KR20130115652A - 혼 안테나 장치 - Google Patents

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KR20130115652A
KR20130115652A KR1020120038152A KR20120038152A KR20130115652A KR 20130115652 A KR20130115652 A KR 20130115652A KR 1020120038152 A KR1020120038152 A KR 1020120038152A KR 20120038152 A KR20120038152 A KR 20120038152A KR 20130115652 A KR20130115652 A KR 20130115652A
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silicon
cavity
antenna device
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류한철
박경현
박정우
김남제
한상필
고현성
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한국전자통신연구원
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Abstract

본 발명은 혼 안테나 장치에 관한 것으로, 기판 및 기판에 접합되며, 접합면과 수평 방향으로 일측이 외부로 개방된 방사개구부를 갖는 혼 캐비티가 형성된 실리콘 안테나부를 포함하며, 본 발명에 따르면, 간단한 포토리소그래피 및 화학적 식각방법을 이용하여 가격이 저렴하고 높은 이득을 가지는 혼 안테나 장치를 제작할 수 있고, 이를 이용하여 가격이 저렴하고 높은 효율을 가지는 테라헤르츠 송수신 모듈을 구현할 수 있다.

Description

혼 안테나 장치{HORN ANTENNA APPARATUS}
본 발명은 혼 안테나 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 실리콘 결정방향에 따른 비등방성 식각 특성을 이용하여 테라헤르츠 대역의 신호를 송수신할 수 있도록 구성되는 혼 안테나 장치에 관한 것이다.
최근에 정보통신 및 영상 기술 등의 발달로 인해 음성과 문자 정보에 영상정보가 추가되면서, 단위 시간당 처리 및 가공해야 할 정보의 양이 비약적으로 증가하고 이로 인하여 고속/광대역 무선통신에 대한 수요가 증가하고 있다. 하지만 현재 국가에서 할당하는 주파수 자원은 제한적이기 때문에 고속/광대역 무선통신 기술을 실현하는데 어려움이 있다.
따라서, 이와 같은 문제점을 해결하고자 초고주파 대역(Microwave band), 밀리미터파 대역(Millimeterwave band) 및 테라헤르츠 대역(Terahertz band)을 이용한 광대역 통신 시스템에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
특히, 100[GHz] ~ 10[THz] 영역의 테라헤르츠(THz) 대역의 전자기파는 비금속 및 무극성 물질을 투과할 수 있고, 매우 다양한 분자들의 공진주파수가 이 영역에 분포하기 때문에, 의료, 농업, 식품, 환경계측, 바이오, 안전, 첨단재료평가 등 매우 다양한 분야에서 신개념의 분석 기술을 제공할 것으로 기대된다.
또한, 테라헤르츠(THz) 대역의 신호는 수 [meV] 수준의 매우 낮은 에너지로 인하여 인체에의 영향이 거의 없기 때문에 인간 중심의 유비쿼터스 사회 실현의 필수 핵심기술로 급부상하고 있다.
테라헤르츠 대역에서 신호를 송수신하기 위해 사용되는 안테나는 반도체 기판 위에 형성된 평면형 안테나와 기판 뒷면에 부착되는 반구형 실리콘 렌즈를 이용하여 구성되거나 도파로 형태의 혼 안테나로 구성될 수 있다.
하지만, 평면형 안테나와 렌즈를 이용하는 경우에 광전도체에서 생성된 전파가 평면형 안테나를 형성하는 기판과 렌즈를 통과하여 자유공간으로 전파되어야 하므로 그 과정에서 많은 손실이 발생하는 문제점이 있고, 렌즈를 안테나가 형성된 기판의 뒷면에 정확히 정렬하여 부착해야 하는 어려움이 있다.
한편, 테라헤르츠 대역 안테나의 또 다른 형태인 도파로 형태의 혼 안테나는 시스템을 도파로 혼 안테나에 맞도록 구성하여야 하므로 시스템이 커지고, 가격이 비싸지는 문제점이 있다.
관련 선행기술로는 미국 공개특허공보 제2010-0033709호(2010.02.11 공개, 발명의 명칭 : Intergrated Terahertz Antenna and Transmitter and/or Receiver, and A Method of Fabricating Them)가 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 개선하기 위해 창안된 것으로서, 실리콘이 비등방성으로 식각되는 특성을 이용하여 가격이 저렴하면서도 높은 이득과 높은 전송 효율을 제공할 수 있는 혼 안테나 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 혼 안테나 장치는 기판; 및 상기 기판에 접합되며, 접합면과 수평 방향으로 일측이 외부로 개방된 방사개구부를 갖는 혼 캐비티가 형성된 실리콘 안테나부를 포함한다.
본 발명에서 상기 실리콘 안테나부는 실리콘 기판에 형성된 상기 혼 캐비티의 식각면에 금속이 증착된 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 혼 캐비티는 상기 방사개구부의 반대 측으로 갈수록 상기 혼 캐비티의 단면적이 감소하도록 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 혼 캐비티의 단면이 등변사다리꼴 형태인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 실리콘 기판은 벌크 실리콘인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 방사 캐비티의 단면이 삼각형 형태인 것을 특징으로 한다.
본 발명은 상기 실리콘 안테나부가 테라헤르츠 송수신 소자와 이종 결합되는 테라헤르츠 송신기용 플랫폼, 테라헤르츠 수신기용 플랫폼 및 테라헤르츠 트랜시버용 플랫폼 중 어느 하나로 구현되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 테라헤르츠 송수신 소자는 테라헤르츠 발생기, 듀플렉서 및 테라헤르츠 검출기 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 혼 안테나 장치는 제1 벌크 실리콘; 및 상기 제1 벌크 실리콘에 접합되는 제2 벌크 실리콘을 포함하되, 상기 제1 벌크 실리콘과 상기 제2 벌크 실리콘의 상호 접합면에 상기 상호 접합면과 수평 방향으로 일측이 외부로 개방된 방사개구부를 갖는 혼 캐비티가 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 혼 캐비티는 상기 접합면을 기준으로 대칭구조를 갖도록 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 혼 캐비티의 단면이 사각형 형태인 것을 특징으로 한다.
본 발명은 상기 상호 접합면에 배치되어 신호를 급전하는 급전부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 간단한 포토리소그래피(Photolithography) 및 화학적 식각방법을 이용하여 가격이 저렴하고 높은 이득을 가지는 혼 안테나 장치를 쉽게 구현할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 이와 같은 혼 안테나 장치를 이용하여 테라헤르츠 송수신 플랫폼을 구성함으로써 가격이 저렴하고 높은 효율을 가지는 테라헤르츠 송수신 모듈을 구현할 수 있다.
도 1은 실리콘의 결정 방향에 따른 비등방성 식각 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 혼 안테나 장치를 혼 캐비티의 단면이 등변사다리꼴 형태인 부채꼴 혼 안테나(Sectoral Horn Antenna)로 구현한 예시도이다.
도 3은 도 2의 혼 안테나 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 혼 안테나 장치를 혼 캐비티의 단면이 삼각형 형태인 피라미드 혼 안테나(Pyramidal Horn Antenna)로 구현한 예시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 혼 안테나 장치를 혼 캐비티의 단면이 사각형(다이아몬드) 형태인 피라미드 혼 안테나(Pyramidal Horn Antenna)로 구현한 예시도이다.
도 6은 도 4와 도 5의 혼 안테나 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 혼 안테나 장치를 포함하는 테라헤르츠 트랜시버를 개략적으로 도시한 제1 예시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 혼 안테나 장치를 포함하는 테라헤르츠 트랜시버를 개략적으로 도시한 제2 예시도이다.
이하에서는 본 발명에 따른 혼 안테나 장치를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이러한 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다. 또한 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로써, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야할 것이다.
도 1은 실리콘의 결정 방향에 따른 비등방성 식각 특성을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명은 실리콘 결정 방향에 따른 비등방성 식각 특성을 이용하여 가격이 저렴하고 높은 이득 및 높은 전송 효율을 가지는 혼 안테나 장치를 제공하고자 하는 것이다.
여기서 비등방성(anisotropy) 특성은 물체의 물리적 성질이 방향에 따라 달라지는 특성을 의미하며, 도 1에 도시된 바와 같이 SiO2 마스크가 형성되는 실리콘(10)의 상면(11)과 식각면(12)이 54.74°의 각도를 가지도록 식각됨에 따라 실리콘(10)은 비등방성 식각 특성을 가지게 된다.
즉, 실리콘(10)의 표면에 포토레지스트 액을 도포하여 포토 마스크의 패턴을 실리콘 표면에 전사하는 포토리소그래피(photolithography) 및 화학적 에칭에 의한 습식 식각 기법을 이용하여 실리콘(10)을 비등방성 특성을 가지도록 식각할 수 있다. 포토리소그래피와 습식 식각 기법은 통상의 기술자에게 알려진 공지기술인바, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 혼 안테나 장치를 혼 캐비티의 단면이 등변사다리꼴 형태인 부채꼴 혼 안테나(Sectoral Horn Antenna)로 구현한 예시도이고 도 3은 도 2의 혼 안테나 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 2와 도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 혼 안테나 장치는 기판(100) 및 실리콘 안테나부(200)를 포함한다.
기판(100)은 통상적으로 사용되는 기판을 의미하며, 기판(100)에는 테라헤르츠 대역의 신호를 급전하기 위한 급전부(미도시)나 테라헤르츠 대역의 신호를 송수신하기 위한 테라헤르츠 송수신모듈(미도시)이 구비될 수 있다.
실리콘 안테나부(200)는 기판(100)과 접합되며, 기판(100)과 접하는 면이 식각됨에 따라, 접합면과 수평 방향으로 그 일측이 외부로 개방된 혼 캐비티(225)가 형성된다.
혼 캐비티(225)는 식각에 의해 형성되는 일종의 비어있는 공간을 의미하며, 후술할 식각면(220)에서 방사되는 신호는 혼 캐비티(225)를 통해 외부로 송신된다.
실리콘 안테나부(200)는 실리콘 기판(210), 식각면(220) 및 방사개구부(230)를 포함할 수 있다.
식각면(220)은 기판(100)과 접합되는 실리콘 기판(210)의 일측면이 식각된 후 금속이 증착되는 면으로, 이러한 식각면(220)은 혼 캐비티(225)가 형성될 수 있도록 실리콘 기판(210)과 기판(100)이 접하는 면에 대해 54.74°의 각도를 가지도록 식각된다.
이와 같이 실리콘 기판(210)의 일측면이 식각되면, 도 3에 도시된 바와 같이 기판(100)과 실리콘 기판(210) 사이에 혼 캐비티(225)가 형성되며, 혼 캐비티(225)를 통해 신호의 송수신이 이루어지게 된다.
이때, 혼 캐비티(225)는 그 일측이 외부로 개방된 방사개구부(230)를 가질 수 있으며, 혼 캐비티(225)는 방사개구부(230)를 기준으로 그 반대 측으로 갈수록 단면적이 감소하도록 형성될 수 있다. 즉, 혼 캐비티(225)는 방사개구부(230)의 반대 측으로 갈수록 내부 공간이 점차로 좁아지도록 형성될 수 있다.
예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이 혼 캐비티(225)의 단면은 등변사다리꼴 형태로 형성될 수 있으며, 혼 캐비티(225)는 방사개구부(230)의 반대 측으로 갈수록 그 단면적이 감소하도록 형성되어 부채꼴 혼 안테나(Sectoral Horn Antenna)로 구현될 수 있다.
도 3을 참조하면, 실리콘 기판(210)의 상, 하면에 SiO2 마스크(215)를 형성하고, 방사개구부(230)의 반대 측으로 갈수록 그 단면적이 감소하는 혼 캐비티(225)가 형성되도록 실리콘 기판(210)을 식각한 후, 식각면(220)에 금속을 증착함으로써 도 2에 도시된 부채꼴 혼 안테나(Sectoral Horn Antenna)를 제작할 수 있다.
이러한 실리콘 안테나부(200)로의 급전은 혼 캐비티(225)의 모양과 기판(100)에 구비되는 급전부의 위치를 조절하여 이루어질 수 있다.
이와 같이 포토리소그래피(photolithography) 기법 및 화학적 에칭에 의한 습식 식각 기법을 이용하여 혼 캐비티(225)의 길이와 단면의 형태 및 크기를 조절할 수 있으므로 혼 안테나 장치의 위상 에러와 이득을 용이하게 조절할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 혼 안테나 장치를 혼 캐비티의 단면이 삼각형 형태인 피라미드 혼 안테나(Pyramidal Horn Antenna)로 구현한 예시도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 혼 안테나 장치를 혼 캐비티의 단면이 사각형(다이아몬드) 형태인 피라미드 혼 안테나(Pyramidal Horn Antenna)로 구현한 예시도이며, 도 6은 도 4와 도 5의 혼 안테나 구조를 설명하기 위한 도면이다.
한편, 전술한 실시예에서는 실리콘 안테나부(200)가 방사개구부(230)의 단면이 등변사다리꼴 형태인 부채꼴 혼 안테나(Sectoral Horn Antenna)로 구현되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 실리콘 안테나부(200)는 도 4에 도시된 바와 같이 방사개구부(230)의 단면이 삼각형 형태인 피라미드 혼 안테나(Pyramidal Horn Antenna)로 구현될 수도 있다.
즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 실리콘 안테나부(200)의 실리콘 기판(210)은벌크 실리콘(212)으로 이루어질 수 있으며, 벌크 실리콘(212)과 기판(100)이 접하는 접합면이 삼각형 형태의 단면을 갖는 혼 캐비티(225)가 형성되도록 식각될 수 있다.
이때, 혼 캐비티(225)는 방사개구부(230)의 반대 측으로 갈수록 그 단면적이 감소하도록 형성되어 혼 캐비티(225)의 단면이 삼각형 형태인 피라미드 혼 안테나(Pyramidal Horn Antenna)로 구현될 수 있다.
한편, 도 5에 도시된 바와 같이 별도의 기판(100)을 구비하지 않고, 2개의 벌크 실리콘(212,213)을 식각 및 접합하여, 그 일측이 외부로 개방된 방사개구부(23)를 갖는 혼 캐비티(225)를 형성하도록 구성할 수 있다.
이때, 2개의 벌크 실리콘(212,213)은 상호 접합면을 기준으로 서로 대칭되는 구조를 이루도록 식각될 수 있다.
또한, 2개의 벌크 실리콘(212,213)의 식각 및 접합에 의해 형성되는 혼 캐비티(225)는 방사개구부(230)의 반대 측으로 갈수록 그 단면적이 감소하도록 형성되어 혼 캐비티(225)의 단면이 사각형(다이아몬드) 형태인 피라미드 혼 안테나(Pyramidal Horn Antenna)로 구현될 수 있다.
한편, 2개의 벌크 실리콘(212,213)의 상호 접합면에는 신호를 급전하기 위한 급전부(250)가 배치될 수 있다.
도 6을 참조하면, 벌크 실리콘(212)의 상, 하면에 SiO2 마스크(215)를 형성하고, 방사개구부(230)가 형성될 때까지 식각을 수행한 후, 식각면(220)에 금속을 증착함으로서 도 4에 도시된 피라미드 혼 안테나(Pyramidal Horn Antenna)를 제작할 수 있다.
이때, 두 개의 식각면(220)이 만나는 시점부터 식각 속도가 매우 느리게 진행되므로, 혼 캐비티(225)를 적절한 형태로 구성하여 혼 캐비티(225)의 단면이 삼각형 형태인 피라미드 혼 안테나(Pyramidal Horn Antenna)를 제작할 수 있다.
또한, 하부 벌크 실리콘(213)에 SiO2 마스크(215)를 형성하고, 삼각형 형태의 단면을 가지는 방사개구부(230)가 형성될 때까지 식각을 수행한 후, 그 상부에 급전부(250)를 구성할 수 있다.
이후, 동일한 방식으로 상부 벌크 실리콘(212)을 식각하여 아래쪽 벌크 실리콘(213)과 접합함으로써 도 5에 도시된 바와 같이 혼 캐비티(225)의 단면이 사각형(다이아몬드) 형태인 피라미드 혼 안테나(Pyramidal Horn Antenna)를 제작할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 혼 안테나 장치를 포함하는 테라헤르츠 트랜시버를 개략적으로 도시한 제1 예시도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 혼 안테나 장치를 포함하는 테라헤르츠 트랜시버를 개략적으로 도시한 제2 예시도이다.
한편, 도 7에는 도 2에 도시된 부채꼴 혼 안테나(Sectoral Horn Antenna)를 이용하여 테라헤르츠 트랜시버를 구현한 일 예가 도시되어 있고, 도 8에는 도 4에 도시된 피라미드 혼 안테나(Pyramidal Horn Antenna)를 이용하여 테라헤르츠 트랜시버를 구현한 일 예가 도시되어 있다.
테라헤르츠 트랜시버(300)는 테라헤르츠 발생기(310), 듀플렉서(320), 테라헤르츠 검출기(330) 및 본 발명에 따른 실리콘 안테나부(200)를 포함한다.
여기서, 테라헤르츠 트랜시버(300)를 구성하는 테라헤르츠 발생기(310), 듀플렉서(320), 테라헤르츠 검출기(330)는 통상적인 테라헤르츠 트랜시버(300)에 구비되는 구성이므로 그에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 테라헤르츠 발생기(310), 듀플렉서(320) 및 테라헤르츠 검출기(330)를 내장한 반도체 플랫폼에 도 2에 도시된 부채꼴 혼 안테나(Sectoral Horn Antenna)를 이종 결합하여 테라헤르츠 트랜시버(300)를 구성할 수 있다. 하지만, 이와 달리 도 4에 도시된 피라미드 혼 안테나(Pyramidal Horn Antenna)를 이종 결합하여 구성하는 것도 가능하다.
또한, 도 8을 참조하면, 실리콘 안테나부(200)를 포함하는 테라헤르츠 트랜시버용 플랫폼을 구성하고, 여기에 테라헤르츠 발생기(310), 듀플렉서(320) 및 테라헤르츠 검출기(320)를 이종 결합하여 테라헤르츠 트랜시버(300)를 구성할 수 있다.
이때, 테라헤르츠 트랜서버용 플랫폼은 도 2에 도시된 부채꼴 혼 안테나(Sectoral Horn Antenna) 또는 도 4에 도시된 피라미드 혼 안테나(Pyramidal Horn Antenna)로 구현될 수 있다.
한편, 도 8에서는 실리콘 안테나부(200)가 테라헤르츠 송수신 소자와 이종 결합되는 테라헤르츠 트랜시버용 플랫폼으로 구현되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 실리콘 안테나부(200)는 테라헤르츠 송신기용 플랫폼 또는 테라헤르츠 수신기용 플랫폼으로 구현되는 것도 가능할 것이며, 이때, 테라헤르츠 송수신 소자는 테라헤르츠 발생기(310) 또는 테라헤르츠 검출기(320)를 포함할 수 있을 것이다.
이와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 혼 안테나 장치에 따르면, 실리콘의 결정 방향에 따른 비등방성 식각 특성을 이용하여 높은 이득으로 테라헤르츠 대역의 신호를 송수신할 수 있는 저가의 혼 안테나 장치를 구현할 수 있다.
또한, 이와 동시에 테라헤르츠 송수신 소자와 이종으로 결합되는 플랫폼을 구성하면, 높은 지향성과 높은 이득을 가지는 테라헤르츠 송수신 모듈을 저가, 고효율로 구현할 수 있다.
이때, 테라헤르츠 송수신 소자에서 실리콘 안테나부(200)로의 급전 효율이 매우 중요한데, 테라헤르츠 송수신 소자의 접지면에 방사개구부(230)를 형성하여 급전하거나, 방사 패턴이 방향성을 가지는 평면형 안테나(미도시)를 구성하여 급전할 수 있다.
또한, 급전 효율을 높이기 위하여 실리콘 기판(210)에 리지(ridge)를 형성하거나 실리콘 안테나부(200)에 형성되는 혼 캐비티(225)의 크기 및 위치를 조절할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 기술이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 정해져야할 것이다.
100 : 기판
200 : 실리콘 안테나부
210 : 실리콘 기판 212, 213 : 벌크 실리콘
215 : SiO2 마스크 220 : 식각면
225 : 혼 캐비티 230 : 방사개구부
300 : 테라헤르츠 트랜시버
310 : 테라헤르츠 발생기 320 : 듀플렉서
330 : 테라헤르츠 검출기

Claims (13)

  1. 기판; 및
    상기 기판에 접합되며, 접합면과 수평 방향으로 일측이 외부로 개방된 방사개구부를 갖는 혼 캐비티가 형성된 실리콘 안테나부를 포함하는 혼 안테나 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 안테나부는 실리콘 기판에 형성된 상기 혼 캐비티의 식각면에 금속이 증착된 것을 특징으로 하는 혼 안테나 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 혼 캐비티는 상기 방사개구부의 반대 측으로 갈수록 상기 혼 캐비티의 단면적이 감소하도록 형성된 것을 특징으로 하는 혼 안테나 장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 혼 캐비티의 단면이 등변사다리꼴 형태인 것을 특징으로 하는 혼 안테나 장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 벌크 실리콘인 것을 특징으로 하는 혼 안테나 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 혼 캐비티의 단면이 삼각형 형태인 것을 특징으로 하는 혼 안테나 장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 안테나부가 테라헤르츠 송수신 소자와 이종 결합되는 테라헤르츠 송신기용 플랫폼, 테라헤르츠 수신기용 플랫폼 및 테라헤르츠 트랜시버용 플랫폼 중 어느 하나로 구현되는 것을 특징으로 하는 혼 안테나 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 테라헤르츠 송수신 소자는 테라헤르츠 발생기, 듀플렉서 및 테라헤르츠 검출기 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 혼 안테나 장치.
  9. 제1 벌크 실리콘; 및
    상기 제1 벌크 실리콘에 접합되는 제2 벌크 실리콘을 포함하되,
    상기 제1 벌크 실리콘과 상기 제2 벌크 실리콘의 상호 접합면에 상기 상호 접합면과 수평 방향으로 일측이 외부로 개방된 방사개구부를 갖는 혼 캐비티가 형성된 것을 특징으로 하는 혼 안테나 장치.
  10. 제 7항에 있어서, 상기 혼 캐비티는 상기 방사개구부의 반대 측으로 갈수록 상기 혼 캐비티의 단면적이 감소하도록 형성된 것을 특징으로 하는 혼 안테나 장치.
  11. 제 7항에 있어서, 상기 혼 캐비티는 상기 접합면을 기준으로 대칭구조를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 혼 안테나 장치.
  12. 제 7항에 있어서, 상기 방사개구면의 단면이 사각형 형태인 것을 특징으로 하는 혼 안테나 장치.
  13. 제 7항에 있어서,
    상기 상호 접합면에 배치되어 신호를 급전하는 급전부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 혼 안테나 장치.
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