KR20130092896A - Led display apparatus and manufacturing method thereof - Google Patents

Led display apparatus and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20130092896A
KR20130092896A KR1020120014475A KR20120014475A KR20130092896A KR 20130092896 A KR20130092896 A KR 20130092896A KR 1020120014475 A KR1020120014475 A KR 1020120014475A KR 20120014475 A KR20120014475 A KR 20120014475A KR 20130092896 A KR20130092896 A KR 20130092896A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led
display device
tft
substrate
led elements
Prior art date
Application number
KR1020120014475A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이병준
김현철
이명원
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020120014475A priority Critical patent/KR20130092896A/en
Publication of KR20130092896A publication Critical patent/KR20130092896A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00—Planar light sources
    • F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00—Illumination
    • Y10S362/80—Light emitting diode

Abstract

PURPOSE: A light emitting diode (LED) display device and a manufacturing method thereof are provided to connect an LED unit and a thin film transistor (TFT) in order to apply an LED used as a backlight unit to the display device, thereby improving brightness and achieving low power driving. CONSTITUTION: An LED display device comprises the followings. An LED unit (100) includes a plurality of LED devices having metal electrodes formed on a substrate. A TFT unit (200) is adjacent to the LED unit, and includes a plurality of TFTs connected to the metal electrode included in each of the LED devices. In a common electrode line (300), each of the LED devices is connected to commonly apply power to the LED devices.

Description

ＬＥＤ 디스플레이 장치 및 그것의 제조 방법{LED DISPLAY APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}LED display device and its manufacturing method {LED DISPLAY APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 LED(Light Emitting Device) 디스플레이 장치 및 그것의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device (LED) display device and a manufacturing method thereof.

디스플레이 장치(display unit)는 브라운관에 문자나 도형의 형식으로 데이터가 시각적으로 표시될 수 있는 표시 장치를 의미한다. 이러한 디스플레이 장치의 종류로 LCD(Liquid Crystal Display) 및 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode) 등이 있다.A display unit refers to a display device on which data can be visually displayed in the form of a character or a figure on a CRT. Such display devices include Liquid Crystal Display (LCD) and Active Matrix Organic Light Emitting Diode (AMOLED).

여기에서, LCD는 인가 전압에 따른 액정 투과도의 변화를 이용하여 각종 장치에서 발생하는 여러가지 전기적인 정보를 시각 정보로 변화시켜 전달하는 전자 소자를 의미한다. LCD는 자기 발광성이 없어 백라이트에 의해 발광할 수 있다. 반면, AMOLED는 백라이트에 의해 발광하는 LCD와는 달리 자체적으로 발광할 수 있다.Here, the LCD refers to an electronic device that transmits various electrical information generated by various devices to visual information by using a change in liquid crystal transmittance according to an applied voltage. The LCD does not have self-luminescence and can emit light by the backlight. On the other hand, AMOLED can emit light by itself unlike LCD which emits light by backlight.

그러나, LCD는 반응 시간이 비교적 느리며, 전력 소모가 크다는 문제가 있다. 또한, AMOLED는 수명이 비교적 짧고, 양산 수율이 좋지 않다는 문제가 있다.However, LCDs have a problem that the response time is relatively slow and power consumption is large. In addition, AMOLED has a problem that the lifespan is relatively short and mass production yield is not good.

이에 따라, 반응 시간, 전력 소모, 수명 및 양산 수율 등을 모두 고려한 새로운 디스플레이 장치에 대한 필요성이 대두되고 있다.Accordingly, there is a need for a new display device that takes into account all the reaction time, power consumption, lifespan, and mass production yield.

본 발명의 목적은 휘도를 향상시키고, 저전력으로 구동할 수 있는 LED 디스플레이 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.Disclosure of Invention An object of the present invention is to provide an LED display device and a method of manufacturing the same, which can improve brightness and drive at low power.

본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 디스플레이 장치는, 기판과, 상기 기판에 형성된 금속 전극을 구비하는 복수의 LED(Light Emitting Diode) 소자들을 포함하는 LED부; 상기 LED부와 인접하며, 상기 LED 소자들 각각에 포함된 상기 금속 전극과 연결되는 복수의 TFT(Thin Film Transistor)들을 포함하는 TFT부; 및 상기 LED 소자들에 공통으로 전원을 인가하도록 상기 LED 소자들이 각각 연결되는 공통 전극 라인을 포함한다.An LED display device according to an embodiment of the present invention, the LED unit including a substrate and a plurality of LED (Light Emitting Diode) element having a metal electrode formed on the substrate; A TFT unit adjacent to the LED unit and including a plurality of TFTs (Thin Film Transistors) connected to the metal electrode included in each of the LED elements; And a common electrode line to which the LED elements are respectively connected to apply power to the LED elements in common.

실시 예에 있어서, 상기 공통 전극 라인은, 상기 금속 전극과 상기 TFT 사이에 배치될 수 있다.In example embodiments, the common electrode line may be disposed between the metal electrode and the TFT.

실시 예에 있어서, 상기 금속 전극과 상기 TFT는 옴 접촉(Ohmic contact)할 수 있다.In example embodiments, the metal electrode and the TFT may be in ohmic contact.

실시 예에 있어서, 상기 TFT부는, 임시 기판을 포함할 수 있다.In an embodiment, the TFT unit may include a temporary substrate.

실시 예에 있어서, 상기 LED 디스플레이 장치는, 상기 임시 기판이 제거되면, 상기 임시 기판이 제거된 면을 덮도록 형성된 형광체층을 더 포함할 수 있다.The LED display device may further include a phosphor layer formed to cover a surface from which the temporary substrate is removed when the temporary substrate is removed.

실시 예에 있어서, 상기 LED 디스플레이 장치는, 상기 형광체층에 형성된 컬러 필터를 더 포함할 수 있다.In an embodiment, the LED display device may further include a color filter formed on the phosphor layer.

실시 예에 있어서, 상기 컬러 필터는, 상기 형광체층에 형성된 투명 필름 또는 투명 접착체; 및 상기 투명 필름 또는 상기 투명 접착제 상에 형성된 RGB(Red/Green/Blue) 형광체를 포함할 수 있다.In an embodiment, the color filter may include a transparent film or a transparent adhesive formed on the phosphor layer; And it may include an RGB (Red / Green / Blue) phosphor formed on the transparent film or the transparent adhesive.

실시 예에 있어서, 상기 기판은, 유리 기판 또는 웨이퍼 기판을 포함할 수 있다.In an embodiment, the substrate may include a glass substrate or a wafer substrate.

본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 디스플레이 장치의 제조 방법은, 금속 전극을 각각 포함하는 복수의 LED 소자들을 제조하는 단계; TFT부에 포함된 복수의 TFT들을 상기 LED 소자들 각각에 포함된 상기 금속 전극과 연결하는 단계; 및 상기 LED 소자들에 공통으로 전원을 인가하도록 상기 LED 소자들을 공통 전극 라인에 연결하는 단계를 포함한다.Method of manufacturing an LED display device according to an embodiment of the present invention, manufacturing a plurality of LED elements each comprising a metal electrode; Connecting a plurality of TFTs included in a TFT portion with the metal electrode included in each of the LED elements; And connecting the LED elements to a common electrode line to apply power to the LED elements in common.

실시 예에 있어서, 상기 공통 전극 라인은, 상기 금속 전극과 상기 TFT 사이에 배치될 수 있다.In example embodiments, the common electrode line may be disposed between the metal electrode and the TFT.

실시 예에 있어서, 상기 복수의 TFT들을 상기 LED 소자들 각각에 포함된 상기 금속 전극과 연결하는 단계는, 상기 복수의 TFT들을 상기 LED 소자들 각각에 포함된 상기 금속 전극과 옴 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다.In an embodiment, connecting the plurality of TFTs with the metal electrodes included in each of the LED elements may include ohmic contacting the plurality of TFTs with the metal electrodes included in each of the LED elements. can do.

실시 예에 있어서, 상기 LED 디스플레이 장치의 제조 방법은, 상기 TFT에 포함된 임시 기판을 제거하는 단계; 및 상기 임시 기판이 제거된 면을 덮도록 형광체층을 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.In example embodiments, the method of manufacturing the LED display device may include removing a temporary substrate included in the TFT; And applying a phosphor layer to cover a surface from which the temporary substrate is removed.

실시 예에 있어서, 상기 LED 디스플레이 장치의 제조 방법은, 상기 형광체층에 컬러 필터를 부착하는 단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment, the method of manufacturing the LED display device may further include attaching a color filter to the phosphor layer.

본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 디스플레이 장치 및 그것의 제조 방법에 의하면, BLU(Back Light Unit)로 사용되는 LED가 디스플레이 장치에 적용되기 위해 LED 소자와 TFT가 연결됨으로써, 휘도가 향상될 수 있고, 저전력으로 구동될 수 있다. 또한, 비교적 적은 비용으로 크기가 큰 디스플레이 장치가 제공될 수 있다.According to the LED display device and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention, the LED is used as a BLU (Back Light Unit) is connected to the LED device and the TFT to be applied to the display device, the brightness can be improved It can be driven at low power. In addition, a large display device can be provided at a relatively low cost.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 디스플레이 장치를 보여주는 구성도들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 디스플레이 장치의 제조 방법을 보여주는 순서도이다.
도 4는 도 3에 따른 LED 디스플레이 장치의 제조 방법을 보여주는 구성도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 디스플레이 장치의 휘도 및 온도 실험 결과를 보여주는 예시도들이다.1 and 2 are configuration diagrams showing an LED display device according to an embodiment of the present invention.
3 is a flowchart illustrating a manufacturing method of an LED display device according to an exemplary embodiment.
4 is a configuration diagram illustrating a method of manufacturing the LED display device of FIG. 3.
5 and 6 are exemplary diagrams showing results of luminance and temperature experiments of an LED display device according to an exemplary embodiment.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위하여, 본 발명의 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 하지만, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 그리고, 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통해 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED(Light Emitting Diode) 디스플레이 장치를 보여주는 구성도이다. 도 1을 참조하면, LED 디스플레이 장치는 LED부(100), TFT(Thin Film Transistor)부(200), 공통 전극 라인(300), 형광체층(400) 및 컬러 필터(500)를 포함할 수 있다.1 is a block diagram illustrating a light emitting diode (LED) display device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the LED display device may include an LED unit 100, a thin film transistor (TFT) unit 200, a common electrode line 300, a phosphor layer 400, and a color filter 500. .

여기에서, LED부(100)는 기판(110), 금속 전극(P-타입 전극, N-타입 전극)(120, 130) 및 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO)(140)을 구비하는 복수의 LED 소자들을 포함할 수 있다.Here, the LED unit 100 includes a plurality of substrates 110, metal electrodes (P-type electrodes, N-type electrodes) 120 and 130, and indium tin oxide (ITO) 140. It may include LED elements of.

구체적으로, 기판(110)은 유리 기판 또는 웨이퍼 기판을 포함할 수 있다. 비록 도시되지는 않았지만, 기판(110)에 에피택셜층이 형성될 수 있다. 에피택셜층은 투명 전극상에 증착되고, 질화갈륨(Gallium Nitride, GaN) 물질로 구성될 수 있다.In detail, the substrate 110 may include a glass substrate or a wafer substrate. Although not shown, an epitaxial layer may be formed on the substrate 110. The epitaxial layer is deposited on the transparent electrode and may be composed of a gallium nitride (GaN) material.

금속 전극(120, 130)은 에피택셜층에 형성될 수 있다. 금속 전극(120, 130)은 에피택셜층상에 금속이 증착되고, 식각(etching)되며, 패터닝(patterning)됨으로써 형성될 수 있다. 이때, 금속 전극(120, 130)의 크기는 LED 디스플레이 장치의 화소수의 크기와 동일하게 결정될 수 있다.The metal electrodes 120 and 130 may be formed in the epitaxial layer. The metal electrodes 120 and 130 may be formed by depositing, etching, and patterning a metal on the epitaxial layer. In this case, the sizes of the metal electrodes 120 and 130 may be determined to be equal to the size of the number of pixels of the LED display device.

좀 더 상세하게, 각 화소를 구현하기 위해, 공통 전극 라인(300)이 P-타입 전극(120)과 TFT 사이에 배치될 수 있다. 공통 전극 라인(300)은 같은 라인에 배치된 LED 소자들의 P-타입 전극들(120)과 한꺼번에 연결됨으로써, P-타입 전극들(120)을 한꺼번에 공통 전극으로 묶을 수 있다. 이후, 기판(110)이 식각(etching)됨에 따라, 셀(cell)의 크기에 맞도록 화소가 구현될 수 있다.More specifically, to implement each pixel, a common electrode line 300 may be disposed between the P-type electrode 120 and the TFT. The common electrode line 300 may be connected to the P-type electrodes 120 of the LED elements disposed in the same line at the same time, thereby tying the P-type electrodes 120 together as a common electrode. Then, as the substrate 110 is etched, the pixel may be implemented to match the size of the cell.

여기에서, 금속 전극(120, 130)은 Au, Ni, Pt, Ag, Al 또는 그들의 합금으로 형성될 수 있다. 금속 전극(120, 130)은 에피택셜층에 전력을 공급할 수 있다. 구체적으로, 전기 에너지가 금속 전극(120, 130)에 공급될 때, 전류가 에피택셜층을 통해 퍼지고 흐르며 전자와 홀이 활성 레이어 안으로 주입되어, 서로 재결합되고, 광의 형태로 에너지가 방출될 수 있다.Here, the metal electrodes 120 and 130 may be formed of Au, Ni, Pt, Ag, Al, or alloys thereof. The metal electrodes 120 and 130 may supply power to the epitaxial layer. Specifically, when electrical energy is supplied to the metal electrodes 120 and 130, current may spread and flow through the epitaxial layer, electrons and holes may be injected into the active layer, recombine with each other, and energy may be emitted in the form of light. .

산화인듐주석(140)은 N-타입 전극(130)에 형성될 수 있다. 산화인듐주석(140)은 인듐과 주석의 산화물로 구성된 피막을 의미한다. 산화인듐주석(140)의 투명 전기 전도 레이어가 N-타입 전극(130)상에 피착될 수 있다.Indium tin oxide 140 may be formed on the N-type electrode 130. Indium tin oxide 140 means a film composed of an oxide of indium and tin. A transparent electrically conductive layer of indium tin oxide 140 may be deposited on the N-type electrode 130.

한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 디스플레이 장치에 적용된 LED 소자가 실리콘 기판에 형성되는 경우, LED 디스플레이 장치의 크기에 매칭되도록 실리콘 기판이 절단되고, 절단된 실리콘 기판에 형성된 LED 소자가 사용될 수도 있다.On the other hand, when the LED device applied to the LED display device according to an embodiment of the present invention is formed on the silicon substrate, the silicon substrate is cut to match the size of the LED display device, the LED device formed on the cut silicon substrate may be used have.

TFT부(200)는 디스플레이부 및 복수의 TFT들을 포함할 수 있다. 여기에서, 디스플레이부는 상부 기판과, 하부 기판과, 상부 기판 및 하부 기판 사이에 형성된 액정 층을 포함할 수 있다. 상부 기판에는 상부 편광판이 부착될 수 있고, 하부 기판에는 하부 편광판이 부착될 수 있다. 하부 기판에는 복수의 TFT들이 형성될 수 있다.The TFT unit 200 may include a display unit and a plurality of TFTs. The display unit may include an upper substrate, a lower substrate, and a liquid crystal layer formed between the upper substrate and the lower substrate. An upper polarizer may be attached to the upper substrate, and a lower polarizer may be attached to the lower substrate. A plurality of TFTs may be formed on the lower substrate.

복수의 TFT들은 LED 소자들 각각에 포함된 금속 전극(120, 130)과 연결될 수 있다. 여기에서, 복수의 TFT들과 금속 전극(120, 130)은 옴 접촉(Ohmic contact)할 수 있다. 즉, 복수의 TFT들과 금속 전극(120, 130)은 접착성 도전 물질에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The plurality of TFTs may be connected to the metal electrodes 120 and 130 included in each of the LED elements. Here, the plurality of TFTs and the metal electrodes 120 and 130 may be in ohmic contact. That is, the plurality of TFTs and the metal electrodes 120 and 130 may be electrically connected to each other by an adhesive conductive material.

비록 도시되지는 않았지만, TFT부(200)는 임시 기판을 포함할 수 있다. 레이저로 임시 기판이 삭마(ablation)되어 제거되면, 임시 기판이 제거된 면을 덮도록 형광체층(예를 들어, 노란색 형광체층)(400)이 형성될 수 있다.Although not shown, the TFT unit 200 may include a temporary substrate. When the temporary substrate is ablated and removed by a laser, a phosphor layer (eg, a yellow phosphor layer) 400 may be formed to cover a surface from which the temporary substrate is removed.

여기에서, 형광체층(400)은 유리 조성물을 포함할 수 있으며, 유리 조성물로는 PbO-B2O3-SiO2계 유리, P2O5-B2O3-ZnO계 유리 및 ZnO-B2O3-RO(예를 들어, BaO, SrO, La2O, Bi2O3)계 유리 중 어느 하나, 또는 이들의 조합이 사용될 수 있다.Here, the phosphor layer 400 may include a glass composition, and the glass composition may include PbO-B 2 O 3 -SiO 2 based glass, P 2 O 5 -B 2 O 3 -ZnO based glass, and ZnO-B Any of 2 O 3 -RO (eg, BaO, SrO, La 2 O, Bi 2 O 3 ) -based glasses, or a combination thereof may be used.

컬러 필터(500)는 형광체층(400)에 형성될 수 있다. 구체적으로, 컬러 필터(500)는 형광체층(400)에 형성된 투명 필름 또는 투명 접착제와, 투명 필름 또는 투명 접착제상에 형성된 RGB(Red/Green/Blue) 형광체를 포함할 수 있다. 이때, 투명 필름 또는 투명 접착제 대신 투명 유리가 사용될 수도 있다.The color filter 500 may be formed in the phosphor layer 400. Specifically, the color filter 500 may include a transparent film or a transparent adhesive formed on the phosphor layer 400 and an RGB (Red / Green / Blue) phosphor formed on the transparent film or the transparent adhesive. In this case, transparent glass may be used instead of the transparent film or the transparent adhesive.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 디스플레이 장치를 보여주는 구성도이다. 도 2를 참조하면, LED 디스플레이 장치는 LED부(100), TFT부(200), 공통 전극 라인(300), 형광체층(400) 및 컬러 필터(500)를 포함할 수 있다.2 is a block diagram showing an LED display device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the LED display device may include an LED unit 100, a TFT unit 200, a common electrode line 300, a phosphor layer 400, and a color filter 500.

도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(예를 들어, 웨이퍼 기판)(110, 도 1 참조)에 LED 소자들 각각에 구비되는 금속 전극(120, 130)이 배치될 수 있다. 이때, 각 화소를 구현하기 위해, 공통 전극 라인(300)이 P-타입 전극(120)에 배치될 수 있다. 공통 전극 라인(300)은 같은 라인(예를 들어, 같은 행)에 배치된 LED 소자들의 P-타입 전극들(120)과 한꺼번에 연결됨으로써, P-타입 전극들(120)을 한꺼번에 공통 전극으로 묶을 수 있다. 이후, 기판(110)이 식각(etching)됨에 따라, 셀(cell)의 크기에 맞도록 화소가 구현될 수 있다.As shown in FIG. 2A, metal electrodes 120 and 130 provided in each of the LED elements may be disposed on a substrate (eg, a wafer substrate) 110 (see FIG. 1). In this case, in order to implement each pixel, the common electrode line 300 may be disposed on the P-type electrode 120. The common electrode line 300 is connected to the P-type electrodes 120 of the LED elements disposed on the same line (eg, the same row) at the same time, thereby tying the P-type electrodes 120 together into a common electrode. Can be. Then, as the substrate 110 is etched, the pixel may be implemented to match the size of the cell.

좀 더 상세하게, (b)에 도시된 바와 같이, 기판(110)을 ①의 방향에서 볼 때, 같은 행에 배치되지 않은 LED 소자들은 각각 다른 공통 전극 라인(300)과 연결될 수 있다. 반면, (c)에 도시된 바와 같이, 기판(110)을 ②의 방향에서 볼 때, 같은 행에 배치된 LED 소자들은 같은 공통 전극 라인(300)과 연결될 수 있다.In more detail, as shown in (b), when the substrate 110 is viewed in the direction of?, LED elements not arranged in the same row may be connected to different common electrode lines 300, respectively. On the other hand, as shown in (c), when viewing the substrate 110 in the direction of ②, LED elements arranged in the same row may be connected to the same common electrode line (300).

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 디스플레이 장치의 제조 방법을 보여주는 순서도이다. LED 디스플레이 장치는 LED부(100, 도 1 참조), TFT부(200, 도 1 참조), 공통 전극 라인(300, 도 1 참조), 형광체층(400, 도 1 참조) 및 컬러 필터(500, 도 1 참조)를 포함할 수 있다.3 is a flowchart illustrating a manufacturing method of an LED display device according to an exemplary embodiment. The LED display device includes an LED unit 100 (see FIG. 1), a TFT unit 200 (see FIG. 1), a common electrode line 300 (see FIG. 1), a phosphor layer 400 (see FIG. 1), and a color filter 500. 1).

여기에서, LED부(100)는 기판(110, 도 1 참조), 금속 전극(P-타입 전극, N-타입 전극)(120, 130, 도 1 참조) 및 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO)(140, 도 1 참조)을 구비하는 복수의 LED 소자들을 포함할 수 있다.Here, the LED unit 100 includes a substrate 110 (see FIG. 1), a metal electrode (P-type electrode, N-type electrode) 120, 130, and FIG. 1, and indium tin oxide (ITO). And a plurality of LED elements 140) (see FIG. 1).

도 3을 참조하면, 우선, 금속 전극(120, 130)을 각각 포함하는 복수의 LED 소자들이 제조되는 단계(S110)가 진행된다.Referring to FIG. 3, first, a step (S110) of manufacturing a plurality of LED elements including metal electrodes 120 and 130, respectively, is performed.

구체적으로, 기판(110)에 에피택셜층이 형성되고, 에피택셜층에 금속 전극(120, 130)이 형성됨에 따라 LED 소자들이 제조될 수 있다. 여기에서, 금속 전극(120)은 에피택셜층상에 금속이 증착되고, 식각(etching)되며, 패터닝(patterning)됨으로써 형성될 수 있다. 이때, 금속 전극(120, 130)의 크기는 LED 디스플레이 장치의 화소수의 크기와 동일하게 결정될 수 있다.Specifically, as the epitaxial layer is formed on the substrate 110 and the metal electrodes 120 and 130 are formed on the epitaxial layer, LED devices may be manufactured. Here, the metal electrode 120 may be formed by depositing, etching, and patterning a metal on the epitaxial layer. In this case, the sizes of the metal electrodes 120 and 130 may be determined to be equal to the size of the number of pixels of the LED display device.

다음으로, TFT부(200)에 포함된 복수의 TFT들이 LED 소자들 각각에 포함된 금속 전극(120, 130)과 연결되는 단계(S120)가 진행된다.Next, a step (S120) of connecting the plurality of TFTs included in the TFT unit 200 to the metal electrodes 120 and 130 included in each of the LED elements is performed.

구체적으로, 복수의 TFT들과 금속 전극(120, 130)은 옴 접촉(Ohmic contact)할 수 있다. 즉, 복수의 TFT들과 금속 전극(120, 130)은 접착성 도전 물질에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.Specifically, the TFTs and the metal electrodes 120 and 130 may be in ohmic contact. That is, the plurality of TFTs and the metal electrodes 120 and 130 may be electrically connected to each other by an adhesive conductive material.

이후, LED 소자들에 공통으로 전원을 인가하도록 LED 소자들이 공통 전극 라인(300)에 연결되는 단계(S130)가 진행된다.Thereafter, step S130 is performed in which the LED elements are connected to the common electrode line 300 to apply power to the LED elements in common.

구체적으로, 공통 전극 라인(300)은 같은 라인(예를 들어, 같은 행)에 배치된 LED 소자들의 P-타입 전극들(120)과 한꺼번에 연결됨으로써, P-타입 전극들(120)을 한꺼번에 공통 전극으로 묶을 수 있다. 이후, 기판(110)이 식각(etching)됨에 따라, 셀(cell)의 크기에 맞도록 화소가 구현될 수 있다.Specifically, the common electrode line 300 is connected to the P-type electrodes 120 of the LED elements disposed in the same line (eg, the same row) at the same time, thereby sharing the P-type electrodes 120 at once. Can be bundled with electrodes. Then, as the substrate 110 is etched, the pixel may be implemented to match the size of the cell.

도 4는 도 3에 따른 LED 디스플레이 장치의 제조 방법을 보여주는 구성도이다. 도 4를 참조하면, LED 디스플레이 장치는 LED부(100), TFT부(200), 공통 전극 라인(300), 형광체층(400) 및 컬러 필터(500)를 포함할 수 있다.4 is a configuration diagram illustrating a method of manufacturing the LED display device of FIG. 3. Referring to FIG. 4, the LED display device may include an LED unit 100, a TFT unit 200, a common electrode line 300, a phosphor layer 400, and a color filter 500.

LED부(100)의 LED 소자들 각각은 금속 전극(120, 130)을 포함할 수 있으며, TFT부(200)는 임시 기판(210)을 포함할 수 있다. 이하, 도 3에서 이미 설명된 내용은 생략하기로 한다.Each of the LED elements of the LED unit 100 may include metal electrodes 120 and 130, and the TFT unit 200 may include a temporary substrate 210. Hereinafter, the contents already described in FIG. 3 will be omitted.

도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, LED부(100)의 LED 소자들 각각에 포함된 금속 전극(120, 130)은 TFT부(200)에 포함된 복수의 TFT들과 접착성 도전 물질에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 복수의 TFT들과 금속 전극(120, 130)은 옴 접촉(Ohmic contact)할 수 있다. 한편, LED 소자들에 공통으로 전원을 인가하도록 LED 소자들이 공통 전극 라인(300)에 연결될 수 있다.As shown in FIG. 4A, the metal electrodes 120 and 130 included in each of the LED elements of the LED unit 100 may be formed of an adhesive conductive material and a plurality of TFTs included in the TFT unit 200. It can be electrically connected by. That is, the TFTs and the metal electrodes 120 and 130 may be in ohmic contact. Meanwhile, the LED devices may be connected to the common electrode line 300 to apply power to the LED devices in common.

다음으로, (b)에 도시된 바와 같이, 레이저로 TFT부(200)의 임시 기판(210)이 삭마(ablation)되어 제거될 수 있다. 이후, (c)에 도시된 바와 같이, 임시 기판(210)이 제거된 면을 덮도록 형광체층(예를 들어, 노란색 형광체층)(400) 및 컬러 필터(500)가 형성될 수 있다. 컬러 필터(500)는 형광체층(400)에 형성된 투명 필름 또는 투명 접착제와, 투명 필름 또는 투명 접착제상에 형성된 RGB(Red/Green/Blue) 형광체를 포함할 수 있다.Next, as shown in (b), the temporary substrate 210 of the TFT portion 200 may be ablation and removed with a laser. Subsequently, as shown in (c), the phosphor layer (eg, the yellow phosphor layer) 400 and the color filter 500 may be formed to cover the surface from which the temporary substrate 210 is removed. The color filter 500 may include a transparent film or a transparent adhesive formed on the phosphor layer 400 and an RGB (Red / Green / Blue) phosphor formed on the transparent film or the transparent adhesive.

도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 디스플레이 장치의 휘도 및 온도 실험 결과를 보여주는 예시도들이다.5 and 6 are exemplary diagrams showing results of luminance and temperature experiments of an LED display device according to an exemplary embodiment.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 디스플레이 장치의 각 화소가 담당하는 전류는 ㎂ 단위로, 각 화소에서 발생하는 열은 거의 없다고 볼 수 있다. 또한, 각 화소가 담당하는 전류가 ㎂ 단위라고 하더라도, 이는 셀(cell)의 크기 축소에 따른 파워(power)가 줄어든 것이기 때문에, 휘도(단위: cd/㎡)가 줄어들지는 않는다. 결과적으로, 휘도(단위: cd/㎡)는 유지되면서 열은 거의 발생되지 않는 반영구적 수명의 LED 디스플레이 장치가 구현될 수 있다.Referring to FIG. 5, the currents of each pixel of the LED display device according to an exemplary embodiment of the present disclosure are in units of,, and thus, little heat is generated in each pixel. In addition, even if the current in charge of each pixel is a unit of power, since the power due to the size reduction of the cell is reduced, the luminance (unit: cd / m 2) is not reduced. As a result, a semi-permanent lifespan LED display device that generates little heat while maintaining luminance (unit: cd / m 2) can be implemented.

도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 디스플레이 장치에서, 전류가 증가할 때, 1분이 지나면 초기 상태에 비해 휘도는 감소하고 온도는 증가한다. 결과적으로, 종래의 LED 디스플레이 장치에 비해 광원 효율이 높은 LED 디스플레이 장치가 구현될 수 있다.Referring to FIG. 6, in the LED display device according to an embodiment of the present disclosure, when current increases, luminance decreases and temperature increases compared to an initial state after one minute. As a result, an LED display device having a higher light source efficiency than a conventional LED display device can be implemented.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 LED 디스플레이 장치 및 그것의 제조 방법에 의하면, BLU(Back Light Unit)로 사용되는 LED가 디스플레이 장치에 적용되기 위해 LED 소자와 TFT가 연결됨으로써, 휘도가 향상될 수 있고, 저전력으로 구동될 수 있다.As described above, according to the LED display device and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention, the LED is used as a BLU (Back Light Unit) is connected to the LED element and the TFT to be applied to the display device, the luminance Can be improved and driven at low power.

본 명세서에 개시된 실시 예들의 구성과 방법은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 실시 예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
The configuration and method of the embodiments disclosed herein may not be limitedly applied, but may be configured by selectively combining all or part of the embodiments so that various modifications may be made.

Claims (13)

기판과, 상기 기판에 형성된 금속 전극을 구비하는 복수의 LED(Light Emitting Diode) 소자들을 포함하는 LED부;
상기 LED부와 인접하며, 상기 LED 소자들 각각에 포함된 상기 금속 전극과 연결되는 복수의 TFT(Thin Film Transistor)들을 포함하는 TFT부; 및
상기 LED 소자들에 공통으로 전원을 인가하도록 상기 LED 소자들이 각각 연결되는 공통 전극 라인을 포함하는 LED 디스플레이 장치.An LED unit including a plurality of LED elements including a substrate and a metal electrode formed on the substrate;
A TFT unit adjacent to the LED unit and including a plurality of TFTs (Thin Film Transistors) connected to the metal electrode included in each of the LED elements; And
And a common electrode line to which the LED elements are respectively connected to apply power to the LED elements in common. 제 1 항에 있어서,
상기 공통 전극 라인은,
상기 금속 전극과 상기 TFT 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치.The method of claim 1,
The common electrode line,
LED display device, characterized in that disposed between the metal electrode and the TFT. 제 2 항에 있어서,
상기 금속 전극과 상기 TFT는 옴 접촉(Ohmic contact)하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치.3. The method of claim 2,
And the metal electrode and the TFT make ohmic contact. 제 3 항에 있어서,
상기 TFT부는,
임시 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치.The method of claim 3, wherein
The TFT section,
LED display device comprising a temporary substrate. 제 4 항에 있어서,
상기 임시 기판이 제거되면, 상기 임시 기판이 제거된 면을 덮도록 형성된 형광체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치.The method of claim 4, wherein
And when the temporary substrate is removed, further comprising a phosphor layer formed to cover a surface from which the temporary substrate is removed. 제 5 항에 있어서,
상기 형광체층에 형성된 컬러 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치.The method of claim 5, wherein
LED display device further comprises a color filter formed on the phosphor layer. 제 6 항에 있어서,
상기 컬러 필터는,
상기 형광체층에 형성된 투명 필름 또는 투명 접착체; 및
상기 투명 필름 또는 상기 투명 접착제 상에 형성된 RGB(Red/Green/Blue) 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치.The method according to claim 6,
The color filter includes:
A transparent film or a transparent adhesive formed on the phosphor layer; And
LED (Red / Green / Blue) phosphor formed on the transparent film or the transparent adhesive. 제 1 항에 있어서,
상기 기판은,
유리 기판 또는 웨이퍼 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치.The method of claim 1,
Wherein:
LED display device comprising a glass substrate or a wafer substrate. 금속 전극을 각각 포함하는 복수의 LED 소자들을 제조하는 단계;
TFT부에 포함된 복수의 TFT들을 상기 LED 소자들 각각에 포함된 상기 금속 전극과 연결하는 단계; 및
상기 LED 소자들에 공통으로 전원을 인가하도록 상기 LED 소자들을 공통 전극 라인에 연결하는 단계를 포함하는 LED 디스플레이 장치의 제조 방법.Manufacturing a plurality of LED elements each comprising a metal electrode;
Connecting a plurality of TFTs included in a TFT portion with the metal electrode included in each of the LED elements; And
Connecting the LED elements to a common electrode line to apply power to the LED elements in common. 제 9 항에 있어서,
상기 공통 전극 라인은,
상기 금속 전극과 상기 TFT 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조 방법.The method of claim 9,
The common electrode line,
And a metal electrode disposed between the metal electrode and the TFT. 제 10 항에 있어서,
상기 복수의 TFT들을 상기 LED 소자들 각각에 포함된 상기 금속 전극과 연결하는 단계는,
상기 복수의 TFT들을 상기 LED 소자들 각각에 포함된 상기 금속 전극과 옴 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조 방법.11. The method of claim 10,
The connecting of the plurality of TFTs with the metal electrode included in each of the LED elements may include:
And ohmic contacting the plurality of TFTs with the metal electrode included in each of the LED elements. 제 11 항에 있어서,
상기 TFT에 포함된 임시 기판을 제거하는 단계; 및
상기 임시 기판이 제거된 면을 덮도록 형광체층을 도포하는 단계를 더 포함하는 LED 디스플레이 장치의 제조 방법.The method of claim 11,
Removing the temporary substrate included in the TFT; And
And applying a phosphor layer to cover a surface from which the temporary substrate is removed. 제 12 항에 있어서,
상기 형광체층에 컬러 필터를 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조 방법.
13. The method of claim 12,
And attaching a color filter to the phosphor layer.
KR1020120014475A 2012-02-13 2012-02-13 Led display apparatus and manufacturing method thereof KR20130092896A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120014475A KR20130092896A (en) 2012-02-13 2012-02-13 Led display apparatus and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120014475A KR20130092896A (en) 2012-02-13 2012-02-13 Led display apparatus and manufacturing method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130092896A true KR20130092896A (en) 2013-08-21

Family

ID=49217471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120014475A KR20130092896A (en) 2012-02-13 2012-02-13 Led display apparatus and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130092896A (en)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103956119A (en) * 2014-04-30 2014-07-30 广东威创视讯科技股份有限公司 Illuminating engine and manufacturing method of illumination engine
CN104882076A (en) * 2015-06-12 2015-09-02 合肥市徽腾网络科技有限公司 Reticle with digital display screen function and manufacturing method of reticle
KR20160067249A (en) * 2014-12-03 2016-06-14 엘지디스플레이 주식회사 Led display device and manufacturing method
WO2017146477A1 (en) * 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 Display apparatus and method for producing same
WO2017146476A1 (en) * 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 Display apparatus and method for producing same
CN107852794A (en) * 2015-07-23 2018-03-27 首尔半导体株式会社 Display device and its manufacture method
CN108873454A (en) * 2018-07-02 2018-11-23 厦门乾照光电股份有限公司 Actively shine integrated form color display panel and preparation method thereof, display device
CN108987423A (en) * 2017-06-05 2018-12-11 三星电子株式会社 Display device
KR20180133192A (en) * 2017-06-05 2018-12-13 삼성전자주식회사 Display apparatus
US20190074324A1 (en) * 2017-09-05 2019-03-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device including light emitting diode and method of manufacturing the same
WO2020238717A1 (en) * 2019-05-24 2020-12-03 启耀光电股份有限公司 Electronic device and manufacturing method therefor
WO2021118027A1 (en) * 2019-12-13 2021-06-17 한국전자기술연구원 Led-mounted display and manufacturing method thereof
JP2021529347A (en) * 2018-06-26 2021-10-28 アルディア Optoelectronic device with light emitting diode
WO2023019520A1 (en) * 2021-08-19 2023-02-23 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Display panel and manufacturing method therefor

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103956119A (en) * 2014-04-30 2014-07-30 广东威创视讯科技股份有限公司 Illuminating engine and manufacturing method of illumination engine
KR20160067249A (en) * 2014-12-03 2016-06-14 엘지디스플레이 주식회사 Led display device and manufacturing method
CN104882076A (en) * 2015-06-12 2015-09-02 合肥市徽腾网络科技有限公司 Reticle with digital display screen function and manufacturing method of reticle
US10312225B2 (en) 2015-07-23 2019-06-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
CN107852794A (en) * 2015-07-23 2018-03-27 首尔半导体株式会社 Display device and its manufacture method
CN107852794B (en) * 2015-07-23 2020-03-10 首尔半导体株式会社 Display device and method for manufacturing the same
US11417640B2 (en) 2015-07-23 2022-08-16 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
JP2022033976A (en) * 2015-07-23 2022-03-02 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド Display apparatus
JP2018523848A (en) * 2015-07-23 2018-08-23 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド Display device and manufacturing method thereof
US11848316B2 (en) 2015-07-23 2023-12-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus having a semiconductor light emitting source
JP2022033977A (en) * 2015-07-23 2022-03-02 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド Display apparatus
EP3790361A1 (en) * 2015-07-23 2021-03-10 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
US11817440B2 (en) 2015-07-23 2023-11-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
US10833057B2 (en) 2015-07-23 2020-11-10 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
EP4178317A1 (en) * 2015-07-23 2023-05-10 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
EP3328162A4 (en) * 2015-07-23 2019-05-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display device and method for manufacturing same
US11024786B2 (en) 2016-02-26 2021-06-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
US11024784B2 (en) 2016-02-26 2021-06-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
US11677056B2 (en) 2016-02-26 2023-06-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
WO2017146476A1 (en) * 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 Display apparatus and method for producing same
US9978727B2 (en) 2016-02-26 2018-05-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
US9997688B2 (en) 2016-02-26 2018-06-12 Seoul Semiconducter Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
WO2017146477A1 (en) * 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 Display apparatus and method for producing same
KR20180133192A (en) * 2017-06-05 2018-12-13 삼성전자주식회사 Display apparatus
US11018158B2 (en) 2017-06-05 2021-05-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus
CN108987423B (en) * 2017-06-05 2023-09-12 三星电子株式会社 display device
EP3413350A1 (en) * 2017-06-05 2018-12-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus
CN108987423A (en) * 2017-06-05 2018-12-11 三星电子株式会社 Display device
US11664384B2 (en) 2017-06-05 2023-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus including array of inorganic light emitting elements
JP2018205741A (en) * 2017-06-05 2018-12-27 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． Display device, electronic apparatus, and light-emitting element
JP2022163025A (en) * 2017-06-05 2022-10-25 三星電子株式会社 Display apparatus and electronic equipment
US10516077B2 (en) 2017-06-05 2019-12-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus including layered structures
US10784308B2 (en) * 2017-09-05 2020-09-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device including light emitting diode and method of manufacturing the same
US20190074324A1 (en) * 2017-09-05 2019-03-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device including light emitting diode and method of manufacturing the same
JP2021529347A (en) * 2018-06-26 2021-10-28 アルディア Optoelectronic device with light emitting diode
CN108873454A (en) * 2018-07-02 2018-11-23 厦门乾照光电股份有限公司 Actively shine integrated form color display panel and preparation method thereof, display device
WO2020238717A1 (en) * 2019-05-24 2020-12-03 启耀光电股份有限公司 Electronic device and manufacturing method therefor
WO2021118027A1 (en) * 2019-12-13 2021-06-17 한국전자기술연구원 Led-mounted display and manufacturing method thereof
WO2023019520A1 (en) * 2021-08-19 2023-02-23 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Display panel and manufacturing method therefor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20130092896A (en) Led display apparatus and manufacturing method thereof
CN104425560B (en) Organic LED display device and its manufacturing method
US9875999B2 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, and display device
US20150221619A1 (en) Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
KR20180065162A (en) Display apparatus and connecting method of light emitting part thereof
US9379350B2 (en) Dual mode display apparatus and method of manufacturing the same
CN105355646A (en) Array substrate and preparation method thereof and display device
US20220367774A1 (en) Display device using micro led, and manufacturing method therefor
KR20130092893A (en) Led display apparatus and manufacturing method thereof
CN208596710U (en) Display panel and display device
US11605755B2 (en) Display device, substrate for display device and method for repairing display device
US9954009B2 (en) Display device
TWI627740B (en) Micro led display module and manufacturing method thereof
JP2019500740A (en) PN junction element and electronic device using the same
GB2530222A (en) Organic light emitting diode anode connection structure and manufacturing method thereof
JP6111487B2 (en) EL display device
TW201904049A (en) Method for manufacturing micro light emitting diode display module
KR20200026677A (en) Display device using micro led
US20230045618A1 (en) Display device
KR20080062308A (en) Organic electroluminescence display device and method for fabricating the same
CN107799660A (en) Display base plate and preparation method thereof, driving method, display panel and display device
US9159775B1 (en) Anode connection structure of organic light-emitting diode and manufacturing method thereof
KR20160001857A (en) Light emitting diode package and light emitting diode display device
TW201444076A (en) Manufacturing method of organic light emitting diode display
KR102199906B1 (en) Led display device and manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application