KR20130109150A - Electrically conductive copper particles, process for producing electrically conductive copper particles, composition for forming electrically conductive body, and base having electrically conductive body attached thereto - Google Patents

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Abstract

본 발명은 염소 원자를, 입자의 총질량에 대해 50 ∼ 1000 질량ppm 함유하고, 그 염소 원자가 비수용성의 형태로 존재하고 있는 도전성 구리 입자에 관한 것이다.This invention relates to electroconductive copper particle which contains 50-1000 mass ppm of chlorine atoms with respect to the gross mass of particle | grains, and the chlorine atom exists in water-insoluble form.

Description

도전성 구리 입자 및 도전성 구리 입자의 제조 방법, 도전체 형성용 조성물, 그리고 도전체가 형성된 기재{ELECTRICALLY CONDUCTIVE COPPER PARTICLES, PROCESS FOR PRODUCING ELECTRICALLY CONDUCTIVE COPPER PARTICLES, COMPOSITION FOR FORMING ELECTRICALLY CONDUCTIVE BODY, AND BASE HAVING ELECTRICALLY CONDUCTIVE BODY ATTACHED THERETO} TECHNICAL CONDUCTIVE COPPER PARTICLES, PROCESS FOR PRODUCING ELECTRICALLY CONDUCTIVE COPPER PARTICLES, COMPOSITION FOR FORMING ELECTRICALLY CONDUCTIVE BODY, AND BASE HAVING ELECTRICAL THERETO}

본 발명은 도전성 구리 입자 및 도전성 구리 입자의 제조 방법, 도전체 형성용 조성물, 그리고 도전체가 형성된 기재에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive copper particle and a method for producing the conductive copper particle, a composition for forming a conductor, and a substrate on which a conductor is formed.

프린트 기판 등, 원하는 배선 패턴의 도전체막을 갖는 도전체가 형성된 기재의 제조 방법으로는, 기재 상에, 은 입자를 함유하는 은 페이스트를 원하는 배선 패턴상으로 도포하여, 경화시키는 방법이 알려져 있다. 그러나, 은의 도전체막은 이온 마이그레이션에 의한 단락을 일으키기 쉽다. 그 때문에, 전자 기기의 신뢰성의 관점에서, 은 페이스트 대신에 구리 페이스트를 사용하여 도전체막을 형성하는 것이 검토되고 있다. 그러나, 구리 입자는 산화되기 쉽고, 표면에 산화 피막이 형성되기 쉽다. 그 때문에, 구리 입자를 사용한 도전체막은 체적 저항률이 높아지기 쉬워, 그 경시적인 변화가 크다.As a manufacturing method of the base material with a conductor film which has a conductor film of a desired wiring pattern, such as a printed circuit board, the method of apply | coating silver paste containing silver particle on a desired wiring pattern on a base material, and hardening is known. However, silver conductor films are likely to cause short circuits due to ion migration. Therefore, in view of the reliability of electronic devices, forming a conductor film using copper paste instead of silver paste has been studied. However, copper particles tend to be oxidized, and an oxide film is easily formed on the surface. Therefore, the volume resistivity of the conductor film using copper particle | grains tends to become high, and the change with time is large.

체적 저항률이 낮은 도전체막을 형성하는 도전성 구리 입자의 제조 방법으로는, 하기 방법 (1) ∼ (3) 이 알려져 있다.As a manufacturing method of the electroconductive copper particle which forms the conductor film with low volume resistivity, the following methods (1)-(3) are known.

(1) 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 도전분 (粉) 을, 산과 환원제와 탄소수 8 이상의 지방산의 알칼리 금속염을 함유하는 수용액으로 처리하는 방법 (특허문헌 1).(1) The method of processing the electrically conductive powder which consists of copper or a copper alloy with the aqueous solution containing an acid, a reducing agent, and the alkali metal salt of a C8 or more fatty acid (patent document 1).

(2) 구리염 수용액에 하이포아인산을 첨가하여 수소화구리 미립자를 석출시키고, 그 수소화구리 미립자를 열 분해시켜 구리 미립자를 얻는 방법 (특허문헌 2).(2) A method of adding hypophosphoric acid to an aqueous copper salt solution to precipitate copper hydride fine particles, thermally decomposing the copper hydride fine particles to obtain copper fine particles (Patent Document 2).

(3) 구리 이온을 함유하는 용액 중에, 그 구리 이온에 대해 염화물 이온을 0.05 몰 이상 (1250 질량ppm 이상) 함유시키고, pH 10 ∼ 12.5 로 환원하여, 표면에 혹 모양의 요철을 구비한 구리 입자를 제조하는 방법 (특허문헌 3).(3) Copper particle which contained 0.05 mol or more (1250 mass ppm or more) of chloride ions with respect to the copper ion, and reduced it to pH 10-12.5 in the solution containing copper ion, and provided the surface with a bumpy unevenness | corrugation. The method of manufacturing (patent document 3).

일본 공개특허공보 2007-184143호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-184143 일본 공개특허공보 평2-294417호Japanese Patent Laid-Open No. 2-294417 일본 공개특허공보 2007-169770호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-169770

그러나, 방법 (1) 에 의해 제조한 구리 입자를 사용한 도전체막은, 성막 직후에는 우수한 도전성을 갖지만, 실온, 공기 중의 보존으로 체적 저항률이 대폭 증가하기 때문에, 전자 기기의 배선에는 사용할 수 없다.However, although the conductor film using the copper particle manufactured by the method (1) has the outstanding electroconductivity immediately after film-forming, since the volume resistivity increases significantly by room temperature and air storage, it cannot be used for the wiring of an electronic device.

방법 (2) 에 의하면, 수소화구리 미립자가 응집된 입자를 얻을 수 있지만, 이 방법으로 제조한 입자를 이용하여 도전체막으로 했을 때, 도전성이 불충분하고, 실온, 공기 중의 보존으로 체적 저항률이 증가한다.According to the method (2), particles in which copper hydride fine particles are aggregated can be obtained, but when the conductive film is used using the particles produced by this method, the conductivity is insufficient, and the volume resistivity increases due to storage at room temperature and in the air. .

방법 (3) 에 의해 제조한 구리 입자를 사용한 도전체막은, 성막 직후에도 체적 저항률이 크고, 그 체적 저항률이 경시적으로 증가하므로, 전자 기기의 배선에는 사용할 수 없다.Since the conductor film using the copper particle manufactured by the method (3) has a large volume resistivity even after film formation, and its volume resistivity increases with time, it cannot be used for the wiring of an electronic device.

본 발명은 체적 저항률이 낮고, 또한 그 경시적 변화가 작은 도전체막을 형성할 수 있는 도전성 구리 입자 및 도전성 구리 입자의 제조 방법, 상기 도전성 구리 입자를 함유하는 도전체 형성용 조성물, 그리고 상기 도전체 형성용 조성물에 의해 형성한 도전체막을 갖는 도전체가 형성된 기재의 제공을 목적으로 한다.The present invention provides a method for producing conductive copper particles and conductive copper particles capable of forming a conductor film having a low volume resistivity and a small change over time, a composition for forming a conductor containing the conductive copper particles, and the conductor An object of the present invention is to provide a substrate on which a conductor having a conductor film formed by the composition for formation is formed.

본 발명의 도전성 구리 입자는 염소 원자를, 입자의 총질량에 대해 50 ∼ 1000 질량ppm 함유하고, 그 염소 원자가 비수용성의 형태로 존재하고 있다.The electroconductive copper particle of this invention contains 50-1000 mass ppm of chlorine atoms with respect to the gross mass of particle | grains, and the chlorine atom exists in water-insoluble form.

본 발명의 도전성 구리 입자는 평균 입자경이 0.01 ∼ 20 ㎛ 인 것이 바람직하다.It is preferable that the electroconductive copper particle of this invention is 0.01-20 micrometers in average particle diameter.

본 발명의 도전체 형성용 조성물은 본 발명의 도전성 구리 입자와 용제를 함유한다. 또한, 본 발명의 도전체 형성용 조성물은 수지 바인더를 함유하는 것이 바람직하다.The composition for conductor formation of this invention contains the electroconductive copper particle of this invention, and a solvent. Moreover, it is preferable that the composition for conductor formation of this invention contains a resin binder.

본 발명의 도전체가 형성된 기재는 기재와 본 발명의 도전체 형성용 조성물에 의해 상기 기재 상에 형성된 도전체막을 갖는다.The substrate on which the conductor of the present invention is formed has a conductor film formed on the substrate by the substrate and the composition for forming a conductor of the present invention.

본 발명의 도전성 구리 입자의 제조 방법은 구리 입자 및 구리 (II) 이온 중 적어도 일방을, 염화물 이온이 함유되고, pH 3 이하, 또한 산화 환원 전위가 220 ㎷ 이하인 반응계에서 환원하는 공정을 갖는 방법이다.The manufacturing method of the electroconductive copper particle of this invention is a method which has the process of reducing at least one of copper particle and copper (II) ion in the reaction system which contains chloride ion, pH 3 or less, and redox potential is 220 kPa or less. .

본 발명의 도전성 구리 입자를 사용하면, 체적 저항률이 낮고, 또한 그 경시적 변화가 작은 도전체막을 형성할 수 있다.By using the electroconductive copper particle of this invention, a conductor film with a low volume resistivity and a small change with time can be formed.

또한, 본 발명의 도전성 구리 입자의 제조 방법에 의하면, 체적 저항률이 낮고, 또한 그 경시적 변화가 작은 도전체막을 형성할 수 있는 도전성 구리 입자가 얻어진다.Moreover, according to the manufacturing method of the electroconductive copper particle of this invention, the electroconductive copper particle which can form the conductor film with low volume resistivity and small change with time is obtained.

또한, 본 발명의 도전체 형성용 조성물은 본 발명의 도전성 구리 입자를 함유하여, 체적 저항률이 낮고, 또한 그 경시적 변화가 작은 도전체막을 형성할 수 있다.Moreover, the composition for conductor formation of this invention contains the electroconductive copper particle of this invention, and can form the conductor film | membrane with low volume resistivity and small change with time.

또한, 본 발명의 도전체가 형성된 기재는 도전체막의 체적 저항률이 낮고, 또한 그 경시적 변화가 작다.In addition, the substrate on which the conductor of the present invention is formed has a low volume resistivity of the conductor film and a small change with time.

<도전성 구리 입자><Conductive Copper Particles>

본 발명의 도전성 구리 입자를 사용함으로써, 체적 저항률이 낮고, 또한 경시적인 체적 저항률의 증가가 작은 도전체막을 형성할 수 있다. 상기 효과를 갖는 도전체막을 형성할 수 있는 이유는 반드시 분명한 것은 아니지만, 다음과 같이 추정된다.By using the electroconductive copper particle of this invention, a conductor film with a low volume resistivity and a small increase in volume resistivity with time can be formed. The reason why the conductor film having the above effect can be formed is not necessarily clear, but is estimated as follows.

본 발명의 도전성 구리 입자는 비수용성의 형태로 존재하는 염소 원자를 함유한다. 본 명세서 중에 있어서, 염소 원자가 비수용성의 형태로 존재하고 있다는 것은, 후술하는 측정법에 의해 측정되는 염화물 이온 농도가 10 질량ppm 이하가 되는 것을 의미한다.The electroconductive copper particle of this invention contains the chlorine atom which exists in water-insoluble form. In this specification, that a chlorine atom exists in water-insoluble form means that the chloride ion concentration measured by the measuring method mentioned later will be 10 mass ppm or less.

본 발명의 도전성 구리 입자를 얻으려면 구리 (II) 이온 (2 가의 구리 이온) 을 환원하는데, 그 과정에 있어서, 구리 (I) 이온 (1 가의 구리 이온) 을 경유하는 것으로 생각된다. 구리 (I) 이온이 생성되었을 때, 근방에 1 가의 음이온인 염화물 이온이 적당량 존재하면, 양자는 신속하게 반응하여, 도전성 구리 입자의 표면에 염화구리 (I) 이 형성되는 것으로 생각된다. 그 때문에, 도전성 구리 입자 표면의 산화가 억제되어 낮은 체적 저항률이 얻어지는 것으로 생각된다. 또한, 염화구리 (I) 은 물에 대한 용해성이 매우 낮아, 물과의 친화성이 낮기 때문에, 공기 중의 수분에 의한 열화가 작다. 그 때문에, 도전체가 형성된 기재로 한 후에도 체적 저항률의 증가를 장기간 억제할 수 있다는 우수한 효과를 나타내는 것으로 생각된다.In order to obtain the electroconductive copper particle of this invention, although copper (II) ion (bivalent copper ion) is reduced, in the process, it is thought to pass via copper (I) ion (monovalent copper ion). When copper (I) ions are produced, if an appropriate amount of chloride ions, which are monovalent anions, are present in the vicinity, both react quickly and are considered to form copper chloride (I) on the surface of the conductive copper particles. Therefore, it is thought that oxidation of the surface of electroconductive copper particle is suppressed and a low volume resistivity is obtained. Further, copper chloride (I) has a very low solubility in water and a low affinity with water, so that deterioration due to moisture in the air is small. Therefore, even if it is set as the base material in which a conductor was formed, it is thought that the outstanding effect which can suppress the increase of a volume resistivity for a long time is considered.

이상과 같이, 본 발명의 도전성 구리 입자에서는, 물에 대한 용해성이 매우 낮은 형태로 염소 원자가 존재하는 것으로 생각된다. 단, 도전성 구리 입자에 있어서의 염화구리 (I) 의 동정이 곤란하기 때문에, 후술하는 측정법에 의해 측정되는 염화물 이온 농도가 10 질량ppm 이하가 됨으로써, 비수용성이라고 정의하고 있다.As mentioned above, in the electroconductive copper particle of this invention, it is thought that a chlorine atom exists in the form with very low solubility to water. However, since identification of copper chloride (I) in electroconductive copper particle is difficult, it is defined that it is water-insoluble because the chloride ion concentration measured by the measuring method mentioned later becomes 10 mass ppm or less.

도전성 구리 입자 중의 염소 원자의 함유량은 도전성 구리 입자의 총질량에 대해 50 ∼ 1000 질량ppm 이고, 80 ∼ 300 질량ppm 이 바람직하다. 염소 원자의 함유량이 상기 하한치 이상이면, 구리 입자의 표면 산화의 진행을 억제할 수 있다. 염소 원자의 함유량이 상기 상한치 이하이면, 체적 저항률이 작은 도전체막을 형성할 수 있다. 도전성 구리 입자 중의 염소 원자의 함유량은 형광 X 선 분석에 의해 측정된다.Content of the chlorine atom in electroconductive copper particle is 50-1000 mass ppm with respect to the gross mass of electroconductive copper particle, and 80-300 mass ppm is preferable. If content of a chlorine atom is more than the said lower limit, advancing of surface oxidation of a copper particle can be suppressed. If content of a chlorine atom is below the said upper limit, the conductor film with a small volume resistivity can be formed. Content of the chlorine atom in electroconductive copper particle is measured by fluorescent X-ray analysis.

(측정법)(Measurement)

1. 도전성 구리 입자 중의 염소 원자의 함유량을 형광 X 선 분석법에 의해 측정한다.1. Content of the chlorine atom in electroconductive copper particle is measured by the fluorescent X-ray analysis method.

2. 도전성 구리 입자에 함유되어 있는 염소 원자가 모두 증류수 중에 용출되었다고 하면, 당해 증류수 중에 함유되는 염화물 이온의 농도가 100 질량ppm 이 되는 양의 도전성 구리 입자를 증류수에 침지시킨다.2. If all chlorine atoms contained in the conductive copper particles are eluted in distilled water, the conductive copper particles in an amount such that the concentration of chloride ions contained in the distilled water is 100 mass ppm are immersed in distilled water.

3. 도전성 구리 입자를 침지시킨 증류수를, 20 ℃ 에 있어서, 시험관 믹서 (애즈원사 제조, HM-01) 를 사용하여 1000 rpm 으로 5 초간 교반한 후, 그 증류수 중에 용출된 염화물 이온 농도를 측정한다. 여기서, 사용하는 증류수는 용존 산소 농도를 1 질량ppm 이하로 조정한 증류수이다.3. After distilled water in which electroconductive copper particle was immersed was stirred at 1000 rpm for 5 second using the test tube mixer (made by As One, HM-01) at 20 degreeC, the chloride ion concentration eluted in the distilled water is measured. . Here, distilled water used is distilled water which adjusted the dissolved oxygen concentration to 1 mass ppm or less.

또한, 용존 산소 농도를 1 질량ppm 이하로 하는 것은, 도전성 구리 입자에 존재하는 염화구리 (I) (1 가의 구리) 이, 용존 산소에 의한 산화의 영향으로 염화구리 (II) (2 가의 구리) 로 변화하는 것을 방지하기 위함이다.Further, the dissolved oxygen concentration of 1 ppm by mass or less means that copper chloride (I) (monovalent copper) present in the conductive copper particles is affected by oxidation by dissolved oxygen (II) (divalent copper). This is to prevent the change.

도전성 구리 입자의 표면 구리 농도 (단위 : 원자%) 에 대한 표면 산소 농도 (단위 : 원자%) 의 비율로 나타내는 표면 산소량은 0.5 이하가 바람직하고, 0.3 이하가 보다 바람직하다. 상기 표면 산소량이 상기 상한치 이하이면, 도전성 구리 입자 사이의 접촉 저항이 보다 작아져, 도전체막의 도전성이 향상된다.0.5 or less is preferable and, as for the surface oxygen amount represented by the ratio of the surface oxygen concentration (unit: atomic%) with respect to the surface copper concentration (unit: atomic%) of electroconductive copper particle, 0.3 or less is more preferable. If the said surface oxygen amount is below the said upper limit, the contact resistance between electroconductive copper particle will become smaller, and the electroconductivity of a conductor film will improve.

또한, 도전성 구리 입자의 표면 산소 농도와 표면 구리 농도는 X 선 광전자 분광 분석에 의해 구해진다. 측정은 입자 표면으로부터 중심을 향하여 약 3 ㎚ 깊이까지의 범위에 대해 실시된다. 이 범위에 대해 측정이 이루어져 있으면, 입자 표면의 상태를 충분히 파악할 수 있다.In addition, the surface oxygen concentration and surface copper concentration of electroconductive copper particle are calculated | required by X-ray photoelectron spectroscopy. Measurements are taken over a range from the particle surface up to about 3 nm deep towards the center. If the measurement is made in this range, the state of a particle surface can fully be grasped | ascertained.

본 발명의 도전성 구리 입자의 형태는 특별히 한정되지 않는다. 본 발명의 도전성 구리 입자는 예를 들어, 하기 도전성 구리 입자 (A) ∼ (E) 를 들 수 있다.The form of the electroconductive copper particle of this invention is not specifically limited. Examples of the conductive copper particles of the present invention include the following conductive copper particles (A) to (E).

(A) 비수용성 형태의 염소 원자를 함유하는 1 차 입자로서, 그 평균 입자경이 1 ㎛ 이상인 구리 입자.(A) Copper particles which contain the chlorine atom of a water-insoluble form, and whose average particle diameter is 1 micrometer or more.

(B) 비수용성 형태의 염소 원자를 함유하는 1 차 입자로서, 그 평균 입자경이 1 ㎛ 이상인 구리 입자의 표면에, 비수용성 형태의 염소 원자를 함유하는 2 차 입자로서, 그 평균 입자경이 20 ∼ 350 ㎚ 인 수소화구리 미립자가 부착된 구리 복합 입자.(B) Primary particles containing chlorine atoms of water-insoluble form, the average particle diameter of which is 20 to 2 as secondary particles containing chlorine atoms of water-insoluble form, on the surface of copper particle whose average particle diameter is 1 micrometer or more. Copper composite particle with 350 nm copper hydride microparticles | fine-particles adhered.

(C) 비수용성 형태의 염소 원자를 함유하는 2 차 입자로서, 그 평균 입자경이 10 ㎚ ∼ 1 ㎛ 인 수소화구리 미립자.(C) Copper hydride microparticles | fine-particles which are the secondary particle containing the chlorine atom of a water-insoluble form, and whose average particle diameter is 10 nm-1 micrometer.

(D) 비수용성 형태의 염소 원자를 함유하는 1 차 입자로서, 그 평균 입자경이 1 ㎛ 이상인 구리 입자의 표면에, 비수용성 형태의 염소 원자를 함유하는 2 차 입자로서, 그 평균 입자경이 20 ∼ 350 ㎚ 인 구리 미립자가 부착된 구리 복합 입자.(D) Primary particles containing a chlorine atom in the non-aqueous form, the average particle diameter of 20 ~ as secondary particles containing a chlorine atom in the non-aqueous form, on the surface of the copper particles having an average particle diameter of 1 µm or more. Copper composite particle with 350 micrometers copper fine particle affixed.

(E) 비수용성 형태의 염소 원자를 함유하는 2 차 입자로서, 그 평균 입자경이 10 ㎚ ∼ 1 ㎛ 인 구리 미립자.(E) Copper microparticles | fine-particles which contain the chlorine atom of a water-insoluble form, and whose average particle diameter is 10 nm-1 micrometer.

도전성 구리 입자 (B) 및 도전성 구리 입자 (D) 는 1 차 입자와 2 차 입자의 조합으로 이루어지는 도전성 구리 입자이고, 도전성 구리 입자 (A), (C) 및 (E) 는 1 차 입자만, 또는 2 차 입자만으로 이루어지는 도전성 구리 입자이다.Electroconductive copper particle (B) and electroconductive copper particle (D) are electroconductive copper particle which consists of a combination of a primary particle and a secondary particle, electroconductive copper particle (A), (C), and (E) are only primary particles, Or electroconductive copper particles composed of only secondary particles.

수소화구리 미립자는 가열함으로써 수소화구리가 금속 구리로 변환되어 구리 미립자가 된다. 즉, 도전성 구리 입자 (B) 는 가열함으로써 도전성 구리 입자 (D) 가 된다. 또한, 도전성 구리 입자 (C) 는 가열함으로써 도전성 구리 입자 (E) 가 된다.Copper hydride microparticles | fine-particles are converted into metallic copper by heating, and copper hydride microparticles | fine-particles turn into copper microparticles | fine-particles. That is, electroconductive copper particle (B) turns into electroconductive copper particle (D) by heating. In addition, electroconductive copper particle (C) turns into electroconductive copper particle (E) by heating.

본 발명의 도전성 구리 입자는 산화 방지 및 도전체 형성용 조성물의 유동성 향상의 목적으로, 표면이 유기물에 의해 피복되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 「피복」 이란 유기물이 도전성 구리 입자의 표면 전체를 덮고 있는 경우뿐만 아니라, 부분적으로 덮고 있는 경우도 포함한다. 나아가, 유기물이 도전성 구리 입자의 표면에 결합되어 있는 경우뿐만 아니라, 배위되어 있는 경우 등도 포함한다.It is preferable that the electroconductive copper particle of this invention is coat | covered with the organic substance for the purpose of the fluidity improvement of the composition for antioxidant prevention and conductor formation. In addition, "coating" includes not only the case where the organic substance has covered the whole surface of electroconductive copper particle, but also the case where it partially covers. Furthermore, not only the case where an organic substance is bonded to the surface of electroconductive copper particle, but the case where it is coordinated, etc. are included.

상기 유기물로는 카르복실산, 아민, 이미다졸계 화합물, 트리아졸계 화합물 등을 들 수 있다.As said organic substance, a carboxylic acid, an amine, an imidazole compound, a triazole compound, etc. are mentioned.

상기 카르복실산으로는 올레산, 스테아르산, 미리스트산, 도데칸산, 데칸산, 옥틸산, 옥탄산, 헥산산, 벤조산, 살리실산 및 아비에트산 등을 들 수 있다.Examples of the carboxylic acid include oleic acid, stearic acid, myristic acid, dodecanoic acid, decanoic acid, octylic acid, octanoic acid, hexanoic acid, benzoic acid, salicylic acid, and abietic acid.

상기 아민으로는 올레일아민, 스테아릴아민, 미리스틸아민, 도데실아민, 데실아민, 옥틸아민, 헥실아민 및 아닐린 등을 들 수 있다.Examples of the amines include oleylamine, stearylamine, myristylamine, dodecylamine, decylamine, octylamine, hexylamine, aniline, and the like.

상기 유기물로는, 도전성 구리 입자와 함께 수지 바인더를 함유하는 도전체 형성용 조성물을 조제하는 경우, 당해 도전성 구리 입자와 수지의 젖음성의 관점에서, 카르복실산이 바람직하고, 올레산, 살리실산, 아비에트산이 보다 바람직하다. 또한, 젖음성이란 계면 에너지를 변화시키는 것에 의한 입자 표면과 수지의 친화성이다.As said organic substance, when preparing the composition for conductor formation containing a resin binder with electroconductive copper particle, carboxylic acid is preferable from a viewpoint of the wettability of the said electroconductive copper particle and resin, and oleic acid, salicylic acid, and abiete acid More preferred. In addition, wettability is the affinity of the particle | grain surface and resin by changing interface energy.

본 발명의 도전성 구리 입자의 평균 입자경은 0.01 ∼ 20 ㎛ 가 바람직하고, 도전성 구리 입자의 형상에 따라 이 범위 내에 있어서 적절히 조정되면 된다. 도전성 구리 입자가 1 차 입자를 함유하는 경우의 평균 입자경은 1 ∼ 10 ㎛ 가 보다 바람직하다. 또한, 도전성 구리 입자가 2 차 입자만으로 이루어지는 경우의 평균 입자경은 0.01 ∼ 1 ㎛ 가 바람직하고, 0.02 ∼ 0.4 ㎛ 가 특히 바람직하다. 도전성 구리 입자의 평균 입자경이 상기 하한치 이상이면, 그 도전성 구리 입자를 함유하는 도전체 형성용 조성물의 유동 특성이 양호해진다. 도전성 구리 입자의 평균 입자경이 상기 상한치 이하이면, 미세 배선을 제조하기 쉬워진다.As for the average particle diameter of the electroconductive copper particle of this invention, 0.01-20 micrometers is preferable, and what is necessary is just to adjust suitably in this range according to the shape of electroconductive copper particle. As for the average particle diameter in case an electroconductive copper particle contains a primary particle, 1-10 micrometers is more preferable. Moreover, 0.01-1 micrometer is preferable and, as for the average particle diameter in case an electroconductive copper particle consists only of secondary particles, 0.02-0.4 micrometer is especially preferable. When the average particle diameter of electroconductive copper particle is more than the said lower limit, the fluid flow characteristic of the composition for conductor formation containing this electroconductive copper particle will become favorable. If the average particle diameter of electroconductive copper particle is below the said upper limit, it will become easy to manufacture a fine wiring.

본 명세서 중에 있어서의 평균 입자경은 도전성 구리 입자의 형상에 따라 이하와 같이 구할 수 있다. 1 차 입자에 대해 평균 1 차 입자경을 구할 때에는, 주사형 전자 현미경 (이하, 「SEM」 이라고 한다) 이미지 중에서 무작위로 선택한 100 개의 입자의 입자경을 측정하고, 그들 입자경을 평균함으로써 산출된다. 2 차 입자에 대해서는, 투과형 전자 현미경 (이하, 「TEM」 이라고 한다) 이미지 중에서 무작위로 선택한 100 개의 입자의 입자경을 측정하고, 그들 입자경을 평균함으로써 산출된다.The average particle diameter in this specification can be calculated | required as follows according to the shape of electroconductive copper particle. When obtaining an average primary particle diameter with respect to a primary particle, it calculates by measuring the particle diameter of 100 particle | grains randomly selected from the scanning electron microscope (henceforth "SEM") image, and averaging those particle diameters. About secondary particles, it calculates by measuring the particle diameter of 100 particle | grains randomly selected from the transmission electron microscope (henceforth "TEM") image, and averaging those particle diameters.

구리 입자가 구상이 아닌 경우에는, 1 차 입자이면, 구리 입자의 장경과 단경의 평균치를 입자경으로 한다. 입자가 2 차 입자인 경우에는, 2 차 입자의 장경과 2 차 입자의 단경의 평균치를 입자경으로 한다.When a copper particle is not spherical, if it is a primary particle, the average value of the long diameter and short diameter of a copper particle shall be made into a particle diameter. When particle | grains are secondary particle | grains, let the average value of the long diameter of a secondary particle and the short diameter of a secondary particle be a particle diameter.

또한, 도전성 구리 입자 (B) 의 경우에는, 1 차 입자인 구리 입자와 그 구리 입자에 부착된 2 차 입자인 수소화구리 미립자를 포함하는 도전성 구리 입자 (B) 전체를 SEM 에 의해 관찰하고, 2 차 입자도 포함한 장경과 단경의 평균치를 입자경으로 한다. 마찬가지로, 도전성 구리 입자 (D) 의 경우에는, 1 차 입자인 구리 입자와 그 구리 입자에 부착된 2 차 입자인 구리 미립자를 포함하는 도전성 구리 입자 (D) 전체를 SEM 에 의해 관찰하고, 2 차 입자도 포함한 장경과 단경의 평균치를 입자경으로 한다.In addition, in the case of electroconductive copper particle (B), the whole electroconductive copper particle (B) containing the copper particle which is a primary particle and the copper hydride microparticles | fine-particles which are secondary particle | grains adhered to this copper particle is observed by SEM, and 2 The average value of the long diameter and the short diameter including the difference particles is used as the particle diameter. Similarly, in the case of electroconductive copper particle (D), the whole electroconductive copper particle (D) containing the copper particle which is a primary particle, and the copper microparticles | fine-particles which are the secondary particle adhered to this copper particle is observed by SEM, and it is secondary The average value of the long diameter and the short diameter including particle | grains is made into particle diameter.

<도전성 구리 입자의 제조 방법><Method for producing conductive copper particles>

본 발명의 도전성 구리 입자는 구리 입자 및 구리 (II) 이온 중 적어도 일방을, 염화물 이온이 함유되고, pH 3 이하, 또한 산화 환원 전위가 220 ㎷ 이하인 반응계에서 환원하는 공정을 갖는 제조 방법에 의해 제조할 수 있다. 이하, 제조하는 도전성 구리 입자의 형태의 종류별로 구체적인 제조 방법을 설명한다.The electroconductive copper particle of this invention is manufactured by the manufacturing method which has the process of reducing at least one of copper particle and copper (II) ion in the reaction system which contains chloride ion, pH 3 or less, and redox potential is 220 kPa or less. can do. Hereinafter, the specific manufacturing method is demonstrated for every kind of form of the electroconductive copper particle to manufacture.

(도전성 구리 입자 (A) 를 제조하는 방법)(Method for producing conductive copper particle (A))

도전성 구리 입자 (A) 를 제조하는 방법으로는 예를 들어, 하기 공정 (α-1) 및 (α-2) 를 갖는 방법을 들 수 있다.As a method of manufacturing electroconductive copper particle (A), the method of having the following process ((alpha) -1) and ((alpha) -2) is mentioned, for example.

(α-1) 1 차 입자인 구리 입자 (이하, 「구리 입자 (a1)」 이라고 한다) 가 분산매에 분산되고, 염화물 이온이 함유되고, pH 3 이하, 또한 산화 환원 전위가 220 ㎷ 이하인 반응계 (이하, 「반응계 (α)」 라고 한다) 에서 구리 입자 (a1) 을 환원하여 도전성 구리 입자 (A) 를 얻는 공정.(α-1) A reaction system having copper particles (hereinafter referred to as "copper particles (a1)") as primary particles dispersed in a dispersion medium, containing chloride ions, having a pH of 3 or less and a redox potential of 220 kPa or less ( Hereinafter, the process of reducing copper particle (a1) in "reaction system ((alpha))" and obtaining electroconductive copper particle (A).

(α-2) 반응계 (α) 로부터 도전성 구리 입자 (A) 를 분리하는 공정.(α-2) A step of separating the conductive copper particles (A) from the reaction system (α).

공정 (α-1) : Process (α-1):

구리 입자 (a1) 을 분산매에 분산시키고, 당해 분산매에 용해되어 염화물 이온을 생성하는 화합물을 첨가하고, pH 를 3 이하로 하여 환원제를 첨가하여, 반응계 (α) 를 형성하여 구리 입자 (a1) 을 환원한다. 여기서, 환원 반응 중에는, 반응계 (α) 의 산화 환원 전위가 220 ㎷ 이하가 되도록 조정한다. 구리 입자 (a1) 은 통상적으로 표면이 산화되어, 아산화구리로 이루어지는 산화 피막이 형성되어 있다. 공정 (α-1) 의 반응계 (α) 에서는, 구리 입자 (a1) 의 산화 피막의 아산화구리가 환원된다. 또한, 분산매에 용해되어 염화물 이온을 생성하는 화합물을 첨가하고, pH 를 3 이하로 하여 환원제를 첨가한 후에, 구리 입자 (a1) 을 분산시켜 반응계 (α) 를 형성해도 된다. 여기서도, 환원 반응 중에는 반응계 (α) 의 산화 환원 전위가 220 ㎷ 이하가 되도록 조정한다.The copper particles (a1) are dispersed in a dispersion medium, a compound dissolved in the dispersion medium to generate chloride ions is added, a reducing agent is added at a pH of 3 or less, and a reaction system (α) is formed to form the copper particles (a1). Reduce. Here, during a reduction reaction, it adjusts so that the oxidation-reduction potential of reaction system (alpha) may be 220 kPa or less. The surface of copper particles (a1) is oxidized normally, and the oxide film which consists of a cuprous oxide is formed. In the reaction system (α) of the step (α-1), the cuprous oxide of the oxide film of the copper particles (a1) is reduced. Moreover, after adding the compound which melt | dissolves in a dispersion medium and produces | generates chloride ion, and adds a reducing agent to pH 3 or less, you may disperse | distribute copper particle (a1) and form reaction system ((alpha)). Here too, during the reduction reaction, the redox potential of the reaction system (α) is adjusted to be 220 kPa or less.

구리 입자 (a1) 로는 구리 페이스트라고 불리는 도전체 형성용 조성물에 일반적으로 사용되는 공지된 금속 구리 입자를 들 수 있다. 이 금속 구리 입자는 1 차 입자이다. 또한, 구리 입자 (a1) 의 입자 형상은 구상이어도 되고, 판상이나 인분 (鱗粉) 상 등의 형상이어도 된다.As copper particle (a1), the well-known metal copper particle generally used for the composition for conductor formation called a copper paste is mentioned. This metallic copper particle is a primary particle. In addition, spherical shape may be sufficient as the particle shape of a copper particle (a1), and shapes, such as plate shape and phosphorus shape, may be sufficient as it.

구리 입자는 표면이 산화되기 쉽기 때문에, 시판되는 구리 입자는 일반적으로 표면의 산화 방지를 목적으로 하여, 스테아르산, 올레산, 미리스트산 등의 장사슬 카르복실산으로 표면 처리되어 있는 경우가 많다. 장사슬 카르복실산으로 표면 처리되어 있는 구리 입자는, 표면이 소수성이기 때문에, 후술하는 물 등의 고극성 분산매 중에서 응집되기 쉽다. 그 때문에, 장사슬 카르복실산으로 표면 처리되어 있는 구리 입자를 사용하는 경우에는, 공정 (α-1) 전에 표면의 장사슬 카르복실산을 제거하는 것이 바람직하다. 표면의 장사슬 카르복실산의 제거는, 구리 입자를 탈지제에 의해 처리하거나 알칼리성 수용액 중에서 가열 처리함으로써 실시할 수 있다.Since copper particles are easy to oxidize the surface, commercially available copper particles are often surface treated with long chain carboxylic acids such as stearic acid, oleic acid and myristic acid for the purpose of preventing oxidation of the surface. Since the copper particle surface-treated with long-chain carboxylic acid is hydrophobic, it is easy to aggregate in high polar dispersion media, such as water mentioned later. Therefore, when using the copper particle surface-treated with long chain carboxylic acid, it is preferable to remove long chain carboxylic acid of a surface before a process ((alpha-1)). Removal of long-chain carboxylic acid of a surface can be performed by treating copper particle with a degreasing agent or heat-processing in alkaline aqueous solution.

또한, 후술하는 바와 같이 구리 입자 (a1) 의 매체는 물이나 물과 알코올류의 혼합 매체 등, 극성이 높은 매체를 사용한다. 구리 입자 (a1) 의 이들 고극성 분산매에 대한 분산성이 향상되고, 구리 입자의 응집을 억제하기 쉬운 관점에서, 구리 입자 (a1) 로는 분산제로 전처리된 구리 입자가 바람직하다. 분산제는 구리 입자의 표면에 담지되어 그 표면을 친수화한다. 장사슬 카르복실산으로 표면 처리된 구리 입자라도, 분산제에 의한 전처리에 의해, 표면이 친수화된 구리 입자가 얻어진다.In addition, as mentioned later, the medium of copper particle (a1) uses a medium with high polarity, such as a mixed medium of water, water, and alcohols. From the viewpoint of the dispersibility of the copper particles (a1) to these high polar dispersion mediums being improved and the aggregation of the copper particles easily suppressed, the copper particles pretreated with a dispersant are preferred as the copper particles (a1). The dispersant is supported on the surface of the copper particles to hydrophilize the surface. Even if it is the copper particle surface-treated with long chain carboxylic acid, the copper particle which the surface became hydrophilic is obtained by pretreatment with a dispersing agent.

분산제로는 구리 입자에 대한 화학 흡착성을 갖는 각종 수용성 화합물을 사용할 수 있다. 상기 수용성 화합물로는 단사슬의 지방족 카르복실산류, 수용성 고분자 화합물, 킬레이트제 등을 들 수 있다.As the dispersant, various water-soluble compounds having chemical adsorption to copper particles can be used. As said water-soluble compound, a short chain aliphatic carboxylic acid, a water-soluble high molecular compound, a chelating agent, etc. are mentioned.

단사슬의 지방족 카르복실산류로는 탄소수 6 이하의 지방족 모노카르복실산, 지방족 하이드록시모노카르복실산, 지방족 아미노산 등의 지방족 모노카르복실산류 ; 탄소수 10 이하의 지방족 폴리카르복실산, 지방족 하이드록시폴리카르복실산 등의 지방족 폴리카르복실산류가 보다 바람직하다.As short-chain aliphatic carboxylic acid, Aliphatic monocarboxylic acids, such as C6 or less aliphatic monocarboxylic acid, aliphatic hydroxy monocarboxylic acid, aliphatic amino acid; Aliphatic polycarboxylic acids, such as C10 or less aliphatic polycarboxylic acid and aliphatic hydroxy polycarboxylic acid, are more preferable.

수용성 고분자 화합물로는 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 폴리비닐피롤리돈, 하이드록시프로필셀룰로오스, 프로필셀룰로오스, 에틸셀룰로오스 등을 들 수 있다.Examples of the water-soluble high molecular compound include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyvinylpyrrolidone, hydroxypropyl cellulose, propyl cellulose and ethyl cellulose.

킬레이트제로는 에틸렌디아민 4 아세트산, 이미노디 2 아세트산 등을 들 수 있다.Ethylenediaminetetraacetic acid, iminodi diacetic acid, etc. are mentioned as a chelating agent.

분산제로는 단사슬의 지방족 카르복실산류가 바람직하고, 글리신, 알라닌, 시트르산, 시트르산 무수물, 말산, 말레산, 말론산 등의 탄소수 8 이하의 지방족 폴리카르복실산류가 보다 바람직하고, 말산, 말레산 등의 지방족디카르복실산, 또는 시트르산 등의 트리카르복실산이 특히 바람직하다.As the dispersant, short-chain aliphatic carboxylic acids are preferable, and aliphatic polycarboxylic acids having 8 or less carbon atoms, such as glycine, alanine, citric acid, citric anhydride, malic acid, maleic acid and malonic acid, are more preferable. Aliphatic dicarboxylic acids, such as these, or tricarboxylic acids, such as a citric acid, are especially preferable.

전처리는 분산제를 물 등의 용매에 용해시키고, 이 용액 중에 구리 입자를 투입하여 교반함으로써 실시할 수 있다. 이로써, 구리 입자 표면에 분산제가 결합된다. 전처리는 구리 입자의 표면의 산화를 억제하는 관점에서, 처리 용기 내를 불활성 가스로 치환하여 실시하는 것이 바람직하다. 불활성 가스로는 질소 가스, 아르곤 가스 등을 사용할 수 있다. 전처리 후, 용매를 제거하고, 필요에 따라 물 등으로 세정함으로써, 전처리에 의해 표면이 친수화된 구리 입자가 얻어진다.Pretreatment can be performed by dissolving a dispersing agent in solvents, such as water, and adding and stirring a copper particle in this solution. Thereby, a dispersing agent couple | bonds with the copper particle surface. It is preferable to perform pretreatment by replacing the inside of a process container with an inert gas from a viewpoint of suppressing oxidation of the surface of a copper particle. Nitrogen gas, argon gas, etc. can be used as an inert gas. After the pretreatment, the solvent is removed and, if necessary, washed with water or the like, thereby obtaining copper particles whose surface is hydrophilic by the pretreatment.

전처리는 가열하에서도 실시할 수 있다. 가열하에서 전처리를 실시함으로써, 처리 속도가 향상된다. 가열 온도는 50 ℃ 이상, 또한 물 등의 용매의 비점 이하 (저비점의 분산제를 사용하는 경우에는 그 비점 이하) 가 바람직하다. 가열 시간은 5 분 이상이 바람직하다. 또한, 장시간의 가열은 경제적이지 않기 때문에, 가열 시간은 3 시간 이하가 바람직하다.Pretreatment can be performed even under heating. By carrying out the pretreatment under heating, the treatment rate is improved. The heating temperature is preferably 50 ° C. or higher, or lower than the boiling point of a solvent such as water (in the case of using a low boiling point dispersant). The heating time is preferably 5 minutes or more. In addition, since heating for a long time is not economical, the heating time is preferably 3 hours or less.

전처리에 사용하는 분산제의 양은 전처리 전의 구리 입자 100 질량부에 대해 0.1 ∼ 10 질량부가 바람직하다.As for the quantity of the dispersing agent used for pretreatment, 0.1-10 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of copper particles before pretreatment.

구리 입자 (a1) 의 평균 입자경 (평균 1 차 입자경) 은 1 ∼ 20 ㎛ 가 바람직하다. 이로써, 평균 입자경 (평균 1 차 입자경) 이 1 ∼ 20 ㎛ 인 도전성 구리 입자 (A) 가 얻어지기 쉽다.As for the average particle diameter (average primary particle diameter) of a copper particle (a1), 1-20 micrometers is preferable. Thereby, the electroconductive copper particle (A) whose average particle diameter (average primary particle diameter) is 1-20 micrometers is easy to be obtained.

반응계 (α) (100 질량%) 중의 구리 입자 (a1) 의 농도는 0.1 ∼ 50 질량% 가 바람직하다. 구리 입자 (a1) 의 농도가 0.1 질량% 이상이면, 분산매의 사용량을 억제할 수 있고, 또한 도전성 구리 입자 (A) 의 생산 효율이 양호해진다. 구리 입자 (a1) 의 농도가 50 질량% 이하이면, 구리 입자 (a1) 끼리의 응집의 영향이 보다 작아지므로, 도전성 구리 입자 (A) 의 수율이 높아지기 쉽다.As for the density | concentration of the copper particle (a1) in reaction system ((alpha)) (100 mass%), 0.1-50 mass% is preferable. When the concentration of the copper particles (a1) is 0.1% by mass or more, the amount of dispersion medium used can be suppressed, and the production efficiency of the conductive copper particles (A) becomes good. When the density | concentration of a copper particle (a1) is 50 mass% or less, since the influence of aggregation of copper particle (a1) becomes smaller, the yield of electroconductive copper particle (A) tends to become high.

분산매로는 물 또는 물을 주성분으로 하여, 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 에틸렌글리콜 등의 알코올류를 함유하는 매체를 사용할 수 있고, 물이 특히 바람직하다. 또한, 물을 주성분으로 한다는 것은 분산매 100 질량% 중, 물이 70 질량% 이상인 것을 의미한다.As a dispersion medium, the medium containing water or water as a main component and containing alcohols, such as methanol, ethanol, 2-propanol, ethylene glycol, can be used, Water is especially preferable. In addition, having water as a main component means that water is 70 mass% or more in 100 mass% of dispersion mediums.

반응계 (α) 중의 염화물 이온의 농도는 반응계 (α) 의 총질량에 대해 5 ∼ 100 질량ppm 이 바람직하고, 10 ∼ 50 질량ppm 이 보다 바람직하다. 염화물 이온의 농도가 상기 하한치 이상이면, 환원 반응의 과정에 있어서 구리 입자 (a1) 표면에 적절한 양의 염화물 이온이 존재하므로, 염화구리 (I) 이 생성되기 쉬워져, 체적 저항률이 낮은 도전성 구리 입자 (A) 가 얻어지기 쉽다. 또한, 염화물 이온의 농도가 상기 상한치 이하이면, 도전성 구리 입자 (A) 중의 염화구리 (I) 의 양이 지나치게 많아서 도전성이 저하되는 것을 억제하기 쉽다.5-100 mass ppm is preferable with respect to the gross mass of the reaction system (alpha), and, as for the density | concentration of the chloride ion in a reaction system ((alpha)), 10-50 mass ppm is more preferable. When the concentration of chloride ions is equal to or greater than the lower limit, since an appropriate amount of chloride ions are present on the surface of the copper particles (a1) in the course of the reduction reaction, copper chloride (I) is likely to be formed, and the conductive copper particles having low volume resistivity (A) is easy to be obtained. Moreover, when the density | concentration of chloride ion is below the said upper limit, it is easy to suppress that electroconductivity falls that there is too much quantity of copper chloride (I) in electroconductive copper particle (A).

염화물 이온의 농도는 구리 입자 (a1) 의 분산매에 용해되어 염화물 이온을 생성하는 화합물의 첨가량을 조절함으로써 조절할 수 있다. 염화물 이온을 생성하는 화합물로는 염산, 염화나트륨, 염화칼륨, 염화구리 (II) 등을 적절히 사용할 수 있다.The concentration of chloride ions can be adjusted by adjusting the amount of the compound dissolved in the dispersion medium of the copper particles (a1) to produce chloride ions. As a compound which produces chloride ion, hydrochloric acid, sodium chloride, potassium chloride, copper (II) chloride, etc. can be used suitably.

반응계 (α) 의 pH 는 3 이하이고, 0.5 ∼ 3 이 바람직하고, 0.5 ∼ 2 가 보다 바람직하다. 반응계 (α) 의 pH 가 3 이하이면, 구리 입자 (a1) 표면의 산화 피막의 환원이 원활히 이루어진다. 또한, pH 3 이하라는 저 pH 의 영역에서는, 특정한 산화 환원 전위에서 염화구리 (I) 의 안정 영역이 존재하는 것이 알려져 있다 (나카노 히로아키 등, Journal of MMIJ 지, 123 호 (2007년), 33 - 38 페이지). 이것으로부터, 공정 (α-1) 에 있어서는, 산화 피막을 환원할 때, 구리 입자 (a1) 표면에 염화구리 (I) 이 생성되어, 결과적으로 비수용성 형태로 염소 원자를 함유하는 도전성 구리 입자 (A) 가 얻어지는 것으로 생각된다.PH of reaction system ((alpha)) is 3 or less, 0.5-3 are preferable and 0.5-2 are more preferable. When the pH of the reaction system (α) is 3 or less, reduction of the oxide film on the surface of the copper particles (a1) is performed smoothly. In addition, it is known that a stable region of copper chloride (I) exists at a specific redox potential in a region of low pH below pH 3 (Nakano Hiroaki et al., Journal of MMIJ, 123 (2007), 33-). P. 38). From this, in the step (α-1), when the oxide film is reduced, copper chloride (I) is formed on the surface of the copper particles (a1), and as a result, conductive copper particles containing chlorine atoms in a non-aqueous form ( It is thought that A) is obtained.

또한, pH 가 0.5 이상이면, 구리 입자로부터 구리 (II) 이온이 과도하게 용출되는 것을 억제하기 쉽고, 구리 입자 (a1) 의 표면 개질을 원활하게 실시하기 쉽다.Moreover, when pH is 0.5 or more, it is easy to restrain excessive elution of copper (II) ion from a copper particle, and it is easy to carry out surface modification of a copper particle (a1) smoothly.

반응계 (α) 의 pH 는 pH 조정제에 의해 조정한다.PH of reaction system (alpha) is adjusted with a pH adjuster.

pH 조정제로는 산을 사용할 수 있다. pH 조정제의 산으로는 포름산, 시트르산, 말레산, 말론산, 아세트산, 프로피온산 등의 물 또는 알코올류에 가용인 카르복실산이 바람직하다. 상기 카르복실산은 구리 입자 표면에 흡착되어 환원 처리 후의 도전성 구리 입자 (A) 의 표면에 잔존하는 경우가 있다. 잔존한 상기 카르복실산은 도전성 구리 입자 (A) 의 표면을 보호하여 산화를 억제하는 효과를 기대할 수 있다. pH 조정제의 산으로는 상기 카르복실산 중에서도 포름산이 특히 바람직하다. 포름산은 알데하이드의 구조 (-CHO) 를 갖는 화합물이므로, 환원성을 갖는다. 따라서, 환원 처리 후의 도전성 구리 입자 (A) 의 표면에 포름산이 잔존함으로써, 도전성 구리 입자 (A) 의 표면의 산화를 억제하는 효과가 보다 높아져, 결과적으로, 도전성 구리 입자 (A) 를 사용한 도전체막의 체적 저항률의 상승을 억제하기 쉬워진다.An acid can be used as a pH adjuster. As the acid of the pH adjuster, carboxylic acid soluble in water or alcohols such as formic acid, citric acid, maleic acid, malonic acid, acetic acid and propionic acid is preferable. The said carboxylic acid may adsorb | suck to the copper particle surface, and may remain on the surface of the electroconductive copper particle (A) after a reduction process. The said carboxylic acid which remain | survives can expect the effect which protects the surface of electroconductive copper particle (A), and suppresses oxidation. As an acid of a pH adjuster, formic acid is especially preferable among the said carboxylic acid. Formic acid is a compound having the structure (-CHO) of an aldehyde, and thus has reducing properties. Therefore, by formic acid remaining on the surface of the conductive copper particles (A) after the reduction treatment, the effect of suppressing oxidation of the surface of the conductive copper particles (A) becomes higher, and as a result, a conductor using the conductive copper particles (A) It is easy to suppress the increase in the volume resistivity of the film.

pH 조정제의 산으로는 상기 물 또는 알코올류에 가용인 카르복실산 이외에, 황산, 질산, 염산 등을 사용해도 된다. 염산은 염화물 이온의 농도 조정과 pH 조정을 동시에 실시할 수 있다. 분산매에 구리 입자 (a1) 을 분산시키고, 염화물 이온을 생성하는 화합물 (염산 등) 을 첨가한 분산액의 pH 가 3 이하인 경우에는, 그 분산액을 그대로 환원 처리에 사용할 수 있다.As an acid of a pH adjuster, you may use sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, etc. other than the carboxylic acid soluble in the said water or alcohols. Hydrochloric acid can simultaneously adjust the concentration of chloride ions and adjust the pH. When pH of the dispersion liquid which disperse | distributed a copper particle (a1) to the dispersion medium, and added the compound (hydrochloric acid etc.) which produces a chloride ion is 3 or less, this dispersion liquid can be used for a reduction process as it is.

또한, 산에 의해 pH 가 지나치게 낮아진 경우에는, pH 조정제로서 염기를 사용하여 pH 를 조정할 수 있다.In addition, when pH becomes too low by acid, pH can be adjusted using a base as a pH adjuster.

반응계 (α) 의 산화 환원 전위 (ORP) 는 220 ㎷ 이하이며, 150 ∼ 220 ㎷ 가 바람직하고, 180 ∼ 220 ㎷ 가 특히 바람직하다. ORP 가 220 ㎷ 이하이면, 구리 입자 (a1) 표면의 산화 피막의 환원 효과가 커져, 표면 개질이 충분히 진행된다. ORP 가 220 ㎷ 초과이면, 표면 개질이 불충분해지고, 초기의 체적 저항률이 클 뿐만 아니라, 체적 저항률의 경시적인 변화도 커진다. 본 명세서 중에 있어서, ORP 는 표준 수소 전극 (SHE) 의 전위에 대한 전위차로서 구해진다.The redox potential (ORP) of the reaction system (α) is 220 kV or less, preferably 150-220 kV, particularly preferably 180-220 kV. When ORP is 220 Pa or less, the reducing effect of the oxide film on the surface of copper particle (a1) becomes large, and surface modification fully advances. If the ORP is more than 220 GPa, the surface modification becomes insufficient, not only the initial volume resistivity is large, but also the time-dependent change in the volume resistivity becomes large. In this specification, ORP is calculated | required as a potential difference with respect to the electric potential of a standard hydrogen electrode (SHE).

반응계 (α) 의 ORP 는 사용하는 환원제의 종류에 따라 조절할 수 있다. 또한, 포름산 등의 환원성을 갖는 산에 의해서도 어느 정도 조절할 수 있다.ORP of the reaction system (α) can be adjusted according to the kind of reducing agent used. Moreover, it can adjust to some extent with acid which has reducing property, such as formic acid.

환원제로는 하이포아인산 화합물, 아민보란 화합물, 수소화물 등을 들 수 있다.Examples of the reducing agent include hypophosphorous acid compounds, amineborane compounds, and hydrides.

하이포아인산 화합물로는 하이포아인산, 하이포아인산염 등을 들 수 있다.Examples of the hypophosphorous acid compound include hypophosphorous acid and hypophosphite.

아민보란 화합물로는 디메틸아민보란 등을 들 수 있다.Dimethylamine borane etc. are mentioned as an amine borane compound.

수소화물로는 수소화붕소염 등을 들 수 있다.Examples of the hydride include boron hydride salts.

환원제로는 하이포아인산, 하이포아인산염, 디메틸아민보란, 또는 수소화붕소염이 바람직하고, 하이포아인산 또는 하이포아인산염이 특히 바람직하다.As a reducing agent, hypophosphoric acid, hypophosphite, dimethylamine borane, or a borohydride salt is preferable, and hypophosphoric acid or hypophosphite is especially preferable.

환원제의 사용량은 구리 입자 (a1) 전체에 대해 1 배 몰 이상이 바람직하고, 1.2 ∼ 10 배 몰이 보다 바람직하다. 환원제의 사용량이 구리 입자 (a1) 전체에 대해 1 배 몰 이상이면, 구리 입자 (a1) 표면의 구리에 대해 환원제가 크게 과잉이 되어, 환원이 충분히 진행되기 쉽다. 또한, 환원제의 사용량이 구리 입자 (a1) 전체에 대해 10 배 몰 이하이면, 경제적으로 유리하고, 또한 환원제 분해물의 양이 적어지므로 그 제거가 용이해진다.1 mol or more is preferable with respect to the whole copper particle (a1), and, as for the usage-amount of a reducing agent, 1.2-10 mol is more preferable. When the usage-amount of a reducing agent is 1 mol or more with respect to the whole copper particle (a1), a reducing agent will become large excess with respect to copper on the copper particle (a1) surface, and reduction will fully advance. If the amount of the reducing agent is 10 moles or less based on the entire copper particles (a1), it is economically advantageous and the amount of the reducing agent decomposition product decreases, so that the removal thereof becomes easy.

환원 반응은 구리 입자 (a1) 을 분산매에 분산하고, 염화물 이온의 농도 및 pH 를 조정한 분산액에 환원제를 첨가하여 개시해도 되고, 염화물 이온의 농도 및 pH 를 조정하고, 환원제를 첨가한 분산매에 구리 입자 (a1) 을 분산시켜 개시해도 된다.The reduction reaction may be initiated by dispersing the copper particles (a1) in a dispersion medium, adding a reducing agent to a dispersion liquid in which the concentration and pH of chloride ions are adjusted, adjusting the concentration and pH of chloride ions, and adding copper to the dispersion medium in which the reducing agent is added. You may start by disperse | distributing particle | grains (a1).

환원 반응의 반응 온도는 5 ∼ 60 ℃ 가 바람직하고, 35 ∼ 50 ℃ 가 보다 바람직하다. 반응 온도가 상기 하한치 이하이면, 환원 반응이 진행되기 쉽다. 반응 온도가 상기 상한치 이하이면, 분산매가 증발하는 것에 의한 반응계 (α) 의 농도 변화의 영향이 작다.5-60 degreeC is preferable and, as for the reaction temperature of a reduction reaction, 35-50 degreeC is more preferable. If reaction temperature is below the said lower limit, reduction reaction will advance easily. If reaction temperature is below the said upper limit, the influence of the concentration change of the reaction system ((alpha)) by evaporation of a dispersion medium is small.

환원 반응 종료 후, 얻어진 도전성 구리 입자 (A) 를 반응계 (α) 로부터 분리하고, 필요에 따라 물 등으로 세정한 후, 건조시켜 도전성 구리 입자 (A) 의 분말을 얻는다. 환원제 분해물 등의 부생물은 분산매에 가용이므로, 여과, 원심 분리 등의 방법으로 도전성 구리 입자 (A) 와 분리할 수 있다.After completion | finish of a reduction reaction, the obtained electroconductive copper particle (A) is isolate | separated from the reaction system ((alpha)), wash | cleaned with water etc. as needed, and it dries to obtain the powder of electroconductive copper particle (A). Since by-products, such as a reducing agent decomposition product, are soluble in a dispersion medium, it can isolate | separate from electroconductive copper particle (A) by methods, such as filtration and centrifugation.

(도전성 구리 입자 (B) 를 제조하는 방법)(Method for producing conductive copper particle (B))

도전성 구리 입자 (B) 를 제조하는 방법으로는 예를 들어, 하기 공정 (β-1) ∼ 공정 (β-3) 을 갖는 방법을 들 수 있다.As a method of manufacturing electroconductive copper particle (B), the method of having the following process ((beta) -1)-a process ((beta) -3) is mentioned, for example.

(β-1) 구리 (II) 이온과 염화물 이온을 함유하고, pH 3 이하, ORP 가 220 ㎷ 이하인 반응계 (이하, 「반응계 (β)」 라고 한다) 에서, 구리 (II) 이온을 환원하고, 2 차 입자로서, 그 평균 입자경 20 ∼ 350 ㎚ 의 수소화구리 미립자 (이하, 「수소화구리 미립자 (b1)」 이라고 한다) 를 생성시키는 공정.(β-1) Cu (II) ions are reduced in a reaction system containing copper (II) ions and chloride ions and having a pH of 3 or less and an ORP of 220 Pa or less (hereinafter referred to as "reaction system (β)"), The process of producing | generating copper hydride microparticles | fine-particles (henceforth "copper hydride microparticles | fine-particles (b1)") of the average particle diameter of 20-350 nm as a secondary particle.

(β-2) 수소화구리 미립자 (b1) 의 생성 전, 생성 도중 또는 생성 후의 반응계 (β) 중에, 1 차 입자인 구리 입자 (이하, 「구리 입자 (b2)」 라고 한다) 를 첨가하고, 구리 입자 (b2) 의 표면에 수소화구리 미립자 (b1) 이 부착된 수소화구리 복합 입자 (도전성 구리 입자 (B)) 를 생성시키는 공정.(β-2) Copper particles which are primary particles (hereinafter referred to as "copper particles (b2)") are added to the reaction system (β) before, during or after production of the copper hydride fine particles (b1), and copper A process of producing a copper hydride composite particle (electroconductive copper particle (B)) in which the copper hydride microparticles | fine-particles (b1) adhered to the surface of particle | grains (b2).

(β-3) 도전성 구리 입자 (B) 를 반응계 (β) 로부터 분리하는 공정.(β-3) A step of separating the conductive copper particles (B) from the reaction system (β).

공정 (β-1) : Process (β-1):

수용성 구리 화합물을 용매에 용해시키고, 그 용매에 용해되어 염화물 이온을 생성하는 화합물을 첨가하고, pH 를 3 이하로 하여 산화 환원 전위가 220 ㎷ 이하가 되는 환원제를 첨가하여, 반응계 (β) 를 형성한다. 반응계 (β) 에서는, 환원제에 의해 구리 (II) 이온이 환원되고, 비수용성 형태의 염소 원자를 함유하는, 2 차 입자인 수소화구리 미립자 (b1) 이 생성된다. 수소화구리 미립자 (b1) 은 20 ∼ 350 ㎚ 의 응집된 2 차 입자로 하는 것이 바람직하다.A water-soluble copper compound is dissolved in a solvent, a compound dissolved in the solvent to generate chloride ions is added, and a reducing agent having a pH of 3 or less and a redox potential of 220 kPa or less is added to form a reaction system β. do. In the reaction system (β), copper (II) ions are reduced by the reducing agent to produce copper hydride fine particles (b1) which are secondary particles containing chlorine atoms in the non-aqueous form. It is preferable to make copper hydride microparticles | fine-particles (b1) into the aggregated secondary particle of 20-350 nm.

수용성 구리 화합물로는 황산구리 (II), 질산구리 (II), 포름산구리 (II), 아세트산구리 (II), 염화구리 (II), 브롬화구리 (II), 요오드화구리 (I) 등을 들 수 있다.As a water-soluble copper compound, copper sulfate (II), copper nitrate (II), copper formate (II), copper acetate (II), copper chloride (II), copper bromide (II), copper iodide (I), etc. are mentioned. .

용매로는 수용성 구리 화합물이 용해되고, 또한 후술하는 환원제에 대해 불활성인 용매이면 특별히 한정되지 않고, 물 또는 물과 알코올류 (에탄올, 이소프로필알코올 등) 의 혼합 용매가 바람직하고, 물이 특히 바람직하다.The solvent is not particularly limited as long as the water-soluble copper compound is dissolved and is inert to the reducing agent described later. Water or a mixed solvent of water and alcohols (ethanol, isopropyl alcohol, etc.) is preferable, and water is particularly preferable. Do.

반응계 (β) (100 질량%) 중의 수용성 구리 화합물의 농도는 0.1 ∼ 30 질량% 가 바람직하다. 수용성 구리 화합물의 농도가 0.1 질량% 이상이면, 용매의 사용량을 억제할 수 있고, 또한 수소화구리 미립자 (b1) 의 생성 효율이 양호해진다. 수용성 구리 화합물의 농도가 30 질량% 이하이면, 수소화구리 미립자 (b1) 의 수율이 향상된다.As for the density | concentration of the water-soluble copper compound in reaction system ((beta)) (100 mass%), 0.1-30 mass% is preferable. When the concentration of the water-soluble copper compound is 0.1% by mass or more, the amount of the solvent used can be suppressed, and the production efficiency of the copper hydride fine particles (b1) becomes good. The yield of copper hydride microparticles | fine-particles (b1) improves that the density | concentration of water-soluble copper compound is 30 mass% or less.

반응계 (β) 중의 염화물 이온의 농도는 상기 반응계 (α) 와 동일한 이유로, 반응계 (β) 의 총질량에 대해 5 ∼ 100 질량ppm 이 바람직하고, 10 ∼ 50 질량ppm 이 보다 바람직하다. 염화물 이온의 농도는 분산매에 용해되어 염화물 이온을 생성하는 화합물을 사용함으로써 조정할 수 있다. 염화물 이온을 생성하는 화합물로는 염산, 염화나트륨, 염화칼륨, 염화구리 (II) 등을 적절히 사용할 수 있다.5-100 mass ppm is preferable with respect to the gross mass of reaction system (beta), and, as for the density | concentration of chloride ion in a reaction system ((beta)), 10-50 mass ppm is more preferable. The concentration of chloride ions can be adjusted by using a compound that is dissolved in the dispersion medium to produce chloride ions. As a compound which produces chloride ion, hydrochloric acid, sodium chloride, potassium chloride, copper (II) chloride, etc. can be used suitably.

반응계 (β) 의 pH 는 3 이하로 한다. 반응계 (β) 의 pH 가 3 이하이면, 반응계 (β) 중의 구리 (II) 이온과 수소 이온이 환원제에 의해 환원되어 수소화구리 미립자 (b1) 이 충분히 생성된다. 또한, 구리 (II) 이온이 환원된 구리 (I) 이온과 염화물 이온으로부터 염화구리 (I) 이 생성됨으로써, 비수용성 형태로 염소 원자를 함유하는 수소화구리 입자 (b1) 이 생성되는 것으로 생각된다. 반응계 (β) 의 pH 는 수소화구리 미립자 (b1) 의 생성 효율의 관점에서, 0.5 ∼ 2 가 보다 바람직하다.PH of reaction system (beta) shall be 3 or less. When pH of reaction system (beta) is 3 or less, copper (II) ion and hydrogen ion in reaction system (beta) are reduced by a reducing agent, and copper hydride microparticles | fine-particles (b1) are fully produced | generated. Moreover, it is thought that copper chloride (I) is produced from copper (I) ion and chloride ion by which copper (II) ion was reduced, and copper hydride particle (b1) containing a chlorine atom in a water-insoluble form is produced. As for pH of reaction system ((beta)), 0.5-2 are more preferable from a viewpoint of the production efficiency of copper hydride microparticles | fine-particles (b1).

반응계 (β) 의 pH 를 조정하는 산으로는 상기 도전성 구리 입자 (A) 제조의 설명에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있고, 얻어지는 도전성 구리 입자 (B) 의 표면의 산화를 억제하는 효과가 보다 높아져, 도전체막의 체적 저항률의 상승을 억제하기 쉬워지는 관점에서, 포름산이 특히 바람직하다.As an acid which adjusts pH of a reaction system ((beta)), the thing similar to what was illustrated by description of the said electroconductive copper particle (A) manufacture is mentioned, The effect which suppresses the oxidation of the surface of the obtained electroconductive copper particle (B) becomes higher, Formic acid is particularly preferable from the viewpoint of easily increasing the volume resistivity of the conductor film.

반응계 (β) 의 산화 환원 전위 (ORP) 는 220 ㎷ 이하, 150 ∼ 220 ㎷ 가 바람직하다. ORP 가 220 ㎷ 이하이면, 구리 (II) 이온의 환원 효과가 커져, 수소화구리 미립자 (b1) 이 충분히 생성된다. ORP 가 220 ㎷ 초과이면, 표면 개질이 불충분해지고, 초기의 체적 저항률이 클 뿐만 아니라, 체적 저항률의 경시적인 변화도 커진다.The oxidation-reduction potential (ORP) of the reaction system (β) is preferably 220 Pa or less and preferably 150 to 220 Pa. When ORP is 220 Pa or less, the reduction effect of copper (II) ion becomes large, and copper hydride microparticles | fine-particles (b1) are fully produced | generated. If the ORP is more than 220 GPa, the surface modification becomes insufficient, not only the initial volume resistivity is large, but also the time-dependent change in the volume resistivity becomes large.

환원제로는 상기 도전성 구리 입자 (A) 제조의 설명에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있으며, 하이포아인산, 하이포아인산염, 디메틸아민보란, 또는 수소화붕소염이 바람직하고, 하이포아인산 또는 하이포아인산염이 특히 바람직하다.Examples of the reducing agent include the same as those exemplified in the description of the production of the conductive copper particles (A). Hypophosphoric acid, hypophosphite, dimethylamine borane, or borohydride salts are preferable, and hypophosphoric acid or hypophosphite is particularly preferred. desirable.

환원제의 첨가량은 사용하는 수용성 구리 화합물에 대해 1.2 ∼ 10 배 몰이 바람직하다. 환원제의 첨가량이 수용성 구리 화합물에 대해 1.2 배 몰 이상이면, 환원 반응이 원활히 진행된다. 환원제의 첨가량이 수용성 구리 화합물에 대해 10 배 몰 이하이면, 수소화구리 미립자 (b2) 에 함유되는 불순물 (나트륨, 붕소, 인 등) 의 양을 억제하기 쉽다.As for the addition amount of a reducing agent, 1.2-10 times mole is preferable with respect to the water-soluble copper compound to be used. If the amount of the reducing agent added is 1.2 times or more based on the water-soluble copper compound, the reduction reaction proceeds smoothly. When the amount of the reducing agent added is 10 times or less with respect to the water-soluble copper compound, it is easy to suppress the amount of impurities (sodium, boron, phosphorus, etc.) contained in the copper hydride fine particles (b2).

반응계 (β) 는 환원제를 물 등의 용매에 용해시킨 환원제 용액과 수용성 구리 화합물을 물 등의 용매에 용해시킨 용액 (이하, 「수용성 구리 화합물 용액」 이라고 한다) 을 혼합하여 형성해도 되고, 분말 등의 고체 상태의 환원제를 수용성 구리 화합물 용액에 첨가하여 형성해도 된다.The reaction system (β) may be formed by mixing a reducing agent solution in which a reducing agent is dissolved in a solvent such as water and a solution in which a water-soluble copper compound is dissolved in a solvent such as water (hereinafter referred to as a "water-soluble copper compound solution"), You may add and form the solid reducing agent of this in water-soluble copper compound solution.

반응계 (β) 란 수소화구리 미립자가 생성되는 계를 의미하고, 구체적으로는 구리 (II) 이온 및 염화물 이온을 함유하고, pH 3 이하의 수용성 구리 화합물 용액에 환원제를 첨가한 직후로, 아직 수소화구리 미립자 (b1) 의 생성 반응이 진행되고 있지 않은 계, 수소화구리 미립자 (b1) 의 생성 반응이 진행되고 있는 상태의 계, 수소화구리 미립자 (b1) 의 생성 반응이 종료되고, 생성된 수소화구리 미립자 (b1) 이 분산되어 있는 상태의 계를 의미한다. 반응계 (β) 에는, 수용성 구리 화합물 용액의 용매, 그 용매 중에 용해된 수용성 구리 화합물 (실질적으로 이온화되어 있고, 구리 (II) 이온, 및 쌍의 음이온 등으로서 존재한다), 염화물 이온을 생성하는 화합물 (실질적으로는 이온화되어 있고, 염화물 이온, 및 쌍의 양이온 등으로서 존재한다), 수소화구리 미립자 (b1) 이 생성된 후의 이온이나 잔류물, 환원제 및 그 분해물 등이 존재한다.Reaction system ((beta)) means the system in which copper hydride microparticles | fine-particles produce | generate, Specifically, it contains copper (II) ion and chloride ion, and after adding a reducing agent to the water-soluble copper compound solution of pH 3 or less, copper hydride is still The production | generation reaction of copper hydride microparticles | fine-particles (b1) complete | finishes the system in which the production | generation reaction of the fine particle (b1) is not advanced, the system of the state in which the production | generation reaction of copper hydride microparticles (b1) is advanced, and the produced | generated copper hydride microparticles ( b1) means a system in a dispersed state. In the reaction system (β), a solvent of a water-soluble copper compound solution, a water-soluble copper compound (substantially ionized and present as copper (II) ions, a pair of anions, etc.) dissolved in the solvent, and a compound that generates chloride ions (Substantially ionized and present as chloride ions, pair cations, etc.), ions and residues after the copper hydride fine particles (b1) are produced, and the like, and decomposed products thereof.

예를 들어, 생성된 수소화구리 미립자 (b1) 을 단리하여 새롭게 분산매에 분산시켜 분산액으로 한 경우에는, 그 분산액 중의 수소화구리 미립자 (b1) 은 반응계 (β) 에 존재하는 수소화구리 미립자 (b1) 은 아니다.For example, when the produced copper hydride microparticles (b1) are isolated and newly dispersed in a dispersion medium to form a dispersion, the copper hydride microparticles (b1) in the dispersion are composed of the copper hydride microparticles (b1) present in the reaction system (β). no.

반응계 (β) 의 반응 온도는 60 ℃ 이하가 바람직하고, 5 ∼ 60 ℃ 가 보다 바람직하고, 20 ∼ 50 ℃ 가 특히 바람직하다. 수소화구리는 가열에 의해 분해되는 성질을 갖지만, 반응계 (β) 의 반응 온도가 상기 상한치 이하이면, 수소화구리 미립자 (b2) 의 분해를 억제하기 쉽다. 반응계 (β) 의 반응 온도가 상기 하한치 이상이면, 환원 반응이 진행되기 쉽다.60 degreeC or less is preferable, as for the reaction temperature of a reaction system ((beta)), 5-60 degreeC is more preferable, 20-50 degreeC is especially preferable. Copper hydride has the property of decomposing by heating, but when the reaction temperature of the reaction system (β) is equal to or less than the above upper limit, decomposition of the copper hydride fine particles (b2) is easily suppressed. If the reaction temperature of reaction system ((beta)) is more than the said lower limit, reduction reaction will advance easily.

공정 (β-2) : Process (β-2):

공정 (β-1) 에서 형성한 반응계 (β) 에, 1 차 입자인 구리 입자 (b2) 를 첨가하고, 구리 입자 (b2) 의 표면에 수소화구리 미립자 (b1) 이 부착된 수소화구리 복합 입자 (도전성 구리 입자 (B)) 를 생성시킨다. 공정 (β-2) 에서 첨가한 구리 입자 (b2) 는 반응계 (β) 중에서 표면의 산화 피막이 환원되고, 비수용성 형태로 염소 원자를 함유하게 됨과 함께, 그 표면에 비수용성 염소 원자를 함유하는 수소화구리 입자 (b1) 이 부착된다.Copper hydride composite particles in which copper particles (b2) that are primary particles are added to the reaction system (β) formed in step (β-1), and copper hydride fine particles (b1) are attached to the surface of copper particles (b2). Electroconductive copper particle (B) is produced | generated. The copper particles (b2) added in the step (β-2) have a surface oxide film reduced in the reaction system (β), contain chlorine atoms in a non-aqueous form, and hydrogenation containing a water-insoluble chlorine atom on the surface. Copper particle (b1) adheres.

반응계 (β) 에 대한 구리 입자 (b2) 의 첨가 시기는 수소화구리 미립자 (b1) 의 생성 전, 수소화구리 미립자 (b1) 의 생성 도중, 또는 수소화구리 미립자 (b1) 의 생성 후이다. 수소화구리 미립자 (b1) 의 생성 전의 반응계 (β) 에 구리 입자 (b2) 를 첨가하는 것은, 반응계 (β) 가 형성된 시점에서 이미 구리 입자 (b2) 가 존재하고 있는 것을 의미한다. 예를 들어, 수용성 구리 화합물 용액 중에 구리 입자 (b2) 를 첨가한 후에, 환원제를 첨가하여 반응계 (β) 를 형성하는 경우를 들 수 있다. 또한, 수소화구리 미립자 (b1) 의 생성 후의 반응계 (β) 에 구리 입자 (b2) 를 첨가하는 것은, 수소화구리 미립자 (b1) 의 새로운 생성이 발생하지 않은 상태이고, 또한 이미 생성되어 있는 수소화구리 미립자 (b1) 의 추가적인 성장이 발생하지 않은 상태의 반응계 (β) 에, 구리 입자 (b2) 를 첨가하는 것을 의미한다. 예를 들어, 반응계 (β) 중의 구리 이온이나 환원제가 소비되어 수소화구리 미립자 (b1) 의 생성 반응이 일어나지 않게 된 후에, 구리 입자 (b2) 를 첨가하는 경우를 들 수 있다.The addition time of the copper particle (b2) to the reaction system (β) is before the production of the copper hydride fine particles (b1), during the production of the copper hydride fine particles (b1) or after the production of the copper hydride fine particles (b1). Adding the copper particles (b2) to the reaction system (β) before generation of the copper hydride fine particles (b1) means that the copper particles (b2) already exist at the time when the reaction system (β) is formed. For example, after adding a copper particle (b2) in a water-soluble copper compound solution, the case where a reaction system ((beta)) is formed by adding a reducing agent is mentioned. In addition, adding copper particle (b2) to the reaction system (beta) after production | generation of copper hydride microparticles | fine-particles (b1) is a state in which the new generation of copper hydride microparticles | fine-particles (b1) has not generate | occur | produced, and is already produced It means adding copper particle (b2) to the reaction system ((beta)) of the state in which the further growth of (b1) does not generate | occur | produce. For example, the case where copper particle (b2) is added after copper ion and a reducing agent in a reaction system (beta) are consumed and generation | generation reaction of copper hydride microparticles | fine-particles (b1) do not occur is mentioned.

반응계 (β) 에 대한 구리 입자 (b2) 의 첨가는 체적 저항률이 낮은 도전성 구리 입자 (B) 가 얻어지기 쉬운 관점에서, 수소화구리 미립자 (b1) 의 생성 전, 또는 수소화구리 미립자 (b1) 의 생성 도중이 바람직하다. 수소화구리 미립자 (b1) 의 생성 전 및 생성 도중에는, 반응계 (β) 중에 구리 (II) 이온이 존재하고 있다. 반응계 (β) 에 구리 (II) 이온이 존재하고 있는 상태에서 구리 입자 (b2) 를 첨가함으로써, 구리 입자 (b2) 와 수소화구리 미립자 (b1) 이 공존한 상태에서 구리 (II) 이온을 환원할 수 있기 때문에, 구리 입자 (b2) 와 수소화구리 미립자 (b1) 이 보다 강고하게 결합된다. 구리 (II) 이온의 존재는 구리 이온 전극, 자외·가시광의 분광 스펙트럼 해석, 원자 발광 스펙트럼에 의해 구리 원자 농도를 측정하는 방법에 의해 파악할 수 있다.The addition of the copper particles (b2) to the reaction system (β) is carried out before the production of the copper hydride fine particles (b1) or the generation of the copper hydride fine particles (b1) from the viewpoint of easily obtaining the conductive copper particles (B) having a low volume resistivity. Medium way is preferable. Copper (II) ions exist in the reaction system (β) before and during the production of the copper hydride fine particles (b1). By adding the copper particles (b2) in the state where the copper (II) ions are present in the reaction system (β), the copper (II) ions can be reduced in the state where the copper particles (b2) and the copper hydride fine particles (b1) coexist. Since it can be, copper particle | grains (b2) and copper hydride microparticles | fine-particles (b1) are combined more firmly. Presence of copper (II) ion can be grasped | ascertained by the method of measuring the copper atom concentration by the spectral spectrum analysis of an ultraviolet-ion electrode, ultraviolet-visible light, and atomic emission spectrum.

반응계 (β) 에 첨가하는 구리 입자 (b2) 로는 상기 도전성 구리 입자 (A) 의 제조에서 설명한 구리 입자 (a1) 와 동일한 구리 입자를 들 수 있고, 평균 입자경 (평균 1 차 입자경) 이 1 ∼ 20 ㎛ 인 구리 입자가 바람직하다.As copper particle (b2) added to a reaction system ((beta)), the copper particle similar to the copper particle (a1) demonstrated by manufacture of the said electroconductive copper particle (A) is mentioned, and an average particle diameter (average primary particle diameter) is 1-20. Preference is given to copper particles having a thickness of m.

반응계 (β) 중의 구리 입자 (b2) 의 함유량은, 환원제를 첨가하기 전의 수용성 구리 화합물 용액 중에 있어서의 구리 (II) 이온의 함유량 (수용성 구리 화합물은 모두 이온화되어 있는 것으로 한다) 100 질량부에 대해 1 ∼ 100 질량부가 바람직하고, 5 ∼ 100 질량부가 보다 바람직하다.Content of copper particle (b2) in reaction system ((beta)) is content with respect to 100 mass parts of content of copper (II) ion in the water-soluble copper compound solution before adding a reducing agent (all water-soluble copper compounds shall be ionized). 1-100 mass parts is preferable, and 5-100 mass parts is more preferable.

공정 (β-3) : Process (β-3):

반응계 (β) 로부터, 생성된 도전성 구리 입자 (B) 를 분리하여, 분말 상태의 입자를 얻는다. 도전성 구리 입자 (B) 를 분리하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 원심 분리, 여과 등을 들 수 있다.The produced electroconductive copper particle (B) is isolate | separated from reaction system ((beta)), and powder particle | grains are obtained. The method of separating an electroconductive copper particle (B) is not specifically limited, For example, centrifugation, filtration, etc. are mentioned.

분리된 도전성 구리 입자 (B) 는 물 등의 세정액으로 세정하여, 도전성 구리 입자 (B) 에 부착되어 있는 용해성 불순물을 제거하는 것이 바람직하다. 또한, 분리 전에, 용매 치환 등에 의해, 반응계 (β) 의 용매 및 그 용매에 용해되어 있는 불순물 (수용성 구리 화합물의 음이온, 환원제의 분해물 등) 을 제거해도 된다.The separated conductive copper particles (B) are preferably washed with a cleaning solution such as water to remove soluble impurities adhering to the conductive copper particles (B). In addition, you may remove the solvent of the reaction system (beta), and the impurity (anion of a water-soluble copper compound, the decomposition product of a reducing agent, etc.) which are melt | dissolved in this solvent before solvent isolation | separation before separation.

(도전성 구리 입자 (C) 를 제조하는 방법)(Method for Producing Conductive Copper Particles (C))

도전성 구리 입자 (C) 를 제조하는 방법으로는 예를 들어 하기 공정 (γ-1) 및 (γ-2) 를 갖는 방법을 들 수 있다.As a method of manufacturing electroconductive copper particle (C), the method of having the following process ((gamma) -1) and ((gamma) -2) is mentioned, for example.

(γ-1) 구리 (II) 이온과 염화물 이온을 함유하고, pH 3 이하, ORP 가 220 ㎷ 이하인 반응계 (이하, 「반응계 (γ)」 라고 한다) 에서, 구리 (II) 이온을 환원하고, 2 차 입자이고, 그 평균 입자경이 10 ㎚ ∼ 1 ㎛ 인 수소화구리 미립자 (도전성 구리 입자 (C)) 를 생성시키는 공정.(γ-1) A copper (II) ion is reduced in a reaction system containing copper (II) ions and chloride ions, having a pH of 3 or less and an ORP of 220 Pa or less (hereinafter referred to as "reaction system (γ)"), It is a secondary particle and the process of producing | generating copper hydride microparticles | fine-particles (electroconductive copper particle (C)) whose average particle diameter is 10 nm-1 micrometer.

(γ-2) 도전성 구리 입자 (C) 를 반응계 (γ) 로부터 분리하는 공정.(γ-2) A step of separating the conductive copper particles (C) from the reaction system (γ).

공정 (γ-1) : Process (γ-1):

공정 (γ-1) 은 하기의 바람직한 조건 이외에는, 도전성 구리 입자 (B) 의 제조에 있어서의 공정 (β-1) 과 동일한 방법으로 실시할 수 있다.The step (γ-1) can be carried out by the same method as the step (β-1) in the production of the conductive copper particles (B) except for the following preferable conditions.

반응계 (γ) 로 생성시키는 도전성 구리 입자 (C) 의 2 차 입자의 평균 입자경은 10 ㎚ ∼ 1 ㎛ 가 바람직하다. 도전성 구리 입자 (C) 의 평균 입자경은 반응 온도나 반응 시간의 제어, 분산제의 첨가에 의해 조절할 수 있다.As for the average particle diameter of the secondary particle of the electroconductive copper particle (C) produced by the reaction system ((gamma)), 10 nm-1 micrometer are preferable. The average particle diameter of electroconductive copper particle (C) can be adjusted by control of reaction temperature, reaction time, and addition of a dispersing agent.

공정 (γ-2) : Process (γ-2):

공정 (γ-2) 는 도전성 구리 입자 (B) 의 제조에 있어서의 공정 (β-3) 과 동일하게 하여 실시할 수 있다.Process ((gamma) -2) can be performed similarly to process ((beta) -3) in manufacture of electroconductive copper particle (B).

(도전성 구리 입자 (D) 를 제조하는 방법)(Method for producing conductive copper particle (D))

도전성 구리 입자 (D) 를 제조하는 방법으로는 도전성 구리 입자 (B) 를 제조하고, 얻어진 도전성 구리 입자 (B) 를 가열하여, 도전성 구리 입자 (B) 에 있어서의 수소화구리 미립자 (b1) 을 금속 구리 미립자로 변환하여 도전성 구리 입자 (D) 로 하는 방법을 들 수 있다.As a method of manufacturing electroconductive copper particle (D), electroconductive copper particle (B) is manufactured, the obtained electroconductive copper particle (B) is heated, and the copper hydride microparticles | fine-particles (b1) in electroconductive copper particle (B) are metal-ized. The method of converting into a copper fine particle and making it into electroconductive copper particle (D) is mentioned.

이 경우, 수소화구리 미립자 (b1) 의 수소화구리가 금속 구리로 변환하여 생성되는 구리 미립자는, 1 차 입자인 구리 입자 (b2) 의 표면으로부터는 박리되지 않는다. 또한, 가열 전의 수소화구리 미립자 (b1) 의 크기와 생성되는 구리 미립자의 크기에는 실질적으로 차이가 없다. 그 때문에, 도전성 구리 입자 (B) 와 대략 동일한 구조, 또한 대략 동일한 평균 입자경의 도전성 구리 입자 (D) 가 얻어진다.In this case, the copper fine particles produced by converting the copper hydride of the copper hydride fine particles (b1) into metallic copper are not peeled from the surface of the copper particles (b2) that are primary particles. In addition, there is no substantial difference between the size of the copper hydride fine particles (b1) before heating and the size of the generated copper fine particles. Therefore, the electroconductive copper particle (D) of the structure substantially the same as electroconductive copper particle (B), and about the same average particle diameter is obtained.

가열 온도는 60 ∼ 120 ℃ 가 바람직하고, 60 ∼ 100 ℃ 가 보다 바람직하고, 60 ∼ 90 ℃ 가 더욱 바람직하다. 가열 온도가 상기 하한치 이상이면, 가열 시간을 단축할 수 있고, 제조 비용을 억제할 수 있다. 가열 온도가 상기 상한치 이하이면, 도전체막의 체적 저항률의 증가를 억제하기 쉽다.60-120 degreeC is preferable, 60-100 degreeC is more preferable, and its 60-90 degreeC of heating temperature is more preferable. If heating temperature is more than the said lower limit, heating time can be shortened and manufacturing cost can be suppressed. If heating temperature is below the said upper limit, it is easy to suppress the increase of the volume resistivity of a conductor film.

도전성 구리 입자 (B) 의 가열시의 압력은 -101 ∼ -50 ㎪ (게이지압) 가 바람직하다. 가열시의 압력이 -101 ㎪ 이상이면, 대규모 장치를 필요로 하지 않고, 여분의 용매를 제거하여 건조시키는 것이 용이해진다. 가열시의 압력이 -50 ㎪ 이하이면, 시간을 단축할 수 있고, 제조 비용을 억제할 수 있다.As for the pressure at the time of the heating of an electroconductive copper particle (B), -101--50 Pa (gauge pressure) is preferable. If the pressure at the time of heating is -101 kPa or more, it becomes easy to remove excess solvent and to dry, without requiring a large scale apparatus. If the pressure at the time of heating is -50 kPa or less, time can be shortened and manufacturing cost can be suppressed.

(도전성 구리 입자 (E) 를 제조하는 방법)(Method for Producing Conductive Copper Particles (E))

도전성 구리 입자 (E) 를 제조하는 방법으로는 도전성 구리 입자 (C) 를 제조하고, 얻어진 도전성 구리 입자 (C) 를 가열하고, 도전성 구리 입자 (C) 에 있어서의 수소화구리를 금속 구리로 변환하여 도전성 구리 입자 (E) 로 하는 방법을 들 수 있다. 이 경우, 가열 전의 도전성 구리 입자 (C) 의 크기와 가열에 의해 생성되는 도전성 구리 입자 (E) 의 크기에는 실질적으로 차이가 없다.As a method of manufacturing electroconductive copper particle (E), electroconductive copper particle (C) is manufactured, the obtained electroconductive copper particle (C) is heated, the copper hydride in electroconductive copper particle (C) is converted into metal copper, The method of making electroconductive copper particle (E) is mentioned. In this case, there is no substantial difference between the size of the conductive copper particles (C) before heating and the size of the conductive copper particles (E) generated by heating.

도전성 구리 입자 (C)의 가열 조건은, 도전성 구리 입자 (D) 의 제조 방법에 있어서의 도전성 구리 입자 (B) 의 가열 조건과 동일한 조건을 채용할 수 있다.The heating conditions of electroconductive copper particle (C) can employ | adopt the conditions similar to the heating conditions of electroconductive copper particle (B) in the manufacturing method of electroconductive copper particle (D).

<도전체 형성용 조성물><Conductor Formation Composition>

본 발명의 도전체 형성용 조성물은 본 발명의 도전성 구리 입자와 용제를 필수 성분으로서 함유하고, 필요에 따라 수지 바인더를 함유한다.The composition for conductor formation of this invention contains the electroconductive copper particle and solvent of this invention as an essential component, and contains a resin binder as needed.

도전성 구리 입자로는 상기 도전성 구리 입자 (A) ∼ (E) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상이 바람직하고, 도전성 구리 입자 (A), 도전성 구리 입자 (B) 및 도전성 구리 입자 (D) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상이 보다 바람직하고, 도전성 구리 입자 (A), 도전성 구리 입자 (B) 또는 도전성 구리 입자 (D) 중 어느 것이 특히 바람직하다.As electroconductive copper particle, 1 or more types chosen from the group which consists of said electroconductive copper particle (A)-(E) is preferable, and as electroconductive copper particle (A), electroconductive copper particle (B), and electroconductive copper particle (D) 1 or more types chosen from the group which consists of are more preferable, and any of electroconductive copper particle (A), electroconductive copper particle (B), or electroconductive copper particle (D) is especially preferable.

용제로는 예를 들어, 시클로헥사논, 시클로헥사놀, 테르피네올, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등을 들 수 있다.As a solvent, for example, cyclohexanone, cyclohexanol, terpineol, ethylene glycol, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene Glycol, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, and the like.

도전체 형성용 조성물 중의 용제의 함유량은 인쇄용 페이스트 등에 적절한 점도로 조정하기 쉬운 관점에서, 도전성 구리 입자 (100 질량%) 에 대해 1 ∼ 20 질량% 가 바람직하다.As for content of the solvent in the composition for conductor formation, 1-20 mass% is preferable with respect to electroconductive copper particle (100 mass%) from a viewpoint which is easy to adjust to viscosity suitable for printing paste etc.

수지 바인더로는 금속 페이스트에 사용되는 공지된 열경화성 수지 바인더, 열가소성 수지 바인더 등을 들 수 있다. 열경화성 수지 바인더는 경화시의 온도에 있어서, 충분히 경화 반응이 진행되는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 열가소성 수지 바인더는 점착성이 작고, 사용 환경에 있어서 도전체의 형상을 유지할 수 있는 것을 사용하는 것이 바람직하다.As a resin binder, the well-known thermosetting resin binder, thermoplastic resin binder, etc. which are used for a metal paste are mentioned. It is preferable that the thermosetting resin binder uses what fully hardening reaction advances at the temperature at the time of hardening. Moreover, it is preferable to use the thermoplastic resin binder which is small in adhesiveness and can maintain the shape of a conductor in a use environment.

수지 바인더로는 페놀 수지, 멜라민 수지, 우레아 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 불포화 알키드 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 비스말레이드트리아진 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도 페놀 수지, 폴리에스테르 수지가 바람직하고, 페놀 수지가 특히 바람직하다.Phenolic resin, melamine resin, urea resin, diallyl phthalate resin, unsaturated alkyd resin, epoxy resin, urethane resin, bismaleide triazine resin, silicone resin, acrylic resin, polyester resin etc. are mentioned as a resin binder. Especially, a phenol resin and polyester resin are preferable and a phenol resin is especially preferable.

수지 바인더의 경화물 또는 고화물은, 양이 지나치게 많으면 도전성 구리 입자 사이의 접촉을 방해하여, 도전체막의 체적 저항률을 상승시킨다. 그 때문에, 도전체 형성용 조성물 중의 수지 바인더의 함유량은, 그 경화물 또는 고화물의 양이 도전성 구리 입자의 도전성을 방해하지 않는 범위내로 할 필요가 있다.If the amount of the cured or solidified resin binder is too large, the contact between the conductive copper particles is prevented and the volume resistivity of the conductor film is increased. Therefore, content of the resin binder in the composition for conductor formation needs to be in the range which the quantity of the hardened | cured material or solidified does not interfere with the electroconductivity of electroconductive copper particle.

도전체 형성용 조성물 중의 수지 바인더의 함유량은, 도전성 구리 입자의 체적과 그 도전성 구리 입자 사이에 생기는 공극의 비율을 고려하여 적절히 선택할 수 있고, 도전성 구리 입자 100 질량부에 대해 5 ∼ 50 질량부가 바람직하고, 5 ∼ 20 질량부가 보다 바람직하다. 수지 바인더의 함유량이 상기 하한치 이상이면, 도전체막의 경도가 보다 양호해진다. 수지 바인더의 함유량이 상기 상한치 이하이면, 도전체막의 체적 저항률을 낮게 억제하기 쉽다.The content of the resin binder in the composition for forming a conductor can be appropriately selected in consideration of the volume ratio of the volume of the conductive copper particles and the conductive copper particles, and preferably 5 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the conductive copper particles. And 5-20 mass parts is more preferable. If content of a resin binder is more than the said lower limit, the hardness of a conductor film will become more favorable. When content of a resin binder is below the said upper limit, it is easy to suppress the volume resistivity of a conductor film low.

본 발명의 도전체 형성용 조성물은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위이면, 필요에 따라 각종 첨가제 (레벨링제, 커플링제, 점도 조정제, 산화 방지제 등) 등을 함유해도 된다.As long as the composition for conductor formation of this invention is a range which does not impair the effect of this invention, you may contain various additives (a leveling agent, a coupling agent, a viscosity modifier, antioxidant, etc.) etc. as needed.

[제조 방법][Manufacturing method]

본 발명의 도전체 형성용 조성물은 본 발명의 도전성 구리 입자와 용제와 필요에 따라 사용되는 수지 바인더 등을 혼합함으로써 조제할 수 있다. 수지 바인더 중, 열경화성 수지 바인더를 혼합하는 경우, 열경화성 수지 바인더가 경화되지 않고, 또한 용제가 휘발 소실되지 않는 정도의 가열을 실시해도 된다. 또한, 필요에 따라, 혼합 용기 내를 불활성 가스로 치환하여 혼합을 실시해도 된다. 이로써, 혼합 중의 도전성 구리 입자의 산화를 억제하기 쉬워진다.The composition for conductor formation of this invention can be prepared by mixing the electroconductive copper particle of this invention, a solvent, and the resin binder used as needed. When mixing a thermosetting resin binder in a resin binder, you may perform the heating of the grade which does not harden a thermosetting resin binder and does not lose a volatilization of a solvent. If necessary, the mixing vessel may be replaced with an inert gas for mixing. Thereby, it becomes easy to suppress oxidation of the electroconductive copper particle in mixing.

이상 설명한 본 발명의 도전체 형성용 조성물에 있어서는, 공기 중에서도 잘 산화되지 않는 본 발명의 도전성 구리 입자를 함유하고 있기 때문에, 체적 저항률이 낮고, 또한 체적 저항률의 경시적인 변화가 작은 도전체막을 형성할 수 있다.Since the composition for forming a conductor of the present invention described above contains the conductive copper particles of the present invention which are not easily oxidized in the air, a conductor film having a low volume resistivity and a small change in the volume resistivity over time can be formed. Can be.

<도전체가 형성된 기재><Base material on which the conductor is formed>

본 발명의 도전체가 형성된 기재는 기재와 본 발명의 도전체 형성용 조성물에 의해 상기 기재 상에 형성된 도전체막을 갖는다. 본 발명의 도전체가 형성된 기재는 도전체막이 선상의 배선체인 것이 바람직하고, 프린트 배선판인 것이 바람직하다.The substrate on which the conductor of the present invention is formed has a conductor film formed on the substrate by the substrate and the composition for forming a conductor of the present invention. As for the base material with which the conductor of this invention was formed, it is preferable that a conductor film is a linear wiring body, and it is preferable that it is a printed wiring board.

기재로는 유리 기재, 플라스틱 기재 (폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름 등의 필름상의 기재 등), 섬유 강화 복합 재료제의 기재 (유리 섬유 강화 수지 기재 등), 세라믹스 기재, 금속 기재 등을 들 수 있다.Examples of the substrate include glass substrates, plastic substrates (such as substrates in films such as polyimide films and polyester films), substrates made of fiber reinforced composite materials (such as glass fiber reinforced resin substrates), ceramic substrates, and metal substrates. .

도전체막의 체적 저항률은 1.0×10-4 Ωcm 이하가 바람직하다. 체적 저항률이 1.0×10-4 Ωcm 이하이면, 본 발명의 도전체가 형성된 기재를, 전자 기기용 도전체로서 바람직하게 사용할 수 있다. 도전체막의 체적 저항률은 4 탐침식 저항치계에 의해 측정된다.The volume resistivity of the conductor film is preferably 1.0 × 10 −4 Ωcm or less. If the volume resistivity is 1.0 × 10 −4 Ωcm or less, the substrate on which the conductor of the present invention is formed can be preferably used as a conductor for an electronic device. The volume resistivity of the conductor film is measured by a four probe ohmmeter.

또한, 도전체막에 있어서의, 성막 직후의 체적 저항률에 대한 1 개월 후의 체적 저항률의 변화율은 5 % 이하가 바람직하고, 2 % 이하가 보다 바람직하다.Moreover, 5% or less is preferable and, as for the change rate of the volume resistivity after one month with respect to the volume resistivity immediately after film-forming in a conductor film, 2% or less is more preferable.

도전체막의 두께는 안정적인 도전성을 확보하면서, 배선 형상을 유지하는 것이 용이한 점에서, 1 ∼ 100 ㎛ 가 바람직하고, 5 ∼ 50 ㎛ 가 특히 바람직하다.1-100 micrometers is preferable and 5-50 micrometers is preferable at the point which is easy to maintain wiring shape, ensuring the stable electroconductivity, and thickness of a conductor film.

[제조 방법][Manufacturing method]

본 발명의 도전체가 형성된 기재는, 기재 표면에, 본 발명의 도전체 형성용 조성물을 도포하여 도포층을 형성하고, 그 도포층으로부터 용제 등의 휘발성 성분을 제거하여 도전체막을 형성함으로써 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 도전체 형성용 조성물이 열경화성 수지 바인더를 함유하는 경우에는, 도포층으로부터 용제 등의 휘발성 성분을 제거한 후, 열경화성 수지 바인더를 경화시킴으로써 도전체막을 형성한다. 이 경우, 얻어진 도전체막은 도전성 구리 입자와 열경화성 수지 바인더의 경화물을 함유한다. 또한, 본 발명의 도전체 형성용 조성물이 열가소성 수지 바인더를 함유하는 경우에는, 도포층으로부터 용제 등의 휘발성 성분을 제거함으로써 도전체막을 형성한다. 이 경우, 얻어진 도전막은 도전성 구리 입자와 고형의 열가소성 수지를 함유한다.The base material with which the conductor of this invention was formed can be manufactured by apply | coating the composition for conductor formation of this invention to form a coating layer, and removing volatile components, such as a solvent, from the coating layer, and forming a conductor film. have. In addition, when the composition for conductor formation of this invention contains a thermosetting resin binder, after removing volatile components, such as a solvent, from a coating layer, a conductor film is formed by hardening a thermosetting resin binder. In this case, the obtained conductor film contains the electroconductive copper particle and hardened | cured material of a thermosetting resin binder. In addition, when the composition for conductor formation of this invention contains a thermoplastic resin binder, a conductor film is formed by removing volatile components, such as a solvent, from an application layer. In this case, the obtained conductive film contains electroconductive copper particle and a solid thermoplastic resin.

도전체 형성용 조성물의 도포 방법으로는 스크린 인쇄법, 롤 코트법, 에어 나이프 코트법, 블레이드 코트법, 바 코트법, 그라비아 코트법, 다이 코트법, 슬라이드 코트법 등의 공지된 방법을 들 수 있다.As a coating method of the composition for conductor formation, well-known methods, such as the screen printing method, the roll coating method, the air knife coating method, the blade coating method, the bar coating method, the gravure coating method, the die coating method, the slide coating method, are mentioned. have.

도전체 형성용 조성물이 열경화성 수지 바인더를 함유하는 경우, 열경화성 수지 바인더의 경화는 가열에 의해 실시할 수 있다. 가열 방법으로는 온풍 가열, 열 복사 등의 방법을 들 수 있다. 가열 온도 및 가열 시간은, 도전체막에 요구되는 특성에 따라 적절히 결정할 수 있다. 도전체 형성용 조성물이, 도전성 구리 입자로서 도전성 구리 입자 (B) 또는 도전성 구리 입자 (C) 를 함유하고 있는 경우에는, 열경화성 수지 바인더의 경화와 동시에, 그들 도전성 구리 입자에 함유되는 수소화구리가 금속 구리로 변환된다.When the composition for conductor formation contains a thermosetting resin binder, hardening of a thermosetting resin binder can be performed by heating. As a heating method, methods, such as a warm air heating and a thermal radiation, are mentioned. Heating temperature and a heat time can be suitably determined according to the characteristic calculated | required by a conductor film. When the composition for conductor formation contains electroconductive copper particle (B) or electroconductive copper particle (C) as electroconductive copper particle, simultaneously with hardening of a thermosetting resin binder, the copper hydride contained in these electroconductive copper particle is a metal. Converted to copper.

도전체 형성용 조성물이 열가소성 수지 바인더를 함유하는 경우이고, 도전성 구리 입자로서 도전성 구리 입자 (B) 또는 도전성 구리 입자 (C) 를 함유하고 있는 경우에는, 용제 등의 휘발성 성분을 제거할 때의 가열에 의해, 그들 도전성 구리 입자에 함유되는 수소화구리가 금속 구리로 변환된다.When the composition for conductor formation contains a thermoplastic resin binder, and when it contains electroconductive copper particle (B) or electroconductive copper particle (C) as electroconductive copper particle, heating at the time of removing volatile components, such as a solvent, The copper hydride contained in these electroconductive copper particle is converted into metal copper by this.

가열 온도는 100 ∼ 300 ℃ 가 바람직하다. 가열 온도가 100 ℃ 이상이면, 도전체 형성용 조성물에 함유되는 용제가 충분히 휘발된다. 또한, 열경화성 수지의 경화가 진행되기 쉽다. 가열 온도가 300 ℃ 이하이면, 도전체막을 형성하는 기재로서 플라스틱 필름을 사용할 수 있다. 경화 시간은 경화 온도에 따라, 수지 바인더가 충분히 경화되는 시간으로 하면 된다.As for heating temperature, 100-300 degreeC is preferable. If heating temperature is 100 degreeC or more, the solvent contained in the composition for conductor formation will fully volatilize. Moreover, hardening of a thermosetting resin advances easily. If heating temperature is 300 degrees C or less, a plastic film can be used as a base material which forms a conductor film. What is necessary is just to make hardening time into time which a resin binder fully hardens according to hardening temperature.

도전체막을 형성하는 환경은 특별히 한정되지 않고, 공기 중이어도 되고, 산소가 적은 질소하여도 된다. 그 중에서도, 제조 설비가 단순해지는 관점에서, 공기 중이 바람직하다.The environment for forming the conductor film is not particularly limited, and may be in air or may be nitrogen with less oxygen. Especially, air is preferable from a viewpoint of simplifying manufacturing facilities.

이상 설명한 본 발명의 도전체가 형성된 기재는 체적 저항률이 낮고, 또한 체적 저항률의 경시적인 변화가 작은 도전체막을 갖고 있다.The substrate on which the conductor of the present invention described above is formed has a conductor film having a low volume resistivity and a small change in volume resistivity over time.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이하의 기재에 의해서는 한정되지 않는다. 예 1 ∼ 5 는 실시예이고, 예 6 ∼ 10 은 비교예이다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited by the following description. Examples 1-5 are Examples, and Examples 6-10 are comparative examples.

[측정 방법][How to measure]

본 실시예에 있어서의 각 수치의 측정 방법을 이하에 나타낸다.The measuring method of each numerical value in a present Example is shown below.

(평균 입자경)(Average particle size)

환원 처리 전의 구리 입자 및 얻어진 도전성 구리 입자의 평균 입자경은 이하와 같이 측정하였다. 1 차 입자의 경우에는, SEM (히타치 제작소사 제조, S-4300) 으로 얻어진 SEM 이미지 중에서 무작위로 선택한 100 개의 입자의 입자경을 측정하여, 평균함으로써 산출하였다. 또한, 2 차 입자의 경우에는, 투과형 전자 현미경 (TEM) 으로 얻어진 TEM 이미지 중에서 무작위로 선택한 100 개의 입자의 입자경을 측정하여, 평균함으로써 산출하였다.The average particle diameter of the copper particle before reduction process, and the obtained electroconductive copper particle was measured as follows. In the case of primary particles, particle diameters of 100 particles randomly selected from the SEM images obtained by SEM (Hitachi Corporation make, S-4300) were measured and averaged. In the case of secondary particles, the particle diameters of 100 particles randomly selected from the TEM images obtained by a transmission electron microscope (TEM) were measured and averaged.

(반응계의 염화물 이온 농도)(Chloride concentration in the reaction system)

반응계의 염화물 이온 농도의 측정은 염소 이온 전극 (토아디케이케이사 제조, HM-20P) 으로 실시하였다.The chloride ion concentration of the reaction system was measured by a chlorine ion electrode (Tomkei Kay Co., Ltd., HM-20P).

(반응계의 pH)PH of reaction system

반응계의 pH 의 측정은 pH 미터 (토아디케이케이사 제조, HM-20P) 로 실시하였다.The pH of the reaction system was measured by a pH meter (Tomkei Kay Co., Ltd., HM-20P).

(반응계의 산화 환원 전위)(Redox potential of reaction system)

반응계의 산화 환원 전위 (ORP) 의 측정은 ORP 미터 (토아디케이케이사 제조, RM-12P) 로 실시하였다.The redox potential (ORP) of the reaction system was measured by an ORP meter (manufactured by Todike Kay Co., Ltd., RM-12P).

(도전성 구리 입자의 염소 원자 함유량)(Chlorine atom content of electroconductive copper particle)

얻어진 도전성 구리 입자 중의 염소 원자의 함유량은 형광 X 선 분석 (리가쿠 전기 공업사 제조, ZSX100e) 에 의해 구하였다.Content of the chlorine atom in the obtained electroconductive copper particle was calculated | required by fluorescence X-ray analysis (The Rigaku Electric Co., Ltd. make, ZSX100e).

(도전성 구리 입자의 표면 산소량)(Surface Oxygen Content of Conductive Copper Particles)

얻어진 도전성 구리 입자의 표면 산소량은 X 선 광전자 분광 분석 (알박·파이사 제조, ESCA5500) 에 의해 표면 산소 농도 [원자%] 와 표면 구리 농도 [원자%] 를 구하고, 표면 산소 농도를 표면 구리 농도로 나누어 산출하였다.The surface oxygen amount of the obtained electroconductive copper particle calculates | requires surface oxygen concentration [atomic%] and surface copper concentration [atomic%] by X-ray photoelectron spectroscopy (The Albak Pais company make, ESCA5500), and makes surface oxygen concentration into surface copper concentration It was calculated by dividing.

(도전성 구리 입자 중의 염소 원자의 수용성 시험)(Solubility Test of Chlorine Atoms in Conductive Copper Particles)

도전성 구리 입자에 함유되어 있는 염소 원자가 모두 증류수 중에 용출된 경우에, 당해 증류수 중의 염화물 이온의 농도가 100 질량ppm 이 되는 양의 도전성 구리 입자를, 증류수 (용존 산소 농도 1 질량ppm 이하) 에 침지시켰다. 이어서, 도전성 구리 입자를 침지시킨 증류수를, 20 ℃ 에 있어서, 시험관 믹서 (애즈원사 제조, HM-01) 를 사용하여 1000 rpm 으로 5 초간 교반한 후, 그 증류수 중에 용출된 염화물 이온 농도를 염소 이온 전극을 이용하여 측정하였다.When all the chlorine atoms contained in the conductive copper particles were eluted in distilled water, the conductive copper particles in an amount such that the concentration of chloride ions in the distilled water became 100 mass ppm were immersed in distilled water (dissolved oxygen concentration of 1 mass ppm or less). . Subsequently, the distilled water in which the electroconductive copper particle was immersed was stirred at 1000 rpm for 5 second using the test tube mixer (made by As One, HM-01) at 20 degreeC, and the chloride ion concentration eluted in the distilled water was chlorine ion. Measurement was made using an electrode.

(도전체막의 두께)(Thickness of the conductive film)

도전체막의 두께는 DEKTAK3 (Veeco metrology Group 사 제조) 으로 측정하였다.The thickness of the conductor film was measured by DEKTAK3 (manufactured by Veeco metrology Group).

(도전체막의 표면 저항치)(Surface Resistance of Conductor Film)

도전체막의 표면 저항치는 4 탐침식 저항치계 (미츠비시 유화사 제조, 형식 : lorestaIP MCP-T250) 로 성막 직후에 측정하였다. 또한, 1 개월 경과 후의 도전체막의 표면 저항치를 재차 측정하여, 성막 직후의 표면 저항치에 대한 변화율 (단위 : %) 을 구하였다.The surface resistance of the conductor film was measured immediately after film formation with a four probe resistance gauge (manufactured by Mitsubishi Emulsion Co., Ltd., model: lorestaIP MCP-T250). Moreover, the surface resistance value of the conductor film after 1 month passed was measured again, and the change rate (unit:%) with respect to the surface resistance value immediately after film-forming was calculated | required.

(도전체막의 체적 저항률)(Volume Resistivity of Conductor Film)

상기 수법으로 측정한, 도전체막의 두께와 도전체막의 표면 저항치의 곱을 구해, 체적 저항률을 구하였다.The product of the thickness of the conductor film and the surface resistance of the conductor film measured by the above method was obtained, and the volume resistivity was obtained.

[예 1][Example 1]

(도전성 구리 입자 A1 의 제조)(Manufacture of electroconductive copper particle A1)

유리제 비커 내에서, 구리 입자 (미츠이 금속 광업사 제조, 상품명 「1400YP」, 평균 1 차 입자경 7 ㎛) 100 g 을 증류수 1800 g 에 분산시키고, pH 조정제로서 포름산 30 g 과, 염화물 이온을 생성하는 화합물로서 35 질량% 염산을 첨가하여, 반응계의 염화물 이온 농도를 10 질량ppm 으로 하였다. 이어서, 비커를 40 ℃ 의 워터 배스 안에 넣고, 교반하면서 50 질량% 의 하이포아인산 수용액 180 g 을 첨가하여 반응계 (α) 를 형성하고, 30 분간 교반을 계속하였다. 하이포아인산을 첨가한 직후의 반응계 (α) 의 pH 와 반응 종료 후의 반응계 (α) 의 pH, 반응 종료 후의 반응계 (α) 의 산화 환원 전위 (ORP) 를 표 1 에 나타낸다.In a glass beaker, 100 g of copper particles (manufactured by Mitsui Metal Co., Ltd., brand name "1400YP", average primary particle size of 7 µm) are dispersed in 1800 g of distilled water, and a compound for producing 30 g of formic acid and chloride ions as a pH adjuster. As an example, 35 mass% hydrochloric acid was added, and the chloride ion concentration in the reaction system was 10 mass ppm. Subsequently, the beaker was put into a 40 degreeC water bath, 180g of 50 mass% hypophosphoric acid aqueous solution was added, stirring, the reaction system (alpha) was formed, and stirring was continued for 30 minutes. Table 1 shows the pH of the reaction system (α) immediately after the addition of hypophosphoric acid, the pH of the reaction system (α) after the completion of the reaction, and the redox potential (ORP) of the reaction system (α) after the completion of the reaction.

교반 종료 후, 여과에 의해 침전물을 분리하였다. 그 침전물을 증류수 600 g 에 재분산시킨 후, 다시 원심 분리에 의해 응집물을 침전시켜, 침전물을 분리하였다. -35 ㎪ (게이지압) 의 감압하, 침전물을 80 ℃ 에서 60 분간 가열하고, 잔류 수분을 휘발시켜 서서히 제거하여, 도전성 구리 입자 A1 을 얻었다.After completion of stirring, the precipitate was separated by filtration. The precipitate was redispersed in 600 g of distilled water, and thereafter, the precipitate was precipitated by centrifugation to separate the precipitate. Under reduced pressure of -35 kPa (gauge pressure), the precipitate was heated at 80 ° C for 60 minutes, and the remaining moisture was evaporated to remove gradually, thereby obtaining the conductive copper particles A1.

도전성 구리 입자 A1 중의 염소 원자의 함유량은 100 질량ppm 이었다. 또한, 도전성 구리 입자 A1 의 수용성 시험을 실시한 결과, 증류수 중에 용출된 염화물 이온의 농도는 5 질량ppm 미만이었다. 즉, 도전성 구리 입자 A1 에 함유되어 있는 염소 원자는 비수용성의 형태였다. 또한, 도전성 구리 입자 A1 의 평균 입자경은 7 ㎛ 였다.Content of the chlorine atom in electroconductive copper particle A1 was 100 mass ppm. In addition, when the water solubility test of the electroconductive copper particle A1 was performed, the density | concentration of the chloride ion eluted in distilled water was less than 5 mass ppm. That is, the chlorine atom contained in electroconductive copper particle A1 was a water-insoluble form. In addition, the average particle diameter of electroconductive copper particle A1 was 7 micrometers.

(도전체막 형성용 조성물의 조제)(Preparation of the composition for conductor film formation)

페놀 수지 (군에이 화학사 제조, 상품명 「레지탑 PL6220」) 0.26 g 을 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 0.15 g 에 용해시킨 수지 용액에, 도전성 구리 입자 A1 의 1.2 g 을 첨가하였다. 이 혼합물을 유발 안에 넣고, 실온하에서 혼합하여 도전체막 형성용 조성물을 얻었다. 페놀 수지의 첨가량은 도전성 구리 입자 A1 의 100 질량부에 대해 11 질량부였다.1.2g of electroconductive copper particle A1 was added to the resin solution which melt | dissolved 0.26g of phenol resins (made by group A Chemical company, brand name "Resort top PL6220") in 0.15g of ethylene glycol monobutyl ether acetate. This mixture was placed in a mortar and mixed at room temperature to obtain a composition for forming a conductor film. The addition amount of the phenol resin was 11 mass parts with respect to 100 mass parts of electroconductive copper particle A1.

(도전체막의 형성)(Formation of Conductor Film)

얻어진 도전체막 형성용 조성물을 유리 기판에 도포하고, 150 ℃ 에서 1 시간 가열하여 페놀 수지를 경화시켜, 두께 20 ㎛ 의 도전체막을 형성하고, 그 도전체막의 체적 저항률을 측정하였다.The obtained composition for conductor film formation was apply | coated to a glass substrate, it heated at 150 degreeC for 1 hour, hardened | cured the phenol resin, the conductor film of thickness 20micrometer was formed, and the volume resistivity of this conductor film was measured.

[예 2][Example 2]

(도전성 구리 입자 A2 의 제조)(Manufacture of electroconductive copper particle A2)

반응계 (α) 중의 염화물 이온 농도를 25 질량ppm 으로 한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 도전성 구리 입자 A2 를 얻었다.Conductive copper particles A2 were obtained in the same manner as Example 1 except that the chloride ion concentration in the reaction system (α) was 25 mass ppm.

얻어진 도전성 구리 입자 A2 의 염소 원자의 함유량은 250 질량ppm 이었다. 또한, 도전성 구리 입자 A2 의 수용성 시험을 실시한 결과, 증류수 중에 용출된 염화물 이온의 농도는 5 질량ppm 미만이었다. 즉, 도전성 구리 입자 A2 에 함유되어 있는 염소 원자는 비수용성의 형태였다. 또한, 도전성 구리 입자 A2 의 평균 입자경은 7 ㎛ 였다.Content of the chlorine atom of the obtained electroconductive copper particle A2 was 250 mass ppm. Moreover, the water-soluble test of electroconductive copper particle A2 showed that the concentration of the chloride ion eluted in distilled water was less than 5 mass ppm. That is, the chlorine atom contained in electroconductive copper particle A2 was a water-insoluble form. In addition, the average particle diameter of electroconductive copper particle A2 was 7 micrometers.

(도전체막 형성용 조성물의 조제)(Preparation of the composition for conductor film formation)

도전성 구리 입자 A2 를 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 도전체막 형성용 조성물을 얻었다.Using the electroconductive copper particle A2, it carried out similarly to Example 1, and obtained the composition for conductor film formation.

(도전체막의 형성)(Formation of Conductor Film)

얻어진 도전체막 형성용 조성물을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 도전체막을 형성하고, 그 체적 저항률을 측정하였다.Using the obtained composition for forming a conductor film, a conductor film was formed in the same manner as in Example 1, and the volume resistivity thereof was measured.

[예 3][Example 3]

(도전성 구리 입자 D1 의 제조)(Manufacture of electroconductive copper particle D1)

유리제 비커 내에서, 구리 입자 (미츠이 금속 광업사 제조, 상품명 「1400YP」, 평균 1 차 입자경 7 ㎛) 100 g 을 증류수 1800 g 에 분산시켰다. 다음에, pH 조정제로서 포름산 15 g 과, 수용성 구리 화합물로서 포름산구리 39 g 과, 염화물 이온을 생성하는 화합물로서 35 질량% 염산을 첨가하여, 반응계의 염화물 이온 농도를 10 질량ppm 으로 하였다. 이어서, 비커를 40 ℃ 의 워터 배스 안에 넣고, 교반하면서 50 질량% 의 하이포아인산 수용액 180 g 을 첨가하여 반응계 (β) 를 형성하고, 30 분간 교반을 계속하였다. 교반 종료 후, 반응계 (β) 를 예 1 의 반응계 (α) 와 동일하게 처리함으로써, 도전성 구리 입자 D1 을 얻었다. 이 예에서는, 일단, 1 차 입자인 구리 입자의 표면에 2 차 입자인 수소화구리 미립자가 부착된 형태의 도전성 구리 입자 B1 이 생성되고, 잔류 수분을 휘발시키기 위해서 80 ℃ 에서 60 분간 가열하는 과정에 있어서, 수소화구리 미립자가 구리 미립자로 변환되어 도전성 구리 입자 D1 이 얻어진 것으로 생각된다.In a glass beaker, 100 g of copper particles (Mitsui Metal Co., Ltd. make, brand name "1400YP", an average primary particle diameter of 7 micrometers) was disperse | distributed to 1800 g of distilled water. Next, 15 g of formic acid as a pH adjuster, 39 g of copper formate as a water-soluble copper compound, and 35 mass% hydrochloric acid were added as a compound to generate chloride ions, and the chloride ion concentration in the reaction system was 10 mass ppm. Subsequently, the beaker was put into a 40 degreeC water bath, 180g of 50 mass% hypophosphorous acid aqueous solution was added, stirring, the reaction system ((beta)) was formed, and stirring was continued for 30 minutes. After completion of stirring, the conductive copper particles D1 were obtained by treating the reaction system (β) in the same manner as the reaction system (α) of Example 1. In this example, conductive copper particles B1 having a form in which copper hydride particles, which are secondary particles are attached, are formed on the surface of copper particles, which are primary particles, and are heated at 80 ° C. for 60 minutes to volatilize residual moisture. It is thought that copper hydride microparticles | fine-particles are converted into copper microparticles | fine-particles, and electroconductive copper particle D1 was obtained.

얻어진 도전성 구리 입자 D1 의 염소 원자의 함유량은 150 질량ppm 이었다. 또한, 도전성 구리 입자 D1 의 수용성 시험을 실시한 결과, 증류수 중에 용출된 염화물 이온의 농도는 5 질량ppm 미만이었다. 즉, 도전성 구리 입자 D1 에 함유되어 있는 염소 원자는 비수용성의 형태였다. 또한, 도전성 구리 입자 D1 의 평균 입자경은 8 ㎛ 였다.Content of the chlorine atom of the obtained electroconductive copper particle D1 was 150 mass ppm. In addition, when the water solubility test of the electroconductive copper particle D1 was performed, the density | concentration of the chloride ion eluted in distilled water was less than 5 mass ppm. That is, the chlorine atom contained in the electroconductive copper particle D1 was a water-insoluble form. In addition, the average particle diameter of the electroconductive copper particle D1 was 8 micrometers.

(도전체막 형성용 조성물의 조제)(Preparation of the composition for conductor film formation)

비정질 폴리에스테르 수지 (토요 방적사 제조, 상품명 「바이론 300」) 0.15 g 을 시클로헥사논 0.35 g 에 용해시킨 수지 용액에, 도전성 구리 입자 D1 의 1.2 g 을 첨가하였다. 이 혼합물을 유발 안에 넣고, 실온하에서 혼합하여 도전체막 형성용 조성물을 얻었다. 비정질 폴리에스테르 수지의 첨가량은 도전성 구리 입자 D1 의 100 질량부에 대해 11 질량부였다.1.2g of electroconductive copper particle D1 was added to the resin solution which melt | dissolved 0.15g of amorphous polyester resin (The Toyo Spinning company make, brand name "Viron 300") in 0.35g of cyclohexanone. This mixture was placed in a mortar and mixed at room temperature to obtain a composition for forming a conductor film. The addition amount of amorphous polyester resin was 11 mass parts with respect to 100 mass parts of electroconductive copper particle D1.

(도전체막의 형성)(Formation of Conductor Film)

얻어진 도전체막 형성용 조성물을 유리 기재에 도포하고, 150 ℃ 에서 1 시간 가열하여 비정질 폴리에스테르 수지를 경화시키고, 두께 20 ㎛ 의 도전체막을 형성하여, 그 도전체막의 체적 저항률을 측정하였다.The obtained composition for forming a conductor film was applied to a glass substrate, heated at 150 ° C. for 1 hour to cure an amorphous polyester resin, a conductor film having a thickness of 20 μm was formed, and the volume resistivity of the conductor film was measured.

[예 4][Example 4]

(도전성 구리 입자 D2 의 제조)(Manufacture of electroconductive copper particle D2)

반응계 (β) 중의 염화물 이온 농도를 15 질량ppm 으로 한 것 이외에는, 예 3 과 동일하게 하여 도전성 구리 입자 D2 를 얻었다.Conductive copper particles D2 were obtained in the same manner as in Example 3 except that the chloride ion concentration in the reaction system (β) was 15 mass ppm.

얻어진 도전성 구리 입자 D2 의 염소 원자의 함유량은 400 질량ppm 이었다. 또한, 도전성 구리 입자 D2 의 수용성 시험을 실시한 결과, 증류수 중에 용출된 염화물 이온의 농도는 8 질량ppm 이었다. 즉, 도전성 구리 입자 D2 에 함유되어 있는 염소 원자는 비수용성의 형태였다. 또한, 도전성 구리 입자 D2 의 평균 입자경은 8 ㎛ 였다.Content of the chlorine atom of the obtained electroconductive copper particle D2 was 400 mass ppm. In addition, when the water solubility test of the electroconductive copper particle D2 was performed, the density | concentration of the chloride ion eluted in distilled water was 8 mass ppm. That is, the chlorine atom contained in the electroconductive copper particle D2 was a water-insoluble form. In addition, the average particle diameter of the electroconductive copper particle D2 was 8 micrometers.

(도전체막 형성용 조성물의 조제)(Preparation of the composition for conductor film formation)

도전성 구리 입자 D2 를 사용하여, 예 3 과 동일하게 하여 도전체막 형성용 조성물을 얻었다.Using the electroconductive copper particle D2, it carried out similarly to Example 3, and obtained the composition for conductor film formation.

(도전체막의 형성)(Formation of Conductor Film)

얻어진 도전체막 형성용 조성물을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 도전체막을 형성하고, 그 체적 저항률을 측정하였다.Using the obtained composition for forming a conductor film, a conductor film was formed in the same manner as in Example 1, and the volume resistivity thereof was measured.

[예 5][Example 5]

(도전성 구리 입자 D3 의 제조)(Manufacture of electroconductive copper particle D3)

반응계 (β) 중의 염화물 이온 농도를 25 질량ppm 으로 한 것 이외에는, 예 3 과 동일하게 하여 도전성 구리 입자 D3 을 얻었다.Conductive copper particles D3 were obtained in the same manner as in Example 3 except that the chloride ion concentration in the reaction system (β) was 25 mass ppm.

얻어진 도전성 구리 입자 B3 의 염소 원자의 함유량은 700 질량ppm 이었다. 또한, 도전성 구리 입자 D3 의 수용성 시험을 실시한 결과, 증류수 중에 용출된 염화물 이온의 농도는 10 질량ppm 이었다. 즉, 도전성 구리 입자 D3 에 함유되어 있는 염소는 비수용성의 형태였다. 또한, 도전성 구리 입자 D3 의 평균 입자경은 8 ㎛ 였다.Content of the chlorine atom of the obtained electroconductive copper particle B3 was 700 mass ppm. In addition, when the water solubility test of the electroconductive copper particle D3 was performed, the density | concentration of the chloride ion eluted in distilled water was 10 mass ppm. That is, chlorine contained in electroconductive copper particle D3 was a water-insoluble form. In addition, the average particle diameter of the electroconductive copper particle D3 was 8 micrometers.

(도전체막 형성용 조성물의 조제)(Preparation of the composition for conductor film formation)

도전성 구리 입자 D3 을 사용하여, 예 3 과 동일하게 하여 도전체막 형성용 조성물을 얻었다.Using the electroconductive copper particle D3, it carried out similarly to Example 3, and obtained the composition for conductor film formation.

(도전체막의 형성)(Formation of Conductor Film)

얻어진 도전체막 형성용 조성물을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 도전체막을 형성하고, 그 체적 저항률을 측정하였다.Using the obtained composition for forming a conductor film, a conductor film was formed in the same manner as in Example 1, and the volume resistivity thereof was measured.

[예 6][Example 6]

(도전성 구리 입자의 제조)(Production of conductive copper particles)

유리제 비커 내에서, 구리 입자 (미츠이 금속 광업사 제조, 상품명 「1400YP」, 평균 1 차 입자경 7 ㎛) 100 g 을 증류수 1800 g 에 분산시키고, 포름산 30 g 을 첨가한 후, 비커를 40 ℃ 의 워터 배스 안에 넣고, 교반하면서 황산 90 g 을 첨가하여 반응계를 형성한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 도전성 구리 입자 F1 을 얻었다.In a glass beaker, 100 g of copper particles (made by Mitsui Metal Mining Co., Ltd., brand name "1400YP", an average primary particle diameter of 7 µm) were dispersed in 1800 g of distilled water, and 30 g of formic acid was added, and then the beaker was water of 40 ° C. Conductive copper particles F1 were obtained in the same manner as in Example 1, except that 90 g of sulfuric acid was added while stirring into the bath to form a reaction system.

얻어진 도전성 구리 입자 F1 의 염소 원자의 함유량은 50 질량ppm 미만이었다.Content of the chlorine atom of the obtained electroconductive copper particle F1 was less than 50 mass ppm.

(도전체막 형성용 조성물의 조제)(Preparation of the composition for conductor film formation)

도전성 구리 입자 F1 을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 도전체막 형성용 조성물을 얻었다.Using the electroconductive copper particle F1, it carried out similarly to Example 1, and obtained the composition for conductor film formation.

(도전체막의 형성)(Formation of Conductor Film)

얻어진 도전체막 형성용 조성물을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 도전체막을 형성하고, 그 체적 저항률을 측정하였다.Using the obtained composition for forming a conductor film, a conductor film was formed in the same manner as in Example 1, and the volume resistivity thereof was measured.

[예 7][Example 7]

(도전성 구리 입자의 제조)(Production of conductive copper particles)

유리제 비커 내에서, 구리 입자 (미츠이 금속 광업사 제조, 상품명 「1400YP」, 평균 1 차 입자경 7 ㎛) 100 g 을 증류수 1800 g 에 분산시키고, 비커를 40 ℃ 의 워터 배스 안에 넣은 후, 교반하면서 포름산 72 g 을 첨가하여 반응계를 형성한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 도전성 구리 입자 F2 를 얻었다.In a glass beaker, 100 g of copper particles (Mitsui Metal Co., Ltd., brand name "1400YP", an average primary particle diameter of 7 µm) are dispersed in 1800 g of distilled water, the beaker is placed in a water bath at 40 ° C, and then formic acid is stirred. Conductive copper particles F2 were obtained in the same manner as Example 1 except that 72 g was added to form a reaction system.

얻어진 도전성 구리 입자 F2 의 염소 원자의 함유량은 50 질량ppm 미만이었다.Content of the chlorine atom of the obtained electroconductive copper particle F2 was less than 50 mass ppm.

(도전체막 형성용 조성물의 조제)(Preparation of the composition for conductor film formation)

도전성 구리 입자 F2 를 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 도전체막 형성용 조성물을 얻었다.Using the electroconductive copper particle F2, it carried out similarly to Example 1, and obtained the composition for conductor film formation.

(도전체막의 형성)(Formation of Conductor Film)

얻어진 도전체막 형성용 조성물을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 도전체막을 형성하고, 그 체적 저항률을 측정하였다.Using the obtained composition for forming a conductor film, a conductor film was formed in the same manner as in Example 1, and the volume resistivity thereof was measured.

[예 8][Example 8]

(도전성 구리 입자의 제조)(Production of conductive copper particles)

유리제 비커 내에서, 구리 입자 (미츠이 금속 광업제, 상품명 「1400YP」, 평균 1 차 입자경 7 ㎛) 100 g 을 증류수 1800 g 에 분산시키고, 35 질량% 염산을 첨가하여 반응계 중의 염소 원자의 농도를 100 질량ppm 으로 하고, 비커를 40 ℃ 의 워터 배스 안에 넣은 후, 교반하면서 포름산 72 g 을 첨가하여 반응계를 형성한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 도전성 구리 입자 F3 을 얻었다.In a glass beaker, 100 g of copper particles (Mitsui Metal Co., Ltd., trade name "1400YP", average primary particle diameter of 7 µm) were dispersed in 1800 g of distilled water, 35 mass% hydrochloric acid was added, and the concentration of the chlorine atom in the reaction system was 100. After setting it as mass ppm and putting a beaker in the water bath of 40 degreeC, conducting copper particle F3 was obtained like Example 1 except having added 72 g of formic acid, stirring, and forming the reaction system.

얻어진 도전성 구리 입자 F3 의 염소 함유량은 300 질량ppm 이었다. 또한, 도전성 구리 입자 F3 의 수용성 시험을 실시한 결과, 증류수 중에 용출된 염화물 이온의 농도는 30 질량ppm 이었다. 즉, 도전성 구리 입자 F3 에 함유되어 있는 염소는 수용성의 형태였다.The chlorine content of the obtained electroconductive copper particle F3 was 300 mass ppm. Moreover, the water-soluble test of electroconductive copper particle F3 showed that the density | concentration of the chloride ion eluted in distilled water was 30 mass ppm. That is, the chlorine contained in electroconductive copper particle F3 was a water-soluble form.

(도전체막 형성용 조성물의 조제)(Preparation of the composition for conductor film formation)

도전성 구리 입자 F3 을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 도전체막 형성용 조성물을 얻었다.Using the electroconductive copper particle F3, it carried out similarly to Example 1, and obtained the composition for conductor film formation.

(도전체막의 형성)(Formation of Conductor Film)

얻어진 도전체막 형성용 조성물을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 도전체막을 형성하고, 그 체적 저항률을 측정하였다.Using the obtained composition for forming a conductor film, a conductor film was formed in the same manner as in Example 1, and the volume resistivity thereof was measured.

[예 9][Example 9]

(도전성 구리 입자의 제조)(Production of conductive copper particles)

예 7 과 동일하게 하여 도전성 구리 입자를 얻은 후, 추가로 그 도전성 구리 입자에, 염소 원자의 함유량이 100 질량ppm 이 되도록 염산을 첨가하여, 도전성 구리 입자 F4 를 얻었다.In the same manner as in Example 7, after obtaining the conductive copper particles, hydrochloric acid was further added to the conductive copper particles so that the content of the chlorine atom was 100 mass ppm, thereby obtaining the conductive copper particles F4.

얻어진 도전성 구리 입자 F4 의 염소 원자의 함유량은 100 질량ppm 이었다. 또한, 도전성 구리 입자 F4 의 수용성 시험을 실시한 결과, 증류수 중에 용출된 염화물 이온의 농도는 90 질량ppm 이었다. 즉, 도전성 구리 입자 F4 에 함유되어 있는 염소는 수용성의 형태였다.Content of the chlorine atom of the obtained electroconductive copper particle F4 was 100 mass ppm. Moreover, the water-soluble test of electroconductive copper particle F4 showed that the density | concentration of the chloride ion eluted in distilled water was 90 mass ppm. That is, chlorine contained in electroconductive copper particle F4 was a water-soluble form.

(도전체막 형성용 조성물의 조제)(Preparation of the composition for conductor film formation)

도전성 구리 입자 F4 를 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 도전체막 형성용 조성물을 얻었다.Using the electroconductive copper particle F4, it carried out similarly to Example 1, and obtained the composition for conductor film formation.

(도전체막의 형성)(Formation of Conductor Film)

얻어진 도전체막 형성용 조성물을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 도전체막을 형성하고, 그 체적 저항률을 측정하였다.Using the obtained composition for forming a conductor film, a conductor film was formed in the same manner as in Example 1, and the volume resistivity thereof was measured.

[예 10][Example 10]

(도전성 구리 입자의 조제)(Preparation of conductive copper particles)

예 7 과 동일하게 하여 도전성 구리 입자를 얻은 후, 추가로 그 도전성 구리 입자에, 염소 원자의 함유량이 1,000 질량ppm 이 되도록 염산을 첨가하여, 도전성 구리 입자 F5 를 얻었다.In the same manner as in Example 7, after obtaining the conductive copper particles, hydrochloric acid was further added to the conductive copper particles so that the content of the chlorine atom was 1,000 mass ppm, thereby obtaining the conductive copper particles F5.

얻어진 도전성 구리 입자 F5 의 염소 원자의 함유량은 1,000 질량ppm 이었다. 또한, 도전성 구리 입자 F5 의 수용성 시험을 실시한 결과, 증류수 중에 용출된 염화물 이온의 농도는 90 질량ppm 이었다. 즉, 도전성 구리 입자 F5 에 함유되어 있는 염소는 수용성의 형태였다.Content of the chlorine atom of the obtained electroconductive copper particle F5 was 1,000 mass ppm. In addition, when the water solubility test of the electroconductive copper particle F5 was performed, the density | concentration of the chloride ion eluted in distilled water was 90 mass ppm. That is, the chlorine contained in electroconductive copper particle F5 was a water-soluble form.

(도전체막 형성용 조성물의 조제)(Preparation of the composition for conductor film formation)

도전성 구리 입자 F5 를 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 도전체막 형성용 조성물을 얻었다.Using the electroconductive copper particle F5, it carried out similarly to Example 1, and obtained the composition for conductor film formation.

(도전체막의 형성)(Formation of Conductor Film)

얻어진 도전체막 형성용 조성물을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 도전체막을 형성하고, 그 체적 저항률을 측정하였다.Using the obtained composition for forming a conductor film, a conductor film was formed in the same manner as in Example 1, and the volume resistivity thereof was measured.

예 1 ∼ 10 에 있어서의 반응계, 도전성 구리 입자, 도전체막의 특성 및 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.Table 1 shows the characteristics and evaluation results of the reaction system, the conductive copper particles, and the conductor film in Examples 1 to 10.

Figure pct00001
Figure pct00001

표 1 에 나타내는 바와 같이, 염소 원자의 함유량이 50 질량ppm 미만인 도전성 구리 입자를 사용한 예 6 및 7, 그리고 수용성 형태의 염소 원자를 함유하는 도전성 구리 입자를 사용한 예 8 ∼ 10 의 도전체막은, 성막 직후부터 체적 저항률이 높거나, 성막 직후의 체적 저항률은 낮아도, 보존에 의해 체적 저항률이 증대되었다. 이에 반해, 비수용성 형태의 염소 원자를 50 ∼ 1000 질량ppm 함유하는 본 발명의 도전성 구리 입자를 사용한 예 1 ∼ 5 의 도전체막은 체적 저항률이 낮고, 또한 그 1 개월 경과 후의 변화율도 낮았다.As shown in Table 1, the conductor film of Examples 8-10 which used the electroconductive copper particle containing the chlorine atom of the water-soluble form, and Example 6 and 7, which used the electroconductive copper particle whose content of a chlorine atom is less than 50 mass ppm are formed into a film. Even if the volume resistivity was high immediately after, or the volume resistivity immediately after film-forming was low, the volume resistivity increased by storage. On the other hand, the conductor film of Examples 1-5 which used the electroconductive copper particle of this invention containing 50-1000 mass ppm of chlorine atoms of a water-insoluble form was low in volume resistivity, and the change rate after 1 month passed was also low.

본 발명을 상세하게, 또한 특정한 실시양태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 범위와 정신을 일탈하지 않고, 다양한 수정이나 변경을 실시할 수 있는 것은 당업자에게 있어 분명하다.While the invention has been described in detail and with reference to specific embodiments thereof, it will be apparent to one skilled in the art that various modifications and changes can be made without departing from the scope and spirit of the invention.

본 출원은 2010년 10월 6일 출원의 일본 특허출원 2010-226632 에 기초하는 것으로, 그 내용은 여기에 참조로서 받아들여진다.This application is based on the JP Patent application 2010-226632 of an application on October 6, 2010, The content is taken in here as a reference.

산업상 이용가능성Industrial availability

본 발명의 도전성 구리 입자 및 도전체막 형성용 조성물은 프린트 배선판 등에 있어서의 배선 패턴의 형성 및 수복, 반도체 패키지 내의 층간 배선, 프린트 배선판과 전자 부품의 접합 등, 다양한 용도에 바람직하게 이용할 수 있다.The composition for electroconductive copper particle and conductor film formation of this invention can be used suitably for various uses, such as formation and repair of the wiring pattern in a printed wiring board, etc., interlayer wiring in a semiconductor package, bonding of a printed wiring board and an electronic component.

Claims (6)

염소 원자를 입자의 총질량에 대해 50 ∼ 1000 질량ppm 함유하고, 그 염소 원자가 비수용성의 형태로 존재하고 있는 도전성 구리 입자.Electroconductive copper particle which contains 50-1000 mass ppm of chlorine atoms with respect to the gross mass of particle | grains, and the chlorine atom exists in water-insoluble form. 제 1 항에 있어서,
평균 입자경이 0.01 ∼ 20 ㎛ 인 도전성 구리 입자.
The method of claim 1,
Electroconductive copper particle whose average particle diameter is 0.01-20 micrometers.
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 도전성 구리 입자와 용제를 함유하는 도전체 형성용 조성물.The composition for conductor formation containing the electroconductive copper particle of Claim 1 or 2 and a solvent. 제 3 항에 있어서,
수지 바인더를 함유하는 도전체 형성용 조성물.
The method of claim 3, wherein
The composition for conductor formation containing a resin binder.
기재와 제 3 항 또는 제 4 항에 기재된 도전체 형성용 조성물에 의해 상기 기재 상에 형성된 도전체막을 갖는 도전체가 형성된 기재.A substrate having a conductor having a substrate and a conductor film formed on the substrate by the composition for forming a conductor according to claim 3 or 4. 제 1 항에 기재된 도전성 구리 입자의 제조 방법으로서,
구리 입자 및 구리 (II) 이온의 적어도 일방을, 염화물 이온이 함유되고, pH 3 이하, 또한 산화 환원 전위가 220 ㎷ 이하인 반응계에서 환원하는 공정을 갖는, 도전성 구리 입자의 제조 방법.
As a manufacturing method of the electroconductive copper particle of Claim 1,
The manufacturing method of electroconductive copper particle which has a process of reducing at least one of copper particle and copper (II) ion in the reaction system which contains chloride ion and is pH 3 or less and whose oxidation reduction potential is 220 kPa or less.
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