KR20130135064A - Oxide semiconductor target, and method of manufacturing thin-film transistor using the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a target for oxide semiconductor sputtering, a thin film transistor having an active layer, and a display device and, more specifically, to a target for oxide semiconductor sputtering, a thin film transistor having an active layer, and a display device having high electron mobility and reliability. The present invention provides the target for the oxide semiconductor sputtering which is used for a sputtering process for depositing the active layer of the thin film transistor, the thin film transistor having the active layer, and the display device. The target comprises a material based on an In, Sn, Ga, and O composition.

Description

산화물 반도체 스퍼터링용 타겟, 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조방법{OXIDE SEMICONDUCTOR TARGET, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR USING THE SAME}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a target for sputtering oxide semiconductor, and a method of manufacturing a thin film transistor using the same. BACKGROUND OF THE INVENTION [0002]

본 발명은 산화물 반도체 스퍼터링용 타겟, 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 높은 전자 이동도와 소자 구동 신뢰성을 갖는 박막을 증착하기 위한 산화물 반도체 스퍼터링용 타겟 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a target for sputtering oxide semiconductor, and a method of manufacturing a thin film transistor using the same, and more particularly, to a target for sputtering oxide semiconductor for depositing a thin film having high electron mobility and device driving reliability and a thin film transistor manufacturing method using the same. .

박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)는 SRAM이나 ROM에도 응용되지만, 주로 능동 행렬형 평판 디스플레이(active matrix flat panel display)의 화소(pixel) 스위칭 소자로 사용되는데, 예를 들어, 액정 디스플레이나 유기 발광 디스플레이의 스위치 소자나 전류 구동 소자로 사용되고 있다. 여기서, 스위칭 소자로 사용되는 박막 트랜지스터는 개별 화소를 독립적으로 제어할 수 있도록 하여 각 화소가 각기 다른 전기 신호를 표현할 수 있도록 하는 역할을 한다.Thin film transistors (TFTs) are also applied to SRAMs and ROMs, but they are mainly used as pixel switching devices in active matrix flat panel displays. For example, liquid crystal displays or organic light emitting displays And is used as a switching element or a current driving element of a display. Here, the thin film transistor used as a switching element is capable of independently controlling individual pixels, so that each pixel can display different electric signals.

현재, 액정 디스플레이나 유기 발광 디스플레이는 모두 실리콘에 기반한 액티브층을 가지는 박막 트랜지스터를 사용하고 있다. 그러나 액정 디스플레이에 사용되는 비정질 실리콘(amorphous Si)의 경우 대략 0.5㎠/Vs 정도의 낮은 전자 이동도(mobility)로 인한 낮은 동작 속도와 불안정(instability)한 특성 때문에 대면적 고해상도/고속구동 디스플레이 구현에 한계가 있다. 그리고 유기 전계 발광 디스플레이에 사용되는 다결정 실리콘(poly-Si)의 경우 엑시머 레이저(excimer laser)를 통하여 결정화시키기 때문에, 전자 이동도를 비롯한 TFT 소자 특성이 비정질 실리콘보다 우수한 성능을 나타내지만 대면적 제조가 불가능한 단점이 있다.Currently, liquid crystal displays and organic light emitting displays all use thin film transistors having an active layer based on silicon. However, the amorphous Si used in liquid crystal displays has a low operating speed and instability due to low mobility of about 0.5 cm 2 / Vs, resulting in a large-area high-resolution / high-speed driving display There is a limit. In the case of polycrystalline silicon (poly-Si) used in an organic electroluminescent display, crystallization is carried out through an excimer laser. Thus, the TFT device characteristics including electron mobility exhibit superior performance to that of amorphous silicon, There are disadvantages that are impossible.

최근, 이에 대한 해결책으로 산화물 기반의 액티브층을 갖는 박막 트랜지스터가 차세대 디스플레이 장치의 구동 소자로 많은 관심을 받고 있으나 실제 공정 상에서는 낮은 수율과 소자 구동 신뢰성으로 인해 상용화에 어려움을 겪고 있으며, 다결정 실리콘 대비 낮은 전자 이동도로 인해 차세대 대면적/고해상도/고속구동 디스플레이에 적용이 어려운 실정이다.In recent years, a thin film transistor having an oxide-based active layer has been attracting much attention as a driving element of a next-generation display device as a solution to this problem, but it has been difficult to commercialize it due to its low yield and device driving reliability in actual processes, It is difficult to apply it to next-generation large-area / high-resolution / high-speed driving displays due to the electron mobility.

본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 높은 전자 이동도와 소자 구동 신뢰성을 갖는 박막을 증착하기 위한 산화물 반도체 스퍼터링용 타겟, 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an oxide semiconductor sputtering target for depositing a thin film having high electron mobility and device driving reliability and a thin film transistor Method.

이를 위해, 본 발명은, 박막, 특히 박막 트랜지스터의 액티브층을 증착시키기 위한 스퍼터링 공정에 사용되는 타겟에 있어서, In, Sn, Ga, O 조성을 기반으로 하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 스퍼터링용 타겟을 제공한다.To this end, the present invention is directed to a target for use in a sputtering process for depositing a thin film, particularly an active layer of a thin film transistor, comprising a material based on an In, Sn, Ga, Provide the target.

여기서, 산화 갈륨, 산화 주석 및 산화 인듐으로 이루어지되, (In+Ga+Sn)에 대하여 In이 60~70at.%, Ga이 10~25at.% 및 Sn이 5~30at.%의 함량 비율로 이루어질 수 있다.Herein, gallium oxide, tin oxide and indium oxide are used, wherein the content of In is 60 to 70 at.%, The content of Ga is 10 to 25 at.% And the content of Sn is 5 to 30 at. Lt; / RTI >

한편, 본 발명은, 상기 산화물 반도체 타겟을 이용하여 액티브층을 증착하는 것을특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법을 제공한다. 이러한 박막 트랜지스터는 디스플레이 장치, 예컨대 액정 디스플레이 장치, 유기발광 디스플레이 장치, 등에 사용될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a thin film transistor, wherein an active layer is deposited using the oxide semiconductor target. Such a thin film transistor can be used for a display device such as a liquid crystal display device, an organic light emitting display device, and the like.

본 발명에 따르면, In, Sn, Ga, O 조성을 기반으로 하는 4성분계 반도체 물질로 타겟을 형성하고, 이를 통해 박막 트랜지스터의 액티브층을 증착시킴으로써, 종래 In, Ga, Zn, O 조성을 기반으로 하는 4성분계 반도체 물질로 형성된 액티브층보다 높은 전자 이동도와 소자 구동 신뢰성을 나타낼 수 있어 박막 트랜지스터 및 이를 구비하는 디스플레이 장치의 성능을 향상시킴과 아울러, 박막 트랜지스터의 제조 수율 또한 향상시킬 수 있다.According to the present invention, a target is formed of a quaternary semiconductor material based on In, Sn, Ga, and O compositions, and an active layer of a thin film transistor is deposited thereon. It is possible to exhibit higher electron mobility and device driving reliability than the active layer formed of the component-based semiconductor material, thereby improving the performance of the thin film transistor and the display device having the thin film transistor and improving the manufacturing yield of the thin film transistor.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 트랜지스터를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 트랜지스터와 종래기술에 따른 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 드레인 전류를 보여주는 그래프.
도 3은 본 발명에 있어, 타겟의 인듐 함량에 따른 소자의 전자 이동도를 보여주는 그래프이다.
도 4는 도 3의 박막의 특성을 분류한 결과를 보여준다.
도 5는 도체 박막, 반도체 특성을 나타내기는 하나 그 특성이 열악하여 박막 트랜지스터의 액티브층으로 사용되기에는 부적합한 박막 및 우수한 특성을 나타내는 반도체 박막을 갖는 박막 트랜지스터에 있어, Vg에 따른 Id의 변화를 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명에 있어, 타겟의 갈륨 함량에 따른 TFT 소자 구동 신뢰성을 보여주는 도면이다.1 is a cross-sectional view of a thin film transistor according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a graph showing a drain current according to gate voltages of a thin film transistor according to an embodiment of the present invention and a conventional thin film transistor. FIG.
3 is a graph showing the electron mobility of the device according to the indium content of the target in the present invention.
Fig. 4 shows the result of classifying the characteristics of the thin film of Fig.
5 shows a thin film transistor having a thin film transistor which exhibits semiconductor characteristics but is poor in its characteristics and thus is unsuitable for use as an active layer of a thin film transistor and has a semiconductor thin film exhibiting excellent characteristics. FIG.
6 is a graph showing the driving reliability of the TFT device according to the gallium content of the target in the present invention.

이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 산화물 반도체 스퍼터링용 타겟, 이를 통해 증착된 액티브층을 갖는 박막 트랜지스터 및 이를 구비하는 디스플레이 장치에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a target for sputtering oxide semiconductor, a thin film transistor having an active layer deposited thereon, and a display device having the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
In addition, in describing the present invention, when it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 트랜지스터를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a thin film transistor according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시 예에 따른 산화물 반도체 스퍼터링용 타겟은, 도 1에 도시한 바와 같은 박막 트랜지스터(100)의 액티브층(130)을 증착시키기 위한 스퍼터링(sputtering) 공정에 사용되는 타겟이다. 여기서, 스퍼터링은 플라즈마 입자를 타겟에 빠른 속도로 충돌시켜, 튀어나오는 타겟의 입자를 타겟의 맞은 편에 있는 기판 위에 증착시키는 방법이다.The oxide semiconductor sputtering target according to the embodiment of the present invention is a target used in a sputtering process for depositing the active layer 130 of the thin film transistor 100 as shown in FIG. Here, sputtering is a method of rapidly colliding plasma particles to a target, and depositing the protruding target particles on the substrate opposite the target.

본 발명의 실시 예에서, 이러한 산화물 반도체 타겟은 In, Sn, Ga, O 조성을 기반으로 하는 물질로 이루어지는데, 예를 들어, 산화 갈륨, 산화 주석 및 산화 인듐으로 이루어질 수 있다. 이때, (In+Ga+Sn)에 대하여 In이 60~70at.%, Ga이 10~25at.% 및 Sn이 5~30at.%의 함량 비율로 이루어질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the oxide semiconductor target is made of a material based on In, Sn, Ga, O composition such as gallium oxide, tin oxide and indium oxide. In this case, the content of In may be 60 to 70 at.%, The content of Ga may be 10 to 25 at.%, And the content of Sn may be 5 to 30 at.% Relative to (In + Ga + Sn).

도 1은 바텀 케이트 구조의 박막 트랜지스터를 예시하고 있으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 본 발명의 스퍼터링용 타겟은 탑 게이트 구조의 박막 트랜지스터 등 다양한 구조의 박막 트랜지스터의 박막 증착에 사용될 수 있다. FIG. 1 illustrates a Bottom gate structure thin film transistor, but the present invention is not limited thereto. For example, the sputtering target of the present invention can be used for thin film deposition of thin film transistors of various structures such as a top gate structure thin film transistor.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 트랜지스터와 종래기술에 따른 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 on current를 보여주는 그래프이다.2 is a graph showing on-current according to gate voltages of a thin film transistor according to an embodiment of the present invention and a conventional thin film transistor.

이와 같이, In, Sn, Ga, O 조성을 기반으로 하는 물질로 산화물 반도체 타겟을 형성하고, 이를 사용하여 스퍼터링 공정을 통해 박막 트랜지스터(100)의 액티브층(130)을 증착시키면, 도 2에 나타낸 바와 같이, In, Sn, Ga, O 조성을 기반으로 하는 물질로 이루어진 산화물 반도체 타겟을 통해 액티브층이 증착된 박막 트랜지스터(a)는 종래의 In, Ga, Zn, O 조성을 기반으로 하는 4성분계 반도체 물질로 형성된 액티브층을 갖는 박막 트랜지스터(b)와 비교하여, 고전압 구간 (Vg > Vth) 에서는 대략 10배 정도 높은 드레인 전류를 나타냄에 따라 높은 on-off switching ratio 를 나타내며, switching 소자의 주요 특성인 subthreshold swing (V/dec)이 낮음에 따라 더욱 빠르게 switching 가능함을 확인할 수 있다.When an oxide semiconductor target is formed using a material based on the composition of In, Sn, Ga, and O and the active layer 130 of the thin film transistor 100 is deposited through the sputtering process, as shown in FIG. 2 Similarly, a thin film transistor (a) in which an active layer is deposited through an oxide semiconductor target made of a material based on In, Sn, Ga, or O composition is a quaternary semiconductor material based on a conventional In, Ga, Zn, As compared with the thin film transistor (b) having the active layer formed, the on-off switching ratio exhibits a high on-off switching ratio of about 10 times in the high voltage section (Vg> Vth) (V / dec) is low.

도 3은 본 발명에 있어, 타겟의 인듐 함량에 따른 박막의 전자 이동도를 보여주는 그래프이고, 도 4는 도 3의 박막의 특성을 분류한 결과를 보여준다. 또한, 도 5는 도체 박막, 반도체 특성을 나타내기는 하나 그 특성이 열악하여 박막 트랜지스터의 액티브층으로 사용되기에는 부적합한 박막 및 우수한 특성을 나타내는 반도체 박막을 액티브층으로 사용한 박막 트랜지스터에 있어, Vg에 따른 Id의 변화를 보여주는 도면이다.FIG. 3 is a graph showing the electron mobility of the thin film according to the indium content of the target according to the present invention, and FIG. 4 shows the result of classifying the characteristics of the thin film of FIG. FIG. 5 shows a thin film transistor, which exhibits a semiconductor characteristic but is poor in its characteristics and thus is unsuitable for use as an active layer of a thin film transistor, and a thin film transistor in which a semiconductor thin film exhibiting excellent characteristics is used as an active layer. Id. ≪ / RTI >

도시한 바와 같이, In이 60at.% 미만인 타겟을 이용하여 증착된 박막은, 반도체 특성을 나타내기는 하나, 전자 이동도가 낮아 박막 트랜지스터의 액티브층으로 사용되기에는 부적합하다. 또한, In이 70at.%를 초과한 타겟을 이용하여 증착된 박막은, 전자 이동도가 낮거나 도체 특성을 나타내어, 박막 트랜지스터의 액티브층으로 사용될 수 없다. 반면, In이 60~70at.% 인 타겟을 이용하여 증착된 박막은 우수한 전자 이동도를 나타낸다. 이로부터, 본 발명의 액티브층을 성막하기 위한 타겟의 In의 함량은 60~70at.%인 것이 바람직함을 알 수 있다. 본 발명의 박막은 바람직하게는 적어도 30cm2/V·s 의 전자 이동도 값을 갖는다. As shown in the figure, a thin film deposited using a target having In less than 60 at.% Shows a semiconductor characteristic, but has a low electron mobility and is therefore unsuitable for use as an active layer of a thin film transistor. In addition, a thin film deposited using a target containing In in an amount of more than 70 at.% Can not be used as an active layer of a thin film transistor because of low electron mobility or conductor characteristics. On the other hand, the thin film deposited using a target having 60 to 70 atom% of In shows excellent electron mobility. From this, it can be seen that the content of In in the target for forming the active layer of the present invention is preferably 60 to 70 at.%. The thin film of the present invention preferably has an electron mobility value of at least 30 cm 2 / V · s.

액티브층이 도체 특성을 나타내면, 박막 트랜지스터는 게이트 전압에 관계 없이 높은 드레인 전류가 측정되어 threshold voltage(문턱 전압) 을 기준으로 on-off switching을 하는 반도체 소자 특성 구현을 하지 못한다. 반도체로 사용되기에 부적합한 박막을 액티브층으로 사용한 박막 트랜지스터는, 게이트 전압에 따라 드레인 전류의 변화가 있으나 그 차가 크지 않고, threshold voltage 이하의 게이트 접압에서 높은 누설 전류가 발생되어 스위칭 소자로서 열악한 성능을 나타낸다. 한편, 우수한 반도체 특성을 나타내는 박막을 액티브층으로 사용한 박막 트랜지스터는, 게이트 전압에 따라 큰 차의 드레인 전류 변화를 수반하므로, 스위칭 소자로서 우수한 성능을 나타낸다.If the active layer exhibits the conductor characteristics, the thin film transistor can not realize the characteristics of a semiconductor device that measures a high drain current regardless of the gate voltage and performs on-off switching based on the threshold voltage (threshold voltage). Thin film transistors using a thin film as an active layer unsuitable for use as a semiconductor have drain currents varying depending on the gate voltage, but the difference is not large and a leakage current is generated at a gate voltage lower than a threshold voltage, . On the other hand, a thin film transistor in which a thin film exhibiting excellent semiconductor characteristics is used as an active layer exhibits excellent performance as a switching element because it involves a large difference in drain current depending on the gate voltage.

도 6은 본 발명에 있어, 타겟의 갈륨 함량에 따른 소자의 소자 구동신뢰성을 보여주는 도면이다.6 is a graph showing device driving reliability of a device according to a gallium content of a target in the present invention.

도시한 바와 같이, 타겟의 갈륨의 함량이 10~25 at.%이면, 그로부터 성막된 박막은 높은 신뢰성을 가져, 박막 트랜지스터의 액티브층으로 사용되기에 바람직하다. 여기서, 소자 구동 신뢰성은 일정 시간동안 소자에 열, 빛, bias 복합 스트레스를 준 후 문턱 전압(Vth)의 변화를 측정하여, 그 변화가 적으면 높은 신뢰성을 나타낸다.
As shown in the figure, if the content of gallium in the target is 10 to 25 at.%, The thin film formed therefrom has high reliability and is preferable to be used as the active layer of the thin film transistor. Here, the device driving reliability measures the change of the threshold voltage (V th ) after giving a combined stress of heat, light, and bias to the device for a certain period of time, and shows a high reliability when the change is small.

이와 같은 조성과 함량비로 이루어진 타겟은 산화 갈륨 분말, 산화 주석 분말 및 산화 인듐 분말을 상기 함량비에 맞게 혼합한 다음 건식가압성형(cold press), 슬립 캐스팅(slip casting), 필터 프레스(filter press), 정수압 성형(cold isostatic press), 겔 캐스팅(gel casting), 강제침강(centrifugal sedimentation), 자연침강(gravimetric sedimentation) 등의 성형법을 통해 성형한 후 이에 대한 소결을 통해 제조될 수 있다. 아울러, 이와 같이 제조된 타겟은 예컨대, 금속재로 이루어진 백킹 플레이트(backing plate)와 접합되어 지지된 상태로 스퍼터링 공정에 사용될 수 있다.The target composed of the composition and the content ratio is prepared by mixing gallium oxide powder, tin oxide powder and indium oxide powder according to the above-mentioned content ratio, followed by dry pressing, slip casting, filter press, Such as a cold isostatic press, a gel casting, a centrifugal sedimentation, or a gravimetric sedimentation, and then sintering the same. In addition, the target thus manufactured may be used in a sputtering process while being bonded to a backing plate made of, for example, a metal.

한편, 본 발명의 실시 예에 따른 산화물 반도체 타겟을 사용하여 증착시킨 액티브층(130)을 포함하는 박막 트랜지스터(100)는 액정 디스플레이나 유기 발광 디스플레이의 스위칭 소자나 전류 구동 소자로 사용된다. 이러한 박막 트랜지스터(100)는 게이트 전극(110), 게이트 절연막(120), 액티브층(130), 소스 전극(140) 및 드레인 전극(150)을 포함하여 형성된다.
The thin film transistor 100 including the active layer 130 deposited using an oxide semiconductor target according to an embodiment of the present invention is used as a switching element or a current driving element of a liquid crystal display or an organic light emitting display. The thin film transistor 100 includes a gate electrode 110, a gate insulating film 120, an active layer 130, a source electrode 140, and a drain electrode 150.

한편, 기판(10)은 박막 트랜지스터(100)를 위한 열역학적 및 기계적 요구사항을 만족시킬 수 있는 유리, 반도체 웨이퍼(semiconductor wafer), 금속 산화물, 세라믹 물질, 플라스틱 등이 사용될 수 있다. 특히, 기판(10)은 유리 또는 플라스틱인 것이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
The substrate 10 may be a glass, a semiconductor wafer, a metal oxide, a ceramic material, a plastic, or the like, which can satisfy the thermodynamic and mechanical requirements for the thin film transistor 100. In particular, the substrate 10 is preferably glass or plastic, but is not limited thereto.

게이트 전극(110)은 기판(10) 상에 형성되는데, 디스플레이 장치에 적용되는 경우, 기판(10) 상에 제1 방향, 예컨대, 가로 방향을 따라 배열되는 게이트 라인(미도시)으로부터 분기되어 형성된다. 이러한 게이트 전극(110)에는 박막 트랜지스터(100)를 온/오프하기 위한 전압이 인가된다. 이를 위해, 게이트 전극(110)은 금속, 또는 금속 산화물과 같은 전도성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(110)은 Pt, Ru, Au, Ag, Mo, Al, W 또는 Cu와 같은 금속 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 금속 또는 전도성 산화물로 형성될 수 있다. 즉, 게이트 전극(110)은 기판(10) 상에 상기의 전도성 물질을 박막으로 증착한 후 이를 패터닝하여 형성되는데, 게이트 라인(미도시)과 한 공정을 통해 동시에 형성된다.The gate electrode 110 is formed on the substrate 10. When applied to a display device, the gate electrode 110 is formed on the substrate 10 by being branched from a gate line (not shown) arranged in a first direction, do. A voltage for turning on / off the thin film transistor 100 is applied to the gate electrode 110. For this purpose, the gate electrode 110 may be formed of a conductive material such as a metal or a metal oxide. For example, the gate electrode 110 may be formed of a metal such as Pt, Ru, Au, Ag, Mo, Al, W or Cu or a metal or conductive oxide such as IZO (Indium Zinc Oxide) or ITO (Indium Tin Oxide) . That is, the gate electrode 110 is formed by depositing the conductive material as a thin film on the substrate 10 and then patterning the same by a process with a gate line (not shown).

이러한 게이트 전극(110)은 확산 방지막(미도시) 및 확산 방지막(미도시)에 증착된 구리막의 구조로 이루어질 수 있다. 확산 방지막(미도시)은 구리 원자가 기판(10)으로 확산되는 것을 방지하여, 구리의 결합력 및 전기적 특성을 향상시키기 위한 것으로, 티타늄, 탄탈늄, 몰리브덴, 크롬, 니켈 또는 백금 중 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
The gate electrode 110 may have a structure of a copper film deposited on a diffusion prevention film (not shown) and a diffusion prevention film (not shown). The diffusion preventing film (not shown) is formed to prevent copper atoms from diffusing into the substrate 10 and to improve the bonding force and electrical characteristics of copper. The diffusion preventing film includes any one of titanium, tantalum, molybdenum, chromium, Lt; / RTI >

게이트 절연막(120)은 통상적인 반도체 소자에 사용되는 절연 물질로 형성될 수 있는데, 특히, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(120)은 SiO2 또는 SiO2보다 유전율이 높은 High-K 물질인 HfO2, Al2O3, Si3N4 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다.
The gate insulating film 120 may be formed of an insulating material used in a typical semiconductor device, and may be formed of silicon oxide or silicon nitride in particular. For example, the gate insulating film 120 may be made of SiO 2 or HfO 2 , Al 2 O 3 , Si 3 N 4, or a mixture thereof, which is a high-K material having a higher dielectric constant than SiO 2 .

액티브층(130)은 게이트 전극(110)에 상응되는 게이트 절연막(120) 상에 형성되어 채널 영역(CH)을 구비한다. 그리고 본 발명의 실시 예에서, 액티브층(130)은 상술한 본 발명의 실시 예에 따른 산화물 반도체 스퍼터링용 타겟 즉, (In+Ga+Sn)에 대하여 In이 60~70at.%, Ga이 10~25at.% 및 Sn이 5~30at.%의 함량 비율로 이루어진 타겟을 이용한 스퍼터링 공정을 통해 게이트 절연막(120) 상에 증착되고, 패터닝되어 형성된다.The active layer 130 is formed on the gate insulating layer 120 corresponding to the gate electrode 110 and has a channel region CH. In the embodiment of the present invention, the active layer 130 is formed by sputtering a target for sputtering oxide semiconductor according to an embodiment of the present invention, that is, (In + Ga + Sn) To 25 at.%, And Sn at a content ratio of 5 to 30 at.%, And is patterned and formed on the gate insulating film 120 through a sputtering process using a target.

이와 같이, 액티브층(130)이 상기의 조성 및 함량비를 갖는 박막으로 이루어지는 종래의 In, Ga, Zn, O 조성을 기반으로 하는 4성분계 반도체 물질로 형성된 액티브층보다 높은 전자 이동도 및 신뢰성을 나타낼 수 있어, 이를 포함하는 박막 트랜지스터(100)의 성능을 향상시킬 수 있다.
Thus, the active layer 130 exhibits higher electron mobility and reliability than the active layer formed of the four-component semiconductor material based on the conventional composition of In, Ga, Zn, O composed of a thin film having the above composition and content ratio And the performance of the thin film transistor 100 including the same can be improved.

소스 전극(140) 및 드레인 전극(150)은 액티브층(130) 상에 이격 배열된다. 이러한 소스 전극(140) 및 드레인 전극(150)은 금속 등 도전 물질로 이루어질 수 있고, 게이트 전극(110)과 같이 확산 방지막(미도시) 및 확산 방지막(미도시)에 증착된 구리막의 구조로 이루어질 수 있다.The source electrode 140 and the drain electrode 150 are spaced apart on the active layer 130. The source electrode 140 and the drain electrode 150 may be formed of a conductive material such as a metal and may have a copper film structure such as a diffusion barrier film (not shown) and a diffusion barrier film (not shown) .

소스 전극(140)은 기판(10) 상에서, 게이트 라인(미도시)과 직교하는 제2 방향, 예컨대, 세로 방향을 따라 배열되는 데이터 라인(미도시)과 연결된다. 그리고 드레인 전극(150)은 화소전극(미도시)과 연결된다.The source electrode 140 is connected to a data line (not shown) arranged on the substrate 10 along a second direction perpendicular to the gate line (not shown), for example, a longitudinal direction. The drain electrode 150 is connected to a pixel electrode (not shown).

한편, 액티브층(130)과 소스 및 드레인 전극(140, 150) 사이에는 불순물 반도체층인 오믹 콘택층(135)이 형성될 수 있다. Meanwhile, an ohmic contact layer 135, which is an impurity semiconductor layer, may be formed between the active layer 130 and the source and drain electrodes 140 and 150.

또한, 도 1에는 도시하지 않았지만, 박막 트랜지스터는, 소스 전극 및 드레인 전극의 상부에 형성되는 보호층(미도시), 등을 포함할 수 있다. 보호층으로는 SiO2, SiNx 등의 물질 및 그 외 산화물이 사용될 수 있다.
Though not shown in FIG. 1, the thin film transistor may include a protective layer (not shown) formed on the source electrode and the drain electrode, and the like. As the protective layer, a material such as SiO 2 , SiNx, or the like and other oxides may be used.

이와 같은, 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터(100)는 각종 디스플레이 장치의 스위칭 소자나 전류 구동 소자로 사용된다. 예를 들어, 도시하진 않았지만, 박막 트랜지스터(100)가 서로 대향되게 마주하는 상, 하부 기판과, 그 사이에 개재되어 있는 액정층 및 하부 기판의 배면에 배치되어 전방으로 광을 조사하는 백라이트를 구비하는 액정 디스플레이 장치(LCD)에 사용되는 경우, 박막 트랜지스터(100)는 다수개의 게이트 라인과 데이터 라인이 배열된 하부 기판 중 이들 라인이 교차하여 정의되는 화소(pixel) 영역에 형성된다. 이때, 상부 기판에는 화소 영역에 대응하여 컬러필터가 구비된다. 그리고 상부 기판의 상면에는 액정 디스플레이 장치의 광학적 특성을 보완해주는 광학필름이 배치될 수 있다.The thin film transistor 100 according to the embodiment of the present invention is used as a switching element or a current driving element of various display devices. For example, although not shown, the thin film transistors 100 may include upper and lower substrates facing each other, a liquid crystal layer interposed therebetween, and a backlight disposed on the back surface of the lower substrate to irradiate light forward The thin film transistor 100 is formed in a pixel region where a plurality of gate lines and a data line are arranged and their lines cross each other. At this time, the upper substrate is provided with a color filter corresponding to the pixel region. And an optical film for compensating the optical characteristics of the liquid crystal display device may be disposed on the upper surface of the upper substrate.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터(100)는 액정 디스플레이 장치 외에도 유기 발광 디스플레이 장치(OLED)에도 사용될 수 있다. 이 경우, 박막 트랜지스터(100)는 다수개의 게이트 라인과 데이터 라인이 배열된 하부 기판 중 이들 라인이 교차하여 정의되는 화소(pixel) 영역에 형성된다. 이때, 하부 기판에는 유기발광소자가 형성된다. 이러한 하부 기판과 상부 기판이 합착되어 유기 발광 디스플레이 장치의 유기 발광 패널을 이루게 된다. 여기서, 유기발광소자는 애노드 전극(anode electrode)과 캐소드 전극(cathode electrode) 그리고 이들 사이에 위치하는 정공수송층(hole transporting layer), 발광층(emission layer) 및 전자수송층(electron transporting layer)을 포함한다. 이때, 정공(hole)과 전자(electron)를 좀더 효율적으로 주입하기 위해, 애노드 전극과 정공수송층 사이로 정공주입층(hole injection layer)이, 그리고 전자수송층과 캐소드 전극 사이로 전자주입층(electron injection layer)이 각각 포함될 수 있다. 이에 따라, 애노드 전극으로부터 정공주입층 및 정공수송층을 통해 발광층으로 주입된 정공과, 캐소드 전극으로부터 전자주입층 및 전자수송층을 통해 발광층으로 주입된 전자가 엑시톤(exciton)를 형성하는데, 이 엑시톤은 정공과 전자 사이의 에너지 갭(gap)에 해당하는 빛을 발광하게 된다. 이때, 애노드 전극은 일함수(work function)가 높고 투명한 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide; ITO)나 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide; IZO)와 같은 물질로, 캐소드 전극은 일함수가 낮고 화학적으로 안정한 알루미늄(Al)이나 칼슘(Ca), 알루미늄 합금과 같은 물질로 이루어질 수 있다.In addition, the thin film transistor 100 according to the embodiment of the present invention can be used in an organic light emitting display device (OLED) in addition to a liquid crystal display device. In this case, the thin film transistor 100 is formed in a pixel region where the plurality of gate lines and the data lines are arranged, the lower substrate being defined by the intersection of these lines. At this time, an organic light emitting device is formed on the lower substrate. The lower substrate and the upper substrate are bonded together to form an organic light emitting panel of the organic light emitting display device. Here, the organic light emitting device includes an anode electrode, a cathode electrode, and a hole transporting layer, an emission layer, and an electron transporting layer disposed between the anode electrode and the cathode electrode. In order to inject holes and electrons more efficiently, a hole injection layer is formed between the anode electrode and the hole transport layer, and an electron injection layer is formed between the electron transport layer and the cathode electrode. Respectively. Accordingly, holes injected from the anode to the light emitting layer through the hole injection layer and the hole transport layer and electrons injected from the cathode to the light emitting layer through the electron injection layer and the electron transport layer form excitons, And emits light corresponding to an energy gap between the electron and the electron. In this case, the anode electrode is made of a material having a high work function and transparent indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) May be made of a material having a low work function and chemically stable such as aluminum (Al), calcium (Ca), or an aluminum alloy.

한편, 유기 발광 디스플레이 장치의 상부 기판 상면에도 이의 광학적 특성을 보완해주는 광학필름이 배치될 수 있다.
An optical film for compensating the optical characteristics of the organic light emitting display device may be disposed on the upper surface of the upper substrate.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. This is possible.

그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the described embodiments, but should be determined by the scope of the appended claims as well as the appended claims.

100: 박막 트랜지스터 110: 게이트 전극
120: 게이트 절연막 130: 액티브층
135: 오믹 콘택층 140: 소스 전극
150: 드레인 전극 10: 기판
CH: 채널 영역100: thin film transistor 110: gate electrode
120: gate insulating film 130: active layer
135: ohmic contact layer 140: source electrode
150: drain electrode 10: substrate
CH: channel area

Claims (6)

박막 트랜지스터의 액티브층을 증착시키기 위한 스퍼터링 공정에 사용되는 스퍼터링용 타겟에 있어서,
In, Sn, Ga, O 조성을 기반으로 하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 스퍼터링용 타겟.A sputtering target for use in a sputtering process for depositing an active layer of a thin film transistor,
An oxide semiconductor sputtering target, comprising a material based on an In, Sn, Ga, O composition. 제1항에 있어서,
산화 갈륨, 산화 주석 및 산화 인듐으로 이루어지되,
(In+Ga+Sn)에 대하여 In이 60~70at.%, Ga이 10~25at.% 및 Sn이 5~30at.% 인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 스퍼터링용 타겟.The method of claim 1,
Gallium oxide, tin oxide and indium oxide,
, Ga is 10 to 25 at.%, And Sn is 5 to 30 at.% For In (Ga + In) + Ga + Sn. 제1항 또는 제2항의 산화물 반도체 스퍼터링용 타겟을 이용하여 액티브층을 증착하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.The thin film transistor manufacturing method of claim 1 or 2, wherein the active layer is deposited using the oxide semiconductor sputtering target. 제3항에 있어서,
상기 액티브층을 증착한 후에, 상기 액티브층을 200~400℃에서 어닐링하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.The method of claim 3,
After depositing the active layer, the active layer is annealed at 200 ~ 400 ℃. 제4항에 있어서,
상기 액티브층을 증착한 후에, 상기 액티브층을 250~350℃에서 어닐링하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.5. The method of claim 4,
After depositing the active layer, the active layer is annealed at 250 ~ 350 ° C. 제3항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터는 액정 디스플레이 장치 또는 유기발광 디스플레이 장치에 구비되는 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.The method of claim 3,
Wherein the thin film transistor is a thin film transistor provided in a liquid crystal display device or an organic light emitting display device.
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