KR20130095274A - Thermal control of solid state light sources by variable series impedance - Google Patents

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KR20130095274A
KR20130095274A KR1020137005799A KR20137005799A KR20130095274A KR 20130095274 A KR20130095274 A KR 20130095274A KR 1020137005799 A KR1020137005799 A KR 1020137005799A KR 20137005799 A KR20137005799 A KR 20137005799A KR 20130095274 A KR20130095274 A KR 20130095274A
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비주 안토니
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오스람 실바니아 인코포레이티드
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Abstract

과열 방지 회로, 및 이를 포함하는 시스템 및 방법이 제공된다. 상기 회로는, 정전류원 및 복수의 고체 상태 광원들에 결합되도록 구성된 가변 임피던스 회로를 포함한다. 상기 정전류원은 상기 복수의 고체 상태 광원들에 전류를 제공하고, 그리고 상기 회로에 대한 공급 전압을 확립하기 위해 출력 전압을 제공한다. 상기 회로는 또한, 상기 복수의 고체 상태 광원들의 온도를 감지하도록 구성된 온도 센서를 포함한다. 상기 회로는 또한, 상기 공급 전압을 수신하도록, 그리고 상기 공급 전압이 제어 회로의 적어도 최소 공급 전압일 때 상기 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 조정하기 위해, 감지된 온도에 기초하여 상기 가변 임피던스 회로를 구동시키도록 구성된 제어 회로를 포함한다.An overheat protection circuit and a system and method including the same are provided. The circuit includes a variable impedance circuit configured to be coupled to a constant current source and a plurality of solid state light sources. The constant current source provides current to the plurality of solid state light sources and provides an output voltage to establish a supply voltage for the circuit. The circuit also includes a temperature sensor configured to sense a temperature of the plurality of solid state light sources. The circuit is also configured to receive the supply voltage and to adjust the current for the plurality of solid state light sources when the supply voltage is at least the minimum supply voltage of a control circuit, the variable impedance based on sensed temperature. Control circuitry configured to drive the circuitry.

Description

가변 직렬 임피던스에 의한 고체 상태 광원들의 열 제어 {THERMAL CONTROL OF SOLID STATE LIGHT SOURCES BY VARIABLE SERIES IMPEDANCE}Thermal Control of Solid-State Light Sources by Variable Series Impedance {THERMAL CONTROL OF SOLID STATE LIGHT SOURCES BY VARIABLE SERIES IMPEDANCE}

관련 출원에 대한 상호-참조Cross-reference to related application

본 출원은 2011년 8월 2일자로 출원된 미국 특허 출원 제 13/196,464 호 및 2010년 8월 6일 출원된 가출원 제 61/371,544 호를 우선권으로 주장하며, 상기 미국 특허 출원 및 상기 가출원 모두의 전체 내용들은 인용에 의해 본원에 포함된다.This application claims priority to US patent application Ser. No. 13 / 196,464, filed Aug. 2, 2011, and provisional application No. 61 / 371,544, filed Aug. 6, 2010, to both US patent applications and the provisional application. The entire contents are incorporated herein by reference.

본 발명은 조명, 보다 구체적으로는, 고체 상태 광원들의 전자 제어에 관한 것이다.The present invention relates to illumination, more specifically electronic control of solid state light sources.

임의의 타입(예를 들어, LED, OLED, PLED 등)의 발광 다이오드(LED)와 같은(그러나, 이에 한정되지 않음) 고체 상태 광원은 전류 구동 전자 디바이스이다. 통상적으로, 하나 또는 둘 이상의 고체 상태 광원들은 정전류원과 같은(그러나, 이에 한정되지 않음) 전류원에 의해 구동된다. 단독으로 또는 광 엔진과 같은 모듈 내에 배치될 때, 고체 상태 광원은 광학 시스템(예를 들어, 렌즈) 및/또는 인광체와 같은(그러나, 이에 한정되지 않음) 연관된 파장-변환 엘리먼트를 부가적으로 포함할 수 있다. 개별적으로 또는 함께, 이들 부가적인 엘리먼트들은 고체 상태 광원의 주(primary) 광 출력을 상이한 파장/색의 부(secondary) 광 출력으로 변환할 수 있다.Solid state light sources, such as, but not limited to, light emitting diodes (LEDs) of any type (eg, LEDs, OLEDs, PLEDs, etc.) are current driven electronic devices. Typically, one or more solid state light sources are driven by a current source, such as but not limited to a constant current source. When placed alone or in a module such as a light engine, the solid state light source additionally includes an associated wavelength-converting element such as, but not limited to, an optical system (eg, a lens) and / or a phosphor. can do. Individually or together, these additional elements may convert the primary light output of the solid state light source into secondary light outputs of different wavelengths / colors.

고체 상태 광원의 광 출력 레벨은 통상의 조광 기법들을 이용하여 정전류원의 출력 전류를 조정함으로써 조정될 수 있다. 예를 들어, 하나 또는 둘 이상의 고체 상태 광원들을 포함하는 광 엔진의 광 출력 레벨은 정전류원의 출력 전류의 펄스-폭-변조(PWM) 또는 진폭 변조에 의해, 또는 정전류원의 정상 상태 DC 출력을 조정함으로써 조정될 수 있다.The light output level of the solid state light source can be adjusted by adjusting the output current of the constant current source using conventional dimming techniques. For example, the light output level of a light engine comprising one or more solid state light sources may be obtained by pulse-width-modulation (PWM) or amplitude modulation of the output current of the constant current source, or by the steady state DC output of the constant current source. Can be adjusted by adjusting.

하나 또는 둘 이상의 고체 상태 광원들을 포함하는 모듈의 설계에 있어서의 한가지 고려사항은 모듈에 의해, 보다 구체적으로는 고체 상태 광원들에 의해 발생되는 열이다. 몇몇 상황들에서, 모듈 근처의 구역에서의 온도가 임계 온도를 초과하는 경우에 고체 상태 광원 모듈에 대한 전력을 적어도 일시적으로 제거하는 것이 유용할 수 있다. 고체 상태 광원 모듈에서의 과-온도(over-temperature) 상태들로 인한 열 제어 및/또는 열 셧다운(thermal shutdown)은, 고체 상태 광원들 및/또는 모듈에 부착된 인쇄 회로 기판(PCB) 상에 위치되는 통상의 바이메탈릭(bi-metallic) 열 스위치를 이용하여 구현될 수 있다. 바이메탈릭 열 스위치는 과-온도 상태에 응답하여 회로를 개방하도록 그리고 모듈에 대한 전력을 차단하도록 구성된다.One consideration in the design of a module comprising one or more solid state light sources is the heat generated by the module, more specifically by the solid state light sources. In some situations, it may be useful to at least temporarily remove power to the solid state light source module if the temperature in the region near the module exceeds a threshold temperature. Thermal control and / or thermal shutdown due to over-temperature conditions in the solid state light source module is on a printed circuit board (PCB) attached to the solid state light sources and / or the module. It can be implemented using conventional bi-metallic thermal switches located. The bimetallic thermal switch is configured to open the circuit in response to an over-temperature condition and to cut off power to the module.

그러나, 통상의 바이메탈릭 스위치는 부피가 클 수 있으며, 따라서 모듈 내에서 상당한 공간을 차지할 수 있다. 몇몇 설계들에서, 고체 상태 광원 모듈은 이용가능한 공간에 이러한 스위치를 포함하기 위해, 이용가능한 공간의 상당한 양을 쓸 수 있다. 그러나, 특히 공간이 귀한 모듈 설계들에서, 이러한 스위치의 이용은 현실적이지 않을 수 있다. 게다가, 공간 가용성과 상관없이, 이러한 스위치들은 통상적으로, LED들과 같은 고체 상태 광원들을 포함하는 광원 모듈의 예상되는 수명과 비교하여 다소 한정된 수명을 갖는다.However, conventional bimetallic switches can be bulky and thus occupy significant space within the module. In some designs, the solid state light source module can spend a significant amount of available space to include such a switch in the available space. However, especially in space-designed modular designs, the use of such a switch may not be practical. In addition, regardless of space availability, these switches typically have a somewhat limited lifetime compared to the expected lifetime of a light source module that includes solid state light sources such as LEDs.

본 발명의 실시예들은, 일반적으로 온도 센서, 가변 임피던스 회로, 및 제어 회로를 포함하는 과열 방지 회로(thermal protection circuit)를 제공한다. 가변 임피던스 회로는 전류원(예를 들어, 정전류원) 및 (하나 또는 둘 이상의 모듈들과 분리된 또는 상기 하나 또는 둘 이상의 모듈들의 부분으로서) 복수의 고체 상태 광원들과 직렬로 결합된다. 과열 방지 회로는 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 감소시키기 위해, 감지된 온도에 기초하여 가변 임피던스 회로를 제어하도록 구성된다. 제어 회로에 대한 공급 전압이 제어 회로의 최소 공급 전압을 초과할 때, 감지된 온도가 미리결정된 임계 온도를 초과한다면, 과열 방지 회로가 활성화된다.Embodiments of the present invention generally provide a thermal protection circuit comprising a temperature sensor, a variable impedance circuit, and a control circuit. The variable impedance circuit is coupled in series with a current source (eg, a constant current source) and a plurality of solid state light sources (separate from one or more modules or as part of said one or more modules). The overheat protection circuit is configured to control the variable impedance circuit based on the sensed temperature to reduce current for the plurality of solid state light sources. When the supply voltage to the control circuit exceeds the minimum supply voltage of the control circuit, if the sensed temperature exceeds the predetermined threshold temperature, the overheat protection circuit is activated.

몇몇 실시예들에서, 과열 방지 회로에 대한 입력 전압은, 선택된 조광 입력 설정 및/또는 전류원에 의해 구동된 부하의 임피던스에 따라 변화할 수 있는 전류원(예를 들어, 정전류원)의 출력 전압에 의해 제공된다. 예를 들어 낮은 조광기 설정으로부터 비롯되는 낮은 전류원 출력 전압에서, 과열 방지 회로에 대한 입력 전압은 제어 회로의 적어도 일부의 최소 공급 전압 미만으로 떨어질 수 있다. 따라서, 과열 방지 회로는 최소 공급 전압 미만의 입력 전압을 보상하도록 구성된 저전압 보상 회로를 포함할 수 있다.In some embodiments, the input voltage to the overheat protection circuit is caused by the output voltage of a current source (eg, a constant current source) that can vary depending on the selected dimming input setting and / or the impedance of the load driven by the current source. Is provided. For example, at low current source output voltages resulting from low dimmer settings, the input voltage to the overheat protection circuit may drop below the minimum supply voltage of at least a portion of the control circuit. Thus, the overheat protection circuit may include a low voltage compensation circuit configured to compensate an input voltage below the minimum supply voltage.

예를 들어, 과열 방지 회로는, 입력 전압이 최소 공급 전압에 대응하는 저전압 임계치 미만으로 떨어질 때, 제어 회로와는 독립적으로, 가변 임피던스 회로를 저 임피던스 상태로 구동시키도록 구성될 수 있다. 이는, 예를 들어 낮은 조광기 설정에 의해 확립되는 바와 같이, 매우 낮은 광 출력 레벨들에서의 고체 상태 광원들의 정상 동작을 허용한다. 저전압 보상 회로는, 제어 회로로의 공급 전압에 대한 입력 전압에 있어서의 변화의 영향들을 보상하도록 더 구성될 수 있다. 예를 들어, 저전압 보상 회로는 조광 동안 입력 전압의 감소를 둔화(slow)시키도록 구성된 에너지 저장 엘리먼트, 예를 들어 커패시터를 포함할 수 있다.For example, the overheat protection circuit can be configured to drive the variable impedance circuit to a low impedance state, independent of the control circuit, when the input voltage falls below the low voltage threshold corresponding to the minimum supply voltage. This allows for normal operation of solid state light sources at very low light output levels, as established for example by low dimmer settings. The low voltage compensation circuit can be further configured to compensate for the effects of the change in the input voltage on the supply voltage to the control circuit. For example, the low voltage compensation circuit can include an energy storage element, eg, a capacitor, configured to slow the reduction of the input voltage during dimming.

실시예에서, 과열 방지 회로가 제공된다. 과열 방지 회로는: 정전류원 및 복수의 고체 상태 광원들에 결합되도록 구성된 가변 임피던스 회로 ― 정전류원은 복수의 고체 상태 광원들에 전류를 제공하도록 그리고 과열 방지 회로에 대한 공급 전압을 확립하기 위해 출력 전압을 제공하도록 구성됨 ―; 복수의 고체 상태 광원들의 온도를 감지하도록 구성된 온도 센서; 및 공급 전압을 수신하도록, 그리고 공급 전압이 제어 회로의 적어도 최소 공급 전압일 때 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 조정하기 위해, 감지된 온도에 기초하여 가변 임피던스 회로를 구동시키도록 구성된 제어 회로를 포함한다.In an embodiment, an overheat protection circuit is provided. The overheat protection circuit comprises: a variable impedance circuit configured to be coupled to a constant current source and a plurality of solid state light sources, the constant current source providing current to the plurality of solid state light sources and to establish a supply voltage for the overheat protection circuit. Configured to provide; A temperature sensor configured to sense a temperature of the plurality of solid state light sources; And a control circuit configured to drive the variable impedance circuit based on the sensed temperature to receive the supply voltage and to adjust the current for the plurality of solid state light sources when the supply voltage is at least the minimum supply voltage of the control circuit. It includes.

관련된 실시예에서, 과열 방지 회로는 감지된 온도와는 독립적으로, 공급 전압이 최소 공급 전압 미만일 때, 가변 임피던스 회로를 저 임피던스 상태로 구동시키도록 구성된 저전압 보상 회로를 더 포함할 수 있다. 추가의 관련된 실시예에서, 저전압 보상 회로는, 공급 전압이 최소 공급 전압 미만일 때 제어 회로를 가변 임피던스 회로로부터 절연시키도록 구성된 저전압 제어 회로를 포함할 수 있다. 다른 추가의 관련된 실시예에서, 저전압 보상 회로는 출력 전압이 최소 공급 전압 미만으로 감소한 후의 시간 기간 동안 공급 전압을 최소 공급 전압 초과로 유지하도록 구성된 에너지 저장 엘리먼트를 포함할 수 있다.In a related embodiment, the overheat protection circuit may further comprise a low voltage compensation circuit configured to drive the variable impedance circuit to a low impedance state when the supply voltage is below the minimum supply voltage, independent of the sensed temperature. In a further related embodiment, the low voltage compensation circuit can include a low voltage control circuit configured to isolate the control circuit from the variable impedance circuit when the supply voltage is below the minimum supply voltage. In another further related embodiment, the low voltage compensation circuit may include an energy storage element configured to maintain the supply voltage above the minimum supply voltage for a period of time after the output voltage decreases below the minimum supply voltage.

다른 관련된 실시예에서, 제어 회로는 온도 임계치 회로; 및 비교기 회로를 포함할 수 있으며, 비교기 회로는 온도 임계치 회로 및 온도 센서에 결합될 수 있고, 비교기 회로는, 감지된 온도가 미리-결정된 임계 온도보다 높거나 동일할 때 가변 임피던스 회로를 고 임피던스 상태로 구동시키도록 구성될 수 있다. 추가의 관련된 실시예에서, 비교기 회로는 가변 임피던스 회로를, 감지된 온도와 미리-결정된 임계 온도 사이의 차이에 기초하여 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 임피던스로 구동시키도록 구성될 수 있다.In another related embodiment, the control circuit comprises a temperature threshold circuit; And a comparator circuit, the comparator circuit may be coupled to a temperature threshold circuit and a temperature sensor, the comparator circuit configured to move the variable impedance circuit into a high impedance state when the sensed temperature is higher than or equal to a predetermined threshold temperature. It can be configured to drive. In a further related embodiment, the comparator circuit can be configured to drive the variable impedance circuit with an impedance between the high impedance state and the low impedance state based on the difference between the sensed temperature and the predetermined threshold temperature.

또다른 관련된 실시예에서, 복수의 고체 상태 광원들은 복수의 고체 상태 광원 모듈들 내에 위치될 수 있다.In yet another related embodiment, the plurality of solid state light sources may be located in the plurality of solid state light modules.

또다른 실시예에서, 과열 방지 조명 시스템이 제공된다. 과열 방지 조명 시스템은: 하나 또는 둘 이상의 고체 상태 광원 모듈들 내에 위치되는 복수의 고체 상태 광원들; 전류를 복수의 고체 상태 광원들에 제공하도록 그리고 공급 전압을 확립하기 위해 출력 전압을 제공하도록 구성된 정전류원; 및 과열 방지 회로를 포함하며, 과열 방지 회로는: 정전류원 및 복수의 고체 상태 광원들에 결합된 가변 임피던스 회로; 복수의 고체 상태 광원들의 온도를 감지하도록 구성된 온도 센서; 및 공급 전압을 수신하도록 그리고 공급 전압이 제어 회로의 적어도 최소 공급 전압일 때 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 제어하기 위해, 감지된 온도에 기초하여 가변 임피던스 회로를 구동시키도록 구성된 제어 회로를 포함한다.In another embodiment, an overheat protection lighting system is provided. The overheat protection illumination system includes: a plurality of solid state light sources located within one or more solid state light modules; A constant current source configured to provide a current to the plurality of solid state light sources and to provide an output voltage to establish a supply voltage; And an overheat protection circuit, the overheat protection circuit comprising: a variable impedance circuit coupled to a constant current source and a plurality of solid state light sources; A temperature sensor configured to sense a temperature of the plurality of solid state light sources; And a control circuit configured to drive the variable impedance circuit based on the sensed temperature to receive a supply voltage and to control current for the plurality of solid state light sources when the supply voltage is at least the minimum supply voltage of the control circuit. Include.

관련된 실시예에서, 과열 방지 회로는 감지된 온도와는 독립적으로, 공급 전압이 최소 공급 전압 미만일 때, 가변 임피던스 회로를 저 임피던스 상태로 구동시키도록 구성된 저전압 보상 회로를 포함할 수 있다. 추가의 관련된 실시예에서, 저전압 보상 회로는, 공급 전압이 최소 공급 전압 미만일 때 제어 회로를 가변 임피던스 회로로부터 절연시키도록 구성된 저전압 제어 회로를 포함할 수 있다. 또다른 추가의 관련된 실시예에서, 저전압 보상 회로는, 출력 전압이 최소 공급 전압 미만으로 감소한 후의 시간 기간 동안 공급 전압을 최소 공급 전압 초과로 유지하도록 구성된 에너지 저장 엘리먼트를 포함할 수 있다.In a related embodiment, the overheat protection circuit may include a low voltage compensation circuit configured to drive the variable impedance circuit to a low impedance state when the supply voltage is below the minimum supply voltage, independent of the sensed temperature. In a further related embodiment, the low voltage compensation circuit can include a low voltage control circuit configured to isolate the control circuit from the variable impedance circuit when the supply voltage is below the minimum supply voltage. In another further related embodiment, the low voltage compensation circuit may include an energy storage element configured to maintain the supply voltage above the minimum supply voltage for a period of time after the output voltage decreases below the minimum supply voltage.

다른 관련된 실시예에서, 제어 회로는: 온도 임계치 회로; 및 비교기 회로를 포함할 수 있으며, 비교기 회로는 온도 임계치 회로 및 온도 센서에 결합될 수 있고, 비교기 회로는, 감지된 온도가 미리-결정된 임계 온도보다 높거나 동일할 때 가변 임피던스 회로를 고 임피던스 상태로 구동시키도록 구성될 수 있다. 추가의 관련된 실시예에서, 비교기 회로는 가변 임피던스 회로를, 감지된 온도와 미리-결정된 임계 온도 사이의 차이에 기초하여 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 임피던스로 구동시키도록 구성될 수 있다.In another related embodiment, the control circuit comprises: a temperature threshold circuit; And a comparator circuit, the comparator circuit may be coupled to a temperature threshold circuit and a temperature sensor, the comparator circuit configured to move the variable impedance circuit into a high impedance state when the sensed temperature is higher than or equal to a predetermined threshold temperature. It can be configured to drive. In a further related embodiment, the comparator circuit can be configured to drive the variable impedance circuit with an impedance between the high impedance state and the low impedance state based on the difference between the sensed temperature and the predetermined threshold temperature.

또다른 관련된 실시예에서, 정전류원은 조광 입력 신호를 수신하도록 그리고 조광 입력에 기초하여 복수의 고체 상태 광원들에 전류를 제공하도록 구성될 수 있다.In another related embodiment, the constant current source may be configured to receive a dimming input signal and to provide a current to the plurality of solid state light sources based on the dimming input.

다른 실시예에서, 과열 방지를 제공하는 방법이 제공된다. 방법은: 가변 임피던스 회로를 정전류원 및 복수의 고체 상태 광원들에 결합하는 단계 ― 정전류원은 복수의 고체 상태 광원들에 전류를 제공하도록 그리고 공급 전압을 확립하기 위해 출력 전압을 제공하도록 구성됨 ―; 온도 센서를 이용하여 복수의 고체 상태 광원들의 온도를 감지하는 단계; 및 공급 전압이 제어 회로의 적어도 최소 공급 전압일 때 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 조정하기 위해, 제어 회로에 의해 가변 임피던스 회로를 구동시키는 단계를 포함한다.In another embodiment, a method of providing overheat protection is provided. The method includes: coupling a variable impedance circuit to a constant current source and a plurality of solid state light sources, wherein the constant current source is configured to provide a current to the plurality of solid state light sources and to provide an output voltage to establish a supply voltage; Sensing a temperature of the plurality of solid state light sources using a temperature sensor; And driving the variable impedance circuit by the control circuit to adjust the current for the plurality of solid state light sources when the supply voltage is at least the minimum supply voltage of the control circuit.

관련된 실시예에서, 구동시키는 단계는: 감지된 온도와는 독립적으로, 공급 전압이 최소 공급 전압 미만일 때, 저전압 보상 회로에 의해 가변 임피던스 회로를 저 임피던스 상태로 구동시키는 단계를 포함할 수 있다. 추가의 관련된 실시예에서, 방법은 공급 전압이 최소 공급 전압 미만일 때 저전압 제어 회로를 통해, 제어 회로를 가변 임피던스 회로로부터 절연시키는 단계를 더 포함할 수 있으며, 저전압 제어 회로는 저전압 보상 회로의 부분이다. 다른 추가의 관련된 실시예에서, 방법은 저전압 보상 회로의 에너지 저장 엘리먼트를 통해, 출력 전압이 최소 공급 전압 미만으로 감소한 후의 시간 기간 동안 공급 전압을 최소 공급 전압 초과로 유지하는 단계를 더 포함할 수 있다.In a related embodiment, driving may include: driving the variable impedance circuit to a low impedance state by the low voltage compensation circuit, when the supply voltage is below the minimum supply voltage, independent of the sensed temperature. In a further related embodiment, the method may further comprise isolating the control circuit from the variable impedance circuit, via the low voltage control circuit when the supply voltage is below the minimum supply voltage, the low voltage control circuit being part of the low voltage compensation circuit. . In another further related embodiment, the method may further include maintaining the supply voltage above the minimum supply voltage for a period of time after the output voltage decreases below the minimum supply voltage through the energy storage element of the low voltage compensation circuit. .

또다른 관련된 실시예에서, 구동시키는 단계는: 감지된 온도가 미리-결정된 임계 온도보다 높거나 동일할 때, 제어 회로의 비교기 회로를 통해, 가변 임피던스 회로를 고 임피던스 상태로 구동시키는 단계를 포함할 수 있으며, 비교기 회로는 온도 임계치 회로 및 온도 센서에 결합된다. 다른 관련된 실시예에서, 구동시키는 단계는, 제어 회로의 비교기 회로를 통해, 가변 임피던스 회로를, 감지된 온도와 미리-결정된 임계 온도 사이의 차이에 기초하여 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 임피던스로 구동시키는 단계를 포함할 수 있다.In another related embodiment, driving includes: driving the variable impedance circuit to a high impedance state, via a comparator circuit of the control circuit, when the sensed temperature is higher than or equal to a predetermined threshold temperature. And a comparator circuit is coupled to the temperature threshold circuit and the temperature sensor. In another related embodiment, the step of driving comprises, through the comparator circuit of the control circuit, driving the variable impedance circuit into an impedance between the high impedance state and the low impedance state based on the difference between the sensed temperature and the predetermined threshold temperature. Driving may be included.

본 명세서에 개시된 상술한 내용과, 다른 목적들, 특징들, 및 이점들은 첨부 도면들에서 예시된 바와 같은, 본 명세서에 개시된 특정 실시예들의 아래의 설명으로부터 명백해질 것이며, 상기 첨부 도면들에서 동일한 참조 부호들은 상이한 도면들에 걸쳐 동일한 부분들을 나타낸다. 도면들은 반드시 축척에 맞지는 않으며, 대신 본 명세서에 개시된 원리들을 예시할 때 강조가 이루어진다.
도 1은 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 과열 방지 조명 시스템의 블록도를 도시한다.
도 2는 도 1의 과열 방지 조명 시스템의 제어 회로의 블록도이다.
도 3은 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 과열 방지 조명 시스템의 개략도이다.
도 4는 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 과열 방지 조명 시스템의 개략도이다.
도 5는 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 과열 방지 조명 시스템의 블록도이다.
도 6은 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 과열 방지 조명 시스템의 개략도이다.
도 7 내지 도 9는 각각 98%, 50%, 및 4%의 PWM 듀티 사이클들에 대한, 도 6에 예시된 시스템에 있어서의, 예시적인 입력 전류(IIN) 및 입력 전압(VIN) 대 시간의 플롯들을 도시한다.
도 10은 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 방법의 블록 흐름도이다.The foregoing description, as well as other objects, features, and advantages disclosed herein, will be apparent from the following description of certain embodiments disclosed herein, as illustrated in the accompanying drawings, in which: Reference numerals denote like parts throughout the different figures. The drawings are not necessarily to scale, emphasis instead being placed upon illustrating the principles disclosed herein.
1 shows a block diagram of an overheat protection lighting system according to embodiments disclosed herein.
FIG. 2 is a block diagram of a control circuit of the overheat protection lighting system of FIG. 1.
3 is a schematic diagram of an overheat protection lighting system according to embodiments disclosed herein.
4 is a schematic diagram of an overheat protection lighting system according to embodiments disclosed herein.
5 is a block diagram of an overheat protection lighting system according to embodiments disclosed herein.
6 is a schematic diagram of an overheat protection lighting system according to embodiments disclosed herein.
7-9 show exemplary input current I IN and input voltage V IN in the system illustrated in FIG. 6 for PWM duty cycles of 98%, 50%, and 4%, respectively. Plots of time are shown.
10 is a block flow diagram of a method in accordance with embodiments disclosed herein.

도 1은 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 과열 방지 조명 시스템(100)(이하 시스템(100))의 블록도이다. 시스템(100)은 정전류원(102), LED 어셈블리(104), 및 과열 방지 회로(110)를 포함한다. 정전류원(102)은, 비교적 일정한 전류(IIN)를 LED 어셈블리(104)에 공급하도록 그리고 가변 입력 전압(VIN)을 시스템(100)에 공급하도록 구성된 알려진 전류원일 수 있다. 정전류원(102)으로부터의 가변 입력 전압(VIN)은 과열 방지 회로(110)의 동작을 위해 공급 전압을 확립하기 위해 이용될 수 있다.1 is a block diagram of an overheat protection lighting system 100 (hereinafter system 100) in accordance with embodiments disclosed herein. System 100 includes a constant current source 102, an LED assembly 104, and an overheat protection circuit 110. The constant current source 102 may be a known current source configured to supply a relatively constant current I IN to the LED assembly 104 and to supply a variable input voltage V IN to the system 100. The variable input voltage V IN from the constant current source 102 may be used to establish a supply voltage for the operation of the overheat protection circuit 110.

LED 어셈블리(104)는 복수의 고체 상태 광원 모듈들(106-1...106-n) ― 집합적으로 고체 상태 광원 모듈들(106) ― 및 인쇄 회로 기판(PCB)(108)을 포함할 수 있다. 각각의 고체 상태 광원 모듈(106-1...106-n)은 적어도 하나의 고체 상태 광원을 포함한다. 따라서, 고체 상태 광원 모듈(106)은 복수의 고체 상태 광원들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 고체 상태 광원 모듈들(106)은 인쇄 회로 기판(PCB)(108) 또는 동등한 기판 상에 장착될 수 있다. 몇몇 실시예들에서(도 1에 도시되지 않음), 정전류원(102)은 예를 들어, 과열 방지 회로(110) 또는 LED 어셈블리(104)와 동일한 인쇄 회로 기판(108) 상에 및/또는 상기 인쇄 회로 기판(108)과 관련하여 국부적으로 제공될 수 있거나, 또는 상기 인쇄 회로 기판(108)으로부터 멀리 떨어져, 예를 들어 물리적으로 분리된 인쇄 회로 기판 상에 또는 별개의 하우징 내에 위치될 수 있다.The LED assembly 104 includes a plurality of solid state light source modules 106-1... 106-n-collectively solid state light source modules 106-and a printed circuit board (PCB) 108. Can be. Each solid state light source module 106-1 ... 106-n includes at least one solid state light source. Thus, the solid state light source module 106 may include a plurality of solid state light sources. In some embodiments, solid state light source modules 106 may be mounted on a printed circuit board (PCB) 108 or equivalent substrate. In some embodiments (not shown in FIG. 1), the constant current source 102 is on and / or on the same printed circuit board 108 as, for example, the overheat protection circuit 110 or the LED assembly 104. It may be provided locally in relation to the printed circuit board 108 or may be located far from the printed circuit board 108, for example on a physically separated printed circuit board or in a separate housing.

과열 방지 회로(110)는 온도 센서(112), 제어 회로(114), 및 가변 임피던스 회로(116)를 포함한다. 일반적으로, 과열 방지 회로(110)는 고체 상태 광원 모듈들(106) 근처의 온도가 미리결정된 임계치를 초과한다는 것을 온도 센서(112)가 표시할 때, 예를 들어 고체 상태 광원(들)을 턴오프하기 위해, 고체 상태 광원 모듈들(106)을 통하는 전류를 0 또는 거의 0으로 감소시키도록 구성된다. 고체 상태 광원 모듈들(106) 근처의 온도가 미리결정된 임계치 미만으로 강하했다는 것을 온도 센서(112)가 표시할 때, 과열 방지 회로(110)는, 예를 들어 고체 상태 광원(들)을 턴온하기 위해, 고체 상태 광원 모듈들(106)을 통하는 전류를 정상 동작 값으로 되돌릴(return) 수 있다.The overheat protection circuit 110 includes a temperature sensor 112, a control circuit 114, and a variable impedance circuit 116. Generally, the overheat protection circuit 110 turns on, for example, the solid state light source (s) when the temperature sensor 112 indicates that the temperature near the solid state light source modules 106 exceeds a predetermined threshold. In order to be off, it is configured to reduce the current through the solid state light source modules 106 to zero or nearly zero. When the temperature sensor 112 indicates that the temperature near the solid state light source modules 106 has dropped below a predetermined threshold, the overheat protection circuit 110 may, for example, turn on the solid state light source (s). To this end, the current through the solid state light source modules 106 may be returned to its normal operating value.

온도 센서(112)는 서미스터 또는 집적 회로 온도 센서와 같은(그러나, 이에 한정되지 않음) 임의의 알려진 유형의 온도 센서일 수 있다. 시스템(100)에서 이용되는 온도 센서는, 고체 상태 광원 모듈들(106)과 연관된 온도에 따라 변화하는 출력, 또는 저항과 같은 특성을 가져야 하며, 상기 온도 센서는 LED 어셈블리(104) 내에 또는 상기 LED 어셈블리(104) 상에 위치될 수 있다. 예를 들어, 온도 센서(112)는 인쇄 회로 기판(108) 상에 또는 상기 인쇄 회로 기판(108) 근처에 장착될 수 있다. 온도 센서는 온도를 표시하는 "출력"을 제공하는 것으로서 또는 단순히 온도를 "표시"하는 것으로서 본 명세서에서 기술될 수 있다. 본 명세서에서 이용되는 바와 같이, 이러한 용어는 온도 센서의 온도-종속적인 값, 특성, 또는 출력 및/또는 온도 센서에 결합된 시스템 또는 컴포넌트의 값, 특성, 또는 출력을 나타내는 것으로 이해된다. 예를 들어, 서미스터 온도 센서는 비교기 회로에 대한 임계 전압을 변경할 수 있는 온도-종속적인 저항을 갖는다. 서미스터의 온도-종속적인 저항은 온도를 표시하는 온도 센서의 "출력"으로서 또는 온도를 표시하는 것으로서 본 명세서에서 기술될 수 있다.Temperature sensor 112 may be any known type of temperature sensor, such as but not limited to a thermistor or integrated circuit temperature sensor. The temperature sensor used in the system 100 should have characteristics such as an output, or resistance that varies with the temperature associated with the solid state light source modules 106, the temperature sensor being within the LED assembly 104 or the LED. It may be located on the assembly 104. For example, the temperature sensor 112 may be mounted on or near the printed circuit board 108. The temperature sensor may be described herein as providing an "output" indicating the temperature or as simply "indicating" the temperature. As used herein, this term is understood to refer to the temperature-dependent value, characteristic, or output of a temperature sensor and / or the value, characteristic, or output of a system or component coupled to the temperature sensor. For example, the thermistor temperature sensor has a temperature-dependent resistance that can change the threshold voltage for the comparator circuit. The temperature-dependent resistance of a thermistor can be described herein as the "output" of a temperature sensor indicating temperature or as indicating temperature.

제어 회로(114)는 온도 센서(112) 및 가변 임피던스 회로(116)에 결합된다. 몇몇 실시예들에서, 제어 회로(114)는 인쇄 회로 기판(108) 상에 위치된다. 대안적으로, 또는 부가적으로, 제어 회로(114)는 상기 인쇄 회로 기판(108)으로부터 멀리 떨어진다(예를 들어, 동일한 인쇄 회로 기판 상에 있지 않음 및/또는 동일한 하우징 내에 있지 않음). 가변 임피던스 회로(116)는, 제어 회로(114)의 출력에 응답하여 예를 들어, 이산으로(discretely) 또는 선형으로(linearly) 변화하는 임피던스를 나타낸다. 제어 회로(114)는 온도 센서(112)의 출력에 응답하여 가변 임피던스 회로(116)의 임피던스를 설정하도록 구성된다. 예를 들어, 온도 센서(112) 근처의 온도가 미리결정된 임계치를 초과한다는 것을 상기 온도 센서(112)가 표시한다면, 제어 회로(114)는, 고체 상태 광원 모듈들(106)에 대한 전류를 0 또는 거의 0으로 감소시키기 위해 가변 임피던스 회로(116)를 고 임피던스 상태로 설정하도록 구성될 수 있다. 온도 센서(112) 근처의 온도가 미리결정된 임계치 미만이라는 것을 또는 상기 미리결정된 임계치 미만으로 떨어졌다는 것을 상기 온도 센서(112)가 표시한다면, 제어 회로(114)는, 가변 임피던스 회로(116)를 그의 고 임피던스 상태보다 낮은 저 임피던스 상태로 설정하도록 구성될 수 있다. 저 임피던스 상태는, 고체 상태 광원 모듈들(106)의 광 출력 레벨에 대한 가변 임피던스 회로(116)의 영향을 최소화하도록 또는 가변 임피던스 회로(116)에서의 전력 손실을 최소화하도록 구성될 수 있다. 제어 회로(114)는 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 이산 변화들에 따라 가변 임피던스 회로(116)의 임피던스를 설정하도록 구성될 수 있거나, 또는 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이에서의 가변 임피던스 회로(116)의 임피던스의 점진적 전이를 확립하도록 구성될 수 있다. 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 점진적인 전이는 과-온도 상태에서 고체 상태 광원 모듈들(106)을 턴오프하기 전에 상기 고체 상태 광원 모듈들(106)의 광 출력 레벨을 조광하도록 동작할 수 있다.The control circuit 114 is coupled to the temperature sensor 112 and the variable impedance circuit 116. In some embodiments, the control circuit 114 is located on the printed circuit board 108. Alternatively, or in addition, the control circuit 114 is remote from the printed circuit board 108 (eg, not on the same printed circuit board and / or not in the same housing). The variable impedance circuit 116 exhibits an impedance that varies discretely or linearly, for example, in response to the output of the control circuit 114. The control circuit 114 is configured to set the impedance of the variable impedance circuit 116 in response to the output of the temperature sensor 112. For example, if the temperature sensor 112 indicates that the temperature near the temperature sensor 112 exceeds a predetermined threshold, the control circuit 114 zeros the current for the solid state light source modules 106. Or set the variable impedance circuit 116 to a high impedance state to reduce it to nearly zero. If the temperature sensor 112 indicates that the temperature near the temperature sensor 112 is below a predetermined threshold or has fallen below the predetermined threshold, the control circuit 114 replaces the variable impedance circuit 116 with it. It may be configured to set to a low impedance state lower than the high impedance state. The low impedance state can be configured to minimize the effect of the variable impedance circuit 116 on the light output level of the solid state light source modules 106 or to minimize power loss in the variable impedance circuit 116. The control circuit 114 may be configured to set the impedance of the variable impedance circuit 116 according to discrete changes between the high impedance state and the low impedance state, or the variable impedance circuit between the high impedance state and the low impedance state. Can be configured to establish a gradual transition of impedance of 116. The gradual transition between the high impedance state and the low impedance state may be operable to illuminate the light output level of the solid state light source modules 106 before turning off the solid state light source modules 106 in an over-temperature state. .

도 2는 도 1에 도시된 제어 회로(114)의 실시예의 블록도이다. 제어 회로(114)는 비교기 회로(202), 온도 감지 회로(204), 및 온도 임계치 회로(206)를 포함한다. 비교기 회로(202)는 온도 감지 회로(204) 및 온도 임계치 회로(206)에 결합되며, 상기 비교기 회로(202)는 출력을 가변 임피던스 회로(116)에 제공하도록 구성된다. 온도 감지 회로(204)는 온도 감지 신호를 비교기 회로(202)에 제공하도록 구성된다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 온도 감지 신호는 도 1에 도시된 온도 센서(112)의 온도-종속적인 (예를 들어, 저항) 값을 나타낸다. 온도 임계치 회로(206)는 미리결정된 임계 온도를 나타내는 온도 임계치 신호를 비교기 회로(202)에 제공하도록 구성된다. 비교기 회로(202)는 온도 임계치 신호와 온도 감지 신호의 상대적인 값들(예를 들어, 값들 사이의 차이)에 적어도 부분적으로 기초하여 출력을 제공한다. 예를 들어, 온도 감지 신호가 온도 임계치 신호보다 크다면, 비교기 회로(202)는 가변 임피던스 회로(116)를 고 임피던스 상태로 설정하도록 구성될 수 있어서, 고체 상태 광원 모듈들(106)에 대한 전류를 감소시킨다. 온도 감지 신호가 온도 임계치 신호보다 작다면, 비교기 회로(202)는, 가변 임피던스 회로(116)를 저 임피던스 상태로 설정하도록 구성될 수 있어서, 조광 입력에 기초하여 고체 상태 광원 모듈들(106)에 대한 전류를 허용한다.2 is a block diagram of an embodiment of the control circuit 114 shown in FIG. The control circuit 114 includes a comparator circuit 202, a temperature sensing circuit 204, and a temperature threshold circuit 206. Comparator circuit 202 is coupled to temperature sensing circuit 204 and temperature threshold circuit 206, which is configured to provide an output to variable impedance circuit 116. The temperature sensing circuit 204 is configured to provide a temperature sensing signal to the comparator circuit 202. For example, in some embodiments, the temperature sensing signal represents a temperature-dependent (eg, resistance) value of the temperature sensor 112 shown in FIG. 1. The temperature threshold circuit 206 is configured to provide a comparator circuit 202 with a temperature threshold signal indicative of a predetermined threshold temperature. The comparator circuit 202 provides an output based at least in part on the relative values (eg, the difference between the values) of the temperature threshold signal and the temperature sensing signal. For example, if the temperature sensing signal is greater than the temperature threshold signal, the comparator circuit 202 may be configured to set the variable impedance circuit 116 to a high impedance state, such that the current for the solid state light source modules 106. Decreases. If the temperature sensing signal is less than the temperature threshold signal, the comparator circuit 202 may be configured to set the variable impedance circuit 116 to a low impedance state to provide the solid state light source modules 106 based on the dimming input. Allow current for

몇몇 실시예들에서, 비교기 회로(202)는, 비교기 회로(202)의 출력이 온도 감지 신호 및 온도 임계치 신호뿐만 아니라 비교기 회로(202) 내의 비교기(도 2에 도시되지 않음)의 출력에 따르도록, 히스테리시스(hysteresis)와 함께 구성된다. 알려진 바와 같이, 히스테리시스를 갖는 비교기 회로는, 입력(즉, 온도 감지 신호)이 임계치(즉, 온도 임계치 신호) 미만으로부터 증가하는지 또는 임계치(즉, 온도 임계치 신호) 초과로부터 감소하는지에 따라 상이한 입력 레벨들에서 (출력의) 상태를 변화시킴으로써 보다 안정된 스위칭을 제공한다.In some embodiments, comparator circuit 202 is configured such that the output of comparator circuit 202 is dependent on the output of comparator (not shown in FIG. 2) within comparator circuit 202 as well as a temperature sensing signal and a temperature threshold signal. And hysteresis. As is known, comparator circuits with hysteresis have different input levels depending on whether the input (i.e., temperature sense signal) increases from below the threshold (i.e., temperature threshold signal) or decreases from above the threshold (i.e., temperature threshold signal). By changing the state of the (output) to provide a more stable switching.

도 3은 과열 방지 조명 시스템(100a)의 개략도이다. 시스템(100a)은 LED 어셈블리(104a) 및 과열 방지 회로(110a)를 포함한다. LED 어셈블리(104a)는 복수의 직렬 스트링들에 배열된 복수의 고체 상태 광원 모듈들(D1-D18)을 포함하며, 상기 스트링들은 병렬로 결합된다. LED 어셈블리(104a)는, 당업자들에 의해 이해되는 바와 같이, 고체 상태 광원 모듈들(D1-D18) 내의 개개의 고체 상태 광원들 사이의 저항에 있어서의 제조 가변성을 담당하도록 구성된 복수의 저항기들(R1-R9)을 더 포함한다.3 is a schematic diagram of an overheat protection lighting system 100a. System 100a includes LED assembly 104a and overheat protection circuit 110a. LED assembly 104a includes a plurality of solid state light source modules D1-D18 arranged in a plurality of series strings, which strings are coupled in parallel. The LED assembly 104a, as understood by those skilled in the art, includes a plurality of resistors configured to account for manufacturing variability in resistance between individual solid state light sources within the solid state light source modules D1-D18. R1-R9) further.

과열 방지 회로(110a)는 온도 센서(112), 제어 회로(114a), 및 가변 임피던스 회로(116)를 포함한다. 도 3에서, 온도 센서(112)는 부 온도 계수(NTC; negative temperature coefficient) 서미스터이다. 몇몇 실시예들에서, 고체 상태 광원 모듈들(D1-D18) 및/또는 어셈블리의 온도에 따라 온도 센서(112)의 출력이 변화하도록, 온도 센서(112)는 LED 어셈블리(104a) 근처에 위치될 수 있다. 제어 회로(114a)는 온도 감지 회로(204), 온도 임계치 회로(206), 및 히스테리시스를 갖는 비교기 회로(202)를 포함한다. 제어 회로(114a)에 대한 공급 전압(VCC)은 정전류원(102a)에 의해 공급된 입력 전압(VIN)을 저항기(R10) 및 제너 다이오드(D19)에 걸쳐 결합함으로써 제공된다. 정전류원(102a)에 의해 공급된 입력 전압(VIN)으로부터 공급 전압(VCC)을 공급하는 것은, 제어 회로(114a) 및 온도 센서(112)가, 예를 들어 고체 상태 광원 모듈들(D1-D18) 중 적어도 하나와 동일한 인쇄 회로 기판 상에서 정전류원(102a)으로부터 멀리 떨어져 위치되는 것을 허용하며, 이에 의해 조밀한 및/또는 레트로피트 구성들을 허용한다.The overheat protection circuit 110a includes a temperature sensor 112, a control circuit 114a, and a variable impedance circuit 116. In FIG. 3, the temperature sensor 112 is a negative temperature coefficient (NTC) thermistor. In some embodiments, the temperature sensor 112 may be positioned near the LED assembly 104a such that the output of the temperature sensor 112 changes with the temperature of the solid state light source modules D1-D18 and / or the assembly. Can be. The control circuit 114a includes a temperature sensing circuit 204, a temperature threshold circuit 206, and a comparator circuit 202 with hysteresis. The supply voltage V CC for the control circuit 114a is provided by coupling the input voltage V IN supplied by the constant current source 102a across the resistor R10 and the zener diode D19. Supplying the supply voltage V CC from the input voltage V IN supplied by the constant current source 102a is such that the control circuit 114a and the temperature sensor 112 are for example solid state light source modules D1. -Away from the constant current source 102a on the same printed circuit board as at least one of -D18), thereby allowing dense and / or retrofit configurations.

비교기 회로(202)는 비교기(U1), 및 비교기(U1)의 출력과 비반전 입력 사이에 결합된 저항기(R16)를 포함한다. 온도 감지 회로(204)는 분압기 내의 공급 전압(VCC) 및 온도 센서(112)에 결합된 저항기(R13)를 포함한다. 온도 감지 회로(204)는 온도 감지 신호, 즉 온도 센서(112), 저항기(R13), 및 공급 전압(VCC)에 의해 결정된 전압을, LED 어셈블리(104a) 근처의 온도 및 온도 센서(112)의 출력을 나타내는 비교기(U1)의 반전 입력에 제공하도록 구성된다. 온도 임계치 회로(206)는 분압기 내의 공급 전압(VCC) 및 저항기(R15)에 결합된 저항기(R14)를 포함한다. 온도 임계치 회로(206)는 온도 임계치 신호, 즉 저항기(R15), 저항기(R14), 및 공급 전압(VCC)에 의해 결정된 임계 전압을, 고체 상태 광원 모듈들(D1-D18) 및/또는 LED 어셈블리(104a)의 공칭 임계 온도에 대응하는 비교기(U1)의 비반전 입력에 제공하도록 구성된다.Comparator circuit 202 includes comparator U1 and resistor R16 coupled between the output of comparator U1 and the non-inverting input. The temperature sensing circuit 204 includes a resistor R13 coupled to the supply voltage V CC in the voltage divider and the temperature sensor 112. The temperature sensing circuit 204 receives the temperature sensing signal, that is, the voltage determined by the temperature sensor 112, the resistor R13, and the supply voltage V CC , the temperature and the temperature sensor 112 near the LED assembly 104a. It is configured to provide to the inverting input of the comparator U1 indicating the output of the. The temperature threshold circuit 206 includes a resistor R14 coupled to a supply voltage V CC and a resistor R15 in the voltage divider. The temperature threshold circuit 206 provides a threshold voltage determined by the temperature threshold signal, namely the resistor R15, the resistor R14, and the supply voltage V CC , the solid state light source modules D1-D18 and / or the LED. And to provide a non-inverting input of comparator U1 corresponding to the nominal threshold temperature of assembly 104a.

가변 임피던스 회로(116)는 저항기(R17)를 통해 제어 회로(114a)의 출력에 결합되고, 트랜지스터(Q1), 저항기(R11), 및 제너 다이오드(D20)를 포함한다. 트랜지스터(Q1)는 LED 어셈블리(104a)와 접지 전위 사이에 결합된다. 저항기(R11) 및 제너 다이오드(D20)는, 제어 회로(114a)로부터의 출력 없이 트랜지스터(Q1)를 저 임피던스 상태(즉, 전도 상태)로 유지하기 위해 게이트 전압(V8)을 확립하도록 구성된다. 저 임피던스 상태는 트랜지스터(Q1)의 특정된 ON 저항값, 즉 Rds ( ON )의 트랜지스터(Q1)를 위한 드레인 대 소스 저항(Rds)에 대응한다. 알려진 바와 같이, 비교적 작은 Rds ( ON )은 상대적으로 높은 값보다 더 낮은 전력 손실 및 더 낮은 연관된 열 발생에 대응한다. 그러므로, 트랜지스터(Q1)는 복수의 고체 상태 광원 모듈들(D1-D18)을 통하는 전류에 기초하여 적합한 Rds ( ON )를 갖도록 선택될 수 있다.The variable impedance circuit 116 is coupled to the output of the control circuit 114a through a resistor R17 and includes a transistor Q1, a resistor R11, and a zener diode D20. Transistor Q1 is coupled between LED assembly 104a and ground potential. Resistor R11 and zener diode D20 are configured to establish gate voltage V 8 to maintain transistor Q1 in a low impedance state (ie, a conductive state) without output from control circuit 114a. . The low impedance state corresponds to the specified ON resistance value of transistor Q1, ie drain to source resistance R ds for transistor Q1 of R ds ( ON ) . As is known, relatively small R ds ( ON ) corresponds to lower power losses and lower associated heat generation than relatively high values. Therefore, transistor Q1 can be selected to have a suitable R ds ( ON ) based on the current through the plurality of solid state light source modules D1-D18.

제어 회로(114a)는 온도 감지 회로(204)로부터의 온도 감지 신호가 임계치 회로(206)로부터의 온도 임계치 신호를 초과할 때, 트랜지스터(Q1)를 고 임피던스 상태(즉, 비전도 상태)로 구동시키도록 구성된다. 저항기(R16)에 의해 제공된 히스테리시스의 결과로서, 제어 회로(114a)는, 온도 감지 회로(204)로부터의 온도 감지 신호가 온도 임계치 신호의 제 1 미리규정된 온도 임계값보다 큰 온도로부터 온도 임계치 신호의 제 2 미리규정된 온도 임계값 미만의 온도로 감소할 때, 트랜지스터(Q1)를 저 임피던스 상태로 구동시키도록 더 구성된다. 제 1 및 제 2 미리규정된 온도 임계치들은 저항기들(R14, R15, 및 R16)의 선택에 기초하여 설정될 수 있다. 제 1 미리규정된 온도 임계값은 제 2 미리규정된 온도 임계값보다 더 클 수 있다.The control circuit 114a drives the transistor Q1 to a high impedance state (i.e., non-conductive state) when the temperature sensing signal from the temperature sensing circuit 204 exceeds the temperature threshold signal from the threshold circuit 206. It is configured to. As a result of the hysteresis provided by the resistor R16, the control circuit 114a determines that the temperature threshold signal is from a temperature at which the temperature sensing signal from the temperature sensing circuit 204 is greater than the first predefined temperature threshold of the temperature threshold signal. Is further configured to drive transistor Q1 to a low impedance state when decreasing to a temperature below a second predefined temperature threshold of. The first and second predefined temperature thresholds may be set based on the selection of resistors R14, R15, and R16. The first predefined temperature threshold may be greater than the second predefined temperature threshold.

도 4는 가변 임피던스에 의해 고체 상태 광원들(예를 들어, LED들)의 스트링들을 열적으로 제어하는 과열 방지 조명 시스템(100b)(이하 시스템(100b))의 다른 실시예의 개략도이다. 시스템(100b)은 LED 어셈블리(104b) 및 과열 방지 회로(110b)를 포함한다. 과열 방지 회로(110b)는 가변 임피던스 회로(116), 제어 회로(114b), 및 온도 센서(112b)를 포함한다. 도 4에서, 온도 센서(112b)는, 온도를 감지하도록, 그리고 감지된 온도를 미리결정된 임계 온도와 비교하도록, 그리고 감지된 온도에 기초하여 저항기(R14)를 통해 가변 임피던스 회로(116)의 트랜지스터(Q1)를 구동시키도록 구성된 출력(OUT1)을 제공하도록 구성된 집적 회로이다. 예를 들어, 집적 회로(112b)는, 히스테리시스를 갖는 비교기 및 온도 센서를 포함하는, National Semiconductor Corporation으로부터 입수가능한 LM56 듀얼 출력 저전력 서모스탯(thermostat)일 수 있다. 당업자에게 이해되는 바와 같이, 비록 LM56이 도시되지만, 유사한 기능성을 갖는 다른 집적 회로들 및/또는 등가 회로들이 본 발명의 범주로부터 벗어나지 않고 이용될 수 있다.4 is a schematic diagram of another embodiment of an overheat protection illumination system 100b (hereinafter system 100b) that thermally controls strings of solid state light sources (eg, LEDs) by varying impedance. System 100b includes LED assembly 104b and overheat protection circuit 110b. The overheat protection circuit 110b includes a variable impedance circuit 116, a control circuit 114b, and a temperature sensor 112b. In FIG. 4, the temperature sensor 112b is configured to sense the temperature, and to compare the sensed temperature with a predetermined threshold temperature, and through the resistor R14 the transistor of the variable impedance circuit 116 based on the sensed temperature. Integrated circuit configured to provide an output OUT1 configured to drive Q1. For example, integrated circuit 112b may be an LM56 dual output low power thermostat available from National Semiconductor Corporation, including a comparator with hysteresis and a temperature sensor. As will be appreciated by those skilled in the art, although the LM56 is shown, other integrated circuits and / or equivalent circuits having similar functionality may be used without departing from the scope of the present invention.

도 4에서, 제어 회로(114b)를 위한 공급 전압(VCC)은 입력 전압(VIN)(즉, 정전류원(102b)의 출력)을 저항기(R13) 및 제너 다이오드(D20)에 걸쳐 적용함으로써 획득된다. 트랜지스터(Q1)의 게이트는, 트랜지스터(Q1)를 저 임피던스 상태(즉, 전도 상태)에 두기 위해 공급 전압(VCC)의 값에서 바이어싱되는데, 그 이유는 트랜지스터(Q1)가 LED 어셈블리(104a)와 접지 전위 사이에 결합되기 때문이다. 온도 센서(112b)를 포함하는 제어 회로(114b)는, 온도 센서(112b)의 출력이 제 1 미리규정된 온도 임계치를 초과하여 증가할 때 트랜지스터(Q1)를 고 임피던스 상태(즉, 비전도 상태)로 구동시키도록 구성된다. 제어 회로(114b)는, 감지된 온도가, 제 1 미리규정된 온도 임계치보다 큰 온도로부터 제 2 미리규정된 온도 임계치 미만의 온도로 감소할 때, 트랜지스터(Q1)를 저 임피던스 상태에 두도록 더 구성된다.In FIG. 4, the supply voltage V CC for the control circuit 114b is applied by applying an input voltage V IN (ie, the output of the constant current source 102b) across the resistor R13 and the zener diode D20. Obtained. The gate of transistor Q1 is biased at the value of supply voltage V CC to put transistor Q1 in a low impedance state (i.e., a conducting state), because transistor Q1 causes LED assembly 104a to be biased. ) And ground potential. The control circuit 114b including the temperature sensor 112b causes the transistor Q1 to be in a high impedance state (ie, a nonconductive state) when the output of the temperature sensor 112b increases above the first predefined temperature threshold. Is configured to drive). The control circuit 114b is further configured to place the transistor Q1 in a low impedance state when the sensed temperature decreases from a temperature greater than the first predefined temperature threshold to a temperature below the second predefined temperature threshold. do.

제 1 및 제 2 미리규정된 온도 임계치들의 값들은 저항기들(R14, R15, R16, 및 R17)의 값들의 선택에 기초하여 설정될 수 있다. 히스테리시스를 이용할 때, 제 1 미리규정된 온도 임계치는 제 2 미리규정된 온도 임계치보다 더 클 수 있다. 이러한 방식에서, 고체 상태 광원 모듈들(D1-D18) 내의 고체 상태 광원들을 통하는 전류는 감지된 온도에 기초하여 제어될 수 있고, 고체 상태 광원 모듈들의 과열 방지가 제공된다.The values of the first and second predefined temperature thresholds may be set based on the selection of the values of the resistors R14, R15, R16, and R17. When using hysteresis, the first predefined temperature threshold may be greater than the second predefined temperature threshold. In this manner, the current through the solid state light sources in the solid state light modules D1-D18 can be controlled based on the sensed temperature, providing overheat protection of the solid state light modules.

도 5는 다른 과열 방지 조명 시스템(120)(이하 시스템(120))의 블록도이다. 도 1에 도시된 시스템(100)과 유사하게, 시스템(120)은 정전류원(122), LED 어셈블리(104), 및 과열 방지 회로(130)를 포함한다. 정전류원(122)은, 과열 방지 회로(130)에 전력을 공급하기 위한 공급 전압(VCC)을 획득하기 위해 이용되는 입력 전압 전류(VIN) 및 LED 어셈블리(104)에 대한 입력 전류(IIN)를 공급하도록 구성된다.5 is a block diagram of another overheat protection lighting system 120 (hereafter system 120). Similar to the system 100 shown in FIG. 1, the system 120 includes a constant current source 122, an LED assembly 104, and an overheat protection circuit 130. The constant current source 122 is an input voltage I (V IN ) and an input current I for the LED assembly 104 that are used to obtain a supply voltage V CC for powering the overheat protection circuit 130. IN ).

고체 상태 광원 모듈들(106)의 광 출력 레벨은 정전류원(122)에 의해 제공되는 입력 전류(IIN)를 조정함으로써 제어될 수 있다. 입력 전류(IIN)는 예를 들어, 펄스폭 변조, 진폭 변조, 또는 입력 전류(IIN)에 있어서의 정상 상태 변화를 확립하는 정전류원(122)에 대한 조광 입력에 의해 조정된다. 예를 들어, 펄스폭 변조가 이용된다면, 입력 전류(IIN)의 평균값은 펄스폭 변조(PWM)의 듀티 사이클(펄스폭 대 주기)에 따를 수 있고, 입력 전류(IIN) 및 펄스폭은 조광 입력에 의해 확립된다. 이용되는 조광 방법과 독립적으로, 고체 상태 광원 모듈들(106)에 공급되는 입력 전류(IIN) 및 과열 방지 회로(130)에 대한 전력은 조광 입력 설정에 따를 수 있다.The light output level of the solid state light source modules 106 may be controlled by adjusting the input current I IN provided by the constant current source 122. The input current I IN is regulated, for example, by a dimming input to the constant current source 122 which establishes a pulse width modulation, amplitude modulation, or steady state change in the input current I IN . For example, if pulse width modulation is used, the average value of the input current I IN may depend on the duty cycle (pulse width versus period) of the pulse width modulation PWM, and the input current I IN and the pulse width It is established by the dimming input. Independent of the dimming method used, the power to the input current I IN and the overheat protection circuit 130 supplied to the solid state light source modules 106 may depend on the dimming input setting.

과열 방지 회로(130)는 온도 센서(112), 제어 회로(114), 가변 임피던스 회로(116), 및 저전압 보상 회로(132)를 포함한다. 온도 센서(112)는 제어 회로(114)에 결합된다. 저전압 보상 회로(132)는 제어 회로(114), 정전류원(122), 및 가변 임피던스 회로(116)에 결합된다. 몇몇 실시예들에서, 저전압 보상 회로(132)는 전력 조정 회로(134) 및 저전압 제어 회로(136)를 포함한다. 이러한 실시예들에서, 전력 조정 회로(134)는 정전류원(122)과 제어 회로(114) 사이에 결합되고, 저전압 제어 회로(136)는 제어 회로(114)와 가변 임피던스 회로(116) 사이에 결합된다.The overheat protection circuit 130 includes a temperature sensor 112, a control circuit 114, a variable impedance circuit 116, and a low voltage compensation circuit 132. The temperature sensor 112 is coupled to the control circuit 114. The low voltage compensation circuit 132 is coupled to the control circuit 114, the constant current source 122, and the variable impedance circuit 116. In some embodiments, low voltage compensation circuit 132 includes power regulation circuit 134 and low voltage control circuit 136. In such embodiments, the power regulation circuit 134 is coupled between the constant current source 122 and the control circuit 114, and the low voltage control circuit 136 is between the control circuit 114 and the variable impedance circuit 116. Combined.

저전압 제어 회로(136)는, 정전류원(122)에 대한 조광 입력이 매우 낮은 광 출력 레벨에 대응할 때의 온도와 독립적으로 가변 임피던스 회로(116)를 구동시키도록 구성된다. 매우 낮은 광 출력 레벨들에서, 조광 입력은 비교적 낮은 입력 전류(IIN), 그리고 이에 대응하여, 비교적 낮은 입력 전압(VIN)을 확립할 수 있다. 몇몇 비교적 낮은 광 출력 레벨들에 있어서, 입력 전압(VIN)은 제어 회로(114)의 하나 또는 둘 이상의 컴포넌트들의 최소 공급 전압(VCCmin)보다 적을 수 있고, 이는 컴포넌트 및/또는 제어 회로(114)의 불안정한 동작을 초래할 수 있다. 불안정한 동작을 회피하기 위해, 저전압 제어 회로(136)는, 입력 전압(VIN)이 제어 회로(114)의 최소 공급 전압(VCCmin) 미만일 때, 제어 회로(114) 출력과 독립적으로 가변 임피던스 회로(116)를 저 임피던스 상태로 구동시키도록 구성된다.The low voltage control circuit 136 is configured to drive the variable impedance circuit 116 independently of the temperature when the dimming input to the constant current source 122 corresponds to a very low light output level. At very low light output levels, the dimming input can establish a relatively low input current I IN , and correspondingly a relatively low input voltage V IN . For some relatively low light output levels, the input voltage V IN may be less than the minimum supply voltage V CCmin of one or more components of the control circuit 114, which may be a component and / or control circuit 114. ) May cause unstable operation. To avoid unstable operation, the low voltage control circuit 136 is a variable impedance circuit independent of the control circuit 114 output when the input voltage V IN is less than the minimum supply voltage V CCmin of the control circuit 114. Configured to drive 116 to a low impedance state.

전력 조정 회로(134)는 고체 상태 광원 모듈들(106)의 비교적 낮은 광 출력 레벨들에 대응하는 조광 입력들의 영향들을 보상하도록 구성된다. 전력 조정 회로(134)는, 보상되지 않은 공급 전압(VCC)보다 큰 시간 기간 동안 최소 공급 전압(VCCmin)보다 큰 레벨로 제어 회로(114)에 대한 공급 전압(VCC)을 유지하기 위해 에너지 저장을 제공하도록 구성된다. 예를 들어, 에너지 저장 엘리먼트는, 복수의 고체 상태 광원 모듈들(106)에 대한 입력 전압(VIN)이 최소 공급 전압(VCCmin) 미만으로 감소된 후의 시간 기간 동안 제어 회로(114)에 대한 공급 전압(VCC)을 최소 공급 전압(VCCmin) 초과로 유지할 수 있다. 전력 조정 회로(134)는 (예를 들어, 정전류원(122)을 펄스-폭 변조함으로 인한) 제어 회로(114)에 대한 공급 전압(VCC)에서의 전기 잡음을 감소시키기 위해 입력 전압(VIN)을 필터링하도록 구성된다.The power regulation circuit 134 is configured to compensate for the effects of dimming inputs corresponding to the relatively low light output levels of the solid state light source modules 106. The power regulation circuit 134 maintains the supply voltage V CC for the control circuit 114 at a level greater than the minimum supply voltage V CCmin for a period of time greater than the uncompensated supply voltage V CC . And to provide energy storage. For example, the energy storage element may be coupled to the control circuit 114 for a period of time after the input voltage V IN for the plurality of solid state light source modules 106 is reduced below the minimum supply voltage V CCmin . The supply voltage V CC may be maintained above the minimum supply voltage V CCmin . The power regulation circuit 134 uses the input voltage V to reduce electrical noise at the supply voltage V CC to the control circuit 114 (eg, due to pulse-width modulation of the constant current source 122). IN ) is configured to filter.

도 6은 과열 방지 조명 시스템(120c)(이하 시스템(120c))의 개략도이다. 시스템(120c)은 LED 어셈블리(104c) 및 과열 방지 회로(130c)를 포함하며, 상기 과열 방지 회로(130c)는 가변 임피던스 회로(116c), 제어 회로(114c), 및 저전압 보상 회로를 포함하며, 상기 저전압 보상 회로는 전력 조정 회로(134c) 및 저전압 제어 회로(136c)를 포함한다. 전력 조정 회로(134c)는 제어 회로(114c)에 공급된 공급 전압(VCC)에 대한 입력 전압(VIN)에 있어서의 변화의 영향들을 보상하도록 구성된다. 저전압 제어 회로(136c)는, 제어 회로(114c)에 대한 공급 전압(VCC)이 제어 회로(114c)의 보상기(U1)의 최소 공급 전압(VCCmin) 미만이도록 입력 전압(VIN)이 감소할 때, 과열 방지 회로(130c)의 불안정한 동작을 방지하도록 구성된다.6 is a schematic diagram of an overheat protection lighting system 120c (hereinafter system 120c). System 120c includes an LED assembly 104c and an overheat protection circuit 130c, wherein the overheat protection circuit 130c includes a variable impedance circuit 116c, a control circuit 114c, and a low voltage compensation circuit, The low voltage compensation circuit includes a power regulation circuit 134c and a low voltage control circuit 136c. The power regulation circuit 134c is configured to compensate for the effects of the change in the input voltage V IN on the supply voltage V CC supplied to the control circuit 114c. The low voltage control circuit 136c reduces the input voltage V IN such that the supply voltage V CC to the control circuit 114c is less than the minimum supply voltage V CCmin of the compensator U1 of the control circuit 114c. Is configured to prevent unstable operation of the overheat protection circuit 130c.

물론, 공급 전압(VCC) 및 최소 공급 전압(VCCmin)은 과열 방지 회로(130c) 및 상기 과열 방지 회로(130c)의 컴포넌트들의 구성에 따른다. 몇몇 실시예들에서, 공급 전압(VCC)은 약 5.0 V의 공칭값으로 설정될 수 있고, 최소 공급 전압(VCCmin)은 약 3.5 V일 수 있다. 본 명세서에서 이용되는 바와 같이, 양을 나타낼 때 용어 "공칭" 또는 "공칭으로(nominally)"의 이용은, 실제 양으로부터 변화할 수 있는 지정된 또는 이론적인 양을 의미한다.Of course, the supply voltage V CC and the minimum supply voltage V CCmin depend on the configuration of the overheat protection circuit 130c and the components of the overheat protection circuit 130c. In some embodiments, the supply voltage V CC may be set to a nominal value of about 5.0 V and the minimum supply voltage V CCmin may be about 3.5 V. As used herein, the use of the term “nominal” or “nominally” when referring to a quantity means a designated or theoretical amount that can vary from an actual amount.

도 6에 도시된 전력 조정 회로(134c)는 제어 회로(114c)를 위한 공급 전압(VCC)을 확립하고, 저항기(R10), 제너 다이오드(D19), 및 커패시터(C2)를 포함한다. 저항기(R10) 및 제너 다이오드(D19)는 입력 전압(VIN)과 접지 전위 사이에 결합되고, 커패시터(C2)는 제너 다이오드(D19)와 병렬로 결합된다. 커패시터(C2)는, 예를 들어 정전류원(122c)이 비교적 낮은 전류(및 대응하는 전압)를 제공하도록 구성될 때, 공급 전압(VCC)을 위한 에너지 저장을 제공하도록 구성된다. 예를 들어 몇몇 실시예들에서, 정전류원(122c)은, 복수의 고체 상태 광원 모듈들을 위한 비교적 낮은 광 출력 레벨에 대응하는 조광 입력 설정에 기초하여 비교적 낮은 펄스폭 변조된 전류를 제공하도록 구성될 수 있다. 결과적으로, 공급 전압(VCC)은, 입력 전압(VIN)이 예를 들어, 펄스폭 변조된 정전류원을 위한 제너 다이오드(D19)의 제너 전압 미만으로 강하할 때, 커패시터(C2)의 방전과 연관된 지수 감소(exponential decay)를 나타낼 수 있다.The power regulation circuit 134c shown in FIG. 6 establishes a supply voltage V CC for the control circuit 114c and includes a resistor R10, a zener diode D19, and a capacitor C2. Resistor R10 and zener diode D19 are coupled between input voltage V IN and ground potential, and capacitor C2 is coupled in parallel with zener diode D19. Capacitor C2 is configured to provide energy storage for supply voltage V CC , for example when constant current source 122c is configured to provide a relatively low current (and corresponding voltage). For example, in some embodiments, the constant current source 122c may be configured to provide a relatively low pulse width modulated current based on a dimming input setting corresponding to a relatively low light output level for the plurality of solid state light source modules. Can be. As a result, the supply voltage V CC is discharged of the capacitor C2 when the input voltage V IN drops below the zener voltage of the zener diode D19 for a pulse width modulated constant current source, for example. It can represent an exponential decay associated with.

저전압 제어 회로(136c)는 트랜지스터(Q2), 저항기들(R17 및 R18), 및 가변 임피던스 회로(116c)와 제어 회로(114c)의 출력 사이에 결합된 커패시터(C3)를 포함한다. 저항기들(R17 및 R18)은 공급 전압(VCC)과 접지 전위 사이에 결합되고, 저항기들(R17 및 R18) 사이의 노드는 제어 회로(114c)의 출력과 트랜지스터(Q2)의 게이트에 결합된다. 트랜지스터(Q2)의 드레인은 트랜지스터(Q1)의 게이트에 결합된다. 커패시터(C3)는 접지 전위와 트랜지스터(Q2)의 게이트 사이에 결합된다.The low voltage control circuit 136c includes a transistor Q2, resistors R17 and R18, and a capacitor C3 coupled between the variable impedance circuit 116c and the output of the control circuit 114c. Resistors R17 and R18 are coupled between supply voltage V CC and ground potential, and the node between resistors R17 and R18 is coupled to the output of control circuit 114c and the gate of transistor Q2. . The drain of transistor Q2 is coupled to the gate of transistor Q1. Capacitor C3 is coupled between the ground potential and the gate of transistor Q2.

따라서, 저항기(R17 및 R18)는 트랜지스터(Q2)를 비전도 상태에 두도록 커패시터(C3)를 충전하기 위한 분압기를 제공하며, 이에 의해 공급 전압(VCC)이 최소 공급 전압(VCCmin)보다 적을 때 트랜지스터(Q1)를 저 임피던스 상태(즉, 전도 상태)로 유지한다. 예를 들어, 매우 낮은 광 출력 레벨을 제공하도록 조광 입력이 설정될 때 공급 전압(VCC)은 최소 공급 전압(VCCmin)보다 적을 수 있거나, 또는 시스템(120c)의 작동 시작(power up) 동안의 시간 동안 공급 전압(VCC)은 최소 공급 전압(VCCmin)보다 적을 수 있다. 저전압 제어 회로(136c)는, 공급 전압(VCC)이 제어 회로(114c)의 최소 공급 전압(VCCmin)에 대응하는 임계 전압을 초과할 때, 제어 회로(114c)로 하여금 트랜지스터(Q2)의 전도 상태를 제어하게 그리고 이에 의해 트랜지스터(Q1)의 임피던스 상태를 제어하게 허용하도록 구성된다. 저전압 제어 회로(136c)는, 공급 전압(VCC)이 제어 회로(114c)의 최소 공급 전압(VCCmin)을 초과할 때, 낮은 광 출력 상태들 하에서 고체 상태 광원 모듈들(106)의 동작을 허용하고 고체 상태 광원 모듈들(106)의 과열 방지를 지원한다.Thus, resistors R17 and R18 provide a voltage divider for charging capacitor C3 to put transistor Q2 in a non-conductive state, whereby supply voltage V CC is less than minimum supply voltage V CCmin . Maintains transistor Q1 in a low impedance state (i.e., in a conductive state). For example, the supply voltage V CC may be less than the minimum supply voltage V CCmin when the dimming input is set to provide a very low light output level, or during power up of the system 120c. The supply voltage V CC may be less than the minimum supply voltage V CCmin for a time. The low voltage control circuit 136c causes the control circuit 114c to control the transistor Q2 when the supply voltage V CC exceeds a threshold voltage corresponding to the minimum supply voltage V CCmin of the control circuit 114c. To control the conduction state and thereby to control the impedance state of transistor Q1. The low voltage control circuit 136c stops the operation of the solid state light source modules 106 under low light output states when the supply voltage V CC exceeds the minimum supply voltage V CCmin of the control circuit 114c. Allow and support overheating protection of the solid state light source modules 106.

따라서, 시스템(120c)은, 제어 회로(114c)에 대한 공급 전압(VCC)이 적어도, 제어 회로(114c)의 최소 공급 전압(VCCmin)에 대응하는 임계값일 때, LED 어셈블리(104c) 내의 고체 상태 광원 모듈들(106)에 과열 방지를 제공하도록 구성된다. 저전압 제어 회로(136c)는, 제어 회로(114c)를 가변 임피던스 회로(116c)로부터 절연시킴으로써 제어 회로(114c)에 대한 공급 전압(VCC)이 임계 전압 미만일 때 과열 방지 회로(130c)의 안정된 동작을 제공하도록 구성된다. 이러한 모드에서, 가변 임피던스 회로(116c)는, 고체 상태 광원 모듈들(106)이 정전류원(102c)에 대한 조광 입력에 대응하는 광 출력을 제공할 수 있도록, 트랜지스터(Q1)를 저 임피던스 상태로 유지하도록 구성된다.Thus, system 120c is within the LED assembly 104c when the supply voltage V CC to the control circuit 114c is at least a threshold corresponding to the minimum supply voltage V CCmin of the control circuit 114c. It is configured to provide overheat protection to the solid state light source modules 106. The low voltage control circuit 136c insulates the control circuit 114c from the variable impedance circuit 116c so that the stable operation of the overheat protection circuit 130c when the supply voltage V CC to the control circuit 114c is less than the threshold voltage. It is configured to provide. In this mode, the variable impedance circuit 116c puts the transistor Q1 into a low impedance state so that the solid state light source modules 106 can provide a light output corresponding to the dimming input to the constant current source 102c. Configured to maintain.

도 7 내지 도 9는 도 6에 예시된 시스템(120c)에 대한, 입력 전류(IIN) 및 입력 전압(VIN) 대 시간의 플롯들이다. 플롯들은, 예를 들어 조광 입력에 기초하여 펄스폭 변조되는 정전류원에 의해 공급된 전압 및 전류에 대한 듀티 사이클의 영향들을 예시한다. 입력 전압 및 입력 전류는 도 7, 도 8, 및 도 9에 있어서 각각 98%, 50%, 및 4%의 PWM 듀티 사이클들에 따라, 정전류 PWM 조광가능 전원에 의해 제공되었다. 입력 전류(IIN)는 최대 약 1.0 암페어(A) 내지 최소 약 0.0 A의 범위이고, 여기서 상기 최대는 PWM 신호의 주기의 ON 부분에 대응하고, 상기 최소는 PWM 신호 주기의 OFF 부분에 대응한다. 당업자에게 이해되는 바와 같이, PWM 신호 주기의 ON 부분 동안, 최대 전압은 약 20 볼트(V)이고, PWM 신호 주기의 OFF 부분 동안, 전압(VIN)은 (에너지 저장 엘리먼트, 커패시터(C2)로 인해) OFF 부분의 지속기간에 따르는 값으로 감소된다. 예를 들어, 도 8에 예시된 바와 같이(50% 듀티 사이클), VIN은 5 내지 10 볼트로 감소되고, 이는 여전히 제어 회로(114a)의 최소 공급 전압(VCCmin)을 초과하는 것일 수 있다.7-9 are plots of input current I IN and input voltage V IN versus time for the system 120c illustrated in FIG. 6. Plots illustrate the effects of duty cycle on voltage and current supplied by a constant current source that is pulse width modulated, for example, based on the dimming input. The input voltage and input current were provided by a constant current PWM dimmable power source, according to PWM duty cycles of 98%, 50%, and 4%, respectively, in FIGS. 7, 8, and 9. The input current I IN ranges from a maximum of about 1.0 amps (A) to a minimum of about 0.0 A, where the maximum corresponds to the ON portion of the period of the PWM signal, and the minimum corresponds to the OFF portion of the PWM signal period. . As will be appreciated by those skilled in the art, during the ON portion of the PWM signal period, the maximum voltage is about 20 volts (V), and during the OFF portion of the PWM signal period, the voltage V IN is (energy storage element, capacitor C2). Due to the duration of the OFF part. For example, as illustrated in FIG. 8 (50% duty cycle), V IN is reduced to 5-10 volts, which may still exceed the minimum supply voltage V CCmin of the control circuit 114a. .

도 10은 LED들의 스트링들과 같은(그러나, 이에 한정되지 않음) 복수의 고체 상태 광원들을 과열 방지하는 방법(1000)의 흐름도이다. 흐름도들은 본 발명에 따라 요구되는 처리를 수행하도록 컴퓨터 소프트웨어를 만들기 위해 또는 회로들을 제조하기 위해 당업자가 필요로 하는 기능적인 정보를 예시한다. 본 명세서에서 달리 지시되지 않는 한, 기술되는 단계들의 단지 특정 시퀀스만이 예시되고 상기 특정 시퀀스는 본 발명의 의도로부터 벗어나지 않고 변화될 수 있다는 것이 당업자들에게 명백할 것이다. 따라서, 달리 명시되지 않는 한, 아래에 기술되는 단계들은 무질서하며, 이는 가능하다면 단계들이 임의의 편리한 또는 원하는 순서로 수행될 수 있다는 것을 의미한다. 부가하여, 다른 실시예들이 본 명세서에 기술된 예시된 단계들 및/또는 부가적인 단계들의 하위결합(subcombination)들을 포함할 수 있다는 것이 이해된다. 따라서, 본 명세서에 제시된 청구항들은, 하나 또는 둘 이상의 도면들에 도시된 동작들 및/또는 컴포넌트들의 모두 또는 그 일부에 관한 것일 수 있다.10 is a flowchart of a method 1000 of overheating a plurality of solid state light sources, such as but not limited to strings of LEDs. The flowcharts illustrate the functional information needed by those skilled in the art to make computer software or to manufacture circuits to perform the processing required in accordance with the present invention. Unless otherwise indicated herein, it will be apparent to those skilled in the art that only a specific sequence of steps described is illustrated and that the specific sequence may be changed without departing from the intent of the present invention. Thus, unless stated otherwise, the steps described below are disordered, which means that the steps may be performed in any convenient or desired order, if possible. In addition, it is understood that other embodiments may include subcombinations of the illustrated steps and / or additional steps described herein. Thus, the claims presented herein may relate to all or some of the operations and / or components shown in one or more figures.

보다 구체적으로, 도 10은 복수의 고체 상태 광원들을 과열 방지하는 방법(1000)의 블록 흐름도이다. 먼저 단계(1001)에서, 가변 임피던스 엘리먼트는 정전류원 및 복수의 고체 상태 광원들에, 예를 들어 직렬 구성으로 결합된다. 본 명세서에서 달리 기술되지 않으면, 정전류원은 복수의 고체 상태 광원들에 전류를 제공하도록 그리고 공급 전압을 확립하기 위해 출력 전압을 제공하도록 구성된다. 그 다음으로, 본 명세서에 기술된 바와 같이, 단계(1002)에서 복수의 고체 상태 광원들의 온도는 온도 센서를 이용하여 감지된다. 그 다음으로, 단계(1003)에서, 가변 임피던스 회로는, 공급 전압(VCC)이 최소 공급 전압(VCCmin)보다 더 크거나 동일할 때(즉, 적어도), 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 조정하기 위해 제어 회로에 의해 구동된다. 예를 들어, 가변 임피던스 회로는 감지된 온도가 미리결정된 임계 온도 미만일 때 저 임피던스 상태로 구동될 수 있고, 감지된 온도가 미리결정된 임계 온도를 초과할 때 고 임피던스 상태로 구동될 수 있다. 이러한 방식에서, 전류원은, 감지된 온도가 임계 온도 미만일 때 고체 상태 광원들에 공급하게 허용될 수 있고, 공급 전압(VCC)이 최소 공급 전압(VCCmin)보다 더 크거나 동일할 때 과-온도 상태 동안 고체 상태 광원들에 공급하는 것이 방지될 수 있다.More specifically, FIG. 10 is a block flow diagram of a method 1000 for overheating a plurality of solid state light sources. First in step 1001, the variable impedance element is coupled to a constant current source and a plurality of solid state light sources, for example in a series configuration. Unless stated otherwise herein, the constant current source is configured to provide a current to the plurality of solid state light sources and to provide an output voltage to establish a supply voltage. Then, as described herein, in step 1002 the temperature of the plurality of solid state light sources is sensed using a temperature sensor. Next, in step 1003, the variable impedance circuit is configured for a plurality of solid state light sources when the supply voltage V CC is greater than or equal to (ie at least) the minimum supply voltage V CCmin . It is driven by the control circuit to regulate the current. For example, the variable impedance circuit can be driven to a low impedance state when the sensed temperature is below a predetermined threshold temperature and can be driven to a high impedance state when the sensed temperature exceeds a predetermined threshold temperature. In this manner, the current source may be allowed to supply solid state light sources when the sensed temperature is below the threshold temperature, and when the supply voltage V CC is greater than or equal to the minimum supply voltage V CCmin . Supply to the solid state light sources during the temperature state can be prevented.

몇몇 실시예들에 있어서, 단계(1004)에서, 가변 임피던스 회로는, 온도와 독립적으로, 공급 전압(VCC)이 최소 공급 전압(VCCmin) 미만일 때 저 임피던스 상태로 구동된다. 게다가, 몇몇 실시예들에 있어서, 단계(1005)에서, 가변 임피던스 회로는 제어 회로의 비교기 회로를 통해, 감지된 온도가 미리-결정된 임계 온도보다 크거나 또는 동일할 때 고 임피던스 상태로 구동되며, 비교기 회로는 온도 임계치 회로 및 온도 센서에 결합된다. 이러한 실시예들에 있어서, 단계(1006)에서, 가변 임피던스 회로는 제어 회로의 비교기 회로를 통해, 감지된 온도와 미리-결정된 임계 온도 사이의 차이에 기초하여 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 임피던스로 구동될 수 있다. 게다가, 이러한 실시예들에 있어서, 단계(1007)에서, 제어 회로는 공급 전압(VCC)이 최소 공급 전압(VCCmin) 미만일 때 저전압 제어 회로를 통해, 가변 임피던스 회로로부터 절연될 수 있으며, 본 명세서에 기술된 바와 같이, 저전압 제어 회로는 저전압 보상 회로의 부분이다. 게다가, 이러한 실시예들에 있어서, 단계(1008)에서, 공급 전압(VCC)은 저전압 보상 회로의 에너지 저장 엘리먼트를 통해, 출력 전압(VIN)이 최소 공급 전압(VCCmin) 미만으로 감소한 후의 시간 기간 동안 최소 공급 전압(VCCmin) 초과로 유지될 수 있다.In some embodiments, in step 1004, the variable impedance circuit is driven to a low impedance state when the supply voltage V CC is below the minimum supply voltage V CCmin , independent of temperature. In addition, in some embodiments, in step 1005, the variable impedance circuit is driven to a high impedance state when the sensed temperature is greater than or equal to a predetermined threshold temperature, via the comparator circuit of the control circuit, The comparator circuit is coupled to a temperature threshold circuit and a temperature sensor. In such embodiments, in step 1006, the variable impedance circuit passes through the comparator circuit of the control circuit an impedance between the high impedance state and the low impedance state based on the difference between the sensed temperature and the predetermined threshold temperature. Can be driven. In addition, in these embodiments, in step 1007, the control circuit can be isolated from the variable impedance circuit, via the low voltage control circuit, when the supply voltage V CC is less than the minimum supply voltage V CCmin . As described herein, the low voltage control circuit is part of the low voltage compensation circuit. In addition, in these embodiments, in step 1008, the supply voltage V CC is passed through the energy storage element of the low voltage compensation circuit after the output voltage V IN is reduced below the minimum supply voltage V CCmin . It may be maintained above the minimum supply voltage V CCmin for a period of time.

본 명세서에 기술된 방법들 및 시스템들은 특정 하드웨어 또는 소프트웨어 구성으로 한정되지 않으며, 많은 컴퓨팅 또는 처리 환경들에서 적용가능성을 찾을 수 있다. 방법들 및 시스템들은 하드웨어 또는 소프트웨어, 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합으로 구현될 수 있다. 방법들 및 시스템들은 하나 또는 둘 이상의 컴퓨터 프로그램들로 구현될 수 있으며, 컴퓨터 프로그램은 명령들을 실행할 수 있는 하나 또는 둘 이상의 프로세서를 포함하는 것으로 이해될 수 있다. 컴퓨터 프로그램(들)은 하나 또는 둘 이상의 프로그램가능 프로세서들 상에서 실행될 수 있으며, 하나 또는 둘 이상의 출력 디바이스들, 하나 또는 둘 이상의 입력 디바이스들, 및/또는 프로세서(휘발성 및 비휘발성 메모리 및/또는 저장 엘리먼트들을 포함함)에 의해 판독가능한 하나 또는 둘 이상의 저장 매체 상에 저장될 수 있다. 따라서, 프로세서는 입력 데이터를 획득하기 위해 하나 또는 둘 이상의 입력 디바이스들에 액세스할 수 있으며, 출력 데이터를 통신하기 위해 하나 또는 둘 이상의 출력 디바이스들에 액세스할 수 있다. 입력 및/또는 출력 디바이스들은 RAM(Random Access Memory), RAID(Redundant Array of Independent Disks), 플로피 드라이브, CD, DVD, 자기 디스크, 내장 하드 드라이브, 외장 하드 드라이브, 메모리 스틱, 또는 본 명세서에서 제공된 바와 같은 프로세서에 의해 액세스될 수 있는 다른 저장 디바이스 중 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있으며, 이러한 상술된 예들은 총망라하는 것은 아니며, 한정이 아니라 예시를 위한 것이다.The methods and systems described herein are not limited to specific hardware or software configurations and may find applicability in many computing or processing environments. The methods and systems may be implemented in hardware or software, or a combination of hardware and software. The methods and systems may be implemented in one or more computer programs, and the computer program may be understood to include one or more processors capable of executing instructions. The computer program (s) may be executed on one or more programmable processors and may include one or more output devices, one or more input devices, and / or a processor (volatile and nonvolatile memory and / or storage elements). It can be stored on one or more storage media readable by). Thus, a processor may access one or more input devices to obtain input data, and may access one or more output devices to communicate output data. Input and / or output devices may include random access memory (RAM), redundant array of independent disks (RAID), floppy drives, CDs, DVDs, magnetic disks, internal hard drives, external hard drives, memory sticks, or as provided herein. It may include one or two or more of other storage devices that may be accessed by the same processor, and the above examples are not exhaustive and are intended to be illustrative rather than limiting.

컴퓨터 프로그램(들)은 컴퓨터 시스템과 통신하기 위해 하나 또는 둘 이상의 고레벨의 절차적인 또는 객체-지향적인 프로그래밍 언어들을 이용하여 구현될 수 있지만; 원한다면 프로그램(들)은 어셈블리 언어 또는 기계어로 구현될 수 있다. 언어는 컴파일되거나 또는 해석될 수 있다.The computer program (s) may be implemented using one or more high level procedural or object-oriented programming languages to communicate with a computer system; The program (s) can be implemented in assembly language or machine language, if desired. The language can be compiled or interpreted.

본 명세서에 제공된 바와 같이, 프로세서(들)는 따라서, 네트워킹된 환경에서 독립적으로 또는 함께 동작할 수 있는 하나 또는 둘 이상의 디바이스들 내에 구현될 수 있으며, 네트워크는 예를 들어, LAN(Local Area Network), WAN(wide area network)를 포함할 수 있으며, 및/또는 인트라넷 및/또는 인터넷 및/또는 다른 네트워크를 포함할 수 있다. 네트워크(들)는 유선 또는 무선 또는 이들의 조합일 수 있으며, 상이한 프로세서들 사이의 통신들을 용이하게 하기 위해 하나 또는 둘 이상의 통신 프로토콜들을 이용할 수 있다. 프로세서들은 분산 처리를 위해 구성될 수 있으며, 몇몇 실시예들에서 필요에 따라 클라이언트-서버 모델을 활용할 수 있다. 따라서, 방법들 및 시스템들은 다수의 프로세서들 및/또는 프로세서 디바이스들을 활용할 수 있으며, 프로세서 명령들은 이러한 단일- 또는 다중-프로세서/디바이스들 사이에서 분배될 수 있다.As provided herein, the processor (s) can thus be implemented within one or more devices that can operate independently or together in a networked environment, wherein the network is, for example, a local area network (LAN). It may include a wide area network (WAN), and / or may include an intranet and / or the Internet and / or other networks. The network (s) may be wired or wireless or a combination thereof and may use one or more communication protocols to facilitate communications between different processors. Processors may be configured for distributed processing, and in some embodiments may utilize a client-server model as needed. Thus, the methods and systems may utilize multiple processors and / or processor devices, and processor instructions may be distributed among these single- or multi-processors / devices.

프로세서(들)와 통합된 디바이스(들) 또는 컴퓨터 시스템들은 예를 들어, 퍼스널 컴퓨터(들), 워크스테이션(들)(예를 들어, Sun, HP), 개인 디지털 정보 단말(들)(PDA(들)), 셀룰러 전화(들) 또는 스마트 셀폰(들), 랩톱(들), 핸드헬드 컴퓨터(들)와 같은 핸드헬드 디바이스(들), 또는 본 명세서에 제공된 바와 같이 동작할 수 있는 프로세서(들)와 통합될 수 있는 다른 디바이스(들)를 포함할 수 있다. 따라서, 본 명세서에 제공된 디바이스들은 총망라하는 것은 아니며, 한정이 아니라 예시를 위해 제공된다.Device (s) or computer systems integrated with the processor (s) may be, for example, personal computer (s), workstation (s) (eg, Sun, HP), personal digital information terminal (s) (PDA ( (S)), cellular phone (s) or smart cell phone (s), laptop (s), handheld device (s) such as handheld computer (s), or processor (s) capable of operating as provided herein ) May include other device (s) that may be integrated. Accordingly, the devices provided herein are not exhaustive and are provided for purposes of illustration and not limitation.

"마이크로프로세서" 및 "프로세서"에 대한 참조들, 또는 "마이크로프로세서" 및 "프로세서"는, 독립형 및/또는 분산형 환경(들)에서 통신할 수 있고, 따라서, 유선 또는 무선 통신들을 통해 다른 프로세서들과 통신하도록 구성될 수 있는 하나 또는 둘 이상의 마이크로프로세서들을 포함하는 것으로 이해될 수 있으며, 이러한 하나 또는 둘 이상의 프로세서는, 유사한 또는 상이한 디바이스들일 수 있는 하나 또는 둘 이상의 프로세서-제어 디바이스들 상에서 동작하도록 구성될 수 있다. 따라서, 이러한 "마이크로프로세서" 또는 "프로세서" 전문용어의 이용은 중앙 처리 장치, 산술 논리 장치, 주문형 집적 회로(IC), 및/또는 태스크 엔진을 포함하는 것으로 또한 이해될 수 있으며, 제공된 이러한 예들은 한정이 아닌 예시를 위한 것이다.References to “microprocessors” and “processors”, or “microprocessors” and “processors” may communicate in standalone and / or distributed environment (s) and, therefore, other processors via wired or wireless communications. And one or more microprocessors, which may be configured to communicate with the devices, such one or more processors may be configured to operate on one or more processor-controlled devices, which may be similar or different devices. Can be configured. Thus, use of such "microprocessor" or "processor" terminology may also be understood to include a central processing unit, arithmetic logic unit, application specific integrated circuit (IC), and / or task engine, and such examples provided It is for illustration, not limitation.

더욱이, 달리 명시되지 않는 한, 메모리에 대한 참조들은, 프로세서-제어 디바이스 내부에 있을 수 있는, 프로세서-제어 디바이스 외부에 있을 수 있는, 및/또는 다양한 통신 프로토콜들을 이용하여 유선 또는 무선 네트워크를 통해 액세스될 수 있으며, 달리 명시되지 않는 한, 외부 및 내부 메모리 디바이스들의 조합을 포함하도록 배열될 수 있는, 하나 또는 둘 이상의 프로세서-판독가능 및 액세스가능 메모리 엘리먼트들 및/또는 컴포넌트들을 포함할 수 있으며, 이러한 메모리는 애플리케이션에 기초하여 인접될 수 있거나 및/또는 분할될 수 있다. 따라서, 데이터베이스에 대한 참조들은 하나 또는 둘 이상의 메모리 연계들을 포함하는 것으로 이해될 수 있으며, 이러한 참조들은 상업적으로 입수가능한 데이터베이스 제품들(예를 들어, SQL, Informix, Oracle) 및 또한 등록상표 데이터베이스들을 포함할 수 있으며, 링크들, 큐들, 그래프들, 트리들과 같은, 메모리를 연계시키기 위한 다른 구조들을 또한 포함할 수 있으며, 이러한 구조들은 한정이 아닌 예시를 위해 제공된다.Moreover, unless otherwise specified, references to memory may be external to the processor-controlled device, which may be internal to the processor-controlled device, and / or accessed via a wired or wireless network using various communication protocols. And may include one or more processor-readable and accessible memory elements and / or components, which may be arranged to include a combination of external and internal memory devices, unless otherwise specified The memory may be contiguous and / or partitioned based on the application. Thus, references to a database may be understood to include one or more memory associations, which references include commercially available database products (eg, SQL, Informix, Oracle) and also trademarked databases. And other structures for associating memory, such as links, queues, graphs, trees, etc., which structures are provided for purposes of illustration and not limitation.

달리 제공되지 않는 한, 네트워크에 대한 참조들은 하나 또는 둘 이상의 인트라넷들 및/또는 인터넷을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 마이크로프로세서 명령들 또는 마이크로프로세서-실행가능 명령들에 대한 참조들은 상술한 바에 따라, 프로그램가능 하드웨어를 포함하는 것으로 이해될 수 있다.Unless otherwise provided, references to a network may include one or more intranets and / or the Internet. References herein to microprocessor instructions or microprocessor-executable instructions may be understood to include programmable hardware, as described above.

달리 명시되지 않는 한, 단어 "실질적으로"의 이용은 당업자에 의해 이해되는 바와 같이, 정확한 관계, 상태, 배열, 배향, 및/또는 다른 특징, 및 그들의 편차들을, 그러한 편차들이, 개시된 방법들 및 시스템들에 물질적으로 영향을 미치지 않는 범위까지 포함하는 것으로 해석될 수 있다.Unless otherwise specified, the use of the word "substantially" means, as understood by one of ordinary skill in the art, the exact relationship, state, arrangement, orientation, and / or other characteristics, and their deviations, such deviations, the methods disclosed and It can be interpreted as including to the extent that it does not materially affect the systems.

본 개시내용의 전체에 걸쳐, 명사를 수식하기 위한 관사들 "하나" 및/또는 "상기"의 이용은, 편의를 위해 이용되는 것으로, 그리고 달리 구체적으로 명시되지 않는 한, 수식되는 명사의 하나, 또는 하나보다 많은 수를 포함하는 것으로 이해될 수 있다. 용어 "포함하다" 및 "갖는다"는 포괄적이도록 의도되며, 리스트된 엘리먼트들 외에 부가적인 엘리먼트들이 존재할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout this disclosure, the use of the articles “a” and / or “the” to modify a noun is used for convenience, and unless otherwise specified, one of a noun that is modified, Or it may be understood to include more than one. The terms "comprises" and "having" are intended to be inclusive and mean that there may be additional elements besides the listed elements.

다른 것과 통신하는 것으로, 연관되는 것으로, 및/또는 기초하는 것으로 도면들에 걸쳐 기술된 및/또는 그렇지 않으면 묘사된 엘리먼트들, 컴포넌트들, 모듈들, 및/또는 그들의 부분들은, 본 명세서에서 달리 규정되지 않는 한, 직접 방식으로 및/또는 간접 방식으로 그와 같이 통신하는 것으로, 연관되는 것으로, 및/또는 기초하는 것으로 이해될 수 있다.The elements, components, modules, and / or portions thereof described and / or otherwise depicted throughout the figures as being in communication with, associating, and / or based on, are otherwise defined herein. Unless otherwise, it may be understood to communicate, associate with, and / or based on such communication in a direct and / or indirect manner.

방법들 및 시스템들이 그들의 특정 실시예에 관하여 기술되었지만, 이들은 그와 같이 한정되지 않는다. 명백하게, 많은 수정들 및 변형들이 상기 교시들을 고려하여 명백해질 것이다. 본 명세서에 기술된 그리고 예시된 부분들의 배열, 자료들, 및 세부사항들에 있어서의 많은 부가적인 변화들이 당업자들에 의해 이루어질 수 있다.Although methods and systems have been described with respect to specific embodiments thereof, they are not so limited. Obviously, many modifications and variations will become apparent in light of the above teachings. Many additional changes in the arrangement, materials, and details of the parts described and illustrated herein may be made by those skilled in the art.

Claims (20)

과열 방지 회로(thermal protection circuit)로서,
정전류원 및 복수의 고체 상태 광원들에 결합되도록 구성된 가변 임피던스 회로 ― 상기 정전류원은 상기 복수의 고체 상태 광원들에 전류를 제공하도록 그리고 상기 과열 방지 회로에 대한 공급 전압을 확립하기 위해 출력 전압을 제공하도록 구성됨 ―;
상기 복수의 고체 상태 광원들의 온도를 감지하도록 구성된 온도 센서; 및
상기 공급 전압을 수신하도록, 그리고 상기 공급 전압이 제어 회로의 적어도 최소 공급 전압일 때 상기 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 조정하기 위해, 감지된 온도에 기초하여 상기 가변 임피던스 회로를 구동시키도록 구성된 제어 회로
를 포함하는,
과열 방지 회로.As a thermal protection circuit,
A variable impedance circuit configured to be coupled to a constant current source and a plurality of solid state light sources, the constant current source providing an output voltage to provide current to the plurality of solid state light sources and to establish a supply voltage for the overheat protection circuit. Configured to;
A temperature sensor configured to sense a temperature of the plurality of solid state light sources; And
To drive the variable impedance circuit based on sensed temperature to receive the supply voltage and to adjust the current for the plurality of solid state light sources when the supply voltage is at least the minimum supply voltage of a control circuit. Configured control circuit
/ RTI >
Overheat protection circuit. 제 1 항에 있어서,
상기 감지된 온도와는 독립적으로, 상기 공급 전압이 상기 최소 공급 전압 미만일 때, 상기 가변 임피던스 회로를 저 임피던스 상태로 구동시키도록 구성된 저전압 보상 회로를 더 포함하는,
과열 방지 회로.The method of claim 1,
Independent of the sensed temperature, further comprising a low voltage compensation circuit configured to drive the variable impedance circuit to a low impedance state when the supply voltage is below the minimum supply voltage,
Overheat protection circuit. 제 2 항에 있어서,
상기 저전압 보상 회로는, 상기 공급 전압이 상기 최소 공급 전압 미만일 때 상기 제어 회로를 상기 가변 임피던스 회로로부터 절연시키도록 구성된 저전압 제어 회로를 포함하는,
과열 방지 회로.3. The method of claim 2,
The low voltage compensation circuit includes a low voltage control circuit configured to insulate the control circuit from the variable impedance circuit when the supply voltage is below the minimum supply voltage.
Overheat protection circuit. 제 2 항에 있어서,
상기 저전압 보상 회로는, 상기 출력 전압이 상기 최소 공급 전압 미만으로 감소한 후의 시간 기간 동안 상기 공급 전압을 상기 최소 공급 전압 초과로 유지하도록 구성된 에너지 저장 엘리먼트를 포함하는,
과열 방지 회로.3. The method of claim 2,
The low voltage compensation circuitry comprises an energy storage element configured to maintain the supply voltage above the minimum supply voltage for a period of time after the output voltage decreases below the minimum supply voltage.
Overheat protection circuit. 제 1 항에 있어서,
상기 제어 회로는,
온도 임계치 회로; 및
비교기 회로
를 포함하며,
상기 비교기 회로는 상기 온도 임계치 회로 및 상기 온도 센서에 결합되고, 상기 비교기 회로는, 상기 감지된 온도가 미리-결정된 임계 온도보다 높거나 동일할 때 상기 가변 임피던스 회로를 고 임피던스 상태로 구동시키도록 구성되는,
과열 방지 회로.The method of claim 1,
The control circuit comprising:
Temperature threshold circuits; And
Comparator circuit
Including;
The comparator circuit is coupled to the temperature threshold circuit and the temperature sensor, the comparator circuit configured to drive the variable impedance circuit to a high impedance state when the sensed temperature is above or equal to a predetermined threshold temperature. felled,
Overheat protection circuit. 제 5 항에 있어서,
상기 비교기 회로는 상기 가변 임피던스 회로를, 상기 감지된 온도와 미리-결정된 임계 온도 사이의 차이에 기초하여 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 임피던스로 구동시키도록 구성되는,
과열 방지 회로.The method of claim 5, wherein
The comparator circuit is configured to drive the variable impedance circuit to an impedance between a high impedance state and a low impedance state based on a difference between the sensed temperature and a predetermined threshold temperature;
Overheat protection circuit. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 고체 상태 광원들은 복수의 고체 상태 광원 모듈들 내에 위치되는,
과열 방지 회로.The method of claim 1,
The plurality of solid state light sources are located within the plurality of solid state light modules
Overheat protection circuit. 과열 방지 조명 시스템으로서,
하나 또는 둘 이상의 고체 상태 광원 모듈들 내에 위치되는 복수의 고체 상태 광원들;
전류를 상기 복수의 고체 상태 광원들에 제공하도록 그리고 공급 전압을 확립하기 위해 출력 전압을 제공하도록 구성된 정전류원; 및
과열 방지 회로
를 포함하며,
상기 과열 방지 회로는,
상기 정전류원 및 상기 복수의 고체 상태 광원들에 결합된 가변 임피던스 회로;
상기 복수의 고체 상태 광원들의 온도를 감지하도록 구성된 온도 센서; 및
상기 공급 전압을 수신하도록, 그리고 상기 공급 전압이 제어 회로의 적어도 최소 공급 전압일 때 상기 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 제어하기 위해, 감지된 온도에 기초하여 상기 가변 임피던스 회로를 구동시키도록 구성된 제어 회로
를 포함하는,
과열 방지 조명 시스템.Overheat lighting system,
A plurality of solid state light sources located within one or more solid state light modules;
A constant current source configured to provide a current to the plurality of solid state light sources and to provide an output voltage to establish a supply voltage; And
Overheat protection circuit
Including;
The overheat prevention circuit,
A variable impedance circuit coupled to the constant current source and the plurality of solid state light sources;
A temperature sensor configured to sense a temperature of the plurality of solid state light sources; And
To drive the variable impedance circuit based on sensed temperature to receive the supply voltage and to control current for the plurality of solid state light sources when the supply voltage is at least the minimum supply voltage of a control circuit. Configured control circuit
/ RTI >
Overheat protection lighting system. 제 8 항에 있어서,
상기 과열 방지 회로는, 상기 감지된 온도와는 독립적으로, 상기 공급 전압이 상기 최소 공급 전압 미만일 때, 상기 가변 임피던스 회로를 저 임피던스 상태로 구동시키도록 구성된 저전압 보상 회로를 포함하는,
과열 방지 조명 시스템.The method of claim 8,
The overheat protection circuit includes a low voltage compensation circuit configured to drive the variable impedance circuit to a low impedance state when the supply voltage is less than the minimum supply voltage, independent of the sensed temperature;
Overheat protection lighting system. 제 9 항에 있어서,
상기 저전압 보상 회로는, 상기 공급 전압이 상기 최소 공급 전압 미만일 때 상기 제어 회로를 상기 가변 임피던스 회로로부터 절연시키도록 구성된 저전압 제어 회로를 포함하는,
과열 방지 조명 시스템.The method of claim 9,
The low voltage compensation circuit includes a low voltage control circuit configured to insulate the control circuit from the variable impedance circuit when the supply voltage is below the minimum supply voltage.
Overheat protection lighting system. 제 9 항에 있어서,
상기 저전압 보상 회로는, 상기 출력 전압이 상기 최소 공급 전압 미만으로 감소한 후의 시간 기간 동안 상기 공급 전압을 상기 최소 공급 전압 초과로 유지하도록 구성된 에너지 저장 엘리먼트를 포함하는,
과열 방지 조명 시스템.The method of claim 9,
The low voltage compensation circuitry comprises an energy storage element configured to maintain the supply voltage above the minimum supply voltage for a period of time after the output voltage decreases below the minimum supply voltage.
Overheat protection lighting system. 제 8 항에 있어서,
상기 제어 회로는,
온도 임계치 회로; 및
비교기 회로
를 포함하며,
상기 비교기 회로는 상기 온도 임계치 회로 및 상기 온도 센서에 결합되고, 상기 비교기 회로는, 상기 감지된 온도가 미리-결정된 임계 온도보다 높거나 동일할 때 상기 가변 임피던스 회로를 고 임피던스 상태로 구동시키도록 구성되는,
과열 방지 조명 시스템.The method of claim 8,
The control circuit comprising:
Temperature threshold circuits; And
Comparator circuit
Including;
The comparator circuit is coupled to the temperature threshold circuit and the temperature sensor, the comparator circuit configured to drive the variable impedance circuit to a high impedance state when the sensed temperature is above or equal to a predetermined threshold temperature. felled,
Overheat protection lighting system. 제 12 항에 있어서,
상기 비교기 회로는 상기 가변 임피던스 회로를, 상기 감지된 온도와 미리-결정된 임계 온도 사이의 차이에 기초하여 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 임피던스로 구동시키도록 구성되는,
과열 방지 조명 시스템.13. The method of claim 12,
The comparator circuit is configured to drive the variable impedance circuit to an impedance between a high impedance state and a low impedance state based on a difference between the sensed temperature and a predetermined threshold temperature;
Overheat protection lighting system. 제 8 항에 있어서,
상기 정전류원은 조광(dimming) 입력 신호를 수신하도록 그리고 상기 조광 입력에 기초하여 상기 복수의 고체 상태 광원들에 전류를 제공하도록 구성되는,
과열 방지 조명 시스템.The method of claim 8,
The constant current source is configured to receive a dimming input signal and to provide a current to the plurality of solid state light sources based on the dimming input,
Overheat protection lighting system. 과열 방지를 제공하는 방법으로서,
가변 임피던스 회로를 정전류원 및 복수의 고체 상태 광원들에 결합하는 단계 ― 상기 정전류원은 상기 복수의 고체 상태 광원들에 전류를 제공하도록 그리고 공급 전압을 확립하기 위해 출력 전압을 제공하도록 구성됨 ―;
온도 센서를 이용하여 상기 복수의 고체 상태 광원들의 온도를 감지하는 단계; 및
공급 전압이 제어 회로의 적어도 최소 공급 전압일 때 상기 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 조정하기 위해, 상기 제어 회로에 의해 상기 가변 임피던스 회로를 구동시키는 단계
를 포함하는,
과열 방지를 제공하는 방법.As a method of providing overheat protection,
Coupling a variable impedance circuit to a constant current source and a plurality of solid state light sources, the constant current source configured to provide current to the plurality of solid state light sources and to provide an output voltage to establish a supply voltage;
Sensing a temperature of the plurality of solid state light sources using a temperature sensor; And
Driving the variable impedance circuit by the control circuit to regulate a current for the plurality of solid state light sources when a supply voltage is at least a minimum supply voltage of a control circuit.
/ RTI >
How to provide overheat protection. 제 15 항에 있어서,
상기 구동시키는 단계는, 감지된 온도와는 독립적으로, 상기 공급 전압이 상기 최소 공급 전압 미만일 때, 저전압 보상 회로에 의해 상기 가변 임피던스 회로를 저 임피던스 상태로 구동시키는 단계를 포함하는,
과열 방지를 제공하는 방법.The method of claim 15,
The driving step includes driving the variable impedance circuit to a low impedance state by a low voltage compensation circuit, when the supply voltage is less than the minimum supply voltage, independent of the sensed temperature.
How to provide overheat protection. 제 16 항에 있어서,
상기 공급 전압이 상기 최소 공급 전압 미만일 때, 저전압 제어 회로를 통해, 상기 제어 회로를 상기 가변 임피던스 회로로부터 절연시키는 단계를 더 포함하며,
상기 저전압 제어 회로는 상기 저전압 보상 회로의 부분인,
과열 방지를 제공하는 방법.17. The method of claim 16,
When the supply voltage is below the minimum supply voltage, insulating the control circuit from the variable impedance circuit through a low voltage control circuit,
The low voltage control circuit is part of the low voltage compensation circuit;
How to provide overheat protection. 제 16 항에 있어서,
상기 저전압 보상 회로의 에너지 저장 엘리먼트를 통해, 상기 출력 전압이 상기 최소 공급 전압 미만으로 감소한 후의 시간 기간 동안 상기 공급 전압을 상기 최소 공급 전압 초과로 유지하는 단계를 더 포함하는,
과열 방지를 제공하는 방법.17. The method of claim 16,
Via the energy storage element of the low voltage compensation circuit, maintaining the supply voltage above the minimum supply voltage for a period of time after the output voltage decreases below the minimum supply voltage,
How to provide overheat protection. 제 15 항에 있어서,
상기 구동시키는 단계는, 감지된 온도가 미리-결정된 임계 온도보다 높거나 동일할 때, 상기 제어 회로의 비교기 회로를 통해, 상기 가변 임피던스 회로를 고 임피던스 상태로 구동시키는 단계를 포함하고,
상기 비교기 회로는 온도 임계치 회로 및 상기 온도 센서에 결합되는,
과열 방지를 제공하는 방법.The method of claim 15,
The driving includes driving the variable impedance circuit to a high impedance state through a comparator circuit of the control circuit when the sensed temperature is higher than or equal to a predetermined threshold temperature,
The comparator circuit is coupled to a temperature threshold circuit and the temperature sensor,
How to provide overheat protection. 제 19 항에 있어서,
상기 구동시키는 단계는, 상기 제어 회로의 비교기 회로를 통해, 상기 가변 임피던스 회로를, 상기 감지된 온도와 미리-결정된 임계 온도 사이의 차이에 기초하여 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 임피던스로 구동시키는 단계를 포함하는,
과열 방지를 제공하는 방법.The method of claim 19,
The driving step includes driving, through the comparator circuit of the control circuit, the variable impedance circuit to an impedance between a high impedance state and a low impedance state based on a difference between the sensed temperature and a predetermined threshold temperature. Comprising the steps,
How to provide overheat protection.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190029702A (en) * 2016-09-14 2019-03-20 필립모리스 프로덕츠 에스.에이. Aerosol generation system and control method thereof

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009052836A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Schott Ag Circuit arrangement for an LED light source
US8947064B2 (en) 2011-09-20 2015-02-03 Infineon Technologies Austria Ag System and method for driving an electronic switch dependent on temperature
US9713226B2 (en) 2011-10-02 2017-07-18 Cree, Inc. Over-voltage handling of lighting device
JP5842101B2 (en) * 2011-11-22 2016-01-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Lighting device for visible light communication and visible light communication system using the same
EP2648482A1 (en) * 2012-04-05 2013-10-09 Koninklijke Philips N.V. LED lighting system
US8878443B2 (en) * 2012-04-11 2014-11-04 Osram Sylvania Inc. Color correlated temperature correction for LED strings
JP2015520491A (en) * 2012-11-05 2015-07-16 ヴァイブ カンパニー リミテッド Light-emitting diode lighting device with heat dissipation / waterproof / moisture-proof structure using fluid
DE202012104404U1 (en) * 2012-11-15 2014-02-17 Zumtobel Lighting Gmbh Circuit for operating a light source with temperature monitoring
US8836244B2 (en) * 2012-12-31 2014-09-16 Dialight Corporation Automatic input impedance control
DE202013100577U1 (en) * 2013-02-08 2014-05-09 Zumtobel Lighting Gmbh facade light
US9164001B2 (en) 2013-06-28 2015-10-20 Bridgelux, Inc. Using an LED die to measure temperature inside silicone that encapsulates an LED array
US8941129B1 (en) 2013-07-19 2015-01-27 Bridgelux, Inc. Using an LED die to measure temperature inside silicone that encapsulates an LED array
WO2015025257A1 (en) * 2013-08-19 2015-02-26 Koninklijke Philips N.V. Led driver, lighting system and driving method with prolonged lifetime of luminous output
US9504103B2 (en) * 2013-10-21 2016-11-22 Osram Sylvania Inc. Driving a multi-color luminaire
KR20150055937A (en) * 2013-11-14 2015-05-22 삼성전자주식회사 Led driving device, lighting device and control circuit for led driving device
US9439299B2 (en) 2014-03-29 2016-09-06 Bridgelux, Inc. Low-profile outdoor lighting module with light emitting diodes
WO2015193137A1 (en) * 2014-06-17 2015-12-23 Koninklijke Philips N.V. Dynamic control circuit
US9277618B2 (en) 2014-06-27 2016-03-01 Bridgelux, Inc. Monolithic LED chip in an integrated control module with active circuitry
CN104582150B (en) * 2014-12-19 2018-11-13 苏州佳亿达电器有限公司 A kind of constant current compensation solar LED street lamp
JP6421618B2 (en) * 2015-01-26 2018-11-14 岩崎電気株式会社 LED module and LED lighting device
JP6481402B2 (en) * 2015-02-13 2019-03-13 岩崎電気株式会社 LED module and LED lighting device
EP3118279A1 (en) * 2015-07-14 2017-01-18 odelo GmbH Method for operating oleds as light sources in vehicle lights, oled as light source comprising lighting means and vehicle light equipped with same
KR101748660B1 (en) * 2016-03-21 2017-06-21 유버 주식회사 Apparatus for controlling light emitting diode module equipped with function of light compensation and system comprising thereof
JP6178896B2 (en) * 2016-06-13 2017-08-09 三菱電機照明株式会社 Power supply device and lighting device
EP3291646A1 (en) 2016-08-30 2018-03-07 odelo GmbH Method for operating a lighting means with at least one oled, lighting means and vehicle lamp equipped with the device
WO2018149824A1 (en) 2017-02-20 2018-08-23 Philips Lighting Holding B.V. Led arrangement with over-current protection
US11071185B2 (en) 2017-02-20 2021-07-20 Signify Holding B.V. LED arrangement with over-current protection
JP2020016778A (en) * 2018-07-26 2020-01-30 株式会社デンソーテン Backlight protective circuit
TWI664875B (en) * 2018-09-03 2019-07-01 群光電能科技股份有限公司 Constant current device and heat dispersion module thereof
CN209419945U (en) * 2018-11-14 2019-09-20 深圳市崧盛电子股份有限公司 A kind of LED drive power thermal-shutdown circuit
US11402418B2 (en) * 2019-09-09 2022-08-02 International Business Machines Corporation Time-domain reflectometry protocol for sensors
US12061124B2 (en) * 2020-12-18 2024-08-13 Advanced Micro Devices (Shanghai) Co., Ltd. Circuit to compensate for temperature impedance drift of conductive component
US11737181B2 (en) * 2020-12-23 2023-08-22 Hyundai Mobis Co., Ltd. Apparatus for controlling lamp and method thereof

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09320764A (en) * 1996-05-30 1997-12-12 Toshiba Electric Appliance Co Ltd Dimmer
US6285139B1 (en) * 1999-12-23 2001-09-04 Gelcore, Llc Non-linear light-emitting load current control
JP2002064223A (en) * 2000-08-16 2002-02-28 Sony Corp Drive circuit of semiconductor light-emitting diode
JP2003188415A (en) 2001-12-18 2003-07-04 Asahi Matsushita Electric Works Ltd Led lighting device
JP4089535B2 (en) * 2003-07-31 2008-05-28 株式会社村田製作所 Overheat protection circuit
US7276861B1 (en) * 2004-09-21 2007-10-02 Exclara, Inc. System and method for driving LED
CN101124853B (en) * 2004-10-12 2011-07-13 皇家飞利浦电子股份有限公司 Method and system for feedback and control of a luminaire
KR20060084571A (en) 2005-01-20 2006-07-25 삼성전자주식회사 Driving apparatus for led back light and lcd monitor having the same
CN1870789A (en) * 2005-05-27 2006-11-29 佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司 Mobile phone temp, protection device
KR100735460B1 (en) * 2005-09-09 2007-07-03 삼성전기주식회사 A circuit for controlling led driving with temperature compensation
JP4398417B2 (en) * 2005-10-19 2010-01-13 株式会社小糸製作所 Lighting control device for vehicle lamp
KR20080033771A (en) * 2006-10-13 2008-04-17 삼성전자주식회사 Driving device of back-light unit, liquid crystal display having the same, and control method thereof
CN200979092Y (en) * 2006-12-07 2007-11-21 姚荣湘 Tandem LED lamp set light-emitting device
JPWO2008146811A1 (en) * 2007-05-31 2010-08-19 株式会社村田製作所 LED drive circuit
KR100943966B1 (en) 2007-06-11 2010-02-26 주식회사 휴먼엘이디 Apparatus for controlling LED lamp to prevent overheat, and method for the same
CN101373900A (en) * 2007-08-22 2009-02-25 广达电脑股份有限公司 Battery module and charging/discharging thereof
CN101541120A (en) * 2008-03-19 2009-09-23 牧德科技股份有限公司 Intelligent light-emitting diode illuminating system
JP2009232624A (en) * 2008-03-24 2009-10-08 Toshiba Lighting & Technology Corp Power supply device and illuminator
JP2009246074A (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Nippon Seiki Co Ltd Vehicular display
JP4978547B2 (en) * 2008-04-24 2012-07-18 豊田合成株式会社 LED driving circuit and LED lighting device
US7812550B2 (en) * 2008-05-28 2010-10-12 Revlite Technologies Inc. LED replacement for low voltage lamps
JP4649504B2 (en) * 2008-08-06 2011-03-09 シャープ株式会社 LED drive circuit
CN201274590Y (en) * 2008-08-29 2009-07-15 田承仁 LED driving apparatus using commercial power
KR20100059421A (en) 2008-11-26 2010-06-04 삼성전기주식회사 Driver for the emitting device using the variable current limit
US9781803B2 (en) * 2008-11-30 2017-10-03 Cree, Inc. LED thermal management system and method
US8358085B2 (en) 2009-01-13 2013-01-22 Terralux, Inc. Method and device for remote sensing and control of LED lights
JP2010166499A (en) * 2009-01-19 2010-07-29 Pfu Ltd Lighting device and image reading device
JP5324938B2 (en) * 2009-01-22 2013-10-23 パナソニック株式会社 LIGHT EMITTING DIODE DRIVING DEVICE, LIGHTING APPARATUS USING THE SAME, LIGHTING DEVICE FOR VEHICLE, LIGHTING DEVICE FOR VEHICLE

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190029702A (en) * 2016-09-14 2019-03-20 필립모리스 프로덕츠 에스.에이. Aerosol generation system and control method thereof
US11033053B2 (en) 2016-09-14 2021-06-15 Philip Morris Products S.A. Aerosol-generating system and method for controlling the same

Also Published As

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Bhattacharya et al. Digital sliding mode pulsed current averaging IC drivers for high brightness light emitting diodes

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