KR20130109329A - Solar cell and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A solar cell and a method for manufacturing the same are provided to prevent a short due to a burr by forming a stepped back electrode, thereby improving the efficiency of the solar cell. CONSTITUTION: A support substrate (100) includes protrusion parts. A back electrode layer (200) is arranged on the support substrate. A light absorption layer (300) is arranged on the back electrode layer. A front electrode layer (400) is arranged on the light absorption layer. A first through groove (TH1) adjacent to the protrusion part is formed in the back electrode layer. A second through groove (TH2) for exposing the lateral surface of the back electrode layer is formed in the light absorption layer.

Description

태양 전지 및 이의 제조 방법{SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

실시예는 태양 전지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments relate to solar cells and methods of making the same.

태양광을 전기 에너지로 변환시키기 위한 태양광 발전 장치는 태양전지 패널, 다이오드 및 프레임 등을 포함한다.Photovoltaic devices for converting sunlight into electrical energy include solar panels, diodes and frames.

상기 태양전지 패널은 플레이트 형상을 가진다. 예를 들어, 상기 태양전지 패널은 사각 플레이트 형상을 가진다. 상기 태양전지 패널은 상기 프레임 내측에 배치된다. 상기 태양전지 패널의 4개의 측면이 상기 프레임 내측에 배치된다.The solar cell panel has a plate shape. For example, the solar cell panel has a rectangular plate shape. The solar cell panel is disposed inside the frame. Four side surfaces of the solar cell panel are disposed inside the frame.

상기 태양전지 패널은 태양광을 입사받아, 전기 에너지로 변화시킨다. 상기 태양전지 패널은 다수 개의 태양전지 셀들을 포함한다. 또한, 상기 태양전지 패널은 상기 태양전지 셀들을 보호하기 위한 기판, 필름 또는 보호유리 등을 더 포함할 수 있다.The solar cell panel receives sunlight and changes it into electrical energy. The solar cell panel includes a plurality of solar cells. The solar cell panel may further include a substrate, a film or a protective glass for protecting the solar cells.

또한, 상기 태양전지 패널은 상기 태양전지 셀들에 접속되는 버스 바를 포함한다. 상기 버스 바는 최외곽의 태양전지 셀들의 상면으로부터 각각 연장되어 배선에 연결된다.In addition, the solar cell panel includes a bus bar connected to the solar cell. The bus bars extend from the upper surface of the outermost solar cells and are connected to the wirings.

상기 다이오드는 상기 태양전지 패널과 병렬로 연결된다. 상기 다이오드에는 선택적으로 전류가 흐른다. 즉, 상기 태양전지 패널의 성능이 저하되는 경우, 상기 다이오드를 통하여 전류가 흐른다. 이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전 장치 자체의 단락이 방지된다. 또한, 태양광 발전 장치는 상기 다이오드 및 상기 태양전지 패널에 연결되는 배선을 더 포함할 수 있다. 상기 배선은 서로 인접하는 태양전지 패널을 연결한다.The diode is connected in parallel with the solar cell panel. An electric current flows selectively in the diode. That is, when the performance of the solar cell panel deteriorates, current flows through the diode. Accordingly, the short circuit of the photovoltaic device itself according to the embodiment is prevented. In addition, the photovoltaic device may further include a wire connected to the diode and the solar cell panel. The wiring connects solar cell panels adjacent to each other.

상기 프레임은 상기 태양전지 패널을 수용한다. 상기 프레임은 금속으로 이루어진다. 상기 프레임은 상기 태양전지 패널의 측면에 배치된다. 상기 프레임은 상기 태양전지 패널의 측면을 수용한다. 또한, 상기 프레임은 다수 개의 서브 프레임들로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 서브 프레임들은 서로 연결될 수 있다.The frame houses the solar cell panel. The frame is made of metal. The frame is disposed on a side surface of the solar cell panel. The frame houses a side surface of the solar cell panel. Also, the frame may be composed of a plurality of subframes. At this time, the subframes may be connected to each other.

이와 같은 태양광 발전 장치는 야외에 장착되어, 태양광을 전기 에너지로 변환시킨다. 이때, 태양광 발전 장치는 외부의 물리적인 충격, 전기적인 충격 및 화학적인 충격에 노출될 수 있다.Such a photovoltaic device is mounted outdoors to convert sunlight into electrical energy. In this case, the photovoltaic device may be exposed to external physical shocks, electrical shocks, and chemical shocks.

이와 같은 태양광 발전 장치와 관련된 기술은 한국 공개 특허 공보 10-2009-0059529 등에 기재되어 있다.The technology related to such a photovoltaic device is described in Korean Unexamined Patent Publication No. 10-2009-0059529.

한편, 이와 같은 태양광 발전 장치에서는 다수의 패턴 라인을 형성하여, 전기적으로 연결하는데, 이러한 다수의 패턴 라인 형성 시, 공정 오류가 발생하거나 저항 손실에 의하여 효율이 감소할 가능성이 있다는 문제점이 있다.On the other hand, in such a photovoltaic device, a plurality of pattern lines are formed and electrically connected. However, when the plurality of pattern lines are formed, a process error may occur or the efficiency may decrease due to a loss of resistance.

실시예는 단락을 방지하고, 향상된 성능을 가지는 태양 전지 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.The embodiment seeks to provide a solar cell and a method of manufacturing the same, which prevent short circuiting and have improved performance.

실시예에 따른 태양 전지는, 다수의 돌기부를 포함하는 지지 기판; 상기 지지 기판 상에 배치되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함하고, 상기 후면 전극층에는 상기 돌기부에 인접하여 형성되는 제 1 관통홈들이 형성되고, 상기 광 흡수층에는 상기 후면 전극층의 측면을 노출하는 제 2 관통홈들이 형성된다.According to an embodiment, a solar cell includes a support substrate including a plurality of protrusions; A rear electrode layer disposed on the support substrate; A light absorbing layer disposed on the rear electrode layer; A front electrode layer disposed on the light absorbing layer, wherein the rear electrode layer has first through grooves formed adjacent to the protrusion, and the light absorbing layer has second through grooves exposing side surfaces of the rear electrode layer. do.

실시예에 따른 태양 전지 제조 방법은, 다수의 돌기부를 포함하는 지지 기판을 준비하는 단계; 상기 지지 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; 상기 돌기부에 인접하는 상기 후면 전극층에 제 1 관통홈들을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수 층에 제 2 관통홈들을 형성하는 단계; 및 상기 광 흡수층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.A solar cell manufacturing method according to an embodiment includes preparing a support substrate including a plurality of protrusions; Forming a back electrode layer on the support substrate; Forming first through holes in the rear electrode layer adjacent to the protrusion; Forming a light absorbing layer on the back electrode layer; Forming second through holes in the light absorption layer; And forming a front electrode layer on the light absorbing layer.

실시예에 따른 태양 전지 및 태양 전지 제조 방법은, 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해 상기 후면 전극층(200)이 상하로 단차를 형성한다. 즉, 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해, 상기 후면 전극층(200)은 상기 지지 기판(100)의 상면에 형성된 상기 후면 전극층(200)과 상기 돌기부의 상면에 형성된 상기 후면 전극층(200)으로 분리될 수 있다. 따라서, 상기 후면 전극층(200)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해 상기 돌기부의 높이 만큼 상하로 단차를 형성할 수 있다.In the solar cell and the solar cell manufacturing method according to the embodiment, the rear electrode layer 200 forms a step up and down by the first through holes (TH1). That is, the back electrode layer 200 is formed on the top surface of the support substrate 100 by the first through holes TH1 and the back electrode layer 200 formed on the top surface of the protrusion. Can be separated. Therefore, the rear electrode layer 200 may form a step up and down by the height of the protrusion by the first through holes TH1.

이에 따라. 실시예에 따른 태양 전지 및 태양 전지 제조 방법은, 상기 후면 전극층(200)의 상하 단차로 인해 상기 후면 전극층에서 발생할 수 있는 버르(burr)에 의한 불량을 방지할 수 있다. 즉, 상기 후면 전극층(200)이 평면으로 배치되는 것에 비해, 상하 단차로 배치함으로써, 상기 버르에 의한 쇼트(shot)를 방지할 수 있어, 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있다.Accordingly. The solar cell and the method of manufacturing the solar cell according to the embodiment may prevent defects due to burrs that may occur in the rear electrode layer due to the vertical step of the rear electrode layer 200. That is, compared with the rear electrode layer 200 arranged in a planar manner, the rear electrode layer 200 may be disposed at an upper and lower level to prevent a shot caused by the burr, thereby improving the efficiency of the solar cell.

상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)과 대응되는 위치에 형성된다. 이에 따라, 상기 제 1 관통홈들(TH1) 및 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의한 데드존(dead zone) 영역을 감소시킬 수 있다.The second through holes TH2 are formed at positions corresponding to the first through holes TH1. Accordingly, the dead zone area by the first through holes TH1 and the second through holes TH2 may be reduced.

또한, 실시예에 따른 태양 전지 및 태양 전지 제조 방법은 상기 제 1 관통홈들(TH1) 및 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 너비를 감소시킬 수 있으므로, 데드존 영역을 감소시킬 수 있어 넓은 면적의 유효 발전 영역을 가질 수 있다.In addition, the solar cell and the solar cell manufacturing method according to the embodiment can reduce the width of the first through holes (TH1) and the second through holes (TH2), it is possible to reduce the dead zone area wide It can have an effective power generation area of the area.

따라서, 실시예에 따른 태양전지 패널은 데드존을 줄이고, 향상된 광-전 변환 효율을 가질 수 있다.Therefore, the solar cell panel according to the embodiment may reduce the dead zone and have an improved photoelectric conversion efficiency.

도 1은 실시예에 따른 태양 전지를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1에서 A-A'를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 9는 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 설명하는 단면도이다.1 is a plan view illustrating a solar cell according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1.
3 to 9 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the solar cell according to the embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 막, 전극, 홈 또는 층 등이 각 기판, 전극, 막, 홈 또는 층 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, it is described that each substrate, film, electrode, groove or layer or the like is formed "on" or "under" of each substrate, electrode, film, groove or layer or the like. In the case, “on” and “under” include both being formed “directly” or “indirectly” through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 실시예에 따른 태양전지 패널을 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1에서 A-A`선을 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.1 is a plan view illustrating a solar cell panel according to an embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 1.

도 1 내지 도 2를 참조하면, 태양전지 패널은 지지 기판(100), 후면 전극층(200), 광 흡수층(300), 전면 전극층(400)을 포함한다.1 to 2, the solar cell panel includes a support substrate 100, a back electrode layer 200, a light absorbing layer 300, and a front electrode layer 400.

상기 지지 기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 후면 전극층(200), 상기 광 흡수층(300) 및 상기 전면 전극층(400)을 지지한다.The support substrate 100 has a plate shape and supports the rear electrode layer 200, the light absorbing layer 300, and the front electrode layer 400.

상기 지지 기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지 기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.The support substrate 100 may be an insulator. The support substrate 100 may be a glass substrate, a plastic substrate, or a metal substrate. More specifically, the support substrate 100 may be a soda lime glass substrate. The supporting substrate 100 may be transparent. The support substrate 100 may be rigid or flexible.

상기 지지 기판(100)은 다수 개의 돌기부(110)를 포함할 수 있다. 즉, 상기 지지 기판(100)은 상기 지지 기판(100)의 상면에 형성되는 다수 개의 돌기부(110)를 포함할 수 있다.The support substrate 100 may include a plurality of protrusions 110. That is, the support substrate 100 may include a plurality of protrusions 110 formed on the top surface of the support substrate 100.

상기 돌기부(110)는 사각형의 형상을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 돌기부(110)의 형상은 상기 돌기부(110)의 높이와 너비가 동일한 정사각형이거나, 상기 돌기부(110)의 높이와 너비가 서로 다른 직사각형일 수 있다. 그러나, 실시예가 이에 제한되지는 않으며, 상기 돌기부(110)의 형상은 다각형 또는 타원의 형상등 다양한 형상을 포함할 수 있음은 물론이다.The protrusion 110 may include a quadrangular shape. Preferably, the shape of the protrusion 110 may be a square having the same height and width as the protrusion 110 or a rectangle having a different height and width of the protrusion 110. However, embodiments are not limited thereto, and the shape of the protrusions 110 may include various shapes such as polygons or ellipses.

상기 돌기부(110)는 상기 지지 기판(100) 상에 일정한 간격으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 돌기부(110)는 일정한 높이를 가질 수 있다. 자세하게, 상기 돌기부(110)의 너비 및 높이는 10㎛ 내지 200㎛ 일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 또는, 상기 돌기부(110)의 너비 및 높이는 10㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다.The protrusions 110 may be formed on the support substrate 100 at regular intervals. In addition, the protrusion 110 may have a predetermined height. In detail, the width and height of the protrusion 110 may be 10 μm to 200 μm but are not limited thereto. Alternatively, the width and height of the protrusion 110 may be 10 μm to 50 μm.

상기 후면 전극층(200)은 상기 지지 기판(100) 상에 배치된다. 즉, 상기 후면 전극층(200)은 상기 지지 기판(100)의 상면 및 상기 돌기부(110)의 좌우 측면 및 상부에 배치될 수 있다. 상기 후면 전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면 전극층(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴 등의 금속을 들 수 있다.The back electrode layer 200 is disposed on the support substrate 100. That is, the rear electrode layer 200 may be disposed on the upper surface of the support substrate 100 and the left and right sides and the upper portion of the protrusion 110. The back electrode layer 200 is a conductive layer. Examples of the material used as the back electrode layer 200 include a metal such as molybdenum.

또한, 상기 후면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.In addition, the rear electrode layer 200 may include two or more layers. At this time, the respective layers may be formed of the same metal or may be formed of different metals.

상기 후면전극층(200)에는 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 제 1 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다.First through holes TH1 are formed in the back electrode layer 200. The first through holes TH1 are open regions that expose the top surface of the support substrate 100. The first through grooves TH1 may have a shape extending in a first direction when viewed from a plane.

상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭은 약 80㎛ 내지 200㎛ 일 수 있다. 또는 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭은 약 10㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다.The width of the first through-holes TH1 may be about 80 to 200 mu m. Alternatively, the width of the first through holes TH1 may be about 10 μm to 50 μm.

상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 후면전극층(200)은 다수 개의 후면전극들로 구분된다. 즉, 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서, 상기 후면전극들이 정의된다.By the first through holes TH1, the back electrode layer 200 is divided into a plurality of back electrodes. That is, the back electrodes are defined by the first through holes TH1.

상기 후면전극들은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해서 서로 이격된다. 상기 후면전극들은 스트라이프 형태로 배치된다.The back electrodes are spaced apart from each other by the first through holes TH1. The rear electrodes are arranged in a stripe shape.

이와는 다르게, 상기 후면전극들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 격자 형태로 형성될 수 있다.Alternatively, the rear electrodes may be arranged in a matrix. At this time, the first through grooves TH1 may be formed in a lattice form when viewed from a plane.

또한, 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해 상기 후면 전극층(200)은 상하로 단차를 형성할 수 있다. 즉, 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해, 상기 후면 전극층(200)은 상기 지지 기판(100)의 상면에 형성된 상기 후면 전극층(200)과 상기 돌기부의 상면에 형성된 상기 후면 전극층(200)으로 분리될 수 있다. 따라서, 상기 후면 전극층(200)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해 상기 돌기부의 높이 만큼 상하로 단차를 형성할 수 있다.In addition, the back electrode layer 200 may form a step up and down by the first through holes TH1. That is, the back electrode layer 200 is formed on the top surface of the support substrate 100 by the first through holes TH1 and the back electrode layer 200 formed on the top surface of the protrusion. Can be separated. Therefore, the rear electrode layer 200 may form a step up and down by the height of the protrusion by the first through holes TH1.

이에 따라. 실시예에 따른 태양 전지는 상기 후면 전극층(200)의 상하 단차로 인해 버르(burr)에 의한 불량을 방지할 수 있다. 즉, 상기 후면 전극층(200)이 평면으로 배치되는 것에 비해, 상하 단차로 배치함으로써, 상기 버르에 의한 쇼트(shot)를 방지할 수 있어, 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있다.Accordingly. The solar cell according to the embodiment may prevent a defect due to burrs due to the vertical step of the rear electrode layer 200. That is, compared with the rear electrode layer 200 arranged in a planar manner, the rear electrode layer 200 may be disposed at an upper and lower level to prevent a shot caused by the burr, thereby improving the efficiency of the solar cell.

상기 광 흡수층(300)은 상기 후면 전극층(200) 상에 배치된다. 또한, 상기 광 흡수층(300)에 포함된 물질은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 채워진다.The light absorbing layer 300 is disposed on the back electrode layer 200. In addition, the material included in the light absorbing layer 300 is filled in the first through holes TH1.

상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.The light absorbing layer 300 includes a group I-III-VI compound. For example, the light absorbing layer 300 is copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) crystal structure, a copper-indium-selenide-based or copper-gallium-selenide Crystal structure.

상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.The energy band gap of the light absorption layer 300 may be about 1 eV to 1.8 eV.

또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 광 흡수층 상에는 버퍼층이 더 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 황화 카드뮴(CdS)를 포함하며, 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 2.2eV 내지 2.4eV이다.In addition, although not shown in the drawings, a buffer layer may be further formed on the light absorbing layer. The buffer layer includes cadmium sulfide (CdS), and the energy bandgap of the buffer layer 400 is about 2.2 eV to 2.4 eV.

또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 버퍼층 상에는 고저항 버퍼층이 더 형성될 수 있다. 상기 고저항 버퍼층은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV이다.In addition, although not shown, a high resistance buffer layer may be further formed on the buffer layer. The high resistance buffer layer includes zinc oxide (i-ZnO) that is not doped with impurities. The energy bandgap of the high resistance buffer layer is about 3.1 eV to 3.3 eV.

상기 광 흡수층(300)에는 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)과 수직 방향으로 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)과 상기 지지 기판의 상면에 대해서 수직 방향으로 대응되는 위치에 형성될 수 있다.Second through holes TH2 are formed in the light absorbing layer 300. The second through holes TH2 may be formed at a position corresponding to the first through holes TH1 in a vertical direction. That is, the second through holes TH2 may be formed at positions corresponding to the first through holes TH1 and the upper surface of the support substrate in a vertical direction.

또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 너비와 동일한 너비를 가지도록 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 너비는 10㎛ 내지 200㎛ 일 수 있다. 또는 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 10㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다.In addition, the second through holes TH2 may be formed to have the same width as that of the first through holes TH1. In detail, the width of the second through holes TH2 may be 10 μm to 200 μm. Alternatively, the width of the second through holes TH2 may be about 10 μm to 50 μm.

상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 후면전극층(200)의 측면을 노출하는 오픈영역이다. 즉, 상기 돌기부의 상면에 형성된 후면 전극층(200)의 측면 중 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 인접한 측면을 노출하도록 형성될 수 있다.The second through holes TH2 are open regions exposing side surfaces of the back electrode layer 200. That is, the side surface of the rear electrode layer 200 formed on the upper surface of the protrusion may be formed to expose the side surface adjacent to the first through holes TH1.

상기 광 흡수층(300)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 다수 개의 광 흡수층으로 정의된다. 즉, 상기 광 흡수층(300)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 상기 광 흡수층으로 구분된다.The light absorbing layer 300 is defined as a plurality of light absorbing layers by the second through holes TH2. That is, the light absorbing layer 300 is divided into the light absorbing layer by the second through holes TH2.

또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 광 흡수층(300) 상에 상기 버퍼층이 형성되는 경우, 상기 버퍼층은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 다수 개의 버퍼들로 정의된다. 즉, 상기 버퍼층은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 상기 버퍼들로 구분된다.In addition, although not shown in the drawing, when the buffer layer is formed on the light absorbing layer 300, the buffer layer is defined as a plurality of buffers by the second through holes TH2. That is, the buffer layer is divided into the buffers by the second through holes TH2.

또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 버퍼층 상에 상기 고저항 버퍼층이 형성되는 경우,상기 고저항 버퍼층은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 다수 개의 고저항 버퍼들로 정의된다. 즉, 상기 고저항 버퍼층은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 상기 고저항 버퍼들로 구분된다.In addition, although not shown in the drawing, when the high resistance buffer layer is formed on the buffer layer, the high resistance buffer layer is defined as a plurality of high resistance buffers by the second through holes TH2. That is, the high resistance buffer layer is divided into the high resistance buffers by the second through holes TH2.

상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)과 대응되는 위치에 형성된다. 이에 따라, 상기 제 1 관통홈들(TH1) 및 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의한 데드존(dead zone) 영역을 감소시킬 수 있다.The second through holes TH2 are formed at positions corresponding to the first through holes TH1. Accordingly, the dead zone area by the first through holes TH1 and the second through holes TH2 may be reduced.

또한, 실시예에 따른 태양 전지는 상기 제 1 관통홈들(TH1) 및 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 너비를 감소시킬 수 있으므로, 데드존 영역을 감소시킬 수 있어넓은 면적의 유효 발전 영역을 가질 수 있다.In addition, the solar cell according to the embodiment may reduce the width of the first through holes TH1 and the second through holes TH2, and thus may reduce the dead zone area, thereby effectively generating a large area. May have

따라서, 실시예에 따른 태양전지 패널은 데드존을 줄이고, 향상된 광-전 변환 효율을 가질 수 있다.Therefore, the solar cell panel according to the embodiment may reduce the dead zone and have an improved photoelectric conversion efficiency.

상기 전면 전극층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 또는 상기 광 흡수층 상에 버퍼층이 형성되는 경우에는, 상기 전면 전극층(400)은 상기 버퍼층 상에 배치될 수 있다. 상기 전면 전극층(400)은 투명하며 도전층이다. 또한, 상기 전면 전극층(400)의 저항은 상기 후면전극층(200)의 저항보다 높다.The front electrode layer 400 is disposed on the light absorbing layer 300. Alternatively, when the buffer layer is formed on the light absorbing layer, the front electrode layer 400 may be disposed on the buffer layer. The front electrode layer 400 is transparent and a conductive layer. In addition, the resistance of the front electrode layer 400 is higher than the resistance of the back electrode layer 200.

상기 전면 전극층(400)은 산화물을 포함한다. 예를 들어, 상기 전면 전극층(400)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(Al doped zinc oxide;AZO) 또는 갈륨 도핑된 징크 옥사이드(Ga doped zinc oxide;GZO) 등을 들 수 있다. The front electrode layer 400 includes an oxide. For example, examples of the material used as the front electrode layer 400 include aluminum doped zinc oxide (AZO) or gallium doped zinc oxide (GZO).

상기 전면 전극층(400)을 구성하는 물질은 상기 제 2 관통홈들(TH2)을 채우면서 증착될 수 있다.The material constituting the front electrode layer 400 may be deposited while filling the second through holes TH2.

상기 전면 전극층(400)에는 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다. Third through holes TH3 are formed in the front electrode layer 400.

상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 후면 전극층(200)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 자세하게, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 후면 전극층의 상면을 80㎛ 내지 200㎛ 만큼 노출하는 오픈 영역이다.The third through holes TH3 are open regions exposing the top surface of the back electrode layer 200. In detail, the third through holes TH3 are open regions exposing the top surface of the rear electrode layer by 80 μm to 200 μm.

상기 전면 전극층(400)은 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서 다수 개의 전면 전극들로 구분될 수 있다. 즉, 상기 전면 전극들은 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서 정의된다.
The front electrode layer 400 may be divided into a plurality of front electrodes by the third through holes TH3. That is, the front electrodes are defined by the third through holes TH3.

이하, 도 3 내지 도 9를 참조하여, 실시예에 따른 태양 전지 제조 방법을 설명한다. 본 제조 방법에 관한 설명은 앞서 설명한 실시예에 따른 태양전지에 대한 설명을 참고한다.Hereinafter, a solar cell manufacturing method according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 3 to 9. For a description of the manufacturing method refer to the description of the solar cell according to the above-described embodiment.

실시예에 따른 태양 전지 제조 방법은, 다수의 돌기부를 포함하는 지지 기판을 준비하는 단계; 상기 지지 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; 상기 돌기부에 인접하는 상기 후면 전극층에 제 1 관통홈들을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 및 상기 광흡수 층에 제 2 관통홈들을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.A solar cell manufacturing method according to an embodiment includes preparing a support substrate including a plurality of protrusions; Forming a back electrode layer on the support substrate; Forming first through holes in the rear electrode layer adjacent to the protrusion; Forming a light absorbing layer on the back electrode layer; Forming a buffer layer on the light absorbing layer; Forming second through holes in the buffer layer and the light absorbing layer; And forming a front electrode layer on the buffer layer.

지지 기판을 준비하는 단계에서는, 다수의 돌기부를 포함하는 지지 기판(100)을 준비한다. 도 3을 참고하면, 실시예에 따른 태양 전지 제조 방법에서는, 상기 지지 기판(100) 상에 다수의 돌기부(110)가 형성된다. 이러한 돌기부(110)는 상기 지지 기판(100) 상에 일정한 간격으로 형성될 수 있다.In the preparing of the supporting substrate, the supporting substrate 100 including a plurality of protrusions is prepared. Referring to FIG. 3, in the solar cell manufacturing method according to the embodiment, a plurality of protrusions 110 are formed on the support substrate 100. These protrusions 110 may be formed on the support substrate 100 at regular intervals.

상기 돌기부(110)는 일정한 형상을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 돌기부(110)는 정사각형 또는 직사각형의 형상을 가질 수 있다. 그러나, 실시예는 이에 제한되지 않고 다각형 또는 타원형 등의 다양한 형상을 포함할 수 있음은 물론이다.The protrusion 110 may have a predetermined shape. In detail, the protrusion 110 may have a square or rectangular shape. However, the embodiment is not limited thereto and may include various shapes such as polygons or ellipses.

상기 돌기부(110)는 일정한 높이를 가질 수 있다. 자세하게, 상기 돌기부(110)는 80㎛ 내지 200㎛의 높이를 가질 수 있으나 이에 제한되지 않는다.The protrusion 110 may have a predetermined height. In detail, the protrusion 110 may have a height of 80 μm to 200 μm, but is not limited thereto.

도 4를 참고하면, 상기 지지 기판(100) 상에 후면 전극층(200)이 형성된다. 상기 후면 전극층(2000은 상기 지지 기판(100)의 상면 및 상기 지지 기판(100) 상에 형성되어 있는 상기 돌기부(110) 상에 형성된다. 상기 후면 전극층(200)은 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금의 방법으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, a back electrode layer 200 is formed on the support substrate 100. The back electrode layer 2000 is formed on an upper surface of the support substrate 100 and the protrusion 110 formed on the support substrate 100. The back electrode layer 200 may be formed of a physical vapor deposition (PVD) or It can be formed by the method of plating.

도 5를 참고하면, 상기 후면 전극층(200) 상에 제 1 관통홈들(TH1)이 형성된다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 지지 기판(100) 상에 형성되는 상기 돌기부(110)에 인접하여 형성될 수 있다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 팁 등의 기계적인 장치 또는 레이저 장치 등에 의해서 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5, first through holes TH1 are formed on the rear electrode layer 200. The first through holes TH1 may be formed to be adjacent to the protrusion 110 formed on the support substrate 100. The first through holes TH1 may be formed by a mechanical device such as a tip or a laser device.

상기 제 1 관통홈들(TH1)은 상기 후면 지지 기판(100)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 너비는 약 10㎛ 내지 200㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 또는 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭은 약 10㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다.The first through holes TH1 are open regions exposing the top surface of the rear support substrate 100. The width of the first through holes TH1 may be about 10 μm to 200 μm, but is not limited thereto. Alternatively, the width of the first through holes TH1 may be about 10 μm to 50 μm.

상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해 상기 지지 기판(100) 상에 형성되는 상기 후면 전극층(200)은 상하 단차를 가질 수 있다. 즉, 상기 돌기부(110)에 인접하여 형성되는 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해, 상기 지지 기판(100)의 상면에 형성되는 후면 전극층(200)과 상기 돌기부(110)의 상면에 형성되는 후면 전극층(200)은 상기 돌기부(110)의 높이 만큼 상하 단차를 가질 수 있다.The rear electrode layer 200 formed on the support substrate 100 by the first through holes TH1 may have a vertical step. That is, the first through holes TH1 formed adjacent to the protrusion 110 may be formed on the rear electrode layer 200 formed on the upper surface of the support substrate 100 and the upper surface of the protrusion 110. The rear electrode layer 200 may have a vertical step as high as the height of the protrusion 110.

이에 따라. 실시예에 따른 태양 전지는 상기 후면 전극층(200)의 상하 단차로 인해 버르(burr)에 의한 불량을 방지할 수 있다. 즉, 상기 후면 전극층(200)이 평면으로 배치되는 것에 비해, 상하 단차로 배치함으로써, 상기 버르에 의한 쇼트(shot)를 방지할 수 있어, 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있다.Accordingly. The solar cell according to the embodiment may prevent a defect due to burrs due to the vertical step of the rear electrode layer 200. That is, compared with the rear electrode layer 200 arranged in a planar manner, the rear electrode layer 200 may be disposed at an upper and lower level to prevent a shot caused by the burr, thereby improving the efficiency of the solar cell.

도 6을 참조하면, 상기 후면 전극층(200) 상에 광 흡수층(300), 버퍼층 및 고정항 버퍼층이 형성될 수 있다. 상기 광 흡수층(300), 버퍼층 및 고저항 버퍼층은 상기 제 1 관통홈들(TH1)을 채울 수 있다.Referring to FIG. 6, a light absorbing layer 300, a buffer layer, and a fixed term buffer layer may be formed on the back electrode layer 200. The light absorbing layer 300, the buffer layer, and the high resistance buffer layer may fill the first through holes TH1.

상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다.The light absorption layer 300 may be formed by a sputtering process or an evaporation process.

예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 반도체 화합물층을 증착하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.For example, copper, indium, gallium, selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2 ; CIGS-based) while evaporating copper, indium, gallium, and selenium simultaneously or separately to form the light absorbing layer 300. A method of depositing a semiconductor compound layer and a method of forming a metal precursor film and then forming it by a selenization process are widely used.

금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 후면 전극층(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.When the metal precursor film is formed and selenization is subdivided, a metal precursor film is formed on the back electrode layer 200 by a sputtering process using a copper target, an indium target, and a gallium target.

이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 반도체 화합물층이 형성된다.Thereafter, the metal precursor film is a semiconductor compound layer of copper-indium-gallium-selenide (Cu (In, Ga) Se 2 ; CIGS-based) by a selenization process.

이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.Alternatively, the copper target, the indium target, the sputtering process using the gallium target, and the selenization process may be performed simultaneously.

이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 반도체 화합물층이 형성될 수 있다.Alternatively, a CIS-based or CIG-based semiconductor compound layer may be formed by using only a copper target and an indium target, or by a sputtering process and a selenization process using a copper target and a gallium target.

또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층이 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 황화 카드뮴을 이용한 스퍼터링 공정 또는 용액성장법(chemical bath depositon;CBD) 등에 의해서 증착할 수 있다. In addition, although not shown in the drawings, a buffer layer may be formed on the light absorbing layer 300. The buffer layer may be deposited by a sputtering process using cadmium sulfide, a chemical bath depositon (CBD), or the like.

또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 버퍼층 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층이 형성될 수 있다.In addition, although not shown in the drawing, zinc oxide may be deposited on the buffer layer by a sputtering process or the like, and the high resistance buffer layer may be formed.

상기 버퍼층 및 상기 고저항 버퍼층은 낮은 두께로 증착된다. 예를 들어, 상기 버퍼층 및 상기 고저항 버퍼층의 두께는 약 1㎚ 내지 약 80㎚ 일 수 있다.The buffer layer and the high resistance buffer layer are deposited to a low thickness. For example, a thickness of the buffer layer and the high resistance buffer layer may be about 1 nm to about 80 nm.

이어서, 도 7을 참고하면, 상기 광 흡수층(300) 상에 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다. Subsequently, referring to FIG. 7, second through holes TH2 are formed on the light absorbing layer 300.

상기 제 2 관통홈들(TH2)는 상기 제 1 관통홈들(TH1)과 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 상부 방향에 위치하도록 형성될 수 있다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 레이저에 의해서 패터닝되어 형성될 수 있다.The second through holes TH2 may be formed at positions corresponding to the first through holes TH1. In detail, the second through holes TH2 may be formed to be positioned in an upper direction of the first through holes TH1. The second through holes TH2 may be patterned by a laser.

상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 너비와 동일한 너비를 가지도록 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 너비는 10㎛ 내지 200㎛ 일 수 있으나 이에 제한되지는 않는다. 또는 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 10㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다.The second through holes TH2 may be formed to have the same width as that of the first through holes TH1. In detail, the width of the second through holes TH2 may be 10 μm to 200 μm, but is not limited thereto. Alternatively, the width of the second through holes TH2 may be about 10 μm to 50 μm.

이어서, 도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상에 전면 전극층(400)이 형성된다. 또한, 상기 전면 전극층(400) 상에는 제 3 관통홈들(TH3)이 형성된다.8 and 9, the front electrode layer 400 is formed on the light absorbing layer 300. In addition, third through holes TH3 are formed on the front electrode layer 400.

상기 전면 전극층(400)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)들을 채우면서 형성될 수 있다. 상기 전면 전극층(400)은 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드 등과 같은 투명한 도전물질이 상기 광 흡수층(300) 또는 상기 광 흡수층(300) 상에 형성된 버퍼층의 상면 및 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 내측에 스퍼터링 공정에 의해서 증착되어 형성될 수 있다.The front electrode layer 400 may be formed while filling the second through holes TH2. The front electrode layer 400 has a transparent conductive material such as zinc oxide doped with aluminum, and an upper surface of the buffer layer formed on the light absorbing layer 300 or the light absorbing layer 300 and the inside of the second through holes TH2. It may be deposited and formed by a sputtering process.

앞서 설명하였듯이, 실시예에 따른 태양 전지 제조 방법은, 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해 상기 후면 전극층(200)이 상하로 단차를 형성한다. 즉, 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해, 상기 후면 전극층(200)은 상기 지지 기판(100)의 상면에 형성된 상기 후면 전극층(200)과 상기 돌기부의 상면에 형성된 상기 후면 전극층(200)으로 분리될 수 있다. 따라서, 상기 후면 전극층(200)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 의해 상기 돌기부의 높이 만큼 상하로 단차를 형성할 수 있다.As described above, in the solar cell manufacturing method according to the embodiment, the rear electrode layer 200 forms a step up and down by the first through holes TH1. That is, the back electrode layer 200 is formed on the top surface of the support substrate 100 by the first through holes TH1 and the back electrode layer 200 formed on the top surface of the protrusion. Can be separated. Therefore, the rear electrode layer 200 may form a step up and down by the height of the protrusion by the first through holes TH1.

이에 따라. 실시예에 따른 태양 전지 제조 방법은, 상기 후면 전극층(200)의 상하 단차로 인해 상기 후면 전극층에서 발생할 수 있는 버르(burr)에 의한 불량을 방지할 수 있다. 즉, 상기 후면 전극층(200)이 평면으로 배치되는 것에 비해, 상하 단차로 배치함으로써, 상기 버르에 의한 쇼트(shot)를 방지할 수 있어, 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있다.Accordingly. The solar cell manufacturing method according to the embodiment may prevent a defect due to burrs that may occur in the rear electrode layer due to the vertical step of the rear electrode layer 200. That is, compared with the rear electrode layer 200 arranged in a planar manner, the rear electrode layer 200 may be disposed at an upper and lower level to prevent a shot caused by the burr, thereby improving the efficiency of the solar cell.

상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)과 대응되는 위치에 형성된다. 이에 따라, 상기 제 1 관통홈들(TH1) 및 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의한 데드존(dead zone) 영역을 감소시킬 수 있다.The second through holes TH2 are formed at positions corresponding to the first through holes TH1. Accordingly, the dead zone area by the first through holes TH1 and the second through holes TH2 may be reduced.

또한, 실시예에 따른 태양 전지 제조 방법은 상기 제 1 관통홈들(TH1) 및 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 너비를 감소시킬 수 있으므로, 데드존 영역을 감소시킬 수 있어 넓은 면적의 유효 발전 영역을 가질 수 있다.In addition, the solar cell manufacturing method according to the embodiment can reduce the width of the first through holes (TH1) and the second through holes (TH2), it is possible to reduce the dead zone area effective in a large area It may have a development area.

따라서, 실시예에 따른 태양전지 패널은 데드존을 줄이고, 향상된 광-전 변환 효율을 가질 수 있다.
Therefore, the solar cell panel according to the embodiment may reduce the dead zone and have an improved photoelectric conversion efficiency.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. And differences relating to such modifications and applications should be construed as being included in the appended claims.

Claims (14)

다수의 돌기부를 포함하는 지지 기판;
상기 지지 기판 상에 배치되는 후면 전극층;
상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층;
상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함하고,
상기 후면 전극층에는 상기 돌기부에 인접하여 형성되는 제 1 관통홈들이 형성되고,
상기 광 흡수층에는 상기 후면 전극층의 측면을 노출하는 제 2 관통홈들이 형성되는 태양 전지.A support substrate including a plurality of protrusions;
A rear electrode layer disposed on the support substrate;
A light absorbing layer disposed on the rear electrode layer;
A front electrode layer disposed on the light absorbing layer,
First through grooves are formed in the rear electrode layer to be adjacent to the protrusion,
And a second through hole formed in the light absorbing layer to expose a side surface of the back electrode layer. 제 1항에 있어서,
상기 돌기부의 높이는 10㎛ 내지 200㎛ 인 태양 전지.The method of claim 1,
The protrusion of the solar cell is 10㎛ to 200㎛. 제 1항에 있어서,
상기 전면 전극층은 상기 후면 전측층의 측면과 직접 접촉하는 태양 전지.The method of claim 1,
The front electrode layer is in direct contact with the side of the rear front layer. 제 1항에 있어서,
상기 제 1 관통홈들의 너비와 상기 제 2 관통홈들의 너비는 동일한 태양 전지.The method of claim 1,
The width of the first through grooves and the width of the second through grooves are the same. 제 4항에 있어서,
상기 제 1 관통홈들의 너비 및 상기 제 2 관통홈들의 너비는 10㎛내지 50㎛ 인 태양 전지.5. The method of claim 4,
The width of the first through grooves and the width of the second through grooves 10㎛ to 50㎛ solar cell. 제 1항에 있어서,
상기 제 2 관통홈들은 상기 제 1 관통홈들과 대응되는 위치에 형성되는 태양 전지.The method of claim 1,
The second through holes are formed in a position corresponding to the first through grooves. 제 1항에 있어서,
상기 후면 전극층은 상기 제 1 관통홈들에 의해 상하 단차를 형성하는 태양 전지.The method of claim 1,
The back electrode layer is a solar cell to form a vertical step by the first through grooves. 다수의 돌기부를 포함하는 지지 기판을 준비하는 단계;
상기 지지 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계;
상기 돌기부에 인접하는 상기 후면 전극층에 제 1 관통홈들을 형성하는 단계;
상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광흡수 층에 제 2 관통홈들을 형성하는 단계; 및
상기 광 흡수층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지 제조 방법.Preparing a support substrate including a plurality of protrusions;
Forming a back electrode layer on the support substrate;
Forming first through holes in the rear electrode layer adjacent to the protrusion;
Forming a light absorbing layer on the back electrode layer;
Forming second through holes in the light absorption layer; And
Forming a front electrode layer on the light absorbing layer; 제 8항에 있어서,
상기 제 1 관통홈들과 상기 제 2 관통홈들은 서로 대응하는 위치에 형성되는 태양 전지 제조 방법.The method of claim 8,
The first through holes and the second through grooves are formed in a position corresponding to each other. 제 8항에 있어서,
상기 제 1 관통홈들에 의해 상기 후면 전극층의 측면이 노출되는 태양 전지 제조 방법.The method of claim 8,
The solar cell manufacturing method of the side surface of the back electrode layer is exposed by the first through grooves. 제 10항에 있어서,
상기 전면 전극층은 상기 제 1 관통홈들에 의해 노출되는 상기 후면 전극층의 측면과 직접 접촉하는 태양 전지 제조 방법.The method of claim 10,
And the front electrode layer is in direct contact with a side surface of the back electrode layer exposed by the first through holes. 제 8항에 있어서,
상기 제 1 관통홈들의 너비와 상기 제 2 관통홈들의 너비는 동일한 태양 전지.The method of claim 8,
The width of the first through grooves and the width of the second through grooves are the same. 제 8항에 있어서,
상기 제 1 관통홈들에 의해 상기 후면 전극층은 상하 단차를 형성하는 태양 전지 제조 방법.The method of claim 8,
The back electrode layer is formed by the first through grooves forming a solar cell step. 제 8항에 있어서,
상기 돌기부는 10㎛ 내지 200㎛ 의 높이를 가지도록 형성되는 태양 전지 제조 방법.


The method of claim 8,
The projection is a solar cell manufacturing method is formed to have a height of 10㎛ to 200㎛.


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