KR20130126370A - Method and apparatus for inspecting via hole - Google Patents

Method and apparatus for inspecting via hole Download PDF

Info

Publication number
KR20130126370A
KR20130126370A KR1020120050462A KR20120050462A KR20130126370A KR 20130126370 A KR20130126370 A KR 20130126370A KR 1020120050462 A KR1020120050462 A KR 1020120050462A KR 20120050462 A KR20120050462 A KR 20120050462A KR 20130126370 A KR20130126370 A KR 20130126370A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
via hole
value
image
maximum value
edge
Prior art date
Application number
KR1020120050462A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101767923B1 (en
Inventor
이활석
Original Assignee
삼성테크윈 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성테크윈 주식회사 filed Critical 삼성테크윈 주식회사
Priority to KR1020120050462A priority Critical patent/KR101767923B1/en
Priority to JP2012266087A priority patent/JP6143445B2/en
Priority to CN201310167190.1A priority patent/CN103389309B/en
Publication of KR20130126370A publication Critical patent/KR20130126370A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101767923B1 publication Critical patent/KR101767923B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/08—Monitoring manufacture of assemblages
    • H05K13/081—Integration of optical monitoring devices in assembly lines; Processes using optical monitoring devices specially adapted for controlling devices or machines in assembly lines
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/08—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring diameters
    • G01B11/12—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring diameters internal diameters
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/10—Segmentation; Edge detection
    • G06T7/168—Segmentation; Edge detection involving transform domain methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8887—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques
    • G01N2021/8893—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques providing a video image and a processed signal for helping visual decision

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Operations Research (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

The present invention relates to a method and an apparatus for inspecting a via hole using a camera. Regarding a method for inspecting a via hole formed in a material, the method for inspecting a via hole of the present invention comprises the following steps: (a) an image is generated by photographing a via hole area; (b) an edge is extracted in the image; (c) a maximum value is detected by performing Hough Transform of the edge; (d) a circle area centering a position having the maximum value is calculated; and (e) the state of the via hole is determined by comparing the maximum value, the position and the circle area with a reference value. [Reference numerals] (411) Image is generated by photographing a via hole area;(421) Edge is extracted in the image;(431) Maximum value is detected by performing Hough Transform of the edge;(441) Circle area centering a position having the maximum value is calculated;(451) Maximum value and circle area are compared to reference values;(461) Fair treatment;(462) Fail treatment;(AA) Start;(BB) Maximum value and circle area > Reference values ?;(CC) End

Description

비아홀을 검사하는 방법 및 장치{Method and apparatus for inspecting via hole}Method and apparatus for inspecting via hole {Method and apparatus for inspecting via hole}

본 발명은 인쇄 회로에 관한 것으로서, 특히 회로가 인쇄된 장치에 형성된 비아홀의 불량 여부를 검사하는 방법 및 장치에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a printed circuit, and more particularly, to a method and apparatus for inspecting whether a via hole formed in a device in which a circuit is printed is defective.

인쇄 회로 기판에는 복수개의 액티브 소자들이 장착되고, 상기 액티브 소자들을 전기적으로 연결시키기 위한 특정한 회로 패턴이 형성된다. 지금까지 회로 패턴은 인쇄 회로 기판의 일면에만 형성되어 사용되었다. 그러나, 최근에는 인쇄 회로 기판의 기능이 복잡해지면서 인쇄 회로 기판의 양면에 회로 패턴이 형성되어 사용되고 있다. 인쇄 회로 기판의 양면에 형성된 회로 패턴들을 전기적으로 연결시키기 위하여 인쇄 회로 기판을 수직으로 관통하는 비아홀(via hole)이 형성된다.A plurality of active elements are mounted on the printed circuit board, and a specific circuit pattern for electrically connecting the active elements is formed. Until now, circuit patterns have been used only on one side of a printed circuit board. However, in recent years, as the function of a printed circuit board becomes complicated, circuit patterns are formed and used on both sides of the printed circuit board. Via holes vertically penetrate the printed circuit board are formed to electrically connect the circuit patterns formed on both sides of the printed circuit board.

이와 같이, 비아홀은 인쇄 회로 기판의 상부의 회로 패턴과 하부의 회로 패턴을 전기적으로 연결시키는 기능을 수행함으로 규정에 맞게 형성되어야 한다. 그런데, 비아홀을 형성하는 과정에서 비아홀이 비정상적으로 형성될 수 있으며, 이러한 비정상적인 비아홀은 인쇄 회로 기판의 오동작을 유발한다. 따라서, 비아홀의 상태가 정상적인지 여부를 검사할 필요가 있다.As such, the via hole should be formed in compliance with the regulations by performing a function of electrically connecting the upper circuit pattern and the lower circuit pattern of the printed circuit board. However, the via hole may be abnormally formed in the process of forming the via hole, and the abnormal via hole causes a malfunction of the printed circuit board. Therefore, it is necessary to check whether the state of the via hole is normal.

인용문헌(일본공개특허 #1993-232039)은 스루홀(through hole)을 갖는 영상 신호를 이진화하고, 이를 분석하여 스루홀을 검사하는 장치를 개시한다. The cited document (Japanese Patent Laid-Open No. # 1993-232039) discloses an apparatus for binarizing an image signal having a through hole, and analyzing the same to inspect the through hole.

본 발명은 비아홀을 촬영하여 생성된 영상을 분석하여 비아홀의 상태를 정확하게 판단하는 비아홀 검사 방법 및 장치를 제공한다. The present invention provides a via hole inspection method and apparatus for accurately determining a state of a via hole by analyzing an image generated by photographing a via hole.

상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은, 소재에 형성된 비아홀(via hole)을 검사하는 방법에 있어서, (a) 상기 비아홀 영역을 촬영하여 영상을 생성하는 단계; (b) 상기 영상에서 엣지(edge)를 추출하는 단계; (c) 상기 엣지를 허프 변환(Hough Transform)하여 최대값을 검출하는 단계; (d) 상기 최대값을 갖는 위치를 중심으로 하는 원의 면적을 산출하는 단계; 및 (e) 상기 최대값과 그 위치 및 상기 원의 면적을 기준값들과 비교하여 상기 비아홀의 상태를 판단하는 단계를 포함하는 비아홀 검사 방법을 제공한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of inspecting a via hole formed in a material, the method comprising: (a) generating an image by photographing the via hole area; (b) extracting an edge from the image; (c) Hough Transforming the edge to detect a maximum value; (d) calculating an area of a circle around the position having the maximum value; And (e) comparing the maximum value, the location thereof, and the area of the circle with reference values to determine a state of the via hole.

상기 촬영된 영상을 이진화하고, 상기 이진화된 데이터에서 엣지 검출 기법을 이용하여 상기 엣지를 추출할 수 있다.The captured image may be binarized, and the edge may be extracted from the binarized data using an edge detection technique.

상기 이진화 과정에서 상기 비아홀의 내부는 가장 낮은 밝기값으로, 상기 비아홀의 외부는 가장 높은 밝기값으로 설정할 수 있다.In the binarization process, the inside of the via hole may be set to the lowest brightness value, and the outside of the via hole may be set to the highest brightness value.

상기 소재는 전기 회로가 형성된 회로기판 및 반도체 칩을 포함할 수 있다.The material may include a circuit board and a semiconductor chip on which an electric circuit is formed.

상기 기준값들은 (a1) 상기 소재에 형성된 기준 비아홀의 위치와 반지름을 설정하는 단계; (a2) 상기 기준 비아홀 영역을 촬영하여 기준 영상을 생성하는 단계; (a3) 상기 기준 영상을 이진화하는 단계; (a4) 상기 이진화된 데이터에서 엣지 검출 기법을 이용하여 엣지를 추출하는 단계; 및 (a5) 상기 엣지를 허프 변환하여 상기 허프 변환된 허프 영상에서 상기 비아홀의 위치와 면적을 산출하여 상기 기준값들로써 설정할 수 있다.The reference values are (a1) setting the position and radius of the reference via hole formed in the material; (a2) generating a reference image by photographing the reference via hole area; (a3) binarizing the reference image; (a4) extracting an edge from the binarized data using an edge detection technique; And (a5) Huff transforming the edge to calculate and set the position and area of the via hole in the Hough transformed huff image.

상기 (a1), (a2) 및 (a3) 단계를 거치지 않고, 상기 비아홀의 위치와 반지름이 표시된 설계 자료를 이용하여 상기 이진화된 데이터를 획득할 수 있다.The binarized data may be obtained using design data in which the position and the radius of the via hole are displayed without passing through the steps (a1), (a2), and (a3).

상기 기준값들은 상기 비아홀의 존재를 표시하는 제1 기준값을 포함하고, 상기 최대값이 상기 제1 기준값보다 작으면 상기 비아홀이 없다고 판단하여 불량처리한다.The reference values include a first reference value indicating the presence of the via hole. If the maximum value is less than the first reference value, the reference value is determined to be non-via hole and is defective.

이 때, 상기 비아홀의 내부에서 낮은 이진화 값을 갖는 화소들의 개수를 계수하고, 상기 최대값이 상기 제1 기준값보다 작고, 상기 비아홀의 내부에서 낮은 이진화 값을 갖는 화소들의 개수가 제로일 때, 상기 비아홀이 없다고 판단할 수 있다. In this case, the number of pixels having a low binarization value inside the via hole is counted, and when the maximum value is smaller than the first reference value and the number of pixels having a low binarization value inside the via hole is zero, the It can be determined that there is no via hole.

상기 기준값들은 상기 비아홀의 면적의 초과 상태를 판단하기 위하여 정해놓은 제2 기준값을 포함하고, 상기 최대값이 상기 제2 기준값보다 크면 상기 비아홀은 규정보다 넓다고 판단하여 불량처리한다.The reference values include a second reference value determined to determine an excess state of the area of the via hole, and if the maximum value is larger than the second reference value, the via hole is determined to be wider than a prescribed value and is defectively processed.

상기 기준값들은 상기 비아홀의 면적의 부족 상태를 판단하기 위하여 정해놓은 제3 기준값을 포함하고, 상기 최대값이 상기 제3 기준값보다 작으면 상기 비아홀은 규정보다 좁다고 판단하여 불량처리한다.The reference values include a third reference value determined to determine a lack of area of the via hole, and if the maximum value is smaller than the third reference value, the via hole is determined to be narrower than a prescribed value and is poorly processed.

상기 기준값들은 상기 비아홀의 위치를 판단하기 위하여 정해놓은 제4 기준값을 포함하고, 상기 최대값을 갖는 비아홀의 위치와 기준이 되는 비아홀의 위치의 유클라디안 거리(Euclidean distance)를 제4 기준값과 비교하여 상기 최대값이 상기 제4 기준값보다 크면 상기 비아홀은 규정된 위치를 벗어난 것으로 판단하여 불량처리한다.The reference values include a fourth reference value determined to determine the position of the via hole, and compare the Eucladian distance between the position of the via hole having the maximum value and the position of the reference via hole to the fourth reference value. If the maximum value is larger than the fourth reference value, the via hole is determined to be out of the prescribed position and defectively processed.

상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 비아홀 검사 장치는,In order to solve the above problems, the via hole inspection apparatus of the present invention,

소재에 형성된 비아홀을 검사하는 장치에 있어서, 상기 소재에 형성될 기준 비아홀의 기준값을 저장하는 메모리; 상기 소재가 장착되는 지지대; 상기 지지대에 장착된 소재의 비아홀을 촬영하여 영상을 생성하는 카메라; 상기 카메라로부터 상기 영상을 수신하여 저장하는 영상 입력부; 상기 영상 입력부로부터 상기 영상을 받아서 엣지(edge)를 추출하는 엣지 추출부; 상기 엣지 추출부로부터 전송되는 상기 엣지를 허프 변환(Hough Transform)하여 최대값과 그 위치를 검출하는 허프 변환부; 및 상기 허프 변환부로부터 상기 최대값을 수신하고, 상기 메모리로부터 상기 기준값들을 수신하며, 상기 최대값을 갖는 위치를 중심으로 하는 원의 면적을 산출하고, 상기 최대값과 그 위치 및 상기 원의 면적을 상기 기준값들과 비교하여 상기 비아홀의 상태를 판단하는 비아홀 판단부를 구비한다.An apparatus for inspecting a via hole formed in a workpiece, the apparatus comprising: a memory configured to store a reference value of a reference via hole to be formed in the workpiece; A support on which the material is mounted; A camera for generating an image by photographing a via hole of a material mounted on the support; An image input unit configured to receive and store the image from the camera; An edge extraction unit which receives the image from the image input unit and extracts an edge; A hough transform unit which hough transforms the edge transmitted from the edge extractor to detect a maximum value and a position thereof; And receiving the maximum value from the hough transform unit, receiving the reference values from the memory, calculating an area of a circle centered on the location having the maximum value, the maximum value and the location and the area of the circle. And a via hole determination unit to determine a state of the via hole by comparing the reference values with the reference values.

상기 메모리, 지지대, 카메라 및 제어기를 내장하는 본체를 더 구비할 수 있다.The main body may further include a memory, a support, a camera, and a controller.

상기 카메라를 복수개 구비하여 복수개의 소재들을 동시에 검사할 수 있다.A plurality of cameras may be provided to inspect a plurality of materials at the same time.

본 발명은 카메라로 소재에 형성된 비아홀을 촬영하여 영상을 생성하고, 상기 영상에 나타난 비아홀을 규정에 맞는 기준 비아홀과 비교하여 비아홀의 상태를 판단한다. According to the present invention, a via hole formed in a material is photographed by a camera to generate an image, and the state of the via hole is determined by comparing the via hole shown in the image with a standard via hole that meets the regulations.

따라서, 비아홀의 상태를 정확하게 판단할 수 있고, 또한 비아홀의 불량 여부를 한번에 모두 검출할 수 있다. Therefore, it is possible to accurately determine the state of the via hole, and to detect whether or not the via hole is defective at once.

이와 같이, 비아홀의 불량 여부를 한번에 모두 검출함으로써, 비아홀의 오판이 방지되고, 비아홀의 검사 시간이 단축된다.In this way, by detecting whether or not the via holes are all defective at one time, a mistake of the via holes is prevented and the inspection time of the via holes is shortened.

도 1은 본 발명에 따른 비아홀 검사 장치를 개략적으로 보여준다.
도 2는 도 1에 도시된 제어기의 블록도이다.
도 3은 비아홀이 형성된 회로 기판의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 비아홀 검사 방법을 도시한 흐름도이다.
도 5는 도 4에 도시된 비아홀의 상태를 판단하는 방법을 상세히 도시한 흐름도이다.
도 6은 도 4에 도시된 기준값들을 설정하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 7의 (a)는 비아홀 영역의 영상을 보여주고, 도 7의 (b)는 상기 영상의 일부의 밝기값을 숫자로 표시한 것을 보여준다.
도 8은 영상 영역을 허프 영역으로 변환하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 9는 정상적인 비아홀을 촬영한 영상이 이진화된 상태를 보여준다.
도 10은 비아홀이 형성되지 않은 상태를 촬영한 영상을 보여준다.
도 11은 비아홀이 규정보다 크게 형성된 상태를 촬영한 영상이 이진화된 상태를 보여준다.
도 12는 비아홀이 규정보다 작게 형성된 상태를 촬영한 영상이 이진화된 상태를 보여준다.
도 13은 비아홀이 규정된 위치를 벗어나서 형성된 상태를 촬영한 영상을 보여준다. 1 schematically shows a via hole inspection apparatus according to the present invention.
2 is a block diagram of the controller shown in FIG.
3 is a cross-sectional view of a circuit board on which via holes are formed.
4 is a flowchart illustrating a via hole inspection method according to the present invention.
5 is a flowchart illustrating a method of determining a state of a via hole illustrated in FIG. 4 in detail.
FIG. 6 is a flowchart illustrating a method of setting the reference values shown in FIG. 4.
FIG. 7A shows an image of a via hole area, and FIG. 7B shows a numerical value of a brightness value of a part of the image.
8 is a diagram for describing a method of converting an image region to a huff region.
9 illustrates a state where a normal photographed via hole is binarized.
10 shows an image photographed in a state where a via hole is not formed.
FIG. 11 shows a state in which an image of a state in which a via hole is formed larger than a prescribed value is binarized.
12 illustrates a state in which an image photographing a state in which a via hole is smaller than a prescribed value is binarized.
FIG. 13 shows an image photographing a state in which a via hole is formed out of a prescribed position.

이하, 첨부한 도면들을 참고하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 각 도면에 제시된 참조부호들 중 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements.

도 1은 본 발명에 따른 비아홀 검사 장치(101)를 개략적으로 보여준다. 도 1을 참조하면, 비아홀 검사 장치(101)는 지지대(111), 카메라(121), 메모리(131), 제어기(141), 디스플레이(151) 및 본체(105)를 구비한다. 1 schematically shows a via hole inspection apparatus 101 according to the present invention. Referring to FIG. 1, the via hole inspection apparatus 101 includes a support 111, a camera 121, a memory 131, a controller 141, a display 151, and a main body 105.

지지대(111) 위에는 특정 소재(161), 예컨대 반도체 칩 또는 회로가 형성된 회로 기판이 장착된다. 소재(161)에는 적어도 하나의 비아홀(도 3의 165)이 형성되어 있고, 상기 비아홀(도 3의 165)은 소재(161)를 수직으로 관통한다. On the support 111, a specific material 161, for example, a semiconductor chip or a circuit board on which a circuit is formed, is mounted. At least one via hole (165 of FIG. 3) is formed in the material 161, and the via hole (165 of FIG. 3) vertically penetrates the material 161.

도 3은 소재(161)의 일 예로써 비아홀(165)이 형성된 회로 기판(161a)의 단면도이다. 도 3을 참조하면, 비아홀(165)은 회로 기판(161a)을 수직으로 관통하며, 비아홀(165)의 내벽은 얇은 금속막(166)으로 도금되어 있다. 회로 기판(161)의 상부와 하부에는 각각 회로 패턴(163,164)이 형성되어 있고, 비아홀(165)의 내벽에 형성된 금속막(166)은 상부의 회로 패턴(164)과 하부의 회로 패턴(163)을 전기적으로 연결시켜준다. 따라서, 회로 기판(161a)의 상부에 형성된 회로 패턴(164)과 하부에 형성된 회로 패턴(163)은 전기 신호를 주고받을 수가 있다. 3 is a cross-sectional view of the circuit board 161a in which the via hole 165 is formed as an example of the material 161. Referring to FIG. 3, the via hole 165 vertically penetrates the circuit board 161a, and the inner wall of the via hole 165 is plated with a thin metal film 166. Circuit patterns 163 and 164 are formed on the upper and lower portions of the circuit board 161, and the metal layer 166 formed on the inner wall of the via hole 165 has the upper circuit pattern 164 and the lower circuit pattern 163. Electrical connection. Therefore, the circuit pattern 164 formed on the upper portion of the circuit board 161a and the circuit pattern 163 formed on the lower portion can exchange electrical signals.

지지대(111) 위에 장착된 소재(161)는 그의 비아홀(도 2의 165)의 상태가 양호한지 불량한지 여부를 검사받는다. 지지대(111) 위에는 하나의 소재(161)가 장착되어 테스트받을 수도 있고, 복수개의 소재들이 장착되어 동시에 또는 순차적으로 테스트받을 수도 있다. The material 161 mounted on the support 111 is examined whether its via hole (165 of FIG. 2) is in good or bad condition. One material 161 may be mounted on the support 111 to be tested, or a plurality of materials may be mounted to be tested simultaneously or sequentially.

카메라(121)는 지지대(111) 위에 설치되며, 지지대(111)와 소정 거리 이격된다. 카메라(121)는 지지대(111) 위에 장착된 소재(161)에 형성된 비아홀(165) 영역을 촬영한다. 카메라(121)는 지지대(111) 위에 장착된 소재(161)의 안정적인 촬영을 위해 특정한 곳 예컨대 천정(111)에 고정될 수 있고, 횡으로 360도 회전하는 패닝(panning) 동작과 상하로 90도 회전하는 틸팅(tilting) 동작을 수행할 수 있으며, 또한 소재(161)를 확대 촬영하거나 축소 촬영하는 주밍(zooming) 동작을 수행할 수 있다. The camera 121 is installed on the support 111 and spaced apart from the support 111 by a predetermined distance. The camera 121 photographs a region of the via hole 165 formed in the material 161 mounted on the support 111. The camera 121 may be fixed to a specific place, for example, the ceiling 111 for stable shooting of the material 161 mounted on the support 111, and may be rotated 360 degrees laterally and 90 degrees vertically. A rotating tilting operation may be performed, and a zooming operation of zooming in or zooming out of the material 161 may be performed.

메모리(131)는 소재(161)에 형성된 비아홀(165)의 기준값들을 저장한다. 소재(161)에는 실질적인 비아홀(165)이 형성되기 전에 기준 비아홀의 기준값, 즉 비아홀(165)의 중심 위치 및 반지름이 먼저 설정된다. 상기 설정된 기준값에 따라 소재(161)에 실질적인 비아홀(165)이 형성된다. 상기 기준 비아홀의 기준값은 복수개로 설정될 수 있다. The memory 131 stores reference values of the via hole 165 formed in the material 161. Before the actual via hole 165 is formed in the material 161, the reference value of the reference via hole, that is, the center position and the radius of the via hole 165 is first set. Substantial via holes 165 are formed in the material 161 according to the set reference value. A plurality of reference values of the reference via holes may be set.

제어기(141)는 메모리(131)와 카메라(121) 및 디스플레이(151)에 전기적으로 연결된다. 제어기(141)는 비아홀(165) 영역을 촬영하여 생성된 영상에서 엣지(edge)를 추출하며, 상기 엣지를 허프 변환(Hough Transform)하여 최대값을 검출하고, 상기 최대값을 갖는 위치 및 이 위치를 중심으로 하는 원의 면적을 산출하며, 상기 최대값과 그 위치 및 상기 원의 면적을 기준값들과 비교하여 비아홀(165)의 상태를 판단한다. 제어기(141)는 상기 판단 결과를 외부 장치로 전달할 수도 있고, 디스플레이(151)에 그 결과를 표시할 수도 있다. 제어기(141)에 대해서는 도 2를 통해 상세히 설명하기로 한다. The controller 141 is electrically connected to the memory 131, the camera 121, and the display 151. The controller 141 extracts an edge from an image generated by photographing a region of the via hole 165, detects a maximum value by Hough Transforming the edge, and a position having the maximum value and the position. The area of the circle around the center is calculated, and the state of the via hole 165 is determined by comparing the maximum value, the position thereof, and the area of the circle with reference values. The controller 141 may transfer the determination result to an external device or may display the result on the display 151. The controller 141 will be described in detail with reference to FIG. 2.

본체(105)에는 지지대(111), 카메라(121), 메모리(131) 및 제어기(141)가 내장되고, 디스플레이(151)는 그 화면을 외부에서 볼 수 있도록 본체(105)의 일부에 설치된다. The main body 105 includes a support 111, a camera 121, a memory 131, and a controller 141, and the display 151 is installed at a part of the main body 105 so that the screen can be viewed from the outside. .

비아홀 검사 장치(101)는 카메라(121)를 복수개 구비하여 복수개의 소재(161)들을 동시에 검사할 수 있다. The via hole inspection apparatus 101 may include a plurality of cameras 121 to simultaneously inspect the plurality of materials 161.

도 2는 도 1에 도시된 제어기(141)의 블록도이다. 도 2를 참조하면, 제어기(141)는 영상 입력부(211), 엣지 추출부(221), 허프 변환부(231) 및 비아홀 판단부(241)를 구비한다. 2 is a block diagram of the controller 141 shown in FIG. Referring to FIG. 2, the controller 141 includes an image input unit 211, an edge extractor 221, a hough transform unit 231, and a via hole determination unit 241.

영상 입력부(211)는 카메라(도 1의 121)에 연결되며, 카메라(도 1의 121)로부터 소재(도 1의 161)의 비아홀(도 3의 165) 영역을 촬영하여 생성된 영상을 수신하여 저장한다. 영상 입력부(211)는 상기 영상을 엣지 추출부(221)로 전송한다. The image input unit 211 is connected to the camera (121 of FIG. 1), and receives an image generated by photographing a via hole (165 of FIG. 3) region of the material (161 of FIG. 1) from the camera (121 of FIG. 1). Save it. The image input unit 211 transmits the image to the edge extractor 221.

엣지 추출부(221)는 영상 입력부(211)로부터 상기 영상을 받아서 상기 영상에 포함된 엣지(edge)를 추출하여 허프 변환부(231)로 전송한다. 엣지 추출부(221)는 상기 엣지를 추출하기 위하여 이진화 과정과 엣지(edge) 추출 과정을 거친다. 엣지 추출부(221)는 엣지 탐지 기법을 이용하여 엣지를 추출한다. 엣지 추출부(221)에 대해서는 도 4의 비아홀 검사 방법을 통해 상세히 설명하기로 한다. The edge extractor 221 receives the image from the image input unit 211, extracts an edge included in the image, and transmits the edge to the Hough transform unit 231. The edge extractor 221 undergoes a binarization process and an edge extraction process to extract the edges. The edge extractor 221 extracts an edge using an edge detection technique. The edge extractor 221 will be described in detail through the via hole inspection method of FIG. 4.

허프 변환부(231)는 엣지 추출부(221)로부터 전송되는 상기 엣지를 허프 변환(Hough Transform)하여 최대값 및 이를 갖는 위치를 검출한다. 상기 검출된 최대값 및 위치를 비아홀 판단부(241)로 전송한다. 허프 변환부(231)의 동작에 대해서는 도 4의 비아홀 검사 방법을 통해서 상세히 설명하기로 한다. The Hough transform unit 231 performs a Hough transform on the edge transmitted from the edge extractor 221 to detect a maximum value and a position having the same. The detected maximum value and position are transmitted to the via hole determination unit 241. An operation of the Hough transform unit 231 will be described in detail through the via hole inspection method of FIG. 4.

비아홀 판단부(241)는 메모리(도 1의 131)로부터 상기 기준값들을 수신하고, 허프 변환부(231)로부터 수신한 상기 최대값을 갖는 위치를 중심으로 하는 원의 면적을 산출하고, 상기 최대값과 그 위치 및 상기 원의 면적을 상기 기준값들과 비교하여 비아홀(도 3의 165)의 상태를 판단한다. 비아홀 판단부(241)의 동작에 대해서는 도 4∼도 12에 도시된 비아홀 검사 방법을 통해서 상세히 설명하기로 한다. The via hole determination unit 241 receives the reference values from the memory 131 of FIG. 1, calculates an area of a circle centered on the position having the maximum value received from the Hough transform unit 231, and calculates the maximum value. The state of the via hole (165 of FIG. 3) is determined by comparing the position and the area of the circle with the reference values. The operation of the via hole determination unit 241 will be described in detail through the via hole inspection method illustrated in FIGS. 4 to 12.

상술한 바와 같이, 소재(도 1의 161)에 형성된 비아홀(도 3의 165)을 촬영한 영상을 기준 비아홀의 영상과 비교함으로써, 비아홀(도 3의 165)의 상태를 정확하게 판단할 수 있고, 비아홀(도 3의 165)의 불량 여부를 한번에 모두 검출할 수 있다. As described above, the state of the via hole (165 of FIG. 3) can be accurately determined by comparing the image of the via hole (165 of FIG. 3) formed in the material (161 of FIG. 1) with the image of the reference via hole. Whether or not the via hole 165 of FIG. 3 is defective may be detected all at once.

따라서, 비아홀(도 3의 165)의 오판이 방지되고, 비아홀(도 3의 165)의 검사 시간이 단축된다.Therefore, the erroneous detection of the via hole (165 of FIG. 3) is prevented, and the inspection time of the via hole (165 of FIG. 3) is shortened.

도 4는 본 발명에 따른 비아홀 검사 방법을 도시한 흐름도이다. 도 4를 참조하면, 비아홀 검사 방법은 제1∼제5 단계들(411∼462)을 포함한다. 도 1과 도 3을 참조하여 도 4에 도시된 비아홀 검사 방법에 대해 상세히 설명하기로 한다. 4 is a flowchart illustrating a via hole inspection method according to the present invention. Referring to FIG. 4, the via hole inspection method includes first to fifth steps 411 to 462. The via hole inspection method illustrated in FIG. 4 will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 3.

제1 단계(411)로써, 카메라(121)는 소재(161)의 비아홀(165)이 위치한 영역을 촬영하여 영상을 생성한다. 비아홀(165)의 위치는 이미 정해져 있다. 즉, 비아홀(165)의 위치는 소재(161)의 설계 문서나 기준 소재(161)를 촬영한 기준 영상에서 확인될 수 있다. 따라서, 카메라(121)는 비아홀(165)의 위치를 정확하게 촬영할 수 있다. In a first step 411, the camera 121 generates an image by photographing an area where the via hole 165 of the material 161 is located. The position of the via hole 165 is already determined. That is, the location of the via hole 165 may be confirmed in a design document of the material 161 or a reference image of the reference material 161. Therefore, the camera 121 may accurately photograph the position of the via hole 165.

제2 단계(421)로써, 제어기(141)는 카메라(121)로부터 영상을 수신하고, 상기 영상에서 엣지(edge)를 추출한다. 제어기(141)는 상기 엣지를 추출하기 위하여 이진화 과정과 엣지(edge) 추출 과정을 거친다. 즉, 제어기(141)는 카메라(121)로부터 수신한 영상을 이진화하고, 상기 이진화된 데이터에서 엣지 탐지 기법을 이용하여 엣지를 추출한다. 엣지 탐지 기법으로써 캐니(canny) 엣지 탐지 기법을 이용할 수 있다. 이 때 추출된 엣지는 비아홀(165)의 테두리를 나타낸다.In a second step 421, the controller 141 receives an image from the camera 121 and extracts an edge from the image. The controller 141 undergoes a binarization process and an edge extraction process to extract the edges. That is, the controller 141 binarizes the image received from the camera 121 and extracts an edge from the binarized data using an edge detection technique. Canny edge detection may be used as an edge detection technique. At this time, the extracted edge represents the edge of the via hole 165.

비아홀 영역을 보여주는 영상을 이진화할 때, 비아홀(165)의 내부는 가장 낮은 밝기값, 예컨대 '0'으로, 비아홀(165)의 외부는 가장 높은 밝기값, 예컨대 '255'로 설정한다. 따라서, 이상적인 경우, 비아홀(165)은 도 9에 도시된 바와 같이, 그 내부는 완전한 흑색으로, 그 외부는 완전한 백색으로 표시되는 것이 바람직하다. When binarizing the image showing the via hole area, the inside of the via hole 165 is set to the lowest brightness value, for example, '0', and the outside of the via hole 165 is set to the highest brightness value, for example, '255'. Therefore, in an ideal case, the via hole 165 is preferably represented in black as its interior and fully as white as shown in FIG. 9.

도 7의 (a)는 비아홀 영역의 영상을 보여주고, 도 7의 (b)는 상기 영상의 일부(711)의 밝기값을 숫자로 표시한 것을 보여준다. 도 7의 (a)를 참조하면, 비아홀(165)의 내부는 완전한 흑색이 아니고 흑색에 가깝게 나타나고, 비아홀(165)에 인접한 외부는 완전한 백색이 아니고 백색에 가깝게 나타날 수 있다. 도 7의 (b)를 참조하면, 상기 비아홀 영역은 숫자로 표시될 수 있다. 이와 같이, 오쯔(Otsu) 기법과 같은 밝기값 임계치를 이용한 이진화 기법을 이용하여 이진화할 경우, 밝기값이 높을수록 즉 밝을수록 이진화된 값이 크게 나타나고, 밝기값이 낮을수록 즉, 어두울수록 이진화된 값이 작게 나타난다. 이로 인해, 이상적인 이진화 결과는 도 9처럼 비아홀 내부는 낮은 밝기값, 비아홀 외부는 높은 밝기값을 갖지만, 실제로는 비아홀 외부가 도 12처럼 낮은 밝기값을 갖는 경우가 있다. FIG. 7A shows an image of the via hole area, and FIG. 7B shows a numerical value of a brightness value of a portion 711 of the image. Referring to FIG. 7A, the inside of the via hole 165 may appear close to black rather than completely black, and the outside adjacent to the via hole 165 may appear close to white instead of completely white. Referring to FIG. 7B, the via hole region may be represented by a number. As described above, in the case of binarization using a binarization technique using a brightness threshold such as the Otsu technique, the higher the brightness value, that is, the brighter the binarized value is, the lower the brightness value is, the darker, the binarization is performed. The value appears small. As a result, the ideal binarization result is a low brightness value inside the via hole and a high brightness value outside the via hole as shown in FIG. 9, but in reality, the outside of the via hole may have a low brightness value as shown in FIG. 12.

제3 단계(431)로써, 상기 엣지를 허프 변환(Hough Transform)하여 최대값을 추출한다.  In a third step 431, the edge is Hough transformed to extract the maximum value.

xy 평면에서 원의 중심 위치가 (a,b)이고, 그 원의 반지름이 R일 경우, 상기 원에 대한 방정식은 아래 수학식 1과 같다. If the center position of the circle in the xy plane is (a, b) and the radius of the circle is R, the equation for the circle is given by Equation 1 below.

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 수학식 1로부터 x와 y는 각각 다음 수학식 2와 같이 표현될 수 있다.X and y may be represented by Equation 2 below.

Figure pat00002
Figure pat00002

영상으로부터 추출된 비아홀 영역의 엣지(도 8의 811)는 도 8의 (a)와 같이 xy 평면으로 구성된 영상 영역에서 복수개의 좌표들{(x1,y1),(x2,y2),(x3,y3),…}로 구분될 수 있다. 상기 좌표들{(x1,y1),(x2,y2),(x3,y3),… }을 이용하여 반지름(R)을 갖는 원의 중심점(a1,b1)을 찾기 위하여, ab 평면으로 구성된 허프 영역에서 상기 좌표들{(x1,y1),(x2,y2),(x3,y3),… } 각각에 대해 도 8의 (b)와 같이 반지름(R)을 갖는 원들(821)을 생성할 수 있다. 허프 영역(도 8의 b)에서 상기 수학식 2를 만족시키는 좌표들{(a11,b11),(a12,b12),(a13,b13),…}에 대해 "1"의 값을 추가한다. 즉, 상기 복수개의 원들(821)이 교차하는 좌표들{(a11,b11),(a12,b12),(a13,b13),…}에 대해 '1'의 값을 추가한다. The edge of the via hole region extracted from the image (811 in FIG. 8) is a plurality of coordinates {(x1, y1), (x2, y2), (x3, y3),… } Can be separated. The coordinates {(x1, y1), (x2, y2), (x3, y3),... }, The coordinates {(x1, y1), (x2, y2), (x3, y3) in the huff region of the ab plane to find the center point a1, b1 of the circle with radius R ,… } Circles 821 having a radius R may be generated for each, as illustrated in FIG. 8B. Coordinates satisfying Equation 2 in the huff region (b of FIG. 8) {(a11, b11), (a12, b12), (a13, b13),... Add a value of "1" for}. That is, coordinates {(a11, b11), (a12, b12), (a13, b13),... Where the plurality of circles 821 intersect. Add a value of '1' for}.

허프 영역(도 8의 b)에서 좌표(x1,y1)에 대한 수학식은 다음 수학식 3과 같이 표현할 수 있다.Equation for the coordinates (x1, y1) in the huff region (b of FIG. 8) can be expressed as Equation 3 below.

Figure pat00003
Figure pat00003

즉, 영상 영역(도 8의 a)에서 화소 위치(x1,y1)는 허프 영역(도 8의 b)에서 좌표(a1,b1)를 중심점으로 하고, 반지름이 R인 원(831)으로 표현될 수 있다. 이 때, 원(831)에 존재하는 모든 좌표들{(a11,b11),(a12,b12),(a13,b13),…}에 대해 허프 영역값을 "1"씩 증가한다.That is, in the image area (a of FIG. 8), the pixel positions x1 and y1 may be represented by circles 831 having a radius R as the center point in the huff area (b of FIG. 8). Can be. At this time, all coordinates present in the circle 831 {(a11, b11), (a12, b12), (a13, b13),... } Increases the Huff region value by " 1 ".

이러한 방식으로 허프 영역(도 8의 b)에서 생성된 모든 원들(821)에 대해 산출된 값들을 구한 후, 상기 산출된 값들 중에서 최대값을 갖는 위치(a1,b1)를 검출한다. 상기 최대값을 갖는 위치(a1,b1)가 영상 영역(도 8의 a)에서 반지름이 R인 원(831)이 존재하는 위치 즉, 비아홀(165)의 위치가 된다.In this way, the calculated values for all the circles 821 generated in the huff region (b of FIG. 8) are obtained, and then the positions a1 and b1 having the maximum values are detected among the calculated values. The positions a1 and b1 having the maximum values become positions where the circle 831 having a radius R exists in the image area (a of FIG. 8), that is, the position of the via hole 165.

제4 단계(441)로써, 상기 최대값 및 그 위치를 중심으로 하는 원(도 8의 831)의 면적 즉, 비아홀(165)의 면적을 생성한다. 즉, 상기 최대값을 갖는 위치를 중심으로 이진화된 영상에서 영역 확장을 시도하여 확장된 영역의 넓이를 획득한다. 이러한 영역 확장시, 중심 위치의 밝기값은 낮은 이진화 값이므로 영역 확장의 조건은 그 화소가 낮은 이진화값을 갖는 경우이다.In a fourth step 441, an area of the circle (831 of FIG. 8) ie, the area of the via hole 165 is generated based on the maximum value and the location thereof. That is, the area is expanded in the binarized image around the position having the maximum value to obtain the area of the expanded area. In this area expansion, the brightness value of the center position is a low binarization value, so the condition of area expansion is a case where the pixel has a low binarization value.

제5 단계(451)로써, 상기 최대값과 상기 최대값을 중심으로 산출된 원(도 8의 831)의 면적을 기준값들과 비교하여 비아홀(165)의 상태를 판단한다(461,462). 상기 기준값들은 제1∼제4 기준값들을 포함한다. 상기 최대값과 그 위침 및 원(도 8의 831)의 면적을 가지고 비아홀(165)의 상태를 판단하는 방법은 4개의 과정들(511∼541)을 포함한다. 도 5는 비아홀(165)의 상태를 판단하는 방법을 도시한 흐름도이다. 도 5를 참조하여 비아홀(165)의 상태를 판단하는 방법을 설명하기로 한다. In a fifth step 451, the state of the via hole 165 is determined by comparing the area of the circle (831 of FIG. 8) calculated based on the maximum value and the maximum value with reference values (461 and 462). The reference values include first to fourth reference values. The method for determining the state of the via hole 165 with the maximum value, the upper needle and the area of the circle (831 of FIG. 8) includes four processes 511 to 541. 5 is a flowchart illustrating a method of determining a state of the via hole 165. A method of determining the state of the via hole 165 will be described with reference to FIG. 5.

첫 번째 과정(511)으로써, 비아홀(165)의 유무를 판단한다. 비아홀(165)의 유무를 판단하기 위하여 상기 최대값을 제1 기준값과 비교한다. 이 때, 비아홀(165)의 내부에서 낮은 이진화 값을 갖는 화소들의 개수를 계수한다. 여기서, 비아홀(165)의 내부라 함은 상기 최대값의 위치를 중심으로 하는 홀 영역 즉, 영역 확장을 통해 획득한 홀 영역을 나타낸다. 제1 기준값은 비아홀(165)의 존재를 표시하는 기준을 정해놓은 값이다. 따라서, 상기 최대값이 상기 제1 기준값보다 작고, 비아홀(165)의 내부에서 낮은 이진화 값을 갖는 화소들의 개수가 제로(zero)이면 비아홀(165)이 없다고 판단하여 소재를 불량으로 처리하고, 그렇지 않으면 비아홀(165)이 정상적으로 존재한다고 판단한다. 상기 최대값이 상기 제1 기준값보다 작다는 것은 엣지 즉, 비아홀(165)의 테두리가 정상적으로 존재하고 있지 않다는 것을 나타낸다. 예컨대, 도 10의 (a) 및 (b)를 참조하면, 비아홀(165)이 형성되어 있어야할 위치가 백색으로 보여지며, 이것은 비아홀(165)의 테두리가 존재하고 있지 않음을 나타낸다. 즉, 비아홀(165)이 형성되어 있지 않음을 나타낸다. 따라서, 비아홀(165)은 불량처리 된다. 비아홀(165)이 정상적으로 존재한다고 판단되면, 비아홀(165)의 면적을 판단하는 단계를 진행한다.As a first process 511, it is determined whether the via hole 165 is present. The maximum value is compared with the first reference value to determine the presence or absence of the via hole 165. At this time, the number of pixels having a low binarization value is counted in the via hole 165. Here, the inside of the via hole 165 refers to a hole area centered on the position of the maximum value, that is, a hole area obtained through area expansion. The first reference value is a value that defines a criterion for indicating the existence of the via hole 165. Therefore, when the maximum value is smaller than the first reference value and the number of pixels having a low binarization value inside the via hole 165 is zero, the via hole 165 is determined to be absent, and the material is treated as bad. If not, the via hole 165 is determined to exist normally. The maximum value smaller than the first reference value indicates that the edge, that is, the edge of the via hole 165 does not normally exist. For example, referring to FIGS. 10A and 10B, the position where the via hole 165 should be formed is shown in white, which indicates that the edge of the via hole 165 does not exist. That is, the via hole 165 is not formed. Thus, the via hole 165 is poorly processed. If it is determined that the via hole 165 exists normally, the step of determining the area of the via hole 165 is performed.

두 번째 과정(521)으로써, 비아홀(165)의 면적이 규정을 초과하는지를 판단한다. 비아홀(165)의 면적이 규정을 초과하는지를 판단하기 위하여 상기 산출된 원의 면적을 제2 기준값과 비교한다. 상기 제2 기준값은 비아홀(165)의 면적의 초과 상태를 판단하기 위한 기준을 정해놓은 값이다. 따라서, 상기 산출된 원의 면적이 상기 제2 기준값보다 크면 비아홀(165)의 면적은 규정보다 넓다고 판단하여 소재를 불량으로 처리하고, 상기 산출된 원의 면적이 상기 제2 기준값보다 작으면 비아홀(165)의 면적은 규정보다 넓지 않다고 판단한다. 상기 산출된 원의 면적이 상기 제2 기준값보다 크다는 것은 엣지 즉, 원의 테두리가 규정보다 크게 존재하고 있다는 것을 나타낸다. 예컨대, 도 11을 참조하면, 비아홀(165)은 흑색으로 보여지며, 상기 산출된 비아홀(165)의 면적이 제2 기준값보다 크게 나타난다. 따라서, 비아홀(165)은 불량처리 된다. 비아홀(165)의 면적이 규정보다 넓지 않다고 판단되면, 비아홀(165)의 면적의 부족 상태를 판단하는 단계를 진행한다.As a second process 521, it is determined whether the area of the via hole 165 exceeds the specification. The area of the calculated circle is compared with a second reference value to determine whether the area of the via hole 165 exceeds the prescribed value. The second reference value is a value for determining a criterion for determining an excess state of the area of the via hole 165. Accordingly, if the calculated area of the circle is larger than the second reference value, the area of the via hole 165 is determined to be larger than the prescribed value, and the material is treated as defective. If the calculated area of the circle is smaller than the second reference value, the via hole ( It is judged that the area of 165) is not larger than the regulations. If the calculated area of the circle is larger than the second reference value, it means that the edge, that is, the border of the circle, is larger than the prescribed value. For example, referring to FIG. 11, the via hole 165 is shown in black, and the calculated area of the via hole 165 is larger than the second reference value. Thus, the via hole 165 is poorly processed. If it is determined that the area of the via hole 165 is not wider than the prescribed amount, the step of determining the lack of area of the via hole 165 is performed.

세 번째 과정(531)으로써, 비아홀(165)의 면적이 규정보다 부족한지를 판단한다. 비아홀(165)의 면적이 규정보다 부족한지를 판단하기 위하여 상기 산출된 원의 면적을 제3 기준값과 비교한다. 상기 제3 기준값은 비아홀(165)의 면적의 부족 상태를 판단하기 위한 기준을 정해놓은 값이다. 따라서, 상기 최대값이 상기 제3 기준값보다 작으면 비아홀(165)의 면적은 규정보다 좁다고 판단하고, 상기 최대값이 상기 제2 기준값보다 크면 비아홀(165)의 면적은 규정보다 좁지 않다고 판단한다. 상기 산출된 원의 면적이 상기 제3 기준값보다 작다는 것은 엣지 즉, 원의 테두리가 규정보다 작게 존재하고 있다는 것을 나타낸다. 예컨대, 도 12를 참조하면, 비아홀(165)은 흑색으로 보여지며, 상기 산출된 비아홀(165)의 면적이 제3 기준값보다 작게 나타난다. 따라서, 비아홀(165)은 불량처리 된다. 비아홀(165)의 면적이 규정보다 좁지 않다고 판단되면, 비아홀(165)의 위치를 판단하는 단계를 진행한다.As a third process 531, it is determined whether the area of the via hole 165 is less than the prescribed amount. The area of the calculated circle is compared with a third reference value to determine whether the area of the via hole 165 is less than the prescribed value. The third reference value is a value for setting a criterion for determining the lack of area of the via hole 165. Therefore, if the maximum value is smaller than the third reference value, the area of the via hole 165 is determined to be smaller than the prescribed value. If the maximum value is larger than the second reference value, the area of the via hole 165 is determined to be smaller than the prescribed value. . When the calculated area of the circle is smaller than the third reference value, it indicates that the edge, that is, the edge of the circle, is smaller than specified. For example, referring to FIG. 12, the via hole 165 is shown in black, and the calculated area of the via hole 165 is smaller than the third reference value. Thus, the via hole 165 is poorly processed. If it is determined that the area of the via hole 165 is not narrower than the prescribed size, the step of determining the position of the via hole 165 is performed.

상기 산출된 원의 면적이 상기 제2 기준값보다 크지 않고 상기 제3 기준값보다 작지 않으면 비아홀(165)의 면적은 규정을 만족한다고 판단한다. If the calculated area of the circle is not larger than the second reference value and not smaller than the third reference value, it is determined that the area of the via hole 165 satisfies the regulations.

두 번째 과정(521)과 세 번째 과정(531)은 그 순서가 바뀌어도 동일한 결과를 얻을 수 있다. The second process 521 and the third process 531 can obtain the same result even if their order is changed.

네 번째 과정(541)으로써, 비아홀(165)의 위치가 정확한지를 판단한다. 비아홀(165)의 위치가 정확한 곳에 형성되어 있는지를 판단하기 위하여, 상기 최대값을 갖는 비아홀(165)의 위치와 기준 영상의 비아홀(165)의 위치의 유클라디안 거리(Euclidean distance)를 제4 기준값과 비교한다. 제4 기준값은 비아홀(165)의 위치를 판단하기 위한 기준을 정해놓은 값이다. 따라서, 상기 유클라디안 거리가 상기 제4 기준값보다 크면 비아홀(165)은 규정된 위치를 벗어난다고 판단하고, 상기 유클라디안 거리가 상기 제4 기준값과 같거나 그보다 작으면 비아홀(165)은 규정된 위치에 있다고 판단한다. 현재 영상의 비아홀(165)과 기준 영상의 비아홀(165)의 유클라디안 거리는 현재 영상의 비아홀(165)의 위치와 기준 영상의 비아홀(165)의 위치의 차를 제곱해서 다한 다음 양의 제곱근을 취함으로써 산출할 수 있다. 즉, 현재 영상의 비아홀(165)과 기준 영상의 비아홀(165)의 유클라디안 거리(d)는 다음 수학식 4를 이용하여 구할 수 있다.As a fourth process 541, it is determined whether the position of the via hole 165 is correct. In order to determine whether the position of the via hole 165 is formed at the correct position, an Euclidean distance between the position of the via hole 165 having the maximum value and the position of the via hole 165 of the reference image is determined by the fourth position. Compare with the reference value. The fourth reference value is a value for setting a reference for determining the position of the via hole 165. Thus, if the eucladian distance is greater than the fourth reference value, the via hole 165 determines that the via hole 165 is out of the prescribed position, and if the eucladian distance is equal to or less than the fourth reference value, the via hole 165 is defined. It is determined that it is in the correct position. The Eucladian distance between the via hole 165 of the current image and the via hole 165 of the reference image is obtained by multiplying the difference between the position of the via hole 165 of the current image and the position of the via hole 165 of the reference image, and then adding a positive square root. It can calculate by taking. That is, the Euclidean distance d between the via hole 165 of the current image and the via hole 165 of the reference image may be obtained by using Equation 4 below.

Figure pat00004
Figure pat00004

여기서, a1과 b1은 현재 영상의 비아홀(165)의 중심 좌표이고, a2와 b2는 기준 영상의 비아홀(165)의 중심 좌표이다. Here, a1 and b1 are center coordinates of the via hole 165 of the current image, and a2 and b2 are center coordinates of the via hole 165 of the reference image.

상기 유클라디안 거리가 상기 제4 기준값보다 크다는 것은 상기 생성된 원이 옆으로 치우쳐서 형성되어 있다는 것을 나타낸다. 예컨대, 도 13을 참조하면, 비아홀(165)은 흑색으로 보여지며, 비아홀(165)이 기준 영상을 벗어나 한쪽으로 치우쳐 있다. 따라서, 이 경우의 비아홀(165)은 불량처리 된다(462). The eucladian distance being greater than the fourth reference value indicates that the generated circles are formed sideways. For example, referring to FIG. 13, the via hole 165 is shown in black, and the via hole 165 is offset to one side beyond the reference image. Therefore, the via hole 165 in this case is poorly processed (462).

상기와 같이 상기 최대값과 상기 산출된 원의 면적이 상기 제1∼제4 기준값들을 만족하면, 비아홀(165)은 정상적으로 형성되었다고 판단하고(461), 비아홀(165) 검사 공정을 종료한다. As described above, when the maximum value and the calculated area of the circle satisfy the first to fourth reference values, it is determined that the via hole 165 is normally formed (461), and the via hole 165 inspection process is terminated.

상기 첫 번째∼네 번째 과정(511∼541)의 순서는 반드시 정해진 것은 아니며, 검사방법과 공정의 기술 정도에 따라 바뀔 수도 있다. The order of the first to fourth processes 511 to 541 is not necessarily determined, and may be changed depending on the inspection method and the technical degree of the process.

제5 단계(451)에서, 상기 기준값들을 설정하는 방법이 도 6에 순차적으로 도시되어 있다. 도 6을 참조하면, 기준값들을 설정하는 방법은 아래와 같이 5 과정들(611∼651)을 거친다. In a fifth step 451, a method of setting the reference values is shown sequentially in FIG. Referring to FIG. 6, a method of setting reference values goes through five processes 611 to 651 as follows.

첫 번째(611), 소재(161)에 형성될 기준 비아홀의 위치와 반지름을 설정한다. First, the position and radius of the reference via hole to be formed in the material 161 is set.

두 번째(621), 카메라(121)를 이용하여 상기 기준 비아홀 영역을 촬영하여 기준 영상을 생성한다.Second, the reference via hole area is photographed using the camera 121 to generate a reference image.

세 번째(631), 상기 기준 영상을 이진화한다. Thirdly, 631, the reference image is binarized.

네 번째(641), 상기 이진화된 데이터에서 엣지 검출 기법, 예컨대 캐니 엣지 기법을 이용하여 엣지를 추출한다. 상기 엣지는 비아홀(165)의 테두리를 나타낸다. 상기 엣지를 추출하는 방법은 도 4의 제2 단계(421)와 동일함으로 중복 설명은 생략한다. Fourth, the 641 extracts an edge from the binarized data using an edge detection technique such as a Canny edge technique. The edge represents an edge of the via hole 165. Since the method of extracting the edge is the same as the second step 421 of FIG.

여기서, 상기 첫 번째∼세 번째 과정들(611∼631)을 거치지 않고, 비아홀(165)의 위치와 반지름이 표시된 설계 자료를 이용하여 상기 이진화된 데이터를 획득할 수도 있다. Here, the binarized data may be obtained using design data indicating the location and radius of the via hole 165 without passing through the first to third processes 611 to 631.

다섯 번째(651), 상기 엣지를 허프 변환하여 상기 허프 변환된 허프 영상에서 기준 비아홀의 위치와 면적을 획득한다. 허프 변환하는 방법은 도 4를 통해서 설명한 방법과 동일하게 진행될 수 있으므로 중복 설명은 생략하기로 한다. 상기 기준 비아홀(165)의 위치와 면적을 이용하여 상기 제1∼제4 기준값들을 설정한다. Fifth (651), the edges are Hough transformed to obtain positions and areas of reference via holes in the Hough transformed Hough image. Since the Huff transform method can be performed in the same manner as the method described with reference to FIG. 4, redundant description will be omitted. The first to fourth reference values are set using the position and area of the reference via hole 165.

상술한 바와 같이, 소재에 형성된 비아홀(165)을 촬영한 영상을 기준 비아홀의 영상과 비교함으로써, 비아홀(165)의 상태를 정확하게 판단할 수 있고, 비아홀(165)의 불량 여부를 한번에 모두 검출할 수 있다. As described above, by comparing the image of the via hole 165 formed in the material with the image of the reference via hole, it is possible to accurately determine the state of the via hole 165 and to detect whether the via hole 165 is defective at once. Can be.

따라서, 비아홀(165)의 오판이 방지되고, 비아홀(165)의 검사 시간이 단축된다.Therefore, the erroneous detection of the via hole 165 is prevented, and the inspection time of the via hole 165 is shortened.

본 발명은 도면들에 도시된 실시예들을 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이들로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, it is to be understood that various modifications and equivalent embodiments may be made by those skilled in the art without departing from the scope of the present invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

Claims (15)

소재에 형성된 비아홀(via hole)을 검사하는 방법에 있어서,
(a) 상기 비아홀 영역을 촬영하여 영상을 생성하는 단계;
(b) 상기 영상에서 엣지(edge)를 추출하는 단계;
(c) 상기 엣지를 허프 변환(Hough Transform)하여 최대값을 검출하는 단계;
(d) 상기 최대값을 갖는 위치를 중심으로 하는 원의 면적을 산출하는 단계; 및
(e) 상기 최대값과 그 위치 및 상기 원의 면적을 기준값들과 비교하여 상기 비아홀의 상태를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비아홀 검사 방법. In the method for inspecting the via hole formed in the material,
(a) photographing the via hole area to generate an image;
(b) extracting an edge from the image;
(c) Hough Transforming the edge to detect a maximum value;
(d) calculating an area of a circle around the position having the maximum value; And
(e) comparing the maximum value, the position thereof, and the area of the circle with reference values to determine the state of the via hole. 제1항에 있어서,
상기 촬영된 영상을 이진화하고, 상기 이진화된 데이터에서 엣지 검출 기법을 이용하여 상기 엣지를 추출하는 것을 특징으로 하는 비아홀 검사 방법. The method of claim 1,
And binarizing the photographed image and extracting the edge from the binarized data using an edge detection technique. 제2항에 있어서,
상기 이진화 과정에서 상기 비아홀의 내부는 가장 낮은 밝기값으로, 상기 비아홀의 외부는 가장 높은 밝기값으로 설정하는 것을 특징으로 하는 비아홀 검사 방법. 3. The method of claim 2,
In the binarization process, the inside of the via hole is set to the lowest brightness value, and the outside of the via hole is set to the highest brightness value. 제1항에 있어서,
상기 소재는 전기 회로가 형성된 회로기판 및 반도체 칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 비아홀 검사 방법. The method of claim 1,
And the material comprises a circuit board and a semiconductor chip on which an electric circuit is formed. 제1항에 있어서,
(a1) 상기 소재에 형성된 기준 비아홀의 위치와 반지름을 설정하는 단계;
(a2) 상기 기준 비아홀 영역을 촬영하여 기준 영상을 생성하는 단계;
(a3) 상기 기준 영상을 이진화하는 단계;
(a4) 상기 이진화된 데이터에서 엣지 검출 기법을 이용하여 엣지를 추출하는 단계; 및
(a5) 상기 엣지를 허프 변환하여 상기 허프 변환된 허프 영상에서 상기 비아홀의 위치와 면적을 산출하여 상기 기준값들로써 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비아홀 검사 방법. The method of claim 1,
(a1) setting a position and a radius of a reference via hole formed in the material;
(a2) generating a reference image by photographing the reference via hole area;
(a3) binarizing the reference image;
(a4) extracting an edge from the binarized data using an edge detection technique; And
and (a5) Huff transforming the edge to calculate and set the position and area of the via hole in the Hough transformed huff image to set the reference values as the reference values. 제5항에 있어서,
상기 (a1), (a2) 및 (a3) 단계를 거치지 않고, 상기 비아홀의 위치와 반지름이 표시된 설계 자료를 이용하여 상기 이진화된 데이터를 획득하는 것을 특징으로 하는 비아홀 검사 방법. The method of claim 5,
The via hole inspection method of claim 1, wherein the binarized data is obtained using design data in which the position and the radius of the via hole are displayed without passing through the steps (a1), (a2) and (a3). 제1항에 있어서,
상기 기준값들은 상기 비아홀의 존재를 표시하는 제1 기준값을 포함하고, 상기 최대값이 상기 제1 기준값보다 작으면 상기 비아홀이 없다고 판단하여 불량처리하는 것을 특징으로 하는 비아홀 검사 방법. The method of claim 1,
The reference values include a first reference value indicating the existence of the via hole, and if the maximum value is less than the first reference value, the via hole inspection method, characterized in that the via hole is determined to be defective. 제7항에 있어서,
상기 비아홀의 내부에서 낮은 이진화 값을 갖는 화소들의 개수를 계수하고, 상기 최대값이 상기 제1 기준값보다 작고, 상기 비아홀의 내부에서 낮은 이진화 값을 갖는 화소들의 개수가 제로일 때, 상기 비아홀이 없다고 판단하는 것을 특징으로 하는 비아홀 검사 방법.The method of claim 7, wherein
Counting the number of pixels having a low binarization value inside the via hole, when the maximum value is smaller than the first reference value, and the number of pixels having a low binarization value inside the via hole is zero, there is no via hole. Via hole inspection method characterized in that judging. 제1항에 있어서,
상기 기준값들은 상기 비아홀의 면적의 초과 상태를 판단하기 위하여 정해놓은 제2 기준값을 포함하고, 상기 최대값이 상기 제2 기준값보다 크면 상기 비아홀은 규정보다 넓다고 판단하여 불량처리하는 것을 특징으로 하는 비아홀 검사 방법. The method of claim 1,
The reference values include a second reference value determined to determine an excess state of the area of the via hole, and when the maximum value is larger than the second reference value, the via hole is determined to be wider than a prescribed value and is subjected to defect processing. Way. 제1항에 있어서,
상기 기준값들은 상기 비아홀의 면적의 부족 상태를 판단하기 위하여 정해놓은 제3 기준값을 포함하고, 상기 최대값이 상기 제3 기준값보다 작으면 상기 비아홀은 규정보다 좁다고 판단하여 불량처리하는 것을 특징으로 하는 비아홀 검사 방법. The method of claim 1,
The reference values include a third reference value determined to determine a lack of area of the via hole, and if the maximum value is smaller than the third reference value, the via hole is determined to be narrower than a prescribed value and is treated badly. How to test via holes. 제1항에 있어서,
상기 기준값들은 상기 비아홀의 위치를 판단하기 위하여 정해놓은 제4 기준값을 포함하고, 상기 최대값을 갖는 비아홀의 위치와 기준이 되는 비아홀의 위치의 유클라디안 거리(Euclidean distance)를 제4 기준값과 비교하여 상기 최대값이 상기 제4 기준값보다 크면 상기 비아홀은 규정된 위치를 벗어난 것으로 판단하여 불량처리하는 것을 특징으로 하는 비아홀 검사 방법. The method of claim 1,
The reference values include a fourth reference value determined to determine the position of the via hole, and compare the Eucladian distance between the position of the via hole having the maximum value and the position of the reference via hole to the fourth reference value. And if the maximum value is larger than the fourth reference value, the via hole is determined to be out of a prescribed position and defectively processed. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 방법을 이용하여 소재에 형성된 비아홀을 검사하는 비아홀 검사 장치.A via hole inspection apparatus for inspecting via holes formed in a material by using the method of claim 1. 소재에 형성된 비아홀을 검사하는 장치에 있어서,
상기 소재에 형성될 기준 비아홀의 기준값을 저장하는 메모리;
상기 소재가 장착되는 지지대;
상기 지지대에 장착된 소재의 비아홀을 촬영하여 영상을 생성하는 카메라;
상기 카메라로부터 상기 영상을 수신하여 저장하는 영상 입력부;
상기 영상 입력부로부터 상기 영상을 받아서 엣지(edge)를 추출하는 엣지 추출부;
상기 엣지 추출부로부터 전송되는 상기 엣지를 허프 변환(Hough Transform)하여 최대값과 그 위치를 검출하는 허프 변환부; 및
상기 허프 변환부로부터 상기 최대값과 그 위치를 수신하고, 상기 메모리로부터 상기 기준값들을 수신하며, 상기 최대값을 갖는 위치를 중심으로 하는 원의 면적을 산출하고, 상기 최대값과 그 위치 및 상기 원의 면적을 상기 기준값들과 비교하여 상기 비아홀의 상태를 판단하는 비아홀 판단부를 구비하는 것을 특징으로 하는 비아홀 검사 장치. In the device for inspecting the via hole formed in the material,
A memory for storing a reference value of a reference via hole to be formed in the material;
A support on which the material is mounted;
A camera for generating an image by photographing a via hole of a material mounted on the support;
An image input unit configured to receive and store the image from the camera;
An edge extraction unit which receives the image from the image input unit and extracts an edge;
A hough transform unit which hough transforms the edge transmitted from the edge extractor to detect a maximum value and a position thereof; And
Receiving the maximum value and its position from the hough transform unit, receiving the reference values from the memory, calculating an area of a circle centered on the position having the maximum value, the maximum value and its position and the circle And a via hole determination unit to determine the state of the via hole by comparing the area with the reference values. 제13항에 있어서,
상기 메모리, 지지대, 카메라 및 제어기를 내장하는 본체를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 비아홀 검사 장치. The method of claim 13,
Via hole inspection apparatus further comprises a main body containing the memory, the support, the camera and the controller. 제13항에 있어서,
상기 카메라를 복수개 구비하여 복수개의 소재들을 동시에 검사할 수 있는 것을 특징으로 하는 비아홀 검사 장치. The method of claim 13,
Via hole inspection apparatus comprising a plurality of the camera to be able to inspect a plurality of materials at the same time.
KR1020120050462A 2012-05-11 2012-05-11 Method and apparatus for inspecting via hole KR101767923B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120050462A KR101767923B1 (en) 2012-05-11 2012-05-11 Method and apparatus for inspecting via hole
JP2012266087A JP6143445B2 (en) 2012-05-11 2012-12-05 Method and apparatus for inspecting via holes
CN201310167190.1A CN103389309B (en) 2012-05-11 2013-05-08 Method and apparatus for checking via

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120050462A KR101767923B1 (en) 2012-05-11 2012-05-11 Method and apparatus for inspecting via hole

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130126370A true KR20130126370A (en) 2013-11-20
KR101767923B1 KR101767923B1 (en) 2017-08-17

Family

ID=49533645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120050462A KR101767923B1 (en) 2012-05-11 2012-05-11 Method and apparatus for inspecting via hole

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6143445B2 (en)
KR (1) KR101767923B1 (en)
CN (1) CN103389309B (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102170352B1 (en) * 2020-05-07 2020-10-27 이태희 Device and method for detecting holes of printed circuit board
WO2023058817A1 (en) * 2021-10-06 2023-04-13 (주)구일엔지니어링 Method for inspecting via hole of wafer

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6282907B2 (en) * 2014-03-18 2018-02-21 株式会社東光高岳 Image processing apparatus, three-dimensional shape measuring apparatus, and image processing method
CN104359404B (en) * 2014-11-24 2017-10-20 南京航空航天大学 The fast vision detection method of a large amount of small size guide holes on airplane parts
CN104764712B (en) * 2015-04-29 2017-08-25 浙江工业大学 A kind of detection method of PCB vias inwall quality
KR101882645B1 (en) 2018-01-05 2018-07-26 조관국 Via hole inspection device of substrate
CN108759676B (en) * 2018-07-12 2023-11-03 浙江大学 Checkerboard-based transmission case end face large-size form and position tolerance detection device and method
KR20190083952A (en) 2018-07-19 2019-07-15 조관국 Via hole inspection device of substrate
CN109014725B (en) * 2018-08-28 2021-03-23 昆山华恒焊接股份有限公司 Method and device for positioning pipe hole of workpiece and computer storage medium
CN109373894B (en) * 2018-09-27 2020-06-09 南京航空航天大学 Automatic positioning method for aircraft component connection intersection point hole system based on distributed monocular vision
KR20200110493A (en) * 2019-03-13 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 Display module testing apparatus and display module testing method
CN109931892B (en) * 2019-03-30 2021-03-05 廊坊华安汽车装备有限公司 Carbon tank buckle structure detection method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6060537A (en) * 1983-09-13 1985-04-08 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Device for evaluating material
JPH04287290A (en) * 1990-11-20 1992-10-12 Imra America Inc Hough transformation picture processor
JPH0560537A (en) * 1991-09-05 1993-03-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Through-hole inspection device
JPH0791914A (en) * 1993-10-12 1995-04-07 Yamatake Honeywell Co Ltd Detection method and device for origin of circuit substrate
JPH10334240A (en) * 1997-06-04 1998-12-18 Toshiba Corp Graphic position detection method and graphic position detector
JP2002149239A (en) * 2000-11-08 2002-05-24 Hokuyo Automatic Co Position detecting device for unmanned carriage
JP4789097B2 (en) * 2001-08-29 2011-10-05 セイコーインスツル株式会社 Method and apparatus for measuring inner diameter of ferrule hole, etc.
CN1306454C (en) * 2003-11-06 2007-03-21 Ge医疗系统环球技术有限公司 Modified transfer function measuring method and system
JP4038777B2 (en) * 2006-02-28 2008-01-30 ソニー株式会社 Registration device and authentication device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102170352B1 (en) * 2020-05-07 2020-10-27 이태희 Device and method for detecting holes of printed circuit board
WO2023058817A1 (en) * 2021-10-06 2023-04-13 (주)구일엔지니어링 Method for inspecting via hole of wafer

Also Published As

Publication number Publication date
CN103389309A (en) 2013-11-13
CN103389309B (en) 2018-05-04
KR101767923B1 (en) 2017-08-17
JP2013238582A (en) 2013-11-28
JP6143445B2 (en) 2017-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20130126370A (en) Method and apparatus for inspecting via hole
KR20140120821A (en) Method of inspecting foreign substance on a board
CN111815565B (en) Wafer backside detection method, equipment and storage medium
WO2017071406A1 (en) Method and system for detecting pin of gold needle element
KR20170022346A (en) System and Method for Classification of PCB fault and Type of Fault
CN116309518A (en) PCB (printed circuit board) detection method and system based on computer vision
JP2005121546A (en) Defect inspection method
KR100827906B1 (en) Substrate inspection device
JP5498109B2 (en) Defect detection apparatus and defect detection method
KR20060094844A (en) Bump checking apparatus and method
WO2000006997A1 (en) Image processor
KR20190079317A (en) Machine vision inspection device and product inspection method using machine vision
KR101126759B1 (en) Method of teaching for electronic parts information in chip mounter
TW202215038A (en) Inspection of circuit boards for unauthorized modifications
KR101383827B1 (en) System and method for automatic extraction of soldering regions in pcb
JP2008203229A (en) Terminal position detecting method of electronic component
JP2016217872A (en) Inspection device, inspection method, program, and storage media
JP6822207B2 (en) Inspection equipment
JP2017009469A (en) Device for detection of terminal crimping failure
JP6958345B2 (en) Visual inspection equipment
CN116843602B (en) Defect detection method and visual detection equipment
WO2024044942A1 (en) Point inspection method and device for visual inspection system
KR20240020463A (en) Apparatus for inspecting lead tip of electronic component
KR102203441B1 (en) Apparatus and Method for Classifying Electronic Components
JP2011153874A (en) Apparatus, system and method for visual inspection

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant