KR101714921B1 - 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체 - Google Patents
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Abstract
메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체가 제시된다. 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체에 있어서, 소정의 유전율을 갖는 기판; 상기 기판의 일면에 배치되며, 복수 개로 분할되어 대칭적 구조를 갖는 스플리트 링 공진기(Split Ring Resonator, SRR) 구조의 도전체; 및 상기 기판의 타면에 배치되어 투과율(Transmission)을 차단하는 금속면을 포함할 수 있다.
Description
아래의 실시예들은 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 서로 다른 길이를 갖는 SRR 구조를 이용하여 독립적으로 동작하는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체에 관한 것이다.
모바일 폰, 스마트 기기 등의 휴대기기의 무선 충전 기술이 적용되면서 자기유도 및 자기 공명방식의 무선충전 기술이 연구되고 있다. 또한 통신과 무선전력 융합 지능형 빌딩 시스템(Intelligent Building System, IBS), 홈 오토매틱(Home automation) 분야와 무선충전 솔루션의 사용자 안전성 및 편의성 증대로 EV(Electric Vehicle) 충전 분야 및 인체를 고려한 의료용 기기의 충전 분야로도 확대될 것으로 예상된다. 이러한 무선전력 전송기술 중 자기공명 방식은 공진 코일을 이용하여 1차 코일에서 2차 코일로 전력이 전송되는 기술이다.
그러나 송신 코일과 수신 코일 주변에서 불필요한 방향으로의 필드 분포가 형성될 수 있다. 또한, 인체에 적용되는 의료용 기기의 무선 전력전송의 경우에 수신 코일이 인체 내부에 존재하므로 필드에 의한 인체의 영향을 줄 수 있다. 그리고 WBAN 또는 의료용 기기에서 MICS 및 ISM 대역의 주파수가 사용되는데, 이러한 주파수가 수신 코일과의 커플링에 의해서 무선전력 전송의 효율에 영향을 미치게 된다.
한편, 최근 무선통신의 급속한 발전과 더불어 방송, 멀티미디어 등 다양한 서비스에 대한 요구로 뛰어난 통신 품질 및 높은 데이터 전송 속도, 낮은 소비전력, 다중대역 서비스를 가능하게 하는 차세대 이동통신 서비스를 위한 기술 발전에 주력하고 있다. 이러한 차세대 이동통신을 위해 다중 입출력 기술(Multi Input Multi Output, MIMO) 기술이 각광 받고 있다.
MIMO 기술은 이동통신 환경에서 다수의 안테나를 사용해 데이터 송수신하는 다중 안테나 신호 처리 방식으로 여러 개의 안테나를 사용해 동일한 무선 채널에서 두 개 이상의 데이터 신호를 전송함으로써 무선 통신의 범위를 넓히고, 속도도 크게 향상시킬 수 있는 장점을 가지고 있다.
하지만 한정된 공간에 복수개의 안테나를 사용함으로써 안테나 사이의 간섭에 의해서 성능이 저하되는 현상이 발생한다.
한국공개특허 10-2013-0054315 호는 이러한 메타물질을 기반으로 하는 초박형 마이크로스트립 안테나에 관한 것으로, 프랙탈 요소(fractal element) 및 메타물질(metamaterial)을 포함하는 안테나에 관한 기술을 기재하고 있다.
실시예들은 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체에 관하여 기술하며, 보다 구체적으로 서로 다른 길이를 갖는 SRR 구조를 이용하여 독립적으로 동작하는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체에 관한 기술을 제공한다.
실시예들은 메타물질(metamaterial)을 이용한 다중 대역 흡수체를 방사체 사이에 위치시킴으로써 방사체 사이의 간섭을 개선하여 안테나의 성능을 향상시키는 다중 대역 흡수체를 제공하는데 있다.
일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체에 있어서, 소정의 유전율을 갖는 기판; 상기 기판의 일면에 배치되며, 복수 개로 분할되어 대칭적 구조를 갖는 스플리트 링 공진기(Split Ring Resonator, SRR) 구조의 도전체; 및 상기 기판의 타면에 배치되어 투과율(Transmission)을 차단하는 금속면을 포함한다.
상기 도전체는 상기 기판의 일면에 배치되며 대칭적 구조를 갖는 고주파 대역의 스플리트 링 공진기; 및 상기 기판의 일면에 배치되며 대칭적 구조를 갖는 저주파 대역의 스플리트 링 공진기를 포함할 수 있다.
상기 고주파 대역의 스플리트 링 공진기는 고주파 대역의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기 구조를 형성하고, 상기 저주파 대역의 스플리트 링 공진기는 저주파 대역의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기 구조를 형성할 수 있다.
상기 도전체는 대칭적 구조를 갖는 삼각형 형상으로 복수 개 분할될 수 있다.
상기 고주파 대역과 상기 저주파 대역이 서로 독립적으로 동작할 수 있다.
7.64 GHz 대역에서 상기 고주파 대역의 스플리트 링 공진기에 전류가 강하게 유기되며, 4.74 GHz 대역에서 상기 저주파 대역의 스플리트 링 공진기에 전류가 강하게 유기될 수 있다.
상기 도전체는 8 분할되어 서로 다른 3중 대역의 대칭형 스플리트 링 공진기 구조를 형성하고, 상기 3중 대역에서 각각 독립적으로 동작할 수 있다.
상기 도전체는 다수 개 분할되어 서로 다른 다중 대역의 대칭형 스플리트 링 공진기 구조를 형성하고, 상기 다중 대역에서 각각 독립적으로 동작할 수 있다.
상기 다중 대역 흡수체의 흡수율은 1과 특정 주파수 대역에서의 반사 계수(Reflectivity coefficient)의 차로 나타낼 수 있다.
상기 다중 대역 흡수체의 단위 구조를 다수 개 배열시킨 구조에서 동일하게 상기 고주파 대역과 상기 저주파 대역이 서로 독립적으로 동작할 수 있다.
다른 실시예에 따른 메타물질을 이용한 이중 대역 흡수체에 있어서, 소정의 유전율을 갖는 기판; 상기 기판의 일면에 배치되며, 제1 대역의 한 쌍의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기(Split Ring Resonator, SRR); 상기 기판의 일면에 배치되며, 제2 대역의 한 쌍의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기; 및 상기 기판의 타면에 배치되어 투과율(Transmission)을 차단하는 금속면을 포함한다.
상기 제1 대역의 한 쌍의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기는 삼각형 형상을 가지며, 상기 제2 대역의 한 쌍의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기는 삼각형 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 대역과 상기 제2 대역이 서로 독립적으로 동작할 수 있다.
제1 대역 환경에서 상기 제1 대역의 한 쌍의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기에 전류가 강하게 유기되며, 제2 대역 환경에서 상기 제2 대역의 한 쌍의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기에 전류가 강하게 유기될 수 있다.
상기 제1 대역의 한 쌍의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기의 끝단 사이의 간격의 길이에 따라 상기 제1 대역의 흡수율이 조절되며, 상기 제2 대역의 흡수율에는 영향을 미치지 않고, 상기 제2 대역의 한 쌍의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기의 끝단의 굴절된 부분의 길이에 따라 상기 제2 대역의 흡수율이 조절되며, 상기 제1 대역의 흡수율에는 영향을 미치지 않을 수 있다.
실시예들에 따르면 메타물질(metamaterial)을 이용한 다중 대역 흡수체를 방사체 사이에 위치시킴으로써 방사체 사이의 간섭을 개선하여 안테나의 성능을 향상시키는 다중 대역 흡수체를 제공할 수 있다.
또한, 실시예들에 따르면 스텔스기에 흡수체를 적용하여 위치 탐지를 회피할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 평면도를 나타내는 도면이다.
도 2는 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 측면도를 나타내는 도면이다.
도 3 내지 도 5는 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 시뮬레이션 조건을 나타내는 도면이다.
도 6은 일 실시예에 따른 다중 대역 흡수체의 고주파 대역의 SRR 길이 변화에 따른 흡수율 변화를 나타내는 도면이다.
도 7은 일 실시예에 따른 다중 대역 흡수체의 저주파 대역의 SRR 길이 변화에 따른 흡수율 변화를 나타내는 도면이다.
도 8은 일 실시예에 따른 다중 대역 흡수체의 기판의 두께 변화에 따른 흡수율 변화를 나타내는 도면이다.
도 9는 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 임피던스 특성을 나타내는 도면이다.
도 10은 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 흡수율 및 반사 계수 특성을 나타내는 도면이다.
도 11은 일 실시예에 따른 다중 대역 흡수체의 저주파 대역에서의 전류 분포 특성을 나타내는 도면이다.
도 12는 일 실시예에 따른 다중 대역 흡수체의 고주파 대역에서의 전류 분포 특성을 나타내는 도면이다.
도 13은 일 실시예에 따른 배열된 다중 대역 흡수체의 흡수율 특성을 나타내는 도면이다.
도 14는 일 실시예에 따른 배열된 다중 대역 흡수체의 저주파 대역에서의 전류 분포 특성을 나타내는 도면이다.
도 15는 일 실시예에 따른 배열된 다중 대역 흡수체의 고주파 대역에서의 전류 분포 특성을 나타내는 도면이다.
도 2는 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 측면도를 나타내는 도면이다.
도 3 내지 도 5는 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 시뮬레이션 조건을 나타내는 도면이다.
도 6은 일 실시예에 따른 다중 대역 흡수체의 고주파 대역의 SRR 길이 변화에 따른 흡수율 변화를 나타내는 도면이다.
도 7은 일 실시예에 따른 다중 대역 흡수체의 저주파 대역의 SRR 길이 변화에 따른 흡수율 변화를 나타내는 도면이다.
도 8은 일 실시예에 따른 다중 대역 흡수체의 기판의 두께 변화에 따른 흡수율 변화를 나타내는 도면이다.
도 9는 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 임피던스 특성을 나타내는 도면이다.
도 10은 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 흡수율 및 반사 계수 특성을 나타내는 도면이다.
도 11은 일 실시예에 따른 다중 대역 흡수체의 저주파 대역에서의 전류 분포 특성을 나타내는 도면이다.
도 12는 일 실시예에 따른 다중 대역 흡수체의 고주파 대역에서의 전류 분포 특성을 나타내는 도면이다.
도 13은 일 실시예에 따른 배열된 다중 대역 흡수체의 흡수율 특성을 나타내는 도면이다.
도 14는 일 실시예에 따른 배열된 다중 대역 흡수체의 저주파 대역에서의 전류 분포 특성을 나타내는 도면이다.
도 15는 일 실시예에 따른 배열된 다중 대역 흡수체의 고주파 대역에서의 전류 분포 특성을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 설명한다. 그러나, 기술되는 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명되는 실시예들에 의하여 한정되는 것은 아니다. 또한, 여러 실시예들은 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
기존 메타물질(metamaterial)을 이용한 흡수체는 단일 대역에서 동작하거나 이중 대역으로 동작하는 흡수체는 구조가 복잡하고 제작 시 비용이 증가하는 단점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 서로 다른 길이를 갖는 SRR 구조를 이용하여 독립적으로 동작하는 다중 대역 흡수체를 제시할 수 있다.
무선전력 전송기술 중 자기공명 방식은 공진코일을 이용하여 1차 코일에서 2차 코일로 전력이 전송되는 기술이다. 송신 코일과 수신 코일 주변에 본 발명에서 제안된 흡수체를 위치시킴으로써 불필요한 방향으로의 필드 분포를 억제시킬 수 있으며, 인접 주파수에 의한 공진 코일의 커플링을 억제시킬 수 있다.
그리고 인체에 적용되는 의료용 기기의 무선 전력전송의 경우에 수신 코일이 인체 내부에 존재하므로 필드에 의한 인체의 영향을 줄 수 있다. 따라서 수신 코일 뒷면에 제안된 흡수체를 위치시킴으로써 수신되는 전력이 인체 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한 WBAN 또는 의료용 기기에서 MICS 및 ISM 대역의 주파수가 사용되는데, 이러한 주파수가 수신 코일과의 커플링에 의해서 무선전력 전송의 효율에 영향을 미치게 된다. 따라서 수신 코일 주위에 제안된 다중 대역 흡수체를 사용하여 주파수 간섭에 의한 무선전력 전송의 오작동을 방지할 수 있다.
따라서 본 실시예에서는 메타물질(metamaterial)을 이용한 다중 대역 흡수체를 방사체 사이에 위치시킴으로써 방사체 사이의 간섭을 개선하여 안테나의 성능을 향상시킬 수 있다.
또한 레이더를 이용하여 스텔스기를 탐지할 수 있는데, 스텔스기에 본 발명에 제안된 흡수체를 적용함으로써 위치 탐지를 회피할 수 있다.
일 실시예에 따른 안테나는 금속 지그를 포함한다. 이때, 금속 지그의 일면에는 송신 안테나가 구비되고 금속 지그의 타면에는 수신 안테나가 구비되며, 금속 지그의 측면에는 메타물질 구조물이 형성될 수 있다.
메타물질 구조물은 소정의 주파수 구간에서 유전율(Permittivity) 및 투자율(Permeability) 중에서 적어도 하나가 0 또는 음의 값을 갖는 구조물을 의미한다.
메타물질 구조물의 유전율이 0 또는 음의 값을 갖거나 투자율이 0 또는 음의 값을 갖는다면, 수신 안테나에서 수신되는 RF 신호는 금속 지그를 통해 송신 안테나 측으로 쉽게 전파되지 못하고, 송신 안테나에서 송신되는 RF 신호 역시 금속 지그를 통해 수신 안테나 측으로 쉽게 전파되지 못한다. 이에 따라 송신 안테나와 수신 안테나 사이의 격리도가 향상될 수 있다.
한편, 송신 안테나 및 수신 안테나는 각각 접지면, 유전체 기판, 급전 패턴, 및 방사 패치를 포함할 수 있다. 접지면은 금속 재질로 이루어지며, 접지 전위를 제공하는 기능을 한다. 그리고 방사 패치는 RF 신호를 송수신하는 기능을 하고 급전 패턴과 전기적으로 연결되며, 급전 패턴을 통해 RF 신호를 급전 받을 수 있다.
예를 들어, 메타물질 구조물은 기판, 대칭적인 구조의 고주파 대역의 스플리트 링 공진기(SRR), 대칭적인 구조의 저주파 대역의 스플리트 링 공진기(SRR), 및 금속면이 형성되는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체가 될 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 평면도를 나타내는 도면이다.
도 2는 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 측면도를 나타내는 도면이다.
도 1과 도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 메타물질(metamaterial)을 이용한 다중 대역 흡수체의 단위 구조를 도시한 도면으로, 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체는 대칭적인 구조의 삼각형 형상의 스플리트 링 공진기(Split Ring Resonator, SRR) 구조가 유전체 기판의 중심을 기준으로 위, 아래 및 좌, 우로 대칭적으로 구성될 수 있다. 스플리트 링 공진기(Split Ring Resonator, SRR)를 간단히 SRR로 나타낼 수도 있다.
이러한 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체는 기판(10), 도전체(20), 및 금속면(30)을 포함하여 이루어질 수 있다. 실시예에 따라 도전체(20)는 고주파 대역의 스플리트 링 공진기(21, 22) 및 저주파 대역의 스플리트 링 공진기(23, 24)를 포함할 수 있다. 아래에서는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체를 간단히 다중 대역 흡수체라고 하기로 한다.
기판(10)은 다양한 재질의 유전체가 사용될 수 있다. 이러한 기판(10)은 소정의 유전율을 가지며, RF 신호의 매질에 해당할 수 있다.
예컨대, 기판(10)은 유전율()이 4.4이고 높이 1mm의 범용적으로 사용되는 글라스 에폭시 기판(FR4)일 수 있다. FR4 기판이 사용될 경우, 다중 대역 흡수체를 저비용으로 대량 생산할 수 있다.
한편, 상기의 기판(10)의 적어도 일면의 소정의 영역에 금속면(30)이 형성될 수 있다. 금속면(30)은 기판(10)의 후면에 직사각형의 도체로 구성될 수 있으며, 포트 1(port 1)에서 입사된 전자파가 흡수체를 통해서 포트 2(port 2)로 진행하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
예컨대, 기판(10)을 포함한 단위 다중 대역 흡수체의 전체 크기는 10 mm x 10 mm x 1 mm 사이즈로 제공될 수 있다.
기판(10)의 전면부에는 금속 재질의 도전체(20)가 형성될 수 있다.
도전체(20)는 기판(10)의 일면에 배치되며, 복수 개로 분할되어 대칭적 구조를 갖는 스플리트 링 공진기(SRR) 구조로 형성될 수 있다. 도전체(20)는 대칭적 구조를 갖는 삼각형 형상으로 복수 개 분할될 수 있다. 이러한 도전체(20)는 대칭적 구조를 갖는 삼각형 형상으로 도시하였지만, 원형, 사각형 등과 같이 다양한 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 기판(10)의 전면부에는 고주파 대역의 대칭형 삼각형 SRR(21, 22)과 저주파 대역의 대칭형 삼각형 SRR(23, 24)가 제공될 수 있다.
실시예에 따라 도전체(20)는 고주파 대역의 스플리트 링 공진기(21, 22) 및 저주파 대역의 스플리트 링 공진기(23, 24)를 포함할 수 있다. 즉, 기판(10)의 전면부에는 고주파 대역의 스플리트 링 공진기(21, 22) 및 저주파 대역의 스플리트 링 공진기(23, 24)가 형성될 수 있다.
일례로, 고주파 대역의 스플리트 링 공진기(21, 22)는 고주파 대역의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기 구조를 형성할 수 있고, 저주파 대역의 스플리트 링 공진기(23, 24)는 저주파 대역의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기 구조를 형성할 수 있다. 다른 예로, 고주파 대역의 스플리트 링 공진기(21, 22)는 고주파 대역의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기 구조를 형성할 수 있고, 저주파 대역의 스플리트 링 공진기(23, 24)는 저주파 대역의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기 구조를 형성하는 것도 가능하다.
예를 들어, 7.64 GHz 대역에서 고주파 대역의 스플리트 링 공진기(21, 22)에 전류가 강하게 유기되며, 4.74 GHz 대역에서 저주파 대역의 스플리트 링 공진기(23, 24)에 전류가 강하게 유기될 수 있다. 즉, 고주파 대역과 저주파 대역이 서로 독립적으로 동작할 수 있다.
다중 대역 흡수체의 흡수율은 1과 특정 주파수 대역에서의 반사 계수(Reflectivity coefficient)의 차로 나타낼 수 있다. 다중 대역 흡수체의 흡수율에 대해서는 아래에서 더 구체적으로 설명하기로 한다.
고주파 대역의 스플리트 링 공진기(21, 22)의 끝단 사이의 간격의 길이에 따라 고주파 대역의 흡수율이 조절되되, 저주파 대역의 흡수율에는 영향을 미치지 않음으로써, 고주파 대역과 저주파 대역이 서로 독립적으로 동작할 수 있다.
마찬가지로, 저주파 대역의 스플리트 링 공진기(23, 24)의 끝단의 굴절된 부분의 길이에 따라 저주파 대역의 흡수율이 조절되되, 고주파 대역의 흡수율에는 영향을 미치지 않음으로써, 고주파 대역과 저주파 대역이 서로 독립적으로 동작할 수 있다.
한편, 도전체(20)는 도 1에 도시된 바와 같이 4 분할되어 서로 다른 2중 대역의 대칭형 스플리트 링 공진기 구조(21, 22, 23, 24)를 형성하고, 2중 대역에서 각각 독립적으로 동작할 수 있다.
또한, 도전체(20)는 8 분할되어 서로 다른 3중 대역의 대칭형 스플리트 링 공진기 구조를 형성하고, 3중 대역에서 각각 독립적으로 동작할 수도 있다.
이와 같은 방법으로, 도전체(20)는 다수 개 분할되어 서로 다른 다중 대역의 대칭형 스플리트 링 공진기 구조를 형성하고, 다중 대역에서 각각 독립적으로 동작할 수 있다.
그리고 다중 대역 흡수체의 단위 구조를 다수 개 배열시킨 구조에서도 동일하게 고주파 대역과 저주파 대역이 서로 독립적으로 동작할 수 있다.
금속면(30)은 기판(10)의 타면에 배치되어 투과율(Transmission)을 차단할 수 있다.
더 구체적으로, 금속면(30)은 메타물질의 도전체(20)가 특정 주파수 대역(바람직하게는 WCDMA 주파수 대역 중 고주파 대역 및/또는 저주파 대역)에서 0 또는 음의 투자율 특성을 갖도록 하기 위해 기판(10)의 타면에 형성될 수 있다.
이와 같이 서로 다른 길이를 갖는 스플리트 링 공진기 구조를 이용하여 각 주파수 대역에서 독립적으로 동작하는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체를 제공할 수 있다. 이러한 메타물질(metamaterial)을 이용한 다중 대역 흡수체를 방사체 사이에 위치시킴으로써 방사체 사이의 간섭을 개선하여 안테나의 성능을 향상시킬 수 있다.
다른 측면에 따르면, 메타물질을 이용한 이중 대역 흡수체는 기판(10), 제1 대역의 한 쌍의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기(21, 22), 제2 대역의 한 쌍의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기(23, 24), 및 금속면(30)을 포함하여 이루어질 수 있다. 다른 측면에 따르면, 메타물질을 이용한 이중 대역 흡수체는 앞에서 설명한 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 이중 대역 흡수체와 설명이 중복되어 중복되는 내용을 생략하고 간단히 설명하기로 한다.
앞에서 설명한 바와 같이, 기판(10)은 다양한 재질의 유전체가 사용될 수 있다. 이러한 기판(10)은 소정의 유전율을 가지며, RF 신호의 매질에 해당할 수 있다.
제1 대역의 한 쌍의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기(21, 22)는 기판(10)의 일면에 배치될 수 있다.
제2 대역의 한 쌍의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기(23, 24)는 제1 대역의 한 쌍의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기(21, 22)와 함께 기판(10)의 일면에 배치될 수 있다.
제1 대역의 한 쌍의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기(21, 22)는 삼각형 형상을 가지며, 제2 대역의 한 쌍의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기(23, 24)는 또 다른 형태의 삼각형 형상을 가질 수 있다.
그리고 금속면(30)은 기판(10)의 타면에 배치되어 투과율(Transmission)을 차단시킬 수 있다.
제1 대역 환경에서 제1 대역의 한 쌍의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기(21, 22)에 전류가 강하게 유기되며, 제2 대역 환경에서 제2 대역의 한 쌍의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기(23, 24)에 전류가 강하게 유기될 수 있다. 즉, 제1 대역과 제2 대역이 서로 독립적으로 동작할 수 있다.
그리고 제1 대역의 한 쌍의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기(21, 22)의 끝단 사이의 간격의 길이에 따라 제1 대역의 흡수율이 조절되며, 제2 대역의 흡수율에는 영향을 미치지 않고, 제2 대역의 한 쌍의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기(23, 24)의 끝단의 굴절된 부분의 길이에 따라 제2 대역의 흡수율이 조절되며, 제1 대역의 흡수율에는 영향을 미치지 않을 수 있다.
여기서, 제1 대역 및 제2 대역은 고주파 또는 저주파 대역으로 나타낼 수도 있다.
기존의 무선전력 전송은 인체의 영향을 고려하지 않은 기기간의 전송방식을 채택하고 있다. 이를 개선하여 본 발명은 인체기기와의 무선전력 전송을 위해서 송신 코일과 수신 코일 주변에 흡수체를 위치시켜 불필요한 방향으로의 필드 분포를 억제시킴으로써 전송 효율을 향상시키고, 수신 코일 뒷면에 흡수체를 위치시켜 인체 기기에 사용되는 주파수 (MICS, ISM 대역)에 의한 수신 코일과의 간섭을 줄이고, 무선 전력 전송 시 오작동을 방지하기 위해서 서로 다른 길이를 갖는 SRR 구조를 이용하여 독립적으로 동작하는 다중 대역 흡수체를 제공할 수 있다.
도 3 내지 도 5는 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 시뮬레이션 조건을 나타내는 도면이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 메타물질 흡수체를 설계하기 위한 시뮬레이션 조건을 나타낼 수 있다. 메타물질 구조는 가상 TEM 웨이브가이드(virtual TEM waveguide)에서 설계가 되므로, 도 4와 도 5와 같이 윗면과 아랫면은 완전 전기 도체(Perfect Electric Conductors; PEC) 경계조건이 설정되며, 앞면과 뒷면은 완전 자기 도체(Perfect Magnetic Conductors; PMC)의 경계조건이 설정될 수 있다. 또한, De-embed 기능을 이용하여 가상 TEM 웨이브 가이드(virtual TEM waveguide) 사이에 존재하는 물질의 경계면에서의 S-파라미터(parameter)를 추출할 수 있다. 여기서 De-embed 기능을 이용하여 거리를 고려하지 않고 시뮬레이션 하여 결과를 얻을 수 있다.
메타물질 흡수체의 기판 후면에 금속면이 구성될 수 있으며, 이러한 금속면은 포트 1(port 1)에서 입사된 전자파가 메타물질 흡수체를 통해서 포트 2(port 2)로 진행하는 것을 방지할 수 있다.
일반적으로 흡수율은 아래의 식과 같이 정의될 수 있다.
최대의 흡수율을 얻기 위해서는 특정 주파수 대역에서 반사율(reflectivity) 또는 투과율(Transmission) 를 최소가 되어야 한다. 또한, 반사율(reflectivity)은 가 되었을 때 작은 값을 얻을 수 있다.
메타물질의 임피던스는 아래의 식과 같이 나타낼 수 있다.
반사 계수(Reflectivity coefficient)와 투과 계수(transmission coefficient)는 아래와 같이 계산이 가능하다.
따라서, 흡수율은 다음의 식으로 나타낼 수 있다.
하지만, 본 실시예에 따른 다중 대역 흡수체는 유전체 기판의 뒷면에 형성된 금속면에 의해서 투과(Transmission)가 일어나지 않기 때문에 흡수율은 다음 식과 같이 나타낼 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 다중 대역 흡수체의 고주파 대역의 SRR 길이 변화에 따른 흡수율 변화를 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 대칭형 삼각형 구조를 갖는 고주파 대역의 스플리트 링 공진기(21, 22)의 길이 변화에 따른 흡수율 변화를 나타낼 수 있다. 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이 단위 다중 대역 흡수체에서 기판(10)의 상, 하에 배치된 고주파 대역의 스플리트 링 공진기(21, 22)의 L1 길이 변화에 따른 흡수율 변화를 나타낼 수 있다. 여기서, L1은 고주파 대역의 스플리트 링 공진기(21, 22)의 끝단의 굴절된 부분의 길이가 될 수 있다.
대칭형 삼각형 구조를 갖는 고주파 대역의 스플리트 링 공진기(21, 22) 길이의 변화는 저주파 대역의 흡수율에 영향을 미치지 않으며, 고주파 대역의 흡수율 대역을 독립적으로 용이하게 조절이 가능하다.
도 7은 일 실시예에 따른 다중 대역 흡수체의 저주파 대역의 SRR 길이 변화에 따른 흡수율 변화를 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 대칭형 삼각형 구조를 갖는 저주파 대역의 스플리트 링 공진기(23, 24)의 길이 변화에 따른 흡수율 변화를 나타낼 수 있다. 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이 단위 다중 대역 흡수체에서 기판(10)의 좌, 우에 배치된 저주파 대역의 스플리트 링 공진기(23, 24)의 L2 길이 변화에 따른 흡수율 변화를 나타낼 수 있다. 여기서, L2는 저주파 대역의 스플리트 링 공진기(23, 24)의 끝단 사이의 간격의 길이가 될 수 있다.
대칭형 삼각형 구조를 갖는 저주파 대역의 스플리트 링 공진기(23, 24)의 길이 변화는 고주파 대역의 흡수율에는 영향을 미치지 않으며, 저주파 대역의 흡수율 대역을 독립적으로 용이하게 조절이 가능하다.
도 8은 일 실시예에 따른 다중 대역 흡수체의 기판의 두께 변화에 따른 흡수율 변화를 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 유전체 기판(10)의 두께 변화에 따른 흡수율을 나타내는 것으로, 유전체 기판(10)의 두께(H)의 변화에 따라 저주파 및 고주파 대역의 흡수율 값이 변화하는 것을 확인할 수 있다.
하지만 유전체 기판(10)의 두께가 일정 두께 이상이 되는 경우, 흡수율은 더 이상 변화하지 않는 것을 확인할 수 있다.
따라서 각 주파수 영역에 따라 적절한 두께의 유전체 기판을 선택하여 사용함으로써 흡수율을 용이하게 높일 수 있다.
도 9는 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 임피던스 특성을 나타내는 도면이다.
도 9를 참조하면, 최종 설계된 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 임피던스 특성을 나타내는 것으로, 최대 흡수율을 갖는 4.74 GHz와 7.64 GHz 대역에서 임피던스의 허수부가 0의 값을 갖는 것을 확인할 수 있다.
도 10은 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 흡수율 및 반사 계수 특성을 나타내는 도면이다.
도 10을 참조하면, 최종 설계된 일 실시예에 따른 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 흡수율(Absorption) 및 반사(Reflection) 계수를 나타내는 것으로, 4.74 GHz 대역에서 98 %의 흡수율과 7.64GHz 대역에서 99 %의 흡수율을 동시에 갖는 것을 확인할 수 있다.
도 11은 일 실시예에 따른 다중 대역 흡수체의 저주파 대역에서의 전류 분포 특성을 나타내는 도면이다.
도 12는 일 실시예에 따른 다중 대역 흡수체의 고주파 대역에서의 전류 분포 특성을 나타내는 도면이다.
도 11과 도 12를 참조하면, 단위 다중 대역 흡수체의 4.74 GHz와 7.64 GHz 대역에서 전류 분포를 나타낼 수 있다.
더 구체적으로, 도 11은 4.74 GHz 대역에서의 전류 분포로서 저주파 대역의 대칭형 삼각형 구조를 갖는 저주파 대역의 스플리트 링 공진기(23, 24)에 전류가 강하게 유기되는 것을 확인할 수 있으며, 반면에 도 12는 7.64 GHz 대역에서의 전류 분포로서 대칭형 삼각형 구조를 갖는 고주파 대역의 스플리트 링 공진기(21, 22)에 전류가 강하게 유기되는 것을 확인할 수 있다.
두 전류 분포로부터 각각의 대칭형 삼각형 구조를 갖는 고주파 대역의 스플리트 링 공진기(21, 22) 및 저주파 대역의 스플리트 링 공진기(23, 24)가 서로 다른 주파수 대역에서 독립적으로 동작하는 것을 확인할 수 있다.
도 13은 일 실시예에 따른 배열된 다중 대역 흡수체의 흡수율 특성을 나타내는 도면이다.
도 13을 참조하면, 단위 다중 대역 흡수체를 3 x 9 배열시킨 구조의 흡수율을 나타낸다. 배열된 다중 대역 흡수체는 단위 다중 대역 흡수체와 동일하게 4.74 GHz와 7.64 GHz 대역에서 최대 흡수율을 갖는 것을 확인할 수 있다.
이 결과로부터 단위 다중 대역 흡수체의 특성이 배열이 된 후에도 특성이 변화하지 않는 것을 확인할 수 있다.
도 14는 일 실시예에 따른 배열된 다중 대역 흡수체의 저주파 대역에서의 전류 분포 특성을 나타내는 도면이다.
도 15는 일 실시예에 따른 배열된 다중 대역 흡수체의 고주파 대역에서의 전류 분포 특성을 나타내는 도면이다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 3 x 9 배열된 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체의 전류 분포를 나타내는 것으로, 도 14는 4.74 GHz 대역에서의 전류 분포 특성을 나타내고 도 15는 7.64 GHz 대역에서의 전류 분포를 나타낼 수 있다.
배열된 흡수체는 단위 흡수체와 동일하게 고주파 영역과 저주파 영역이 독립적으로 동작하는 것을 확인할 수 있다.
실시예들에 따르면, 기존의 복잡한 흡수체 구조를 단순화하여 제작단가를 줄일 수 있으며 유사한 구조의 길이의 조절로 서로 독립적으로 동작하는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체를 설계가 가능하다.
그리고 다중 대역 흡수체를 설계함으로써 인체 무선 전력 전송의 1차 코일과 2차 코일 사이에 위치시킴으로써 전자파의 손실을 줄이고 효율 특성을 개선할 수 있다. 또한, 인체기기의 사용 주파수와의 간섭을 방지하여 인체기기의 무선전력 전송의 오작동을 방지할 수 있다. 근접한 두 안테나 사이에 다중 대역 흡수체를 위치시킴으로써 두 안테나 사이의 커플링 효과를 감소시킬 수 있고 안테나의 성능을 향상시킬 수 있다. 더욱이 스텔스기에 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체를 적용을 하여 레이더 탐지를 회피할 수도 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
Claims (15)
- 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체에 있어서,
소정의 유전율을 갖는 기판;
상기 기판의 일면에 배치되며, 복수 개로 분할되어 대칭적 구조를 갖는 스플리트 링 공진기(Split Ring Resonator, SRR) 구조의 도전체; 및
상기 기판의 타면에 배치되어 투과율(Transmission)을 차단하는 금속면을 포함하고,
상기 도전체는,
상기 기판의 일면에 배치되며 대칭적 구조를 갖는 고주파 대역의 스플리트 링 공진기; 및
상기 기판의 일면에 배치되며 대칭적 구조를 갖는 저주파 대역의 스플리트 링 공진기를 포함하며,
상기 고주파 대역의 스플리트 링 공진기는 고주파 대역의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기 구조를 형성하고, 상기 저주파 대역의 스플리트 링 공진기는 저주파 대역의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체. - 삭제
- 삭제
- 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체에 있어서,
소정의 유전율을 갖는 기판;
상기 기판의 일면에 배치되며, 복수 개로 분할되어 대칭적 구조를 갖는 스플리트 링 공진기(Split Ring Resonator, SRR) 구조의 도전체; 및
상기 기판의 타면에 배치되어 투과율(Transmission)을 차단하는 금속면을 포함하고,
상기 도전체는,
대칭적 구조를 갖는 삼각형 형상으로 복수 개 분할되는 것
을 특징으로 하는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체. - 제1항에 있어서,
상기 고주파 대역과 상기 저주파 대역이 서로 독립적으로 동작하는 것
을 특징으로 하는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체. - 제5항에 있어서,
7.64 GHz 대역에서 상기 고주파 대역의 스플리트 링 공진기에 전류가 강하게 유기되며, 4.74 GHz 대역에서 상기 저주파 대역의 스플리트 링 공진기에 전류가 강하게 유기되는 것
을 특징으로 하는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체. - 제1항에 있어서,
상기 도전체는,
8 분할되어 서로 다른 3중 대역의 대칭형 스플리트 링 공진기 구조를 형성하고, 상기 3중 대역에서 각각 독립적으로 동작하는 것
을 특징으로 하는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체. - 제1항에 있어서,
상기 도전체는,
다수 개 분할되어 서로 다른 다중 대역의 대칭형 스플리트 링 공진기 구조를 형성하고, 상기 다중 대역에서 각각 독립적으로 동작하는 것
을 특징으로 하는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체. - 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체에 있어서,
소정의 유전율을 갖는 기판;
상기 기판의 일면에 배치되며, 복수 개로 분할되어 대칭적 구조를 갖는 스플리트 링 공진기(Split Ring Resonator, SRR) 구조의 도전체; 및
상기 기판의 타면에 배치되어 투과율(Transmission)을 차단하는 금속면을 포함하고,
상기 다중 대역 흡수체의 흡수율은,
1과 특정 주파수 대역에서의 반사 계수(Reflectivity coefficient)의 차인 것
을 특징으로 하는 메타 물질을 이용한 다중 대역 흡수체. - 제1항에 있어서,
상기 다중 대역 흡수체의 단위 구조를 다수 개 배열시킨 구조에서 동일하게 상기 고주파 대역과 상기 저주파 대역이 서로 독립적으로 동작하는 것
을 특징으로 하는 메타 물질을 이용한 다중 대역 흡수체. - 메타물질을 이용한 이중 대역 흡수체에 있어서,
소정의 유전율을 갖는 기판;
상기 기판의 일면에 배치되며, 제1 대역의 한 쌍의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기(Split Ring Resonator, SRR);
상기 기판의 일면에 배치되며, 제2 대역의 한 쌍의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기; 및
상기 기판의 타면에 배치되어 투과율(Transmission)을 차단하는 금속면
을 포함하는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체. - 제11항에 있어서,
상기 제1 대역의 한 쌍의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기는 삼각형 형상을 가지며,
상기 제2 대역의 한 쌍의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기는 삼각형 형상을 가지는 것
을 특징으로 하는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체. - 제11항에 있어서,
상기 제1 대역과 상기 제2 대역이 서로 독립적으로 동작하는 것
을 특징으로 하는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체. - 제11항에 있어서,
제1 대역 환경에서 상기 제1 대역의 한 쌍의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기에 전류가 강하게 유기되며, 제2 대역 환경에서 상기 제2 대역의 한 쌍의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기에 전류가 강하게 유기되는 것
을 특징으로 하는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체. - 제12항에 있어서,
상기 제1 대역의 한 쌍의 상, 하 대칭형 스플리트 링 공진기의 끝단 사이의 간격의 길이에 따라 상기 제1 대역의 흡수율이 조절되되, 상기 제2 대역의 흡수율에는 영향을 미치지 않고,
상기 제2 대역의 한 쌍의 좌, 우 대칭형 스플리트 링 공진기의 끝단의 굴절된 부분의 길이에 따라 상기 제2 대역의 흡수율이 조절되되, 상기 제1 대역의 흡수율에는 영향을 미치지 않는 것
을 특징으로 하는 메타물질을 이용한 다중 대역 흡수체.
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