KR20130115129A - Method for machining sapphire wafer - Google Patents

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KR20130115129A
KR20130115129A KR1020130033548A KR20130033548A KR20130115129A KR 20130115129 A KR20130115129 A KR 20130115129A KR 1020130033548 A KR1020130033548 A KR 1020130033548A KR 20130033548 A KR20130033548 A KR 20130033548A KR 20130115129 A KR20130115129 A KR 20130115129A
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료고 마지
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

PURPOSE: A method for processing a sapphire wafer is provided to increase a processing speed two or three times by dividing a chip with a blade. CONSTITUTION: A dicing tape is mounted on an annular frame. A sapphire wafer is bonded to the dicing tape. A plurality of wafers are received in a wafer cassette (8). The wafer cassette is arranged on a cassette elevator (9). An input and output unit (10) is installed on the rear side of the wafer cassette.

Description

사파이어 웨이퍼의 가공 방법{METHOD FOR MACHINING SAPPHIRE WAFER}Processing method of sapphire wafer {METHOD FOR MACHINING SAPPHIRE WAFER}

본 발명은, 사파이어 웨이퍼를 고속 회전하는 절삭 블레이드에 의해 칩으로 분할하는 사파이어 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the processing method of the sapphire wafer which divides a sapphire wafer into chips by the cutting blade which rotates at high speed.

단결정 사파이어는, 그 우수한 내열성·기계적 안정성·화학적 안정성·광 투과성 등의 특징으로부터 여러 가지 디바이스에 이용되고 있다. 그러나, 모스 경도가 매우 높기 때문에, 그 가공이 어렵다고 하는 측면이 있다.Single crystal sapphire has been used in various devices because of its excellent heat resistance, mechanical stability, chemical stability, and light transmittance. However, since Mohs' hardness is very high, there exists a side which the processing is difficult.

따라서, 사파이어 웨이퍼 상에 에피택셜층을 적층하고, 이 에피택셜층에 복수의 LED를 형성한 사파이어 웨이퍼의 경우, 사파이어 웨이퍼의 분할에는 다이아몬드 바이트를 이용한 스크라이빙과 할단(割斷), 레이저 빔을 이용한 분할 기점의 형성 및 분할 기점을 따른 할단이 그 가공 방법으로서 선택되어 있다.Therefore, in the case of a sapphire wafer in which an epitaxial layer is laminated on a sapphire wafer and a plurality of LEDs are formed on the epitaxial layer, the sapphire wafer is divided by scribing, cutting using a diamond bite, and using a laser beam. Formation of the division origin and the cutting along the division origin are selected as the processing method.

레이저 빔을 이용하여 복수의 LED가 형성된 사파이어 웨이퍼를 개개의 LED로 분할하는 방법으로서, 이하에 설명하는 제1 및 제2 가공 방법이 알려져 있다. 제1 가공 방법은, 사파이어 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장(예컨대, 355 ㎚)의 레이저 빔을 분할 예정 라인에 대응하는 영역에 조사하여 어블레이션(ablation) 가공에 의해 분할의 기점이 되는 분할 기점 홈을 형성하고, 그 후 외력을 부여하여 사파이어 웨이퍼를 개개의 LED로 분할하는 방법이다.As a method of dividing a sapphire wafer having a plurality of LEDs formed into individual LEDs using a laser beam, first and second processing methods described below are known. In the first processing method, a division starting point groove which is a starting point of division by ablation processing by irradiating a laser beam having a wavelength (for example, 355 nm) having an absorptivity with respect to a sapphire wafer to a region corresponding to a division scheduled line. The sapphire wafer is then divided into individual LEDs by forming an external force and then applying an external force.

제2 가공 방법은, 사파이어 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장(예컨대, 1064 ㎚)의 레이저 빔의 집광점을 분할 예정 라인에 대응하는 사파이 웨이퍼의 내부에 위치시켜 레이저 빔을 분할 예정 라인을 따라 조사하여 웨이퍼 내부에 변질층을 형성하고, 그 후 외력을 부여하여 변질층을 분할 기점으로 하여 사파이어 웨이퍼를 개개의 LED로 분할하는 방법이다.In the second processing method, a laser beam is irradiated along a division scheduled line by placing a light collecting point of a laser beam having a transmittance with respect to the sapphire wafer (for example, 1064 nm) inside the sapphire wafer corresponding to the division scheduled line. A method of forming a deteriorated layer inside a wafer, and then applying an external force to divide the sapphire wafer into individual LEDs using the deteriorated layer as a starting point for dividing.

사파이어 웨이퍼의 이용 방법으로서, LED의 기판으로서 이용하는 것 이외에, 그 특성을 살려 활용되고 있는 광학 부품의 예로서 프로젝터의 편광 필름 유지판이 있다(예컨대, 일본 특허 공개 제2009-003232호 공보 참조).As a usage method of a sapphire wafer, besides using as a board | substrate of LED, there exists a polarizing film holding plate of a projector as an example of the optical component utilized by utilizing the characteristic (for example, refer Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-003232).

편광 필름의 유지판은 LED 정도의 대량 생산품이 아니며, 1칩의 크기도 비교적 크기 때문에 절단시에 발생하는 치핑의 규격도 크므로, 초기 투자가 고액인 레이저 가공 장치에 의한 가공이 아닌 다이싱 장치에 의한 가공이 적합하다.The holding plate of the polarizing film is not a mass product like LED, and since the size of one chip is relatively large, the chipping generated during cutting is also large. Processing by is suitable.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2006-319198호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2006-319198 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 제2009-003232호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Publication No. 2009-003232

그러나, 절삭 블레이드에 의한 사파이어 웨이퍼의 다이싱에서, 종래에는 레진 본드나 메탈 본드 타입의 절삭 블레이드를 이용하여, 1라인을 복수 회 절입하여 사파이어 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하고 있었다. 이것은, 사파이어 웨이퍼의 모스 경도가 높기 때문이며, 치핑을 작게 하여 빠른 속도로 절삭하는 것은 매우 곤란하기 때문이다.However, in dicing a sapphire wafer with a cutting blade, conventionally, a sapphire wafer was divided into individual chips by cutting one line a plurality of times using a resin bond or a metal bond type cutting blade. This is because the Mohs hardness of the sapphire wafer is high, and it is very difficult to cut the chipping at high speed with small chipping.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적으로 하는 바는, 사파이어 웨이퍼를 고속 회전하는 절삭 블레이드에 의해 칩으로 분할할 수 있는 사파이어 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.This invention is made | formed in view of such a point, Comprising: It aims at providing the processing method of a sapphire wafer which can divide a sapphire wafer into chips by the cutting blade which rotates at high speed.

본 발명에 따르면, 사파이어 웨이퍼를 고속 회전하는 절삭 블레이드로 절삭하여 분할하는 사파이어 웨이퍼의 가공 방법으로서, 이 사파이어 웨이퍼를 척 테이블의 유지면에 유지하는 유지 단계와, 이 유지 단계에서 유지된 상기 사파이어 웨이퍼에 고속 회전하는 상기 절삭 블레이드를 절입시켜 상기 사파이어 웨이퍼를 분할하는 분할 단계를 포함하고, 상기 절삭 블레이드는, 입경이 10∼50 ㎛ 정도인 다이아몬드 지립이 기공률이 30∼70% 정도인 비트리파이드 본드로 결합된 절삭 블레이드인 것을 특징으로 하는 사파이어 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.According to the present invention, a sapphire wafer processing method for cutting and dividing a sapphire wafer with a cutting blade rotating at high speed, comprising: a holding step of holding the sapphire wafer on a holding surface of the chuck table, and the sapphire wafer held in this holding step; And dividing the sapphire wafer by cutting the cutting blade rotated at a high speed into the cutting blade, wherein the cutting blade has a particle diameter of about 10 to 50 µm and a non-liquid bond having a porosity of about 30 to 70%. Provided is a processing method of a sapphire wafer, characterized in that the cutting blade is coupled to.

본 발명의 사파이어 웨이퍼의 가공 방법은, 입경이 10∼50 ㎛ 정도인 다이아몬드 지립이 기공률이 30∼70% 정도인 비트리파이드 본드로 결합된 절삭 블레이드를 이용함으로써, 레진 본드나 메탈 본드의 절삭 블레이드를 이용한 절삭에 비하여 가공 속도로 약 1.3∼2배, 치핑 사이즈를 1/2∼1/3 정도로 개선할 수 있다. 이것은, 적절한 기공에 의한 냉각 효과와 오염물 배출 효과 및 지립의 적절한 유지력, 적절한 소모에 의해 얻어진다.The sapphire wafer processing method of the present invention is a cutting blade of a resin bond or a metal bond by using a cutting blade in which diamond abrasive grains having a particle diameter of about 10 to 50 µm are bonded by bitless bonds having a porosity of about 30 to 70%. Compared with the cutting using the cutting speed, the chipping size can be improved by about 1.3 to 2 times and the chipping size by about 1/2 to 1/3. This is obtained by the cooling effect and the pollutant discharge effect by the appropriate pores, the proper holding power of the abrasive grains, and the proper consumption.

도 1은 본 발명의 가공 방법을 실시하는 데 알맞은 절삭 장치의 사시도이다.
도 2는 스핀들의 선단에 블레이드 마운트를 고정하는 모습을 나타낸 분해 사시도이다.
도 3은 블레이드 마운트에 와셔 블레이드를 장착하는 모습을 나타낸 분해 사시도이다.
도 4는 분할 단계를 도시한 일부 단면 측면도이다.
도 5의 (A)는 본 발명에 따른 비트리파이드 본드의 절삭 블레이드로 절삭한 절삭 결과를 나타낸 사진, 도 5의 (B)는 종래의 레진 본드의 절삭 블레이드로 절삭한 절삭 결과를 나타낸 사진이다.1 is a perspective view of a cutting device suitable for carrying out the machining method of the present invention.
Figure 2 is an exploded perspective view showing a state in which the blade mount is fixed to the tip of the spindle.
3 is an exploded perspective view showing the mounting of the washer blade to the blade mount.
4 is a partial cross-sectional side view illustrating the dividing step.
5 (A) is a photograph showing a cutting result cut with a cutting blade of a non-refined bond according to the present invention, Figure 5 (B) is a photograph showing a cutting result cut with a cutting blade of a conventional resin bond. .

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 가공 방법을 실시하는 데 알맞은 절삭 장치(2)의 사시도가 도시되어 있다. 절삭 장치(2)의 전면측에는, 오퍼레이터가 가공 조건 등의 장치에 대한 지시를 입력하기 위한 조작 패널(4)이 설치되어 있다. 장치 상부에는, 오퍼레이터에 대한 안내 화면이나 후술하는 촬상 유닛에 의해 촬상된 화상이 표시되는 CRT 등의 표시 모니터(6)가 설치되어 있다.DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 1, a perspective view of a cutting device 2 suitable for carrying out the machining method of the present invention is shown. On the front side of the cutting device 2, an operation panel 4 is provided for the operator to input an instruction to a device such as processing conditions. In the upper part of the apparatus, a display monitor 6 such as a CRT in which a guide screen for an operator and an image picked up by an imaging unit described later is displayed.

절삭 장치(2)의 절삭 대상인 사파이어 웨이퍼(11)는, 환형 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)에 점착된 후, 도 1에 도시된 웨이퍼 카세트(8) 내에 복수 매 수용된다. 웨이퍼 카세트(8)는 상하 이동 가능한 카세트 엘리베이터(9) 상에 배치된다.The sapphire wafer 11 which is the cutting object of the cutting device 2 is adhered to the dicing tape T attached to the annular frame F, and is accommodated in the wafer cassette 8 shown in FIG. The wafer cassette 8 is disposed on the cassette elevator 9 which is movable up and down.

웨이퍼 카세트(8)의 후방에는, 웨이퍼 카세트(8)로부터 절삭 전의 웨이퍼(11)를 반출하고, 절삭 후의 웨이퍼를 웨이퍼 카세트(8)에 반입하는 반출입 유닛(10)이 설치되어 있다.At the rear of the wafer cassette 8, a carry-out unit 10 for carrying out the wafer 11 before cutting from the wafer cassette 8 and carrying the wafer after cutting into the wafer cassette 8 is provided.

웨이퍼 카세트(8)와 반출입 유닛(10) 사이에는, 반출입 대상인 사파이어 웨이퍼(11)가 일시적으로 배치되는 영역인 임시 배치 영역(12)이 마련되어 있고, 임시 배치 영역(12)에는, 사파이어 웨이퍼(11)를 일정한 위치에 위치 맞춤하는 위치 맞춤 기구(14)가 설치되어 있다.Between the wafer cassette 8 and the carry-in / out unit 10, the temporary arrangement area | region 12 which is the area | region where the sapphire wafer 11 which is carrying out object is temporarily arrange | positioned is provided, and the sapphire wafer 11 is provided in the temporary arrangement area | region 12. ) Is provided with a positioning mechanism 14 for positioning at a constant position.

임시 배치 영역(12) 근방에는, 사파이어 웨이퍼(11)를 흡착하여 반송하는 선회 아암을 갖는 반송 유닛(16)이 배치되어 있고, 임시 배치 영역(12)에 반출되어 위치 맞춤된 사파이어 웨이퍼(11)는, 반송 유닛(16)에 의해 흡착되어 척 테이블(18) 상에 반송되고, 이 척 테이블(18)에 흡인 유지된다.In the vicinity of the temporary arrangement region 12, a transfer unit 16 having a swinging arm that adsorbs and conveys the sapphire wafer 11 is disposed, and the sapphire wafer 11 carried out and positioned in the temporary arrangement region 12 is aligned. Is sucked by the conveying unit 16 and conveyed on the chuck table 18, and is sucked and held by this chuck table 18.

척 테이블(18)은, 회전 가능 또한 도시하지 않은 가공 이송 기구에 의해 X축 방향으로 왕복 운동 가능하게 구성되어 있고, 척 테이블(18)의 X축 방향의 이동 경로의 위쪽에는, 사파이어 웨이퍼(11)의 절삭해야 할 영역을 검출하는 얼라이먼트 유닛(22)이 배치되어 있다. 도면 부호 20은 환형 프레임(F)을 클램프하는 클램프이다.The chuck table 18 is configured to be rotatable and to reciprocate in the X-axis direction by a machining conveyance mechanism (not shown). The sapphire wafer 11 is located above the movement path in the X-axis direction of the chuck table 18. The alignment unit 22 which detects the area | region to cut | disconnect is arrange | positioned. Reference numeral 20 is a clamp for clamping the annular frame F. As shown in FIG.

얼라이먼트 유닛(22)은, 사파이어 웨이퍼(11)의 표면을 촬상하는 촬상 유닛(24)을 구비하고 있고, 촬상에 의해 취득한 화상에 기초하여, 패턴 매칭 등의 처리에 의해 절삭해야 할 영역을 검출할 수 있다. 촬상 유닛(24)에 의해 취득된 화상은 표시 모니터(6)에 표시된다.The alignment unit 22 includes an imaging unit 24 for imaging the surface of the sapphire wafer 11, and based on an image acquired by imaging, the alignment unit 22 detects an area to be cut by processing such as pattern matching. Can be. The image acquired by the imaging unit 24 is displayed on the display monitor 6.

얼라이먼트 유닛(22)의 좌측에는, 척 테이블(18)에 유지된 사파이어 웨이퍼(11)에 대하여 절삭 가공을 행하는 스핀들 유닛(절삭 유닛)(26)이 배치되어 있다. 스핀들 유닛(26)은 얼라이먼트 유닛(22)과 일체적으로 구성되어 있고, 양자가 연동하여 Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동한다.On the left side of the alignment unit 22, a spindle unit (cutting unit) 26 that cuts the sapphire wafer 11 held on the chuck table 18 is disposed. The spindle unit 26 is comprised integrally with the alignment unit 22, and both move in the Y-axis direction and the Z-axis direction by interlocking.

스핀들 유닛(26)은, 회전 가능한 스핀들(28)의 선단에 절삭 블레이드(30)가 장착되어 구성되고, Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 절삭 블레이드(30)는 촬상 유닛(24)의 X축 방향의 연장선 상에 위치하고 있다. 스핀들 유닛(26)의 Y축 방향의 이동은 도시하지 않은 인덱싱 이송 기구에 의해 달성된다.The spindle unit 26 is configured by attaching the cutting blades 30 to the distal end of the rotatable spindle 28, and is movable in the Y-axis direction and the Z-axis direction. The cutting blade 30 is located on an extension line in the X axis direction of the imaging unit 24. Movement in the Y-axis direction of the spindle unit 26 is achieved by an indexing feed mechanism not shown.

도면 부호 34는 절삭 가공이 종료된 사파이어 웨이퍼(11)를 세정하는 스피너 세정 유닛으로서, 절삭 가공이 종료된 사파이어 웨이퍼(11)는 반송 유닛(32)에 의해 스피너 세정 유닛(34)까지 반송되며, 스피너 세정 유닛(34)에 의해 스핀 세정 및 스핀 건조된다.Reference numeral 34 denotes a spinner cleaning unit for cleaning the sapphire wafer 11 after the cutting is completed, and the sapphire wafer 11 after the cutting is finished is transferred to the spinner cleaning unit 34 by the transfer unit 32, Spin-cleaning unit 34 spin-cleans and spin-drys.

도 2를 참조하면, 스핀들(28)의 선단에 블레이드 마운트(40)를 장착하는 모습을 나타낸 분해 사시도가 도시되어 있다. 스핀들 유닛(26)의 스핀들 하우징(36) 내에는 도시하지 않은 전동 모터에 의해 회전 구동되는 스핀들(28)이 회전 가능하게 수용되어 있다. 스핀들(28)은 테이퍼부(28a) 및 선단 소직경부(28b)를 갖고 있고, 선단 소직경부(28b)에는 수나사(38)가 형성되어 있다.Referring to FIG. 2, there is shown an exploded perspective view showing the mounting of the blade mount 40 at the tip of the spindle 28. In the spindle housing 36 of the spindle unit 26, a spindle 28 rotatably driven by an electric motor (not shown) is rotatably received. The spindle 28 has a tapered portion 28a and a tip small diameter portion 28b, and a male screw 38 is formed on the tip small diameter portion 28b.

도면 부호 40은 보스부(42)와, 보스부(42)와 일체적으로 형성된 고정 플랜지(44)로 구성되는 블레이드 마운트로서, 보스부(42)에는 수나사(46)가 형성되어 있다. 또한, 블레이드 마운트(40)는 장착 구멍(47)을 갖고 있다.Reference numeral 40 denotes a blade mount composed of a boss portion 42 and a fixing flange 44 integrally formed with the boss portion 42. A male screw 46 is formed in the boss portion 42. As shown in FIG. In addition, the blade mount 40 has a mounting hole 47.

블레이드 마운트(40)는, 장착 구멍(47)을 스핀들(28)의 선단 소직경부(28b) 및 테이퍼부(28a)에 삽입하고, 너트(48)를 수나사(46)에 나사 결합하여 체결함으로써, 도 3에 도시된 바와 같이 스핀들(28)의 선단 소직경부(28b)에 부착된다.The blade mount 40 inserts the mounting hole 47 into the tip small diameter portion 28b and the tapered portion 28a of the spindle 28, and screwes and fastens the nut 48 to the male screw 46. As shown in FIG. 3, it is attached to the tip small diameter portion 28b of the spindle 28.

도 3을 참조하면, 와셔형의 절삭 블레이드(30)를 스핀들(28)의 선단에 고정된 블레이드 마운트(40)에 장착하는 모습을 나타낸 분해 사시도가 도시되어 있다. 와셔형의 절삭 블레이드(30)는, 입경이 10∼50 ㎛ 정도인 다이아몬드 지립이 기공률이 30∼70% 정도인 비트리파이드 본드로 결합되어 구성되어 있다.Referring to FIG. 3, there is shown an exploded perspective view showing the mounting of a washer-type cutting blade 30 to a blade mount 40 fixed to the tip of the spindle 28. The washer-type cutting blade 30 is constructed by combining diamond abrasive grains having a particle size of about 10 to 50 µm with bitless bonds having a porosity of about 30 to 70%.

이러한 비트리파이드 본드의 절삭 블레이드(30)는, 예컨대 일본 특허 공고 평성 제6-24700호 공보에 기재되어 있는 바와 같이, 세라믹 또는 유리질의 지립과 유기물의 지립과 다이아몬드 지립을 혼합하고, 정해진 온도로 소성하여 제조한다.The cutting blade 30 of such a non-bonded bond is a ceramic or glass abrasive grain, an organic abrasive grain and a diamond abrasive grain, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-24700, for example. It is manufactured by baking.

블레이드 마운트(40)의 보스부(42)에 절삭 블레이드(30)를 삽입하고, 착탈 플랜지(50)를 보스부(42)에 더 삽입하여 고정 너트(52)를 수나사(48)에 나사 결합하여 체결함으로써, 절삭 블레이드(30)는 고정 플랜지(44)와 착탈 플랜지(50)에 의해 양측 사이에 끼워져 스핀들(28)에 부착된다.The cutting blade 30 is inserted into the boss portion 42 of the blade mount 40, the removable flange 50 is further inserted into the boss portion 42, and the fixing nut 52 is screwed into the male screw 48. By fastening, the cutting blade 30 is sandwiched between both sides by the fixing flange 44 and the detachable flange 50 and attached to the spindle 28.

도 4를 참조하면, 비트리파이드 본드의 절삭 블레이드(30)에 의해 사파이어 웨이퍼(11)를 개개의 칩으로 분할하는 모습을 나타낸 일부 단면 측면도가 도시되어 있다. 이 분할 단계를 실시하기 전에, 촬상 유닛(24)으로 사파이어 웨이퍼(11)의 표면을 촬상하고, 제1 방향으로 연장되는 분할 예정 라인을 검출하는 얼라이먼트를 실시한다.Referring to FIG. 4, there is shown a partial cross-sectional side view illustrating the division of the sapphire wafer 11 into individual chips by the cutting blades 30 of the non-refined bonds. Before performing this division | segmentation step, the imaging unit 24 image | photographs the surface of the sapphire wafer 11, and performs the alignment which detects the division scheduled line extended in a 1st direction.

제1 방향의 얼라이먼트 실시 후, 척 테이블(18)을 90° 회전시켜 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되는 분할 예정 라인을 검출하는 얼라이먼트를 동일하게 실시한다.After the alignment in the first direction, the alignment for detecting the division scheduled line extending in the second direction perpendicular to the first direction by rotating the chuck table 18 by 90 ° is similarly performed.

얼라이먼트 실시 후, 절삭 블레이드를 고속으로 A 방향으로 회전시키면서 사파이어 웨이퍼(11)에 절입하고, 척 테이블(18)을 X축 방향으로 예컨대 3 ㎜/s의 가공 이송 속도로 가공 이송하면서 사파이어 웨이퍼(11)를 완전 절단하여 절삭 홈(13)을 형성한다. Y축 방향으로 인덱싱 이송하면서 제1 방향으로 연장되는 분할 예정 라인을 차례차례로 절삭한다.After alignment, the sapphire wafer 11 is cut into the sapphire wafer 11 while rotating the cutting blade in the A direction at high speed, and the chuck table 18 is processed in the X-axis direction at a processing feed rate of, for example, 3 mm / s. ) Is cut completely to form the cutting groove 13. The dividing scheduled lines extending in the first direction are sequentially cut while indexing and feeding in the Y-axis direction.

계속해서, 척 테이블(18)을 90° 회전시켜 제2 방향으로 연장되는 분할 예정 라인을 Y축 방향으로 인덱싱 이송하면서 차례차례 절삭하고, 사파이어 웨이퍼(11)를 개개의 칩으로 분할한다.Subsequently, the chuck table 18 is rotated 90 degrees to sequentially cut the dividing scheduled line extending in the second direction in the Y-axis direction, and the sapphire wafer 11 is divided into individual chips.

본 실시형태의 사파이어 웨이퍼의 가공 방법에서는, 와셔형의 절삭 블레이드(30)로서, 입경이 10∼50 ㎛ 정도인 다이아몬드 지립이 기공률이 30∼70% 정도인 비트리파이드 본드로 결합된 비트리파이드 본드 블레이드를 채용함으로써, 가공 속도를 약 1.3∼2배 정도 개선할 수 있고, 치핑 사이즈를 1/∼1/3 정도로 개선할 수 있다.In the method for processing a sapphire wafer according to the present embodiment, as a washer-type cutting blade 30, a diamond abrasive grain having a particle size of about 10 to 50 µm is bonded to a bitless bond having a porosity of about 30 to 70%. By employing the bond blades, the processing speed can be improved by about 1.3 to 2 times, and the chipping size can be improved by about 1 / -1 / 3.

도 5를 참조하면, 본 발명의 비트리파이드 본드 블레이드에 의한 절삭 가공 결과와, 종래의 레인지 본드 블레이드에 의한 절삭 가공 결과의 비교가 나타내어져 있다. 도 5의 (A)는 본 발명의 비트리파이드 본드 블레이드에 의한 절삭 가공 결과의 사진, 도 5의 (B)는 종래의 레진 본드 블레이드에 의한 절삭 가공 결과의 사진을 각각 나타내고 있다.5, the comparison of the cutting result by the non-refined bond blade of this invention, and the cutting result by the conventional range bond blade is shown. Fig. 5A is a photograph of a cutting result by a non-refined bond blade of the present invention, and Fig. 5B is a photograph of a cutting result by a conventional resin bond blade.

비트리파이드 본드 블레이드에서는, #400 메시의 다이아몬드 지립을 사용하고, 가공 이송 속도 3 ㎜/s로 가공 이송하여 두께 0.7 ㎜의 사파이어 웨이퍼를 절단한 결과이며, 레진 본드 블레이드에서는, #240 메시의 다이아몬드 지립을 사용하고, 가공 이송 속도 2 ㎜/s로 두께 0.7 ㎜의 사파이어 웨이퍼를 절단한 결과이다.In the non-bonded bond blade, a diamond grain of # 400 mesh is used to cut and feed 0.7 mm thick sapphire wafers at a processing feed rate of 3 mm / s, and in resin bond blades, a diamond of # 240 mesh is used. This is the result of cutting the sapphire wafer having a thickness of 0.7 mm using an abrasive grain at a processing feed rate of 2 mm / s.

여기서, 레진 본드 블레이드에서는 #240 메시의 다이아몬드 지립을 채용하고 있지만, 이것은 #400 메시와 같은 미세한 지립으로는 사파이어 웨이퍼를 가공할 수 없기 때문이다.Here, the resin bond blades employ diamond abrasive grains of # 240 mesh, but this is because sapphire wafers cannot be processed with fine grains such as # 400 mesh.

도 5의 (B)에 도시된 종래예에서는, 도면 부호 15로 나타내는 바와 같은 큰 치핑이 발생하고 있다. 이것에 대하여, 도 5의 (A)에 도시된 비트리파이드 본드 블레이드를 사용한 본 발명의 가공 방법에서는, 치핑이 거의 발생하지 않는 것을 알 수 있다.In the conventional example shown in FIG. 5B, large chipping as indicated by the reference numeral 15 has occurred. On the other hand, it turns out that chipping hardly arises in the processing method of this invention using the non-refined bond blade shown to Fig.5 (A).

11 : 사파이어 웨이퍼 13 : 절삭 홈
15 : 치핑 18 : 척 테이블
24 : 촬상 유닛 26 : 스핀들 유닛(절삭 유닛)
28 : 스핀들 30 : 절삭 블레이드
40 : 블레이드 마운트 50 : 착탈 플랜지11: sapphire wafer 13: cutting groove
15: chipping 18: chuck table
24: imaging unit 26: spindle unit (cutting unit)
28: spindle 30: cutting blade
40: blade mount 50: removable flange

Claims (1)

사파이어 웨이퍼를 고속 회전하는 절삭 블레이드로 절삭하여 분할하는 사파이어 웨이퍼의 가공 방법으로서,
상기 사파이어 웨이퍼를 척 테이블의 유지면에 유지하는 유지 단계와,
상기 유지 단계에서 유지된 상기 사파이어 웨이퍼에 고속 회전하는 상기 절삭 블레이드를 절입시켜 상기 사파이어 웨이퍼를 분할하는 분할 단계를 포함하고,
상기 절삭 블레이드는, 입경이 10∼50 ㎛ 정도인 다이아몬드 지립이 기공률이 30∼70% 정도인 비트리파이드 본드로 결합된 절삭 블레이드인 것을 특징으로 하는 사파이어 웨이퍼의 가공 방법.A sapphire wafer processing method for cutting and dividing a sapphire wafer with a cutting blade rotating at high speed,
A holding step of holding the sapphire wafer on a holding surface of the chuck table;
And dividing the sapphire wafer by cutting the cutting blade rotating at a high speed to the sapphire wafer held in the holding step.
The cutting blade is a method for processing a sapphire wafer, characterized in that the diamond abrasive grain having a particle size of about 10 to 50 μm is a cutting blade bonded by bitless bond having a porosity of about 30 to 70%.
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