KR20130095274A - 가변 직렬 임피던스에 의한 고체 상태 광원들의 열 제어 - Google Patents

가변 직렬 임피던스에 의한 고체 상태 광원들의 열 제어 Download PDF

Info

Publication number
KR20130095274A
KR20130095274A KR1020137005799A KR20137005799A KR20130095274A KR 20130095274 A KR20130095274 A KR 20130095274A KR 1020137005799 A KR1020137005799 A KR 1020137005799A KR 20137005799 A KR20137005799 A KR 20137005799A KR 20130095274 A KR20130095274 A KR 20130095274A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
supply voltage
temperature
solid state
state light
Prior art date
Application number
KR1020137005799A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101550842B1 (ko
Inventor
비주 안토니
존 크로스
Original Assignee
오스람 실바니아 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오스람 실바니아 인코포레이티드 filed Critical 오스람 실바니아 인코포레이티드
Publication of KR20130095274A publication Critical patent/KR20130095274A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101550842B1 publication Critical patent/KR101550842B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/50—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED] responsive to malfunctions or undesirable behaviour of LEDs; responsive to LED life; Protective circuits
    • H05B45/56—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED] responsive to malfunctions or undesirable behaviour of LEDs; responsive to LED life; Protective circuits involving measures to prevent abnormal temperature of the LEDs
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Abstract

과열 방지 회로, 및 이를 포함하는 시스템 및 방법이 제공된다. 상기 회로는, 정전류원 및 복수의 고체 상태 광원들에 결합되도록 구성된 가변 임피던스 회로를 포함한다. 상기 정전류원은 상기 복수의 고체 상태 광원들에 전류를 제공하고, 그리고 상기 회로에 대한 공급 전압을 확립하기 위해 출력 전압을 제공한다. 상기 회로는 또한, 상기 복수의 고체 상태 광원들의 온도를 감지하도록 구성된 온도 센서를 포함한다. 상기 회로는 또한, 상기 공급 전압을 수신하도록, 그리고 상기 공급 전압이 제어 회로의 적어도 최소 공급 전압일 때 상기 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 조정하기 위해, 감지된 온도에 기초하여 상기 가변 임피던스 회로를 구동시키도록 구성된 제어 회로를 포함한다.

Description

가변 직렬 임피던스에 의한 고체 상태 광원들의 열 제어 {THERMAL CONTROL OF SOLID STATE LIGHT SOURCES BY VARIABLE SERIES IMPEDANCE}
관련 출원에 대한 상호-참조
본 출원은 2011년 8월 2일자로 출원된 미국 특허 출원 제 13/196,464 호 및 2010년 8월 6일 출원된 가출원 제 61/371,544 호를 우선권으로 주장하며, 상기 미국 특허 출원 및 상기 가출원 모두의 전체 내용들은 인용에 의해 본원에 포함된다.
본 발명은 조명, 보다 구체적으로는, 고체 상태 광원들의 전자 제어에 관한 것이다.
임의의 타입(예를 들어, LED, OLED, PLED 등)의 발광 다이오드(LED)와 같은(그러나, 이에 한정되지 않음) 고체 상태 광원은 전류 구동 전자 디바이스이다. 통상적으로, 하나 또는 둘 이상의 고체 상태 광원들은 정전류원과 같은(그러나, 이에 한정되지 않음) 전류원에 의해 구동된다. 단독으로 또는 광 엔진과 같은 모듈 내에 배치될 때, 고체 상태 광원은 광학 시스템(예를 들어, 렌즈) 및/또는 인광체와 같은(그러나, 이에 한정되지 않음) 연관된 파장-변환 엘리먼트를 부가적으로 포함할 수 있다. 개별적으로 또는 함께, 이들 부가적인 엘리먼트들은 고체 상태 광원의 주(primary) 광 출력을 상이한 파장/색의 부(secondary) 광 출력으로 변환할 수 있다.
고체 상태 광원의 광 출력 레벨은 통상의 조광 기법들을 이용하여 정전류원의 출력 전류를 조정함으로써 조정될 수 있다. 예를 들어, 하나 또는 둘 이상의 고체 상태 광원들을 포함하는 광 엔진의 광 출력 레벨은 정전류원의 출력 전류의 펄스-폭-변조(PWM) 또는 진폭 변조에 의해, 또는 정전류원의 정상 상태 DC 출력을 조정함으로써 조정될 수 있다.
하나 또는 둘 이상의 고체 상태 광원들을 포함하는 모듈의 설계에 있어서의 한가지 고려사항은 모듈에 의해, 보다 구체적으로는 고체 상태 광원들에 의해 발생되는 열이다. 몇몇 상황들에서, 모듈 근처의 구역에서의 온도가 임계 온도를 초과하는 경우에 고체 상태 광원 모듈에 대한 전력을 적어도 일시적으로 제거하는 것이 유용할 수 있다. 고체 상태 광원 모듈에서의 과-온도(over-temperature) 상태들로 인한 열 제어 및/또는 열 셧다운(thermal shutdown)은, 고체 상태 광원들 및/또는 모듈에 부착된 인쇄 회로 기판(PCB) 상에 위치되는 통상의 바이메탈릭(bi-metallic) 열 스위치를 이용하여 구현될 수 있다. 바이메탈릭 열 스위치는 과-온도 상태에 응답하여 회로를 개방하도록 그리고 모듈에 대한 전력을 차단하도록 구성된다.
그러나, 통상의 바이메탈릭 스위치는 부피가 클 수 있으며, 따라서 모듈 내에서 상당한 공간을 차지할 수 있다. 몇몇 설계들에서, 고체 상태 광원 모듈은 이용가능한 공간에 이러한 스위치를 포함하기 위해, 이용가능한 공간의 상당한 양을 쓸 수 있다. 그러나, 특히 공간이 귀한 모듈 설계들에서, 이러한 스위치의 이용은 현실적이지 않을 수 있다. 게다가, 공간 가용성과 상관없이, 이러한 스위치들은 통상적으로, LED들과 같은 고체 상태 광원들을 포함하는 광원 모듈의 예상되는 수명과 비교하여 다소 한정된 수명을 갖는다.
본 발명의 실시예들은, 일반적으로 온도 센서, 가변 임피던스 회로, 및 제어 회로를 포함하는 과열 방지 회로(thermal protection circuit)를 제공한다. 가변 임피던스 회로는 전류원(예를 들어, 정전류원) 및 (하나 또는 둘 이상의 모듈들과 분리된 또는 상기 하나 또는 둘 이상의 모듈들의 부분으로서) 복수의 고체 상태 광원들과 직렬로 결합된다. 과열 방지 회로는 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 감소시키기 위해, 감지된 온도에 기초하여 가변 임피던스 회로를 제어하도록 구성된다. 제어 회로에 대한 공급 전압이 제어 회로의 최소 공급 전압을 초과할 때, 감지된 온도가 미리결정된 임계 온도를 초과한다면, 과열 방지 회로가 활성화된다.
몇몇 실시예들에서, 과열 방지 회로에 대한 입력 전압은, 선택된 조광 입력 설정 및/또는 전류원에 의해 구동된 부하의 임피던스에 따라 변화할 수 있는 전류원(예를 들어, 정전류원)의 출력 전압에 의해 제공된다. 예를 들어 낮은 조광기 설정으로부터 비롯되는 낮은 전류원 출력 전압에서, 과열 방지 회로에 대한 입력 전압은 제어 회로의 적어도 일부의 최소 공급 전압 미만으로 떨어질 수 있다. 따라서, 과열 방지 회로는 최소 공급 전압 미만의 입력 전압을 보상하도록 구성된 저전압 보상 회로를 포함할 수 있다.
예를 들어, 과열 방지 회로는, 입력 전압이 최소 공급 전압에 대응하는 저전압 임계치 미만으로 떨어질 때, 제어 회로와는 독립적으로, 가변 임피던스 회로를 저 임피던스 상태로 구동시키도록 구성될 수 있다. 이는, 예를 들어 낮은 조광기 설정에 의해 확립되는 바와 같이, 매우 낮은 광 출력 레벨들에서의 고체 상태 광원들의 정상 동작을 허용한다. 저전압 보상 회로는, 제어 회로로의 공급 전압에 대한 입력 전압에 있어서의 변화의 영향들을 보상하도록 더 구성될 수 있다. 예를 들어, 저전압 보상 회로는 조광 동안 입력 전압의 감소를 둔화(slow)시키도록 구성된 에너지 저장 엘리먼트, 예를 들어 커패시터를 포함할 수 있다.
실시예에서, 과열 방지 회로가 제공된다. 과열 방지 회로는: 정전류원 및 복수의 고체 상태 광원들에 결합되도록 구성된 가변 임피던스 회로 ― 정전류원은 복수의 고체 상태 광원들에 전류를 제공하도록 그리고 과열 방지 회로에 대한 공급 전압을 확립하기 위해 출력 전압을 제공하도록 구성됨 ―; 복수의 고체 상태 광원들의 온도를 감지하도록 구성된 온도 센서; 및 공급 전압을 수신하도록, 그리고 공급 전압이 제어 회로의 적어도 최소 공급 전압일 때 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 조정하기 위해, 감지된 온도에 기초하여 가변 임피던스 회로를 구동시키도록 구성된 제어 회로를 포함한다.
관련된 실시예에서, 과열 방지 회로는 감지된 온도와는 독립적으로, 공급 전압이 최소 공급 전압 미만일 때, 가변 임피던스 회로를 저 임피던스 상태로 구동시키도록 구성된 저전압 보상 회로를 더 포함할 수 있다. 추가의 관련된 실시예에서, 저전압 보상 회로는, 공급 전압이 최소 공급 전압 미만일 때 제어 회로를 가변 임피던스 회로로부터 절연시키도록 구성된 저전압 제어 회로를 포함할 수 있다. 다른 추가의 관련된 실시예에서, 저전압 보상 회로는 출력 전압이 최소 공급 전압 미만으로 감소한 후의 시간 기간 동안 공급 전압을 최소 공급 전압 초과로 유지하도록 구성된 에너지 저장 엘리먼트를 포함할 수 있다.
다른 관련된 실시예에서, 제어 회로는 온도 임계치 회로; 및 비교기 회로를 포함할 수 있으며, 비교기 회로는 온도 임계치 회로 및 온도 센서에 결합될 수 있고, 비교기 회로는, 감지된 온도가 미리-결정된 임계 온도보다 높거나 동일할 때 가변 임피던스 회로를 고 임피던스 상태로 구동시키도록 구성될 수 있다. 추가의 관련된 실시예에서, 비교기 회로는 가변 임피던스 회로를, 감지된 온도와 미리-결정된 임계 온도 사이의 차이에 기초하여 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 임피던스로 구동시키도록 구성될 수 있다.
또다른 관련된 실시예에서, 복수의 고체 상태 광원들은 복수의 고체 상태 광원 모듈들 내에 위치될 수 있다.
또다른 실시예에서, 과열 방지 조명 시스템이 제공된다. 과열 방지 조명 시스템은: 하나 또는 둘 이상의 고체 상태 광원 모듈들 내에 위치되는 복수의 고체 상태 광원들; 전류를 복수의 고체 상태 광원들에 제공하도록 그리고 공급 전압을 확립하기 위해 출력 전압을 제공하도록 구성된 정전류원; 및 과열 방지 회로를 포함하며, 과열 방지 회로는: 정전류원 및 복수의 고체 상태 광원들에 결합된 가변 임피던스 회로; 복수의 고체 상태 광원들의 온도를 감지하도록 구성된 온도 센서; 및 공급 전압을 수신하도록 그리고 공급 전압이 제어 회로의 적어도 최소 공급 전압일 때 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 제어하기 위해, 감지된 온도에 기초하여 가변 임피던스 회로를 구동시키도록 구성된 제어 회로를 포함한다.
관련된 실시예에서, 과열 방지 회로는 감지된 온도와는 독립적으로, 공급 전압이 최소 공급 전압 미만일 때, 가변 임피던스 회로를 저 임피던스 상태로 구동시키도록 구성된 저전압 보상 회로를 포함할 수 있다. 추가의 관련된 실시예에서, 저전압 보상 회로는, 공급 전압이 최소 공급 전압 미만일 때 제어 회로를 가변 임피던스 회로로부터 절연시키도록 구성된 저전압 제어 회로를 포함할 수 있다. 또다른 추가의 관련된 실시예에서, 저전압 보상 회로는, 출력 전압이 최소 공급 전압 미만으로 감소한 후의 시간 기간 동안 공급 전압을 최소 공급 전압 초과로 유지하도록 구성된 에너지 저장 엘리먼트를 포함할 수 있다.
다른 관련된 실시예에서, 제어 회로는: 온도 임계치 회로; 및 비교기 회로를 포함할 수 있으며, 비교기 회로는 온도 임계치 회로 및 온도 센서에 결합될 수 있고, 비교기 회로는, 감지된 온도가 미리-결정된 임계 온도보다 높거나 동일할 때 가변 임피던스 회로를 고 임피던스 상태로 구동시키도록 구성될 수 있다. 추가의 관련된 실시예에서, 비교기 회로는 가변 임피던스 회로를, 감지된 온도와 미리-결정된 임계 온도 사이의 차이에 기초하여 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 임피던스로 구동시키도록 구성될 수 있다.
또다른 관련된 실시예에서, 정전류원은 조광 입력 신호를 수신하도록 그리고 조광 입력에 기초하여 복수의 고체 상태 광원들에 전류를 제공하도록 구성될 수 있다.
다른 실시예에서, 과열 방지를 제공하는 방법이 제공된다. 방법은: 가변 임피던스 회로를 정전류원 및 복수의 고체 상태 광원들에 결합하는 단계 ― 정전류원은 복수의 고체 상태 광원들에 전류를 제공하도록 그리고 공급 전압을 확립하기 위해 출력 전압을 제공하도록 구성됨 ―; 온도 센서를 이용하여 복수의 고체 상태 광원들의 온도를 감지하는 단계; 및 공급 전압이 제어 회로의 적어도 최소 공급 전압일 때 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 조정하기 위해, 제어 회로에 의해 가변 임피던스 회로를 구동시키는 단계를 포함한다.
관련된 실시예에서, 구동시키는 단계는: 감지된 온도와는 독립적으로, 공급 전압이 최소 공급 전압 미만일 때, 저전압 보상 회로에 의해 가변 임피던스 회로를 저 임피던스 상태로 구동시키는 단계를 포함할 수 있다. 추가의 관련된 실시예에서, 방법은 공급 전압이 최소 공급 전압 미만일 때 저전압 제어 회로를 통해, 제어 회로를 가변 임피던스 회로로부터 절연시키는 단계를 더 포함할 수 있으며, 저전압 제어 회로는 저전압 보상 회로의 부분이다. 다른 추가의 관련된 실시예에서, 방법은 저전압 보상 회로의 에너지 저장 엘리먼트를 통해, 출력 전압이 최소 공급 전압 미만으로 감소한 후의 시간 기간 동안 공급 전압을 최소 공급 전압 초과로 유지하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또다른 관련된 실시예에서, 구동시키는 단계는: 감지된 온도가 미리-결정된 임계 온도보다 높거나 동일할 때, 제어 회로의 비교기 회로를 통해, 가변 임피던스 회로를 고 임피던스 상태로 구동시키는 단계를 포함할 수 있으며, 비교기 회로는 온도 임계치 회로 및 온도 센서에 결합된다. 다른 관련된 실시예에서, 구동시키는 단계는, 제어 회로의 비교기 회로를 통해, 가변 임피던스 회로를, 감지된 온도와 미리-결정된 임계 온도 사이의 차이에 기초하여 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 임피던스로 구동시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 명세서에 개시된 상술한 내용과, 다른 목적들, 특징들, 및 이점들은 첨부 도면들에서 예시된 바와 같은, 본 명세서에 개시된 특정 실시예들의 아래의 설명으로부터 명백해질 것이며, 상기 첨부 도면들에서 동일한 참조 부호들은 상이한 도면들에 걸쳐 동일한 부분들을 나타낸다. 도면들은 반드시 축척에 맞지는 않으며, 대신 본 명세서에 개시된 원리들을 예시할 때 강조가 이루어진다.
도 1은 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 과열 방지 조명 시스템의 블록도를 도시한다.
도 2는 도 1의 과열 방지 조명 시스템의 제어 회로의 블록도이다.
도 3은 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 과열 방지 조명 시스템의 개략도이다.
도 4는 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 과열 방지 조명 시스템의 개략도이다.
도 5는 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 과열 방지 조명 시스템의 블록도이다.
도 6은 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 과열 방지 조명 시스템의 개략도이다.
도 7 내지 도 9는 각각 98%, 50%, 및 4%의 PWM 듀티 사이클들에 대한, 도 6에 예시된 시스템에 있어서의, 예시적인 입력 전류(IIN) 및 입력 전압(VIN) 대 시간의 플롯들을 도시한다.
도 10은 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 방법의 블록 흐름도이다.
도 1은 본 명세서에 개시된 실시예들에 따른 과열 방지 조명 시스템(100)(이하 시스템(100))의 블록도이다. 시스템(100)은 정전류원(102), LED 어셈블리(104), 및 과열 방지 회로(110)를 포함한다. 정전류원(102)은, 비교적 일정한 전류(IIN)를 LED 어셈블리(104)에 공급하도록 그리고 가변 입력 전압(VIN)을 시스템(100)에 공급하도록 구성된 알려진 전류원일 수 있다. 정전류원(102)으로부터의 가변 입력 전압(VIN)은 과열 방지 회로(110)의 동작을 위해 공급 전압을 확립하기 위해 이용될 수 있다.
LED 어셈블리(104)는 복수의 고체 상태 광원 모듈들(106-1...106-n) ― 집합적으로 고체 상태 광원 모듈들(106) ― 및 인쇄 회로 기판(PCB)(108)을 포함할 수 있다. 각각의 고체 상태 광원 모듈(106-1...106-n)은 적어도 하나의 고체 상태 광원을 포함한다. 따라서, 고체 상태 광원 모듈(106)은 복수의 고체 상태 광원들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 고체 상태 광원 모듈들(106)은 인쇄 회로 기판(PCB)(108) 또는 동등한 기판 상에 장착될 수 있다. 몇몇 실시예들에서(도 1에 도시되지 않음), 정전류원(102)은 예를 들어, 과열 방지 회로(110) 또는 LED 어셈블리(104)와 동일한 인쇄 회로 기판(108) 상에 및/또는 상기 인쇄 회로 기판(108)과 관련하여 국부적으로 제공될 수 있거나, 또는 상기 인쇄 회로 기판(108)으로부터 멀리 떨어져, 예를 들어 물리적으로 분리된 인쇄 회로 기판 상에 또는 별개의 하우징 내에 위치될 수 있다.
과열 방지 회로(110)는 온도 센서(112), 제어 회로(114), 및 가변 임피던스 회로(116)를 포함한다. 일반적으로, 과열 방지 회로(110)는 고체 상태 광원 모듈들(106) 근처의 온도가 미리결정된 임계치를 초과한다는 것을 온도 센서(112)가 표시할 때, 예를 들어 고체 상태 광원(들)을 턴오프하기 위해, 고체 상태 광원 모듈들(106)을 통하는 전류를 0 또는 거의 0으로 감소시키도록 구성된다. 고체 상태 광원 모듈들(106) 근처의 온도가 미리결정된 임계치 미만으로 강하했다는 것을 온도 센서(112)가 표시할 때, 과열 방지 회로(110)는, 예를 들어 고체 상태 광원(들)을 턴온하기 위해, 고체 상태 광원 모듈들(106)을 통하는 전류를 정상 동작 값으로 되돌릴(return) 수 있다.
온도 센서(112)는 서미스터 또는 집적 회로 온도 센서와 같은(그러나, 이에 한정되지 않음) 임의의 알려진 유형의 온도 센서일 수 있다. 시스템(100)에서 이용되는 온도 센서는, 고체 상태 광원 모듈들(106)과 연관된 온도에 따라 변화하는 출력, 또는 저항과 같은 특성을 가져야 하며, 상기 온도 센서는 LED 어셈블리(104) 내에 또는 상기 LED 어셈블리(104) 상에 위치될 수 있다. 예를 들어, 온도 센서(112)는 인쇄 회로 기판(108) 상에 또는 상기 인쇄 회로 기판(108) 근처에 장착될 수 있다. 온도 센서는 온도를 표시하는 "출력"을 제공하는 것으로서 또는 단순히 온도를 "표시"하는 것으로서 본 명세서에서 기술될 수 있다. 본 명세서에서 이용되는 바와 같이, 이러한 용어는 온도 센서의 온도-종속적인 값, 특성, 또는 출력 및/또는 온도 센서에 결합된 시스템 또는 컴포넌트의 값, 특성, 또는 출력을 나타내는 것으로 이해된다. 예를 들어, 서미스터 온도 센서는 비교기 회로에 대한 임계 전압을 변경할 수 있는 온도-종속적인 저항을 갖는다. 서미스터의 온도-종속적인 저항은 온도를 표시하는 온도 센서의 "출력"으로서 또는 온도를 표시하는 것으로서 본 명세서에서 기술될 수 있다.
제어 회로(114)는 온도 센서(112) 및 가변 임피던스 회로(116)에 결합된다. 몇몇 실시예들에서, 제어 회로(114)는 인쇄 회로 기판(108) 상에 위치된다. 대안적으로, 또는 부가적으로, 제어 회로(114)는 상기 인쇄 회로 기판(108)으로부터 멀리 떨어진다(예를 들어, 동일한 인쇄 회로 기판 상에 있지 않음 및/또는 동일한 하우징 내에 있지 않음). 가변 임피던스 회로(116)는, 제어 회로(114)의 출력에 응답하여 예를 들어, 이산으로(discretely) 또는 선형으로(linearly) 변화하는 임피던스를 나타낸다. 제어 회로(114)는 온도 센서(112)의 출력에 응답하여 가변 임피던스 회로(116)의 임피던스를 설정하도록 구성된다. 예를 들어, 온도 센서(112) 근처의 온도가 미리결정된 임계치를 초과한다는 것을 상기 온도 센서(112)가 표시한다면, 제어 회로(114)는, 고체 상태 광원 모듈들(106)에 대한 전류를 0 또는 거의 0으로 감소시키기 위해 가변 임피던스 회로(116)를 고 임피던스 상태로 설정하도록 구성될 수 있다. 온도 센서(112) 근처의 온도가 미리결정된 임계치 미만이라는 것을 또는 상기 미리결정된 임계치 미만으로 떨어졌다는 것을 상기 온도 센서(112)가 표시한다면, 제어 회로(114)는, 가변 임피던스 회로(116)를 그의 고 임피던스 상태보다 낮은 저 임피던스 상태로 설정하도록 구성될 수 있다. 저 임피던스 상태는, 고체 상태 광원 모듈들(106)의 광 출력 레벨에 대한 가변 임피던스 회로(116)의 영향을 최소화하도록 또는 가변 임피던스 회로(116)에서의 전력 손실을 최소화하도록 구성될 수 있다. 제어 회로(114)는 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 이산 변화들에 따라 가변 임피던스 회로(116)의 임피던스를 설정하도록 구성될 수 있거나, 또는 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이에서의 가변 임피던스 회로(116)의 임피던스의 점진적 전이를 확립하도록 구성될 수 있다. 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 점진적인 전이는 과-온도 상태에서 고체 상태 광원 모듈들(106)을 턴오프하기 전에 상기 고체 상태 광원 모듈들(106)의 광 출력 레벨을 조광하도록 동작할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 제어 회로(114)의 실시예의 블록도이다. 제어 회로(114)는 비교기 회로(202), 온도 감지 회로(204), 및 온도 임계치 회로(206)를 포함한다. 비교기 회로(202)는 온도 감지 회로(204) 및 온도 임계치 회로(206)에 결합되며, 상기 비교기 회로(202)는 출력을 가변 임피던스 회로(116)에 제공하도록 구성된다. 온도 감지 회로(204)는 온도 감지 신호를 비교기 회로(202)에 제공하도록 구성된다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 온도 감지 신호는 도 1에 도시된 온도 센서(112)의 온도-종속적인 (예를 들어, 저항) 값을 나타낸다. 온도 임계치 회로(206)는 미리결정된 임계 온도를 나타내는 온도 임계치 신호를 비교기 회로(202)에 제공하도록 구성된다. 비교기 회로(202)는 온도 임계치 신호와 온도 감지 신호의 상대적인 값들(예를 들어, 값들 사이의 차이)에 적어도 부분적으로 기초하여 출력을 제공한다. 예를 들어, 온도 감지 신호가 온도 임계치 신호보다 크다면, 비교기 회로(202)는 가변 임피던스 회로(116)를 고 임피던스 상태로 설정하도록 구성될 수 있어서, 고체 상태 광원 모듈들(106)에 대한 전류를 감소시킨다. 온도 감지 신호가 온도 임계치 신호보다 작다면, 비교기 회로(202)는, 가변 임피던스 회로(116)를 저 임피던스 상태로 설정하도록 구성될 수 있어서, 조광 입력에 기초하여 고체 상태 광원 모듈들(106)에 대한 전류를 허용한다.
몇몇 실시예들에서, 비교기 회로(202)는, 비교기 회로(202)의 출력이 온도 감지 신호 및 온도 임계치 신호뿐만 아니라 비교기 회로(202) 내의 비교기(도 2에 도시되지 않음)의 출력에 따르도록, 히스테리시스(hysteresis)와 함께 구성된다. 알려진 바와 같이, 히스테리시스를 갖는 비교기 회로는, 입력(즉, 온도 감지 신호)이 임계치(즉, 온도 임계치 신호) 미만으로부터 증가하는지 또는 임계치(즉, 온도 임계치 신호) 초과로부터 감소하는지에 따라 상이한 입력 레벨들에서 (출력의) 상태를 변화시킴으로써 보다 안정된 스위칭을 제공한다.
도 3은 과열 방지 조명 시스템(100a)의 개략도이다. 시스템(100a)은 LED 어셈블리(104a) 및 과열 방지 회로(110a)를 포함한다. LED 어셈블리(104a)는 복수의 직렬 스트링들에 배열된 복수의 고체 상태 광원 모듈들(D1-D18)을 포함하며, 상기 스트링들은 병렬로 결합된다. LED 어셈블리(104a)는, 당업자들에 의해 이해되는 바와 같이, 고체 상태 광원 모듈들(D1-D18) 내의 개개의 고체 상태 광원들 사이의 저항에 있어서의 제조 가변성을 담당하도록 구성된 복수의 저항기들(R1-R9)을 더 포함한다.
과열 방지 회로(110a)는 온도 센서(112), 제어 회로(114a), 및 가변 임피던스 회로(116)를 포함한다. 도 3에서, 온도 센서(112)는 부 온도 계수(NTC; negative temperature coefficient) 서미스터이다. 몇몇 실시예들에서, 고체 상태 광원 모듈들(D1-D18) 및/또는 어셈블리의 온도에 따라 온도 센서(112)의 출력이 변화하도록, 온도 센서(112)는 LED 어셈블리(104a) 근처에 위치될 수 있다. 제어 회로(114a)는 온도 감지 회로(204), 온도 임계치 회로(206), 및 히스테리시스를 갖는 비교기 회로(202)를 포함한다. 제어 회로(114a)에 대한 공급 전압(VCC)은 정전류원(102a)에 의해 공급된 입력 전압(VIN)을 저항기(R10) 및 제너 다이오드(D19)에 걸쳐 결합함으로써 제공된다. 정전류원(102a)에 의해 공급된 입력 전압(VIN)으로부터 공급 전압(VCC)을 공급하는 것은, 제어 회로(114a) 및 온도 센서(112)가, 예를 들어 고체 상태 광원 모듈들(D1-D18) 중 적어도 하나와 동일한 인쇄 회로 기판 상에서 정전류원(102a)으로부터 멀리 떨어져 위치되는 것을 허용하며, 이에 의해 조밀한 및/또는 레트로피트 구성들을 허용한다.
비교기 회로(202)는 비교기(U1), 및 비교기(U1)의 출력과 비반전 입력 사이에 결합된 저항기(R16)를 포함한다. 온도 감지 회로(204)는 분압기 내의 공급 전압(VCC) 및 온도 센서(112)에 결합된 저항기(R13)를 포함한다. 온도 감지 회로(204)는 온도 감지 신호, 즉 온도 센서(112), 저항기(R13), 및 공급 전압(VCC)에 의해 결정된 전압을, LED 어셈블리(104a) 근처의 온도 및 온도 센서(112)의 출력을 나타내는 비교기(U1)의 반전 입력에 제공하도록 구성된다. 온도 임계치 회로(206)는 분압기 내의 공급 전압(VCC) 및 저항기(R15)에 결합된 저항기(R14)를 포함한다. 온도 임계치 회로(206)는 온도 임계치 신호, 즉 저항기(R15), 저항기(R14), 및 공급 전압(VCC)에 의해 결정된 임계 전압을, 고체 상태 광원 모듈들(D1-D18) 및/또는 LED 어셈블리(104a)의 공칭 임계 온도에 대응하는 비교기(U1)의 비반전 입력에 제공하도록 구성된다.
가변 임피던스 회로(116)는 저항기(R17)를 통해 제어 회로(114a)의 출력에 결합되고, 트랜지스터(Q1), 저항기(R11), 및 제너 다이오드(D20)를 포함한다. 트랜지스터(Q1)는 LED 어셈블리(104a)와 접지 전위 사이에 결합된다. 저항기(R11) 및 제너 다이오드(D20)는, 제어 회로(114a)로부터의 출력 없이 트랜지스터(Q1)를 저 임피던스 상태(즉, 전도 상태)로 유지하기 위해 게이트 전압(V8)을 확립하도록 구성된다. 저 임피던스 상태는 트랜지스터(Q1)의 특정된 ON 저항값, 즉 Rds ( ON )의 트랜지스터(Q1)를 위한 드레인 대 소스 저항(Rds)에 대응한다. 알려진 바와 같이, 비교적 작은 Rds ( ON )은 상대적으로 높은 값보다 더 낮은 전력 손실 및 더 낮은 연관된 열 발생에 대응한다. 그러므로, 트랜지스터(Q1)는 복수의 고체 상태 광원 모듈들(D1-D18)을 통하는 전류에 기초하여 적합한 Rds ( ON )를 갖도록 선택될 수 있다.
제어 회로(114a)는 온도 감지 회로(204)로부터의 온도 감지 신호가 임계치 회로(206)로부터의 온도 임계치 신호를 초과할 때, 트랜지스터(Q1)를 고 임피던스 상태(즉, 비전도 상태)로 구동시키도록 구성된다. 저항기(R16)에 의해 제공된 히스테리시스의 결과로서, 제어 회로(114a)는, 온도 감지 회로(204)로부터의 온도 감지 신호가 온도 임계치 신호의 제 1 미리규정된 온도 임계값보다 큰 온도로부터 온도 임계치 신호의 제 2 미리규정된 온도 임계값 미만의 온도로 감소할 때, 트랜지스터(Q1)를 저 임피던스 상태로 구동시키도록 더 구성된다. 제 1 및 제 2 미리규정된 온도 임계치들은 저항기들(R14, R15, 및 R16)의 선택에 기초하여 설정될 수 있다. 제 1 미리규정된 온도 임계값은 제 2 미리규정된 온도 임계값보다 더 클 수 있다.
도 4는 가변 임피던스에 의해 고체 상태 광원들(예를 들어, LED들)의 스트링들을 열적으로 제어하는 과열 방지 조명 시스템(100b)(이하 시스템(100b))의 다른 실시예의 개략도이다. 시스템(100b)은 LED 어셈블리(104b) 및 과열 방지 회로(110b)를 포함한다. 과열 방지 회로(110b)는 가변 임피던스 회로(116), 제어 회로(114b), 및 온도 센서(112b)를 포함한다. 도 4에서, 온도 센서(112b)는, 온도를 감지하도록, 그리고 감지된 온도를 미리결정된 임계 온도와 비교하도록, 그리고 감지된 온도에 기초하여 저항기(R14)를 통해 가변 임피던스 회로(116)의 트랜지스터(Q1)를 구동시키도록 구성된 출력(OUT1)을 제공하도록 구성된 집적 회로이다. 예를 들어, 집적 회로(112b)는, 히스테리시스를 갖는 비교기 및 온도 센서를 포함하는, National Semiconductor Corporation으로부터 입수가능한 LM56 듀얼 출력 저전력 서모스탯(thermostat)일 수 있다. 당업자에게 이해되는 바와 같이, 비록 LM56이 도시되지만, 유사한 기능성을 갖는 다른 집적 회로들 및/또는 등가 회로들이 본 발명의 범주로부터 벗어나지 않고 이용될 수 있다.
도 4에서, 제어 회로(114b)를 위한 공급 전압(VCC)은 입력 전압(VIN)(즉, 정전류원(102b)의 출력)을 저항기(R13) 및 제너 다이오드(D20)에 걸쳐 적용함으로써 획득된다. 트랜지스터(Q1)의 게이트는, 트랜지스터(Q1)를 저 임피던스 상태(즉, 전도 상태)에 두기 위해 공급 전압(VCC)의 값에서 바이어싱되는데, 그 이유는 트랜지스터(Q1)가 LED 어셈블리(104a)와 접지 전위 사이에 결합되기 때문이다. 온도 센서(112b)를 포함하는 제어 회로(114b)는, 온도 센서(112b)의 출력이 제 1 미리규정된 온도 임계치를 초과하여 증가할 때 트랜지스터(Q1)를 고 임피던스 상태(즉, 비전도 상태)로 구동시키도록 구성된다. 제어 회로(114b)는, 감지된 온도가, 제 1 미리규정된 온도 임계치보다 큰 온도로부터 제 2 미리규정된 온도 임계치 미만의 온도로 감소할 때, 트랜지스터(Q1)를 저 임피던스 상태에 두도록 더 구성된다.
제 1 및 제 2 미리규정된 온도 임계치들의 값들은 저항기들(R14, R15, R16, 및 R17)의 값들의 선택에 기초하여 설정될 수 있다. 히스테리시스를 이용할 때, 제 1 미리규정된 온도 임계치는 제 2 미리규정된 온도 임계치보다 더 클 수 있다. 이러한 방식에서, 고체 상태 광원 모듈들(D1-D18) 내의 고체 상태 광원들을 통하는 전류는 감지된 온도에 기초하여 제어될 수 있고, 고체 상태 광원 모듈들의 과열 방지가 제공된다.
도 5는 다른 과열 방지 조명 시스템(120)(이하 시스템(120))의 블록도이다. 도 1에 도시된 시스템(100)과 유사하게, 시스템(120)은 정전류원(122), LED 어셈블리(104), 및 과열 방지 회로(130)를 포함한다. 정전류원(122)은, 과열 방지 회로(130)에 전력을 공급하기 위한 공급 전압(VCC)을 획득하기 위해 이용되는 입력 전압 전류(VIN) 및 LED 어셈블리(104)에 대한 입력 전류(IIN)를 공급하도록 구성된다.
고체 상태 광원 모듈들(106)의 광 출력 레벨은 정전류원(122)에 의해 제공되는 입력 전류(IIN)를 조정함으로써 제어될 수 있다. 입력 전류(IIN)는 예를 들어, 펄스폭 변조, 진폭 변조, 또는 입력 전류(IIN)에 있어서의 정상 상태 변화를 확립하는 정전류원(122)에 대한 조광 입력에 의해 조정된다. 예를 들어, 펄스폭 변조가 이용된다면, 입력 전류(IIN)의 평균값은 펄스폭 변조(PWM)의 듀티 사이클(펄스폭 대 주기)에 따를 수 있고, 입력 전류(IIN) 및 펄스폭은 조광 입력에 의해 확립된다. 이용되는 조광 방법과 독립적으로, 고체 상태 광원 모듈들(106)에 공급되는 입력 전류(IIN) 및 과열 방지 회로(130)에 대한 전력은 조광 입력 설정에 따를 수 있다.
과열 방지 회로(130)는 온도 센서(112), 제어 회로(114), 가변 임피던스 회로(116), 및 저전압 보상 회로(132)를 포함한다. 온도 센서(112)는 제어 회로(114)에 결합된다. 저전압 보상 회로(132)는 제어 회로(114), 정전류원(122), 및 가변 임피던스 회로(116)에 결합된다. 몇몇 실시예들에서, 저전압 보상 회로(132)는 전력 조정 회로(134) 및 저전압 제어 회로(136)를 포함한다. 이러한 실시예들에서, 전력 조정 회로(134)는 정전류원(122)과 제어 회로(114) 사이에 결합되고, 저전압 제어 회로(136)는 제어 회로(114)와 가변 임피던스 회로(116) 사이에 결합된다.
저전압 제어 회로(136)는, 정전류원(122)에 대한 조광 입력이 매우 낮은 광 출력 레벨에 대응할 때의 온도와 독립적으로 가변 임피던스 회로(116)를 구동시키도록 구성된다. 매우 낮은 광 출력 레벨들에서, 조광 입력은 비교적 낮은 입력 전류(IIN), 그리고 이에 대응하여, 비교적 낮은 입력 전압(VIN)을 확립할 수 있다. 몇몇 비교적 낮은 광 출력 레벨들에 있어서, 입력 전압(VIN)은 제어 회로(114)의 하나 또는 둘 이상의 컴포넌트들의 최소 공급 전압(VCCmin)보다 적을 수 있고, 이는 컴포넌트 및/또는 제어 회로(114)의 불안정한 동작을 초래할 수 있다. 불안정한 동작을 회피하기 위해, 저전압 제어 회로(136)는, 입력 전압(VIN)이 제어 회로(114)의 최소 공급 전압(VCCmin) 미만일 때, 제어 회로(114) 출력과 독립적으로 가변 임피던스 회로(116)를 저 임피던스 상태로 구동시키도록 구성된다.
전력 조정 회로(134)는 고체 상태 광원 모듈들(106)의 비교적 낮은 광 출력 레벨들에 대응하는 조광 입력들의 영향들을 보상하도록 구성된다. 전력 조정 회로(134)는, 보상되지 않은 공급 전압(VCC)보다 큰 시간 기간 동안 최소 공급 전압(VCCmin)보다 큰 레벨로 제어 회로(114)에 대한 공급 전압(VCC)을 유지하기 위해 에너지 저장을 제공하도록 구성된다. 예를 들어, 에너지 저장 엘리먼트는, 복수의 고체 상태 광원 모듈들(106)에 대한 입력 전압(VIN)이 최소 공급 전압(VCCmin) 미만으로 감소된 후의 시간 기간 동안 제어 회로(114)에 대한 공급 전압(VCC)을 최소 공급 전압(VCCmin) 초과로 유지할 수 있다. 전력 조정 회로(134)는 (예를 들어, 정전류원(122)을 펄스-폭 변조함으로 인한) 제어 회로(114)에 대한 공급 전압(VCC)에서의 전기 잡음을 감소시키기 위해 입력 전압(VIN)을 필터링하도록 구성된다.
도 6은 과열 방지 조명 시스템(120c)(이하 시스템(120c))의 개략도이다. 시스템(120c)은 LED 어셈블리(104c) 및 과열 방지 회로(130c)를 포함하며, 상기 과열 방지 회로(130c)는 가변 임피던스 회로(116c), 제어 회로(114c), 및 저전압 보상 회로를 포함하며, 상기 저전압 보상 회로는 전력 조정 회로(134c) 및 저전압 제어 회로(136c)를 포함한다. 전력 조정 회로(134c)는 제어 회로(114c)에 공급된 공급 전압(VCC)에 대한 입력 전압(VIN)에 있어서의 변화의 영향들을 보상하도록 구성된다. 저전압 제어 회로(136c)는, 제어 회로(114c)에 대한 공급 전압(VCC)이 제어 회로(114c)의 보상기(U1)의 최소 공급 전압(VCCmin) 미만이도록 입력 전압(VIN)이 감소할 때, 과열 방지 회로(130c)의 불안정한 동작을 방지하도록 구성된다.
물론, 공급 전압(VCC) 및 최소 공급 전압(VCCmin)은 과열 방지 회로(130c) 및 상기 과열 방지 회로(130c)의 컴포넌트들의 구성에 따른다. 몇몇 실시예들에서, 공급 전압(VCC)은 약 5.0 V의 공칭값으로 설정될 수 있고, 최소 공급 전압(VCCmin)은 약 3.5 V일 수 있다. 본 명세서에서 이용되는 바와 같이, 양을 나타낼 때 용어 "공칭" 또는 "공칭으로(nominally)"의 이용은, 실제 양으로부터 변화할 수 있는 지정된 또는 이론적인 양을 의미한다.
도 6에 도시된 전력 조정 회로(134c)는 제어 회로(114c)를 위한 공급 전압(VCC)을 확립하고, 저항기(R10), 제너 다이오드(D19), 및 커패시터(C2)를 포함한다. 저항기(R10) 및 제너 다이오드(D19)는 입력 전압(VIN)과 접지 전위 사이에 결합되고, 커패시터(C2)는 제너 다이오드(D19)와 병렬로 결합된다. 커패시터(C2)는, 예를 들어 정전류원(122c)이 비교적 낮은 전류(및 대응하는 전압)를 제공하도록 구성될 때, 공급 전압(VCC)을 위한 에너지 저장을 제공하도록 구성된다. 예를 들어 몇몇 실시예들에서, 정전류원(122c)은, 복수의 고체 상태 광원 모듈들을 위한 비교적 낮은 광 출력 레벨에 대응하는 조광 입력 설정에 기초하여 비교적 낮은 펄스폭 변조된 전류를 제공하도록 구성될 수 있다. 결과적으로, 공급 전압(VCC)은, 입력 전압(VIN)이 예를 들어, 펄스폭 변조된 정전류원을 위한 제너 다이오드(D19)의 제너 전압 미만으로 강하할 때, 커패시터(C2)의 방전과 연관된 지수 감소(exponential decay)를 나타낼 수 있다.
저전압 제어 회로(136c)는 트랜지스터(Q2), 저항기들(R17 및 R18), 및 가변 임피던스 회로(116c)와 제어 회로(114c)의 출력 사이에 결합된 커패시터(C3)를 포함한다. 저항기들(R17 및 R18)은 공급 전압(VCC)과 접지 전위 사이에 결합되고, 저항기들(R17 및 R18) 사이의 노드는 제어 회로(114c)의 출력과 트랜지스터(Q2)의 게이트에 결합된다. 트랜지스터(Q2)의 드레인은 트랜지스터(Q1)의 게이트에 결합된다. 커패시터(C3)는 접지 전위와 트랜지스터(Q2)의 게이트 사이에 결합된다.
따라서, 저항기(R17 및 R18)는 트랜지스터(Q2)를 비전도 상태에 두도록 커패시터(C3)를 충전하기 위한 분압기를 제공하며, 이에 의해 공급 전압(VCC)이 최소 공급 전압(VCCmin)보다 적을 때 트랜지스터(Q1)를 저 임피던스 상태(즉, 전도 상태)로 유지한다. 예를 들어, 매우 낮은 광 출력 레벨을 제공하도록 조광 입력이 설정될 때 공급 전압(VCC)은 최소 공급 전압(VCCmin)보다 적을 수 있거나, 또는 시스템(120c)의 작동 시작(power up) 동안의 시간 동안 공급 전압(VCC)은 최소 공급 전압(VCCmin)보다 적을 수 있다. 저전압 제어 회로(136c)는, 공급 전압(VCC)이 제어 회로(114c)의 최소 공급 전압(VCCmin)에 대응하는 임계 전압을 초과할 때, 제어 회로(114c)로 하여금 트랜지스터(Q2)의 전도 상태를 제어하게 그리고 이에 의해 트랜지스터(Q1)의 임피던스 상태를 제어하게 허용하도록 구성된다. 저전압 제어 회로(136c)는, 공급 전압(VCC)이 제어 회로(114c)의 최소 공급 전압(VCCmin)을 초과할 때, 낮은 광 출력 상태들 하에서 고체 상태 광원 모듈들(106)의 동작을 허용하고 고체 상태 광원 모듈들(106)의 과열 방지를 지원한다.
따라서, 시스템(120c)은, 제어 회로(114c)에 대한 공급 전압(VCC)이 적어도, 제어 회로(114c)의 최소 공급 전압(VCCmin)에 대응하는 임계값일 때, LED 어셈블리(104c) 내의 고체 상태 광원 모듈들(106)에 과열 방지를 제공하도록 구성된다. 저전압 제어 회로(136c)는, 제어 회로(114c)를 가변 임피던스 회로(116c)로부터 절연시킴으로써 제어 회로(114c)에 대한 공급 전압(VCC)이 임계 전압 미만일 때 과열 방지 회로(130c)의 안정된 동작을 제공하도록 구성된다. 이러한 모드에서, 가변 임피던스 회로(116c)는, 고체 상태 광원 모듈들(106)이 정전류원(102c)에 대한 조광 입력에 대응하는 광 출력을 제공할 수 있도록, 트랜지스터(Q1)를 저 임피던스 상태로 유지하도록 구성된다.
도 7 내지 도 9는 도 6에 예시된 시스템(120c)에 대한, 입력 전류(IIN) 및 입력 전압(VIN) 대 시간의 플롯들이다. 플롯들은, 예를 들어 조광 입력에 기초하여 펄스폭 변조되는 정전류원에 의해 공급된 전압 및 전류에 대한 듀티 사이클의 영향들을 예시한다. 입력 전압 및 입력 전류는 도 7, 도 8, 및 도 9에 있어서 각각 98%, 50%, 및 4%의 PWM 듀티 사이클들에 따라, 정전류 PWM 조광가능 전원에 의해 제공되었다. 입력 전류(IIN)는 최대 약 1.0 암페어(A) 내지 최소 약 0.0 A의 범위이고, 여기서 상기 최대는 PWM 신호의 주기의 ON 부분에 대응하고, 상기 최소는 PWM 신호 주기의 OFF 부분에 대응한다. 당업자에게 이해되는 바와 같이, PWM 신호 주기의 ON 부분 동안, 최대 전압은 약 20 볼트(V)이고, PWM 신호 주기의 OFF 부분 동안, 전압(VIN)은 (에너지 저장 엘리먼트, 커패시터(C2)로 인해) OFF 부분의 지속기간에 따르는 값으로 감소된다. 예를 들어, 도 8에 예시된 바와 같이(50% 듀티 사이클), VIN은 5 내지 10 볼트로 감소되고, 이는 여전히 제어 회로(114a)의 최소 공급 전압(VCCmin)을 초과하는 것일 수 있다.
도 10은 LED들의 스트링들과 같은(그러나, 이에 한정되지 않음) 복수의 고체 상태 광원들을 과열 방지하는 방법(1000)의 흐름도이다. 흐름도들은 본 발명에 따라 요구되는 처리를 수행하도록 컴퓨터 소프트웨어를 만들기 위해 또는 회로들을 제조하기 위해 당업자가 필요로 하는 기능적인 정보를 예시한다. 본 명세서에서 달리 지시되지 않는 한, 기술되는 단계들의 단지 특정 시퀀스만이 예시되고 상기 특정 시퀀스는 본 발명의 의도로부터 벗어나지 않고 변화될 수 있다는 것이 당업자들에게 명백할 것이다. 따라서, 달리 명시되지 않는 한, 아래에 기술되는 단계들은 무질서하며, 이는 가능하다면 단계들이 임의의 편리한 또는 원하는 순서로 수행될 수 있다는 것을 의미한다. 부가하여, 다른 실시예들이 본 명세서에 기술된 예시된 단계들 및/또는 부가적인 단계들의 하위결합(subcombination)들을 포함할 수 있다는 것이 이해된다. 따라서, 본 명세서에 제시된 청구항들은, 하나 또는 둘 이상의 도면들에 도시된 동작들 및/또는 컴포넌트들의 모두 또는 그 일부에 관한 것일 수 있다.
보다 구체적으로, 도 10은 복수의 고체 상태 광원들을 과열 방지하는 방법(1000)의 블록 흐름도이다. 먼저 단계(1001)에서, 가변 임피던스 엘리먼트는 정전류원 및 복수의 고체 상태 광원들에, 예를 들어 직렬 구성으로 결합된다. 본 명세서에서 달리 기술되지 않으면, 정전류원은 복수의 고체 상태 광원들에 전류를 제공하도록 그리고 공급 전압을 확립하기 위해 출력 전압을 제공하도록 구성된다. 그 다음으로, 본 명세서에 기술된 바와 같이, 단계(1002)에서 복수의 고체 상태 광원들의 온도는 온도 센서를 이용하여 감지된다. 그 다음으로, 단계(1003)에서, 가변 임피던스 회로는, 공급 전압(VCC)이 최소 공급 전압(VCCmin)보다 더 크거나 동일할 때(즉, 적어도), 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 조정하기 위해 제어 회로에 의해 구동된다. 예를 들어, 가변 임피던스 회로는 감지된 온도가 미리결정된 임계 온도 미만일 때 저 임피던스 상태로 구동될 수 있고, 감지된 온도가 미리결정된 임계 온도를 초과할 때 고 임피던스 상태로 구동될 수 있다. 이러한 방식에서, 전류원은, 감지된 온도가 임계 온도 미만일 때 고체 상태 광원들에 공급하게 허용될 수 있고, 공급 전압(VCC)이 최소 공급 전압(VCCmin)보다 더 크거나 동일할 때 과-온도 상태 동안 고체 상태 광원들에 공급하는 것이 방지될 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 단계(1004)에서, 가변 임피던스 회로는, 온도와 독립적으로, 공급 전압(VCC)이 최소 공급 전압(VCCmin) 미만일 때 저 임피던스 상태로 구동된다. 게다가, 몇몇 실시예들에 있어서, 단계(1005)에서, 가변 임피던스 회로는 제어 회로의 비교기 회로를 통해, 감지된 온도가 미리-결정된 임계 온도보다 크거나 또는 동일할 때 고 임피던스 상태로 구동되며, 비교기 회로는 온도 임계치 회로 및 온도 센서에 결합된다. 이러한 실시예들에 있어서, 단계(1006)에서, 가변 임피던스 회로는 제어 회로의 비교기 회로를 통해, 감지된 온도와 미리-결정된 임계 온도 사이의 차이에 기초하여 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 임피던스로 구동될 수 있다. 게다가, 이러한 실시예들에 있어서, 단계(1007)에서, 제어 회로는 공급 전압(VCC)이 최소 공급 전압(VCCmin) 미만일 때 저전압 제어 회로를 통해, 가변 임피던스 회로로부터 절연될 수 있으며, 본 명세서에 기술된 바와 같이, 저전압 제어 회로는 저전압 보상 회로의 부분이다. 게다가, 이러한 실시예들에 있어서, 단계(1008)에서, 공급 전압(VCC)은 저전압 보상 회로의 에너지 저장 엘리먼트를 통해, 출력 전압(VIN)이 최소 공급 전압(VCCmin) 미만으로 감소한 후의 시간 기간 동안 최소 공급 전압(VCCmin) 초과로 유지될 수 있다.
본 명세서에 기술된 방법들 및 시스템들은 특정 하드웨어 또는 소프트웨어 구성으로 한정되지 않으며, 많은 컴퓨팅 또는 처리 환경들에서 적용가능성을 찾을 수 있다. 방법들 및 시스템들은 하드웨어 또는 소프트웨어, 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합으로 구현될 수 있다. 방법들 및 시스템들은 하나 또는 둘 이상의 컴퓨터 프로그램들로 구현될 수 있으며, 컴퓨터 프로그램은 명령들을 실행할 수 있는 하나 또는 둘 이상의 프로세서를 포함하는 것으로 이해될 수 있다. 컴퓨터 프로그램(들)은 하나 또는 둘 이상의 프로그램가능 프로세서들 상에서 실행될 수 있으며, 하나 또는 둘 이상의 출력 디바이스들, 하나 또는 둘 이상의 입력 디바이스들, 및/또는 프로세서(휘발성 및 비휘발성 메모리 및/또는 저장 엘리먼트들을 포함함)에 의해 판독가능한 하나 또는 둘 이상의 저장 매체 상에 저장될 수 있다. 따라서, 프로세서는 입력 데이터를 획득하기 위해 하나 또는 둘 이상의 입력 디바이스들에 액세스할 수 있으며, 출력 데이터를 통신하기 위해 하나 또는 둘 이상의 출력 디바이스들에 액세스할 수 있다. 입력 및/또는 출력 디바이스들은 RAM(Random Access Memory), RAID(Redundant Array of Independent Disks), 플로피 드라이브, CD, DVD, 자기 디스크, 내장 하드 드라이브, 외장 하드 드라이브, 메모리 스틱, 또는 본 명세서에서 제공된 바와 같은 프로세서에 의해 액세스될 수 있는 다른 저장 디바이스 중 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있으며, 이러한 상술된 예들은 총망라하는 것은 아니며, 한정이 아니라 예시를 위한 것이다.
컴퓨터 프로그램(들)은 컴퓨터 시스템과 통신하기 위해 하나 또는 둘 이상의 고레벨의 절차적인 또는 객체-지향적인 프로그래밍 언어들을 이용하여 구현될 수 있지만; 원한다면 프로그램(들)은 어셈블리 언어 또는 기계어로 구현될 수 있다. 언어는 컴파일되거나 또는 해석될 수 있다.
본 명세서에 제공된 바와 같이, 프로세서(들)는 따라서, 네트워킹된 환경에서 독립적으로 또는 함께 동작할 수 있는 하나 또는 둘 이상의 디바이스들 내에 구현될 수 있으며, 네트워크는 예를 들어, LAN(Local Area Network), WAN(wide area network)를 포함할 수 있으며, 및/또는 인트라넷 및/또는 인터넷 및/또는 다른 네트워크를 포함할 수 있다. 네트워크(들)는 유선 또는 무선 또는 이들의 조합일 수 있으며, 상이한 프로세서들 사이의 통신들을 용이하게 하기 위해 하나 또는 둘 이상의 통신 프로토콜들을 이용할 수 있다. 프로세서들은 분산 처리를 위해 구성될 수 있으며, 몇몇 실시예들에서 필요에 따라 클라이언트-서버 모델을 활용할 수 있다. 따라서, 방법들 및 시스템들은 다수의 프로세서들 및/또는 프로세서 디바이스들을 활용할 수 있으며, 프로세서 명령들은 이러한 단일- 또는 다중-프로세서/디바이스들 사이에서 분배될 수 있다.
프로세서(들)와 통합된 디바이스(들) 또는 컴퓨터 시스템들은 예를 들어, 퍼스널 컴퓨터(들), 워크스테이션(들)(예를 들어, Sun, HP), 개인 디지털 정보 단말(들)(PDA(들)), 셀룰러 전화(들) 또는 스마트 셀폰(들), 랩톱(들), 핸드헬드 컴퓨터(들)와 같은 핸드헬드 디바이스(들), 또는 본 명세서에 제공된 바와 같이 동작할 수 있는 프로세서(들)와 통합될 수 있는 다른 디바이스(들)를 포함할 수 있다. 따라서, 본 명세서에 제공된 디바이스들은 총망라하는 것은 아니며, 한정이 아니라 예시를 위해 제공된다.
"마이크로프로세서" 및 "프로세서"에 대한 참조들, 또는 "마이크로프로세서" 및 "프로세서"는, 독립형 및/또는 분산형 환경(들)에서 통신할 수 있고, 따라서, 유선 또는 무선 통신들을 통해 다른 프로세서들과 통신하도록 구성될 수 있는 하나 또는 둘 이상의 마이크로프로세서들을 포함하는 것으로 이해될 수 있으며, 이러한 하나 또는 둘 이상의 프로세서는, 유사한 또는 상이한 디바이스들일 수 있는 하나 또는 둘 이상의 프로세서-제어 디바이스들 상에서 동작하도록 구성될 수 있다. 따라서, 이러한 "마이크로프로세서" 또는 "프로세서" 전문용어의 이용은 중앙 처리 장치, 산술 논리 장치, 주문형 집적 회로(IC), 및/또는 태스크 엔진을 포함하는 것으로 또한 이해될 수 있으며, 제공된 이러한 예들은 한정이 아닌 예시를 위한 것이다.
더욱이, 달리 명시되지 않는 한, 메모리에 대한 참조들은, 프로세서-제어 디바이스 내부에 있을 수 있는, 프로세서-제어 디바이스 외부에 있을 수 있는, 및/또는 다양한 통신 프로토콜들을 이용하여 유선 또는 무선 네트워크를 통해 액세스될 수 있으며, 달리 명시되지 않는 한, 외부 및 내부 메모리 디바이스들의 조합을 포함하도록 배열될 수 있는, 하나 또는 둘 이상의 프로세서-판독가능 및 액세스가능 메모리 엘리먼트들 및/또는 컴포넌트들을 포함할 수 있으며, 이러한 메모리는 애플리케이션에 기초하여 인접될 수 있거나 및/또는 분할될 수 있다. 따라서, 데이터베이스에 대한 참조들은 하나 또는 둘 이상의 메모리 연계들을 포함하는 것으로 이해될 수 있으며, 이러한 참조들은 상업적으로 입수가능한 데이터베이스 제품들(예를 들어, SQL, Informix, Oracle) 및 또한 등록상표 데이터베이스들을 포함할 수 있으며, 링크들, 큐들, 그래프들, 트리들과 같은, 메모리를 연계시키기 위한 다른 구조들을 또한 포함할 수 있으며, 이러한 구조들은 한정이 아닌 예시를 위해 제공된다.
달리 제공되지 않는 한, 네트워크에 대한 참조들은 하나 또는 둘 이상의 인트라넷들 및/또는 인터넷을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 마이크로프로세서 명령들 또는 마이크로프로세서-실행가능 명령들에 대한 참조들은 상술한 바에 따라, 프로그램가능 하드웨어를 포함하는 것으로 이해될 수 있다.
달리 명시되지 않는 한, 단어 "실질적으로"의 이용은 당업자에 의해 이해되는 바와 같이, 정확한 관계, 상태, 배열, 배향, 및/또는 다른 특징, 및 그들의 편차들을, 그러한 편차들이, 개시된 방법들 및 시스템들에 물질적으로 영향을 미치지 않는 범위까지 포함하는 것으로 해석될 수 있다.
본 개시내용의 전체에 걸쳐, 명사를 수식하기 위한 관사들 "하나" 및/또는 "상기"의 이용은, 편의를 위해 이용되는 것으로, 그리고 달리 구체적으로 명시되지 않는 한, 수식되는 명사의 하나, 또는 하나보다 많은 수를 포함하는 것으로 이해될 수 있다. 용어 "포함하다" 및 "갖는다"는 포괄적이도록 의도되며, 리스트된 엘리먼트들 외에 부가적인 엘리먼트들이 존재할 수 있다는 것을 의미한다.
다른 것과 통신하는 것으로, 연관되는 것으로, 및/또는 기초하는 것으로 도면들에 걸쳐 기술된 및/또는 그렇지 않으면 묘사된 엘리먼트들, 컴포넌트들, 모듈들, 및/또는 그들의 부분들은, 본 명세서에서 달리 규정되지 않는 한, 직접 방식으로 및/또는 간접 방식으로 그와 같이 통신하는 것으로, 연관되는 것으로, 및/또는 기초하는 것으로 이해될 수 있다.
방법들 및 시스템들이 그들의 특정 실시예에 관하여 기술되었지만, 이들은 그와 같이 한정되지 않는다. 명백하게, 많은 수정들 및 변형들이 상기 교시들을 고려하여 명백해질 것이다. 본 명세서에 기술된 그리고 예시된 부분들의 배열, 자료들, 및 세부사항들에 있어서의 많은 부가적인 변화들이 당업자들에 의해 이루어질 수 있다.

Claims (20)

  1. 과열 방지 회로(thermal protection circuit)로서,
    정전류원 및 복수의 고체 상태 광원들에 결합되도록 구성된 가변 임피던스 회로 ― 상기 정전류원은 상기 복수의 고체 상태 광원들에 전류를 제공하도록 그리고 상기 과열 방지 회로에 대한 공급 전압을 확립하기 위해 출력 전압을 제공하도록 구성됨 ―;
    상기 복수의 고체 상태 광원들의 온도를 감지하도록 구성된 온도 센서; 및
    상기 공급 전압을 수신하도록, 그리고 상기 공급 전압이 제어 회로의 적어도 최소 공급 전압일 때 상기 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 조정하기 위해, 감지된 온도에 기초하여 상기 가변 임피던스 회로를 구동시키도록 구성된 제어 회로
    를 포함하는,
    과열 방지 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 감지된 온도와는 독립적으로, 상기 공급 전압이 상기 최소 공급 전압 미만일 때, 상기 가변 임피던스 회로를 저 임피던스 상태로 구동시키도록 구성된 저전압 보상 회로를 더 포함하는,
    과열 방지 회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 저전압 보상 회로는, 상기 공급 전압이 상기 최소 공급 전압 미만일 때 상기 제어 회로를 상기 가변 임피던스 회로로부터 절연시키도록 구성된 저전압 제어 회로를 포함하는,
    과열 방지 회로.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 저전압 보상 회로는, 상기 출력 전압이 상기 최소 공급 전압 미만으로 감소한 후의 시간 기간 동안 상기 공급 전압을 상기 최소 공급 전압 초과로 유지하도록 구성된 에너지 저장 엘리먼트를 포함하는,
    과열 방지 회로.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어 회로는,
    온도 임계치 회로; 및
    비교기 회로
    를 포함하며,
    상기 비교기 회로는 상기 온도 임계치 회로 및 상기 온도 센서에 결합되고, 상기 비교기 회로는, 상기 감지된 온도가 미리-결정된 임계 온도보다 높거나 동일할 때 상기 가변 임피던스 회로를 고 임피던스 상태로 구동시키도록 구성되는,
    과열 방지 회로.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 비교기 회로는 상기 가변 임피던스 회로를, 상기 감지된 온도와 미리-결정된 임계 온도 사이의 차이에 기초하여 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 임피던스로 구동시키도록 구성되는,
    과열 방지 회로.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 고체 상태 광원들은 복수의 고체 상태 광원 모듈들 내에 위치되는,
    과열 방지 회로.
  8. 과열 방지 조명 시스템으로서,
    하나 또는 둘 이상의 고체 상태 광원 모듈들 내에 위치되는 복수의 고체 상태 광원들;
    전류를 상기 복수의 고체 상태 광원들에 제공하도록 그리고 공급 전압을 확립하기 위해 출력 전압을 제공하도록 구성된 정전류원; 및
    과열 방지 회로
    를 포함하며,
    상기 과열 방지 회로는,
    상기 정전류원 및 상기 복수의 고체 상태 광원들에 결합된 가변 임피던스 회로;
    상기 복수의 고체 상태 광원들의 온도를 감지하도록 구성된 온도 센서; 및
    상기 공급 전압을 수신하도록, 그리고 상기 공급 전압이 제어 회로의 적어도 최소 공급 전압일 때 상기 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 제어하기 위해, 감지된 온도에 기초하여 상기 가변 임피던스 회로를 구동시키도록 구성된 제어 회로
    를 포함하는,
    과열 방지 조명 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 과열 방지 회로는, 상기 감지된 온도와는 독립적으로, 상기 공급 전압이 상기 최소 공급 전압 미만일 때, 상기 가변 임피던스 회로를 저 임피던스 상태로 구동시키도록 구성된 저전압 보상 회로를 포함하는,
    과열 방지 조명 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 저전압 보상 회로는, 상기 공급 전압이 상기 최소 공급 전압 미만일 때 상기 제어 회로를 상기 가변 임피던스 회로로부터 절연시키도록 구성된 저전압 제어 회로를 포함하는,
    과열 방지 조명 시스템.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 저전압 보상 회로는, 상기 출력 전압이 상기 최소 공급 전압 미만으로 감소한 후의 시간 기간 동안 상기 공급 전압을 상기 최소 공급 전압 초과로 유지하도록 구성된 에너지 저장 엘리먼트를 포함하는,
    과열 방지 조명 시스템.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 제어 회로는,
    온도 임계치 회로; 및
    비교기 회로
    를 포함하며,
    상기 비교기 회로는 상기 온도 임계치 회로 및 상기 온도 센서에 결합되고, 상기 비교기 회로는, 상기 감지된 온도가 미리-결정된 임계 온도보다 높거나 동일할 때 상기 가변 임피던스 회로를 고 임피던스 상태로 구동시키도록 구성되는,
    과열 방지 조명 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 비교기 회로는 상기 가변 임피던스 회로를, 상기 감지된 온도와 미리-결정된 임계 온도 사이의 차이에 기초하여 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 임피던스로 구동시키도록 구성되는,
    과열 방지 조명 시스템.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 정전류원은 조광(dimming) 입력 신호를 수신하도록 그리고 상기 조광 입력에 기초하여 상기 복수의 고체 상태 광원들에 전류를 제공하도록 구성되는,
    과열 방지 조명 시스템.
  15. 과열 방지를 제공하는 방법으로서,
    가변 임피던스 회로를 정전류원 및 복수의 고체 상태 광원들에 결합하는 단계 ― 상기 정전류원은 상기 복수의 고체 상태 광원들에 전류를 제공하도록 그리고 공급 전압을 확립하기 위해 출력 전압을 제공하도록 구성됨 ―;
    온도 센서를 이용하여 상기 복수의 고체 상태 광원들의 온도를 감지하는 단계; 및
    공급 전압이 제어 회로의 적어도 최소 공급 전압일 때 상기 복수의 고체 상태 광원들에 대한 전류를 조정하기 위해, 상기 제어 회로에 의해 상기 가변 임피던스 회로를 구동시키는 단계
    를 포함하는,
    과열 방지를 제공하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 구동시키는 단계는, 감지된 온도와는 독립적으로, 상기 공급 전압이 상기 최소 공급 전압 미만일 때, 저전압 보상 회로에 의해 상기 가변 임피던스 회로를 저 임피던스 상태로 구동시키는 단계를 포함하는,
    과열 방지를 제공하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 공급 전압이 상기 최소 공급 전압 미만일 때, 저전압 제어 회로를 통해, 상기 제어 회로를 상기 가변 임피던스 회로로부터 절연시키는 단계를 더 포함하며,
    상기 저전압 제어 회로는 상기 저전압 보상 회로의 부분인,
    과열 방지를 제공하는 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 저전압 보상 회로의 에너지 저장 엘리먼트를 통해, 상기 출력 전압이 상기 최소 공급 전압 미만으로 감소한 후의 시간 기간 동안 상기 공급 전압을 상기 최소 공급 전압 초과로 유지하는 단계를 더 포함하는,
    과열 방지를 제공하는 방법.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 구동시키는 단계는, 감지된 온도가 미리-결정된 임계 온도보다 높거나 동일할 때, 상기 제어 회로의 비교기 회로를 통해, 상기 가변 임피던스 회로를 고 임피던스 상태로 구동시키는 단계를 포함하고,
    상기 비교기 회로는 온도 임계치 회로 및 상기 온도 센서에 결합되는,
    과열 방지를 제공하는 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 구동시키는 단계는, 상기 제어 회로의 비교기 회로를 통해, 상기 가변 임피던스 회로를, 상기 감지된 온도와 미리-결정된 임계 온도 사이의 차이에 기초하여 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이의 임피던스로 구동시키는 단계를 포함하는,
    과열 방지를 제공하는 방법.
KR1020137005799A 2010-08-06 2011-08-03 가변 직렬 임피던스에 의한 고체 상태 광원들의 열 제어 KR101550842B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US37154410P 2010-08-06 2010-08-06
US61/371,544 2010-08-06
US13/196,464 US8536788B2 (en) 2010-08-06 2011-08-02 Thermal control of solid state light sources by variable series impedance
US13/196,464 2011-08-02
PCT/US2011/046424 WO2012018915A2 (en) 2010-08-06 2011-08-03 Thermal control of solid state light sources by variable series impedance

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130095274A true KR20130095274A (ko) 2013-08-27
KR101550842B1 KR101550842B1 (ko) 2015-09-07

Family

ID=45555664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137005799A KR101550842B1 (ko) 2010-08-06 2011-08-03 가변 직렬 임피던스에 의한 고체 상태 광원들의 열 제어

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8536788B2 (ko)
EP (1) EP2601819A4 (ko)
JP (1) JP5746345B2 (ko)
KR (1) KR101550842B1 (ko)
CN (1) CN103026797A (ko)
CA (1) CA2803304C (ko)
WO (1) WO2012018915A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190029702A (ko) * 2016-09-14 2019-03-20 필립모리스 프로덕츠 에스.에이. 에어로졸 발생 시스템 및 그 제어 방법

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009052836A1 (de) * 2009-11-13 2011-05-19 Schott Ag Schaltungsanordnung für eine LED-Lichtquelle
US8947064B2 (en) 2011-09-20 2015-02-03 Infineon Technologies Austria Ag System and method for driving an electronic switch dependent on temperature
US9713226B2 (en) 2011-10-02 2017-07-18 Cree, Inc. Over-voltage handling of lighting device
JP5842101B2 (ja) * 2011-11-22 2016-01-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 可視光通信用照明器具及びこれを用いた可視光通信システム
EP2648482A1 (en) * 2012-04-05 2013-10-09 Koninklijke Philips N.V. LED lighting system
US8878443B2 (en) * 2012-04-11 2014-11-04 Osram Sylvania Inc. Color correlated temperature correction for LED strings
US20150233565A1 (en) * 2012-11-05 2015-08-20 Myung Hee Kim Light-emitting diode lighting device with radiation, waterproof, and dampproof structure using fluid
DE202012104404U1 (de) * 2012-11-15 2014-02-17 Zumtobel Lighting Gmbh Schaltung zum Betreiben einer Lichtquelle mit Temperaturüberwachung
US8836244B2 (en) 2012-12-31 2014-09-16 Dialight Corporation Automatic input impedance control
DE202013100577U1 (de) * 2013-02-08 2014-05-09 Zumtobel Lighting Gmbh Fassadenleuchte
US9164001B2 (en) 2013-06-28 2015-10-20 Bridgelux, Inc. Using an LED die to measure temperature inside silicone that encapsulates an LED array
US8941129B1 (en) 2013-07-19 2015-01-27 Bridgelux, Inc. Using an LED die to measure temperature inside silicone that encapsulates an LED array
EP3036974B1 (en) * 2013-08-19 2017-02-22 Philips Lighting Holding B.V. Led driver, lighting system and driving method with prolonged lifetime of luminous output.
US9504103B2 (en) * 2013-10-21 2016-11-22 Osram Sylvania Inc. Driving a multi-color luminaire
KR20150055937A (ko) * 2013-11-14 2015-05-22 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 조명 장치 및 led 구동 장치의 제어 회로
US9439299B2 (en) 2014-03-29 2016-09-06 Bridgelux, Inc. Low-profile outdoor lighting module with light emitting diodes
US10225898B2 (en) * 2014-06-17 2019-03-05 Philips Lighting Holding B.V. Dynamic control circuit
US9277618B2 (en) 2014-06-27 2016-03-01 Bridgelux, Inc. Monolithic LED chip in an integrated control module with active circuitry
CN104582150B (zh) * 2014-12-19 2018-11-13 苏州佳亿达电器有限公司 一种恒流补偿太阳能led路灯
JP6421618B2 (ja) * 2015-01-26 2018-11-14 岩崎電気株式会社 Ｌｅｄモジュール及びｌｅｄ照明装置
JP6481402B2 (ja) * 2015-02-13 2019-03-13 岩崎電気株式会社 Ｌｅｄモジュール及びｌｅｄ照明装置
EP3118279A1 (de) * 2015-07-14 2017-01-18 odelo GmbH Verfahren zum betrieb von oleds als lichtquellen in fahrzeugleuchten, oled als lichtquelle umfassendes leuchtmittel und hiermit ausgestattete fahrzeugleuchte
KR101748660B1 (ko) * 2016-03-21 2017-06-21 유버 주식회사 광량 보상 기능을 구비한 led 모듈의 제어 장치 및 이를 포함하는 조명 시스템
JP6178896B2 (ja) * 2016-06-13 2017-08-09 三菱電機照明株式会社 電源装置及び照明装置
EP3291646A1 (de) 2016-08-30 2018-03-07 odelo GmbH Verfahren zum betrieb eines leuchtmittels mit mindestens einer oled, leuchtmittel und hiermit ausgestattete fahrzeugleuchte
WO2018149824A1 (en) 2017-02-20 2018-08-23 Philips Lighting Holding B.V. Led arrangement with over-current protection
US11071185B2 (en) 2017-02-20 2021-07-20 Signify Holding B.V. LED arrangement with over-current protection
JP2020016778A (ja) * 2018-07-26 2020-01-30 株式会社デンソーテン バックライト保護回路
TWI664875B (zh) * 2018-09-03 2019-07-01 群光電能科技股份有限公司 定電流裝置及其熱分散模組
CN209419945U (zh) * 2018-11-14 2019-09-20 深圳市崧盛电子股份有限公司 一种led驱动电源过温保护电路
US11402418B2 (en) * 2019-09-09 2022-08-02 International Business Machines Corporation Time-domain reflectometry protocol for sensors
US20220196487A1 (en) * 2020-12-18 2022-06-23 Advanced Micro Devices (Shanghai) Co., Ltd. Circuit to compensate for temperature impedance drift of conductive component
US11737181B2 (en) * 2020-12-23 2023-08-22 Hyundai Mobis Co., Ltd. Apparatus for controlling lamp and method thereof

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09320764A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Toshiba Electric Appliance Co Ltd 調光器
US6285139B1 (en) * 1999-12-23 2001-09-04 Gelcore, Llc Non-linear light-emitting load current control
JP2002064223A (ja) * 2000-08-16 2002-02-28 Sony Corp 半導体発光素子の駆動回路
JP2003188415A (ja) 2001-12-18 2003-07-04 Asahi Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ点灯装置
JP4089535B2 (ja) * 2003-07-31 2008-05-28 株式会社村田製作所 過熱保護回路
US7276861B1 (en) * 2004-09-21 2007-10-02 Exclara, Inc. System and method for driving LED
EP1803331B1 (en) * 2004-10-12 2012-12-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and system for feedback and control of a luminaire
KR20060084571A (ko) 2005-01-20 2006-07-25 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 백라이트 구동장치 및 이를 포함하는 ｌｃｄ 모니터
CN1870789A (zh) * 2005-05-27 2006-11-29 佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司 手机温度保护装置
KR100735460B1 (ko) * 2005-09-09 2007-07-03 삼성전기주식회사 온도 보상 기능을 갖는 ｌｅｄ 구동 제어 회로
JP4398417B2 (ja) * 2005-10-19 2010-01-13 株式会社小糸製作所 車両用灯具の点灯制御装置
KR20080033771A (ko) * 2006-10-13 2008-04-17 삼성전자주식회사 백라이트 유닛의 구동장치, 이를 구비한 액정표시장치, 및그 제어방법
CN200979092Y (zh) * 2006-12-07 2007-11-21 姚荣湘 串联型led灯组发光装置
WO2008146811A1 (ja) * 2007-05-31 2008-12-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ｌｅｄ駆動回路
KR100943966B1 (ko) 2007-06-11 2010-02-26 주식회사 휴먼엘이디 과열 방지를 위한 발광다이오드 조명등 제어 장치 및 그방법
CN101373900A (zh) * 2007-08-22 2009-02-25 广达电脑股份有限公司 电池模块及其充放电方法
CN101541120A (zh) * 2008-03-19 2009-09-23 牧德科技股份有限公司 智能型发光二极管照明系统
JP2009232624A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 電源装置及び照明器具
JP2009246074A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Nippon Seiki Co Ltd 車両用表示装置
JP4978547B2 (ja) * 2008-04-24 2012-07-18 豊田合成株式会社 Ｌｅｄ駆動回路およびｌｅｄ照明装置
US7812550B2 (en) * 2008-05-28 2010-10-12 Revlite Technologies Inc. LED replacement for low voltage lamps
JP4649504B2 (ja) * 2008-08-06 2011-03-09 シャープ株式会社 Ｌｅｄ駆動回路
CN201274590Y (zh) * 2008-08-29 2009-07-15 田承仁 市电led驱动装置
KR20100059421A (ko) 2008-11-26 2010-06-04 삼성전기주식회사 전류 제한 가변 회로를 구비한 발광소자 구동 장치
US9781803B2 (en) * 2008-11-30 2017-10-03 Cree, Inc. LED thermal management system and method
US8358085B2 (en) 2009-01-13 2013-01-22 Terralux, Inc. Method and device for remote sensing and control of LED lights
JP2010166499A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Pfu Ltd 照明装置及び画像読取装置
JP5324938B2 (ja) * 2009-01-22 2013-10-23 パナソニック株式会社 発光ダイオード駆動装置並びにそれを用いた照明器具、車室内用照明装置、車両用照明装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190029702A (ko) * 2016-09-14 2019-03-20 필립모리스 프로덕츠 에스.에이. 에어로졸 발생 시스템 및 그 제어 방법
US11033053B2 (en) 2016-09-14 2021-06-15 Philip Morris Products S.A. Aerosol-generating system and method for controlling the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20120032612A1 (en) 2012-02-09
CA2803304C (en) 2016-06-07
JP5746345B2 (ja) 2015-07-08
US8536788B2 (en) 2013-09-17
JP2013539165A (ja) 2013-10-17
WO2012018915A2 (en) 2012-02-09
KR101550842B1 (ko) 2015-09-07
EP2601819A2 (en) 2013-06-12
WO2012018915A3 (en) 2012-04-26
EP2601819A4 (en) 2015-04-22
CA2803304A1 (en) 2012-02-09
CN103026797A (zh) 2013-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101550842B1 (ko) 가변 직렬 임피던스에 의한 고체 상태 광원들의 열 제어
US8188671B2 (en) Power factor control for an LED bulb driver circuit
EP2198669B1 (en) Methods and apparatus for controlling respective load currents of multiple series-connected loads
EP3061317B1 (en) Driving a multi-color luminaire
EP2533608B1 (en) Multiple channel light source power supply with output protection
US7902769B2 (en) Current regulator for modulating brightness levels of solid state lighting
US20070182347A1 (en) Impedance matching circuit for current regulation of solid state lighting
US9125269B2 (en) Controllers for solid state light bulb assemblies
US8653757B2 (en) DC-DC converter
WO2013110044A1 (en) Auxiliary power supply for lighting driver circuitry
CA2572335A1 (en) Switched constant current driving and control circuit
CN108738195B (zh) 具有补偿的光源光通量的机动车车灯
WO2011057268A1 (en) High efficiency led lighting
CA2776185C (en) Multiple channel light source power supply with output protection
US20180324936A1 (en) Programmable feed-forward regulation
Gago‐Calderón et al. Temperature‐controlled light‐emitting diode lamp for photovoltaic rural applications
Bhattacharya et al. Digital sliding mode pulsed current averaging IC drivers for high brightness light emitting diodes

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee