KR20130102296A - Substrate for mounting light emitting diode - Google Patents

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KR20130102296A
KR20130102296A KR1020120023433A KR20120023433A KR20130102296A KR 20130102296 A KR20130102296 A KR 20130102296A KR 1020120023433 A KR1020120023433 A KR 1020120023433A KR 20120023433 A KR20120023433 A KR 20120023433A KR 20130102296 A KR20130102296 A KR 20130102296A
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옥정태
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Abstract

PURPOSE: A substrate for mounting a light emitting diode is provided to improve heat radiation efficiency by forming a photo solder resist (PSR) for exposing electrode pads. CONSTITUTION: An insulating layer is arranged on a metal layer. A first electrode pad (131) is bonded to bumps of a first type. A second electrode pad (132) is bonded to bumps of a second type. A photo solder resist layer (140) is arranged on the first electrode pad and the second electrode pad. The first electrode pad and the second electrode pad are exposed by the photo solder resist layer.

Description

발광소자 실장용 기판 {SUBSTRATE FOR MOUNTING LIGHT EMITTING DIODE}Substrate for light emitting device mounting {SUBSTRATE FOR MOUNTING LIGHT EMITTING DIODE}

본 발명의 실시예들은 발광소자 실장용 기판에 관한 것이다.
Embodiments of the present invention relate to a substrate for mounting a light emitting device.

발광소자(LED, Light Emitting Diode)는 반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들고, 이 소수 캐리어의 재결합을 통해 광을 생성하는 소자이다. Light emitting diodes (LEDs) are devices that generate injected minority carriers (electrons or holes) using a p-n junction structure of a semiconductor, and generate light through recombination of the minority carriers.

발광소자는 기존의 전구 또는 형광등에 비해 소모 전력이 작고 수명이 긴 장점을 갖는다. 이 같은 장점으로 인해, 발광소자는 표시 소자나 백라이트로 이용되고 있으며, 조명 또는 자동차 램프에 그 적용 분야가 확대되고 있다. The light emitting device has the advantages of low power consumption and long life compared to conventional light bulbs or fluorescent lamps. Due to these advantages, the light emitting device is used as a display device or a backlight, and its application field is expanding to lighting or automobile lamps.

한편, 발광소자의 고출력 및 고휘도 특성을 위하여 열 방출은 필수적이다. On the other hand, heat dissipation is essential for high power and high luminance characteristics of the light emitting device.

열 방출 효율을 높이기 위하여 발광소자를 기판 상에 플립칩 접합하여 발광소자 모듈을 제공한다. 원하는 수준의 열 방출 효율을 달성하기 위해서는 발광소자 모듈에 별도의 열 방출 수단(예를 들어, 히트 싱크)를 적용해야만 한다. In order to improve heat dissipation efficiency, a light emitting device is flip-chip bonded to a substrate to provide a light emitting device module. In order to achieve a desired level of heat dissipation efficiency, a separate heat dissipation means (eg, a heat sink) must be applied to the light emitting device module.

그러나, 별도의 열 방출 수단을 적용하는 경우, 발광소자 모듈의 비용 상승뿐만 아니라, 발광소자 모듈의 사이즈(예를 들어, 높이)가 증가하는 문제가 있었다.
However, when a separate heat dissipation means is applied, not only the cost of the light emitting device module increases, but also the size (for example, the height) of the light emitting device module increases.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 플립칩 발광소자에 형성된 범프가 접합될 제1 및 제2 전극 패드들의 구조를 변경함으로써, 별도의 열 방출 수단 없이 열 방출 효율을 향상시킬 수 있는 발광소자 실장용 기판을 제공하기 위한 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to change the structure of the first and second electrode pads to which the bumps formed on the flip chip light emitting elements are bonded. It is to provide a substrate for mounting a light emitting device that can improve the.

이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 실장용 기판은 금속층 상에 배치된 절연층, 상기 절연층 상에서, 제1 영역에 배치되어 발광소자에 형성된 제1 타입의 복수의 범프와 접합되기 위한 제1 전극 패드, 상기 절연층 상에서, 상기 제1 영역과 떨어진 제2 영역에 배치되어 제2 타입의 적어도 하나의 범프와 접합되기 위한 제2 전극 패드 및 상기 제1 및 제2 전극 패드 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 전극 패드를 노출시키는 PSR(Photo Solder Resist)층을 포함한다. The light emitting device mounting substrate according to the embodiment of the present invention for achieving the above object is a plurality of first type of insulating layer disposed on the metal layer, on the insulating layer, disposed in the first region formed in the light emitting element A first electrode pad for bonding to bumps of the second electrode, a second electrode pad on the insulating layer, a second electrode pad disposed in a second region away from the first region, for bonding to at least one bump of a second type, and the first and second electrodes And a photo solder resist (PSR) layer disposed on the second electrode pad to expose the first and second electrode pads.

일측에 따르면, 상기 PSR층은 상기 제1 전극 패드를 노출시키는 제1 개구부 및 상기 제2 전극 패드를 노출시키는 제2 개구부를 포함할 수 있다. In example embodiments, the PSR layer may include a first opening exposing the first electrode pad and a second opening exposing the second electrode pad.

일측에 따르면, 상기 제1 전극 패드, 상기 제2 전극 패드 및 상기 PSR층은, 상기 PSR층을 통해 노출된 상기 제1 및 제2 전극 패드의 주변 영역에서 상기 절연층을 노출시키는 원형의 제3 개구부를 포함할 수 있다. According to one side, the first electrode pad, the second electrode pad and the PSR layer, a circular third to expose the insulating layer in the peripheral region of the first and second electrode pad exposed through the PSR layer It may include an opening.

일측에 따르면, 상기 제1 전극 패드는 일 영역에 형성되어 상기 절연층을 노출시키고 상기 제2 전극 패드 측으로 개구된 적어도 하나의 홈부 및 상기 홈부의 내측을 따라 돌출되어 서로 일정 간격 이격된 복수의 제1 핑거부를 포함할 수 있다. According to one side, the first electrode pad is formed in one region to expose the insulating layer and a plurality of grooves protruding along the inner side of the groove portion and protruded along the inside of the groove portion spaced apart from each other It may include one finger.

일측에 따르면, 상기 제2 전극 패드는 상기 적어도 하나의 홈부가 위치한 방향으로 돌출된 적어도 하나의 제2 핑거부를 포함할 수 있다. According to one side, the second electrode pad may include at least one second finger protruding in a direction in which the at least one groove is located.

일측에 따르면, 상기 복수의 제1 핑거부 및 상기 적어도 하나의 제2 핑거부는, 끝단이 각각 상기 제1 타입 및 제2 타입의 복수의 범프가 접합 가능한 형상을 가질 수 있다. According to one side, the plurality of first finger portion and the at least one second finger portion, the ends may have a shape that a plurality of bumps of the first type and the second type can be joined, respectively.

일측에 따르면, 상기 PSR층은 상기 제1 타입의 복수의 범프가 접합될 영역에서 상기 제1 전극 패드를 노출시키는 도트(dot) 형상의 복수의 제1 개구부 및 상기 제2 타입의 적어도 하나의 범프가 접합될 영역에서 상기 제2 전극 패드를 노출시키는 도트 형상의 복수의 제2 개구부를 포함할 수 있다. In example embodiments, the PSR layer may include a plurality of first openings having a dot shape and exposing at least one bump of the second type to expose the first electrode pads in a region where the plurality of bumps of the first type are to be bonded. May include a plurality of dot-shaped openings exposing the second electrode pads in a region to be bonded.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 실장용 기판은 금속층 상에 배치된 절연층, 상기 절연층 상에서, 일 측에 배치되어 발광소자에 형성된 제1 타입의 복수의 범프 중 적어도 어느 하나의 범프가 접합되는 적어도 하나의 제1 전극 패드, 상기 절연층 상에서, 타 측에 배치되어 상기 발광소자에 형성된 제2 타입의 복수의 범프 중 적어도 어느 하나의 범프가 접합되는 적어도 하나의 제2 전극 패드, 상기 절연층 상에서, 상기 제1 전극 패드의 주변에 배치되어 상기 제1 타입의 복수의 범프 중 적어도 다른 하나의 범프가 접합되는 적어도 하나의 제1 더미 패드, 상기 제1 및 제2 전극 패드와, 상기 제1 더미 패드 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 전극 패드와, 상기 제1 더미 패드를 노출시키는 제1 개구부를 포함하는 PSR(Photo Solder Resist)층을 포함한다. On the other hand, the light emitting device mounting substrate according to another embodiment of the present invention is at least one of the plurality of bumps of the first type formed on the insulating layer disposed on the metal layer, the insulating layer, the light emitting element on the insulating layer At least one first electrode pad to which bumps are bonded, and at least one second electrode pad on the insulating layer, to which at least one bump of a plurality of bumps of a second type formed on the light emitting element is bonded; At least one first dummy pad, the first and second electrode pads disposed on a periphery of the first electrode pad, to which at least another bump of the plurality of bumps of the first type is bonded; And a photo solder resist (PSR) layer disposed on the first dummy pad and including the first and second electrode pads and a first opening exposing the first dummy pad.

일측에 따르면, 상기 기판은 상기 절연층 상에서, 상기 제2 전극 패드의 주변에 배치되어 상기 제2 타입의 복수의 범프 중 적어도 다른 하나의 범프가 접합되는 적어도 하나의 제2 더미 패드를 더 포함하고, 상기 PSR(Photo Solder Resist)층은 상기 제1 개구부를 통해 상기 제2 더미 패드를 더 노출시킬 수 있다. According to one side, the substrate further comprises at least one second dummy pad disposed on the insulating layer, the second electrode pad to the at least one other bump of the plurality of bumps of the second type is bonded; The photo solder resist (PSR) layer may further expose the second dummy pad through the first opening.

일측에 따르면, 상기 제1 전극 패드, 상기 제2 전극 패드 및 상기 PSR층은 상기 발광소자의 접합면 주변에서 상기 절연층을 노출시키는 원형의 제2 개구부를 포함할 수 있다.
According to one side, the first electrode pad, the second electrode pad and the PSR layer may include a circular second opening that exposes the insulating layer around the bonding surface of the light emitting device.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 실장용 기판은, 플립칩 발광소자에 형성된 범프가 접합될 제1 및 제2 전극 패드들을 이용하여 열 방출 효율을 향상시킬 수 있다. 따라서, 별도의 열 방출 수단을 이용하지 않고 발광소자 실장용 기판 자체를 이용하여 열을 신속하게 방출할 수 있기 때문에, 저비용으로 발광소자 모듈을 구현할 수 있다.
In the light emitting device mounting substrate according to the exemplary embodiment, heat dissipation efficiency may be improved by using first and second electrode pads to which bumps formed on the flip chip light emitting devices are bonded. Therefore, since the heat can be quickly released using the light emitting device mounting substrate itself without using a separate heat dissipating means, the light emitting device module can be implemented at low cost.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 실장용 기판을 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광소자 실장용 기판을 이용한 발광소자 모듈을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 실장용 기판을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 실장용 기판을 나타내는 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 발광소자 실장용 기판을 이용한 발광소자 모듈을 나타내는 도면이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 실장용 기판을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 실장용 기판을 나타내는 도면이다.
도 10은 도 9에 도시된 발광소자 실장용 기판을 이용한 발광소자 모듈을 나타내는 도면이다. 1 and 2 are views showing a light emitting device mounting substrate according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a light emitting device module using the light emitting device mounting substrate shown in FIG.
4 is a view showing a light emitting device mounting substrate according to another embodiment of the present invention.
5 is a view showing a light emitting device mounting substrate according to another embodiment of the present invention.
6 is a view showing a light emitting device module using the light emitting device mounting substrate shown in FIG.
7 and 8 are views showing a light emitting device mounting substrate according to another embodiment of the present invention.
9 is a view showing a light emitting device mounting substrate according to another embodiment of the present invention.
10 is a view showing a light emitting device module using the light emitting device mounting substrate shown in FIG.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 바람직한 실시 예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.Also, terminologies used herein are terms used to properly represent preferred embodiments of the present invention, which may vary depending on the user, intent of the operator, or custom in the field to which the present invention belongs. Therefore, the definitions of the terms should be made based on the contents throughout the specification. Like reference symbols in the drawings denote like elements.

각 실시예의 설명에 있어서, 기판, 층 또는 전극 등이 다른 기판, 다른 층 또는 다른 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 또한, 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
In the description of each embodiment, the "phase" is described when the substrate, layer or electrode is described as being formed "on" or "under" of another substrate, another layer, or other electrode. (on) and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. In addition, the size of each component in the drawings may be exaggerated for description, it does not mean the size that is actually applied.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 실장용 기판을 나타내는 도면이다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 실장용 기판의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 발광소자 실장용 기판의 분해 사시도이다.1 and 2 are views showing a light emitting device mounting substrate according to an embodiment of the present invention. 1 is a perspective view of a light emitting device mounting substrate according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is an exploded perspective view of the light emitting device mounting substrate shown in FIG.

도 1 및 도 2에 도시된 발광소자 실장용 기판(100)(이하, "기판"이라 함)은 플립칩 발광소자(이하, "발광소자"라 함)가 실장될 기판이다. The light emitting device mounting substrate 100 (hereinafter, referred to as "substrate") shown in FIGS. 1 and 2 is a substrate on which a flip chip light emitting device (hereinafter referred to as "light emitting device") is mounted.

발광소자는 기판(100)에 접합되기 위한 접합면을 포함하고, 이 접합면에 제1 전극 및 제2 전극을 포함한다. 발광소자를 기판(100) 상에 실장하기 위하여 제1 전극 및 제2 전극에 범프가 형성된다. 구체적으로, 제1 전극에는 제1 타입의 복수의 범프가 형성될 수 있으며, 제2 전극에는 제2 타입의 적어도 하나의 범프가 형성될 수 있다. 이에 대해서는, 도 3을 이용하여 하기에서 구체적으로 설명한다. The light emitting device includes a bonding surface for bonding to the substrate 100, and includes a first electrode and a second electrode on the bonding surface. Bumps are formed on the first electrode and the second electrode to mount the light emitting device on the substrate 100. In detail, a plurality of bumps of a first type may be formed on the first electrode, and at least one bump of a second type may be formed on the second electrode. This will be described below in detail with reference to FIG. 3.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광소자 실장용 기판(100)은 금속층(110), 절연층(120), 제1 전극 패드(131), 제2 전극 패드(132) 및 PSR(Photo Solder Resist)층(140)을 포함한다. 1 and 2, the light emitting device mounting substrate 100 may include a metal layer 110, an insulating layer 120, a first electrode pad 131, a second electrode pad 132, and a PSR (Photo Solder Resist). ) Layer 140.

절연층(120)은 금속층(110) 상에 배치된다. The insulating layer 120 is disposed on the metal layer 110.

제1 및 제2 전극 패드(131, 132)는 절연층(120) 상에서 서로 떨어져 배치되고, 기판(100)의 측면을 통해 노출될 수 있다. 구체적으로, 제1 전극 패드(131)는 절연층(120) 상에서 제1 영역에 배치되고, 제2 전극 패드(132)는 절연층(120) 상에서 제2 영역에 배치된다. 제1 영역 및 제2 영역은 발광소자의 접합면에 구비된 제1 전극과 제2 전극의 패턴에 따라 정해질 수 있다. 일 예로, 제1 영역은 제1 전극이 마주하는 영역을 포함하는 영역이고, 제2 영역은 제2 전극과 마주하는 영역을 포함하는 영역이 될 수 있다. The first and second electrode pads 131 and 132 may be disposed apart from each other on the insulating layer 120 and exposed through the side surface of the substrate 100. In detail, the first electrode pad 131 is disposed in the first region on the insulating layer 120, and the second electrode pad 132 is disposed in the second region on the insulating layer 120. The first region and the second region may be determined according to the pattern of the first electrode and the second electrode provided on the bonding surface of the light emitting device. For example, the first region may be a region including a region facing the first electrode, and the second region may be a region including a region facing the second electrode.

제1 전극 패드(131)는 발광소자에 형성된 제1 타입의 복수의 범프와 접합될 수 있으며, 제2 전극 패드(132)는 발광소자에 형성된 제2 타입의 적어도 하나의 범프와 접합될 수 있다. The first electrode pad 131 may be bonded to a plurality of bumps of a first type formed in the light emitting device, and the second electrode pad 132 may be bonded to at least one bump of a second type formed in the light emitting device. .

PSR층(140)은 제1 개구부(141) 및 제2 개구부(142)를 포함한다. 또한, PSR층(140)은 제1 개구부(141) 및 제2 개구부(142)를 제외한 영역의 제1 및 제2 전극 패드(131, 132) 상에 배치되어 발광소자에 형성된 범프가 접합될 필요가 없는 영역들을 보호한다. The PSR layer 140 includes a first opening 141 and a second opening 142. In addition, the PSR layer 140 may be disposed on the first and second electrode pads 131 and 132 in the regions excluding the first opening 141 and the second opening 142, and bumps formed on the light emitting devices may be bonded to each other. Protects missing areas.

PSR층(140)은 제1 개구부(141)를 통해 제1 전극 패드(131)를 노출시키고, 제2 개구부(142)를 통해 제2 전극 패드(132)를 노출시킨다. 이 경우, PSR층(140)은 제1 및 제2 전극 패드(131, 132)가 떨어진 공간에도 충진될 수 있다. The PSR layer 140 exposes the first electrode pad 131 through the first opening 141 and exposes the second electrode pad 132 through the second opening 142. In this case, the PSR layer 140 may be filled even in spaces in which the first and second electrode pads 131 and 132 are separated.

제1 및 제2 개구부(141, 142)를 통해 제1 및 제2 전극 패드(131, 132)가 노출되기 때문에, 발광소자를 기판(100)에 접합할 경우, 제1 전극 패드(131)에 제1 타입의 복수의 범프들이 접합될 수 있으며, 제2 전극 패드(132)에는 제2 타입의 적어도 하나의 범프들이 접합될 수 있다. Since the first and second electrode pads 131 and 132 are exposed through the first and second openings 141 and 142, when the light emitting device is bonded to the substrate 100, the first and second electrode pads 131 and 132 are exposed to the first electrode pad 131. A plurality of bumps of the first type may be bonded, and at least one bump of the second type may be bonded to the second electrode pad 132.

제1 및 제2 전극 패드(131, 132)에 표시된 동그란 점선 표시는 각 범프들이 접합될 영역을 나타낸 것이다. Round dotted lines displayed on the first and second electrode pads 131 and 132 indicate regions to which the bumps are to be bonded.

이 실시예에서, PSR층(140)의 제1 및 제2 개구부(141, 142)를 통해 제1 및 제2 전극 패드(132)가 넓은 면적으로 노출되기 때문에 복수의 범프들과 접합될 수 있다. 특히, 제1 및 제2 개구부(141, 142)를 통해 노출되는 제1 및 제2 전극 패드(132)의 면적은, 기판(100)에 전체 면적의 70~90%로, 이 면적에 의해 열 분산이 용이하다. 뿐만 아니라, 제1 및 제2 전극 패드(141, 142)는 복수의 범프들을 통해 전달된 열을 빠르게 방출할 수 있어, 기판(100)은 향상된 열 방출 효율을 가질 수 있다.
In this embodiment, the first and second electrode pads 132 are exposed to a large area through the first and second openings 141 and 142 of the PSR layer 140, and thus may be bonded to the plurality of bumps. . In particular, the area of the first and second electrode pads 132 exposed through the first and second openings 141 and 142 is 70 to 90% of the total area of the substrate 100, and the heat is reduced by the area. It is easy to disperse. In addition, the first and second electrode pads 141 and 142 may quickly release heat transferred through the plurality of bumps, so that the substrate 100 may have an improved heat dissipation efficiency.

도 3은 도 1에 도시된 발광소자 실장용 기판을 이용한 발광소자 모듈을 나타내는 도면이다. 3 is a view showing a light emitting device module using the light emitting device mounting substrate shown in FIG.

도 3을 참조하면, 발광소자 모듈은 기판(100) 상에 발광소자(200)가 플립칩 접합된 구조를 갖는다. 기판(100)은 도 1에 도시된 기판(100)을 A-A' 라인을 따라 절단한 단면으로 도시하였다. Referring to FIG. 3, the light emitting device module has a structure in which the light emitting device 200 is flip-chip bonded onto the substrate 100. Substrate 100 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the substrate 100 shown in FIG.

발광소자(200)는 기판(100)에 접합되기 위한 접합면을 포함하고, 이 접합면에 제1 전극(211) 및 제2 전극(212)을 포함한다. 또한, 제1 전극(211)에는 제1 타입의 복수의 범프(310)가 형성될 수 있으며, 제2 전극(212)에는 제2 타입의 적어도 하나의 범프(320)가 형성될 수 있다. The light emitting device 200 includes a bonding surface for bonding to the substrate 100, and includes a first electrode 211 and a second electrode 212 on the bonding surface. In addition, a plurality of bumps 310 of a first type may be formed on the first electrode 211, and at least one bump 320 of the second type may be formed on the second electrode 212.

제1 타입 및 제2 타입은 전기적 극성을 의미하며, 제1 타입은 n 타입 및 p 타입 중 어느 하나가 될 수 있으며, 제2 타입은 n 타입 및 p 타입 중 제1 타입과 다른 타입이 될 수 있다. 제1 타입 및 제2 타입은 제1 전극(211) 및 제2 전극(212)의 극성에 따라 결정될 수 있다. 일 예로, 제1 전극(211)에는 n 타입의 복수의 범프(310)가 형성되고, 제2 전극(212)에는 p 타입의 범프(320)가 형성될 수 있다. The first type and the second type mean electrical polarity, the first type may be any one of n type and p type, and the second type may be different from the first type of n type and p type. have. The first type and the second type may be determined according to polarities of the first electrode 211 and the second electrode 212. For example, n-type bumps 310 may be formed on the first electrode 211, and p-type bumps 320 may be formed on the second electrode 212.

n 타입의 복수의 범프(310)는 PSR층(140)의 제1 개구부(141)을 통해 노출된 제1 전극 패드(131) 상에 접합되고, p 타입의 범프(320)는 PSR층(140)의 제2 개구부(142)을 통해 노출된 제2 전극 패드(132) 상에 접합된다. The n-type bumps 310 are bonded to the first electrode pads 131 exposed through the first openings 141 of the PSR layer 140, and the p-type bumps 320 are PSR layers 140. Is bonded on the second electrode pad 132 exposed through the second opening 142.

제1 및 제2 전극 패드(132)는 구리를 포함하는 금속으로 이루어진 구성으로, 주석(Sn), 구리(Cu), 납(Pb), 금(Au), 은(Ag) 및 니켈(Ni) 중 적어도 하나의 금속으로 이루어진 범프들(310, 320)과 용이하게 접합될 수 있다. The first and second electrode pads 132 are made of a metal including copper, and include tin (Sn), copper (Cu), lead (Pb), gold (Au), silver (Ag), and nickel (Ni). The bumps 310 and 320 made of at least one metal may be easily bonded to each other.

제1 및 제2 전극 패드(131, 132)는 PSR층(140)의 제1 및 제2 개구부(141, 142)를 통해 넓은 면적으로 노출되기 때문에, 복수의 범프들(310, 320)과 접합될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 전극 패드(131, 132)는 복수의 범프들(310, 320)을 통해 전달되는 열을 빠르게 방출함으로써, 발광소자 모듈의 열 방출 효율을 향상시킬 수 있다. Since the first and second electrode pads 131 and 132 are exposed to a large area through the first and second openings 141 and 142 of the PSR layer 140, the first and second electrode pads 131 and 132 are bonded to the plurality of bumps 310 and 320. Can be. Therefore, the first and second electrode pads 131 and 132 quickly release heat transferred through the plurality of bumps 310 and 320, thereby improving heat dissipation efficiency of the light emitting device module.

또한, 발광소자를 패키지화하지 않고, 기판(100) 상에 직접 접합시켜 FCOB(Flip Chip On Board) 타입으로 발광소자 모듈을 구현함으로써, 발광소자 모듈의 사이즈(높이)를 감소시킬 수 있으며, 발광소자로부터 발생된 열을 기판(100)을 통해 직접적으로 방출하기 때문에 열 방출 효율이 더 높아질 수 있다.
In addition, the light emitting device module is implemented by FCOB (Flip Chip On Board) type by directly bonding on the substrate 100 without packaging the light emitting device, thereby reducing the size (height) of the light emitting device module. The heat dissipation efficiency may be higher because heat generated from the heat is emitted directly through the substrate 100.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 실장용 기판을 나타내는 도면이다. 4 is a view showing a light emitting device mounting substrate according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 기판(400)은 금속층(410), 절연층(420), 제1 전극 패드(431), 제2 전극 패드(432) 및 PSR층(440)을 포함한다. Referring to FIG. 4, the substrate 400 includes a metal layer 410, an insulating layer 420, a first electrode pad 431, a second electrode pad 432, and a PSR layer 440.

이 기판(400)은 도 1 및 도 2에 도시된 기판(100)과 동일한 구조를 가지되, 기판(400)의 상부면에서 절연층(420)을 노출시키는 원형의 제3 개구부(450)를 포함한다.The substrate 400 has the same structure as the substrate 100 shown in FIGS. 1 and 2, but has a circular third opening 450 exposing the insulating layer 420 on the upper surface of the substrate 400. Include.

렌즈 형성을 위한 투명 수지를 기판(400) 상에 도포하는 경우, 이 원형의 개구부(450)로 투명 수지가 유입될 수 있다. 이 원형의 제3 개구부(450)는 투명 수지의 넘침을 방지하여 반구 형상의 렌즈를 제조할 수 있으며, 렌즈의 형상 오차를 감소시킬 수 있다. When the transparent resin for lens formation is coated on the substrate 400, the transparent resin may flow into the circular opening 450. The circular third opening 450 may prevent the overflow of the transparent resin to manufacture a hemispherical lens, and may reduce the shape error of the lens.

이 실시예에서, 원형의 제3 개구부(450)는 제1 전극 패드(431), 제2 전극 패드(432) 및 PSR층(440)의 식각을 통해 절연층(420)을 노출시키는 방식으로 형성될 수 있다. 이 과정에서, 제1 전극 패드(431) 및 제2 전극 패드(432)의 일부는 모두 식각되지 않고, 잔존될 수 있다. 이는, 제1 전극 패드(431) 및 제2 전극 패드(432)의 전기적인 연결을 고려한 것이다. In this embodiment, the circular third opening 450 is formed by exposing the insulating layer 420 through etching of the first electrode pad 431, the second electrode pad 432, and the PSR layer 440. Can be. In this process, some of the first electrode pad 431 and the second electrode pad 432 may not be etched, and may remain. This is in consideration of the electrical connection between the first electrode pad 431 and the second electrode pad 432.

도 4에서는 원형의 제3 개구부(450)를 도시하고 있으나, 이 개구부(450)는 삼각형, 사각형, 그 이상의 다각형이 될 수도 있다.
In FIG. 4, a circular third opening 450 is illustrated, but the opening 450 may be a triangle, a quadrangle, or a polygon.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 실장용 기판을 나타내는 도면이다. 5 is a view showing a light emitting device mounting substrate according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 발광소자 실장용 기판(500)은 금속층(510), 절연층(520), 제1 전극 패드(531), 제2 전극 패드(532) 및 PSR(Photo Solder Resist)층(540)을 포함한다. Referring to FIG. 5, the light emitting device mounting substrate 500 may include a metal layer 510, an insulating layer 520, a first electrode pad 531, a second electrode pad 532, and a photo solder resist (PSR) layer (PSR). 540).

절연층(520)은 금속층(510) 상에 배치된다.The insulating layer 520 is disposed on the metal layer 510.

제1 및 제2 전극 패드(531, 532)는 서로 떨어져 배치되며 기판(100)의 측면을 통해 노출될 수 있다. 또한, 제1 전극 패드(531)는 발광소자에 형성된 제1 타입의 복수의 범프와 접합될 수 있으며, 제2 전극 패드(532)는 발광소자에 형성된 제2 타입의 적어도 하나의 범프와 접합될 수 있다. The first and second electrode pads 531 and 532 may be spaced apart from each other and exposed through the side surface of the substrate 100. In addition, the first electrode pad 531 may be bonded to a plurality of bumps of a first type formed in the light emitting device, and the second electrode pad 532 may be bonded to at least one bump of a second type formed in the light emitting device. Can be.

PSR층(540)은 제1 및 제2 전극 패드(531, 532) 상에 배치되어 발광소자에 형성된 범프가 접합될 필요가 없는 영역들을 보호한다. The PSR layer 540 is disposed on the first and second electrode pads 531 and 532 to protect regions in which bumps formed in the light emitting device do not need to be bonded.

이 실시예에서, PSR층(540)은 복수의 제1 개구부(541) 및 복수의 제2 개구부(542)를 통해 제1 및 제2 전극 패드(531, 532)를 노출시킨다. 구체적으로, PSR층(540)은 제1 타입의 복수의 범프가 접합될 영역에서 제1 전극 패드(531)를 노출시키는 도트(dot) 형상의 복수의 제1 개구부(541)를 포함하고, 제2 타입의 적어도 하나의 범프가 접합될 영역에서 제2 전극 패드(532)를 노출시키는 도트 형상의 복수의 제2 개구부(542)를 포함한다. In this embodiment, the PSR layer 540 exposes the first and second electrode pads 531, 532 through the plurality of first openings 541 and the plurality of second openings 542. In detail, the PSR layer 540 includes a plurality of dot-shaped first openings 541 exposing the first electrode pads 531 in a region to which the plurality of bumps of the first type are to be bonded. A plurality of dot-shaped second openings 542 exposing the second electrode pad 532 in a region to which at least one bump of two types is to be bonded are included.

도 1 및 도 2에 도시된 PSR층(140)은 제1 전극 패드(131)를 노출시키기 위한 하나의 제1 개구부(141)와, 제2 전극 패드(132)를 노출시키기 위한 하나의 제2 개구부(142)를 포함할 뿐, 범프들이 접합될 영역을 개별적으로 노출시킨 것은 아니다. 따라서, 발광소자에 구비된 범프들이 제1 및 제2 전극 패드(131, 132)에 접합되는 과정에서, 인접한 범프들이 접합될 가능성이 있다. 인접한 범프들이 접합될 경우, 범프들의 높이가 일정하지 않아 발광소자와 범프 간, 또는 범프와 기판(500) 간에 접합 불량이 발생할 수 있다. The PSR layer 140 shown in FIGS. 1 and 2 has one first opening 141 for exposing the first electrode pad 131 and one second for exposing the second electrode pad 132. It only includes the opening 142, but does not individually expose the area to which the bumps are to be bonded. Therefore, in the process where the bumps included in the light emitting device are bonded to the first and second electrode pads 131 and 132, adjacent bumps may be bonded. When adjacent bumps are bonded, the heights of the bumps are not constant, so that a bonding failure may occur between the light emitting device and the bumps or between the bumps and the substrate 500.

또한, 인접한 범프들 사이의 공간은 열 이동 경로로 이용된다. 따라서, 인접한 범프들이 접합될 경우, 열 이동 경로가 차단 또는 감소되기 때문에 발광소자 모듈의 열 방출 효율이 낮아질 수 있다. In addition, the space between adjacent bumps is used as a thermal movement path. Therefore, when adjacent bumps are bonded, the heat dissipation efficiency of the light emitting device module may be lowered because the heat transfer path is blocked or reduced.

인접한 범프들이 접합되는 것을 방지하기 위하여, 이 실시예에서, PSR층(540)은 제1 및 제2 타입의 복수의 범프가 접합될 영역에서만 제1 및 제2 전극 패드(531, 532)를 노출시키는 복수의 제1 개구부(541) 및 복수의 제2 개구부(542)를 포함할 수 있다. In order to prevent adjacent bumps from bonding, in this embodiment, the PSR layer 540 exposes the first and second electrode pads 531, 532 only in the region where the plurality of bumps of the first and second types are to be bonded. The plurality of first openings 541 and the plurality of second openings 542 may be included.

PSR층(540)은 범프와 반응하지 않는 성질을 갖는다. 따라서, PSR층(540)은 제1 및 제2 전극 패드(531, 532)에서 범프가 접합될 필요가 없는 영역을 모두 덮어 인접한 범프들끼리 접합되는 것을 방지할 수 있다. The PSR layer 540 does not react with the bumps. Accordingly, the PSR layer 540 may cover all regions in which the bumps do not need to be bonded in the first and second electrode pads 531 and 532 to prevent the adjacent bumps from being bonded to each other.

또한, 복수의 제1 개구부(541) 및 복수의 제2 개구부(542)는 각각에 삽입될 범프보다 큰 직경을 가질 수 있다. 이는 복수의 제1 개구부(541) 및 복수의 제2 개구부(542)에 범프가 삽입되더라도 열 이동 경로를 확보하여 기판(500)의 열 방출 효율을 향상시키기 위한 것이다.
In addition, the plurality of first openings 541 and the plurality of second openings 542 may each have a diameter larger than that of the bumps to be inserted therein. This is to improve the heat dissipation efficiency of the substrate 500 by securing a thermal movement path even when bumps are inserted into the plurality of first openings 541 and the plurality of second openings 542.

도 6은 도 5에 도시된 발광소자 실장용 기판을 이용한 발광소자 모듈을 나타내는 도면이다. 6 is a view showing a light emitting device module using the light emitting device mounting substrate shown in FIG.

도 6을 참조하면, 발광소자 모듈은 기판(500) 상에 발광소자(600)가 플립칩 접합된 구조를 갖는다. 기판(500)은 도 5에 도시된 기판(500)을 B-B' 라인을 따라 절단한 단면으로 도시하였다. Referring to FIG. 6, the light emitting device module has a structure in which the light emitting device 600 is flip-chip bonded onto the substrate 500. Substrate 500 is a cross-sectional view of the substrate 500 shown in Figure 5 along the line B-B '.

발광소자(600)는 도 3에 도시된 발광소자(200)와 동일한 구조를 가지며, 접합면에 배치된 제1 전극(611) 및 제2 전극(612)을 포함한다. The light emitting device 600 has the same structure as the light emitting device 200 shown in FIG. 3 and includes a first electrode 611 and a second electrode 612 disposed on the bonding surface.

제1 전극(611)에는 n 타입의 복수의 범프(620)가 형성되고, 제2 전극(612)에는 p 타입의 범프(630)가 형성될 수 있다. A plurality of n-type bumps 620 may be formed on the first electrode 611, and a p-type bump 630 may be formed on the second electrode 612.

n 타입의 복수의 범프(620)는 복수의 제1 개구부(541)를 통해 노출된 제1 전극 패드(531) 상에 접합되고, p 타입의 복수의 범프(630)는 복수의 제2 개구부(542)를 통해 노출된 제2 전극 패드(532) 상에 접합된다. The plurality of n-type bumps 620 are bonded to the first electrode pad 531 exposed through the plurality of first openings 541, and the plurality of p-type bumps 630 are connected to the plurality of second openings ( And is bonded on the second electrode pad 532 exposed through 542.

n 타입의 복수의 범프(620) 및 p 타입의 복수의 범프(630)는 PSR층(540)에 의해 서로 분리되기 때문에 인접한 범프들 간에 접합이 발생하지 않는다. 따라서, n 타입 및 p 타입의 복수의 범프(620, 630)는 일정한 높이를 갖게 되어 발광소자(600) 또는 기판(500)과의 접합 불량을 방지할 수 있다. 또한, 복수의 제1 및 제2 개구부(541, 542)를 통해 열 이동 경로를 확보하여 발광소자 모듈의 열 방출 효율을 향상시킬 수 있다.
Since the n-type bumps 620 and the p-type bumps 630 are separated from each other by the PSR layer 540, bonding between adjacent bumps does not occur. Therefore, the plurality of n-type and p-type bumps 620 and 630 may have a constant height to prevent a poor bonding with the light emitting device 600 or the substrate 500. In addition, a heat transfer path may be secured through the plurality of first and second openings 541 and 542 to improve heat dissipation efficiency of the light emitting device module.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 실장용 기판을 나타내는 도면이다. 도 7에 도시된 기판(700)은 열 방출 효율의 향상과, 인접한 범프 간 접합 문제를 개선하기 위한 실시예이다. 7 is a view showing a light emitting device mounting substrate according to another embodiment of the present invention. The substrate 700 shown in FIG. 7 is an embodiment for improving heat dissipation efficiency and improving bonding problems between adjacent bumps.

도 7을 참조하면, 기판(700)은 금속층(710), 절연층(720), 제1 전극 패드(731), 제2 전극 패드(732) 및 PSR층(740)을 포함한다. Referring to FIG. 7, the substrate 700 includes a metal layer 710, an insulating layer 720, a first electrode pad 731, a second electrode pad 732, and a PSR layer 740.

절연층(720)은 금속층(710) 상에 배치되고, 제1 및 제2 전극 패드(731, 732)는 절연층(720) 상에서 서로 떨어져 배치된다. The insulating layer 720 is disposed on the metal layer 710, and the first and second electrode pads 731 and 732 are disposed apart from each other on the insulating layer 720.

이 실시예에서, 제1 전극 패드(731)는 홈부(731a) 및 복수의 제1 핑거부(731b)를 포함할 수 있다. 이 홈부(731a)는 제1 전극 패드(731)의 일 영역(예를 들어, 중심 영역)에 형성되어 절연층(720)을 노출시키고, 제2 전극 패드(732) 측으로 개구될 수 있다. In this embodiment, the first electrode pad 731 may include a groove portion 731a and a plurality of first finger portions 731b. The groove 731a may be formed in one region (eg, a central region) of the first electrode pad 731 to expose the insulating layer 720 and may be opened toward the second electrode pad 732.

복수의 제1 핑거부(731b)는 홈부(731a)의 내측을 따라 돌출되어, 서로 일정 간격 이격된다. 이 경우, 일정 간격이란, 복수의 제1 핑거부(731b)의 끝단에 범프가 접합될 경우, 인접한 범프들끼리 접합되지 않을 정도의 간격이 될 수 있다. 이 간격은 복수의 제1 핑거부(731b)의 면적과, 접합될 범프의 직경 또는 양에 따라 달라질 수 있으므로, 이들을 고려하여 복수의 제1 핑거부(731b)가 일정 간격 이격되도록 제1 전극 패드(731)를 패터닝할 수 있다. The plurality of first fingers 731b protrude along the inside of the groove 731a and are spaced apart from each other by a predetermined interval. In this case, when the bumps are joined to the ends of the plurality of first finger portions 731b, the predetermined intervals may be such that the adjacent bumps are not joined to each other. Since the interval may vary depending on the area of the plurality of first fingers 731b and the diameter or amount of the bumps to be bonded, the first electrode pads are spaced apart from each other by taking the consideration of these into consideration. 731 may be patterned.

이 실시예에서, 제2 전극 패드(732)는 제2 핑거부(732a)를 포함한다. 제2 핑거부(732a)는 제1 전극 패드(731)에 포함된 홈부(731a)가 위치한 방향으로 돌출되며, 적어도 하나가 구비될 수 있다. In this embodiment, the second electrode pad 732 includes a second finger portion 732a. The second finger part 732a may protrude in a direction in which the groove part 731a included in the first electrode pad 731 is located, and at least one may be provided.

복수의 제1 핑거부(731b)의 끝단은 발광소자에 형성된 제1 타입의 복수의 범프와 접합될 수 있으며, 제2 핑거부(732a)의 끝단은 발광소자에 형성된 제2 타입의 적어도 하나의 범프와 접합될 수 있다. 이 경우, 복수의 제1 핑거부(731b)와 제2 핑거부(732a)의 끝단은 복수의 범프가 접합 가능한 형상을 가질 수 있다. 일 예로, 각 끝단은 원형으로 형성될 수 있다. Ends of the plurality of first fingers 731b may be joined to a plurality of bumps of the first type formed in the light emitting device, and ends of the second finger parts 732a may include at least one of the second types formed in the light emitting device. It can be joined with the bumps. In this case, ends of the plurality of first fingers 731b and the second fingers 732a may have a shape in which a plurality of bumps may be joined. For example, each end may be formed in a circular shape.

한편, 복수의 제1 핑거부(731b) 및 제2 핑거부(732a)는 그 주변으로 절연층(720)이 노출된다. 이 경우, 복수의 제1 핑거부(731b) 및 제2 핑거부(732a)에 범프가 접합되더라도, 절연층(720)과 범프가 반응하지 않기 때문에 범프가 측면으로 퍼지지 않아 인접한 범프들의 접합이 방지될 수 있다. Meanwhile, the insulating layer 720 is exposed around the plurality of first fingers 731b and the second fingers 732a. In this case, even if the bumps are bonded to the plurality of first fingers 731b and the second fingers 732a, the bumps do not spread to the side because the bumps do not react with the insulating layer 720 to prevent the bonding of adjacent bumps. Can be.

또한, 복수의 제1 핑거부(731b) 및 제2 핑거부(732a)는 서로 일정 간격으로 이격되어 있기 때문에 열 이동 경로가 충분히 확보되어 기판(700)의 열 방출 효율이 향상된다. In addition, since the plurality of first fingers 731b and the second fingers 732a are spaced apart from each other at regular intervals, the thermal movement path is sufficiently secured to improve the heat dissipation efficiency of the substrate 700.

PSR층(740)은 제1 및 제2 전극 패드(731, 732) 상에서 외곽 영역을 따라 형성되어 제1 및 제2 전극 패드(731, 732)를 노출시킨다.
The PSR layer 740 is formed along the outer region on the first and second electrode pads 731 and 732 to expose the first and second electrode pads 731 and 732.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 실장용 기판을 나타내는 도면이다. 도 8에 도시된 기판(800)은 도 7에 도시된 기판(700)의 변형 실시예이다. 8 is a view showing a light emitting device mounting substrate according to another embodiment of the present invention. The substrate 800 illustrated in FIG. 8 is a modified embodiment of the substrate 700 illustrated in FIG. 7.

기판(800)은 금속층(810), 절연층(820), 제1 전극 패드(831), 제2 전극 패드(832) 및 PSR층(840)을 포함한다. 제1 전극 패드(831) 및 제2 전극 패드(832)를 제외한 다른 구성들은 도 7에 도시된 구성들과 동일하다. 따라서, 제1 전극 패드(831) 및 제2 전극 패드(832)를 중심으로 설명한다.The substrate 800 includes a metal layer 810, an insulating layer 820, a first electrode pad 831, a second electrode pad 832, and a PSR layer 840. Other configurations except for the first electrode pad 831 and the second electrode pad 832 are the same as those shown in FIG. 7. Therefore, the first electrode pad 831 and the second electrode pad 832 will be described.

제1 및 제2 전극 패드(831, 832)는 절연층(820) 상에서 서로 떨어져 배치된다. 이 실시예에서, 제1 전극 패드(831)는 제1 홈부(831a), 제2 홈부(831b) 및 복수의 제1 핑거부(831c)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 홈부(831a, 831b)는 나란히 형성되어 절연층(820)을 노출시키고, 각각 제2 전극 패드(832) 측으로 개구될 수 있다. The first and second electrode pads 831 and 832 are spaced apart from each other on the insulating layer 820. In this embodiment, the first electrode pad 831 may include a first groove portion 831a, a second groove portion 831b, and a plurality of first finger portions 831c. The first and second grooves 831a and 831b may be formed side by side to expose the insulating layer 820 and may be opened toward the second electrode pad 832, respectively.

복수의 제1 핑거부(831c)는 제1 및 제2 홈부(831a, 831b)의 내측을 따라 돌출되어, 서로 일정 간격 이격된다. The plurality of first fingers 831c protrude along the inside of the first and second grooves 831a and 831b, and are spaced apart from each other by a predetermined interval.

이 실시예에서, 제2 전극 패드(832)는 2개의 제2 핑거부(832a)를 포함한다. 2개의 제2 핑거부(832a) 중 하나는 제1 전극 패드(831)에 포함된 제1 홈부(831a)가 위치한 방향으로 돌출되며, 다른 하나는 제2 홈부(831b)가 위치한 방향으로 돌출될 수 있다. 도 8에서는 제2 전극 패드(832)에 포함된 제2 핑거부(832a)의 개수를 2개로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 핑거부(832a)의 개수 및 패턴은 실시예에 따라 달라질 수 있다. In this embodiment, the second electrode pad 832 includes two second finger portions 832a. One of the two second finger portions 832a may protrude in the direction in which the first groove portion 831a included in the first electrode pad 831 is located, and the other may protrude in the direction in which the second groove portion 831b is located. Can be. In FIG. 8, the number of the second finger parts 832a included in the second electrode pad 832 has been described as two. However, the present invention is not limited thereto, and the number and pattern of the second finger parts 832a may be different. Can vary.

복수의 제1 핑거부(831c)의 끝단은 발광소자에 형성된 제1 타입의 복수의 범프와 접합될 수 있으며, 복수의 제2 핑거부(832a)의 끝단은 발광소자에 형성된 제2 타입의 복수의 범프와 접합될 수 있다.Ends of the plurality of first fingers 831c may be joined to a plurality of bumps of a first type formed in the light emitting device, and ends of the plurality of second fingers 832a may be formed of a plurality of second types formed in the light emitting device. It can be bonded with the bump of.

도 8에 도시된 형태로 제1 및 제2 전극 패드(831, 832)를 형성할 경우, 접합될 범프의 수를 증가시켜 열 방출 효율을 향상시키되, 인접한 범프들 간의 접합 문제를 해결할 수 있다.
When the first and second electrode pads 831 and 832 are formed in the shape shown in FIG. 8, the number of bumps to be bonded may be increased to improve heat dissipation efficiency, but the bonding problem between adjacent bumps may be solved.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 실장용 기판을 나타내는 도면이다. 도 9를 참조하면, 기판(900)은 금속층(910), 절연층(920), 제1 전극 패드(931a), 제2 전극 패드(932a), 제1 더미(dummy) 패드(931b), 제4 전극 패드(932b) 및 PSR층(940)을 포함한다. 9 is a view showing a light emitting device mounting substrate according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 9, the substrate 900 includes a metal layer 910, an insulating layer 920, a first electrode pad 931a, a second electrode pad 932a, a first dummy pad 931b, and a first layer. A four electrode pad 932b and a PSR layer 940.

절연층(920)은 금속층(910) 상에 배치된다. The insulating layer 920 is disposed on the metal layer 910.

절연층(920) 상에는 제1 전극 패드(931a), 제2 전극 패드(932a), 제1 더미 패드(931b) 및 제2 더미 패드(932b)가 배치된다. The first electrode pad 931a, the second electrode pad 932a, the first dummy pad 931b, and the second dummy pad 932b are disposed on the insulating layer 920.

제1 전극 패드(931a)는 절연층(920) 상에서 제1 영역에 배치되어 발광소자에 형성된 제1 타입의 복수의 범프 중 적어도 어느 하나의 범프가 접합된다. 이 제1 전극 패드(931a)의 주변에는 제1 타입의 복수의 범프 중 적어도 다른 하나의 범프가 접합되기 위한 제1 더미 패드(931b)가 배치된다. The first electrode pad 931a is disposed in the first region on the insulating layer 920, and at least one bump of the plurality of bumps of the first type formed in the light emitting device is bonded. A first dummy pad 931b is disposed around the first electrode pad 931a for bonding at least one other bump among the plurality of bumps of the first type.

제1 타입의 복수의 범프는 발광소자의 접합면에 포함된 제1 전극에 접합될 수 있다. 따라서, 제1 전극 패드(931a) 및 제1 더미 패드(931b)는 제1 타입의 복수의 범프를 통해 제1 전극과 연결될 수 있다. The plurality of bumps of the first type may be bonded to the first electrode included in the bonding surface of the light emitting device. Therefore, the first electrode pad 931a and the first dummy pad 931b may be connected to the first electrode through a plurality of bumps of the first type.

이 실시예에서 제1 전극 패드(931a)는 적어도 어느 하나의 범프를 통해 제1 전극과 전기적으로 연결된다. 반면, 제1 더미 패드(931b)는 제1 전극 패드(931a)와 물리적으로 분리되어 있기 때문에 적어도 다른 하나의 범프를 통해 제1 전극과 연결되어 있을 뿐, 전기적으로 연결되는 구성은 아니다. 다시 말해, 제1 더미 패드(931b)는 적어도 다른 하나의 범프와 접합되어 발광소자를 지지하고, 범프를 통해 전달되는 열을 방출하는 기능을 할 뿐, 전기적 통전 기능은 하지 않는다. In this embodiment, the first electrode pad 931a is electrically connected to the first electrode through at least one bump. On the other hand, since the first dummy pad 931b is physically separated from the first electrode pad 931a, the first dummy pad 931b is connected to the first electrode through at least one other bump and is not electrically connected. In other words, the first dummy pad 931b is bonded to at least one other bump to support the light emitting device, and emits heat transferred through the bump, but does not perform an electric conduction function.

또한, 제1 더미 패드(931b)는 하나 또는 복수 개가 구비될 수 있으며, 하나의 제1 더미 패드(931b)에 하나의 범프가 접합되는 것이 바람직하다. 일 예로, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 더미 패드(931b)는 발광소자의 접합면에 형성된 제1 전극이 위치될 영역에서, 제1 전극 패드(931a)의 주변에 6개가 형성될 수 있으며, 서로 일정 간격 이격될 수 있다. 이 경우, 일정 간격이란, 6개의 제1 더미 패드(931b)에 범프가 접합될 경우, 인접한 범프들끼리 접합되지 않을 정도의 간격이 될 수 있다. 이 간격은 제1 더미 패드(931b)의 면적과, 접합될 범프의 직경 또는 양에 따라 달라질 수 있으므로, 이들을 고려하여 제1 더미 패드(931b)를 형성할 수 있다. In addition, one or a plurality of first dummy pads 931b may be provided, and one bump may be bonded to one first dummy pad 931b. For example, as illustrated in FIG. 9, six first dummy pads 931b may be formed around the first electrode pad 931a in a region where the first electrode formed on the bonding surface of the light emitting device is located. And may be spaced apart from each other at regular intervals. In this case, when the bumps are bonded to the six first dummy pads 931b, the predetermined intervals may be such that the adjacent bumps are not bonded to each other. Since the interval may vary depending on the area of the first dummy pad 931b and the diameter or amount of the bump to be bonded, the first dummy pad 931b may be formed in consideration of these gaps.

제2 전극 패드(932a)는 절연층(920) 상에서 제2 영역에 배치되어 발광소자에 형성된 제2 타입의 복수의 범프 중 적어도 어느 하나의 범프가 접합된다. 이 제2 전극 패드(932b)의 주변에는 제2 타입의 복수의 범프 중 적어도 다른 하나의 범프가 접합되기 위한 제2 더미 패드(932b)가 배치된다. The second electrode pad 932a is disposed in the second region on the insulating layer 920, and at least one bump of the plurality of bumps of the second type formed in the light emitting device is bonded. A second dummy pad 932b for joining at least one other bump among a plurality of bumps of the second type is disposed around the second electrode pad 932b.

제2 타입의 복수의 범프는 발광소자의 접합면에 포함된 제2 전극에 접합될 수 있다. 따라서, 제2 전극 패드(932a) 및 제2 더미 패드(932b)는 제2 타입의 복수의 범프를 통해 제2 전극과 연결될 수 있다. 이 실시예에서 제2 전극 패드(932a)는 적어도 어느 하나의 범프를 통해 제2 전극과 전기적으로 연결된다. 반면, 제2 더미 패드(932b)는 제2 전극 패드(932a)와 물리적으로 분리되어 있기 때문에 적어도 다른 하나의 범프를 통해 제2 전극과 연결되어 있을 뿐, 전기적으로 연결되는 구성은 아니다. 즉, 제2 더미 패드(932b)는 제1 더미 패드(931b)와 마찬가지로, 적어도 다른 하나의 범프와 접합되어 발광소자를 지지하고, 범프를 통해 전달되는 열을 방출하는 기능을 한다. The plurality of bumps of the second type may be bonded to the second electrode included in the bonding surface of the light emitting device. Therefore, the second electrode pad 932a and the second dummy pad 932b may be connected to the second electrode through a plurality of bumps of the second type. In this embodiment, the second electrode pad 932a is electrically connected to the second electrode through at least one bump. On the other hand, since the second dummy pad 932b is physically separated from the second electrode pad 932a, the second dummy pad 932b is connected to the second electrode through at least one other bump and is not electrically connected. That is, like the first dummy pad 931b, the second dummy pad 932b is bonded to at least one other bump to support the light emitting device, and functions to emit heat transferred through the bump.

또한, 제2 더미 패드(932b)는 하나 또는 복수 개가 구비될 수 있으며, 하나의 제2 더미 패드(932b)에 하나의 범프가 접합되는 것이 바람직하다. 일 예로, 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 더미 패드(932b)는 발광소자의 접합면에 형성된 제2 전극이 위치될 영역에서, 제2 전극 패드(932a)의 주변에 2개가 형성될 수 있으며, 서로 일정 간격 이격될 수 있다. In addition, one or a plurality of second dummy pads 932b may be provided, and one bump may be bonded to one second dummy pad 932b. For example, as illustrated in FIG. 9, two second dummy pads 932b may be formed around the second electrode pad 932a in a region where the second electrode formed on the bonding surface of the light emitting device is to be located. And may be spaced apart from each other at regular intervals.

PSR(Photo Solder Resist)층(940)은 제1 개구부(941)를 통해 제1 전극 패드(931a), 제1 더미 패드(931b), 제2 전극 패드(932a) 및 제2 더미 패드(932b)를 노출시킬 수 있다. The PSR (Photo Solder Resist) layer 940 may include a first electrode pad 931a, a first dummy pad 931b, a second electrode pad 932a, and a second dummy pad 932b through the first opening 941. Can be exposed.

한편, 기판(900)은 상부면에 절연층(920)을 노출시키는 원형의 개구부(950)를 포함한다. 렌즈 형성을 위한 투명 수지를 기판(900) 상에 도포하는 경우, 원형의 개구부(950)는 투명 수지의 넘침을 방지하여 반구 형상의 렌즈를 제조할 수 있으며, 렌즈의 형상 오차를 감소시킬 수 있다.
On the other hand, the substrate 900 includes a circular opening 950 exposing the insulating layer 920 on the top surface. When the transparent resin for lens formation is coated on the substrate 900, the circular opening 950 may prevent the transparent resin from overflowing, thereby manufacturing a hemispherical lens and reducing the shape error of the lens. .

도 10은 도 9에 도시된 발광소자 실장용 기판을 이용한 발광소자 모듈을 나타내는 도면이다.10 is a view showing a light emitting device module using the light emitting device mounting substrate shown in FIG.

도 10을 참조하면, 발광소자 모듈은 기판(900) 상에 발광소자(100)가 플립칩 접합된 구조를 갖는다. 기판(900)은 도 9에 도시된 기판(900)을 C-C' 라인을 따라 절단한 단면으로 도시하였다. Referring to FIG. 10, the light emitting device module has a structure in which the light emitting device 100 is flip-chip bonded onto the substrate 900. The substrate 900 is a cross-sectional view of the substrate 900 illustrated in FIG. 9 taken along the line CC ′.

발광소자(1000)는 도 3에 도시된 발광소자(200)와 동일한 구조를 가지며, 기판(900)과 접합될 면(접합면)에 배치된 제1 전극(1100) 및 제2 전극(1200)을 포함한다. The light emitting device 1000 has the same structure as the light emitting device 200 illustrated in FIG. 3, and has a first electrode 1100 and a second electrode 1200 disposed on a surface (bonding surface) to be bonded to the substrate 900. It includes.

제1 전극(1100)에는 n 타입의 복수의 범프(1300a, 1300b)가 형성되고, 제2 전극(1200)에는 p 타입의 적어도 하나의 범프(1400)가 형성될 수 있다. The n-type bumps 1300a and 1300b may be formed on the first electrode 1100, and the p-type at least one bump 1400 may be formed on the second electrode 1200.

n 타입의 적어도 어느 하나의 범프(1300a)는 PSR층(940)의 제1 개구부(941)를 통해 노출된 제1 전극 패드(931a) 상에 접합되고, p 타입의 적어도 어느 하나의 범프(1400) 역시 PSR층(940)의 제1 개구부(941)를 통해 노출된 제2 전극 패드(932a) 상에 접합된다. At least one bump 1300a of the n type is bonded on the first electrode pad 931a exposed through the first opening 941 of the PSR layer 940, and at least one bump 1400 of the p type. ) Is also bonded on the second electrode pad 932a exposed through the first opening 941 of the PSR layer 940.

또한, n 타입의 적어도 다른 하나의 범프(1300b)는 PSR층(940)의 제1 개구부(941)를 통해 노출된 제1 더미 패드(931b) 상에 접합된다. 도면에 도시되어 있지는 않으나, p 타입의 적어도 다른 하나의 범프 역시 PSR층(940)의 제1 개구부(941)를 통해 노출된 제2 더미 패드(932b) 상에 접합될 수 있다. In addition, at least one other bump 1300b of the n type is bonded on the first dummy pad 931b exposed through the first opening 941 of the PSR layer 940. Although not shown in the drawings, at least one other bump of p type may also be bonded on the second dummy pad 932b exposed through the first opening 941 of the PSR layer 940.

도 9 및 도 10에 도시된 기판(900)은 별도의 열 방출 수단을 구비하지 않고, 제1 및 제2 더미 패드(931b, 932)를 이용하여 많은 양의 열을 빠르게 방출함으로써, 열 방출 효율을 향상시킬 수 있다.
The substrate 900 shown in FIGS. 9 and 10 does not have a separate heat dissipation means, and rapidly dissipates a large amount of heat by using the first and second dummy pads 931b and 932, thereby providing heat dissipation efficiency. Can improve.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100: 발광소자 실장용 기판
110: 금속층
120: 절연층
131: 제1 전극 패드
132: 제2 전극 패드
140: PSR층 100: light emitting element mounting substrate
110: metal layer
120: insulating layer
131: first electrode pad
132: second electrode pad
140: PSR layer

Claims (10)

금속층 상에 배치된 절연층;
상기 절연층 상에서, 제1 영역에 배치되어 발광소자에 형성된 제1 타입의 복수의 범프와 접합되기 위한 제1 전극 패드;
상기 절연층 상에서, 상기 제1 영역과 떨어진 제2 영역에 배치되어 제2 타입의 적어도 하나의 범프와 접합되기 위한 제2 전극 패드; 및
상기 제1 및 제2 전극 패드 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 전극 패드를 노출시키는 PSR(Photo Solder Resist)층
을 포함하는 발광소자 실장용 기판.
An insulating layer disposed on the metal layer;
A first electrode pad disposed on the insulating layer and bonded to a plurality of bumps of a first type formed in a light emitting device;
A second electrode pad on the insulating layer, the second electrode pad being disposed in a second area away from the first area to be bonded to at least one bump of a second type; And
Photo Solder Resist (PSR) layers disposed on the first and second electrode pads to expose the first and second electrode pads.
Light emitting device mounting substrate comprising a.
제1항에 있어서,
상기 PSR층은,
상기 제1 전극 패드를 노출시키는 제1 개구부; 및
상기 제2 전극 패드를 노출시키는 제2 개구부
를 포함하는 발광소자 실장용 기판.
The method of claim 1,
The PSR layer is
A first opening exposing the first electrode pad; And
A second opening exposing the second electrode pad
Light emitting device mounting substrate comprising a.
제2항에 있어서,
상기 제1 전극 패드, 상기 제2 전극 패드 및 상기 PSR층은,
상기 PSR층을 통해 노출된 상기 제1 및 제2 전극 패드의 주변 영역에서 상기 절연층을 노출시키는 원형의 제3 개구부를 포함하는 발광소자 실장용 기판.
The method of claim 2,
The first electrode pad, the second electrode pad and the PSR layer,
And a circular third opening exposing the insulating layer in peripheral regions of the first and second electrode pads exposed through the PSR layer.
제1항에 있어서,
상기 제1 전극 패드는,
일 영역에 형성되어 상기 절연층을 노출시키고, 상기 제2 전극 패드 측으로 개구된 적어도 하나의 홈부; 및
상기 홈부의 내측을 따라 돌출되어, 서로 일정 간격 이격된 복수의 제1 핑거부
를 포함하는 발광소자 실장용 기판.
The method of claim 1,
The first electrode pad,
At least one groove formed in one region to expose the insulating layer and open toward the second electrode pad; And
A plurality of first fingers protruding along the inside of the groove, spaced apart from each other by a predetermined interval
Light emitting device mounting substrate comprising a.
제4항에 있어서,
상기 제2 전극 패드는,
상기 적어도 하나의 홈부가 위치한 방향으로 돌출된 적어도 하나의 제2 핑거부
를 포함하는 발광소자 실장용 기판.
5. The method of claim 4,
The second electrode pad,
At least one second finger protruding in a direction in which the at least one groove is located
Light emitting device mounting substrate comprising a.
제5항에 있어서,
상기 복수의 제1 핑거부 및 상기 적어도 하나의 제2 핑거부는,
끝단이 각각 상기 제1 타입 및 제2 타입의 복수의 범프가 접합 가능한 형상을 갖는 발광소자 실장용 기판.
The method of claim 5,
The plurality of first fingers and the at least one second finger portion,
A substrate for mounting a light emitting element, the end of which has a shape in which a plurality of bumps of the first type and the second type can be bonded to each other.
제1항에 있어서,
상기 PSR층은,
상기 제1 타입의 복수의 범프가 접합될 영역에서 상기 제1 전극 패드를 노출시키는 도트(dot) 형상의 복수의 제1 개구부; 및
상기 제2 타입의 적어도 하나의 범프가 접합될 영역에서 상기 제2 전극 패드를 노출시키는 도트 형상의 복수의 제2 개구부
를 포함하는 발광소자 실장용 기판.
The method of claim 1,
The PSR layer is
A plurality of first openings having a dot shape exposing the first electrode pads in a region to which the plurality of bumps of the first type are to be bonded; And
A plurality of dot-shaped second openings exposing the second electrode pads in a region to which at least one bump of the second type is to be bonded;
Light emitting device mounting substrate comprising a.
금속층 상에 배치된 절연층;
상기 절연층 상에서, 일 측에 배치되어 발광소자에 형성된 제1 타입의 복수의 범프 중 적어도 어느 하나의 범프가 접합되는 적어도 하나의 제1 전극 패드;
상기 절연층 상에서, 타 측에 배치되어 상기 발광소자에 형성된 제2 타입의 복수의 범프 중 적어도 어느 하나의 범프가 접합되는 적어도 하나의 제2 전극 패드;
상기 절연층 상에서, 상기 제1 전극 패드의 주변에 배치되어 상기 제1 타입의 복수의 범프 중 적어도 다른 하나의 범프가 접합되는 적어도 하나의 제1 더미 패드;
상기 제1 및 제2 전극 패드와, 상기 제1 더미 패드 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 전극 패드와, 상기 제1 더미 패드를 노출시키는 제1 개구부를 포함하는 PSR(Photo Solder Resist)층
을 포함하는 발광소자 실장용 기판.
An insulating layer disposed on the metal layer;
At least one first electrode pad disposed on one side of the insulating layer and bonded to at least one of a plurality of bumps of a first type formed on a light emitting device;
At least one second electrode pad disposed on the insulating layer and bonded to at least one of a plurality of bumps of a second type formed on the light emitting device;
At least one first dummy pad on the insulating layer, the at least one other bump being disposed around the first electrode pad to bond at least another bump of the plurality of bumps of the first type;
A photo solder resist (PSR) layer including the first and second electrode pads, a first opening disposed on the first dummy pad, and a first opening exposing the first and second electrode pads;
Light emitting device mounting substrate comprising a.
제8항에 있어서,
상기 절연층 상에서, 상기 제2 전극 패드의 주변에 배치되어 상기 제2 타입의 복수의 범프 중 적어도 다른 하나의 범프가 접합되는 적어도 하나의 제2 더미 패드를 더 포함하고,
상기 PSR(Photo Solder Resist)층은,
상기 제1 개구부를 통해 상기 제2 더미 패드를 더 노출시키는 발광소자 실장용 기판.
9. The method of claim 8,
And at least one second dummy pad disposed on the insulating layer, the second dummy pad being disposed around the second electrode pad, to which at least another bump of the plurality of bumps of the second type is bonded.
The PSR (Photo Solder Resist) layer,
The light emitting device mounting substrate further exposes the second dummy pad through the first opening.
제8항에 있어서,
상기 제1 전극 패드, 상기 제2 전극 패드 및 상기 PSR층은,
상기 발광소자의 접합면 주변에서 상기 절연층을 노출시키는 원형의 제2 개구부를 포함하는 발광소자 실장용 기판.
9. The method of claim 8,
The first electrode pad, the second electrode pad and the PSR layer,
A light emitting device mounting substrate comprising a circular second opening for exposing the insulating layer around the bonding surface of the light emitting device.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN108777264A (en) * 2018-05-29 2018-11-09 北京敬科技有限公司 A kind of semiconductor diode chip encapsulating structure and preparation method thereof
US10964860B2 (en) * 2019-03-15 2021-03-30 Primax Electronics Ltd. Method of packaging semiconductor illumination module

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9666561B2 (en) 2015-10-12 2017-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package and lighting apparatus including the same
CN108777264A (en) * 2018-05-29 2018-11-09 北京敬科技有限公司 A kind of semiconductor diode chip encapsulating structure and preparation method thereof
CN108777264B (en) * 2018-05-29 2019-06-07 东莞市鸿日电子有限公司 A kind of semiconductor diode chip encapsulating structure
US10964860B2 (en) * 2019-03-15 2021-03-30 Primax Electronics Ltd. Method of packaging semiconductor illumination module

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