2, CaCl2, SrCl2, BaCl2 등이 사용될 수 있다. 금속산화물로는 알칼리금속 또는 알칼리금속의 산화물, 예컨대 LiO2, NaO2, BrO2, Cs2O, MgO, CaO 등이 사용될 수 있다. 유기금속염으로는 하기 화학식 3의 Liq, Naq, Kq 등이 사용될 수 있다. The organic light emitting device according to the exemplary embodiment of the present specification also includes a second electron transport layer 410 doped with at least one selected from a metal salt, a metal oxide, and an organometallic salt. Metal salts include halides of alkali or alkaline earth metals, such as LiF, NaF, KF, RbF, CsF, MgF 2 , CaF 2 , SrF 2 , BaF 2 , LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, MgCl 2 , CaCl 2 , SrCl 2 , BaCl 2 and the like can be used. As the metal oxide, an alkali metal or an oxide of an alkali metal such as LiO 2 , NaO 2 , BrO 2 , Cs 2 O, MgO, CaO, or the like may be used. As the organometallic salt, Liq, Naq, Kq, etc. of
[화학식 3](3)
제2 전자수송층(410)의 두께는 50 내지 500 옴스트롱, 더욱 구체적으로 50 내지 200 옴스트롱일 수 있다. 상기 범위 내의 두께를 갖는 경우 구동 전압 상승을 효율적으로 방지할 수 있다. The thickness of the second electron transport layer 410 may be 50 to 500 ohms strong, more specifically 50 to 200 ohms strong. When the thickness is within the above range, it is possible to effectively prevent the driving voltage rise.
금속염, 금속산화물 또는 유기금속염은 제2 전자수송층(410) 재료의 총 중량을 기준으로 1 내지 99 중량%일 수 있으며, 구체적으로는 10 내지 50 중량일 수 있다. The metal salt, metal oxide, or organometallic salt may be 1 to 99% by weight, specifically 10 to 50% by weight, based on the total weight of the material of the second electron transport layer 410.
제2 전자수송층(410)은 금속염, 금속산화물 또는 유기금속염의 도핑에 의하여, 전하발생층(510) 및 제1 전자수송층(310)을 통하여 수송된 전자가 제1 전극(110)과 인접한 발광유닛(210)으로 이동하는 것을 원활하게 할 수 있다. 또한, 제2 전자수송층(410)은 정공이 발광유닛(210)으로부터 제1 전자수송층(310)을 통하여 전하발생층(510)으로 이동하는 것을 방지함으로써 발광효율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 구동 전압을 크게 저하시킬 수 있으며, 장수명의 소자를 구현할 수 있다. The second electron transport layer 410 is a light emitting unit in which electrons transported through the
이하에서는, 도 3을 참조하여, 도 1 에 도시된 유기발광소자에 있어서, 제1 전자수송층(310), 제2 전자수송층(410) 및 전하발생층(510) 사이에서의 전하의 흐름을 설명하기로 한다. 도 3에 있어서, (-)는 전자를, (+)는 정공을 의미한다. 점선은 전자의 흐름을, 실선은 정공의 흐름을 의미한다. X로 표시된 것은 전자나 정공이 흐르지 아니한다는 것을 의미한다. 위에서 설명한 바와 같이, 전하발생층(510)에서 정공과 전자가 분리되어 전하가 발생되고, 제1 전자수송층(310) 및 제2 전자수송층(410) 방향으로 전자가 이동한다. 반면, 정공은 제2 전자수송층(410)으로부터 전하발생층(510) 방향으로 이동하지 않는다. Hereinafter, with reference to FIG. 3, the flow of electric charges between the first
도 1에 도시한 제1 전자수송층(310) 및 제2 전자수송층(410)이 유기발광소자에 존재하지 않는 경우에는, 상술한 바와 같은 효율적인 발광효율을 획득할 수 없다. 예를 들어, 도 4에 도시한 바와 같이, 유기발광소자가 서로 상이한 특성을 지닌 2개의 전자수송층이 아니라, 1개의 전자수송층을 포함하는 경우, 발광유닛에서 발광에 참여하지 않고 흘러가는 정공이 발생할 수 있다. When the first
예를 들어, 유기발광소자가, 제1 전극(11)과 제2 전극(12) 사이에, 두 개의 발광유닛(21, 22)를 각각 포함하고, 그 발광유닛(21, 22)사이에, 제1 전극(11)에 인접한 발광유닛(21) 측에 1개의 전자수송층(31), 예를 들어, n형 도핑된 전자수송층을 형성하고, 제2 전극(12)에 인접한 발광유닛(22) 측에 전하발생층(51)을 형성한 경우를 생각해 볼 수 있다. 이 경우, 전하의 흐름은 도 5에 도시한 바와 전자수송층(31)으로부터 전하발생층(51) 쪽으로 정공이 이동하므로, 발광유닛(21)에서 발광에 참여하지 않고 흘려가는 정공이 발생하여, 소자의 효율이 저하될 수 있다. For example, the organic light emitting device includes two light emitting units 21 and 22 between the first electrode 11 and the second electrode 12, and between the light emitting units 21 and 22, respectively. One electron transport layer 31, for example, an n-type doped electron transport layer, is formed on the light emitting unit 21 side adjacent to the first electrode 11, and the light emitting unit 22 adjacent to the second electrode 12 is formed. The case where the charge generation layer 51 is formed in the side can be considered. In this case, since the hole flows from the electron transport layer 31 toward the charge generating layer 51 as shown in FIG. 5, holes flowing in the light emitting unit 21 without participating in light emission are generated. The efficiency of may be lowered.
전자수송층(31)으로서, Ca와 같은 n형 도펀트에 의해 도핑된 n형 도핑된 전자수송층이 사용되는 경우에도, 소자의 효율이 높지 못하고, 구동전압이 상승하며, 소자의 구동 수명이 짧아지는 현상이 발생한다는 것을 본 발명자들이 밝혀내었다. As the electron transport layer 31, even when an n-type doped electron transport layer doped with an n-type dopant such as Ca is used, the efficiency of the device is not high, the driving voltage is increased, and the driving life of the device is shortened. We have found that this occurs.
그러나, 본 명세서에 기재된 실시상태의 유기발광소자에서는 도 3에 도시한 바와 같이 금속염, 금속산화물 및 유기금속염 중에서 선택된 1종 이상으로 도핑된 제2 전자수송층(410)이, 발광유닛(210)으로부터 수송된 정공을 n형 도펀트에 의하여 도핑된 제1 전자수송층(310)을 통하여 전하발생층(510)으로 수송되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이에 의하여, 전하발생층(510)으로부터 주입된 전자를 n형 도펀트에 의하여 도핑된 제1 전자수송층(310)의 LUMO 에너지 준위로 효과적으로 끌어 올릴 수 있다. 이에 의하여 전자는 발광유닛(210)으로 용이하게 이동할 수 있게 된다. However, in the organic light emitting device according to the exemplary embodiment described in the present specification, as illustrated in FIG. 3, the second electron transport layer 410 doped with at least one selected from a metal salt, a metal oxide, and an organometallic salt is formed from the light emitting unit 210. The transported hole serves to prevent the transported hole from being transported to the
따라서, 본 명세서의 실시상태에 따르면, 소자의 효율을 크게 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 구동 전압을 크게 저하시킬 수 있으며, 소자의 구동 수명을 향상시킬 수 있다. 발광층으로부터 정공이 제대로 차단되지 않고 정공발생층까지 넘어가는 경우, 정공발생층에서 제1 전자수송층으로, 제1 전자수송층에서 제2 전자수송층으로, 제2 전자수송층에서 결국 발광층까지 전자의 주입이 용이하지 않게 된다. 이 경우, 발광층까지 전자 주입을 시키기 위해서는 더 많은 에너지가 필요하며, 이는 구동 전압의 상승으로 나타날 수 있다. 전자 주입이 용이하지 않은 경우는 소자의 전하 불균형을 초래하여 소자 수명에 영향을 줄 수 있다. 본 명세서에 기재된 실시상태들에서는 전자 주입을 용이하게 함으로써 소자 내에서의 전하 불균형을 최소화함으로써 소자의 수명을 향상시킬 수 있다. 본 명세서에 있어서, 상기 제2 전자수송층(410)은 정공을 효율적으로 차단하는 역할을 하기 때문에, 인접하는 제1 전자수송층(310)의 전자주입능력을 향상시키는데 기여할 수 있다.Therefore, according to the exemplary embodiment of the present specification, not only can the efficiency of the device be greatly increased, but the driving voltage can be greatly reduced, and the driving life of the device can be improved. If holes are not properly blocked from the light emitting layer and pass through the hole generating layer, electrons are easily injected from the hole generating layer to the first electron transport layer, from the first electron transport layer to the second electron transport layer, and from the second electron transport layer to the light emitting layer. You will not. In this case, more energy is required to inject electrons to the light emitting layer, which may be indicated by an increase in driving voltage. If the electron injection is not easy, it may lead to charge imbalance of the device and affect the device life. In the embodiments described herein, it is possible to improve the lifetime of the device by minimizing charge imbalance in the device by facilitating electron injection. In the present specification, since the second electron transport layer 410 serves to effectively block holes, the second electron transport layer 410 may contribute to improving the electron injection ability of the adjacent first
본 명세서에 있어서, 제1 전자수송층(310) 및 제2 전자수송층(410)의 도핑되는 유기물, 즉 호스트 재료로는 전자 수송 역할을 할 수 있는 유기물이 사용될 수 있다. 제1 전자수송층과 제2 전자수송층의 호스트 재료로는 동일한 재료가 사용될 수도 있고, 상이한 재료가 사용될 수도 있다.In the present specification, as the doped organic material, that is, the host material of the first
일 실시예에서 사용될 수 있는 제1 및 제2 전자수송층(310, 410)의 호스트 재료로는, 유기물 또는 유기금속착체가 사용될 수 있다. As a host material of the first and second
구체적으로, 탄화수소류의 전자수송물질, 예컨대 안트라센 코어에 n형 치환기를 갖는 전자수송물질, 비안트라센 코어에 n형 치환기를 갖는 전자수송물질, 또는 후술하는 유기금속착체가 사용될 수 있다. 여기서, n형 치환기란 전자 끌개 치환기(electron withdrawing group)를 의미하며, 예컨대 고리 내에 N, O, S 등의 헤테로 원자가 포함된 고리 화합물, -F, -Br, -Cl, -I, -CN 등의 작용기 등이 치환된 고리 화합물이 있다. Specifically, an electron transport material of hydrocarbons, for example, an electron transport material having an n-type substituent in an anthracene core, an electron transport material having an n-type substituent in a bianthracene core, or an organometallic complex described below may be used. Here, the n-type substituent means an electron withdrawing group, for example, a ring compound containing a hetero atom such as N, O, or S in the ring, -F, -Br, -Cl, -I, -CN, etc. And a ring compound substituted with a functional group.
다른 실시예에서 사용될 수 있는 제1 및 제2 전자수송층(310, 410)의 호스트 재료로는 HOMO 에너지 준위가 작은 물질들이 사용될 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 전자수송층(310, 410)의 호스트 재료의 HOMO 에너지 준위는 제2 전자수송층(410)이 접하는 발광유닛(210)의 유기물층의 HOMO 에너지 준위보다 작은 값을 가질 수 있다. 특별히 한정되는 것은 아니지만, 제1 및 제2 전자수송층(310, 410)의 호스트 재료의 HOMO 에너지 준위는 제2 전자수송층(410)이 접하는 발광유닛(210)의 유기물층의 HOMO 에너지 준위보다 작을수록 우수한 효과를 나타낼 수 있다. Materials having a small HOMO energy level may be used as host materials of the first and second
구체적인 예로서, 호스트 재료로는 이미다졸기, 옥사졸기, 티아졸기, 퀴놀린기 및 페난쓰롤린기로부터 선택되는 작용기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 또 다른 예로서, 호스트 재료로는 알칼리금속이온, 알칼리토금속이온, 희토류금속이온 중 적어도 1종을 함유하는 유기금속착체 화합물이 사용될 수 있으며, 유기금속착체의 배위자로는 퀴놀리놀, 벤조퀴놀리놀, 아크리디놀, 페난트리디놀, 히드록시페닐옥사졸, 히드록시페닐티아졸, 히드록시디아릴옥사디아졸, 히드록시디아릴티아디아졸, 히드록시페닐피리딘, 히드록시페닐벤조이미다졸, 히드록시벤조트리아졸, 히드록시플루보란, 비피리딜, 페난트롤린, 프탈로시아닌, 포피린, 시클로펜타디엔, β-디케톤류, 아조메틴류 및 이들의 유사체 등이 사용될 수 있으나, 이들로만 한정되는 것은 아니다. 구체적으로, 유기금속착체로서 Alq3, BAlq 등이 사용될 수 있다.As a specific example, as the host material, a compound having a functional group selected from imidazole group, oxazole group, thiazole group, quinoline group and phenanthrosine group can be used. As another example, an organometallic complex compound containing at least one of alkali metal ions, alkaline earth metal ions, and rare earth metal ions may be used as the host material, and as ligands of the organometallic complex, quinolinol and benzoquinoli Knol, acridinol, phenanthridinol, hydroxyphenyloxazole, hydroxyphenylthiazole, hydroxydiaryloxadiazole, hydroxydiarylthiadiazole, hydroxyphenylpyridine, hydroxyphenylbenzoimidazole, Hydroxybenzotriazole, hydroxyfluborane, bipyridyl, phenanthroline, phthalocyanine, porphyrin, cyclopentadiene, β-diketones, azomethines, and the like and the like can be used, but are not limited thereto. no. Specifically, Alq 3 , BAlq, or the like may be used as the organometallic complex.
구체적인 예로서, 상기 호스트 재료로는 하기 구조식의 화합물이 사용될 수 있다.As a specific example, a compound of the following structural formula may be used as the host material.
여기서, here,
Ar은 아릴기이고, 예컨대 하기 식으로 표시되는 치환기일 수 있으며, Ar is an aryl group, for example, may be a substituent represented by the following formula,
상기 X의 예로는 하기의 식들이 있다. Examples of X include the following formulas.
여기서, Z는 코어에 연결되는 부분이고, Where Z is the portion connected to the core,
상기 식들에서 R1 내지 R5는 각각 메틸, 에틸, 프로필, 부틸 등의 알킬기를 포함할 수 있고, -F, -Cl, -Br, -I, -CN 등 같은 전자 끌개 원자(electron-withdrawing atom)를 포함하는 기일 수 있다. In the above formulas, R1 to R5 may each include an alkyl group such as methyl, ethyl, propyl, butyl, and the like, and may form an electron-withdrawing atom such as -F, -Cl, -Br, -I, -CN, or the like. It may be a group containing.
R1' 내지 R5'는 각각 전자 끌개 원자(electron-withdrawing atom)를 포함하는 기로서, 예컨대 -F, -Cl, -Br, -I, -CN 등이 있다. R1 'to R5' are each groups containing electron-withdrawing atoms, and examples thereof include -F, -Cl, -Br, -I, -CN, and the like.
추가로, 제1 전자수송층 재료로는 하기 화학식의 화합물이 사용될 수 있다. In addition, a compound of the following formula may be used as the first electron transport layer material.
상기 식에서 R 및 R'는 각각 C1~C20의 알킬기 또는 C6~C20의 아릴기이고, Wherein R and R 'are each C 1 ~ C 20 Alkyl group or C 6 ~ C 20 aryl group,
Y는 아릴렌기, 예컨대 페닐렌, 나프틸렌 등이다. Y is an arylene group such as phenylene, naphthylene and the like.
구체적으로, 상기 화학식의 화합물로는 하기 화학식의 화합물들이 있다. Specifically, the compounds of the formula include compounds of the formula
제2 전자수송층 재료의 구체적인 예로는 하기 화합물들이 있으나, 이들에 의하여 한정하고자 하는 것은 아니다. Specific examples of the second electron transport layer material include the following compounds, but are not intended to be limited thereto.
상기 제1 전자수송층은 전술한 제2 전자수송층 재료와 동일한 재료로 형성될 수 있으며, 이 때 하기 화학식의 화합물을 더 포함할 수 있다. The first electron transport layer may be formed of the same material as the material of the second electron transport layer described above, and may further include a compound of the following formula.
상기 식들에 있어서, X는 하기 식으로부터 표시된다. In the above formulas, X is represented by the following formula.
Z는 위의 코어 구조에 연결되는 부위이고, Z is the site linked to the core structure above,
R1 내지 R5는 각각 메틸, 에틸, 프로필, 부틸 등의 알킬기를 포함할 수 있고, -F, -Cl, -Br, -I, -CN 등과 같은 전자 끌개 원자(electron-withdrawing atom)를 포함하는 기일 수 있다.R1 to R5 may each include an alkyl group such as methyl, ethyl, propyl, butyl, and the like, and may include an electron-withdrawing atom such as -F, -Cl, -Br, -I, -CN, or the like. Can be.
도 1에는 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 발광유닛(210, 220)이 2개만 구비된 경우를 도시하고 있으나, 본 명세서의 다른 실시형태에 따라서는, 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에는 3개 이상의 발광유닛이 구비될 수 있다. 3개 이상의 발광유닛이 구비된 경우를 도 6에 예시하였다. FIG. 1 illustrates a case in which only two light emitting units 210 and 220 are provided between the first electrode 110 and the second electrode 120, but according to another embodiment of the present specification, the first electrode ( Three or more light emitting units may be provided between the 110 and the second electrode 120. The case where three or more light emitting units are provided is illustrated in FIG. 6.
도 6에는 발광유닛을 n개 포함하는 유기발광소자의 적층구조가 예시되어 있다. 제1 전극(110) 상에 발광유닛(210), 제2 전자수송층(310), 제1 전자수송층(410), 전하발생층(510), 발광유닛(220), 제2 전자수송층(320), 제1 전자수송층(420) 및 전하발생층(520)이 적층된 후, 추가로 발광유닛, 제2 전자수송층, 제1 전자수송층, 전하발생층이 순서대로 반복 적층될 수 있다. 이어서, n-1번째의 발광유닛, 제2 전자수송층, 제1 전자수송층 및 전하발생층이 적층된 후, n번째 발광유닛과 제2 전극(120)이 적층된다. 도 6에는 제1 전극 상에 나머지 층들이 적층된 구조가 도시되어 있으나, 반대로 제2 전극 상에 나머지 층들이 적층된 구조도 포함된다. 6 illustrates a lamination structure of an organic light emitting diode including n light emitting units. The light emitting unit 210, the second
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따른 유기발광소자에 있어서, 상기 제2 전극(120)에 인접한 발광유닛(220)과 상기 제2 전극(120) 사이에 추가의 전자수송층이 구비되고, 상기 추가의 전자수송층은 n형 도펀트에 의하여 도핑된 제1 전자수송층(320) 및 금속염, 금속산화물 또는 유기금속염에 의하여 도핑된 제2 전자수송층(420)을 포함한다. 이와 같이 추가의 전자수송층을 구비한 예를 도 7에 도시하였다. 제1 전자수송층(320) 및 제2 전자수송층(420)에는 전술한 제1 전자수송층(310) 및 제2 전자수송층(410)에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the organic light emitting device according to another embodiment of the present specification, an additional electron transport layer is provided between the light emitting unit 220 and the second electrode 120 adjacent to the second electrode 120, the additional The electron transport layer includes a first electron transport layer 320 doped with an n-type dopant and a second electron transport layer 420 doped with a metal salt, a metal oxide or an organometallic salt. An example with such an additional electron transport layer is shown in FIG. 7. The above description of the first
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따른 유기발광소자에 있어서, 상기 제2 전극(120)에 인접한 발광유닛(220)과 상기 제2 전극(120) 사이에 추가의 전자수송층이 구비되고, 상기 추가의 전자수송층은 n형 도펀트에 의하여 도핑된 제1 전자수송층(320) 및 금속염, 금속산화물 또는 유기금속염에 의하여 도핑된 제2 전자수송층(420)을 포함한다. 또한, 상기 제2 전극과 상기 추가의 전자수송층 사이에는 추가의 전하발생층(520)이 구비된다. 이와 같이 추가의 전자수송층과 추가의 전하발생층을 구비한 예를 도 8에 도시하였다. 전하발생층(520)에는 전술한 전하발생층(510)에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the organic light emitting device according to another embodiment of the present specification, an additional electron transport layer is provided between the light emitting unit 220 and the second electrode 120 adjacent to the second electrode 120, the additional The electron transport layer includes a first electron transport layer 320 doped with an n-type dopant and a second electron transport layer 420 doped with a metal salt, a metal oxide or an organometallic salt. In addition, an additional charge generating layer 520 is provided between the second electrode and the additional electron transport layer. An example having such an additional electron transport layer and an additional charge generating layer is shown in FIG. 8. The above description of the
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따른 유기발광소자에 있어서, 상기 제2 전극(120)에 인접한 발광유닛(220)과 상기 제2 전극(120) 사이에 추가의 전하발생층(520)이 구비된다. 이와 같이 추가의 전하발생층을 구비한 예를 도 9에 도시하였다. 전하발생층(520)에는 전술한 전하발생층(510)에 관한 설명이 적용될 수 있다. 도 9에 따른 소자에 있어서, 발광층 또는 전자수송층이 n형 도핑될 수 있다. In the organic light emitting diode according to another exemplary embodiment of the present specification, an additional charge generating layer 520 is provided between the light emitting unit 220 adjacent to the second electrode 120 and the second electrode 120. do. An example with such an additional charge generating layer is shown in FIG. 9. The above description of the
도 7 내지 도 9와 같은 구성에 의하여 제2 전극(120) 재료로서 보다 다양한 일함수를 갖는 재료들을 사용할 수 있다. 7 to 9, materials having various work functions may be used as the material of the second electrode 120.
본 명세서에 기재된 실시상태의 유기발광소자는 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형으로 구성될 수 있다. 이 때, 발광방향에 따라 빛이 통과하는 전극은 투명하게 구성될 수 있다. 투명이란 빛이 통과할 수 있다면 빛 투과도에 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 광투과도 70% 이상일 수 있다. 투명한 전극은 투명재료로 제조되거나, 불투명 재료가 투명할 정도로 얇게 형성될 수 있다. The organic light emitting device of the exemplary embodiment described in the present specification may be configured as a top emission type, a bottom emission type, or a double-sided emission type. At this time, the electrode through which light passes according to the light emitting direction may be configured to be transparent. Transparency is not particularly limited to light transmittance as long as light can pass therethrough, for example, light transmittance may be 70% or more. The transparent electrode may be made of a transparent material or may be formed so thin that the opaque material is transparent.
제1 전극 및 제2 전극의 재료로는 페르미 에너지 준위가 2 내지 6eV인 재료, 특히 2 내지 4eV인 재료까지 사용할 수 있다. 전극 재료로는 금속, 금속 산화물 및 도전성 폴리머로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 전극 재료로는 탄소, 세슘, 칼륨, 리튬, 칼슘, 나트륨, 마그네슘, 니르코늄, 인듐, 알루미늄, 은, 탄탈, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 철, 텅스텐, 몰리브덴, 니켈, 금, 기타 금속 및 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 주석 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 및 기타 이와 유사한 금속 산화물; ZnO:Al 및 SnO2:Sb와 같은 산화물과 금속의 혼합물 등이 있다. 즉, 상기 전극들은 금속 전극 전극으로 형성될 수 있을 뿐만 아니라 금속산화물과 같은 투명재료로 이루어진 투명 전극으로 형성될 수 있다. 제1 전극의 재료와 제2 전극의 재료는 동일할 수도 있고, 필요에 따라 상이할 수도 있다. As the material of the first electrode and the second electrode, a material having a Fermi energy level of 2 to 6 eV, in particular, a material of 2 to 4 eV can be used. The electrode material may include a material selected from the group consisting of metals, metal oxides and conductive polymers. Specifically, the electrode material may be carbon, cesium, potassium, lithium, calcium, sodium, magnesium, nironium, indium, aluminum, silver, tantalum, vanadium, chromium, copper, zinc, iron, tungsten, molybdenum, nickel, gold, Other metals and alloys thereof; Zinc oxide, indium oxide, tin oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) and other similar metal oxides; And mixtures of oxides and metals such as ZnO: Al and SnO 2 : Sb. That is, the electrodes may not only be formed as metal electrode electrodes but also as transparent electrodes made of a transparent material such as a metal oxide. The material of the first electrode and the material of the second electrode may be the same or may be different as necessary.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기발광소자는, 제1 전극이 양극으로서 기판에 접하고, 제2 전극이 음극으로서 상기 제1 전극에 대향하는 전극인 구조를 가질 수 있다. 본 발명의 다른 실시상태에 따른 유기발광소자는 제2 전극이 음극으로서 기판에 접하고, 제1 전극이 양극으로서 상기 제2 전극에 대향하는 전극인 구조를 가질 수 있다.The organic light emitting diode according to the exemplary embodiment of the present specification may have a structure in which a first electrode is in contact with a substrate as an anode, and a second electrode is an electrode facing the first electrode as a cathode. An organic light emitting diode according to another exemplary embodiment of the present invention may have a structure in which a second electrode is in contact with a substrate as a cathode and the first electrode is an electrode facing the second electrode as an anode.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광소자는 광산란 구조를 포함한 소자일 수 있다. The organic light emitting device according to the exemplary embodiment of the present specification may be a device including a light scattering structure.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 상기 제1 전극의 발광 유닛이 구비되는 면과 대향하는 면에 기판을 더 포함하고, 상기 기판과 제1 전극 사이 또는 제1 전극이 구비되는 면과 대향하는 면에 광산란층을 더 포함할 수 있다. In an exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting diode further includes a substrate on a surface opposite to a surface on which the light emitting unit of the first electrode is provided, and between the substrate and the first electrode or provided with a first electrode. It may further include a light scattering layer on the surface facing the surface.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극의 발광유닛이 구비되는 면과 대향하는 면에 구비된 기판과 제1 전극 사이에 내부 광산란층을 더 포함할 수 있다. 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 기판에서 제1 전극이 구비된 면의 반대 면에 외부 광산란층을 추가로 포함할 수 있다. In one embodiment of the present specification, an internal light scattering layer may be further included between the first electrode and the substrate provided on a surface of the first electrode opposite to the surface on which the light emitting unit is provided. In another exemplary embodiment, the substrate may further include an external light scattering layer on a surface opposite to the surface on which the first electrode is provided.
본 명세서에 있어서, 상기 내부 광산란층 또는 외부 광산란층은 광산란을 유도하여, 소자의 광산란 효율을 향상시킬 수 있는 구조라면 특별히 제한하지 않는다. 하나의 실시상태에 있어서, 상기 광산란층은 바인더 내에 산란입자가 분산된 구조일 수 있다. 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 광산란층은 요철을 갖는 필름을 이용할 수 있다. In the present specification, the internal light scattering layer or the external light scattering layer is not particularly limited as long as it can induce light scattering and improve the light scattering efficiency of the device. In one embodiment, the light scattering layer may have a structure in which scattering particles are dispersed in a binder. In another exemplary embodiment, the light scattering layer may use a film having irregularities.
또한, 상기 광산란층은 기판 위에 스핀 코팅, 바 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법에 의하여 직접 형성되거나, 필름 형태로 제작하여 부착하는 방식에 의하여 형성될 수 있다. The light scattering layer may be formed directly on the substrate by spin coating, bar coating, slit coating, or the like, or may be formed in a film form.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 플랙서블(flexible) 유기 발광 소자이다. 이 경우, 상기 기판이 플랙서블 재료를 포함한다. 예컨대, 휘어질 수 있는 박막 형태의 글래스, 플라스틱 또는 필름 형태의 기판을 사용할 수 있다. In one embodiment of the present specification, the organic light emitting device is a flexible organic light emitting device. In this case, the substrate includes a flexible material. For example, it is possible to use a glass, plastic or film substrate in the form of a flexible thin film.
상기 플라스틱 기판의 재료는 특별히 한정하지는 않으나, 일반적으로 PET, PEN 및 PI 등의 필름을 단층 또는 복층의 형태로 사용할 수 있다. Although the material of the said plastic substrate is not specifically limited, Generally, films, such as PET, PEN, and PI, can be used in the form of a single layer or a multilayer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a display device including the organic light emitting device.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a lighting apparatus including the organic light emitting element.
이하, 실시예 및 비교예를 통하여 본 명세서의 다양한 실시상태 및 특징을 더욱 상세히 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 다양한 실시상태 및 특징을 예시하기 위한 것에 불과하며, 본 명세서의 범위가 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, various exemplary embodiments and features of the present specification will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, the following examples are merely intended to illustrate various embodiments and features, and the scope of the present specification is not limited by the following examples.
<< 실시예Example 1> 1>
유리 기판 상에서 양극으로서 ITO를 1,500 Å를 스퍼터링 방법에 의하여 형성하고, 그 위에 상기 화학식 2-1의 HAT를 열 진공 증착에 의하여 300 Å의 두께로 막을 형성하고, 이어서 NPB를 이용하여 600 Å의 두께로 층을 형성하였다. 그 위에 형광 청색 발광층을 300 Å의 두께로 형성하고, 제2 전자수송층을 하기 물질 1과 LiF를 50 중량%로 도핑하여 150 Å 두께의 층을 형성하였다. 그 위에 제1 전자수송층을 하기 물질 1에 Ca를 10 중량%로 도핑하여 50 Å 두께의 층을 형성하였다. ITO was formed on the glass substrate by sputtering to form 1,500 GPa, and a HAT of Formula 2-1 was formed thereon to a thickness of 300 GPa by thermal vacuum deposition, and then 600 GPa using NPB. Layer was formed. A fluorescent blue light emitting layer was formed thereon at a thickness of 300 kPa, and the second electron transport layer was doped with 50 wt% of the following material 1 and LiF to form a 150 kW thick layer. The first electron transport layer was doped with Ca to 10 wt% to the following material 1 to form a 50 Å thick layer.
그 다음, 전하발생층을 HAT층 300 Å 및 NPB층 300 Å로 구성하였으며, 인광 녹색 및 적색 발광층을 300 Å의 두께로 형성하였다. 그 다음 전자수송층을 하기 물질 2를 이용하여 450 Å의 두께로 형성하고, 마지막으로 음극을 LiF 15Å, 알루미늄 1,000 Å0 Å두께로 구성하여 적층형 구조의 백색 유기발광소자를 제작하였다. Then, the charge generation layer was composed of a HAT layer 300 kHz and an NPB layer 300 kHz, and phosphorescent green and red light emitting layers were formed to a thickness of 300 kHz. Subsequently, the electron transport layer was formed to a thickness of 450 kW using the following
<< 실시예Example 2> 2>
제2 전자수송층을 상기 물질 1에 유기금속염 물질인 Liq를 50 중량%로 도핑하여 구성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 소자를 제작하였다. A device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the second electron transport layer was doped with Liq, which is an organometallic salt material, to 50 wt%.
<< 비교예Comparative Example 1> 1>
제2 전자수송층을 금속염 또는 유기금속염으로 도핑하지 않고, 물질 1을 이용하여 150 Å의 두께로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 소자를 제작하였다.A device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the second electron transport layer was not formed of a metal salt or an organometallic salt, but was formed to have a thickness of 150 GPa using the material 1.
하기 표 1에 실시예 1, 2 및 비교예 1의 전압과 효율을 3 mA/cm2 영역에서 측정하여 비교한 결과를 나타내었다. Table 1 below shows the results obtained by comparing the voltage and efficiency of Examples 1, 2 and Comparative Example 1 at 3 mA / cm 2 .
<< 실시예Example 3> 3>
제2 전자수송층 및 제1 전자수송층의 형성시 상기 물질 1 대신 상기 물질 2를 이용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다. A device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that
<< 비교예Comparative Example 2> 2>
제2 전자수송층을 금속염 또는 유기금속염으로 도핑하지 않고, 상기 물질 2를 이용하여 150 Å의 두께로 형성한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일하게 실시하여 소자를 제작하였다.A device was fabricated in the same manner as in Example 3, except that the second electron transport layer was not doped with a metal salt or an organometallic salt, and was formed to a thickness of 150 Hz using the
<< 비교예Comparative Example 3> 3>
제1 전자수송층을 형성하지 않고 제2 전자수송층을 200 Å의 두께로 형성한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일하게 실시하여 소자를 제작하였다.A device was fabricated in the same manner as in Example 3 except that the second electron transport layer was formed to a thickness of 200 GPa without forming the first electron transport layer.
<< 비교예Comparative Example 4> 4>
제2 전자수송층을 형성하지 않고 제1 전자수송층을 200 Å의 두께로 형성한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일하게 실시하여 소자를 제작하였다.A device was fabricated in the same manner as in Example 3 except that the first electron transport layer was formed to a thickness of 200 GPa without forming the second electron transport layer.
하기 표 2에 실시예 3 및 비교예 2 내지 4의 전압과 효율을 3 mA/cm2 영역에서 측정하여 비교한 결과를 나타내었다. Table 2 below shows the results of comparing the voltage and efficiency of Example 3 and Comparative Examples 2 to 4 in the 3 mA / cm 2 region.
<< 실시예Example 4> 4>
유리 기판 상에서 양극으로서 ITO를 1,500 Å를 스퍼터링 방법에 의하여 형성하고, 그 위에 상기 화학식 2-1의 HAT를 열 진공 증착에 의하여 300 Å의 두께로 막을 형성하고, 이어서 NPB를 이용하여 600 Å의 두께로 층을 형성하였다. 그 위에 형광 청색 발광층을 300 Å의 두께로 형성하고, 제2 전자수송층을 상기 물질 2와 LiF를 50 중량%로 도핑하여 150 Å 두께의 층을 형성하였다. 그 위에 제1 전자수송층을 상기 물질 2에 Ca를 10 중량%로 도핑하여 50 Å 두께의 층을 형성하였다. ITO was formed on the glass substrate by sputtering to form 1,500 GPa, and a HAT of Formula 2-1 was formed thereon to a thickness of 300 GPa by thermal vacuum deposition, and then 600 GPa using NPB. Layer was formed. A fluorescent blue light emitting layer was formed thereon at a thickness of 300 mW, and the second electron transport layer was doped with 50% by weight of the
그 다음, 전하발생층을 HAT층 300 Å 및 NPB층 300 Å로 구성하였으며, 인광 녹색 및 적색 발광층을 300 Å의 두께로 형성하였다. 그 다음 제2 전자수송층을 상기 물질 2에 LiF를 50 중량%로 공증착하여 400 Å의 두께로 형성하고, 제1 전자수송층을 상기 물질 2에 Ca를 10 중량%로 도핑하여 50 Å 두께의 층을 형성하였다. 마지막으로 음극을 알루미늄 1,000 Å의 두께로 구성하여 적층형 구조의 백색 유기발광소자를 제작하였다. Then, the charge generation layer was composed of a HAT layer 300 kHz and an NPB layer 300 kHz, and phosphorescent green and red light emitting layers were formed to a thickness of 300 kHz. Then, a second electron transport layer was formed to a thickness of 400 kPa by co-depositing LiF at 50 wt% on the
<< 비교예Comparative Example 5> 5>
전하발생층에 접하는 부분에 제2 전자수송층과 제1 전자수송층을 구성하지 않고, 음극에 접하는 부분에만 제2 전자수송층과 제1 전자수송층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 4와 동일한 구성과 방법으로 소자를 제작하였다. The same constitution and method as in Example 4 except that the second electron transport layer and the first electron transport layer were not formed on the portion in contact with the charge generating layer, and the second electron transport layer and the first electron transport layer were formed only on the portion in contact with the cathode. The device was fabricated.
하기 표 3에 실시예 4 및 비교예 5의 전압과 효율을 3 mA/cm2 영역에서 측정하여 비교한 결과를 나타내었다. Table 3 below shows the results of comparing the voltage and efficiency of Example 4 and Comparative Example 5 measured in the 3 mA / cm 2 area.
<< 실시예Example 5> 5>
전하발생층과 접하는 부분에 제2 전자수송층 및 제1 전자수송층의 형성시 물질 1 대신 하기 물질 5를 이용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하였다. A device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the following material 5 was used instead of the material 1 when the second electron transport layer and the first electron transport layer were formed in contact with the charge generation layer.
<< 실시예Example 6> 6>
전하발생층과 접하는 부분에 제2 전자수송층 및 제1 전자수송층의 형성시 물질 1 대신 하기 물질 7을 이용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하였다. A device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the following material 7 was used instead of the material 1 when the second electron transport layer and the first electron transport layer were formed in contact with the charge generation layer.
<< 실시예Example 7> 7>
전하발생층과 접하는 부분에 제2 전자수송층 및 제1 전자수송층의 형성시 물질 1 대신 하기 물질 9를 이용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하였다. A device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the following material 9 was used instead of the material 1 when the second electron transport layer and the first electron transport layer were formed on the portion in contact with the charge generating layer.
<< 실시예Example 8> 8>
전하발생층과 접하는 부분에 제2 전자수송층 및 제1 전자수송층의 형성시 물질 1 대신 하기 물질 11을 이용하여 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하였다. A device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the second electron transporting layer and the first electron transporting layer were formed using the following material 11 instead of the material 1 in the portion in contact with the charge generating layer.
하기 표 4에 실시예 5 내지 8의 전압과 효율을 3 mA/cm2 영역에서 측정하여 비교한 결과를 나타내었다. Table 4 below shows the results of comparing the voltage and the efficiency of Examples 5 to 8 in the 3 mA / cm 2 region.
<< 실시예Example 9> 9>
전하발생층과 인접하는 부분에 있어서, 제2 전자수송층을 상기 물질 2에 LiF를 50 중량%로 공증착하여 150 Å의 두께로 형성하고, 제1 전자수송층을 하기 물질 13에 Ca를 10 중량%로 도핑하여 50 Å의 두께로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하였다. In the portion adjacent to the charge generating layer, a second electron transport layer was formed to a thickness of 150 kPa by co-depositing LiF to 50% by weight on the
<< 실시예Example 10> 10>
전하발생층과 인접하는 부분에 있어서, 제1 전자수송층의 형성시 Ca를 5 중량%로 도핑한 것을 제외하고는 실시예 9와 동일하게 소자를 제작하였다. In the portion adjacent to the charge generating layer, a device was manufactured in the same manner as in Example 9 except that the Ca was doped at 5 wt% when the first electron transport layer was formed.
<< 실시예Example 11> 11>
전하발생층과 인접하는 부분에 있어서, 제1 전자수송층의 형성시 Ca를 2.5 중량%로 도핑한 것을 제외하고는 실시예 9와 동일하게 소자를 제작하였다. In the portion adjacent to the charge generating layer, a device was manufactured in the same manner as in Example 9 except that the Ca was doped at 2.5 wt% when the first electron transport layer was formed.
<< 비교예Comparative Example 6> 6>
전하발생층과 인접하는 부분에 있어서, 제2 전자수송층에 금속염 또는 유기금속염을 포함하지 않고, 상기 물질 2만으로 150 Å의 두께로 형성하고, 제1 전자수송층을 상기 물질 13에 Ca를 10 중량%로 도핑하여 50 Å의 두께로 형성한 것을 제외하고는 실시예 9와 동일하게 소자를 제작하였다. In the portion adjacent to the charge generating layer, the second electron transport layer does not contain a metal salt or an organometallic salt, and is formed to have a thickness of 150 GPa with only the
<< 비교예Comparative Example 7> 7>
제2 전자수송층에 Ca를 10중량% 도핑하여 150 Å두께로 형성하여 제1 전자 수송층에 도핑된 물질과 동일한 물질로 구성한 것을 제외하고는 실시예 9와 동일하게 소자를 제작하였다. A device was manufactured in the same manner as in Example 9, except that 10 wt% of Ca was doped into the second electron transport layer to form a 150 Å thickness, and the same material as that of the material doped into the first electron transport layer.
<< 비교예Comparative Example 8> 8>
제1 전자수송층에 금속염인 LiF를 50 중량% 도핑하여 50 Å두께로 형성하여 제2 전자수송층에 도핑된 물질과 동일한 것으로 구성한 것을 제외하고는 실시예 9와 동일하게 소자를 제작하였다.A device was manufactured in the same manner as in Example 9, except that 50 wt% of LiF, which is a metal salt, was formed on the first electron transport layer to have a thickness of 50 kV and the same material as that doped in the second electron transport layer.
<< 비교예Comparative Example 9> 9>
제1 전자수송층에 접해있는 n형 전하발생층인 HAT를 구성하지 않은 것을 제외하고는 실시예 9와 동일하게 소자를 제작하였다. A device was fabricated in the same manner as in Example 9 except that the HAT which is the n-type charge generating layer in contact with the first electron transport layer was not configured.
하기 표 5에 실시예 9 내지 11 및 비교예 6 내지 비교예 9의 전압과 효율을 3 mA/cm2 영역에서 측정하여 비교한 결과를 나타내었다. Table 5 shows the results obtained by comparing the voltages and the efficiency of Examples 9 to 11 and Comparative Examples 6 to 9 in the 3 mA / cm 2 region.
도 10, 도 11에 제2 전자수송층에 LiF와 같은 금속염이 도핑된 소자(실시예 11)과 도핑되지 않은 소자(비교예 6)에 대한 전압-전류 그래프와 구동 수명의 그래프를 대표적으로 도시하였다. 제2 전자수송층에 금속염 등이 도핑된 소자는 그렇지 않은 소자에 비하여 초기 전압이 낮으며, 구동 중 전압 상승 폭도 매우 적으며, 구동 수명도 개선되었음을 확인할 수 있다. 10 and 11 representatively show a voltage-current graph and a drive life graph for a device doped with a metal salt such as LiF (Example 11) and an undoped device (Comparative Example 6) in the second electron transport layer. . The device doped with a metal salt or the like in the second electron transport layer has a lower initial voltage, a very small voltage increase during driving, and an improved driving life.
비교예 7 및 8에서는 제2 전자수송층과 제1 전자수송층에 도핑하는 물질을 동일한 것으로 구성한 소자이며, 각각 Ca와 LiF를 사용하여 도핑한 소자이다. In Comparative Examples 7 and 8, a device comprising the same material doped in the second electron transport layer and the first electron transport layer is a device doped using Ca and LiF, respectively.
비교예 7의 경우, 소자의 효율이 급격히 낮아지는 결과를 보였는데 이는 Ca의 도핑층이 발광층과 접해있기 때문에 발광 소멸(quenching) 현상이 일어나기 때문이다. 또한, 제1 전자수송층 및 제2 전자수송층 모두 n형 도펀트에 의하여 도핑된 경우, 광흡수가 많아질 수 있다. 발광층에 접하는 제2 전자수송층에 금속이 도핑되는 경우에는 발광효율이 떨어질 수 있다. In Comparative Example 7, the efficiency of the device was drastically lowered because the doping layer of Ca was in contact with the light emitting layer, causing quenching of light emission. In addition, when both the first electron transport layer and the second electron transport layer are doped with an n-type dopant, light absorption may increase. When the metal is doped into the second electron transport layer in contact with the light emitting layer, the light emission efficiency may be reduced.
비교예 8의 경우, 제1 전자수송층에 도핑되어 있는 LiF가 절연 특성을 가지고 있고, n형 전하발생층이 HAT와의 반응성이 없기 때문에 HAT 층으로부터 제1 전자수송층까지의 전자 주입이 용이하지 않아 구동 전압의 큰 상승을 보였다. In Comparative Example 8, since the LiF doped in the first electron transport layer has an insulating property, and the n-type charge generating layer is not reactive with HAT, electron injection from the HAT layer to the first electron transport layer is not easy to drive. The voltage showed a big rise.
비교예 9의 경우, 제1 발광부인 블루의 발광이 관찰되지 않고, 제2 발광부인 옐로우의 발광만 관찰이 되었는데, 이는 n형 전하발생층인 HAT가 형성되어 있지 않음으로써, 탠덤(tandem)구조가 효과적으로 동작하지 않았음을 의미한다. In Comparative Example 9, no light emission of blue, which is the first light emitting part, was observed, and only light emission of yellow, which was the second light emitting part, was observed. This is because a HAT, which is an n-type charge generating layer, is not formed, a tandem structure. Means it didn't work effectively.
Claims (34)
[화학식 2]
화학식 2에 있어서,
A1 내지 A6은 각각 수소, 할로겐 원자, 니트릴(-CN), 니트로(-NO2), 술포닐(-SO2R), 술폭사이드(-SOR), 술폰아미드(-SO2NR), 술포네이트(-SO3R), 트리플루오로메틸(-CF3), 에스테르(-COOR), 아미드(-CONHR 또는 -CONRR'), 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C12 알콕시, 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄 C1-C12의 알킬, 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 C2-C12 알케닐, 치환 또는 비치환된 방향족 또는 비방향족의 헤테로 고리, 치환 또는 비치환된 아릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-아릴아민, 또는 치환 또는 비치환된 아랄킬아민이고,
R 및 R'는 각각 치환 또는 비치환된 C1-C60의 알킬, 치환 또는 비치환된 아릴 또는 치환 또는 비치환된 5원 내지 7원 헤테로 고리이다. The organic light emitting device of claim 6, wherein the n-type organic compound layer of the charge generating layer comprises a compound represented by the following Chemical Formula 2:
(2)
In formula (2)
A 1 to A 6 each represent hydrogen, a halogen atom, nitrile (-CN), nitro (-NO 2 ), sulfonyl (-SO 2 R), sulfoxide (-SOR), sulfonamide (-SO 2 NR), Sulfonate (-SO 3 R), trifluoromethyl (-CF 3 ), ester (-COOR), amide (-CONHR or -CONRR '), substituted or unsubstituted straight or branched C 1 -C 12 Alkoxy, substituted or unsubstituted straight or branched chain C 1 -C 12 alkyl, substituted or unsubstituted straight or branched C 2 -C 12 alkenyl, substituted or unsubstituted aromatic or nonaromatic heterocycle, Substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted mono- or di-arylamine, or substituted or unsubstituted aralkylamine,
R and R 'are each substituted or unsubstituted C 1 -C 60 alkyl, substituted or unsubstituted aryl or substituted or unsubstituted 5 to 7 membered hetero rings.
상기 화학식 2의 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 2-6 중 어느 하나로 표시되는 것인 유기 발광 소자.
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
[화학식 2-3]
[화학식 2-4]
[화학식 2-5]
[화학식 2-6]
The method of claim 11,
The compound of Chemical Formula 2 is represented by any one of the following Chemical Formulas 2-1 to 2-6.
[Formula 2-1]
[Formula 2-2]
[Formula 2-3]
[Chemical Formula 2-4]
[Chemical Formula 2-5]
[Chemical Formula 2-6]
상기 식들에 있어서,
Ar은 아릴기이고,
X는 하기 구조식 중에서 선택되며,
Z는 코어에 연결되는 부분이고,
R1 내지 R5는 각각 알킬기 또는 전자 끌개 원자(electron-withdrawing atom)를 포함하는 기이며,
R1'내지 R5'는 각각 전자 끌개 원자(electron-withdrawing atom)를 포함하는 기이다.The organic light emitting device of any one of claims 1 to 22, wherein the first electron transport layer and the second electron transport layer each independently include one or more selected from compounds of the following structural formulas:
In the above formulas,
Ar is an aryl group,
X is selected from the following structural formulas,
Z is the part connected to the core,
R1 to R5 are each a group containing an alkyl group or an electron-withdrawing atom,
R 1 'to R 5' are each a group containing an electron-withdrawing atom.
상기 식들에 있어서,
R 및 R'는 각각 C1~C20의 알킬기 또는 C6~C20의 아릴기이고,
Y는 아릴렌기이다. The organic light emitting device of any one of claims 1 to 22, wherein each of the first electron transport layers independently includes at least one member selected from compounds of the following structural formulas:
In the above formulas,
R and R 'are each C 1 ~ C 20 alkyl group or C 6 ~ C 20 aryl group,
Y is an arylene group.
[그룹 1]
[그룹 2]
상기 식들에 있어서, X는 하기 식으로부터 표시되고,
Z는 위의 코어 구조에 연결되는 부위이며,
R1 내지 R5는 각각 알킬기 또는 전자 끌개 원자(electron-withdrawing atom)를 포함하는 기이다.The method according to any one of claims 1 to 22, wherein the first electron transport layer each independently comprises one or more selected from compounds of the structural formula of Group 1 and one or more selected from compounds of the structural formula of Group 2 The organic light emitting device is:
[Group 1]
[Group 2]
In the above formulas, X is represented from the following formula,
Z is the site linked to the core structure above,
R1 to R5 are each a group containing an alkyl group or an electron-withdrawing atom.
The organic light emitting device of any one of claims 1 to 22, wherein each of the second electron transport layers independently includes one or more selected from compounds of the following structural formulas:
[화학식 3]
The organic light emitting device of claim 29, wherein the second electron transport layer comprises an organometallic salt of Formula 3 below:
(3)
상기 기판과 상기 제1 전극 사이 또는 상기 제1 전극이 구비되는 면과 대향하는 면에 광산란층을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자. The method according to any one of claims 1 to 22, wherein the organic light emitting device further comprises a substrate on a surface facing the surface on which the light emitting unit of the first electrode is provided,
The organic light emitting device further comprises a light scattering layer between the substrate and the first electrode or on a surface opposite to the surface on which the first electrode is provided.
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150075674A (en) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 주식회사 엘지화학 | Organic light emitting device |
KR20160008946A (en) * | 2014-07-14 | 2016-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
KR101589699B1 (en) * | 2014-07-25 | 2016-02-01 | 건국대학교 산학협력단 | Organic light emitting device and method thereof |
KR20160031985A (en) * | 2014-09-15 | 2016-03-23 | 주식회사 엘지화학 | Organic light emitting device |
WO2016111535A1 (en) * | 2015-01-05 | 2016-07-14 | 코닝정밀소재 주식회사 | Tandem organic light-emitting element |
KR20160132615A (en) * | 2015-05-11 | 2016-11-21 | 주식회사 엘지화학 | Stacked organic light emitting device |
KR20160150185A (en) * | 2015-06-18 | 2016-12-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
KR20170057306A (en) * | 2014-09-19 | 2017-05-24 | 노발레드 게엠베하 | Organic light-emitting diode including an electron transport layer stack comprising different lithium compounds and elemental metal |
US9673413B2 (en) | 2014-12-08 | 2017-06-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device and display apparatus including the same |
KR20170063251A (en) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode |
KR20180007735A (en) * | 2016-07-13 | 2018-01-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
KR20180044832A (en) * | 2016-10-24 | 2018-05-03 | 주식회사 엘지화학 | Organic light emitting device |
US9997733B2 (en) | 2015-10-28 | 2018-06-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
US10256439B2 (en) | 2015-01-05 | 2019-04-09 | Corning Precision Materials Co., Ltd. | Tandem organic light-emitting element |
US10680195B2 (en) | 2016-03-10 | 2020-06-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5922766B2 (en) * | 2011-06-13 | 2016-05-24 | エルジー・ケム・リミテッド | Novel compound and organic electronic device using the same |
US9312500B2 (en) | 2012-08-31 | 2016-04-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
DE102012222772B4 (en) * | 2012-12-11 | 2021-09-16 | Pictiva Displays International Limited | Organic optoelectronic component |
JPWO2014129048A1 (en) | 2013-02-22 | 2017-02-02 | 出光興産株式会社 | Anthracene derivatives, materials for organic electroluminescence elements, organic electroluminescence elements, and electronic devices |
JP5847354B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-20 | 出光興産株式会社 | Anthracene derivative and organic electroluminescence device using the same |
KR20150115622A (en) | 2014-04-04 | 2015-10-14 | 주식회사 엘지화학 | Hetero-cyclic compound and organic light emitting device comprising the same |
KR101537500B1 (en) * | 2014-04-04 | 2015-07-20 | 주식회사 엘지화학 | Organic light emitting diode |
KR101542714B1 (en) | 2014-04-04 | 2015-08-12 | 주식회사 엘지화학 | Hetero-cyclic compound and organic light emitting device comprising the same |
JP6331779B2 (en) | 2014-07-02 | 2018-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, AUTHENTICATION DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE |
EP2963696A1 (en) * | 2014-07-04 | 2016-01-06 | Novaled GmbH | Organic light-emitting diode (OLED) including an electron transport layer stack comprising different lithium compounds |
US10096782B2 (en) * | 2014-08-01 | 2018-10-09 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
GB2528906A (en) * | 2014-08-04 | 2016-02-10 | Novaled Gmbh | Organic light emitting devices and methods |
KR101772746B1 (en) * | 2014-08-12 | 2017-08-30 | 주식회사 엘지화학 | Organic light emitting diode |
KR102294413B1 (en) * | 2014-11-18 | 2021-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organice light emitting diode display |
EP3287446B1 (en) * | 2015-04-24 | 2020-10-14 | LG Chem, Ltd. | Organic light-emitting device |
JP6754176B2 (en) * | 2015-06-23 | 2020-09-09 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | Organic electroluminescent device |
CN104966789A (en) * | 2015-06-30 | 2015-10-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Charge coupling layer, manufacturing method thereof and stacked OLED device |
JP6340616B2 (en) * | 2015-07-28 | 2018-06-13 | 株式会社Joled | Organic EL element and organic EL display panel |
KR102504145B1 (en) * | 2015-08-21 | 2023-02-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device |
KR102420453B1 (en) | 2015-09-09 | 2022-07-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and lighting apparatus for vehicles using the same |
KR102445081B1 (en) | 2015-09-24 | 2022-09-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Diode Device |
KR102470303B1 (en) * | 2015-10-27 | 2022-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic electroluminescent device and display device including the same |
KR102377466B1 (en) * | 2015-10-29 | 2022-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display apparatus |
KR102562894B1 (en) * | 2015-12-28 | 2023-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
JP6659067B2 (en) * | 2016-02-18 | 2020-03-04 | 出光興産株式会社 | Organic electroluminescence device and electronic equipment |
KR101999709B1 (en) | 2016-03-21 | 2019-07-12 | 주식회사 엘지화학 | Organic light emitting device |
WO2018052244A1 (en) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. | Organic electroluminescent device comprising an electron buffer layer and an electron transport layer |
CN106654030A (en) * | 2016-12-14 | 2017-05-10 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | Organic light-emitting display panel and device |
CN106784355B (en) * | 2016-12-29 | 2019-10-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Laminated organic electroluminescent device |
CN106953020B (en) * | 2016-12-30 | 2020-02-07 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | Organic light-emitting display device and organic light-emitting display device |
CN110785867B (en) | 2017-04-26 | 2023-05-02 | Oti照明公司 | Method for patterning a surface coating and apparatus comprising a patterned coating |
US11456435B2 (en) * | 2017-07-13 | 2022-09-27 | Joled Inc. | Organic electroluminescent element, organic electroluminescent unit, and electronic apparatus |
CN108346748B (en) * | 2017-08-04 | 2019-03-29 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | Charge generation layer, electroluminescent device and preparation method thereof |
CN107611270B (en) * | 2017-08-10 | 2019-05-03 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | A kind of OLED luminescent device, display panel and display device |
CN109427987B (en) * | 2017-09-05 | 2023-04-07 | 三星电子株式会社 | Organic light emitting device |
JP6855362B2 (en) * | 2017-10-27 | 2021-04-07 | 株式会社Joled | Organic electroluminescent devices, organic electroluminescent devices and electronic devices |
US11751415B2 (en) | 2018-02-02 | 2023-09-05 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
CN108461638B (en) * | 2018-02-27 | 2020-06-23 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | Organic electroluminescent device, preparation method thereof and display device |
JP6633716B1 (en) * | 2018-10-26 | 2020-01-22 | 株式会社Joled | Organic EL element, method of manufacturing organic EL element, and organic EL panel, method of manufacturing organic EL panel, organic EL display device, and electronic device |
KR20200072124A (en) * | 2018-12-12 | 2020-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode and Organic light emitting display device including the same |
US11730012B2 (en) | 2019-03-07 | 2023-08-15 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
WO2020212799A1 (en) * | 2019-04-19 | 2020-10-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device, display module, and electronic device |
CN112542489A (en) * | 2019-09-20 | 2021-03-23 | 创王光电股份有限公司 | Light emitting element |
US11508928B2 (en) | 2019-11-29 | 2022-11-22 | Joled Inc. | Self-luminous element and self-luminous display panel |
CN111129326B (en) * | 2019-12-23 | 2020-09-25 | 陕西莱特光电材料股份有限公司 | Organic electroluminescent device and electronic apparatus |
CN113594381B (en) * | 2020-08-14 | 2023-01-31 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | Light emitting device, method of manufacturing the same, and light emitting apparatus |
CN111987236B (en) * | 2020-09-02 | 2024-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | Light emitting device |
CN112397666B (en) * | 2020-11-13 | 2022-07-01 | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 | Laminated OLED device and display device comprising same |
JP2023553379A (en) | 2020-12-07 | 2023-12-21 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | Patterning of conductive deposited layer using nucleation suppressing coating and base metal coating |
CN113707823A (en) * | 2021-08-30 | 2021-11-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display device and display panel |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070027796A (en) * | 2005-08-29 | 2007-03-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic electro-luminescence display employing multi luminescence layer |
KR20100037572A (en) * | 2008-10-01 | 2010-04-09 | 주식회사 엘지화학 | Organic light emitting device and method for fabricating the same |
KR20120016028A (en) * | 2010-08-13 | 2012-02-22 | 주식회사 엘지화학 | Organic electroluminescent device and method for fabricating the same |
KR20120027157A (en) * | 2009-04-03 | 2012-03-21 | 글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨 | Tandem white oled with efficient electron transfer |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4683829B2 (en) | 2003-10-17 | 2011-05-18 | 淳二 城戸 | Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof |
US7030554B2 (en) | 2004-02-06 | 2006-04-18 | Eastman Kodak Company | Full-color organic display having improved blue emission |
JP4785483B2 (en) | 2004-09-30 | 2011-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | LIGHT EMITTING ELEMENT AND DISPLAY DEVICE |
WO2006035952A1 (en) | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and display device using the same |
US7560862B2 (en) * | 2004-10-22 | 2009-07-14 | Eastman Kodak Company | White OLEDs with a color-compensated electroluminescent unit |
JP4915650B2 (en) * | 2006-08-25 | 2012-04-11 | パナソニック株式会社 | Organic electroluminescence device |
JP2009055010A (en) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Fujifilm Corp | Organic electroluminescent device |
WO2009139607A2 (en) | 2008-05-16 | 2009-11-19 | 주식회사 엘지화학 | Stacked organic light-emitting diode |
JP5551344B2 (en) | 2008-05-23 | 2014-07-16 | ローム株式会社 | Organic EL device |
JP2010027761A (en) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Toray Ind Inc | Light emitting element |
KR20100043994A (en) * | 2008-10-21 | 2010-04-29 | 경희대학교 산학협력단 | Organic light emitting diode and method for fabricating the same |
JP5759669B2 (en) * | 2008-12-01 | 2015-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND LIGHTING DEVICE |
CN101447555B (en) * | 2008-12-29 | 2012-01-25 | 中国科学院长春应用化学研究所 | Laminated organic electro-luminescent device of an organic semiconductor-based hetero-junction electric-charge generating layer taken as a connecting layer and preparation method thereof |
US20120007071A1 (en) | 2009-03-17 | 2012-01-12 | Mun-Kyu Joo | Organic light-emitting device, and method for manufacturing same |
US8603642B2 (en) | 2009-05-13 | 2013-12-10 | Global Oled Technology Llc | Internal connector for organic electronic devices |
KR101750301B1 (en) | 2009-05-29 | 2017-06-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
US8389979B2 (en) | 2009-05-29 | 2013-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
JP5778148B2 (en) * | 2009-08-04 | 2015-09-16 | メルク パテント ゲーエムベーハー | Electronic devices containing polycyclic carbohydrates |
JP5960047B2 (en) | 2010-02-23 | 2016-08-02 | コニカミノルタ株式会社 | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same |
CN102201541B (en) * | 2010-03-23 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | Light-emitting component, light-emitting device, electronic equipment and lighting device |
KR101182446B1 (en) | 2010-04-02 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
KR102098563B1 (en) | 2010-06-25 | 2020-04-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Light-emitting element, light-emitting device, display, and electronic device |
KR20120010438A (en) | 2010-07-26 | 2012-02-03 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Organic light emitting device |
JP2012094301A (en) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Dainippon Printing Co Ltd | Organic electroluminescent panel sealing substrate and organic electroluminescent panel |
-
2013
- 2013-05-31 KR KR1020130062387A patent/KR101653212B1/en active IP Right Grant
- 2013-05-31 CN CN201380024222.0A patent/CN104272488B/en active Active
- 2013-05-31 WO PCT/KR2013/004787 patent/WO2013180503A1/en active Application Filing
- 2013-05-31 EP EP13797765.8A patent/EP2752907B1/en active Active
- 2013-05-31 US US14/404,596 patent/US9831457B2/en active Active
- 2013-05-31 JP JP2015514907A patent/JP5973661B2/en active Active
- 2013-05-31 TW TW102119492A patent/TWI622196B/en active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070027796A (en) * | 2005-08-29 | 2007-03-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic electro-luminescence display employing multi luminescence layer |
KR20100037572A (en) * | 2008-10-01 | 2010-04-09 | 주식회사 엘지화학 | Organic light emitting device and method for fabricating the same |
KR20120027157A (en) * | 2009-04-03 | 2012-03-21 | 글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨 | Tandem white oled with efficient electron transfer |
KR20120016028A (en) * | 2010-08-13 | 2012-02-22 | 주식회사 엘지화학 | Organic electroluminescent device and method for fabricating the same |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101944483B1 (en) * | 2013-12-26 | 2019-01-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
KR20150075674A (en) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 주식회사 엘지화학 | Organic light emitting device |
KR20160008946A (en) * | 2014-07-14 | 2016-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
KR101589699B1 (en) * | 2014-07-25 | 2016-02-01 | 건국대학교 산학협력단 | Organic light emitting device and method thereof |
KR20160031985A (en) * | 2014-09-15 | 2016-03-23 | 주식회사 엘지화학 | Organic light emitting device |
KR20170057306A (en) * | 2014-09-19 | 2017-05-24 | 노발레드 게엠베하 | Organic light-emitting diode including an electron transport layer stack comprising different lithium compounds and elemental metal |
KR20220013006A (en) * | 2014-09-19 | 2022-02-04 | 노발레드 게엠베하 | Organic light-emitting diode including an electron transport layer stack comprising different lithium compounds and elemental metal |
US9673413B2 (en) | 2014-12-08 | 2017-06-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device and display apparatus including the same |
WO2016111535A1 (en) * | 2015-01-05 | 2016-07-14 | 코닝정밀소재 주식회사 | Tandem organic light-emitting element |
US10256439B2 (en) | 2015-01-05 | 2019-04-09 | Corning Precision Materials Co., Ltd. | Tandem organic light-emitting element |
KR20160132615A (en) * | 2015-05-11 | 2016-11-21 | 주식회사 엘지화학 | Stacked organic light emitting device |
KR20160150185A (en) * | 2015-06-18 | 2016-12-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
US10305059B2 (en) | 2015-10-28 | 2019-05-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
US9997733B2 (en) | 2015-10-28 | 2018-06-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
US10665810B2 (en) | 2015-10-28 | 2020-05-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
US11264583B2 (en) | 2015-10-28 | 2022-03-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
US11737299B2 (en) | 2015-10-28 | 2023-08-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
KR20170063251A (en) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode |
US10680195B2 (en) | 2016-03-10 | 2020-06-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
US11258029B2 (en) | 2016-03-10 | 2022-02-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Light-emitting device |
KR20180007735A (en) * | 2016-07-13 | 2018-01-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
KR20180044832A (en) * | 2016-10-24 | 2018-05-03 | 주식회사 엘지화학 | Organic light emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI622196B (en) | 2018-04-21 |
JP5973661B2 (en) | 2016-08-23 |
US20150144897A1 (en) | 2015-05-28 |
WO2013180503A1 (en) | 2013-12-05 |
JP2015518287A (en) | 2015-06-25 |
US9831457B2 (en) | 2017-11-28 |
KR101653212B1 (en) | 2016-09-01 |
CN104272488A (en) | 2015-01-07 |
CN104272488B (en) | 2017-09-08 |
EP2752907A4 (en) | 2015-07-29 |
EP2752907A1 (en) | 2014-07-09 |
EP2752907B1 (en) | 2019-07-17 |
TW201421760A (en) | 2014-06-01 |
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---|---|---|
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