KR20130076045A - 이온성 고분자가 표면처리된 세라믹 입자 및 표면처리방법 - Google Patents

이온성 고분자가 표면처리된 세라믹 입자 및 표면처리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20130076045A
KR20130076045A KR1020110144449A KR20110144449A KR20130076045A KR 20130076045 A KR20130076045 A KR 20130076045A KR 1020110144449 A KR1020110144449 A KR 1020110144449A KR 20110144449 A KR20110144449 A KR 20110144449A KR 20130076045 A KR20130076045 A KR 20130076045A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
poly
ceramic particles
ionic polymer
polymer
surface treatment
Prior art date
Application number
KR1020110144449A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101328495B1 (ko
Inventor
임호선
이우성
박성대
유명재
Original Assignee
전자부품연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 전자부품연구원 filed Critical 전자부품연구원
Priority to KR1020110144449A priority Critical patent/KR101328495B1/ko
Publication of KR20130076045A publication Critical patent/KR20130076045A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101328495B1 publication Critical patent/KR101328495B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/628—Coating the powders or the macroscopic reinforcing agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/82—Coating or impregnation with organic materials
    • C04B41/83—Macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/963—Surface properties, e.g. surface roughness

Abstract

본 발명의 일 측면에 따르면, 세라믹 입자의 표면 특성 제어를 위해, 세라믹 입자의 표면에 이온성 고분자를 표면처리 하도록 하는 이온성 고분자가 표면처리된 세라믹 입자 및 표면처리방법이 제공된다.

Description

이온성 고분자가 표면처리된 세라믹 입자 및 표면처리방법{Ionic polymer surface-treated ceramic particle and method thereof}
본 발명은 이온성 고분자를 이용하여 세라믹 입자의 표면을 처리하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이온성 고분자를 이용하여 세라믹 입자의 표면 특성을 제어할 수 있도록 하는 이온성 고분자가 표면처리된 세라믹 입자 및 그 표면처리방법에 관한 것이다.
산업의 발달과 함께 재료특성의 향상에 대한 요구가 꾸준하게 제기되고 있으며, 이에 따라 기존재료보다 우수한 강도 및 기능적 특성을 갖는 신소재 개발에 많은 연구가 행해지고 있다.
이러한 재료 중에서 세라믹은 높은 강도 및 고온에서 잘 견디고 부식이 되지 않는다는 장점이 있어, 일반적으로 가장 널리 사용되는 재료로 알려져 있다.
그러나, 세라믹 입자는 특성상 용매와의 친화도가 낮아 용매에 쉽게 분산되지 못하고 단시간에 침전된다는 문제가 있으며, 또한, 세라믹 입자와 고분자를 사용하여 복합재를 제조하는 경우, 세라믹 입자의 매질 내 분산 및 세라믹 입자와 고분자 간 계면 안정성이 높지 않아 제품의 제조 및 성능에 한계를 가져온다는 문제가 있다. 또한, 상술한 바와 같이 세라믹 입자는 용매에 쉽게 분산이 되지 않는다는 점에서, 고농도 용액의 제조가 쉽지 않으며, 따라서, 과다한 용매의 사용이 수반된다는 문제가 발생한다.
추가로, 세라믹 입자를 사용하여 다른 무기 입자와 하이브리드 결합을 행하는 경우, 세라믹 입자와 상기 다른 무기 입자 간의 계면 안정성이 낮아 쉽게 분리되므로, 안정한 코팅체를 형성할 수 없다는 문제가 있으며, 또한, 대부분의 세라믹 입자는 pH 변화에 따라 표면의 전하 밀도가 변화하는 바, 이에 따라 다른 무기소재 전구체를 이용한 코팅 공정 적용에 제약이 있다는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 출원인은 세라믹 입자의 표면 특성을 제어하여 상술한 바와 같은 문제점을 해소할 수 있는 방안을 강구하게 되었다.
본 발명의 실시예들은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위한 것으로, 이온성 고분자를 사용하여 세라믹 입자의 표면 특성을 제어하도록 한 이온성 고분자가 표면처리된 세라믹 입자 및 그 표면처리방법을 제공하도록 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 세라믹 입자의 표면 특성 제어를 위해, 세라믹 입자의 표면에 이온성 고분자를 표면처리 하도록 하는 이온성 고분자가 표면처리된 세라믹 입자가 제공될 수 있다.
상기 세라믹 입자는 질화붕소, 알루미나, 질화알루미늄, 실리카, 산화티타늄, 산화마그네슘, 산화베릴륨, 탄소섬유, 탄소나노튜브, 그래핀 중 어느 하나를 선택할 수 있다.
상기 이온성 고분자는 음이온성 고분자를 사용할 수 있으며, 상기 음이온성 고분자는 폴리아크릴산(poly acrylic acid), 폴리소디움 스티렌 술포네이트(poly sodium 4-styrene sulfonate), 폴리비닐술포닉산(poly vinylsulfonic acid), 폴리소디움염(poly sodium salt), 폴리아미노산 (poly amino acids) 중 어느 하나를 사용할 수 있다.
상기 이온성 고분자는 양이온성 고분자를 사용할 수 있으며, 상기 양이온성 고분자는 폴리다이알릴다이메틸암모늄 클로라이드(poly diallydimethylammonium chloride), 폴리알릴아민 하이드로클로라이드(poly allylamine hydrochloride), 폴리비닐벤질트리메틸 암모늄 클로라이드(poly 4-vinylbenzyltrimethyl ammonium chloride), 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine) 중 어느 하나를 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 이온성 고분자를 사용한 세라믹 입자의 표면처리방법은 세라믹 입자를 함유한 용액에 소정용액을 사용하여 pH를 조정하는 pH조정단계; 및 상기 pH조정단계 후에 이온성 고분자를 사용하여 세라믹 입자의 표면특성을 제어하는 표면처리단계;를 포함하여 형성될 수 있다.
또한, 상기 이온성 고분자를 사용하여 세라믹 입자의 표면처리를 행한 후에, 상기 세라믹 입자의 표면에 자성체를 코팅하는 단계를 추가할 수 있다.
또한, 상기 세라믹 입자의 pH조정단계에 사용되는 소정용액은 염산, 황산, 질산, 아세트산 또는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화암모늄, 헥사메틸다이아민을 사용할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 세라믹 입자에 이온성 고분자를 이용하여 표면처리를 행하는 것에 의해 세라믹 입자의 용매 젖음성 및 분산성을 향상시킬 수 있도록 한다. 이를 통해, 세라믹 입자를 사용한 고농도 용액의 제조가 가능하여, 과다한 용매의 사용을 억제할 수 있으며, 또한 반응기 규모를 상대적으로 작게 할 수 있다는 기술적 장점이 있다.
또한, 이온성 고분자를 사용하여 세라믹 입자에 표면처리 하는 것에 의해, 상기 세라믹 입자의 표면을 pH 변화에 안정하게 할 수 있음으로 인하여, 다른 무기 입자의 코팅 및 복합재료 형성을 용이하게 행할 수 있다는 기술적 장점이 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 입자에 음이온성 고분자를 표면처리하는 방법 및 상기 표면처리 후 자성 전구체를 코팅하는 과정을 도시한다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 자성 전구체를 코팅하기 전의 판상형 질화붕소의 주사전자현미경 이미지이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 판상형 질화붕소의 입자에 자성체(산화철) 가 코팅된 주사전자현미경 이미지를 도시한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 자성 전구체가 코팅된 판상형 질화붕소의 XRD 분석을 도시한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 자성 전구체가 코팅된 판상형 질화붕소의 자성 특성을 도시한다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 자성 전구체를 코팅하기 전의 질화알루미늄의 주사전자현미경 이미지이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화알루미늄의 입자에 자성체가 코팅된 주사전자현미경 이미지를 도시한다.
이하, 도면을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 이온성 고분자를 사용한 세라믹 입자의 표면처리 및 그 방법에 대하여 설명한다.
상기 서술한 바와 같이, 세라믹은 일반적으로 널리 사용되는 재료임에도 불구하고, 특성상 용매와의 친화도가 낮다는 단점이 있으며, 또한 세라믹 입자는 pH에 따라 표면의 전하밀도가 변화함에 따라 다른 무기소재 전구체를 이용한 코팅 공정 적용이 쉽지 않다는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 출원인은 상술한 바와 같은 문제점을 해결할 수 있는 방법을 강구하던 중, 세라믹 입자의 표면 특성의 변화를 가져오도록 하는 것에 의해, 상술한 바와 같은 문제를 해결할 수 있는 방안을 찾게 되었는 바, 보다 구체적으로, 세라믹 입자의 표면 특성 제어를 위해, 세라믹 입자의 표면에 이온성 고분자를 표면처리 하도록 하여 상술한 바와 같은 문제를 해결할 수 있도록 한다.
본 발명의 일 실시예에서 사용되는 상기 세라믹 입자는 질화붕소, 알루미나, 질화알루미늄, 실리카, 산화티타늄 산화티타늄, 산화마그네슘, 산화베릴륨, 탄소섬유, 탄소나노튜브, 그래핀 중 어느 하나를 사용할 수 있으나, 상기 제시된 실시예로 본 발명의 기술적 범위가 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 일 실시예에서 사용되는 이온성 고분자는 요구되는 세라믹 입자의 특성에 따라, 음이온성 고분자 또는 양이온성 고분자를 사용하여 표면처리를 수행하는 것이 가능하다.
이 중, 상기 음이온성 고분자는 폴리아크릴산(poly acrylic acid), 폴리소디움 스티렌 술포네이트(poly sodium 4-styrene sulfonate), 폴리비닐술포닉산(poly vinylsulfonic acid), 폴리소디움염(poly sodium salt), 폴리아미노산 (poly amino acids) 중 어느 하나를 사용할 수 있으나, 이에 본 발명의 기술적 범위가 한정되는 것은 아니며, 음이온성 고분자로 사용할 수 있는 재료는 본 발명의 실시예에 적용하는 것이 가능하다.
또한, 상기 양이온성 고분자는 폴리다이알릴다이메틸암모늄 클로라이드(poly diallydimethylammonium chloride), 폴리알릴아민 하이드로클로라이드(poly allylamine hydrochloride), 폴리비닐벤질트리메틸 암모늄 클로라이드(poly 4-vinylbenzyltrimethyl ammonium chloride), 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine) 중 어느 하나를 사용할 수 있으나, 이 역시, 상기 내용에 본 발명의 기술적 범위가 한정되는 것은 아니며, 양이온성 고분자로 사용할 수 있는 재료는 본 발명의 실시예에 적용하는 것이 또한 가능하다.
한편, 상술한 바와 같은 본 발명에 따른 이온성 고분자를 이용한 세라믹 입자의 표면처리방법이 도 1에 도시되어 있는 바, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 이온성 고분자를 이용한 세라믹 입자의 표면처리방법을 살펴보면 다음과 같다.
도 1에는 세라믹 입자에 음이온성 고분자를 표면처리하는 방법 및 상기 표면처리 후 자성 전구체를 코팅하는 과정이 개시되어 있는 바, 상기 도면에 도시되어 있는 바와 같이, 세라믹 입자에 음이온성 고분자를 표면처리하기 위해 우선, 세라믹 입자에 염산(HCl) 용액을 이용하여, 상기 세라믹 입자의 표면을 pH 3으로 낮추는 pH조정단계를 행한다. 그 후, 음이온성 고분자인 폴리소디움 스티렌술포네이트를 천천히 첨가하여 상기 세라믹 입자의 표면에 흡착되도록 하여, 상기 세라믹 입자의 표면 특성을 변화시키도록 한다.
상술한 바와 같은 방법으로 세라믹 입자의 표면에 음이온성 고분자를 사용하여 표면처리가 수행되면, 그 후에 2가 염화철(FeCl2)과 3가 염화철(FeCl3)를 1:2의 비로 첨가하여, 상기 세라믹 입자의 표면에 자성 전구체를 코팅하도록 한다. 즉, 상술한 바와 같이, 세라믹 입자의 표면에 음이온성 고분자로 표면 처리를 수행한 후에, 자성 전구체를 코팅하도록 하는 경우, 세라믹 입자 표면의 전하밀도 (surface potential) 가 일정하게 유지된다는 점에서, 보다 안정성 있게 상기 세라믹 입자의 표면에 자성 전구체를 코팅할 수 있다는 기술적 장점이 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에서 상기 세라믹 입자를 함유한 용액의 pH조정단계에 사용되는 소정용액으로, 염산을 사용하고 있으나, 상기 세라믹 입자의 표면을 양이온성 고분자를 사용하여 표면처리를 수행하고자 하는 경우에는, 수산화나트륨(NaOH)을 사용하여, pH를 조정하도록 한다.
한편, 본 발명의 일 실시예로 사용되는 세라믹 입자의 한 예로, 판상형 질화붕소(Boron nitride)를 예를 들어, 본 발명을 설명하면 다음과 같다.
판상형 질화붕소는 용매에 대한 용해도가 낮을 뿐 아니라, 입자 표면의 전하밀도는 pH 4 이상이 되면 양의 값에서 음의 값으로 변화하는 특성을 가진다. 따라서, 자성 전구체(산화철)를 판상형 질화붕소 입자에 코팅하기 위해서는 공정상 입자가 음의 값으로 하전되어야 유리하지만, 상기 자성 전구체 용액이 pH 3 이하의 값을 가지기 때문에 실제로 판상형 질화붕소 입자는 양의 값으로 하전된 전하밀도를 가지게 된다.
따라서, 판상형 질화붕소 입자와 자성 전구체의 단순 혼합만으로는 안정하게 자성체가 코팅된 판상형 질화붕소 입자를 얻을 수 없어 음이온성 고분자를 판상형 질화붕소 입자에 코팅하여 이 문제를 해결할 수 있도록 한다. 따라서, 음이온성 고분자를 사용하여 판상형 질화붕소 입자를 표면처리함으로써, 1 wt%의 농도로도 잘 분산되지 않던 판상형 질화붕소 입자가 20 wt% 이상의 농도에서도 분산이 활발하게 이루어지는 기술적 장점이 있다.
도 2a에는 자성 전구체를 코팅하기 전의 판상형 질화붕소의 주사전자현미경(scanning electron microscope) 이미지가 도시되어 있으며, 도 2b에는 판상형 질화붕소의 입자에 자성체가 코팅된 주사전자현미경 이미지가 도시되어 있는 바, 본 발명의 일 실시예에 개시되어 있는 바와 같이, 음이온성 고분자로 판상형 질화붕소 입자의 표면이 표면처리된 경우, 자성 전구체가 판상형 질화붕소의 입자 표면에 매우 조밀하게 안정적으로 코팅이 되어 있는 것을 알 수 있다.
또한, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 자성 전구체가 코팅된 판상형 질화붕소의 XRD(X-ray diffraction) 분석을 도시하고 있으며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 자성 전구체가 코팅된 판상형 질화붕소의 자성 특성이 도시되어 있는 바, 상기 도면에 도시되어 있는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따라 음이온성 고분자를 사용하여 판상형 질화붕소의 입자의 표면처리를 수행하고, 자성 전구체를 코팅하는 경우, 상기 자성 전구체의 코팅이 안정적으로 이루어짐으로 인하여, 자성 특성의 효율이 보다 높게 나타나고 있음을 알 수 있다.
판상형 질화붕소 100g을 500ml의 증류수에 분산시킨 후, 1M HCl 용액을 이용하여 pH 3으로 낮춘다. 판상형 질화붕소 입자가 충분히 분산되도록 1시간 동안 500rpm 으로 교반한 후, 소량의 증류수에 용해된 25g 폴리소디움 스티렌술포네이트(poly(sodium styrene sulfonate)) 고분자를 천천히 첨가한다. 이온성 고분자가 충분히 판상형 질화붕소에 흡착되도록 2시간 동안 500rpm 으로 교반한 후, 진공여과한다. 증류수로 3번 반복 세척한 후, 80도 오븐에서 12시간 동안 건조시킨다.
이온성 고분자로 표면처리된 판상형 질화붕소 100g 을 증류수 500ml에 분산시킨 후, 2가 염화철(FeCl2)과 3가 염화철(FeCl3)을 1:2의 비로 30g을 첨가한다. 상기 철이온이 판상형 질화붕소 입자에 충분히 흡착되도록 1시간 동안 교반한 후, 헥사메틸다이아민(hexamethyldiamine) 을 이용하여 pH를 10까지 조절한다. 1시간 동안 더 교반한 후, 진공여과하고, 증류수로 3번 세척한 후, 80도 오븐에서 12시간 동안 건조시킨다.
질화알루미늄 100g을 500ml의 증류수에 분산시킨 후, 1M HCl 용액을 이용하여 pH 3으로 낮춘다. 질화알루미늄 입자가 충분히 분산되도록 1시간 동안 500rpm 으로 교반한 후, 소량의 증류수에 용해된 25g 폴리소디움 스티렌술포네이트(poly(sodium styrene sulfonate)) 고분자를 천천히 첨가한다. 이온성 고분자가 충분히 질화알루미늄에 흡착되도록 2시간 동안 500rpm 으로 교반한 후, 진공여과한다. 증류수로 3번 반복 세척한 후, 80도 오븐에서 12시간 동안 건조시킨다.
이온성 고분자로 표면처리된 질화알루미늄 100g을 증류수 500ml에 분산시킨 후, 2가 염화철(FeCl2)과 3가 염화철(FeCl3)을 1:2의 비로 30g을 첨가한다. 상기 철이온이 질화알루미늄 입자에 충분히 흡착되도록 1시간 동안 교반한 후, 헥사메틸다이아민을 이용하여 pH를 10까지 조절한다. 1시간 동안 더 교반한 후, 진공여과하고, 증류수로 3번 세척한 후, 80도 오븐에서 12시간 동안 건조시킨다.
도 5a에는 본 발명의 일 실시예에 따라 자성 전구체를 코팅하기 전의 질화알루미늄의 주사전자현미경 이미지가 도시되어 있으며, 도 5b에는 질화알루미늄의 입자에 자성체가 코팅된 주사전자현미경 이미지가 도시되어 있는 바, 본 발명의 일 실시예에 개시되어 있는 바와 같이, 음이온성 고분자로 질화알루미늄 입자의 표면이 표면처리된 경우, 자성체가 질화알루미늄의 입자 표면에 매우 조밀하게 안정적으로 코팅이 되어 있는 것을 알 수 있다.
판상형 질화붕소 100g을 500ml의 증류수에 분산시킨 후, 1M NaOH 용액을 이용하여 pH 10으로 높인다. 판상형 질화붕소 입자가 충분히 분산되도록 1시간 동안 500rpm 으로 교반한 후, 70g의 35 wt% 폴리다이알릴다이메틸암모늄 클로라이드(polydiallydimethylammonium chloride) 고분자 수용액을 천천히 첨가한다. 이온성 고분자가 충분히 판상형 질화붕소에 흡착되도록 2시간 동안 500rpm으로 교반한 후, 진공여과한다. 증류수로 3번 반복 세척한 후, 80도 오븐에서 12시간 동안 건조시킨다.
이상에서의 서술은 특정의 실시예와 관련한 것으로, 청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. 세라믹 입자의 표면 특성 제어를 위해, 세라믹 입자의 표면에 이온성 고분자를 표면처리 하도록 하는 이온성 고분자가 표면처리된 세라믹 입자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 세라믹 입자는 질화붕소, 알루미나, 질화알루미늄, 실리카, 산화티타늄, 산화마그네슘, 산화베릴륨, 탄소섬유, 탄소나노튜브, 그래핀 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이온성 고분자가 표면처리된 세라믹 입자.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 이온성 고분자는 음이온성 고분자로, 폴리아크릴산(poly acrylic acid), 폴리소디움 스티렌 술포네이트(poly sodium 4-styrene sulfonate), 폴리비닐술포닉산(poly vinylsulfonic acid), 폴리소디움염(poly sodium salt), 폴리아미노산 (poly amino acids) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이온성 고분자가 표면처리된 세라믹 입자.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 이온성 고분자는 양이온성 고분자로, 폴리다이알릴다이메틸암모늄 클로라이드(poly diallydimethylammonium chloride), 폴리알릴아민 하이드로클로라이드(poly allylamine hydrochloride), 폴리비닐벤질트리메틸 암모늄 클로라이드(poly 4-vinylbenzyltrimethyl ammonium chloride), 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이온성 고분자가 표면처리된 세라믹 입자.
  5. 세라믹 입자를 함유한 용액에 소정용액을 사용하여 pH를 조정하는 pH조정단계; 및
    상기 pH조정단계 후에 이온성 고분자를 사용하여 세라믹 입자의 표면특성을 제어하는 표면처리단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온성 고분자를 이용한 세라믹 입자의 표면처리방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 이온성 고분자를 사용하여 세라믹 입자의 표면처리를 행한 후에, 상기 세라믹 입자의 표면에 자성체를 코팅하는 단계를 추가하는 것을 특징으로 하는 세라믹 입자의 표면처리방법.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 세라믹 입자는 질화붕소, 알루미나, 질화알루미늄, 실리카, 산화티타늄, 산화마그네슘, 산화베릴륨, 탄소섬유, 탄소나노튜브, 그래핀 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이온성 고분자를 이용한 세라믹 입자의 표면처리방법.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 세라믹 입자를 함유한 용액의 pH조정단계에 사용되는 소정용액은 염산 또는 수산화나트륨인 것을 특징으로 하는 이온성 고분자를 이용한 세라믹 입자의 표면처리방법.
  9. 청구항 5에 있어서,
    상기 이온성 고분자는 음이온성 고분자로, 폴리아크릴산(poly acrylic acid), 폴리소디움 스티렌 술포네이트(poly sodium 4-styrene sulfonate), 폴리비닐술포닉산(poly vinylsulfonic acid), 폴리소디움염(poly sodium salt), 폴리아미노산 (poly amino acids) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이온성 고분자를 이용한 세라믹 입자의 표면처리방법.
  10. 청구항 5에 있어서,
    상기 이온성 고분자는 양이온성 고분자로, 폴리다이알릴다이메틸암모늄 클로라이드(poly diallydimethylammonium chloride), 폴리알릴아민 하이드로클로라이드(poly allylamine hydrochloride), 폴리비닐벤질트리메틸 암모늄 클로라이드(poly 4-vinylbenzyltrimethyl ammonium chloride), 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이온성 고분자를 이용한 세라믹 입자의 표면처리방법.

KR1020110144449A 2011-12-28 2011-12-28 음이온성 고분자가 표면처리된 세라믹 입자 및 표면처리방법 KR101328495B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110144449A KR101328495B1 (ko) 2011-12-28 2011-12-28 음이온성 고분자가 표면처리된 세라믹 입자 및 표면처리방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110144449A KR101328495B1 (ko) 2011-12-28 2011-12-28 음이온성 고분자가 표면처리된 세라믹 입자 및 표면처리방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130076045A true KR20130076045A (ko) 2013-07-08
KR101328495B1 KR101328495B1 (ko) 2013-11-13

Family

ID=48989728

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110144449A KR101328495B1 (ko) 2011-12-28 2011-12-28 음이온성 고분자가 표면처리된 세라믹 입자 및 표면처리방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101328495B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109161051A (zh) * 2018-08-07 2019-01-08 深圳先进技术研究院 改性六方氮化硼及其制备方法和用途
CN110615914A (zh) * 2019-11-01 2019-12-27 万华化学（宁波）有限公司 季铵盐改性碳纳米管、制备方法和一种低密度、低翘曲的软触感聚丙烯改性材料及制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05137995A (ja) * 1991-06-19 1993-06-01 Teika Corp 粒子のフエライト被覆方法
KR100439580B1 (ko) * 2001-11-05 2004-07-12 학교법인 포항공과대학교 소수성 기재의 표면을 친수성으로 개질하는 방법
JP2013514963A (ja) 2009-12-22 2013-05-02 スー・クワンスック グラフェン分散液およびグラフェン−イオン性液体高分子複合物
KR20110137907A (ko) * 2010-06-18 2011-12-26 을지대학교 산학협력단 세라믹 비드를 이용한 피부 충전용 필러 조성물

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109161051A (zh) * 2018-08-07 2019-01-08 深圳先进技术研究院 改性六方氮化硼及其制备方法和用途
CN109161051B (zh) * 2018-08-07 2020-08-28 深圳先进技术研究院 改性六方氮化硼及其制备方法和用途
CN110615914A (zh) * 2019-11-01 2019-12-27 万华化学（宁波）有限公司 季铵盐改性碳纳米管、制备方法和一种低密度、低翘曲的软触感聚丙烯改性材料及制备方法
CN110615914B (zh) * 2019-11-01 2021-07-23 万华化学（宁波）有限公司 季铵盐改性碳纳米管、制备方法和一种低密度、低翘曲的软触感聚丙烯改性材料及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101328495B1 (ko) 2013-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yu et al. Fabrication of hollow inorganic microspheres by chemically induced self‐transformation
Folli et al. Engineering photocatalytic cements: understanding TiO2 surface chemistry to control and modulate photocatalytic performances
Wang et al. Preparation of hollow TiO 2 nanoparticles through TiO 2 deposition on polystyrene latex particles and characterizations of their structure and photocatalytic activity
TW201138943A (en) Silane-surface treated metal oxide fine particles and production method thereof
JP2016222501A (ja) 板状アルミナ粒子およびその製造方法
US20210009812A1 (en) Plate-like alumina particle and a manufacturing method for the same
JP2009018960A (ja) ポリシリケート粒子状材料の製造および使用
CN109867986B (zh) 一种高分子改性的纳米碳酸钙产品系列
JP6449903B2 (ja) 板状酸化アルミニウムおよびその製造方法
De Hazan et al. Homogeneous functional Ni–P/ceramic nanocomposite coatings via stable dispersions in electroless nickel electrolytes
JPH0811693B2 (ja) チタニアゾルおよびその製造方法
CN111453769B (zh) 一种控制纳米氧化锆粉体粒径的有机添加剂
KR101328495B1 (ko) 음이온성 고분자가 표면처리된 세라믹 입자 및 표면처리방법
JPWO2007142116A1 (ja) 金属酸化物粒子の製造方法
KR100724845B1 (ko) 분산 중합을 이용한 실리카-폴리아닐린 코어-쉘복합체의 제조방법
Fiedot et al. Polymer-surfactant interactions and their influence on zinc oxide nanoparticles morphology
KR101445120B1 (ko) 세라믹 입자의 자성체 코팅 방법
CN105145568A (zh) 一种可再生SiO2/PAM核壳复合纳米抗菌粒子的制备方法
Park et al. Monodisperse Polystyrene-Silica Core–Shell Particles and Silica Hollow Spheres Prepared by the Stöber Method
CN108863355A (zh) 一种用于制备高强度陶瓷的改性纳米氧化锆的制备方法
JP5289077B2 (ja) 針状酸化錫微粉末およびその製造方法
Schabikowski et al. The effect of CuO coatings on the electrokinetic properties of stone wool fibres determined by streaming potential measurements
Bon et al. Electrodeposition of composite iron oxide–polyelectrolyte films
CN108314453B (zh) 一种提高碳化硅粉末在水系中分散稳定性的方法
JP5416532B2 (ja) 針状酸化錫微粉末およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161107

Year of fee payment: 4