KR20130080299A - Light emitting device package, back light unit and display unit - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device.
발광소자(LED)는 전기에너지를 빛 에너지로 변환하는 반도체소자로서, 화합물 반도체의 조성을 제어하여 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장(색)의 빛을 구현할 수 있으며, 형광물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 빛을 구현할 수 있다.A light emitting device (LED) is a semiconductor device that converts electrical energy into light energy. By controlling the composition of a compound semiconductor, a light emitting device (LED) can realize light of various wavelengths (colors) such as red, green, blue, and ultraviolet rays. By combining this, white light with high efficiency can be realized.
발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성 등의 장점이 있다. 따라서, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광다이오드 조명장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용범위가 확대되고 있다.The light emitting device has advantages such as low power consumption, semi-permanent lifespan, fast response speed, safety and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps. Therefore, a light emitting diode backlight that replaces a Cold Cathode Fluorescence Lamp (CCFL) that constitutes a backlight of a liquid crystal display (LCD) display, a white light emitting diode lighting device that can replace a fluorescent lamp or an incandescent bulb, and an automobile headlight. And the application range is extended to the traffic light.
종래기술에 의한 발광소자 패키지는 패키지 몸체 상에 발광소자가 실장되고, 상기 패키지 몸체 상에 전극층이 형성되어 상기 발광소자와 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 발광소자 상에는 형광체를 포함하는 몰딩부가 형성된다.In the light emitting device package according to the related art, a light emitting device is mounted on a package body, and an electrode layer is formed on the package body to be electrically connected to the light emitting device. In addition, a molding part including a phosphor is formed on the light emitting device.
그런데, 종래기술에 의한 발광소자 패키지는 고온고습 동작시 신뢰성 문제가 지적된다. 예를 들어, 종래기술에서 실리콘(silicone)은 고내열 특성을 띄어 고출력 발광소자에 몰딩 물질로 적합 하지만, 가스 투과성이 높아 고온 고습 동작에서의 신뢰성 시험 시 수분 등의 침투로 리드프레임(lead frame) 면의 변색, 부식을 가져와 발광소자 패키지의 광효율의 저하를 유발시킨다.However, in the light emitting device package according to the prior art, reliability problems are pointed out at high temperature and high humidity operation. For example, in the prior art, silicon (silicone) exhibits high heat resistance and is suitable as a molding material for a high output light emitting device. It causes discoloration and corrosion of the surface, causing a decrease in the light efficiency of the light emitting device package.
또한, 종래기술에 의하면 몰딩부의 탄성계수가 전극층의 탄성계수와 차이가 있어 열응력 스트레스(stress)의한 박리가 발생하여 기밀성(Sealing quality)이 저하됨으로써 습기침투에 의한 신뢰성의 문제가 발생하고 있다.In addition, according to the prior art, the elastic modulus of the molding part is different from the elastic modulus of the electrode layer, so that peeling due to thermal stress stress occurs and sealing quality is lowered, thereby causing a problem of reliability due to moisture penetration.
실시예는 신뢰성이 개선된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공하고자 한다.The embodiment provides a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved reliability.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 오목부를 포함하는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체의 측면을 관통하여 상기 오목부에 일부 노출되는 전극층; 상기 패키지 몸체의 상기 오목부 상에 발광소자; 상기 발광소자와 상기 전극층을 연결하는 와이어; 및 상기 발광소자 상에 몰딩부;를 포함한다.The light emitting device package according to the embodiment includes a package body including a recess; An electrode layer partially penetrating the side surface of the package body and partially exposed to the recess; A light emitting element on the recess of the package body; A wire connecting the light emitting element and the electrode layer; And a molding part on the light emitting device.
또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체의 일면에 위치하는 복수개의 오목부; 적어도 일부가 상기 패키지 몸체 내에 위치하고 상기 오목부에 대응하여 일부가 노출되는 전극층을 포함하며, 상기 노출된 전극층과 전기적으로 연결되는 발광소자를 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment includes a package body; A plurality of recesses positioned on one surface of the package body; At least a part may be disposed in the package body, and may include an electrode layer partially exposed to correspond to the recess, and may include a light emitting device electrically connected to the exposed electrode layer.
또한, 실시예에 따른 백라이트 유닛은 바텀 커버; 상기 바텀 커버 상에 발광 모듈; 및 상기 발광 모듈 상에 광학 부재;를 포함하며, 상기 발광 모듈은 상기 바텀 커버 상에 기판;과 상기 기판 상에 배치되는 상기 발광소자 패키지를 포함한다.In addition, the backlight unit according to the embodiment includes a bottom cover; A light emitting module on the bottom cover; And an optical member on the light emitting module, wherein the light emitting module includes a substrate on the bottom cover and the light emitting device package disposed on the substrate.
또한, 실시예에 따른 영상 표시 장치는 바텀 커버; 상기 바텀 커버 상에 발광 모듈; 상기 발광 모듈 상에 광학 부재; 및 상기 광학 부재 상에 표시 패널;을 포함하며, 상기 발광 모듈은 상기 바텀 커버 상에 기판;과 상기 기판 상에 배치되는 상기 발광소자 패키지;를 포함한다.In addition, the video display device according to the embodiment includes a bottom cover; A light emitting module on the bottom cover; An optical member on the light emitting module; And a display panel on the optical member, wherein the light emitting module includes a substrate on the bottom cover and the light emitting device package disposed on the substrate.
실시예에 의하면 신뢰성이 개선됨으로써 광효율이 증대된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved reliability by improving reliability.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도.
도 3은 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 4는 실시예에 따른 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 영상표시장치의 단면도.1 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the first embodiment.
2 is a plan view of a light emitting device package according to the first embodiment;
3 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a second embodiment.
4 is a cross-sectional view of a backlight unit and an image display apparatus including the same according to an embodiment.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on "and" under "are intended to include both" directly "or" indirectly " do. Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.
(실시예)(Example)
도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)의 단면도이며, 도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다. 도 2는 도 1에서 몰딩부(250)가 제거된 상태에서의 평면도이다.1 is a cross-sectional view of a light
실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 오목부(C)를 포함하는 패키지 몸체(210)와, 상기 패키지 몸체(210)의 측면을 관통하여 상기 오목부에 일부 노출되는 전극층(220)과, 상기 패키지 몸체(210)의 상기 오목부 상에 배치되는 발광소자(230)와, 상기 전극층(220)과 상기 발광소자(230)를 연결하는 와이어(240) 및 상기 발광소자(230) 상에 상기 오목부를 메우는 몰딩부(250)를 포함할 수 있다.The light
또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 패키지 몸체(210)와, 상기 패키지 몸체(210)의 일면에 위치하는 복수개의 오목부(C) 및 적어도 일부가 상기 패키지 몸체(210) 내에 위치하고 상기 오목부(C)에 대응하여 일부가 노출되는 전극층(220)을 포함하며, 상기 노출된 전극층(220)과 전기적으로 연결되는 발광소자(230)를 포함할 수 있다.In addition, the light
도 1에서의 발광소자(230)는 수직형 발광소자일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 패키지 몸체(210)는 반사율이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 패키지 몸체(210)는 반사율이 95%이상일 수 있으며, 이에 따라 패키지 몸체(210)의 오목부에 별도의 반사층을 형성하지 않을 수 있다.The
상기 패키지 몸체(210)는 PPA(Polyphthalamide)), PCT(Poly-cyclo-hecylene Dimethyl Terephthalate), 화이트 실리콘(white Silicone), 화이트(white) EMC(Epoxy Molding Compound) 중 어느 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 패키지 몸체(210)의 형상은 위에서 볼 때, 사각형, 삼각형, 다각형, 및 원형, 곡면을 갖는 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 패키지 몸체(210)는 복수의 측면부를 포함하며, 상기 복수의 측면부 중 적어도 하나는 상기 패키지 몸체(210)의 하면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다.The shape of the
상기 패키지 몸체(210)는 상기 오목부(C)가 위치하는 일면에서 상방향으로 돌출하여 형성되는 캐비티벽부를 포함할 수 있다.The
상기 패키지 몸체(210)는 상부가 개방되고, 측면과 바닥으로 이루어진 오목부(C)를 구비할 수 있다. 상기 오목부(C)는 상기 패키지 몸체(210)의 상면으로부터 오목한 컵(Cup) 구조, 캐비티(Cavity) 구조, 또는 리세스(recess) 구조와 같은 형태로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 오목부(C)의 둘레 면은 바닥에 대해 수직하거나 경사질 수 있다. 상기 오목부(C)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형), 모서리가 곡면인 다각형 형상일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The
도 1과 같이 상기 발광소자(230)가 수직형 발광소자인 경우, 제1 실시예에서 상기 전극층(220)은 상기 발광소자(230)가 배치되는 제1 전극(221) 및 상기 발광소자(230)와 와이어(240)로 연결되며 상기 제1 전극(221)과는 전기적으로 분리되는 제2 전극(222)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, when the
상기 전극층(220)은 전도성이 큰 금속, 예를 들어 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 전극층(220)은 Ag에 의해 도금될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 제1 전극(221), 제2 전극(222)은 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 전극층(220)은 상기 오목부(C)의 바닥부터 상기 패키지 몸체(210)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함할 수 있다.The
상기 제1 전극(221), 제2 전극(222)은 상기 패키지 몸체(210)의 측면에 배치되는 에지 타입일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(221) 및 상기 제2 전극(222)은 상기 패키지 몸체(210)의 하부에 배치되는 하부 전극부와 상기 패키지 몸체(210)의 측면부로 돌출되는 돌출 전극부를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 발광소자(230)는 상기 제1 전극(221) 상에 접하여 배치되며 상기 제1 전극(221)과 상기 발광소자(230)의 하부는 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 발광소자(230)는 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. The
예를 들어, 상기 발광소자(230)는 전도성 기판(미도시) 상에 배치되는 발광구조물(미도시)을 포함할 수 있고, 상기 발광구조물은 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.For example, the
상기 발광소자(230)는 III족-V족 원소의 화합물 반도체, 또는 II족-VI족 원소의 화합물 반도체 발광소자를 포함할 수 있다.The
예를 들어, 상기 발광구조물은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.For example, the light emitting structure may be formed of any one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP, but is not limited thereto. .
상기 전도성 기판은 효율적으로 캐리어를 주입할 수 있도록 전기 전도성이 우수한 금속, 금속합금, 혹은 전도성 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 전도성 기판은 구리(Cu), 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni-nickel), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.The conductive substrate may be made of a metal, a metal alloy, or a conductive semiconductor material having excellent electrical conductivity to efficiently inject carriers. For example, the conductive substrate may be copper (Cu), gold (Au), copper alloy (Cu Alloy), nickel (Ni-nickel), copper-tungsten (Cu-W), carrier wafers (eg, GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, etc.) may be optionally included.
실시예는 상기 오목부(C)를 메우며 상기 발광소자(230) 상에 몰딩부(250)를 형성할 수 있다.In an embodiment, the recess C may be filled to form a
상기 몰딩부(250)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(250)는 디메틸(di-methyl)계 실리콘을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 몰딩부(250)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 예를 들면 상기 몰딩부(250)의 표면은 오목한 곡면으로 형성될 수 있으며, 상기 오목한 곡면은 광 출사면이 될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The surface of the
상기 몰딩부(250)는 상기 발광소자(230)에서 방출되는 빛의 파장을 변환하기 위한 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 발광소자(230)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, 실리케이트(Silicate), 나이드라이드(Nitride), 옥시나이드라이드(Oxy-nitride) 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
실시예는 보호소자(미도시)를 상기 전극층(220) 상의 일부에 배치시킬 수 있다. 상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 보호소자는 상기 발광소자(230)를 ESD(electro static discharge)로 부터 보호한다. 상기 보호소자는 발광소자(230)의 연결 회로에 병렬로 연결됨으로써, 상기 발광소자(230)를 보호할 수 있다.In an embodiment, a protection device (not shown) may be disposed on a portion of the
종래기술에 의한 발광소자 패키지는 고온고습 동작시 신뢰성 문제가 지적된다. 예를 들어, 종래기술에서 실리콘(silicone)은 고내열 특성을 띄어 고출력 발광소자에 몰딩 물질로 적합 하지만, 가스 투과성이 높아 고온 고습 동작에서의 신뢰성 시험 시 수분 등의 침투로 리드프레임(lead frame) 면의 변색, 부식을 가져와 발광소자 패키지의 광효율의 저하를 유발시킨다.The light emitting device package according to the related art has a reliability problem in high temperature and high humidity operation. For example, in the prior art, silicon (silicone) exhibits high heat resistance and is suitable as a molding material for a high output light emitting device. It causes discoloration and corrosion of the surface, causing a decrease in the light efficiency of the light emitting device package.
이에 실시예에 의하면 전극층(220)과 몰딩부(250)의 접촉면적을 최소함으로써 리드프레임 기능을하는 전극의 변색, 부식을 방지할 수 있다.Accordingly, by minimizing the contact area between the
예를 들어, 실시예에서 상기 제2 전극(222)은 와이어 본딩 영역이 노출되며 제2 전극(222)의 나머지 영역은 상기 패키지 몸체(210)에 의해 노출되지 않을 수 있다.For example, in the embodiment, the
예를 들어, 상기 제2 전극(222)은 제2 홀(H2)에 의해 와이어 본딩 영역이 노출되며 나머지 영역은 상기 패키지 몸체(210)의 오목부에 의해 노출되지 않을 수 있고, 이를 통해 몰딩부(250)와 접촉하는 전극층(220)의 면적을 최소하여 전극층의 부식, 변색을 방지할 수 있다.For example, the
상기 와이어 본딩 영역은 약 ± 20 ㎛의 공차를 가질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The wire bonding region may have a tolerance of about ± 20 μm, but is not limited thereto.
예를 들어, 와이어 본딩 패드는 약 100㎛ × 100㎛ 일수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 와이어 본딩 패드 일면의 크기에 대해 약 ± 20 ㎛의 공차를 가질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the wire bonding pad may be about 100 μm × 100 μm, but is not limited thereto. The wire bonding pad may have a tolerance of about ± 20 μm to the size of one surface of the wire bonding pad, but is not limited thereto.
또한, 실시예에서 상기 제1 전극(221)은 제1 홀(H1)에 의해 발광소자(230)가 실장되는 영역이 노출되고, 실장 영역을 제외한 제1 전극(221)의 나머지 영역은 상기 패키지 몸체(210)의 오목부에 의해 노출되지 않음으로써 후속 공정에서 몰딩부(250)와 접촉하는 전극층(220)의 면적을 최소하여 전극층의 부식, 변색을 방지할 수 있다.In addition, in the embodiment, the region in which the
상기 발광소자(230)의 실장 영역은 약 ± 20 ㎛의 공차를 가질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The mounting area of the
또한, 실시예에 의하면 몰딩부(250)와 전극층(220)의 접촉면적을 최소화함으로써 몰딩부와 전극층의 몰딩부와 전극층의 탄성계수 차이에 의한 열응력 스트레스(stress)를 최소화하여 몰딩부의 박리를 방지하여 기밀성을 향상시킴으로써 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the embodiment, the contact area between the
실시예에 의하면 신뢰성이 개선됨으로써 광효율이 증대된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved reliability by improving reliability.
도 3은 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지(202)의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the light emitting
제2 실시예는 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.The second embodiment can employ the technical features of the first embodiment.
제2 실시예에 따른 발광소자 패키지(202)는 수평형 발광소자(232)가발광소자(232)가는 예이다.The light emitting
제2 실시예에서 전극층(220)은 상기 발광소자(232)와 제1 와이어(241)에 의해 전기적으로 연결되는 제3 전극(223)과 상기 발광소자(232)와 제2 와이어(242)에 의해 전기적으로 연결되는 제4 전극(224)을 포함할 수 있다.In the second embodiment, the
제2 실시예에서 상기 발광소자(232)는 상기 전극층과 접하지 않고, 패키지 몸체(210)의 오목부(C) 상에 배치될 수 있다.In the second embodiment, the
또는, 도 3의 도시와 달리 상기 발광소자(232)는 상기 전극층과 접하면서 패키지 몸체(210)의 오목부(C) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자(232)는 상기 제3 전극(223) 상에 접하여 배치될 수도 있다.Alternatively, unlike the illustrated in FIG. 3, the
실시예에 의하면 전극층(220)과 몰딩부(250)의 접촉면적을 최소화함으로써 리드프레임 기능을 하는 전극의 변색, 부식을 방지할 수 있다.According to the embodiment, discoloration and corrosion of the electrode serving as the lead frame can be prevented by minimizing the contact area between the
예를 들어, 제2 실시예에서 상기 제3 전극(223)과 제4 전극(224)은 와이어 본딩 영역이 노출되며 제3 전극(223), 제4 전극(224)의 나머지 영역은 상기 패키지 몸체(210)에 의해 노출되지 않을 수 있다.For example, in the second embodiment, the
예를 들어, 상기 제3 전극(223)은 제3 홀(H3)에 의해 와이어 본딩 영역이 노출되며 나머지 영역은 상기 패키지 몸체(210)에 의해 노출되지 않을 수 있고, 상기 제4 전극(224)은 제4 홀(H4)에 의해 와이어 본딩 영역이 노출되며 나머지 영역은 상기 패키지 몸체(210)에 의해 노출되지 않을 수 있다.For example, the
이를 통해 몰딩부(250)와 접촉하는 전극층(220)의 면적을 최소하여 전극층의 부식, 변색을 방지할 수 있다.Through this, the area of the
실시예에 의하면 신뢰성이 개선됨으로써 광효율이 증대된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved reliability by improving reliability.
도 4는 실시예에 따른 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 영상 표시 장치(1100)를 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating a backlight unit and an
도 4를 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광소자 패키지(200)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다.Referring to FIG. 4, the
상기 기판(1020)과 상기 발광소자 패키지(200)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다.The
상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the
상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원화 하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The
실시예에 의하면 신뢰성이 개선됨으로써 광효율이 증대된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved reliability by improving reliability.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiments, which are merely examples and are not intended to limit the embodiments, and those skilled in the art to which the embodiments belong may not be exemplified above without departing from the essential characteristics of the embodiments. It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.
200: 발광소자 패키지, 210: 패키지 몸체
220: 전극층, 230: 발광소자
240: 와이어, 250: 몰딩부200: light emitting device package, 210: package body
220: electrode layer, 230: light emitting element
240: wire, 250: molding part
Claims (12)
상기 패키지 몸체의 일면에 위치하는 복수개의 오목부; 및
적어도 일부가 상기 패키지 몸체 내에 위치하고 상기 오목부에 대응하여 일부가 노출되는 전극층을 포함하며,
상기 노출된 전극층과 전기적으로 연결되는 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지.A package body;
A plurality of recesses positioned on one surface of the package body; And
At least a part of the electrode layer is located in the package body and partially exposed to correspond to the recess;
A light emitting device package comprising a light emitting device electrically connected to the exposed electrode layer.
상기 전극층은
상기 발광소자가 배치되는 제1 전극; 및
상기 발광소자와 상기 와이어에 의해 연결되며 상기 제1 전극과는 전기적으로 분리되는 제2 전극;을 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
The electrode layer
A first electrode on which the light emitting element is disposed; And
And a second electrode connected by the light emitting element and the wire and electrically separated from the first electrode.
상기 제1 전극은 제1 홀에 의해 상기 발광소자가 실장되는 실장 영역이 노출되고, 상기 실장 영역을 제외한 제1 전극의 나머지 영역은 상기 패키지 몸체의 오목부에 의해 노출되지 않는 발광소자 패키지.The method of claim 2,
The first electrode is a light emitting device package is exposed by the first hole is a mounting area in which the light emitting device is mounted, the remaining area of the first electrode except the mounting area is not exposed by the recess of the package body.
상기 발광소자는 제1 와이어, 제2 와이어에 의해서 상기 전극층과 전기적으로 연결되고,
상기 전극층은,
상기 발광소자와 상기 제1 와이어에 의해 연결되는 제1 전극; 및
상기 발광소자와 상기 제2 와이어에 의해 연결되는 제2 전극;을 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
The light emitting device is electrically connected to the electrode layer by a first wire, a second wire,
Wherein,
A first electrode connected by the light emitting element and the first wire; And
And a second electrode connected by the light emitting element and the second wire.
상기 발광소자는
상기 제1 전극 상에 접하여 배치되는 발광소자 패키지.5. The method of claim 4,
The light emitting device
A light emitting device package disposed on and in contact with the first electrode.
상기 제2 전극 중에 와이어 본딩 영역이 노출되며, 상기 제2 전극 중 나머지 영역은 상기 패키지 몸체의 오목부에 의해 노출되지 않는 발광소자 패키지.The method according to any one of claims 2 to 5,
The wire bonding region is exposed in the second electrode, and the remaining region of the second electrode is not exposed by the recess of the package body.
상기 패키지 몸체는,
반사율이 95%이상인 발광소자 패키지.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The package body,
Light emitting device package with reflectance of 95% or more.
상기 패키지 몸체는,
PPA(Polyphthalamide)), PCT(Poly-cyclo-hecylene Dimethyl Terephthalate), 화이트 실리콘(white Silicone), 화이트(white) EMC(Epoxy Molding Compound) 중 어느 하나 이상인 발광소자 패키지.The method of claim 7, wherein
The package body,
A light emitting device package comprising any one or more of polyphthalamide (PPA), poly-cyclo-hecylene dimethyl terephthalate (PCT), white silicone, and white epoxy molding compound (EMC).
상기 패키지 몸체는 상기 오목부가 위치하는 일면에서 상방향으로 돌출하여 형성되는 캐비티벽부를 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
The package body includes a cavity wall portion protruding upward from one surface where the recess is located.
상기 와이어 본딩 영역에서 와이어 본딩패드의 크기는 100㎛ × 100㎛이고,
상기 와이어 본딩패드의 크기에 대해 ± 20 ㎛의 공차를 가지는 발광소자 패키지.The method of claim 6,
The wire bonding pad has a size of 100 μm × 100 μm in the wire bonding area,
Light emitting device package having a tolerance of ± 20 ㎛ with respect to the size of the wire bonding pad.
상기 바텀 커버 상에 발광 모듈; 및
상기 발광 모듈 상에 광학 부재;를 포함하며,
상기 발광 모듈은,
상기 바텀 커버 상에 기판;과
상기 기판 상에 배치되는 제1 항 내지 제5 항 중 어느 하나의 발광소자 패키지;를 포함하는 백라이트 유닛.Bottom cover;
A light emitting module on the bottom cover; And
An optical member on the light emitting module;
The light emitting module includes:
A substrate on the bottom cover; and
And a light emitting device package according to any one of claims 1 to 5 disposed on the substrate.
상기 바텀 커버 상에 발광 모듈;
상기 발광 모듈 상에 광학 부재; 및
상기 광학 부재 상에 표시 패널;을 포함하며,
상기 발광 모듈은,
상기 바텀 커버 상에 기판;과
상기 기판 상에 배치되는 제1항 내지 제5 항 중 어느 하나의 발광소자 패키지;를 포함하는 영상 표시 장치.Bottom cover;
A light emitting module on the bottom cover;
An optical member on the light emitting module; And
A display panel on the optical member;
The light emitting module includes:
A substrate on the bottom cover; and
The light emitting device package of any one of claims 1 to 5 disposed on the substrate.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2015076591A1 (en) * | 2013-11-21 | 2015-05-28 | 주식회사 루멘스 | Light-emitting device package, backlight unit, lighting device, and method for manufacturing light-emitting device package |
KR20150059198A (en) * | 2013-11-21 | 2015-06-01 | 주식회사 루멘스 | Light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method |
-
2012
- 2012-01-04 KR KR1020120001131A patent/KR20130080299A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015076591A1 (en) * | 2013-11-21 | 2015-05-28 | 주식회사 루멘스 | Light-emitting device package, backlight unit, lighting device, and method for manufacturing light-emitting device package |
KR20150059198A (en) * | 2013-11-21 | 2015-06-01 | 주식회사 루멘스 | Light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method |
US9831407B2 (en) | 2013-11-21 | 2017-11-28 | Lumens Co., Ltd. | Light emitting device package, backlight unit, illumination apparatus, and method of manufacturing light emitting device package |
US10074788B2 (en) | 2013-11-21 | 2018-09-11 | Lumens Co., Ltd. | Light emitting device package, backlight unit, illumination apparatus, and method of manufacturing light emitting device package |
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