KR20130090159A - 과충전 방지 회로 - Google Patents

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KR20130090159A
KR20130090159A KR1020120011269A KR20120011269A KR20130090159A KR 20130090159 A KR20130090159 A KR 20130090159A KR 1020120011269 A KR1020120011269 A KR 1020120011269A KR 20120011269 A KR20120011269 A KR 20120011269A KR 20130090159 A KR20130090159 A KR 20130090159A
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bypass circuit
charging
energized
diode
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강옥균
양정훈
최승돈
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주식회사 엘지화학
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Abstract

본 발명에 따른 이차 전지는 충전부로부터 이차전지에 유입되는 충전 전류를 제한 함으로써 상기 이차전지를 과충전으로부터 보호하는 과충전 방지 회로로서, 상기 이차전지의 양 단에 연결되며, 상기 충전부 양 단의 전위차가 미리 설정된 임계 값(Vmax) 이상이 되면 통전되는 우회 회로부; 및 상기 우회 회로부 및 이차전지와 상기 충전부의 사이에 연결되며, 상기 우회 회로부가 통전되는 경우 파단 됨으로써 전류의 흐름을 차단하는 퓨즈부를 포함한다.

Description

과충전 방지 회로{Protective circuit for preventing overcharge}
본 발명은 이차전지가 과충전 되는 것을 방지하기 위한 회로 기술에 관한 것으로서, 구체적으로는 이차전지로 유입되는 과충전 전류를 우회시킨 후 과전류에 의해 발생되는 열을 이용하여 충전 회로를 끊어 줌으로써 이차전지를 과충전으로부터 보호하는 과충전 방지 회로에 관한 것이다.
일반적으로 전지는 크게 화학전지와 물리전지로 나뉘고, 화학전지는 일차전지 및 이차전지, 그리고 연료전지로 나눌 수 있다. 상기 이차전지로는 니켈/카드뮴(Ni-Ca) 이차전지, 니켈/수소(Ni-Mh) 이차전지, 밀폐납산(SLA) 이차전지, 리튬(Li) 이온 이차전지, 리튬(Li)-중합체 이차전지 및 재사용 알카리(Reusable alkaline) 이차전지 등이 있다.
특히 상기 리튬 이온 이차전지는 일정 전압 이상으로 과충전 되는 경우에는 양극 활물질과 전해액의 부반응이 많아지고, 양극 활물질의 구조 붕괴 및 전해액의 산화 반응 등이 동반되며, 음극 활물질에서 리튬이 석출된다. 이러한 상태에서 충전이 계속 되는 경우에는 리튬 이온 이차전지가 폭발 및/또는 발화할 수 있다.
일반적으로, 리튬 이온 이차전지의 충전에 사용되는 전원은 과충전을 방지하기 위한 제어 회로를 구비하고 있으나, 상기 제어 회로가 작동 이상으로 인해 설정된 완충 전압 이상에서도 계속 충전 전류를 공급하는 경우에는 상술한 바와 같이 리튬 이온 이차전지가 폭발 및/또는 발화될 수 있어 매우 위험하다.
이에 따라, 종래에는 리튬 이온 이차전지가 과충전되지 않도록 하기 위해 다양한 노력을 계속해 왔다. 예를 들면, 열감지 소자인 서머스탯(Thermostat)을 리튬 이온 이차전지에 연결하고, 과충전에 의해 이차전지가 소정의 온도 이상이 되면 서머스탯 내부의 스위치가 오픈되어 충전 전류의 흐름을 차단하도록 함으로써 이차전지의 충전을 종료시키는 방법이 사용되어 왔다.
그러나, 상기 서머스탯과 같은 열감지 소자는 이차전지가 사용되는 장소의 온도에 따라 적절한 시점에 작동하지 않을 수 있는 위험이 있으므로, 과충전에 따른 이차전지의 손상을 효과적으로 보호하기 어려운 문제가 있다.
따라서, 충전 전원의 공급 전압 및 전류를 제어하는 제어 회로의 작동 이상이 발생한 경우에 있어서, 주변 환경의 영향을 받지 않고 이차전지의 과충전에 따른 손상을 효과적으로 방지할 수 있는 보호 장치의 도입이 요구된다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 충전 전원의 제어 회로가 정상 작동하지 않는 경우에도 이차전지를 과충전으로부터 효과적으로 보호할 수 있는 과충전 방지 회로를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 과충전 방지 회로는, 충전부로부터 이차전지에 유입되는 충전 전류를 제한 함으로써 상기 이차전지를 과충전으로부터 보호하는 과충전 방지 회로로서, 상기 이차전지의 양 단에 연결되며, 상기 충전부 양 단의 전위차가 미리 설정된 임계 값(Vmax) 이상이 되면 통전되는 우회 회로부; 및 상기 우회 회로부 및 이차전지와 상기 충전부의 사이에 연결되며, 상기 우회 회로부가 통전되는 경우 파단 됨으로써 전류의 흐름을 차단하는 퓨즈부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 우회 회로부는 상기 과충전 방지 회로상에 역방향으로 연결되는 다이오드를 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 다이오드는 상기 임계 값(Vmax)에 해당하는 항복 전압(Breakdown voltage) 값을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 다이오드는 복수개이며, 상기 복수개의 다이오드는 서로 병렬로 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 상기 우회 회로부는 상기 다이오드와 직렬로 연결되는 적어도 하나의 저항을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 상기 우회 회로부는, 상기 과충전 방지 회로상에 역방향으로 연결되며, 양 단에 걸리는 전위차가 상기 임계 값(Vmax) 이상일 때 통전 되는 제너 다이오드; 및 상기 제너 다이오드와 연결되며, 상기 제너 다이오드가 통전 되는 경우 턴 온(Turn on) 되는 스위칭 소자를 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 제너 다이오드는 상기 임계 값(Vmax)에 해당하는 항복 전압(Breakdown voltage) 값을 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 상기 우회 회로부는, 양 단에 걸리는 전위차에 따라 저항 값이 비선형 적으로 변하여 상기 전위차가 배터스터 전압 값에 이르면 통전되는 배리스터(Varistor); 및 상기 배리스터와 연결되며, 상기 배리스터가 통전되는 경우 턴 온(Turn on) 되는 스위칭 소자를 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 배리스터는 상기 임계 값에 해당하는 배리스터 전압 값을 가질 수 있다.
상기 스위칭 소자는 NPN 트렌지스터, PNP 트렌지스터 또는 전계 효과 트랜지스터(Field effect transistor) 중 선택된 어느 하나일 수 있다.
바람직하게, 상기 퓨즈부는 상기 과충전 방지 회로상의 도선보다 낮은 용융점을 가질 수 있다.
본 발명에 따른 과충전 방지 회로는 충전 전압이 소정의 전압 이상이 된 경우 충전 전원으로부터 이차전지에 공급되는 충전 전류를 우회시킴으로써 이차전지를 과충전으로부터 보호하는 효과를 가져온다.
또한, 본 발명에 따른 과충전 방지 회로는 상기 우회 전류에 의해 발생되는 열을 이용하여 충전 회로를 끊어 줌으로써 이차전지를 과충전으로부터 좀 더 확실히 보호할 수 있는 효과를 가져온다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 과충전 방지 회로를 나타내는 도면으로서, 다이오드 및 퓨즈부가 적용된 과충전 방지 회로를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 과충전 방지 회로를 나타내는 도면으로서, 복수개의 다이오드 및 퓨즈부가 적용된 과충전 방지 회로를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 과충전 방지 회로를 나타내는 도면으로서, 다이오드, 저항 및 퓨즈부가 함께 적용된 과충전 방지 회로를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 과충전 방지 회로를 나타내는 도면으로서, 제너 다이오드, 스위칭 소자 및 퓨즈부가 함께 적용된 과충전 방지 회로를 타나내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일부 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
먼저 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 과충전 방지 회로를 설명하기로 한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 과충전 방지 회로는 충전부(10), 이차전지(20), 우회 회로부(30) 및 퓨즈부(40)를 포함한다.
상기 충전부(10)는 이차전지(20)와 함께 충전 시스템을 구성하며, 이차전지(20)의 양 단에 충전 전압을 인가하고 충전 전류를 공급함으로써 이차전지(20)를 충전하는 역할을 한다.
상기 이차전지(20)는 완충된 상태에서, 대략 3.7 내지 4.2V의 사용 전압을 가지며, 이에 따라 충전부(10)는 이차전지(20)가 상기 적정 범위를 넘어 과충전 되지 않도록 충전 전압 및 충전 전류를 제어하는 제어 회로(미도시)를 구비하는 것이 일반적이다. 즉, 상기 제어 회로는 이차전지(20)의 충전 전압이 미리 설정된 임계 값(Vmax , 이차전지의 완충 전압 이상의 값에 해당)에 도달하면 충전부(10)가 이차전지(20)에 더 이상 충전 전류를 공급하지 않도록 제어 한다.
또한, 상기 이차전지(20) 역시 과충전 내지는 사용 과정에서의 단락 등의 문제로 인한 전지 내부 온도의 상승이나 과전류의 발생 등을 감지하여 이차전지(20) 내부의 전류의 흐름을 차단하는 보호 회로 및/또는 보호 소자를 구비하는 배터리 관리 장치(미도시)와 결합되는 것이 일반적이다.
상기 우회 회로부(30)는 이차전지(20)의 양 단 사이에 연결되며, 이차전지(20)의 충전 전압이 상기 임계 값(Vmax)을 넘는 경우 충전 전류가 더 이상 이차전지(20)로 유입되지 않도록 우회시킴으로써 이차전지(20)를 과충전으로부터 보호하는 역할을 한다.
상기 충전부(10)에 의해 이차전지(20)의 양 단에 걸리는 전압은 우회 회로부(30)의 양 단에 걸리는 전압과 동일하다. 따라서, 상기 우회 회로부(30)는 양 단에 상기 임계 값(Vmax)을 넘는 전위차가 형성되는 경우 통전될 수 있도록 구성되어야 한다. 도 1은 상기 우회 회로부(30) 구성의 일 예로서 다이오드(31)가 적용된 경우를 나타내고 있다.
상기 다이오드(31)는 우회 회로부(30) 내에서 우회 회로부(30)가 통전 될 때 흐르는 전류의 방향과 역방향으로 연결된다. 상기 다이오드(31)는 역 전압에 대해서 일정한 항복 전압(Breakdown voltage) 값을 가지며, 역 전압이 항복 전압 미만인 경우는 통전되지 않는다. 따라서, 상기 우회 회로부(30)가 통전되기 위해서는 다이오드(31) 양 단에 걸리는 충전 전압 값이 항복 전압(Breakdown voltage) 값 이상이 되어야 한다.
상기 다이오드(31)는 이차전지(20)의 사용 전압 값을 고려하여 적절한 항복 전압 값을 갖는 것으로 선택할 수 있으며, 4.2 내지 5.4V 사이의 항복 전압 값을 갖는 것이 바람직하다.
상기 퓨즈부(40)는 도 1에 나타난 과충전 방지 회로상에서 우회 회로부(30) 및 이차전지(20)와 충전부(10) 사이에 연결된다. 상기 퓨즈부(40)는 우회 회로부(30)가 통전될 때 발생되는 과전류에 의해 파단됨으로써 과충전 방지 회로상의 전류의 흐름을 완전히 차단하는 역할을 하는 것으로서, 과충전 방지 회로를 구성하는 도선보다 낮은 용융점을 갖는 금속으로 이루어지는 것이 바람직하다. 즉, 상기 우회 회로부(30)가 통전 된다는 것은 충전부(10)의 양 단 사이가 쇼트(Short) 된다는 것을 의미하며, 이 경우 과충전 방지 회로상에는 매우 큰 전류가 흐르게 되는데, 이러한 과전류에 의한 온도 상승에 따라 회로를 구성하는 주변의 도선보다 낮은 용융점을 갖는 금속으로 이루어진 퓨즈부(40)가 용융되어 끊어짐으로써 전류의 흐름이 완전히 차단될 수 있는 것이다.
상기 퓨즈부(40)의 파단 조건은 우회 회로부(30)가 통전될 때 과충전 방지 회로상에 흐르는 전류의 양을 고려하여, 대략 900 내지 1500A 의 전류가 흐를 때 끊어지도록 하는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명에서는 상기 퓨즈부(40)가 주변의 도선과 다른 재질의 금속으로 이루어지는 경우만을 설명하고 있으나, 이는 예시적인 것일 뿐 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 따라서, 상기 퓨즈부(40)가 주변의 도선과 동일한 재질로 이루어지되 그 두께가 더 얇게 형성됨으로써 과전류에 의한 파단이 용이하도록 구성하는 경우와 같이 다른 예도 가능함은 자명한 것이다.
상술한 바와 같이, 도 1에 나타난 본 발명의 일 실시예에 따른 과충전 방지 회로는 양 단에 상기 임계 값(Vmax)을 넘는 전위차가 형성될 때 통전되는 우회 회로부(30)를 형성함으로써 충전 전류가 더 이상 이차전지(20)로 유입되지 않도록 하며, 이로써 이차전지(20)를 과충전으로부터 보호하는 효과를 가져온다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 과충전 방지 회로는 충전부(10)와 이차전지(20)를 연결하는 회로 상에 퓨즈부(40)를 구비함으로써 우회 회로부(30)의 통전에 따른 과전류 발생시 회로상의 전류의 흐름을 완전히 차단할 수 있으며, 이로써 충전부(10) 및 이차전지(20)가 손상되는 것을 방지하는 효과를 가져온다.
다음은 도 2 내지 도 4를 참조하여 도 1에 나타난 앞선 실시예의 변형 예에 대해서 설명하기로 한다. 도 2 내지 도 4에 나타난 과충전 방지 회로는 도 1에 나타난 앞선 실시예와 비교할 때 우회 회로부(30)의 구성만이 차이가 있으며 나머지 구성은 동일한다. 따라서, 도 2 내지 도 4에 나타난 실시예들을 설명함에 있어서는 앞선 실시예와 중복되는 설명은 생략하며 차이점이 있는 우회 회로부(30)의 구체적 구성 및 그러한 차이점에 따른 작용 효과에 대해서만 중점적으로 설명하기로 한다.
먼저, 도 2를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 과충전 방지 회로를 구성하는 우회 회로부(30)를 설명하기로 한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 과충전 방지 회로의 우회 회로부(30)는 서로 병렬로 연결된 복수개의 다이오드(31)가 적용된 구성을 갖는다. 상기 복수개의 다이오드(31) 각각의 연결 방향이나 항복 전압은 앞선 실시예에서의 다이오드와 동일하다.
상기 병렬로 연결된 복수개의 다이오드(31) 각각의 양 단에 걸리는 전압은 동일하므로 우회 회로부(30)의 통전 조건은 앞선 실시예의 경우와 동일하다. 다만, 상기 우회 회로부(30)가 통전 되었을 때 다이오드(31) 각각에 흐르는 우회 전류는 우회 회로부(30)에 유입되는 전류를 병렬로 연결된 다이오드(31) 개수로 나눈 값에 해당하게 된다.
따라서, 병렬로 연결된 복수개의 다이오드(31)는 우회 회로부(30)가 통전될 때 흐르는 과전류를 분산시킴으로써, 과전류에 의해 다이오드(31) 내부가 용융되어 우회 회로부(30)가 그 역할을 수행하지 못하는 현상을 방지하는 효과를 가져온다.
다음은, 도 3을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 과충전 방지 회로를 구성하는 우회 회로부(30)를 설명하기로 한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 과충전 방지 회로의 우회 회로부(30)는 다이오드(31)와 저항(32)이 함께 적용된 구성을 갖는다. 상기 다이오드(31)의 연결 방향은 앞선 실시예에서의 다이오드와 동일하다.
도 3에 나타난 우회 회로부(30)의 구성은, 도 1에 나타난 우회 회로부(30)의 구성과 비교할 때, 다이오드(31)와 직렬로 연결되는 적어도 하나의 저항(32)을 더 포함한다. 상기 저항(32)은 다이오드(31)가 통전된 경우 회로상에 흐르는 전류 값이 지나치게 커지는 것을 방지하는 효과를 가져온다.
다만, 상기 저항(32) 값이 일정 값 이상이 되는 경우 우회 회로부(30)가 통전되더라도 이차전지(20)에 상당 량의 충전 전류가 유입될 수 있을 뿐만 아니라, 퓨즈부(40)가 용이하게 파단되기 어려울 수 있다. 즉, 상기 저항(32)의 저항 값은 이차전지(20)의 내부 저항 값 및 퓨즈부(40)의 파단에 필요한 전류 양 등을 고려하여 적절한 범위에서 선택되어야 한다.
다음은, 도 4를 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 과충전 방지 회로를 구성하는 우회 회로부(30)를 설명하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 과충전 방지 회로의 우회 회로부(30)는 제너 다이오드(33)와 스위칭 소자(34)가 적용된 구성을 갖는다.
상기 제너 다이오드(33)는 회로상에서 우회 회로부(30)가 통전 될 때 흐르는 전류의 방향과 역방향으로 연결되어 스위칭 소자(34)에 베이스 전류를 흘려주는 역할을 한다. 상기 제너 다이오드(33)는 이차전지(20)의 사용 전압 값을 고려하여 적절한 항복 전압 값을 갖는 것으로 선택될 수 있으며, 4.2 내지 5.4V 사이의 항복 전압 값을 갖는 것이 바람직하다. 한편, 상기 제너 다이오드(33)는 양 단에 걸리는 전위차에 따라 저항 값이 비선형 적으로 변하는 배리스터(Varistor)로 대체될 수 있다. 이 경우 배리스터를 통전시키기 위한 배리스터 전압은 상기 제너 다이오드(33)의 항복 전압과 동일한 것이 바람직하다.
상기 스위칭 소자(34)는 제너 다이오드(33)의 양 단에 항복 전압 값 이상의 충전 전압이 가해져 제너 다이오드(33)로부터 베이스 전류가 유입되는 경우 턴 온 되어 충전 전류를 우회시킴으로써 이차전지(20)가 과충전 되는 것을 방지한다. 상기 스위칭 소자(34)로는 트랜지스터가 사용될 수 있으며, 본 발명의 도 4에서는 PNP 트랜지스터를 채용한 경우만을 예시하고 있으나, 이로써 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 즉, 상기 스위칭 소자(34)로는 PNP 트랜지스터 뿐만 아니라, NPN 트랜지스터나 FET(Field effect transistor) 등 다양한 트랜지스터가 사용될 수 있음은 자명한 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 과충전 방지 회로는 임계 값(Vmax)을 초과하는 충전 전압이 가해지는 경우 충전 전류가 우회 회로를 통해 흐르게 함으로써 이차전지가 과충전 되는 것을 방지할 뿐만 아니라, 우회 전류에 의해 용이하게 파단되는 퓨즈부를 설치함으로써 과전류에 따른 위험을 제거하는 효과를 가져온다.
이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
10: 충전부 20: 이차전지
30: 우회 회로부 31: 다이오드
32: 저항 33: 제너 다이오드
34: 스위칭 소자 40: 퓨즈부

Claims (11)

  1. 충전부로부터 이차전지에 유입되는 충전 전류를 제한 함으로써 상기 이차전지를 과충전으로부터 보호하는 과충전 방지 회로로서,
    상기 이차전지의 양 단에 연결되며, 상기 충전부 양 단의 전위차가 미리 설정된 임계 값(Vmax) 이상이 되면 통전되는 우회 회로부; 및
    상기 우회 회로부 및 이차전지와 상기 충전부의 사이에 연결되며, 상기 우회 회로부가 통전되는 경우 파단 됨으로써 전류의 흐름을 차단하는 퓨즈부를 포함하는 과충전 방지 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 우회 회로부는 상기 과충전 방지 회로상에 역방향으로 연결되는 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 다이오드는 상기 임계 값(Vmax)에 해당하는 항복 전압(Breakdown voltage) 값을 갖는 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 다이오드는 복수개이며,
    상기 복수개의 다이오드는 서로 병렬로 연결된 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 우회 회로부는 상기 다이오드와 직렬로 연결되는 적어도 하나의 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 우회 회로부는,
    상기 과충전 방지 회로상에 역방향으로 연결되며, 양 단에 걸리는 전위차가 상기 임계 값(Vmax) 이상일 때 통전 되는 제너 다이오드; 및
    상기 제너 다이오드와 연결되며, 상기 제너 다이오드가 통전 되는 경우 턴 온(Turn on) 되는 스위칭 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제너 다이오드는 상기 임계 값(Vmax)에 해당하는 항복 전압(Breakdown voltage) 값을 갖는 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 우회 회로부는,
    양 단에 걸리는 전위차에 따라 저항 값이 비선형 적으로 변하여 상기 전위차가 배터스터 전압 값에 이르면 통전되는 배리스터(Varistor); 및
    상기 배리스터와 연결되며, 상기 배리스터가 통전되는 경우 턴 온(Turn on) 되는 스위칭 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 배리스터는 상기 임계 값에 해당하는 배리스터 전압 값을 갖는 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로.
  10. 제6항 또는 8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자는 NPN 트렌지스터, PNP 트렌지스터 또는 전계 효과 트랜지스터(Field effect transistor) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 퓨즈부는 상기 과충전 방지 회로상의 도선보다 낮은 용융점을 갖는 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20170036321A (ko) * 2015-09-24 2017-04-03 주식회사 엘지화학 전지셀의 방전 시에만 전류가 흐를 수 있도록 구성된 우회 경로를 포함하는 안전 유닛
US20220085427A1 (en) * 2019-01-16 2022-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

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